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西澤 伸一(にしざわ しんいち) データ更新日:2019.04.20

教授 /  応用力学研究所 附属自然エネルギー統合利用センター 新エネルギーシステム工学分野


主な研究テーマ
・次世代パワーデバイスとその材料研究
・次世代パワーエレクトロニクスシステム用受動部品の研究
・パワーエレクトロニクスシステム集積化技術の研究
・次世代パワーエレクトロニクス信頼性・設計技術の研究
・次世代エネルギーグリッドを支える電力変換システム技術の研究
キーワード:パワーエレクトロニクス、集積化、半導体
2017.02~2027.03.
従事しているプロジェクト研究
低ネガワットコストウェハの研究
2017.12~2019.03, 代表者:西澤伸一, 九州大学, 一般社団法人NPERC-J
CZ法によるシリコン単結晶成長において、比抵抗を成長初期から成長終了までデバイス要求仕様範囲に収めることを目標に、ドーピング技術、結晶成長炉全体の最適化、プロセスモニタリング技術などを、結晶成長炉総合解析を用いて検討し、実プロセス装置への提案を行う。.
SiC半導体の遮断器応用技術に関する研究
2017.12~2019.03, 代表者:西澤伸一, 九州大学, 一般社団法人NPERC-J
SiCパワー半導体の動作特性、および破壊物理を明確にすることで、Siパワーデバイスに対するSiCの優位性を定量的に明確にする。特にSiCの低オン抵抗・大破壊耐量に着目し、SiCリードアプリケーションとしてDCブレーカーを取り上げ、その実証を行う。.
チョクラルスキー法を用いた高品質・大口径Si-IGBT用ウェハ技術の開発
2017.02~2018.02, 代表者:西澤伸一, 九州大学, NEDO
n-層ライフタイムがIGBTエネルギー損失に与える影響の研究。.
新世代Si-IGBT と応用基本技術の研究開発
2017.02, 代表者:平本俊郎, 東京大学生産技術研究所, NEDO
従来技術の延長線上にない我が国独自の「IGBT のスケーリング則」に基づいた「新世代 Si-IGBT と応用基本技術」を産学官が一体となり実用化を念頭に開発・実証し、民間 企業が早期に実用化できる環境を作ることを目的とする。.
研究業績
主要著書
主要原著論文
主要学会発表等
1. 筒井一生,角嶋邦之,星井拓也,中島昭,西澤伸一,若井整,宗田伊理也,佐藤克己,末代知子,齋藤渉,更屋拓哉,伊藤一夫,福井宗利,鈴木慎一,小林正治,高倉俊彦,平本俊郎,小椋厚志,沼沢陽一郎,大村一郎,大橋弘通,岩井洋, 三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証, 電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会, 2017.11, Three dimensionally scaled IGBTs that have a scaling factor of 3 (k=3) with respect to current commercial
products (k=1) were fabricated for the first time. The scaling was applied to the lateral and vertical dimensions as well as the gate voltage. A significant decrease in ON resistance, -- VCEsat reduction from 1.70 to 1.26 V -- was experimentally confirmed for the 3D scaled IGBTs..
2. Shin-ichi Nishizawa, Silicon Carbide Single Crystal Growth by Sublimation and its Poly-type Control, The 7th Asian Conference On Crystal Growth and Crystal Technology, 2017.10.
3. Shin-ichi Nishizawa, WBG Roadmap-Lead Application, The 5th NPERC-J Workshop "Wide bandgap devices and lead applications", 2017.09.
4. Shin-ichi Nishizawa, Power Electronics Application of Widebadngap Semiconductor with its superior properties, German-Japanese Symposium "Regional Innovation and Cluster Collaborations", 2017.09.
5. Shin-ichi Nishizawa, Improvement of Si Materials and Processes for Si power devices , 7th International Workshop on Crystal Growth Technology, 2017.07.
6. Shin-ichi Nishizawa, Traning and educating crystal growth technology, 7th International Workshop on Crystal Growth Technology , 2017.07.
7. Kazunori Hasegawa,Ichiro Omura,Shin-ichi Nishizawa, An Evaluation Circuit for DC-Link Capacitors Used in a Single-Phase PWM Inverter, PCIM Europe, 2017.05.
8. Shin-ichi Nishizawa, WBG Roadmap-Lead Applications, CLINT-WPE Workshop:Cooperation with Japan Wide Bandgap Lead Applications & Advanced Requirements , 2017.03.
学会活動
所属学会名
IEEE(PELS)
IEEE(ED)
日本結晶成長学会
化学工学会
応用物理学会
学協会役員等への就任
2009.04, 日本学術振興会145委員会, 幹事.
2014.09~2019.05, 一般社団法人NPERC-J, 上級アカデミア会員・技術部次長.
2016.04, 日本結晶成長学会, 評議員.
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2017.09.19~2017.09.19, The 5th NPERC-J Workshop "Wide bandgap devices and lead applications", 実行委員会委員長.
2017.02.22~2017.02.23, 第5回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会, 実行委員会委員長.
学術論文等の審査
年度 外国語雑誌査読論文数 日本語雑誌査読論文数 国際会議録査読論文数 国内会議録査読論文数 合計
2017年度   20    24 
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2018年度~2020年度, 基盤研究(B), 代表, 速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2017年度, NEDO, 分担, 新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発.
2017年度~2017年度, NEDO, 分担, チョクラルスキー法を用いた高品質・大口径Si-IGBT用ウェハ技術の開発.
共同研究、受託研究(競争的資金を除く)の受入状況
2017.12~2019.03, 代表, SiC半導体の遮断器応用技術に関する研究.
2017.12~2019.03, 代表, 低ネガワットコストウェハの研究.

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