| 1. |
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang, N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region, 13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2023.01. |
| 2. |
H. Kuwazuru, S. Nasu, D. Wang, and K. Yamamoto, Study on the Performance of Metal S/D Ge n-MOSFET with Recessed Channel Structure, 13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2023.01. |
| 3. |
L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto, Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization, 13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2023.01. |
| 4. |
K. Yamamoto (Invited), D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw, Ge-on-Insulator from Ge-on-Nothing and Layer Transfer, 13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2023.01. |
| 5. |
Ching-hsiang Yang, Dong Wang, Wei-chen Lee, Huan-kai Chau, Offline Tool Wear Detection Based On Deep Learning For Audio Signals, 24th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology, 2022.12. |
| 6. |
Shingo Nasu, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, ESTABLISHMENT OF A LOW-TEMPERATURE FABRICATION PROCESS FOR SPINTRONICS APPLICATION OF Ge MOSFETs, 24th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology, 2022.12. |
| 7. |
王 一、本田 彬、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬, 光・電子デバイス応用に向けたノンドープ GeSnのMOS特性調査, 2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11. |
| 8. |
本田 彬、王 一、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬, ノンドープGeSnエピタキシャル膜のホール効果測定による電気伝導特性評価, 2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11. |
| 9. |
L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K.Toko, D. Wang, K.Yamamoto, N-type doping into polycrystalline Ge thin-film on glass, 2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11. |
| 10. |
鍬釣 一、那須 新悟、王 冬、山本 圭介, メタルS/D型Ge n-MOSFETのリセスチャネル形状と性能に関する研究, 2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11. |
| 11. |
清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬, 電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.09. |
| 12. |
高山 智成、茂藤 健太、都甲 薫、王 冬、山本 圭介, 金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御, 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.09. |
| 13. |
那須 新悟、王 冬、山本 圭介, リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II), 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.09. |
| 14. |
W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator, 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), 2022.09. |
| 15. |
N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto,S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, D. Wang, Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes, The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.08. |
| 16. |
K. Yamamoto (Invited), T. Matsuo, D. Wang, K. Moto, K. Toko, H. Nakashima, Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology, The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.08. |
| 17. |
S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang, Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250 C) for spintronics application, The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.08. |
| 18. |
清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、中塚 理、王 冬, 電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn接合の低温形成, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022.03. |
| 19. |
山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、川村 啓介, 高移動度3C-SiC n-MOSFETの作製と高温動作実証, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022.03. |
| 20. |
Wang Dong, Credit Transfer and Degree Cooperation in Transnational Talent Training at Asian Universities -- EEST Program, Future-oriented Transnational Higher Education in Asia, 2021.12. |
| 21. |
永松 寛大、山本 圭介、王 冬, Ge-on-Insulator 基板のフォトルミネッセンス強度に及ぼす膜厚の影響, 第12回半導体材料・デバイスフォーラム, 2021.12. |
| 22. |
Kanta Nagamatsu, Keisuke Yamamoto and Dong Wang, IMPACT OF FILM THICKNESS ON PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY OF SMART-CUT GERMANIUM-ON-INSULATOR SUBSTRATES, 23nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology, 2021.12. |
| 23. |
永松 寛大、山本 圭介、王 冬, Ge-on-Insulator基板のPL発光強度の膜厚依存性の調査, 2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12. |
| 24. |
那須 新悟、松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬, GeスピンMOSFET実現に向けた低温（～250℃）デバイスプロセスの構築, 2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12. |
| 25. |
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, H. Uratani, Y. Sakaida, K. Kawamura, Achievement of High Channel Mobility of 3C-SiC n-MOSFET with the Gate Stack Formed at Low Temperature, 2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021.11. |
| 26. |
松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬, リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上, 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.09. |
| 27. |
松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬, GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築, 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.09. |
| 28. |
K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima, Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021.09. |
| 29. |
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer, 239th ECS meeting, 2021.05. |
| 30. |
Dong WANG, Ge-based semiconductor devices for future ULSI --- Development of fundamental fabrication technologies, Westlake Engineering Colloquium, 2021.05. |
| 31. |
清水 昇、山本 圭介、王 冬、中島 寛, エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討, 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021.03. |
| 32. |
中島 寛、Wei-Chen Wen、山本 圭介、王 冬, DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析, 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 2021.01. |
| 33. |
Keisuke Sugata,, Kanta Nagamatsu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima, INVESTIGATION OF DIRECT BAND GAP LIGHT EMISSION IN MESA ETCHED Pt/Ge/TiN STRUCTURE, 22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST), 2020.12. |
| 34. |
Noboru Shimizu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima, FORMATION OF Ge MIRROR PLANE WITH HIGH SPEED WET ETCHING FOR ETCHBACK Ge-ON-INSULATOR FABRICATION, 22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST), 2020.12. |
| 35. |
Hiroki Kanakogi, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima, FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF GERMANIUM GATE STACK WITH THERMALLY OXIDIZED YTTRIUM AND SCANDIUM DIELECTRICS, 22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST), 2020.12. |
| 36. |
H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOX layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy, PRiME2020, 2020.10. |
| 37. |
N. Shimizu, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication, PRiME2020, 2020.10. |
| 38. |
H. Kanakogi, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2020), 2020.09. |
| 39. |
岡 龍誠、山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介, 3C-SiC MOSFETの閾値電圧制御に向けたSiO2/Al2O3ゲートスタック中の固定電荷・界面ダイポールの解析, 第11回半導体材料・デバイスフォーラム, 2019.12. |
| 40. |
W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Study on Position of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy, 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 2019.11. |
| 41. |
D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima, Enhancement of direct band gap electroluminescence in asymmetric metal/Ge/metal diodes, TACT 2019 International Thin Film Conference, 2019.11. |
| 42. |
H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy, 236th ECS meeting, 2019.10. |
| 43. |
岡 龍誠、山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介, SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析, 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019.09. |
| 44. |
山本 圭介、岡 龍誠、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介, SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動, 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019.09. |
| 45. |
W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Evaluation of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy, 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019.09. |
| 46. |
井芹 健人、温 偉辰、山本 圭介、王 冬、中島 寛, 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温( |
| 47. |
R. Oka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura, Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO2/Al2O3 gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2019), 2019.09. |
| 48. |
K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Low temperature ( |
| 49. |
W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy, 2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, 2019.06. |
| 50. |
K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di, Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination, 2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, 2019.06. |
| 51. |
W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima, Border trap evaluation using deep-level transient spectroscopy for SiO2/GeO2/Ge gate stacks, 12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2018.12. |
| 52. |
K. Yamamoto, K. Akiyama, K. Iseri, W.-C. Wen, D. Wang, H. Nakashima, Fabrication of Ge MOS Capacitor by Metal Yttrium Oxidation, 12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2018.12. |
| 53. |
Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima, Border trap characterization using deep-level transient spectroscopy for GeO2/Gegate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation, シリコン材料の科学と技術フォーラム2018, 2018.11. |
| 54. |
秋山 健太郎、井芹 健人、温 偉辰、山本 圭介、王 冬、中島 寛, 電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09. |
| 55. |
Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima, Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09. |
| 56. |
仲江 航平、薛 飛達、山本 圭介、王 冬、中島 寛、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di, Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09. |
| 57. |
後藤 太希、前蔵 貴行、仲江 航平、山本 圭介、中島 寛、王 冬、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di, GOI基板を用いた非対称ー金属／Ge／金属構造光素子の作製・特性評価, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09. |
| 58. |
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura, Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018), 2018.09. |
| 59. |
T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, D. Wang, Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018), 2018.09. |
| 60. |
K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di, Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018), 2018.09. |
| 61. |
D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima, Direct band gap electroluminescence and photo detection in asymmetric metal/Ge/metal diodes, Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018, 2018.06. |
| 62. |
山本 圭介、光原 昌寿、王 冬、中島 寛, 遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御, 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03. |
| 63. |
W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG and H. Nakashima, Evaluation of border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation, 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03. |
| 64. |
H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto and DONG WANG, Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks, 11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2018.02. |
| 65. |
H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and DONG WANG, Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, 232nd ECS meeting, 2017.10. |
| 66. |
T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima, Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017), 2017.09. |
| 67. |
W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima, Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation
using deep-level transient spectroscopy, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017), 2017.09. |
| 68. |
板屋 航、仲江 航平、山本 圭介、王 冬、中島 寛, 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ), 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.09. |
| 69. |
坂口 大成、秋山 健太郎、山本 圭介、王 冬、中島 寛, メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.09. |
| 70. |
W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima, Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.09. |
| 71. |
W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima, Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks, The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, 2017.05. |
| 72. |
T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and DONG WANG, Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes, The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, 2017.05. |
| 73. |
岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 74. |
前蔵貴行, 本山千里, 田中健太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 75. |
永冨雄太, 織田知輝, 坂口大成, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 76. |
DONG WANG, Towards an energy-saving society – the shrinking transistors, CAMPUS Asia EEST 2nd stage Kick-off Symposium, 2017.02. |
| 77. |
Keisuke Yamamoto, H. Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, 10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, 2017.02. |
| 78. |
T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG, Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes, 10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, 2017.02. |
| 79. |
田中健太郎, 前蔵貴行, 本山千里, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Ge 光素子における基板キャリア密度と伝導型が及ぼす発光特性への影響, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2016.12. |
| 80. |
坂口大成, 建山知輝, 永冨雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, ゲートスタック中へのAl 導入によるp-MOSFET の移動度向上機構, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2016.12. |
| 81. |
板屋航, 岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 反応性スパッタリングで形成したZrN 物性とGe とのコンタクト特性, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2016.12. |
| 82. |
C. Motoyama, T. Maekura, K. Tanaka, DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Influence of Al-PMA for fin type asymmetric metal/germanium/metal diodes, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会 International Session, 2016.12. |
| 83. |
W.-C. Wen, Y. Nagatomi, Liwei Zhao, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, TOF-SIMS and XPS analyses for investigation of Al post-metallization annealing effect for Ge MOS capacitors with SiO2/GeO2 bilayer passivation, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会 International Session, 2016.12. |
| 84. |
T. Tateyama, Y. Nagatomi, S. Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Achievement of low parasitic resistance in Ge n-MOSFET with embedded TiN source/drain structure, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会 International Session, 2016.12. |
| 85. |
Hiroshi Nakashima, H. Okamoto, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, JSPS Core-to-Core Program “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”, 2016.11. |
| 86. |
H. Okamoto, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2016.09. |
| 87. |
岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成, 2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会, 2016.09. |
| 88. |
永冨雄太, 建山知輝, 坂口大成, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失, 2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会, 2016.09. |
| 89. |
Keisuke Yamamoto, H. Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction, 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016, 2016.06. |
| 90. |
Y. Nagatomi, S. Tanaka, T. Tateyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks, 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016, 2016.06. |
| 91. |
永冨 雄太, 田中 慎太郎, 建山 知輝, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016.03. |
| 92. |
山本 圭介, 岡本 隼人, 王 冬, 中島 寛, 金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016.03. |
| 93. |
建山 知輝, 永冨 雄太, 田中 慎太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016.03. |
| 94. |
DONG WANG, Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk Ge diodes, The 2nd Joint Symposium of Kyushu University and Yonsei University, 2016.02. |
| 95. |
Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG, Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes, 9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2016.01. |
| 96. |
Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Tomoki Tateyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks, 9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2016.01. |
| 97. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Electrical properties of metal-nitride/Ge contacts and the application to Ge optoelectronic devices, The 2nd International Conference & Exhibition for Nanopia, 2015.11. |
| 98. |
DONG WANG, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes, American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference, 2015.10. |
| 99. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Electrical characterization of SiGe-on-insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation, American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference, 2015.10. |
| 100. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices, 228th ECS Meeting, 2015.10. |
| 101. |
Takayuki Maekura, DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), 2015.09. |
| 102. |
Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), 2015.09. |
| 103. |
永冨 雄太, 田中 慎太郎, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 2015.06. |
| 104. |
DONG WANG, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure, The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), 2015.05. |
| 105. |
Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers, The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), 2015.05. |
| 106. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida, Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS, The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), 2015.05. |
| 107. |
永冨 雄太, 長岡 裕一, 田中 慎太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御, 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015.03. |
| 108. |
前蔵 貴行, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非対称-金属/Ge/金属構造を有する光素子の試作と特性評価, 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015.03. |
| 109. |
Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack, 8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2015.01. |
| 110. |
Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers, 8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2015.01. |
| 111. |
前蔵 貴行, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, バルクGe発光素子のデバイス構造による発光効率の変化, 2014年応用物理学会九州支部学術講演会, 2014.12. |
| 112. |
田中 慎太郎, 長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 原子層堆積法により形成したAl2O3/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性, 2014年応用物理学会九州支部学術講演会, 2014.12. |
| 113. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida, Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge, JSPS Core-to-Core Program,“Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”, 2014.11. |
| 114. |
Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack, 226th ECS Meeting, 2014.10. |
| 115. |
長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調, 2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.09. |
| 116. |
山本 裕介, 村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 菱木 繁臣, 川村 啓介, n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成, 2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.09. |
| 117. |
Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), 2014.09. |
| 118. |
永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Al2O3/GeOx/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2014.06. |
| 119. |
DONG WANG, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure, 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014.06. |
| 120. |
Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces, 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014.06. |
| 121. |
山本 圭介, 光原 昌寿, 吹留 佳祐, 野口 竜太郎, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明(Ⅱ), 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.03. |
| 122. |
亀沢 翔, 花田 尊徳, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非対称－金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.03. |
| 123. |
永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.03. |
| 124. |
Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin, 7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration", 2014.01. |
| 125. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Fabrication of Ge MOS and Ge Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron and Hole Barrier Heights, 7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration", 2014.01. |
| 126. |
長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Al2O3/Ge 構造形成後のECR プラズマ酸化による固定電荷密度の制御, 第5回 半導体材料・デバイスフォーラム, 2013.11. |
| 127. |
山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 次世代CMOS実現に向けた金属/半導体コンタクトの障壁制御, 第5回 半導体材料・デバイスフォーラム, 2013.11. |
| 128. |
Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height, 224th ECS Meeting, 2013.10. |
| 129. |
Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts, 224th ECS Meeting, 2013.10. |
| 130. |
山本 圭介, 佐田 隆宏, 王 冬, 中島 寛, ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース／ドレイン Ge p-MOSFETの高移動度化, 電子情報通信学会技術研究報告, 2013.06. |
| 131. |
Keisuke Yamamoto, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), 2013.06. |
| 132. |
Keisuke Yamamoto, Kojiro Asakawa, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Its Application to Back-Gate MOSFET, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), 2013.06. |
| 133. |
Kota Hatayama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Low temperature fabrication of Ohmic contact for p-type 4H-SiC using Al/Ti/Sn, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), 2013.06. |
| 134. |
DONG WANG, Yuta Nagatomi, Shuta Kojima, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, An accurate characterization of metal-insulator-semiconductor interface-state by deep-level transient spectroscopy and its application on Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), 2013.06. |
| 135. |
畑山紘太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 136. |
佐田隆宏, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 137. |
山本 圭介, 光原 昌寿, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 138. |
永冨雄太, 小島秀太, 亀沢翔, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 極薄GeOX界面層を有するY2O3/Ge ゲートスタックの低温形成, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 139. |
中島 寛, 王 冬, 山本 圭介, Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会, 2013.03. |
| 140. |
Hiroshi Nakashima, Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS, 6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2013.02. |
| 141. |
亀沢翔, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛, リセスチャネルTiN メタル・ソース/ドレイン型 Ge n-MOSFETの作製, 2012年応用物理学会九州支部学術講演会, 2012.12. |
| 142. |
永冨雄太, 小島秀太, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛, 極薄GeO2-ILを有するAl2O3/Geゲートスタックの形成, 2012年応用物理学会九州支部学術講演会, 2012.12. |
| 143. |
村山亮介, 朝川幸二朗, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛, ウェットエッチングによるSi n-MOSFETのデバイス特性の変化, 2012年応用物理学会九州支部学術講演会, 2012.12. |
| 144. |
畑山紘太, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛, p形4H-SiCへのAl/Ti/Siオーミックコンタクトの低温形成, 2012年応用物理学会九州支部学術講演会, 2012.12. |
| 145. |
Hiroshi Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, DONG WANG, Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs, 222nd ECS Meeting, 2012.10. |
| 146. |
T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2012.09. |
| 147. |
K. Asakawa, K. Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2012.09. |
| 148. |
S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2012.09. |
| 149. |
朝川幸二朗, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛, 低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09. |
| 150. |
山本圭介, 王 冬, 中島 寛, 整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09. |
| 151. |
山本圭介, 井餘田昌俊, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイス応用, 応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー：「ゲートスタック研究の進展－不純物分布および接合界面制御を中心に」, 2012.06. |
| 152. |
山本 圭介、原田 健司、楊 海貴、王 冬、中島 寛, 低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 153. |
小島 秀太、坂本 敬太、山本 圭介、王 冬、中島 寛, 1.0 nm EOTを有するhigh-k/Ge ゲートスタックの形成, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 154. |
山本 圭介、佐田 隆宏、山中 武、坂本 敬太、小島 秀太、楊 海貴、王 冬、中島 寛, HfGex ショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFETの作製, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 155. |
山本 圭介、山中 武、原田 健司、佐田 隆宏、坂本 敬太、小島 秀太、王 冬、 中島 寛
, TiNショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFETの作製, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 156. |
朝川 幸二朗, 原田 健司, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, Split-CV法を用いたバックゲートSOI-MOSFETの実効移動度評価, 2011年応用物理学会九州支部学術講演会, 2011.11. |
| 157. |
佐田 隆宏, 楊 海貴, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, ショットキー ソース/ドレイン Ge p-MOSFETの作製と電気的特性, 2011年応用物理学会九州支部学術講演会, 2011.11. |
| 158. |
高橋 涼介, 山中 武, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛, 極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET作製のための表面保護プロセスの検討, 2011年応用物理学会九州支部学術講演会, 2011.11. |
| 159. |
小島 秀太, 坂本 敬太, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛, Ge 上へのZrとSiO2堆積によるhigh-k/Geゲートスタックの形成, 2011年応用物理学会九州支部学術講演会, 2011.11. |
| 160. |
Takeshi Yamanaka, Keisuke Yamamoto, Keita Sakamoto, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), 2011.09. |
| 161. |
Keita Sakamoto, Yoshiaki Iwamura, Keisuke Yamamoto, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer by Nitrogen Incorporation, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), 2011.09. |
| 162. |
DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hongye Gao, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima, Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-on-insulator, China Semiconductor Technology International Conference 2011 (CSTIC2011), 2010.03. |
