この賞は、国内で開催された無線電力伝送コンテストで受賞したものである。魏業、大学から多くのチームが参加していたた、
新規性、将来性をもとに審査され、最優秀賞を受賞した。このコンテストで、無線で体内への電力を伝送する技術を提案し、
今後ペースメーカーや体内埋め込みセンサー、医療機器をバッテリー無しで動作させる技術を提案した。

本賞、電子通信学会誌ELEX詩で2016.1-12までの一年間の期間で掲載された学術論文の中で最優秀の１件の論文に報奨するものであるであるため。

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TIM.2023.3238050

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/10021985

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2022.3189347

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9829838

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSI.2022.3205367

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/9894111

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LAWP.2022.3188297

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/9815525

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2022.3179002

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9791101

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSII.2022.3158995

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9733395

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2022.3171405

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9773303

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2022.3167705

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9781797

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSII.2021.3123655

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9592631

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSII.2021.3123954

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9594096

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2021.3122149

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9599586

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1038/s41598-021-01677-6

その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-021-01677-6

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1038/s41598-021-99405-7

その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-021-99405-7

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TVLSI.2021.3115050

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/9559736

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A voltage-controlled oscillator (VCO) is usually designed by maximizing the quality (Q-) factor of the LC-tank resonator to realize a low phase noise. For the same frequency, the ratio of C/L affects the loaded Q-factor (QL) and then phase noise of the VCO. This affect has not been considered so far in the design of VCO because the conventional on-chip spiral inductor cannot be optimized for C/L ratio. This brief first investigates the effects of C/L ratio on the phase noise, and a design methodology for optimized C/L ratio using defected ground structure (DGS) resonator is presented. Then, the resonators were further evaluated based on LgL-product simulation for a fixed Ibias. Employing the proposed resonator, a very low phase noise KUband VCO is designed and implemented in 0.18-lm CMOS technology. The measurement result shows that the proposed VCO has a phase noise of -110.77 dBc/Hz at 1 MHz offset of 17.5 GHz carrier frequency and a frequency tuning range of 8.7%. The VCO consumes 2.3 mW power, which results in a figure of merit (FoM) of -191.95 dB.

DOI： 10.1109/TCSII.2021.3079309

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9428594/authors#authors

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2021.3064602

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9373441

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： /10.1038/s41598-021-84333-3

その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-021-84333-3

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSII.2020.3016385

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9166524

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2020.3016136

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9173565

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1049/iet-cds.2020.0013

その他リンク： https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/iet-cds.2020.0013

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2020.3004753

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9134404

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This work proposes a new theory to reduce the phase noise of K-band Voltage-Controlled Oscillators (VCOs) in Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) process by introducing one or more transmission poles around the parallel resonance of an LC-tank circuit. Introduction of transmission poles beside the parallel resonance of the LC-tank circuit sharpens the skirt characteristics of the Scattering (S) parameters of the resonators. In return, sharp S-parameters slope enhances the resonator loaded quality (Q) factor without compromising the unloaded Q-factor. In addition, the transmission pole can be realized near the second harmonic of the oscillation. This allocation of the transmission pole leads to the cancellation of this second harmonic and a further reduction of the phase noise. The proposed theory is verified by three different designs based on defected ground structure (DGS) resonators. These designs realized a low-band transmission pole before the parallel resonance, a high-band transmission pole after the parallel resonance, and dual-band transmission poles around the parallel resonance. First, each design is verified and compared to the others using circuit and electromagnetic simulations to establish the Q-factor improvement. Then, each of the resonators is utilized in a differential VCO topology and the phase noise reduction in post-layout simulations is confirmed. Finally, two chips are fabricated in 0.18-μ m CMOS technology and measured. The measurement results are in good agreement with the simulations, which confirm our claim about the proposed theory.

DOI： 10.1109/TCSI.2020.2965007

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This letter presents the improvement of the phase noise (PN) of a voltage-controlled oscillator (VCO) by using a defected ground structure (DGS) resonator with a high-band transmission pole. The proposed DGS resonator has two loops in a coplanar stripline topology. The outer loop is loaded by a series capacitance, which produces the high-band transmission pole. The overall combination has a parallel capacitor to generate the necessary parallel resonance for the VCO operation. This proposed DGS resonator has a sharper impedance and frequency response slope, which results in an improved quality factor. In return, utilization of this DGS resonator into a K_U-Band VCO reduces its PN. The prototyped VCO in 0.18-µm CMOS oscillates at 15.52 GHz and shows a PN of −111.27 and −134.07 dBc/Hz at 1- and 10-MHz offset, respectively, while consuming 3.3-mW power. The VCO has a frequency tuning range of 9.5%, which results in a figure of merit (FoM) of −192.7 dB.

DOI： 10.1109/LMWC.2019.2950525

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2019.2935621

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A new staggered tuning technique, by optimizing the inter-stage matching circuit, is proposed to realize a power amplifier (PA) with small group delay (GD) variations and excellent gain flatness across the full bandwidth of ultra-wideband (UWB) system. The proposed PA consists of two stages where the first stage is constructed by a current-reuse with shunt RC feedback topology to realize gain flatness and low power consumption. The design is implemented in 0.18 μ m commentary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, fabricated, and tested. The proposed PA has a measured power gain (|S ₂₁ |) of 11.5 ± 0.7 dB, maximum power-added efficiency (PAE) of 26% and an output 1-dB compression point of 9 dBm, respectively, and this is the maximum PAE among CMOS PAs that cover the full bandwidth of UWB system. Besides, the PA has a small GD variations of ± 68 ps which is the lowest till date.

DOI： 10.1109/TCSII.2018.2870165

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCSII.2018.2883671

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This paper presents a new type of a low-loss miniaturized coplanar-waveguide (CPW) transmission line (TL) by employing distributed loading, capacitors and inductors, in 0.18-μm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. The capacitors are realized by vertical parallel plates made of vias, and a group of open stubs inserted to the signal line, whereas the inductors are realized by high impedance lines. Then, the proposed CPW-TL is employed to design a miniaturized millimeter wave ultra-wideband low-loss Wilkinson power divider/combiner (WPD/C). The proposed distributed loading results in reducing each WPD/C arm length by more than 50% without changing its characteristic impedance and insertion loss (IL). The design is fabricated in 0.18-μm CMOS technology and tested. The measured results show a wideband performance from dc to 67 GHz with 1-dB IL and isolation greater than 15 dB from 36 to 67 GHz. In addition, the fabricated WPD/C achieves an excellent amplitude imbalance and phase imbalance of less than 0.16 dB and 0.45°, respectively. The core chip size is 336 × 165 μm ² , which is almost 32.8% compact compared to the recently proposed WPD in the same technology.

DOI： 10.1109/TMTT.2018.2873381

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TMTT.2018.2852661

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A novel 22-GHz-band oscillator using an integrated defected ground structure (DGS) resonator is presented for quasi-millimeter waveband applications. The DGS is etched on the first metal layer (M1) below a 50-Ω microstrip line on the top metal layer (M6) of 0.18-μm one-poly six-metal (1P6M) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. The proposed oscillator is fabricated using 0.18-μm CMOS technology, and the measured carrier frequency and phase noise are 22.88 GHz and-129.21 dBc/Hz (-108.05 dBc/Hz) at 10-MHz (1 MHz) offset frequency, respectively. The power dissipation is 6 mW that results in a figure of merit to be-188.8 dB. As the DGS resonator could be designed at any high frequency, it may give an alternative design approach of high performance voltage controlled oscillator and frequency synthesizers at K-band and beyond, thus alleviates the problem of self-resonance that a spiral inductor usually encounters at higher frequency.

DOI： 10.1109/LMWC.2018.2801031

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8298526/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A dual band and low phase noise Ku-band voltage-controlled oscillator (VCO) using 180 nm CMOS technology is presented in this brief. The proposed VCO employs a switched notch filter that can operate in the low and high band depends on the state of nmos transistor and has a quality factor that is higher than that of a conventional inductor-capacitor (LC) resonator. The proposed resonator doubles the quality factor compared to LC in the technology and reduces the total die area. The first band is realized by the switched interdigital resonator when nmos transistor is in the off state. Furthermore, the second band is realized by turning nmos transistor to the on state which is located between two fingers in the proposed resonator. The chip is implemented in 180nm CMOS technology, and found that the proposed VCO operates from 15.5 16.7Hz (low band) and 16.6 17.4 GHz (high band). At 1.8 V power supply, the power consumption of the oscillator core is 5.4mW and 7.2mW in the low and high-frequency bands respectively. The measured phase noise is –107 dBc/Hz at 1MHz offset from 16.7 GHz carrier frequency.

DOI： 10.1109/TCSII.2018.2817499

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8320300/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

In this paper, a new miniaturized frequency agile filter-antenna with a wide reconfigurable frequency band is proposed for interweave cognitive radios (CRs). A tunable bandpass filter (BPF) composed of a symmetrical ring resonator is cascaded to the feed line of an ultra-wideband planar antenna. The structure of the proposed ring resonator BPF is simple and compact so that the total size of the proposed filter-antenna is smaller than that of a conventional system made of a separate antenna and BPF. The reconfigurability of the proposed filter-antenna is achieved by changing the operating frequency of the BPF by loading the ring resonator with a single varactor diode at its center. The fabricated prototype has successfully achieved a wide operational bandwidth of 1.43 GHz which covers continuous narrow bands from 4.65 to 6.08 GHz. Moreover, the operating tunable narrow bands have stable radiation characteristics. Good agreement between measurement and simulation results is demonstrated.

DOI： DOI: 10.1017/S1759078717001556

その他リンク： https://www.cambridge.org/core/journals/international-journal-of-microwave-and-wireless-technologies/article/design-of-compact-frequency-agile-filterantenna-using-reconfigurable-ring-resonator-bandpass-filter-for-future-cognitive-radios/BC3CF90E7F2DE1293F

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This brief proposes a design methodology based on the admittance (J-) inverters for a dual-band wireless power transfer (WPT) system that employs two cascaded circulars defected ground structure (DGS) resonators with different capacitive loading to guarantee distinct resonances. A single microstrip line excites the two DGSs, and when two DGS resonators are coupled back to back, it transforms to a dual band pass filter leading to wireless power transfer at both bands. Each of the DGS resonators has independent coupling. Thus, the realized J-Inverters are designed independently. Also, we employ a single stub for the matching. This stub appears with a different length according to the operating frequency; hence, an independent external coupling is achieved at both frequencies. A compact size of 30 mm × 15 mm is fabricated achieving a WPT efficiency of more than 71% at a power transfer distance of 16 mm for both bands (0.3 GHz and 0.7 GHz).

DOI： 10.1109/TCSII.2017.2740401

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8010857/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2017.2750032

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8059822/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This paper investigates a possibility of application of a virtual inductor realized by an integrated defected ground structure (DGS) to design a front-end circuit in CMOS technology. Two types of DGS are analyzed and found that the inductance realized by a square-shaped DGS achieves smaller size and higher quality factor than an H-shaped DGS. Then, a 15-GHz low phase noise voltage-controlled oscillator (VCO) employing the proposed square-shaped DGS in 0.18-$\mu \text{m}$ 1P6M CMOS technology is designed. The fabricated VCO operates from 15.2 to 16.12 GHz and consumes 5-mW power. The measured phase noise is-132.08 dBc/Hz at 10-MHz offset frequency, and this results in the figure of merit (FoM) and FoM taking account of the area to be 189.1 and 199.9 dB, respectively.

DOI： 10.1109/JEDS.2017.2728686

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/7984797/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This letter presents a 60-GHz ultracompact on-chip bandpass filter (BPF). The designed filter is based on a unique structure, which consists of two overlapped broadside-coupled open-loop resonators, achieving a high level of miniaturization. Moreover, each resonator is loaded by a metal-insulator-metal capacitor to get further miniaturization. Defected ground structure pattern is constructed under the filter structure to enhance the insertion loss (IL). This BPF is designed and fabricated using a standard 0.18- μ complementary metal-oxide-semiconductor technology for millimeter-wave applications. The fabricated BPF chip size is 240 × 225-μ 2 including pads. The measured results agree well with the simulation ones and show that the BPF has an IL of 3.3 dB at 59.5-GHz center frequency, and a bandwidth of 12.9 GHz.

DOI： 10.1109/LMWC.2017.2734771

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8010799/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A low-power ultrawideband (UWB) pulse generator based on pulsed oscillator architecture for 3-5 GHz applications is proposed. The pulsed oscillator is improved, so it realizes binary phase shift keying (BPSK) modulation. Unlike ON-OFF keying or pulse-position modulation (PPM), BPSK can scramble the spectrum, so it can be used in high pulse rate applications without having spectral line problem. The signal structure in this design is burst mode of PPM+BPSK. The proposed UWB pulse generator was successfully implemented on 0.18-μm CMOS technology. The peak-to-peak amplitude of output pulse is about 220 mV with 50-ω load, the maximum power consumption is 4 mW at a raw data rate of 7.8 Mbps and the energy consumption is 32 pJ/pulse at a pulse rate of 125 Mpulses/s.

DOI： 10.1109/LMWC.2017.2701306

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8010799/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A 1.9 GHz film bulk acoustic resonator (FBAR)-based low-phase-noise complementary cross-coupled voltage-controlled oscillator (VCO) is presented. The FBAR-VCO is designed and fabricated in 0.18 μ m CMOS process. The DC latch and the low frequency instability are resolved by employing the NMOS source coupling capacitor and the DC blocked cross-coupled pairs. Since no additional voltage headroom is required, the proposed FBAR-VCO can be operated at a low power supply voltage of 1.1 V with a wide voltage swing of 0.9 V. An effective phase noise optimization is realized by a reasonable trade-off between the output resistance and the trans-conductance of the cross-coupled pairs. The measured performance shows the proposed FBAR-VCO achieves a phase noise of-148 dBc/Hz at 1 MHz offset with a figure of merit (FoM) of-211.6 dB.

DOI： 10.1587/transele.E100.C.363

その他リンク： https://search.ieice.org/bin/summary.php?id=e100-c_4_363

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1587/elex.14.20170056

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/elex/14/5/14_14.20170056/_pdf

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： http://eds.b.ebscohost.com/eds/detail/detail?vid=0&sid=e661ec44-c762-408f-b4ca-b05ffd00fadc%40pdc-v-sessmgr01&bdata=Jmxhbmc9amEmc2l0ZT1lZHMtbGl2ZQ%3d%3d#AN=121361977&db=asx

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TMTT.2016.2618919

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/7731202/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 0.1109/LAWP.2017.2654353

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/7731202/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2016.2601300

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

This letter presents a high efficiency, and small group delay variations 12–24GHz
fully-integrated CMOS power amplifier (PA) for quasi-millimeter wave applications.
Maximizing the power added efficiency (PAE), and minimizing the group delay variations in
a wideband frequency range are achieved by optimizing the on-chip input, output, and inter-
stage matching circuits. In addition, stagger tuning is employed for realizing excellent gain
flatness. A two-stage CMOS PA using the proposed methodology is designed and ...

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/LMWC.2016.2597219

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1049/el.2015.4465

その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/el.2015.4465

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1049/iet-map.2015.070

その他リンク： http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/iet-map.2015.0700

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： https://www.jstage.jst.go.jp/article/elex/advpub/0/advpub_13.20151115/_article

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCOMM.2015.2512922

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=7368162&tag=1

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCAD.2014.2354291

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6926919

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： http://ci.nii.ac.jp/naid/130005090447

記述言語：英語  

記述言語：英語  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/TCAD.2014.2354291

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6926919

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

記述言語：英語  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： (2009), doi: 10.1016/j.aeue.2009.07.008.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： doi: 10.1016/j.aeue.2009.06.002.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

その他リンク： http://www.wseas.org/

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： www.iee.org

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： www.ieice.org

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

その他リンク： www.iee.org

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

An innovative, high-quality factor, and small-area V-shaped inductor is presented in this article to improve the performance of voltage-controlled oscillators (VCOs). The differential inductance of the suggested V-shaped inductor in the resonator and the buffer is 280 pH and 630 pH, respectively. The inductor area is compacted by 42% and 76% compared to the conventional inductor with the same inductance value. Using 0.18- μ CMOS technology, the proposed V-shaped inductor is employed to design a compact VCO operating at Ku-band. The proposed VCO has a simulated phase noise range of −114 to −114.6 dBc/Hz, which is relatively constant. Also, its simulated frequency tuning range (FTR) is 5.6 % from 14.03 to 14.74 GHz. The power consumption is 2.2 mW. The simulated figure of merit (FoM) ranges from −193.5 to −194.2 dBc/Hz, which is enhanced by 6%. The designed VCO core area is 0.034 mm2, which is compacted by 35% compared to using a conventional spiral inductor. The achieved area-included figure of merit ( ) is −208.7 dBc/Hz. The VCO has an output power of −6.8 dBm and a good harmonic suppression of 29.4 dB between the fundamental and the second harmonic.

DOI： 10.1002/cta.3747

その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/cta.3747

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/cta.3903

その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/cta.3903

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1364/AO.58.001763

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.2528/pierm18101608

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/ACCESS.2019.2940273

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A CMOS attenuator with high linearity has been designed and measured in a 0.18-µm
CMOS process, to be used for a variable gain amplifier of RF wireless transceiver. The
design is based on four cascaded Bridge-T attenuator stages that are consecutively
activated to adjust the attenuation level and improve linearity. The design operates in the
frequency band of DC-2.5 GHz with 2-3.5 dB insertion loss and 14 dB maximum attenuation
in the entire frequency range. Measured and simulated results are in good agreement over
the frequency band of interest. Measured worst case S11 and S22 are–10 and-8.8 dB,
respectively, across the frequency band. The measured 1-dB compression point is+ 22 dBm
at maximum-attenuation.

その他リンク： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2351978918303822

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1364/OL.43.004176

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1109/ACCESS.2018.2866457

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1017/S1759078717001556

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.aeue.2017.08.022

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1364/AO.57.000042

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/mop.29650

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1093/ietele/e88-c.12.2302

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

開催年月日： 2022年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/document/9887224

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Denver (USA)   国名：アメリカ合衆国  

Millimeter-wave miniaturized Substrate Integrated Waveguide (SIW) cavity resonator is proposed in 0.18-µm CMOS technology. Miniaturization of the SIW cavity resonator is achieved first by taking 1/16 th parts of the standard SIW and employing folded ridge structure. Later this folded ridge sixteenth mode SIW cavity is inductively loaded by a complementary split-ring resonator, which provides internal matching within the cavity resonator. This improved matching enhances the return loss, the external Q-factor, and ultimately, the loaded Q-factor of the proposed cavity resonator. At 60 GHz resonance frequency, the fabricated prototype of the proposed cavity resonator presents a measured reflection coefficient of −33.42 dB, with the external Q- factor 112. Moreover, the active area of the fabricated cavity without measuring pads is only 0.019 mm2 .

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9865522

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：London (UK) and online   国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

Recently, defected ground structure (DGS) resonators have been employed to design a low phase noise Voltage-Controlled Oscillator (VCO) for quasi-millimeter wave applications [10]. A few advantages of such VCOs are that a DGS resonator has a higher Q-factor than an on-chip spiral inductor, and it has a higher self-resonance frequency compared to a conventional LC resonator so that a stable inductance value with respect to the frequency can be realized. However, one of its drawbacks is that the tuning range of DGS-based VCOs is limited. In this paper, a method to realize a wide tuning range of DGS-based VCOs has been proposed using two interconnected DGS resonators. As a result, the designed VCO implemented in 0.18-µm 1P6M CMOS technology achieves a 19.8% tuning range with the best phase noise performance of -109.43dBc/Hz at 1-MHz offset frequency in simulations. The experiment result shows that the fabricated VCO has a phase noise of -108.41dBc/Hz at 1-MHz offset frequency with the carrier frequency of 18.51GHz, which exhibits good agreement with the simulation.

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9783689

開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

その他リンク： https://scholar.google.com/citations?view_op=view_citation&hl=en&user=yP5mW0gAAAAJ&sortby=pubdate&citation_for_view=yP5mW0gAAAAJ:CdxZDUztZiMC

開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9784281

開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：London (UK) and online   国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

This paper proposes a compact, high-quality (Q-) factor cavity in commercial CMOS technology for terahertz band applications. The proposed cavity consists of a folded quarter-mode substrate integrated waveguide (QMSIW) topology. It also outlines some guidelines for creating layouts with specific foundries, particularly for building vertical walls using an array of vias. The cavity was implemented in 0.18 µm CMOS technology and measurements were taken. The measurements showed that the resonant frequency and reflection coefficients were 96.9 GHz and -30.14 dB, respectively, in good agreement with the simulation results. The area of the proposed cavity was 0.0506 mm2 without measurement pads, which is only 2.4% and 8.9% when compared to the standard full-mode SIW cavity and the recently proposed 87 GHz.

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9784193

開催年月日： 2021年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

その他リンク： https://www.wpw2022.org/detailed-program/

開催年月日： 2021年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

その他リンク： https://www.wpw2022.org/detailed-program/

開催年月日： 2021年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： https://ims-ieee.org/ims2021

開催年月日： 2021年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2021年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9338129

開催年月日： 2020年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9038781/

開催年月日： 2020年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=9223866

開催年月日： 2019年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2019年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Sapporo   国名：日本国  

This work proposes a new theory to improve the phase noise of a Voltage-Controlled Oscillator (VCO) by introducing dual series resonances around the parallel resonance of an LC-tank circuit. The overall circuit has an improved susceptance slope parameters, which results in the improvement of quality (Q-) factor. Later, its effectiveness is demonstrated to design a low phase noise K-band VCO. The proposed characteristics are realized by a compact defected ground structure (DGS) resonator in a coplanar strip line (CPS) topology. The DGS is loaded by a capacitor, and this combination introduces the parallel resonance. The CPS signal line is implemented with high characteristic impedance to introduce a series inductance. Then, a gap in the CPS is introduced with a loading series capacitance forming a series resonance circuit with the CPS inductance. The overall combination of the series and parallel resonance circuits allowed the targeted two series resonances before and after the parallel resonance. The design is implemented in 0.18-μm CMOS technology, and the post-layout simulation shows that the VCO has a phase noise of -112.31 dBc/Hz @1 MHz offset of 22.07 GHz oscillation, which is 2.3 dB improvement compared to single series resonance VCO. The VCO consumes 4 mW power resulting in a figure of merit (FoM) of -193.2 dB.

開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：エジプト・アラブ共和国  

開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：オーストラリア連邦  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語  

開催地：Windsor   国名：カナダ  

A novel technique for a low phase noise and compact K-band Voltage-Controlled Oscillator (VCO) using multi-layers DGS resonator is proposed. The proposed DGS resonator realizes an additional series resonance at the higher side of parallel resonance frequency, and this results in improving both the active and loaded quality factor of the resonator. The proposed resonator has active quality factor of 130 and a compact size of 0.009 mm ² (0.000459 ? ² ). Using the proposed DGS resonator in the VCO causes 9 dB improvement in the phase noise compared the VCO implemented using the conventional LC resonator. Two VCOs are designed using the method to illustrate the effect of the series resonance. The first VCO is designed three layers DGS resonator and the other VCO using two layers DGS resonator. The designs are implemented in 0.18 µm CMOS technology and consume 2.9 mW power, and from the post layout results, the first proposed VCO oscillates from 19.6 to 21.3 GHz (8.3 %) and has a phase noise of -113.2 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency, and this results in the figure of merit (FoM) and FoM taking account of the tuning range to be -194.4 and -192.7 dB, respectively. The second VCO has a tuning range of 6.1 % and phase noise of -114 dBc/Hz @ 1 MHz offset at 19.6 GHz oscillation.

開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

開催年月日： 2018年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

In this paper, a new theory to improve the phase noise of a Voltage-Controlled Oscillator (VCO) utilizing dual series and parallel resonance to improve the susceptance slope parameter of the resonator circuit is proposed, and its effectiveness is demonstrated to design a low phase noise K-band VCO. The proposed dual resonance is realized using a compact defected ground structure (DGS) resonator, which achieve the additional series resonance by loading its transmission line by a series capacitor. The resulting susceptance slope, and active quality (Qk-) factor of the resonator circuit enhance that, in returns, improves the phase noise by 3.2dB of the same circuit without the series resonance. The design is implemented in 0.18 μm CMOS technology, and the post-layout simulation results show that VCO has a tuning range of 3.4%, and low phase noise with − 111.9 dBc/Hz @1 MHz offset at 21.04 GHz oscillation. The VCO consumes 7.5 mW power resulting in a FoM of −188.7 dB

その他リンク： http://www.iscas2018.org/

開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Compact 24GHz half-slot antenna for energy combining

その他リンク： http://www.aces-society.org/

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：インド  

This paper discusses the probability of improving the degree of freedom in implementing wireless power transfer (WPT) systems. This is possible by utilizing the defected ground structures (DGSs). The WPT efficiency can be increased by optimizing the coupling coefficient (K) between the transmitter and the receiver, and the quality (Q-) factor of them. DGSs can be implemented in different shapes; hence, the K and Q-factor of these DSGs are realized with different values depending on the DGS shape. In return, the achievable WPT efficiency can be maximized by careful selection of the DGS shape and dimensions depending on the system efficiency and distance requirements.

その他リンク： https://imarc-ieee.org/

開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

In this paper, we proposed and developed a compact dual-band wireless power transfer system for future wireless power supply to embedded sensors and implants. This was fabricated in the commercial substrate, so it is low cost but it has high efficiency.

その他リンク： http://iscas2017.org/

開催年月日： 2017年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： https://scholar.google.com/citations?view_op=view_citation&hl=ja&user=BVZNhYYAAAAJ&sortby=pubdate&citation_for_view=BVZNhYYAAAAJ:GFxP56DSvIMC

開催年月日： 2016年12月 - 2017年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：インド  

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/7931382/

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：モロッコ王国  

その他リンク： http://www.ieeeicm2015.org/

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：インド  

開催年月日： 2015年6月 - 2015年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：インドネシア共和国  

開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Phoenix   国名：アメリカ合衆国  

The optimization technique to realize the minimum group delay (GD) of a 5-10.6 GHz, two stages CMOS Ultra Wideband power amplifier (UWB-PA) is presented and implemented in 0.18 μm CMOS technology. The fabricated UWB-PA has a power gain (|S21|) of 14± 1 dB, maximum power added efficiency and an output 1-dB compression of 10 %, and 2 dBm, respectively at 6 GHz. In addition, the PA has an excellent small group delay variation of 147± 40 ps with power consumption of 20 mW and this is the smallest variations among CMOS PAs so far reported.

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7167082&action=search&sortType=&rowsPerPage=&searchField=Search_All&matchBoolean=true&queryText=((%22Authors%22:Mosalam)%20AND%20%22Authors%22:Pokharel)

開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： http://www.wptc2015.org/

開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： http://www.silicon-rf.org/sirf2015/

開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Ishigaki   国名：日本国  

A CMOS variable voltage attenuator(VVA) with wide bandwidth has been designed and fabricated in a 0.18-μm CMOS process. Four bridge-T stages are cascaded to achieve 12 dB of dynamic range attenuation over a frequency range from DC up to 2.5 GHz. Cascaded bridge-T stages can be programmed to achieve the full scale attenuation and ensure good input and output matching. The design operates with 1.5-dB step size and with a maximum input power of -13 dBm in the entire frequency DC-2.5 GHz range. Worst case S11 is -11.5 dB across the frequency band. The design achieves an input third order intercept point (IIP3) of+31 dBm at maximum-attenuation

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7032792&action=search&sortType=&rowsPerPage=&searchField=Search_All&matchBoolean=true&queryText=((%22Authors%22:Abdalla)%20AND%20%22Authors%22:Pokharel)

開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=6986380&abstractAccess=no&userType=inst

開催年月日： 2014年9月 - 2014年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6959003&action=search&sortType=&rowsPerPage=&searchField=Search_All&matchBoolean=true&queryText=((%22Authors%22:Allam)%20AND%20%22Authors%22:Pokharel)

開催年月日： 2013年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

その他リンク： http://www.apmc2013.org/

開催年月日： 2013年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

その他リンク： http://www.apmc2013.org/

開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：オーストラリア連邦  

その他リンク： http://www.icuwb2013.org/index.php

開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Abu Dhabi   国名：アラブ首長国連邦  

The design of 5-9 GHz, two stages CMOS power amplifier (PA) for Ultra-wideband (UWB) is presented in this paper. Post-layout simulation results indicated a power gain S21 of 16± 0.5dB, an input return loss S11 less than -4 dB and an output return loss S22 less than -5 dB over the frequency range of interest. Source-pull contours were used to design the inter stage matching of the PA. The proposed two stages PA achieves an average Power Added Efficiency (PAE) of 12.4% and an output 1-dB compression above 0 dBm over the same frequency band. Moreover, the proposed UWB PA achieves group delay of 170±20 ps with power consumption of 25 mW from a 1.8V supply voltage. The UWB PA is designed in TSMC 0.18 μm CMOS technology.

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6815333&action=search&sortType=&rowsPerPage=&searchField=Search_All&matchBoolean=true&queryText=((%22Authors%22:Mosalam)%20AND%20%22Authors%22:Pokharel)

開催年月日： 2012年10月 - 2012年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：オランダ王国  

その他リンク： http://www.eumweek.com/2012/

開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：カナダ  

その他リンク： www.ims2012.org

開催年月日： 2010年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2010年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2010年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

開催年月日： 2009年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2009年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ネパール連邦民主共和国  

開催年月日： 2009年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

その他リンク： http://www.eumweek.com/

開催年月日： 2009年9月 - 2009年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2009年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： http://www.apsursi2009.org/

開催年月日： 2009年4月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Jeju   国名：大韓民国  

開催年月日： 2008年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2008年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2008年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2008年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2008年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2008年7月 - 2008年8月

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

国名：トルコ共和国  

開催年月日： 2008年7月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ギリシャ共和国  

Design of Power Amplifier with On-Chip Matching Circuits using CPW Line Impedance (K) Inverters

開催年月日： 2008年4月 - 2007年4月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2008年4月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京   国名：日本国  

開催年月日： 2008年4月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京   国名：日本国  

開催年月日： 2008年4月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

High Dynamic Range Mixer in 0.18 um Technology for WLAN Direct Conversion Receiver

開催年月日： 2008年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Development of an Electrically Small One-Sided Directional Antenna with Matching Circuit

開催年月日： 2007年12月 - 2012年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：タイ王国  

Study of A CPW-Fed Slot Dipole One-Sided Directional Antenna for UWB Systems

開催年月日： 2007年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：タイ王国  

Design of VCO for 2.4GHz Wireless Applications Using Transmission Line Resonators

開催年月日： 2007年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：タイ王国  

Design of High-Linearity Amplifier for Wireless LAN Transceiver

開催年月日： 2007年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：タイ王国  

Design and Performance of an Electrically Small Antenna with Matching Circuit

開催年月日： 2007年12月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：シンガポール共和国  

Design of 1.1 GHz Highly Linear Digitally-Controlled Ring Oscillator with Wide Tuning Range

記述言語：英語  

国名：日本国  

This paper presents a compact size, high gain triangular Antenna-on-Chip (AoC), designed and fabricated using a 0.18 μm CMOS process and optimized over different cells' configurations of rectangular artificial magnetic conductor (R-AMC). An AMC acts as a shield plane between the AoC and the lossy CMOS substrate. R-AMC shows better shielding characteristics than previously reported AMCs. Measurement results confirm the wide impedance bandwidth of the AoC.

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6697475&matchBoolean%3Dtrue%26searchField%3DSearch_All%26queryText%3D%28%28p_Authors%3ABarakat%29+AND+p_Authors%3APokharel%29

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： www.rfic2006.org

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

開催地：Chengdu   国名：中華人民共和国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Development of high conversion gain double balanced mixer for high performance direct conversion receiver

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2022年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

その他リンク： https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9784207

開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語  

国名：エジプト・アラブ共和国  

開催年月日： 2019年1月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語  

国名：カナダ  

開催年月日： 2018年5月

記述言語：英語  

国名：イタリア共和国  

開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2018年1月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語  

国名：エジプト・アラブ共和国  

開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語  

国名：インド  

開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語  

国名：マレーシア  

開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語  

国名：マレーシア  

開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語  

開催地：Nuremburg   国名：ドイツ連邦共和国  

In the paper, we propose a novel voltage-controlled oscillator (VCO) employing defected ground structure (DGS) band stop filter (BSF). The VCO operates from 15.24 GHz to 15.86 GHz. A square shaped DGS etched at the lowest metal layer (M1) below 50-Ohm microstrip line on the top metal layer (M6) of 0.18 μm 1P6M CMOS process. The proposed square-shaped DGS resonator achieves smaller size and higher quality factor than those of a conventional spiral inductor resonator at Ku band frequency. The power dissipation of the VCO is 4 mW. The measured carrier frequency and phase noise are 15.76 GHz and-127.57 dBc/Hz (104.25 dBc/Hz) at 10 MHz (1 MHz) offset frequency, respectively. The measured figure of merit (FoM) is 182.9 dB. The fabricated chip core VCO size is only 0.084mm² which increases figure of merit (FoMa) to 194 dB.

開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語  

開催地：Tirgu Mures   国名：ルーマニア  

A CMOS attenuator with high linearity has been designed and measured in a 0.18-μm CMOS process, to be used for a variable gain amplifier of RF wireless transceiver. The design is based on four cascaded Bridge-T attenuator stages that are consecutively activated to adjust the attenuation level and improve linearity. The design operates in the frequency band of DC-2.5 GHz with 2 - 3.5 dB insertion loss and 14 dB maximum attenuation in the entire frequency range. Measured and simulated results are in good agreement over the frequency band of interest. Measured worst case S11 and S22 are -10 and -8.8 dB, respectively, across the frequency band. The measured 1-dB compression point is +22 dBm at maximum-attenuation.

開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2017年1月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語  

国名：モナコ公国  

開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語  

国名：インド  

開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語  

国名：インド  

開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語  

国名：大韓民国  

開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語  

国名：アラブ首長国連邦  

開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語  

開催地：Abu Dhabi   国名：アラブ首長国連邦  

This paper presents the design and implementation of a 21- 26.5 GHz broadband, two stages CMOS power amplifier (PA) for quasi-millimeter wave band wireless communication systems. The proposed PA is designed using staggered tuning method [1], which is employed for the first time in quasi-millimeter wave band. Moreover, source and load-pull simulation, in addition to, impedance analysis are employed to optimize the input, output, and inter-stage impedance matching circuits for maximum power added efficiency (PAE) and better linearity. The measurement results on a chip fabricated using 0.18 μm CMOS technology shows a power gain of 10.2 ± 0.8 dB, a maximum PAE and output gain compression point (POut1dB ) of 10.5 dBm and 18 %, respectively, at 24 GHz while consuming 42 mW only. In addition, the PA achieved excellent low measured group delay variations of 75 ± 22 ps.

開催年月日： 2016年4月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2016年4月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2016年4月

記述言語：英語  

国名：スイス連邦  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2016年2月

記述言語：英語  

国名：エジプト・アラブ共和国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：トルコ共和国  

その他リンク： http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=7301683&abstractAccess=no&userType=inst

開催年月日： 2015年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

その他リンク： http://www.rfit2014.org/

開催年月日： 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

その他リンク： http://www.2013apsursi.org/

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

国名：インド  

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

国名：アメリカ合衆国  

国名：アメリカ合衆国  

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：70

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：200

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：18

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：3

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：70

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：300

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：300

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：100

種別：大会・シンポジウム等 

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：10

日本語雑誌　査読論文数：1

国際会議録　査読論文数：5

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：80

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：33

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：80

種別：大会・シンポジウム等 

種別：学会・研究会等 

種別：学会・研究会等 

種別：学会・研究会等 

種別：学会・研究会等 

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：400

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

IEEE MTT-S Japan Chapter Secretory

Associate Editor: IEICE ELEX

IEEE MTT-S Japan Chapter-Secretary

対象： 社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：セミナー・ワークショップ

対象： 社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：セミナー・ワークショップ

対象： 幼稚園以下,　小学生,　中学生,　高校生

種別：セミナー・ワークショップ

対象： 社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：その他