| 1. |
小林大河, 松川祐子, 蓑島航平, 佐伯龍聖, 有田誠, 宗藤伸治, α-リン酸三カルシウムと水の反応を用いたヒドロキシアパタイト粒子の形態制御, 2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2023.06. |
| 2. |
前村大樹, 松川祐子, 高木健太郎, 佐伯龍聖, 有田誠, 宗藤伸治, 一方向凝固によるV2O5熱電材料の配向制御と電気抵抗率の低減, 2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2023.06. |
| 3. |
濱砂敦志, 岡坂達也, 佐伯龍聖, 松川祐子, 有田誠, 宗藤伸治, 薄膜Si熱電発電素子の発電特性に及ぼす温度条件の影響, 2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2023.06. |
| 4. |
香月佑斗, 松川祐子, 森元翔也, 佐伯龍聖, 有田誠, 宗藤伸治, Czochralski法による組成傾斜がCoドープβ-FeSi2の熱起電力に与える影響, 2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2023.06. |
| 5. |
青木航介, 佐伯龍聖, 松川祐子, 有田誠, 宗藤伸治, 共沈降法による組成傾斜化Alドープβ-FeSi2の熱電発電特性, 第32回傾斜機能材料シンポジウム, 2023.09. |
| 6. |
行事明, 青木航介, 松川祐子, 佐伯龍聖, 有田誠, 宗藤伸治, p+/p-Si界面におけるキャリア拡散の制御を用いた熱起電力の向上, 第32回傾斜機能材料シンポジウム, 2023.09. |
| 7. |
高木健太郎, 荒木脩斗, 松川祐子, 佐伯龍聖, 有田誠, 宗藤伸治, Czochralski法で作製したBa8Cu6Ge40-xSixクラスレートの熱電性能, 第32回傾斜機能材料シンポジウム, 2023.09. |
| 8. |
安藤蒼生, 高木健太郎, 佐伯龍聖, 松川祐子, 有田誠, 宗藤伸治, 加算平均を用いたRietveld法によるBa8CuxSi46-xクラスレートの構造解析, 日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会, 2023.09. |
| 9. |
Ryusei Saeki, Tomomi Doi, Shinji Munetoh, Takeshi Ohgai, Mechanical properties of electroformed nickel-cobalt alloy sheets separated from a dumbbell-shaped titanium cathode, ECOMATERIARLS CONFERENCE & EXHIBITION 2023 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ECOMATERIALS, 2023.11. |
| 10. |
隈河拓斗、有田 誠、松川祐子、宗藤 伸治, 縮退Siを用いた等温環境下における熱-電力変換特性の調査, 2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2022.06. |
| 11. |
青木航介、笹岡陸人、有田 誠、松川祐子、宗藤 伸治, 内部電界を導入したp型Si 2層試料における高密度化による熱電性能向上の検証, 2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2022.06. |
| 12. |
高木健太郎、荒木脩斗、有田 誠、松川祐子、宗藤 伸治, チョクラルスキー法によるp型Ba8CuxGe46-xクラスレートの高性能化, 2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2022.06. |
| 13. |
簑島航平、松川祐子、有田誠、宗藤伸治, Sn存在下でのSPS法によるBa8Cux Ge46−x クラスレートの熱電性能向上, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 14. |
森元翔也、香月佑斗、松川祐子、有田誠、宗藤伸治, p型Ba8CuxGe46−xクラスレートの多層化による熱起電力の向上, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 15. |
松川祐子、森元翔也、堀千咲、木村祐介、有田誠、宗藤伸治, Coドープβ -FeSi2の組成傾斜による熱起電力の向上, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 16. |
隈河拓斗、木瀬浩輝、松川祐子、有田誠、宗藤伸治, p-Si/p+-Si及びn-Si/n+-Siの温度勾配垂直方向熱電発電特性, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 17. |
岡坂達也、宮本悠希、 松川祐子、有田誠、宗藤伸治, p/n-Si薄膜接合素子の試作と熱電発電特性, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 18. |
荒木脩斗、高木健太郎、松川祐子、有田誠、宗藤伸治, Czochralski 法で作製したSr8AlxGa16xSi30クラスレートの熱電性能にAl 置換が与える影響, 第31回傾斜機能材料シンポジウム, 2022.10. |
| 19. |
森元翔也,木村祐介,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, 溶媒を利用した低温晶出によるβ-FeSi2単結晶作製の検討, 2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2021.06. |
| 20. |
荒木脩斗,井上千穂,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, CZ法を用いた二段階引き上げにより電位障壁を形成したBaAlSiクラスレートの熱電特性, 2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2021.06. |
| 21. |
岡坂達也,木瀬浩輝,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, n-Si薄膜/p-Si構造の形成と温度勾配付与時の電位分布観察, 2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2021.06. |
| 22. |
簑島航平,中村英介,有田 誠,松川祐子,宗藤 伸治, フェルミ準位の異なるn型Ba8AlxSi46-xクラスレート二層接合による熱起電力向上, 2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2021.06. |
| 23. |
木瀬浩輝,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, p-Si/n-Siの温度勾配垂直方向熱電発電に及ぼすドーピング濃度の影響, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 24. |
笹岡陸人,中村英介,坂本百香,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, p-Si 2層試料の内部電界が熱起電力に及ぼす効果, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 25. |
森元翔也,木村祐介,堀千咲,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, Ga溶媒を利用したβ -FeSi2の低温晶出, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 26. |
仲矢彩花,簑島航平,荒木脩斗,笹岡陸人,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, 単結晶化によるBa8Cux Si46−x クラスレートの低比抵抗化, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 27. |
荒木脩斗,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, Ba8Alx Si46−x 単結晶の2層試料における熱電性能に対する組成の影響, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 28. |
木村祐介,松川祐子,有田誠,宗藤伸治, p型Ba-Au-Siクラスレート試料のCZ法を用いた組成傾斜による熱電発電効果, 第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021), 2021.12. |
| 29. |
Momoka Sakamoto, Rikuto Sasaoka, Chiho Inoue, Shinji Munetoh, The Effect of Forming Internal Electric Field in Seebeck Effect, Material Research Society meeting, 2020.12. |
| 30. |
Chiho Inoue, Shinji Munetoh, Masahide Yasuda, Yuichiro Magami, Zilong Zhang, Synthesis of P-Type BaCuSi Clathrate for Thermoelectric Materials, Material Research Society meeting, 2020.12. |
| 31. |
宗藤 伸治、中村 英介、有田 誠 , バンドエンジニアリングを用いた熱電性能向上の新たな試み, 日本化学会 第101春季年会(2021), 2021.03. |
| 32. |
木瀬浩輝, 木村俊介, 有田誠, 宗藤伸治, p-Si/n-Si の温度勾配垂直方向熱電発電に及ぼす温度条件の影響, 2020年（令和2年度）応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11. |
| 33. |
笹岡陸人, 水蘆嵩人, 有田誠, 宗藤伸治, p-Si/n-Si 接合熱電材料の温度勾配垂直方向発電, 2020年（令和2年度）応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11. |
| 34. |
木村 祐介, 安田 雅英, 井上 千穂, 有田 誠, 宗藤 伸治, 単結晶Ba8CuxSi46-xクラスレートのCu組成制御による熱電性能の向上, 2020年（令和2年度）応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11. |
| 35. |
中村英介, 水蘆嵩人, 有田誠, 宗藤伸治, 内部電界の導入が熱電発電性能に及ぼす効果, 2020年（令和2年度）応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11. |
| 36. |
藤田 育郎、Edalati Kaveh、王 青、有田 誠、宗藤 伸治、堀田 善治, 高圧ねじり加工によるMgOの光触媒機能創出, 日本金属学会 第1６５回秋期大会, 2019.09. |
| 37. |
宗藤伸治, バンド構造制御による新たな熱ー電力変換技術, 日本化学会第 100 春季年会, 2019.03. |
| 38. |
木村俊介,馬場勇人,宗藤伸治, 縮退n型Si/p型BaAuSiクラスレートヘテロ接合材料を用いた狭バンドギャップ部におけるキャリア励起による熱ー電力変換の検証, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 39. |
眞上祐一郎,平島吏桜,張子龍,宗藤伸治,森佑一, Ba8CuxSi46-xクラスレートの単結晶化による高性能化, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 40. |
井上千穂,安田雅英,眞上祐一郎,宗藤伸治,森佑一, P型BaCuSiクラスレートの作製, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 41. |
河原健太,荒牧信助,岩下翔太,有田誠,宗藤伸治, β-FeSi2中のSi微細析出による熱電特性向上の検討, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 42. |
水蘆嵩人,矢嶋謙太,宗藤伸治, n型及びp型縮退シリコン層間に挿入された狭バンドギャップ層におけるキャリア熱励起を用いた熱ー電力変換, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 43. |
中村英介，水蘆嵩人，有田誠,宗藤伸治, 電位障壁の導入が熱電発電性能に及ぼす効果, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 44. |
宗藤伸治,水蘆嵩人,矢嶋謙太,天野博史,有田誠, 縮退したnおよびp型Si半導体接合における等温環境下での熱ー電力変換の検証, 第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2019.11. |
| 45. |
中村英介, 日下部圭祐, 木村俊介,古君修, 宗藤伸治, 荒牧正俊, S添加γ系ステンレス鋼でのボイド生成-成長に及ぼす溶接熱の影響, 平成31年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2019.06. |
| 46. |
河原 健太,荒牧 信助,岩下 翔太,有田 誠,宗藤 伸治, バルクβ-FeSi2の作製およびSi微細析出による熱電性能向上の検討, 平成31年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2019.06. |
| 47. |
宗藤伸治､松原典恵, 分子動力学を用いたナノ微粒子の挙動シミュレーション, 第124回マイクロ接合研究委員会, 2018.12. |
| 48. |
Yuichiro Magami, Shota Iwashita, Yuki Osakabe and Shinji Munetoh, Manufacturing P- and N-type polycrystalline Ba8PtxSi46-x clathrates and improvement of thermoelectric performance, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 49. |
Masahide Yasuda, Hayato Baba, Yuki Osakabe and Shinji Munetoh, Single Crystallization Of Ba8PtxSi46-x Clathrate For Improvement Of Thermoelectric Properties, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 50. |
Hayato Baba, Yuki Osakabe, Shinji Munetoh and Osamu Furukimi, Fabrication of single crystal Ba8CuxSi46-x clathrate with composition gradient by two-stage Czochralski method, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 51. |
Kenta Yajima, Shinsuke Aramaki and Shinji Munetoh, SPS simultaneous sintering of two powders with different melting points, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 52. |
Shinsuke Aramaki, Jyunpei Iwanaga, Yuuki Osakabe and Shinji Munetoh, Thermoelectric Properties of Ba8AuxGeySi46-x-y Clathrate at High Temperature, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 53. |
Shota Iwashita, Yuki Osakabe, Shota Tatsumi, Yuichi Kotsubo and Shinji Munetoh, Effect of Vacancy in Ba8AuxSi46-x Clathrate on Carrier Type by Rietveld Refinement and First-Principles Calculation, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 54. |
Ginshiro Utsumi, Hayato Baba, Shota Iwashita and Shinji Munetoh, Single Crystallization of Ba8GaxGe46-x Clathrate by CZ method, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 55. |
Shinji Munetoh, Yuuki Osakabe and Keita Yamasoto, Thermal probe method analysis for Ba8AuxSi46-x single crystal clathrate with Au composition gradient, ISFGMs2018, 2018.08. |
| 56. |
Shinji Munetoh, Yuki Osakabe, Osamu Furukimi, Electric Power Generation from Waste heat without Temperature Gradient, CIMTEC2018, 2018.06. |
| 57. |
宗藤 伸治、刑部 有紀、山外 啓太、岩永 純平、三浦 秀士、古君 修, SPSを用いた温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発, 第 22 回 通電焼結研究会, 2017.11. |
| 58. |
宗藤 伸治、刑部 有紀、岩下 翔太、古君 修, リートベルト解析による結晶構造解析とEPMAの組成分析, 第35回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会, 2017.11. |
| 59. |
宗藤伸治， 刑部有紀， 古君修, 等温下での発電を可能にするpn 接合型発電の現状, 第14 回日本熱電学会学術講演会, 2017.09, タービンなどの大型装置を用いずに熱から
電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。
熱電発電についてはここで説明するまでもな
く、材料内に温度差を与え、ゼーベック効果に
より発生する起電圧を利用することになる。高
温部から低温部への熱流が同時に生じるため、
低温部からの放熱のため、変換効率を低下させ
るジレンマも同時に有することとなる。そこで、
今回は、太陽電池のようなp/n 接合おいて、接
合部のバンドギャップが狭くなるようなバン
ド構造を形成すれば、試料に温度差を与えるこ
となく均一に加熱することにより、p/n 接合部
においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化
させることなく電荷分離することが可能であ
ると考え、そのようなp/n 接合素子の作製を試
みた研究を紹介する。
実験方法
本研究では、組成に応じてバンドギャップが
変化することが報告されているBa8AuxSi46-x ク
ラスレートに注目し、偏析を利用することによ
り、組成傾斜材料の作製を試みた。高純度の
Ba, Au, Si をBa：Au：Si = 8：8：38 となる
ように秤量し、アーク溶融法により合金化した
後、得られた試料を原料としてCZ 法により単
結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結
晶の体積を調整することにより、組成傾斜
Ba8AuxSi46-x クラスレート単結晶作製を行った。
結果と考察
作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切
りに切り出した試料の組成分析の結果から、こ
の試料は上部から下部にかけて徐々にAu の濃
度が上昇している組成傾斜材料であることが
分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼ
ーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の
部分はn 型であり、引き上げ後期にはp 型の材
料になっていることが確認できた。さらに、XRD
やEBSP の結果により今回作製した試料が単結
晶Ba8AuxSi46-x クラスレートであることも確認
された。以前の研究により、真性半導体に近い
組成のBa8AuxSi46-x クラスレートは、狭いバン
ドギャップを有し、n 型もしくはp 型側に組成
がずれるほど、ワイドバンドギャップ化するこ
とが分かっている。よって、今回得られた単結
晶試料は種結晶に近い側から、n 型→真性→p
型半導体となっており、同時にバンドギャップ
は、wide→narrow→wide となっていることが
想像される。この試料を用いて、試料内に温度
差が無いように試料全体を昇温する実験を行
い、試料pn 両端の電圧を測定した結果、500
度において1.9mV 程度の電圧が観測された。
結言
本研究で観測された電圧はp/n 接合におい
て接合部のバンドギャップが狭くなるような
バンド構造を形成した場合、試料に温度差を与
えることなく均一に加熱することにより、p/n
接合部においてのみキャリアを励起し、バンド
の曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電
圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、
本研究により提唱された新たな発電メカニズ
ムの検証についても講演する予定である。. |
| 60. |
宗藤 伸治、刑部 有紀、古君 修, 狭バンドギャップ部からの熱による電子励起を利用した等温下での新たな熱-電力変換技術, 日本金属学会創立８０周年記念シンポジウム, 2017.09, 【緒言】内燃機関では本来の人の移動や貨物の移動に有効利用されるエネルギーは、投入エネルギーの約30％ほどであり、大部分を占める排熱を回収する技術が盛んに研究されている。タービンなどの大型装置を用いずに熱から電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。熱電発電では材料に温度差を与えた場合に生じるゼーベック効果を用いて行われているが、温度差を与えたことにより発生する熱流によるエネルギーロスが同時に生じるため、変換効率は10％程度にとどまっている。そこで、我々は太陽電池のようなp/n接合おいて、接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成すれば、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化させることなく電荷分離することが可能であると考え、そのようなp/n接合素子の作製を試みた。
【実験方法】本研究では、組成に応じてバンドギャップが変化することが報告されているBa8AuxSi46-xクラスレートに注目し、偏析を利用することにより、組成傾斜材料を作製することを試みた。高純度のBa, Au, SiをBa：Au：Si = 8：8：38となるように秤量し、アーク溶融法により合金化した後、得られた試料を原料としてCZ法により単結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結晶の体積を調整することにより、組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶の引き上げを行った。
【結果および考察】作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切りに切り出した試料の組成分析の結果から、この試料は上部から下部にかけて徐々にAuの濃度が上昇している組成傾斜材料であることが分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の部分はn型であり、引き上げ後期にはp型の材料になっていることが確認できた。さらに、XRDやEBSPの結果により今回作製した試料が単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートであることも確認された。以前の研究により、真性半導体に近い組成のBa8AuxSi46-xクラスレートは、狭いバンドギャップを有し、n型もしくはp型側に組成がずれるほど、ワイドバンドギャップ化することが分かっている。よって、今回得られた単結晶試料は種結晶に近い側から、n型→真性→p型半導体となっており、同時にバンドギャップは、wide→narrow→wideとなっていることが想像される。この試料を用いて、試料内に温度差が無いように試料全体を昇温する実験を行い、試料pn両端の電圧を測定した結果、500度において1.9mV程度の電圧が観測された。以上より、p/n接合において接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成した場合、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみキャリアを励起し、バンドの曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、本研究により提唱された新たな発電メカニズムの検証についても講演する予定である。
. |
| 61. |
宗藤伸治， 徳永拓郎， 岩永純平， 刑部有紀， 古君修, プラズマ焼結を用いて作製された組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラス レートによる温度差を必要としない発電メカニズムの検証, 第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2017.08. |
| 62. |
矢嶋謙太, 荒牧信助, 岩永純平, 刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修, 融点の異なる二つの粉体のSPSによる同時焼結, 第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2017.08. |
| 63. |
岩下翔太， 刑部有紀， 宗藤伸治， 古君修, リートベルト解析によるBa8AuxSi46-xクラスレートの 空孔濃度を考慮した半導体特性の考察, 第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2017.08. |
| 64. |
荒牧信助, 矢嶋謙太, 天野博史, 刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修, 高温域におけるBa8AuxGeySi46-x-y系クラスレート化合物の 熱電特性に関する研究, 第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2017.08. |
| 65. |
馬場勇人， 刑部有紀， 宗藤伸治， 古君修, 二段階チョクラルスキー法による 組成傾斜Ba8CuxSi46-x単結晶クラスレートの作製, 第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2017.08. |
| 66. |
矢嶋謙太, 荒牧信助, 岩永純平, 宗藤伸治, 古君修
, SPSによる融点の異なる二つの粉体の同時焼結, 平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2017.06, 【緒言】
自動車などの内燃機関で排熱として捨てられる約70%のエネルギーを有効活用するため、熱を直接電気に変換し再利用できる熱電材料が注目されている。最近、我々の研究グループにおいて、従来の温度差を利用したゼーベック効果による発電とは異なる温度差を必要としない新しい発電効果の研究について報告を行った。この効果ではバンドギャップの大きい材料と小さい材料を連続的に接合させ昇温することにより、バンドギャップが小さい部分からのみ電子励起を起こし、電荷分離を行うことにより発電が可能であると考えられる。本研究では、融点が異なる二つの粉末材料を同時に焼結することにより異相界面をもつ焼結体を得ることを目標に、融点の高いSiと低いGeをSPS焼結法において、温度差を付与させることで同時焼結させることを目的とした。
【実験方法】
純金属のSiとGeを同体積となるように秤量し、それぞれ粉砕したのちSPS焼結法で二層になるように焼結した。焼結の際に二層に温度差を付与しない従来のSPS法と温度差を付与する新しいSPS法の二つを用いた。試料を装填する焼結型を上下対象に固定する従来のSPS法と比べて、新しいSPS法では焼結型の位置を変えることによって上下で断面積に差をつけることによる電流密度の偏りによって焼結型と試料の抵抗による発熱量に差が生じ温度差が付与されると考えた。焼結進度を評価するために光学顕微鏡による観察、アルキメデス法による密度測定、空隙率の測定によって比較した。次に温度差を付与した焼結において保持時間を5分、1時間、10時間と変化させて焼結を比較した。
【結果および考察】
有限要素法によるシュミュレーションの結果より、焼結型の位置を変えた場合Si側とGe側で温度差が約200℃付与されたことが確認された。図1に焼結前後の光学顕微鏡像を示す。温度差を付与しない場合、融点の高いSi側の層は焼結が不十分であった。焼結時にSi側の温度が高くなるように温度差を付与した場合は、Si側、Ge側とも焼結が進んでいた。この結果より温度差を付与してSPS焼結させることは融点の異なる二つの粉体の同時焼結において有効であることがわかった。しかしながら、温度差を付与して場合においてもSi側にはわずかに空隙が確認され、焼結時の保持時間を増加させても完全に消滅されることはできなかった。これはSi側に付与される温度が不十分であったためと考えられるが、Geの融点が小さくSPS焼結における温度は、これ以上、上げることはできないため、改善策としてより温度差を付与することができる焼結法の模索や温度差を必要としない新しい発電効果を発現しうる二層の組み合わせの中でより融点差の小さな元素系の模索が必要と思われる。
. |
| 67. |
荒牧信助, 矢嶋謙太, 天野博史, 宗藤伸治, 古君修, Ba8AuxGeySi46-x-y系クラスレート化合物の高温域における熱電性能の向上に関する研究, 平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2017.06, 【緒言】
廃熱を電気エネルギーに変換することが可能である熱電材料が近年注目されている。その中でも、低熱伝導度を有し、高温域(400〜600℃)で使用可能なシリコンクラスレートについて多くの研究が行われている。n型のシリコンクラスレート合成の報告例は多くあるが、p型合成に関しては数例しか報告例がなく、バンドギャップの小さいことによる高温域におけるゼーベック係数の低下が課題である。そこで、本研究ではワイドバンドギャップ化および、バンド構造を変化させることによる有効質量の軽減を目論み、既に報告のあるp型Ba8AuxSi46-xクラスレートをベースに、Siサイトの一部をGeに置換することによりBa8AuxGeySi46-x-yクラスレートを作製し、高温域における高性能化を試みた。
【実験方法】
純金属のBa、Au、Ge、Siを、Ba8Au5.2GexSi40.8-x(x=0, 17, 30、40)、Ba8Au6.0GexSi40-x(x=0, 17)の化学量論比となるように計6試料秤量し、アーク溶融法によりAr雰囲気中で合金化した。その後インゴットを粉砕し、焼結温度800℃、保持時間5分の条件で放電プラズマ焼結(SPS)にて試料を作製した。作製した試料をXRDにより結晶構造解析、EPMA(WDX)により組成分析を行った。また、ゼーベック係数、比抵抗測定を行った。
【結果および考察】
作製した試料のXRD結果より、すべての試料がクラスレート構造を有していることが確認できた。また、EPMAを用いたWDXによる組成分析結果より、これらの試料は仕込み組成に近い組成を有していることが確認できた。Fig.1にAuの仕込み組成を5.2とした3つの試料Ba8Au5.2Si40.8、Ba8Au5.2Ge17Si23.8、Ba8Au5.2Ge30Si10.8、Ba8Au5.2Ge40.8のゼーベック係数の温度依存性を、Fig.2にAuを6とした2つの試料Ba8Au6Si40、Ba8Au6Ge17Si23のゼーベック係数の温度依存性を示す。高温域におけるp型材料のゼーベック係数についてGe置換前後で比較すると、Au=5.2、Au=6共にGe置換によってゼーベック係数は大幅に向上した。これはSiに比べGeの有効質量が小さいことによると考えられる。また、Ba8Au5.2Ge30Si10.8ではBa8Au5.2Si40.8に比べて、ゼーベック係数の向上に加えてゼーベック係数のピーク位置が高温側に移行した。これはSiに比べGeのバンドギャップが大きいことにより、真性遷移温度が高温側へ移行したためと考えられる。Fig.1においてBa8Au5.2Ge40.8のみゼーベック係数が負の値、その他の試料はゼーベック係数が正の値となり、Ba8Au5.2Ge40.8のみn型半導体であることが確認された。これはGeがSiに比べてアクセプターとして働く原子空孔が少なく、電子優勢になっているためと考えられる。以上よりBa8AuxSi46-xクラスレートのSiをGeに置換することで、高温域においてゼーベック係数の向上が可能であることが示唆された。
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| 68. |
岩下翔太, 刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修
, リートベルト解析によるBa8AuxSi46-xクラスレートの空孔濃度を考慮した半導体特性の考察, 平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2017.06, 【緒言】
我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。
【実験方法】
高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。
【結果および考察】
XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。
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| 69. |
馬場勇人、辰見翔太、小坪優一、宗藤伸治、古君修, 二段階チョクラルスキー法による組成傾斜Ba8CuxSi46-x単結晶の作製, 平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2017.06, 【緒言】
従来、排熱回収として温度差を利用したゼーベック効果を用いた熱電発電が挙げられるが、最近、我々の
グループは温度差を必要とせず均一温度で昇温のみを行うことにより発電することのできる新たな発電メカ
ニズムの研究を行い報告を行った。この新たな発電メカニズムでは、試料内でのバンドギャップを制御し、
バンドギャップの大きい部分と小さい部分を接合させることにより、狭バンドギャップ部でのみ熱励起を起
こすことにより発電が可能となっていると考えられている。昨年の本学会においてバンドギャップが組成に
応じて変化すると報告されているBa8CuxSi46-xクラスレートを用いて、チョクラルスキー法(CZ法)により偏析
を利用し試料内でのCu組成を変化させることによりバンドギャップを変化させたn型単結晶Ba8CuxSi46-xクラ
スレートを作製し、等温下での発電を観測し報告を行った。本研究では、試料内でのCu組成をさらに大きく
変化させるためにCuドープ量の少ない単結晶Ba8CuxSi46-xクラスレートを作製した後に、それを種結晶として、
Cuドープ量の多い融液からの引き上げを二段階で行うことにより、更なる高性能化を試みた。
【実験方法】
Cuドープ量の少ないBa8CuxSi46-xクラスレート単結晶を作製するために、x=4となるように各純元素を秤量し、
アーク溶融法を用いて合金を作製した。このアーク後の合金を原料として、CZ法により単結晶化を行った。
次に、Cuドープ量の多い融液からの引き上げを行うために、x=9となるように、各元素を秤量し、アーク溶融
法により合金を作製した。この合金を融液原料とし、先に作製しておいた単結晶を種結晶としてCZ法を行っ
た。得られた結晶について、構造解析や組成分析を行った後、Cuドープ量の少ない種結晶とドープ量の多い
単結晶の界面を含むように切り出された試料を用意し、等温に昇温することによって得られる起電力を測定
し、CZ法一段階で作製した単相の比較試料(仕込み組成Ba8Cu5Si41)と比較した。
【結果および考察】
一段階目のCZ法で得られた結晶および二段階目に作製された結晶層のいずれにおいても、XRDの結果よりク
ラスレート構造を有していることを確認された。さらに、WDXの組成分析結果より、試料上部(種結晶部)から
下部(成長層)にかけてCu組成が段々と大きくなっていることを確認された。同様に層状に切り出した比較試
料も試料上部から下部にかけてCu組成が大きくなっていることが確認された。二段階で作製した試料と比較
試料の持つCu組成幅を比較したところ二段階で作製した試料の上部と下部のCu組成の幅(約4.1〜5.3)は比較
試料の持つCu組成幅(約4.2〜4.5) より高くなっていることが確認された。この二つの試料に等温に昇温する
ことによって得られる起電力の測定を行ったところ、二つの試料ともに昇温とともに得られた起電力が大き
くなっていくことが確認され (Fig.1)、得られ
た最大起電力を比較したところ、二段階で作製
した試料がより高い起電力を得たことが確認
された。二つの試料ともに、Cu組成の小さいn
型半導体側ではバンドギャップが広くより真
性半導体側に近くなるにつれて狭くなると考
えている。これを等温に昇温することによって
バンドギャップが狭い側で価電子帯から伝導
帯に電子が励起し拡散し電化分離するために
起電力を得ると考えられる。今回、二段階で作
製した試料が比較試料より高い起電力を得た
理由として試料の持つCu組成幅が大きくなる
ことにより、伝導帯の底のエネルギーとフェル
ミ準位の差がより大きくなり、起電圧が大きく
なったものと考えられる。. |
| 70. |
刑部有紀, 岩永純平, 宗藤伸治, 古君修, 中島邦彦, SPS法を用いた新たな熱-電力変換効果試料の作製, 平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2017.06, 【緒言】
我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。
【実験方法】
高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。
【結果および考察】
XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。
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| 71. |
宗藤 伸治, 未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない革新的発電材料の研究開発, 2017排熱コンソーシアム, 2017.04. |
| 72. |
寺西 亮, 松崎 宏太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 金子 賢治, クラスレート型熱電発電材料の開発, 日本鉄鋼協会平成29年度春季講演大会, 2017.03. |
| 73. |
宗藤 伸治, pn接合型熱電の現状, 2016熱電シンポジウム, 2016.12. |
| 74. |
宗藤 伸治, 温度差を必要としない発電材料‐狭バンドギャップ部における電子の熱励起を利用‐, 第25回日本材料学会九州支部技術懇話会, 2016.12. |
| 75. |
宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 古君 修, サーマルプローブ法を用いた組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶における温度差を必要としない発電メカニズムの検証, 第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2016.11. |
| 76. |
刑部有紀, 小坪優一, 辰見翔太, 岩永純平, 山外啓太, 三好和之助, 宗藤 伸治, 古君 修, 中島 邦彦, SPS法により作製されたBa8AuxSi46-xクラスレートにおける新たな熱—電力変換効果の検証, 第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2016.11. |
| 77. |
小坪優一, 辰見翔太, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 高キャリア濃度試料における微小ホール電圧測定法の開発, 第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2016.11. |
| 78. |
岩永純平, 天野博史, 三好和之輔, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 多結晶クラスレートによる等温環境下での発電の検証および向上, 第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2016.11. |
| 79. |
辰見翔太, 小坪優一, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレートを用いた新しい発電メカニズムの検証, 第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2016.11. |
| 80. |
宗藤 伸治, 刑部有紀, 山外啓太, 三浦 秀士, 古君 修, シリコンクラスレート結晶を用いた温度差を必要としない発電, 平成２８年度粉体粉末冶金協会秋季講演大会, 2016.11. |
| 81. |
宗藤 伸治, 温度差を必要としない発電材料, 第16回北九州産学連携フェア, 2016.10. |
| 82. |
天野博史, 岩永純平, 三好和之, 宗藤 伸治, 古君 修, BaGaGeSiクラスレート化合物における相の均質化およびp型を示す熱電材料の作製, 第13回日本熱電学会学術講演会, 2016.09. |
| 83. |
小坪優一, 辰見翔太, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 高キャリア濃度を有する試料におけ微小ホール電圧測定法の開発, 第13回日本熱電学会学術講演会, 2016.09. |
| 84. |
岩永純平, 三好和之輔, 天野博史, 宗藤 伸治, 古君 修, 多結晶クラスレートによるNarrow Band Gapを利用した等温環境下での発電検証, 第13回日本熱電学会学術講演会, 2016.09. |
| 85. |
辰見 翔太, 山外 啓太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレート作製による新たな発電メカニズムの検証, 平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2016.06. |
| 86. |
小坪優一, 山外 啓太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 高キャリア濃度材料の微小ホール電圧測定法の開発, 平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2016.06. |
| 87. |
天野博史, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, BaGaGeSiクラスレート化合物における相の均質化およびp型熱電材料の作製, 平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2016.06. |
| 88. |
岩永純平, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, 多結晶クラスレートによるNarrow Band Gapを利用した温度差を必要としない発電の検証, 平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2016.06. |
| 89. |
Norie Matsubara, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi, A New View of the Low-Temperature Sintering Phenomenon of Particle of Scores of Nanometers Based on the Molecular Dynamics Study, 2016 MRS spring Meeting, 2016.03. |
| 90. |
刑部有紀, 山外啓太, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレートを利用した新たな熱-電力変換の検証, 平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2015.12. |
| 91. |
Keita Yamasoto, Yuki Osakabe, Sota Adachi, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi, A Novel Electric Power Generation Mechanism from Waste Heat without Temperature Gradient, 2015 MRS fall Meeting, 2015.11. |
| 92. |
宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修, 温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発：その２, 第33回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会, 2015.11. |
| 93. |
宗藤 伸治, 『超常識の新規創電技術』 未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない発電材料, エネルギー・資源技術部会 エネルギー分科会, 2015.10. |
| 94. |
三好和之輔, 山外啓太, 刑部有紀, 下西圭佑, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, Ba8CuxSi46-xクラスレートによる温度差を必要としない発電の可能性, 第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2015.09. |
| 95. |
宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修, 狭バンドギャップ部における電子の熱励起を利用した温度差を必要としない発電材料, 第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2015.09. |
| 96. |
松原典恵, 宗藤 伸治, 古君 修, 分子動力学シミュレーションを用いたナノ粒子の拡散係数に関する数値解析, 第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2015.09. |
| 97. |
山外啓太, 三好和之輔, 下西 圭佑, 刑部有紀, 足立爽太, 宗藤 伸治, 古君 修, 組成傾斜化Ba8AuxSi46-x単結晶クラスレートによる新たな発電方法の検証, 第12回日本熱電学会学術講演会, 2015.09. |
| 98. |
宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 足立爽太, 古君 修, バンドギャップ狭小部分における電子励起を利用した発電についての理論計算, 第12回日本熱電学会学術講演会, 2015.09. |
| 99. |
山口政臣, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 横田 毅, F e - N 二元系材料の分子動力学計算に適用可能な原子間ポテンシャルの構築, 2015年日本鉄鋼協会第169回春季講演大会, 2015.03. |
| 100. |
足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修, 温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発, 第32回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会, 2014.11. |
| 101. |
宗藤 伸治, 温度差を必要としない新たな熱-電力変換材料, 2015年JST新技術説明会, 2014.10. |
| 102. |
平島拓弥, 西村拓也, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 上路林太郎, 純鉄の局部変形エネルギーに及ぼす結晶粒径、ひずみ速度の影響, 2014年日本鉄鋼協会第168回秋季講演大会, 2014.09. |
| 103. |
松原 典恵, 宗藤 伸治, 古君 修, 金属ナノ粒子焼結挙動：分子動力学的研究, 2014年第75回応用物理学秋季学術講演会, 2014.09. |
| 104. |
宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 下西 圭佑, 大中 皓允, 鬼塚 裕介, 古君 修, 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートを用いた新たな熱-電力変換メカニズム, 2014年第75回応用物理学秋季学術講演会, 2014.09. |
| 105. |
足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 温度差を必要としない新たな熱-電力変換メカニズムの理論解析, 2014年第75回応用物理学秋季学術講演会, 2014.09. |
| 106. |
足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, Ba8MxSi46-x(M = Au, Al, Cu)クラスレートの第一原理計算による電子構造解析, 2014年第25回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2014.07. |
| 107. |
宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 下西 圭佑, 大中 皓允, 鬼塚 裕介, 古君 修, 組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶を用いた新たな熱-電力変換メカニズム, 2014年第25回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム, 2014.07. |
| 108. |
刑部 有紀, 足立 爽太, 鬼塚 裕介, 宗藤 伸治, 古君 修, 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートの組成傾斜化による新たな発電方法の検証, 平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2014.06. |
| 109. |
下西 圭佑, 大中 皓允, 宗藤 伸治, 古君 修, メカニカルミリング及びSPSにおける多結晶n型Ba8AlxSi46-xクラスレートの高性能化, 平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2014.06. |
| 110. |
足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, Ba8AuxSi46-xクラスレートの第一原理計算によるバンド構造解析, 平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2014.06. |
| 111. |
宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 大中 皓允, 下西 圭佑, 鬼塚 裕介, 古君 修, 温度差を必要としない熱-電力変換メカニズム, 平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2014.06. |
| 112. |
Takuya Hirashima, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi, Effect of Number of Grain on Ductile Fracture Behavior of Iron by Molecular Dynamics Simulation, the 21st International Federation for Heat Treatment and Surface Engineering congress, 2014.05. |
| 113. |
Takuya Nishimura, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Rintaro Ueji, Osamu Furukimi, Effect of tensile strain rate on ductile fracture energy for industrial pure iron, the 21st International Federation for Heat Treatment and Surface Engineering congress, 2014.05. |
| 114. |
Shinji Munetoh, Takuya Hirashima, Masatoshi Aramaki, Osamu Furukimi, Voids and 30000 atoms ~ Molecular dynamics (MD) simulations of ductile fracture ~, THERMEC 2013, 2013.12. |
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鬼塚 裕介, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートのp,n型半導体の作製, 2013年第24回傾斜機能材料シンポジウム, 2013.10. |
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西村拓也, 村田 佳祐, 河内将志, 平島拓弥, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 上路林太郎, 延性破壊特性に及ぼす結晶粒界の影響 鉄鋼材料の延性破壊機構-3, 2013年日本鉄鋼協会第166回秋季講演大会, 2013.09. |
| 117. |
大中 皓充, 長田 稔子, 宗藤 伸治, 三浦 秀士, 古君 修, SPSにおける小粒径化によるn型Ba8AlxSi46-xクラスレートの熱電性能向上, 2013年第10回日本熱電学会学術講演会, 2013.09. |
| 118. |
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| 120. |
Takuya Oka, Yuya Nagatomo, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh, Structure stability of Ba8AlxSi46-x clathrates by using fi rst-principles calculations, The 32nd International Conference on Thermoelectrics, 2013.07. |
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Shinji Munetoh, Makoto Saisho, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Thermoelectric Properties of n- and p-Type Ba8AuxSi46-x Clathrate, The 32nd International Conference on Thermoelectrics, 2013.07. |
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鬼塚 裕介, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, BaAlGaSiクラスレートの熱電性能評価と単結晶化, 平成25年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2013.06. |
| 124. |
折田 昂優, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修, p型及びn型のBaAuSiクラスレートの作製と熱伝性能評価, 平成25年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2013.06. |
| 125. |
村田 佳祐, 新垣 翔, 豊田 洋輝, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 延性破壊特性に及ぼす粒子間距離の影響 鉄鋼材料の延性破壊機構-1, 2012年日本鉄鋼協会第165回春季講演大会, 2013.03. |
| 126. |
平島 拓也, 荒牧 正俊, 古君 修, 宗藤 伸治, 分子動力学シミュレーションによる鉄の破壊挙動の解明 鉄鋼材料の延性破壊機構-2, 2013年日本鉄鋼協会第165回春季講演大会, 2013.03. |
| 127. |
鬼塚 祐介, 長友 雄也, 最所 誠, 岡 拓也, 古君 修, 宗藤 伸治, Ba8AlxSi46-xクラスレートのGa添加による熱電特性に及ぼす影響, 2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 128. |
宗藤 伸治, 最所 誠, 長友 雄也, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修, p型Ba8AuxSi46-xクラスレートの合成および熱電性能評価, 2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 129. |
Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh, Annealing Time Dependence on the Phase Equilibria and Thermoelectric Property of Type-I Ba8Cu6Ag2Si38 Clathrate, The 2nd International Conference on Material Science, Chemical Engineering and Mechatronics Engineering, 2013.03. |
| 130. |
宗藤 伸治, 最所 誠, 長友 雄也, Liu bin, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修, p型およびn型Ba8AuxSi46-xクラスレートの熱電性能評価, 2012年第23回傾斜機能材料シンポジウム, 2012.12. |
| 131. |
刑部 有紀, 足立 爽太, 宗藤 伸治, 古君 修, 組成傾斜単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートによる新たな発電メカニズム, 2014年第11回日本熱電学会学術講演会, 2012.09. |
| 132. |
下西 圭佑, 大中 皓允, 長田 稔子, 宗藤 伸治, 三浦 秀士, 古君 修, メカニカルミリング及びSPSにおける多結晶Ba8AlxSi46-xクラスレートの熱電性能向上, 2014年第11回日本熱電学会学術講演会, 2012.09. |
| 133. |
宗藤 伸治, 長友雄也, 最所 誠, 古君 修, CZ法によるBa8AlxSi46-xクラスレートの単結晶作製及び熱電性能評価, 2013年第九回日本熱電学会学術講演会, 2012.08. |
| 134. |
Liu Bin, 最所 誠, 長友雄也, 古君 修, 宗藤 伸治, Synthesize of n and p-type thermoelectricmaterials type-I Ba8CuxAgySi46-x-yclathrates by act-melting and annealingmethod, 2013年第九回日本熱電学会学術講演会, 2012.08. |
| 135. |
最所 誠, 長友雄也, Liu Bin, 宗藤 伸治, 古君 修, Ba8CuxSi46-xクラスレート化合物の熱電性能, 2013年第九回日本熱電学会学術講演会, 2012.08. |
| 136. |
井上 剣太, 菊山 達彦, 寺西 亮, 宗藤 伸治, 金子 賢治, パルスレーザー蒸着法によるGdBa2Cu3Oy超伝導薄膜の結晶配向への影響因子, 平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2012.06. |
| 137. |
長友 雄也, 最所 誠, 宗藤 伸治, 単結晶Ba8AlxSi46-xクラスレートのAl高ドープによる高性能化, 平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2012.06. |
| 138. |
最所 誠, 長友 雄也, 宗藤 伸治, Ba8CuxSi46-xクラスレート化合物の単結晶化, 平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2012.06. |
| 139. |
岡 拓也, 田口 潤, 宗藤 伸治, 分子動力学シミュレーションによるSi46クラスレート結晶成長中のSi136クラスレートへの相転移, 平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2012.06. |
| 140. |
Shinji Munetoh, M. Saisho, B. Liu, Y. Nagatomo, Y. Nakakohara, Ryo Teranishi, Synthesis and thermoelectric properties of the p-type Ba8AuxSi46−x clathrates, The 14th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University, 2012.06. |
| 141. |
Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Mikihito Tajiri, Yuusuke Nakakohara, Osamu Furukimi, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh, Synthesizing and Subsequent Annealing of Si-based Thermoelectric Material Ba8AuxSi46-x Clathrates, 2012 MRS spring Meeting, 2012.04. |
| 142. |
寺西 亮, 吉本貴俊, 藤井由隆, 吉田隆, 一野祐亮, 吉田圭, 宗藤伸治, Fe(Tex,Sy)前駆体膜の固相エピタキシャル成長による薄膜作製, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 143. |
R.Teranishi, H.Kai, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Flux pinning properties of ErBCO films by pulsed laser deposition, Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity, 2012.01. |
| 144. |
K.Konya, Y.Masuda, R.Teranishi, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Growth process of BaZrO3 doped YBCO films by TFA-MOD method, Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity, 2012.01. |
| 145. |
Y.Masuda, R.Teranishi, K.Yamada,T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Flux pinning properties of YBCO films with nano-particles by TFA-MOD method, Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity, 2012.01. |
| 146. |
Y. Nagatomo, N. Mugita, Y. Nakakohara, M. Saisho, M. Tajiri, R. Teranishi and S. Munetoh, Carrier Tuning of Single Crystalline Ba8AlxSi46-x Clathrate by Using Flux Czochralski Method, International Symposium of ECO_MATES 2011, 2011.11. |
| 147. |
M. Saisho, L. Bin, Y. Nagatomo, Y. Nakakohara, R. Teranishi and S. Munetoh, Thermoelectric Properties of p-Type Clathrate Ba8AuxSi46-x,International Symposium of ECO_MATES 2011, International Symposium of ECO_MATES 2011, 2011.11. |
| 148. |
寺西 亮、紺屋 和樹、木須隆暢、山田和広、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎、塩原 融, TFA-MOD法によりBaZrO3を導入したYBCO膜の結晶成長過程, 2011年度秋季低温工学・超電導学会, 2011.11. |
| 149. |
Y.Masuda, R.Teranishi, M.Matsuyama, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Flux pinning properties of YBCO films with nano-particles by TFA-MOD method, 24th International Symposium On Superconductivity, 2011.10. |
| 150. |
K.Konya, Y.Masuda, R.Teranishi, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Growth process of BZO doped YBCO film by TFA-MOD process, 24th International Symposium On Superconductivity, 2011.10. |
| 151. |
R.Teranishi, T.Maebatake, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Diffusion joint properties of Ag stabilizing layer in GdBCO coated conductor, The 24th International Symposium On Superconductivity, 2011.10. |
| 152. |
Y. Xiao, T. Motooka, R.Teranishi, S.Munetoh, Nucleation and crystallization of Si and Ge melts during rapid cooling process: a molecular-dynamics study, The 13th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University, 2011.10. |
| 153. |
R.Teranishi, T.Maebatake, N.Mori, T.Kiss, K.Yamada, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi, Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors, The 13th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University, 2011.10. |
| 154. |
寺西 亮, 紺屋和樹, 木須隆暢, 山田和広, 宗藤伸治, 吉積正晃, 和泉輝郎, MOD法によりBaZrO3を添加したYBCO膜の結晶成長過程, 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.09. |
| 155. |
Ryo Teranishi, Tomoaki Watanabe, Masahiro Yoshimura, Shinji Munetoh, Direct fabrication of patterned CdS/PbS/ZnS composite ceramics films by on-site ink-jet reaction at room temperature, Joint Conference of The Fifth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics and The 2nd International Conference on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials, 2011.06. |
| 156. |
紺屋和樹、桝田靖人、寺西 亮、木須隆暢、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎, Zr化合物を添加したYBCO薄膜の結晶成長過程, 平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2011.06. |
| 157. |
長友雄也、麥田直樹、中小原佑輔、最所 誠、寺西 亮、宗藤伸治, Ba8AlxSi46-xクラスレートの単結晶化およびAl高ドープによる高性能化, 平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2011.06. |
| 158. |
最所 誠、中小原佑輔、長友雄也、寺西 亮、宗藤伸治, クラスレート化合物によるP型熱電材料の作製, 平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2011.06. |
| 159. |
桝田靖人、松山 誠、寺西 亮、木須隆暢、宗藤伸治、山田和広、吉積正晃、和泉輝郎, 溶液法によるYBCO膜への磁束ピン止め点の導入, 平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2011.06. |
| 160. |
Y. Nakakohara, N. Mugita, T. Motooka, R. Teranishi and S. Munetoh, Single Crystallization of Ba8AlxSi46-x Clathrate by Using Flax Czochralski Method, 2011 MRS spring Meeting, 2011.04. |
| 161. |
桝田靖人、寺西亮、宮長裕二、山田和広、木須隆暢、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎、森信幸、向田昌志, TFA-MOD法によるYBCO膜への磁束ピン止め点の導入, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 2011.03. |
| 162. |
Naoki Mugita, Yuusuke Nakakohara, Teruaki Motooka, Ryou Teranishi, Shinji Munetoh, Thermoelectric properties of single crystalline clathrate Ba8AlxSi46-x, The 3rd International Congress on Ceramics, 2010.11. |
| 163. |
H. Kai, S. Horii, A. Ichinose, R. Kita, Y. Yoshida, K. Matsumoto, S. Munetoh, R. Teranishi, N. Mori and M. Mukaida, ANGULAR DEPENDENCE OF IN-FIELD JC PROPERTIES OF ErBa2NbO6 DOPED PLD-ErBa2Cu3O7-δ FILMS, The 23th International Symposium on Superconductivity, 2010.11. |
| 164. |
M. Takamura, S. Horii, A. Ichinose, R. Kita, M. Mukaida, R. Teranishi, S. Munetoh, Y. Yoshida, K. Matsumoto, VORTEX PINNING EFFECTS OF ARTIFIAIALLY INTRODUCED PLANAR PINNING CENTERS INTO YBCO FILMS, The 23th International Symposium on Superconductivity, 2010.11. |
| 165. |
T. Maebatake, Y. Ichinose, K. Yamada, N. Mori, R. Teranishi, M. Mukaida, K. Kaneko, S. Munetoh, T. Kiss, M. Inoue, M. Yoshizumi, T. Izumi, Joint properties of REBCO coated conductors, The 23th International Symposium on Superconductivity, 2010.11. |
| 166. |
R. Teranishi, K. Shiohara, Y. Masuda, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida, S. Munetoh, K. Kaneko, M. Inoue, T. Kiss, M. Yoshizumi, T. Izumi, Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound by a MOD method using TFA salts, The 23th International Symposium on Superconductivity, 2010.11. |
| 167. |
R. Teranishi, K. Shiohara, Y. Masuda, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida, S. Munetoh, K. Kaneko, M. Inoue, T. Kiss, M. Yoshizumi, T. Izumi, Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound by a MOD method using TFA salts, The 23th International Symposium on Superconductivity, 2010.11. |
| 168. |
R. Teranishi, T. Maebatake, Y. Ichinose, N. Mori, M. Mukaida, T. Kiss, M. Inoue, K. Yamada, K. Kaneko, S. Munetoh, M. Yoshizumi, T. Izumi, Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors, International Workshop on Coated Conductors for Applications 2010, 2010.10. |
| 169. |
R. Teranishi, T. Maebatake, Y. Ichinose, N. Mori, M. Mukaida, T. Kiss, M. Inoue, K. Yamada, K. Kaneko, S. Munetoh, M. Yoshizumi, T. Izumi, Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors, International Workshop on Coated Conductors for Applications 2010, 2010.10. |
| 170. |
Y. Masuda, Y. Miyanaga, R. Teranishi, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida,T. Kiss, M. Inoue,M. Yoshizumi, T. Izumi, K. Kaneko, S. Munetoh, Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound addition by TFA-MOD method, The 2nd Japan-Korea Superconductivity Workshop 2010, 2010.10. |
| 171. |
H. Kai, S. Horii, A. Ichinose, R. Kita, Y. Yoshida, K. Matsumoto, R. Teranishi, N. Mori, M. Mukaida, S. Munetoh, A. Ibi, M. Yoshizumi, T. Izumi, Improved flux pinning properties in Ba2ErNbO6 doped PLD-ErBa2Cu3O7-δ films, The 2nd Japan-Korea Superconductivity Workshop 2010, 2010.10. |
| 172. |
M. Takamura, S. Horii, A. Ichinose, A. Ibi, Y. Yoshida, R. Kita, M. Mukaida, R. Teranishi, K. Matsumoto, T. Izumi, M. Yoshizumi, S. Munetoh , Basic research on vortex pinning effects of planar pinning centers in YBa2Cu3Oy films, The 2nd Japan-Korea Superconductivity Workshop 2010, 2010.10. |
| 173. |
麥田 直樹、中小原 佑輔、寺西 亮、宗藤 伸治, 単結晶 BaAlSi クラスレートの熱電材料特性及び電子状態計算, 2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会, 2010.09. |
| 174. |
中小原 佑輔、 麥田 直樹、 寺西 亮、宗藤 伸治, アニール処理によるBa8AlxSi46-xクラスレート熱電材料の高性能化, 2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会, 2010.09. |
| 175. |
寺西 亮、宮長 裕二 、山田 和広、森 信幸、向田 昌志、金子 賢治、宗藤 伸治、井上 昌睦、木須 隆暢、吉積 正晃、和泉 輝郎、淡路 智, スズ化合物を添加した MOD-YBCO 膜の磁束ピン止め特性, 2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会, 2010.09. |
| 176. |
前畠 徹、市瀬 祐輔、寺西 亮、森 信幸、向田 昌志、金子 賢治、宗藤 伸治、井上 昌睦、木須 隆暢、吉積 正晃、和泉 輝郎, イットリウム系超伝導薄膜線材の接合特性, 2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会, 2010.09. |
| 177. |
渡邉 貴昭、吉本 貴俊、寺西 亮、向田 昌志、森 信幸、宗藤 伸治、吉田 隆、一野 祐亮、木須 隆暢、井上 昌睦、松本 要、一瀬 中, ArF-PLD法によるBa(Fe1-xCox)2As2薄膜の作製, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 178. |
桝田 靖人、西江 亮太、寺西 亮、森 信幸、向田 昌志、宗藤 伸治, フッ素フリーMOD 法による YBCO 超伝導薄膜の作製, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 179. |
藤井 由隆、寺西 亮、宗藤 伸治、森 信幸、向田 昌志、井上 昌睦、木須 隆暢、 松本 要、吉田 隆、一野 祐亮、一瀬 中, Ar-F PLD 法による FeSe1-XSX 薄膜の作製, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 180. |
田口 潤、Xiao Yanping、寺西 亮、宗藤 伸治, 屈折率分布制御のための分子動力学的解析, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 181. |
中小原 佑輔、麥田 直樹、寺西 亮、宗藤 伸治, Ba8AlxSi46-x クラスレートの単結晶化, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 182. |
前畠 徹、市瀬 祐輔、森 信幸、寺西 亮、山田 和広、向田 昌志、宗藤 伸治、吉積 正晃、和泉 輝郎, 希土類系超伝導薄膜線材の接合, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 183. |
宗 謙介、甲斐 英樹、向田 昌志、森 信幸、寺西 亮、宗藤 伸治, 低酸素雰囲気中成膜によるErBa2Cu3O7-δ超伝導薄膜の作製プロセスの検討, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 184. |
菊山 達彦、高村 真琴、向田 昌志、寺西 亮、宗藤 伸治、一瀬 中, SNS接合作製のためのc-軸配向ErBCO/BZO多層膜の作製, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 185. |
甲斐 英樹、向田 昌志、森 信幸、寺西 亮、宗藤 伸治、一瀬 中、堀井 滋、喜多 隆介、吉田 隆、松本 要, 微傾斜基板上における PLD-ErBCO 薄膜中の 1D ナノロッドの成長形態, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 186. |
麥田 直樹、中小原 佑輔、 寺西 亮、宗藤 伸治, Ba8AlxSi46-x クラスレートのアニール処理後の熱電材料特性, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 187. |
寺西 亮、宮長 裕二、山田 和広、森 信幸、向田 昌志、宗藤 伸治、吉積 正晃、和泉 輝郎, 化学溶液法により作製した YBCO 超伝導薄膜の電流特性高性能化, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 188. |
宗藤 伸治、中小原 佑輔、麥田 直樹、寺西 亮, BaAlSi クラスレートの電子状態計算および熱電特性, 平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2010.06. |
| 189. |
S. Munetoh, Molecular-dynamics Simulations of Nucleation Process during Excimer Laser , The 2nd International Symposium on Cutting Edge of Computer Simulation of Solidification and Casting, 2010.02. |
| 190. |
麥田直樹, 宗籐伸治, 本岡輝昭, Ba8AlxSi46-xクラスレート熱電材料特性のアニール処理効果, 平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2009.11. |
| 191. |
生駒嘉史、﨑田博文、ハフィザルビンヤハヤ、宗藤伸治、本岡輝昭、楢本洋、鳴海一雅、境誠司、前田佳均, スマートカットによるSIMOX(100)基板上へのナノポアデバイス作製, 第4回高崎量子応用研究シンポジウム, 2009.10. |
| 192. |
松岡和弥，尾方智彦，宗藤伸治，本岡輝昭，西元 学，遠藤昭彦，宝来正隆, MDシミュレーションによるSi(100)/Si(110)貼り合わせ基板界面構造解析, 2009年度(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会, 2009.09. |
| 193. |
T. Ogata, S. Munetoh, and T. Motooka, Molecular Dynamics Simulations of Void Morphology in Crystalline Silicon: Temperature Dependence, The 18th International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERIN, 2009.07. |
| 194. |
松原典恵，尾方智彦，宗藤伸治，本岡輝昭, 強度変調エキシマレーザーアニーリングによるポリシリコン薄膜の(001)表面方位制御：分子動力学的研究, 2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関連連合講演会, 2009.03. |
| 195. |
N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka, Intensity-Modulated Excimer Laser Annealingto Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass: Molecular Dynamics Study, 2008 Material Research Society Fall meeting, 2008.12. |
| 196. |
T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and Teruaki Motooka, Crystallization Processes of Amorphous Si During Excimer Laser Annealing in Complete-melting and Near-complete-Melting Conditions: A Molecular Dynamics Study, 2008 Material Research Society Fall meeting, 2008.12. |
| 197. |
小笠原圭太、宗藤伸治、本岡輝昭, 分子動力学法によるシリコン中のボイド型欠陥構造の温度依存性, 2008年度(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008.09. |
| 198. |
松岡和弥、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭, M D シミュレーションによるS i ( 1 0 0 ) / S i ( 1 1 0 )貼り合わせ基板界面構造解析, 2008年度(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008.09. |
| 199. |
N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka, A New Method to Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass by Using Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing : Molecular Dynamics Study, THE FIFTEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES, 2008.07. |
| 200. |
松原典恵、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭, 分子動力学シミュレーションを用いた強度変調エキシマレーザーアニーリングによる面方位制御の提案, 平成20年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2008.06. |
| 201. |
T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Mitani, T. Ogata and N. Matsubara, A New Method to Control the Nucleation Site and Crystal Orientation during Eximer-laser Annealing Processes in Thin Amorphous Si Films on Glass: A Molecular-Dynamic Study (Invited), 2008 ITRI and KU Joint Symposium, 2008.06. |
| 202. |
中島久子、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭, ナノポアを通過するタンパク質のモンテカルロシミュレーションによる可視化, 2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関連連合講演会, 2008.03. |
| 203. |
尾方智彦、中島久子、上田泰慎、宗藤伸治、本岡輝昭, 計算機シミュレーションによるナノポア通過時のDNA分子の形状分析, 2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関連連合講演会, 2008.03. |
| 204. |
S. Munetoh, M. Arita, H. Makiyama, and T. Motooka, Thermoelectric High Power Generating Module made by n-Ba8AlxSi46-x Clathrate, Materials Reasearch Society Spring meeting, 2008.03. |
| 205. |
中島久子, 尾方智彦, 宗藤伸治, 本岡輝昭, ナノポアを通過するタンパク質のモンテカルロシミュレーション, 平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2007.12. |
| 206. |
Byoung Min Lee, Teruaki Motooka, Shinji Munetoh, and Yeo Wan Yun, Analysis of Structural and Dynamical Properties of SiO2 During Cooling: A Molecular-dynamics Study, Material Research Society Fall meeting, 2007.11. |
| 207. |
Shinji Munetoh, Makoto Arita, Hideki Makiyama, and Teruaki Motooka, Thermoelectric high power generating module made by n-Ba8AlxSi46-x clathrate (Invited), The 9th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University, 2007.10. |
| 208. |
槇山秀樹，有田 誠，宗藤伸治，本岡輝昭, n型 BaAlSi クラスレート熱電モジュールの作製(II), 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会 , 2007.09. |
| 209. |
尾方智彦，中島久子，上田泰慎，宗藤伸治，本岡輝昭, ナノポアを通過するDNA分子運動の計算機シミュレーションによる可視化, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会 , 2007.09. |
| 210. |
T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Mitani and T. Ogata, Controlling the Nucleation Site and Crystal Orientation During Excimer-Laser Annealing Processes In Thin Amorphous SI Films on Glass: A Molecular-Dynamic Study (Invited), International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Integrated Circuits and Thin Film Transistors, 2007.07. |
| 211. |
小笠原圭太、宗藤伸治、本岡 輝昭, 分子動力学シミュレーションによるボイド形成過程の解析, 平成19年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会, 2007.06. |
| 212. |
宗藤伸治、槙山秀樹、本岡輝昭, n 型BaAlSi クラスレート熱電モジュールの作製, 2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関連連合講演会, 2007.03. |
| 213. |
三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭, エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (III), 2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関連連合講演会, 2007.03. |
| 214. |
Byoung-Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh and Teruaki Motooka, Cooling Mechanism and Structural Change of Local Regions With a Different Cooling Rate of Excimer Laser Annealed Si, Material Research Society Fall meeting, 2006.11. |
| 215. |
Shinji Munetoh, Takanori Mitani, Takahide Kuranaga, and Teruaki Motooka, Nucleation Process During Excimer Laser Annealing of Amorphous Silicon Thin Films on Glass: A Molecular-dynamics Study, Material Research Society Fall meeting, 2006.11. |
| 216. |
三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭, 大規模分子動力学法によるシリコンの核生成と結晶成長過程の解析, 平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2006.11. |
| 217. |
宗藤伸治，槙山秀樹，本岡輝昭, BaAlSi 系クラスレートの合成と熱電性能評価, 2006年(平成18年)秋季第67回応用物理学会学術講演会, 2006.08. |
| 218. |
倉永卓英、三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、宗藤伸治、本岡輝昭, バルクSi融液物性の分子動力学シミュレーションによる解析, 日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会, 2006.06. |
| 219. |
三谷隆徳、倉永卓英、岸川隆造、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭, 大規模分子動力学シミュレーションによる核生成と結晶化過程の可視化, 日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会, 2006.06. |
| 220. |
槇山秀樹、宗藤 伸治、本岡 輝昭, Siクラスレート熱電材料の試作と物性評価, 日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会, 2006.06. |
| 221. |
Byoung Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka, THERMAL CONDUCTIVITY AND NATURAL COOLING RATE OF EXCIMER-LASER ANNEALED SI: A MOLECULAR DYNAMICS STUDY, Material Research Society meeting, 2006.04. |
| 222. |
倉永卓英、三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、宗藤伸治、本岡輝昭, エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (II), 2006年(平成18年)春季 第53回応用物理学関連連合講演会, 2006.03. |
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T. Endo, T. Warabisako, S. Munetoh and T. Motooka, Molecular-Dynamics Simulations of Nucleation and Growth of Crystalline Si Films during ELA Processes(invited), The 12th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005, 2005.11. |
| 224. |
尾方智彦、三谷隆徳、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭, 大規模分子動力学シミュレーションによるシリコン核生成過程の解析, 平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2005.11. |
| 225. |
倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭、遠藤 尚彦、蕨迫 光紀, エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション, 平成17年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 2005.09. |
| 226. |
岸川 隆造、尾方 智彦、倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭, ナノV 溝を持つガラス基板上非晶質シリコン薄膜の結晶成長シミュレーション, 平成17年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 2005.09. |
| 227. |
Shinji Munetoh, Takahide Kuranaga, Byong Min Lee, Teruaki Motooka, Takahiko Endo and Terunori Warabisako, Molecular-dynamics simulations of crystal growth of Silicon thin fi lms by excimer laser annealing, AM-LCD05 (Japan Society of Applied Physics), 2005.07. |
| 228. |
岸川隆造、尾方智彦、倉永卓英、李秉玖、宗藤伸治、本岡輝昭, ナノ構造を持つガラス基板上非晶質シリコン薄膜の結晶成長シミュレーション, 日本金属学会九州支部, 2005.06. |
| 229. |
尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、李秉玖、宗藤伸治、本岡輝昭、遠藤尚彦、蕨迫光紀, 分子動力学シミュレーションプログラムの並列化による高速化とシリコン結晶化過程解析への応用, 日本金属学会九州支部, 2005.06. |
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倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭, 分子動力学シミュレーションによるエキシマレーザーアニールの結晶化過程の解析, 平成16年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2004.11. |
| 231. |
宗藤伸治、倉永卓英、李秉玖、本岡輝昭, 分子動力学シミュレーションによる石英基板上融液シリコンの結晶成長, 第1回薄膜材料デバイス研究会研究集会, 2004.11. |
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B. -M. Lee, T. Kuranaga, S. Munetoh, and T. Motooka, Molecular Dynamics Study of Nucleation and Crystal Growth of Si on Nano-Structured Glass Substrates, The 1st International Symposium on Functional Innovation of Molecular Informatics, 2004.10. |
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宗藤伸治，倉永卓英，李 秉玖，本岡輝昭, 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション：核発生メカニズム, 平成16年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 2004.09. |
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宇治原 徹,宗藤伸治,楠 一彦,亀井一人,藤原航三,佐崎 元,宇佐美徳隆,中嶋一雄, 液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価, 平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
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楠 一彦,宗藤伸治,亀井一人,長谷部光弘,宇治原 徹,中嶋一雄, 金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長, 平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
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宗藤伸治,倉永卓英,李秉玖,本岡輝昭, 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション, 平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
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倉永卓英、Lee Byoung Min、宗藤伸治、本岡輝昭, 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション(2) : 過冷却液体からの核生成の解析, 平成1６年度日本鉄鋼協会/日本金属学会 九州支部春季講演会, 2004.03. |
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Lee Byoung Min、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭, 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション(1), 平成1６年度日本鉄鋼協会/日本金属学会 九州支部春季講演会, 2004.03. |
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B. M. Lee, S. Munetoh, and T. Motooka, Moleculr Dynamics Simulations of Velocity Distribution and Local Temperature Changes During Rapid Cooling Processes in Excimer-laser Annealed Silicon, Material Research Society meeting, 2003.12. |
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K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima, TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent, ICSCRM, 2003.10. |
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T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy, ICSCRM, 2003.10. |
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K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima, Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent, ICSCRM, 2003.10. |
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Lee Byoung Min,宗藤伸治,本岡輝昭, エキシマレーザアニルによる自然冷却下の速度分布の分子動力学シミュレーション, 平成15年度応用物理学会, 2003.09. |
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宗籐伸治、亀井一人, BaAlSi系クラスレートの合成および熱電性能評価, 平成15年秋季第64回応用物理学会学術講演会, 2003.09. |
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T. Motooka, S. Munetoh, Lee Byoung Min and K. Nisihira, MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF NUCLEATION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES DURING EXCIMER-LASER ANNEALING OF AMORPHOUS SILICON ON GLASS, Materials Research Society meeting, 2003.04. |
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宗藤 伸治, 住金におけるエレクトロニクス材料の研究と開発, 21世紀COE「産学連携教育プロジェクト」講演会, 2003.02. |
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K. Nishihira, S. Munetoh, and T. Motooka, Uniaxial strain observed in solid/liquid interface during crystal growth from melted Si: A molecular dynamics study, 8-th Int. Conf. on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, 1999.09. |
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宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭, Si-O系に適用可能な経験的原子間相互ポテンシャル, 平成11年秋季第60回応用物理学会学術講演会, 1999.09. |
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本岡輝昭、宗藤伸治、西平健, Si固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション, 第４６回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「イオンビーム誘起結晶成長技術の新たな展望」, 1999.03. |
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T. Motooka and S. Munetoh, Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si, 4-th Int. Conf. on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids, 1998.09. |
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石丸 学、宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭, 融液シリコンからの結晶成長時における欠陥形成の分子動力学シミュレーショ ン, 第４５回応用物理学関係連合講演会, 1998.03. |
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石丸 学、宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭, 融液からの結晶シリコン成長時における欠陥の生成過程, 日本金属学会平成１０年度春期大会, 1998.03. |
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宗籐伸治、石丸 学、本岡輝昭, 分子動力学法を用いた融液からの急冷による非晶質シリコンの作成, 平成9年春季第44回応用物理学関係連合講演会, 1997.03. |
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宗藤伸治,石丸学,本岡輝昭, 分子動力学シミュレーションによる非晶質シリコンの構造解析, 平成8年度応用物理学会九州支部学術講演会, 1996.12. |
