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中島 寛(なかしま ひろし) データ更新日:2017.06.27



大学院(学府)担当

役職名

センター群協議会議長


電子メール
ホームページ
http://gic.kyushu-u.ac.jp/
グローバルイノベーションセンターの紹介 .
電話番号
092-583-7872
FAX番号
092-573-8729
取得学位
工学博士
専門分野
電子・電気材料工学、応用物性・結晶工学
活動概要
1983〜1993年間の工学部在職中の研究活動は、半導体工学分野において、Si中の3d遷移金属不純物の物性解明、結晶欠陥の評価法の開発など、に従事した。これらの仕事の成果は、2000年に刊行された”Handbook of Semiconductor Technology, Vol. 1 (WILEY-VCH)に掲載されている(引用論文数10報)。また、これらの研究が契機となり米国MIT(1995年)および東北大学(1993年)から招聘され、共同研究に発展した。1994年度からは、SOIウェーハの電気的評価技術の開発に取り組んでいる。
  
1994年からは、新設された先端科学技術共同研究センター(2003年10月:産学連携センターに名称変更)に移り、「機能性薄膜の低温形成と応用」に関する研究に取り組んでいる。。具体的には、1)MOSFETのゲート絶縁膜への適用を目指した「高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成」、2)TFT応用を目指した「ガラス基板上への多結晶S薄膜の低温成長」の研究を実施している。この分野に関する論文も多数発表している。

2001年度からは、歪Si/SiGe On Insulatorのプロジェクト研究が採択されたことを機に、SiGe On Insulator, Ge On Insulatorの形成と評価に関する研究を行っている。また、ローカル歪み技術、Ge-CMOSデバイスに関する研究にも力を入れている。2016年10月に、産学連携センターはグローバルイノベーションセンターに改組され、アドバンストプロジェクト部門の中の機能デバイス領域を担当している。2017年4月より、センター群協議会議長を務めている。

教育活動としては、大学院総合理工学府の兼任指導教員として、大学院生に対する講義を行うとともに、毎年数名の修士学生、博士学生の研究指導や論文作成指導を行っている。講義としては、今後益々重要となる情報技術(IT)を支える「半導体デバイス工学」について講義をしている。

以上の研究教育をベースにして、産学共同研究、地方自治団体からの受託研究などを積極的に実施している。特に、2000年度に発足させたプロジェクト委員会において企画した「高速LSI用歪SOIウェーハの研究開発」が、2001年度文部科学省・科学技術振興調整費の先導的研究等の推進(2001~2003年度)に採択され、更に、文部科学省・科学技術振興調整費 産学官共同研究の効果的な推進において「次世代LSI用高機能Siウェーハの開発」(2004~2005年度)、経済産業省・地域新生コンソーシアム研究開発事業において「省電力LSI用高機能Siウェーハの開発」(2004~2005年度)の産学共同プロジェクトへと発展した。2006年度からは、上記で培った技術をデバイスに適用する共同研究を実施し、JST知的クラスター創世事業(2007~2011年度)の1テーマとしてプロジェクト研究を実施した。

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