2024/08/09 更新

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ウツミ　ジユン
内海 淳
UTSUMI JUN
所属
システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 学術研究員
職名
学術研究員
連絡先
メールアドレス
電話番号
0928023721
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学位

  • 博士（工学）

経歴

  • 三菱重工業株式会社 三菱重工工作機械株式会社   

    三菱重工業株式会社 三菱重工工作機械株式会社

  • 神奈川県立保健福祉大学 東京農業大学 情報・システム研究機構   

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ： 常温接合による３次元実装技術 常温接合プロセス ハイブリッド接合 酸化物系材料の直接接合

    研究キーワード： 常温接合 表面・界面物性

    研究期間： 2001年4月

受賞

  • 優秀技術論文賞

    2018年11月   電気学会 センサ・マイクロマシン部門 第35 回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム   自己スパッタ接合法を用いた常温による酸化物系材料とSiの直接接合

論文

  • Decay time extension of terahertz electromagnetic waves emitted from coherent longitudinal optical phonons in GaAs epitaxial layers with the use of fast atom bombardment 査読

    Hideo Takeuchi, Yuto Omuku, Ryota Onoda, T. Nakaoka, Jun Utsumi, Shigeo Kawasaki, Masatoshi Koyama

    Optics Continuum   2022年9月

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    記述言語：その他   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/optcon.472567

  • Bonding of LiNbO3 and Si wafers at room temperature using Si nanolayers 査読

    Kaname Watanabe, Jun Utsumi, Ryo Takigawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SC )   2021年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We report the room temperature bonding of LiNbO3 and Si wafers based on the use of Si nanolayers. The proposed method employs physical sputtering, which simultaneously activates the surface of an etched Si wafer and forms a Si nanolayer on the surface of a LiNbO3 wafer. Following sputtering, both wafers are immediately brought into contact and the newly formed Si nanolayer acts as a nanoadhesive. The data presented herein demonstrate that this technique is more effective at directly bonding LiNbO3 and Si than the conventional surface-activated bonding method. Following activation, the bonded surface energy, which reflects the bond strength, was estimated to be approximately 2.2 J m(-2). This result indicates that the bonding was strong enough to withstand the processes associated with the fabrication of microelectronics devices, including wafer thinning.

    DOI： 10.35848/1347-4065/abf2d3

  • Surface activated bonding of aluminum oxide films at room temperature 査読

    Jun Utsumi, Ryo Takigawa

    Scripta Materialia   191   215 - 218   2021年1月

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    記述言語：その他   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We have investigated the surface activated bonding (SAB) of deposited Al2O3 films by chemical vapor deposition under a short-time activated condition at room temperature. Although the surface energy for bonding of Al2O3 films was very low, that of Al2O3 film/sapphire bonding was approximately 1 J m − 2 and more than 2 J m − 2 for sapphire/sapphire bonding. Transmission electron microscopy showed an amorphous-like intermediate layer approximately 1 nm thick, observed at the bonding interface of Al2O3/Al2O3, but not in the bonding of Al2O3/sapphire, which suggests that the crystallinity of the Al2O3 film affects the bonding of Al2O3.

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2020.09.005

  • 宇宙情報通信エネルギー技術のためのRF HySICデバイスに関する研究 査読

    薮田直人, 後藤優花, 小渕大輔, 内海淳, 中岡俊裕, 吉田賢史, 西川健二郎, 正光義則, 川崎繁男

    2020年電子情報通信学会総合大会   2020年3月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

  • Direct bonding of LiNbO3 and SiC wafers at room temperature 査読

    Ryo Takigawa, Jun Utsumi

    Scripta Materialia   174   58 - 61   2020年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Application of the surface activated bonding (SAB) method to direct bonding of LiNbO3 and SiC was investigated. SAB using argon fast atom beam bombardment resulted in the successful formation of a room-temperature bonded LiNbO3/SiC wafer for the first time. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) observations showed a void-free bonded interface at the atomic level. The bonded interface had an amorphous-like layer that was a few nanometers thick, which was considered to be formed during the bombardment process. The resulting LiNbO3/SiC structure can be utilized to realize a new configuration of various devices including surface acoustic wave filters for use in high-power applications that can satisfy both temperature compensation and heat dissipation requirements.

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2019.08.027

  • Direct bonding of lithium tantalate to silicon at room temperature by using a self-sputtered bonding method 査読

    Jun Utsumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( SG )   SGCC06   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Direct bonding of lithium tantalate to silicon at room temperature by using a self-sputtered bonding method

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab0ffd

  • Cu/SiO2 hybrid bonding obtained by surface-activated bonding method at room temperature using Si ultrathin films 査読

    Jun Utsumi, Kensuke Ide, Yuko Ichiyanagi

    Micro and Nano Engineering   Vol. 2   1 - 6   2019年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Cu/SiO2 hybrid bonding obtained by surface-activated bonding method at room temperature using Si ultrathin films

    DOI： 10.1016/j.mne.2018.11.004

  • 極薄Si中間層を用いた常温によるCu/SiO2ハイブリッド接合 査読

    内海淳, 井手健介, 一柳優子

    第25回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム   25th   369‐374   2019年1月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    Cu/SiO2 Hybrid Bonding at Room Temperature by Surface Activated Bonding Method Using Si Ultrathin Films

  • 自己スパッタ接合法を用いた常温による酸化物系材料とSi の直接接合 査読

    内海 淳

    第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム   01am2-A-1   2018年11月

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    記述言語：その他   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    Direct Bonding of Oxide Materials and Si at Room Temperature Using Self-sputtered Bonding Method

  • 常温接合を用いた混成半導体集積回路HySICの試作 査読

    古瀬結貴, 薮田直人, PARK Hyoseong, 中岡俊裕, 内海淳, 正光義則, 川崎繁男

    2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会   2018年8月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

  • CPWを用いた混成半導体集積回路HySIC整流回路の試作 査読

    野中菜央、薮田直人、中野裕貴、古瀬結貴、近藤諒佳、PARK Hyoseong、中岡俊裕、内海淳、岸川諒子、正光義則、川崎繁男

    2018年電子情報通信学会総合大会   2018年3月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

  • 直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性 査読

    秋山肇, 内海淳, 田中徹, 斎藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新

    電気学会論文誌C   136 ( 12 )   1761 - 1766   2016年12月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We fabricated a p-ZnTe/n-ZnO heterojunction structure by a direct bonding technology. The surfaces of the p-ZnTe and n-ZnO substrates were activated by low-energy argon-ion bombardment under high vacuum, with keeping their roughness. Continuously, they brought into contact under controlled pressure at room temperature, and annealed in argon atmosphere as post process. Atomic-scale bonding was confirmed by transmission electron microscopy and scanning energy-dispersive X-ray spectroscopy. It was also confirmed that the electric rectifying characteristics depend on the bonding press time and the post anneal temperature.

    DOI： 10.1541/ieejeiss.136.1761

  • Bonding of SiO2 and SiO2 at Room Temperature Using Si Ultrathin Film 査読 国際誌

    J. Utsumi, K. Ide, Y. Ichiyanagi

    ECS Transactions   75 ( 9 )   355   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Room temperature bonding of SiO2 and SiO2 by surface activated bonding method using Si ultrathin films 査読

    Jun Utsumi, Kensuke Ide, Yuko Ichiyanagi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 2 )   026503   2016年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    The bonding of metal electrodes and insulator hybrid interfaces is one of the key techniques in three-dimensional integration technology. Metal materials such as Cu or Al are easily directly bonded by surface activated bonding at room temperature, but insulator materials such as SiO2 or SiN are not. Using only Si ultrathin films, we propose a new bonding technique for SiO2/SiO2 bonding at room temperature. Two SiO2 surfaces, on which Si thin films were deposited, were contacted in vacuum. We confirmed that the thickness of the layer was about 7 nm by transmission electron microscopy observation and that the layer was non crystalline by electron energy loss spectroscopy analysis. No metal material was found in the bonding interface by energy-dispersive X-ray spectroscopy analysis. The surface energy was about 1 J/m(2), and the bonding strength was more than 25 MPa. This bonding technique was successfully realized to enable SiO2/SiO2 bonding without a metal adhesion layer. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/JJAP.55.026503

  • 3D積層に向けた常温によるSiO2/SiO2接合技術 査読

    堤圭一郎,　内海淳,　井手健介,　一柳優子

    第22回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム   2016年2月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    Bonding Technique of SiO2/SiO2 Bonding at Room Temperature by SAB Method for 3D Integration Technology

  • Local structure analysis of diluted magnetic semiconductor Co and Al co-doped ZnO nanoparticles 査読

    K. Hyodo, S. Morimoto, T. Yamazaki, T. Ishikawa, J. Utsumi, Y. Ichiyanagi

    AIP Conference Proceedings   1709   2016年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    In this study, Co and Al ions co-doped ZnO nanoparticles (Zn(Al, Co) O NPs) were prepared by our original chemical preparation method. The obtained samples prepared by this method, were encapsulated in amorphous SiO2. X-ray diffraction (XRD) results showed Zn(Al, Co) O NPs had a single-phase nature with hexagonal wurtzite structure. These particle sizes could be controlled to be approximately 30 nm. We investigate the effect that the increase in the carrier has on the magnetization by doping Al to Co-doped ZnO NPs. The local structures were qualitatively analyzed using X-ray absorption fine structure (XAFS) measurements.

    DOI： 10.1063/1.4941203

  • ハイブリッド接合のための表面活性化法を用いた常温によるCu/Cu接合及びSiO2/SiO2接合 査読

    内海淳, 井手健介

    日本機械学会論文集   81 ( 831 )   15-00408   2015年11月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    It has been said that the end of Moore's law will be reached in 10 to 20 years. Three dimensional integration technology is expected to be a possible solution in the post-Moore era. The bonding of the metal electrode and insulator hybrid interfaces is one of key technique in three dimensional technology. The hybrid bonding technique is highly challenging issue. Surface activated bonding (SAB), which is a bonding method carried out at room or low temperatures, is expected to solve various problems which caused by heating process. Metal materials such as Cu or Al are easy to directly bond by SAB method at room temperature, but insulator materials such as SiO2 or SiN is very difficult. First, we investigated the bonding interface of Cu/Cu by transmission electron microscopy (TEM) observations. No intermediate layers or voids were visible at the bonding interface. The bonded specimen fractured not at the interface of the bonded Cu/Cu, but at the interface between the thermal oxide layer and Ti film by tensile test. The current-voltage characteristic of the bonding interface was linear. Secondly, we proposed a new bonding technique for bonding of SiO2/SiO2 using Si ultra-thin films by applying the SAB method. The amorphous Si layer with the thickness of about 7 nm was observed at the bonding interface by TEM observation. The bonded specimen fractured at the glue interface and not the bonded interface by tensile test. The bonding strength is estimated to be higher than the adhesive glue for tensile test. We have shown that the SAB method at room temperature is a bonding technique that can fulfill requirements for hybrid bonding, which serves as both mechanical bonding and electrical connection, in 3D integration technology.

    DOI： 10.1299/transjsme.15-00408

  • 常温接合法によるハイブリッド接合のための要素技術検討とその界面構造

    内海淳

    横浜国立大学大学院   2015年3月

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    記述言語：日本語  

    Study on the hybrid bonding technology using the surface activated bonding at room temperature for 3D integration

  • Characterization of Cu/Cu bonding interface prepared by surface activated bonding at room temperature 査読

    Jun Utsumi, Yuko Ichiyanagi

    J. Basic and Applied Phys.   3 ( 4 )   150 - 158   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Characterization of Cu/Cu bonding interface prepared by surface activated bonding at room temperature

  • 表面活性化法を用いたCu/Cu直接接合における接合強度に及ぼす接合荷重の影響 査読

    内海淳, 一柳優子

    電気学会論文誌E   134 ( 9 )   284 - 289   2014年9月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We studied Cu-Cu direct bonding for the application of 3D integration. Thin Cu film deposited specimens are bonded under high vacuum by surface activated bonding method at room temperature. In the room-temperature direct bonding process, surface roughness has a strong influence on bonding. In general, metal bonding needs high bonding pressure. For successful bonding, it is important to reveal the influence of surface roughness and bonding pressure on the bonding properties. Therefore, we investigated the relationship between surface roughness and bonding strength with bonding pressure as the parameter. The specimen with smaller surface roughness than 1nm Ra was successfully bonded by bonding pressure of 10MPa, but for bigger roughness than 1nm Ra the successful bonding needed pressure of 50MPa.

    DOI： 10.1541/ieejsmas.134.284

  • Cu-Cu Direct Bonding Achieved by Surface Method at Room Temperature 査読

    Jun Utsumi, Yuko Ichiyanagi

    AIP Conference Proceedings   1585   102 - 107   2014年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    The metal bonding is a key technology in the processes for the microelectromechanical systems (MEMS) devices and the semiconductor devices to improve functionality and higher density integration. Strong adhesion between surfaces at the atomic level is crucial; however, it is difficult to achieve close bonding in such a system. Cu films were deposited on Si substrates by vacuum deposition, and then, two Cu films were bonded directly by means of surface activated bonding (SAB) at room temperature. The two Cu films, with the surface roughness Ra about 1.3nm, were bonded by using SAB at room temperature, however, the bonding strength was very weak in this method. In order to improve the bonding strength between the Cu films, samples were annealed at low temperatures, between 323 and 473 K, in air. As the result, the Cu-Cu bonding strength was 10 times higher than that of the original samples without annealing.

    DOI： 10.1063/1.4866626

  • 表面活性化法によるCu/Cu直接接合の検討 査読

    内海淳, 一柳優子

    第30回センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム   2013年11月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    Cu/Cu direct bonding by surface activated method

  • Room temperature bonding for vacuum applications: Climatic and long time tests 査読

    S. Langa, J. Utsumi, T. Ludewig, C. Drabe

    Microsystem Technologies   19 ( 5 )   681 - 687   2013年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    A detailed and quantitative motivation for the necessity of room temperature (RT) bonding for wafer level packaging of silicon micro-mirrors will be given. Results on RT 6 inch wafer bonding with vacuum encapsulation on test structures are presented. Structured as well as unstructured wafers have been bonded at RT using a Mitsubishi Heavy Industries bonder. Unstructured wafers were used for the determination of the bonding strength, whereas the structured wafers were used for the evaluation of vacuum level and its stability with time. © 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg.

    DOI： 10.1007/s00542-012-1703-x

  • Room-temperature bonding of oxide wafers by Ar-beam Surface activation 査読

    H. Takagi, J. Utsumi, M. Takahashi, R. Maeda

    ECS Transactions   16 ( 8 )   531 - 537   2009年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

    Surface activated bonding (SAB) by Ar beam sputter etching has been proved to have ability to bond various semiconductor wafers at room temperature. In this paper, we report SAB of oxide wafers. Various oxide wafers were successfully bonded to Si wafers by SAB. Strong bonding equivalent to bulk strength was achieved without any heat treatments. Among the oxide wafers tested, SiO2 was only a material which was not form strong bond with Si at room-temperature. On the other hand, strength of oxide-to-oxide bonding by SAB was not so strong as bulk materials and was largely dependent on the bonded oxide materials. In case of oxideto-oxide bonding, SiO2 was again difficult to bond. Deposited thin oxide film such as TiO2 could be bonded by SAB and was effective to improve bonding properties. In summary, oxide wafers were successfully bonded by SAB at room-temperature, however its strength depends on oxide materials. © The Electrochemical Society.

    DOI： 10.1149/1.2982908

  • Growth of n-type diamond with high conductivity by gas-source molecular beam epitaxy and its application 査読

    T Nishimori, J Utsumi, H Sakamoto, Y Takakuwa, S Kono

    DIAMOND FILMS AND TECHNOLOGY   8 ( 5 )   323 - 330   1998年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    An n-type phosphorus (P)-doped epitaxial diamond film with high conductivity was grown on a nitrogen (N)-doped or a boron (B)-doped C(001) substrate by gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE) using methane and tri-n-butylphosphine. On the N-doped substrate, the electrical conductivity of the P-doped diamond film was measured to be 0.33 (Omega.cm)(-1) at RT with an activation energy of 0.12 eV. The Hall measurement showed it-type conduction and a carrier concentration of 1.6 x 10(18) cm(-3) at 400 degrees C, which was comparable to the P concentration determined by secondary ion mass spectrometry. These indicate the formation of a shallow P donor level with high electrical activation efficiency. On the B-doped substrate, we obtained the p-n characteristics with a rectification ratio of similar to 10(3) at 10 V. Electroluminescence (EL) in the visible and ultraviolet ranges was observed from the p-n junction at RT. Under the forward-bias condition, the EL spectrum showed both a main broad peak at 540 nm with two shoulders at 495 nm and 620 nm, and a peak at 270 nm, which were interpreted to be the transition between energy levels previously reported for B and N impurities. Therefore, the EL was concluded to be emitted from the B-doped substrate to which electrons were injected from the n-type epitaxial film.

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書籍等出版物

  • 異種材料の接合・接着技術とマルチマテリアル化 －接合方法、接合メカニズム、界面制御、強度評価－

    内海淳（担当：共著）

    技術情報協会  2017年10月 

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    記述言語：その他  

講演・口頭発表等

  • Terahertz time-domain spectroscopy of GaAs epitaxial layers treated with the use of fast atom bombardment 国際会議

    Hideo Takeuchi, Yuto Omuku, Ryota Onoda，Toshihiro Nakaoka, Jun Utsumi,　Shigeo Kawasaki, Masatoshi Koyama

    31st International Conference on Defects in Semiconductors  2021年7月 

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    開催年月日： 2021年7月

    記述言語：英語  

    開催地：オンライン   国名：その他  

  • 宇宙情報通信エネルギー技術のためのRF HySICデバイスに関する研究

    薮田直人, 後藤優花, 小渕大輔, 内海　淳, 中岡俊裕, 吉田賢史, 西川健二郎, 正光義則, 川崎繁男

    2020年電子情報通信学会総合大会  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月 - 2024年3月

    記述言語：日本語  

    開催地：オンライン   国名：日本国  

  • 高速原子ボンバードメント処理されたGaAs エピタキシャル層の時間領域テラヘルツ分光

    大椋祐斗, 竹内日出雄, 中山正昭, 小野田稜太, 中岡俊裕, 内海淳, 川崎繁男, 小山政俊

    第30回光物性研究会  2019年12月 

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    開催年月日： 2019年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Room-temperature direct bonding of LiTaO3 and SiC wafers for future SAW filter

    Ryo Takigawa, Jun Utsumi

    45th International Conference on Micro & Nano Engineering  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語  

    国名：その他  

  • Effect of Annealing on Cu-Cu Direct Bonding at Room Temperature 国際会議

    Jun Utsumi, Yuko Ichiyanagi

    International Symposium on Surface Science (ISSS-6)  2011年12月 

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    開催年月日： 2011年12月

    記述言語：英語  

    開催地：Tower Hall Funabori   国名：日本国  

    Effect of Annealing on Cu-Cu Direct Bonding at Room Temperature

  • Annealing Effect of Cu-Cu Surface Bonding at Room Temperature 国際会議

    Jun Utsumi, Yuko Ichiyanagi

    21st IUPAC International Conference on Chemical Thermodynamics  2010年8月 

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    開催年月日： 2010年8月

    記述言語：英語  

    国名：その他  

    Annealing Effect of Cu-Cu Surface Bonding at Room Temperature

  • 時間領域テラヘルツ分光を用いた高速原子ボンバードメント処理によるGaAsエピタキシャル層表面の評価

    大椋祐斗, 竹内日出雄, 中山正昭, 小野田稜太, 中岡俊裕, 内海淳, 川崎繁男

    日本物理学会2019年秋季大会  2019年9月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 〔Pt(en)2〕〔Pt(en)2(Cl1-xIx)2〕(ClO4)4の反射スペクトル

    田中 正俊, 春木 美華子, 内海 淳, 藤沢 正美, 栗田 進

    日本物理学会　1986年秋の分科会  1986年9月 

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    記述言語：日本語  

    国名：日本国  

  • Room-Temperature Bonding of Oxide Wafers by Ar-beam Surface Activation 国際会議

    Hideaki Takagi, Jun Utsumi, Masaharu Takahashi, Ryutaro Maeda

    214th ECS Meeting  2008年10月 

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    記述言語：英語  

    国名：その他  

    Room-Temperature Bonding of Oxide Wafers by Ar-beam Surface Activation

  • Cu-Cu Direct Bonding Achieved by Surface Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

    Jun Utsumi, Yuko Ichiyanagi

    IRAGO conference 2013  2013年10月 

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    記述言語：英語  

    国名：その他  

    Cu-Cu Direct Bonding Achieved by Surface Activated Bonding at Room Temperature

  • 表面活性化法によるCu/Cu直接接合の検討

    内海淳, 一柳優子

    第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2013年11月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 常温接合技術と常温ウェーハ接合装置 招待

    内海淳

    精密工学会主催第372回講習会「材料の表面を『超』制御する～浄める・貼る・剥がす技術の最前線～」  2015年2月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Surface analysis of Cu films for hybrid bonding by surface activated bonding at room temperature 国際会議

    Jun Utsumi, Kazumasa Mori, Masaya Hachisu, Yuko Ichiyanagi

    The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Nanotechnologies (EM-NANO 2015)  2015年7月 

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    記述言語：英語  

    国名：その他  

    Surface analysis of Cu films for hybrid bonding by surface activated bonding at room temperature

  • Mn-Zn ferriteナノ微粒子のハイパーサーミア効果とMR造影効果

    一柳優子, 酒井元大, 石川智也, 山崎貴大, 森本翔大, 兵藤公美典, 内海淳

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 3D積層に向けた常温によるSiO2/SiO2接合技術

    内海淳, 堤圭一郎, 井手健介, 一柳優子

    第22回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム  2016年2月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Bonding of SiO2 and SiO2 at Room Temperature Using Si Ultrathin Film 国際会議

    Jun Utsumi, Kensuke Ide, Yuko Ichiyanagi

    230th ECS Meeting (PRiME 2016)  2016年10月 

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    記述言語：英語  

    国名：その他  

    Bonding of SiO2 and SiO2 at Room Temperature Using Si Ultrathin Film

  • 常温ウェハ接合装置とハイブリッド接合に向けた取り組み 招待

    内海淳

    2016年度第3回TSV応用研究会  2016年12月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • CPWを用いた混成半導体集積回路HySIC整流回路の試作

    野中菜央, 薮田直人, 中野裕貴, 古瀬結貴, 近藤諒佳, 朴孝晟, 中岡俊裕, 内海淳, 岸川諒子, 正光義則, 川崎繁男

    2018年電子情報通信学会総合大会  2018年3月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 自己スパッタ接合法を用いた常温によるSiO2/Si直接接合

    内海淳

    第79回 応用物理学会 秋季学術講演会  2018年9月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

    Direct Bonding of SiO2/Si at Room Temperature using Self-Sputtered Bonding Method

  • 常温接合を用いた混成半導体集積回路HySICの試作

    古瀬結貴, 薮田直人, PARK Hyoseong, 中岡俊裕, 内海淳, 正光義則, 川崎繁男

    2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会大会  2018年9月 

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    記述言語：日本語  

    国名：日本国  

  • 自己スパッタ接合法を用いた常温によるLiTaO3/Si直接接合

    内海淳

    第39 回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム  2018年10月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

    Direct Bonding of LiTaO3/Si at Room Temperature Using Self-sputtered Bonding Method

  • 自己スパッタ接合法を用いた常温による酸化物系材料とSiの直接接合

    内海淳

    第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2018年11月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

    Direct Bonding of Oxide Materials and Si at Room Temperature Using Self-sputtered Bonding Method

  • 極薄Si中間層を用いた常温によるCu/SiO2ハイブリッド接合

    内海淳, 井手健介, 一柳優子

    第25回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム  2019年1月 

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    記述言語：日本語  

    国名：その他  

    Cu/SiO2 Hybrid Bonding at Room Temperature by Surface Activated Bonding Method Using Si Ultrathin Films

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MISC

  • ハイブリッド接合のための常温によるウェハ接合技術 (特集 半導体の配線微細化/高密度化に向けた表面処理技術動向)

    内海淳

    機能材料   2018年6月

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    記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    Room Temperature Wafer Bonding Technique for Hybrid Bonding

  • 表面活性化法を用いた常温ウェハ接合技術

    内海 淳, 井手 健介, 一柳 優子

    表面科学   2017年2月

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    記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    The bonding of metal electrode and insulator hybrid interfaces is one of key techniques in 3D integration technology. As the surface activated bonding (SAB) is carried out at room temperature, the method is expected to be suitable for hybrid bonding. The metal materials such as Cu or Al are easy to directly bond using the SAB method, but insulator materials such as SiO2 or SiN are difficult. In this report, we propose a new bonding technique for SiO2/SiO2 bonding at room temperature using only Si ultra-thin films. We confirmed that the surface energy was about 1 J/m2, which is almost the same value of Si/Si bonding prepared at room temperature by SAB. Moreover, we examined the bonding of Cu/Cu by the SAB method, and we confirmed that no micro-voids were observed at the bonding interface.

    DOI： 10.1380/jsssj.38.72

  • 多岐にわたるデバイス分野で活躍する常温ウェーハ接合装置

    井手健介, 後藤崇之, 内海淳, 鈴木毅典

    三菱重工技報(Web)   2011年1月

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    記述言語：日本語  

    Wafer Bonder Applicable to Devices in Various Fields

  • 次世代マイクロデバイスの量産に貢献する常温ウェーハ接合装置

    井手健介, 後藤崇之, 浅野伸, 内海淳, 田原諭, 津村陽一郎

    三菱重工技報(Web)   2007年1月

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    記述言語：日本語  

    Wafer Bonder using Surface Activated Bonding for MEMS Production

  • MEMSデバイスの高効率・低コスト生産に貢献するウェーハ常温接合装置

    後藤崇之, 井手健介, 内海淳, 田原諭, 津野武志, 木ノ内雅人, 鈴木毅典

    三菱重工技報(Web)   2006年1月

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    記述言語：日本語  

    Wafer Bonder using Surface Activated Bonding at Room Temperature

産業財産権

特許権   出願件数: 57件   登録件数: 26件
実用新案権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
意匠権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
商標権   出願件数: 0件   登録件数: 0件

所属学協会

  • 応用物理学会

  • 電気学会

学術貢献活動

  • 論文委員

    第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ オンライン ） 2021年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ オンライン ） 2020年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ アクトシティ浜松 ） 2019年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 札幌市民交流プラザ ） 2018年10月 - 2018年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第34回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 広島国際会議場 ） 2017年10月 - 2017年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2017年

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    種別：査読等 

  • 論文委員

    第33回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 平戸文化センター ） 2016年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2016年

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    種別：査読等 

    日本語雑誌　査読論文数：1

  • 論文委員

    第32回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 朱鷺メッセ ） 2015年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割：査読

    2015年

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    種別：査読等 

    日本語雑誌　査読論文数：2

  • 論文委員

    第31回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ くにびきメッセ ） 2014年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 座長

    第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 仙台国際センター ） 2013年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 仙台国際センター ） 2013年11月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第29回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ 北九州国際会議場 ） 2012年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第28回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ タワーホール船堀 ） 2011年9月

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    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員

    第27回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ くにびきメッセ ） 2010年10月

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    種別：大会・シンポジウム等 

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 結晶構造を制御した酸化膜の常温による新規接合技術の実現

    研究課題/領域番号：20K14629  2020年 - 2022年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究

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    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

FD参加状況

  • 2024年4月   役割：参加   名称：令和６年度 第１回全学FD（新任教員の研修）

    主催組織：全学

他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

  • 2024年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2023年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2022年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2021年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2020年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2019年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2018年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2017年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

  • 2016年  横浜国立大学・理工学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

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