九州大学 研究者情報
発表一覧
廣田 正樹(ひろた まさき) データ更新日:2023.11.22

教授 /  工学研究院


学会発表等
1. ロヒット シヴ プラサド, 廣田正樹, 福岡市の交通事故が増えた交差点の発生要因分析, 第 20 回 ITS シンポジウム 2022, 2022.12, 日本全国の交通事故数が年々減少してきているが、福岡市ではコロナ禍の前後の 2019 年と 2020 年との比較 において交通事故が増えている交差点があり、その発生要因などを分析した。福岡市には 34,464 交差点があるが、その約 19%にあたる 6,569 交差点で交通事故が発生しており、1.3%にあたる 463 交差点では交通事 故が増えている。この 463 交差点の中では、車道幅員 5.5m以上で歩車道区分ある交差点が多いにも関わら ず、車対歩行者と車対自転車の事故が多い。車対歩行者と車対自転車が多い原因としては歩行者や自転車が左右両方向から交差点に侵入してくることなどがあげられ、事故の抑制には歩行者や自転車への対策が必要と思われる。.
2. プラサド ロヒット シヴ, 廣田正樹, 二次元グラフを用いた交通事故の主成分分析のための統計的アプローチ, 第 19 回 ITS シンポジウム 2021, 2021.12, 膨大な数の事故データが増加するにつれ、データによって示される特徴を可視化して調査することは非常に 困難になっている。本論文では、RStudio を使用して、主成分分析(PCA)手法により、二次元グラフを生 成することでデータを分析した。2016 年から 2019 年にかけて福岡県で発生した 128,059 件の事故を調査し、 データの属性と変数の関係を明らかにしようと試みた。生成した二次元グラフにより、すべての属性を二次 元に圧縮することで、マクロ的観点から、各属性の事故との関係を明確にする働きがあることが分かった。 そこで、交通事故の特徴を一目で分析するために二次元グラフを使用することを提案する。.
3. 有薗勇希, 廣田正樹, 福岡市内での出会い頭事故を防ぐための交差点環境分析, 第 19 回 ITS シンポジウム 2021, 2021.12, 本論文では、実際に発生した出会い頭事故データと交差点データに基づいて出会い頭事故の特徴を明らかに する。福岡県は出会い頭事故が 3 番目に多い都道府県である。県内で最も事故が発生している福岡市を調査 対象とし、7,330 件の出会い頭事故と 10,435 交差点を分析した。福岡市の道路は、十字路が 41%、丁字路が 57.9%、五差路が 1.1%で構成されている。しかし、出会い頭事故の 65.3%が十字路で発生しているため、十 字路で発生しやすいと言える。また、信号機の種類や一時停止線の有無・位置が出会い頭事故の発生に影響 を与えることが分かった。.
4. 有薗勇希, 廣田正樹, 董嘉コウ, 野村拓未, 佐藤潤弥, 都市部と郊外部における出会い頭事故の発生要因分析, 第 18 回 ITS シンポジウム 2020, 2020.12, 出合い頭事故の中でも自動車対自転車の事故(自動車が第一当事者)が約 4 割を占める最も多い事故形態で あり,抑制対策が必要である。我々は 2015~2017 年に福岡市で発生した 1,367 件の自動車(第一当事者) 対自転車の出会い頭事故を分析した。発生時間帯の分析では,8 時台と 17 時台に多く発生しており,夜間 に比べて昼間に事故が多発する傾向があった。また,年齢や性別などの当事者属性分析においては 10 代お よび女性の自転車運転者による事故の割合が高いことも分かった。さらに事故多発交差点における当事者の 進行方向を着目にすると,自転車が自動車に左側から衝突という形態が約 6 割を大きな割合をしめるも明ら かになり,歩道の通行も含めた自転車の右側通行を減らす必要があることも分かった。.
5. 董嘉コウ, 廣田正樹, 野村拓未, 佐藤潤弥, 実事故データによる自転車が絡む出会い頭事故の要因分析, 第 18 回 ITS シンポジウム 2020, 2020.12, 出合い頭事故の中でも自動車対自転車の事故(自動車が第一当事者)が約 4 割を占める最も多い事故形態で あり,抑制対策が必要である。我々は 2015~2017 年に福岡市で発生した 1,367 件の自動車(第一当事者) 対自転車の出会い頭事故を分析した。発生時間帯の分析では,8 時台と 17 時台に多く発生しており,夜間 に比べて昼間に事故が多発する傾向があった。また,年齢や性別などの当事者属性分析においては 10 代お よび女性の自転車運転者による事故の割合が高いことも分かった。さらに事故多発交差点における当事者の 進行方向を着目にすると,自転車が自動車に左側から衝突という形態が約 6 割を大きな割合をしめるも明ら かになり,歩道の通行も含めた自転車の右側通行を減らす必要があることも分かった。.
6. 董嘉コウ, 廣田正樹, 野村拓未, 佐藤潤弥, 事故当事者による出会い頭事故の特徴分析, 第 18 回 ITS シンポジウム 2020, 2020.12, 本論文は事故当事者による出会い頭事故の特徴を明らかにすることを目的としている。福岡県は日本で 3 番 目に交通事故が多く発生する県である。福岡市の博多区と中央区の交差点で発生した 1,810 件の車両相互の 出会い頭事故を調査対象として分析を行った。まず、事故交差点を含む 2,662 交差点における信号機や交差 点形状といった環境要素を調査した。さらに、事故当事者の種別に応じて、自転車が絡まない事故と自転車 が絡む事故に分類して特徴を調べた。その結果、自転車が絡まない事故が十字路交差点で多く発生すること、 自転車が絡む事故では交差道路の交通規制に関係なく発生するといった特徴を明らかにした。.
7. 野村拓未, 廣田正樹, 佐藤潤弥, 出合い頭事故に影響を及ぼすドライバーの可視性評価, 第17回 ITS シンポジウム 2019, 2019.12, [URL], ドライバーの視界が出合い頭事故にどのような影響を及ぼすのかに着目して様々な調査分析を行った。2015 年から 2017 年まで福岡市博多区の 621 交差点で発生した 1,101 件の事故を調査した。事故データに基づいて 各交差点での年間事故率を計算し、調査した交差点情報でドライバーの視認性を評価した。事故が頻繁に発 生する交差点では、視界不良による事故率は、視界が良好な場合の約 3 倍である。ゆえにドライバーの可視 性は出合い頭事故と関係があることを明らかにできた。
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8. 野村拓未, 廣田正樹, 佐藤潤弥, 出合い頭事故防止にむけた交差点環境の相互影響分析, 第17回 ITS シンポジウム 2019, 2019.12, [URL], 出会い頭事故は環境要因が大きく影響するとされている。我々は、福岡市博多区にある 1,629 交差点の 環境要因と事故発生状況の関係を調査して十字路での直進交通による事故が多いことなどを明らかに した。本研究では、複数の環境要因の相互影響を調査することで事故原因を明らかにすることを試みた。 分析の結果、停止線の後退が信号機設置の有無に関わらず事故頻度が約 1.7 倍上昇させることが明らか になった。また、カーブミラーの設置で見通しを改善することにより事故頻度を約 10%低減できること がわかり、見通し改善対策による事故抑制の可能性があることも明らかにした。.
9. 廣田正樹, 日帰り旅行における現地滞在可能時間の都市比較 ―現地滞在可能時間地図―, 日本観光研究学会 第33回全国大会, 2018.12, [URL], 移動時間の短縮により多くの都市間で日帰り旅行が可能になっているが、現地滞在できる最長時間(現地滞在可能時間)の長さが出発地と目的地の組み合わせにより大きく異なる。本研究は47都道府県庁所在地間の日帰り旅行に注目し、47×46=2162経路の現地滞在可能時間を分析した。その結果、那覇発→鳥取行きの1経路を除く2161経路で日帰り旅行が可能であること、早朝に羽田空港アクセスできる関東の都県庁所在地を出発地とする現地滞在可能時間が長くなること、そして航空路線に依存する札幌市や那覇市を発着する現地滞在可能時間が短くなることを明らかにした。.
10. 佐藤潤弥, 廣田正樹, 野村拓未, 出会い頭事故防止に向けた交差点環境の分析, 第16回 ITS シンポジウム 2018, 2018.12, [URL], 本研究では,出会い頭事故の防止を目指し,2015 年~2017 年に福岡市博多区で発生した 1,447 件の出会い 頭事故について,事故の発生した交差点を中心に 1,297 交差点の交差点環境(交差点形状,信号機種別)を調 査し,事故への影響を分析した。十字路交差点では丁字路交差点と比較して約 2 倍の事故が発生している。 その原因は十字路では直進同士の出会い頭事故が多く発生するからである。また,主道路の車線数よりも従 道路の車線数の方が事故発生数に影響を与えており,従道路が 2 車線以下の交差点で事故が多く発生してい ることが分かった。.
11. 廣田正樹, 自動車関連MEMSを中心とするICT技術動向, MEMS Market Agenda for 2020, 2017.10, 自動車は、MEMSセンサを利用した電子制御システムにより、排出ガス規制への対応、燃料消費量の低減、交通事故の減少など社会からの要請へ答えてきた。今後、燃費規制の強化や自動運転の普及拡大によりMEMS技術およびICT技術の重要性が増すと考えられる。本発表では、これまでの事例と今後の展望について紹介する。.
12. masaki Hirota, Shiichi Iio, Yoshimi Ohta, Yuusuke Niwa, Tomoyuki Miyamoto, Wireless power transmission between a NIR VCSEL array and silicon solar cells, 20th Microoptics Conference, MOC 2015, 2015.10, Aiming widespread use of wireless power transmission, optical wireless power transmission at wavelength of 975 nm between vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and a single crystalline Si solar cell was studied. The power generation efficiency of the cell was measured as high as 33% which was higher than the efficiency of 18% at the time of irradiation with sunlight. This is because the transmission loss is mainly eliminated. However, further reduction of the electrical resistance of the solar cell is necessary because the efficiency decreases with increasing incident energy..
13. Yasuyoshi Kurokawa, Yuya Watanabe, Shinya Kato, Yasuharu Yamada, Akira Yamada, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, masaki Hirota, Observation of light scattering properties of silicon nanowire arrays, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2013, 2013.01, Silicon nanowire (SiNW) arrays were pre metal assisted chemical etching (MAE) method for the ap to solar cells. The SiNW arrays were mechanically peeled the Si substrate to obtain the optical properties of SiNW themselves. The absorptance of the SiNW array with the 10 μm is much higher than theoretical absorptance of 10 flat Si wafer. The angular distribution function (transmittance of SiNW arrays was also measured. It was that the Mie-related scattering plays an important ro strong optical confinement of the SiNW arrays..
14. Yasuyoshi Kurokawa, Shinya Kato, Yuya Watanabe, Akira Yamada, Makoto Konagai, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, masaki Hirota, Effect of the quantum size effect on the performance of solar cells with a silicon nanouwire array embedded in SiO2, 2012 MRS Spring Meeting, 2012.12, The electrical characteristics of silicon nanowire (SiNW) solar cells with p-type hydrogenated amorphous silicon oxide (Eg=1.9 eV)/n-type SiNWs embedded in SiO2/n-type hydrogenated amorphous silicon (E g=1.7 eV) structure have been investigated using a two-dimensional device simulator with taking the quantum size effects into account. The average bandgap of a SiNW embedded in SiO2 increased from 1.15 eV to 2.71 eV with decreasing the diameter from 10 nm to 1 nm due to the quantum size effect. It should be noted that under the sunlight with AM1.5G the open-circuit voltage (Voc) of SiNW solar cells also increased to 1.54 V with decreasing the diameter of the SiNWs to 1 nm. This result suggests that it is possible to enhance the Voc by the quantum size effect and a SiNW is a promising material for the all silicon tandem solar cells..
15. Shinya Kato, Yuya Watanabe, Yasuyoshi Kurokawa, Akira Yamada, Yoshimi Ohta, Yusuke Niwa, masaki Hirota, Influence of surface recombination on the performance of SiNW solar cells and the preparation of a passivation film, 2012 MRS Fall Meeting, 2012.01, Al2O3 was deposited on silicon nanowire (SiNW) arrays by atomic layer deposition (ALD) as a passivation layer to reduce surface recombination velocity. As a result, effective minority carrier lifetime was improved from 1.82 to 26.2 μs. From this result, the relative low-surface recombination rate of 2.73 cm/s was obtained from a calculation using one-dimensional device simulation (PC1D). The performance of SiNW solar cells was also simulated by considering the surface recombination velocity on the side of SiNWs using two-dimensional device simulation. It was found that Al 2O3 deposited by ALD can improve open-circuit voltage of SiNW solar cells even if the structure has a high-aspect ratio and large surface area. Therefore, improvement in the performance of SiNW solar cells can be expected..
16. masaki Hirota, Yoshimi Ohta, Yasuhiro Fukuyama, Masafumi Tsuji, Masanori Saito, Thermal imaging technology using a thermoelectric infrared sensor, 2008 SAE World Congress, 2008.04, This paper describes a low-cost 48 × 48 element thermal imaging camera intended for use in measuring the temperature in a car interior for advanced air conditioning systems. The compact camera measures 46 × 46 × 60 mm. It operates under a program stored in the central processing unit and can measure the interior temperature distribution with an accuracy of ±0.7°C in range from 0 to 40°C. The camera includes a thermoelectric focal plane array (FPA) housed in a low-cost vacuum-sealed package. The FPA is fabricated with the conventional IC manufacturing process and micromachining technology. The chip is 6.5 × 6.5 mm in size and achieves high sensitivity of 4,300 V/W, which is higher than the performance reported for any other thermopile. This high performance has been achieved by optimizing the sensor's thermal isolation structure and a precisely patterned Au-black absorber that attains high infrared absorptivity of more than 90%. The package incorporates a wide-angle zinc sulfide (ZnS) lens that is fabricated using moulding technology. The field of view is 60 deg. by 60 deg. The performance of the sensor is suitable for measuring car interior temperatures..
17. masaki Hirota, Yoshimi Ohta, Yasuhiro Fukuyama, Low-cost thermo-electric infrared FPAs and their automotive applications, Infrared Technology and Applications XXXIV, 2008.06, This paper describes three low-cost infrared focal plane arrays (FPAs) having a 1,536, 2,304, and 10,800 elements and experimental vehicle systems. They have a low-cost potential because each element consists of p-n polysilicon thermocouples, which allows the use of low-cost ultra-fine micro-fabrication technology commonly employed in the conventional semiconductor manufacturing processes. To increase the responsivity of FPA, we have developed a precisely patterned Au-black absorber that has high infrared absorptivity of more than 90%. The FPA having a 2,304 elements achieved high resposivity of 4,300 V/W. In order to reduce package cost, we developed a vacuum-sealed package integrated with a molded ZnS lens. The camera aiming the temperature measurement of a passenger cabin is compact and light weight devices that measures 45 × 45 × 30 mm and weighs 190 g. The camera achieves a noise equivalent temperature deviation (NETD) of less than 0.7°C from 0 to 40°C. In this paper, we also present a several experimental systems that use infrared cameras. One experimental system is a blind spot pedestrian warning system that employs four infrared cameras. It can detect the infrared radiation emitted from a human body and alerts the driver when a pedestrian is in a blind spot. The system can also prevent the vehicle from moving in the direction of the pedestrian. Another system uses a visible-light camera and infrared sensors to detect the presence of a pedestrian in a rear blind spot and alerts the driver. The third system is a new type of human-machine interface system that enables the driver to control the car's audio system without letting go of the steering wheel. Uncooled infrared cameras are still costly, which limits their automotive use to high-end luxury cars at present. To promote widespread use of IR imaging sensors on vehicles, we need to reduce their cost further..
18. Kofi A A Makinwa, Herman Casier, Ir Jakob Jongsma, masaki Hirota, Bernhard Jakoby, Bill Clark, Sensors on the move, 2006 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC, 2006.02.
19. T. Matsushita, T. Mihara, H. Ikeda, masaki Hirota, Y. Hirota, Intelligent power device having large immunity from transients in automotive applications, Proceedings of the 2nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - ISPSD '90, 1990.12, A novel IPD (intelligent power device) technology for an automotive high-side switch has been developed which is applicable to devices up to the 60-V range. The fabrication process includes only one-time epitaxial growth. A new vertical DMOS FET with built-in cellular Zener diodes has also been developed. The avalanche capability of the DMOS is about 10 times greater than that of the conventional one. The control circuits of the developed IPD are protected against battery line transients by a 60-V Zener diode between the VDD and VSS terminals and two voltage limiters..

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