2025/02/03 更新

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アゴウ ヒロキ
吾郷 浩樹
AGO HIROKI
所属
総合理工学研究院 グローバルイノベーション部門 教授
■廃止組織■ グローバルイノベーションセンター(併任)
総合理工学府 総合理工学専攻(併任)
職名
教授
連絡先
メールアドレス
プロフィール
[研究活動] グラフェンに代表される二次元原子膜材料は、その優れた電子輸送特性や機械特性、およびユニークなナノ構造に基づく興味深い電子構造から大きな注目を集めている材料である。そして、近年のナノテクノロジーの発展においても重要な材料と考えられている。さらには、近年は遷移金属カルコゲナイドや六方晶窒化ホウ素などの層状物質材料の研究も進み、二次元原子薄膜の大きなフィールドが形成され、様々な応用も期待されている。現在、以下に挙げる研究を中心に行っている。 【1】超高品質グラフェンの合成と大面積合成に関する研究 【2】二層グラフェンの合成とインターカレーションによるデバイスや太陽電池への応用 【3】六方晶窒化ホウ素の新規合成法やデバイスやガスバリア応用等に向けた基礎・応用研究 【4】遷移金属カルコゲナイドなどの新規二次元原子薄膜とそのヘテロ構造の成長に関する研究 【5】学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」の領域代表としてとりまとめと研究推進 【6】二次元材料に関するオープンイノベーションを目的とした産学官連携オープンイノベーション・ネットワークの推進 [教育活動] 大学院教育としては総合理工学府において「機能材料構造論」、「固体構造基礎論」等を担当している。基幹教育として「基礎化学結合論」を担当。 さらにこれまで東京都立大学、山口大学、北海道大学、京都大学の非常勤講師を務めるとともに、2008年度からのグローバルCOEの事業推進担当者、2012年度からリーティング大学院のプログラム担当者、2023年度からはアントワープ大学とのダブルディグリーの委員。
ホームページ
  • https://csede.kyushu-u.ac.jp/ago/index.html

    研究室のHP。グラフェンを代表とする2/2.5次元物質などのナノマテリアルの合成・物性やナノ空間の科学、ならびにナノテクノロジーを活用したエネルギー・デバイス・環境に関する研究開発を行っている

  • https://25d-materials.jp/

    代表を務める学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」のホームページ

学位

  • 博士(工学) ( 京都大学 )

経歴

  • 九州大学 総合理工学研究院 教授 

    2024年4月 - 現在

  • 九州大学 グローバルイノベーションセンター  教授 グローバルイノベーションセンター

    2013年4月 - 2024年3月

  • 九州大学 先導物質化学研究所 准教授 

    2003年4月 - 2015年3月

  • 産業技術総合研究所  学術研究員 

    2001年4月 - 2003年3月

  • 工業技術院 物質工学工業技術研究所  学術研究員 

    1999年4月 - 2001年3月

  • ケンブリッジ大学 キャヴェンディッシュ研究所 学術研究員 

    1997年11月 - 1999年3月

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    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)

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学歴

  • 京都大学   大学院分子工学専攻   大学院修士・博士課程

    1992年4月 - 1997年3月

  • 大阪大学   基礎工学部   学部生

    1987年3月 - 1991年3月

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ: 二次元ナノ空間の科学と機能創発

    研究キーワード: 二次元物質

    研究期間: 2018年4月 - 2024年5月

  • 研究テーマ: 機能性テープによる二次元材料の革新的転写法

    研究キーワード: 二次元物質

    研究期間: 2018年4月

  • 研究テーマ: 六方晶窒化ホウ素の原子膜に関する研究

    研究キーワード: 六方晶窒化ホウ素

    研究期間: 2016年4月

  • 研究テーマ: 遷移金属カルコゲナイドの原子膜に関する研究

    研究キーワード: 遷移金属カルコゲナイド

    研究期間: 2016年4月

  • 研究テーマ: 新規ナノカーボンマテリアルの創製

    研究キーワード: ナノカーボン

    研究期間: 2012年4月 - 2018年3月

  • 研究テーマ: 革新的二次元系物質の生成と探索

    研究キーワード: 二次元物質

    研究期間: 2012年4月

  • 研究テーマ: グラフェンの触媒成長と成長メカニズムの解明

    研究キーワード: グラフェン,結晶成長,CVD

    研究期間: 2011年4月

  • 研究テーマ: グラフェンの電子・光物性とデバイスへの応用

    研究キーワード: グラフェン,CVD,物性,デバイス

    研究期間: 2011年4月

  • 研究テーマ: グラフェンのプロセッシング技術の開発

    研究キーワード: グラフェン,CVD,プロセッシング

    研究期間: 2010年4月 - 2018年3月

  • 研究テーマ: 単層カーボンナノチューブのカイラリティ/電子構造の制御のための精密合成法の探索

    研究キーワード: ナノチューブ、カイラリティ、半導体

    研究期間: 2007年10月 - 2016年3月

  • 研究テーマ: 単層カーボンナノチューブのエレクトロニクス応用のための基盤研究

    研究キーワード: カーボンナノチューブ、トランジスタ

    研究期間: 2005年4月 - 2012年3月

  • 研究テーマ: 単層カーボンナノチューブのエピタキシャル配向成長と高密度化

    研究キーワード: 単層カーボンナノチューブ、配向成長

    研究期間: 2004年10月 - 2016年3月

受賞

  • 応用物理学会 第4回「薄膜・表面物理分科会 論文賞」

    2020年3月   応用物理学会   Imaging of local structures affecting electrical transport properties of large graphene sheets by lock-in thermography Science Advances, vol. 5, eaau3407 P.1-8 (2019).

  • 平成26年度九州大学研究活動表彰

    2014年12月   九州大学  

  • 平成24年度応用物理学会優秀論文賞

    2014年8月   応用物理学会   Epitaxial Growth and Electronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film

  • 2013年応用物理学会春季学術講演会 Poster Award

    2013年9月   応用物理学会   Investigation of mechanical strain of graphene by Raman spectroscopy

  • 平成24年度九州大学研究活動表彰

    2012年11月   九州大学  

  • 平成22年度九州大学 研究・産学連携活動表彰

    2010年11月   九州大学  

  • ナノ学会第6回大会 産業タイムズ社賞

    2008年5月   ナノ学会   ”表面原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長,”炭素同位体を用いた単層カーボンナノチューブの水平配向成長の可視化”

  • 文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2008年4月   文部科学省   カーボンナノチューブの生成と機能化の研究

  • 九州大学 研究・産学連携活動表彰

    2007年5月   九州大学  

  • 飯島賞

    2005年10月   フラーレン・ナノチューブ学会   カーボンナノチューブの合成法に関する新規な発見

  • つくば奨励賞(実用化部門)

    2001年2月   (財)茨城県科学技術振興財団   カーボンナノチューブの大量合成法の開発,及び産業応用への貢献

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論文

  • Hot electron effect in high-order harmonic generation from graphene driven by elliptically polarized light 査読 国際共著

    K. Nakagawa, W. Mao, S. A. Sato, H. Ago, A. Rubio, Y. Kanemitsu, H. Hiroki

    APL Photonics   9   076107   2024年7月

  • Science and applications of 2.5D materials: Development, opportunities and challenges 招待 査読

    H. Ago, P. Solís-Fernández

    NPG Asia Materials   16   31   2024年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者  

  • Ready-to-transfer two-dimensional materials using tunable adhesive force tapes 査読 国際誌

    M. Nakatani, S. Fukamachi, P. Solís-Fernández, S. Honda, M. Harada, K. Kawahara, Y. Tsuji, Y. Sumiya, M. Kuroki, K. Li, Q. Liu, Y.-C. Lin, A. Uchida, S. Oyama, H. Ji, K. Okada, K. Suenaga, Y. Kawano, K. Yoshizawa, A. Yasui, H. Ago

    Nature Electronics   7   119   2024年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41928-024-01121-3

    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41928-024-01121-3

  • Alkali metal bilayer intercalation in graphene 査読 国際誌

    Y.-C. Lin*, R. Matsumoto, Q. Liu, P. Soslís-Fernández, M.-D. Siao, P.-W. Chiu, H. Ago, K. Suenaga

    Nature Communications   15   425   2024年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41467-023-44602-3

    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41467-023-44602-3

  • Effects of nonlinear photoemission on mean transverse energy from metal photocathodes 査読 国際誌

    C. J. Knill*, S. Douyon, K. Kawahara, H. Yamaguchi, G. Wang, H. Ago, N. Moody, S. Karkare

    ACS Nano   17   23659   2023年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.3c06958

  • Complex third-order nonlinear susceptibility of single-layer graphene governing third-harmonic generation 査読 国際誌

    D. Inukai, T. Koyama, K. Kawahara, H. Ago, H. Kishida

    Phys. Rev. B   108   075408   2023年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.108.075408

  • Random but limited pressure of graphene liquid cells 査読 国際誌

    S. Hirokawa, H. Teshima, H. Kawamoto, P. Solis-Fernandez, H. Ago, Q. Y. Li, K. Takahashi

    Ultramicroscopy   250   113747   2023年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ultramic.2023.113747

  • Interference of excitons and surface plasmons in the optical absorption spectra of monolayer and bilayer graphene 査読 国際誌

    H.-L. Liu, B. D. Annawati, N. T. Hung, D. P. Gulo, P. Solis-Fernandez, K. Kawahara, H. Ago, R. Saito

    Phys. Rev. B   107   165421   2023年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.107.165421

  • Large-area synthesis and transfer of multilayer hexagonal boron nitride for enhanced graphene device arrays 査読 国際誌

    S. Fukamachi, P. Solis-Fernandez, K. Kawahara, D. Tanaka, T. Ohtake, Y.-C. Lin, K. Suenaga, H. Ago

    Nature Electronics   6   126 - 136   2023年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Multilayer hexagonal boron nitride (hBN) can be used to preserve the intrinsic physical properties of other two-dimensional materials in device structures. However, integrating the material into large-scale two-dimensional heterostructures remains challenging due to the difficulties in synthesizing high-quality large-area multilayer hBN and combining it with other two-dimensional material layers of the same scale. Here we show that centimetre-scale multilayer hBN can be synthesized on iron–nickel alloy foil by chemical vapour deposition, and then used as a substrate and as a surface-protecting layer in graphene field-effect transistors. We also develop an integrated electrochemical transfer and thermal treatment method that allows us to create high-performance graphene/hBN heterostacks. Arrays of graphene field-effect transistors fabricated by conventional and scalable methods show an enhancement in room-temperature carrier mobility when hBN is used as an insulating substrate, and a further increase—up to a value of 10,000 cm2 V−1 s−1—when graphene is encapsulated with another hBN sheet.

    DOI: 10.1038/s41928-022-00911-x

    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41928-022-00911-x

  • Near-Threshold Photoemission from Graphene-Coated Cu(110) 査読 国際誌

    C. J. Knill, H. Yamaguchi, K. Kawahara, G. Wang, E. Batista, P. Yang, H. Ago, N. Moody, S. Karkare

    Phys. Rev. Appl.   19   014015   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevApplied.19.014015

  • Data cluster analysis and machine learning for classification of twisted bilayer graphene 査読 国際誌

    T. Vincent, K. Kawahara, V. Antonov, H. Ago, O. Kazakova

    Carbon   201   141 - 149   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2022.09.021

  • Surface etching and edge control of hexagonal boron nitride assisted by triangular Sn nanoplates 査読 国際誌

    Y. Hsin, P. Solís-Fernández, H. Hibino, H. Ago

    Nanoscale Adv.   4   3786 - 3792   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D2NA00479H

  • Twist angle-dependent molecular intercalation and sheet resistance in bilayer graphene 査読 国際誌

    Y. Araki, P. Solís-Fernández, Y.-C. Lin, A. Motoyama, K. Kawahara, M. Maruyama, G. Yanlin, R. Matsumoto, K. Suenaga, S. Okada, H. Ago

    ACS Nano   16 ( 9 )   14075 - 14085   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.2c03997

  • Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation 査読 国際誌

    H. Ago, S. Okada, Y. Miyata, K. Matsuda, M. Koshino, K. Ueno, K. Nagashio

    Sci. Tech. Adv. Mater.   23 ( 1 )   275 - 299   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/14686996.2022.2062576

  • Machine learning determination of the twist angle of bilayer graphene by Raman spectroscopy: Implications for van der Waals heterostructures 査読 国際誌

    P. Solis-Fernandez, H. Ago

    ACS Appl. Nano Mater.   5 ( 1 )   356 - 1366   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsanm.1c03928

  • Coupling and Decoupling of Bilayer Graphene Monitored by Electron Energy Loss Spectroscopy 査読 国際誌

    Y.-C. Lin, A. Motoyama, R. Matsumoto, H. Ago, K. Suenaga

    Nano Lett.   21 ( 24 )   10386 - 10391   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03689

  • Polymorphic Phases of Metal Chlorides in the Confined 2D Space of Bilayer Graphene 査読 国際誌

    Y.-C. Lin, A. Motoyama, S. Kretschmer, S. Ghaderzadeh, M. Ghorbani-Asl, Y. Araki, A. V. Krasheninnikov, H. Ago, K. Suenaga

    Adv. Mater.   33 ( 52 )   2105898   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.202105898

  • High flux and adsorption based non-functionalized hexagonal boron nitride lamellar membrane for ultrafast water purification 査読 国際誌

    R. Das, P. Solís-Fernández, D. Breite, A. Prager, A. Lotnyk, A. Schulze, H. Ago

    Chem. Eng. J.   420 ( 2 )   127721   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cej.2020.127721

  • Stacking orientation-dependent photoluminescence pathways in artificially stacked bilayer WS2 nanosheets grown by chemical vapor deposition: Implications for spintronics and valleytronics 査読 国際誌

    H. G. Ji, U. Erkılıç, P. Solís-Fernández, H. Ago

    ACS Applied Nano Materials   3717 - 3724   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsanm.1c00192

  • Chemical Vapor deposition growth of uniform multilayer hexagonal boron nitride driven by structural transformation of metal thin film 査読 国際誌

    Y. Uchida, K. Kawahara, S. Fukamachi, H. Ago

    ACS Applied Electronic Materials   3270 - 3278   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.0c00601

  • One-step vapour phase growth of two-dimensional formamidinium-based perovskite and its hot carrier dynamics 査読 国際誌

    U. Erkılıç, H. G. Ji, E. Nishibori, H. Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   21512 - 21519   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D0CP02652B

  • Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene 査読 国際誌

    P. Solís-Fernández, Y. Terao, K. Kawahara, W. Nishiyama, T. Uwanno, Y.-C. Li, K. Yamamoto, H. Nakashima, K. Nagashio, H. Hibino, K. Suenaga, H. Ago

    ACS Nano   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.0c00645

  • Chemically Tuned p- and n-Type WSe2 Monolayers with High Carrier Mobility for Advanced Electronics 査読

    Hyun Goo Ji, Pablo Solís-Fernández, Daisuke Yoshimura, Mina Maruyama, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Susumu Okada, Hiroki Ago

    Advanced Materials   31 ( 42 )   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted a great interest for post-silicon electronics and photonics due to their high carrier mobility, tunable bandgap, and atom-thick 2D structure. With the analogy to conventional silicon electronics, establishing a method to convert TMDC to p- and n-type semiconductors is essential for various device applications, such as complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuits and photovoltaics. Here, a successful control of the electrical polarity of monolayer WSe2 is demonstrated by chemical doping. Two different molecules, 4-nitrobenzenediazonium tetrafluoroborate and diethylenetriamine, are utilized to convert ambipolar WSe2 field-effect transistors (FETs) to p- and n-type, respectively. Moreover, the chemically doped WSe2 show increased effective carrier mobilities of 82 and 25 cm2 V−1s−1 for holes and electrons, respectively, which are much higher than those of the pristine WSe2. The doping effects are studied by photoluminescence, Raman, X-ray photoelectron spectroscopy, and density functional theory. Chemically tuned WSe2 FETs are integrated into CMOS inverters, exhibiting extremely low power consumption (≈0.17 nW). Furthermore, a p-n junction within single WSe2 grain is realized via spatially controlled chemical doping. The chemical doping method for controlling the transport properties of WSe2 will contribute to the development of TMDC-based advanced electronics.

    DOI: 10.1002/adma.201903613

  • Synthesis of sub-millimeter single-crystal grains of aligned hexagonal boron nitride on an epitaxial Ni film 査読

    Alexandre Budiman Taslim, Hideaki Nakajima, Yung Chang Lin, Yuki Uchida, Kenji Kawahara, Toshiya Okazaki, Kazu Suenaga, Hiroki Hibino, Hiroki Ago

    Nanoscale   11 ( 31 )   14668 - 14675   2019年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Hexagonal boron nitride (h-BN), an insulating two-dimensional (2D) layered material, has attracted increasing interest due to its electrical screening effect, high-temperature-resistant gas barrier properties, and other unique applications. However, the presence of grain boundaries (GBs) in h-BN is a hindrance to obtain these properties. Here, we demonstrate the epitaxial growth of monolayer h-BN by chemical vapor deposition (CVD) on Ni(111) thin films deposited on c-plane sapphire. The Ni(111) films showed higher thermal stability than Cu(111) and Cu-Ni(111) alloy films, allowing us to perform CVD growth at a high temperature of 1100 °C. This resulted in an increase of the h-BN grain sizes to up to 0.5 millimeter, among the highest reported so far, and in a well-defined triangular grain shape. Low-energy electron microscopy (LEEM) revealed the epitaxial relationship between h-BN and the underlying Ni(111) lattice, leading to a preferential alignment of the h-BN grains. Both the large grain size and the alignment are expected to facilitate the synthesis of h-BN with a low density of GBs. We also found that the addition of N2 gas during the CVD improves the crystalline shape of the h-BN grains, changing from an irregular, truncated to a sharp triangle. The growth behavior of monolayer h-BN is further discussed in terms of the dependences on growth temperature and pressure, as well as on the structural evolution of the Ni metal catalyst. Our findings not only help understand the h-BN growth mechanism but also offer a new route to grow high-quality, monolayer h-BN films.

    DOI: 10.1039/c9nr03525g

  • Controlled Growth of Large-Area Uniform Multilayer Hexagonal Boron Nitride as an Effective 2D Substrate 査読

    Yuki Uchida, Sho Nakandakari, Kenji Kawahara, Shigeto Yamasaki, Masatoshi Mitsuhara, Hiroki Ago

    ACS nano   12 ( 6 )   6236 - 6244   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) is an ideal insulator for two-dimensional (2D) materials, such as graphene and transition metal dichalcogenides, because h-BN screens out influences from surroundings, allowing one to observe intrinsic physical properties of the 2D materials. However, the synthesis of large and uniform multilayer h-BN is still very challenging because it is difficult to control the segregation process of B and N atoms from metal catalysts during chemical vapor deposition (CVD) growth. Here, we demonstrate CVD growth of multilayer h-BN with high uniformity by using the Ni-Fe alloy film and borazine (B3H6N3) as catalyst and precursor, respectively. Combining Ni and Fe metals tunes the solubilities of B and N atoms and, at the same time, allows one to engineer the metal crystallinity, which stimulates the uniform segregation of multilayer h-BN. Furthermore, we demonstrate that triangular WS2 grains grown on the h-BN show photoluminescence stronger than that grown on a bare SiO2 substrate. The PL line width of WS2/h-BN (the minimum and mean widths are 24 and 43 meV, respectively) is much narrower than those of WS2/SiO2 (44 and 67 meV), indicating the effectiveness of our CVD-grown multilayer h-BN as an insulating layer. Large-area, multilayer h-BN realized in this work will provide an excellent platform for developing practical applications of 2D materials.

    DOI: 10.1021/acsnano.8b03055

  • High-speed and on-chip graphene blackbody emitters for optical communications by remote heat transfer 査読 国際誌

    Y. Miyoshi, Y. Fukazawa, Y. Amasaka, R. Reckmann, T. Yokoi, K. Ishida, K. Kawahara, H. Ago, H. Maki

    Nature Communications   1279   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Surface-Mediated Aligned Growth of Monolayer MoS2 and In-Plane Heterostructures with Graphene on Sapphire 査読

    Kenshiro Suenaga, Hyun Goo Ji, Yung Chang Lin, Tom Vincent, Mina Maruyama, Adha Sukma Aji, Yoshihiro Shiratsuchi, Dong Ding, Kenji Kawahara, Susumu Okada, Vishal Panchal, Olga Kazakova, Hiroki Hibino, Kazu Suenaga, Hiroki Ago

    ACS nano   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Aligned growth of transition metal dichalcogenides and related two-dimensional (2D) materials is essential for the synthesis of high-quality 2D films due to effective stitching of merging grains. Here, we demonstrate the controlled growth of highly aligned molybdenum disulfide (MoS2) on c-plane sapphire with two distinct orientations, which are highly controlled by tuning sulfur concentration. We found that the size of the aligned MoS2 grains is smaller and their photoluminescence is weaker as compared with those of the randomly oriented grains, signifying enhanced MoS2-substrate interaction in the aligned grains. This interaction induces strain in the aligned MoS2, which can be recognized from their high susceptibility to air oxidation. The surface-mediated MoS2 growth on sapphire was further developed to the rational synthesis of an in-plane MoS2-graphene heterostructure connected with the predefined orientation. The in-plane epitaxy was observed by low-energy electron microscopy. Transmission electron microscopy and scanning transmission electron microscopy suggest the alignment of a zigzag edge of MoS2 parallel to a zigzag edge of the neighboring graphene. Moreover, better electrical contact to MoS2 was obtained by the monolayer graphene compared with a conventional metal electrode. Our findings deepen the understanding of the chemical vapor deposition growth of 2D materials and also contribute to the tailored synthesis as well as applications of advanced 2D heterostructures.

    DOI: 10.1021/acsnano.8b04612

  • Two-step synthesis and characterization of vertically stacked SnS-WS2 and SnS-MoS2 p-n heterojunctions 査読

    Adha Sukma Aji, Masanori Izumoto, Kenshiro Suenaga, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Hiroki Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   20 ( 2 )   889 - 897   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We demonstrate the synthesis of unique heterostructures consisting of SnS and WS2 (or SnS and MoS2) by two-step chemical vapor deposition (CVD). After the first CVD growth of triangular WS2 (MoS2) grains, the second CVD step was performed to grow square SnS grains on the same substrate. We found that these SnS grains can be grown at very low temperature with the substrate temperature of 200 °C. Most of the SnS grains nucleated from the side edges of WS2 (MoS2) grains, resulting in the formation of partly stacked heterostructures with a large overlapping area. The SnS grains showed doped p-type transfer character with a hole mobility of 15 cm2 V-1 s-1, while the WS2 and MoS2 grains displayed n-type character with a high on/off ratio of >106. The SnS-WS2 and SnS-MoS2 heterostructures exhibited clear rectifying behavior, signifying the formation of p-n junctions at their interfaces. This heterostructure growth combined with the low temperature SnS growth will provide a promising means to exploit two-dimensional heterostructures by avoiding possible damage to the first material.

    DOI: 10.1039/c7cp06823a

  • Hydrogen-Assisted Epitaxial Growth of Monolayer Tungsten Disulfide and Seamless Grain Stitching 査読

    Hyun Goo Ji, Yung Chang Lin, Kosuke Nagashio, Mina Maruyama, Pablo Solís-Fernández, Adha Sukma Aji, Vishal Panchal, Susumu Okada, Kazu Suenaga, Hiroki Ago

    Chemistry of Materials   30 ( 2 )   403 - 411   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Recently, research on transition metal dichalcogenides (TMDCs) has been accelerated by the development of large-scale synthesis based on chemical vapor deposition (CVD). However, in most cases, CVD-grown TMDC sheets are composed of randomly oriented grains, and thus contain many distorted grain boundaries (GBs) which deteriorate the physical properties of the TMDC. Here, we demonstrate the epitaxial growth of monolayer tungsten disulfide (WS2) on sapphire by introducing a high concentration of hydrogen during the CVD process. As opposed to the randomly oriented grains obtained in conventional growth, the presence of H2 resulted in the formation of triangular WS2 grains with the well-defined orientation determined by the underlying sapphire substrate. Photoluminescence of the aligned WS2 grains was significantly suppressed compared to that of the randomly oriented grains, indicating a hydrogen-induced strong coupling between WS2 and the sapphire surface that has been confirmed by density functional theory calculations. Scanning transmission electron microscope observations revealed that the epitaxially grown WS2 has less structural defects and impurities. Furthermore, sparsely distributed unique dislocations were observed between merging aligned grains, indicating an effective stitching of the merged grains. This contrasts with the GBs that are observed between randomly oriented grains, which include a series of 8-, 7-, and alternating 7/5-membered rings along the GB. The GB structures were also found to have a strong impact on the chemical stability and carrier transport of merged WS2 grains. Our work offers a novel method to grow high-quality TMDC sheets with much less structural defects, contributing to the future development of TMDC-based electronic and photonic applications.

    DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b04149

  • High Mobility WS2 Transistors Realized by Multilayer Graphene Electrodes and Application to High Responsivity Flexible Photodetectors 査読

    Adha Sukma Aji, Pablo Solís-Fernández, Hyun Goo Ji, Kenjiro Fukuda, Hiroki Ago

    Advanced Functional Materials   27 ( 47 )   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The electrical contact is one of the main issues preventing semiconducting 2D materials to fulfill their potential in electronic and optoelectronic devices. To overcome this problem, a new approach is developed here that uses chemical vapor deposition grown multilayer graphene (MLG) sheets as flexible electrodes for WS2 field-effect transistors. The gate-tunable Fermi level, van der Waals interaction with the WS2, and the high electrical conductivity of MLG significantly improve the overall performance of the devices. The carrier mobility of single-layer WS2 increases about a tenfold (50 cm2 V−1 s−1 at room temperature) by replacing conventional Ti/Au metal electrodes (5 cm2 V−1 s−1) with the MLG electrodes. Further, by replacing the conventional SiO2 substrate with a thin (1 µm) parylene-C flexible film as insulator, flexible WS2 photodetectors that are able to sustain multiple bending stress tests without significant performance degradation are realized. The flexible photodetectors exhibited extraordinarily high gate-tunable photoresponsivities, reaching values of 4500 A W−1, and with very short (<2 ms) response time. The work of the heterostacked structure combining WS2, graphene, and the very thin polymer film will find applications in various flexible electronics, such as wearable high-performance optoelectronics devices.

    DOI: 10.1002/adfm.201703448

  • Highly Conductive and Transparent Large-Area Bilayer Graphene Realized by MoCl5 Intercalation 査読

    Hiroki Kinoshita, Il Jeon, Mina Maruyama, Kenji Kawahara, Yuri Terao, Dong Ding, Rika Matsumoto, Yutaka Matsuo, Susumu Okada, Hiroki Ago

    Advanced Materials   29 ( 41 )   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Bilayer graphene (BLG) comprises a 2D nanospace sandwiched by two parallel graphene sheets that can be used to intercalate molecules or ions for attaining novel functionalities. However, intercalation is mostly demonstrated with small, exfoliated graphene flakes. This study demonstrates intercalation of molybdenum chloride (MoCl5) into a large-area, uniform BLG sheet, which is grown by chemical vapor deposition (CVD). This study reveals that the degree of MoCl5 intercalation strongly depends on the stacking order of the graphene; twist-stacked graphene shows a much higher degree of intercalation than AB-stacked. Density functional theory calculations suggest that weak interlayer coupling in the twist-stacked graphene contributes to the effective intercalation. By selectively synthesizing twist-rich BLG films through control of the CVD conditions, low sheet resistance (83 Ω ▫−1) is realized after MoCl5 intercalation, while maintaining high optical transmittance (≈95%). The low sheet resistance state is relatively stable in air for more than three months. Furthermore, the intercalated BLG film is applied to organic solar cells, realizing a high power conversion efficiency.

    DOI: 10.1002/adma.201702141

  • Synthesis, structure and applications of graphene-based 2D heterostructures 査読

    Pablo Solís-Fernández, Mark Bissett, Hiroki Ago

    Chemical Society Reviews   46 ( 15 )   4572 - 4613   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    With the profuse amount of two-dimensional (2D) materials discovered and the improvements in their synthesis and handling, the field of 2D heterostructures has gained increased interest in recent years. Such heterostructures not only overcome the inherent limitations of each of the materials, but also allow the realization of novel properties by their proper combination. The physical and mechanical properties of graphene mean it has a prominent place in the area of 2D heterostructures. In this review, we will discuss the evolution and current state in the synthesis and applications of graphene-based 2D heterostructures. In addition to stacked and in-plane heterostructures with other 2D materials and their potential applications, we will also cover heterostructures realized with lower dimensionality materials, along with intercalation in few-layer graphene as a special case of a heterostructure. Finally, graphene heterostructures produced using liquid phase exfoliation techniques and their applications to energy storage will be reviewed.

    DOI: 10.1039/c7cs00160f

  • Epitaxial chemical vapour deposition growth of monolayer hexagonal boron nitride on a Cu(111)/sapphire substrate 査読

    Yuki Uchida, Tasuku Iwaizako, Seigi Mizuno, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   19 ( 12 )   8230 - 8235   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Hexagonal boron nitride (h-BN), an atomically thin insulating material, shows a large band gap, mechanical flexibility, and optical transparency. It can be stacked with other two-dimensional (2D) materials through van der Waals interactions to form layered heterostructures. These properties promise its application as an insulating layer of novel 2D electronic devices due to its atomically smooth surface with a large band gap. Herein, we demonstrated the ambient-pressure chemical vapour deposition (CVD) growth of high-quality, large-area monolayer h-BN on a Cu(111) thin film deposited on a c-plane sapphire using ammonia borane (BH3NH3) as the feedstock. Highly oriented triangular h-BN grains grow on Cu(111), which finally coalescence to cover the entire Cu surface. Low-energy electron diffraction (LEED) measurements indicated that the hexagonal lattice of the monolayer h-BN is well-oriented along the underlying Cu(111) lattice, thus implying the epitaxial growth of h-BN, which can be applied in various 2D electronic devices.

    DOI: 10.1039/c6cp08903h

  • Spatially Controlled Nucleation of Single-Crystal Graphene on Cu Assisted by Stacked Ni 査読

    Dong Ding, Pablo Solís-Fernández, Hiroki Hibino, Hiroki Ago

    ACS Nano   10 ( 12 )   11196 - 11204   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    In spite of recent progress of graphene growth using chemical vapor deposition, it is still a challenge to precisely control the nucleation site of graphene for the development of wafer-scale single-crystal graphene. In addition, the postgrowth patterning used for device fabrication deteriorates the quality of graphene. Herein we demonstrate the site-selective nucleation of single-crystal graphene on Cu foil based on spatial control of the local CH4 concentration by a perforated Ni foil. The catalytically active Ni foil acts as a CH4 modulator, resulting in millimeter-scale single-crystal grains at desired positions. The perforated Ni foil also allows to synthesize patterned graphene without any postgrowth processing. Furthermore, the uniformity of monolayer graphene is significantly improved when a plain Ni foil is placed below the Cu. Our findings offer a facile and effective way to control the nucleation of high-quality graphene, meeting the requirements of industrial processing.

    DOI: 10.1021/acsnano.6b06265

  • Highly Uniform Bilayer Graphene on Epitaxial Cu-Ni(111) Alloy 査読

    Yuichiro Takesaki, Kenji Kawahara, Hiroki Hibino, Susumu Okada, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Chemistry of Materials   28 ( 13 )   4583 - 4592   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Band gap opening in bilayer graphene (BLG) under a vertical electric field is important for the realization of high performance graphene-based semiconductor devices, and thus, the synthesis of uniform and large-area BLG is required. Here we demonstrate the synthesis of a highly uniform BLG film by chemical vapor deposition (CVD) over epitaxial Cu-Ni (111) binary alloy catalysts. The relative concentration of Ni and Cu as well as the growth temperature and cooling profile was found to strongly influence the uniformity of the BLG. In particular, a slow cooling process after switching off the carbon feedstock is important for obtaining a uniform second layer, covering more than 90% of the total area. Moreover, low-energy electron microscopy (LEEM) study revealed the second layer grows underneath the first layer. We also investigated the stacking order by Raman spectroscopy and LEEM and found that 70-80% of bilayer graphene has Bernal stacking. The metastable 30°-rotated orientations were also observed both in the upper and lower layers. From our experimental observations, a new growth mode is proposed; the first layer grows during the CH4 supply on Cu-Ni alloy surface, while the second layer is segregated from the bulk alloy during the cooling process. Our work highlights the growth mechanism of BLG and offers a promising route to synthesize uniform and large-area BLG for future electronic devices.

    DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b01137

  • Visualization of Grain Structure and Boundaries of Polycrystalline Graphene and Two-Dimensional Materials by Epitaxial Growth of Transition Metal Dichalcogenides 査読

    Hiroki Ago, Satoru Fukamachi, Hiroko Endo, Pablo Solís-Fernández, Rozan Mohamad Yunus, Yuki Uchida, Vishal Panchal, Olga Kazakova, Masaharu Tsuji

    ACS Nano   10 ( 3 )   3233 - 3240   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The presence of grain boundaries in two-dimensional (2D) materials is known to greatly affect their physical, electrical, and chemical properties. Given the difficulty in growing perfect large single-crystals of 2D materials, revealing the presence and characteristics of grain boundaries becomes an important issue for practical applications. Here, we present a method to visualize the grain structure and boundaries of 2D materials by epitaxially growing transition metal dichalcogenides (TMDCs) over them. Triangular single-crystals of molybdenum disulfide (MoS2) epitaxially grown on the surface of graphene allowed us to determine the orientation and size of the graphene grains. Grain boundaries in the polycrystalline graphene were also visualized reflecting their higher chemical reactivity than the basal plane. The method was successfully applied to graphene field-effect transistors, revealing the actual grain structures of the graphene channels. Moreover, we demonstrate that this method can be extended to determine the grain structure of other 2D materials, such as tungsten disulfide (WS2). Our visualization method based on van der Waals epitaxy can offer a facile and large-scale labeling technique to investigate the grain structures of various 2D materials, and it will also contribute to understand the relationship between their grain structure and physical properties.

    DOI: 10.1021/acsnano.5b05879

  • Gate-Tunable Dirac Point of Molecular Doped Graphene 査読

    Pablo Solís-Fernández, Susumu Okada, Tohru Sato, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    ACS Nano   10 ( 2 )   2930 - 2939   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Control of the type and density of charge carriers in graphene is essential for its implementation into various practical applications. Here, we demonstrate the gate-tunable doping effect of adsorbed piperidine on graphene. By gradually increasing the amount of adsorbed piperidine, the graphene doping level can be varied from p-to n-type, with the formation of p-n junctions for intermediate coverages. Moreover, the doping effect of the piperidine can be further tuned by the application of large negative back-gate voltages, which increase the doping level of graphene. In addition, the electronic properties of graphene are well preserved due to the noncovalent nature of the interaction between piperidine and graphene. This gate-tunable doping offers an easy, controllable, and nonintrusive method to alter the electronic structure of graphene.

    DOI: 10.1021/acsnano.6b00064

  • Vertical heterostructure of MoS2 and graphene nanoribbons by two-step chemical vapor deposition for high-gain photodetectors 査読 国際誌

    Rozan M. Yunus, Hiroko Endo, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   17   25210 - 25215   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth Dynamics of Single-Layer Graphene on Epitaxial Cu Surfaces 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Yujiro Ohta, Hiroki Hibino, Daisuke Yoshimuara, Rina Takizawa, Yuki Uchida, Masaharu Tsuji, Toshihiro Okajima, Hisashi Mitani, Seigi Mizuno

    CHEMISTRY OF MATERIALS   27 ( 15 )   5377 - 5385   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b01871

  • Controlled van der Waals Epitaxy of Monolayer MoS2 Triangular Domains on Graphene 査読

    Hiroki Ago, Hiroko Endo, SOLIS FERNANDEZ PABLO, Rina Takizawa, Yujiro Ohta, Yusuke Fujita, Kazuhiro Yamamoto, Masaharu Tsuji

    ACS Applied Materials & Interfaces   7 ( 9 )   5265 - 5273   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Formation of Oriented Graphene Nanoribbons over Heteroepitaxial Cu Surfaces by Chemical Vapor Deposition

    Hiroki Ago, Rozan M. Yunus, Masahiro Miyashita, SOLIS FERNANDEZ PABLO, Masaharu Tsuji, Hiroki Hibino

    CHEMISTRY OF MATERIALS   26 ( 18 )   5215 - 5222   2014年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/cm501854r

  • Structure and transport properties of the interface between CVD-grown graphene domains 査読 国際誌

    Yui Ogawa, Katsuyoshi Komatsu, Kenji Kawahara, Masaharu Tsuji, Kazuhito Tsukagoshi, Hiroki Ago

    Nanoscale   6 ( 13 )   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Strain Engineering the Properties of Graphene and Other Two-Dimensional Crystals 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Izumi Tanaka, Yui Ogawa, Rozan M. Yunus, Masaharu Tsuji, Hiroki Hibino

    ACS Nano   10825 - 10833   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Lattice-oriented catalytic growth of graphene nanoribbons on heteroepitaxial nickel films 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Izumi Tanaka, Yui Ogawa, Rozan M. Yunus, Masaharu Tsuji, Hiroki Hibino

    ACS Nano   7 ( 12 )   10825 - 10833   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dense arrays of highly aligned graphene nanoribbons produced by substrate-controlled metal-assisted etching of graphene 査読 国際誌

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, Kazuma Yoshida, Yui Ogawa, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Advanced Materials   25 ( 45 )   6562 - 6568   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Enhanced chemical reactivity of graphene induced by mechanical strain 査読 国際誌

    MARK ALEXANDER BISSETT, Satoru Konabe, Susumu Okada, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    ACS Nano   7 ( 11 )   10335 - 10343   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Epitaxial growth and electronic properties of large hexagonal graphene domains on Cu(111) thin film 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Kenji Kawahara, Yui Ogawa, Shota Tanoue, MARK ALEXANDER BISSETT, Masaharu Tsuji, Hidetsugu Sakaguchi, Roland J. Koch, Felix Fromm, Thomas Seyller, Katsuyoshi Komatsu, Kazuhito Tsukagoshi

    Applied Physics Express   6 ( 7 )   75101-1 - 75101-4   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effect of domain boundaries on the Raman spectra of mechanically strained graphene 査読 国際誌

    MARK ALEXANDER BISSETT, Wataru Izumida, Riichiro Saito, Hiroki Ago

    ACS Nano   6 ( 11 )   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Catalytic growth of graphene: towards large-area single-crystalline graphene 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Yui Ogawa, Masaharu Tsuji, Seigi Mizuno, Hiroki Hibino

    J. Phys. Chem. Lett.   3 ( 16 )   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Step-templated CVD growth of aligned graphene nanoribbons supported by single-layer graphene film 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Yoshito Ito, Masaharu Tsuji, Ken-ichi Ikeda

    Nanoscale   4 ( 16 )   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Domain structure and boundary in single-layer graphene grown on Cu (111) and Cu (100) films 査読 国際誌

    Y. Ogawa, B. Hu, C. M. Orofeo, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino, H. Ago

    J. Phys. Chem. Lett.   3 ( 2 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Epitaxial growth of large-area single-layer graphene over Cu(111)/sapphire by atmospheric pressure CVD 査読 国際誌

    B. Hu, H. Ago,* Y. Ito, K. Kawahara, M. Tsuji, E. Magome, K. Sumitani, N. Mizuta, K. Ikeda, S. Mizuno

    Carbon   50 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Ultra-high vacuum-assisted control of metal nanoparticles for horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with extraordinary uniform diameters 査読 国際誌

    H. Ago, T. Ayagaki, Y. Ogawa, M. Tsuji

    J. Phys. Chem. C   115 ( 27 )   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Synthesis of large-area, homogeneous, single layer graphene by annealing amorphous carbon on Co and Ni 査読 国際誌

    C. M. Orofeo, H. Ago, B. Hu, M. Tsuji

    Nano Res.   4 ( 6 )   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Epitaxial chemical vapor deposition growth of single-layer graphene over cobalt film crystallized on sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, Y. Ito, N. Mizuta, K. Yoshida, B. Hu, C. M. Orofeo, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno

    ACS Nano   4 ( 12 )   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Orthogonal growth of horizontally-aligned single-walled carbon nanotube arrays 査読 国際誌

    H. Ago, T. Nishi, K. Imamoto, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    J. Phys. Chem. C   114 ( 30 )   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Patterned growth of graphene over epitaxial catalyst 査読 国際誌

    H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda

    Small   6 ( 11 )   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Direct growth of bent carbon nanotubes on surface engineered sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, K. Imamoto, T. Nishi, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Phys. Chem. C   2009年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Horizontally aligned growth of single-walled carbon nanotubes on surface modified silicon wafer 査読 国際誌

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Phys. Chem. C   2009年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Top-down approach to align single-walled carbon nanotubes on silicon substrate 査読 国際誌

    C. M. Orofeo, H. Ago,* N. Yoshihara, and M. Tsuji

    Appl. Phys. Lett.   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Unidirectional growth of single-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    N. Ishigami, H. Ago, T. Nishi, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Am. Chem. Soc.   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Crystal plane dependent growth of aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire 査読 国際誌

    N. Ishigami, H. Ago, K. Imamoto, M. Tsuji, K. Iakoubovskii, and N. Minami

    J. Am. Chem. Soc.   2008年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Visualization of horizontally-aligned single-walled carbon nanotube growth with 13C/12C isotopes 査読 国際誌

    H. Ago, N. Ishigami, N. Yoshihara, K. Imamoto, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Phys. Chem. C   2008年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Microreactor utilizing a vertically-aligned carbon nanotube array grown inside the channels 査読 国際誌

    N. Ishigami, H. Ago, Y. Motoyama, M. Takasaki, M. Shinagawa, K. Takahashi, K. Takahashi, and M. Tsuji

    Chem. Commun.   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Microreactor utilizing a vertically-aligned carbon nanotube array grown inside the channels

  • Competition and cooperation between lattice-oriented growth and step-templated growth on aligned carbon nanotubes on sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, K. Imamoto, N. Ishigami, R. Ohdo, K. Ikeda, and M. Tsuji

    Appl. Phys. Lett.   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Competition and cooperation between lattice-oriented growth and step-templated growth on aligned carbon nanotubes on sapphire

  • Gas analysis of CVD process for high yield growth of carbon nanotubes over metal-supported catalysts 査読 国際誌

    H. Ago, N. Uehara, N. Yoshihara, M. Tsuji, M. Yumura, N. Tomonaga, and T. Setoguchi

    Carbon   2006年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Gas analysis of CVD process for high yield growth of carbon nanotubes over metal-supported catalysts

  • Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic arrangement of substrate surface 査読 国際誌

    H. Ago, K. Nakamua, K. Ikeda, N. Uehara, N. Ishigami, and M. Tsuji

    Chem. Phys. Lett.   408 ( 4-6 )   433 - 438   2005年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cplett.2005.04.054

  • CVD growth of single-walled carbon nanotubes with a narrow diameter distribution and their optical properties" 査読 国際誌

    H. Ago, S. Imamura, T. Okazaki, T. Saito, M. Yumura, and M. Tsuji

    J. Phys. Chem. B   109 ( 20 )   10035 - 10041   2005年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp050307q

  • Formation mechanism of carbon nanotubes in the gas-phase synthesis from colloidal solutions of nanoparticles 査読 国際誌

    H. Ago, S. Ohshima, K. Tsukagoshi, M. Tsuji, and M. Yumura

    Curr. Appl. Phys.   5 ( 2 )   128 - 132   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2004.06.004

  • Roles of meal-support interaction in growth of single- and double-walled carbon nanotubes studied with diameter-controlled iron particles supported on MgO 査読 国際誌

    H. Ago, K. Nakamura, N. Uehara, and M. Tsuji

    J. Phys. Chem. B   2004年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of double-wall carbon nanotube with diameter-controlled iron oxide nanoparticles supported on MgO 査読 国際誌

    H. Ago, K. Nakamura, S. Imamura, and M. Tsuji

    Chemical Physics Letters   391 ( 4-6 )   308 - 313   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have studied the growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the nanoparticles of iron oxide with two different diameters, 4 and 10 nm, supported on MgO powder. Both nanoparticles catalyzed the growth of double-wall carbon nanotubes (DWNTs) together with a small amount of single-wall carbon nanotubes (SWNTs). We found that the inner- and outer-diameters of the DWNTs were modified by the initial nanoparticle size; smaller nanoparticles catalyzed the growth of the DWNTs with smaller diameters. These results suggest that the MgO support strongly influence the catalytic activity of nanoparticles by reduction of the catalytically-active size.

    DOI: 10.1016/j.cplett.2004.04.110

  • The synthesis of In, In2O3 nanowires and In2O3 nanoparticles with shape-controlled 査読 国際誌

    Y. Zhang, H. Ago, J. Liu, M. Yumura, K. Uchida S. Ohshima, S. Iijima, J. Zhu, X. Zhang

    Journal of Crystal Growth   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Catalytic growth of carbon nanotubes and their patterning based on ink-jet and lithographic techniques 査読 国際誌

    H. Ago, J. Qi, K. Tsukagoshi, K. Murata, S. Ohshima, Y. Aoyagi, and M. Yumura

    Journal of Electroanalytical Chemistry   2003年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Ink-Jet Printing of Nanoparticle Catalyst for Site-Selective Carbon Nanotube Growth 査読 国際誌

    H. Ago, K. Murata, M. Yumura, J. Yotani, and S. Uemura

    Applied Physics Letters   2003年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Polymer Composites of Carbon Nanotubes Aligned by a Magnetic Field 査読 国際誌

    T. Kimura, H. Ago, M. Tobita, S. Ohshima, M. Kyotani, and M. Yumura

    Advanced Materials   2002年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Carbon nanotube synthesis using colloidal solution of metal nanoparticles 査読 国際誌

    H. Ago, S. Ohshima, K. Uchida, T. Komatsu, and M. Yumura

    Physica B   2002年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Gas-phase synthesis of single-wall carbon nanotubes from colloidal solution of metal nanoparticles 査読 国際誌

    H. Ago, S. Ohshima, K. Uchida, and M. Yumura

    The Journal of Physical Chemistry B   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dispersion of metal nanoparticles for aligned multiwall carbon nanotube arrays 査読 国際誌

    H. Ago, T. Komatsu, S. Ohshima, Y. Kuriki, and M. Yumura

    Applied Physics Letters   2000年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic interaction bewteen photo-excited poly(p-phenylene vinylene) and carbon nanotubes 査読 国際誌

    H. Ago, M. S. P. Shaffer, D.S. Ginger, A. H. Windle, and R. H. Friend

    Physical Review B   2000年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Composites of carbon nanotubes and conjugated polymers for photovoltaic devices 査読 国際誌

    H. Ago, K. Petritsch, M. S. P. Shaffer, A. H. Windle, and R. H. Friend

    Advanced Materials   1999年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Coherent transport of electron spin in a ferromagnetically contacted carbon nanotube 査読 国際誌

    K. Tsukagoshi, B. W. Alphenaar, and H. Ago

    Nature   1999年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Work functions and surface functional groups of multiwall carbon nanotubes 査読 国際誌

    H. Ago, Th. Kugler, F. Cacialli, W. R. Salaneck, M. S. P. Shaffer, A. H. Windle, and R. H. Friend

    The Journal of Physical Chemistry B   1999年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Ab initio study on interaction and stability of lithium-doped amorphous carbons 査読 国際誌

    H. Ago, M. Kato, K. Yahara, K. Yoshizawa, K. Tanaka, and T. Yamabe

    Journal of the Electrochemical Society   1999年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Structural analysis of polyacenic semiconductor (PAS) materials with 129Xe NMR measurements 査読 国際誌

    H. Ago, K. Tanaka, T. Yamabe, T. Miyoshi, K. Takegoshi, T. Terao, S. Yata, Y. Hato, and N. Ando

    Carbon   1997年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • ESR study of alkali-doped polyacenic semiconductor (PAS) materials prepared by thermal decomposition of azides 査読 国際誌

    H. Ago, T. Kuga, T. Yamabe, K. Tanaka, S. Yata, Y. Hato, and N. Ando

    Carbon   1997年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • 7Li NMR study of Li-doped polyacenic semiconductor (PAS) materials 査読 国際誌

    H. Ago, K. Tanaka, T. Yamabe, K. Takegoshi, T. Terao, S. Yata, Y. Hato, and N. Ando

    Synthetic Metals   1997年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Theoretical study of Li-doped polycyclic aromatic hydrocarbons 査読 国際誌

    H. Ago, K. Nagata, K. Yoshizawa, K. Tanaka, and T. Yamabe

    Bulletin of the Chemical Society of Japan   1997年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic properties of p-type doped copolymers consisting of oligothienylene and disilanylene units 査読 国際誌

    H. Ago, T. Kuga, T. Yamabe, K. Tanaka, A. Kunai, and M. Ishikawa

    Chemistry of Materials   1997年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High-speed atomic oxygen irradiation of atomically thin graphene for astronomical applications 査読

    Kazuto Kashiwakura, Ikuyuki Mitsuishi, Midori Hirota, Yoshimi Niwa, Yuzuru Tawara, Ryo Kitaura, Haruka Omachi, Masahito Tagawa, Kentaro Nomoto, Kazuyuki Tsuruoka, Kenji Kawahara, Hiroki Ago

    Journal of Astronomical Telescopes, Instruments, and Systems   10   026006   2024年5月

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  • Structure analysis of graphene-capped copper by spectroscopic ellipsometry for humidity reliability assessment 査読 国際誌

    S. Nakajima, Y. Wasai, K. Kawahara, N. Nabatova-Gabain, P. Gomasang, H. Ago, H Akinaga, K. Ueno

    Jpn. J. Appl. Phys.   62   SC1092   2023年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acb77a

  • Fermi energy dependence of ultrafast photoluminescence from graphene 査読 国際誌

    D. Inukai, T. Koyama, M. Araidai, K. Kawahara, H. Ago, H. Kishida

    J. Appl. Phys.   132   134301   2022年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0092558

  • 二次元物質から2.5次元物質科学へ 査読

    吾郷浩樹

    応用物理   90 ( 10 )   617 - 622   2022年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/oubutsu.90.10_617

  • Data cluster analysis and machine learning for classification of twisted bilayer graphene 国際誌

    Tom Vincent, Kenji Kawahara, Vladimir Antonov, Hiroki Ago, Olga Kazakova

    Carbon   201   141 - 149   2022年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2022.09.021

    その他リンク: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622322007461

  • Graphene-based deep-ultraviolet photodetectors with ultrahigh responsivity using chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride to achieve photogating 査読 国際誌

    S. Fukushima, S. Fukamachi, M. Shimatani, K. Kawahara, H. Ago, S. Ogawa

    Opt. Mater. Express   12 ( 5 )   2090 - 2101   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1364/OME.457545

  • 高品質グラフェンのCVD成長と成長過程の可視化技術 査読

    吾郷浩樹, 平良隆信

    表面と真空   65 ( 4 )   177 - 183   2022年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1380/vss.65.177

  • Pinning in a Contact and Noncontact Manner: Direct Observation of a Three-Phase Contact Line Using Graphene Liquid Cells 査読 国際誌

    S. Hirokawa, H. Teshima, P. Solis-Fernandez, H. Ago, Q.-Y. Li, K. Takahash

    Langmuir   37 ( 42 )   12271 - 12277   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.langmuir.1c01589

  • Electronic states of electrochemically doped single-layer graphene probed through Fano resonance effects in Raman scattering 査読 国際誌

    D. Inukai, T. Koyama, K. Kawahara, H. Ago, H. Kishida

    Journal of Physical Chemistry C   26428 - 26433   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c06566

  • High flux and adsorption based non-functionalized hexagonal boron nitride lamellar membrane for ultrafast water purification 査読 国際誌

    R. Das, P. Solís-Fernández, D. Breite, A. Prager, A. Lotnyk, A. Schulze, H. Ago

    Chemical Engineering Journal   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cej.2020.127721

  • Type-I heterostructure and improved phase stability of formamidinium lead iodide perovskite grown on WS2 査読 国際誌

    U. Erkılıç, H. Ago

    Evergreen   323 - 328   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Nanoscale Bubble Dynamics Induced by Damage of Graphene Liquid Cells 査読 国際誌

    S. Hirokawa, H. Teshima, P. Solís-Fernández, H. Ago, Y. Tomo, Q. Li, K. Takahashi

    ACS Omega   5   11180 - 11185   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsomega.0c01207

  • Scanning Moiré Fringe Method: A Superior Approach to Perceive Defects, Interfaces, and Distortion in 2D Materials 査読 国際誌

    Y.-C. Lin, H. G. Ji, L.-J. Chang, Y.-P. Chang, Z. Liu, G.-D. Lee, P.-W. Chiu, H. Ago, K. Suenaga

    ACS Nano   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.0c01729

  • High output voltage generation of over 5 V from liquid motion on single-layer MoS2 査読

    A. S. Aji, R. Nishi, H. Ago, Y. Ohno

    Nano Energy   68   1104370   2020年2月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    High output voltage generation of over 5 V from liquid motion on single-layer MoS2

  • High output voltage generation of over 5 V from liquid motion on single-layer MoS2 査読

    Adha Sukma Aji, Ryohei Nishi, Hiroki Ago, Yutaka Ohno

    Nano Energy   68   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Water stores a large amount of clean energy in its dynamic forms. Owing to the wide availability of water and the rising demand for clean energy sources, the direct electricity generation from liquid motion by low-dimensional materials such as graphene has gained much interest. Electricity generation is induced by the motion of an electric double layer at the interface between the liquid droplet and solid surface. However, the output voltage with materials such as graphene is still limited to several hundred millivolts. In this report, we present a large-area single-layer MoS2 film grown by chemical vapor deposition as a nanogenerator, which is capable of generating a large output voltage of more than 5 V from the motion of an aqueous NaCl droplet. Our findings indicate that the high shunt resistance of MoS2 results in a large generated voltage. Furthermore, we demonstrate the possibility to scale up the MoS2 nanogenerator by arranging them in series and parallel connections, which respectively increase the output voltage and current, with a three-times increase with an array of three MoS2 nanogenerators. Our work opens the application of single-layer MoS2 for harvesting electricity from the dynamic movement of liquid, such as the capability to harvest ocean wave energy, which is also demonstrated here.

    DOI: 10.1016/j.nanoen.2019.104370

  • Formation of environmentally stable hole-doped graphene films with instantaneous and high-density carrier doping via a boron-based oxidant 査読

    Kaito Kanahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Mina Maruyama, Il Jeon, Kenji Kawahara, Masatou Ishihara, Masataka Hasegawa, Hiromichi Ohta, Hiroki Ago, Yutaka Matsuo, Susumu Okada, Takanori Fukushima, Taishi Takenobu

    npj 2D Materials and Applications   3 ( 1 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Large-area graphene films have substantial potential for use as next-generation electrodes because of their good chemical stability, high flexibility, excellent carrier mobility, and lightweight structure. However, various issues remain unsolved. In particular, high-density carrier doping within a short time by a simple method, and air stability of doped graphene films, are highly desirable. Here, we demonstrate a solution-based high-density (>1014 cm−2) hole doping approach that promises to push the performance limit of graphene films. The reaction of graphene films with a tetrakis(pentafluorophenyl)borate salt, containing a two-coordinate boron cation, achieves doping within an extremely short time (4 s), and the doped graphene films are air stable for at least 31 days. X-ray photoelectron spectroscopy reveals that the graphene films are covered by the chemically stable anions, resulting in an improved stability in air. Moreover, the doping reduces the transmittance by only 0.44 ± 0.23%. The simplicity of the doping process offers a viable route to the large-scale production of functional graphene electrodes.

    DOI: 10.1038/s41699-019-0090-x

  • A novel graphene barrier against moisture by multiple stacking large-grain graphene 査読

    Ploybussara Gomasang, Kenji Kawahara, Kenta Yasuraoka, Mina Maruyama, Hiroki Ago, Susumu Okada, Kazuyoshi Ueno

    Scientific reports   9 ( 1 )   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The moisture barrier properties of stacked graphene layers on Cu surfaces were investigated with the goal of improving the moisture barrier efficiency of single-layer graphene (SLG) for Cu metallization. SLG with large grain size were stacked on Cu surfaces coated with CVD-SLG to cover the grain-boundaries and defective areas of the underneath SLG film, which was confirmed to be oxidized by Raman spectroscopy measurements. To evaluate the humidity resistance of the graphene-coated Cu surfaces, temperature humidity storage (THS) testing was conducted under accelerated oxidation conditions (85 °C and 85% relative humidity) for 100 h. The color changes of the Cu surfaces during THS testing were observed by optical microscopy, while the oxidized Cu into Cu 2 O and CuO was detected by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The experimental results were accord with the results of first-principle simulation for the energetic barrier against water diffusion through the stacked graphene layers with different overlap. The results demonstrate the efficiency of SLG stacking approach against moisture for Cu metallization.

    DOI: 10.1038/s41598-019-40534-5

  • Imaging of local structures affecting electrical transport properties of large graphene sheets by lock-in thermography 査読

    H. Nakajima, T. Morimoto, Y. Okigawa, T. Yamada, Y. Ikuta, K. Kawahara, H. Ago, T. Okazaki

    Science Advances   5 ( 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The distribution of defects and dislocations in graphene layers has become a very important concern with regard to the electrical and electronic transport properties of device applications. Although several experiments have shown the influence of defects on the electrical properties of graphene, these studies were limited to measuring microscopic areas because of their long measurement times. Here, we successfully imaged various local defects in a large area of chemical vapor deposition graphene within a reasonable amount of time by using lock-in thermography (LIT). The differences in electrical resistance caused by the micrometer-scale defects, such as cracks and wrinkles, and atomic-scale domain boundaries were apparent as nonuniform Joule heating on polycrystalline and epitaxially grown graphene. The present results indicate that LIT can serve as a fast and effective method of evaluating the quality and uniformity of large graphene films for device applications.

    DOI: 10.1126/sciadv.aau3407

  • Vapor Phase Selective Growth of Two-Dimensional Perovskite/WS2 Heterostructures for Optoelectronic Applications 査読

    Ufuk Erklllç, Pablo Solís-Fernández, Hyun Goo Ji, Keisuke Shinokita, Yung Chang Lin, Mina Maruyama, Kazu Suenaga, Susumu Okada, Kazunari Matsuda, Hiroki Ago

    ACS Applied Materials and Interfaces   11 ( 43 )   40503 - 40511   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Organic-inorganic hybrid perovskites have attracted increased interest owing to their exceptional optoelectronic properties and promising applications. Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMDCs), such as tungsten disulfide (WS2), are also intriguing because of their unique optoelectronic properties and their atomically thin and flexible structures. Therefore, the combination of these different types of materials is very attractive in terms of fundamental science of interface interaction, as well as for the realization of ultrathin optoelectronic devices with high performance. Here, we demonstrate the controlled synthesis of two-dimensional (2D) perovskite/WS2 heterostructures by an all vapor-phase growth approach. This involves the chemical vapor deposition (CVD) growth of monolayer WS2, followed by the vapor-phase selective deposition of 2D PbI2 onto the WS2 with the successive conversion of PbI2 to organic-inorganic perovskite (CH3NH3PbI3). Moreover, the selective growth of the perovskite on prepatterned WS2 enables the direct synthesis of patterned heterostructures, avoiding any damage to the perovskite. The photodetectors utilizing the perovskite/WS2 heterostructure show increased responsivities compared with isolated thin perovskite obtained by conventional solution methods. The integration of 2D perovskite with TMDCs opens a new avenue to fabricate advanced devices by combining their unique properties and overcoming current processing difficulties of perovskites.

    DOI: 10.1021/acsami.9b13904

  • Moisture barrier properties of single-layer graphene deposited on Cu films for Cu metallization 査読

    Ploybussara Gomasang, Takumi Abe, Kenji Kawahara, Yoko Wasai, Nataliya Nabatova-Gabain, Nguyen Thanh Cuong, Hiroki Ago, Susumu Okada, Kazuyoshi Ueno

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The moisture barrier properties of large-grain single-layer graphene (SLG) deposited on a Cu(111)/sapphire substrate are demonstrated by comparing with the bare Cu(111) surface under an accelerated degradation test (ADT) at 85°C and 85% relative humidity (RH) for various durations. The change in surface color and the formation of Cu oxide are investigated by optical microscopy (OM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), respectively. First-principle simulation is performed to understand the mechanisms underlying the barrier properties of SLG against O diffusion. The correlation between Cu oxide thickness and SLG quality are also analyzed by spectroscopic ellipsometry (SE) measured on a non-uniform SLG film. SLG with large grains shows high performance in preventing the Cu oxidation due to moisture during ADT.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FC08

  • Enhanced Photocatalytic Degradation of Methyl Orange by Au/TiO2 Nanoparticles under Neutral and Acidic Solutions 査読

    Masaharu Tsuji, Kanako Matsuda, Mayu Tanaka, Satsuki Kuboyama, Keiko Uto, Nozomi Wada, Hirofumi Kawazumi, Takeshi Tsuji, Hiroki Ago, Jun Ichiro Hayashi

    ChemistrySelect   3 ( 5 )   1432 - 1438   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A comparative study was carried out on the degradation of methyl orange (MO) by TiO2 and Au/TiO2 photocatalysts in neutral and acidic solutions. Au/TiO2 photocatalysts with an Au : Ti atomic ratio of 1.5±0.1% : 98.5±0.1% were prepared by using a microwave-polyol method in the presence of P25 TiO2. Initial degradation rates of MO by TiO2 and Au/TiO2 were 0.13 and 0.22 min−1 at pH 7, whereas they increased to 0.96 and 3.06 min−1 at pH 2, respectively. These results indicate that the MO degradation rates are enhanced by loading Au nanoparticles on TiO2 in neutral and acidic solutions by factors of 1.7 and 3.2, respectively. Mass spectroscopic studies lead us to conclude that major reaction products are formed by demethylation and OH addition of benzenoid form of MO in neutral solutions, whereas they are produced through ring opening and carboxylation of quinonoid form of MO after scission of a center N-NH bond in acidic solutions. The relative importance of electron trapping and surface plasmon resonance (SPR) effects of Au nanoparticles is discussed for the enhancement of photocatalytic activity of Au/TiO2.

    DOI: 10.1002/slct.201702664

  • Van der Waals interaction-induced photoluminescence weakening and multilayer growth in epitaxially aligned WS2 査読

    Hyun Goo Ji, Mina Maruyama, Adha Sukma Aji, Susumu Okada, Kazunari Matsuda, Hiroki Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   20 ( 47 )   29790 - 29797   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Recently, transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted great interest due to their unique electronic and optical properties. Chemical vapor deposition (CVD) has been regarded as the most promising method for the synthesis of large-area TMDCs with high reproducibility. Having similar hexagonal crystal structures with many TMDCs, c-plane sapphire is commonly used as a growth substrate in CVD. However, few studies have been reported on the influence of the sapphire substrate on the growth behavior and physical properties of TMDCs. In this work, we demonstrate that higher strain is induced in epitaxially grown WS2 grains via van der Waals interactions with sapphire as compared with misaligned WS2 grains. In addition, this strain was found to enhance overlayer deposition on monolayer WS2, while multilayer growth was not observed in non-epitaxial WS2. Photoluminescence (PL) of the epitaxially grown WS2 grains was reduced, reflecting the effective van der Waals interaction with sapphire. Moreover, low-temperature PL measurements revealed strong influence of the c-plane sapphire surface on the optical properties of WS2. Density functional theory (DFT) calculation supports that the aligned WS2 grains are more strongly bound to the sapphire surface, as compared with misaligned WS2. Our work offers a new insight into the understanding of the influence of the substrate on the CVD-grown TMDC materials.

    DOI: 10.1039/c8cp04418j

  • Grain Boundaries and Gas Barrier Property of Graphene Revealed by Dark-Field Optical Microscopy 査読

    Dong Ding, Hiroki Hibino, Hiroki Ago

    Journal of Physical Chemistry C   122 ( 1 )   902 - 910   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We demonstrate that dark-field (DF) optical microscopy is a powerful tool to visualize grain boundaries (GBs) and grain structure of graphene grown by chemical vapor deposition (CVD). Copper oxide nanoparticles sparsely formed along the graphene GBs by postgrowth mild oxidation allow one to determine the position and structure of the GBs by the DF microscope. As DF imaging offers a much higher sensitivity than bright-field (BF) microscopy, some GBs were observed even without the postgrowth oxidation. We found that periodic Cu steps formed below graphene can be also used to visualize the grain structure of the as-grown graphene by DF microscopy. Moreover, DF imaging is applicable to study of the gas barrier property of CVD graphene. Interestingly, the dissolved oxygen inside Cu foil enhanced oxidation of the Cu surface below graphene in spite of the fact that the graphene protects the underlying Cu from the exterior gas. Our work highlights the wide availability of DF optical microscopy in characterizing graphene and related two-dimensional materials grown on metal substrates.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b10210

  • Behavior and role of superficial oxygen in Cu for the growth of large single-crystalline graphene 査読

    Dong Ding, Pablo Solís-Fernández, Rozan Mohamad Yunus, Hiroki Hibino, Hiroki Ago

    Applied Surface Science   408   142 - 149   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Decreasing the nucleation density of graphene grown on copper (Cu) foil by chemical vapor deposition (CVD) is essential for the synthesis of large-area single-crystalline graphene. Here, the behavior of the copper oxide layer and its impact on the graphene growth have been investigated. We found that a small amount of oxygen dissolves into the Cu when the oxide layer decomposes during the heating up in a non-reducing Ar environment. The remaining oxygen in the Cu foil can play an important role in decreasing the graphene nucleation density. The dissolved oxygen can withstand at high temperatures even in reducing H2 environments without completely losing its effectiveness for maintaining a low graphene nucleation density. However, heating up in a H2 environment significantly reduces the copper oxide layer during the very first moments of the process at low temperatures, preventing the oxygen to dissolve into the Cu and significantly increasing the nucleation density. These findings will help to improve the graphene growth on Cu catalyst by increasing the grain size while decreasing the grain density.

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.02.250

  • Direct observation of electrically induced Pauli paramagnetism in single-layer graphene using ESR spectroscopy 査読

    Naohiro Fujita, Daisuke Matsumoto, Yuki Sakurai, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Taishi Takenobu, Kazuhiro Marumoto

    Scientific Reports   6   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Graphene has been actively investigated as an electronic material owing to many excellent physical properties, such as high charge mobility and quantum Hall effect, due to the characteristics of a linear band structure and an ideal two-dimensional electron system. However, the correlations between the transport characteristics and the spin states of charge carriers or atomic vacancies in graphene have not yet been fully elucidated. Here, we show the spin states of single-layer graphene to clarify the correlations using electron spin resonance (ESR) spectroscopy as a function of accumulated charge density using transistor structures. Two different electrically induced ESR signals were observed. One is originated from a Fermi-degenerate two-dimensional electron system, demonstrating the first observation of electrically induced Pauli paramagnetism from a microscopic viewpoint, showing a clear contrast to no ESR observation of Pauli paramagnetism in carbon nanotubes (CNTs) due to a one-dimensional electron system. The other is originated from the electrically induced ambipolar spin vanishments due to atomic vacancies in graphene, showing a universal phenomenon for carbon materials including CNTs. The degenerate electron system with the ambipolar spin vanishments would contribute to high charge mobility due to the decrease in spin scatterings in graphene.

    DOI: 10.1038/srep34966

  • A general method of fabricating free-standing, monolayer graphene electronic device and its property characterization 査読

    Haidong Wang, Kosaku Kurata, Takanobu Fukunaga, Hiroki Ago, Hiroshi Takamatsu, Xing Zhang, Tatsuya Ikuta, Koji Takahashi, Takashi Nishiyama, Yasuyuki Takata

    Sensors and Actuators, A: Physical   247   24 - 29   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We demonstrate a general process for fabricating graphene nanoelectronic devices that have next several features: free-standing, micrometer-sized monolayer graphene with high quality, arbitrarily-shaped metallic electrodes or sensors. In contrast to the normal routes, a gas etching process is used to create a deep trench in silicon for suspending the whole graphene device in a much larger area. User-designed electrodes or sensors are fabricated on the suspended graphene at the same time for realizing multiple functions. In this work, a suspended gold nanofilm sensor is designed to measure the intrinsic electrical and thermal properties of graphene on site. The sensor serves as both electrode and precise resistance thermometer at the same time. By simply changing the metallic electrode shape and electrical circuit, the free-standing graphene can be made into different devices, such as single-molecule detector or nano-resonator. In order to test the robustness of graphene device, a high electrical current is applied to heat the graphene in vacuum until it breaks. The breakdown current density is measured to be 1.86 mA/μm. More importantly, this method is not only limited to graphene, but also can be applied to any other two-dimensional materials.

    DOI: 10.1016/j.sna.2016.05.002

  • Simultaneous measurement of electrical and thermal conductivities of suspended monolayer graphene 査読

    Haidong Wang, Kosaku Kurata, Takanobu Fukunaga, Hiroki Ago, Hiroshi Takamatsu, Xing Zhang, Tatsuya Ikuta, Koji Takahashi, Takashi Nishiyama, Yasuyuki Takata

    Journal of Applied Physics   119 ( 24 )   2016年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We measured both in-plane electrical and thermal properties of the same suspended monolayer graphene using a novel T-type sensor method. At room temperature, the values are about 240 000 Ω-1 m-1 and 2100 W m-1 K-1 for the electrical and thermal conductivities, respectively. Based on the Wiedemann-Franz law, the electrons have negligible contribution to the thermal conductivity of graphene, while the in-plane LA and TA modes phonons are the dominant heat carriers. In monolayer graphene, the absence of layer-layer and layer-substrate interactions enhances the contribution of long wave-length phonons to the heat transport and increases the thermal conductivity accordingly. The reported method and experimental data of suspended monolayer graphene are useful for understanding the basic physics and designing the future graphene electronic devices.

    DOI: 10.1063/1.4954677

  • Two-Step Excitation Triggered by One-Photon Absorption on Linear Dispersion in Monolayer Graphene 査読

    Takeshi Koyama, Kenta Mizutani, Hiroki Ago, Hideo Kishida

    Journal of Physical Chemistry C   120 ( 20 )   11225 - 11229   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We report the decrease in absorption caused by a near-infrared laser pulse in the visible region in monolayer graphene. This absorption decrease shows the existence of a two-step excitation process of carriers, in which one-photon absorption and Auger recombination sequentially occur. This process results from the linear dispersion nature of monolayer graphene. In addition, the monolayer graphene shows the ultrafast decay of carrier population. The observed properties are of importance for ultrafast optical switching utilizing the optical nonlinearity induced by carrier excitation.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b01490

  • A simple method for fabricating free-standing large area fluorinated single-layer graphene with size-tunable nanopores 査読

    Haidong Wang, Kosaku Kurata, Takanobu Fukunaga, Hiroshi Takamatsu, Xing Zhang, Tatsuya Ikuta, Koji Takahashi, Takashi Nishiyama, Hiroki Ago, Yasuyuki Takata

    Carbon   99   564 - 570   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    As a solid-state membrane with only one-atom thickness, nano-porous graphene has attracted intense attention in many critical applications. Here, the key challenge is to suspend a single-layer graphene (SLG) and drill nanopores with precise dimensions. Here, we report a simple and reliable route for making suspended fluorinated SLG with size-tunable nanopores. Our method consists of two steps: 1. a free-standing SLG ribbon was created between two gold pads after deep dry etching of silicon substrate by xenon difluoride. The SLG was fluorinated by 5-13%. Superior to the normal wet etching method, the dry etching process is much simpler and results in less hole-defect and edge deformation. A large area fluorinated SLG can be suspended due to the sufficient etch depth. 2. a focused ion beam was introduced to drill nanopores in graphene with an initial diameter around 20 nm. Followed by an electron beam induced carbon deposition, the diameter of nanopore was gradually decreased to sub-10 nm. By changing the deposition time, the size of nanopore can be precisely controlled. High-cost transmission electron microscope is no longer needed. Our method provides a simple and effective way for preparing free-standing fluorinated SLG ribbon suitable for single-molecule detection.

    DOI: 10.1016/j.carbon.2015.12.070

  • Gate-Tunable Spin-Charge Conversion and the Role of Spin-Orbit Interaction in Graphene 査読

    S. Dushenko, Hiroki Ago, K. Kawahara, T. Tsuda, S. Kuwabata, T. Takenobu, T. Shinjo, Y. Ando, M. Shiraishi

    Physical Review Letters   116 ( 16 )   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The small spin-orbit interaction of carbon atoms in graphene promises a long spin diffusion length and the potential to create a spin field-effect transistor. However, for this reason, graphene was largely overlooked as a possible spin-charge conversion material. We report electric gate tuning of the spin-charge conversion voltage signal in single-layer graphene. Using spin pumping from an yttrium iron garnet ferrimagnetic insulator and ionic liquid top gate, we determined that the inverse spin Hall effect is the dominant spin-charge conversion mechanism in single-layer graphene. From the gate dependence of the electromotive force we showed the dominance of the intrinsic over Rashba spin-orbit interaction, a long-standing question in graphene research.

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.116.166102

  • In-situ measurement of the heat transport in defect-engineered free-standing single-layer graphene 査読

    Haidong Wang, Kosaku Kurata, Takanobu Fukunaga, Hiroshi Takamatsu, Xing Zhang, Tatsuya Ikuta, Koji Takahashi, Takashi Nishiyama, Hiroki Ago, Yasuyuki Takata

    Scientific Reports   6   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Utilizing nanomachining technologies, it is possible to manipulate the heat transport in graphene by introducing different defects. However, due to the difficulty in suspending large-area single-layer graphene (SLG) and limited temperature sensitivity of the present probing methods, the correlation between the defects and thermal conductivity of SLG is still unclear. In this work, we developed a new method for fabricating micro-sized suspended SLG. Subsequently, a focused ion beam (FIB) was used to create nanohole defects in SLG and tune the heat transport. The thermal conductivity of the same SLG before and after FIB radiation was measured using a novel T-type sensor method on site in a dual-beam system. The nanohole defects decreased the thermal conductivity by about 42%. It was found that the smaller width and edge scrolling also had significant restriction on the thermal conductivity of SLG. Based on the calculation results through a lattice dynamics theory, the increase of edge roughness and stronger scattering on long-wavelength acoustic phonons are the main reasons for the reduction in thermal conductivity. This work provides reliable data for understanding the heat transport in a defective SLG membrane, which could help on the future design of graphene-based electrothermal devices.

    DOI: 10.1038/srep21823

  • Enhancement of catalytic activity of AgPd@Pd/TiO2 nanoparticles under UV and visible photoirradiation 査読

    Masaharu Tsuji, Daisuke Shimamoto, Keiko Uto, Masashi Hattori, Hiroki Ago

    Journal of Materials Chemistry A   4 ( 38 )   14649 - 14656   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The effects of photoirradiation for the production of hydrogen from the decomposition of formic acid (FA) were studied using Ag93Pd7@Pd/TiO2 (anatase (A) or P25 (P)) nanocatalysts. The catalytic activity was enhanced by a factor of 1.5-1.6 under UV and visible (vis) photoirradiation at room temperature for both TiO2 supports. It was explained by the formation of an electron-rich Pd shell because of the migration of photogenerated electrons from the TiO2 surface. The catalytic activity of Ag93Pd7@Pd/TiO2 (A) was 1.7-7.3 times higher than that of Ag93Pd7@Pd/TiO2 (P) without and under photoirradiation at 27-90 °C. The catalytic activity of Ag93Pd7@Pd/TiO2 (A) under photoirradiation at 27 °C with 468 mmol H2 g per catalyst per h, is the best value ever reported out of all of the heterogeneous catalysts using TiO2 (A) as a photocatalyst at room temperature.

    DOI: 10.1039/c6ta05699g

  • AgPd@Pd/TiO2 nanocatalyst synthesis by microwave heating in aqueous solution for efficient hydrogen production from formic acid 査読 国際誌

    服部 真史, Daisuke Shimamoto, Hiroki Ago, Masaharu Tsuji

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A   3 ( 20 )   10666 - 10670   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c5ta01434d

  • Temperature dependent thermal conductivity of a suspended submicron graphene ribbon 査読 国際誌

    Qin-Yi Li, Koji Takahashi, Hiroki Ago, Zhang, Xing, Ikuta, Tatsuya, Takashi Nishiyama, Kenji Kawahara

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 ( 6 )   065102   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4907699

  • Tunable doping of graphene nanoribbon arrays by chemical functionalization 査読 国際誌

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, MARK ALEXANDER BISSETT, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    NANOSCALE   7 ( 8 )   3572 - 3580   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c4nr07007k

  • Graphene-channel FETs for photonic frequency double-mixing conversion over the sub-THz band 査読 国際誌

    Kawasaki, Tetsuya, Sugawara, Kenta, Dobroiu, Adrian, Eto, Takanori, Kurita, Yuki, Kojima, Kazuki, Yabe, Yuhei, Sugiyama, Hiroki, Watanabe, Takayuki, Suemitsu, Tetsuya, Ryzhii, Victor, Iwatsuki, Katsumi, Fukada, Youichi, Kani, Jun-ichi, Terada, Jun, Yoshimoto, Naoto, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Otsuji, Taiichi

    SOLID-STATE ELECTRONICS   103   216 - 221   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2014.07.009

  • Synthesis of high-density arrays of graphene nanoribbons by anisotropic metal-assisted etching 査読 国際誌

    Hiroki Ago, Yasumichi Kayo, SOLIS FERNANDEZ PABLO, Kazuma Yoshida, Masaharu Tsuji

    CARBON   78   339 - 346   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.carbon.2014.07.010

  • Increased chemical reactivity achieved by asymmetrical 'Janus' functionalisation of graphene 国際誌

    MARK ALEXANDER BISSETT, Yuichiro Takesaki, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    RSC Advances   4   52215 - 52219   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Observation of spin-charge conversion in CVD-grown single-layer graphene 査読 国際誌

    R. Ohshima, A. Sakai, Y. Ando, T. Shinjo, K .Kawahara, Hiroki Ago, S. Shiraishi

    Applied Physics Letters   105   162410   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of substrate and transfer on CVD-grown graphene over sapphire-induced Cu films 査読 国際誌

    Hu BaoShan, ZiDong Wei, Hiroki Ago, Jin Yan, Xia MeiRong, Luo ZhengTang, Pan QingJiang, Liu YunLing

    Science China Chemistry   57 ( 6 )   895 - 901   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11426-014-5073-3

  • Strain Engineering the Properties of Graphene and Other Two-Dimensional Crystals 査読 国際誌

    MARK ALEXANDER BISSETT, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Physical Chemistry Chemical Physics   16 ( 23 )   11124 - 11138   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Self-assembly of polar phthalocyanine molecules on graphene grown by chemical vapor deposition 査読 国際誌

    Yui Ogawa, Tianchao Niu, Swee Liang Wong, Masaharu Tsuji, Andrew Thye Shen Wee, Wei Chen, Hiroki Ago

    Journal of Physical Chemistry C   117 ( 42 )   21849 - 21855   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Ultra-fast synthesis of graphene by melt spinning 査読 国際誌

    Xiaoyang Hu, Yingjiu Zhang, Hiroki Ago, Huihua Zhou, Xiao Li, Lili Fan, Bin Cai, Xinjian Li, Minlin Zhong, Kunlin Wang, Dehai Wu, Hongwei Zhu

    Carbon   61   299 - 304   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Large-scale synthesis of NbS2 nanosheets with controlled orientation on graphene by ambient pressure CVD 査読 国際誌

    GE WANYIN, kenji Kawahara, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Nanoscale   5 ( 13 )   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dynamically-generated pure spin current in single-layer graphene 査読 国際誌

    Z. Tang, E. Shikoh, Hiroki Ago, K. Kawahara, Y. Ando, T. Shinjo, M. Shiraishi

    Phys. Rev. B (Rapid Communication)   87 ( 14 )   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Near-infrared photoluminescence in the femtosecond time region in monolayer graphene 査読 国際誌

    T. Koyama, Y. Ito, K. Yoshida, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago, H. Kishida, A. Nakamura

    ACS Nano   7 ( 3 )   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Mechanical strain of chemically functionalized chemical vapor deposition grown graphene 査読 国際誌

    MARK ALEXANDER BISSETT, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    J. Phys. Chem. C   117 ( 6 )   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Influence of Cu metal on the domain structure and carrier mobility in single-layer grap 査読 国際誌

    C. M. Orofeo, H. Hibino, K. Kawahara, Y. Ogawa, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Ago

    Carbon   50 ( 6 )   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire surface by needle-scratching method 査読 国際誌

    H. Ago, Y. Kayo, M. Tsuji

    Jpn. J. Appl. Phys.   51 ( 4 )   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • On the nucleation of graphene in chemical vapor deposition 査読 国際誌

    B. Hu, H. Ago, C. M. Orofeo, Y. Ogawa, M. Tsuji

    New J. Chem.   36 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Combinatorial catalyst approach for high-density growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, Y. Nakamura, Y. Ogawa, M. Tsuji

    Carbon   49 ( 1 )   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Methods to horizontally align single-walled carbon nanotubes on amorphous substrate 査読 国際誌

    C. M. Orofeo, H. Ago, N. Yoshihara, M. Tsuji

    J. Novel Carbon Resourse Sci.   2   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on anisotropically etched silicon substrate 査読 国際誌

    C. M. Orofeo, H. Ago, T. Ikuta, K. Takahashi, M. Tsuji

    Nanoscale   2 ( 9 )   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles on sapphire surfaces 査読 国際誌

    Y. Ogawa, H. Ago, M. Tsuji

    Chem. Lett.   39 ( 9 )   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • STEM observation of tungsten tips sharpened by field-assisted oxygen etching 査読 国際誌

    J. Onoda, S. Mizuno, H. Ago

    Surf. Sci.   604 ( 13-14 )   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effective patterning of metal nanoparticles on sapphire surface for aligned growth of single-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    H. Ago, R. Ohdo, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Nanosci. Nanotech.   2010年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of water vapor on diameter distribution of SWNTs grown over Fe/MgO based catalysts 査読 国際誌

    B. Hu, H. Ago, N. Yoshihara, and M. Tsuji

    J. Phys. Chem. C   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Recent development in technology for horizontally-aligned growth of single-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    H. Ago, C. M. Orofeo, N. Ishigami, N. Yoshihara, M. Tsuji

    Sens. Mater.   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Third-order nonlinear optical response in double-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    A. Nakamura, N. Hikosaka, S. Imamura, Y. Takahashi, H. Ago, H. Kishida

    J. Luminescence   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, T. Suzuki, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Nanosci. Nanotech.   2008年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Hole-doping to aligned single-walled carbon nanotubes from sapphire induced by heat treatment 査読 国際誌

    H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda, and S. Mizuno

    J. Phys. Chem. C   2008年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Horizontally-alinged single-walled carbon nanotubes on sapphire 査読 国際誌

    H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, T. Suzuki, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, and K. Takahashi

    J. Nanosci. Nanotech.   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Mechanism of carbon nanotube growth over gold-supported catalysts 査読 国際誌

    N. Yoshihara, H. Ago, and M. Tsuji

    Jpn. J. Appl. Phys.   2008年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Chemistry of water-assisted carbon nanotube growth over Fe-Mo/MgO catalyst 査読 国際誌

    N. Yoshihara, H. Ago, and M. Tsuji

    J. Phys. Chem. C   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Thermal and electrical properties of a suspended nanoscale thin film 査読 国際誌

    X. Zhang, H. Xie, M. Fujii, H. Ago, K. Takahashi, T. Ikuta, H. Abe, and T. Shimizu

    Int. J. Heat Mass Transfer   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Experimental study on thermal characteristics of suspended platinum nanofilm sensors

  • Mechanical Immobilization of Hela Cells on aligned carbon nanotube array 査読 国際誌

    H. Ago, E. Uchimura, T. Saito, S. Ohshima, N. Ishigami, M. Tsuji, M. Yumura, and M. Miyake

    Mater. Lett   2006年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Mechanical Immobilization of Hela Cells on aligned carbon nanotube array

  • Experimental study on thermal characteristics of suspended platinum nanofilm sensors 査読 国際誌

    X. Zhang, H. Xie, M. Fujii, K. Takahashi, T. Ikuta, H. Ago, H. Abe, and T. Shimizu

    Int. J. Heat Mass Transfer   2006年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Experimental study on thermal characteristics of suspended platinum nanofilm sensors

  • Nonlinear optical response and relaxation dynamics in double-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    A. Nakamura, T. Tomikawa, M. Watanabe, Y. Hamanaka, Y. Saito, and H. Ago

    J. Luminescence   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Nonlinear optical response and relaxation dynamics in double-walled carbon nanotubes

  • Synthesis of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with controllable density and polarized Raman spectroscopy 査読 国際誌

    H. Ago, N. Uehara, K.Ikeda, R. Ohdo, K. Nakamura, and M. Tsuji

    Chem. Phys. Lett.   2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Synthesis of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with controllable density and polarized Raman spectroscopy

  • Supramoleclar catalysts for the gas-phase synthesis of single-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    T. Saito, W. C. Xu, S. Ohshima, H. Ago, M. Yumura, and S. Iijima

    J. Phys. Chem. B   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Supramoleclar catalysts for the gas-phase synthesis of single-walled carbon nanotubes

  • Measuring the thermal conductivity of a single carbon nanotub 査読 国際誌

    M. Fujii, X. Zhang, H. Xie, H. Ago, K. Takahashi, T. Ikuta, H. Abe, and T. Shimizu

    Phys. Rev. Lett.   95 ( 6 )   2005年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.95.065502

  • Size-control of metal nanoparticle catalysts for the gas-phase synthesis of single-walled carbon nanotubes 査読 国際誌

    T. Saito, S. Ohshima, W. C. Xu, H. Ago, M. Yumura, and S. Iijima

    J. Phys. Chem. B   109 ( 21 )   10647 - 10652   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp044200z

  • Thermal and electrical conductivity of a suspended platinum nanofilm 査読 国際誌

    X. Zhang, H. Xie, M. Fujii, H. Ago, K. Takahashi, T. Ikuta, H. Abe, and T. Shimizu

    Appl. Phys. Lett.   86 ( 17 )   2005年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1921350

  • Study of the growth of boron nanowires synthesized by laser ablation 査読 国際誌

    Y. Zhang, H. Ago, M. Yumura, S. Ohshima, K. Uchida, T. Komatsu, and S. Iijima

    Chemical Physics Letters   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • STM study of molecular adsorption on single-wall carbon nanotube surface 査読 国際誌

    H. Ago, R. Azumi, S. Ohshima, H. Kataura, and M. Yumura

    Chemical Physics Letters   383 ( 5-6 )   469 - 474   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Physisorption of linear-chain alkane and fatty acid molecules on the outer surface of single-wall carbon nanotubes (SWNTs) have been studied by scanning tunneling microscopy (STM) measurements. These molecules are known to organize and form a self-assembled monolayer on a basal plane of graphite, showing a lamellar pattern. We have found that stearic acid molecules (C17H35COOH) also show a lamellar pattern on the SWNT surface. This suggests that stearic acid forms a self-assembled monolayer and modulates the surface charge density of SWNT. Formation of the self-assembled monolayer has been observed on the SWNTs surface less frequently than on the graphite surface. This is explained in terms of an inhomogeneous chirality distribution of the SWNTs and weak van der Waals interaction between the molecules and SWNTs.

    DOI: 10.1016/j.cplett.2003.11.053

  • High density current operation in nanographite fiber synthesized by chemical vapor deposition 査読 国際誌

    K. Tsukagoshi, At. Suzuki, I. Yagi, E. Watanabe, Y. Aoyagi, H. Ago, S. Ohshima, and M. Yumura

    Journal of Applied Physics   2003年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Synthesis of crystalline boron nanowires by laser ablation 査読 国際誌

    Y. Zhang, H. Ago, M. Yumura, T. Komatsu, S. Ohshima, K. Uchida, and S. Iijima

    Chemical Communications   2002年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Development of mass-production technology for multiwalled carbon nanotubes 査読 国際誌

    S. Ohshima, H. Ago, H. Inoue, and M. Yumura

    New Diamond and Frontier Carbon Technology   2001年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Spin electronics using carbon nanotubes 査読 国際誌

    B. W. Alphenaar, K. Tsukagoshi, and H. Ago

    Physica E   2000年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Workfunction of purified and oxidized carbon nanotubes 査読 国際誌

    H. Ago, Th. Kugler, F. Cacialli, K. Petritsch, R. H. Friend, W. R. Salaneck, Y. Ono, T. Yamabe, and K. Tanaka

    Synthetic Metals   1999年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Theoretical design of donor-acceptor polymers with low bandgaps 査読 国際誌

    A. K. Bakhshi, Y. Yamaguchi, H. Ago, and T. Yamabe

    Journal of Molecular Structure (THEOCHEM)   1998年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • ESR study of Li-doped polyacenic semiconductor (PAS) materials 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Ago, Y. Matsuura, T. Kuga, S. Yata, Y. Hato, and N. Ando

    Synthetic Metals   1997年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Bond alternation in carbon nanotubes including s-electrons 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Ago, T. Yamabe, K. Okahara, and M. Okada

    International Journal of Quantum Chemistry   1997年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Interlayer interaction of two graphene sheets as a model of double-layer carbon nanotube 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Aoki, H. Ago, T. Yamabe, and K. Okahara

    Carbon   1997年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Structure and properties of deeply Li-doped polyacenic semiconductor (PAS) 査読 国際誌

    T. Yamabe, K. Tanaka, H. Ago, K. Yoshizawa, and S. Yata

    Synthetic Metals   1997年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic property of polyacene in a constant magnetic field perpendicular to the condensed aromatic-rings plane 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Aoki, H. Ago, and T. Yamabe

    Synthetic Metals   1996年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Design of novel donor-acceptor polymers with low band gaps 査読 国際誌

    A. K. Bakhshi, Y. Yamaguchi, H. Ago, and T. Yamabe

    Synthetic Metals   1996年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Magnetic properties of 1,3,5-tris[bis(p-methoxyphenyl)amino]benzene cation radicals 査読 国際誌

    K. Yoshizawa, M. Hatanaka, H. Ago, K. Tanaka, and T. Yamabe

    Bulletin of the Chemical Society of Japan   1996年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic properties of polymers based on thienothiadiazole and thiophene 査読 国際誌

    A. K. Bakhshi, H. Ago, K. Yoshizawa, K. Tanaka, and T. Yamabe

    The Journal of Chemical Physics   1996年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic structures of donor-acceptor polymers based on polythiophene, polyfuran, and polypyrrole 査読 国際誌

    A. K. Bakhshi, Y. Yamaguchi, H. Ago, and T. Yamabe

    Molecular Engineering   1996年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Design of ferromagnetic polymers involving organosilicon moieties 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Ago, and T. Yamabe

    Synthetic Metals   1995年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • An ESR analysis of C60S16 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Ago, T. Yamabe, J. Li, and K. Kitazawa

    Chemical Physics Letters   1995年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electronic structures of organosilicon polymers containing thienylene units 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Ago, T. Yamabe, M. Ishikawa, and T. Ueda

    Organometallics   1994年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Polymeric organosilicon systems. 22: synthesis and photochemical properties of poly[(disilanylene)oligophenylenes] and poly[(silylene)biphenylenes] 査読 国際誌

    J. Ohshita, T. Watanabe, D. Kanaya, H. Ohsaki, M. Ishikawa, H. Ago, K. Tanaka, and T. Yamabe

    Organometallics   1994年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物

  • 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向

    吾郷浩樹(担当:共著)

    NTS出版  2024年1月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • Encyclopedia of Condensed Matter Physics (2nd edition)

    Pablo Solis Fernandez, Hiroki Ago(担当:共著)

    Elsevier  2023年11月 

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    記述言語:英語   著書種別:学術書

  • マイクロ・ナノ熱工学の進展

    吾郷浩樹、ジ ヒュング(担当:共著)

    NTS出版  2021年5月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 「2020年版 薄膜作製応用ハンドブック」"グラフェンをはじめとする二次元材料の合成法"

    内田勇気・吾郷浩樹(担当:共著)

    NTS出版  2020年5月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 「 ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線」"遷移金属ダイカルコゲナイドの転写と応用展開

    吾郷浩樹(担当:共著)

    NTS出版  2020年4月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 「 グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」"二次元ペロブスカイト"

    Ufuk Erkiliç・吾郷浩樹(担当:共著)

    NTS出版  2020年3月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用

    吾郷浩樹・齋藤理一郎(担当:監修)

    NTS出版  2020年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 「 グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」"高品質グラフェンのCVD成長"

    吾郷浩樹(担当:共著)

    NTS出版  2020年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 「 グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」"大面積h-BNのCVD 成長"

    吾郷浩樹・河原憲治(担当:共著)

    NTS出版  2020年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線

    吾郷 浩樹(担当:共著)

    (株)エヌ・ティー・エス  2016年9月 

     詳細を見る

    担当ページ:高品質グラフェンのCVD成長   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • カルコゲナイド系層状物質の最新研究

    吾郷 浩樹(担当:共著)

    CMC出版  2016年7月 

     詳細を見る

    担当ページ:グラフェン上でのカルコゲナイド系層状物質のCVD成長   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • Frontiers of Graphene and Carbon Nanotubes: Devices and Applications

    Hiroki Ago(担当:共著)

    Springer  2015年4月 

     詳細を見る

    担当ページ:CVD Growth of High-Quality Single-Layer Graphene   記述言語:英語   著書種別:学術書

  • グラフェンの最先端技術と拡がる応用展望

    吾郷 浩樹(担当:共著)

    フロンティア出版  2012年7月 

     詳細を見る

    担当ページ:"エレクトロニクス応用を目指したCVD成長 -ヘテロエピタキシャル触媒によるグラフェンの高品質化-"   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 炭素学

    吾郷浩樹(担当:共著)

    (株)化学同人  2011年10月 

     詳細を見る

    担当ページ:基礎編 第3章 4.大環状芳香族分子   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック

    吾郷浩樹(担当:共著)

    (株)コロナ社  2011年8月 

     詳細を見る

    担当ページ:第1章1-1-1[5] 水平配向SWNT   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 次世代ナノ・マイクロパターニングプロセス技術

    吾郷浩樹(担当:共著)

    サイエンス&テクノロジー株式会社  2006年2月 

     詳細を見る

    担当ページ:第31章 カーボンナノチューブ成長のための金属ナノ粒子の触媒パターニング   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • カーボンナノチューブ -ナノテバイスへの挑戦-

    吾郷浩樹(担当:共著)

    化学同人  2001年1月 

     詳細を見る

    担当ページ:第11章 仕事関数および半導体との接合デバイス, p.155-163.   記述言語:日本語   著書種別:学術書

    Carbon Nanotubes - Challenge to nanodevices - Chap. 11; Workfunction and integrated devices with semiconductors, H. Ago K. Tanaka ed.

  • The Science and Technology of Carbon Nanotubes

    H. Ago and T. Yamabe(担当:共著)

    Elsevier Science, Oxford, UK  1999年1月 

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    担当ページ:Frontiers in Carbon Nanotubes and Beyond, Chap. 14, p.163-183   記述言語:英語   著書種別:学術書

    The Science and Technology of Carbon Nanotubes Chap. 14; Frontiers in Carbon Nanotubes and Beyond, H. Ago K. Tanaka, T. Yamabe, and K. Fukui ed.

  • 2013 ナノカーボン技術大全

    小川友以, 吾郷 浩樹(担当:共著)

    電子ジャーナル  2012年11月 

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    担当ページ:"CVD法によるグラフェンの合成技術"   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • ナノカーボン材料 −夢ふくらむ新素材−

    湯村守雄、吾郷浩樹、大嶋哲、斎藤毅(担当:共著)

    丸善株式会社  2004年5月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   著書種別:学術書

    Nano-Carbon Material -New material for chasing dreams- Natl. Inst. Adv. Ind. Sci. Tech. (AIST) ed.

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講演・口頭発表等

  • 二次元物質から「2.5次元物質」の創出へ 招待

    吾郷浩樹

    応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 2.5次元物質が拓く新たな学術と先端応用 招待

    吾郷浩樹

    日本化学会 第104春季年会 シンポジウム  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

  • Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for 2.5D materials science 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    JAIST International symposium of Nano-Materials for Novel Devices  2024年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kanazawa   国名:日本国  

  • "Large area hexagonal boron nitride sheet for 2D electronic devices 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    International Display Workshops (IDW'23)  2023年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Niigata   国名:日本国  

  • Large-area synthesis and transfer of multilayer hexagonal boron nitride for high-performance graphene device arrays 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    13th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Seoul   国名:大韓民国  

  • From 2D materials to 2.5D materials science 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    The 7th Symposium on Challenges for Carbon-based Nanoporous Materials (7CBNM)  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagano   国名:日本国  

  • グラフェンからはじまる2.5次元物質の科学と応用 招待

    吾郷浩樹

    産学連携炭素材料研究会 設立記念講演会  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • "Wafer-scale synthesis and applications of multilayer hexagonal boron nitride 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Fugure Electron Devices (IWDTF2023)  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kanazawa   国名:日本国  

  • Controlled synthesis and electronic applications of 2.5D materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2023)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月 - 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Mallorca   国名:スペイン  

  • Synthesis and Electronic Applications of Wafer-Scale 2.5D Materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    SSDM2023 (International Conference on Solid State Devices and Materials)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月 - 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  • Controlled CVD growth of multilayer hBN for 2.5D applications 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    2D Transition Metal Dichalcogenides  2023年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Cambridge   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  • Science of 2.5 Dimensional Materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    Users' Meeting of Brookhaven National Laboratory "2D Materials and Beyond (Workshop 7)  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:アメリカ合衆国  

  • 二次元物質から「2.5次元物質」の創出へ 招待

    吾郷浩樹

    光電相互変換第125委員会 第260回研究会「2次元層状物質のデバイス創出に向けて」  2022年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Science of 2.5-Dimensional Materials: Controlled Growth, Integration, and Applications of 2D Materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    IUMRS-ICAM2022  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Cancun, Mexico (hybrid)   国名:メキシコ合衆国  

  • 二次元物質の魅力とこれからの展望:2.5次元物質科学への展開 招待

    吾郷浩樹

    東京大学 第7回CURIEセミナー  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • From 2D materials to 2.5D materials science 招待

    Hiroki Ago

    第41回電子材料シンポジウム(EMS41)  2022年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:奈良   国名:日本国  

  • グラフェンの合成・物性・応用、そして2.5次元物質への広がり 招待

    吾郷浩樹

    炭素材料学会基礎講習会  2022年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Twist angle-dependent molecular intercalation and carrier transport in bilayer graphene 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    12th A3 Symposium on Emerging Materials  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • From 2D materials to 2.5D materials science 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    RPGR2022 (Recent Progress in Graphene and Two-Dimensional Materials Research Conference)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taiwan   国名:中華人民共和国  

  • グラフェンの次元性拡張へ:二層グラフェンの選択成長と二次元ナノ空間、そして積層の科学 招待

    吾郷浩樹

    第49回炭素材料学会  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路   国名:日本国  

  • Controlled CVD gowth of multilayer hBN for 2.5D applications 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    Inaugural Workshop on Boron Nitride  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Montpelier   国名:フランス共和国  

  • 2.5次元物質で拓く科学と応用 招待

    吾郷浩樹

    学術変革領域研究(A)「高密度共役の科学」 領域会議  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Science of 2.5-Dimensional Materials: Controlled Growth, Integration, and Applications of 2D Materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    PIREキックオフミーティング(Japan US Networks for Clean energy Technologies Involving Oriented Nanotubes)  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama   国名:日本国  

  • 2.5次元物質で拓く科学と応用 招待

    吾郷浩樹

    学術変革領域研究(A)「超セラミックス」 領域会議  2023年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指した2.5次元物質の研究開発 招待

    吾郷浩樹

    第28回 電子デバイス界面技術研究会  2023年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:静岡   国名:日本国  

  • 六方晶窒化ホウ素のCVD成長から2.5次元物質科学へ 招待

    吾郷浩樹

    化学工学会 反応工学部会 第36回CVDシンポジウム  2022年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年7月 - 2023年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 2.5-Dimensional Materials Science: Controlled Growth, Integration, and Applications of Graphene and h-BN 招待 国際会議

    H. Ago

    ISPlasma2022  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語  

    開催地:オンライン   国名:その他  

  • From two-dimensional materials to 2.5-dimensional materials science(二次元物質から2.5次元物質科学へ) 招待

    吾郷浩樹

    第62回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  • Bilayer graphene: CVD growth, machine learning-based analysis, and intercalation 招待 国際会議

    H. Ago

    The 9th International Workshop on 2D Materials  2022年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:英語  

    開催地:オンライン   国名:その他  

  • Bilayer graphene: CVD growth, machine learning-based analysis, and intercalation 招待 国際会議

    H. Ago

    11th Asian Nanomaterials symposium (A3)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語  

    開催地:オンライン   国名:その他  

  • 二次元物質のCVD成長と機能化 招待

    吾郷浩樹

    日本学術振興会 分子系の複合電子機能第181委員会  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  • 二次元物質の高品質CVD成長とデバイス応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    第30回 ポリマー材料フォーラム  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語  

    国名:日本国  

  • 高度に制御されたグラフェンのCVD成長とヘテロ構造への展開 招待

    吾郷浩樹

    学振167委員会(ナノプローブテクノロジー)研究会 「二次元層状物質の新展開」  2016年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Vertical and In-Plane Heterostructures of Graphene and MoS2 招待 国際会議

    H. Ago

    IUMRS-IECM2016 (IUMRS International Conference on Electronic Materials)  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • 熱CVD法によるグラフェンなどの二次元原子薄膜の創製とその成長メカニズム 招待

    吾郷浩樹

    資源・素材学会 平成28年度春季大会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェン  ― CVD成長と評価、そして応用 ― 招待

    吾郷浩樹

    第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンからはじまる二次元材料の新たな世界 招待 国際会議

    吾郷浩樹

    ナノテク展2016 ナノ学会シンポジウム  2016年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ”Exploring the growth of graphene and related 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    Pacifichem2015 (Carbon Nanotubes: Preparation, Characterization and Applications)  2015年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hawaii   国名:アメリカ合衆国  

  • Epitaxial CVD Growth of High-Quality Graphene and Recent Development of 2D Heterostructures 招待 国際会議

    H. Ago

    IEDM 2015 (International Electron Devices Meeting 2015)  2015年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Washington   国名:アメリカ合衆国  

  • Vertical and in-plane heterostructures of graphene and MoS2 招待 国際会議

    H. Ago, H. Endo, Y. Shiratsuchi, R. M. Yunus, S. Fukamachi, P. Solís Fernández, K. Kawahara, K. Yamamoto, M. Tsuji, H. Hibino

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Exploring the growth of graphene and related 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    1st EU-Japan Workshop on Graphene and Related 2D Material  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月 - 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Exploring the Growth of Graphene and Related 2D Materials for Electronic Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    11th International Conference of Pacific Rim Ceramic Societies (PacRim-11)  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年8月 - 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Jeju   国名:大韓民国  

  • Synthesis, Characterization, and Applications of Single- and Double-Layer Graphene Grown on Epitaxial Metal Films 招待

    H. Ago

    227th ECS Meeting  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Chicago   国名:アメリカ合衆国  

  • Exploring the growth of graphene and related 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    吾郷 浩樹

    北海道大学電子科学研究所 シンポジウム「響」  2014年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • 究極的な原子膜 グラフェンの単結晶成長に向けて 招待

    吾郷 浩樹

    第4回CSJ化学フェスタ2014「ナノカーボン -未来を豊かにする技術の集い!-」  2014年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Epitaxial Growth and Electronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film 招待

    吾郷 浩樹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長と最近の展開 招待

    吾郷 浩樹

    日本物理学会2014年秋季大会 シンポジウム「原子層科学の現状と未来:物理、化学、工学への展開」  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • グラフェンをはじめとした二次元原子膜のCVD成長 招待

    吾郷 浩樹

    表面科学会研究会 「原子膜研究の最前線」  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指した高品質グラフェンの触媒成長 招待

    吾郷 浩樹

    日本化学会春季年会 中長期テーマシンポジウム 「エレクトロニクスの新パラダイム-二次元機能性薄膜を基軸とする超低消費電力デバイスの開発-」  2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • ナノカーボン(グラフェン、カーボンナノチューブ)の成長機構とその制御 招待

    吾郷 浩樹

    第42回薄膜・表面物理基礎講座 「薄膜の成長過程の解明と制御:薄膜のナノ構造を自由に制御するために」  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長とドメイン構造 招待

    吾郷 浩樹

    日本物理学会年次大会 領域9シンポジウム「二次元物質の成長過程」  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島   国名:日本国  

  • Transport properties and defects at the intersection of CVD graphene domains 国際会議

    Yui Ogawa, Kenji Kawahara, Masahiro Miyashita, Masaharu Tsuji, Katsuyoshi Komatsu, Kazuhito Tsukagoshi, Hiroki Ago

    SSDM2013 (International Conference on Solid State Devices and Materials)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka   国名:日本国  

  • Graphene and nanoribbons: epitaxial CVD growth, processing, and applications 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    CVD反応分科会 第19回シンポジウム「薄膜成長における構造の形成と制御」  2013年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのマテリアルサイエンスと将来展望 招待

    吾郷 浩樹

    第7回フォトニクスポリマー研究会講座  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • Towards single-crystalline graphene by catalytic CVD 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長 招待

    吾郷 浩樹

    第43回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Epitaxial CVD growth of graphene 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2012  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月 - 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Single- and Double-Layer Graphene on Heteroepitaxial Metal Films 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    icsfs 16 (International Conference on Solid Films and Surfaces)  2012年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ジェネバ   国名:イタリア共和国  

  • Growth Mechanism and Structure Control of Graphene for Future Carbon Electronics 招待 国際会議

    H. Ago

    imec・Handai International Symposium 2012  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用に向けたナノカーボンの創製 招待

    吾郷浩樹

    東レ㈱ ナノテクシンポジウム  2011年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:滋賀   国名:日本国  

  • 高品質・大面積化を目指したグラフェンのCVD成長 招待

    吾郷浩樹

    炭素材料学会 炭素材料セミナー「一日で分かるグラフェン」  2011年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVD growth for extremely high-quality graphene: epitaxial growth, domain structure, and transport property 招待 国際会議

    H. Ago

    International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN 2011)  2011年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Epitaxial CVD growth of graphene and influence of domain structure on transport property 招待 国際会議

    H. Ago, C. M. Orofeo, Y. Ogawa, B, Hu, Y. Ito, K. Kawahara, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino

    SSDM2011(International Conference on Solid State Devices and Materials)  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Recent advances in growth and characterization of graphene and nanotubes 招待 国際会議

    H. Ago

    SSDM2011(International Conference on Solid State Devices and Materials) Short Course "Fundamental and applications of carbon nanotube and graphene"  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用に向けたナノカーボンの創製 招待

    吾郷浩樹

    第2回 有機分子・バイオエレクトロニクスの未来を拓く若手研究者討論会(M&BE分科会主催)  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャルCu膜上に成長させたCVDグラフェンのドメイン構造

    小川友以,吾郷浩樹,胡 宝山,辻 正治,池田 賢一,水野 清義,日比野 浩樹

    第41回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Cuの結晶面に依存したCVDグラフェンのドメイン構造

    小川友以,吾郷浩樹,胡 宝山,辻 正治,池田 賢一,水野 清義,日比野 浩樹

    2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャル触媒上での単層グラフェンの大気圧CVD成長 招待

    吾郷浩樹

    2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会 シンポジウム「グラフェンエピタキシーの現状と将来展望」  2011年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形   国名:日本国  

  • CVD-grown graphene: epitaxial growth, domain structure, and transport property 招待 国際会議

    H. Ago

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2011)  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:済州   国名:大韓民国  

  • 単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長 招待

    吾郷浩樹

    SEMI Forum Japan 2011 応用物理学会関西支部主催セミナー 「-グラフェン研究の最前線 -」  2011年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • グラフェンの合成と電気・電子素子への応用 招待

    吾郷浩樹

    日本学術振興会 第153委員会 第101回定例研究会  2011年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年5月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Facile synthesis of large-area homogenous graphene films on cobalt and nickel 国際会議

    C. M. Orofeo, H.Ago, Y. Ito, M. Tsuji

    MRS 2011 Spring Meeting  2011年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年4月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:サンフランシスコ   国名:アメリカ合衆国  

  • サファイア上で結晶化した金属触媒上での単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長

    吾郷浩樹,伊藤由人,胡宝山,C. M. Orofeo,辻正治,水田典章,池田賢一,水野清義

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2011年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • CVDによるグラフェンの成長制御 招待

    吾郷浩樹

    ナノカーボン物質の基礎と応用:現状と展望に関する若手研究会  2010年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Temperature-dependent growth of monolayer graphene on epitaxial Cu film 国際会議

    B. Hu, H. Ago, Y. Ito, M. Tsuji, N. Mizuta, S. Mizuno

    MRS 2010 Fall Meeting  2010年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ボストン   国名:アメリカ合衆国  

  • Epitaxial Epitaxial Growth of Single-layer Graphene over Crystalline Metal Films Deposited on Sapphire 国際会議

    H. Ago, Y. Ito, B. Hu, M. Tsuji, N. Mizuta, S. Mizuno

    MRS 2010 Fall Meeting  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ボストン   国名:アメリカ合衆国  

  • Epitaxial growth of single-layer graphene over metal films crystallized on sapphire 招待 国際会議

    H. Ago, Y. Ito, B. Hu, M. Tsuji, N. Mizuta, K. Ikeda, S. Mizuno

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長-単結晶基板による高次構造制御- 招待

    吾郷浩樹

    ニューダイヤモンドフォーラム(NDF) 平成22年度 第2回研究会「カーボン材料の生成プロセスの最前線」  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指したナノカーボンの創製-熱CVDによるカーボンナノチューブとグラフェンの成長と構造制御- 招待

    吾郷浩樹

    日本機械学会熱工学コンファレンス2010 プレコンファレンス・セミナー(化学反応と熱利用技術)  2010年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟   国名:日本国  

  • グラフェンとカーボンナノチューブの触媒成長 -ナノエレクトロニクス応用を目指して- 招待

    吾郷浩樹

    電子情報技術産業協会(JEITA) 「ナノカーボンエレクトロニクス技術分科会」  2010年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長 招待

    吾郷浩樹

    黒鉛化合物研究会  2010年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene 招待 国際会議

    H. Ago

    The 1st China-Japan Young Scientist Forum  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アモイ   国名:中華人民共和国  

  • Catalytic Growth of Graphene over Epitaxial Metal Film

    H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda

    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Growth Mechanism, Characterization, and Structure Control of Aligned Carbon Nanotubes 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    CNTNE2009 (International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2009)  2009年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Growth Mechanism, Characterization, and Structure Control of Aligned Carbon Nanotubes on Sapphire 国際会議

    H. Ago, N. Ishigami, N. Yoshihara, T. Nishi, K. Imamoto, C. M Orofeo, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi, N. Minami, and K. Iakoubovskii

    MRS 2008 Fall Meeting  2008年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • 水平配向カーボンナノチューブの新展開 招待

    吾郷浩樹

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会シンポジウム「カーボンナノチューブ エレクトロニクス」  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • 究極の表面物質、2次元物質の科学とフロンティア 招待

    吾郷浩樹

    表面・界面構造セミナー  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Controlled synthesis of high-quality 2D materials for device applications 招待 国際会議

    H. Ago

    2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits  2019年6月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  • グラフェンをはじめとした二次元原子膜のCVD成長とその展開 招待

    吾郷浩樹

    第12回 酸化グラフェン研究会  2019年6月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • Controlled CVD Growth of High-Quality 2D Materials and Their Heterostructures for Device Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    SSDM2019 (Solid State Devices and Materials 2019)  2019年9月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  • Controlled CVD growth of high-quality 2D materials and their heterostructures for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    RPGR2019 (Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research)  2019年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Shimane   国名:日本国  

  • Controlled CVD growth of high-quality 2D materials and their heterostructures for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    10th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2019年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suwon   国名:大韓民国  

  • 二次元原子膜の結晶成長とその展開 招待

    吾郷浩樹

    2019年日本表面真空学会学術講演会  2019年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Controlled CVD growth of high-quality 2D layered materials for electronic and photonic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama   国名:日本国  

  • Controlled synthesis of 2D materials and their heterostructures for device applications 招待 国際会議

    H. Ago

    The 3rd Workshop on Functional Materials Science  2019年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hokkaido   国名:日本国  

  • Controlled synthesis and processing of 2D materials for future applications 招待 国際会議

    H. Ago

    1 & 2DM Conference and Exhibition 2020  2020年1月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Syntheses and growth mechanisms of 2D materials 招待 国際会議

    H. Ago

    A3 Foresight Program  2020年7月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:大韓民国  

  • Synthesis of high-quality 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    2020 VLSI-TSA (VLSI: Technology, Systems and Applications)  2021年8月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    開催地:Hsinchu   国名:台湾  

  • シンポジウム「二次元物質科学:二次元物質とその集積化が拓く新しい科学と応用」はじめに

    吾郷浩樹

    2020年第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • グラフェンの合成・物性・応用、そして二次元物質への広がり 招待

    吾郷浩樹

    炭素材料学会基礎講習会  2020年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Highly Controlled CVD Synthesis of Monolayer and Multilayer h-BN for 2D Materials Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    Graphene2020  2020年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:フランス共和国  

  • グラフェンとh-BNのCVD成長から広がる二次元物質研究 招待

    吾郷浩樹

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 二次元材料の高品質CVD成長 招待

    吾郷浩樹

    日本物理学会 第74回年次大会  2019年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 二次元物質のCVD成長とそのフロンティア 招待

    吾郷浩樹

    第77回 応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム「機能性原子薄膜材料の新展開-成膜技術-」  2016年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟   国名:日本国  

  • Synthesis and processing of graphene and related 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    4th Malaysia 2D Materials and Carbon Nanotube Workshop (2DMC2016)  2016年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kuala Lumpur,   国名:マレーシア  

  • 二次元原子膜のCVD成長とそのフロンティア 招待

    吾郷浩樹

    第7回 分子アーキテクトニクス研究会  2016年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Epitaxial Growth of Graphene and Related 2D Materials for Electronic Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    The 6th NIMS-UR1-CNRS-SG Workshop  2016年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Synthesis and application of graphene and 2D heterostructures 招待 国際会議

    H. Ago

    ISPlasma2017/IC-PLANTS2017  2017年3月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Exploring the growth of high-quality graphene and 2D heterostructures for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    The 6th International Symposium on Micro and Nano Technology  2017年3月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Syntheses of high-quality graphene and related 2D materials for enhancing their applications 招待 国際会議

    H. Ago

    Graphene EU Flagship-Japan Second Workshop  2017年5月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Barcelona   国名:スペイン  

  • CVD法による二次元原子薄膜の結晶成長 招待

    吾郷浩樹

    2017年日本結晶成長学会特別講演会 「ブレークスルーをもたらす結晶成長技術 ―ナノスケール制御による新機能発現―」  2017年6月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Crystal growth and device applications of two-dimensional layered materials 招待 国際会議

    H. Ago

    AM-FPD'17 (24th Intenational Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices)  2017年7月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • High-quality graphene and related 2D materials for future IoT society 招待 国際会議

    H. Ago

    IUMRS-ICAM 2017 (The 15th International Conference on Advanced Materials)  2017年8月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Exploring the Growth of High-Quality Graphene, Related 2D Materials, and Their Heterostructures for Electronic Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    2017 NEA Symposium of Emerging Materials Innovation(第19回北東アジアシンポジウム)  2017年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Seoul   国名:大韓民国  

  • グラフェンをはじめとした二次元材料の結晶成長と機能化・応用探索 招待

    吾郷浩樹

    応用物理学会・応用電子物性分科会 研究例会「二次元層状物質研究の最前線」  2017年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Syntheses and applications of bilayer and multilayer graphene 招待 国際会議

    H. Ago

    8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suzhou   国名:中華人民共和国  

  • グラフェンをはじめとする二次元材料の合成と応用展開 招待

    吾郷浩樹

    H29年度埼玉県ナノカーボン人材育成プログラム  2017年12月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:埼玉   国名:日本国  

  • 高結晶性2DマテリアルのCVD成長 招待

    吾郷浩樹

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Controlled growth of high-quality graphene and various 2D materials for enhancing their applications 招待 国際会議

    H. Ago

    CIMTEC 2018 (International Conference on Modern Materials and Technologies)  2018年6月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Perugia   国名:イタリア共和国  

  • Controlled synthesis of high-quality 2D materials for electronic and photonic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    IUMRS-IECM 2018 (International Conference on Electronic Materials 2018)  2018年8月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Daejeon   国名:大韓民国  

  • グラフェンをはじめとする二次元材料のCVD成長と生成機構 招待

    吾郷浩樹

    化学工学会 第50 回秋季大会  2018年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長と応用開発、そして二次元材料への展開 招待

    吾郷浩樹

    近畿化学協会講演会「炭素系先端材料の新展開」  2018年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • CVD Growth of large-area, uniform multilayer h-BN as a platform of 2D material applications 招待 国際会議

    H. Ago

    9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2018年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • Controlled CVD synthesis of high-quality 2D materials for electronic and photonic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    First International Workshop on 2D Materials  2018年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Controlled CVD synthesis of high-quality 2D materials for electronic and photonic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    3rd EU-JP Flagship Workshop on Graphene & 2DMs  2018年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai   国名:日本国  

  • エピタキシャルCVD法に基づく高品質二次元材料の創製と応用開発に向けた取り組み 招待

    吾郷浩樹

    グラフェンコンソーシアム 第19回研究講演会  2019年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 成長および配向制御 -単結晶表面上での水平配向成長- 招待

    吾郷浩樹

    日本物理学会第63回年次大会シンポジウム(カーボンナノチューブ研究・開発における「ブレークスルー」にいま何が必要か?)  2008年3月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 単結晶表面での単層ナノチューブの配向成長とそのキャラクタリゼーション 招待

    吾郷浩樹

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:滋賀   国名:日本国  

    Aligned growth of single-walled carbon annotubes and their characterization

  • 単結晶表面によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長 招待

    吾郷浩樹

    日本セラミックス協会 第19回秋季シンポジウム  2006年9月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Aligned growth of single-walled carbon nanotubes programmed by single crystal surface

  • Surface atomic arrangement-programmed growth of horizontally-aligned SWNTs on sapphire 国際会議

    H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, R. Ohdo, K. Ikeda, and M. Tsuji

    SWNT Growth Mechanisms 2007  2007年4月 

     詳細を見る

    開催地:Texas   国名:アメリカ合衆国  

    Surface atomic arrangement-programmed growth of horizontally-aligned SWNTs on sapphire

  • Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire: Growth Mechanism and Characterization 国際会議

    H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, T. Suzuki, K. Ikeda, and M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    20th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2007)  2007年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Crystal Face Dependence of Chiralities of Horizontally-Aligned SWNTs on Sapphire 国際会議

    N. Ishigami, H. Ago, K. Imamoto, M. Tsuji, K. Iakoubovskii, N. Minami

    2007 MRS Fall Meeting  2007年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • サファイア上での単層ナノチューブの水平配向成長 -成長メカニズムとキャラクタリゼーション- 招待

    吾郷浩樹

    JST領域横断シンポジウム(カーボンナノチューブ・エレクトロニクス)  2008年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • Controlled CVD growth of multilayer hBN for 2.5D applications 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    第2回 MORE-TEMプロジェクト研究会  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Osaka University   国名:日本国  

  • Science of 2.5-Dimensional Materials: Controlled Growth, Integration, and Applications of 2D Materials 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    The 2.5D Materials – NANOCARBON joint workshop  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:online   国名:日本国  

  • Future of 2D materials 招待

    Hiroki Ago

    The 10th International Workshop on 2D Materials  2022年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    開催地:オンライン   国名:中華人民共和国  

  • 2.5次元材料とは何か︖ 今、何が必要か︖ 招待

    吾郷浩樹

    1次元、2次元物質科学の展望と課題  2023年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • 学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」の領域紹介

    吾郷浩樹

    第15回 物性科学領域横断研究会 (領域合同研究会)  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 2.5 dimensional materials: new frontier of atomic layers 招待

    H. Ago

    SSDM2021 (2021 International Conference on Solid State Devices and Materials)  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語  

    開催地:online   国名:日本国  

  • Controlled synthesis and modifications of 2D materials for electronic applications 招待 国際会議

    H. Ago

    2DMAT2021  2021年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語  

    開催地:online   国名:フランス共和国  

  • Controlled synthesis and functionalization of 2D materials for future applications 招待 国際会議

    H. Ago

    Device science of 2D organic and inorganic materials: from fundamentals to applications  2021年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:英語  

    開催地:online   国名:日本国  

  • Controlled CVD Growth of High-Quality 2D Layered Materials for Electronic and Photonic Applications 招待 国際会議

    H. Ago

    EU Graphene Flagship, 2D Experimental Pilot Line (2D-EPL) workshop "Pioneering 2D materials for the semiconductor industry"  2021年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:英語  

    開催地:online   国名:日本国  

  • グラント申請と二次元材料の紹介 招待

    吾郷浩樹

    九州大学工学部機械系 FD  2016年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 六方晶窒化ホウ素の原子膜のエピタキシャルCVD成長

    内田勇気, 祝迫佑, 水野清義, 辻正治, 吾郷浩樹

    九州薄膜表面研究会  2016年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • All two-dimensional transparent and flexible transistor based on WS2 and few-layer graphene 国際会議

    A. Sukma Aji, T. Shiiba, K. Fukuda, H. Ago

    Graphene 2016  2016年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  • Single-layer WS2 phototransistor with multi-layer graphene electrodes on a flexible parylene substrate

    A. Sukma Aji,椎葉俊明,福田憲二郎,吾郷浩樹

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • AgPd@Pd/TiO2 触媒を用いたギ酸分解による水素生成における UV-Vis 光照射の効果

    嶋本大祐、服部真史、吾郷浩樹、辻正治

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • TMDCによる多結晶グラフェンのグレイン構造の可視化

    深町悟,遠藤寛子,R. M. Yunus,辻正治,吾郷浩樹

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのフレキシブル歪みセンサーへの応用

    仲村渠翔,P. Solís Fernández, A. Sukma, Aji,吾郷浩樹

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVD成長した二層グラフェンへのFeCl3のインターカレーション

    木下博貴,河原憲治,吾郷浩樹

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Extremely thin and flexible single-layer WS2 phototransistors

    A. Sukma Aji,椎葉俊明,福田憲二郎,吾郷浩樹

    第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Growth of large-grain graphene and the role of oxygen

    D. Ding,R. M. Yunus,P. Solís Fernández, 吾郷浩樹

    第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2016年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Growth mechanism of giant single crystalline graphene over pre-oxidized copper foil 国際会議

    D. Ding, P. Solís Fernández, H. Ago

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Gate-tunable doping level of molecular doped graphene 国際会議

    P. Solís Fernández, M. Tsuji, H. Ago

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • In-plane heterostructures of graphene and MoS2 国際会議

    Y. Shiratsuchi, H. Endo, M. Tsuji, H. Hibino, H. Ago

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • CVD growth single-layer hexagonal boron nitride on heteroepitaxial Cu films 国際会議

    Y. Uchida, T. Iwaizako, S. Mizuno, M. Tsuji, H. Ago

    The 6th A3 Symposium on Emerging Materials  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Vertical heterostructures of MoS2 and graphene nanoribbons by two-step chemical vapor deposition for high-gain photodetectors

    R. Mohamad Yunus,遠藤寛子, 辻正治,吾郷浩樹

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • CVD growth of MoS2-graphene nanoribbon heterostructures and high gain photodetectors

    M. Rozan Yunus,遠藤寛子, 辻正治,吾郷浩樹

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • グラフェン-MoS2の面内ヘテロ構造原子

    白土喜博,遠藤寛子, 日比野浩樹, 辻正治,吾郷浩樹

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 遷移金属ダイカルコゲナイドによる多結晶グラフェンのグレイン構造の可視化

    深町悟,R. Mohamad Yunus,遠藤寛子, 日比野浩樹, 辻正治,吾郷浩樹

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Gate-tunable doping level of molecular doped graphene

    P. Solis Fernandez,辻正治,吾郷浩樹

    第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Dynamics of nonequilibrium carriers in monolayer graphene probed by near-infrared photoluminescence 国際会議

    T. Koyama, Y. Ito, K. Yoshida, M. Tsuji, H. Ago, H. Kishida, A. Nakamura

    The 16th International Conference on the Science and Applications of Nanotubes (NT15)  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月 - 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Growth dynamics of single-layer graphene on epitaxial Cu surfaces 国際会議

    H. Ago, Y. Ohta, H. Hibino, D. Yoshimura, R. Takizawa, K. Kawahara, M. Tsuji, T. Okajima, H. Mitani, S. Mizuno

    The 16th International Conference on the Science and Applications of Nanotubes (NT15)  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月 - 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Cu(111)上での窒化ホウ素原子膜のCVD成長とキャラクタリゼーション

    内田勇気,祝迫祐,辻正治,吾郷浩樹

    第51回化学関連支部合同九州大会  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

  • グラフェン-MoS2面内ヘテロ構造原子膜の創製

    白土喜博,遠藤寛子,辻正治,日比野浩樹,吾郷浩樹

    第51回化学関連支部合同九州大会  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

  • グラフェン-MoS2面内ヘテロ原子薄膜の作製と物性

    白土喜博, 遠藤寛子, 河原憲治, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • Tuning the electronic properties of graphene nanoribbons by chemical functionalization

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • 単層h-BN膜のCVD成長とMoS2とのヘテロ積層膜の創製

    祝迫祐, 内田勇気, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • CVD synthesis of high-quality h-BN films for heterostructure devices

    内田勇気, 祝迫祐, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Growth dynamics of single-layer graphene on epitaxial Cu surfaces

    太田勇二郎, 水野 清義, 日比野浩樹, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Highly uniform bilayer graphene on Cu-Ni alloy films

    竹崎悠一郎, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • エピタキシャル銅系触媒上でのグラフェンの成長ダイナミクスと層数制御 招待

    吾郷 浩樹

    第7回 九大グラフェン研究会  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Exploring the growth of graphene and related 2D materials for electronic applications 国際会議

    吾郷 浩樹

    The First Joint Symposium of Kyushu University and Yonsei University on Materials Science and Chemical Engineering (SKY-1)  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Direct CVD Growth of Oriented Graphene Nanoribbons on Cu(100) Films 国際会議

    R. Mohamad Yunus, 宮下雅大, 辻 正治, 日比野浩樹, 吾郷 浩樹

    The First Joint Symposium of Kyushu University and Yonsei University on Materials Science and Chemical Engineering (SKY-1)  2015年2月 

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    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Growth dynamics of single-layer graphene on epitaxial Cu surfaces 国際会議

    太田勇二郎, 水野 清義, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    2015 IMCE International Symposium  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 究極的な炭素の原子膜 ーグラフェンー 招待

    吾郷 浩樹

    九州大学先端医療イノベーションセンター セミナー  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Large scale synthesis of hexagonal boron nitride 国際会議

    祝迫祐, 内田勇気, Masaharu Tsuji, 吾郷 浩樹

    北海道大学電子科学研究所 シンポジウム「響」  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • グラフェンが拓く二次元原子薄膜の世界 招待

    吾郷 浩樹

    炭素材料学会 第41回年会 次世代の会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    九州大学⾼等研究院・九州先端科学技術研究所(ISIT)研究交流会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Ultra flat CVD‐grown graphene for stacking method 国際会議

    小川友以, L. Brown, C.-J. Kim, 辻 正治, 吾郷 浩樹, J. Park

    MRS Fall Meeting 2014  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ボストン   国名:アメリカ合衆国  

  • Direct CVD Growth of Oriented Graphene Nanoribbons over Heteroepitaxial Cu Films 国際会議

    R. M. Yunus, 宮下雅大, 辻 正治, 日比野浩樹, 吾郷 浩樹

    MRS Fall Meeting 2014  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ボストン   国名:アメリカ合衆国  

  • Growth Dynamics of Single-Layer Graphene on Epitaxial Cu Surfaces 国際会議

    太田勇二郎, 水野 清義, 日比野浩樹, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Controlled Growth and Growth Mechanism of Graphene on Epitaxial Cu Films 招待 国際会議

    吾郷 浩樹

    2014 A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments  2014年10月 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:天津   国名:中華人民共和国  

  • 二次元材料の合成と応用 招待

    吾郷 浩樹

    Emerging Research Materials(ERM)ロードマップ委員会  2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 銅表面におけるグラフェン成長のダイナミックス

    太田勇二郎, 水野 清義, 日比野浩樹, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • Cu-Ni薄膜を用いた二層グラフェンの選択成長とそのメカニズム

    竹崎悠一郎, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長とさらなる展開へ 招待

    吾郷 浩樹

    第3回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン若手研究会  2014年8月 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大坂   国名:日本国  

  • CVD growth and characterization of graphene and related 2D materials 招待 国際会議

    吾郷 浩樹

    NIMS MANAセミナー  2014年6月 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • 高品質グラフェンのCVD成長と その展開

    吾郷 浩樹

    附置研究所間アライアンス 平成25年度成果報告会  2014年5月 

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    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大坂   国名:日本国  

  • Graphene and its Nanostructures: Epitaxial CVD Growth, Processing, and Challenges 招待 国際会議

    吾郷 浩樹

    信州大学 2014 CEES Special Lecture  2014年4月 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

  • 究極の原子シート、グラフェン:CVD成長と構造制御 招待

    吾郷 浩樹

    日本学術振興会第131委員会研究会第270回研究会「やわらかい薄膜デバイス:ナノカーボン/フレキシブル」  2014年4月 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Controlling the Number of Layers of CVD Graphene Using Binary Metal Films 国際会議

    竹崎悠一郎, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 光励起グラフェンにおけるテラヘルツ帯増幅自然放出の観測

    若生洋由希, 菅原健太, 栗田祐記, 川崎鉄哉, 渡辺隆之, 佐藤昭, 末光哲也, V. Ryzhii, 河原憲治, 吾郷 浩樹, 尾辻泰一

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • グラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング

    菅原健太, 江藤隆紀, 川崎鉄哉, M. B. Fussin, 若生洋由希, 末光哲也, 尾辻泰一, 吾郷 浩樹, 河原憲治, 深田陽一, 可児淳一, 寺田純, 吉本直人

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    岡山大学「グラフェンを「作る・測る・使う」技術開発の将来」研究会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山   国名:日本国  

  • CVD growth of graphene nanoribbons on Cu (100) film

    Rozan M. Yunus, Masahiro Miyashita, 辻 正治, 日比野浩樹, 吾郷 浩樹

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャルCu上でのmmサイズのグラフェングレインのCVD成長

    河原憲治, 祝迫佑, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Controlled doping in densely aligned graphene nanoribbons by covalent functionalization

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, BISSETT MARK ALEXANDER, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第46回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのマテリアルサイエンスと将来展望 招待

    吾郷 浩樹

    島根県産業技術センター 第27回先端科学技術講演会  2014年1月 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:島根   国名:日本国  

  • Graphene and Its Nanostructures: Epitaxial Growth, Characterization, and Challenges 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    The 3rd International Conference on MEXT Project of Integrated Research on Chemical Synthesis  2014年1月 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka   国名:日本国  

  • Graphene and Its Nanostructures: Epitaxial Growth, Characterization, and Challenges 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    The 3rd International Conference on MEXT Project of Integrated Research on Chemical Synthesis  2014年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka   国名:日本国  

  • グラフェンのマテリアルサイエンスと将来展望 招待

    吾郷 浩樹

    光産業技術振興協会 2013(平成25)年度 研究交流会 「グリーン/センシングテクノロジーの現状と将来展望」  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVD Growth of bilayer graphene on heteroepitaxial Cu(111) film 国際会議

    Shota Tanoue, Kenji Kawahara, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    CSS-EEST15 (Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • CVDによる高品質グラフェンの成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会新領域研究会 「高気圧・中気圧プラズマを用いたダイヤモンド・グラフェン関連物質のプロセシング」  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Top-down and bottom-up production of graphene nanoribbons 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    2013 A3 Symposium of Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Environments  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • グラフェンのCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    九州大学 最先端有機光エレクトロニクス研究センター セミナー  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • CVD-synthesized graphene-FET array for biomolecule detection 国際会議

    M. Z. Nursakinah, Y. Ohno, K. Maehashi, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, K. Matsumoto

    MNC 2013 (26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hokkaido   国名:日本国  

  • グラフェンと関連物質のCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    名古屋大学応用物理学教室 「物性談話会」  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Epitaxial growth and electronic properties of large hexagonal graphene domains on Cu(111) thin film 国際会議

    Hiroki Ago, Kenji Kawahara, Yui Ogawa, Shota Tanoue, MARK ALEXANDER BISSETT, Masaharu Tsuji, Hidetsugu Sakaguchi, R. J. Koch, F. Fromm, T. Seyller, Katsuyoshi Komatsu, Kazuhito Tsukagoshi

    SSDM2013 (International Conference on Solid State Devices and Materials)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka   国名:日本国  

  • Strain enhanced chemical reactivity of graphene 国際会議

    MARK ALEXANDER BISSETT, Susumu Okada, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • Effect of strain on chemical reactions on flexible graphene substrates 招待

    BISSETT MARK ALEXANDER, 小鍋哲, 岡田晋, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • 二成分金属触媒を用いたグラフェンの層数制御

    竹崎悠一郎, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • CVD Growth of bernal stacked bilayer graphene on heteroepitaxial Cu(111) film 国際会議

    Shota Tanoue, Kenji Kawahara, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • CVD growth of graphene nanoribbons on heteroepitaxial metal films 国際会議

    Rozan M. Yunus, Masahiro Miyashita, Masaharu Tsuji, Hiroki Hibino, Hiroki Ago

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • Self-sssembly of phthalocyanine molecules on CVD graphene 国際会議

    Yui Ogawa, T. Niu, S. L. Wong, Masaharu Tsuji, C. Wei, Hiroki Ago

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • Modifying of chemical reactivity of graphene by mechanical strain 国際会議

    MARK ALEXANDER BISSETT, Satoshi Konabe, Susumu Okada, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Recent Progress on Graphene Research (RPGR2013)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Densely packed and highly aligned graphene nanoribbons produced by substrate-controlled metal-assisted etching of graphene 国際会議

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, Kazuma Yoshida, Yui Ogawa, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    Recent Progress on Graphene Research (RPGR2013)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Self-sssembly of polar phthalocyanine molecules on CVD graphene 国際会議

    Yui Ogawa, T. Niu, S. L. Wong, Masaharu Tsuji, C. Wei, Hiroki Ago

    Recent Progress on Graphene Research (RPGR2013)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Observation of spontaneous terahertz emission from optically pumped graphene 国際会議

    H. Sugiyama, T. Watanabe, Y. Kurita, A. Satou, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, V. Ryzhii, T. Otsuji

    Recent Progress on Graphene Research (RPGR2013)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo   国名:日本国  

  • Tuning the chemical reactivity of graphene by mechanical strain

    BISSETT MARK ALEXANDER, 小鍋哲, 岡田晋, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第45回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大坂   国名:日本国  

  • 二成分金属触媒によるグラフェンの層数制御

    竹崎悠一郎, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第45回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大坂   国名:日本国  

  • ナノカーボンのCVD成長:CVD成長の基礎から最先端まで 招待

    吾郷 浩樹

    筑波大学 数理物質科学研究科 セミナー  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Epitaxial CVD growth of graphene: growth mechanism, nanofabrication, and properties 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    20th International Workshop on Active-Matrix Flat Displays and Devices (20th AM-FPD-13)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto   国名:日本国  

  • Study on Domain Boundaries of Merged Hexagonal Domains in CVD Graphene 国際会議

    Yui Ogawa, Kenji Kawahara, Masahiro Miyashita, Masaharu Tsuji, Katsuyoshi Komatsu, Kazuhito Tsukagoshi, Hiroki Ago

    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2013)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月 - 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Graphene: epitaxial CVD growth, nanofabrication, and properties 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    1st Conference (Kick-Off conference) of SANKEN Core to Core Program  2013年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    カーボンナノ材料研究会(大阪科学技術センター)  2013年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大坂   国名:日本国  

  • Synthesis of densely aligned graphene nanoribbons produced by metal-assisted etching 国際会議

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, Yasumichi Kayo, Kazuma Yoshida, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013)  2013年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kobe   国名:日本国  

  • Epitaxial growth and transport study of large hexagonal graphene domains grown on heteroepitaxial Cu films 国際会議

    Hiroki Ago, Kenji Kawahara, Yui Ogawa, Masaharu Tsuji, Katsuyoshi Komatsu, Kazuhito Tsukagoshi

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013)  2013年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kobe   国名:日本国  

  • SiC グラフェン上にCVD グラフェンを転写して作製した2層グラフェンの構造解析

    日比野浩樹, 影島愽之, 河原憲治, Hiroki Ago

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • Large-area synthesis of densely aligned graphene nanoribbons by metal-assisted etching

    SOLIS FERNANDEZ PABLO, 嘉陽安理, 吉田和真, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • Investigation of mechanical strain of graphene by Raman spectroscopy

    MARK ALEXANDER BISSETT, Wataru Izumida, Riichiro Saito, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • エピタキシャルCVDグラフェンにおけるドメイン境界の特性評価

    小川友以, 河原憲治, 宮下雅大, Masaharu Tsuji, 小松克伊, 塚越一仁, Hiroki Ago

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャル金属を用いた単層グラフェンナノリボンの触媒成長

    吾郷 浩樹, 宮下雅大, 田中伊豆美, 小川友以, 辻 正治

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • CVD合成グラフェンを用いたセンサーアレー

    M. Z. Nursakinah, 大野恭秀, 岡本翔伍, 前橋兼三, 河原憲治, 吾郷 浩樹, 松本和彦

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • Investigation of spin transport in single-layer graphene by using a dynamical method

    Zhenyao Tang, 吾郷 浩樹, 河原憲治, 仕幸英治, 安藤裕一郎, 新庄輝也, 白石誠司

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • 基板対向CVD法によるCu上でのグラフェンの指向性成長

    増田竜也, 辻 正治, 吾郷 浩樹, 野田優

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャルCu(111)上でのBernal積層した二層グラフェンのCVD成長

    田上翔太, 河原憲治, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVDグラフェン上での方向制御されたNbS2ナノシートの合成

    GE WANYIN, 河原憲治, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Raman spectroscopy of mechanically strained chemically functionalized graphene

    BISSETT MARK ALEXANDER, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 触媒カッティングを用いた高密度グラフェンナノリボンの作製

    嘉陽安理, SOLIS FERNANDEZ PABLO, 吉田和真, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVDグラフェンにおけるドメイン間のキャリア輸送特性

    小川友以, 河原憲治, 宮下雅大, 辻 正治, 小松克伊, 塚越一仁, 奥村 泰志

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンの触媒成長におけるドメイン構造の観察と高次制御 招待

    吾郷 浩樹

    ナノテク産業化基盤技術の有効利用および高度化と融合を目指した研究会2013  2013年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Transport property of interface between domains in epitaxial CVD graphene 国際会議

    小川友以, K. Kawahar, M. Miyashita, 辻 正治, K. Komatsu, K. Tsukagoshi, 吾郷 浩樹

    MANA International Symposium 2013  2013年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月 - 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • ナノカーボンが拓く新たなエレクトロニクスの可能性 招待

    吾郷 浩樹

    長崎総合科学大学大学院 新技術創製研究所 第10回公開講演会 「21世紀の科学技術 ~先端デバイスから医・食工学に向けて」  2013年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • グラフェンの成長制御と加工プロセスを通じたカーボンエレクトロニクスへの展開 招待

    吾郷 浩樹

    九州大学高等研究院 若手研究者交流ワークショップ  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Raman spectroscopy of mechanically strained and chemically functionalised graphene 招待

    BISSETT MARK ALEXANDER, 吾郷 浩樹

    第5回九大グラフェン研究会  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 単層グラフェンのCVD成長とそのドメイン構造

    小川友以, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    2012年度 総理工セミナー in Tokyo  2012年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのエピタキシャルCVD成長とその展開 招待

    吾郷 浩樹

    平成24年度 物質機能化学領域部会 第1回研究集会  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Anomalous Raman Behavior of CVD Grown Graphene under Strain 国際会議

    MARK ALEXANDER BISSETT, Wataru Izumida, Riichiro Saito, Hiroki Ago

    MRS 2012 Fall Meeting  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Study on Interface between Graphene Domains Grown by Ambient-pressure CVD 国際会議

    小川友以, Kenji Kawahara, Masahiro Miyashita, Masaharu Tsuji, Hiroki Ago

    MRS 2012 Fall Meeting  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Epitaxial CVD growth of graphene 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    The 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN 2012)  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ハノイ   国名:ベトナム社会主義共和国  

  • グラフェンの単結晶シートのCVD成長に向けて 招待

    吾郷 浩樹

    KRIクライアントコンファレンス&ワークショップ '12 技術のコモディティー化を超えて  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Spin-pumping-induced spin injection and spin transport in single layer graphene at room temperature 国際会議

    Z. Y. Tang, Hiroki Ago, E. Shikoh, Y. Ando, T. Shinjo, M. Shiraishi

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • Investigation of biaxial strain on chemically functionalized graphene 国際会議

    MARK ALEXANDER BISSETT, Wataru Izumida, Riichiro Saito, Hiroki Ago

    IUMRS-ICEM 2012  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • グラフェン転写膜の電子線ホログラフィー観察

    赤瀬善太郎, 進藤大輔, 小川友以, Hiroki Ago

    金属学会 2012年秋期(第151回)大会  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛   国名:日本国  

  • Spin-pumping-induced spin transport in single layer graphene

    Zhenyao Tan, 吾郷 浩樹, 河原憲冶, 仕幸英治, 安藤裕一郎, 新庄輝也, 白石誠司

    2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛   国名:日本国  

  • 電子線レジストによるCVDグラフェンへのホールドーピング

    小川友以, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第43回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Effect of mechanical strain on polycrystalline graphene

    Mark A. Bissett, 泉田渉, 齋藤理一郎, 吾郷 浩樹

    第43回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Cu上の六角形グラフェンのドメイン境界の評価

    小川友以, 河原憲治, 宮下雅大, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第43回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用に向けたグラフェンとナノチューブの創製 招待

    吾郷 浩樹

    2012年日本液晶学会講演会  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用に向けたナノカーボンのCVD成長 招待

    吾郷 浩樹

    CVD研究会  2012年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:兵庫   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長 -成長メカニズムと単結晶化に向けて- 招待

    吾郷 浩樹

    つくばグリーンイノベーションフォーラム講演会 「グラフェンの材料開発に向けた基礎と応用」  2012年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • CVDによるグラフェンリボンの直接成長

    宮下雅大, 小川友以, 河原憲治, 辻 正治, 吾郷 浩樹

    第49回化学関連支部合同九州大会  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Research Collaboration Report: Surface Science in CVD Graphene 招待 国際会議

    Hiroki Ago, Yui Ogawa, Masaharu Tsuji

    1st NUS-IMCE International Workshop  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 高品質グラフェンのエピタキシャル成長 招待

    吾郷浩樹

    附置研究所間アライアンス ナノとマイクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト 平成23年度成果報告会  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 高品質グラフェンのエピタキシャル成長 招待

    吾郷浩樹

    附置研究所間アライアンス ナノとマイクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト 平成23年度成果報告会  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • グラフェンのフェムト秒発光ダイナミクス

    小山剛史,伊藤由人,吉田和真,吾郷浩樹,中村新男

    物理学会2012年 年次大会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャル銅薄膜上での単層グラフェンの成長-大ドメイン化と成長メカニズム-

    河原憲治,田上翔太,小川友以,辻正治,吾郷浩樹

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ドメイン構造の異なるCVDグラフェンの成長とその特性

    小川友以,胡宝山,C. M. Orofeo,辻正治,池田賢一,水野清義,日比野浩樹,吾郷浩樹

    2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 高温下でのグラフェンと金属ナノ粒子の反応: 異方性エッチングとカーボンナノファイバー成長

    吉田和真,辻正治,吾郷浩樹

    第42回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ヘテロエピタキシャルCu膜上に成長した単層グラフェンのドメイン構造と物性 招待

    吾郷浩樹

    九大応力研主催 「九大グラフェン研究会」  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Controlled growth of graphene and nanotubes for future carbon electronics 招待 国際会議

    H. Ago

    National University of Singapore, Department of Chemistry, Seminar  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:シンガポール   国名:シンガポール共和国  

  • Crystalline plane-dependent domain structure of graphene over hetero-epitaxial Cu films 国際会議

    Y. Ogawa, H. Ago, B. Hu, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino

    MRS 2011 Fall Meeting  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ボストン   国名:アメリカ合衆国  

  • 大気圧CVDによりCu薄膜上に合成したグラフェンの低速電子回折による構造解析

    近藤一彩、Carlo M. Orofeo、吾郷浩樹、水野清義

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • Metal-catalyzed anisotropic etching of CVD-grown graphene 国際会議

    K. Yoshida, M. Tsuji, H. Ago

    CSS13 (The 13th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Crystalline plane-dependent domain structure of graphene over hetero-epitaxial Cu films 国際会議

    Y. Ogawa, B. Hu, C. M. Orofeo, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino, H. Ago

    CSS13 (The 13th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Ultra-high vacuum-assisted control of metal nanoparticles for horizontally-aligned carbon nanotubes with uniform diameter 国際会議

    H. Ago, T. Ayagaki, Y. Ogawa, M. Tsuji

    International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN 2011)  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Metal-catalyzed anisotropic etching of CVD-grown graphene 国際会議

    K. Yoshida, H. Ago. M. Tsuji

    International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN 2011)  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Metal-catalyzed anisotropic etching of CVD-grown graphene 国際会議

    K. Yoshida, H. Ago, M. Tsuji

    The 3rd Asian Symposium on Advanced Materials (ASAM-3)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • スクラッチ法による高密度配向SWNT成長とメタン濃度依存性

    嘉陽安理,吾郷浩樹,辻 正治

    第41回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • アモルファス炭素からの大面積で均一な単層グラフェンの合成

    C. M. Orofeo,吾郷浩樹,B. Hu,伊藤由人,辻正治

    2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形   国名:日本国  

  • 均一な直径を有する水平配向単層カーボンナノチューブの成長

    吾郷浩樹,綾垣喬史,小川友以,辻正治

    2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形   国名:日本国  

  • Ultra-high vacuum-assisted control of metal nanoparticles for horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with uniform diameter 国際会議

    H. Ago, T. Ayagaki, Y. Ogawa, M. Tsuji

    International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ケンブリッジ   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  • Epitaxial CVD growth of single-layer graphene over metal films crystallized on sapphire and MgO 国際会議

    H. Ago, Y. Ito, B. Hu, Y. Ogawa, C. M. Orofeo, K. Kawahara, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino

    International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ケンブリッジ   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  • グラフェンとナノチューブの エピタキシャルCVD成長とその展開 招待

    吾郷浩樹

    ニューカーボンフォーラム/炭素資源教育研究センター 「産学交流会」  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Crystalline plane-dependent growth of single layer graphene over Cu films 国際会議

    Y. Ogawa, H. Ago, B. Hu, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno, H. Hibino

    7th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-Green Materials for Sustainable Society -  2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ソウル   国名:大韓民国  

  • 顕微ラマン分光解析を組み合わせたSWNT 一本の伝導率の測定法

    林浩之,河野正道,吾郷浩樹,生田竜也,西山貴史,高橋厚史

    日本伝熱学会創立50 周年記念 第48回日本伝熱シンポジウム  2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山   国名:日本国  

  • 単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長 招待

    吾郷浩樹

    2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 シンポジウム「グラフェンエピタキシーの現状と将来展望」  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • ナノエレクトロニクスを目指したグラフェンと単層ナノチューブの成長制御 招待

    吾郷浩樹

    九州シンクロトロン光研究センター SAGA-LSセミナー  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀   国名:日本国  

  • 結晶性Coナノ粒子のエピタキシャル成長とナノチューブ触媒への応用

    小川友以,吾郷浩樹,辻正治

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • 炭素源および成長温度が水平配向単層カーボンナノチューブの直径に与える影響

    綾垣喬史,吾郷浩樹,辻正治

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • エピタキシャル金属薄膜上での単層グラフェンの大気圧CVD成長 招待

    吾郷浩樹

    九大応力研主催 「九大グラフェン研究会」  2011年2月 

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    開催年月日: 2011年2月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • SWNTの電子構造/カイラリティ制御に向けた精密合成法の探索

    吾郷浩樹

    JSTさきがけ 3研究領域合同報告会  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 単結晶CuおよびCo薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる構造解析

    水田典章,伊藤由人,胡宝山,吾郷浩樹,水野清義

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles and their application to carbon nanotube growth 国際会議

    Y. Ogawa, H. Ago, M. Tsuji

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分   国名:日本国  

  • Atmospheric synthesis of monolayer graphene over epitaxial Cu(111) film 国際会議

    B. Hu, H. Ago, Y. Ito, M. Tsuji

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指したグラフェンとナノチューブの成長制御 招待

    吾郷浩樹

    豊田中央研究所講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • Atomically sharp field-emission tip sharpened by field-assisted H2O etching 国際会議

    J. Onoda, S. Mizuno, H. Ago

    CSS12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ポハン   国名:大韓民国  

  • Effects of carbon source and growth temperature on diameter of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire 国際会議

    T. Ayagaki, H. Ago, M. Tsuji

    CSS12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ポハン   国名:大韓民国  

  • Crystal plane dependence of graphene films grown by CVD 国際会議

    J. Suzuki, H. Ago, M. Tsuji

    CSS12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ポハン   国名:大韓民国  

  • Facile synthesis of large-area monolayer graphene films on epitaxial cobalt and nickel 国際会議

    C. M. Orofeo, H. Ago, M. Tsuji

    CSS12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ポハン   国名:大韓民国  

  • Reduction of metal nanoparticle catalyst size for the growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes 国際会議

    T. Ayagaki, H. Ago, M. Tsuji

    Global COE International Workshop -6th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles and their application to carbon nanotube growth 国際会議

    Y. Ogawa, H. Ago, M. Tsuji

    Global COE International Workshop -6th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 水平配向成長させた単層カーボンナノチューブのナノプロービング解析

    福井宗利,吾郷浩樹,布施潤一,今本健太,西徹志,辻正治,奈良安彦

    第30回 LSIテスティングシンポジウム  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 電界誘起水エッチングにより先鋭化したタングステン電子源の研究

    小野田穣,江口智史A,水野清義,吾郷浩樹

    日本物理学会 2010年秋季大会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 単結晶CuおよびCo薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる研究

    水田典章,伊藤由人,胡宝山,吾郷浩樹,水野清義

    日本物理学会 2010年秋季大会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 電界誘起水エッチングにより作製したタングステン微小電子源

    小野田穣,水野清義,吾郷浩樹

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • 異方性エッチングをしたシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長

    C. M. Orofeo,吾郷浩樹,生田竜也,高橋厚史,辻正治

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • コンビナトリアル的手法によるサファイア上での配向ナノチューブの高密度成長

    吾郷浩樹,中村由美子,小川友以,辻正治

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • Cu触媒上での単層グラフェンのCVD成長

    胡宝山,吾郷浩樹,伊藤由人,辻正治,水田典章,水野清義

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • エピタキシャルCo触媒上での単層グラフェンのCVD成長(II)

    伊藤由人,吾郷浩樹,胡宝山,辻正治,水田典章,水野清義

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎   国名:日本国  

  • エピタキシャルなCu薄膜を用いた単層グラフェンの大気圧CVD成長

    胡宝山,吾郷浩樹,伊藤由人,辻正治,馬込栄輔,隅谷和嗣,水田典章,水野清義

    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • サファイア上のCo結晶膜を触媒とした単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長

    伊藤由人,吾郷浩樹,胡宝山,辻正治,水田典章,水野清義

    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2010年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • コンビナトリアル的触媒堆積法によるサファイア上での水平配向ナノチューブの高密度化

    吾郷浩樹,中村由美子,小川友以,辻正治

    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • 異方性エッチングを施したシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長

    C. M. Orofeo,吾郷浩樹,生田竜也,高橋厚史,辻正治

    第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • グラフェンのCVD成長における結晶面依存性

    鈴木純也,吾郷浩樹,辻正治

    第47回化学関連支部合同九州大会  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長

    伊藤由人,吾郷浩樹,田中伊豆美,辻正治,水田典章,水野清義

    第47回化学関連支部合同九州大会  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • サファイア上でのCoナノ粒子の結晶成長とナノチューブ触媒への応用

    小川友以,吾郷浩樹,辻正治,山木準一

    第47回化学関連支部合同九州大会  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 低出力スパッタによる金属触媒の微粒子化と水平配向カーボンナノチューブの細径化

    綾垣喬史,吾郷浩樹,辻正治

    第47回化学関連支部合同九州大会  2010年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 電界誘起ガスエッチングにより先鋭化した針の形状評価

    江口智史、小野田穣、吾郷浩樹、水野清義

    平成22年度九州表面・真空研究会2010(兼第15回九州薄膜表面研究会)  2010年6月 

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    開催年月日: 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 単結晶遷移金属薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる研究

    水田典章、伊藤由人、胡宝山、吾郷浩樹、水野清義

    平成22年度九州表面・真空研究会2010(兼第15回九州薄膜表面研究会)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Catalytic Growth of Rectangular and Triangular Graphene Films over Epitaxial Metal Films 国際会議

    H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月 - 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:香川   国名:日本国  

  • Orthogonal Growth of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotube Arrays on Sapphire 国際会議

    H. Ago, T. Nishi, K. Imamoto, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月 - 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:香川   国名:日本国  

  • CVD Growth of Graphene over Epitaxial Metal Catalyst 国際会議

    Y. Ito, H. Ago, M. Tsuji, N. Mizuta, S. Mizuno

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年5月 - 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:香川   国名:日本国  

  • Effect of water vapor on diameter distribution of SWNTs over Fe/MgO based catalysts 国際会議

    B. Hu, H. Ago, N. Yoshihara, M. Tsuji

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年5月 

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    開催年月日: 2010年5月 - 2010年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:香川   国名:日本国  

  • Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene for Future Carbon Electronics 招待 国際会議

    H. Ago

    5大学附置研究所アライアンス「物質・デバイス領域共同研究拠点事業」 拠点発足記念シンポジウム  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 電界誘起エッチングにより先鋭化した数nm オーダーの針先端部

    小野田穣,水野清義,吾郷浩樹

    2010年春季第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長

    伊藤由人,吾郷浩樹,辻正治,水野清義

    2010年春季第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • 単層カーボンナノチューブの二方向への水平配向成長

    吾郷浩樹,西徹志,Carlo M. Orofeo,石神直樹,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    2010年春季第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの成長制御 招待

    吾郷浩樹

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会(プラズマナノバイオトロニクスの基礎研究 )  2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • Patterned growth of graphene on epitaxial catalyst 国際会議

    H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, and K. Ikeda

    MRS 2009 Fall Meeting  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Direct growth of bent carbon nanotubes on surface engineered sapphire 国際会議

    H. Ago, K. Imamoto, T. Nishi, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi, and M. Fukui

    MRS 2009 Fall Meeting  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Top-down approach to align single-walled carbon nanotubes on silicon substrate 国際会議

    C. M. Orofeo, H. Ago, N. Yoshihara, and M. Tsuji

    MRS 2009 Fall Meeting  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Growth of orthogonal single-walled carbon nanotube arrays on sapphire 国際会議

    T. Nishi, H. Ago, K. Imamoto, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    MRS 2009 Fall Meeting  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Diameter-controlled growth of horizontally-aligned carbon nanotubes 国際会議

    T. Ayagaki, H. Ago, N. Ishigami, and M. Tsuji

    The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences (Global COE Symposium)  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Top-down approach to align single-walled carbon nanotubes on silicon substrate 国際会議

    C. M. Orofeo, H. Ago, N. Yoshihara, and M. Tsuji

    The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences (Global COE Symposium)  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Direct growth of orthogonal single-walled carbon nanotube arrays on sapphire 国際会議

    T. Nishi, H. Ago, C. M. Orofeo, and M. Tsuji

    The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences (Global COE Symposium)  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 高分子の熱分解によるグラフェン成長

    吾郷浩樹,田中伊豆美,池田賢一,辻正治

    2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山   国名:日本国  

  • Direct Growth of Orthogonal Single-Walled Carbon Nanotube Arrays

    T. Nishi, H. Ago, C. M. Orofeo, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Bending Horizontally-Aligned Carbon Nanotubes during Growth

    H. Ago, K. Imamoto, T. Nishi, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi, and M. Fukui

    第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Controlled synthesis and application of horizontally-aligned carbon nanotubes 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2009)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月 - 2009年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青島   国名:中華人民共和国  

  • 水平配向カーボンナノチューブの直径制御に関する研究

    綾垣喬史,吾郷浩樹,石神直樹,辻正治

    第46回化学関連支部合同九州大会  2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • サファイア表面における単層カーボンナノチューブの二方向への配向成長

    西徹志,吾郷浩樹,今本健太,石神直樹,辻正治

    第46回化学関連支部合同九州大会  2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Synthesis and application of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes 招待 国際会議

    Hiroki Ago

    Global COE International Workshop  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • トップダウン的手法に基づくシリコンウエハー上での単層ナノチューブの配向成長

    吾郷浩樹,C. M. Orofeo,吉原直記,辻正治

    2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Effect of water vapor on structure of single-walled carbon nanotubes

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji

    第36回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • Top-down approach to align single-walled carbon nanotubes on silicon substrate

    C. M. Orofeo, H. Ago, N. Yoshihara, M. Tsuji

    第36回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • CNT成長技術-方向制御 招待

    吾郷浩樹

    nano tech 2009(国際ナノテクノロジー総合展・技術会議) 富士通/富士通研ブース 「カーボンが創り出すナノエレクトロニクスの世界」  2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 単結晶基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長 招待

    吾郷浩樹

    九大応力研ワークショップ 「低次元カーボン系材料の最新動向 -C60,カーボンナノチューブ,グラフェン-」  2009年1月 

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    開催年月日: 2009年1月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • エレクトロニクス応用を目指した単層カーボンナノチューブの精密合成

    吾郷浩樹

    東北大多元研-九大先導研-北大電子研 合同シンポジウム  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Synthesis and Characterization of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes 招待 国際会議

    H. Ago

    IUMRS-ICA 2008 (The IUMRS International Conference in Asia 2008)  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • Unidirectional Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire 国際会議

    N. Ishigami, H. Ago, T. Nishi, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    MRS 2008 Fall Meeting  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • Growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on surface modified silicon substrate 国際会議

    N. Yoshihara, H. Ago, K. Imamoto, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    21st International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2008)  2008年10月 

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    開催年月日: 2008年10月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 表面処理したシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長

    吉原直記,吾郷浩樹,今本健太,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • 単層カーボンナノチューブの一方向成長

    石神直樹,吾郷浩樹,西徹志,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛知   国名:日本国  

  • Heat-Induced Charge Transfer from Sapphire to Aligned Carbon Nanotubes

    吾郷浩樹,田中伊豆美,辻正治,池田賢一,水野清義

    第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2008年8月 

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    開催年月日: 2008年8月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Unidirectional Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes

    石神直樹,吾郷浩樹,西徹志,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2008年8月 

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    開催年月日: 2008年8月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes on Surface Modified Silicon Substrate

    吉原直記,吾郷浩樹,今本健太,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2008年8月 

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    開催年月日: 2008年8月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • サファイア上で水平配向した単層ナノチューブのカイラリティの結晶面依存性

    石神直樹,吾郷浩樹,今本健太,辻正治,生田竜也,高橋厚史,K. Iakoubovskii,南信次

    ナノ学会第6回大会  2008年5月 

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    開催年月日: 2008年5月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 表面原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長

    吾郷浩樹,石神直樹,今本健太,鈴木朋子,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    ナノ学会第6回大会  2008年5月 

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    開催年月日: 2008年5月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 炭素同位体を用いた単層カーボンナノチューブの水平配向成長の可視化

    吾郷浩樹,石神直樹,吉原直記,今本健太,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    ナノ学会第6回大会  2008年5月 

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    開催年月日: 2008年5月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • ナノチューブの成長メカニズム -水の添加効果とその化学-

    吉原 直記,吾郷 浩樹,辻正治

    ナノ学会第6回大会  2008年5月 

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    開催年月日: 2008年5月

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • グラフェンをはじめとした二次元原子膜のCVD成長とその展開 招待

    吾郷浩樹

    東京工業大学 量子物理学・ナノサイエンスセミナー  2019年6月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • MoS2の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

    末永健志朗,白土喜博, Dong Ding, 河原憲治, 日比野浩樹, 吾郷浩樹

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Intercalation in Large-Area Bilayer Graphene 国際会議

    H. Kinoshita,K. Kawahara,H. Ago

    KJF-ICOMEP 2016  2016年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 金属薄膜の硫化によるMoS2原子膜の合成と電気伝導特性の評価

    椎葉俊明,A. Sukma, Aji,吾郷浩樹

    第7回 分子アーキテクトニクス研究会  2016年10月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • CVD成長した二層グラフェンへのFeCl3のインターカレーション

    木下博貴,河原憲治,吾郷浩樹

    第7回 分子アーキテクトニクス研究会  2016年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • グラフェンのフレキシブル歪みセンサーへの応用

    仲村渠翔,P. Solís Fernández, A. Sukma, Aji,吾郷浩樹

    第7回 分子アーキテクトニクス研究会  2016年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 六方晶窒化ホウ素の原子膜のエピタキシャルCVD成長

    内田勇気, 祝迫佑, 水野清義, 辻正治, 吾郷浩樹

    第7回 分子アーキテクトニクス研究会  2016年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Intercalation of FeCl3 into CVD-grown bilayer graphene 国際会議

    H. Kinoshita, K. Kawahara, Y. Terao, H. Ago

    7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2016年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Buyeo   国名:大韓民国  

  • Spatially controlled nucleation of multi-layer-free single-crystalline graphene on Cu foil 国際会議

    D. Dong, P. Solis Fernandez, H. Hibino, H. Ago

    7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2016年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Buyeo   国名:大韓民国  

  • Highly uniform bilayer graphene on epitaxial Cu-Ni(111) alloy 招待 国際会議

    H. Ago, Y. Takesaki, K. Kawahara, H. Hibino, S. Okada, M. Tsuji

    7th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment  2016年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Buyeo   国名:大韓民国  

  • Graphene-Based Flexible Strain Sensors 国際会議

    S. Nakandakari, P. Solis Fernandez, A. Sukma, Aji,H. Ago

    18th CSS-EEST  2016年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Shanghai   国名:中華人民共和国  

  • 二次元積層系のための均一な多層h-BNの大面積成長

    仲村渠翔,河原憲治,内田勇気,山崎重人,光原昌寿,吾郷浩樹

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • CVD成長した大面積二層グラフェンへのMoCl5のインターカレーションと透明導電膜応用

    木下博貴,河原憲治,寺尾友里,Il Jeon,丸山実那,松本里佳,岡田晋,松尾豊,吾郷浩樹

    第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 太陽電池応用を目指した多層WS2/MoS2ヘテロ積層膜の合成

    椎葉俊明,A. Sukma Aji,吾郷浩樹

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • 大面積で均一な多層h-BNのCVD成長とTMDCとのヘテロ構造への展開

    内田勇気,仲村渠翔,河原憲治,内田勇気,山崎重人,光原昌寿,吾郷浩樹

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • Controlling the nucleation site of single-crystal graphene on Cu foil sandwiched by Ni

    D. Dong, P. Solis Fernandez, 日比野浩樹, 吾郷浩樹

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • CVD synthesis of high-quality hexagonal boron nitride (h-BN) nanosheets as an ideal 2D insulator 国際会議

    S. Nakandakari, K. Kawahara, Y. Uchida, H. Ago

    The 6th International Symposium on Micro and Nano Technology  2017年3月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Position controlled nucleation of single-crystal graphene on Cu 国際会議

    D. Ding, P. Solís-Fernández, H. Hibino, H. Ago

    The 3rd Edition of European Graphene Forum (EGF 2017)  2017年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Paris   国名:フランス共和国  

  • Suppression of Cu Oxidation by Single-Layer Graphene under High Temperature and High Humidity Test

    P. Gomasang,T. Abe, K. Kawahara, N. T. Cuong, H. Ago, S. Okada, K. Ueno

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • ロックイン発熱解析法による大面積グラフェンシートの 局所欠陥評価

    中島秀朗,森本崇宏, 生田美植, 沖川侑揮, 山田貴壽, 河原憲治, 吾郷浩樹, 岡崎俊也

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Hydrogen-Induced Epitaxial Growth of Monolayer WS2 and Orientation-Dependent Grain Boundaries

    H. G. Ji,P. Solis-Fernandez, A. Sukuma Aji1, Y.-C. Lin, K. Suenaga, K. Nagashio, H. Ago

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 遷移金属カルコゲナイドとグラフェンの面内ヘテロ構造体の創製

    末永健志朗,白土喜博, D. Ding, 日比野浩樹, 河原憲治, 吾郷浩樹

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • トンネルFET応用に向けた二次元半導体によるヘテロ構造体の合成

    泉本征憲,A. Sukma Aji, 河原憲治, 山本圭介, 中島寛, 吾郷浩樹

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • CVD成長した二層グラフェンの積層構造の制御

    寺尾友里, 河原憲治, 水野清義, 日比野浩樹, 吾郷浩樹

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 二次元積層デバイス応用に向けた合金触媒による多層 h-BNの均一成長

    内田勇気, 仲村渠翔, 河原憲治, 山崎重人, 光原昌寿, 吾郷浩樹

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • High Performance Flexible Single-Layer WS2 Optoelectronics Devices Integrated with Multi-Layer Graphene Electrodes and Parylene-C Substrate

    A. Sukma Aji, H. G. Ji, P. Solis-Fernandez, K. Fukuda, H. Ago

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Multi-layer graphene electrode for high performance flexible single-layer WS2 and its application to flexible photodetector

    A. Sukma Aji, H. G. Ji, P. Solis-Fernandez, K. Fukuda, H. Ago

    第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Hydrogen-induced epitaxial growth and effective stitching of monolayer tungsten Disulfide

    H. G. Ji,P. Solis-Fernandez, A. Sukuma Aji1, Y.-C. Lin, K. Suenaga, K. Nagashio, H. Ago

    第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Moisture barrier properties of single-layer graphene deposited on Cu films for Cu metallization 国際会議

    P. Gomasang, T. Abe, K. Kawahara, Y. Wasai, N. Nabatova-Gabain, N. T. Cuong, H. Ago, S. Okada, K. Ueno

    SSDM2017 (International Conference on Solid State Devices and Materials)  2017年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台   国名:日本国  

  • CVD growth of bilayer graphene with controlled stacking order 国際会議

    Y. Terao, K. Kawahara, S. Mizuno, H. Hibino, H. Ago

    8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suzhou   国名:中華人民共和国  

  • Epitaxial Growth and Stitching of Monolayer WS2 国際会議

    H. G. Ji, Y.-C. Lin, K. Nagashio, P. Solís-Fernández, M. Maruyama, A. Sukma Aji, V. Panchal, S. Okada, K. Suenaga, H. Ago

    8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suzhou   国名:中華人民共和国  

  • In-plane TMDC-graphene heterostructures 国際会議

    K. Suenaga, Y. Shiratsuchi, D. Ding, H. Hibino, K. Kawahara, H. Ago

    8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suzhou   国名:中華人民共和国  

  • CVD growth and transport properties of SnS-MoS2 heterostructures 国際会議

    M. Izumoto, A. Sukma Aji, K. Kawahara, K. Yamamoto, H. Nakashima, H. Ago

    8th A3 Symposium on Emerging Materials  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Suzhou   国名:中華人民共和国  

  • CVD growth and transport properties of SnS-MoS2 heterostructures 国際会議

    M. Izumoto, A. S. Aji, H. Ago

    CSS-EEST19 (The 19th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)  2017年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Hydrogen-induced epitaxial growth of monolayer WS2 and orientation-dependent grain structures 国際会議

    H. G. Ji, Y.-C. Lin, K. Nagashio, P. Solís-Fernández, M. Maruyama, A. S. Aji, V. Panchal, S. Okada, K. Suenaga, H. Ago

    CSS-EEST19 (The 19th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)  2017年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Epitaxial chemical vapor deposition growth of boron nitride atomic sheet over Cu(111)/sapphire substrate 国際会議

    Y. Uchida, T. Iwaizako, S. Mizuno, M. Tsuji, H. Ago

    CSS-EEST19 (The 19th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)  2017年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • ”In-plane TMDC-graphene heterostructures 国際会議

    K. Suenaga, Y. Shiratsuchi, D. Ding, H. Hibino, K. Kawahara, H. Ago

    CSS-EEST19 (The 19th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology)  2017年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Ultrafast photocarrier relaxation in monolayer graphene on SiC substrate due to phonons in the buffer layer

    今枝寛雄, 小山剛史, 岸田英夫, 河原憲治, 吾郷浩樹, 包建峰, 寺澤知潮, 乗松航, 楠美智子

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ロックイン発熱解析法による大面積グラフェン局所欠陥の高速・高精度イメージング評価

    中島秀朗, 森本崇宏, 生田美植, 沖川侑揮, 山田貴壽, 河原憲治, 吾郷浩樹, 岡崎俊也

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 2段階CVD法を用いた二次元ファンデルワールスp-nヘテロ構造体の合成と輸送特性

    泉本征憲,Adha Sukma Aji, 吾郷浩樹

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Selective Growth of AB-Stacked Bilayer Graphene

    寺尾友里,河原憲治, 末永健志朗, 山本圭介, 中島寛, 長汐晃輔, 日比野浩樹, 吾郷浩樹

    第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • TMDC-SWCNTヘテロ構造の作製とデバイス特性

    小柳千穂,末永健志朗, 河原憲治, 斎藤毅, ⽥中丈⼠, ⽚浦弘道, 吾郷浩樹

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • トランジスタ応用を目指したHfS2薄膜のCVD合成

    椎葉俊明,Adha Sukma Aji, 末永健志朗, 河原憲治, 吾郷浩樹

    2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 共鳴励起下における二層カーボンナノチューブの非線形光学応答

    彦坂直輝,今村禎允,高橋佳久,吾郷浩樹,岸田英夫,中村新男

    日本物理学会第63回年次大会  2008年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの成長法の進展と応用研究 招待

    吾郷浩樹

    第9回先端科学技術創造交流会  2006年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Advances in the growth of carbon nanotubes and their applications

  • Application of Carbon Nanotubes to Catalyst Support for Organic Reaction 国際会議

    N. Ishigami, H. Ago, M. Shinagawa, K. Takahashi, M. Tsuji

    The 7th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences  2006年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Application of Carbon Nanotubes to Catalyst Support for Organic Reaction

  • Gas Analysis of CVD Processes for High-Yield Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes

    N. Uehara, H. Ago, S. Imamura, M. Tsuji

    第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2006年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Gas Analysis of CVD Processes for High-Yield Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes

  • Dielectrophoresis of SWNTs in a Microchip

    M. Shinagawa, H. Ago, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2006年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Dielectrophoresis of SWNTs in a Microchip

  • Microreactors Utilizing Vertically-Aligned Carbon Nanotubes

    N. Ishigami, H. Ago, Y. Motoyama, M. Takasaki, M. Shinagawa, K. Takahashi, M. Tsuji

    第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2006年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Microreactors Utilizing Vertically-Aligned Carbon Nanotubes

  • Synthesis of Horizontally-Aligned SWNTs with Controllable Density on Sapphire Surface and their Polarized Raman Spectroscopy

    H. Ago, N. Uehara, K. Ikeda, R. Ohdo, K. Nakamura, M. Tsuji

    第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2006年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Synthesis of Horizontally-Aligned SWNTs with Controllable Density on Sapphire Surface and their Polarized Raman Spectroscopy

  • 垂直配向ナノチューブを組み込んだマイクロリアクター

    石神直樹,吾郷浩樹,本山幸弘,高崎幹大,品川直嗣,高橋厚史,辻正治

    日本化学会第86春季年会  2006年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

    Microreactors Utilizing Vertically-Aligned Carbon Nanotubes

  • 単結晶基板の表面原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長

    吾郷浩樹,上原直保,池田賢一,大堂良太,中村和浩,辻正治

    日本化学会第86春季年会  2006年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

    Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces

  • カーボンナノチューブの精密合成と応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    州大学教育研究プログラム・教育研究拠点形成プロジェクト  2006年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Controlled growth of carbon nanotubes and their applications

  • 進化するカーボンナノチューブの合成技術 招待

    吾郷浩樹

    技術情報協会講習会  2006年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Development of carbon nanotube growth techniques

  • Optical study of the SWNT dispersion after dielectrophoresis 国際会議

    M. Shinagawa, H. Ago, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    Nanotube 2006  2006年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

    Optical study of the SWNT dispersion after dielectrophoresis

  • Microreactors utilizing vertically-aligned carbon nanotubes 国際会議

    N. Ishigami, H. Ago, Y. Motoyama, M. Takasaki, M. Shinagawa, K. Takahashi, M. Tsuji

    Nanotube 2006  2006年7月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

    Microreactors utilizing vertically-aligned carbon nanotubes

  • Synthesis of horizontally-aligned SWNTs with controllable density on sapphire surface and their polarized Raman spectroscopy 国際会議

    H. Ago, N. Uehara, K. Ikeda, R. Ohdo, K. Nakamura, M. Tsuji

    Nanotube 2006  2006年7月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

    Synthesis of horizontally-aligned SWNTs with controllable density on sapphire surface and their polarized Raman spectroscopy

  • サファイア基板上における単層カーボンナノチューブの位置と方向の同時制御に関する研究

    大堂良太,吾郷浩樹,品川 直嗣,上原 直保,辻正治,生田 竜也,高橋 厚史

    第43回化学関連支部合同九州大会  2006年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    position- and direction-controlled growth of single-walled carbon nanotubes

  • マイクロチップ中での単層カーボンナノチューブの誘電泳動

    品川直嗣,吾郷浩樹,石神直樹,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    第43回化学関連支部合同九州大会  2006年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    Dielectrophoresis of SWNTs in a Microchip

  • 垂直配向カーボンナノチューブを組み込んだマイクロリアクター

    石神直樹,吾郷浩樹,本山幸弘,高崎幹大,品川直嗣,高橋厚史,辻正治

    第43回化学関連支部合同九州大会  2006年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    Microreactors utilizing vertically-aligned carbon nanotubes

  • Third-order Nonlinear Optical Response in Individual Double-Walled Carbon Nanotubes

    S. Imamura, Y. Takahashi, K. Fukagawa, Y. Hamanaka, Y. Saito, H. Ago, H. Kishida, A. Nakamura

    第31回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2006年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:三重   国名:日本国  

    Third-order Nonlinear Optical Response in Individual Double-Walled Carbon Nanotubes

  • マイクロチップ中での単層カーボンナノチューブの誘電泳動

    品川直嗣,吾郷浩樹,石神直樹,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:滋賀   国名:日本国  

    Dielectrophoresis of single-walled carbon nanotubes in a microchip

  • ガス分析を通じた単層・二層カーボンナノチューブの高収率合成

    吉原直紀,吾郷浩樹,上原直保,辻正治

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:滋賀   国名:日本国  

    High yield synthesis of single- and double-walled carbon nanotbes by gas analysis

  • ナノカーボンなどのπ電子系物質の電子構造と物性、ならびにデバイス応用 招待

    吾郷浩樹

    炭素材料学会 第2回スキルアップセミナー、「ナノカーボンテクノロジーとエネルギーデバイスの融合」  2006年9月 

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Electronic structures, properties, and device applications of pi-electron systems

  • Horizontally-aligned growth of single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of sapphire surfaces and their device application 国際会議

    H. Ago, N. Ishigami, N. Uehara, K. Nakamura, R. Ohdo, K. Imamoto, K. Ikeda, M. Tsuji

    4th China-Japan-Korea Joint Symposium - Carbon Materials to Save the Earth -Materials and Devices for New Energies and Environmental Protection-  2006年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:深セン   国名:中華人民共和国  

    Horizontally-aligned growth of single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of sapphire surfaces and their device application

  • Dielectrophoretic separation of semiconducting from metallic single-walled carbon nanotubes in a microfluidic device 国際会議

    M. Shinagawa, H. Ago, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    4th China-Japan-Korea Joint Symposium - Carbon Materials to Save the Earth -Materials and Devices for New Energies and Environmental Protection-  2006年11月 

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    開催地:深セン   国名:中華人民共和国  

    Dielectrophoretic separation of semiconducting from metallic single-walled carbon nanotubes in a microfluidic device

  • Control of Location and Orientation of Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire Surface 国際会議

    R. Ohdo, H. Ago, M. Shingawa, N. Uehara, M. Tsuji,T. Ikuta, K. Takahashi

    CSS8 (The 8th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)  2006年11月 

     詳細を見る

    開催地:釜山   国名:大韓民国  

    Control of Location and Orientation of Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire Surface

  • カーボンナノチューブを組み込んだマイクロリアクターの作製と評価

    吾郷浩樹

    環境保全のためのナノチューブ構造制御触媒及び新材料の創製 公開シンポジウム  2007年1月 

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    開催地:東京   国名:日本国  

    Fabrication and Evaluation of carbon nanotubes-incoporated microreactors

  • Competing Growth of Horizontally-Aligned SWNTs between Surface Atomic Arrangement and Surface Steps on Sapphire

    K. Imamoto, H. Ago, N. Ishigami, R. Ohdo, N. Uehara, M. Tsuji

    第32回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Competing Growth of Horizontally-Aligned SWNTs between Surface Atomic Arrangement and Surface Steps on Sapphire

  • Control of Location and Orientation of Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire Surface

    R. Ohdo, H. Ago, M. Shingawa, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    第32回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年1月 

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    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Control of Location and Orientation of Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire Surface

  • Chemistry of Water-Oxidation during CVD Growth of Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes over Fe-Mo/MgO Catalyst

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji

    第32回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年1月 

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    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Chemistry of Water-Oxidation during CVD Growth of Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes over Fe-Mo/MgO Catalyst

  • カーボンナノチューブの精密合成と応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    第3回 日立ナノ解析技術セミナー  2007年3月 

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Controlled synthesis and applications of carbon nanotubes

  • ガス分析を通じた担持触媒上での単層・二層カーボンナノチューブの成長メカニズム

    吉原直記,吾郷浩樹,辻正治

    日本化学会第87春季年会  2007年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

    Growth mechanism of single- and double-walled carbon nanotubes studied by gas analysis

  • サファイア上でのSWNTの配向成長における表面原子配列とステップの競合と協調

    今本健太,吾郷浩樹,石神直樹,大堂良太,池田賢一,辻正治

    2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川   国名:日本国  

    Competing Growth of Horizontally-Aligned SWNTs between Surface Atomic Arrangement and Surface Steps on Sapphire

  • 単結晶表面によってプログラムされたカーボンナノチューブの配向成長 招待

    吾郷浩樹

    日本学術振興会 情報科学用有機材料第142委員会A部会研究会、「ナノ秩序制御」  2007年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Crystal Face Dependence of Chiralities of Aligned SWNTs on Sapphire

    N. Ishigami, H. Ago, K. Imamoto, M. Tsuji, K. Iakoubovskii, N. Minami

    第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Electron Transport Study of Horizontally-Aligned SWNTs on Sapphire

    T. Suzuki, H. Ago, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikta, K. Takahashi

    第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • Growth Mechanism of Horizontally-Aligned SWNTs on Sapphire Surface Studied with Patterned Catalyst

    H. Ago, N. Ishigami, R. Ohdo, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • サファイア基板上に配向成長した単層カーボンナノチューブのキャラクタリゼーション

    石神直樹,吾郷浩樹,今本健太,池田賢一,辻正治,K. Iakoubovskii,南信次

    第44回化学関連支部合同九州大会  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • サファイア上での単層カーボンナノチューブの配向成長メカニズム -表面原子配列とステップの競合成長-

    今本健太,吾郷浩樹,石神直樹,大堂良太,池田賢一,辻正治

    第44回化学関連支部合同九州大会  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 配向成長した単層カーボンナノチューブを用いた電界効果型トランジスタの作製と評価

    鈴木朋子,吾郷浩樹,石神直樹,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    第44回化学関連支部合同九州大会  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • 窒素置換した単層カーボンナノチューブの成長と物性評価

    白石祐介,吾郷浩樹,吉原直記,辻正治

    第44回化学関連支部合同九州大会  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • ナノチューブの成長メカニズム -水の添加効果とその化学ー 北九州

    吉原直記,吾郷浩樹,辻正治

    第44回化学関連支部合同九州大会  2007年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの成長とエレクトロニクス・化学への展開 招待

    吾郷浩樹

    第25回九州コロイドコロキウム  2007年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • サファイア上で配向した単層カーボンナノチューブのキャラクタリゼーション

    石神直樹,吾郷浩樹,今本健太,池田 賢一,辻 正治,K. Iakoubovskii,南信次

    第25回九州コロイドコロキウム  2007年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • 窒素置換した単層カーボンナノチューブの合成と物性評価

    白石祐介,吾郷浩樹,吉原直記,辻正治

    第25回九州コロイドコロキウム  2007年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • サファイア上での単層カーボンナノチューブの配向成長メカニズム― 原子配列とステップの競合 ―

    今本健太,吾郷浩樹,石神直樹,大堂良太,池田賢一,辻正治

    第25回九州コロイドコロキウム  2007年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • サファイア上で配向成長した単層カーボンナノチューブの電子輸送特性

    鈴木朋子,吾郷 浩樹,石神直樹,池田賢一,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    第25回九州コロイドコロキウム  2007年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島   国名:日本国  

  • 13C同位体を用いた水平配向ナノチューブの成長メカニズムの解析

    吾郷浩樹,石神直樹,吉原直記,辻正治,生田竜也,高橋厚史

    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • サファイア上に配向した単層カーボンナノチューブのキャラクタリゼーション

    石神直樹,吾郷浩樹,今本健太,辻正治,K. Iakoubovskii,南信次

    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブ・ネットワークのエレクトロニクス応用 招待

    吾郷浩樹

    第1回カーボンナノチューブ応用研究会  2007年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Directional Control of Single-Walled Carbon Nanotubes on Surface-Engineered Sapphire 国際会議

    K. Imamoto, H. Ago, N. Ishigami, K. Ikeda, and M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi

    20th International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC2007)  2007年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Growth mechanism of carbon nanotubes over supported catalysts studied by gas analysis 国際会議

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji

    Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2007)  2007年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分   国名:日本国  

  • Chemistry of water-assisted CVD growth of single- and double-walled carbon nanotubes 国際会議

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji

    2007 MRS Fall Meeting  2007年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • ナノデバイス作製のためのカーボンナノチューブの水平配向成長技術

    吾郷浩樹

    2007産学官技術交流フェア  2007年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Growth Mechanism and Characterization of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes on Sapphire Surface 招待 国際会議

    H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, N. Yoshihara, T. Suzuki, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi, K. Iakoubovskiii, and N. Minami

    International Carbon Nanotube Conference in NU  2008年2月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Growth mechanism of carbon nanotubes over gold-supported catalysts

    N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji

    第34回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2008年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface 国際会議

    H. Ago, K. Nakamura, K. Ikeda, R. Ohdo, N. Uehara, M. Shinagawa, N. Ishigami, M. Tsuji

    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4)  2005年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:埼玉   国名:日本国  

    Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface

  • Workfunctions and surface Functional Groups of Carbon Nanotubes

    第17回フラーレン総合シンポジウム  1999年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岐阜   国名:日本国  

    Workfunctions and surface Functional Groups of Carbon Nanotubes

  • Composites of Conducting Polymers and Carbon Nanotubes for Photovoltaic Devices 国際会議

    Applied Diamond Conference/Frontier Carbon Technology Joint Conference  1999年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:くば   国名:日本国  

    Composites of Conducting Polymers and Carbon Nanotubes for Photovoltaic Devices

  • Composites of Conducting Polymers and Carbon Nanotubes for Photovoltaic Devices 国際会議

    Nanotechnology in Carbon and Related Materials (NanoteC99)  1999年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Brighton   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

    Composites of Conducting Polymers and Carbon Nanotubes for Photovoltaic Devices

  • Large Scale Synthesis of Multi-Walled Carbon Nanotubes and Their Application 国際会議

    Nanotechnology in Carbon and Related Materials (NanoteC99)  1999年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Brighton   国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

    Large Scale Synthesis of Multi-Walled Carbon Nanotubes and Their Application

  • Photophysics of Conducting Polymer and Carbon Nanotube Composites 招待 国際会議

    The 3rd Taiwan-Japan Cooperative Meeting of Fullerene Science and Technology  2000年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎   国名:日本国  

  • Li-PASにおける固体7Li NMRによるリチウム−プロトン相互作用の観察

    第40回電池討論会  1998年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Electronic Interaction Between Photo-excited Conducting Poymer and Carbon Nanotubes

    第18回フラーレン総合シンポジウム  2000年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎   国名:日本国  

  • Synthesis of Aligned Carbon Nanotube Arrays From Metal Nanoparticles

    第18回フラーレン総合シンポジウム  2000年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎   国名:日本国  

  • ナノチューブのCVD合成と電子材料への応用 招待

    第5回カーボンナノチューブの電気的特性研究会  2000年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • New Route to Synthesize Multiwall Carbon Nanotubes: Vapor-phase Reaction using Colloidal Solution of Metal Nanoparticles

    第19回フラーレン総合シンポジウム  2000年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山   国名:日本国  

  • Morphology and Properties of the Acid-Treated Carbon Nanotube: Potential for Hydrogen Storage Material

    第19回フラーレン総合シンポジウム  2000年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの新規合成法の開発とスピンエレクトロニクスへの応用

    第3回分子エレクトロニクス研究会  2000年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山   国名:日本国  

  • Colloidal Solution of Metal Nanoparticles as a Catalyst for Nanotube Growth 国際会議

    MRS 2000 Fall Meeting  2000年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • CVD Growth of Aligned Carbon Nanotube Arrays from Metal Nanoparticles 国際会議

    H. Ago, T. Komatsu, S. Ohshima, Y. Kiruki, and M. Yumura

    International Symposium on Nanonetwork Materials (ISNM2001)  2001年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鎌倉   国名:日本国  

  • 触媒CVD法によるカーボンナノチューブの大量合成 招待

    吾郷浩樹

    日本真空協会講演会  2001年2月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Vapor-phase Synthesis of Carbon Nanotubes from Metal Nanoparticles 国際会議

    H. Ago, S. Ohshima, K. Uchida, and M. Yumura

    XVth International Winterschool in Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM2001)  2001年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:キルヒバーグ   国名:オーストリア共和国  

  • シリコン基板上におけるナノチューブの配列化成長

    戚継発,吾郷浩樹,塚越一仁,青柳克信,湯村守雄

    第48回応用物理学会  2001年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの量産技術と応用 招待

    吾郷浩樹

    新化学発展協会 新素材分科会講演会  2001年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Development of Large-scale Synthesis of Carbon Nanotubes and Their Application 招待 国際会議

    H. Ago

    2001 International Conference & Exhibition on Nanometer Technology and Application  2001年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広州   国名:中華人民共和国  

  • 21世紀の材料,カーボンナノチューブ −量産技術と応用の開発− 招待

    吾郷浩樹

    日本経営技術懇話会  2001年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Gas-phase Synthesis of Single-Wall Carbon Nanotubes from Colloidal Solution of Metal Nanoparticles

    H. Ago, S. Ohshima, K. Uchida, and M. Yumura

    第21回フラーレン総合シンポジウム  2001年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Recent Progress in Development of Large Scale Synthesis of Multi-Walled Carbon Nanotubes of the Frontier Carbon Projects 招待 国際会議

    M. Yumura, S. Ohshima, H. Ago, K. Uchida, H. Inoue, and T. Komatsu

    Sixth Applied Diamond Conference / Second Frontier Carbon Technology (ADC/FCT 2001) Joint Conference  2001年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Alabama   国名:アメリカ合衆国  

  • Patterned Growth of Carbon Nanotubes on Si Substrates 国際会議

    H. Ago, J. Qi, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, and M. Yumura)

    International Symposium on Materials Processing for Nanostructured Device (MPND2001)  2001年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • CVD法で作製した単層ナノチューブのラマン散乱

    片浦弘道,阿知波洋次,吾郷浩樹,大嶋哲,湯村守雄

    日本物理学会秋季年次大会  2001年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島   国名:日本国  

  • 金属ナノ粒子のコロイド溶液を原料とした単層ナノチューブの気相合成

    吾郷浩樹,大嶋哲,内田邦夫,湯村守雄

    日本化学会第80秋季年会講演会  2001年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉   国名:日本国  

  • Carbon Nanotube Synthesis using Collodail Solution of Metal Nanoparticles 国際会議

    Hiroki Ago, Satoshi, Ohshima, Kunio Uchida, Toshiki Komatsu, and Motoo Yumura

    Tsukuba Symposium on Carbon Nanotubes (in Commemoration of the 10th Anniversary of its Discovery)  2001年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Putting the carbon nanotubes to use as the industrial materials 招待 国際会議

    Motoo Yumura, Satoshi Ohshima, Hiroki Ago, Kunio Uchida, Hitoshi Inoue, and Toshiki Komatsu

    Tsukuba Symposium on Carbon Nanotubes (in Commemoration of the 10th Anniversary of its Discovery)  2001年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば   国名:日本国  

  • Development of Large Scale Synthesis of Multi-wall Carbon Nanotubes and Their Application 招待 国際会議

    Motoo Yumura, Satoshi Ohshima, Hiroki Ago, and Kunio Uchida

    2nd Japanese-French Workshop on Nanomaterials  2001年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Paris   国名:フランス共和国  

  • Synthesis of Thin Wall Multi-Walled Carbon Nanotubes by Catalytic Decomposition of Hydrocarbon Using Metallophtalocyanine as Catalyst 国際会議

    T. Komatsu, S. Ohshima, H. Inoue, H. Ago, and M. Yumura

    International Symposium on Nanocarbons 2001  2001年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

  • Recent Progress in Development of Large Scale Synthesis of Multi-Walled Carbon Nanotubes in the Frontier Carbon Technology Projects 招待 国際会議

    International Symposium on Nanocarbons 2001  2001年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの磁場配向複合材

    木村亨,飛田雅之,湯村守雄,大嶋哲,吾郷浩樹

    ポリマー材料フォーラム  2001年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

  • Development of Large Scale Synthesis of Multi-Walled Carbon Nanotubes and their application 招待 国際会議

    Motoo Yumura, Satoshi Ohshima, Hiroki Ago, Kunio Uchida, Hitoshi Inoue, and Toshiki Komatsu

    MRS Fall Meeting  2001年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston   国名:アメリカ合衆国  

  • 炭化水素触媒分解法によるカーボンナノチューブ大量合成技術

    井上斉,大嶋哲,湯村守雄,吾郷浩樹

    第15回ダイヤモンドフォーラム*  2001年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 炭化水素触媒分解法によるカーボンナノチューブ大量合成技術

    井上斉,大嶋哲,湯村守雄,吾郷浩樹

    第28回炭素材料学会年会  2001年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:群馬   国名:日本国  

  • Growth of Single-wall Carbon Nanotubes from Patterned Catalyst

    H. Ago, J. Qi, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, and M. Yumura

    第22回フラーレン総合シンポジウム  2002年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎   国名:日本国  

  • CVDで作製した単層カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱

    片浦弘道,阿知波洋次,吾郷浩樹,大嶋哲,湯村守雄

    第22回フラーレン総合シンポジウム  2002年1月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎   国名:日本国  

  • 21世紀の材料、カーボンナノチューブ−進む材料開発と今後の応用− 招待

    大嶋哲,湯村守雄,吾郷浩樹,内田邦夫

    高分子学会 北陸支部学術講演会  2002年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福井   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの量産技術と応用開発 招待

    吾郷浩樹,湯村守雄

    ニューセラミックス懇話会 第150回研究会  2002年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪   国名:日本国  

  • 炭化水素触媒分解法によるカーボンナノチューブ大量合成技術

    井上斉,大嶋哲,湯村守雄,吾郷浩樹

    第2回炭素系高機能材料シンポジウム  2002年2月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブの応用 招待

    吾郷浩樹,湯村守雄

    2001年度 印刷・情報記録・表示研究会講座  2002年2月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 多層カーボンナノチューブの気相合成

    大嶋哲,吾郷浩樹,小松利喜,湯村守雄

    化学工学会第67年会  2002年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

  • インクジェット法によるナノチューブのパターニングと電子放出

    吾郷浩樹,村田和広,湯村守雄,余谷純子,上村佐四郎

    第23回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2002年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮城   国名:日本国  

  • CVD法で作製したナノグラファイトでの高密度電流伝導

    鈴木敦久、八木巌、塚越一仁、青柳克信、吾郷浩樹、湯村守雄

    第23回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2002年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮城   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブと触媒化学 招待

    吾郷浩樹

    触媒サマーセミナー  2002年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:箱根   国名:日本国  

  • Carbon Nanotubes: Synthesis and Applications 国際会議

    H. Ago

    INTEGRATED NANOSYSTEMS 2002  2002年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:California   国名:アメリカ合衆国  

  • カーボンナノチューブの触媒化学 招待

    吾郷浩樹

    日本電子材料技術協会 セラミック研究会研究会  2002年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ナノ材料と触媒化学 招待

    吾郷浩樹

    触媒学会若手の会 フレッシュマンゼミナール  2003年5月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • 金属・カーボンナノ材料の創製と応用 招待

    辻正治,吾郷浩樹

    分子分光学夏期セミナー(九重セミナー)  2003年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀県   国名:日本国  

  • Synthesis and Electronic Applications of Carbon Nanotubes 招待 国際会議

    吾郷浩樹,塚越一仁

    Indo-Japan Workshop on Advanced Molecular Electronics and Bionics  2003年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

  • 鉄ナノ粒子担持MgO触媒における強い金属-担体相互作用

    吾郷浩樹,中村和浩,今村真悟,辻正治

    第26回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2004年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡崎  

    Strong Metal-Support Interaction in the Iron Nanoparticles Supported on MgO

  • カーボンナノチューブの合成技術概論 招待

    吾郷浩樹

    神奈川科学技術アカデミー KAST教育講座  2004年1月 

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    会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:神奈川  

    General Introduction of Synthestic Technologies of Carbon Nanotubes

  • カーボンナノチューブの合成と応用 −最近の展開− 招待

    吾郷浩樹

    リング・チューブ超分子研究会  2004年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎  

    Synthesis and Applications of Carbon Nanotubes - Recent Development -

  • 自己組織化ナノ構造体の構造・界面・触媒機能に関する分子論的研究

    吾郷浩樹

    第1回単層二界面系研究会  2004年2月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉  

    Molecular Studies on Self-Assembled Nano-Structures: Structure, Interface, and Catalysts

  • MgOに担持させた酸化鉄ナノ粒子からの単層カーボンナノチューブ成長

    吾郷浩樹,中村和浩,今村真悟,辻正治

    日本化学会第84春季年会  2004年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸  

    Growth of Single-wall Carbon Nanotubes on Iron Nanoparticles Supported on MgO

  • サイズ制御した鉄ナノ粒子からのカーボンナノチューブ成長

    中村和浩,吾郷浩樹,今村真悟,辻正治

    日本化学会第84春季年会  2004年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸  

    Carbon Nanotube Growth From Size-Controlled Iron Nanoparticles

  • 日本発!のナノチューブの基礎と魅力 招待

    吾郷浩樹

    九州大学中央分析センター 第2回分析センターセミナー:「カーボンナノチューブが拓く未来」  2004年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:箱崎  

    Basics and Properties of Carbon Nanotubes Found in Japan

  • カーボンナノチューブの合成技術と応用展開 招待

    吾郷浩樹

    第15回繊維学会西部支部セミナー:「21世紀を拓くナノファイバーテクノロジー 一繊維技術にみるナノテクノロジーの現状と未来一」  2004年6月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:箱崎  

    Syhnthetic Technologies and Advanced Applications of Carbon Nanotubes

  • カーボンナノチューブの合成と工学への応用 招待

    吾郷浩樹

    日本機械学会九州支部 第8回フォーラム:「マイクロマシンからナノまで」  2004年7月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:箱崎   国名:日本国  

    Carbon Nanotubes: Synthesis and Applications to Engineering

  • MgOに担持させた鉄ナノ粒子からの二層カーボンナノチューブの成長

    吾郷浩樹,中村和浩,今村真悟,辻正治

    第41回化学関連支部合同九州大会  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    Growth of Double-Walled Carbon Nanotubes over Fe-Supported MgO Catalyst

  • カーボンナノチューブ成長における電場の効果

    今村真悟,吾郷浩樹,中村和浩,辻正治

    第41回化学関連支部合同九州大会  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    Effects of Electric Field on Growth of Carbon Nanotubes

  • カーボンナノチューブの成長機構 −鉄ナノ粒子と基板の相互作用−

    中村和浩,吾郷浩樹,今村真悟,辻正治

    第41回化学関連支部合同九州大会  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北九州   国名:日本国  

    Growth Mechanism of Carbon Nanotubes -Interaction Between Iron Particles and Substrate-

  • Role of Metal-Support Interaction in the CVD Growth of Carbon Nanotubes Studied with Size-Controlled Nanoparticles 国際会議

    H. Ago, K. Nakamura, S. Imamura, M. Tsuji

    Nanotube'04  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:SLP   国名:メキシコ合衆国  

    Role of Metal-Support Interaction in the CVD Growth of Carbon Nanotubes Studied with Size-Controlled Nanoparticles

  • Fe/MgO触媒によるSWNTとDWNTの成長における金属-担体相互作用の役割

    吾郷浩樹,中村和浩,上原直保,辻正治

    第27回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Growth of Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes over Fe/MgO Catalyst and Roles of Metal-Support Interaction

  • Synthesis and Electronic Applications of Carbon Nanotubes 国際会議

    H. Ago and M. Tsuji

    2nd Japan-China-Korea Joint Symposium - Carbon Materials to Save the Earth -Devices and Materials for New Energies -  2004年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分   国名:日本国  

    Synthesis and Electronic Applications of Carbon Nanotubes

  • Measurements of In-plane Thermal Conductivity and Electrical Conductivity of Suspended Platinum Thin Film

    X. Zhang, H. Xie, M. Fujii, K. Takahashi, H. Ago, T. Shimizu, H. Abe

    第25回日本熱物性シンポジウム  2004年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長野   国名:日本国  

    Measurements of In-plane Thermal Conductivity and Electrical Conductivity of Suspended Platinum Thin Film

  • SUBSTRATE EFFECTS ON GROWTH OF CARBON NANOTUBES OVER DIAMTER-CONTROLLED IRON NANOPARTICLES 国際会議

    K. Nakamura, H. Ago, S. Imamura, M. Tsuji

    The 6th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Engineering  2004年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:POSTECH   国名:大韓民国  

    Substrate effects on growth of carbon nanotubes over diameter-controlled iron nanoparticles

  • CVD法による単層及び二層カーボンナノチューブの合成と成長メカニズム

    吾郷浩樹

    総理工セミナー  2004年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡県   国名:日本国  

    Growth and formation mechanism of single- and double-walled carbon nanotubes by a CVD method

  • カーボンナノチューブの基礎  −成長機構から電子・光物性まで− 招待

    吾郷浩樹

    第3回分析センターセミナー:「カーボンナノチューブ(CNT)の基礎と応用 −機器分析からのアプローチ−」  2004年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    The basics of carbon nanotubes - growth mechanism and electronical and optical properties

  • カーボンナノチューブの成長制御と応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    COE形成に向けての化学・材料研究セミナー  2004年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Controlled growth and applications of carbon nanotubes

  • Mechanical Immobilization of HeLa Cells on Aligned Carbon Nanotube Array

    H. Ago, E. Uchimura, T. Saito,.S. Ohshima, M. Tsuji, M. Yumura, and M. Miyake

    第28回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Mechanical Immobilization of HeLa Cells on Aligned Carbon Nanotube Array

  • Substrate Effects on Single-Walled Carbon Nanotube Growth over Diameter-Controlled Iron Nanoparticles

    K. Nakamura, H. Ago, N. Uehara, and M. Tsuji

    第28回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Substrate Effects on Single-Walled Carbon Nanotube Growth over Diameter-Controlled Iron Nanoparticles

  • CVD Growth of Uniform Diameter Single-Walled Carbon Nanotubes over Fe/MgO Catalyst and Their Optical Properties

    S. Imamura, H. Ago, T. Okazaki, T. Saito, M. Yumura, and M. Tsuji

    第28回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    CVD Growth of Uniform Diameter Single-Walled Carbon Nanotubes over Fe/MgO Catalyst and Their Optical Properties

  • Synthesis of single-walled carbon nanotubes in the gas-phase by using size-controlled metal nanoparticle catalysts

    T. Saito, S. Ohshima, W. Xu, H. Ago, M. Yumura, and S. Iijima

    第28回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋   国名:日本国  

    Synthesis of single-walled carbon nanotubes in the gas-phase by using size-controlled metal nanoparticle catalysts

  • カーボンナノチューブの合成技術と応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    和歌山県工業技術センター講演会 「第4回有機ELディスプレイ研究会」  2005年1月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:和歌山   国名:日本国  

    Growth methods and applications of carbon nanotubes

  • 担持触媒を用いたカーボンナノチューブの成長機構と構造制御 招待

    吾郷浩樹

    電気学会 電子材料研究会 −カーボンナノチューブエレクトロニクスの最近の進展−  2005年2月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Growth mechanism and structure control of carbon nanotubes on supported catalyst

  • カーボンナノチューブの成長制御と応用への展開 招待

    吾郷浩樹

    カーボンナノチューブ活用研究会(福岡県工業技術センター主催)  2005年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Controlled growth and applicatoins of carbon nanotubes

  • 単層および二層カーボンナノチューブの触媒成長における金属−担体相互作用の役割

    吾郷浩樹,中村和浩,上原直保,今村真悟,辻正治

    日本化学会第85春季年会  2005年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Roles of metal-support interaction on the catalytic growth of single- and double-walled carbon nanotubes

  • 2層カーボンナノチューブの超高速キャリヤダイナミクス

    冨川貴子,渡辺美樹,濱中泰,斎藤弥八,稲倉秀樹,中村新男,吾郷浩樹

    日本物理学会第60年次大会  2005年3月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    Ultra-fast carrier dynamics of double-walled carbon nanotubes

  • Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces 国際会議

    H. Ago, K. Nakamura, K. Ikeda, N. Uehara, M. Tsuji

    Nanotube'05  2005年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Goteburg   国名:スウェーデン王国  

    Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces

  • CVD growth of single-walled carbon nanotubes with narrow diameter distribution over Fe/MgO catalyst and their fluorescence spectroscopy 国際会議

    N. Uehara, H. Ago, S. Imamura, T. Okazaki, T. Saito, M. Yumura, M. Tsuji

    3rd Japan-China-Korea Joint Symposium - Carbon Materials to Save the Earth -Devices and Materials for New Energies -  2005年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

    CVD growth of single-walled carbon nanotubes with narrow diameter distribution over Fe/MgO catalyst and their fluorescence spectroscopy

  • Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface

    H. Ago, K. Nakamura, K. Ikeda, N. Uehara, M. Tsuji

    第29回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

    Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface

  • Screening Study of Catalyst Compositions by using Supramoleclar Catalysts for the Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes

    T. Saito, W. C. Xu, S. Ohshima, H. Ago, K. Matsuura, M. Yumura, S. Iijima

    第29回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  2005年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

    Screening Study of Catalyst Compositions by using Supramoleclar Catalysts for the Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes

  • インクジェットによるカーボンナノチューブのパターニングと応用 — 金属ナノ粒子触媒のパターニングとナノチューブの応用研究 — 招待

    吾郷浩樹

    技術情報協会講習会、「インクジェット技術における光学・電子部品への応用と現状」  2005年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

    paterning and application of carbon nanotubes based on ink-jet technology

  • カーボンナノチューブ −成長機構とマイクロスケールでの応用− 招待

    吾郷浩樹

    九州電子顕微鏡技術研究会  2005年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Carbon nanotubes - growth mechanism and applications -

  • 結晶表面の原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長

    吾郷浩樹,中村和浩,池田賢一,上原直保,大堂良太,辻正治

    第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島   国名:日本国  

    Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces

  • カーボンナノチューブの成長と応用 −構造制御と化学への応用を目指して− 招待

    吾郷浩樹

    第50回日本顕微鏡学会シンポジウム  2005年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Synthesis and applications of carbon nanotubes

  • 結晶表面の原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長

    大堂良太,吾郷浩樹,中村和浩,池田賢一,上原直保,辻正治

    第50回日本顕微鏡学会シンポジウム  2005年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡   国名:日本国  

    Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces

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MISC

  • 六方晶窒化ホウ素の大面積合成とグラフェン集積デバイスへの応用

    吾郷 浩樹、深町悟

    NEW DIAMOND   2024年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 高品質グラフェンのCVD成長と成長過程の可視化技術

    吾郷 浩樹、平良 隆信

    表面と真空(日本表面真空学会), 65(4), 177-183   2022年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 二次元物質から2.5次元物質科学へ

    吾郷 浩樹

    応用物理(応用物理学会誌), 90(10), 617-622   2021年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/oubutsu.90.10_617

  • グラフェンをはじめとする二次元材料の製膜技術と応用研究

    吾郷 浩樹

    光技術コンタクト(日本オプトメカトロニクス協会), 56(2), 3-11 (2018)   2018年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • エレクトロニクス応用を目指した高結晶性グラフェンのCVD成長と将来展望

    吾郷 浩樹

    NEW DIAMOND(ニューダイヤモンドフォーラム編), 32(1), 15-20 (2016).   2016年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 熱CVD法による単結晶グラフェンへの挑戦

    吾郷 浩樹, 河原憲治

    化学工業(化学工業社), 65(2), 128-133 (2014)   2014年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • グラフェンのCVD成長

    吾郷 浩樹

    応用物理(応用物理学会誌), 82(12), 1030-1036 (2013)   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • CVD法によるグラフェンの成長

    吾郷 浩樹

    触媒(触媒学会誌)   2012年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 高品質グラフェンの合成法の開発

    小川友以,吾郷浩樹

    化学工業(化学工業社)   2012年2月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブの水平配向成長 集積化への新しい可能性 シリコンLSIとの融合も期待

    吾郷浩樹

    Semiconductor FPD World(プレスジャーナル社)   2008年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • グラフェンの合成と応用

    吾郷 浩樹

    機械の研究(養賢堂)   2013年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • グラフェン

    吾郷浩樹

    高分子(高分子学会誌)   2012年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 単層カーボンナノチューブの水平配向成長とデバイス応用

    吾郷浩樹

    化学工業   2009年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • サファイア上で水平配向した単層カーボンナノチューブの結晶面に依存した成長

    石神直樹,吾郷浩樹,今本健太,辻正治,K. ヤクボヴスキー,南信次

    ナノ学会会報(ナノ学会誌)   2008年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • ナノチューブの成長メカニズム -水の添加効果とその化学-

    吉原直記,吾郷浩樹,辻正治

    ナノ学会会報(ナノ学会誌)   2008年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • ナノチューブ研究をリードする日本

    吾郷浩樹

    2007年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 新たな汎用電子材料カーボンナノネット

    吾郷浩樹

    2007年8月

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    記述言語:日本語  

  • カーボンナノチューブの合成と応用

    吾郷浩樹

    機械の研究(養賢堂)   2006年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Synthesis and applications of carbon nanotubes

  • SWNTの可視化とキャラクタリゼーション

    吾郷浩樹

    化学(化学同人)   2006年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    visualization and characterization of SWNT

  • 単層カーボンナノチューブの集積化成長と構造制御

    吾郷浩樹

    ナノ学会会報(ナノ学会誌)   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Integrated growth and structure control of single-walled carbon nanotubes

  • 担持触媒を用いたカーボンナノチューブの成長と生成機構

    吾郷浩樹

    NEW DIAMOND(ニューダイヤモンドフォーラム編)   2004年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Synthesis and Growth mechanism of carbon nanotubes on supported catalysts

  • カーボンナノチューブの大量合成と触媒効果

    吾郷浩樹

    表面科学(日本表面科学会誌),   2004年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Large-Scale Synthesis and Catalytic Effects in Carbon Nanotubes Growth

  • カーボンナノチューブの基礎と魅力

    吾郷浩樹

    センターニュース(九州大学中央分析センター)   2004年4月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Basics and Attraction of Carbon Nanotubes

  • カーボンナノチューブ/フラーレン

    吾郷浩樹、湯村守雄

    日経ナノテク要覧(2004年度版)(日経産業消費研究所)   2003年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    Carbon Nanotubes/Fullerenes

  • カーボンナノチューブ合成技術の今後の展開−新たな産業応用を目指して−

    湯村守雄,吾郷浩樹

    技術情報誌 OHM (株式会社オーム社)   2003年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブの大量合成

    吾郷浩樹

    金属(アグネ技術センター)   2002年9月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブ/フラーレン

    不明

    日経ナノテク要覧(2003年度版)(日経産業消費研究所)   2002年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブと触媒化学

    吾郷浩樹,湯村守雄

    触媒(触媒学会誌)   2002年1月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 熱CVD法によるカーボンナノチューブの成長制御と大量合成

    吾郷浩樹,湯村守雄

    真空(日本真空学会誌)   2002年1月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブの集積化ナノデバイスに向けて

    吾郷浩樹

    化学と工業(日本化学会誌)   2001年6月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブ

    吾郷浩樹,湯村守雄

    アロマティックス(日本芳香族工業会誌),   2001年5月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブの配向成長

    吾郷浩樹,湯村守雄

    化学と工業(日本化学会誌)   2001年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブ

    大嶋哲,吾郷浩樹,湯村守雄

    工業材料(日刊工業新聞社)   2001年1月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • カーボンナノチューブ/フラーレン

    吾郷浩樹,湯村守雄

    日経ナノテク要覧(日経産業消費研究所)   2001年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

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産業財産権

特許権   出願件数: 16件   登録件数: 5件
実用新案権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
意匠権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
商標権   出願件数: 0件   登録件数: 0件

所属学協会

  • 炭素材料学会

  • 日本化学会

  • 応用物理学会

  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

委員歴

  • 応用物理学会   理事   国内

    2024年4月 - 2025年3月   

  • 応用物理学会   副編集委員長   国内

    2024年4月 - 2025年3月   

  • Graphene   運営委員   国際

    2020年8月 - 2025年3月   

  • Graphene   International advisory board   国際

    2020年8月 - 2025年3月   

  • RPGR   運営委員   国際

    2020年1月 - 2025年3月   

  • RPGR   International advisory board   国際

    2020年1月 - 2025年3月   

  • 応用物理学会   運営委員   国内

    2017年4月 - 2019年3月   

  • 応用物理学会   論文委員   国内

    2017年4月 - 2019年3月   

  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   副会長   国内

    2015年9月 - 現在   

  • 応用物理学会   運営委員   国内

    2015年4月 - 2017年3月   

  • 応用物理学会   編集委員   国内

    2015年4月 - 2017年3月   

  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   幹事   国内

    2012年4月 - 現在   

  • 日本化学会   代議員   国内

    2006年11月 - 2008年3月   

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学術貢献活動

  • 応用物理学会

    2024年4月 - 2026年3月

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    種別:学会・研究会等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2021年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:20

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • 実行委員長

    第59回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会  ( Japan ) 2020年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • シンポジウム企画者

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 シンポジウム「二次元物質科学:二次元物質とその集積化が拓く新しい科学と応用」  ( Japan ) 2020年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2020年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:18

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 ~世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用~

    2019年4月 - 2020年3月

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    種別:学会・研究会等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2019年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:20

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2018年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:16

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • 科学研究費委員会専門委員

    役割:審査・評価

    日本学術振興会  2017年12月 - 2018年11月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2017年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:12

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2016年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:21

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • 主催者 国際学術貢献

    6th A3 Symposium on Emerging Materials  ( 福岡 ) 2015年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:120

  • 実行委員 国際学術貢献

    NT15  ( 名古屋 ) 2015年6月 - 2015年7月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 実行委員 国際学術貢献

    The 16th International Conference on the Science and Applications of Nanotubes (NT15)  ( 名古屋 ) 2015年6月 - 2015年7月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:700

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2015年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:26

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • プログラム委員 国際学術貢献

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)  ( 福岡 ) 2014年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:300

  • NEDO技術委員

    役割:審査・評価

    NEDO  2014年5月 - 2015年4月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 座長(Chairmanship)

    第46回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 東京 ) 2014年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 経済産業省 平成25年度政府戦略分野に係る国際標準化活動 【ナノエレクトロニクスに用いるナノカーボン特性評価に関する国際標準化・有識者委員会】

    役割:審査・評価

    2014年1月 - 2014年2月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 座長(Chairmanship) 国際学術貢献

    Recent Progress on Graphene Research (RPGR2013)  ( Tokyo Japan ) 2013年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • プログラム委員 国際学術貢献

    Recent Progress in Graphene Research 2013 (RPGR 2013)  ( 東京 ) 2013年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:300

  • JST-CRDS研究開発俯瞰の調査委員

    役割:審査・評価

    JST研究開発センター  2013年6月 - 2014年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 座長(Chairmanship) 国際学術貢献

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013)  ( Kobe Japan ) 2013年5月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • プログラム委員 国際学術貢献

    International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013)  ( 神戸 ) 2013年5月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:500

  • 座長(Chairmanship)

    第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  ( 東京 ) 2013年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 科学研究費委員会専門委員

    役割:審査・評価

    日本学術振興会  2012年12月 - 2013年11月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 実行委員

    第42回結晶成長国内会議  ( 福岡 ) 2012年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:200

  • 座長(Chairmanship) 国際学術貢献

    The 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN 2012)  ( ハノイ ) 2012年10月 - 2012年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 地域クラスターの評価委員

    役割:審査・評価

    文部科学省  2012年10月 - 2012年12月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 座長(Chairmanship) 国際学術貢献

    IUMRS-ICEM 2012  ( 横浜 ) 2012年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • NEDO技術委員

    役割:審査・評価

    NEDO  2012年2月 - 2013年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 科学研究費委員会専門委員

    役割:審査・評価

    日本学術振興会  2011年12月 - 2012年11月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 組織実行委員 国際学術貢献

    International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN 2011)  ( 東京 ) 2011年10月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:200

  • 審査委員

    第41回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 東京 ) 2011年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    第41回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 東京 ) 2011年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会  ( 山形 ) 2011年8月 - 2011年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 名古屋 ) 2011年3月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会  ( 長崎 ) 2010年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 日本側代表(Chiar) 国際学術貢献

    The 1st China-Japan Young Chemists Forum  ( アモイ ) 2010年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:100

  • 座長(Chairmanship) 国際学術貢献

    The 1st China-Japan Young Scientist Forum  ( アモイ ) 2010年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • サブコミティー委員 国際学術貢献

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)  ( 香川 ) 2010年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:300

  • 座長(Chairmanship)

    2010年春季第57回 応用物理学関係連合講演会  ( 神奈川 ) 2010年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会(プラズマナノバイオトロニクスの基礎研究 )  ( 仙台 ) 2010年2月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 「知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)中間評価及び知的クラスター創成事業(第Ⅰ期) 事業評価に関する調査」専門委員

    役割:審査・評価

    三菱総合研究所  2009年10月 - 2010年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 科学研究費委員会専門委員

    役割:審査・評価

    日本学術振興会  2009年10月 - 2010年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • 座長(Chairmanship)

    2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会  ( 富山 ) 2009年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会  ( つくば ) 2009年3月 - 2009年4月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 実行委員 国際学術貢献

    21th International Microprocess and Nanotechnology Conference  ( 福岡 ) 2008年10月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:400

  • プログラム委員長

    ナノ学会第6回大会  ( 福岡 ) 2008年5月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:300

  • 座長(Chairmanship)

    2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会  ( 北海道 ) 2007年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 福岡 ) 2007年7月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Organizing comitee 国際学術貢献

    The 7th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences  ( 福岡 ) 2005年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:200

  • 座長(Chairmanship)

    第66回応用物理学会学術講演会  ( 徳島 ) 2005年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    第27回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 東京 ) 2004年7月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    第26回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム  ( 岡崎国立共同研究機構 ) 2003年1月

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    種別:大会・シンポジウム等 

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その他

  • Nature Electronicsに掲載された研究成果が、高市早苗経済安全保障担当大臣の定例記者会見で紹介された。

    2024年2月

  • 学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」の領域代表として、我が国の二次元物質の学術と応用研究を牽引した。

    2022年4月

  • 九大発ベンチャーの二次元材料研究所の設立に貢献した

    2022年4月

  • CVDグラフェンの販売を九州大学TLOを通じて開始した

    2019年4月

  • CVDグラフェンの販売を、名城ナノカーボンから開始した。

    2012年1月

  • 水平配向カーボンナノチューブの販売を、名城ナノカーボンから開始した。

    2010年1月

  • 九州大学 研究・産学連携活動表彰

    2007年5月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発(基盤研究(A))

    2024年4月 - 2027年3月

    九州大学 

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    担当区分:研究代表者 

  • 次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発

    研究課題/領域番号:24H00407  2024年 - 2026年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 層数制御した六方晶窒化ホウ素による革新的トンネル磁気抵抗デバイスの創製(挑戦的研究(萌芽))

    2023年4月 - 2025年3月

    九州大学 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 層数制御した六方晶窒化ホウ素による革新的トンネル磁気抵抗デバイスの創製

    研究課題/領域番号:23K17863  2023年 - 2024年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 2.5次元物質科学 社会変革に向けた物質科学のパラダイムシフト(学術変革領域研究(A))

    2021年9月 - 2026年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • NEDO 先導研究プロジェクト

    2021年4月 - 2023年3月

    九州大学 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    機能性テープによる二次元材料の転写

  • 2.5次元物質科学の総括

    研究課題/領域番号:21H05232  2021年 - 2025年

    日本学術振興会・文部科学省  科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 積層制御した二層グラフェンによる黒鉛層間化合物科学の革新

    研究課題/領域番号:21K18878  2021年 - 2022年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 高機能テープを用いた二次元材料の革新的転写法の開発

    2021年 - 2022年

    NEDO先導研究プロジェクト

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • ナノ空隙を利用した原子・分子の配列制御と物性測定法開発(JST-CREST)

    2020年10月 - 2025年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

  • ナノ空隙を利用した原子・分子の配列制御と 物性測定法開発

    2020年 - 2025年

    戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • ウェハースケールの六方晶窒化ホウ素によるマテリアルサイエンスの革新 (挑戦的研究(萌芽))

    2019年4月 - 2021年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築

    研究課題/領域番号:19H00755  2019年 - 2021年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • ウェハースケールの六方晶窒化ホウ素によるマテリアルサイエンスの革新

    研究課題/領域番号:19K22113  2019年 - 2020年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 二次元材料とナノ計測の融合による相変化伝熱の革新(JST-CREST)

    2018年10月 - 2023年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

  • グラフェンのテーラーメイド合成とその展開(基盤研究(A))

    2018年4月 - 2022年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 高品質グラフェンの製造・転写・触媒再利用技術の開発(新素材情報財団)

    2018年4月 - 2019年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 二次元材料とナノ計測の融合による相変化伝熱の革新

    2018年 - 2024年

    戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • グラフェンのテーラーメイド合成とその展開

    研究課題/領域番号:18H03864  2018年 - 2022年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 高品質グラフェンの製造・転写・触媒再利用技術の開発

    2018年

      詳細を見る

    資金種別:寄附金

  • 原子厚みの超極薄シート(グラフェン)の大面積・高品質成長技術

    2018年

    平成30年度九州大学ギャップファンド

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

  • 二次元デバイスのプラットフォームとなる六方晶窒化ホウ素の高結晶多層膜の創製(挑戦的研究(萌芽))

    2017年4月 - 2019年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 二次元デバイスのプラットフォームとなる六方晶窒化ホウ素の高結晶多層膜の創製

    研究課題/領域番号:17K19036  2017年 - 2018年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 原子薄膜デバイスに資する単結晶巨大グラフェンの創製と位置制御(新学術領域「原子層科学」公募研究)

    2016年4月 - 2017年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • 原子薄膜デバイスに資する単結晶巨大グラフェンの創製と位置制御

    研究課題/領域番号:16H00917  2016年 - 2017年

    日本学術振興会・文部科学省  科学研究費助成事業  新学術領域研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • エピタキシャルCVD法による超高品質グラフェンの研究開発(NEDO低炭素社会を実現するナノ炭素材料実用化プロジェクト )

    2015年7月 - 2016年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用(基盤研究(B))

    2015年4月 - 2018年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • グラフェンの人工血管の開発(挑戦的萌芽)

    2015年4月 - 2017年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用

    研究課題/領域番号:15H03530  2015年 - 2017年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • グラフェンの人工血管の開発

    研究課題/領域番号:15K13304  2015年 - 2016年

    科学研究費助成事業  挑戦的萌芽研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • エピタキシャルCVD法による超高品質グラフェンの研究開発

    2015年

    NEDO 低炭素社会を実現するナノ炭素材料実用化プロジェクト

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 二次元原子薄膜の積層システムの創製とナノエレクトロニクスへの展開(JSTさきがけ)

    2013年10月 - 2016年3月

    九州大学 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    JSTさきがけ「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」領域で研究を展開する。

  • 二次元原子薄膜の積層システムの創製とナノエレクトロニクスへの展開

    2013年 - 2016年

    戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 九州大学先導研-シンガポール国立大学 国際共同研究 国際共著

    2011年11月 - 2014年3月

    九州大学 

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

    Synthesis and Control of Graphene for Carbon Electronics

  • 単結晶金属薄膜上のグラフェンCVD成長に関する研究

    2011年10月 - 2012年2月

    共同研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

  • グラフェンの成長制御と加工プロセスを通じたカーボンエレクトロニクスへの展開(最先端・次世代研究開発支援プログラム)

    2011年2月 - 2014年3月

    JSPS 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    Synthesis and Control of Graphene for Carbon Electronics

  • トランジスタ応用を目指した高品質グラフェン薄膜の成長法の開発(最先端研究開発支援プログラム)

    2010年4月 - 2011年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者 

  • グラフェンの成長制御と加工プロセスを通じたカーボンエレクトロニクスへの展開

    2010年 - 2013年

    日本学術振興会  最先端・次世代研究開発支援プログラム

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:共同研究

  • トランジスタ応用を目指した高品質グラフェン薄膜の成長法の開発

    2010年 - 2011年

    最先端研究開発支援プログラム

      詳細を見る

    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • グラフェンの成長制御と加工プロセスを通じたカーボンエレクトロニクスへの展開

    2010年

    平成22年度P&P 特別枠追加採択

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

  • シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製(基盤(B))

    2009年4月 - 2011年3月

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

  • シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製

    研究課題/領域番号:21310074  2009年 - 2011年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • カーボンナノチューブの長さ評価に関する共同研究

    2008年2月 - 2008年3月

    共同研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

  • 新炭素資源学

    2008年 - 2012年

    研究拠点形成費補助金(グローバルCOE) (文部科学省)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • カーボンナノチューブデバイス創出に向けた成長・プロセス制御(NEDOナノエレクトロニクスPJ)

    2007年10月 - 2011年3月

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    担当区分:研究分担者 

    経済産業省プロジェクト「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発-うち新材料・新構造ナノ電子デバイス」 に参画する。

  • SWNTの電子構造/カイラリティ制御に向けた精密合成法の探索(JSTさきがけ)

    2007年10月 - 2011年3月

    九州大学 

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者 

    JSTさきがけ研究 「ナノ製造技術の探索と展開」領域で研究を展開する。

  • カーボンナノチューブの測定技術に関する共同研究

    2007年1月 - 2007年3月

    共同研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

  • カーボンナノチューブデバイス創出に向けた成長・プロセス制御

    2007年 - 2011年

    NEDO 「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発プロジェクト

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • SWNTの電子構造/カイラリティ制御に向けた精密合成法の探索

    2007年 - 2010年

    戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 結晶表面における単層カーボンナノチューブのエピタキシャル配向成長(若手(A))

    2006年4月 - 2009年3月

    九州大学 

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    担当区分:研究代表者 

    結晶表面における単層カーボンナノチューブのエピタキシャル成長の実現を試みる。

  • 秩序化されたカーボンナノチューブの創製と次世代半導体デバイスへの展開 (NEDO産業技術研究助成)

    2006年1月 - 2008年12月

    九州大学 

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    担当区分:研究代表者 

    秩序化されたカーボンナノチューブの創製と次世代半導体デバイスへの展開を推進する。

  • 結晶表面における単層カーボンナノチューブのエピタキシャル配向成長

    研究課題/領域番号:18681020  2006年 - 2008年

    科学研究費助成事業  若手研究(A)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 単層ナノチューブの結晶表面におけるエピタキシャル成長と電子構造の制御

    2006年

    徳山科学技術振興財団 平成18年度研究助成

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 秩序化されたカーボンナノチューブの創製と次世代半導体デバイスへの展開

    2005年 - 2008年

    産業技術研究助成事業 (経済産業省)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 溶媒可溶化カーボンナノチューブ&#8722;可溶化の戦略と利用・応用ならびに九大ナノカーボンリサーチコアへの展開&#8722;

    2005年 - 2006年

    九州大学教育研究プログラム・研究拠点形成プロジェクト(B-2 タイプ)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:学内資金・基金等

  • マイクロチップ内に成長させた配向性カーボンナノチューブの触媒機能

    2005年

    日産科学振興財団

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • カーボンナノチューブを用いた微細流体センサーの開発

    2005年

    池谷科学技術振興財団

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • カーボンナノチューブの電子デバイス化技術について

    2004年11月 - 2005年3月

    受託研究

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

  • マイクロ空間におけるカーボンナノチューブのプロセッシング

    研究課題/領域番号:16710087  2004年 - 2005年

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • カーボンナノチューブの新規な応用に関する研究

    2004年

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    資金種別:寄附金

  • カーボンナノチューブ成長における電場・磁場効果

    2004年

    総合理工学府奨励研究

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    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

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教育活動概要

  • ・総合理工学府の材料理工学メジャーにおいて教育を担当している(2021年度から現在まで)。
    ・工学部融合基礎工学科で高専連携教育プログラムも担当している(2023年度から現在まで)。
    ・総合理工学府の物質理工学専攻において教育を担当している(2016年度から2022年度まで)。それ以前は総合理工学府量子プロセス理工学専攻で教育を担当した(2003-2015年度)。
    ・総合理工学府において「低次元材料科学」「固体構造基礎論(春学期)」、「機能材料構造論(後期)」等を担当している。
    ・基幹教育として「基礎化学結合論」の講義を担当している(2024年度から現在まで)。
    ・基幹教育として「物理学の進展」を2019年度と2020年度に分担していた。
    ・全学部生対象の「分子の科学」を一部担当した(2003年から2015年度まで)。

担当授業科目

  • 材料機能設計基盤特論IVe

    2024年12月 - 2025年2月   冬学期

  • 基礎化学結合論 I

    2024年4月 - 2024年6月   春学期

  • 低次元材料科学d

    2023年12月 - 2024年2月   冬学期

  • 材料機能設計基盤特論IVe

    2022年12月 - 2023年2月   冬学期

  • 低次元材料科学d

    2021年12月 - 2022年2月   冬学期

  • 物質理工学修士実験第二

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 物質理工学修士実験第二

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 機能材料構造論

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 物質理工学修士実験第二

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 物質理工学修士演習第二

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 固体構造基礎論

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 物理学の進展

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 機能材料構造論

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • 物質理工学修士実験第二

    2019年4月 - 2020年3月   通年

  • 物質理工学修士演習第二

    2019年4月 - 2020年3月   通年

  • 固体構造基礎論

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 物理学の進展

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 機能材料構造論

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 物質理工学修士演習第二

    2018年4月 - 2019年3月   通年

  • 物質理工学修士実験第二

    2018年4月 - 2019年3月   通年

  • 固体構造基礎論

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • ナノマテリアル化学演習

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • 固体構造基礎論

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • Exercises on Nanomaterials Chemistry

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 機能材料構造論

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • Experiments on Nanomaterials Chemistry

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 固体構造基礎論

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • ナノマテリアル化学演習

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2016年4月 - 2017年3月   通年

  • Experiments on Nanomaterials Chemistry

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • 機能材料構造論

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • Exercises on Nanomaterials Chemistry

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • ナノマテリアル化学特論

    2015年10月 - 2016年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2015年4月 - 2016年3月   通年

  • ナノマテリアル化学実験

    2015年4月 - 2016年3月   通年

  • 基礎量子化学

    2015年4月 - 2015年9月   前期

  • 分子の科学

    2014年10月 - 2015年3月   後期

  • 量子プロセス理工学第二

    2014年10月 - 2015年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2014年4月 - 2015年3月   通年

  • 基礎量子化学

    2014年4月 - 2014年9月   前期

  • ナノマテリアル化学特論

    2013年10月 - 2014年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2013年4月 - 2014年3月   通年

  • 基礎量子化学

    2013年4月 - 2013年9月   前期

  • ナノマテリアル化学実験

    2012年4月 - 2013年3月   通年

  • 基礎量子化学

    2012年4月 - 2012年9月   前期

  • 課題集約演習

    2011年10月 - 2012年3月   後期

  • ナノマテリアル化学特論

    2011年10月 - 2012年3月   後期

  • ナノマテリアル化学実験

    2011年4月 - 2012年3月   通年

  • 分子統計力学

    2011年4月 - 2011年9月   前期

  • 基礎量子化学

    2011年4月 - 2011年9月   前期

  • 環境特論III

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • 分子統計力学

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • 基礎量子化学

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • 分子の科学

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • ナノマテリアル化学特論

    2009年10月 - 2010年3月   後期

  • 環境特論III

    2009年4月 - 2009年9月   前期

  • 基礎量子化学

    2009年4月 - 2009年9月   前期

  • 分子統計力学

    2009年4月 - 2009年9月   前期

  • 環境特論III

    2008年4月 - 2008年9月   前期

  • 分子統計力学

    2008年4月 - 2008年9月   前期

  • 基礎量子化学

    2008年4月 - 2008年9月   前期

  • 動的分子化学特論

    2007年10月 - 2008年3月   後期

  • 基礎量子化学

    2007年4月 - 2007年9月   前期

  • 分子の科学

    2007年4月 - 2007年9月   前期

  • 分子統計力学

    2007年4月 - 2007年9月   前期

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FD参加状況

  • 2020年4月   役割:参加   名称:2020年度オンライン講義講習会

    主催組織:全学

  • 2015年1月   役割:参加   名称:H26年度第2回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2014年5月   役割:参加   名称:H26年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2014年1月   役割:参加   名称:H25年度第2回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2013年5月   役割:参加   名称:H25年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2012年5月   役割:参加   名称:H24年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2012年1月   役割:参加   名称:H23年度第2回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2011年5月   役割:参加   名称:H23年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2011年1月   役割:参加   名称:H22年度第2回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2010年5月   役割:参加   名称:H22年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2009年5月   役割:参加   名称:H.21年度第1回先導研FD

    主催組織:部局

  • 2008年5月   役割:講演   名称:平成20年度第1回 先導研FD研修会

    主催組織:部局

  • 2003年4月   役割:参加   名称:新任教官の研修

    主催組織:全学

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他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

  • 2018年  京都大学エネルギー理工学研究所 非常勤講師  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

    学期、曜日時限または期間:2018年度

  • 2018年  産業技術総合研究所 クロスアポイントメントフェロー  区分:客員教員  国内外の区分:国内 

  • 2017年  京都大学エネルギー理工学研究所 非常勤講師  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

    学期、曜日時限または期間:2017年度

  • 2017年  北海道大学エネルギー電子科学研究所 非常勤講師  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

    学期、曜日時限または期間:2017年度

  • 2007年  山口大学大学院 理工学研究科 非常勤講師  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

    学期、曜日時限または期間:2007年9月

  • 2003年  東京都立大学理学部  区分:非常勤講師  国内外の区分:国内 

    学期、曜日時限または期間:2003年12月の2日間

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国際教育イベント等への参加状況等

  • 2010年11月

    GCOE

    Global COE International Workshop -6th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-

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    開催国・都市名:Fukuoka

    参加者数:100

  • 2009年11月

    GCOE

    The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences (Global COE Symposium)

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    開催国・都市名:Fukuoka

    参加者数:100

  • 2006年11月

    総合理工学府、POSTECH、釜山大学

    Cross Straits Symposium CSS8

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    開催国・都市名:韓国(釜山)

    参加者数:200

  • 2005年12月

    CSS7組織委員

    The 7th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Engineering

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    開催国・都市名:福岡

    参加者数:200

  • 2004年11月

    CSS6組織委員

    The 6th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Engineering

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    開催国・都市名:韓国

    参加者数:200

その他教育活動及び特記事項

  • 2019年  その他特記事項  福岡県立春日高校の評議員

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    福岡県立春日高校の評議員

  • 2019年  その他特記事項  福岡県立春日高校の評議員

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    福岡県立春日高校の評議員

  • 2018年  その他特記事項  福岡県立春日高校の評議員

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    福岡県立春日高校の評議員

  • 2012年  その他特記事項  2012年度からのリーディング大学院(グリーンアジア国際戦略プログラム)の、プログラム担当者の一員となり、大学院修士・博士課程の充実に貢献している。

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    2012年度からのリーディング大学院(グリーンアジア国際戦略プログラム)の、プログラム担当者の一員となり、大学院修士・博士課程の充実に貢献している。

  • 2008年  その他特記事項  2008年度からのグローバルCOE(新炭素資源学)の、事業担当推進者となり、大学院博士課程の充実に貢献している。

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    2008年度からのグローバルCOE(新炭素資源学)の、事業担当推進者となり、大学院博士課程の充実に貢献している。

社会貢献・国際連携活動概要

  • 産業技術総合研究所 ナノカーボンセンター 招聘型客員研究 (2003-2006年度)

社会貢献活動

  • 大野城市のサイエンスカフェで講演を行った

    大野城市  福岡  2023年3月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

    2023年

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    九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

  • 九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

    2022年

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    九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

  • 九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

    2021年

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    九州大学筑紫キャンパス 地域連携推進チームのメンバーとして、大野城市などとの地域連携に関する活動に貢献した。

  • 福岡県立春日高校の評議員として高校生の教育活動に協力した

    福岡県立春日高校  2020年4月

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    対象:幼稚園以下, 小学生, 中学生, 高校生

    種別:その他

  • 九州大学発ベンチャーエコシステム連絡会で講演を行った

    九州大学発ベンチャーエコシステム連絡会  東京  2019年11月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 福岡県立春日高校の評議員として高校生の教育活動に協力した

    福岡県立春日高校  2019年4月

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    対象:幼稚園以下, 小学生, 中学生, 高校生

    種別:その他

  • 福岡県立春日高校の評議員として高校生の教育活動に協力した

    福岡県立春日高校  2018年4月

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    対象:幼稚園以下, 小学生, 中学生, 高校生

    種別:その他

  • 埼玉県産業振興会で講演を行った

    埼玉県産業振興会  埼玉  2017年12月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 城南高校SSHの学生を受け入れ、体験実験を計4日行った

    城南高校  2014年6月

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    対象:幼稚園以下, 小学生, 中学生, 高校生

    種別:セミナー・ワークショップ

  • シンガポール国立大学と先導物質化学研究所の共同研究ネットワークに深く関与した

    2013年

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    シンガポール国立大学と先導物質化学研究所の共同研究ネットワークに深く関与した

  • 九州大学 新技術説明会にて研究シーズ(特許)に関する紹介を行った (2012/11/20 ”高品質・大面積のグラフェン薄膜の製造方法”,吾郷浩樹) 東京JST

    九州大学、JST  東京  2012年11月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 九州大学大学院総合理工学府主催の公開講座で講演を行った (依頼講演 2012/8/25,”新たな炭素の世界(カーボンナノチューブとグラフェン)~透明・柔軟で高性能なエレクトロニクスに向けて~”,吾郷浩樹) 福岡

    九州大学大学院総合理工学府  福岡  2012年8月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 東進ハイスクール主催の大学学部研究会 (2012/8/22,依頼講演,”炭素が拓く新たな世界”,吾郷浩樹) 東京

    東進ハイスクール  東京  2012年8月

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    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 東進ハイスクール主催の大学学部研究会で講演 (2012/8/22,依頼講演,”炭素が拓く新たな世界”,吾郷浩樹) 東京

    2012年

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    東進ハイスクール主催の大学学部研究会で講演
    (2012/8/22,依頼講演,”炭素が拓く新たな世界”,吾郷浩樹)
    東京

  • 「化学への招待」(日本化学会主催) 中高生を対象とした科学実験(2009年7月)

    2009年

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    「化学への招待」(日本化学会主催) 中高生を対象とした科学実験(2009年7月)

  • 「ひらめき☆ときめきサイエンス(フラットパネルディスプレイの科学)」への参加 (2008年9月)

    2008年

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    「ひらめき☆ときめきサイエンス(フラットパネルディスプレイの科学)」への参加
    (2008年9月)

  • 「新しい炭素の科学」出前講義

    佐賀県立唐津東高等学校  2006年9月

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    対象:幼稚園以下, 小学生, 中学生, 高校生

    種別:セミナー・ワークショップ

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メディア報道

  • 科学新聞(2024/2)の1面に研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    科学新聞  2024年2月

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    科学新聞(2024/2)の1面に研究内容が紹介された。

  • 日刊工業新聞(2024/2)に研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  2024年2月

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    日刊工業新聞(2024/2)に研究内容が紹介された。

  • 日刊工業新聞(2023/2/14)に「経営ひと言/九州大学・吾郷浩樹主幹教授「縁の下のhBN」」として研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  2023年2月

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    日刊工業新聞(2023/2/14)に「経営ひと言/九州大学・吾郷浩樹主幹教授「縁の下のhBN」」として研究内容が紹介された。

  • 日本経済新聞のホームページに研究成果が紹介された。

    日本経済新聞web  2023年2月

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    日本経済新聞のホームページに研究成果が紹介された。

  • 複数のyahooニュースに研究成果が紹介された。

    yahooニュース  2023年2月

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    複数のyahooニュースに研究成果が紹介された。

  • 日刊工業新聞(2023/2/8)に研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    日刊工業新聞  2023年2月

     詳細を見る

    日刊工業新聞(2023/2/8)に研究内容が紹介された。

  • 日本経済新聞(2019/12/29朝刊)に研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2019年12月

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    日本経済新聞(2019/12/29朝刊)に研究内容が紹介された。

  • 朝日新聞(5/21朝刊)の九州欄で、筑紫地区オープンキャンパスで行った「ノーベル賞の新材料!グラフェン作りに挑戦」が紹介された。 新聞・雑誌

    朝日新聞  2014年5月

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    朝日新聞(5/21朝刊)の九州欄で、筑紫地区オープンキャンパスで行った「ノーベル賞の新材料!グラフェン作りに挑戦」が紹介された。

  • 日経エレクトロニクス2014年2月17日号の特集「炭素から新産業」において、当グループの研究内容が紹介された。 新聞・雑誌

    日経エレクトロニクス  2014年2月

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    日経エレクトロニクス2014年2月17日号の特集「炭素から新産業」において、当グループの研究内容が紹介された。

  • グラフェンに関する研究の紹介 新聞・雑誌

    日本経済新聞  2010年10月

     詳細を見る

    グラフェンに関する研究の紹介

  • グラフェンのノーベル賞に関するコメントの紹介 新聞・雑誌

    京都新聞他  2010年10月

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    グラフェンのノーベル賞に関するコメントの紹介

  • カーボンナノチューブの新しい自己組織的な配向成長法を発見

    日経ナノテクノロジー  2005年7月

     詳細を見る

    カーボンナノチューブの新しい自己組織的な配向成長法を発見

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政策形成、学術振興等への寄与活動

  • 2022年12月 - 2023年3月   JST研究開発センター、文部科学省

    JST研究開発センター(JST-CRDS)および文部科学省のヒアリング、およびワークショップへの参加と提言

外国人研究者等の受け入れ状況

  • グローバルイノベーションセンター

    受入れ期間: 2022年5月 - 2023年1月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:台湾

  • グローバルイノベーションセンター

    受入れ期間: 2020年6月 - 2021年3月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:バングラデシュ人民共和国

  • グローバルイノベーションセンター

    受入れ期間: 2018年6月 - 2020年5月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:バングラデシュ人民共和国

    専業主体:日本学術振興会

  • グローバルイノベーションセンター

    受入れ期間: 2018年4月 - 2023年3月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:スペイン

    専業主体:政府関係機関

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2015年10月 - 2016年3月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:スペイン

    専業主体:政府関係機関

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2013年10月 - 2015年9月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:スペイン

    専業主体:日本学術振興会

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2012年4月 - 2012年10月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:中華人民共和国

    専業主体:日本学術振興会

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2012年2月 - 2014年3月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:オーストラリア連邦

    専業主体:日本学術振興会

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2012年1月 - 2013年9月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:スペイン

    専業主体:日本学術振興会

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2009年4月 - 2011年3月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:中華人民共和国

    専業主体:学内資金

  • 先導物質化学研究所

    受入れ期間: 2008年4月 - 2008年5月   (期間):1ヶ月以上

    国籍:中華人民共和国

    専業主体:学内資金

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海外渡航歴

  • 2012年1月

    滞在国名1:シンガポール共和国   滞在機関名1:シンガポール国立大学

  • 1997年11月 - 1999年3月

    滞在国名1:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)   滞在機関名1:ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所

学内運営に関わる各種委員・役職等

  • 2024年4月 - 現在   学府 安全衛生委員

  • 2023年10月 - 2024年9月   専攻 就職担当教員

  • 2018年5月 - 2021年3月   専攻 キャンパスアジア委員

  • 2017年4月 - 2024年3月   センター 安全衛生委員

  • 2015年4月 - 2016年3月   学府 リポジトリ委員

  • 2015年4月 - 2016年3月   学府 筑紫図書館運営委員

  • 2014年4月 - 2015年3月   学府 筑紫図書館運営委員

  • 2010年4月 - 2017年3月   全学 全学情報環境利用委員

  • 2009年4月 - 2017年3月   学府 総理工同窓会委員

  • 2007年4月 - 2008年3月   研究所 先導研キャンパス開放委員

  • 2005年4月 - 2013年3月   全学 電離気体センター委員

  • 2005年4月 - 2007年3月   専攻 海外連携委員

  • 2005年4月 - 2006年3月   専攻 総理工キャンパス開放委員

  • 2004年4月 - 2009年3月   研究所 先導研ホームページ委員長

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