九州大学-研究者情報 [佐道泰造 (准教授) システム情報科学研究院情報エレクトロニクス部門]

1.	Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh, Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation, Materials Science in Semiconductor Processing, https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107692, 165, 107692-1-107692-8, 2023.10, 極薄Ge薄膜の新しい成膜プロセスを創出するとともに、トランジスタを作製し、高い移動度を実現。高移動度チャネルを用いた次世代集積回路の実現を加速する重要な成果である。.
2.	Keita Katayama, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh, Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing, Materials Science in Semiconductor Processing, https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107433, 160, 107433-1-107433-7, 2023.06, リン酸塗布とエキシマレーザ照射法を用いた新しいドーピング技術を創出し、Ge表面に極浅・高濃度ドープ層を形成することで金属/Ge界面のフェルミレベルピニングを制御し、ショットキー障壁の変調を実現。高移動度チャネルを用いた次世代集積回路の実現を加速する重要な成果である。.
3.	Takashi Kajiwara, Otokichi Shimoda, Tatsuya Okada, Charith Jayanada Koswaththage, Takashi Noguchi, and Taizoh Sadoh, High mobility of (111)-oriented large-domain (>100 μm) poly-InSb on glass by rapid-thermal crystallization of sputter-deposited films, Journal of Applied Physics, https://doi.org/10.1063/5.0105045, 132, 14, 145302-1-145302-6, 2022.10, スパッタ法による堆積と急速熱処理法を用いたInSb薄膜の新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上に極めて高いキャリア移動度を有するInSb薄膜を実現。高感度かつ低コストな薄膜磁気センサの実現を加速する重要な成果である。.
4.	Hongmiao Gao, Taizoh Sadoh, Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator, Applied Physics Letters, 10.1063/5.0020489, 117, 17, 172102-1-172102-6, 2020.10, V族元素を触媒として用いた新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上におけるn型Ge結晶薄膜の低温形成を実現。次世代集積回路や高性能フレキシブル・エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。.
5.	C. Xu, X. Gong, M. Miyao, T. Sadoh, Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≤50 nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization, Applied Physics Letters, 10.1063/1.5096798, 115, 4, 042101-1-042101-5, 2019.07, 低温固相成長法に界面変調法を重畳した新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上における極薄GeSn結晶薄膜の高移動度化を実現。次世代集積回路や高性能フレキシブル・エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。.
6.	T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao, Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator, Jap.J.Appl.Phys., Vol.47, No.3, pp1876-1879, 2008.03.
7.	T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo and M. Miyao, High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain, Materials Science Forum, Vol.561-565, pp.1181-1184, 2007.11.
8.	T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao, Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe3Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application, ECS Transactions, Vol.11, No.6, pp473-480, 2007.10.
9.	T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source / Drain Fabricated by Low-Temperature Processing , Jpn. J. Appl. Phys., Vol.46, No.3B, pp.1250-1253 , 2007.03.
10.	T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Low-temperature formation (Appl. Phys. Lett., Vol.89, No.19, 192114, pp1-3, 2006.11.
11.	T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao, Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge , Appl. Phys. Lett. , Vol.89, No.18, 182511, pp1-3 , 2006.10.
12.	T. Sadoh, Y. Ohyama, A. Kenjo, K. Ikeda, Y. Yamashita, and M. Miyao , Suppression of Floating-Body Effects in Poly-Si TFT by Schottky S/D Structure , Jpn. J. Appl. Phys. , Vol.45, No.5B, pp.4370-4373 , 2006.05.

主要学会発表等

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T. Sadoh and M. Miyao, High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth, 4th International SiGe Symposium The ECS 218th, 2010.10, 新しい結晶成長法(SiGeミキシング誘起溶融成長法)を開発し、絶縁膜上におけるGe結晶薄膜(Ge-on-Insulator; GOI)の高品位形成を実現した。次世代LSIプロセスとして世界中の研究者の注目を集める新技術である。本招待講演では、この新しい結晶成長法に関する成果を総合的に報告した。.

T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K.Toko, M. Miyao , Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor
, AWAD 2009, 2009.06.

特許出願・取得

特許出願件数 1件

特許登録件数 0件

学会活動

所属学会名

電気化学会

応用物理学会

電気学会

米国電気電子工学会

電子情報通信学会

学協会役員等への就任

2024.04～2025.03, 電子情報通信学会, 代議員.

2023.04～2025.03, 電子情報通信学会, 幹事.

2018.04～2030.03, 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 実行・プログラム委員.

2017.04～2030.03, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会, 幹事.

2016.01～2030.05, 国際固体素子・材料コンファレンス, 論文委員.

2008.10～2030.05, International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, プログラム委員.

2009.07～2030.06, 電子情報通信学会SDM研究会, 幹事.

2010.05～2030.05, 応用物理学会, 幹事.

2007.05～2009.05, 電気学会, 幹事.

2004.03～2030.06, 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会, 幹事.

学会大会・会議・シンポジウム等における役割

2010.01.28～2010.01.29, ITC’10, 座長（Chairmanship）.

2008.07.02～2008.07.04, AM-FPD 08, 座長（Chairmanship）.

2008.12.09～2008.12.13, IUMRS-ICA 2008, 座長（Chairmanship）.

2004.07.01～2004.07.02, 第８回シリサイド系半導体夏の学校, 代表幹事.

2004.05.01～2004.06.01, 第４回Siエピタキシーとヘテロ構造に関する国際会議（ICSi-4）, 現地実行委員.

2000.11.01～2000.11.30, 第６回半導体微細構造のビーム注入診断技術に関する国際会議（BIAMS2000）, 現地実行委員.

学術論文等の審査

年度	外国語雑誌査読論文数	日本語雑誌査読論文数	国際会議録査読論文数	国内会議録査読論文数	合計
2023年度	19		50		69
2022年度	25		50		75
2021年度	18		50		68
2020年度	32		50		82
2019年度	26		50		76
2018年度	37		50		87
2017年度	20		50		70
2016年度	28		50		78
2015年度	11		50		61
2014年度	18				18
2012年度	17				17
2013年度	20				20
2010年度	19				19
2009年度	15				15
2008年度	16				16
2007年度	17				17
2006年度	9				9
2005年度	1				1
2011年度	13				13
2004年度	1	1	0	0	2

その他の研究活動

外国人研究者等の受入れ状況

2015.04～2015.06, Korea.

2014.07～2014.09, マレーシア工科大, Malaysia.

2013.02～2013.05, マレーシア工科大, Malaysia.

受賞

The 2020 Reviewer of the Year for Applied Physics Express, Outstanding Reviewer Award, IOP Publishing, 2021.03.

2017年度APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会, 2018.03.

電気学会論文発表賞, 1994.01.

研究資金

科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)

2010年度～2012年度, 基盤研究(B), 分担, ハーフメタル強磁性体／Ｓｉ界面の原子層制御による室温動作スピントランジスタの創出.

2009年度～2011年度, 挑戦的萌芽研究, 分担, フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用.

2008年度～2010年度, 基盤研究(C), 分担, ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化.

2007年度～2008年度, 基盤研究(C), 代表, ガラス上におけるＳｉＧｅ結晶の高歪み化・方位制御とトランジスタの高速・高信頼化.

2007年度～2009年度, 基盤研究(B), 分担, フレキシブル基板上におけるSiGe結晶の超高移動度化とトランジスタ応用.

2006年度～2009年度, 特定領域研究, 分担, 強磁性体シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング.

2001年度～2003年度, 特定領域研究(A)特定領域研究(B), 分担, Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の局在制御による新機能探索研究.

2002年度～2003年度, 若手研究(B), 代表, ヘテロ半導体におけるドライプロセス誘起欠陥の挙動解明と制御.

2003年度～2005年度, 基盤研究(B), 分担, ガラス上に於けるSiGe局所結晶の低温方位制御とデバイス応用.

2004年度～2006年度, 基盤研究(B), 代表, ガラス上における歪みＳｉＧｅ結晶の創製と薄膜トランジスタの超高移動度化.

2004年度～2006年度, 基盤研究(C), 分担, シリサイド半導体の格子歪み制御による1.5μm帯発光の高効率化と波長多重化.

競争的資金(受託研究を含む)の採択状況

2010年度～2010年度, (財)材料科学研究助成基金「材料科学研究助成」　, 代表, 金属触媒成長法による高キャリア移動度Ge結晶/絶縁膜の創製.

2002年度～2002年度, 丸文研究交流財団・国際交流助成金, 代表, 金属触媒とイオン照射を用いた多結晶SiGe/絶縁膜の低温形成.

2003年度～2003年度, 小澤・吉川記念　エレクトロニクス研究助成金, 代表, 歪みシリサイド半導体の創製と1.5μm帯波長多重化オプトデバイスへの応用.

2004年度～2004年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 代表, SiGe半導体材料のプロセス及びデバイスに関するシンポジウムへの参加.

2004年度～2004年度, 科学技術振興調整費 (文部科学省), 代表, シリサイド半導体の格子歪み制御によるバンド変調技術の研究.

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pure2017年10月2日から、「九州大学研究者情報」を補完するデータベースとして、Elsevier社の「Pure」による研究業績の公開を開始しました。

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