グラフェン転写の科学と応用
キーワード:グラフェン転写,新奇電子物性
2017.04~2020.03.
田中 悟(たなか さとる) | データ更新日:2024.04.22 |
主な研究テーマ
IV族原子層形成と電子物性
キーワード:2次元物質,グラフェン,シリセン、ゲルマネン,スタネン
2016.04~2020.03.
キーワード:2次元物質,グラフェン,シリセン、ゲルマネン,スタネン
2016.04~2020.03.
・SiC表面の自己形成ナノ構造に関する研究
キーワード:ワイドギャップ半導体,電子デバイス,ナノ構造,自己組織化,ボトムアップテクノロジー
2000.04~2014.03.
キーワード:ワイドギャップ半導体,電子デバイス,ナノ構造,自己組織化,ボトムアップテクノロジー
2000.04~2014.03.
・SiC表面自己改質効果に関する研究
キーワード:ワイドギャップ半導体,グラフェン,電子デバイス,光デバイス,ナノ構造,自己組織化,ボトムアップテクノロジー
2000.04~2014.03.
キーワード:ワイドギャップ半導体,グラフェン,電子デバイス,光デバイス,ナノ構造,自己組織化,ボトムアップテクノロジー
2000.04~2014.03.
・III族窒化物系半導体の結晶成長と光物性に関する研究
キーワード:ワイドギャップ半導体,新結晶構造,エピタキシー,MBE,紫外線LED
1998.04~2014.03.
キーワード:ワイドギャップ半導体,新結晶構造,エピタキシー,MBE,紫外線LED
1998.04~2014.03.
・グラフェン半導体の形成と物性に関する研究
キーワード:グラフェン,電子デバイス,ナノ構造
2006.04~2014.03.
キーワード:グラフェン,電子デバイス,ナノ構造
2006.04~2014.03.
・SiC電子デバイスに関する研究
キーワード:ワイドギャップ半導体,MOSFET,ナノ構造
2000.04~2014.03.
キーワード:ワイドギャップ半導体,MOSFET,ナノ構造
2000.04~2014.03.
研究業績
主要原著論文
主要学会発表等
学会活動
学協会役員等への就任
2021.04~2024.03, 日本真空表面学会九州支部, 幹事.
2019.04~2021.03, 日本物理学会, 運営委員.
2007.04~2013.03, 電気学会先端量子ビームとナノ応用技術調査専門委員会, 運営委員.
2009.04~2013.03, 日本結晶成長学会, 幹事.
2009.04~2012.03, 応用物理学会, 幹事.
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2017.11.22~2017.11.25, ISGE2017, シンポジウムオーガナイザー,論文委員.
2016.08.07~2016.08.12, ICCGE18, シンポジウムオーガナイザー,論文委員.
2010.09.23~2010.03.26, 日本物理学会平成22年度秋季大会, 座長(Chairmanship).
2010.03.21~2010.03.24, 日本物理学会第65回年次大会, 座長(Chairmanship).
2012.09.23~2013.09.28, IUMRS-ICEM 2012, シンポジウムオーガナイザー,論文委員.
2007.10.15~2008.10.19, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, 実行委員.
2006.10, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 実行委員.
その他の研究活動
海外渡航状況, 海外での教育研究歴
Sunway大学, Malaysia, 2020.03~2020.03.
マレーシア工科大学, Malaysia, 2019.12~2019.12.
CEAグルノーブル研究所, France, 2000.09~2001.02.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2019年度~2022年度, 基盤研究(B), 代表, 回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価.
2008年度~2010年度, 一般研究(B), 分担, シリコンカーバイド上の酸窒化シリコン膜とその上に形成する薄膜の構造解析.
2009年度~2011年度, 一般研究(A), 分担, 表面電子励起状態および吸着子のダイナミクス.
2009年度~2011年度, 一般研究(A), 分担, ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製.
2002年度~2004年度, 一般研究(A), 代表, 原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー.
2001年度~2003年度, 一般研究(B), 代表, III族窒化物半導体量子ドットLED・レーザの開発研究.
1997年度~1998年度, 奨励研究(A), 代表, III族系窒化物半導体量子ドットの成長機構の解明.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2018年度~2020年度, NTT戦略リソース, 代表, SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御.
2016年度~2017年度, 兵庫県COE, 分担, 次世代半導体表面構造を高品質形成制御する超小型専用装置の開発.
2006年度~2007年度, JSTシーズ試験研究, 代表, 自己組織化ナノ表面を活用した高品質SiC基板の実用化研究.
共同研究、受託研究(競争的資金を除く)の受入状況
2023.06~2024.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2022.04~2023.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2021.04~2022.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2020.04~2021.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2020.04~2021.03, 代表, SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御.
2019.04~2019.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2018.04~2019.03, 代表, SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御.
2017.04~2018.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2016.04~2017.03, 代表, m面SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2015.10~2016.03, 代表, SiC基板の表面平坦化に関する研究.
2014.10~2014.03, 代表, SiC基板の表面構造制御とデバイス適用に関する研究.
2013.04~2014.03, 代表, ヘテロエピタキシャルグラフェンに関する研究.
2012.04~2013.03, 代表, ヘテロエピタキシャルグラフェンに関する研究.
2009.10~2010.06, 代表, SiC表面の電子ビーム回折による評価.
2009.04~2010.03, 代表, 傾斜SiC基板上のグラフェン成長に関する研究.
寄附金の受入状況
2017年度, パナソニック, グラフェン研究のため.
2016年度, ケニックス, グラフェン研究のため.
2015年度, ケニックス, グラフェン研究.
2010年度, ユニバーサルシステムズ, グラフェン研究.
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