九州大学 研究者情報
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寒川 義裕(かんがわ よしひろ) データ更新日:2019.06.26



主な研究テーマ
超高効率化合物太陽電池の創製に関する研究
キーワード:多接合太陽電池
2008.10.
深紫外LED/パワーデバイス開発に向けたAlN固体ソース溶液成長技術の開発
キーワード:パワーデバイス、深紫外LED、バルクAlN
2006.04.
量子計算科学によるInN加圧MOVPEにおける異相混入機構の解明
キーワード:立方晶InN、気相の自由エネルギを考慮した第一原理計算
2012.04.
熱分解法による微傾斜SiC基板上グラフェン成長における成長機構の理論解析
キーワード:グラフェン
2009.04.
気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaNの成長機構の検討
キーワード:立方晶GaN、気相の自由エネルギを考慮した第一原理計算
2005.01~2014.03.
窒化物半導体混晶の非混和性に対する基板拘束の影響
キーワード:InGaN、格子拘束、非混和性
2000.04~2014.03.
従事しているプロジェクト研究
Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Application (InRel-NPower)
2017.01~2019.12, 代表者:Gaudenzio Meneghesso, University of Padova, European Commission (EU).
省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
2016.05~2021.03, 代表者:天野 浩, 名古屋大学, 名古屋大学(日本).
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(集光型多接合)~III-V-N系半導体成長シミュレータの研究開発~
2008.10~2015.03, 代表者:山口真史, 豊田工業大学, 豊田工業大学(日本).
固体ソース溶液成長により作製したAlNバルク結晶の光学特性
2013.04, 代表者:寒川義裕、秩父重英, 九州大学、東北大学, 九州大学、東北大学(日本).
量子計算科学によるInN加圧MOVPEにおける異相混入機構の解明
2012.04, 代表者:寒川義裕、松岡隆志, 九州大学、東北大学, 九州大学、東北大学(日本)
気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算により、InN加圧MOVPEにおける異相混入機構を解析している。.
International research collaboration on bulk III-Nitride growth
2013.09, 代表者:寒川義裕、I. Grzegory, T. Suski, M. Bockowski, S. Krukowski, 九州大学、UNIPRESS, PAS (Poland), 九州大学(日本)、UNIPRESS, PAS (Poland).
International research collaboration on next generation thermo-electric and high frequency power devices developments
2014.04, 代表者:William T. Reynolds, Jr., Michael R. von Spakovsky, Virginia Tech., Virginia Tech (USA).
Innovation on growth technology of III-Nitride semiconductors
2012.09, 代表者:寒川義裕、E. Meissner, 九州大学、Fraunhofer IISB (Germany), 九州大学(日本)、Fraunhofer IISB (Germany).
研究業績
主要著書
1. T. Matsuoka, Y. Kangawa, Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach, Springer, 10.1007/978-3-319-76641-6, 2018.05, This book presents extensive information on the mechanisms of epitaxial growth in III-nitride compounds, drawing on a state-of-the-art computational approach that combines ab initio calculations, empirical interatomic potentials, and Monte Carlo simulations to do so. It discusses important theoretical aspects of surface structures and elemental growth processes during the epitaxial growth of III-nitride compounds. In addition, it discusses advanced fundamental structural and electronic properties, surface structures, fundamental growth processes and novel behavior of thin films in III-nitride semiconductors. As such, it will appeal to all researchers, engineers and graduate students seeking detailed information on crystal growth and its application to III-nitride compounds..
2. Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa, Ab initio-Based Approach to Crystal Growth
Chemical Potential Analysis
, Elsevier Inc., 10.1016/B978-0-444-56369-9.00011-3, 1, 477-520, 2014.12, [URL], Computer-aided calculations for crystal growth in the area of semiconductor materials are presented from the viewpoint of an ab initio-based approach. Reliable predictions can now be made for a wide range of problems in the field of semiconductor crystal growth, such as surface reconstructions, adsorption-desorption, and migration behavior of atomic and molecular species as functions of growth conditions, by employing chemical potential analysis in ab initio calculations. The availability of chemical potential analysis is examined by investigating surface phase diagrams and growth processes on the reconstructed surfaces for prototypical semiconductors, including GaAs, InAs on GaAs, GaN, and InGaN on GaN with the aid of Monte Carlo simulations. An overview of these issues is provided and the latest achievements are presented to illustrate the capability of the ab initio-based approach by directly comparing with experimental results under realistic growth conditions, such as growth temperature and gas pressure. The successful applications in crystal growth lead to future prospects in the ab initio-based approach to the materials' design and consequently great advances in crystal growth for various materials, including nanomaterials..
3. Takashi Nakayama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces, Elsevier Inc., 1, 113-174, 2011.01.
主要原著論文
1. P. Kempisty, Y. Kangawa, A. Kusaba, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano, DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, DOI: 10.1063/1.4991608, 111, 14, 141602-1-5, 2017.10.
2. Y. Kangawa, H. Suetsugu, M. Knetzger, E. Meissner, K. Hazu, S. F. Chichibu, T. Kajiwara, S. Tanaka, Y. Iwasaki, K. Kakimoto, Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 10.7567/JJAP.54.085501, 54, 8, 085501-1-5, 2015.08.
3. Y. Kangawa, A. Kusaba, H. Sumiyoshi, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto, Real-time observation system development for high-temperature liquid/solid interfaces and its application to solid-source solution growth of AlN, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 10.7567/APEX.8.065601, 8, 6, 065601-1-3, 2015.06.
4. Y. Kangawa, T. Ito, A. Koukitu, K. Kakimoto, Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 10.7567/JJAP.53.100202, 53, 10, 100202-1-11, 2014.10.
5. Yoshihiro KANGAWA, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama, Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach, MATERIALS, 10.3390/ma6083309, 6, 8, 3309-3360, 2013.08, We review the surface stability and growth kinetics of III-V and III-nitride semiconductors. The theoretical approach used in these studies is based on ab initio calculations and includes gas-phase free energy. With this method, we can investigate the influence of growth conditions, such as partial pressure and temperature, on the surface stability and growth kinetics. First, we examine the feasibility of this approach by comparing calculated surface phase diagrams of GaAs(001) with experimental results. In addition, the Ga diffusion length on GaAs(001) during molecular beam epitaxy is discussed. Next, this approach is systematically applied to the reconstruction, adsorption and incorporation on various nitride semiconductor surfaces. The calculated results for nitride semiconductor surface reconstructions with polar, nonpolar, and semipolar orientations suggest that adlayer reconstructions generally appear on the polar and the semipolar surfaces. However, the stable ideal surface without adsorption is found on the nonpolar surfaces because the ideal surface satisfies the electron counting rule. Finally, the stability of hydrogen and the incorporation mechanisms of Mg and C during metalorganic vapor phase epitaxy are discussed..
6. Yoshihiro KANGAWA, Ryutaro Toki, Tomoe Yayama, Boris M. Epelbaum, Koichi Kakimoto, Novel Solution Growth Method of Bulk AlN Using Al and Li3N Solid Sources, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 10.1143/APEX.4.095501, 4, 9, 095501-1-095501-3, 2011.09, 窒化アルミニウムは深紫外LEDやパワーデバイス用の材料として期待されている。しかし、そのバルク成長技術は開発途上にある。本研究では、固体ソース溶液成長技術を開発し、窒化アルミニウムのバルク成長に適用した。新規溶液成長技術により、従来の窒素ガスを窒素原料とする低温溶液成長技術に比べ約2倍の成長速度を達成することに成功した。また、得られた窒化アルミニウム単結晶に含まれる貫通転位密度はハライド気相成長法により作製した単結晶と同程度であり、高品質結晶の成長が確認された。以上より、本研究で開発した固体ソース溶液成長技術の適用可能性が示唆された。.
7. 寒川義裕・柿本浩一・伊藤智徳・纐纈明伯, InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討, 応用物理, vol. 76, p. 495, 2007.05.
主要総説, 論評, 解説, 書評, 報告書等
1. 寒川義裕、B. M. Epelbaum、桑野範之、柿本浩一, 固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究, 日本結晶成長学会誌, 2012.01.
2. 寒川義裕、秋山 亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, 立方晶GaNの成長過程と構造安定性, 日本結晶成長学会誌, 2008.10.
3. 寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一, c-GaN分子線エピタキシーにおける成長初期過程の理論解析, クリスタルレターズ, 2007.02.
4. 寒川義裕、柿本浩一、伊藤智徳、纐纈明伯, InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討, 応用物理学会誌, 2007.02.
5. 寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響, 日本結晶成長学会誌, 2003.02.
6. 寒川 義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 平岡佳子, 入澤寿美, 大鉢 忠, GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ, 日本結晶成長学会誌, 29, pp. 57-64, 2002.02.
主要学会発表等
1. Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, Modeling and process design of III-nitride MOVPE, The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, 2018.04.
2. Y. Kangawa, Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, 2016.10, It is known that the growth process of semiconductors depends on the growth conditions such as growth temperature, partial pressures of gaseous sources, and growth orientation. To improve the crystalline quality of thin films, many experimentalist have studied the relationships between growth processes and growth conditions. A lot of technical knowledges and know-how to optimize the growth conditions have been reported. However, there is no discussion about atomistic-scale phenomena because in situ observations using electron beam is difficult in case of MOVPE and HVPE system. The knowledge of atomistic-scale phenomena is indispensable to control the growth process more precisely. Ab initio calculation is a powerful technique for modelling and analysis of atomistic-scale phenomena. The conventional ab initio calculation has been applicable to the analysis of stable surface reconstruction at absolute zero. In 2001, we proposed an ab initio-based approach that incorporates the gas-phase free energy. The theoretical approach is useful for analyzing the influence of the growth temperature and the partial pressures on the stability of the surface reconstructions. Transition of surface reconstruction on various surface orientations brings change in surface energy, i.e., change in relative stability among various surface orientations which induces facet formation. A surface phase diagram obtained by the theoretical approach is valuable in the optimization of the growth conditions and the acceleration of material development. In the present talk, I introduce how to make the surface phase diagram of nitride semiconductors by the theoretical approach..
3. Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto, Development of in situ observation system for liquid/solid interface during solution growth of AlN, Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP2015), 2015.08.
4. Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical aspects in growth of In-rich InGaN, SPIE 2015 Photonics West, 2015.02.
5. 寒川義裕, 秋山 亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 中山隆史, 化合物半導体エピタキシーにおける量子計算科学の展開, 第44回結晶成長国内会議(NCCG-44), 2014.11.
6. Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto, Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method, 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), 2013.10.
7. Y. Kangawa, Influence of substrate orientation on In incorporation efficiency of InGaN grown by MOVPE -Theoretical approach on growth process/kinetics of InGaN-, 16th International Conference on MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16), 2012.05.
8. Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Two-phase-solution growth of AlN on self-nucleated AlN crystal, IWBNS-7 (7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors), 2011.03.
9. Y. Kangawa, K. Kakimoto, Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent, 6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI), 2009.08.
特許出願・取得
特許出願件数  2件
特許登録件数  0件
学会活動
所属学会名
応用物理学会
応用物理学会 先進パワー半導体分科会
日本結晶成長学会
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピ成長分科会
日本結晶成長学会 バルク分科会
学協会役員等への就任
2019.04~2022.03, 日本結晶成長学会, 理事.
2019.04~2022.03, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会, 幹事長.
2016.04~2018.03, (公)名古屋産業科学研究所, 非常勤所員.
2016.04~2019.03, 日本結晶成長学会, 理事.
2016.04~2019.03, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会, 幹事.
2015.03~2017.03, ナイトライド基金運営委員会, 委員.
2012.11~2015.03, ナイトライド基金運営委員会, 委員.
2013.04~2016.03, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会, 幹事.
2013.04~2016.03, 日本結晶成長学会, 理事.
2010.04~2013.03, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会, 幹事.
2010.04~2013.03, 日本結晶成長学会, 理事.
2008.07~2010.03, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会, 幹事.
2006.04~2008.03, 日本航空宇宙学会西部支部, 幹事.
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2020.10.19~2020.10.22, The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), Local Arrangement Committee, vice chair.
2019.10.09~2019.10.11, 第38回電子材料シンポジウム, 論文委員.
2019.07.07~2019.07.12, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), 座長.
2019.06.13~2019.06.15, 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 幹事長.
2019.04.23~2019.04.25, The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19), Steering committee, vice chair.
2019.03.17~2019.03.21, ISPlasma2019 / IC-PLANTS2019, Program Committee/Publication committee, member.
2018.11.11~2018.11.16, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), Steering Committee, Member.
2018.11.11~2018.11.16, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), Session chair.
2018.10.31~2018.11.02, 第47回結晶成長国内会議, 座長.
2018.10.10~2018.10.12, 第37回電子材料シンポジウム, 座長.
2018.10.10~2018.10.12, 第37回電子材料シンポジウム, 論文委員.
2018.06.03~2018.06.08, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Steering Committee, Member.
2018.06.03~2018.06.08, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Session chair.
2018.03.04~2018.03.08, ISPlasma2018 / IC-PLANTS2018, Program Committee, member.
2017.11.19~2017.11.22, International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017), Local Arrangement Committee, Chair.
2017.11.08~2017.11.10, 第36回電子材料シンポジウム, 論文委員.
2017.09.29~2017.10.01, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), Organizing Committee, Member.
2017.09.05~2017.09.08, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 座長.
2017.03.14~2017.03.18, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 座長(Chairmanship).
2017.03.01~2017.03.05, ISPlasma2017 / IC-PLANTS2017, Program Committee, member.
2016.10.02~2016.10.07, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016), Topic committee, member.
2016.10.02~2016.10.07, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, 座長.
2016.09.13~2016.09.16, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 座長(Chairmanship).
2016.08.07~2016.08.12, The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Steering committee, member.
2016.07.06~2016.07.08, 第35回電子材料シンポジウム, 論文委員.
2016.05.09~2016.05.10, 第8回窒化物半導体結晶成長講演会, 座長(Chairmanship).
2016.03.06~2016.03.10, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nono-materials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016), Program Committee, member.
2015.11.08~2015.11.13, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Steering committee, member.
2015.11.02~2015.11.06, 9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-9), Program Committee, member.
2015.10.19~2015.10.21, NCCG-45 (第45回結晶成長国内会議), 座長(Chairmanship).
2014.11.06~2014.11.08, NCCG-44(第44回結晶成長国内会議), 座長(Chairmanship).
2014.05.25~2014.05.28, 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5), Organizing committee, member.
2014.03.17~2014.03.20, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 座長(Chairmanship).
2014.03.02~2014.03.06, ISPlasma 2014, プログラム委員.
2014.03.02~2014.03.06, ISPlasma 2014 / ICPLANTS 2014 (6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science), 座長(Chairmanship).
2013.11.06~2013.11.08, NCCG-43 (第43回 結晶成長国内会議), 座長(Chairmanship).
2013.10.22~2013.10.25, CSSC-7 (7th International Worcshop on Crystalline Silicon Solar Cells), Local Organizing Committee, Co-chair.
2013.10.01~2015.08.31, EMS-33, 34, 論文委員.
2013.09.29~2013.10.03, ICSCRM2013, 実行委員.
2013.06.20~2013.06.21, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会SiC結晶成長講演会, 世話人.
2013.06.20~2013.06.21, 日本結晶成長学会ナノエピ分科会SiC結晶成長講演会, 座長(Chairmanship).
2013.05.19~2013.05.23, ISCS 2013, Program committee, Member.
2013.05.19~2013.05.23, ISCS 2013 (The 40th International Symposium on Compound Semiconductor), 座長(Chairmanship).
2013.03.27~2013.03.30, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 座長(Chairmanship).
2013.01.28~2013.02.01, ISPlasma 2013, プログラム委員.
2012.11.09~2012.11.11, 第42回 結晶成長国内会議, 実行委員、プログラム委員.
2012.11.09~2012.11.11, 第42回結晶成長国内会議, 座長(Chairmanship).
2012.10.14~2012.10.19, IWN2012, 実行委員.
2012.09.26~2012.09.28, 第36回 結晶成長討論会, 現地実行委員.
2012.09.11~2012.09.14, 2012年秋季応用物理学会学術講演会, 座長(Chairmanship).
2012.09.06~2014.07.08, EMS-32, 33, 実行委員.
2012.07.11~2013.07.12, EMS-31, 32, 論文委員.
2012.02.20~2012.02.21, 結晶成長:実験と理論の最新の展開 (低温研ワークショップ), 座長(Chairmanship).
2012.01.27~2012.01.27, 第4回九大グラフェン研究会, 世話人.
2012.01.17~2012.01.18, 結晶成長自由討論会(放談会), 座長(Chairmanship).
2011.06.29~2011.07.01, EMS-30, 論文委員.
2011.06.17~2011.06.18, 第3回窒化物半導体結晶成長講演会, 実行委員.
2011.03.15~2011.03.20, IWBNS-7 (7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors), 座長(Chairmanship).
2011.02.04~2011.02.04, 第3回九大グラフェン研究会, 世話人.
2010.11.12~2010.11.12, 日本航空宇宙学会西部支部講演会, 座長(Chairmanship).
2010.10.07~2010.10.07, SHESC-3, 実行委員.
2010.10.06~2010.10.06, SHESC-3, 座長(Chairmanship).
2010.09.14~2010.09.17, 2010年秋季応用物理学会学術講演会, 座長(Chairmanship).
2010.08.07~2010.08.08, NCCG-40, 実行委員.
2010.07.14~2010.07.16, EMS-29, 論文委員.
2010.05.14~2010.05.15, 第2回窒化物半導体結晶成長講演会, 座長(Chairmanship).
2010.03.17~2010.03.20, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 座長(Chairmanship).
2010.01.29~2010.01.29, 第2回 炭素系ナノ構造に関する基礎研究 ~エピタキシャルグラフェンの形成と物性~, 世話人.
2010.01.29~2010.01.29, 第2回 炭素系ナノ構造に関する基礎研究 ~エピタキシャルグラフェンの形成と物性~, 司会(Moderator).
2009.12.05~2009.12.05, SHESC-2, 実行委員.
2009.12.05~2009.12.05, SHESC-2, 座長(Chairmanship).
2009.02.28~2009.02.28, SHESC-1, 座長(Chairmanship).
2009.01.23~2009.01.23, 低次元カーボン系材料の最新動向—C60,カーボンナノチューブ,グラフェン, 世話人.
2009.01~2009.01.23, 低次元カーボン系材料の最新動向—C60,カーボンナノチューブ,グラフェン, 司会(Moderator).
2008.11.04~2008.11.06, NCCG-38, 座長(Chairmanship).
2008.07.27~2008.07.28, 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究, 司会(Moderator).
2008.07.09~2008.07.11, EMS-27, 総務委員.
2008.07.06~2008.07.09, ISGN-2, 実行委員.
2008.05.22~2008.05.24, CGCT-4, 論文委員.
2008.05.22~2008.05.24, CGCT-4, 座長(Chairmanship).
2008.04.25~2008.04.26, 第2回 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究, 世話人.
2007.12.03~2007.12.07, PVSEC-17, 実行委員.
2007.11.05~2007.11.07, NCCG-37, 座長(Chairmanship).
2007.07.27~2007.07.28, 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究, 世話人.
2007.07~2007.07, EMS-26, 総務委員.
2007.04.25~2007.04.26, 第2回 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究, 座長(Chairmanship).
2006.11.01~2006.11.03, NCCG-36, プログラム委員.
2006.11.01~2006.11.03, H18年度応用物理学会九州支部学術講演会, 座長(Chairmanship).
2006.11.01~2006.11.03, NCCG-36, 座長(Chairmanship).
2006.11.01~2006.11.02, H18年度航空宇宙学会西部支部会, 座長(Chairmanship).
2006.10.01~2006.10.05, IWN2006, 論文委員.
2006.05.01~2006.05.05, ICMOVPE-XIII, 出版委員.
2005.11.01~2005.11.03, 日本結晶成長学会バルク成長分科会 第67回研究会, 座長(Chairmanship).
2004.08.25~2004.08.27, NCCG-34, 実行委員.
2003.05.01~2003.05.05, ICNS-5, Executive committee (member).
学会誌・雑誌・著書の編集への参加状況
2018.04~2019.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2017.04~2018.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2016.04~2017.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2015.04~2016.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2014.04~2015.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2013.04~2014.03, Jpn. J. Appl. Phys., 国際, 編集委員.
2012.12~2015.11, 日本結晶成長学会誌, 国内, 編集委員.
2010.04~2013.03, 日本結晶成長学会誌, 国内, 編集委員.
2003.04~2005.03, 日本結晶成長学会誌, 国内, 編集委員.
2008.04~2009.03, 日本航空宇宙学会誌, 国内, 編集委員.
学術論文等の審査
年度 外国語雑誌査読論文数 日本語雑誌査読論文数 国際会議録査読論文数 国内会議録査読論文数 合計
2018年度      
2017年度      
2016年度      
2015年度    
2014年度    
2013年度 12        12 
2012年度 13      15 
2011年度      
2010年度 10      18 
2009年度      
2008年度 14        14 
2007年度    
2006年度      
2005年度    
2004年度      
2003年度      
2002年度      
2001年度      
2000年度      
その他の研究活動
海外渡航状況, 海外での教育研究歴
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Poland, 2018.08~2018.08.
KAUST, SaudiArabia, 2018.03~2018.03.
San Francisco, UnitedStatesofAmerica, 2018.01~2018.02.
Strassbourg, France, 2017.07~2017.07.
Padova, Italy, 2017.01~2017.01.
Hinchu, Taiwan, 2016.10~2016.10.
Orland, UnitedStatesofAmerica, 2016.10~2016.10.
San Francisco, UnitedStatesofAmerica, 2015.02~2015.02.
Virginia Tech, UnitedStatesofAmerica, 2015.02~2015.02.
Bologna, Italy, 2015.09~2015.09.
Jeju, Korea, 2014.06~2014.06.
Wroclaw, Poland, 2014.08~2014.08.
Institute of High Pressure Physics (UNIPRESS), Poland, 2014.08~2014.09.
Fraunhofer IISB, Germany, 2013.04~2013.05.
Warsaw University, Poland, 2013.08~2013.08.
Kloster Seeon, Germany, 2013.09~2013.10.
Busan, Korea, 2012.05~2012.05.
St. Petersburg, Russia, 2012.07~2012.07.
Zurich, Switzerland, 2012.07~2012.07.
Garmisch-Partenkirchen, Germany, 2011.09~2011.09.
Montpellier, France, 2010.07~2010.07.
Beijing International Convention Center, China, 2010.08~2010.08.
Galindia Mazurski Eden, Poland, 2009.08~2009.08.
ICC Jeju, Korea, 2009.10~2009.10.
Montreux Music and Convention Center, Switzerland, 2008.10~2008.10.
Linköping Konsert and Kongress, Sweden, 2006.06~2006.06.
Bremen, Germany, 2005.08~2005.09.
Gyengju, Korea, 2004.05~2004.05.
Hawaii, UnitedStatesofAmerica, 2004.05~2004.06.
Krakow, Poland, 2001.09~2001.09.
La Jolla, UnitedStatesofAmerica, 2001.11~2001.11.
Monterey, UnitedStatesofAmerica, 2000.10~2000.10.
外国人研究者等の受入れ状況
2019.07~2021.03, 1ヶ月以上, Institute of High Pressure Physics, Poland, 日本学術振興会.
2019.03~2020.02, 1ヶ月以上, Institute of High Pressure Physics, Poland, 外国政府・外国研究機関・国際機関.
2018.01~2018.03, 1ヶ月以上, Institute of High Pressure Physics, Poland, 科学技術振興機構.
2016.08~2017.08, 1ヶ月以上, 名古屋大学未来材料・システム研究所, Poland, 文部科学省.
2015.07~2019.03, 1ヶ月以上, 応用力学研究所, France, NEDO再委託.
2015.03~2015.03, 1ヶ月以上, 応用力学研究所, France, 奨学寄附金.
2012.04~2015.02, 1ヶ月以上, 応用力学研究所, France, 受託研究:豊田工大(NEDO再委託).
受賞
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, The Japan Society of Applied Physics, 2018.03.
第31回 論文賞, 日本結晶成長学会, 2014.11.
Certificate of Appreciation, American Chemical Society, 2011.12.
研究活動表彰, 九州大学, 2011.11.
研究活動表彰, 九州大学, 2010.11.
研究・産学連携活動表彰, 九州大学, 2009.05.
EMS賞, Electronic Materials Symposium, 2005.07.
日本結晶成長学会 第2回奨励賞, 日本結晶成長学会, 2004.08.
放談賞, 日本結晶成長学会, 2003.08.
学生優秀発表賞, 日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部, 1999.01.
講演奨励賞, 応用物理学会, 1996.01.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2017年度~2019年度, 基盤研究(C), 代表, 自己組織化による窒化アルミニウム結晶薄膜の創製.
2016年度~2020年度, 新学術領域研究(研究領域提案型), 分担, 計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計.
2013年度~2015年度, 基盤研究(C), 代表, 窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム単結晶成長技術の開発.
2011年度~2013年度, 基盤研究(A), 分担, グラフェンナノ構造の作製と構造-物性相関.
2008年度~2010年度, 基盤研究(B), 分担, 表面構造制御法開発による準安定立法晶III族窒化物半導体の創製と物性制御.
2007年度~2009年度, 基盤研究(B), 分担, 動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製.
2005年度~2007年度, 基盤研究(B), 分担, 第3元素の占有個所を特定する結晶ナノ構造解析と機能特性発現の解明.
2003年度~2005年度, 基盤研究(B), 分担, 原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー.
日本学術振興会への採択状況(科学研究費補助金以外)
2014年度~2014年度, 二国間交流, 代表, 固体窒素原料を用いた窒化アルミニウム溶液成長法の開発.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2016年度~2020年度, 科学研究費補助金 (文部科学省), 連携, 中核拠点・主課題c:インテリジェント・マニュファクチャリング実現のための結晶成長過程コンピュータシミュレーション技術の構築.
2016年度~2019年度, 戦略的国際共同研究プログラム(SICORP), 分担, 革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用.
2018年度~2019年度, JST A-step, 分担, 大口径GaN基板の高品質・低コスト化を可能にする結晶径拡大成長技術の開発.
2018年度~2018年度, 東北大学金属材料研究所研究部共同研究(一般研究), 代表, 窒化物半導体成長プロセスの基板面方位依存性.
2015年度~2017年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 分担, 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(高効率・低コストIII-V/Siタンデム)
~III-V-N系半導体における欠陥構造・特性の理論解析~.
2014年度~2014年度, 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費, 代表, InN高圧MOVPEにおける異相混入の抑制に関する理論検討.
2014年度~2014年度, 物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究, 代表, 固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定(継続).
2013年度~2014年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 分担, ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(集光型多接合)
~III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発(継続)~.
2013年度~2013年度, 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費, 代表, 高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明(継続).
2013年度~2013年度, 物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究, 代表, 固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定.
2012年度~2012年度, 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費, 代表, 高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明.
2008年度~2012年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 分担, ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(集光型多接合)
~III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発~.
2008年度~2011年度, 戦略的創造研究推進事業 (文部科学省), 代表, オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援.
2009年度~2009年度, 科学技術振興調整費 (文部科学省), 分担, 超高効率太陽電池開発の加速・強化.
2002年度~2004年度, 産業技術研究助成事業 (経済産業省), 分担, アルミ(Al)系窒化物半導体の大型基板結晶成長装置の開発.

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