記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/5.0062637

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1361-6463/ac0d2a

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TMAG.2021.3084608

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/abe5c2

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.102.094411

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.2320/matertrans.MT-MN2019040

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

In this study, we fabricated quasi-Antiferromagnetic (AFM) layers and investigated the magnetic dynamics of quasi-AFM in both an experiment and simulation. Quasi-AFM has multi domains with alternating antiparallel magnetization, which can be realized by using 90° magnetic coupling between two ferromagnetic layers. In magnetic resonance measurement, a frequency and damping constant of CoFe-based quasi-AFM are higher than those of conventional CoFe. Likewise, in micromagnetic simulation, we obtained the spin torque oscillation in Quasi-AFM with high frequency. This suggests the possibility of a novel material with the high frequency wave generator without a stray field, like antiferromagnetic materials.

DOI： 10.7567/1347-4065/ab5d62

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We carried out polarized neutron reflectivity (PNR) analysis to determine the fine magnetic structure of magnetic multilayers with quasi-antiferromagnetic (quasi-AFM) layers realized by 90-deg coupling using two Co₉₀Fe₁₀ layers, and quantitatively evaluated the magnetization of quasi-AFM layers. Two types of samples with different buffer layers, Ru buffer and a NiFeCr buffer, were investigated and the average angles between the respective magnetization of the two Co₉₀Fe₁₀ layers were estimated to be +/- 39 degrees and +/- 53 degrees. In addition, less roughness was found in the NiFeCr buffer sample resulting stronger 90-deg coupling. A perfect quasi-AFM is expected to be realized by a flat interface of the magnetic multilayer.

DOI： 10.1063/1.5130445

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We fabricated quasiantiferromagnetic (quasi-AFM) layers with alternating antiparallel magnetization in the neighboring domains via 90° magnetic coupling through an Fe-O layer. We investigated the magnetic properties and the relationship between the magnetic domain size and the 90° magnetic coupling via experiments and calculations. Two types of samples with a Ru buffer and a (Ni₈₀Fe₂₀)Cr₄₀ buffer were prepared, and we found that with the NiFeCr buffer, the sample has a flatter Fe-O layer, leading to stronger 90° magnetic coupling and a smaller domain size compared with the Ru buffer sample. This trend is well explained by the bilinear and biquadratic coupling coefficients, A₁₂ and B₁₂, in Landau-Lifshitz-Gilbert simulations, suggesting the possibility of using both AFM and FM properties by controlling the quasi-AFM domain size.

DOI： 10.1063/1.5117869

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We fabricated Gd-Fe/Ta/sub. and W/Gd-Fe/Ta/sub. perpendicular magnetized magnetic wires and investigated current-induced domain wall motion (CIDWM) in them. The propagation field of the Gd-Fe wires is low (∼3 mT), and the wires were found to have a low threshold current density (∼3.1 ×10¹⁰ A m^-2) of CIDWM. The directions of the CIDWM in Gd-Fe/Ta and W/Gd-Fe/Ta wires are opposite to each other, indicating that the CIDWM in both wires is driven by spin-orbit torque because the spin Hall torque generated by the Ta underlayer and W cap layer oppose each other.

DOI： 10.7567/1347-4065/aafa91

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Longitudinal spin Seebeck effect (LSSE) of Y₃Fe₅O₁₂ (YIG) thin films chemically prepared on a Si substrate with a SiO₂ surface layer has been investigated with a particular focus on its dependence on the metal (Pt or W) for the capping layer used to carry out the measurements. The YIG films are prepared by a combination of co-precipitation, spin coating, and annealing processes. The structural characterization by X-ray diffraction proves that the films are polycrystalline in a garnet phase with an average crystallite size of 34 nm. The microstructural analyses of the film surface by scanning electron microscopy and scanning probe microscopy show that the roughness R_a of the film is 31 nm. The magnetic easy axis of the YIG films is in the direction parallel to the films. We have found that the polarity of the LSSE voltage V_LSSE measured with a Pt capping layer apparently differs from that observed when a W capping layer is used. The value of V_LSSE increases almost linearly with increasing temperature difference Δ T independent of the choice of metal for the capping layer. The observed LSSE for the polycrystalline YIG films is one order of magnitude smaller than that reported for YIG and Bi:YIG single-crystal samples grown by metal-organic decomposition.

DOI： 10.1109/TMAG.2018.2865199

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We fabricated a Ta/Gd-Fe/Ta and a Ta/Gd-Fe/Ir₂₂Mn₇₈/Co₉₀Fe₁₀/Ta multilayered magnetic wire and investigated spin-orbit torque current-induced magnetization switching in these wires. Magnetization switching in the Ta/Gd-Fe/Ir₂₂Mn₇₈/Co₉₀Fe₁₀/Ta multilayered magnetic wire can be observed by an electric current even if the external in-plane magnetic field is not applied at all. Moreover, we successfully observed the periodical magnetization switching in the Ta/Gd-Fe/Ir₂₂Mn₇₈/Co₉₀Fe₁₀/Ta multilayered magnetic wire in zero magnetic field. This indicates that the present wire is a promising material to realize magnetic random access memory with low power consumption.

DOI： 10.7567/1347-4065/aaf877

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The spin Seebeck voltage was successfully increased by IrMn or Mn insertion into the interface Y₃Fe₅O₁₂ and nonmagnetic Pt and TaW with positive and negative spin Hall angle, respectively. The magnitude of the spin Seebeck coefficient |S| of the samples with IrMn and Mn were higher than that with Ru insertion, which indicates that the existence of the magnetic moment is important for the spin Seebeck coefficient. Furthermore, |S| of the samples with IrMn and Mn were higher than oxide antiferromagnetic NiO, which suggests the metallic layer insertion is effective for enlarging |S| owing to the relatively long spin diffusion length. Since the inserted IrMn and NiO take the paramagnetic states as well as Mn, it is supposed that the spin fluctuation in the paramagnetic insertion layers play an important role in enhancing the spin current.

DOI： 10.7567/1347-4065/aafb5c

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This paper reports that Ta₅₀W₅₀ alloy has a higher spin Hall angle than that of β-W by measuring the spin Seebeck coefficients for Fe₅Y₃O₁₂ (YIG)/Ru/Ta₅₀W₅₀ and YIG/Ru/W systems. The spin Seebeck coefficient increased by inserting Ru, and the YIG/Ru/Ta₅₀W₅₀ system achieved 2.4 times the magnitude of spin Seebeck coefficient of the conventional YIG/Pt system although Ru and Ta₅₀W₅₀ have spin Hall angles with opposite signs. Ru seems to recover the spin mixing conductance that is decreased by Ta-W oxidation at its interface with YIG. To enhance the spin Seebeck coefficient, materials having a high spin Hall angle can be combined with materials having a high spin mixing conductance.

DOI： 10.1088/1361-6463/aaaf89

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We obtained the spin Seebeck effect enhancement in Y₃Fe₅O₁₂ (YIG)/Pt system by inserting a very thin Ni₈₀Fe₂₀ at the interface of YIG/Pt. One of important parameters determining the spin Seebeck coefficient is the spin mixing conductance at the interface between magnetic oxide and nonmagnetic metal, and it was theoretically reported that the spin mixing conductance depends on the magnetic density at the interface. However, a ferrimagnetic oxide such as YIG has a small magnetic moment density. In this report, we fabricated YIG (1 mm)/Ni₈₀Fe₂₀ (t nm)/Pt (5 nm) and the spin Seebeck coefficient of t=0.6 nm becomes 2.1 times larger than that of t=0. It is considered owing to improvement of the magnetic moment density and the spin mixing conductance.

DOI： 10.1063/1.4977496

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We investigated the fabrication process of a nanostructure with alumina insulator layer and nanoscale Cu paths punching through an alumina layer inserted between magnetic multilayers. Ion-beam-assisted oxidation was applied to an AlCu layer, where ion beams with three kinds of noble gases of different mass, Ne, Ar and Xe, were compared. The heavy gas overcame the trade-off between the increasing purity of nanoscale Cu paths and the decreasing oxygen defects of the alumina. It is considered that the high mobility of surface atoms in the AlCu layer brought about by the heavy-gas ion beam promotes segregation of alumina and Cu.

DOI： 10.1209/0295-5075/101/47005

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated a hybrid magnetic material composed of ultra-thin oxide spin-filtering layer/ferromagnetic layer (FML) for magnetoresistance (MR) enhancement. Using Zn-Fe oxide/Fe₅₀Co₅₀ as a free layer in current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistive films, the MR ratio and ΔRA (the change of resistance area product) were enhanced to 26.0% and 52 mΩ μm² at a small RA (resistance area product) of about 0.2 Ω μm², respectively. Structural analysis revealed that the Zn wstite structure is responsible for the enhancement of the MR ratio, and spin-polarization of wstite/FML is higher than that of spinel ferrite/FML.

DOI： 10.1063/1.3644470

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This study compares cross-sectional scanning tunneling microscopy and atom probe tomography. We use epitaxially grown self-assembled InAs quantum dots (QDs) in GaAs as an exemplary material with which to compare these two nanostructural analysis techniques. We studied the composition of the wetting layer and the QDs, and performed quantitative comparisons of the indium concentration profiles measured by each method. We show that computational models of the wetting layer and the QDs, based on experimental data, are consistent with both analytical approaches. This establishes a link between the two techniques and shows their complimentary behavior, an advantage which we exploit in order to highlight unique features of the examined QD material.

DOI： 10.1103/PhysRevB.83.205308

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have enhanced magnetoresistance (MR) for current-perpendicular-to-plane giant-magnetoresistive (CPP-GMR) films with a current-confined-path nano-oxide layer (CCP-NOL). In order to realize higher purity in Cu for CCPs, hydrogen ion treatment (HIT) was applied as the CuO
_x
reduction process. By applying the HIT process, an MR ratio was increased to 27.4% even in the case of using conventional FeCo magnetic layer, from 13.0% for a reference without the HIT process. Atom probe tomography data confirmed oxygen reduction by the HIT process in the CCP-NOL. The relationship between oxygen counts and MR ratio indicates that further oxygen reduction would realize an MR ratio greater than 50%.

DOI： 10.1063/1.3486117

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

As a new approach for current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistive (CPP-GMR) spin-valve films, we have proposed a new nanostructure to cause mesoscopic phenomena. For this purpose, we have successfully formed a nanobarrel structure composed of Cu granular-like shape surrounded by Al₂O₃ insulator in which Cu nanoconducting channel punches through the Al₂O₃ insulator both at the top and at the bottom. This nanobarrel structure was confirmed by high-resolution transmission electron microscope (HR-TEM) analysis. Both the resistance-voltage characteristics and the resistance-temperature characteristics showed the metallic conductance property, which is in good agreement with the nanostructure identified by HR-TEM analysis. The nanobarrel structure offers features compatible with both nano-ordered electron-confined structure by insulator and low resistance with metallic conductance.

DOI： 10.1016/j.jmmm.2009.04.071

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Nanostructure of current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) films with a current-confined-path nano-oxide layer (CCP-NOL) is analyzed by high-resolution transmission electron microscope (HRTEM) and three-dimensional atom probe (3DAP). By HRTEM analysis, it is found that the CCP is formed on the center of the grain of a pinned layer. By 3DAP analysis, the grain size of a free layer can be visually detected and its size is about 5-10 nm. The grain of a free layer is well aligned with a CCP, suggesting that the decrease of the grain size of a pinned layer is effective for increasing the number of the CCPs per unit area. Moreover, by using a 3DAP image, the density of the CCPs per unit area can be derived. As a result, it is clearly shown that the density of the CCPs per unit area increases with decreasing resistance area product (RA), which cannot be obtained from HRTEM analysis. By combining HRTEM result and 3DAP result, the nanostructure of the CCP can be clarified, and the decrease of the grain size of a pinned layer and the decrease of RA are preferable for an extremely small element size for a higher-density recording head.

DOI： 10.1109/TMAG.2008.2002511

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Nanostructure of a current-perpendicular-to-plane giant-magnetoresistance film with a current-confined-path (CCP) nano-oxide layer was analyzed by high-resolution transmission electron microscopy and three-dimensional atom probe. It was found that the CCP of a film with a higher magnetoresistance (MR) ratio has better crystalline orientation and higher purity than the CCP of a film with a smaller MR ratio. Moreover, the free layer on the CCP of a film with a high MR ratio is well crystallized. Both the CCP with the good crystalline orientation and high purity and the well-crystallized free layer diminish the diffusive electron scattering, which improves an MR ratio.

DOI： 10.1063/1.2952773

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We investigated the film performance and nanostructure of current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) spin-valve film with a current-confined-path nano-oxide layer (CCP-NOL). By applying ion-assisted oxidation (IAO) for the CCP-NOL formation, we enhanced the MR ratio to 5.4% at a small RA value of 500 mΩ νm² for conventional Co₉₀Fe₁₀ layers. Furthermore, the use of bcc-Fe ₅₀Co₅₀ also increased the MR ratio to 8.2% at a small RA value of 580 mΩ νm². A modified Valet-Fert model for the CCP-NOL showed that the MR enhancement by the IAO is due to the improvement in resistivity of the CCP, and that by Fe₅₀Co₅₀ is due to a larger spin-dependent interface scattering effect. Analysis by cross-sectional TEM and three-dimensional atom probe confirmed the formation of the CCP-NOL structure. A reliability test for test element devices showed almost no change even under acceleration stress. The CPP-GMR spin-valve film with the CCP-NOL is extendable to future high-density recording heads due to its potential for a higher MR ratio at a small value of RA.

DOI： 10.1088/0022-3727/40/5/S01

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have realized a large magnetoresistance (MR) ratio of 10.2% by current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) spin-valve films having current-confined-path (CCP) structure formed by AlCu-NOL (nano-oxide-layer). CPP-GMR with conventional Co90 Fe10 pinned and free layers showed an MR ratio and a ΔRA (the change of resistance area product) were 4% and 20 mΩ μ m2, respectively, at a small RA (resistance area product) of 500 mΩ μ m2. By replacing the Co90 Fe10 layers by Fe50 Co50 layers both for pinned and free layers, we have successfully realized a MR ratio and a ΔRA of 7.5% and 37.5 mΩ μ m2, respectively, at a small RA of 500 mΩ μ m2. Moreover, a large MR ratio of 10.2% and a large ΔRA of 418 mΩ μ m2 were realized at a relatively large RA of 4100 mΩ μ m2. This large MR ratio by using Fe50 Co50 layers was due to a larger spin-dependent interface scattering factor γ of 0.72 for the interface between Fe50 Co50 and Cu, which was improved from a γ of 0.62 for the interface between Co90 Fe10 and Cu.

DOI： 10.1063/1.2009837

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The current-perpendicular-to-plane (CPP) giant-magnetoresistance (GMR) of spin valves with Fe50 Co50 alloy was investigated. It has been reported that the Cu inserted in Fe50 Co50 is effective for enhancing CPP-GMR. In this paper, we investigated the number of Cu lamination effect on CPP-GMR and clarified that higher CPP-GMR is obtained by decreasing the number of Cu layers. In order to ascertain the reason for this tendency, the crystalline structure and magnetization were examined. As a result, it was found that the d spacing of Fe50 Co50 increases when the number of Cu layers is increased, although saturation magnetization does not change.

DOI： 10.1063/1.1925333

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have successfully observed a nanoconstricted structure for current-confined-path (CCP) effect in current-perpendicular-to-plane-giant-magnetoresistance (CPP-GMR) spin valves. By inserting an AlCu nano-oxide layer (NOL) formed by ion-assisted oxidation (IAO) between a pinned layer and a free layer, the MR ratio was increased while maintaining a small area resistance product (RA). The cross-sectional high-resolution transmission electron microscopy image of the sample with RA= 380 mΩ μ m2, ΔRA=16 mΩ μ m2, and MR ratio=4.3% showed that an amorphous oxide layer is a main part of the NOL that blocks the electron conduction perpendicular to plane. Some parts of the NOL are punched through crystalline, metallic channels having a diameter of a few nanometers, which are thought to work as nanoconstricted electron conduction paths between the pinned layer and the free layer. Nano-energy-dispersive-x-ray-spectrum analysis also showed that Cu is enriched in the metallic channels, whereas Al is enriched in the amorphous oxide region, indicating that the metallic channel is made of Cu and the oxide is made of Al2 O3. The nanoconstricted structure with good segregation between the metallic channel and the oxide layer enables us to realize a large MR ratio in CCP-CPP spin valves.

DOI： 10.1063/1.1851673

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Spin valves with free and pinned layers constructed from Co ₅₀Fe ₅₀ exhibit higher current-perpendicular-to-plane (CPP) giant-magnetoresistance (GMR) than the conventional Co ₉₀Fe ₁₀ alloy. In order to investigate this enhancement mechanism, we measured CPP-GMR and the crystalline structure of spin valves with Co ₉₀Fe ₁₀, Co ₇₀Fe ₃₀, Co ₅₀Fe _l50 and Co ₂₀Fe ₈₀ for pinned and free layers. The spin valves with Co ₅₀Fe ₅₀ and Co ₂₀Fe ₈₀ show the same CPP-GMR and these are higher than those with Co ₉₀Fe ₁₀ and Co ₇₀Fe ₃₀. These results do not agree with the report about the Fe-Ni and Co-Ni systems that calculated that concludes that the stoichiometric concentration has the highest CPP-GMR. In the Co-Fe system, the crystalline structure and the strain also contribute to CPP-GMR.

DOI： 10.1016/j.jmmm.2004.09.045

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have compared the magnetoresistance (MR) performance of current-confined-path (CCP) current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP-GMR) spin valve films with a nano-oxide-layer (NOL), made between natural oxidation (NO) and ion-assisted oxidation (IAO). For the NO, an MR ratio was only 1.5% at an RA of 370 mωμm², whereas for the IAO, an MR ratio was greatly increased to 5.4% at an RA of 500 mωμm². Fitted data by the Valet-Fert model showing larger MR enhancement effect by the IAO is explained by the improvement of the metal-purity of the Cu inside the CCP structure. By further improvement of metal-purity of the Cu, a large MR ratio of more than 30% can be expected at a small RA of 300 mωμm². The CCP-CPP spin valve film is a promising candidate for realizing high-density recording heads for 200 to 400-Gbpsi recording.

DOI： 10.1109/TMAG.2004.829185

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A novel method is proposed for increasing the giant magnetoresistance (GMR) of dual spin valves of the CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe type by inserting nano-oxide layers (NOLs) into the pinned layers. Using this method, MR ratio of 23.5% was obtained, a value equal to those of specular spin valves with antiferromagnetic oxide, e.g., NiO. This method allows the selection of metallic materials for the antiferromagnetic layer. In addition, we obtained the specularity factor of upper NOLs, 0.8, and that of lower NOLs, 0.7, by calculating Boltzmann equations taking into account the roughness of each interlayer. This model shows that the MR ratio would be 27.5% for dual spin valves with ideal NOLs.

DOI： 10.1016/S0304-8853(03)00304-4

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The effect of inserted Cu was studied on current-perpendicular-to-plane-giant magnetoresistance of Fe₅₀Co₅₀ spin valves. The investigation of structural state of the inserted Cu was done by extended x-ray absorption structure (EXAFS) spectra to clarify its role in specific resistance behavior. It was found that solid solute Cu participates in the specific resistance increase in Fe₅₀Co₅₀ spin valves.

DOI： 10.1063/1.1558075

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

In this work, we present a suitable material for metal-based spin-valve in current-perpendicular-to-plane (CPP) geometry. The AΔR (A is the element size and ΔR is the change in resistance) was investigated for three kinds of free and pinned layers material, that is, Co ₉₀Fe ₁₀, Fe ₅₀Co ₅₀, and Fe ₅₀Co ₅₀ with half-atomic Cu layers. When the free and pinned layers are 5 nm, AΔR is 1.0 mμm ², 1.6 mμm ², and 2.9 mμm ², respectively. Moreover, the dual-type spin valve having Fe ₅₀Co ₅₀ with half-atomic Cu layers achieved 5.2 mμm ². According to the free and pinned layers thickness dependence of AΔR, the spin-dependent resistance at the interfaces between ferromagnetic layers and spacer Cu is enhanced mainly by changing from Co ₉₀Fe ₁₀ to Fe ₅₀Co ₅₀, and the spin-dependent bulk resistance in free and pinned layers is enlarged by inserting half-atomic Cu layers.

DOI： 10.1063/1.1499744

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The CoFe specular spin valve with pinned layer containing nano oxide layer is described. This valve satisfies large magnetoresistance (MR) ratio, large exchange bias and soft magnetic property of a free layer with an ultrathin CoFe free layer.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tampa   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tampa   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：岡山大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東芝研修センター   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：秋田大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Minneapolis   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kyongju   国名：大韓民国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：仙台   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東邦大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：神戸大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Cairns   国名：オーストラリア連邦  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名城大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名城大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：山口大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：San Francisco  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Minaz   国名：ドイツ連邦共和国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Oita   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tokyo   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Naoya   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Las Vegas   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Las Vegas   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：佐賀大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：沖縄   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：沖縄   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：沖縄   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：沖縄   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：信州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：幕張メッセ   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：幕張メッセ   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Minneapolis (online)   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：京都   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sendai   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Seoul   国名：大韓民国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Seoul   国名：大韓民国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：KIST   国名：大韓民国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京理科大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Pittsburgh   国名：アメリカ合衆国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Pittsburgh   国名：アメリカ合衆国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：スコーレ若宮   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：スコーレ若宮   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：スコーレ若宮   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡国際会議場   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Serni Hankyu Hotel   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：パシフィコ横浜   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学箱崎キャンパス   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学箱崎キャンパス   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学箱崎キャンパス   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学箱崎キャンパス   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：New Orleans   国名：アメリカ合衆国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：New Orleans   国名：アメリカ合衆国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学西新プラザ   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学西新プラザ   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Las Vegas   国名：アメリカ合衆国  

EMN Las Vegas meeting on spintronics

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：朱鷺メッセ   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日本大学 理工学部駿河台キャンパス   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東海大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Dresden   国名：ドイツ連邦共和国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Chicago   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：仙台   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Arizona   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：新潟コンベンションセンター   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日立金属高輪和彊館   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Korea   国名：大韓民国  

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

開催地：東海大   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington, DC   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Washington, DC   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北学院大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Dubrin   国名：イスラエル国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Madrid   国名：スペイン  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北学院大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Tampa   国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：学習院大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Perth   国名：オーストラリア連邦  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：学習院大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：学習院大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：信州松代ロイヤルホテル   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：仙台   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋   国名：日本国  

記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：24

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：30

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：審査・学術的助言 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：12

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：30

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：審査・学術的助言 

種別：学会・研究会等 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：22

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：30

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：7

日本語雑誌　査読論文数：2

国際会議録　査読論文数：200

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：審査・学術的助言 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：3

国際会議録　査読論文数：50

種別：大会・シンポジウム等 

種別：審査・学術的助言 

種別：審査・学術的助言 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：7

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：70

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：3

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：224

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：学会・研究会等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等