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MUNETOH SHINJI
 
Organization
Faculty of Engineering Department of Materials Science and Engineering Professor
School of Engineering (Joint Appointment)
Graduate School of Integrated Frontier Sciences Department of Automotive Science(Joint Appointment)
Title
Professor
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0928022964
Profile
We use seven high-speed work stations,and study crystal growth of silicon by the molecular dynamics computer simulation mainly.
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Degree

  • Doctor of Engineering

Research History

  • 1998〜2003年 住友金属工業株式会社 総合技術研究所 勤務

    1998〜2003年 住友金属工業株式会社 総合技術研究所 勤務

Research Interests・Research Keywords

  • Research theme:high efficiency thermoelectric module by using Silicon clatherate

    Keyword:thermoelectric module, clatherate

    Research period: 2005.4

  • Research theme:Molecular dynamics simulation of amorphization and crystallization from Si melt

    Keyword:Molecular dynamic, simulation, silicon, crystallization, Amorphous

    Research period: 2003.12

Papers

  • Synthesis and thermoelectric properties of the p-type Ba8AuxSi46−x clathrates Reviewed International journal

    2012.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Excimer laser crystallization processes of amorphous silicon thin films by using molecular-dynamics simulations Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Xiao Yan Ping, Tomohiko Ogata, Teruaki Motooka and Ryo Teranishi

    ISIJ International   2010.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Thermoelectric High Power Generating Module made by n-Ba8AlxSi46-x Clathrate Reviewed International journal

    S. Munetoh, M. Arita, H. Makiyama, and T. Motooka

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   2008.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Thermoelectric high power generating module made by n-Ba8AlxSi46-x clathrate Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Makoto Arita, Hideki Makiyama, and Teruaki Motooka

    proc. The 9th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University   2007.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Interatomic potential of Si-O systems using Tersoff parameterization Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Teruaki Motooka, Koji Moriguchi, and Akira Shintani

    Comp. Mater. Sci.   2007.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Nucleation Process During Excimer Laser Annealing of Amorphous Silicon Thin Films on Glass: A Molecular-dynamics Study Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Takanori Mitani, Takahide Kuranaga, and Teruaki Motooka

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2006.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Crystal Growth of Silicon Thin Films on Glass by Excimer Laser Annealing: A Molecular-Dynamics Study Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Takahide Kuranaga, Byong Min Lee, Teruaki Motooka, Takahiko Endo, and Terunori Warabisako

    Jpn. J. Appl. Phys.   2006.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Molecular-dynamics simulations of crystal growth of silicon thin films by excimer laser annealing Invited Reviewed International journal

    S. Munetoh, T. Kuranaga, B. M. Lee, T. Motooka, T. Endo and T. Warabisako

    Dig. Tech. Papers AM-LCD   2005.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have investigated crystallization processes during excimer laser annealing of silicon (Si) thin fi lms on glass by molecular-dynamics (MD) simulations and laser power dependence of the polycrystalline Si grain size was discussed. The temperature range for the highest growth rate was found to be approximately 500 degrees higher than that for the highest nucleation rate. It was also found that a steady state temperature gradient was obtained in the direction of the surface normal during laser irradiation. The nucleation occurred in the Si/glass interface region and then crystallization proceeded toward the high temperature region during laser irradiation in the near-complete melting condition.

  • Molecular dynamics simulations of solid-phase epitaxy of Si: Defect formation processes Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Koji Moriguchi, and Akira Shintani, Ken Nishihira, and Teruaki Motooka

    PHYSICAL REVIEW B   64 ( 19 )   art. no. - 193314   2001.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have investigated defect formation processes during solid-phase epitaxy of Si in the [001] direction based on molecular dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. Two different types of defect formation processes have been successfully observed in the MD simulations. They can be characterized by the structure of Si-Si dimer bonds created at the amorphous/crystalline interface in the initial stage of the defect formation. In the first type, the Si-Si dimer bonds form coupled dimer lines and these coupled dimer lines lead to the creation of {111} stacking faults. In the second type, the Si-Si dimer bonds form a single dimer line which leads to the creation of [111] twins.

  • Epitaxial growth of a low-density framework form of crystalline silicon: A molecular-dynamics study Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Koji Moriguchi, Kazuhito Kamei, Akira Shintani and Teruaki Motooka

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   86 ( 21 )   4879 - 4882   2001.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Crystal growth processes of low-density framework forms of crystalline silicon, named Si clathrates (Si-34 and Si-46), during solid phase epitaxy (SPE) have been successfully observed in molecular-dynamics simulations using the Tersoff potential. The activation energy of SPE for Si-34 has been found to correspond with the experimental value (approximate to2.7 eV) for the cubit: diamond phase, while the SPE rates of Si-46 are much lower than that of Si-34. The structural transition from Si-46 to Si-34 can be also observed during the Si-46-[001] SPE. The present results suggest that new wide-gap Si semiconductors with clathrate structures can be prepared using epitaxial growth techniques.

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.86.4879

  • Thermoelectric Properties of Ba8CuxSiyGe46–x–y Clathrates Synthesized by the Czochralski Method Reviewed International journal

    2024.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Micro-Vickers Hardness of Cu and Cu2O Dual Phase Composite Films Electrodeposited from Acidic Aqueous Solutions Containing Polyethylene Glycol Reviewed International journal

    Reina Kawakami, @Ryusei Saeki, @Shinji Munetoh, Takeshi Ohgai

    Crystals   2023.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Improvement of the thermoelectric performance of boron-doped silicon by blocking minority carrier diffusion on the p+/p interface Reviewed International journal

    Momoka Sakamoto, @Yuko Matsukawa, #Rikuto Sasaoka, #Kohei Minoshima, #Eisuke Nakamura, @Makoto Arita, @Shinji Munetoh

    Japanese Journal of Applied Physics   2023.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Improvement of thermoelectric performance by optimizing chemical composition in single crystalline Ba8CuxSi46−x clathrate Reviewed International journal

    2021.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Elucidation of pore connection mechanism during ductile fracture of sintered pure iron by applying persistent homology to 4D images of pores: Role of open pore Reviewed International journal

    #Isshin Ando,#Yasutaka Mugita,#Kyosuke Hirayama,@Shinji Munetoh,@Masatoshi Aramaki,@Fei Jiang,@Takeshi Tsuji,@Akihisa Takeuchi,@Masayuki Uesugi,@Yukiko Ozaki

    Materials Science and Engineering: A   2021.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Effect of Single Crystallization on Thermoelectric Performance Improvement of Ba8CuxSi46-x Clathrate Reviewed International journal

    #ZL. Zhang, #C. Inoue, #M. Yasuda, #Y. Magami, @M. Arita, @S. Munetoh

    Journal of Electronic Materials   2021.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Novel black bismuth oxide (Bi2O3) with enhanced photocurrent generation, produced by high-pressure torsion straining Reviewed International journal

    #I. Fujita, @P. Edalati, @Q. Wang, @M. Watanabe, @M. Arita, @S. Munetoh, @T. Ishihara, @K. Edalati

    SCRIPTA MATERIALIA   187   366 - 370   2020.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Empirical interatomic potential for Fe-C system using original Finnis-Sinclair potential function Reviewed International journal

    #K. Hyodo, @S. Munetoh, @T. Tsuchiyama

    Comp. Mater. Sci.   184   109871   2020.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • High-pressure torsion to induce oxygen vacancies in nanocrystals of magnesium oxide: Enhanced light absorbance, photocatalysis and significance in geology Reviewed International journal

    Ikuro Fujita, Kaveh Edalati, Qing Wang, Makoto Arita, Motonori Watanabe, @Shinji Munetoh, Tatsumi Ishihara, Zenji Horita

    MATERIALIA   11   UNSP 100670   2020.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.mtla.2020.100670

  • Empirical interatomic potential for Fe-N binary system based on Finnis-Sinclair potential Reviewed International journal

    #Katsutoshi Hyodo, @Shinji Munetoh, @Toshihiro Tsuchiyama, @Setsuo Takaki

    Comp. Mater. Sci.   174   109500   2020.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.commatsci.2019.109500

  • Verification of a Heat-electric Power Conversion Mechanism with Narrow Band Gap using the Thermal-probe Method Reviewed International journal

    Yuki Osakabe, Shota Tatsumi, Yuichi Kotsubo, Keita Yamasoto, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi, Kunihiko Nakashima

    Journal of Functionally Grated Materials   2018.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Heat–Electric Power Conversion Without Temperature Difference Using Only n-Type Ba8AuxSi46−x Clathrate with Au Compositional Gradient Reviewed International journal

    2018.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • SPS法により作製されたBa8AuxSi46-xクラスレートにおける新たな熱-電力変換効果の検証 Reviewed

    2018.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 多結晶クラスレートによる等温環境下での発電の検証および向上 Reviewed

    2018.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Effect of γ-Phase Stability on Local Deformation Energy of α-γ Duplex Stainless Steel Reviewed International journal

    2017.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Void nucleation behavior of single-crystal high-purity iron specimens subjected to tensile deformation Reviewed International journal

    Osamu Furukimi, Kiattisaksri Chatcharit, Yuji Takeda, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Masaki Tanaka

    Materials Science & Engineering A   2017.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Effects of Specimen Thickness in Tensile Tests on Elongation and Deformation Energy for Industrially Pure Iron Reviewed International journal

    Yuji Takeda, Chatcharit Kiattisaksri, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Furukimi Osamu

    ISIJ International   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Heat-Electric Power Conversion Without Temperature Difference Using Only n-Type Ba8AuxSi46-x Clathrate with Au Compositional Gradient Reviewed International journal

    Y. Osakabe, S. Tatsumi, Y. Kotsubo, J. Iwanaga, K. Yamasoto, S. Munetoh, O. Furukimi, K. Nakashima

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   2017.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • IF鋼の引張変形におけるボイド発生・成長挙動の放射光X線ラミノグラフィー法とEBSDによる解析 Reviewed

    古君 修, 竹田祐二, 山本 正之, 荒牧 正俊, 宗藤 伸治, 井手洋文, 中崎盛彦

    鉄と鋼   2017.4

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 熱–電力変換の新展開 Reviewed

    宗藤 伸治

    まてりあ   2017.3

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 組成傾斜を利用した温度差を必要としない新規熱-電力変換材料 Reviewed

    宗藤 伸治

    金属   2017.3

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • フェライト-オーステナイト二相ステンレス鋼のオーステナイト安定性と局部変形エネルギー Reviewed

    山本正之, 越智亮介, 安田恭野, 荒牧 正俊, 宗藤 伸治, 古君 修

    熱処理   2016.10

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 分子動力学シミュレーションを用いたナノ粒子の低温焼結特性に関する数値解析 Reviewed

    松原典恵, 宗籐伸治, 古君修

    2016.6

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • New View of Low-Temperature Sintering Phenomenon of Nanometer-Size Particles Based on Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    Norie Matsubara, Shinji Munetoh, Furukimi Osamu

    Materials Research Society (MRS) advances   2016.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • A Novel Electric Power Generation Mechanism from Waste Heat without Temperature Gradient Reviewed International journal

    Keita Yamasoto, Yuuki Osakabe, Souta Adachi, Shinji Munetoh, Furukimi Osamu

    Materials Research Society (MRS) advances   2016.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • 二相ステンレス鋼の変形エネルギーに及ぼす引張試験片板厚の影響 Reviewed

    平島 拓弥, 荒牧 正俊, 山本正之, 安田恭野, 宗藤 伸治, 古君 修

    鉄と鋼   2015.5

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1007/s11664-013-2948-6

  • 3%Si鋼中に析出したMnSeおよびMnSの地鉄との方位関係 Reviewed

    髙宮 俊人, 石原 健, 宗藤 伸治, 山田 和広, 荒牧 正俊, 古君 修

    熱処理   2015.5

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Reinvestigation of Thermoelectric Properties of n- and p-Type Ba8-dAuxSi46-x-y Clathrate Reviewed International journal

    Shinji Munetoh, Makoto Saisho, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi

    Journal of Electronic Materials   2014.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1007/s11664-014-3118-1

  • Thermoelectric properties of Ga-doped Ba8AlxSi46-x clathrate Reviewed International journal

    Yusuke Onizuka, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi

    Journal of Electronic Materials   2014.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1007/s11664-013-2948-6

  • Annealing Time Dependence on the Phase Equilibria and Thermoelectric Property of Type-I Ba8Cu6Ag2Si38 Clathrate Reviewed International journal

    Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh

    Applied Mechanics and Materials   310   59 - 62   2013.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Nucleation of Si and Ge by rapid cooling using molecular-dynamics simulation Reviewed International journal

    Yanping Xiao, Teruaki Motooka, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh

    Journal of Crystal Growth   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Synthesizing and Subsequent Annealing of Si-based Thermoelectric Material Ba8AuxSi46-x Clathrates Reviewed International journal

    Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Mikihito Tajiri, Yusuke Nakakohara, Osamu Furukimi, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Synthesis and thermoelectric properties of p-type Ba8AuxSi46-x clathrate Reviewed International journal

    Makoto Saisho, Bin Liu, Yuya Nagatomo, Yusuke Nakakohara, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh

    Journal of Physics Conference Series   Vol. 379   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Thermoelectric properties of single crystalline Ba8AlxSi46-x clathrate by using flux Czochralski method Reviewed International journal

    Yuya Nagatomo, Naoki Mugita, Yusuke Nakakohara, Makoto Saisho, Mikihito Tajiri, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh

    Journal of Physics Conference Series   Vol. 379   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Flux pinning properties of YBCO films with nano-particles by TFA-MOD method Reviewed International journal

    Y.Masuda, R.Teranishi, M.Matsuyama, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    Physics Procedia   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Growth process of BZO doped YBCO film by TFA-MOD process Reviewed International journal

    K. Konya, Y. Masuda, R. Teranishi, T. Kiss, S. Munetoh, M. Yoshizumi, T. Izumi

    Physics Procedia   2012.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Nucleation and Crystal Growth of Si1-xGex Melts during Rapid Cooling Processes: A Molecular-Dynamics Study Reviewed International journal

    Yanping Xiao, Jun Taguchi, Teruaki Motooka and Shinji Munetoh

    JJAP   Vol. 51   2012.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Influence of Ar background gas pressure on composition and crystal orientation in PLD-Fe(Se1-xTex) thin films Reviewed International journal

    Takatoshi Yoshimoto, Kenta Yuki, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh and Kenji Kaneko

    Physica C   Vol. 471   2011.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Thermoelectric Properties of p-Type Clathrate Ba8AuxSi46-x Reviewed International journal

    Makoto Saisho, Liu Bin, Yuya Nagatomo, Yusuke Nakakohara, Ryo Teranishi and Shinji Munetoh

    Proccedings of ECO_MATES 2011   Vol.1   2011.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Carrier Tuning of Single Crystalline Ba8AlxSi46-x Clathrate by Using Flux Czochralski Method Reviewed International journal

    Yuya Nagatomo, Naoki Mugita, Yusuke Nakakohara, Makoto Saisho, Mikihito Tajiri, Ryo Teranishi and Shinji Munetoh

    Proccedings of ECO_MATES 2011   Vol.1   2011.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Joint properties of REBCO coated conductors Reviewed International journal

    Toru Maebatake, Yusuke Ichinose, Kazuhiro Yamada, Nobuyuki Mori, Ryo Teranishi, Masayoshi Inoue, Takanobu Kiss, Masateru Yoshizumi, Teruo Izumi, Kenji Kaneko, Shinji Munetoh and Masashi Mukaida

    Physica C   Vol. 471   2011.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Single crystallization of Ba8AlxSi46-x clathrate by using the flux Czochralski method Reviewed International journal

    Yusuke Nakakohara, Naoki Mugita, Yuya Nagatomo, Makoto Saisho, Teruaki Motooka, Ryo Teranishi and Shinji Munetoh

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   Vol. 1325   2011.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Single crystallization of Ba8AlxSi46-x clathrate for improvement of thermoelectric properties Reviewed International journal

    N. Mugita, Y. Nakakohara, R. Teranishi and S. Munetoh

    Journal of Materials Research   26   2011.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Thermoelectric properties of single crystalline Ba8AlxSi46-x clathrate Reviewed International journal

    Naoki Mugita, Yusuke Nakakohara, Teruaki Motooka, Ryo Teranishi and Shinji Munetoh

    Mater. Sci. Eng.   Vol.18   2011.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Thermoelectric properties of single crystalline clathrate Ba8AlxSi46-x Reviewed International journal

    Naoki Mugita, Yuusuke Nakakohara, Teruaki Motooka, Ryou Teranishi, Shinji Munetoh

    Proccedings of The 3rd International Congress on Ceramics   2010.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Molecular Dynamics Simulations of Void Morphology in Crystalline Silicon: Temperature Dependence Reviewed International journal

    T. Ogata, K. Ogasawara, S. Munetoh, T. Motooka

    proc. ICCE-17   2009.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing to Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass: Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, T. Motooka

    ARTIFICIALLY INDUCED GRAIN ALIGNMENT IN THIN FILMS   2009.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • New Method to Obtain (001) Surface-Oriented Polycrystalline Silicon Films by Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing: Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    Norie Matsubara, Tomohiko Ogata, Takanori Mitani, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    Jpn. J. Appl. Phys.   2009.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Crystallization processes of amorphous Si during excimer laser annealing in complete-melting and near-complete-melting conditions: A molecular dynamics study Reviewed International journal

    T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh and T. Motooka

    ARTIFICIALLY INDUCED GRAIN ALIGNMENT IN THIN FILMS   2009.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing to Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass: Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2008.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Crystallization Processes of Amorphous Si During Excimer Laser Annealing in Complete-melting and Near-complete-Melting Conditions: A Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and Teruaki Motooka

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2008.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • A New Method to Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass by Using Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing : Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka

    Dig. Tech. Papers AM-FPD'08   2008.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Molecular-dynamics analysis of the structural properties of silica during cooling Reviewed International journal

    Byoung Min Lee, Shinji Munetoh, Teruaki Motooka, Yeo-Wan Yun, and Kyu-Mann Lee

    Solid State Phenom.   2008.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Molecular-dynamics simulations of nucleation and crystallization processes of laser crystallized poly-Si Reviewed International journal

    Byoung Min Lee, Teruaki Motooka, and Shinji Munetoh

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   2008.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Controlling the Nucleation Site and Crystal Orientation during Eximer-laser Annealing Processes in Thin Amorphous Si Films on Glass: A Molecular-dynamics Study Reviewed International journal

    T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Mitani, and T. Ogata

    ECS transactions   2007.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Surface nucleation of the (111) plane of excimer laser annealed Si on SiO2 substrates: A molecular dynamics study Reviewed International journal

    B. M. Lee, T. Kuranaga, S. Munetoh and T. Motooka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   2007.5

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Molecular-dynamics analysis of the nucleation and crystallization process of Si Reviewed International journal

    B. M. Lee, H. K. Baik, B. S. Seong, S. Munetoh, T. Motooka

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER   2007.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Molecular-dynamics (MD) simulations of excimer-laser annealed Si using the Tersoff potential have been performed and the processes of the nucleation and crystallization of Si are monitored by the order parameter for each atom. The order parameter which identifies each atom belonging to the crystalline phase in amorphous and liquid-like environment is presented by a four-body correlation function. The simulation results show that the atomistic processes of the nucleation and crystallization of Si on crystalline Si (c-Si) substrates can be divided into several stages. Twins with low formation energy disturb the further crystallization of nucleus along the [111] direction.

  • Cooling Mechanism and Structural Change of Local Regions With a Different Cooling Rate of Excimer Laser Annealed Si Reviewed International journal

    Byoung-Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh and Teruaki Motooka

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2006.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Heat Flow and Structural Properties of Naturally Cooled a-Si: A Molecular Dynamics Study Reviewed International journal

    Byoung Min Lee , Baek Seok Seong, Shinji Munetoh and Teruaki Motooka

    Journal of the Korean Physical Society   2006.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Molecular-Dynamics Simulations of Recrystallization Processes in Silicon: Nucleation and Crystal Growth in The Solid-Phase and Melt Reviewed International journal

    T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Kuranaga, T. Ogata and T. Mitani

    ECS transactions   2006.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Molecular dynamics study of velocity distribution and local temperature change during rapid cooling processes in excimer-laser annealed silicon Reviewed International journal

    Byoung Min Lee, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    Comp. Mater. Sci.   2006.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Generation of glass SiO2 structures by various cooling rates: A molecular-dynamics study Reviewed International journal

    Byoung Min Lee, Hong Koo Baik, Baek Seok Seong, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    Comp. Mater. Sci.   2006.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • THERMAL CONDUCTIVITY AND NATURAL COOLING RATE OF EXCIMER-LASER ANNEALED SI: A MOLECULAR DYNAMICS STUDY Reviewed International journal

    Byoung Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2006.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Molecular Dynamics Studies of Surface Nucleation and Crystal Growth of Si on SiO2 Substrates Reviewed International journal

    Byoung-Min Lee, Takahide Kuranaga, Shinji Munetoh, Hong Koo Baik and Teruaki Motooka

    Materials Research Society Symposium Proceedings   2005.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Molecular Dynamics Studies of Surface Nucleation and Crystal Growth of Si on SiO2 Substrates

  • Molecular-Dynamics Simulations of Nucleation and Growth of Crystalline Si Films during ELA Processes Invited Reviewed International journal

    T. Endo, T. Warabisako, S. Munetoh and T. Motooka

    Proceedings of The 12th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005   2005.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    We have introduced pseudo-natural cooling model into our simulator to realize behavior of Si atoms under a more natural temperature distribution not to be controlled
    artificially. Analyzing states of each atom during cooling under the condition, it is suggested that nucleation and growth of Si occurs in amorphous-like phase or low-density liquid phase rather than supercooling liquid phase.

  • Precipitation of single crystalline AlN from Cu-Al-Ti solution under nitrogen atmosphere Reviewed International journal

    M. Yonemura and K. Kamei and S. Munetoh

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS   16 ( 4 )   197 - 201   2005.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Precipitation and growth behavior of AlN from Cu-Al-Ti- N solution under the atmospheric pressure of nitrogen has been studied. The solubility of AlN in Cu flux ranges from 5 mol% to 20 mol% at the temperatures between 1700° C and 2000° C. The addition of the proper amount of Ti drastically enhances the solubility of AlN. Acicular crystallites and platelets of AlN precipitants, which were all water white colored, were obtained by super-cooling the Cu-Al-Ti- N solution. The largest pencil type AlN reached more than 3 mm in its length and 0.2 mm in its diameter. The axis of the pencil was c-axis of wurtzite AlN and it contained no dislocation, no diffractive defects. A platelet of AlN of which diameter exceeded 1.5 mm was also obtained by regrowth technique. Thermodynamic calculation reveals the validity of using Cu-Al-Ti- N solution for the growth of AlN.

    DOI: 10.1007/s10854-005-0765-2

  • Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macrodefects by liquid-phase epitaxy: a Raman spectroscopic study Reviewed International journal

    T. Ujihara and S. Munetoh and K. Kusunoki and K. Kamei and N. Usami and K. Fujiwara and G. Sazaki and K. Nakajima

    THIN SOLID FILMS   2005.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Liquid-phase epitaxial (LPE) growth, on silicon carbide. simultaneously covers macroscale defects, e.g., micropipes, and improves the quality of the crystal. In this study, an epi-layer grown over a macrodefect was evaluated by micro-Raman scattering spectroscopy. Before the growth process, the density of the stacking fault was high and the carrier density spatially inhomogeneous in the vicinity of the macrodefects. On the other hand, after growth, the layer over the macrodefect displayed good quality; the density of the stacking fault was less than that before growth and the homogeneity of the carrier density improved.

  • Solution growth of self-standing 6H-SiC single crystal using metal solvent Reviewed International journal

    K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara, and K. Nakajima

    MATERIALS SCIENCE FORUM   2004.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Silicon carbide (SiC) crystal growth from ternary solutions Si-C-X where X is a transition metal was studied. In order to select the desirable transition element and to determine the solution composition, we have conducted the calculations of ternary phase diagrams by means of CALPHAD (CALculation of PHase Diagrams) method. Preliminary growth experiments without a seed crystal were also performed. Among various Si-based solutions, Si-C-Ti was one of the most effective solutions to increase crystal growth rate compared with Si-C. Optical microscopic observation of the obtained SiC etched by molten KOH showed no micropipe defects in the crystals. We have also performed the growth experiments with 6H-SiC seed crystal under temperature gradient. As a result, we have successfully obtained a 12mm X 12mm self standing SiC crystal.

  • Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy Reviewed International journal

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima

    MATERIALS SCIENCE FORUM   2004.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We performed homoepitaxial growth of 6H-SiC layers on substrates including micropipes by the LPE method and evaluated the crystal quality by Raman scattering spectroscopy. In particular, we focused on the crystal quality of layers covering micropipes. It was made clear that there is no stress due to morphological macroscopic defects in the crystal over micropipes. Moreover, LPE growth not only closes a micropipe but also reduces the inhomogeneity of carrier density which exists in the area of the micropipe before growth.

  • TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent Reviewed International journal

    K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara, and K. Nakajima

    MATERIALS SCIENCE FORUM   2004.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    TEM characterization was carried out on the epitaxial interface formed by seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvents such as Ti and Mn. The penetration of the solution into the micropipes and its solidification behavior were clearly observed. Although stacking faults are introduced in the vicinity of micropipes during the solidification, it decreases as the growth proceeds. The micropipes are terminated by the lateral overgrowth of epitaxial SiC layer. The crystallinity of 6H-SiC obtained from Si-Ti-C solution is much better than that obtained from Si-Mn-C solution.

  • Molecular-dynamics simulations of nucleation and crystallization in supercooled liquid silicon: Temperature-gradient effects Reviewed International journal

    T. Motooka and S. Munetoh

    PHYSICAL REVIEW B   69 ( 7 )   2004.2

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have investigated atomistic processes of nucleation and crystallization in supercooled liquid silicon (Si) based on molecular-dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. MD cells composed of up to 8192 Si atoms were heated to produce melted Si, and then melted Si was quenched under various supercooled conditions with or without a temperature gradient and the corresponding nucleation processes were visualized. The critical nucleation radius was determined as a function of the amount of supercooling DeltaT and it was found to be inversely proportional to DeltaT. It was also found, in the case of supercooling under a linear temperature gradient, that nucleation first occurred at the lower-temperature region and then crystallization proceeded toward the high-temperature region with the (111) surface mostly parallel to the temperature gradient.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.69.073307

  • Crystal Quality Evaluation of 6H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy around Micropipes using Micro-Raman Scattering Spectroscopy Reviewed International journal

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003)   2003.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Crystal Quality Evaluation of 6H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy around Micropipes using Micro-Raman Scattering Spectroscopy

  • Solution Growth of Self-Standing 6H-SiC Single Crystal Using Metal Solvent Reviewed International journal

    K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara, K. Nakajima

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003)   2003.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Solution Growth of Self-Standing 6H-SiC Single Crystal Using Metal Solvent

  • TEM Studies on the Initial Stage of Seeded Solution Growth of 6H-SiC using Metal Solvent Reviewed International journal

    K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara, K. Nakajima

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003)   2003.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    TEM Studies on the Initial Stage of Seeded Solution Growth of 6H-SiC using Metal Solvent

  • Molecular dynamics simulations of nucleation and crystallization processes during excimer-laser annealing of amorphous silicon on glass Reviewed International journal

    T. Motooka, S. Munetoh, L. B. Min, and K. Nisihira

    MRS Proceedings   780   59 - 64   2003.4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Molecular dynamics simulations of nucleation and crystallization processes during excimer-laser annealing of amorphous silicon on glass

  • Nano-tube-like surface structure in graphite anodes for lithium-ion secondary batteries Reviewed International journal

    Koji Moriguchi, Yutaka Itoh, Shinji Munetoh, Kazuhito Kamei, Masaru Abe, Atsuo Omaru, and Masayuki Nagamine

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER   2002.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We report microstructures on the surface of graphite particles found in practicable carbon anodes by means of high-resolution transmission electron microscopy. The surfaces consist of "closed-edge" structures constructed in a similar manner as carbon nano-tube. We have also investigated the formation mechanism of these nano-structures using molecular dynamics simulations based on the Tersoff potential. From electrochemical measurements, the carbon anodes composed of these "closed-edge" structures show actually high battery performance with a large discharge capacity and a small irreversible capacity. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  • Molecular-Dynamics Studies on Solid Phase Epitaxy of Guest-Free Silicon Clathrates Reviewed International journal

    S. Munetoh, K. Moriguchi, T. Motooka, and K.Kamei

    MRS Proceedings   2002.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Molecular-Dynamics Studies on Solid Phase Epitaxy of Guest-Free Silicon Clathrates

  • Empirical potential description of energetics and thermodynamic properties in expanded-volume silicon clathrates Reviewed International journal

    Koji Moriguchi, Shinji Munetoh, Akira Shintani, and Teruaki Motooka

    PHYSICAL REVIEW B   64 ( 19 )   art. no. - 195409   2001.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Energetics and thermodynamic properties of some expanded-volume silicons have been investigated using an empirical bond-order potential developed by Tersoff. For the most important silicon clathrate networks Si-34 and Si-46, we report on their elastic properties, vibrational properties, thermodynamic proper-ties (free energy, entropy, heat capacity, and melting temperature), and the formation energies of vacancy, using the harmonic approximation and/or molecular-dynamics simulations. In order to illustrate relations between energetics and geometrical properties in expanded-volume silicons, we have calculated optimized geometries and energetics for more than 60 kinds of silisils, "zeolite without oxygen," introduced by the Arizona State University group. A simple relation between cohesive energies and geometrical properties is found in these systems. It is also found that bulk moduli in these structures strongly depend on the density (or the atomic volume) and a simple theory deduced from the pseudopotential total-energy formalism by Lam et al. [Phys. Rev. B 35, 9190 (1987)] holds in the relation between them.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.64.195409

  • Structural properties and thermodynamic stability of Ba-doped silicon type-I clathrates synthesized under high pressure Reviewed International journal

    Akiko Kitano, Koji Moriguchi, Mitsuharu Yonemura, Shinji Munetoh, Akira Shintani, Hiroshi Fukuoka, Shoji Yamanaka, Eiji Nishibori, Masaki Takata, and Makoto Sakata

    PHYSICAL REVIEW B   2001.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We present a joint experimental and theoretical study of the stability and structural properties of Ba-doped silicon type-I clathrates Ba8Si46 synthesized under high pressures. The thermodynamic stability of Ba8Si46 under high pressure has been discussed from the total energy calculations of some barium silicides within the local density approximation (LDA). We have theoretically found that pressure favors the formation of the clathrate phase as experimentally observed. We have also per-formed a synchrotron x-ray-diffraction experiment of Ba8Si46 prepared under high pressures. Some of the missing endohedral Ba elements in the small cage of Si(20) have been observed by x-ray crystallography, while big cages of Si(24) are found to be completely occupied by Ba elements. The stabilization energies of Ba atoms in the endohedral sites estimated within the present LDA calculation suggest that this is presumably attributed to the energetical site preference of Ba atoms between d(6) and a(2) sites. In addition, the isothermal parameter of Ba in the big cage of Si(24) has been found to be larger than that in the small Si(20) unit, which is consistent with some theoretical predictions in earlier works.

  • Dynamical instability of the motion of atoms in a silicon crystal Reviewed International journal

    Takaya Miyano, Shinji Munetoh, Koji Moriguchi, and Akira Shintani

    PHYSICAL REVIEW E   2001.7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    The dynamical nature of the motion of atoms in a silicon crystal is investigated from the information theoretic standpoint with time series analysis about numerical solutions of molecular dynamics simulation. The atomic motion exhibits exponential decay of information entropy with a characteristic time scale of similar to 40 x 10(-15) sec. This observation may be interpreted as a signature of microscopic dynamical instability in solids.

  • Reply to "Comment on 'Molecular dynamics simulations of solid-phase epitaxy of Si: Growth mechanisms'" Reviewed International journal

    Teruaki Motooka, Ken Nishihira, Shinji Munetoh, Koji Moriguchi, and Akira Shintani

    PHYSICAL REVIEW B   63 ( 23 )   art. no. - 237402   2001.6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have investigated atomic diffusion properties near the amorphous/crystalline (a/c) Si(001) interface during solid-phase epitaxy (SPE) of Si based on molecular-dynamics simulations using the Tersoff potential. It has been found that the mean-square displacement of the Si atoms in an amorphous layer with a thickness of 10 Angstrom at the ale interface is larger than that in bulk amorphous Si. This can be attributed to local heating due to crystallization of amorphous Si during SPE growth.

  • Nano-tube-like surface structure in graphite particles and its formation mechanism: A role in anodes of lithium-ion secondary batteries Reviewed International journal

    K. Moriguchi, S. Munetoh, M. Abe, M. Yonemura, K. Kamei, A. Shintani,Y. Maehara, A. Omaru and M. Nagamine

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   2000.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Nano-structures on the surface of graphite based carbon particles have been investigated by means of high resolution transmission electron nnicroscopy. The surfaces consist of "closed-edge" structures in a similar manner as carbon nano-tube. That is, they are composed of coaxial carbon tubes consisting of adequate coupling of graphite layer edges. These graphite particles are chemically stable and, therefore, applicable for lithium-ion secondary battery anodes. Molecular dynamics simulations based on the Tersoff potential reveal that the vibrations of the graphite layers at the free edges play an important role in the formation of the closed-edge structures. In lithium-ion secondary batteries, Li ions can intrude into bulk carbon anodes through these closed-edge structures. In order to clarify this intrusion mechanism, we have studied the barrier potentials of Li intrusion through these closed edges using the first-principles cluster calculations. From electrochemical measurements, the carbon anodes composed of these closed-edge structures show actually high battery performance with a large discharge capacity and a small irreversible capacity. This article also implies that we can control these surface structures by choosing some suitable heat treatment conditions and/or pulverization conditions before the final heat treatment process.

  • First-principles study of Si34-xGex clathrates: Direct wide-gap semiconductors in Si-Ge alloys Reviewed International journal

    Koji Moriguchi, Shinji Munetoh, and Akira Shintani

    PHYSICAL REVIEW B   2000.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Energetics and electronic states of Si34-xGex clathrate alloys have been investigated. The atomistic structures, the equations of state, and the lineup of band structures for these clathrates are calculated using the Vanderbilt ultra-soft pseudopotential method within the local-density-functional formalism. Some of these Si34-xGex clathrate alloys with an ideal Fd (3) over bar m symmetry are found to have direct band gap at the pi/a(111) (L) point in the Brillouin zone. The entire band gap of the Si34-xGex alloys is predicted to range between 1.2 and 2.0 eV. The total-energy difference between these clathrate alloys and the well-known sp(3) Si-Ge alloys is less than 0.08 eV/atom. A method to synthesize these clathrate systems is also discussed. These Si-Ge clathrate alloys may iind applications in optoelectronics semiconductor devices based on the Group-IV elements.

  • Molecular-dynamics simulations of solid-phase epitaxy of Si: Growth mechanisms Reviewed International journal

    T. Motooka, K. Nisihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, and A. Shintani

    PHYSICAL REVIEW B   61 ( 12 )   8537 - 8540   2000.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Crystal-growth processes of Si during solid phase epitaxy (SPE) in the [001] direction have been investigated based on molecular-dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. A tetragonal cell including an amorphous/crystalline (a/c) Si interface composed of up to 4096 atoms was taken as the starting system. From the Arrhenius plot of the growth rates obtained by MD simulations, we have found that the activation energy of SPE at lower temperatures is in good agreement with the experimental value (approximate to 2.7 eV), while it becomes lower at higher temperatures. This can be attributed to the difference in the a/c interface structure and SPE mechanism. In the low-temperature region, the ale interface is essentially (001) and the rate-limiting step is two-dimensional nucleation on the (001) ale interface. On the other hand, the ale interface is predominantly composed of {111} facets in the high-temperature region and the rate-limiting step is presumably a diffusion process of Si to be trapped at the kink sites associated with these facets.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.61.8537

  • Uniaxial strain observed in solid/liquid interface during crystal growth from melted Si: a molecular dynamics study Reviewed International journal

    Ken Nishihira, Shinji Munetoh and Teruaki Motooka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   210 ( 1-3 )   60 - 64   2000.3

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have performed molecular dynamics (MD) simulations of crystal growth from melted Si using a MD cell immersed in a thermal bath with various temperature gradients. Based on the analysis of changes in the distance between the (0 0 1) atomic planes, it was found that uniaxial strain was induced along the [0 0 1] direction near the solid/liquid interface. The induced strain is essentially the same as equilibrium thermal expansion corresponding to the local temperature when the temperature gradient is low. However, as the temperature gradient increases, the tensile strain becomes smaller than equilibrium thermal expansion and it gradually changes to being compressive. This is consistent with the experimental trend that interstitial-type grown-in defects are formed in higher-temperature gradients. We have also examined oxygen effects on the strain by introducing an oxygen atom in melted Si and found that the oxygen atom is taken into the interstitial site of crystal Si resulting in an enhancement of the tensile strain. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00647-8

  • Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation Reviewed International journal

    T. Motooka, K. Nisihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, and A. Shintani

    Mat. Res. Symp.   584   263 - 268   2000.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation

  • Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si Reviewed International journal

    T. Motooka, S. Munetoh, and K. Nishihira

    the Third Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   1999.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si

  • Molecular-dynamics studies on defect-formation processes during crystal growth of silicon from melt Reviewed International journal

    Manabu Ishimaru, Shinji Munetoh, Teruaki Motooka, Koji Moriguchi and Akira Shintani

    PHYSICAL REVIEW B   58 ( 19 )   12583 - 12586   1998.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have performed molecular-dynamics calculations to examine defect-formation processes in silicon grown from the melt based on the ordinary Langevin equation employing the Tersoff interatomic potential. Our simulations indicated that hexagonal structures are formed near the solid-liquid interfaces and these regions give rise to microfacets composed of primarily {111} planes. Most of these hexagonal configurations were annihilated during further crystal growth, but a part of them were left, which resulted in defect formation with five- and seven-member rings.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.58.12583

  • Behavior of impurity atoms during crystal growth from melted silicon: carbon atoms Reviewed International journal

    Manabu Ishimaru, Shinji Munetoh, Teruaki Motooka and Koji Moriguchi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   194 ( 2 )   178 - 188   1998.11

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    We have investigated the behavior of carbon (C) atoms during the crystal growth from liquid silicon (Si) based on molecular-dynamics simulations using the Tersoff interatomic potential. From the analyses of the pair-correlation functions, distribution of local coordination numbers, and bond angle distributions, it was found that C atoms in melted Si have a preference for three- and four-fold sites corresponding to the sp(2) and sp(3) bondings, respectively, while C atoms in crystalline Si grown from the melt occupy the substitutional sites. Crystal growth in the [0 0 1] direction occurred by attaching Si atoms in melt at kink sites associated with {1 1 1} facets formed at the solid-liquid interface. On the other hand, the interface was smooth and layer-by-layer growth occurred in the [1 1 1] direction. It has been also shown that the aggregation of C atoms can induce defects. These defects were localized around the C atoms in the case of the [0 0 1] growth, while they developed with the [1 1 1] crystal growth. This was attributed to a remarkable difference between the (0 0 1) and (1 1 1) solid-liquid Si interface structures.

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00728-3

  • Defect formation during crystal growth from melted silicon Reviewed International journal

    T. Motooka, M. Ishimaru, and S. Munetoh

    the SecondSymp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   1998.1

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    Defect formation during crystal growth from melted silicon

  • Generation of amorphous silicon structures by rapid quenching: A molecular-dynamics study Reviewed International journal

    Manabu Ishimaru, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    PHYSICAL REVIEW B   56 ( 23 )   15133 - 15138   1997.12

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    Amorphous silicon (a-Si) networks have been generated from melted Si with various quenching rates by molecular-dynamics (MD) simulations employing the Tersoff potential. The cooling rates were set between 5 x 10(11) and 1 x 10(14) K/s; the latter is the slowest quenching rate in MD simulations previously performed. Although the atomic configurations formed by the cooling rate of 10(14) K/s could reproduce the radial distribution function of a-Si obtained experimentally, they contained numerous structural defects such as threefold- and fivefold-coordinated atoms. As the cooling rate decreased, the average coordination number became approximate to 4 and tetrahedral bonds predominated. The structural and dynamical properties of a-Si generated by a cooling rate with similar to 10(12) K/s were in excellent agreement with those of a-Si obtained experimentally.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.56.15133

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Presentations

  • Thermoelectric High Power Generating Module made by n-Ba8AlxSi46-x Clathrate International conference

    S. Munetoh, M. Arita, H. Makiyama, and T. Motooka

    2008.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    We have developed a new thermoelectric power-generating module composed of 72
    pieces of n-type Ba8Al18Si28 clathrate elements made by arc melting. The Seebeck coefficient,
    specific electric resistance and thermal conductivity of Ba8Al18Si28 clathrate were 250 μV/K, 1.9
    mΩcm and 3.1 W/mK at 500 ºC, respectively, and the thermoelectric figure of merit (ZT) was
    0.8. The new thermoelectric module was constructed using only n-type thermoelectric elements
    connected in series with hook-shaped electrodes. The open-circuit voltage of the module was 1.8
    V at the hot-side temperature of 500 ºC. The maximum electric power was 0.24 W. The module
    was successfully used to charge lithium-ion batteries for mobile phones.

  • 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション

    宗藤伸治,倉永卓英,李秉玖,本岡輝昭

    平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会  2004.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション:核発生メカニズム

    宗藤伸治,倉永卓英,李 秉玖,本岡輝昭

    平成16年秋季 第65回応用物理学会学術講演会  2004.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションによる石英基板上融液シリコンの結晶成長

    宗藤伸治、倉永卓英、李秉玖、本岡輝昭

    第1回薄膜材料デバイス研究会研究集会  2004.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Molecular-dynamics simulations of crystal growth of Silicon thin fi lms by excimer laser annealing Invited International conference

    Shinji Munetoh, Takahide Kuranaga, Byong Min Lee, Teruaki Motooka, Takahiko Endo and Terunori Warabisako

    AM-LCD05 (Japan Society of Applied Physics)  2005.7 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    Molecular-dynamics simulations of crystal growth of Silicon thin fi lms by excimer laser annealing

  • BaAlSi 系クラスレートの合成と熱電性能評価

    宗藤伸治,槙山秀樹,本岡輝昭

    2006年(平成18年)秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006.8 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:立命館大学   Country:Japan  

  • Nucleation Process During Excimer Laser Annealing of Amorphous Silicon Thin Films on Glass: A Molecular-dynamics Study International conference

    Shinji Munetoh, Takanori Mitani, Takahide Kuranaga, and Teruaki Motooka

    Material Research Society Fall meeting  2006.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    We have performed molecular-dynamics simulations of heating, melting and
    recrystallization processes in amorphous silicon (a-Si) thin films deposited on glass during
    excimer laser annealing. By partially heating the a-Si surface region with 2 nm depth and
    removing thermal energy from the bottom of the glass substrate, a steady-state temperature
    profile was obtained in the a-Si layer with the thickness of 15 nm and only the surface region
    was melted. It was found that nucleation predominantly occurred in the a-Si region as judged by
    the coordination numbers and diffusion constants of atoms in the region. The results suggest that
    nucleation occurs in unmelted residual a-Si region during the laser irradiation and then crystal
    growth proceeds toward liquid Si region under the near-complete melting condition.

  • n 型BaAlSi クラスレート熱電モジュールの作製

    宗藤伸治、槙山秀樹、本岡輝昭

    2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関連連合講演会  2007.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Thermoelectric high power generating module made by n-Ba8AlxSi46-x clathrate (Invited) Invited International conference

    Shinji Munetoh, Makoto Arita, Hideki Makiyama, and Teruaki Motooka

    The 9th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University  2007.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Korea, Republic of  

  • Mechanical properties of electroformed nickel-cobalt alloy sheets separated from a dumbbell-shaped titanium cathode Invited International conference

    @Ryusei Saeki, Tomomi Doi, @Shinji Munetoh, Takeshi Ohgai

    ECOMATERIARLS CONFERENCE & EXHIBITION 2023 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ECOMATERIALS  2023.11 

     More details

    Event date: 2023.11

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 加算平均を用いたRietveld法によるBa8CuxSi46-xクラスレートの構造解析

    安藤蒼生, #高木健太郎, @佐伯龍聖, @松川祐子, @有田誠, @宗藤伸治

    日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会  2023.9 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:とやま自遊館、富山大学五福キャンパス   Country:Japan  

  • 共沈降法による組成傾斜化Alドープβ-FeSi2の熱電発電特性

    #青木航介, @佐伯龍聖, @松川祐子, @有田誠, @宗藤伸治

    第32回傾斜機能材料シンポジウム  2023.9 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学青葉山新キャンパス   Country:Japan  

  • Czochralski法で作製したBa8Cu6Ge40-xSixクラスレートの熱電性能

    #高木健太郎, #荒木脩斗, @松川祐子, @佐伯龍聖, @有田誠, @宗藤伸治

    第32回傾斜機能材料シンポジウム  2023.9 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学青葉山新キャンパス   Country:Japan  

  • p+/p-Si界面におけるキャリア拡散の制御を用いた熱起電力の向上

    #行事明, #青木航介, @松川祐子, @佐伯龍聖, @有田誠, @宗藤伸治

    第32回傾斜機能材料シンポジウム  2023.9 

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学青葉山新キャンパス   Country:Japan  

  • α-リン酸三カルシウムと水の反応を用いたヒドロキシアパタイト粒子の形態制御

    #小林大河, @松川祐子, #蓑島航平, @佐伯龍聖, @有田誠, @宗藤伸治

    2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2023.6 

     More details

    Event date: 2023.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • Czochralski法による組成傾斜がCoドープβ-FeSi2の熱起電力に与える影響

    #香月佑斗, @松川祐子, #森元翔也, @佐伯龍聖, @有田誠, @宗藤伸治

    2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2023.6 

     More details

    Event date: 2023.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • 薄膜Si熱電発電素子の発電特性に及ぼす温度条件の影響

    #濱砂敦志, #岡坂達也, @佐伯龍聖, @松川祐子, @有田誠, @宗藤伸治

    2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2023.6 

     More details

    Event date: 2023.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • 一方向凝固によるV2O5熱電材料の配向制御と電気抵抗率の低減

    #前村大樹, @松川祐子, #高木健太郎, @佐伯龍聖, @有田誠, @宗藤伸治

    2023年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2023.6 

     More details

    Event date: 2023.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • Sn存在下でのSPS法によるBa8Cux Ge46−x クラスレートの熱電性能向上

    #簑島航平、@松川祐子、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • Czochralski 法で作製したSr8AlxGa16xSi30クラスレートの熱電性能にAl 置換が与える影響

    #荒木脩斗、#高木健太郎、@松川祐子、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • p/n-Si薄膜接合素子の試作と熱電発電特性

    #岡坂達也、#宮本悠希、 @松川祐子、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • p-Si/p+-Si及びn-Si/n+-Siの温度勾配垂直方向熱電発電特性

    #隈河拓斗、#木瀬浩輝、@松川祐子、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • Coドープβ -FeSi2の組成傾斜による熱起電力の向上

    @松川祐子、#森元翔也、#堀千咲、#木村祐介、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • p型Ba8CuxGe46−xクラスレートの多層化による熱起電力の向上

    #森元翔也、#香月佑斗、@松川祐子、@有田誠、@宗藤伸治

    第31回傾斜機能材料シンポジウム  2022.10 

     More details

    Event date: 2022.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎県壱岐市   Country:Japan  

  • 縮退Siを用いた等温環境下における熱-電力変換特性の調査

    #隈河拓斗、@有田 誠、@松川祐子、@宗藤 伸治

    2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2022.6 

     More details

    Event date: 2022.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • チョクラルスキー法によるp型Ba8CuxGe46-xクラスレートの高性能化

    #高木健太郎、#荒木脩斗、@有田 誠、@松川祐子、@宗藤 伸治

    2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2022.6 

     More details

    Event date: 2022.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • 内部電界を導入したp型Si 2層試料における高密度化による熱電性能向上の検証

    #青木航介、#笹岡陸人、@有田 誠、@松川祐子、@宗藤 伸治

    2022年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2022.6 

     More details

    Event date: 2022.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • p-Si/n-Siの温度勾配垂直方向熱電発電に及ぼすドーピング濃度の影響

    #木瀬浩輝,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • p型Ba-Au-Siクラスレート試料のCZ法を用いた組成傾斜による熱電発電効果

    #木村祐介,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • Ba8Alx Si46−x 単結晶の2層試料における熱電性能に対する組成の影響

    #荒木脩斗,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • 単結晶化によるBa8Cux Si46−x クラスレートの低比抵抗化

    #仲矢彩花,#簑島航平,#荒木脩斗,#笹岡陸人,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • Ga溶媒を利用したβ -FeSi2の低温晶出

    #森元翔也,#木村祐介,#堀千咲,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • p-Si 2層試料の内部電界が熱起電力に及ぼす効果

    #笹岡陸人,#中村英介,#坂本百香,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • 溶媒を利用した低温晶出によるβ-FeSi2単結晶作製の検討

    #森元翔也,#木村祐介,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2021.6 

     More details

    Event date: 2021.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • フェルミ準位の異なるn型Ba8AlxSi46-xクラスレート二層接合による熱起電力向上

    #簑島航平,#中村英介,@有田 誠,@松川祐子,@宗藤 伸治

    2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2021.6 

     More details

    Event date: 2021.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • n-Si薄膜/p-Si構造の形成と温度勾配付与時の電位分布観察

    #岡坂達也,#木瀬浩輝,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2021.6 

     More details

    Event date: 2021.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • CZ法を用いた二段階引き上げにより電位障壁を形成したBaAlSiクラスレートの熱電特性

    #荒木脩斗,#井上千穂,@松川祐子,@有田誠,@宗藤伸治

    2021年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2021.6 

     More details

    Event date: 2021.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • バンドエンジニアリングを用いた熱電性能向上の新たな試み Invited

    @宗藤 伸治、#中村 英介、@有田 誠

    日本化学会 第101春季年会(2021)  2021.3 

     More details

    Event date: 2021.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • p-Si/n-Si の温度勾配垂直方向熱電発電に及ぼす温度条件の影響

    #木瀬浩輝, #木村俊介, @有田誠, @宗藤伸治

    2020年(令和2年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2020.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • 内部電界の導入が熱電発電性能に及ぼす効果

    #中村英介, #水蘆嵩人, @有田誠, @宗藤伸治

    2020年(令和2年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2020.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • 単結晶Ba8CuxSi46-xクラスレートのCu組成制御による熱電性能の向上

    #木村 祐介, #安田 雅英, #井上 千穂, @有田 誠, @宗藤 伸治

    2020年(令和2年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2020.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • p-Si/n-Si 接合熱電材料の温度勾配垂直方向発電

    #笹岡陸人, #水蘆嵩人, @有田誠, @宗藤伸治

    2020年(令和2年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2020.11 

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:オンライン   Country:Japan  

  • The Effect of Forming Internal Electric Field in Seebeck Effect International conference

    #Momoka Sakamoto, #Rikuto Sasaoka, #Chiho Inoue, @Shinji Munetoh

    Material Research Society meeting  2020.12 

     More details

    Event date: 2020.11 - 2020.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • Synthesis of P-Type BaCuSi Clathrate for Thermoelectric Materials International conference

    #Chiho Inoue, @Shinji Munetoh, #Masahide Yasuda, #Yuichiro Magami, #Zilong Zhang

    Material Research Society meeting  2020.12 

     More details

    Event date: 2020.11 - 2020.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • バンド構造制御による新たな熱ー電力変換技術 Invited

    @宗藤伸治

    日本化学会第 100 春季年会  2019.3 

     More details

    Event date: 2020.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京理科大 野田キャンパス   Country:Japan  

  • 縮退n型Si/p型BaAuSiクラスレートヘテロ接合材料を用いた狭バンドギャップ部におけるキャリア励起による熱ー電力変換の検証

    #木村俊介,#馬場勇人,@宗藤伸治

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • 縮退したnおよびp型Si半導体接合における等温環境下での熱ー電力変換の検証

    @宗藤伸治,#水蘆嵩人,#矢嶋謙太,#天野博史,@有田誠

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • 電位障壁の導入が熱電発電性能に及ぼす効果

    #中村英介,#水蘆嵩人,@有田誠,@宗藤伸治

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • n型及びp型縮退シリコン層間に挿入された狭バンドギャップ層におけるキャリア熱励起を用いた熱ー電力変換

    #水蘆嵩人,#矢嶋謙太,@宗藤伸治

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • β-FeSi2中のSi微細析出による熱電特性向上の検討

    #河原健太,#荒牧信助,#岩下翔太,@有田誠,@宗藤伸治

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • P型BaCuSiクラスレートの作製

    #井上千穂,#安田雅英,#眞上祐一郎,@宗藤伸治,#森佑一

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • Ba8CuxSi46-xクラスレートの単結晶化による高性能化

    #眞上祐一郎,#平島吏桜,#張子龍,@宗藤伸治,#森佑一

    第29新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2019.11 

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学 中之島センター   Country:Japan  

  • 高圧ねじり加工によるMgOの光触媒機能創出

    #藤田 育郎、@Edalati Kaveh、#王 青、@有田 誠、@宗藤 伸治、@堀田 善治

    日本金属学会 第165回秋期大会  2019.9 

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:岡山大学   Country:Japan  

  • S添加γ系ステンレス鋼でのボイド生成-成長に及ぼす溶接熱の影響

    #中村英介, #日下部圭祐, #木村俊介,@古君修, @宗藤伸治, @荒牧正俊

    平成31年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2019.6 

     More details

    Event date: 2019.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本県民交流館パレア   Country:Japan  

  • バルクβ-FeSi2の作製およびSi微細析出による熱電性能向上の検討

    #河原 健太,#荒牧 信助,#岩下 翔太,@有田 誠,@宗藤 伸治

    平成31年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2019.6 

     More details

    Event date: 2019.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本県民交流館パレア   Country:Japan  

  • 分子動力学を用いたナノ微粒子の挙動シミュレーション Invited

    宗藤伸治、@松原典恵

    第124回マイクロ接合研究委員会  2018.12 

     More details

    Event date: 2018.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学医学・工学研究科 東京ブランチ   Country:Japan  

  • Manufacturing P- and N-type polycrystalline Ba8PtxSi46-x clathrates and improvement of thermoelectric performance International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • Thermal probe method analysis for Ba8AuxSi46-x single crystal clathrate with Au composition gradient Invited International conference

    Shinji Munetoh, Yuuki Osakabe and Keita Yamasoto

    ISFGMs2018  2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Single Crystallization of Ba8GaxGe46-x Clathrate by CZ method International conference

    Ginshiro Utsumi, Hayato Baba, Shota Iwashita and Shinji Munetoh

    ISFGMs2018  2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Effect of Vacancy in Ba8AuxSi46-x Clathrate on Carrier Type by Rietveld Refinement and First-Principles Calculation International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • Thermoelectric Properties of Ba8AuxGeySi46-x-y Clathrate at High Temperature International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • SPS simultaneous sintering of two powders with different melting points International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • Fabrication of single crystal Ba8CuxSi46-x clathrate with composition gradient by two-stage Czochralski method International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • Single Crystallization Of Ba8PtxSi46-x Clathrate For Improvement Of Thermoelectric Properties International conference

    2018.8 

     More details

    Event date: 2018.8

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kokura, Japan   Country:Japan  

  • Electric Power Generation from Waste heat without Temperature Gradient Invited International conference

    Shinji Munetoh, Yuki Osakabe, Osamu Furukimi

    CIMTEC2018  2018.6 

     More details

    Event date: 2018.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Italy  

  • SPSを用いた温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発 Invited

    宗藤 伸治、#刑部 有紀、#山外 啓太、#岩永 純平、三浦 秀士、古君 修

    第 22 回 通電焼結研究会  2017.11 

     More details

    Event date: 2017.11 - 2017.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:仙台市内 ホテル華乃湯   Country:Japan  

  • リートベルト解析による結晶構造解析とEPMAの組成分析 Invited

    宗藤 伸治、#刑部 有紀、#岩下 翔太、古君 修

    第35回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会  2017.11 

     More details

    Event date: 2017.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:株式会社島津製作所 関西支社 マルチホール   Country:Japan  

  • 等温下での発電を可能にするpn 接合型発電の現状 Invited

    宗藤伸治, #刑部有紀, 古君修

    第14 回日本熱電学会学術講演会  2017.9 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:大阪大学豊中キャンパス   Country:Japan  

    タービンなどの大型装置を用いずに熱から
    電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。
    熱電発電についてはここで説明するまでもな
    く、材料内に温度差を与え、ゼーベック効果に
    より発生する起電圧を利用することになる。高
    温部から低温部への熱流が同時に生じるため、
    低温部からの放熱のため、変換効率を低下させ
    るジレンマも同時に有することとなる。そこで、
    今回は、太陽電池のようなp/n 接合おいて、接
    合部のバンドギャップが狭くなるようなバン
    ド構造を形成すれば、試料に温度差を与えるこ
    となく均一に加熱することにより、p/n 接合部
    においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化
    させることなく電荷分離することが可能であ
    ると考え、そのようなp/n 接合素子の作製を試
    みた研究を紹介する。
    実験方法
    本研究では、組成に応じてバンドギャップが
    変化することが報告されているBa8AuxSi46-x ク
    ラスレートに注目し、偏析を利用することによ
    り、組成傾斜材料の作製を試みた。高純度の
    Ba, Au, Si をBa:Au:Si = 8:8:38 となる
    ように秤量し、アーク溶融法により合金化した
    後、得られた試料を原料としてCZ 法により単
    結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結
    晶の体積を調整することにより、組成傾斜
    Ba8AuxSi46-x クラスレート単結晶作製を行った。
    結果と考察
    作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切
    りに切り出した試料の組成分析の結果から、こ
    の試料は上部から下部にかけて徐々にAu の濃
    度が上昇している組成傾斜材料であることが
    分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼ
    ーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の
    部分はn 型であり、引き上げ後期にはp 型の材
    料になっていることが確認できた。さらに、XRD
    やEBSP の結果により今回作製した試料が単結
    晶Ba8AuxSi46-x クラスレートであることも確認
    された。以前の研究により、真性半導体に近い
    組成のBa8AuxSi46-x クラスレートは、狭いバン
    ドギャップを有し、n 型もしくはp 型側に組成
    がずれるほど、ワイドバンドギャップ化するこ
    とが分かっている。よって、今回得られた単結
    晶試料は種結晶に近い側から、n 型→真性→p
    型半導体となっており、同時にバンドギャップ
    は、wide→narrow→wide となっていることが
    想像される。この試料を用いて、試料内に温度
    差が無いように試料全体を昇温する実験を行
    い、試料pn 両端の電圧を測定した結果、500
    度において1.9mV 程度の電圧が観測された。
    結言
    本研究で観測された電圧はp/n 接合におい
    て接合部のバンドギャップが狭くなるような
    バンド構造を形成した場合、試料に温度差を与
    えることなく均一に加熱することにより、p/n
    接合部においてのみキャリアを励起し、バンド
    の曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電
    圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、
    本研究により提唱された新たな発電メカニズ
    ムの検証についても講演する予定である。

  • 狭バンドギャップ部からの熱による電子励起を利用した等温下での新たな熱-電力変換技術 Invited

    宗藤 伸治、#刑部 有紀、古君 修

    日本金属学会創立80周年記念シンポジウム  2017.9 

     More details

    Event date: 2017.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

    【緒言】内燃機関では本来の人の移動や貨物の移動に有効利用されるエネルギーは、投入エネルギーの約30%ほどであり、大部分を占める排熱を回収する技術が盛んに研究されている。タービンなどの大型装置を用いずに熱から電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。熱電発電では材料に温度差を与えた場合に生じるゼーベック効果を用いて行われているが、温度差を与えたことにより発生する熱流によるエネルギーロスが同時に生じるため、変換効率は10%程度にとどまっている。そこで、我々は太陽電池のようなp/n接合おいて、接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成すれば、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化させることなく電荷分離することが可能であると考え、そのようなp/n接合素子の作製を試みた。
    【実験方法】本研究では、組成に応じてバンドギャップが変化することが報告されているBa8AuxSi46-xクラスレートに注目し、偏析を利用することにより、組成傾斜材料を作製することを試みた。高純度のBa, Au, SiをBa:Au:Si = 8:8:38となるように秤量し、アーク溶融法により合金化した後、得られた試料を原料としてCZ法により単結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結晶の体積を調整することにより、組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶の引き上げを行った。
    【結果および考察】作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切りに切り出した試料の組成分析の結果から、この試料は上部から下部にかけて徐々にAuの濃度が上昇している組成傾斜材料であることが分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の部分はn型であり、引き上げ後期にはp型の材料になっていることが確認できた。さらに、XRDやEBSPの結果により今回作製した試料が単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートであることも確認された。以前の研究により、真性半導体に近い組成のBa8AuxSi46-xクラスレートは、狭いバンドギャップを有し、n型もしくはp型側に組成がずれるほど、ワイドバンドギャップ化することが分かっている。よって、今回得られた単結晶試料は種結晶に近い側から、n型→真性→p型半導体となっており、同時にバンドギャップは、wide→narrow→wideとなっていることが想像される。この試料を用いて、試料内に温度差が無いように試料全体を昇温する実験を行い、試料pn両端の電圧を測定した結果、500度において1.9mV程度の電圧が観測された。以上より、p/n接合において接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成した場合、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみキャリアを励起し、バンドの曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、本研究により提唱された新たな発電メカニズムの検証についても講演する予定である。

  • プラズマ焼結を用いて作製された組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラス レートによる温度差を必要としない発電メカニズムの検証

    宗藤伸治, #徳永拓郎, #岩永純平, #刑部有紀, 古君修

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2017.8 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2016.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  • 二段階チョクラルスキー法による 組成傾斜Ba8CuxSi46-x単結晶クラスレートの作製

    #馬場勇人, #刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2017.8 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2016.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  • 高温域におけるBa8AuxGeySi46-x-y系クラスレート化合物の 熱電特性に関する研究

    #荒牧信助, #矢嶋謙太, #天野博史, #刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2017.8 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2016.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  • リートベルト解析によるBa8AuxSi46-xクラスレートの 空孔濃度を考慮した半導体特性の考察

    #岩下翔太, #刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2017.8 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2016.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  • 融点の異なる二つの粉体のSPSによる同時焼結

    #矢嶋謙太, #荒牧信助, #岩永純平, #刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2017.8 

     More details

    Event date: 2017.8 - 2016.8

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋工業大学   Country:Japan  

  • 未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない革新的発電材料の研究開発 Invited

    宗藤 伸治

    2017排熱コンソーシアム  2017.4 

     More details

    Event date: 2017.4

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  • クラスレート型熱電発電材料の開発

    寺西 亮, 松崎 宏太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修, 金子 賢治

    日本鉄鋼協会平成29年度春季講演大会  2017.3 

     More details

    Event date: 2017.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:首都大学東京   Country:Japan  

  • pn接合型熱電の現状 Invited

    宗藤 伸治

    2016熱電シンポジウム  2016.12 

     More details

    Event date: 2016.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東京工業大学   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない発電材料‐狭バンドギャップ部における電子の熱励起を利用‐ Invited

    宗藤 伸治

    第25回日本材料学会九州支部技術懇話会  2016.12 

     More details

    Event date: 2016.12 - 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北九州国際会議場   Country:Japan  

  • サーマルプローブ法を用いた組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶における温度差を必要としない発電メカニズムの検証 Invited

    宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 古君 修

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:日本大学理工学部 駿河台キャンパス   Country:Japan  

  • SPS法により作製されたBa8AuxSi46-xクラスレートにおける新たな熱—電力変換効果の検証

    刑部有紀, 小坪優一, 辰見翔太, 岩永純平, 山外啓太, 三好和之助, 宗藤 伸治, 古君 修, 中島 邦彦

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:日本大学理工学部 駿河台キャンパス   Country:Japan  

  • 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレートを用いた新しい発電メカニズムの検証

    辰見翔太, 小坪優一, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:日本大学理工学部 駿河台キャンパス   Country:Japan  

  • 多結晶クラスレートによる等温環境下での発電の検証および向上

    岩永純平, 天野博史, 三好和之輔, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:日本大学理工学部 駿河台キャンパス   Country:Japan  

  • 高キャリア濃度試料における微小ホール電圧測定法の開発

    小坪優一, 辰見翔太, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:日本大学理工学部 駿河台キャンパス   Country:Japan  

  • シリコンクラスレート結晶を用いた温度差を必要としない発電 Invited

    宗藤 伸治, 刑部有紀, 山外啓太, 三浦 秀士, 古君 修

    平成28年度粉体粉末冶金協会秋季講演大会  2016.11 

     More details

    Event date: 2016.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東北大学青葉山キャンパス   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない発電材料 Invited

    宗藤 伸治

    第16回北九州産学連携フェア  2016.10 

     More details

    Event date: 2016.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:北九州学研都市   Country:Japan  

  • BaGaGeSiクラスレート化合物における相の均質化およびp型を示す熱電材料の作製

    天野博史, 岩永純平, 三好和之, 宗藤 伸治, 古君 修

    第13回日本熱電学会学術講演会  2016.9 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京理科大学葛飾キャンパス   Country:Japan  

  • 多結晶クラスレートによるNarrow Band Gapを利用した等温環境下での発電検証

    岩永純平, 三好和之輔, 天野博史, 宗藤 伸治, 古君 修

    第13回日本熱電学会学術講演会  2016.9 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京理科大学葛飾キャンパス   Country:Japan  

  • 高キャリア濃度を有する試料におけ微小ホール電圧測定法の開発

    小坪優一, 辰見翔太, 山外啓太, 刑部有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    第13回日本熱電学会学術講演会  2016.9 

     More details

    Event date: 2016.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京理科大学葛飾キャンパス   Country:Japan  

  • 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレート作製による新たな発電メカニズムの検証

    辰見 翔太, 山外 啓太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2016.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • 多結晶クラスレートによるNarrow Band Gapを利用した温度差を必要としない発電の検証

    岩永純平, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2016.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • BaGaGeSiクラスレート化合物における相の均質化およびp型熱電材料の作製

    天野博史, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2016.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • 高キャリア濃度材料の微小ホール電圧測定法の開発

    小坪優一, 山外 啓太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2016.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • SPSによる融点の異なる二つの粉体の同時焼結

    #矢嶋謙太, #荒牧信助, #岩永純平, 宗藤伸治, 古君修

    平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2017.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学   Country:Japan  

    【緒言】
    自動車などの内燃機関で排熱として捨てられる約70%のエネルギーを有効活用するため、熱を直接電気に変換し再利用できる熱電材料が注目されている。最近、我々の研究グループにおいて、従来の温度差を利用したゼーベック効果による発電とは異なる温度差を必要としない新しい発電効果の研究について報告を行った。この効果ではバンドギャップの大きい材料と小さい材料を連続的に接合させ昇温することにより、バンドギャップが小さい部分からのみ電子励起を起こし、電荷分離を行うことにより発電が可能であると考えられる。本研究では、融点が異なる二つの粉末材料を同時に焼結することにより異相界面をもつ焼結体を得ることを目標に、融点の高いSiと低いGeをSPS焼結法において、温度差を付与させることで同時焼結させることを目的とした。

    【実験方法】
    純金属のSiとGeを同体積となるように秤量し、それぞれ粉砕したのちSPS焼結法で二層になるように焼結した。焼結の際に二層に温度差を付与しない従来のSPS法と温度差を付与する新しいSPS法の二つを用いた。試料を装填する焼結型を上下対象に固定する従来のSPS法と比べて、新しいSPS法では焼結型の位置を変えることによって上下で断面積に差をつけることによる電流密度の偏りによって焼結型と試料の抵抗による発熱量に差が生じ温度差が付与されると考えた。焼結進度を評価するために光学顕微鏡による観察、アルキメデス法による密度測定、空隙率の測定によって比較した。次に温度差を付与した焼結において保持時間を5分、1時間、10時間と変化させて焼結を比較した。

    【結果および考察】
    有限要素法によるシュミュレーションの結果より、焼結型の位置を変えた場合Si側とGe側で温度差が約200℃付与されたことが確認された。図1に焼結前後の光学顕微鏡像を示す。温度差を付与しない場合、融点の高いSi側の層は焼結が不十分であった。焼結時にSi側の温度が高くなるように温度差を付与した場合は、Si側、Ge側とも焼結が進んでいた。この結果より温度差を付与してSPS焼結させることは融点の異なる二つの粉体の同時焼結において有効であることがわかった。しかしながら、温度差を付与して場合においてもSi側にはわずかに空隙が確認され、焼結時の保持時間を増加させても完全に消滅されることはできなかった。これはSi側に付与される温度が不十分であったためと考えられるが、Geの融点が小さくSPS焼結における温度は、これ以上、上げることはできないため、改善策としてより温度差を付与することができる焼結法の模索や温度差を必要としない新しい発電効果を発現しうる二層の組み合わせの中でより融点差の小さな元素系の模索が必要と思われる。

  • SPS法を用いた新たな熱-電力変換効果試料の作製

    #刑部有紀, #岩永純平, 宗藤伸治, 古君修, 中島邦彦

    平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2017.6 

     More details

    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学   Country:Japan  

    【緒言】
    我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。


    【実験方法】
    高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。


    【結果および考察】
    XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。

  • 二段階チョクラルスキー法による組成傾斜Ba8CuxSi46-x単結晶の作製

    #馬場勇人、#辰見翔太、#小坪優一、宗藤伸治、古君修

    平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2017.6 

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    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学   Country:Japan  

    【緒言】
    従来、排熱回収として温度差を利用したゼーベック効果を用いた熱電発電が挙げられるが、最近、我々の
    グループは温度差を必要とせず均一温度で昇温のみを行うことにより発電することのできる新たな発電メカ
    ニズムの研究を行い報告を行った。この新たな発電メカニズムでは、試料内でのバンドギャップを制御し、
    バンドギャップの大きい部分と小さい部分を接合させることにより、狭バンドギャップ部でのみ熱励起を起
    こすことにより発電が可能となっていると考えられている。昨年の本学会においてバンドギャップが組成に
    応じて変化すると報告されているBa8CuxSi46-xクラスレートを用いて、チョクラルスキー法(CZ法)により偏析
    を利用し試料内でのCu組成を変化させることによりバンドギャップを変化させたn型単結晶Ba8CuxSi46-xクラ
    スレートを作製し、等温下での発電を観測し報告を行った。本研究では、試料内でのCu組成をさらに大きく
    変化させるためにCuドープ量の少ない単結晶Ba8CuxSi46-xクラスレートを作製した後に、それを種結晶として、
    Cuドープ量の多い融液からの引き上げを二段階で行うことにより、更なる高性能化を試みた。
    【実験方法】
    Cuドープ量の少ないBa8CuxSi46-xクラスレート単結晶を作製するために、x=4となるように各純元素を秤量し、
    アーク溶融法を用いて合金を作製した。このアーク後の合金を原料として、CZ法により単結晶化を行った。
    次に、Cuドープ量の多い融液からの引き上げを行うために、x=9となるように、各元素を秤量し、アーク溶融
    法により合金を作製した。この合金を融液原料とし、先に作製しておいた単結晶を種結晶としてCZ法を行っ
    た。得られた結晶について、構造解析や組成分析を行った後、Cuドープ量の少ない種結晶とドープ量の多い
    単結晶の界面を含むように切り出された試料を用意し、等温に昇温することによって得られる起電力を測定
    し、CZ法一段階で作製した単相の比較試料(仕込み組成Ba8Cu5Si41)と比較した。
    【結果および考察】
    一段階目のCZ法で得られた結晶および二段階目に作製された結晶層のいずれにおいても、XRDの結果よりク
    ラスレート構造を有していることを確認された。さらに、WDXの組成分析結果より、試料上部(種結晶部)から
    下部(成長層)にかけてCu組成が段々と大きくなっていることを確認された。同様に層状に切り出した比較試
    料も試料上部から下部にかけてCu組成が大きくなっていることが確認された。二段階で作製した試料と比較
    試料の持つCu組成幅を比較したところ二段階で作製した試料の上部と下部のCu組成の幅(約4.1〜5.3)は比較
    試料の持つCu組成幅(約4.2〜4.5) より高くなっていることが確認された。この二つの試料に等温に昇温する
    ことによって得られる起電力の測定を行ったところ、二つの試料ともに昇温とともに得られた起電力が大き
    くなっていくことが確認され (Fig.1)、得られ
    た最大起電力を比較したところ、二段階で作製
    した試料がより高い起電力を得たことが確認
    された。二つの試料ともに、Cu組成の小さいn
    型半導体側ではバンドギャップが広くより真
    性半導体側に近くなるにつれて狭くなると考
    えている。これを等温に昇温することによって
    バンドギャップが狭い側で価電子帯から伝導
    帯に電子が励起し拡散し電化分離するために
    起電力を得ると考えられる。今回、二段階で作
    製した試料が比較試料より高い起電力を得た
    理由として試料の持つCu組成幅が大きくなる
    ことにより、伝導帯の底のエネルギーとフェル
    ミ準位の差がより大きくなり、起電圧が大きく
    なったものと考えられる。

  • リートベルト解析によるBa8AuxSi46-xクラスレートの空孔濃度を考慮した半導体特性の考察

    #岩下翔太, #刑部有紀, 宗藤伸治, 古君修

    平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2017.6 

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    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学   Country:Japan  

    【緒言】
    我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。


    【実験方法】
    高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。


    【結果および考察】
    XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。

  • Ba8AuxGeySi46-x-y系クラスレート化合物の高温域における熱電性能の向上に関する研究

    #荒牧信助, #矢嶋謙太, #天野博史, 宗藤伸治, 古君修

    平成29年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2017.6 

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    Event date: 2016.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:熊本大学   Country:Japan  

    【緒言】
    廃熱を電気エネルギーに変換することが可能である熱電材料が近年注目されている。その中でも、低熱伝導度を有し、高温域(400〜600℃)で使用可能なシリコンクラスレートについて多くの研究が行われている。n型のシリコンクラスレート合成の報告例は多くあるが、p型合成に関しては数例しか報告例がなく、バンドギャップの小さいことによる高温域におけるゼーベック係数の低下が課題である。そこで、本研究ではワイドバンドギャップ化および、バンド構造を変化させることによる有効質量の軽減を目論み、既に報告のあるp型Ba8AuxSi46-xクラスレートをベースに、Siサイトの一部をGeに置換することによりBa8AuxGeySi46-x-yクラスレートを作製し、高温域における高性能化を試みた。

    【実験方法】
    純金属のBa、Au、Ge、Siを、Ba8Au5.2GexSi40.8-x(x=0, 17, 30、40)、Ba8Au6.0GexSi40-x(x=0, 17)の化学量論比となるように計6試料秤量し、アーク溶融法によりAr雰囲気中で合金化した。その後インゴットを粉砕し、焼結温度800℃、保持時間5分の条件で放電プラズマ焼結(SPS)にて試料を作製した。作製した試料をXRDにより結晶構造解析、EPMA(WDX)により組成分析を行った。また、ゼーベック係数、比抵抗測定を行った。

    【結果および考察】
    作製した試料のXRD結果より、すべての試料がクラスレート構造を有していることが確認できた。また、EPMAを用いたWDXによる組成分析結果より、これらの試料は仕込み組成に近い組成を有していることが確認できた。Fig.1にAuの仕込み組成を5.2とした3つの試料Ba8Au5.2Si40.8、Ba8Au5.2Ge17Si23.8、Ba8Au5.2Ge30Si10.8、Ba8Au5.2Ge40.8のゼーベック係数の温度依存性を、Fig.2にAuを6とした2つの試料Ba8Au6Si40、Ba8Au6Ge17Si23のゼーベック係数の温度依存性を示す。高温域におけるp型材料のゼーベック係数についてGe置換前後で比較すると、Au=5.2、Au=6共にGe置換によってゼーベック係数は大幅に向上した。これはSiに比べGeの有効質量が小さいことによると考えられる。また、Ba8Au5.2Ge30Si10.8ではBa8Au5.2Si40.8に比べて、ゼーベック係数の向上に加えてゼーベック係数のピーク位置が高温側に移行した。これはSiに比べGeのバンドギャップが大きいことにより、真性遷移温度が高温側へ移行したためと考えられる。Fig.1においてBa8Au5.2Ge40.8のみゼーベック係数が負の値、その他の試料はゼーベック係数が正の値となり、Ba8Au5.2Ge40.8のみn型半導体であることが確認された。これはGeがSiに比べてアクセプターとして働く原子空孔が少なく、電子優勢になっているためと考えられる。以上よりBa8AuxSi46-xクラスレートのSiをGeに置換することで、高温域においてゼーベック係数の向上が可能であることが示唆された。

  • A New View of the Low-Temperature Sintering Phenomenon of Particle of Scores of Nanometers Based on the Molecular Dynamics Study International conference

    Norie Matsubara, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi

    2016 MRS spring Meeting  2016.3 

     More details

    Event date: 2016.3 - 2016.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • 組成傾斜Ba8CuxSi46-xクラスレートを利用した新たな熱-電力変換の検証

    刑部有紀, 山外啓太, 三好和之輔, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会  2015.12 

     More details

    Event date: 2015.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:琉球大学工学部   Country:Japan  

  • A Novel Electric Power Generation Mechanism from Waste Heat without Temperature Gradient International conference

    Keita Yamasoto, Yuki Osakabe, Sota Adachi, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi

    2015 MRS fall Meeting  2015.11 

     More details

    Event date: 2015.11 - 2015.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • 温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発:その2

    宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修

    第33回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会  2015.11 

     More details

    Event date: 2015.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:島津製作所東京支社イベントホール   Country:Japan  

  • 『超常識の新規創電技術』 未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない発電材料

    宗藤 伸治

    エネルギー・資源技術部会 エネルギー分科会  2015.10 

     More details

    Event date: 2015.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:新化学技術推進協会(JACI)三番町KSビル   Country:Japan  

  • Ba8CuxSi46-xクラスレートによる温度差を必要としない発電の可能性

    三好和之輔, 山外啓太, 刑部有紀, 下西圭佑, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2015.9 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学西新プラザ   Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションを用いたナノ粒子の拡散係数に関する数値解析

    松原典恵, 宗藤 伸治, 古君 修

    第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2015.9 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学西新プラザ   Country:Japan  

  • 狭バンドギャップ部における電子の熱励起を利用した温度差を必要としない発電材料 Invited

    宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修

    第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2015.9 

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    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:九州大学西新プラザ   Country:Japan  

  • 組成傾斜化Ba8AuxSi46-x単結晶クラスレートによる新たな発電方法の検証

    山外啓太, 三好和之輔, 下西 圭佑, 刑部有紀, 足立爽太, 宗藤 伸治, 古君 修

    第12回日本熱電学会学術講演会  2015.9 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学エネルギー基盤技術国際教育研究センター   Country:Japan  

  • バンドギャップ狭小部分における電子励起を利用した発電についての理論計算

    宗藤 伸治, 山外啓太, 刑部有紀, 足立爽太, 古君 修

    第12回日本熱電学会学術講演会  2015.9 

     More details

    Event date: 2015.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学エネルギー基盤技術国際教育研究センター   Country:Japan  

  • F e - N 二元系材料の分子動力学計算に適用可能な原子間ポテンシャルの構築

    山口政臣, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 横田 毅

    2015年日本鉄鋼協会第169回春季講演大会  2015.3 

     More details

    Event date: 2015.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京大学   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない新規熱-電力変換材料の開発

    足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修

    第32回島津製作所マイクロアナリシス研究懇談会  2014.11 

     More details

    Event date: 2014.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:島津製作所関西支社マルチホール   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない新たな熱-電力変換材料

    宗藤 伸治

    2015年JST新技術説明会  2014.10 

     More details

    Event date: 2014.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:JST東京本部別館ホール   Country:Japan  

  • 組成傾斜単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートによる新たな発電メカニズム

    刑部 有紀, 足立 爽太, 宗藤 伸治, 古君 修

    2014年第11回日本熱電学会学術講演会  2012.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:独立行政法人物質・材料研究機構 千現地区管理棟   Country:Japan  

  • メカニカルミリング及びSPSにおける多結晶Ba8AlxSi46-xクラスレートの熱電性能向上

    下西 圭佑, 大中 皓允, 長田 稔子, 宗藤 伸治, 三浦 秀士, 古君 修

    2014年第11回日本熱電学会学術講演会  2012.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:独立行政法人物質・材料研究機構 千現地区管理棟   Country:Japan  

  • 純鉄の局部変形エネルギーに及ぼす結晶粒径、ひずみ速度の影響

    平島拓弥, 西村拓也, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 上路林太郎

    2014年日本鉄鋼協会第168回秋季講演大会  2014.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  • 金属ナノ粒子焼結挙動:分子動力学的研究

    松原 典恵, 宗藤 伸治, 古君 修

    2014年第75回応用物理学秋季学術講演会  2014.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない新たな熱-電力変換メカニズムの理論解析

    足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    2014年第75回応用物理学秋季学術講演会  2014.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

  • 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートを用いた新たな熱-電力変換メカニズム

    宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 下西 圭佑, 大中 皓允, 鬼塚 裕介, 古君 修

    2014年第75回応用物理学秋季学術講演会  2014.9 

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北海道大学   Country:Japan  

  • Ba8MxSi46-x(M = Au, Al, Cu)クラスレートの第一原理計算による電子構造解析

    足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    2014年第25回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2014.7 

     More details

    Event date: 2014.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福島県 郡山ユラックス熱海   Country:Japan  

  • 組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶を用いた新たな熱-電力変換メカニズム

    宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 下西 圭佑, 大中 皓允, 鬼塚 裕介, 古君 修

    2014年第25回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  2014.7 

     More details

    Event date: 2014.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福島県 郡山ユラックス熱海   Country:Japan  

  • 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートの組成傾斜化による新たな発電方法の検証

    刑部 有紀, 足立 爽太, 鬼塚 裕介, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2014.6 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • 温度差を必要としない熱-電力変換メカニズム

    宗藤 伸治, 刑部 有紀, 足立 爽太, 大中 皓允, 下西 圭佑, 鬼塚 裕介, 古君 修

    平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2014.6 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • Ba8AuxSi46-xクラスレートの第一原理計算によるバンド構造解析

    足立 爽太, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2014.6 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • メカニカルミリング及びSPSにおける多結晶n型Ba8AlxSi46-xクラスレートの高性能化

    下西 圭佑, 大中 皓允, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成26年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2014.6 

     More details

    Event date: 2014.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • Effect of Number of Grain on Ductile Fracture Behavior of Iron by Molecular Dynamics Simulation International conference

    Takuya Hirashima, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi

    2014.5 

     More details

    Event date: 2014.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Germany  

  • Effect of tensile strain rate on ductile fracture energy for industrial pure iron International conference

    Takuya Nishimura, Masatoshi Aramaki, Shinji Munetoh, Rintaro Ueji, Osamu Furukimi

    2014.5 

     More details

    Event date: 2014.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Germany  

  • Voids and 30000 atoms ~ Molecular dynamics (MD) simulations of ductile fracture ~ International conference

    Shinji Munetoh, Takuya Hirashima, Masatoshi Aramaki, Osamu Furukimi

    THERMEC 2013  2013.12 

     More details

    Event date: 2013.12

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • 単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートのp,n型半導体の作製

    鬼塚 裕介, 刑部 有紀, 宗藤 伸治, 古君 修

    2013年第24回傾斜機能材料シンポジウム  2013.10 

     More details

    Event date: 2013.10 - 2013.11

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:島根県産業技術センター 機械素材研究所   Country:Japan  

  • 延性破壊特性に及ぼす結晶粒界の影響 鉄鋼材料の延性破壊機構-3

    西村拓也, 村田 佳祐, 河内将志, 平島拓弥, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修, 上路林太郎

    2013年日本鉄鋼協会第166回秋季講演大会  2013.9 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:金沢大学   Country:Japan  

  • Voids and 30000 atoms ~ Molecular dynamics (MD) simulations of ductile fracture ~ International conference

    Shinji Munetoh

    Adventures in the Physical Metallurgy of Steels  2013.7 

     More details

    Event date: 2013.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United Kingdom  

  • Chemical composion of Cu substitution Si based clathrate after annealing International conference

    Bin Liu, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh

    The 32nd International Conference on Thermoelectrics  2013.7 

     More details

    Event date: 2013.6 - 2013.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Thermoelectric Properties of n- and p-Type Ba8AuxSi46-x Clathrate International conference

    Shinji Munetoh, Makoto Saisho, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi

    The 32nd International Conference on Thermoelectrics  2013.7 

     More details

    Event date: 2013.6 - 2013.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Thermoelectric properties of Ga-doped Ba8AlxSi46-x clathrate International conference

    Yusuke Onizuka, Shinji Munetoh, Osamu Furukimi, Takuya Oka, Hideshi Miura, Toshiko Osada

    The 32nd International Conference on Thermoelectrics  2013.7 

     More details

    Event date: 2013.6 - 2013.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Structure stability of Ba8AlxSi46-x clathrates by using fi rst-principles calculations International conference

    Takuya Oka, Yuya Nagatomo, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh

    The 32nd International Conference on Thermoelectrics  2013.7 

     More details

    Event date: 2013.6 - 2013.7

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • BaAlGaSiクラスレートの熱電性能評価と単結晶化

    鬼塚 裕介, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成25年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2013.6 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • p型及びn型のBaAuSiクラスレートの作製と熱伝性能評価

    折田 昂優, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 宗藤 伸治, 古君 修

    平成25年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2013.6 

     More details

    Event date: 2013.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:くまもと県民交流館パレア   Country:Japan  

  • Ba8AlxSi46-xクラスレートのGa添加による熱電特性に及ぼす影響

    鬼塚 祐介, 長友 雄也, 最所 誠, 岡 拓也, 古君 修, 宗藤 伸治

    2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013.3 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学   Country:Japan  

  • p型Ba8AuxSi46-xクラスレートの合成および熱電性能評価

    宗藤 伸治, 最所 誠, 長友 雄也, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修

    2012年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013.3 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:神奈川工科大学   Country:Japan  

  • 延性破壊特性に及ぼす粒子間距離の影響 鉄鋼材料の延性破壊機構-1

    村田 佳祐, 新垣 翔, 豊田 洋輝, 宗藤 伸治, 荒牧 正俊, 古君 修

    2012年日本鉄鋼協会第165回春季講演大会  2013.3 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学   Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションによる鉄の破壊挙動の解明 鉄鋼材料の延性破壊機構-2

    平島 拓也, 荒牧 正俊, 古君 修, 宗藤 伸治

    2013年日本鉄鋼協会第165回春季講演大会  2013.3 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京電機大学   Country:Japan  

  • Annealing Time Dependence on the Phase Equilibria and Thermoelectric Property of Type-I Ba8Cu6Ag2Si38 Clathrate International conference

    Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Takuya Oka, Toshiko Osada, Hideshi Miura, Osamu Furukimi, Shinji Munetoh

    The 2nd International Conference on Material Science, Chemical Engineering and Mechatronics Engineering  2013.3 

     More details

    Event date: 2013.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:China  

  • p型およびn型Ba8AuxSi46-xクラスレートの熱電性能評価

    宗藤 伸治, 最所 誠, 長友 雄也, Liu bin, 岡 拓也, 長田 稔子, 三浦 秀士, 古君 修

    2012年第23回傾斜機能材料シンポジウム  2012.12 

     More details

    Event date: 2012.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:工学院大学   Country:Japan  

  • パルスレーザー蒸着法によるGdBa2Cu3Oy超伝導薄膜の結晶配向への影響因子

    井上 剣太, 菊山 達彦, 寺西 亮, 宗藤 伸治, 金子 賢治

    平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2012.6 

     More details

    Event date: 2012.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北九州国際会議場   Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションによるSi46クラスレート結晶成長中のSi136クラスレートへの相転移

    岡 拓也, 田口 潤, 宗藤 伸治

    平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2012.6 

     More details

    Event date: 2012.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北九州国際会議場   Country:Japan  

  • Ba8CuxSi46-xクラスレート化合物の単結晶化

    最所 誠, 長友 雄也, 宗藤 伸治

    平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2012.6 

     More details

    Event date: 2012.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北九州国際会議場   Country:Japan  

  • 単結晶Ba8AlxSi46-xクラスレートのAl高ドープによる高性能化

    長友 雄也, 最所 誠, 宗藤 伸治

    平成24年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2012.6 

     More details

    Event date: 2012.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:北九州国際会議場   Country:Japan  

  • Synthesis and thermoelectric properties of the p-type Ba8AuxSi46−x clathrates Invited International conference

    2012.6 

     More details

    Event date: 2012.6

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:Kyushu University   Country:Japan  

  • Synthesizing and Subsequent Annealing of Si-based Thermoelectric Material Ba8AuxSi46-x Clathrates International conference

    Bin Liu, Makoto Saisho, Yuya Nagatomo, Mikihito Tajiri, Yuusuke Nakakohara, Osamu Furukimi, Ryo Teranishi, Shinji Munetoh

    2012 MRS spring Meeting  2012.4 

     More details

    Event date: 2012.4

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • Flux pinning properties of ErBCO films by pulsed laser deposition International conference

    R.Teranishi, H.Kai, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity  2012.1 

     More details

    Event date: 2012.1

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Flux pinning properties of YBCO films with nano-particles by TFA-MOD method International conference

    Y.Masuda, R.Teranishi, K.Yamada,T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity  2012.1 

     More details

    Event date: 2012.1

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Growth process of BaZrO3 doped YBCO films by TFA-MOD method International conference

    K.Konya, Y.Masuda, R.Teranishi, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    Kyushu University & Changwon National University Joint Workshop 2012 on Superconductivity  2012.1 

     More details

    Event date: 2012.1

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Carrier Tuning of Single Crystalline Ba8AlxSi46-x Clathrate by Using Flux Czochralski Method International conference

    Y. Nagatomo, N. Mugita, Y. Nakakohara, M. Saisho, M. Tajiri, R. Teranishi and S. Munetoh

    International Symposium of ECO_MATES 2011  2011.11 

     More details

    Event date: 2011.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Thermoelectric Properties of p-Type Clathrate Ba8AuxSi46-x,International Symposium of ECO_MATES 2011 International conference

    M. Saisho, L. Bin, Y. Nagatomo, Y. Nakakohara, R. Teranishi and S. Munetoh

    International Symposium of ECO_MATES 2011  2011.11 

     More details

    Event date: 2011.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Flux pinning properties of YBCO films with nano-particles by TFA-MOD method International conference

    Y.Masuda, R.Teranishi, M.Matsuyama, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    24th International Symposium On Superconductivity  2011.10 

     More details

    Event date: 2011.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Diffusion joint properties of Ag stabilizing layer in GdBCO coated conductor Invited International conference

    R.Teranishi, T.Maebatake, K.Yamada, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    The 24th International Symposium On Superconductivity  2011.10 

     More details

    Event date: 2011.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Growth process of BZO doped YBCO film by TFA-MOD process International conference

    K.Konya, Y.Masuda, R.Teranishi, T.Kiss, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    24th International Symposium On Superconductivity  2011.10 

     More details

    Event date: 2011.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Nucleation and crystallization of Si and Ge melts during rapid cooling process: a molecular-dynamics study Invited International conference

    Y. Xiao, T. Motooka, R.Teranishi, S.Munetoh

    The 13th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University  2011.10 

     More details

    Event date: 2011.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Korea, Republic of  

  • Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors Invited International conference

    R.Teranishi, T.Maebatake, N.Mori, T.Kiss, K.Yamada, S.Munetoh, M.Yoshizumi, T.Izumi

    The 13th International Symposium on Materials Science and Engineering between Kyushu University and Chonbuk National University  2011.10 

     More details

    Event date: 2011.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Korea, Republic of  

  • Direct fabrication of patterned CdS/PbS/ZnS composite ceramics films by on-site ink-jet reaction at room temperature International conference

    Ryo Teranishi, Tomoaki Watanabe, Masahiro Yoshimura, Shinji Munetoh

    Joint Conference of The Fifth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics and The 2nd International Conference on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials  2011.6 

     More details

    Event date: 2011.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Zr化合物を添加したYBCO薄膜の結晶成長過程

    紺屋和樹、桝田靖人、寺西 亮、木須隆暢、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎

    平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2011.6 

     More details

    Event date: 2011.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • 溶液法によるYBCO膜への磁束ピン止め点の導入

    桝田靖人、松山 誠、寺西 亮、木須隆暢、宗藤伸治、山田和広、吉積正晃、和泉輝郎

    平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2011.6 

     More details

    Event date: 2011.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • クラスレート化合物によるP型熱電材料の作製

    最所 誠、中小原佑輔、長友雄也、寺西 亮、宗藤伸治

    平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2011.6 

     More details

    Event date: 2011.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • Ba8AlxSi46-xクラスレートの単結晶化およびAl高ドープによる高性能化

    長友雄也、麥田直樹、中小原佑輔、最所 誠、寺西 亮、宗藤伸治

    平成23年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2011.6 

     More details

    Event date: 2011.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州大学   Country:Japan  

  • Thermoelectric properties of single crystalline clathrate Ba8AlxSi46-x International conference

    Naoki Mugita, Yuusuke Nakakohara, Teruaki Motooka, Ryou Teranishi, Shinji Munetoh

    The 3rd International Congress on Ceramics  2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • ANGULAR DEPENDENCE OF IN-FIELD JC PROPERTIES OF ErBa2NbO6 DOPED PLD-ErBa2Cu3O7-δ FILMS International conference

    2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:筑波   Country:Japan  

  • Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound by a MOD method using TFA salts International conference

    R. Teranishi, K. Shiohara, Y. Masuda, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida, S. Munetoh, K. Kaneko, M. Inoue, T. Kiss, M. Yoshizumi, T. Izumi

    The 23th International Symposium on Superconductivity  2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound by a MOD method using TFA salts International conference

    R. Teranishi, K. Shiohara, Y. Masuda, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida, S. Munetoh, K. Kaneko, M. Inoue, T. Kiss, M. Yoshizumi, T. Izumi

    The 23th International Symposium on Superconductivity  2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Joint properties of REBCO coated conductors International conference

    T. Maebatake, Y. Ichinose, K. Yamada, N. Mori, R. Teranishi, M. Mukaida, K. Kaneko, S. Munetoh, T. Kiss, M. Inoue, M. Yoshizumi, T. Izumi

    The 23th International Symposium on Superconductivity  2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • VORTEX PINNING EFFECTS OF ARTIFIAIALLY INTRODUCED PLANAR PINNING CENTERS INTO YBCO FILMS International conference

    M. Takamura, S. Horii, A. Ichinose, R. Kita, M. Mukaida, R. Teranishi, S. Munetoh, Y. Yoshida, K. Matsumoto

    The 23th International Symposium on Superconductivity  2010.11 

     More details

    Event date: 2010.11

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors International conference

    R. Teranishi, T. Maebatake, Y. Ichinose, N. Mori, M. Mukaida, T. Kiss, M. Inoue, K. Yamada, K. Kaneko, S. Munetoh, M. Yoshizumi, T. Izumi

    International Workshop on Coated Conductors for Applications 2010  2010.10 

     More details

    Event date: 2010.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Joint properties of REBa2Cu3O7-x coated conductors International conference

    R. Teranishi, T. Maebatake, Y. Ichinose, N. Mori, M. Mukaida, T. Kiss, M. Inoue, K. Yamada, K. Kaneko, S. Munetoh, M. Yoshizumi, T. Izumi

    International Workshop on Coated Conductors for Applications 2010  2010.10 

     More details

    Event date: 2010.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Flux pinning properties of YBCO films with Sn compound addition by TFA-MOD method International conference

    Y. Masuda, Y. Miyanaga, R. Teranishi, K. Yamada, N. Mori, M. Mukaida,T. Kiss, M. Inoue,M. Yoshizumi, T. Izumi, K. Kaneko, S. Munetoh

    The 2nd Japan-Korea Superconductivity Workshop 2010  2010.10 

     More details

    Event date: 2010.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Basic research on vortex pinning effects of planar pinning centers in YBa2Cu3Oy films International conference

    M. Takamura, S. Horii, A. Ichinose, A. Ibi, Y. Yoshida, R. Kita, M. Mukaida, R. Teranishi, K. Matsumoto, T. Izumi, M. Yoshizumi, S. Munetoh

    The 2nd Japan-Korea Superconductivity Workshop 2010  2010.10 

     More details

    Event date: 2010.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Improved flux pinning properties in Ba2ErNbO6 doped PLD-ErBa2Cu3O7-δ films International conference

    2010.10 

     More details

    Event date: 2010.10

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡   Country:Japan  

  • 単結晶 BaAlSi クラスレートの熱電材料特性及び電子状態計算

    麥田 直樹、中小原 佑輔、寺西 亮、宗藤 伸治

    2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会  2010.9 

     More details

    Event date: 2010.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎大学   Country:Japan  

  • イットリウム系超伝導薄膜線材の接合特性

    前畠 徹、市瀬 祐輔、寺西 亮、森 信幸、向田 昌志、金子 賢治、宗藤 伸治、井上 昌睦、木須 隆暢、吉積 正晃、和泉 輝郎

    2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会  2010.9 

     More details

    Event date: 2010.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎大学   Country:Japan  

  • スズ化合物を添加した MOD-YBCO 膜の磁束ピン止め特性

    寺西 亮、宮長 裕二 、山田 和広、森 信幸、向田 昌志、金子 賢治、宗藤 伸治、井上 昌睦、木須 隆暢、吉積 正晃、和泉 輝郎、淡路 智

    2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会  2010.9 

     More details

    Event date: 2010.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎大学   Country:Japan  

  • アニール処理によるBa8AlxSi46-xクラスレート熱電材料の高性能化

    中小原 佑輔、 麥田 直樹、 寺西 亮、宗藤 伸治

    2010年秋季第71回 応用物理学会学術講演会  2010.9 

     More details

    Event date: 2010.9

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:長崎大学   Country:Japan  

  • ArF-PLD法によるBa(Fe1-xCox)2As2薄膜の作製

    渡邉 貴昭、吉本 貴俊、寺西 亮、向田 昌志、森 信幸、宗藤 伸治、吉田 隆、一野 祐亮、木須 隆暢、井上 昌睦、松本 要、一瀬 中

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • BaAlSi クラスレートの電子状態計算および熱電特性

    宗藤 伸治、中小原 佑輔、麥田 直樹、寺西 亮

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 化学溶液法により作製した YBCO 超伝導薄膜の電流特性高性能化

    寺西 亮、宮長 裕二、山田 和広、森 信幸、向田 昌志、宗藤 伸治、吉積 正晃、和泉 輝郎

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • Ba8AlxSi46-x クラスレートのアニール処理後の熱電材料特性

    麥田 直樹、中小原 佑輔、 寺西 亮、宗藤 伸治

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 微傾斜基板上における PLD-ErBCO 薄膜中の 1D ナノロッドの成長形態

    甲斐 英樹、向田 昌志、森 信幸、寺西 亮、宗藤 伸治、一瀬 中、堀井 滋、喜多 隆介、吉田 隆、松本 要

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • SNS接合作製のためのc-軸配向ErBCO/BZO多層膜の作製

    菊山 達彦、高村 真琴、向田 昌志、寺西 亮、宗藤 伸治、一瀬 中

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 低酸素雰囲気中成膜によるErBa2Cu3O7-δ超伝導薄膜の作製プロセスの検討

    宗 謙介、甲斐 英樹、向田 昌志、森 信幸、寺西 亮、宗藤 伸治

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 希土類系超伝導薄膜線材の接合

    前畠 徹、市瀬 祐輔、森 信幸、寺西 亮、山田 和広、向田 昌志、宗藤 伸治、吉積 正晃、和泉 輝郎

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • Ba8AlxSi46-x クラスレートの単結晶化

    中小原 佑輔、麥田 直樹、寺西 亮、宗藤 伸治

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 屈折率分布制御のための分子動力学的解析

    田口 潤、Xiao Yanping、寺西 亮、宗藤 伸治

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • Ar-F PLD 法による FeSe1-XSX 薄膜の作製

    藤井 由隆、寺西 亮、宗藤 伸治、森 信幸、向田 昌志、井上 昌睦、木須 隆暢、 松本 要、吉田 隆、一野 祐亮、一瀬 中

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • フッ素フリーMOD 法による YBCO 超伝導薄膜の作製

    桝田 靖人、西江 亮太、寺西 亮、森 信幸、向田 昌志、宗藤 伸治

    平成22年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2010.6 

     More details

    Event date: 2010.6

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • SPSにおける小粒径化によるn型Ba8AlxSi46-xクラスレートの熱電性能向上

    大中 皓充, 長田 稔子, 宗藤 伸治, 三浦 秀士, 古君 修

    2013年第10回日本熱電学会学術講演会  2013.9 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:名古屋大学   Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションによる非晶質シリコンの構造解析

    宗藤伸治,石丸学,本岡輝昭

    平成8年度応用物理学会九州支部学術講演会  1996.12 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学法を用いた融液からの急冷による非晶質シリコンの作成

    宗籐伸治、石丸 学、本岡輝昭

    平成9年春季第44回応用物理学関係連合講演会  1997.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 融液からの結晶シリコン成長時における欠陥の生成過程

    石丸 学、宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭

    日本金属学会平成10年度春期大会  1998.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 融液シリコンからの結晶成長時における欠陥形成の分子動力学シミュレーショ ン

    石丸 学、宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭

    第45回応用物理学関係連合講演会  1998.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si Invited International conference

    T. Motooka and S. Munetoh

    4-th Int. Conf. on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids  1998.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si

  • Si固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション Invited

    本岡輝昭、宗藤伸治、西平健

    第46回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「イオンビーム誘起結晶成長技術の新たな展望」  1999.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Si-O系に適用可能な経験的原子間相互ポテンシャル

    宗籐伸治、本岡輝昭、森口晃治、新谷 昭

    平成11年秋季第60回応用物理学会学術講演会  1999.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Uniaxial strain observed in solid/liquid interface during crystal growth from melted Si: A molecular dynamics study International conference

    K. Nishihira, S. Munetoh, and T. Motooka

    8-th Int. Conf. on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  1999.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    Uniaxial strain observed in solid/liquid interface during crystal growth from melted Si: A molecular dynamics study

  • Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation International conference

    T. Motooka and K. Nisihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, and A. Shintani

    Materials Research Society meeting  1999.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation

  • 住金におけるエレクトロニクス材料の研究と開発 Invited

    宗藤 伸治

    21世紀COE「産学連携教育プロジェクト」講演会  2003.2 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF NUCLEATION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES DURING EXCIMER-LASER ANNEALING OF AMORPHOUS SILICON ON GLASS International conference

    T. Motooka, S. Munetoh, Lee Byoung Min and K. Nisihira

    Materials Research Society meeting  2003.4 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF NUCLEATION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES DURING EXCIMER-LASER ANNEALING OF AMORPHOUS SILICON ON GLASS

  • BaAlSi系クラスレートの合成および熱電性能評価

    宗籐伸治、亀井一人

    平成15年秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • エキシマレーザアニルによる自然冷却下の速度分布の分子動力学シミュレーション

    Lee Byoung Min,宗藤伸治,本岡輝昭

    平成15年度応用物理学会  2003.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent International conference

    K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima

    ICSCRM  2003.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:France  

    Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent

  • Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy International conference

    T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima

    ICSCRM  2003.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:France  

    Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy

  • TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent International conference

    K. Kamei, K. Kusunoki, S. Munetoh, T. Ujihara and K. Nakajima

    ICSCRM  2003.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:France  

    TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent

  • Moleculr Dynamics Simulations of Velocity Distribution and Local Temperature Changes During Rapid Cooling Processes in Excimer-laser Annealed Silicon International conference

    B. M. Lee, S. Munetoh, and T. Motooka

    Material Research Society meeting  2003.12 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

    Moleculr Dynamics Simulations of Velocity Distribution and Local Temperature Changes During Rapid Cooling Processes in Excimer-laser Annealed Silicon

  • 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション(1)

    Lee Byoung Min、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭

    平成16年度日本鉄鋼協会/日本金属学会 九州支部春季講演会  2004.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 石英基板上融液シリコンの結晶成長シミュレーション(2) : 過冷却液体からの核生成の解析

    倉永卓英、Lee Byoung Min、宗藤伸治、本岡輝昭

    平成16年度日本鉄鋼協会/日本金属学会 九州支部春季講演会  2004.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長

    楠 一彦,宗藤伸治,亀井一人,長谷部光弘,宇治原 徹,中嶋一雄

    平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会  2004.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価

    宇治原 徹,宗藤伸治,楠 一彦,亀井一人,藤原航三,佐崎 元,宇佐美徳隆,中嶋一雄

    平成16年春季 第51回応用物理学関係連合講演会  2004.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Molecular Dynamics Study of Nucleation and Crystal Growth of Si on Nano-Structured Glass Substrates International conference

    B. -M. Lee, T. Kuranaga, S. Munetoh, and T. Motooka

    The 1st International Symposium on Functional Innovation of Molecular Informatics  2004.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

    Molecular Dynamics Study of Nucleation and Crystal Growth of Si on Nano-Structured Glass Substrates

  • 分子動力学シミュレーションによるエキシマレーザーアニールの結晶化過程の解析

    倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭

    平成16年度応用物理学会九州支部学術講演会  2004.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションプログラムの並列化による高速化とシリコン結晶化過程解析への応用

    尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、李秉玖、宗藤伸治、本岡輝昭、遠藤尚彦、蕨迫光紀

    日本金属学会九州支部  2005.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九大   Country:Japan  

  • ナノ構造を持つガラス基板上非晶質シリコン薄膜の結晶成長シミュレーション

    岸川隆造、尾方智彦、倉永卓英、李秉玖、宗藤伸治、本岡輝昭

    日本金属学会九州支部  2005.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九大   Country:Japan  

  • ナノV 溝を持つガラス基板上非晶質シリコン薄膜の結晶成長シミュレーション

    岸川 隆造、尾方 智彦、倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭

    平成17年秋季 第66回応用物理学会学術講演会  2005.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  • エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション

    倉永 卓英、李 秉玖、宗藤 伸治、本岡 輝昭、遠藤 尚彦、蕨迫 光紀

    平成17年秋季 第66回応用物理学会学術講演会  2005.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 大規模分子動力学シミュレーションによるシリコン核生成過程の解析

    尾方智彦、三谷隆徳、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会  2005.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  • Molecular-Dynamics Simulations of Nucleation and Growth of Crystalline Si Films during ELA Processes(invited) Invited International conference

    T. Endo, T. Warabisako, S. Munetoh and T. Motooka

    The 12th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005  2005.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

  • エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (II)

    倉永卓英、三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、宗藤伸治、本岡輝昭

    2006年(平成18年)春季 第53回応用物理学関連連合講演会  2006.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:武蔵工業大学   Country:Japan  

  • THERMAL CONDUCTIVITY AND NATURAL COOLING RATE OF EXCIMER-LASER ANNEALED SI: A MOLECULAR DYNAMICS STUDY International conference

    Byoung Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh, and Teruaki Motooka

    Material Research Society meeting  2006.4 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • Siクラスレート熱電材料の試作と物性評価

    槇山秀樹、宗藤 伸治、本岡 輝昭

    日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会  2006.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 大規模分子動力学シミュレーションによる核生成と結晶化過程の可視化

    三谷隆徳、倉永卓英、岸川隆造、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭

    日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会  2006.6 

     More details

    Presentation type:Symposium, workshop panel (public)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • バルクSi融液物性の分子動力学シミュレーションによる解析

    倉永卓英、三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、宗藤伸治、本岡輝昭

    日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会  2006.6 

     More details

    Presentation type:Symposium, workshop panel (public)  

    Venue:九州工業大学   Country:Japan  

  • 大規模分子動力学法によるシリコンの核生成と結晶成長過程の解析

    三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭

    平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会  2006.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Cooling Mechanism and Structural Change of Local Regions With a Different Cooling Rate of Excimer Laser Annealed Si International conference

    Byoung-Min Lee, Baek Seok Seong, Hong Koo Baik, Shinji Munetoh and Teruaki Motooka

    Material Research Society Fall meeting  2006.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • エキシマレーザーアニールによる薄膜シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション (III)

    三谷隆徳、尾方智彦、岸川隆造、倉永卓英、宗藤伸治、本岡輝昭

    2007年(平成19年)春季 第54回応用物理学関連連合講演会  2007.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションによるボイド形成過程の解析

    小笠原圭太、宗藤伸治、本岡 輝昭

    平成19年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2007.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Controlling the Nucleation Site and Crystal Orientation During Excimer-Laser Annealing Processes In Thin Amorphous SI Films on Glass: A Molecular-Dynamic Study (Invited) Invited International conference

    T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Mitani and T. Ogata

    International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Integrated Circuits and Thin Film Transistors  2007.7 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • ナノポアを通過するDNA分子運動の計算機シミュレーションによる可視化

    尾方智彦,中島久子,上田泰慎,宗藤伸治,本岡輝昭

    2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:立命館大学   Country:Japan  

  • n型 BaAlSi クラスレート熱電モジュールの作製(II)

    槇山秀樹,有田 誠,宗藤伸治,本岡輝昭

    2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:立命館大学   Country:Japan  

  • Analysis of Structural and Dynamical Properties of SiO2 During Cooling: A Molecular-dynamics Study International conference

    Byoung Min Lee, Teruaki Motooka, Shinji Munetoh, and Yeo Wan Yun

    Material Research Society Fall meeting  2007.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • ナノポアを通過するタンパク質のモンテカルロシミュレーション

    中島久子, 尾方智彦, 宗藤伸治, 本岡輝昭

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会  2007.12 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 計算機シミュレーションによるナノポア通過時のDNA分子の形状分析

    尾方智彦、中島久子、上田泰慎、宗藤伸治、本岡輝昭

    2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関連連合講演会  2008.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • ナノポアを通過するタンパク質のモンテカルロシミュレーションによる可視化

    中島久子、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭

    2008年(平成20年)春季 第55回応用物理学関連連合講演会  2008.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • A New Method to Control the Nucleation Site and Crystal Orientation during Eximer-laser Annealing Processes in Thin Amorphous Si Films on Glass: A Molecular-Dynamic Study (Invited) Invited International conference

    T. Motooka, S. Munetoh, R. Kishikawa, T. Mitani, T. Ogata and N. Matsubara

    2008 ITRI and KU Joint Symposium  2008.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学シミュレーションを用いた強度変調エキシマレーザーアニーリングによる面方位制御の提案

    松原典恵、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭

    平成20年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  2008.6 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • A New Method to Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass by Using Intensity-Modulated Excimer Laser Annealing : Molecular Dynamics Study International conference

    N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka

    THE FIFTEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES  2008.7 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • M D シミュレーションによるS i ( 1 0 0 ) / S i ( 1 1 0 )貼り合わせ基板界面構造解析

    松岡和弥、尾方智彦、宗藤伸治、本岡輝昭

    2008年度(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • 分子動力学法によるシリコン中のボイド型欠陥構造の温度依存性

    小笠原圭太、宗藤伸治、本岡輝昭

    2008年度(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Crystallization Processes of Amorphous Si During Excimer Laser Annealing in Complete-melting and Near-complete-Melting Conditions: A Molecular Dynamics Study International conference

    T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and Teruaki Motooka

    2008 Material Research Society Fall meeting  2008.12 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • Intensity-Modulated Excimer Laser Annealingto Obtain (001) Surface-Oriented Poly-Si Films on Glass: Molecular Dynamics Study International conference

    N. Matsubara, T. Ogata, T. Mitani, S. Munetoh, and T. Motooka

    2008 Material Research Society Fall meeting  2008.12 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • 強度変調エキシマレーザーアニーリングによるポリシリコン薄膜の(001)表面方位制御:分子動力学的研究

    松原典恵,尾方智彦,宗藤伸治,本岡輝昭

    2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関連連合講演会  2009.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Molecular Dynamics Simulations of Void Morphology in Crystalline Silicon: Temperature Dependence Invited International conference

    T. Ogata, S. Munetoh, and T. Motooka

    The 18th International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERIN  2009.7 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • MDシミュレーションによるSi(100)/Si(110)貼り合わせ基板界面構造解析

    松岡和弥,尾方智彦,宗藤伸治,本岡輝昭,西元 学,遠藤昭彦,宝来正隆

    2009年度(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • スマートカットによるSIMOX(100)基板上へのナノポアデバイス作製

    生駒嘉史、﨑田博文、ハフィザルビンヤハヤ、宗藤伸治、本岡輝昭、楢本洋、鳴海一雅、境誠司、前田佳均

    第4回高崎量子応用研究シンポジウム  2009.10 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Ba8AlxSi46-xクラスレート熱電材料特性のアニール処理効果

    麥田直樹, 宗籐伸治, 本岡輝昭

    平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会  2009.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Molecular-dynamics Simulations of Nucleation Process during Excimer Laser International conference

    S. Munetoh

    The 2nd International Symposium on Cutting Edge of Computer Simulation of Solidification and Casting  2010.2 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • TFA-MOD法によるYBCO膜への磁束ピン止め点の導入

    桝田靖人、寺西亮、宮長裕二、山田和広、木須隆暢、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎、森信幸、向田昌志

    2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Single Crystallization of Ba8AlxSi46-x Clathrate by Using Flax Czochralski Method International conference

    Y. Nakakohara, N. Mugita, T. Motooka, R. Teranishi and S. Munetoh

    2011 MRS spring Meeting  2011.4 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:United States  

  • MOD法によりBaZrO3を添加したYBCO膜の結晶成長過程

    寺西 亮, 紺屋和樹, 木須隆暢, 山田和広, 宗藤伸治, 吉積正晃, 和泉輝郎

    2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会  2011.9 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • TFA-MOD法によりBaZrO3を導入したYBCO膜の結晶成長過程

    寺西 亮、紺屋 和樹、木須隆暢、山田和広、宗藤伸治、吉積正晃、和泉輝郎、塩原 融

    2011年度秋季低温工学・超電導学会  2011.11 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Fe(Tex,Sy)前駆体膜の固相エピタキシャル成長による薄膜作製

    寺西 亮, 吉本貴俊, 藤井由隆, 吉田隆, 一野祐亮, 吉田圭, 宗藤伸治

    2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012.3 

     More details

    Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Ba8CuxSi46-xクラスレート化合物の熱電性能

    最所 誠, 長友雄也, Liu Bin, 宗藤 伸治, 古君 修

    2013年第九回日本熱電学会学術講演会  2012.8 

     More details

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学   Country:Japan  

  • Synthesize of n and p-type thermoelectricmaterials type-I Ba8CuxAgySi46-x-yclathrates by act-melting and annealingmethod

    2012.8 

     More details

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • CZ法によるBa8AlxSi46-xクラスレートの単結晶作製及び熱電性能評価

    宗藤 伸治, 長友雄也, 最所 誠, 古君 修

    2013年第九回日本熱電学会学術講演会  2012.8 

     More details

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:東京工業大学   Country:Japan  

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Professional Memberships

  • 応用物理学会

  • Materials Research Society

  • The Thermoelectrics Society of Japan

  • The Japan Institute of Metals and Materials

  • 傾斜材料研究会

Committee Memberships

  • Organizer   Domestic

    2021.3   

  • 傾斜材料研究会   顕彰委員長   Domestic

    2021.3   

Academic Activities

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2023

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:3

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2022

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:2

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • 実行委員長

    第30新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム(オンラインフォーラムFGMs2021)  ( 九州大学(オンライン) ) 2021.12

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

    Number of participants:100

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2021

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:3

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2020

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:2

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • 座長(Chairmanship)

    第29回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  ( 大阪大学 中之島センター ) 2019.11

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

    Number of participants:100

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2019

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:2

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • 財務委員長、実行副委員長 International contribution

    ( 北九州国際会議場 ) 2018.8

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

    Number of participants:150

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2018

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:2

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • 座長(Chairmanship)

    第14 回日本熱電学会学術講演会  ( 大阪大学 ) 2017.9

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

    Number of participants:200

  • 座長(Chairmanship)

    第28回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  ( 名古屋工業大学 ) 2017.8

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

    Number of participants:100

  • Screening of academic papers

    Role(s): Peer review

    2017

     More details

    Type:Peer review 

    Number of peer-reviewed articles in foreign language journals:2

    Number of peer-reviewed articles in Japanese journals:0

    Proceedings of International Conference Number of peer-reviewed papers:0

    Proceedings of domestic conference Number of peer-reviewed papers:0

  • 座長(Chairmanship)

    第27回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  ( 日本大学理工学部 駿河台キャンパス ) 2016.11

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship)

    平成28年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会  ( 九州大学筑紫キャンパス ) 2016.6

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship)

    第26回新構造・機能制御と傾斜機能材料シンポジウム  ( 九州大学西新プラザ ) 2015.9

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship)

    2015年第12回日本熱電学会学術講演会  ( 九州大学 ) 2015.9

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship)

    2013年第10回日本熱電学会学術講演会  ( 名古屋大学 ) 2013.9 - Present

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship) International contribution

    2007.10 - Present

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship)

    日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成18年度合同学術講演大会  ( 九州工業大学 ) 2006.6 - Present

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

  • 座長(Chairmanship) International contribution

    ( 金沢 ) 2005.7 - Present

     More details

    Type:Competition, symposium, etc. 

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Research Projects

  • デジタルを活用した大学・高専教育高度化プラン

    2020 - 2021

    文部科学省

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Contract research

  • 先端研究設備整備補助事業

    2020 - 2021

    文部科学省

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Contract research

  • 未利用熱エネルギーの革新的活用技術研究開発

    2016.4 - 2022.3

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

    多接合型熱電変換素子の革新的高効率化に関する研究開発

  • 未利用熱エネルギーの革新的活用技術研究開発

    2016 - 2022

    独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Contract research

  • 未利用熱エネルギーの革新的活用技術研究開発

    2016 - 2020

    独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Contract research

  • 「熱電変換材料・デバイス高性能高信頼化技術開発」における新たな技術シーズ発掘のための小規模研究開発

    2015.10 - 2017.10

      More details

    Authorship:Principal investigator 

    多接合型熱電変換素子の革新的高効率化に関する研究開発

  • 科研費 基盤研究(S)

    2015.4 - 2020.3

    日本学術振興会 

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

    鉄鋼材料の結晶粒微細化強化に関する学術基盤の体系化

  • 鉄鋼材料の結晶粒微細化強化に関する学術基盤の体系化

    2015 - 2020

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(S)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Scientific research funding

  • エネルギー・環境新技術先導プログラム (NEDO)

    2014.2 - 2017.2

    エネルギー・環境新技術先導プログラム (NEDO) 

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s) 

    未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない革新的発電材料の研究開発

  • 多接合型熱電変換素子の革新的高効率化に関する研究開発

    2014 - 2016

    独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) 「熱電変換材料・デバイス高性能高信頼化技術開発」における新たな技術シーズ発掘のための小規模研究開発

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Contract research

  • 未利用廃熱回収を可能とする温度差を必要としない革新的発電材料の研究開発

    2014 - 2016

    独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) エネルギー・環境新技術先導プログラム

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Contract research

  • シリコンクラスレート化合物の単結晶化による高性能熱電発電材料の探索に関する研究

    Grant number:24760538  2012 - 2014

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Scientific research funding

  • BaAlSi クラスレート化合物を用いた新規熱電発電モジュールの開発

    2011 - 2019

    平成23年度工学研究院若手研究者育成研究助成

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:On-campus funds, funds, etc.

  • シリコンクラスレート化合物を用いた新規熱電発電モジュールの開発

    2011 - 2012

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Scientific research funding

  • 新規シリコン系クラスレート化合物を用いた高効率熱電発電モジュールの開発

    2008.4 - 2009.3

    受託研究

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Other funds from industry-academia collaboration

  • シリコンクラスレートによる大出力熱電発電モジュールの開発

    2008 - 2010

    科学研究費助成事業  若手研究(A)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Scientific research funding

  • PGEC材料による大出力熱電発電モジュールの開発

    2008

    独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)若手グラント

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Contract research

  • 新規シリコン系クラスレート化合物を用いた高効率熱電発電モジュールの開発

    2007.6 - 2008.6

    受託研究

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Other funds from industry-academia collaboration

  • 新規シリコン系クラスレート化合物を用いた高効率熱電発電モジュールの開発

    2007.4 - 2008.3

    受託研究

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Other funds from industry-academia collaboration

  • 新規シリコン系クラスレート化合物を用いた高効率熱電発電モジュールの開発

    2007

    産業技術研究助成事業 (経済産業省)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Contract research

  • シリコンクラスレートによる高効率熱電発電材料の開発

    Grant number:17760535  2005 - 2007

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Scientific research funding

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Class subject

  • データサイエンス序論(Ⅱ群)

    2023.10 - 2024.3   Second semester

  • 半導体工学

    2023.10 - 2023.12   Fall quarter

  • 材料工学B

    2023.10 - 2023.12   Fall quarter

  • 半導体材料制御学

    2023.6 - 2023.8   Summer quarter

  • 材料工学情報集約演習H

    2023.4 - 2024.3   Full year

  • 材料工学研究企画演習

    2023.4 - 2024.3   Full year

  • 材料工学企画演習

    2023.4 - 2024.3   Full year

  • デバイス物理学

    2022.12 - 2023.2   Winter quarter

  • データサイエンス序論(Ⅱ群)

    2022.10 - 2023.3   Second semester

  • 半導体工学

    2022.10 - 2022.12   Fall quarter

  • 材料工学B

    2022.10 - 2022.12   Fall quarter

  • 半導体材料制御学

    2022.6 - 2022.8   Summer quarter

  • 材料工学情報集約演習H

    2022.4 - 2023.3   Full year

  • 材料工学研究企画演習

    2022.4 - 2023.3   Full year

  • 材料工学企画演習

    2022.4 - 2023.3   Full year

  • データサイエンス序論(Ⅱ群)

    2021.10 - 2022.3   Second semester

  • 半導体工学

    2021.10 - 2021.12   Fall quarter

  • 材料工学B

    2021.10 - 2021.12   Fall quarter

  • 半導体材料制御学

    2021.6 - 2021.8   Summer quarter

  • 材料工学研究企画演習

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 材料工学企画演習

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四C

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 産学連携インターンシップ

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 産学連携インターンシップ第一

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 材料工学情報集約演習H

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2021.4 - 2022.3   Full year

  • 産業科学技術特別講義

    2021.4 - 2021.9   First semester

  • 無機物質化学

    2021.4 - 2021.9   First semester

  • バイオマテリアル

    2021.4 - 2021.9   First semester

  • 物質科学工学概論第二

    2020.10 - 2021.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2020.10 - 2021.3   Second semester

  • 半導体工学

    2020.10 - 2021.3   Second semester

  • 材料物性工学演習第四B

    2020.4 - 2021.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2020.4 - 2021.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2020.4 - 2021.3   Full year

  • 物質科学工学概論第一

    2020.4 - 2020.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2020.4 - 2020.9   First semester

  • 半導体工学

    2019.10 - 2020.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2019.10 - 2020.3   Second semester

  • 物質科学工学概論第二

    2019.10 - 2020.3   Second semester

  • 物質科学情報集約演習

    2019.4 - 2020.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2019.4 - 2020.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2019.4 - 2020.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2019.4 - 2019.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2019.4 - 2019.9   First semester

  • 半導体工学

    2018.10 - 2019.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2018.10 - 2019.3   Second semester

  • 物質科学工学概論第二

    2018.10 - 2019.3   Second semester

  • 物質科学情報集約演習

    2018.4 - 2019.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2018.4 - 2019.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2018.4 - 2019.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2018.4 - 2018.9   First semester

  • 無機物質化学

    2018.4 - 2018.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2018.4 - 2018.9   First semester

  • 物質科学工学概論第二

    2017.10 - 2018.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2017.10 - 2018.3   Second semester

  • 半導体工学

    2017.10 - 2018.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2017.4 - 2018.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2017.4 - 2018.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2017.4 - 2018.3   Full year

  • 無機物質化学

    2017.4 - 2017.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2017.4 - 2017.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2017.4 - 2017.9   First semester

  • 物質科学工学概論第二

    2016.10 - 2017.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2016.10 - 2017.3   Second semester

  • 半導体工学

    2016.10 - 2017.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2016.4 - 2017.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2016.4 - 2017.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2016.4 - 2017.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2016.4 - 2016.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2016.4 - 2016.9   First semester

  • 無機物質化学

    2016.4 - 2016.9   First semester

  • 物質科学工学概論第二

    2015.10 - 2016.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2015.10 - 2016.3   Second semester

  • 材料機能学

    2015.10 - 2016.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2015.4 - 2016.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2015.4 - 2016.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2015.4 - 2016.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2015.4 - 2015.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2015.4 - 2015.9   First semester

  • 無機物質化学

    2015.4 - 2015.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2014.10 - 2015.3   Second semester

  • 半導体材料制御学

    2014.10 - 2015.3   Second semester

  • 材料機能学

    2014.10 - 2015.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2014.4 - 2015.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2014.4 - 2015.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2014.4 - 2015.3   Full year

  • 物質科学工学概論第一

    2014.4 - 2014.9   First semester

  • 無機物質化学

    2014.4 - 2014.9   First semester

  • 材料機能学

    2013.10 - 2014.3   Second semester

  • 半導体制御学

    2013.10 - 2014.3   Second semester

  • 物質科学情報集約演習

    2013.4 - 2014.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2013.4 - 2014.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2013.4 - 2014.3   Full year

  • コアセミナー

    2013.4 - 2013.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2013.4 - 2013.9   First semester

  • 材料機能学

    2012.10 - 2013.3   Second semester

  • 半導体制御学

    2012.10 - 2013.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2012.4 - 2013.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2012.4 - 2013.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2012.4 - 2013.3   Full year

  • 物質科学工学概論第一

    2012.4 - 2012.9   First semester

  • コアセミナー

    2012.4 - 2012.9   First semester

  • 材料機能学

    2011.10 - 2012.3   Second semester

  • 半導体制御学

    2011.10 - 2012.3   Second semester

  • 物質科学情報集約演習

    2011.4 - 2012.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2011.4 - 2012.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2011.4 - 2012.3   Full year

  • 熱と波動論基礎

    2011.4 - 2011.9   First semester

  • コアセミナー

    2011.4 - 2011.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2011.4 - 2011.9   First semester

  • 材料機能学

    2010.10 - 2011.3   Second semester

  • 半導体制御学

    2010.10 - 2011.3   Second semester

  • デバイス物理学

    2010.10 - 2011.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2010.4 - 2011.3   Full year

  • 物質科学情報集約演習

    2010.4 - 2011.3   Full year

  • 材料物性工学演習第四B

    2010.4 - 2011.3   Full year

  • コアセミナー

    2010.4 - 2010.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2010.4 - 2010.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2009.10 - 2010.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2009.4 - 2010.3   Full year

  • 物質科学情報集約

    2009.4 - 2010.3   Full year

  • コアセミナー

    2009.4 - 2009.9   First semester

  • 物質科学工学概論第一

    2009.4 - 2009.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2008.10 - 2009.3   Second semester

  • 物質科学情報集約

    2008.4 - 2009.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2008.4 - 2009.3   Full year

  • コアセミナー

    2008.4 - 2008.9   First semester

  • 物質科学工学実験第一

    2007.10 - 2008.3   Second semester

  • 材料機能工学講究A

    2007.4 - 2008.3   Full year

  • 物質科学情報集約

    2007.4 - 2008.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2006.10 - 2007.3   Second semester

  • 物質科学情報集約

    2006.4 - 2007.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2006.4 - 2007.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2005.10 - 2006.3   Second semester

  • 物質科学情報集約

    2005.4 - 2006.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2005.4 - 2006.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2004.10 - 2005.3   Second semester

  • 物質科学情報集約

    2004.4 - 2005.3   Full year

  • 材料機能工学講究A

    2004.4 - 2005.3   Full year

  • 物質科学工学実験第一

    2003.10 - 2004.3   Second semester

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FD Participation

  • 2023.6   Role:Moderator   Title:材料工学部門FD「ハラスメント防止のための研修」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2020.12   Role:Participation   Title:Moodle&MS Teams連携によるオンライン講義実施報告(Youtube Prezi Powerpoint Wolframcloud そして TeX)

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2020.12   Role:Participation   Title:令和2年度 第2回工学部FD(1日目) 総合型選抜の実施に向けて―面接の全般的な内容(注意事項、採点方法など)

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2020.12   Role:Participation   Title:Moodle&MS Teams連携によるオンライン講義実施報告(Youtube, Prezi, Powerpoint, Wolframcloud そして TeX)

    Organizer:University-wide

  • 2020.12   Role:Participation   Title:令和2年度 第2回工学部FD(1日目) 総合型選抜の実施に向けて―面接の全般的な内容(注意事項、採点方法など)

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2020.10   Role:Participation   Title:令和2年度 第1回工学部FD 総合型選抜の実施に向けて―評価基準の策定―

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2020.8   Role:Participation   Title:【IDE大学セミナー】大学教職員の多様な働き方について

    Organizer:University-wide

  • 2020.7   Role:Participation   Title:アフターコロナの大学はどうあるべきか

    Organizer:University-wide

  • 2019.4   Role:Participation   Title:オンライン講義の講習会

    Organizer:University-wide

  • 2018.11   Role:Participation   Title:ハラスメント防止のための研修会

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2018.1   Role:Participation   Title:M2B(みつば)学習支援システム講習会

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2017.1   Role:Participation   Title:研究費の適切使用について

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2016.6   Role:Participation   Title:ハラスメントの基礎知識、防止の心構え、具体的事例

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2016.3   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「安全に関する講習」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2015.3   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「平成27年度以後の学生実験について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2014.7   Role:Participation   Title:工学部FD「平成25年度EEP研修について」

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2014.7   Role:Participation   Title:工学部FD「新GPA制度実施に向けたFDについて」

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2014.5   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「安全衛生について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2014.3   Role:Participation   Title:工学部FD「学生のメンタルヘルス・工学講義賞受賞の先生の講演」

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2013.6   Role:Participation   Title:工学部FD「基幹教育と基幹教育カリキュラムについて」

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2013.2   Role:Participation   Title:工学部FD「工学系学生のグローバル化教育はどうあるべきか」

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

  • 2013.2   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「職員の雇用について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2012.5   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「安全衛生について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2012.3   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「科研費採択に向けて・研究室運営について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2011.3   Role:Participation   Title:材料工学部門FD「工学講義賞講演・教員評価について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2010.9   Role:Participation   Title:第2回全学FD「学生の自殺予防とメンタルヘルス対応」

    Organizer:University-wide

  • 2010.5   Role:Participation   Title:部門FD「安全衛生について」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2010.3   Role:Participation   Title:部門FD

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2009.3   Role:Participation   Title:部門FD「九州大学の現状と動向」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2008.10   Role:Participation   Title:全学FD 「科研費獲得に向けて」

    Organizer:Undergraduate school department

  • 2007.4   Role:Participation   Title:全学FD

    Organizer:University-wide

  • 2007.1   Role:Participation   Title:工学研究院FD

    Organizer:[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

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Visiting, concurrent, or part-time lecturers at other universities, institutions, etc.

  • 2017  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成29年4月1日~平成30年3月31日

  • 2016  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成28年4月1日~平成29年3月31日

  • 2015  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成27年4月1日~平成28年3月31日

  • 2014  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成26年4月1日~平成27年3月31日

  • 2013  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成25年4月1日~平成26年3月31日

  • 2012  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成24年4月1日~平成25年3月31日

  • 2011  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成23年4月1日~平成24年3月31日

  • 2010  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成22年4月1日~平成23年3月31日

  • 2009  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター流動教員  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:平成21年4月1日~平成22年3月31日

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Other educational activity and Special note

  • 2019  Class Teacher 

  • 2018  Class Teacher 

  • 2017  Class Teacher 

  • 2016  Class Teacher 

  • 2015  Class Teacher 

  • 2014  Class Teacher 

  • 2013  Class Teacher 

  • 2012  Class Teacher 

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