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佐道 泰造(さどう たいぞう) データ更新日:2019.07.31

准教授 /  システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 電子デバイス工学


大学院(学府)担当

システム情報科学府 電気電子工学専攻 電子デバイス工学講座

学部担当



電子メール
取得学位
博士(工学)
専門分野
電子工学
ORCID(Open Researcher and Contributor ID)
0000-0001-6988-5597
活動概要
1.研究活動
(a)シリコン系材料の高機能化・新材料の探索
 集積回路を構成する半導体デバイスの微細化・集積化が高度に進み、従来の開発手法では、集積回路の性能向上が困難となりつつあります。今後も高まるニーズに応えるためには、微細化のみに頼る従来手法に加え、材料自体の特性を飛躍的に向上することが必要です。このため、デバイス高速化に有効なSiGe、SiGeC、光通信デバイスとしての可能性のある直接遷移型FeSi2など、新シリコン系材料に注目し、材料の製作、および電子・光学特性の解明を行っています。

(b)照射誘起欠陥を利用したプロセス技術の確立
 半導体結晶に荷電粒子を照射すると、空孔、格子間原子などの照射誘起欠陥が生成されます。これらの欠陥は、結晶中を移動して消滅したり、複合欠陥を形成して安定化します。その緩和過程で、照射誘起欠陥はある量のエネルギーを結晶を構成する原子に放出しますが、そのエネルギーを半導体加工のためのプロセスエネルギーとして利用すると、低温での固相結晶成長やシリサイド形成反応を誘起することが可能となります。照射誘起欠陥緩和の素過程の解明、照射誘起欠陥により誘起される非晶質化、結晶化、シリサイド形成反応の機構の解明、およびこれらの現象を利用してのデバイス構造形成を行っています。

(c)シリコン結晶中微小欠陥の挙動の解明
 半導体材料には、結晶成長、デバイス加工などの工程で、プロセス誘起欠陥、重金属汚染など種々の微小欠陥が導入されます。半導体デバイスの微細化に伴い、これら微小欠陥がデバイスの動作特性に及ぼす影響が顕著になっています。シリコン結晶中の微小欠陥の評価に関する研究を行い、3d遷移金属不純物、水素関連複合欠陥、および粒子照射誘起欠陥の特性を系統的に解明しています。また、次世代の基板材料として期待されるSOI中微小欠陥の電気的特性評価評価手法を開発しています。

2.教育活動
 マイクロデバイス物理特論(大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻、平成8年度より)、電子デバイス工学第二(工学部電気系学科、平成8,9年度)、基礎数学演習第一(工学部電気情報工学科、平成10年度)、電気電子工学(農学部農業工学科、平成8年度より)、一般電気工学第二(工学部地球環境工学科、平成12年度より)を担当。

3.社会活動
 財団法人福岡県産業・科学技術振興財団福岡県地域結集型共同事業研究員(平成10年1〜3月)

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