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寒川義裕, AIによる材料製造条件の探索『プロセス・インフォマティクス』技術の進展, 応用物理, 92, 599, 2023.10, 材料開発の分野では，ノウハウ（経験と勘）による“ものづくり”からの脱却，人工知能（AI）を活用した“ものづくり”への移行が進められている．ここで核心となるのは，現実空間の製造プロセスを仮想空間に再現するデジタルツイン技術，いわゆるシミュレーション技術の開発である．本稿では，ナノテクノロジー推進の根幹である化学気相成長を例に，そのシミュレーション技術の最近の進展について解説する．また，AIによる製造条件探索『プロセス・インフォマティクス』への展開について述べる．. |
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寒川義裕、草場彰, 窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展, Vacuum and Surface Science, 66(4), 227-232, DOI: 10.1380/vss.66.227, 2023.04. |
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河村貴宏、秋山亨、宇佐美茂佳、今西正幸、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕, OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響, 日本結晶成長学会誌、50-1-02, 2023.04. |
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草場彰、寒川義裕、久保山哲二、新田州吾、白石賢二、押山淳, GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状, 日本結晶成長学会誌、50-1-05, 2023.04. |
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寒川義裕, 結晶成長とプロセスインフォマティクス 〜理論解析から計算予測へ〜 , 日本結晶成長学会誌, 49-1-04, 2022.04. |
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寒川義裕, 材料開発におけるプロセス・インフォマティクスの最新事情, 学士會会報, 第950号77-81頁, 2021.09, 材料開発におけるプロセス・インフォマティクス学術分野の開拓を推し進めている。本報告では国内外の研究トレンドから最新の研究事例までを俯瞰的に紹介している。. |
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Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski,, Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations, Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, 10.19009/jjacg.47-3-05, 47-3-5-1~9, 2020.10. |
| 8. |
秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、草場彰、寒川義裕, III族窒化物成長における表面・界面の構造および極性の理論解析, 日本結晶成長学会誌、45(1)、45-1-03-1-8、2018, 2018.04. |
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寒川 義裕, 草場 彰, 白石 賢二, 柿本 浩一, 纐纈 明伯, 窒化物半導体MOVPEの熱力学解析 ～面方位依存性～, 日本結晶成長学会誌, 43, 4, 233 - 238, 2017.01. |
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寒川 義裕, 三宅 秀人, Michal Bockowski, 柿本 浩一, AlN 溶液成長における固-液界面その場観察装置の開発, 日本結晶成長学会誌, Vol. 42, p232, 2015.10. |
| 11. |
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto, Theoretical study on structural stability of InN grown by pressurized-reactor MOVPE, Extended abstracts of the 33rd Electronic Materials Symposium (EMS30), 2014.07. |
| 12. |
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical investigation of the influence of growth orientation on indium incorporation efficiency during InGaN growth by MOVPE, Extended abstracts of the 31st Electronic Materials Symposium (EMS30), 2012.07. |
| 13. |
寒川義裕、B. M. Epelbaum、桑野範之、柿本浩一, 固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究, 日本結晶成長学会誌, 2012.01. |
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柿本浩一、Gao Bing、中野 智、寒川義裕, 半導体バルク結晶成長における熱と物質の輸送と成長速度の関係, 日本結晶成長学会誌, 2011.10. |
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川野 潤、寒川義裕、屋山 巴、伊藤智徳、柿本浩一、纐纈明伯, GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論検討, 日本結晶成長学会誌, 2011.10. |
| 16. |
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto,, Theoretical approach to anisotropic growth process of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces tilting toward [1100], Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343), 2011.07. |
| 17. |
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Phase diagram of Li3N-Al pseudobinary system for AlN growth, Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343), 197, 2010.07. |
| 18. |
M. Inoue, Y. Kangawa, K. Wakabayash, K. Kakimoto, ", Tight-binding approach to initial stage of graphitization on SiC surface, Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343), 139, 2010.07. |
| 19. |
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu, Control of indium composition in coherently grown InGaN thin films, Extended abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) (ISSN 1343-0343), 53, 2009.07. |
| 20. |
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Kakimoto, Microstructures in AlN/sapphire grown by vapor phase epitaxy using Al and Li3N, Extended abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) (ISSN 1343-0343), 2009, H8, 187., 187, 2009.07. |
| 21. |
寒川義裕、秋山 亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, 立方晶GaNの成長過程と構造安定性, 日本結晶成長学会誌, 2008.10. |
| 22. |
Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Theoretical study of growth condition of cubic GaN, Extended abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS27) (ISSN 1343-0343), 163, 2008.07. |
| 23. |
T. Wakigawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Solution growth of AlN using Al and Li3N under an atmospheric pressure, Extended abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium (EMS26) (ISSN 1343-0343), 259, 2007.07. |
| 24. |
寒川義裕、柿本浩一、伊藤智徳、纐纈明伯, InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討, 応用物理学会誌, 2007.02. |
| 25. |
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, c-GaN分子線エピタキシーにおける成長初期過程の理論解析, クリスタルレターズ, 2007.02. |
| 26. |
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, 気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN 気相成長の成長初期過程解析, 九州大学 応用力学研究所 所報, 133 (2007) 135, 2007.01. |
| 27. |
松尾整、河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一、新船幸二、大下祥雄、山口真史, 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析, 日本結晶成長学会誌 , 33 (2006) 337., 2006.01. |
| 28. |
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 単層及び多層カーボンナノチューブの熱伝導率解析, 日本結晶成長学会誌 , 33 (2006) 283., 2006.01. |
| 29. |
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析, 日本結晶成長学会誌 , 33 (2006) 208., 2006.01. |
| 30. |
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討, 日本結晶成長学会誌 , 33 (2006) 207., 2006.01. |
| 31. |
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu, Influence of lattice constraint from substrate on compositional instability of InAlGaN thin film, Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343), 183, 2005.07. |
| 32. |
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Analysis of thermal conductivity of nitride alloy by molecular dynamics, Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343), 101, 2005.07. |
| 33. |
A. Koukitu, K. Takemoto, Y. Matsuo, T. Iwamoto, Y. Kangawa, Y. Kumagai, MOVPE growth of GaN buffer layer directly on Si substrate, Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343), 233, 2005.07. |
| 34. |
纐纈明伯、寒川義裕、熊谷義直、関 壽, 化合物半導体気相成長の熱力学, 応用物理学会誌, 2005.02. |
| 35. |
寒川義裕、柿本浩一, InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析, 日本結晶成長学会誌, 32 (2005) 142., 2005.01. |
| 36. |
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 分子動力学法によるAlN/GaN超格子の熱伝導解析, 日本結晶成長学会誌 , 32 (2005) 139., 2005.01. |
| 37. |
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導解析, 日本結晶成長学会誌 , 32 (2005) 138., 2005.01. |
| 38. |
伊藤智徳、寒川義裕, IV族混晶半導体の熱力学的安定性, 日本結晶成長学会誌, 2004.02. |
| 39. |
寒川義裕、河口紀仁、岡田安史、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性, 日本結晶成長学会誌 , 31 (2004) 266., 2004.01. |
| 40. |
菊地潤、松尾有里子、寒川義裕、田中健、熊谷義直、纐纈明伯, 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析, 日本結晶成長学会誌 , 31 (2004) 263., 2004.01. |
| 41. |
松尾有里子、田中健、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯、「, 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ, 日本結晶成長学会誌, 31 (2004) 262., 2004.01. |
| 42. |
藤野真理恵、富樫理恵、松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯、「, GaN/GaP ヘテロ成長と基板面方位, 日本結晶成長学会誌 , 31 (2004) 261., 2004.01. |
| 43. |
寒川義裕、石橋隆幸、熊谷義直、纐纈明伯、佐藤勝昭, II-IV-V2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討, 日本結晶成長学会誌, 31 (2004) 219., 2004.01. |
| 44. |
岩本智行、野間かおり、松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯, 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察, 日本結晶成長学会誌 , 31 (2004) 145., 2004.01. |
| 45. |
T. Yamane, H. Shikauchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, Hydride vapor phase epitaxy of thick AlN layer on sapphire (0001) substrate, Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343), F2, 2004.01. |
| 46. |
H. Murakami, M. Harada, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, “, High Fe doping during thick GaN layer growth on sapphire (0001), Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343), E9, 2004.01. |
| 47. |
J. Kikuchi, Y. Matsuo, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu, Thermodynamic analyses of the MOVPE growth of indium containing nitrides using various nitrogen sources, Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343), 2004, E15., E15, 2004.01. |
| 48. |
纐纈明伯、寒川義裕、松尾有里子、熊谷義直, 表面反応場制御による窒化物半導体薄膜の高品質化 −表面極性依存性−学、2003、p61, 科研費基盤(C)企画・調査「電子プローブによる光・電子デバイス材料および実装素子のナノ組織解析技術の進展」、桑野範之(Ed.)、九州大, 2004.01. |
| 49. |
寒川義裕、伊藤智徳、白石賢二、大鉢 忠、纐纈明伯, GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ, 表面科学, 2003.02. |
| 50. |
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響, 日本結晶成長学会誌, 2003.02. |
| 51. |
寒川義裕、入澤寿美、熊谷義直、纐纈明伯, GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討, 日本結晶成長学会誌, 30 (2003) 98, 2003.01. |
| 52. |
纐纈明伯、菊地潤、寒川義裕、熊谷義直, HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?, 日本結晶成長学会誌, 30 (2003) 104, 2003.01. |
| 53. |
松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯, 第一原理計算による常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移, 日本結晶成長学会誌, 30 (2003) 124, 2003.01. |
| 54. |
K. Eriguchi, K. Takemoto, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, Growth of InAs1-xSbx layers on InAs(001) substrates using halide vapor phase epitaxy, Extended abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium (EMS22) (ISSN 1343-0343), 137, 2003.01. |
| 55. |
N. Kawaguchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, “, Effect of periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers during thick GaN layer growth on GaAs(111)A, Extended abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium (EMS22) (ISSN 1343-0343), 167, 2003.01. |
| 56. |
寒川 義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 平岡佳子, 入澤寿美, 大鉢 忠, GaAsエピタキシャル成長における吸着－脱離現象への理論的アプローチ, 日本結晶成長学会誌, 29, pp. 57-64, 2002.02. |
| 57. |
Y. Kangawa, T. Ito, K. Shiraishi, A. Taguchi, A. Koukitu and T. Ohachi, “, Theoretical approach to control of thickness and composition of III-V semiconductor thin films, Proc. of the Sixth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 55, 2002.01. |
| 58. |
A. Mori, B. B. Laird, Y. Kangawa, T. Ito and A. Koukitu, Monte Carlo simulation study of alloy phase diagrams of InGaN thin film on GaN and InN, Proc. of the Sixth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 59, 2002.01. |
| 59. |
松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯, 常圧H2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2x4)再構成面の形成機構, 日本結晶成長学会誌, 29 (2002) 83, 2002.01. |
| 60. |
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相−固相関係, 日本結晶成長学会誌, 29 (2002) 84, 2002.01. |
| 61. |
森篤史、B. B. Laird、寒川義裕、伊藤智徳、纐纈明伯, GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション, 日本結晶成長学会誌, 29 (2002) 85, 2002.01. |
| 62. |
Y. Kangawa, T. Ito, K. Nakamura, Y. Kumagai and A. Koukitu, Empirical potential-based approach to relative stability among tetrahedral clusters in bulk InGaN and InGaN/GaN, Extended abstracts of the 21st Electronic Materials Symposium (EMS21) (ISSN 1343-0343), 47, 2002.01. |
| 63. |
Y. Kumagai, H. Murakami, Y. Kangawa, H. Seki and A. Koukitu, Temperature ramping rate dependence of thick GaN growth on GaN buffer/GaAs (111)A substrate, Extended abstracts of the 21st Electronic Materials Symposium (EMS21) (ISSN 1343-0343), 59, 2002.01. |
| 64. |
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu, “, Empirical potential approach to thermodynamic stability of thin nitride films, Bulletin of the Stefan University, 13 (2001) 19, 2001.01. |
| 65. |
Y. Kangawa, S. Sakaguchi and T. Ito, Relative stability of Ga on the high index GaAs surfaces, Proc. The Fifth International Seminar on Microstructures and Mechanical Properties of New Engineering Materials, Mie, 259, 2001.01. |
| 66. |
T. Ito, Y. Kangawa, K. Shiraishi and A. Taguchi, Empirical potential-based approach for understanding epitaxial growth of semiconductors, Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 277, 2001.01. |
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Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu, Empirical interatomic potential calculation for compositional instability of InGaN thin films grown on GaN and InN, Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 391, 2001.01. |
| 68. |
N. Kasae, A. Mori, T. Toyama, T. Ito and Y. Kangawa, Semigrand canonical Monte Carlo simulation toward the construction of InGaN alloy phase diagram, Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 2001, p425, 425, 2001.01. |
| 69. |
伊藤智徳、寒川義裕, ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用, 日本結晶成長学会誌, 27 (2000) 150, 2000.01. |
| 70. |
寒川義裕、伊藤智徳、森篤史、纐纈明伯, InGaN非混和性に対する基板拘束の寄与, 日本結晶成長学会誌, 27 (2000) 152, 2000.01. |
| 71. |
寒川義裕、桑野範之、沖憲典、伊藤智徳, 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混晶中に出現するCuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析, 日本金属学会誌, 1999.02. |
| 72. |
寒川義裕、桑野範之、沖憲典, 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析, 日本結晶成長学会誌, 26 (1999) 95, 1999.01. |
| 73. |
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki, Theoretical investigation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP using empirical interatomic potential, Extended abstracts of the 18th Electronic Materials Symposium (EMS18) (ISSN 1343-0343), 213, 1999.01. |
| 74. |
C. Kojima, Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki, TEM observation of microstructures in InAlAs/(110)InP, New Direction in Transmission Electron Microscopy and Nono-characterization of Materials, C. Kinoshita, Y. Tomokiyo, S. Matsumura (Eds.), the Research Laboratory for High Voltage Electron Microscopy, Kyushu University, Japan, 383, 1997.01. |
| 75. |
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki, TEM observation for the ordering mechanism of an InGaAs alloy grown on a (110)InP substrate, Proc. Second Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Kobe, 71, 1997.01. |
| 76. |
N. Kuwano, Y. Kangawa, M. Ishimaru and K. Oki, Ising model approach for the L10-ordering in III-V semiconductor alloys of (A, B)C, Proc. First Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Tokyo, 55, 1996.01. |
| 77. |
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki, Monte Carlo analysis of microstructures in ordered III-V semiconductor alloys: Attempt of simulation for the triple period (TP-A) structure, Proc. MRS-J Symposium R; Novel Semiconducting Materials, Makuhari Messe, H. Oyanagi (Ed.), MRS-Japan, 26, 1996.01. |
