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TERASHIMA TOMOHIDE
 
Organization
Faculty of Information Science and Electrical Engineering Department of Electronics Professor
School of Engineering Department of Electrical Engineering and Computer Science(Concurrent)
Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Department of Electrical and Electronic Engineering(Concurrent)
Joint Graduate School of Mathematics for Innovation (Concurrent)
Title
Professor
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Tel
0928023690

Degree

  • 博士(工学) ( 大阪大学 )

Research History

  • Kyushu University

    2024.4 - Present

Papers

  • SiC MOSFET – Key device for future electrification – Invited

    Tomohide Terashima

    AWAD2021   2021

     More details

    Authorship:Lead author, Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • An Analytical Evaluation of Performance Limit for PiN diodes and IGBTs

    Tomohide Terashima

    IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2021   16   583 - 591   2021

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Part of collection (book)  

    DOI: 10.1002/tee.23333

  • Development of an Accurate SPICE Model for a new 1.2-kV SiCMOSFET device

    Takashi Masuhara, Takeshi Horiguchi, Yasushige Mukunoki1, Tomohide Terashima, Naochika Hanano, and Eisuke Suekawa

    PCIM Europe 2020   407 - 410   2020   ISBN:978-3-8007-5245-4

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • A Comparative Study of SPICE models for an SiC-MOSFET Reviewed

    Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani

    PCIM Europe 2019   1958 - 1962   2019   ISBN:978-3-8007-4938-6

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • An Analytical Calculation for Lowest Forward Voltage of PiN Diodes Reviewed

    Tomohide Terashima

    IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2019   14   1518 - 1523   2019

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Part of collection (book)  

    DOI: 10.1002/tee.22971

  • An Improved SPICE Model for a 1.2-kV, 36-A Discrete SiC-MOSFET With Higher Accuracy for a Wide Range of Drain Currents Reviewed

    Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani

    21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe)   1 - 5   2019

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.23919/EPE.2019.8914935

  • 電力変換技術におけるパワーデバイスの動作についての解析的考察及び、その駆動技術に関する研究

    寺島知秀

    博士学位論文 大阪大学大学院工学研究科   2017.7

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Doctoral thesis  

    DOI: 10.18910/67147

  • Recent Progress and challenges in SiC MOSFET for Power Applications Invited

    T. Terashima and S. Hino

    TWHM 2017   57 - 58   2017

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • An Analytical Investigation for the Switching Loss of Power Devices Reviewed

    Tomohide Terashima and Yasufumi Fujiwara

    IEEJ Trans on Electronics, Information and Systems   137 ( 9 )   1219 - 1227   2017

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Part of collection (book)  

    DOI: /10.1541/ieejeiss.137.1219

  • Investigation of High Level Injection State of PiN Diodes by Comparing Simulation Results and Analytical Theory Reviewed

    Tomohide Terashima and Yasufumi Fujiwara

    IEEJ Trans on Electronics, Information and Systems   137 ( 7 )   918 - 926   2017

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Part of collection (book)  

    DOI: /10.1541/ieejeiss.137.918

  • SiCパワーデバイスの性能向上とその限界 -自己発熱の影響について-

    寺島知秀

    第81回半導体・集積回路シンポジウム   2017

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • High-Voltage Integrated Circuits: History, State of the Art, and Future Prospects

    Don Disney, Ted Letavic, Tanya Trajkovic, Tomohide Terashima, Akio Nakagawa

    IEEE Trans. Electron Devices   64 ( 3 )   659 - 673   2017

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/TED.2016.2631125

  • Review of Integration Trends in Power Electronics Systems and Devices Invited

    Gourab Majumdar, Takeshi Oi, Tomohide Terashima, Shiori Idaka, Dai Nakajima and Yoichi Goto

    CIPS2016   2016   ISBN:978-3-8007-4171-7

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Superior Performance of SiC Power Devices and Its Limitation by Self-heating Invited

    T. Terashima

    IEDM 2016   264 - 267   2016

     More details

    Authorship:Lead author, Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.1109/IEDM.2016.7838389

  • Characterization and modeling of 1.2kV 30-A SiC MOSFET

    Y.Mukunoki, Y.Nakamura, T.Horiguchi, S.Kinouchi, Y.Nakayama, T.Terashima, M.Kuzumoto and H.Agkagi

    IEEE Trans. Electron Devices   63 ( 11 )   4339 - 4345   2016

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/TED.2016.2606424

  • Improvement and Problems of Power Devices Using Wide-Bandgap Semiconductors Reviewed

    64 ( 9 )   701 - 706   2015

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Part of collection (book)  

    DOI: /10.2472/jsms.64.701

  • SiCパワーデバイスの性能改善状況と解決すべき課題

    寺島知秀

    電子デバイス研究会 2014年   2014

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • A Balanced High Voltage IGBT Design with Ultra Dynamic Ruggedness and Area-efficient Edge Termination Reviewed

    Ze Chen, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, Tomohide Terashima, and Tsuyoshi Kawakami

    Proc. of ISPSD 2013   37 - 40   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694393

  • Development of secured energy infrastructure in Japan Invited

    Masazumi Yamamoto and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2013   3 - 7   2013

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694469

  • Analysis of a Drain-Voltage Oscillation of MOSFET under High dV/dt UIS Condition Reviewed

    Shinya Soneda, Atsushi Narazaki, Tetsuo Takahashi, Kazutoyo Takano, Shigenori Kido, Yusuke Fukada, Kensuke Taguchi, and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2012   153 - 156   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Great Impact of RFC Technology on Fast Recovery Diode Rating towards 600 V for Low Loss and High Dynamic Ruggedness Reviewed

    Fumihito Masuoka, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2012   373 - 376   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229099

  • LPT(II)-CSTBTTM(III) for High Voltage Application with Ultra Robust Turn-off Capability Utilizing Novel Edge Termination Design Reviewed

    Ze Chen, Katsumi Nakamura and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2012   25 - 28   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Next Generation 600V CSTBTTM with an Advanced Fine Pattern and a Thin Wafer Process Technologies Reviewed

    Shigeto Honda, Yuki Haraguchi, Atsushi Narazaki, Tomohide Terashima, and Yoshiaki Terasaki

    Proc. of ISPSD 2012   149 - 152   2012

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • MOSFETのUIS時におけるBVDSS発振現象の動作解析

    曽根田真也,楢崎敦司,城戸成範,深田祐介, 寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2012年   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • High VoltageアプリケーションへのLPT(II)-CSTBT(III)技術のチャレンジ~ 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化 ~

    陳 則,中村勝光,寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2012年   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • RFC diodeのキャリアプラズマ形成動作メカニズムと600~1700 Vクラスでの有効性実証

    増岡史仁,中村勝光,西井昭人, 寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2012年   2012

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • CSTBTTM(III) having wide SOA under high temperature condition Reviewed

    Yusuke Fukada, Kenji Suzuki, Tetsuo Takahashi, Tatsuo Harada, Hidenori Fujii, Shinichi Ishizawa, Junichi Yamashita, John F Donlon, and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2011   132 - 135   2011

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Relaxation of Current Filament due to RFC Technology and Ballast Resistor for Robust FWD Operation Reviewed

    Akito Nishii, Katsumi Nakamura, Fumihito Masuoka, and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2011   96 - 99   2011

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • RFC diodeの高リカバリー耐量化 逆回復動作におけるcurrent filament現象とその抑制

    西井昭人,中村勝光,増岡史仁,寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2011年   2011

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(Ⅲ)の開発

    深田祐介,鈴木健司,高橋徹雄,原田辰雄,山下潤一, 藤井秀紀,石澤慎一,John F Donlon,寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2011年   2011

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • A new 1200V HVIC with a novel high voltage Pch-MOS Reviewed

    M. Yoshino, K. Shimizu, T. Terashima

    Proc. of ISPSD 2010   93 - 96   2010

     More details

    Authorship:Last author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧P-Channel MOS

    吉野学,清水和宏, 寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2010年   2010

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Recent technology trend in power semiconductor devices

    130 ( 6 )   912 - 916   2010

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Part of collection (book)  

  • Relaxed Field of Cathode (RFC) Diiode:高破壊耐量を有する次世代HV Diode

    増岡史仁,中村勝光,西井昭人,貞松康史,寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2010年   2010

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 高耐圧領域でのワイドセルピッチLPT(Ⅱ)CSTBTTM(Ⅲ)技術の有効性

    中村勝光,陳則,貞松康史,大宅大介, 寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2010年   2010

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • A Novel Driving Technology for a Passive Gate on a Lateral-IGBT Reviewed

    Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2009   45 - 48   2009

     More details

    Authorship:Lead author, Last author, Corresponding author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化

    寺島知秀

    電子材料・電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2009年   2009

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • The 2nd Generation divided RESURF structure for High Voltage ICs Reviewed

    Kazuhiro Shimizu and Tomohide Terashima

    Proc. of ISPSD 2008   311 - 314   2008

     More details

    Authorship:Corresponding author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC

    清水和宏、寺島知秀

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2008年   2008

     More details

    Authorship:Last author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Trench-Isolated High-Voltage IC with Reduced Parasitic Bipolar Transistor Action Reviewed

    T. Takahashi, T. Terashima, and J. Moritani

    Proc. of ISPSD 2007   69 - 72   2007

     More details

    Authorship:Corresponding author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • Configuration of JI-LIGBT for Over 100 kHz Switching Reviewed

    Tomohide Terashima and Junichi Moritani

    Proc. of ISPSD 2007   225 - 228   2007

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 高耐圧ICの発展と将来展望

    寺島知秀

    電子情報通信学会 技術研究報告 信学技報 2007年   2007

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 100kHz動作対応L-IGBTの構造開発

    寺島知秀、平田大介

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2007年   2007

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制

    魚田紫織、寺島知秀、守谷純一

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2006年   2006

     More details

    Authorship:Corresponding author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • High Speed Lateral-IGBT with A Passive Gate Reviewed

    Tomohide Terashima and Junichi Moritani

    Proc. of ISPSD 2005   91 - 94   2005

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 受動ゲートによる横型IGBTの高速化

    寺島知秀、守谷純一

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2005年   2005

     More details

    Authorship:Lead author  

  • SODI 技術による誘電体分離HVIC の高耐圧化

    秋山 肇、保田直紀、寺島知秀、守谷純一

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2004年   2004

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Simulator-Independent Capacitance Macro Model for Power DMOS Transistors Reviewed International coauthorship

    S. Pawel, H. Kusano, Y. Nakamura, W. Teich, T. Terashima, and M. Netzel

    Proc. of ISPSD 2003   287 - 290   2003

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 120V BiC-DMOS Process for the Latest Automotive and Display Applications Reviewed

    Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kennchi Hatasako, and Shiro Hine

    Proc. of ISPSD2002   93 - 96   2002

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 120V BiC-DMOSプロセス開発 -42Vバッテリーシステム,FPDシステムの高機能化-

    寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2002年   2002

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 60V Field NMOS and PMOS transistors for the multi-voltage system integration Reviewed

    Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kenichi Hatasako, and Shiro Hine

    Proc. of ISPSD2001   259 - 262   2001

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ

    寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2001年   2001

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Multi-voltage device integration technique for 0.5 μm BiCMOS & DMOS process

    Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, and Kenichi Hatasako

    Proc. of ISPSD 2000   331 - 334   2000

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 0.5µm BiCMOS&DMOSプロセスにおける5V-90V系素子形成技術

    寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会2000年   2000

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • 0.5µm BiCMOS&DMOS開発

    寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会1999年   1999

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • A New Phenomenon of P-channel Dual Action Device Reviewed

    Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Shinji Nobuto, Masanori Fukunaga, and Masao Yamawaki

    Proc. of ISPSD 1998   363 - 366   1998

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • An 0.8-µm High-Voltage IC Using a Newly Designed 600-V Lateral P-Channel Dual-Action Device on SOI Reviewed

    Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Masakazu Okada, Shinji Nobuto, Masao Yamawaki, and Sotoju Asai

    Journal of Solid-State Circuits   33 ( 9 )   1423 - 1427   1998

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1109/4.711342

  • A New Level-Shifting Technique by divided RESURF Structure Reviewed

    Tomohide Terashima, Kazuhiro Shimizu, and Shiro Hine

    Proc. of ISPSD’97   57 - 60   1997

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • An improvement on p-channel SOI LIGBT by adopting slit type p-drift structure Reviewed

    H. Akiyama, K. Watabe, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao

    Proc. of ISPSD’97   353 - 356   1997

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • A Novel p-channel Dual Action Device for HVIC Reviewed

    K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and S. Asai

    Proc. of BCTM’97   147 - 150   1997

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • A 0.8µm High Voltage IC using Newly Designed 600V Lateral IGBT on Thick Buried-Oxide SOI Reviewed

    K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao

    Proc. of ISPSD’96   151 - 154   1996

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 分割RESURFによる新しいレベルシフト技術

    清水和宏、寺島知秀、日根史郎

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 1996年   1996

     More details

    Authorship:Corresponding author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Over 1000V n-ch LDMOSFET and p-ch LIGBT with JI RESURF Structure and Multiple Floating Field Plate Reviewed

    Tomohide. Terashima, Junichi Yamashita, and Tomihisa Yamada

    Proc. of ISPSD’95   455 - 459   1995

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

  • 1000VクラスのRESURF nch DMOS/pch IGBTの構造とその電気特性

    寺島知秀、山下潤一、山田富久、浅野徳久

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会1995年   1995

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • Structure of 600V IC and a New Voltage Sensing Device Reviewed

    T. Terashima, M. Yoshizawa, M. Fukunaga, and G. Majumdar

    Proc. of ISPSD’93   224 - 229   1993

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (international conference proceedings)  

    DOI: 10.1109/ISPSD.1993.297076

  • 600V HVICの構造開発

    寺島知秀、吉澤正夫

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会1992年   1992

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

  • SOI分離構造の高耐圧化

    秋山馨、寺島知秀、近藤久雄、塚本克博

    電子デバイス・半導体電力変換合同研究会1992年   1992

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Research paper (conference, symposium, etc.)  

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Books

  • 次世代パワー半導体の熱設計と実装技術

    ( Role: Contributorモビリティの電動化におけるSiCパワーデバイスによる性能向上への期待)

    ㈱シーエムシー出版  2020.1 

     More details

    Total pages:304   Responsible for pages:49-60  

  • Energy Device Vol.1, No.2 2013

    (SiCデバイスの実用化に向けた状況)

    ㈱技術情報協会  2013.12 

     More details

    Total pages:74   Responsible for pages:43-46  

  • 電気学会125年史1888-2013

    ( Role: Contributor「パワー半導体デバイス」)

    一般社団法人 電気学会  2013.10 

     More details

    Total pages:767   Responsible for pages:422-424  

  • 電気学会技術報告第1082号「大変革を遂げているパワーデバイス開発」

    寺島知秀 他( Role: Contributor第6章 横型パワーデバイス)

    (社)電気学会  2007.10 

     More details

    Language:Japanese   Book type:Report

Presentations

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(特別編B)  2024.5  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2024.5

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部   Country:Japan  

  • パワーデバイスの基本動作、及びSiC/GaNパワーデバイスの大きな可能性 Invited

    寺島知秀

    SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向と課題・部材開発と将来展望  2024.2  ㈱Andtech

     More details

    Event date: 2024.2

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:web  

  • 電化・電動化社会を推進するパワーデバイスの進化と製品動向 Invited

    寺島知秀

    「おかやま半導体コンソーシアム」第2回勉強会  2024.2  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2024.2

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:公立学校共済組合岡山宿泊所 ピュアリティまきび  

  • パワーデバイス、モジュール紹介

    寺島知秀

    おかやま半導体コンソーシアム 先進企業視察  2024.2  公益財団法人 岡山県産業振興財団主催

     More details

    Event date: 2024.2

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:三菱電機㈱ パワーデバイス製作所 コラボプラザC  

  • 残された強み、パワー半導体戦略 Invited

    寺島知秀

    「電子デバイス戦略マップ2023-2024」説明会 ~未来社会の実現につなげる技術~   2024.1  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2024.1

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:学士会館 203号室  

  • パワー半導体 Invited

    寺島知秀

    SEMI Tutorial「半導体プロセス技術」  2023.12  SEMIジャパン

     More details

    Event date: 2023.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東京ビッグサイト 東展示棟 Hall8  

  • パワーデバイスの基本的動作・構造・プロセス、及び次世代パワーデバイスの本格的市場拡大 Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(専門講座)  2023.11  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会

     More details

    Event date: 2023.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • パワーデバイスの基本動作、及びGaNパワーデバイスの大きな可能性 Invited

    寺島知秀

    DX ,カーボンニュートラルに向けてのGaNデバイスの市場動向と技術展望  2023.9  グローバルネット株式会社

     More details

    Event date: 2023.9

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2023.5  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2023.5

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(専門講座)  2022.12  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2022.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:学士会館 203号室  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2022.11  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA

     More details

    Event date: 2022.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(専門講座)  2022.6  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2022.6

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:学士会館 203号室  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2022.5  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2022.5

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • エッジシステムを駆動し、その進化を支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    EPFCシンポジウム2022冬「カーボンニュートラルを目指す中でのエッジシステムへの期待」  2022.2  一般社団法人エッジプラットフォームコンソーシアム

     More details

    Event date: 2022.2

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (nominated)  

    Venue:川崎市ソリッドスクエア西館1階会議室2  

  • 中核技術とSDGs実現を支えるパワーエレクトロニクス

    寺島知秀

    「電子デバイス戦略マップ②2021-2022」説明会 ~未来社会を実現する中核技術を探る~  2022.1  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2022.1

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:学士会館 203号室  

  • パワー半導体を生かし切るパワーモジュール -高性能・コンパクト・高放熱・高絶縁の同時実現- Invited

    寺島知秀

    ISSM 戦略フォーラム2021「すり合わせ×モジュール化戦略-半導体材料・装置優位の加速-」  2021.12 

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東京 御茶ノ水 ソラシティカンファレンスセンター  

  • パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(専門講座)  2021.12  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2021.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:学士会館 203号室  

  • 加速する電動化と、連動して進化し続けるパワー半導体への期待 Invited

    寺島知秀

    パワー半導体に関わる異業種研究会  2021.11  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2021.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:web開催  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2021.11  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2021.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2021.5  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2021.5

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

  • モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited

    寺島知秀

    NEDIA 電子デバイス研修講座(中級編)  2020.12  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2020.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:日本教育会館 喜山倶楽部  

  • 電動化社会の到来 -パワー半導体が主役になる- Invited

    寺島知秀

    パワー半導体に関わる異業種研究会  2020.11  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2020.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:web開催  

  • 来たるべき電動化社会におけるSiCパワーデバイスへの大きな期待

    寺島知秀

    NEDIA Day 九州ふくおか  2020.6  一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

     More details

    Event date: 2020.6

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:アークホテルロイヤル福岡天神  

  • SiC MOSFET – Leading device for future electrification – Invited International conference

    Tomohide Terashima

    3rd CIES Power Electronics Forum  2020.1 

     More details

    Event date: 2020.1

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Station Conference Tokyo, Sapia Tower 6F  

  • 来るべき電動化社会に向けたSiCパワーデバイスへの期待 Invited

    寺島 知秀

    特別シンポジウム「エネルギーエレクトロニクスセミナー 2019」  2019.11  崇城大学

     More details

    Event date: 2019.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:崇城大学  

  • 次世代パワーデバイス開発の現場から Invited

    寺島 知秀

    電気学会北陸支部 学術講演会  2019.9  福井工業専門学校

     More details

    Event date: 2019.9

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:福井工業専門学校  

  • パワー半導体製造技術

    寺島知秀

    パワー半導体に関わる異業種研究会  2019.6  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2019.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:岡山ロイヤルホテル  

  • True performance of SiC MOSFETs and the necessary conditions to achieve it

    T. Terashima

    WiPDA-Asia 2019  2019.5  IEEE

     More details

    Event date: 2019.5

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:Howard International House   Country:Taiwan, Province of China  

  • クルマの電動化で求められるパワーデバイス性能とSiC デバイスによる性能向上への期待 Invited

    寺島知秀

    第66回 応用物理学会春季学術講演会/第33回 エレクトロニクス実装学会講演大会 特別シンポジウム  2019.3  応用物理学会, エレクトロニクス実装学会

     More details

    Event date: 2019.3

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東工大 大岡山キャンパス, 拓殖大 文京キャンパス  

  • パワーデバイスの発展と今後の課題 Invited

    寺島知秀

    パワー半導体に関わる異業種研究会  2018.7  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2018.7

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:大阪大学 産業科学技術研究所  

  • 急拡大する情報処理技術と電動化を支える次世代パワーデバイス Invited

    第5回グリーンイノベーションシンポジウム  2018.2  芝浦工業大学

     More details

    Event date: 2018.2

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:芝浦工業大学 豊洲キャンパス  

  • パワー半導体の概要と求められるニーズ Invited

    寺島知秀

    パワー半導体に関わる異業種研究会  2017.12  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2017.12

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:岡山ロイヤルホテル  

  • パワーデバイスの発展と今後の課題 Invited

    寺島知秀

    「おかやま電池関連技術研究会」第2回技術セミナー  2015.10  公益財団法人 岡山県産業振興財団

     More details

    Event date: 2015.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:岡山ロイヤルホテル  

  • パワーデバイス・モジュール技術開発状況

    寺島知秀

    内閣府SIPパワエレ 第5回ワークショップ 「パワエレ応用 その2」  2015.7  内閣府

     More details

    Event date: 2015.7

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (nominated)  

    Venue:内閣府  

  • IGBTの性能向上と現在の状況

    寺島知秀

    シリコン材料・デバイス研究会(SDM)  2014.10  電子情報通信学会

     More details

    Event date: 2014.10

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (invited, special)  

    Venue:東北大学 未来科学技術共同研究センター  

  • SiCデバイスの実用化に向けた開発状況とパッケージ・製品応用技術

    寺島知秀

    「パワーデバイス」セミナー  2014.9  株式会社技術情報協会

     More details

    Event date: 2014.9

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:技術情報協会セミナールーム  

  • パワーデバイス、HVIC開発における、シミュレーション技術の役割

    寺島知秀

    TCAD Executive Seminar in 札幌 

     More details

    Event date: 2013.9

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (nominated)  

    Venue:札幌  

  • パワーデバイス(IGBT)およびその制御技術について

    寺島知秀

    パワー半導体デバイス・集積回路セミナー  2011.12  慶應義塾大学理工学部

     More details

    Event date: 2011.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:慶應義塾大学理工学部(矢上台)  

  • パワーデバイスの設計技術

    寺島知秀

    第11回半導体量産地域イノベーションのための熊本大学シンポジウム 公開セミナー『パワーデバイスセミナー』  2010.9  熊本大学

     More details

    Event date: 2010.9

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (nominated)  

    Venue:熊本大学工学部  

  • パワーICの最新技術動向

    青木正明、松本 聡、礒部弘之、金子佐一郎、久保田 裕、寺島知秀、山内経則

    平成22年電気学会全国大会 シンポジウム  2010.3  (一社)電気学会

     More details

    Event date: 2010.3

    Language:Japanese   Presentation type:Symposium, workshop panel (public)  

    Venue:明治大学 駿河台キャンパス  

  • 第二部 CO2削減と快適性を追求するパワー半導体 Invited

    寺島知秀、森睦宏、白石正樹、岩室 憲幸

    公開シンポジウム「暮らしを変える! 電子・情報・システム技術」  2008.12  (一社)電気学会

     More details

    Event date: 2008.12

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:東京電機大 神田キャンパス  

  • ゲートドライブ用HVICの技術動向 Invited

    寺島知秀

    PEAF (Power Electronics Application Forum) 2007  2007.11  マイウェイテクノサービス株式会社

     More details

    Event date: 2007.11

    Language:Japanese   Presentation type:Public lecture, seminar, tutorial, course, or other speech  

    Venue:新横浜プリンスホテル  

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Professional Memberships

  • 一般社団法人 NPERC-J

    2019.6 - Present

  • 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会(NEDIA)

    2014.8 - Present

  • 一般社団法人 電気学会

    2008.4 - Present

  • Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE)

    2005.1 - Present

Committee Memberships

  • (一社) 電子情報通信学会   シリコン材料・デバイス(SDM)研究専門委員会 委員   Domestic

    2022.10 - Present   

      More details

    Committee type:Academic society

  • (一社)電気学会   電子・情報・システム部門研究調査運営委員会 1号委員   Domestic

    2022.4 - Present   

  • 公益財団法人 岡山県産業振興財団   企業アドバイザー   Domestic

    2017.12 - 2024.3   

      More details

    Committee type:Other

  • 公益社団法人 中国地方総合研究センター   企業アドバイザー   Domestic

    2014.10 - 2017.4   

      More details

    Committee type:Other

  • IEEE EDS   Power Devices and ICs Committee member   Foreign country

    2014.4 - 2017.12   

      More details

    Committee type:Academic society

Visiting, concurrent, or part-time lecturers at other universities, institutions, etc.

  • 2019  東京工業大学  Classification:Part-time lecturer  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:2019年6月18日~8月6日

  • 2018  東京工業大学  Classification:Part-time lecturer  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:2018年6月12日~7月31日

  • 2017  東京工業大学  Classification:Part-time lecturer  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:2017年6月13日~8月1日

  • 2015  東京工業大学  Classification:Part-time lecturer  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:2015年11月6日

  • 2014  東京工業大学  Classification:Part-time lecturer  Domestic/International Classification:Japan 

    Semester, Day Time or Duration:2014年11月7日