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吉武 剛(よしたけ つよし) データ更新日:2018.06.23

准教授 /  総合理工学研究院 エネルギー科学部門 物性動力学


総説, 論評, 解説, 書評, 報告書等
1. 花田 賢志, 杉山 武晴, 冨永 亜希, 楢木野宏, Tsuyoshi Yoshitake, Crドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド膜のX線吸収微細構造及びX線光電子分光による構造解析, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 116-117頁, 2014.12.
2. Tarek M. Mostafa, Mahmoud Shaban, Motoki Takahara, Suguru Funasaki, Aki Tominaga, Toshihiro Okajima, Tsuyoshi Yoshitake, Extended X-ray Absorption Find-Structure Investigation of Carbon-Doped β-FeSi2, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 105-106頁, 2014.12.
3. 冨永 亜希, 楢木野宏, 花田 賢志, 吉武 剛, 超ナノ微粒子ダイヤモンド粉末へのCrドープによる磁性付与, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 103-104頁, 2014.12.
4. 儀間弘樹, Abdelrahman M. A., 吉武 剛, 冨永 亜希, 隅谷和嗣, 瀬戸山寛之, 平井康晴, 同軸型アークプラズマガンによる窒素ドープn型超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の創製, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 101-102頁, 2014.12.
5. 吉田智博, 花田 賢志, 冨永 亜希, 隅谷和嗣, 瀬戸山寛之, 吉武 剛, 同軸型アークプラズマ堆積法を用いた超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜における放電周波数の影響, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 99-100頁, 2014.12.
6. 吉武 剛, 冨永 亜希, 瀬戸山寛之, 隅谷和嗣, 平井康晴, ナノカーボンによる新規太陽電池の創製, 九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, 97-98頁, 2014.12.
7. 吉武 剛, ナノカーボンを用いた新規太陽電池の創製, マツダ財団研究報告書 , Vol. 26 (2014) 25-32頁., 2014.07.
8. 吉武 剛, 新規光電変換材料である超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボンの分光法による構造評価, 東北大学多元物質科学研究所・九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, pp. 46-50., 2012.12.
9. 吉武 剛, 大曲新矢, アリヤミ サウサン, 片宗優貴, 儀間弘樹, 花田尊徳, 冨永 亜希, 瀬戸山寛之, 隅谷和嗣, 平井康晴, 超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜の光電変換素子への応用, 東北大学多元物質科学研究所・九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム実施報告書, pp. 106-107., 2012.12.
10. 泉翔太,川井健司,吉武剛, リソグラフィーによる半導体β-FeSi2 を用いたフォトトランジスタの創製, 平成23年度九州地区ナノテクノロジーネットワーク拠点ネットワーク成果報告書<MEMS測定解析支援>, (2012) pp. 90-91, 2012.03.
11. 堺 研一郎,平川信一,吉武 剛, 微細加工による強磁性金属Fe3Si/半導体FeSi2/強磁性金属Fe3Siスピン注入素子の創製, 平成23年度九州地区ナノテクノロジーネットワーク拠点ネットワーク成果報告書<MEMS測定解析支援>, (2012) pp. 88-89., 2012.03.
12. 花田賢志,吉田智博,中川 優,大谷亮太,隅谷和嗣,瀬戸山寛之,小林英一,吉武 剛, 同軸型アークプラズマガンにより真空中で形成した超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜の構造評価, 北九州産業学術推進機構・九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム「ものづくりと放射光応用技術が拓くナノワールド」 実施報告書, 74-75頁, 2011.01.
13. 鈴木逸良,大曲新矢,花田賢志,大谷亮太,隅谷和嗣,瀬戸山寛之,小林英一,吉武 剛, Alドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の化学結合構造評価, 北九州産業学術推進機構・九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム「ものづくりと放射光応用技術が拓くナノワールド」 実施報告書, 76-77頁, 2011.01.
14. 平川信一,堺 研一郎,武田 薫,吉武 剛, 強磁性金属Fe3Si/半導体FeSi2人工格子におけるCPP素子の創製, 北九州産業学術推進機構・九州シンクロトロン光研究センター合同シンポジウム「ものづくりと放射光応用技術が拓くナノワールド」 実施報告書, 52頁, 2011.01.
15. 吉武 剛, 超ナノ微結晶ダイヤモンド/カーボン混相膜の微細構造と機械特性, カシオ科学振興財団平成22年年報, pp. 76-77., 2010.08.
16. 吉武剛, 超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜のNEXAFSおよびXPSによる化学結合構造の評価, 九州シンクロトロン光研究センター年報2008, 2010.03.
17. 吉武剛, ボロンおよび窒素ドープされた超ナノ微結晶ダイヤモンド・アモルファスカーボン混相膜の構造解析, 平成20年度九州地区ナノテクノロジー拠点ネットワーク九州シンクロトロン光研究センター利用事例集, pp. 59-61, 2010.02.
18. 吉武剛, 超ナノ微結晶ダイヤモンド・アモルファスカーボン混相膜の構造解析, 平成20年度九州地区ナノテクノロジー拠点ネットワーク九州シンクロトロン光研究センター利用事例集, pp. 27-29, 2010.02.
19. 吉武 剛, ベータ鉄シリサイドの太陽電池素子応用に向けた基盤研究, 財団法人岩谷直治記念財団研究報告書, Vol. 29,30-32頁,2006., 2006.10.
20. 小川哲也,中垣内 大,吉武 剛, 板倉 賢,桑野 範之,友清 芳ニ、大橋政司,巨海玄道、梶原寿了,永山邦仁, Fe-Si系による強磁性相/半導体相積層膜の作製とその評価, 電離気体実験施設報告書, 第14号, 2004.01.
21. 福川知仁, PLD法によるナノ微結晶ダイヤモンド薄膜の作製, 電離気体実験施設報告書, 第14号, 2004.01.
22. 田中一郎、吉武 剛、岡田重人、山木準一、永山邦仁, レーザーアブレーション法によるLiCoO2薄膜の作製とその電気化学的特性, 電離気体実験施設報告, 第13号, 28-29頁, 2003.08.
23. Dai Nakagauchi, Tsuyoshi Yoshitake and Kunihito Nagayama, Fabrication of ferromagnetic Fe3Si thin films by pulsed laser deposition, Report of institute for ionized gas and laser research, 13, 26-27, 2003.08.
24. 吉武剛, 環境考慮型半導体beta-FeSi2の太陽電池素子への応用, (財)東電記念科学技術研究所研究助成成果報告書, 一般, 2003.03.
25. 吉武 剛, レーザーアブレーション法による高品質ダイヤモンド状炭素およびダイヤモンド薄膜の作製, 日本板硝子研究助成会報告書, 20, pp. 40-44, 2002.09.
26. 吉武 剛, ホール効果測定による半導体の電気特性評価, 九州大学中央分析センターセンターニュース, Vol.21、No.2、1-4頁, 2002.08.
27. Nilesh J. Vasa, Daisuke Yamashita, Tsuyoshi Yoshitake, and Shigeru Yokoyama, Influences of Electric and Magnetic Field on Fabrication of Y1Ba2Cu3O7-x Thin Film by Pulsed Laser Deposition, Report of Institute for Ionized Gas and Laser Research, Kyushu University, No. 12, pp. 56-57, 2002.08.
28. 原武嗣、吉武 剛、永山邦仁, レーザーアブレーション法を用いたダイヤモンド薄膜成長における基板温度の効果, 電離気体実験施設報告書, 第12号、34-35頁, 2002.08.
29. 由利彰崇、吉武 剛、永山邦仁、佐道泰造、宮尾正信, 対向ターゲット式DCスパッタリング法によるβ-FeSi2薄膜の作製とその基本特性, 電離気体実験施設報告書, 第12号、32-33頁, 2002.08.
30. Tsuyoshi Yoshitake, Yusuke Mukae and Kunihito Nagayama, Formation of calcium silicide thin film by pulsed laser ablation of Ca2Si alloy, Report of Institute for Ionized Gas and Laser Research, Kyushu University, No. 11 , pp. 32-33, 2001.08.
31. 吉武 剛、西山貴史、原 武嗣、永山邦仁, レーザーアブレーション法を用いたダイヤモンド薄膜のホモ成長, 電離気体実験施設報告書, 第11号、34-35頁, 2001.08.
32. Tsuyoshi Yoshitake, Takashi Nishiyama, and Kunihito Nagayama, Growth of a-C:H Thin Films by Pulsed Laser Ablation of a PMMA Target, Report of Institute for Ionized Gas and Laser Research, Kyushu University, No. 10, pp. 37-38, 2000.08.
33. Tsuyoshi Yoshitake, Tatsuya Nagamoto, Gousuke Shiraishi and Kunihito Nagayama, Microstructure of beta-FeSi2 Thin Films on Si(100) Deposited by Pulsed Laser Deposition using an FeSi2 alloy target, Report of Institute for Ionized Gas and Laser Research, Kyushu University, No. 10, pp. 35-36, 2000.08.
34. 岩佐宗八、林 宏充、吉武 剛、植田清隆、樋口貞雄、竹下博人、澤田秀一, PLD法を用いた光変成器, 電離気体実験施設報告書, 第10号、57-58頁, 2000.08.
35. 草野修、山下大介、鈴木俊平、吉武剛、植田清隆, レーザー蒸着法によるYBCO高温超電導薄膜線材の開発, 電離気体実験施設報告書, 第10号、51-52頁, 2000.08.
36. 西山貴史、吉武 剛、永山邦仁, PLD法におけるカーボン薄膜成長に及ぼす雰囲気水素ガスの効果, 電離気体実験施設報告書, 第9号、45-46頁, 1999.08.
37. Tsuyoshi Yoshitake, Tatsuya Nagamoto, Gousuke Shiraishi, and Kunihito Nagayama, Low Temperature Growth of Ecological Semiconductor beta-FeSi2 Thin Films by Pulsed Laser Deposition, Report of Institute for Ionized Gas and Laser Research, Kyushu University, No. 9, pp. 43-44, 1999.08.
38. 永元達也、吉武 剛、永山邦仁, レーザーアブレーション法を用いた環境考慮型半導体beta-FeSi2薄膜の作成とその膜構造, 超高圧電顕室研究報告書, No. 23、79-80頁, 1999.06.
39. 吉武 剛, レーザーアブレーション法による環境半導体beta-FeSi2薄膜の作成, (財)福岡県産業・科学技術振興事業団 テーマ探索・シーズ発掘事業 研究成果報告書, 31-58頁, 1999.03.
40. 吉武 剛、西山貴史、青木肇、水津光司、高橋厚史、永山邦仁, レーザーアブレーション法によるカーボン薄膜の作成とその評価, 電離気体実験施設報告書, Vol. 8, pp. 31-32, 1998.09.
41. 吉武剛、水津光司、青木肇、高橋厚史、永山邦仁, レーザーアブレーションによる放出カーボン粒子の発光スペクトル分析, 電離気体実験施設報告書, Vol.7, 1997.09.

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