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佐道 泰造(さどう たいぞう) データ更新日:2019.04.18

准教授 /  システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 電子デバイス工学


主な研究テーマ
次世代集積回路の実現に向けたシリコン・ゲルマニウム系ヘテロ半導体技術に関する研究

キーワード:集積回路、半導体、シリコン、ゲルマニウム、スズ
1999.04.
高性能フレキシブルエレクトロニクスの実現に向けた低温結晶成長技術に関する研究
キーワード:フレキシブルエレクトロニクス、半導体、シリコン、ゲルマニウム、スズ
2005.04.
シリコン系材料の非熱平衡プロセスに関する研究
キーワード:半導体、シリコン、ゲルマニウム、非平衡プロセス
1996.04~2005.03.
シリコン中の微小欠陥に関する研究
キーワード:半導体、シリコン、ゲルマニウム、イオン、重金属、水素
1996.04~1999.03.
研究業績
主要原著論文
1. T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao, Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator, Jap.J.Appl.Phys., Vol.47, No.3, pp1876-1879, 2008.03.
2. T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo and M. Miyao, High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain, Materials Science Forum, Vol.561-565, pp.1181-1184, 2007.11.
3. T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao, Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe3Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application, ECS Transactions, Vol.11, No.6, pp473-480, 2007.10.
4. T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source / Drain Fabricated by Low-Temperature Processing , Jpn. J. Appl. Phys., Vol.46, No.3B, pp.1250-1253 , 2007.03.
5. T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Low-temperature formation (<500°C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain:, Appl. Phys. Lett., Vol.89, No.19, 192114, pp1-3, 2006.11.
6. T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao, Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge
, Appl. Phys. Lett. , Vol.89, No.18, 182511, pp1-3 , 2006.10.
7. T. Sadoh, Y. Ohyama, A. Kenjo, K. Ikeda, Y. Yamashita, and M. Miyao , Suppression of Floating-Body Effects in Poly-Si TFT by Schottky S/D Structure , Jpn. J. Appl. Phys. , Vol.45, No.5B, pp.4370-4373 , 2006.05.
主要学会発表等
1. T. Sadoh and M. Miyao, High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth, 4th International SiGe Symposium The ECS 218th, 2010.10, 新しい結晶成長法(SiGeミキシング誘起溶融成長法)を開発し、絶縁膜上におけるGe結晶薄膜(Ge-on-Insulator; GOI)の高品位形成を実現した。次世代LSIプロセスとして世界中の研究者の注目を集める新技術である。本招待講演では、この新しい結晶成長法に関する成果を総合的に報告した。.
2. T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K.Toko, M. Miyao , Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor
, AWAD 2009, 2009.06.
特許出願・取得
特許出願件数  1件
特許登録件数  0件
学会活動
所属学会名
電気化学会
応用物理学会
電気学会
米国電気電子工学会
電子情報通信学会
学協会役員等への就任
2017.04~2019.03, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会, 幹事.
2016.01~2026.05, 国際固体素子・材料コンファレンス, 論文委員.
2008.10~2026.05, International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, プログラム委員.
2009.07, 電子情報通信学会SDM研究会, 幹事.
2010.05~2027.05, 応用物理学会, 幹事.
2007.05~2009.05, 電気学会, 幹事.
2004.03, 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会, 幹事.
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2010.01.28~2010.01.29, ITC’10, 座長(Chairmanship).
2008.07.02~2008.07.04, AM-FPD 08, 座長(Chairmanship).
2008.12.09~2008.12.13, IUMRS-ICA 2008, 座長(Chairmanship).
2004.07.01~2004.07.02, 第8回シリサイド系半導体夏の学校, 代表幹事.
2004.05.01~2004.06.01, 第4回Siエピタキシーとヘテロ構造に関する国際会議(ICSi-4), 現地実行委員.
2000.11.01~2000.11.30, 第6回半導体微細構造のビーム注入診断技術に関する国際会議(BIAMS2000), 現地実行委員.
学術論文等の審査
年度 外国語雑誌査読論文数 日本語雑誌査読論文数 国際会議録査読論文数 国内会議録査読論文数 合計
2017年度 20    50    70 
2016年度 28    50    78 
2015年度 11    50    61 
2014年度 18        18 
2012年度 17        17 
2013年度 20        20 
2010年度 19        19 
2009年度 15        15 
2008年度 16        16 
2007年度 17        17 
2006年度      
2005年度      
2011年度 13        13 
2004年度
その他の研究活動
外国人研究者等の受入れ状況
2015.04~2015.06, Korea.
2014.07~2014.09, マレーシア工科大, Malaysia.
2013.02~2013.05, マレーシア工科大, Malaysia.
受賞
2017年度APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会, 2018.03.
電気学会論文発表賞, 1994.01.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2010年度~2012年度, 基盤研究(B), 分担, ハーフメタル強磁性体/Si界面の原子層制御による室温動作スピントランジスタの創出.
2009年度~2011年度, 挑戦的萌芽研究, 分担, フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用.
2008年度~2010年度, 基盤研究(C), 分担, ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化.
2007年度~2008年度, 基盤研究(C), 代表, ガラス上におけるSiGe結晶の高歪み化・方位制御とトランジスタの高速・高信頼化.
2007年度~2009年度, 基盤研究(B), 分担, フレキシブル基板上におけるSiGe結晶の超高移動度化とトランジスタ応用.
2006年度~2009年度, 特定領域研究, 分担, 強磁性体シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング.
2001年度~2003年度, 特定領域研究(A)特定領域研究(B), 分担, Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の局在制御による新機能探索研究.
2002年度~2003年度, 若手研究(B), 代表, ヘテロ半導体におけるドライプロセス誘起欠陥の挙動解明と制御.
2003年度~2005年度, 基盤研究(B), 分担, ガラス上に於けるSiGe局所結晶の低温方位制御とデバイス応用.
2004年度~2006年度, 基盤研究(B), 代表, ガラス上における歪みSiGe結晶の創製と薄膜トランジスタの超高移動度化.
2004年度~2006年度, 基盤研究(C), 分担, シリサイド半導体の格子歪み制御による1.5μm帯発光の高効率化と波長多重化.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2010年度~2010年度, (財)材料科学研究助成基金「材料科学研究助成」 , 代表, 金属触媒成長法による高キャリア移動度Ge結晶/絶縁膜の創製.
2002年度~2002年度, 丸文研究交流財団・国際交流助成金, 代表, 金属触媒とイオン照射を用いた多結晶SiGe/絶縁膜の低温形成.
2003年度~2003年度, 小澤・吉川記念 エレクトロニクス研究助成金, 代表, 歪みシリサイド半導体の創製と1.5μm帯波長多重化オプトデバイスへの応用.
2004年度~2004年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 代表, SiGe半導体材料のプロセス及びデバイスに関するシンポジウムへの参加.
2004年度~2004年度, 科学技術振興調整費 (文部科学省), 代表, シリサイド半導体の格子歪み制御によるバンド変調技術の研究.

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