2024/07/24 更新

お知らせ

 

写真a

ノグチ　ダイスケ
野口 大輔
NOGUCHI DAISUKE
所属
総合理工学研究院 連携融合理工学部門 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス
電話番号
0925837633
外部リンク

学位

  • 博士 (工学)

経歴

  • 1999年4月~2005年3月 芝浦メカトロニクス株式会社

    1999年4月~2005年3月 芝浦メカトロニクス株式会社

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ：地域資源（シラス等）を活用した新規機能性材料の開発と工学的応用

    研究キーワード：シラス, 薄膜, 防曇材料

    研究期間： 2011年4月

  • 研究テーマ：スパッタリング成膜における薄膜構造制御に関する研究 高速低温スパッタリング技術の機能性薄膜への応用に関する研究

    研究キーワード：高速低温成膜技術, エレクトロクロミックディスプレー(ECD), 光触媒, 機能性無機材料, スパッタリング法

    研究期間： 2005年4月

受賞

  • 第１回宮崎テックプランター特別賞およびオーディエンス賞

    2017年12月   株式会社リバネス, 宮崎県  

  • 第21回真空進歩賞

    2012年11月   一般社団法人日本真空学会  

論文

  • Adsorption of Carbon Dioxide on Shirasu‐based Materials 査読

    8 ( 45 )   e202302810   2023年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Abstract

    This work investigated adsorption of carbon dioxide on Shirasu‐based materials with various pretreatment procedures. A Shirasu‐based material pretreated via calcination procedure followed by treatment in aqueous ammonia solution adsorbed significantly high amount of carbon dioxide compared with pristine Shirasu‐based material and the Shirasu‐based material pretreated via only solution treatment in aqueous ammonia solution. The ability improved through addition of appropriate amount of water before the adsorption process of carbon dioxide, and exhibited comparative adsorption amount of carbon dioxide with high performance materials previously reported.

    DOI： 10.1002/slct.202302810

  • Fine Control of TiO2- and Pt/TiO2-Catalyzed Sequential Photoreduction and Reductive N-Alkylation of Nitroarenes by Connecting Different Types of Microflow Reactors 査読

    Toshiaki Yamashita, Mitsuteru Tomiyama, Daisuke Noguchi, Yuji Okabe

    Bulletin of the Chemical Society of Japan   96 ( 8 )   724 - 730   2023年8月

    　詳細を見る

    記述言語：その他   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Function of Shirasu-based materials for acid-promoted hydrolysis of ammonia borane 査読

    Tetsuo Umegaki, Daisuke Noguchi, Tsubasa Fukumoto

    Journal of Japan Institute of Energy   102 ( 2 )   28 - 32   2023年1月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Ability of Shirasu-based Material for Adsorption of Metal Ions and Its Promotion for Catalytic Decomposition of Nitrous Oxide 査読

    Tetsuo Umegaki, Daisuke Noguchi, Tsubasa Fukumoto

    ChemistrySelect   7 ( 46 )   e202201944-1 - e202201944-5   2022年12月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Decomposition of Nitrous Oxide using a Copper-supported Shirasu Catalyst 査読

    Tetsuo Umegaki, Daisuke Noguchi, Tsubasa Fukumoto

    ChemistrySelect   7 ( 42 )   e202201763   2022年11月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Structural control and photocatalytic properties of photocatalytic TiO2 thin films prepared using two-step deposition including radical-assisted sputtering 査読

    D. Noguchi, Y. Higashimaru, T. Eto,K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano, F. Sei, I. Siono

    53 ( 6 )   065501-1 - 065501-5   2014年4月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Structural control and photocatalytic properties of photocatalytic TiO2 thin films prepared using two-step deposition including radical-assisted sputtering
    TiO2 films were deposited using a two-step growth process, in which an ultra-thin nucleation layer was first produced by reactive-mode sputtering, followed by a thicker growth layer by radical-assisted sputtering. The effect of the structure of the nucleation layer on the density, crystallinity and photocatalytic properties of the final films was investigated. The kinetic energy of sputtered particles reaching the substrate during the first growth step was also considered. This was found to affect the amount of three-dimensional island growth that occurred, and thus the number of seed particles and gaps between them. The optimum structure is found to be one in which few seed particles have undergone island growth, so that there are a large number of gaps. This not only produces a dense final structure, but the crystallinity is improved due to chemical annealing by radicals during the second growth step, leading to a film with excellent photocatalytic properties. This indicates the importance of an initial structure that facilitates absorption and diffusion of radicals. (C) 2014 The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/JJAP.53.065501

  • Radical Assisted Sputtering法によるTa2O5固体電解質薄膜の作製 査読

    西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    J. Vac. Soc. Jpn.Vol. 56, pp. 469～471   56 ( 11 )   469 - 471   2013年11月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

  • Production of an Original Thread Like Wood from Discarded Materials Through Project-Based Learning Program. 査読

    M.Yakubo, H. Watase, D. Noguchi, T. Yamashita, T. Takahashi

    International Symposium on Advances in Technology Education   56 ( 11 )   91 - 91   2013年11月

    　詳細を見る

    記述言語：その他   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）  

  • Effect of nucleation layer of photocatalytic TiO2 thin film prepared by two-step deposition Using Radical-Assisted Sputtering. 査読

    D. Noguchi, Y. Higashimaru, T. Eto, K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano, F. Sei

    51 ( 4 )   045504-1 - 045504-4   2012年4月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Effect of Nucleation Layer of Photocatalytic TiO2 Thin Film Prepared by Two-Step Deposition Using Radical-Assisted Sputtering
    A nucleation layer forms in the nucleation step (the first step) of a two-step deposition method that we have developed for forming TiO2 thin films. We found that the nucleation layer affects the crystallinity of TiO2 thin films during the growth step (the second step). The crystallinity of the growth layer can be controlled by varying the kinetic energy of the sputter particles when they arrive at the substrate in the nucleation step. Since the nucleation density varies with the kinetic energy, the crystallinity is thought to improve, owing to the improvement in the nucleation density. (C) 2012 The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.1143/JJAP.51.045504

  • Ion Conductivity of Ta2O5 Solid Electrolyte Thin Film Prepared by Combination Sputtering with Radio Frequency Oxygen Plasma Irradiation 査読

    D. Noguchi, H. Taneda, Y. Higashimaru, Y. Kawano, F. Sei

    51 ( 2 )   025801-1 - 025801-5   2012年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Ion Conductivity of Ta2O5 Solid Electrolyte Thin Film Prepared by Combination Sputtering with Radio Frequency Oxygen Plasma Irradiation
    In light of the need to simplify combination sputtering systems and to use them to fabricate thin-film electronic materials, we fabricated a Ta2O5 solid electrolyte thin-film that exhibits superior ion conductivity by using combination sputtering with RF oxygen plasma irradiation. The formation of Ta2O5 thin films using this technique was confirmed by Rutherford backscattering spectroscopy and the effectiveness of the resulting thin film as a solid electrolyte was demonstrated by its ion conductivity, which was determined by AC impedance measurement. (c) 2012 The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.1143/JJAP.51.025801

  • Formation of WO3 Reduction Coloring Thin Film Using a Combination Sputtering Method Featuring Radio-Frequency Oxygen Plasma Irradiation 査読

    D. Noguchi, S. Fukudome, M. Shimoniihara, Y. Kawano, F.Sei

    54 ( 5 )   317 - 321   2011年12月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

    DOI： 10.3131/jvsj2.54.317

  • Technique for High-Rate, Low-Temperature Deposition of TiO2 Photocatalytic Thin Film Using Radical-Assisted Sputtering. 査読

    D. Noguchi, T. Eto, K. Kodama, Y. Higashimaru, Y. Kawano, F. Sei

    50 ( 1 )   2011年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Technique for High-Rate, Low-Temperature Deposition of TiO2 Photocatalytic Thin Film Using Radical-Assisted Sputtering
    We have developed a two-step deposition technique. In the first step, a TiO2 nucleus is formed on a SiO2 thin film by radical-assisted sputtering using reactive-mode sputtering and O-2 radicals. The second step is a growth step where TiO2 is deposited at a high rate and at a low temperature on the nucleation layer using metallic-mode sputtering and O-2 radicals. The results were evaluated by transmission electron microscopy. They demonstrate that this deposition method can form TiO2 thin films with high crystallinities from the growth boundary. The effectiveness of this method was also demonstrated by measuring the photocatalytic properties. (c) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.1143/JJAP.50.010204

  • Preparation of TiO2 Thin Film Photocatalyst by High-rate Low-temperature Sputtering Method. 査読

    D. Noguchi, K. Okutsu, S. Onitsuka, Y. Kawano, F. Sei

    53 ( 1 )   41 - 45   2010年3月

    　詳細を見る

    記述言語：英語  

    Preparation of TiO_2 Thin Film Photocatalyst by High-rate Low-temperature Sputtering Method
    After depositing an ultra-thin metallic Ti film by sputtering, we repeated the process of exposing the still active plasma gas for high-rate low-temperature deposition of a metal compound film, thereby successfully fabricating a thin film of TiO2 with photocatalytic properties. The TiO2 thin film produced using the present method exhibited approximately 15 times the deposition rate of DC reactive magnetron sputtering, yielding a crystalline structure using an unheated substrate (approximately 40°C).

    DOI： 10.3131/jvsj2.53.41

  • Photoinduced Hydrophilicity and Structural Evaluation of SiOx:OH/TiO2 MultiLayer Films by DC Reactive Magnetron Sputtering. 査読

    D.Noguchi, T.Sakai, T.Nagatomo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( No.3.A )   1775 - 1782   2006年3月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Photo-induced hydrophilicity of SiOx : OH/TiO2 multi-layer films by direct current reactive magnetron sputtering 査読

    D. Noguchi, T. Sakai, T. Nagatomo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   113 ( 1321 )   630 - 633   2005年9月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.2109/jcersj.113.630

  • The Response of TiO2 Photocatalysts Codoped with Nitrogen and Carbon to Visible Light. 査読

    D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo

    J. Electrochem. Soc.   152 ( 9 )   D124 - D129   2005年7月

    　詳細を見る

    記述言語：英語  

    The response of TiO2 photocatalysts codoped with nitrogen and carbon to visible light
    We successfully achieved deposition of Ti (O, C, N)(2) films codoped with nitrogen (N) and carbon (C) using dc reactive sputtering utilizing a Ti target in an Ar/N-2/CO2 ambient. The crystallinity and surface morphology of the films were observed using X-ray diffraction (XRD) and field-effect scanning electron microscopy. Interstitial N and C in the films were also measured using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), from which the doping level was calculated. The photocatalytic activity was evaluated using methylene blue decomposition under visible and ultraviolet irradiation. All the films were transparent yellow, and it was confirmed using XRD that the crystal form was polycrystalline anatase. Two peaks resulting from Ti-N bonding (397 eV) and Ti-C bonding (282 eV) were observed using XPS. Thus, N and C were considered to be at substitutional O sites. It was verified that the Ti(O, C, N)(2) films deposited in this study undergo a photocatalystic reaction when exposed to visible light in the wavelength range of 400-500 nm. (c) 2005 The Electrochemical Society.

    DOI： 10.1149/1.1990581

  • Photocatalytic Characteristics and Structural Evaluation of TiO2 Thin Films Reactively DC Sputtered with H2O. 査読

    D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo

    J. Electrochem. Soc.   151 ( 7 )   D61 - D65   2004年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語  

    Photocatalytic characteristics and structural evaluation of TiO2 thin films reactively DC sputtered with H2O
    TiO2 thin films containing Ti-OH bonds have been fabricated using dc reactive sputtering of Ti in a H2O ambient. The structures of these films and their photocatalytic characteristics were analyzed. The structures of the TiO2 thin films were analyzed using Fourier transform infrared spectroscopic analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscope inspection, nuclear magnetic resonance, and photoluminescence. To evaluate the photocatalytic characteristics of the TiO2 films, we used a wet methylene blue method and pure-water contact angle measurement. We found the following: (i) The total quantity of OH groups decreases as the substrate temperature is increased. (ii) OH groups can be either densely or sparsely distributed in the TiO2 film. (iii) The abundance ratios of the concentrated and sparse OH groups to the total quantity of OH groups change as the substrate temperature is increased. Measurements made with nuclear magnetic resonance and photoluminescence show that the sparse OH groups ([OH](n)) are effective in removing oxygen deficiency and other deficiencies, while the localized, concentrated OH groups ([OH](w)) are ineffective. We concluded that the distribution of OH groups in the TiO2 thin film is an important factor that must be considered for improvement of photocatalytic characteristics. (C) 2004 The Electrochemical Society.

    DOI： 10.1149/1.1759364

  • Effects of sputtered high-energy particles on the structure and photocatalytic performance of TiO2 films prepared by a DC reactive sputtering method 査読

    D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo

    Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 7 A )   4351 - 4355   2004年7月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Effects of sputtered high-energy particles on the structure and photocatalytic performance of TiO2 films prepared by a DC reactive sputtering method
    By using the Kevin-Meyer formula, we calculated the energy of the high-energy particles (recoil argon ions and negative oxygen ions) that are unique to sputtered thin-film formation when they arrived at a substrate during the sputtering process. We found that the energy of the high-energy particles arriving at the substrate decrease if total gas pressure increases, whereas the photocatalytic performance of a TiO2 film increases if the total gas pressure increases. We also found that as total gas pressure increases, the surface morphology changed from a gap-free structure to a porous structure in which subgrains were observed. Accordingly, the average surface roughness (Ra) and surface area (S) of the thin film increased. The number of defects, mainly oxygen defects, in the forbidden band also changed depending on the energy of the high-energy particles. Therefore, it was found that the high-energy particles affect the surface area of the TiO2 thin films and the formation of defects in the thin films, which consequently influences the photocatalytic performance.

    DOI： 10.1143/JJAP.43.4351

  • Relationship between the photocatalytic characteristics and the oxygen partial pressure of TiO2 thin films prepared by a DC reactive sputtering method 査読

    D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   43 ( 4 A )   1581 - 1585   2004年4月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.43.1581

  • Photocatalytic Characteristics of TiO2 Thin Films Prepared by Dc Reactive Magnetron Sputtering with added H2O 査読

    D.Noguchi, Y.Kawamata, T.Nagatomo

    42 ( 8 )   5255 - 5258   2003年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Photocatalytic characteristics of TiO2 thin films prepared by Dc reactive magnetron sputtering with added H2O
    A high-performance photocatalytic TiO2 thin film was successfully obtained by dc reactive magnetron sputtering with added H2O. The film was deposited onto SiO2-coated glass at a Substrate temperature of 300degreesC using a titanium metal target in a combined Ar, O-2 and H2O atmosphere. Photocatalytic performance was evaluated by measuring the change in concentration of methylene blue (MB) under UV irradiation. The photocatalytic performance of the film increased as the quantity of added H2O increased: when 70 sccm of H2O was added, the decomposition capability was about 1.6 times greater than a reference sample (sol-gel-derived TiO2 thin film). The film was characterized by X-ray diffraction (XRD) analysis, scanning electron microscopy (SEM), UV-VIS-NIR spectrophotometry, attenuated total reflection Fourier transform infrared spectrometry (ATR-FTIR), and photoluminescence spectrometry. Included in the film were a large number of OH groups. The surface morphology of the film had a domain structure, with each domain consisting of many sputter grains with the same orientation. The number of oxygen vacancies level in the forbidden band decreased as the quantity of H2O added during deposition increased. In addition, the Ti-OH dependent peak intensity increased when H2O was added. It was observed that this process would enable us to hydrogenate TiO2 more easily and thereby improve photocatalytic performance.

    DOI： 10.1143/jjap.42.5255

  • Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Effects on electrical properties and Raman shifts 査読

    T Iida, T Itoh, D Noguchi, Y Takanashi, Y Takano, Y Kanda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   89 ( 4 )   2109 - 2114   2001年2月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.1338521

  • Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Thermal behavior and formation mechanisms 査読

    T Iida, T Itoh, D Noguchi, Y Takano

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   87 ( 2 )   675 - 681   2000年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.371925

▼全件表示

書籍等出版物

  • マグマ生まれのシラス

    野口大輔（ 担当： 監修）

    農山漁村文化協会 全190項  2022年4月 

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 防汚・防曇技術の最前線

    野口大輔, その他34名

    シーエムシー出版 第3章 8節 全300項  2021年10月 

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 「最新」光学薄膜の膜厚コントロールとその評価方法

    野口大輔, その他108名

    株式会社技術情報協会 第4章 10節 全890頁  2013年6月 

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

講演・口頭発表等

  • 酸化チタン光触媒薄膜の反応性スパッタリング法におけるターゲットモード変化に関する研究

    中坂元, 野口大輔

    第13回高専TUT太陽電池合同シンポジウム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラスガラス薄膜への銅担持手法の確立とその抗菌性効果

    桶谷優生, 野口大輔

    第13回高専TUT太陽電池合同シンポジウム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタ粒子の運動エネルギーを利用したスピノーダル準安定状態の低温化

    谷口広至, 福元翼, 新留昌泰, 野口大輔

    第13回高専TUT太陽電池合同シンポジウム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 多成分系スパッタリング法におけるスパッタ粒子の輸送過程が薄膜成分化学組成に与える影響

    坂井星軌, 福元翼, 新留昌泰, 野口大輔

    第13回高専TUT太陽電池合同シンポジウム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 相分離スパッタ技術におけるスパッタ粒子の輸送過程が薄膜成分化学組成に与える影響

    坂井星軌, 福元翼, 新留昌泰, 野口大輔

    第14回半導体材料・デバイスフォーラム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 反応性スパッタリング法におけるターゲットモード変化の臨界条件

    中坂元, 野口大輔

    第14回半導体材料・デバイスフォーラム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 相分離スパッタ法によるスパッタ粒子の運動エネルギーを利用した相分離発現温度の低温化

    谷口広至, 福元 翼, 新留昌泰, 野口大輔

    第14回半導体材料・デバイスフォーラム  2023年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラス由来材料の二酸化炭素吸着特性

    梅垣哲士, 野口大輔, 福元翼, 新留昌泰

    無機マテリアル学会第147回学術講演会  2023年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラス由来材料のアンモニアボラン加水分解機能

    梅垣哲士, 野口大輔, 福元翼, 新留昌泰

    第32回日本エネルギー学会  2023年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年8月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 陰極降下電圧によって制御されたスパッタ粒子がスピノーダル準安定状態相分離に与える影響

    谷口広至, 野口大輔

    第31回九州沖縄地区高専フォーラム  2022年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RF マグネトロンスパッタリング装置における投入電力がシラス多孔質ガラス薄膜の成分化学組成に与える影響

    坂井星軌, 野口大輔

    第31回九州沖縄地区高専フォーラム  2022年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 反応性スパッタリング法におけるターゲットモード変化の臨界条件

    中坂元, 野口大輔

    第31回九州沖縄地区高専フォーラム  2022年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 銅イオン担持シラスガラス薄膜の抗菌性効果

    吉村圭礼, 近藤千恵子, 栗原 路子, 野口大輔

    2022年応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • H2O添加NiOx酸化発色薄膜の電気化学耐久性特性

    豊永和希, 野口大輔

    2022年応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラスガラス薄膜表面に存在する酸点が抗菌性に与える影響

    坂元水里, 野口 大輔, 栗原 路子, 近藤千恵子

    2022年応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 相分離シラスガラス薄膜に形成される抵抗層の構造解析

    下野園航平, 野口大輔, 近藤千恵子, 栗原路子

    2022年応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 銅担持シラス触媒の亜酸化窒素分解活性

    梅垣哲士, 野口大輔, 福元翼, 新留昌泰

    無機マテリアル学会第145回学術講演会  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スピノーダル準安定状相分離を利用した太陽電池向け防汚薄膜の開発

    茶谷那智, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    第12回半導体材料・デバイスフォーラム  2021年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタ粒子の運動エネルギーを利用した相分離スパッタ技術の開発

    田中愛夢, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    第12回半導体材料・デバイスフォーラム  2021年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 有機機能性材料を充填するSiO2系固定化膜の開発とその応用 招待

    野口大輔

    日本真空工業会主催VACUUM2021真空展セミナー  2021年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタ粒子の運動エネルギーを利用した相分離スパッタ技術の開発

    田中愛夢, 寺村享祐, 矢野智泰, 栗原 路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    2021年日本表面真空学術講演会  2021年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラス多孔質ガラス薄膜形成におけるスピノーダル分解制御因子の抽出

    茶谷那智, 寺村享祐, 矢野智泰, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    2021年日本表面真空学術講演会  2021年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラス薄膜の抗菌性制御因子の抽出と抗菌メカニズ ムの解明

    安田優花, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    2021年日本表面真空学術講演会  2021年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 防曇効果を長期維持する 親水/吸水ハイブリッド型薄膜の開発

    野口大輔

    独立行政法人科学技術振興機構ライフサイエンス新技術説明会  2020年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 火山噴出物シラスを原料としたシラス多孔質ガラス薄膜の物性評価

    野口 大輔, 寺村享祐, 矢野智泰, 栗原路子, 近藤千恵子

    2020年日本表面真空学術講演会  2020年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • ポリカーボネート基板上に成膜したシラス薄膜の密着性改善

    亀元順平, 野口大輔

    2020年日本表面真空学術講演会  2020年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 複合酸化物の抗菌性評価

    木原香澄, 野口大輔

    2019年日本表面真空学術講演会  2019年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年10月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラス薄膜における防曇特性の膜厚依存性

    尾前篤了, 野口大輔

    2019年日本表面真空学術講演会  2019年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年10月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • ナノコンポジット構造を特徴としたシラス薄膜の開発

    猪ヶ倉大晟, 野口大輔

    2018年日本表面真空学術講演会  2018年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • PDMA基板上への親水性薄膜の作製

    津曲良子, 野口大輔

    2018年日本表面真空学術講演会  2018年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタリング法によるSiC薄膜の低温結晶化と物性評価

    下渡篤志, 野口大輔

    2018年日本表面真空学術講演会  2018年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RASでのEC調光膜、TiO2光触媒膜やシラス膜による防曇膜 招待

    野口大輔

    第30回光学薄膜研究会  2018年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 併用式スパッタリング法による IGZO酸化物半導体の低温結晶化

    野口大輔

    第7回高専TUT太陽電池合同シンポジウム  2017年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 化学アニーリング効果を用いた結晶化制御手法におけるスパッタ薄膜構造の最適化

    岩永祐里, 廣山祐紀, 野口大輔

    日本真空学会第58回真空に関する連合講演会  2017年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年8月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 化学アニーリング効果に有用なラジカル種の同定と機能性薄膜への応用

    廣山祐紀, 岩永祐里, 野口大輔

    日本真空学会第58回真空に関する連合講演会  2017年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年8月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • シラスを用いた薄膜の光学物性評価

    松川慶太朗, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    日本真空学会第57回真空に関する連合講演会  2016年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • InSb薄膜の熱処理温度効果

    福重一騎, 谷口慎一, 吉留省吾, 野口大輔

    日本真空学会第57回真空に関する連合講演会  2016年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS法により作製したIGZO薄膜の物性評価

    中村健太郎, 越智元隆, 釘宮敏洋, 野口大輔

    日本真空学会第57回真空に関する連合講演会  2016年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 新規シラス構造体を用いた固体電解質薄膜の開発

    柳原龍河, 栗原路子, 近藤千恵子, 野口大輔

    2015年応用物理学会九州支部学術講演会  2015年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタリング法による スマートメーター向けInSbホール素子の開発

    宮川麻有, 谷口慎一, 吉留省吾, 野口大輔

    2015年応用物理学会九州支部学術講演会  2015年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Radical Assisted Sputtering法による残留水分圧がTa2O5固体電解質薄膜に与える影響

    本庄健寛, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    2013年応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • AZO透明導電膜の物性にスパッタ粒子の運動エネルギーが及ぼす影響

    岩橋直哉, 福留政治, 野口大輔

    2013年応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Radical Assisted Sputtering法により作製したNiOx薄膜のEC特性に水の添加が与える影響

    稲元彩花, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    2013年応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Radical Assisted Sputtering法の化学アニーリング効果がWO3薄膜のEC特性に与える効果

    岩本葵, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    2013年応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • Radical Assisted Sputtering法における混合プラズマがTa2O5固体電解質薄膜のイオン伝導度特性に与える効果

    宮原奈乃華, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    2013年応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法による全固体型ECDの開発

    野口大輔, 福留政治, 河野慶彦, 清文博, 佐井旭陽

    日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第9回技術交流会  2012年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2012年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温結晶化スパッタリング技術の金属酸化物薄膜への応用

    野口大輔

    第4回半導体材料・デバイスフォーラム  2012年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2012年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の特性改善に関する研究

    西田悠光, 野口大輔, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽

    日本真空協会第53回真空に関する連合講演会  2012年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2012年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の物性評価とイオン伝導度制御技術に関する研究

    谷川優美, 塩野一朗, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    日本真空協会第52回真空に関する連合講演会  2011年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2011年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法により作製したWO3還元発色薄膜の物性評価とEC特性制御技術に関する研究

    池田将人, 塩野一朗, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    日本真空協会第52回真空に関する連合講演会  2011年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2011年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタリング法を用いた機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術

    野口大輔

    独立行政法人科学技術振興機構南九州発新技術説明会  2011年6月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2011年6月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 光触媒多層酸化チタ薄膜における結晶核層の最適化とその制御技術に関する研究

    東丸幸江, 江藤智弘, 児玉和也, 塩野一朗, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    日本真空協会第51回真空に関する連合講演会  2010年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2010年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるTiO2光触媒薄膜の合成と反応帰気相診断に基づいた薄膜構造変調手法の開発に関する研究

    江藤智弘, 児玉和也, 東丸幸江, 塩野一朗, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    日本真空協会第51回真空に関する連合講演会  2010年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2010年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるTiO2光触媒薄膜の合成における金属不完全反応極薄膜構造制御と薄膜成長モデルに関する研究

    児玉和也, 江藤智弘, 東丸幸江, 塩野一朗, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    日本真空協会第51回真空に関する連合講演会  2010年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2010年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • コストダウンを可能にする新規成膜技術開発

    野口大輔

    科学・技術フェスタin京都 平成22年度産学官連携推進会議  2010年6月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2010年6月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用

    野口大輔

    南九州高専発新技術説明会  2010年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2010年3月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 伝統工芸に活かすスパッタリング薄膜

    草野英二, 野口大輔

    日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第6 回技術交流会  2009年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜

    野口大輔

    日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第6 回技術交流会  2009年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ技術によるTiO2光触媒薄膜の成膜技術開発

    奥津加奈, 鬼束さおり, 野口大輔

    日本真空協会第50回真空に関する連合講演会  2009年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ法による機能性薄膜の成膜技術開発

    野口大輔

    第8回産学官連携推進会議  2009年6月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2009年6月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ技術によるWO3薄膜の作製

    福留政治, 下新原恵美, 野口大輔

    2008年応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2008年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ技術によるTa2O5固体電解質薄膜の作製

    種子田浩志, 東丸幸江, 野口大輔

    2008年応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2008年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用 招待

    野口大輔

    日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115 回定例研究会  2008年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2008年11月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ技術によるWO3還元発色薄膜の作製

    福留政治, 下新原恵美, 野口大輔

    日本真空協会第49回真空に関する連合講演会  2008年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2008年10月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 高速低温スパッタ技術によるTa2O5固体電解質薄膜の作製.

    種子田浩志, 東丸幸江, 野口大輔

    日本真空協会第49回真空に関する連合講演会  2008年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2008年10月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 後酸化スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜

    奥津加奈, 鬼束さおり, 野口大輔

    光機能材料研究会第14回シンポジウム光触媒反応の最近の展開  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 酸素プラズマ照射によるアモルファスTiO2薄膜の低温結晶化

    岡本まどか, 野口大輔

    2007年応用物理学会九州支部学術講演会  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 後酸化スパッタ法によるTa2O5固体電解質薄膜の高速低温成膜

    種子田浩志, 福留政治, 野口大輔

    2007年応用物理学会九州支部学術講演会  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 後酸化スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜

    奥津加奈, 鬼束さおり, 野口大輔

    2007年応用物理学会九州支部学術講演会  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 後酸化スパッタ法によるWO3薄膜の高速低温成膜

    福留政治, 種子田浩志, 野口大輔

    2007年応用物理学会九州支部学術講演会  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 機械的手法によるWO3薄膜の表面濡れ性制御

    村田ゆみ, 野口大輔

    2007年応用物理学会九州支部学術講演会  2007年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 微小電極を用いた四級ホスホニウム塩型イオン液体中でのフェロセンの酸化還元挙動

    松宮正彦, 野口大輔, 岸岡真也, 綱島克彦, 杉矢正, 松浦治明

    電気化学会第74回大会  2007年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年3月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 後酸化逆スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速成膜

    野口大輔, 松宮正彦, 清文博

    2007年春季第54回応用物理学会学術講演会  2007年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年3月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • CIW法を用いた分子動力学計算による溶融塩の過剰化学ポテンシャル評価.

    松宮正彦, 下池正彦, 野口大輔, 松浦治明

    日本化学会第87回春季年会  2007年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2007年3月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • RAS法によるTiO2光触媒薄膜の高速成膜

    肥後由紀子, 松宮正彦, 清文博, 長江亦周, 野口大輔

    光機能材料研究会第13回シンポジウム光触媒反応の最近の展開  2006年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2006年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 微生物を担持した炭/酸化チタン複合多孔質光触媒の開発と水浄化機能

    野口大輔, 井手豪, 米吉貴弘

    光機能材料研究会第12回シンポジウム光触媒反応の最近の展開  2005年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2005年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 多孔質炭複合酸化チタンの作製と光触媒特性

    野口大輔, 井手豪, 米吉貴弘

    日本セラミックス協会第18回秋季シンポジウム  2005年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2005年9月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • スパッタ法による光触媒膜の作成 招待

    野口大輔

    日本真空協会 第191回産業部会  2004年1月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2004年1月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • H2O添加DC反応性スパッタ法で成膜したTiO2の光触媒特性

    野口大輔, 川又由雄, 長友隆男

    光機能材料研究会第10回シンポジウム光触媒反応の最近の展開  2003年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2003年12月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • H2O添加スパッタ法で成膜したTiO2の構造解析

    野口大輔, 川又由雄, 長友隆男

    2003年秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2003年8月 - 2003年9月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • 光触媒プロセス開発 招待

    野口大輔

    日本真空工業会主催VACUUM2002真空展セミナー  2002年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2002年9月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

  • H2O添加DC反応性スパッタ法で成膜したTiO2の光触媒特性

    野口大輔, 川又由雄, 長友隆男

    2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会  2022年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2002年9月

    記述言語：日本語  

    国名：その他  

▼全件表示

MISC

  • 火山噴出物シラスを原料とする親水性薄膜の多孔質化とその応用

    栗原路子, 野口大輔

    工業材料2022春号   2022年5月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 防曇効果を長期維持する親水/吸水ハイブリッド型薄膜の開発と可能性について

    野口大輔

    MATERIAL STAGE 3月号   2022年3月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 高専教育におけるアグリエンジニアリング教育の検討 査読

    高橋明宏, 濱田英介, 佐藤浅次, 野地英樹, 野口大輔, 杉本弘文, 若生潤一, 豊廣利信, 白岩寛之, 高木夏樹, 永松幸一, 山本直行, 小塚和人

    都城工業高等専門学校研究報告   2017年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

  • 農工連携の先進的取組事例と高専教育への農業教育導入の検討 査読

    高橋明宏, 濱田英介, 佐藤浅次, 野地英樹, 塩野一郎, 野口大輔, 杉本弘文, 若生潤一, 豊廣利信, 白岩寛之, 高木夏樹, 永松幸一, 山本直行

    都城工業高等専門学校研究報告   2016年1月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 光触媒多層酸化チタン薄膜における核形成層効果

    東丸幸江, 児玉和也, 江藤智弘, 塩野一郎, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔

    都城工業高等専門学校研究報告   2014年1月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Rasical Assisted Sputtering法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の特性改善 査読

    西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔

    都城工業高等専門学校研究報告   2014年1月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • Mechanical Properties and Fracture Behavior of Ramie Fiber at Testing Temperature of up to 473K.

    M.Miyagawa, A. Takahashi, T. Sakamoto, N. Yamamoto, T. Toyohiro, D. Noguchi

    The Japan-Thailand-Lao P.D.R Joint Frendship International Conference on Applied Electrical and Mechanical Engineering.   2013年8月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 機能性金属化合物薄膜の高速低温結晶化スパッタリング技術

    野口大輔

    ケミカルエンジニアリング   2012年4月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるTa2O5固体電解質薄膜の作製 査読

    種子田浩志, 東丸幸江, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔

    都城工業高等専門学校研究報告   2012年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

  • RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるWO3還元発色薄膜の作製 査読

    福留政治, 下新原恵美, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔

    都城工業高等専門学校研究報告   2012年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

  • 高速低温スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の成膜技術開発と薄膜成長モデル解明に関する研究 査読

    奥津加奈, 鬼束さおり, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔

    都城工業高等専門学校研究報告   2011年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語  

  • Wettability control on surface of titanium dioxide by mechanical rubbing method

    D.Noguchi, Y.Murata, Y.Kawano, F.Sei

    2011年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語  

    Wettability control on surface of titanium dioxide by mechanical rubbing method

  • RAS法を用いた機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術

    野口大輔

    コンバーテック   2010年9月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 高速低温スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用

    野口大輔

    SPUTTERING＆PLASMA PROCESS   2008年12月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

  • 後酸化スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発～TiO2光触媒薄膜への応用～

    野口大輔

    真空ジャーナル   2007年11月

    　詳細を見る

    記述言語：その他  

▼全件表示

産業財産権

特許権   出願件数: 6件   登録件数: 9件
実用新案権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
意匠権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
商標権   出願件数: 0件   登録件数: 0件

所属学協会

  • 公益社団法人 応用物理学会

  • 公益社団法人日本表面真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)

委員歴

  • はばたけ都城6次産業化推進協議会(宮崎県都城市)   協議会委員   国内

    2020年4月 - 2022年3月   

  • 公益社団法人日本表面真空学会   九州支部幹事   国内

    2018年4月 - 2020年3月   

  • 公益社団法人日本化学会   九州支部幹事   国内

    2015年4月 - 2016年3月   

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • シラスの二酸化炭素吸着能とその応用可能性

    2023年6月 - 2024年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：その他産学連携による資金

  • SPGF実用化に向けた機能性有機薄膜固定化技術開発

    2022年8月 - 2024年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス壁による空間浮遊ウイルスに対する抗ウイルス効果についての研究

    2022年6月 - 2023年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラスの含窒素化合物変換機能とその農業・畜産分野への応用の可能性

    2021年8月 - 2022年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：その他産学連携による資金

  • SPGF実用化に向けた分相性母体材料及び機能性有機薄膜固定化技術開発

    2021年7月 - 2022年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス壁が持つ抗ウイルス効果についての研究

    2021年5月 - 2022年3月

    　 詳細を見る

    資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス多孔質ガラス薄膜の実用化に向けたスパッタリングターゲット材の開発

    2021年 - 2023年

    令和3年度 宮崎県産業支援機構産学官共同開発事業

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：受託研究

  • NiOx膜を使用したＥＣミラー（自動車用アウターミラー）の開発

    2020年10月 - 2024年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラスを主原料とした分相性母体ターゲットの量産製造技術開発

    2020年6月 - 2021年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラスの工学的応用に関する機能探索のための検討

    2020年6月 - 2021年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 光とナノミストを利用した連続水素生産装置の開発

    研究課題/領域番号：20K05695  2020年 - 2021年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：科研費

  • ガラスの相分離現象を利用したシラス薄膜の多孔質化

    2019年8月 - 2020年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • ナノコンポジット構造を特徴とするシラス薄膜の開発

    2018年7月 - 2019年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 反応性スパッタによる光触媒膜高速成膜量産化技術の開発

    2018年

    　 詳細を見る

    資金種別：寄附金

  • 擦傷試験性能向上を目指したシラス薄膜の表面修飾技術の開発

    2017年6月 - 2018年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス薄膜の防曇特性回復技術の開発

    2016年7月 - 2017年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス薄膜材を用いた機能性シートの開発

    2016年4月 - 2017年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラスを原料とするターゲットを用いたＡＲ機能を有する防曇膜の開発

    2016年 - 2017年

    平成28年度 宮崎県産業支援機構産学官共同開発事業

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：受託研究

  • シラス薄膜の防曇特性に関する基礎研究

    2015年10月 - 2016年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 併用式スパッタリング法を用いた酸化物成膜技術

    2015年5月 - 2016年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラスを用いた機能性フィルムの開発

    2014年

    共同研究

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • スパッタ法によるInSb化合物半導体膜の結晶性向上技術開発

    2013年6月 - 2014年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • シラス薄膜の基礎物性評価に関する研究

    2013年4月 - 2014年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 熱エネルギーに代わる新規なスパッタ薄膜構造制御技術開発

    研究課題/領域番号：25820371  2013年 - 2015年

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • スパッタリング法による機能性薄膜の研究

    2012年4月 - 2014年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • スパッタリング法による高機能性薄膜の作製と物性評価

    2011年12月 - 2012年10月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • RAS法における全固体型自動防眩ミラー成膜技術の研究

    2011年9月 - 2013年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • ゴム製品製造時に出るバリの再生技術の開発

    2011年 - 2012年

    廃棄物処理等科学研究費補助金 (環境省）

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：受託研究

  • 2段階ステップ成膜手法の結晶化制御因子確立と量産装置の構築

    2011年

    平成23年度 九州の新成長戦略に基づく事業創出推進事業

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • スパッタ法による機能薄膜技術の研究

    2010年7月 - 2011年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 高速低温スパッタ法における機能薄膜製造技術の研究

    2009年5月 - 2011年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • RAS法による機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術開発

    2009年

    平成21年度 九州地域戦略イノベーション創出事業

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • スパッタ法による機能薄膜技術の研究

    2008年4月 - 2010年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 後酸化スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究

    2007年4月 - 2009年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 高活性光触媒薄膜のカップガン構造を特徴とする逆スパッタ源による後酸化高速低温成膜技術開発と自動車用親水ミラー製造技術への応用に関する研究

    2007年 - 2008年

    宮崎県戦略的地域科学振興事業

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • カップガン構造の逆スパッタ源による酸化チタン光触媒薄膜の後酸化成膜技術開発に関する研究

    2007年

    平成19年度 (第29回) 日本板硝子材料工学助成

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：受託研究

  • スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究

    2006年4月 - 2007年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：その他産学連携による資金

  • 後酸化逆スパッタ法による高活性光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発

    研究課題/領域番号：18760553  2006年 - 2007年

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 高周波加熱技術と過熱水蒸気発生技術を応用した炭素複合材料の製法開発

    2005年4月 - 2006年3月

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：その他産学連携による資金

▼全件表示

教育活動概要

  • 工学部融合基礎工学科の九大工・九州沖縄９高専連携教育プログラムに所属している連携生の教育指導・学生支援を担当

メディア報道

  • 曇りにくいシラス薄膜 新聞・雑誌

    宮崎日日新聞  2020年2月

    　詳細を見る

    曇りにくいシラス薄膜

  • 革新的な成膜技術の開発を目指して スパッタリング法を用いた機能性薄膜の成膜プロセス開発 新聞・雑誌

    読売新聞鹿児島県版  2017年9月

    　詳細を見る

    革新的な成膜技術の開発を目指して スパッタリング法を用いた機能性薄膜の成膜プロセス開発

  • 地元素材を活用して新素材開発 シラスを原料とした新規機能性材料が誕生 新聞・雑誌

    読売新聞鹿児島県版  2014年8月

    　詳細を見る

    地元素材を活用して新素材開発 シラスを原料とした新規機能性材料が誕生

  • シラスから固体電解質 都城高専共同開発 レアメタル代替期待 新聞・雑誌

    南日本新聞  2014年6月

    　詳細を見る

    シラスから固体電解質 都城高専共同開発 レアメタル代替期待

  • かごしま知の最前線 新聞・雑誌

    南日本新聞  2009年11月

    　詳細を見る

    かごしま知の最前線

  • 100℃以下で高速成膜 酸化チタン光触媒の薄膜 都城工業高専など新技術 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  2009年11月

    　詳細を見る

    100℃以下で高速成膜 酸化チタン光触媒の薄膜 都城工業高専など新技術

  • 高速低温条件で光触媒薄膜形成 世界初の技術確立 新聞・雑誌

    宮崎日日新聞  2009年10月

    　詳細を見る

    高速低温条件で光触媒薄膜形成 世界初の技術確立

▼全件表示

学内運営に関わる各種委員・役職等

  • 2024年1月 - 現在   その他 工学部附属高専連携教育センター教員会議委員, 融合基礎工学科・連携学務委員会委員