2024/07/28 更新

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ビシコフスキー　アントン
VISIKOVSKIY ANTON
VISIKOVSKIY ANTON
所属
工学研究院 エネルギー量子工学部門 助教
工学部 量子物理工学科（併任）
工学府 量子物理工学専攻（併任）
職名
助教
連絡先
メールアドレス
電話番号
0928023536
プロフィール
さまざまな表面構造は、低エネルギー電子回折と走査トンネル顕微鏡法および他の技術によって研究されている。我々は微傾斜SiC基板の調査に焦点を当てる。これは表面上のステップとテラスの規則的な配列を調製することが可能である。これは、1次元構造を成長するための良いテンプレートです。特にワイヤーやグラフェンナノリボン。このような構造の形成は、物理学と技術のために重要である。他の研究テーマは、SiC基板上にグラフェンを形成することである。インタフェース工学によるグラフェンのプロパティの変更。密度汎関数理論（DFT）と緊密な結合を使用して、量子力学的計算は、（TB）の方法は、積極的にそのような原子・電子構造などの材料特性の研究に使用されています。
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学位

  • 博士

経歴

  • No

    No

  • 2009-2012 Ritsumeikan University, postdoctoral fellow 2006-2009 Toyota Technological Institute, postdoctoral fellow

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ：グラフェンのひずみ場のコンピューターモデリング、対応する電子構造の変化、および疑似磁場の生成。

    研究キーワード：グラフェン、タイトバインディング計算、ひずみ、疑似フィールド

    研究期間： 2022年1月 - 2024年12月

  • 研究テーマ：SiC(0001）上の窒化ケイ素上でのXenesの成長の調査

    研究キーワード：ディラック素材, トポロジカル, 2D素材

    研究期間： 2021年4月 - 2024年4月

  • 研究テーマ：タイトバインディング計算とSTM測定によるねじれた2層グラフェンの電子特性

    研究キーワード：グラフェン, 超伝導, 電子構造

    研究期間： 2019年4月 - 2020年12月

  • 研究テーマ：SiC（0001）上の極薄酸化アルミニウム層

    研究キーワード：酸化物, 半導体

    研究期間： 2018年10月 - 2020年4月

  • 研究テーマ：グラフェンの電子特性における基板相互作用の周期的変調

    研究キーワード：半導体、表面、ナノマテリアル、スピン、グラフェン

    研究期間： 2018年3月 - 2019年6月

  • 研究テーマ：SiC（0001）表面上のIII族、IV族、V族元素の2次元高密度三角原子層とそれらの特異な電子特性

    研究キーワード：半導体、表面、ナノマテリアル、スピン、グラフェン

    研究期間： 2017年6月 - 2020年12月

  • 研究テーマ：原子のインターカレーションによってグラフェン/ SiCの界面構造操作。 SiCの表面に新たなグラフェン状の2D素材。

    研究キーワード：表面に、SiC、グラフェン、インタフェース

    研究期間： 2015年4月 - 2017年3月

  • 研究テーマ：金属ナノ粒子の触媒活性の起源

    研究キーワード：ナノ粒子, 触媒反応, 電子構造

    研究期間： 2009年4月 - 2012年3月

  • 研究テーマ：シリコン表面上の金属超構造の研究

    研究キーワード：シリコン, 超構造, 表面

    研究期間： 2003年10月 - 2009年3月

受賞

  • Young Scientist Award

    2011年8月  

  • Best presentation award

    2007年12月  

論文

▼全件表示

講演・口頭発表等

  • Rotation-angle controlled twisted bilayer graphene 国際会議

    S. Tanaka, #H. Imamura, #R. Uotani, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, T. Iimori, T. Miyamachi, K. Nakatsuji, K. Mase, F. Komori

    Atomic Level Characterization (ALC-19)  2019年10月 

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    開催年月日： 2019年10月 - 2020年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Characterization and properties of new ultrathin aluminium oxide film grown on SiC(0001) 国際会議

    Anton Visikovskiy, #Shotaro Oie, Takashi Kajiwara, Takushi Iimori, Tetsuroh Shirasawa, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Atomic Level Characterization (ALC-19)  2019年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年10月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Sn and Pb triangular lattice atomic layers on SiC(0001) and at graphene/SiC(0001) interface 国際会議

    Anton VISIKOVSKIY, #Shingo HAYASHI, Fumio KOMORI, Satoru TANAKA

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017)  2017年11月 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Sn atomic layer by intercalation at graphene/SiC interface 国際会議

    International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017)  2017年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Graphene/SiC(0001) interfaces induced by Si intercalation 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Shin-Ichi KIMOTO, Takashi KAJIWARA, Masamichi YOSHIMURA, Fumio KOMORI, Tanaka Satoru

    18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)  2016年8月 

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    開催年月日： 2016年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

    その他リンク： http://www.iccge18.jp/index.html

  • STM study of graphene nanodots array on SiC 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, TAKASHI KAJIWARA, Tanaka Satoru, MASAMICHI YOSHIMURA

    23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)  2015年12月 

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    開催年月日： 2015年12月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

    その他リンク： http://dora.bk.tsukuba.ac.jp/event/ICSPM23/

  • Experimental and computational study of NiO(001)/Au(001) interface 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Kei Mitsuhara, Masayuki Hazama, Yoshiaki Kido

    IUMRS-ICA  2014年8月 

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    開催年月日： 2014年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

    その他リンク： http://www.iumrs-ica2014.org/

  • SiC上グラフェンバッファー層の水素インターカレーションによる準安定構造

    ＃田中 夏帆, ＃梶原 悠矢, ビシコフスキー アントン, 田中 悟

    2024年3月 

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokyo City University   国名：日本国  

  • Preparation and structural characterization of 1D ripple graphene on 4H-SiC m-plane

    #Hitoshi IMAMURA, Anton VISIKOVSKIY, Tomonori IKARI, Takushi IIMORI, Kan NAKATSUJI, Fumio KOMORI, Satoru TANAKA

    The Physical Society of Japan  2024年3月 

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Band structure of 1D-rippled graphene

    Anton VISIKOVSKIY, Satoru TANAKA

    The Physical Society of Japan  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Flat bands in periodically strained graphene

    Anton VISIKOVSKIY, Satoru TANAKA

    The Physical Society of Japan  2023年3月 

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Full tight-binding computational study of asymmetrically doped twisted bi- and trilayer graphene in relation with ARPES measurements

    Anton VISIKOVSKIY, #Hitoshi IMAMURA, Kazuhiko MASE, Fumio KOMORI, Satoru TANAKA

    The Physical Society of Japan  2021年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Investigating of electronic and structural features of mm-sized twisted bilayer graphene experimentally and by simulation

    2021年4月 

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    開催年月日： 2021年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 2D tin layers on SiC(0001) 国際会議

    Anton Visikovskiy, Hiroshi Ando, Shingo Hayashi, Fumio Komori, Koichiro Yaji, Satoru Tanaka

    The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月 - 2021年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

    その他リンク： https://fntg.jp/jp_new/symposium/sympo59/index_e.html

  • Electronic structure of asymmetrically doped twisted multilayer graphene.

    Anton Visikovskiy, #Hitoshi Imamura, Takashi Kajiwara, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Physical Society of Japan  2020年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：英語  

    国名：日本国  

  • Computational study of ultra-thin epitaxial aluminum oxide on SiC(0001)

    Anton Visikovskiy, #Shotaro Oie, Takashi Kajiwara, Takushi Iimori, Tetsuroh Shirasawa, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Physical Society of Japan  2019年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年9月 - 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Atomic and electronic structure of periodically curved graphene on (1-100) m-plane surface of SiC

    Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka

    Physical Society of Japan  2018年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Moiré induced electronic structure of twisted bilayer graphene 国際会議

    2019年8月 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：TU Chemnitz   国名：ドイツ連邦共和国  

  • Periodically rippled graphene formed on 4H–SiC m-plane surface 国際会議

    2019年8月 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    開催地：TU Chemnitz   国名：ドイツ連邦共和国  

  • Graphene nanoribbons on macro-facets of vicinal 6H-SiC(0001) 国際会議

    #K. Fukuma, A. Visikovskiy, T. Kajiwara, T. Iimori, F. Komori, S. Tanaka

    2019 International Symposium on Epi-Graphene  2019年8月 

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    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：ドイツ連邦共和国  

  • Calculation of electronic and atomic structures of angle controlled twisted bilayer graphene

    Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Physical Society of Japan  2019年3月 

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：日本語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Stability and electronic structure of novel triangular lattice atomic layers of In, Tl, Pb, and Bi on SiC(0001)

    Anton VISIKOVSKIY, Takashi KAJIWARA, Satoru TANAKA

    Physical Society of Japan  2018年3月 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • 2D triangular Sn and Pb metallic layers on SiC(0001) and at graphene/SiC(0001) interface

    Anton VISIKOVSKIY, #Shingo HAYASHI Takashi KAJIWARA, Fumio KOMORI, Satoru TANAKA

    Physical Society of Japan  2017年9月 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • DFT study of a triangular lattice atomic layer of group IV elements (Ge, Sn, Pb) on SiC(0001)

    Anton VISIKOVSKIY, #Shingo HAYASHI, Takashi KAJIWARA, Fumio KOMORI, Satoru TANAKA

    Japanese Society of Applied Physics  2017年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • STM study of graphene nanoribbon arrays formed on large facets of vicinal SiC(0001)

    ANTON VISIKOVSKIY, Kohei FUKUMA, Takashi KAJIWARA, Fumio KOMORI, Tanaka Satoru

    Physical Society of Japan  2017年3月 

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    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Tuning graphene electronic properties with substrate interface structure

    ANTON VISIKOVSKIY, Takashi KAJIWARA, Masamichi YOSHIMURA, Tanaka Satoru

    Physical Society of Japan  2016年9月 

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    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • STM and computational study of graphene nanodots formed on SiC(0001)

    ANTON VISIKOVSKIY, TAKASHI KAJIWARA, MASAMICHI YOSHIMURA, FUMIO KOMORI, Tanaka Satoru

    Physical Society of Japan  2016年3月 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Modification of graphene electronic properties by periodic potential of a substrate

    ANTON VISIKOVSKIY, TAKASHI KAJIWARA, MASAMICHI YOSHIMURA, FUMIO KOMORI, SATORU TANAKA

    Physical Society of Japan  2015年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年9月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • DFT and STM study of Si-rich graphene/SiC interface

    ANTON VISIKOVSKIY, SHIN-ICHI KIMOTO, TAKASHI KAJIWARA, SATORU TANAKA, MASAMICHI YOSHIMURA

    Physical Society of Japan  2015年3月 

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    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Si intercalation in graphene/SiC interface 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Shin-Ichi Kimoto, Takashi Kajiwara, Masamichi Yoshimura, SATORU TANAKA

    1st Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces  2014年9月 

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    開催年月日： 2014年9月 - 2014年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：ロシア連邦  

    その他リンク： http://ntc.dvo.ru/apsss-1/

  • Reconstructions of Si intercalated graphene/SiC interface: atomic and electronic structure

    ANTON VISIKOVSKIY, Shin-Ichi Kimoto, Takashi Kajiwara, SATORU TANAKA, Masamichi Yoshimura

    Physical Society of Japan  2014年9月 

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    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • D-band Raman characteristics of graphene nanoribbons on SiC 国際会議

    Yuzuru Nakamori, Takashi Kajiwara, ANTON VISIKOVSKIY, SATORU TANAKA

    IUMRS-ICA  2014年8月 

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    開催年月日： 2014年8月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

    その他リンク： http://www.iumrs-ica2014.org/

  • Silicon layer at graphene/SiC(0001) interface, structural and electronic properties by calculation and scanning tunneling microscopy

    ANTON VISIKOVSKIY, SHIN-ICHI KIMOTO, TAKASHI KAJIWARA, SATORU TANAKA, MASAMICHI YOSHIMURA

    Physical Society of Japan  2014年3月 

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    開催年月日： 2014年3月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Skimming-trajectory effect for energy losses of medium energy He ions passing along major crystal axes of KI(001) and RbI(001) 招待 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Kei Mitsuhara, T. Matsuda, K. Tominaga, P.L. Grande, G. Schiwietz, Yoshiaki Kido

    2013年8月 

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    開催年月日： 2013年8月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：ロシア連邦  

    その他リンク： http://isi2013.spbstu.ru/

  • Growth of graphene nanoribbons on vicinal SiC(0001) studied by STM

    ANTON VISIKOVSKIY, Yusuke Kurisu, Takashi Kajiwara, Tanaka Satoru, Masamichi Yoshimura, Fumio Komori

    Physical Society of Japan  2013年3月 

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    開催年月日： 2013年3月

    記述言語：英語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • MBE growth of graphene nanoribbons on vicinal SiC(0001) surface 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Y. Nakamori, M. Takaki, Y. Hagihara, Tanaka Satoru, K. Nakatsuji, T. Yoshimura, S. Yoshizawa, F. Komori

    2012年9月 

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    開催年月日： 2012年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Structure of carbon-rich SiC(0001)-(√3×√3) surface investigated by LEED I-V analysis

    2012年9月 

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    開催年月日： 2012年9月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    開催地：Yokohama National University   国名：日本国  

  • Study of the size dependent electronic d-band behavior of gold nano-clusters 国際会議

    A. Visikovskiy, H. Matsumoto, K. Mitsuhara, T. Nakada, T. Akita, and Y. Kido

    2011年8月 

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    開催年月日： 2011年8月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：ロシア連邦  

  • Oxygen Deficiency and Excess on Rutile TiO2(110) Studied by MEIS and ERD 招待 国際会議

    A. Visikovskiy, K. Mitsuhara, H. Okumura and Y. Kido

    2011年6月 

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    開催年月日： 2011年6月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：フランス共和国  

  • The study of NiO/Au structural and electronic properties by MEIS, ab initio calculations and photoemission spectroscopy 国際会議

    A. Visikovskiy, K. Mitsuhara, M. Hazama, H. Yamada, Y. Kido

    2011年6月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2011年6月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：フランス共和国  

  • The Study of d-band Structure of the Gold Nano-clusters Supported on Amorphous Carbon 国際会議

    A. Visikovskiy, H. Matsumoto, K. Mitsuhara, T. Akita, and Y. Kido

    Material Research Society  2010年11月 

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    開催年月日： 2010年11月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：アメリカ合衆国  

  • Low temperature graphene growth on SiC(0001) and SiC(000-1) via Ni-silicidation process 国際会議

    A. Visikovskiy, T. Yoneda, M. Shibuya, K. Mitsuhara, Y. Hoshino and Y. Kido

    2010年9月 

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    開催年月日： 2010年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：ロシア連邦  

  • In situ hydrogenation of Si(110) surface 国際会議

    A. Visikovskiy, M. Yoshimura, K. Ueda

    2009年12月 

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    開催年月日： 2009年12月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Au nano-clusters on HOPG and oxide supports analyzed by high-resolution medium energy ion scattering spectroscopy and photoemission spectroscopy 国際会議

    K. Mitsuhara, A. Iwamoto, Y. Kitsudo, H. Matsumoto, A. Visikovskiy, T. Akita, Y. Kido

    2009年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2009年11月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Initial stages of platinum silicide formation on Si(110) studied by STM 国際会議

    A. Visikovskiy, M. Yoshimura, K. Ueda

    2008年12月 

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    開催年月日： 2008年12月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • STM study of Pt/Si(110): surface phases, morphology, silicide formation 国際会議

    A. Visikovskiy, M. Yoshimura, K. Ueda

    2008年10月 

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    開催年月日： 2008年10月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • In situ hydrogenation of Si(110) surface studied by STM 国際会議

    A. Visikovskiy, M. Yoshimura, K. Ueda

    2008年8月 

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    開催年月日： 2008年8月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：ロシア連邦  

  • Pt-induced structures on Si(110) studied by STM 国際会議

    A. Visikovskiy, M. Yoshimura, K. Ueda

    2007年11月 

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    開催年月日： 2007年11月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • Reversible electromigration and formation of (2x1)-Si structures on Tl adsorbed Si(111) surfaces 国際会議

    A. Visikovskiy, H. Tochihara, U. Ohira, M. Yoshimura, K. Ueda

    2006年10月 

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    開催年月日： 2006年10月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • LEED and STM study of Tl adatoms behavior on Si (111) surface 国際会議

    A. Visikovskiy, H. Tochihara, U. Ohira, M. Yoshimura, K. Ueda

    2006年9月 

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    開催年月日： 2006年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：ロシア連邦  

  • LEED studies of structures induced by Indium and Thallium atoms on the Si(111)-(7x7) 国際会議

    A. Visikovskiy, S.Mizuno, H.Tochihara

    2005年11月 

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    開催年月日： 2005年11月

    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

    国名：日本国  

  • The investigation of the Tl surface phase on Si(001) at 0.5 ML 国際会議

    A. Visikovskiy, S. Mizuno, H. Tochihara

    2004年10月 

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    開催年月日： 2004年10月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Ab initio study of interaction of Nitrogen with Boron and Phosphorus in Silicon 国際会議

    ANTON VISIKOVSKIY, Viktor Zavodinskiy

    2002年10月 

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    開催年月日： 2002年10月

    会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：ロシア連邦  

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所属学協会

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

学術貢献活動

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2024年

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    種別：査読等 

    外国語雑誌　査読論文数：1

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2022年

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    種別：査読等 

    外国語雑誌　査読論文数：2

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2019年

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    種別：査読等 

    外国語雑誌　査読論文数：1

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • Fundamentals of SiC(1-100) and (11-20) surfaces as the base for future applications and 1D nanostructure physics

    研究課題/領域番号：29020  2024年 - 2026年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Isolation of 2D epitaxial materials from strong substrate interaction via interface engineering

    研究課題/領域番号：21A206  2024年 - 2025年

    Japan Society for the Promotion of Science・Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (A)

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    担当区分：研究分担者  資金種別：科研費

  • Honeycomb nitrides layers as playground for Xenes formation

    研究課題/領域番号：2 1 K 0 4 8 8 3  2021年 - 2023年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Honeycomb nitrides layers as playground for Xenes formation

    研究課題/領域番号：21K04883  2021年 - 2023年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials

    研究課題/領域番号：18K04941  2018年 - 2020年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Intercalation into graphene/SiC interface as a method to tune graphene properties and promote growth of new 2D materials

    研究課題/領域番号：2801  2017年 - 2019年

    Japan Society for the Promotion of Science・Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas

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    担当区分：連携研究者  資金種別：科研費

  • Investigation of structural and electronic properties of group IV elements (Sn, Pb) triangular lattice atomic layers (TLAL) on SiC surface and at graphene/SiC interface.

    2017年 - 2018年

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    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • Modification of graphene/SiC interface by atom intercalation

    研究課題/領域番号：2506  2016年 - 2017年

    Japan Society for the Promotion of Science・Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas

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    担当区分：連携研究者  資金種別：科研費

  • Modification of graphene electronic structure with periodic interface of a substrate

    2016年

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    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • Graphene/SiC interface engineering by materials intercalation

    研究課題/領域番号：4403  2015年 - 2016年

    Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Graphene/SiC interface engineering

    2015年

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    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • One-dimensional Ni silicide and graphene nanostructure formation on vicinal SiC surfaces

    研究課題/領域番号：5903  2014年 - 2015年

    Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • One-dimensional silicide formation and promotion of graphene nanostructures growth on vicinal SiC surfaces.

    2014年

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    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • Silicides formation and metal-assisted graphene growth on vicinal SiC

    研究課題/領域番号：4403  2013年 - 2015年

    Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • Formation and characterization of graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces

    2012年

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    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

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教育活動概要

  • 生徒指導。
    学生実験を支援します。
    結果の考察。
    学生が書いて、書類を提出することに役立ちます。
    論文の執筆中に指導。
    固体物理学、量子力学的計算のいくつかのトピックについての講義。

担当授業科目

  • 量子理工学実験

    2024年4月 - 2025年3月   通年

  • データ解析概論

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 量子物理工学B

    2023年12月 - 2024年2月   冬学期

  • CL5: INTERNATIONAL ENVIRONMENTAL SYSTEM ENGINEERING Ⅴ

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • 量子理工学実験

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • データ解析概論

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 量子物理工学B

    2022年12月 - 2023年2月   冬学期

  • 課題集約演習

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 量子理工学実験

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 量子物理工学B

    2021年12月 - 2022年2月   冬学期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • 課題集約演習

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • 量子理工学実験

    2021年4月 - 2021年9月   前期

  • プログラミング演習

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • プログラミング演習

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • Basic computational material science

    2017年10月 - 2017年12月   秋学期

  • Solid State Physics

    2017年10月 - 2017年12月   秋学期

  • Basic computational material science

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • Solid State Physics

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • Basics of computational material science

    2015年10月 - 2016年3月   後期

  • 量子理工学演習Ⅲ

    2015年10月 - 2016年3月   後期

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国際教育イベント等への参加状況等

  • 2024年3月

    Tyumen State University

    Overview lecture on graphene material properties, potential application, and method of synthesis, Tyumen State University, Russia (online)

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    開催国・都市名：Tyumen, Russia

    参加者数：50

社会貢献活動

  • English lecture on a basics and modern advancements of material science for students of Super Science program of Jonan High School, Fukuoka

    Jonan High School  Jonan High School, Fukuoka  2017年10月

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    対象： 社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

    種別：講演会

海外渡航歴

  • 2011年6月

    滞在国名1：フランス共和国   滞在機関名1：Université de Pierre et Marie Curie, Paris