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山本 圭介(やまもと けいすけ) データ更新日:2019.07.01



主な研究テーマ
SiCパワーデバイスに関する基礎研究
キーワード:4H-SiC, 3C-SiC, ゲートスタック, オーミックコンタクト
2011.10.
Ge-CMOSデバイスに関する基礎研究
キーワード:Geチャネル, Ge-on-Insulator, high-k/Ge, メタルゲート, 金属/Geコンタクト, メタルS/D
2010.04.
研究業績
主要原著論文
1. Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakasima, Kaoru Toko, Polycrystalline thin-film transistors fabricated on high-mobility solid-phase-crystallized Ge on glass, Applied Physics Letters, 10.1063/1.5093952, 114, 21, 212107, 2019.05, [URL].
2. Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Dong Wang, Hiroshi Nakasima, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di , Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation
, Japanese Journal of Applied Physics, 10.7567/1347-4065/ab02e3, 58, SB, SBBA14, 2019.03, [URL].
3. Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima , Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition, Semiconductor Science and Technology, 10.1088/1361-6641/aae4bd, 33, 11, 114011, 2018.10, [URL].
4. Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction, Materials Science in Semiconductor Processing, 10.1016/j.mssp.2016.09.024, 70, 1, 283-287, 2016.10, [URL].
5. Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Mitsuhara Masatoshi, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge, Journal of Applied Physics, 10.1063/1.4930573, 118, 11, 115701-1-115701-12, 2015.09, [URL].
6. Keisuke Yamamoto, Mitsuhara Masatoshi, Keisuke Hiidome, Ryutaro Noguchi, Minoru Nishida, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge
, Applied Physics Letters, 10.1063/1.4870510, 104, 14, 132109-1-132109-5, 2014.04, [URL].
7. Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of Metal-Nitride/Si Contacts with Low Electron Barrier Height, ECS Transactions, 10.1149/05809.0053ecst, 58, 9, 53, 2013.10, [URL].
8. Yamamoto Keisuke, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO2/GeO2 gate stack, Applied Physics Letters, 10.1063/1.4821546, 103, 12, 122106, 2013.09, [URL].
9. K. Yamamoto, K. Harada, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height, Japanese Journal of Applied Physics, 10.1143/JJAP.51.070208, 51, 7, 070208, 2012.07, [URL].
10. K. Yamamoto, T. Yamanaka, K. Harada, T. Sada, K. Sakamoto, S. Kojima, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures, Applied Physics Express, 10.1143/APEX.5.051301, 5, 5, 051301, 2012.05, [URL].
11. K. Yamamoto, T. Yamanaka, R. Ueno, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, Thin Solid Films, 10.1016/j.tsf.2011.10.047, 520, 8, 3382, 2012.02, [URL].
12. K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer Passivation, Applied Physics Express, 10.1143/APEX.4.051301, 4, 5, 051301, 2011.04, [URL].
主要学会発表等
1. K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di , Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination, 2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2019.06.
2. Keisuke Yamamoto, Kentaro Akiyama, Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Dong Wang, Hiroshi Nakashima , Fabrication of Ge MOS Capacitor with Metal Yttrium Oxidation, 12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2018.12.
3. 秋山 健太郎、井芹 健人、温 偉辰、山本 圭介、王 冬、中島 寛, 電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09.
4. Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima, Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09.
5. 仲江 航平、薛 飛達、山本 圭介、王 冬、中島 寛、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di, Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018.09.
6. K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura, Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application, 2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018), 2018.09.
7. K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di, Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator, 2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018), 2018.09.
8. 山本 圭介、光原 昌寿、王 冬、中島 寛 , 遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御
, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03.
9. 板屋 航, 仲江 航平, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ), 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.09.
10. 岡本 隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, [講演奨励賞受賞記念講演] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成 , 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03.
11. Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, 10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", 2017.02.
12. Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer, 2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016), 2016.09, [URL].
13. 岡本 隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016.09.
14. Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting, 2016.06, [URL].
15. 山本 圭介, 岡本 隼人, 王 冬, 中島 寛, 金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016.03.
16. Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers, 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), 2015.05, [URL].
17. 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014.09.
18. Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces, 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM 2014), 2014.06, [URL].
19. 山本 圭介, 光原 昌寿, 吹留 佳祐, 野口 竜太郎, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明(Ⅱ), 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.03.
20. Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Nakashima Hiroshi, Noguchi Ryutaro, Nishida Minoru, Mitsuhara Masatoshi, Hara Toru, Electrical Properties of Metal/Ge contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers, 8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", 2014.01.
21. Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Nakashima Hiroshi, Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin, 7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", 2014.01.
22. Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height, 224th ECS Meeting, 2013.10, [URL].
23. 山本 圭介, 佐田 隆宏, 王 冬, 中島 寛, ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2013.06.
24. Yamamoto Keisuke, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact, 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-8) 2013, 2013.06.
25. Yamamoto Keisuke, Asakawa Kojiro, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Its Application to Back-Gate MOSFET, 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) 2013, 2013.06.
26. 山本 圭介, 光原 昌寿, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.
27. 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09.
28. 山本 圭介, 井餘田 昌俊, 王 冬, 中島 寛, TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2012.06.
29. 山本 圭介, 原田 健司, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛, 低障壁TiN/n-Ge コンタクトの形成とコンタクト抵抗評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.
30. 山本 圭介, 山中 武, 原田 健司, 佐田 隆宏, 坂本 敬太, 小島 秀太, 王 冬, 中島 寛, TiN ショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFET の作製, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.
31. 山本 圭介, 佐田 隆宏, 山中 武, 坂本 敬太, 小島 秀太, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛, HfGex ショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFET の作製, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.
32. K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, High Performance of Ge MOSFETs with Bilayer-Passivated MOS Interface, 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7), 2011.08.
33. 山本 圭介, 上野 隆二, 山中 武, 平山 佳奈, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛, 2層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, 2011.03.
学会活動
所属学会名
応用物理学会
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2019.09.02~2019.09.05, 2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019), 論文委員.
2018.12.08~2018.12.09, 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 座長(Chairmanship).
2018.09.18~2018.09.21, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 座長(Chairmanship).
2018.09.09~2018.09.13, 2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018), 座長(Chairmanship).
2017.12.01~2017.12.03, 平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会, 座長(Chairmanship).
2017.09.19~2017.09.22, 2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017), 座長(Chairmanship).
2016.12.03~2016.12.04, 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 座長(Chairmanship).
2016.09.26~2016.09.29, 2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016), 座長(Chairmanship).
2015.12.05~2015.12.06, 平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 座長(Chairmanship).
2018.09.09~2018.09.13, 2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018), 論文委員.
2017.09.19~2017.09.22, 2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017), 論文委員.
2016.09.26~2016.09.29, 2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016), 論文委員.
学会誌・雑誌・著書の編集への参加状況
2018.01~2018.12, Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2018特集号, 国際, 編集委員.
学術論文等の審査
年度 外国語雑誌査読論文数 日本語雑誌査読論文数 国際会議録査読論文数 国内会議録査読論文数 合計
2018年度   91    94 
2017年度   31    33 
2016年度   38    43 
2015年度      
2014年度      
2013年度      
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2019年度~2023年度, 基盤研究(S), 分担, ゲルマニウムスピンMOSFETの実証.
2019年度~2020年度, 若手研究, 代表, Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現.
2018年度~2020年度, 国際共同研究強化(B), 分担, 材料界面の複合顕微解析―結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用―.
2013年度~2014年度, 研究活動スタート支援, 代表, MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現.
学内資金・基金等への採択状況
2018年度~2018年度, 九州大学QRプログラム・わかばチャレンジ, 代表, 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー.
2015年度~2015年度, 九州大学教育研究プログラム・研究拠点形成プロジェクト(P&P), 代表, 超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究.

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