2026/06/18 更新

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ハマグチ　タツシ
濱口 達史
HAMAGUCHI TATSUSHI
所属
総合理工学研究院 エネルギー科学部門 教授
工学部 融合基礎工学科（併任）
総合理工学府 総合理工学専攻（併任）
職名
教授
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研究分野

  • ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学

学位

  • 博士（工学） （ 2019年3月 上智大学 ）

経歴

  • 九州大学 総合理工学研究院 教授 

    2025年4月 - 現在

  • 三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授 

    2024年2月 - 2025年3月

  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社  Senior Scientist 

    2023年 - 2024年

  • ソニー株式会社  Senior Scientist 

    2019年 - 2022年

  • 三重大学 研究基盤推進機構 客員教授 

    2025年4月 - 現在

  • ソニー株式会社

    2008年9月 - 2019年

  • 窒化物半導体研究所   

    日亜化学工業株式会社

    2006年5月 - 2008年8月

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学歴

  • 上智大学   工学博士  

    2019年3月

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    備考：論文題目：誘電体を用いた分布ブラッグ反射器を有する窒化物VCSELに関する研究

  • 京都大学   工学修士  

    2004年4月 - 2006年3月

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    備考：論文題目：GaSbおよびAlSb半導体中間層を用いたp型GaNに対する低抵抗オーミックコンタクト形成

受賞

  • LDC Best Paper Award

    2026年4月   Laser Display and Lighting Conf. 2026   Coherent Array of VCSEL-modes based on Talbot-like Effect toward Future High-Power Light Source

    Jiang Haisong, Tatsushi Hamaguchi, Miki Isoda, Kiichi Hamamoto

  • LDC regular paper award

    2023年   Laser Display and Lighting Conf. 2023   Highly efficient operation and uniform characteristics of curved mirror vertical-cavity surface-emitting lasers

    Tomohiro Makino, Tatsushi Hamaguchi, Noriko Kobayashi, Kentaro Hayashi, Maiko Ito, Maho Ohara, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Takumi Watanabe, Shoetsu Nagane, Yuichiro Kikuchi, Tatsuro Jyokawa, Yukio Hoshina, Eiji Nakayama, Rintaro Koda, Noriyuki FuutagawaT

  • LDC regular paper award

    2022年   Laser Display and Lighting Conf. 2022   Spontaneously implemented spatial coherence in vertical-cavity surface-emitting laser dot array

    Maiko Ito, Tatsushi Hamaguchi, Tomohiro Makino, Kentaro Hayashi, Jared A. Kearns, Maho Ohara, Noriko Kobayashi, Shoetsu Nagane, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Yukio Hoshina, Tatsuro Jyokawa, Takumi Watanabe, Yuichiro Kikuchi, Seiji Kasahara, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Eiji Nakayama, Rintaro Koda, and Noriyuki Fuutagawa

  • 第43回(2021年度)優秀論文賞

    2022年   応用物理学会  

    濱口達史, 保科幸男, 林賢太郎, 伊藤仁道, 大原真穂, 條川達郎, 横関弥樹博, 幸田倫太郎, 簗嶋克典

  • 電気学会電子・情報・システム部門 研究会奨励賞(2020)

    2020年   一般社団法人 電気学会  

    林賢太郎

  • Sony Outstanding Engineer Award 2018

    2019年   ソニー株式会社   凹面鏡構造を利用した世界最高性能の 可視光面発光レーザーの研究開発

    濱口達史

  • 学振第162委員会の推薦に基づく研究奨励賞

    2019年   ナイトライド基金  

    濱口達史

  • 学振第162委員会(2019)

    2019年   日本学術振興会  

  • IDW/AD '12 Best Paper Award

    2012年   Intl. Display Workshop 2012  

    K. Tasai, H. Nakajima, K. Naganuma, Y. Takiguchi, T. Hamaguchi, N. Fuutagawa, K. Yanashima, M. Ikeda, Y. Enya, S. Takagi, M. Adachi, T. Kyono, Y. Yoshizumi, T. Sumitomo, Y. Yamanaka, T. Kumano, S. Tokuyama, K. Sumiyoshi, N. Saga, M. Ueno, K. Katayama, T. Ikegami, T. Nakamura

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論文

  • Individually addressable 2D array of GaN-based curved-mirror VCSELs 査読

    Kentaro Hayashi, Yukio Hoshina, Tatsurou Jyoukawa, Yuichiro Kikuchi, Yuki Nakamura, Koichi Sato, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Hiroyuki Miyahara, Takumi Watanabe, Koji Yoneda, Miwako Shoji, Masahiro Murayama, Eiji Nakayama, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Noriyuki Futagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   2026年5月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    <jats:title>Abstract</jats:title>
    <jats:p>GaN-based light-emitting diode arrays have advanced toward display applications, while replacing LEDs with laser diodes promises higher radiance and optical efficiency. Among GaN-VCSEL architectures, curved-mirror VCSELs offer superior mode stability and thermal characteristics for array integration. However, monolithic arrays with individual electrical addressing remain challenging because conductive GaN substrates allow lateral current spreading causing crosstalk. Here, we demonstrate a passively addressable curved-mirror GaN-VCSEL array enabled by a buried semi-insulating GaN current-blocking layer and trench-isolated passive-matrix wiring. A 6×6 array under continuous-wave operation exhibits single-transverse-mode emission, −50 dB electrical and −35 dB optical crosstalk, and clean passive-matrix pixel selection without ghosting.</jats:p>

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae6c7a

    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ae6c7a/pdf

  • Recent progress on GaN-based VCSELs and individually addressable arrays with curved mirrors 査読

    Kentaro Hayashi, Yukio Hoshina, Tatsuro Jyokawa, Yuichiro Kikuchi, Yuki Nakamura, Koichi Sato, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Hiroyuki Miyahara, Takumi Watanabe, Koji Yoneda, Eiji Nakayama, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Noriyuki Futagawa

    Gallium Nitride Materials and Devices XXI   39 - 39   2026年3月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.3083820

  • Recent Progress on Gallium-Nitride-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with Curved Mirror 査読

    Koda R., Makino T., Hayashi K., Hamaguchi T., Futagawa N.

    Springer Proceedings in Physics   429 SPPHY   19 - 20   2025年11月   （ ISSN:09308989 ISBN:9789819697816 ）

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    出版者・発行元：Springer Proceedings in Physics  

    Highly efficient GaN-VCSELs emitting in blue wavelength were obtained. The peak wall plug efficiency was 22.2 %. This talk also reviews the latest progress of two-dimensional blue VCSEL array producing watt-class output power.

    DOI： 10.1007/978-981-96-9782-3_3

    Scopus

  • Optical fiber approximation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser diodes with a curved mirror 査読

    Ohnishi, K; Higuchi, N; Cho, M; Tamaru, M; Hamaguchi, T

    OPTICS EXPRESS   33 ( 12 )   24588 - 24601   2025年6月   （ ISSN:1094-4087 eISSN:1094-4087 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Optics Express  

    This study introduces an improved optical fiber approximation method for analyzing GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a curved mirror. Unlike previous approaches, the proposed model incorporates, for the first time to the best of our knowledge, horizontal geometric consistency in addition to conventional vertical considerations, enabling more accurate prediction of beam characteristics, particularly under strong diffraction conditions. The calculated beam radius shows good agreement with experimental results. Furthermore, the model is applied to evaluate the effect of mirror tilting on optical loss by simulating it as fiber bending. The results reveal that VCSELs with a curved mirror exhibit almost zero additional loss under tilt, owing to the shift—rather than deformation—of the equivalent refractive index profile. In contrast, VCSELs with two planar mirrors suffer increased optical loss with tilt. These findings demonstrate the robustness of curved-mirror VCSELs against fabrication-induced tilts and suggest a pathway to improve device uniformity and yield.

    DOI： 10.1364/OE.563883

    Web of Science

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    PubMed

  • Demonstration of optical polarization control for surface emission from c-plane InGaN quantum wells and determination of anisotropic deformation potential in InGaN alloy materials by applying external uniaxial stress 査読

    Mori-Tamamura K., Yamaguchi A.A., Ohara M., Makino T., Koda R., Hamaguchi T.

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers   64 ( 3 )   031002 - 031002   2025年3月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

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    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    We proposed that optical polarization of c-plane InGaN quantum well (QW) based vertical-cavity surface-emitting lasers can be controlled by introducing in-plane anisotropic strain and demonstrated by optical measurements that optical anisotropy appeared in InGaN-QW films with anisotropic strain introduced by applying external uniaxial stress. In addition, we have determined the deformation potential D<inf>5</inf> in InGaN alloy materials by analyzing the experimental results based on the k · p perturbation theory and have derived that the value of D<inf>5</inf> is − 2.62 eV and − 2.33 eV for In<inf>0.08</inf>Ga<inf>0.92</inf>N and In<inf>0.16</inf>Ga<inf>0.84</inf>N, respectively.

    DOI： 10.35848/1347-4065/adb191

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/adb191/pdf

  • Determination of deformation potentials of InGaN alloy materials based on photoluminescence polarization measurements under uniaxial stress application 査読

    Atsushi A. Yamaguchi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Keito Mori-Tamamura

    Gallium Nitride Materials and Devices XIX   38 - 38   2024年3月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.2691406

  • GaN-Based VCSELs with A Monolithic Curved Mirror: Challenges and Prospects 招待 査読

    Hamaguchi T.

    Photonics   10 ( 4 )   470 - 470   2023年4月   （ ISSN:2304-6732 ）

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Photonics  

    In this paper, we introduce how gallium nitride-based (GaN-based) VCSELs with curved mirrors have evolved. The discussion starts with reviewing the fundamentals of VCSELs and GaN-based materials and then introducing the curved-mirror cavity’s principle and history and the latest research where the structure is applied to GaN-based materials to form VCSELs. We prepared these parts so that readers understand how VCSELs with this cavity work and provide excellent characteristics such as efficiency, life, stabilized mode behavior, etc. Finally, we discussed the challenges and prospects of these devices by touching on their potential applications.

    DOI： 10.3390/photonics10040470

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  • Highly-efficient operation and mode control in GaN-based VCSELs with a curved mirror 査読

    Hamaguchi T., Ito M., Kearns J.A., Makino T., Hayashi K., Ohara M., Kobayashi N., Jyokawa T., Nakayama E., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Kikuchi Y., Watanabe T., Kanitani Y., Kasahara S., Kudo Y., Kusanagi S., Koda R., Fuutagawa N.

    Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering   12421   12421   2023年3月   （ ISSN:0277786X ISBN:9781510659476 ）

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   出版者・発行元：Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering  

    We report the latest progress of gallium nitride-based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) containing a curved mirror. Highly uniform and efficient devices were developed. The average threshold current was 0.64 mA with a standard deviation of 0.043 mA. The peak wall-plug efficiency and output power were 13.4 % and 7.6 mW at operating currents of 5.2 mA and 12.8 mA, respectively. We obtained green VCSELs with milliwatt-class outputs and a wall-plug efficiency of 3.7%. We also report the progress of VCSELs with a single-cavity filtering mirror and a cavity length of ~25 μm showing highly varying reflectivity spectra, to demonstrate their single-longitudinal mode operation.

    DOI： 10.1117/12.2647047

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  • Highly efficient operation and uniform characteristics of curved mirror vertical-cavity surface-emitting lasers 査読

    Ito M., Hamaguchi T., Makino T., Hayashi K., Kearns J.A., Ohara M., Kobayashi N., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Jyoukawa T., Watanabe T., Kikuchi Y., Kasahara S., Kusanagi S., Kanitani Y., Kudo Y., Nakayama E., Koda R., Futagawa N.

    Applied Physics Express   16 ( 1 )   012006   2022年12月   （ ISSN:1882-0778 ）

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Applied Physics Express  

    This study obtained highly uniform and efficient GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with curved mirrors from a single wafer. The average threshold current (I <inf>th</inf>) and the optical output power (P <inf>max</inf>) of 14 chips measured up to 7.0 mA were 0.64 mA and 4.5 mW, respectively. The standard deviations of I <inf>th</inf> and P <inf>max</inf> were 6.7% and 5.1%, respectively. Additionally, the best chip showed maximum values of wall plug efficiency and output power of 13.4% and 7.6 mW, respectively, at 5.2 mA and 12.8 mA operating currents.

    DOI： 10.35848/1882-0786/acace8

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  • Spontaneously implemented spatial coherence in vertical-cavity surface-emitting laser dot array 査読

    Hamaguchi T., Makino T., Hayashi K., Kearns J.A., Ohara M., Ito M., Kobayashi N., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Jyoukawa T., Watanabe T., Kikuchi Y., Nakayama E., Koda R., Futagawa N.

    Scientific Reports   12 ( 1 )   2022年12月   （ ISSN:2045-2322 ）

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Scientific Reports  

    We report a self-induced spatially-coherent dot array consisting of fourteen units of vertical-cavity surface-emitting modes that exhibit spatially uniform spectra. A 47.5 µm total beam width and 0.5° narrow emission are achieved using an oblong cavity enclosed with a flat top mirror, cylindrically curved bottom mirror, and side facet. Notably, terminating the side of the cavity with a perpendicular facet enhances the horizontal propagation, which couples with the vertical resonance in each dot, similar to the case of master lasers in injection-locked lasers that delocalize the modes. Conventional semiconductor lasers, edge-emitting lasers, and vertical-cavity surface-emitting lasers have a Fabry–Pérot cavity; furthermore, emission and resonance are in identical directions, limiting the beam width to micrometers. Though the present structure has the same scheme of propagation, the right-angled facet synchronizes the modes and drastically expands the beam width.

    DOI： 10.1038/s41598-022-26257-0

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  • Longitudinal mode control in long cavity VCSELs with a curved mirror 査読

    Kearns J.A., Hamaguchi T., Hayashi K., Ohara M., Makino T., Ito M., Kobayashi N., Jyoukawa T., Nakayama E., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Koda R., Futagawa N.

    Applied Physics Express   15 ( 7 )   072009 - 072009   2022年7月   （ ISSN:1882-0778 ）

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Applied Physics Express  

    A single cavity filtering mirror with a highly varying reflectivity spectrum was used to demonstrate a single longitudinal mode operation for a VCSEL with a ∼25 μm cavity length. The 443.5 nm lasing peak had an SMSR of 42 dB at 9 mA, 70 kA cm-2. Increasing the number of DBR pairs between the VCSEL and filtering mirror cavity reduced the simulated optical standing wave in the mirror cavity by 57% and experimentally gave a 42% increase in the slope efficiency to achieve 2.56 mW at 7 mA from a device with a 4 μm aperture with a single longitudinal mode.

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac7697

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  • 半導体レーザの過去と未来 招待 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    日本光学会機関誌「光学」51巻4号   2022年4月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者  

  • Narrow Emission of Blue GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers With a Curved Mirror 査読

    Hayashi K., Hamaguchi T., Kearns J.A., Kobayashi N., Ohara M., Makino T., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Jyoukawa T., Watanabe T., Kikuchi Y., Ito M., Nakayama E., Koda R., Futagawa N.

    IEEE Photonics Journal   14 ( 4 )   2022年   （ ISSN:1943-0655 ）

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Photonics Journal  

    We report a narrow divergence angle in a blue gallium-nitride-based visible vertical-cavity surface-emitting laser (GaN-VCSEL) with a curved mirror. This device exhibited continuous-wave operation at a wavelength of 447.9 nm. The full-width at half-maximum divergence angle of the 8 μm-aperture VCSEL was 3.9° when the device was operated at a current of 1.2 × Ith, where Ith is the threshold current. In this type of cavity, the radius of curvature (ROC) of the curved mirror determines the near-field pattern (NPF) and far-field pattern (FFP). The authors fabricated devices having ROC up to 988 μm, which is more than 10 times greater than the ROC of the mirror used in the previously reported structures, allowing this narrow emission. The I-L characteristics showed that the Ith value increased with increasing ROC. The present study investigates the mechanism behind this tendency in detail.

    DOI： 10.1109/JPHOT.2022.3165665

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  • Longitudinal mode control in 20-30μm long cavity GaN-based VCSELs with a curved mirror

    Kearn J.A., Hamaguchi T., Hayashi K., Ohara M., Makino T., Ito M., Kobayashi N., Jyokawa T., Nakayama E., Nagane S., Sato K., Nakamura Y., Hoshina Y., Koda R., Futagawa N.

    Conference Digest IEEE International Semiconductor Laser Conference   2022-October   2022年   （ ISSN:08999406 ISBN:9784885523359 ）

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    出版者・発行元：Conference Digest IEEE International Semiconductor Laser Conference  

    A single cavity filtering mirror was used to demonstrate single longitudinal mode operation for a VCSEL with a ∼25 μm cavity length. The 443.5 nm lasing peak had an SMSR of 42 dB at 9 mA, 70kA/cm2.

    DOI： 10.23919/ISLC52947.2022.9943331

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  • Narrow divergence emission from blue GaN-based VCSELs with curved mirror 査読

    Kentaro Hayashi;Tatsushi Hamaguchi;Yukio Hoshina;Tatsuro Jyokawa;Maho Ohara;Noriko Kobayashi;Shouetsu Nagane;Koichi Sato;Yuki Nakamura;Jared Kearns;Eiji Nakayama;Rintaro Koda;Hidekazu Kawanishi;Noriyuki Futagawa

    IEEJ transactions on electronics, information and systems   141 ( 12 )   1281 - 1285   2021年12月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of electrical engineers of japan ({IEE} japan)  

    DOI： 10.1541/ieejeiss.141.1281

  • Report on OPIC laser display and lighting conference (LDC) 2021 招待 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    レーザー研究 第 49 巻第 9 号（2021 年 9 月）   2021年9月

  • 照明用面発光レーザーの最新技術動向 招待 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 49(8), 467-470, 2021-08   2021年8月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • レーザー照明・ディスプレイ産業動向・市場予測レポート2021 招待

    Tatsushi Hamaguchi

    2021年6月   （ ISBN:978-4-902312-65-2 ）

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   出版者・発行元：オプトロニクス社  

    ISBN: 978-4-902312-65-2

  • Blue and Green VCSEL for Full‐Color Display 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Yukio Hoshina;Tatsuro Jyokawa;Maho Ohara;Kentaro Hayashi;Noriko Kobayashi;Shouetsu Nagane;Koichi Sato;Yuki Nakamura;Jared Kearns;Eiji Nakayama;Rintaro Koda;Hidekazu Kawanishi;Noriyuki Futagawa

    SID symposium digest of technical papers   52 ( 1 )   677 - 679   2021年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/sdtp.14773

  • Impact of oxygen on band structure at the Ni/GaN interface revealed by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読

    Hirotaka Mizushima;Ryoji Arai;Yuta Inaba;Shunsuke Yamashita;Yudai Yamaguchi;Yuya Kanitani;Yoshihiro Kudo;Tatsushi Hamaguchi;Rintaro Koda;Katsunori Yanashima;Tadakatsu Ohkubo;Kazuhiro Hono;Shigetaka Tomiya

    Applied physics letters   118 ( 12 )   121603 - 121603   2021年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{AIP} publishing  

    DOI： 10.1063/5.0033165

  • Room-temperature continuous-wave operation of green vertical-cavity surface-emitting lasers with a curved mirror fabricated on {20−21} semi-polar GaN 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    Applied physics express   2020年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ab7bc8

  • 窒化物VCSELの研究動向および将来の展望

    Tatsushi Hamaguchi

    2019年度 光技術動向調査報告書   2020年1月

  • Single transverse mode operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser with monolithically incorporated curved mirror 査読

    Nakajima, H.;Hamaguchi, T.;Tanaka, M.;Ito, M.;Jyokawa, T.;Matou, T.;Hayashi, K.;Ohara, M.;Kobayashi, N.;Watanabe, H.;Koda, R.;Yanashima, K.

    Applied physics express   12 ( 8 )   2019年7月

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab3106

  • A review on the latest progress of visible GaN-based VCSELs with lateral confinement by curved dielectric DBR reflector and boron ion implantation 招待 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    Japanese journal of applied physics   2019年6月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab0f21

  • Sub-milliampere-threshold continuous wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser with lateral optical confinement by curved mirror 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    Applied physics express   2019年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab03eb

  • Recent progress in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with lateral optical confinement due to an incorporated curved mirror 査読

    Hiroshi Nakajima;Tatsushi Hamaguchi;Masayuki Tanaka;Maiko Ito;Tatsuro Jyokawa;Tatsuya Matou;Kentaro Hayashi;Maho Ohara;Noriko Kobayashi;Hideki Watanabe;Rintaro Koda;Katsunori Yanashima

    Gallium Nitride Materials and Devices XIV   10918   2019年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1117/12.2511469

  • Recent progresses in GaN-based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers having dielectric Distributed Bragg Reflectors 招待 査読

    Hiroshi Nakajima;Tatsushi Hamaguchi;Jugo Mitomo;Masamichi Ito;Maho Ohara;Masayuki Tanaka;Noriko Kobayashi;Hideki Watanabe;Kentaro Fuji;Rintaro Koda;Hironobu Narui

    Lasers and Electro-Optics 2018   8428022   2019年2月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    <jats:p>This paper reviews past research and the current state-of-the-art concerning gallium nitride-based vertical-cavity surface-emitting lasers (GaN-VCSELs) incorporating distributed Bragg reflectors (DBRs). This paper reviews structures developed during the early stages of research into these devices, covering both major categories of GaN-based VCSELs: hybrid-DBR and all-dielectric-DBR. Although both types exhibited satisfactory performance during continuous-wave (CW) operation in conjunction with current injection as early as 2008, GaN-VCSELs have not yet been mass produced for several reasons. These include the difficulty in controlling the thicknesses of nitride semiconductor layers in hybrid-DBR type devices and issues related to the cavity dimensions in all-dielectric-DBR units. Two novel all-dielectric GaN-based VCSEL concepts based on different structures are examined herein. In one, the device incorporates dielectric DBRs at both ends of the cavity, with one DBR embedded in n-type GaN grown using the epitaxial lateral overgrowth technique. The other concept incorporates a curved mirror fabricated on (000-1) GaN. Both designs are intended to mitigate challenges regarding industrial-scale processing that are related to the difficulty in controlling the cavity length, which have thus far prevented practical applications of all-dielectric GaN-based VCSELs.</jats:p>

    DOI： 10.3390/app9040733

  • Lateral optical confinement of GaN-based VCSEL using an atomically smooth monolithic curved mirror 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    Scientific reports   2018年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/s41598-018-28418-6

  • Incorporation of a curved mirror into GaN-based VCSELs 査読

    Tatsushi Hamaguchi;Hiroshi Nakajima;Masayuki Tanaka;Masamichi Ito;Tatsuro Jyokawa;Noriko Kobayashi;Tatsuya Matou;Kentaro Hayashi;Maho Ohara;Hideki Watanabe;Kentaro Fuji;Rintaro Koda;Hironobu Narui

    2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC)   37   8516154   2018年9月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516154

  • Lateral carrier confinement of GaN-based vertical-cavity surface-emitting diodes using boron ion implantation 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    Japanese journal of applied physics   2016年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/jjap.55.122101

  • Getting the GaN VCSEL to market

    Tatsushi Hamaguchi

    2016年9月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者  

  • Milliwatt-class GaN-based blue vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by epitaxial lateral overgrowth 査読

    Tatsushi Hamaguchi

    physica status solidi (a)   2016年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssa.201532759

  • Continuous wave operation of high-power GaN-based blue vertical-cavity surface-emitting lasers using epitaxial lateral overgrowth

    Tatsushi Hamaguchi;Noriyuki Fuutagawa;Shoichiro Izumi;Masahiro Murayama;Hironobu Narui

    SPIE.DIGITAL LIBRARY   9748   2016年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1117/12.2207222

  • Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated using epitaxial lateral overgrowth 査読

    Izumi, S.;Fuutagawa, N.;Hamaguchi, T.;Murayama, M.;Kuramoto, M.;Narui, H.

    Applied physics express   8 ( 6 )   2015年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.8.062702

  • High-power, long-lifetime green laser diodes with wavelengths above 525 nm grown on semipolar {20-21} GaN substrates 査読

    Kunihiko Tasai;Hiroshi Nakajima;Kaori Naganuma;Yoshiro Takiguchi;Tatsushi Hamaguchi;Noriyuki Futagawa;Katsunori Yanashima;Masao Ikeda;Yohei Enya;Shimpei Takagi;Masahiro Adachi;Takashi Kyono;Yusuke Yoshizumi;Takamichi Sumitomo;Yuichiro Yamanaka;Tetsuya Kumano;Shinji Tokuyama;Kazuhide Sumiyoshi;Nobuhiro Saga;Masaki UenoKoji Katayama;Takatoshi Ikegami;Takao Nakamura

    the Intl. Display Workshops   1506 - 1507   2012年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Long-lifetime true green laser diodes with output power over 50mW above 525nm grown on semipolar (2021} GaN substrates 査読

    Katsunori Yanashima;Hiroshi Nakajima;Kunihiko Tasai;Kaori Naganuma;Noriyuki Fuutagawa;Yoshiro Takiguchi;Tatsushi Hamaguchi;Masao Ikeda;Yohei Enya;Shimpei Takagi;Masahiro Adachi;Takashi Kyono;Yusuke Yoshizumi;Takamichi Sumitomo;Yuichiro Yamanaka;Tetsuya Kumano;Shinji Tokuyama;Kazuhide Sumiyoshi;Nobuhiro Saga;Masaki Ueno;Koji Katayama;Takatoshi Ikegami;Takao Nakamura

    Applied physics express   5 ( 8 )   082103   2012年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    True green GaInN laser diodes with a lasing wavelength above 525nm under continuous wave operation have been successfully fabricated on semipolar {2021} GaN substrates by improving both the diode structure and epitaxial growth conditions. At a case temperature of 55 °C, their lifetime was estimated to be over 5000 h for an optical output power of 50mW and over 2000 h at 70mW. © 2012 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI： 10.1143/APEX.5.082103

  • High-power (over 100mW) green laser diodes on semipolar {2021} GaN substrates operating at wavelengths beyond 530nm 査読

    Takagi, S.;Enya, Y.;Kyono, T.;Adachi, M.;Yoshizumi, Y.;Sumitomo, T.;Yamanaka, Y.;Kumano, T.;Tokuyama, S.;Sumiyoshi, K.;Saga, N.;Ueno, M.;Katayama, K.;Ikegami, T.;Nakamura, T.;Yanashima, K.;Nakajima, H.;Tasai, K.;Naganuma, K.;Fuutagawa, N.;Takiguchi, Y.;Hamaguchi, T.;Ikeda, M.

    Applied physics express   5 ( 8 )   2012年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.5.082102

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書籍等出版物

  • 窒化物VCSEL研究の研究動向

    月刊「光アライアンス」 2024年7月号(日本工業出版 2024)   2024年7月 

  • レーザー照明ディスプレイ産業動向・市場予測レポート2023

    濱口達史

    オプトロニクス社  2023年 

  • レーザー照明ディスプレイ産業動向・市場予測レポート2021

    濱口達史

    オプトロニクス社  2021年 

  • 2019年度光技術動向調査報告書

    濱口達史

    光産業技術振興協会、光技術動向調査委員会  2020年 

  • 無往不利的超速習法;TOEIC篇

    濱口達史

    智富  2012年 

  • 30日間で900点! 英語嫌いな私のTOEIC(R)TEST勉強法

    濱口達史

    明日香出版社  2011年 

  • 申し訳ないほど効果が上がる英語勉強の7つの方法

    濱口達史

    明日香出版社  2011年 

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講演・口頭発表等

  • 長共振器VCSELと光パラメータ制御

    濱口 達史

    第165回結晶工学分科会研究会・応用電子物性分科会研究例会（合同研究会）  2026年7月 

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    開催年月日： 2026年7月

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 量子計測応用にむけた波長ロックVCSEL

    濱口 達史

    電気学会C部門E部門調査専門委員会合同研究会 第４回新方式および超小型化による精密計測の回路技術調査専門委員会  2026年6月 

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    開催年月日： 2026年6月

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • From Wafer-Scale VCSEL Arrays to Fusion-Class Output: A Photonic-Band Design Framework for Coherent Array Scaling 招待

    Tatsushi Hamaguchi

    the Compound Semiconductor Week (CSW) 2026  2026年5月 

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    開催年月日： 2026年5月

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Coherent Array of VCSEL-modes based on Talbot-like Effect toward Future High-Power Light Source

    Haisong Jiang, Tatsushi Hamaguchi, Miki Isoda, Kiichi Hamamoto

    OPIC2026(LDC)  2026年4月 

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    開催年月日： 2026年4月

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Preliminary Research of Grinding Process of GaN Substrates toward VCSEL Fabrication

    Tao Yang, Baoping Zhang, Ohnishi Kazuki, Tatsushi Hamaguchi

    OPIC2026(LDC)  2026年4月 

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    開催年月日： 2026年4月

    会議種別：ポスター発表  

  • Toward Fusion Applications of VCSEL Arrays: A New Photonic-band Perspective 招待

    Tatsushi Hamaguchi

    OPIC2026(ALPS)  2026年4月 

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    開催年月日： 2026年4月

    記述言語：英語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Fiber Approximation of Curved-Mirror VCSELs for Propagation-Loss Characterization

    Kazuki Ohnishi, Naoki Higuchi, Masayoshi Cho, Masatoshi Tamaru, Tatsushi Hamaguch

    OPIC2026(LDC)  2026年4月 

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    開催年月日： 2026年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

  • 高性能化が進む可視光LD 招待

    濱口達史

    OPICセミナー2026  2026年3月 

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    開催年月日： 2026年3月

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 位相同期されたアレイVCSELとその原子時計や核融合への応用研究 招待

    濱口達史

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「超広帯域通信のための次世代システムの創成に関する研究－光のモード高度制御に関する研究開発－」  2026年3月 

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    開催年月日： 2026年3月

    記述言語：日本語   会議種別：メディア報道等  

  • GaN‑based VCSELs: Review and Perspectives. 招待

    Tatsushi Hamaguchi

    Xiamen University  2026年3月 

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    開催年月日： 2026年3月

    記述言語：英語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • VCSELの新たな応用 -位置可変照明からレーザー核融合まで-

    濱口 達史

    【第１１回可視光半導体レーザー応用シンポジウム】可視光半導体レーザーの多方面への展開 

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    開催年月日： 2026年3月

  • Recent progress on GaN-based VCSELs and individually addressable arrays with curved mirrors 招待

    Kentaro Hayashi, Yukio Hoshina, Tatsuro Jyokawa, Yuichiro Kikuchi, Yuki Nakamura, Koichi Sato, Ohara Maho, Tomohiro Makino, Hiroyuki Miyahara, Takumi Watanabe, Koji Yoneda, Eiji Nakayama, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Noriyuki Fuutagawa

    SPIE Photonics West  2026年1月 

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    開催年月日： 2026年1月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • 可視光VCSELの進展と今後の展望 招待

    濱口達史

    【ハイブリッド開催】レーザー照明・ディスプレイセミナー 「進化する可視光半導体レーザーと新たな応用 ―要素技術・最先端応用、産業動向からレーザー安全、標準化、市場動向まで―」  2025年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年11月

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • VCSELアレイを用いたパワーレーザーへの展望 招待

    濱口達史

    第17回光科学フォーラムサミット『AI時代に不可欠なレーザーフュージョンエネルギー』  2025年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年11月

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • GaN VCSELと半導体レーザーの将来 招待

    濱口達史

    光・レーザー関西2025シンポジウム 

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    開催年月日： 2025年7月

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

    添付ファイル： 20250717「光・レーザー関西2025シンポジウム」のご案内.pdf

  • 凹面鏡を有するGaN系面発光レーザーの光ファイバー近似

    大西一生, 樋口直輝, 張正義, 田丸真稔, 濵口達史

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催年月日： 2024年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Polarization and Modes control of GaN-based VCSELs with curved mirror 招待

    Tatsushi Hamaguchi, Tomohiro Makino, Kentaro Hayashi, Maiko Ito, Maho Ohara, Noriko Kobayashi, Hiroyuki Miyahara, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Takumi Watanabe, Shoetsu Nagane, Yuichiro Kikuchi, Tatsuro Jyokawa, Yukio Hoshina, Eiji Nakayama, Rintaro Koda, Noriyuki Fuutagawa

    The 14th Intl. Conf. on Nitride Semiconductors 

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    開催年月日： - 2023年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 空間的コヒーレンスを有する面発光ドットアレイの自己励振的実現および室温連続動作 招待

    濱口達史

    学振 第125委員会  2023年 

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    開催年月日： - 2023年

    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Latest progress of high-efficient blue and green VCSELs with curved mirror 招待

    Maiko Ito, Tatsushi Hamaguchi, Tomohiro Makino, Kentaro Hayashi, Jared A. Kearns, Maho Ohara, Noriko Kobayashi, Shoetsu Nagane, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Yukio Hoshina, Tatsuro Jyokawa, Takumi Watanabe, Yuichiro Kikuchi, Seiji Kasahara, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Eiji Nakayama, Rintaro Koda, Noriyuki Fuutagawa

    Intl. Display Workshops 2022 

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    開催年月日： - 2022年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Mode control in long cavity VCSELs with a curved mirror 招待

    Jared A. Kearns, Tatsushi Hamaguchi, Kentaro Hayashi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Maiko Ito, Noriko Kobayashi, Tatsuro Jyokawa, Eiji Nakayama, Shoetsu Nagane, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Yukio Hoshina, Yuya Kanitani, Seiji Kasahara, Susumu Kusanagi, Yoshiyuki Kudo, Rintaro Koda, Noriyuki Fuutagawa

    SPIE Photonics West 2022 

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    開催年月日： - 2022年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Blue and Green VCSEL for full color display 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Yukio Hoshina;Tatsuro Jyokawa;Maho Ohara;Kentaro Hayashi;Noriko Kobayashi;Shoetsu Nagane;Koichi Sato;Yuki Nakamura;Jared Kearns;Eiji Nakayama;Rintaro Koda;Hidekazu Kawanishi;Noriyuki Fuutagawa

    Display Week 2020, The Society for Information Display 

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    開催年月日： - 2021年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Mode control of Long-Cavity Blue and Green VCSELs 招待

    Jared A. Kearns;Tatsushi Hamaguchi;Kentaro Hayashi;Maho Ohara;Tomohiro Makino;Maiko Ito;Noriko Kobayashi;Tatsuro Jyokawa;Eiji Nakayama;Shoetsu Nagane;Koichi Sato;Yuki Nakamura;Yukio Hoshina;Yuya Kanitani;Seiji Kasahara;Susumu Kusanagi;Yoshiyuki Kudo;Rintaro Koda;Noriyuki Fuutagawa

    14th Intl. Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 

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    開催年月日： - 2021年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Sony’s blue and green VCSELs for future applications 招待

    Tatsushi Hamaguchi

    European Photonics Industry Consortium meeting on VCSELs 

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    開催年月日： - 2019年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • GaN-VCSEL with lateral confinement by monolithic curved mirror and boron ion implantation 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Hiroshi Nakajima;Masayuki Tanaka;Noriko Kobayashi;Tatsuya Matou;Maiko Ito;Tatsuro Jyokawa;Kentaro Hayashi;Maho Ohara;Hideki Watanabe;Rintaro Koda;Katsunori Yanashima

    Intl. Conf. on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2019 

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    開催年月日： - 2019年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • CW operation of GaN-VCSEL using an atomically smooth monolithic curved mirror 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Hiroshi Nakajima;Masayuki Tanaka;Noriko Kobayashi;Tatsuya Matou;Maiko Ito;Tatsuro Jyokawa;Kentaro Hayashi;Maho Ohara;Hideki Watanabe;Rintaro Koda;Katsunori Yanashima

    Intl. Workshop of Nitride Semiconductors 2018 

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    開催年月日： - 2018年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Recent progresses in GaN-based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers having dielectric Distributed Bragg Reflectors 招待

    Hiroshi Nakajima;Tatsushi Hamaguchi;Jugo Mitomo;Masamichi Ito;Maho Ohara;Masayuki Tanaka;Noriko Kobayashi;Hideki Watanabe;Kentaro Fuji;Rintaro Koda;Hironobu Narui

    Conf. on Lasers and Electro-Optics 2018 

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    開催年月日： - 2018年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Continuous wave operation of high-power GaN-based blue vertical-cavity surface-emitting lasers using epitaxial lateral overgrowth 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Noriyuki Fuutagawa;Shoichiro Izumi;Masahiro Murayama;Hironobu Narui

    SPIE Photonics West 2016 

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    開催年月日： - 2016年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • mW class Blue GaN-based Vertical-Cavity-Surface-Emitting-Lasers with reliable intra-cavity contact

    Tatsushi Hamaguchi;Susumu Sato;Kunihiko Tasai;Shoichiro Izumi;Noriyuki Fuutagawa;Hironobu Narui

    Laser Display and Lighting Conf. 2016 

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    開催年月日： - 2016年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • W-class GaN-based Blue Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Using Epitaxial Lateral Overgrowth 招待

    Tatsushi Hamaguchi;Noriyuki Fuutagawa;Shoichiro Izumi;Masahiro Murayama;Masaru Kuramoto;Hironobu Narui

    11th Intl. Conf. on Nitride Semiconductors 

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    開催年月日： - 2015年

    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 窒化物面発光レーザの実現と、今後の展望 招待

    濱口達史

    応用物理学会 微小光学研究会 「面発光レーザ誕生45周年シンポジウム」  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（指名）  

  • 凹面鏡型窒化物面発光レーザの均一性および高効率駆動 招待

    渡邊匠, 伊藤まいこ, 濱口達史, 牧野智大, 林賢太郎, ジャレッドカーンズ, 大原真穂, 小林紀子, 長根昭悦, 佐藤晃一, 仲村友希, 保科幸男, 條川達郎, 菊地雄一郎, 仲山英次, 幸田倫太郎, 風田川統之

    第29回レーザーディスプレイ技術研究会  2022年 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 凹面鏡を用いた可視光面発光レーザ 招待

    濱口達史, 林賢太郎, ジャレッドカーンズ, 伊藤まいこ, 牧野 智大, 小林 紀子, 大原 真穂, 幸田倫太郎, 風田川統之

    ワイドギャップ半導体学会 第6回研究会  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • ソニーにおける凹面鏡を用いた可視光面発光レーザの開発 招待

    濱口達史

    応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 窒化物半導体レーザーの長波長化および緑色の実現 招待

    保科幸男, 濱口達史, 林賢太郎, ジャレッドカーンズ, 條川達郎, 大原真穂, 小林紀子, 牧野智大, 長根昭悦, 伊藤まいこ, 仲山英次, 幸田倫太郎, 風田川統之

    日本レーザー学会 第42回学術講演会年次大会  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • Determination of deformation potentials of InGaN alloy materials based on photoluminescence polarization measurements under uniaxial stress application 招待

    Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda

    SPIE Photonics West 2024  2024年1月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • 時間分解PL測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定

    伊藤 央祐, 森 恵人, 山口 敦史, 伊藤 まいこ, 幸田 倫太郎, 濱口 達史

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 受賞記念講演 {20−21}面上に形成した凹面鏡を有する緑色窒化物面発光レーザの室温連続発振 招待

    濱口達史

    応用物理学会 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 凹面鏡型InGaN VCSELの高効率駆動およびフィルターミラーによる縦モード制御 招待

    濵口 達史

    日本レーザー学会 第43回学術講演会年次大会  2023年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 凹面鏡を有する窒化物VCSELの高効率駆動ならびにモード制御 招待

    濱口達史

    ＧａＮコンソーシアム 2022年度光デバイスWG講演会  2022年 

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    記述言語：日本語   会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定

    森恵人, 山口敦史, 牧野智大, 大原真穂, 濱口達史, 幸田倫太郎

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)  2023年 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 一軸性応力印加によるc面上InGaN量子井戸の偏光制御

    森恵人, 山口敦史, 大原真穂, 牧野智大, 幸田倫太郎, 濱口達史

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  2023年 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Optical fiber approximation of GaN-based vertical-cavity surface emitting laser diodes with monolithic curved mirror

    Kazuki Ohnishi, Naoki Higuchi, Masayoshi Cho, Masatoshi Tamaru, Tatsushi Hamaguchi

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024)  2024年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Highly efficient and three-modes controlled GaN-based VCSELs with a long cavity and a curved mirror structure

    Tomohiro Makino, Maiko Ito, Kentaro Hayashi, Maho Ohara, Hiroyuki Miyahara, Koichi Sato, Yuki Nakamura, Takumi Watanabe, Yuichiro Kikuchi, Tatsuro Jyokawa, Yukio Hoshina, Eiji Nakayama, Rintaro Koda, Noriyuki Futagawa, Tatsushi Hamaguchi

    12th International Workshop on Nitride Semiconductors  2024年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Carrier Diffusion and Recombination Processes in Ingan Quantum-Well Structures 招待

    Atsushi A. Yamaguchi, Keito Mori-Tamamura, Tatsushi Hamaguchi, Shigetaka Tomiya

    17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025)  2025年3月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • GaN-based VCSELs and Future of Semiconductor Lasers

    濱口達史

    Electrical and Computer Engineering(ECE) Graduate Seminar  2025年4月 

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    開催地：サウジアラビア  

  • 応用物理学会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学-発光再結合の解明と制御」 招待

    濱口達史;御友重吾;中島博;佐藤進;伊藤仁道;川西秀和;成井啓修

    応用物理学会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学-発光再結合の解明と制御」  2016年 

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    会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

  • 究奨励賞記念講演 凹面鏡を用いた窒化物面発光レーザの研究および開発 招待

    濱口達史

    日本学術振興会 第162委員会研究会 114回研究会  2019年 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 凹面鏡を用いた窒化物面発光レーザ ~新たな半導体レーザを求めて~ 招待

    濵口 達史

    第38回電子材料シンポジウム  2019年 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 青色および緑色VCSELとその応用 招待

    濱口達史

    NPO法人日本フォトニクス協議会 関西支部 講演会  2020年 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

  • 極性基板および半極性GaN基板を用いた窒化物面発光レーザ 招待

    仲山英次;濱口達史;林賢太郎;ジャレッドカーンズ;保科幸男;條川達郎;大原真穂;小林紀子;牧野智大;長根昭悦;伊藤まいこ;幸田倫太郎;風田川統之

    ⽇本学術振興会 第145委員会  2021年 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

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所属学協会

  • 応用物理学会

    2024年4月 - 現在

  • 日本レーザー学会

    2024年4月 - 現在

委員歴

  • IEEE Photonics Conference (IPC)   IEEE Photonics Conference (IPC) 委員  

    2024年2月 - 現在   

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    団体区分：学協会

  • 日本レーザー学会 レーザー産業賞選考委員会   選考委員  

    2022年6月 - 2025年3月   

  • Micro-optics conference, Program committee   Committee member  

    2022年2月 - 現在   

  • 応用物理学会 微小光学研究会   実行委員  

    2022年2月 - 現在   

  • ワイドバンドギャップ半導体学会   企画副査(2023年まで) 企画主査(2023年以降)  

    2021年5月 - 現在   

  • Intl. Conf. of Solid State Device and Materials, Program committee   Committee member  

    2020年1月 - 2022年   

  • 日本光学会 レーザーディスプレイ技術研究グループ   実行委員  

    2019年8月 - 現在   

  • Laser Display and Lighting Conference, Program committee Committee member   Co-vice chair  

    2018年11月 - 2020年   

  • 日本電気学会 パワー光源及び応用システム調査専門委員会   委員  

    2018年5月 - 現在   

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教育活動概要

  • 総合理工学府総合理工学専攻デバイス・システムメジャー　

    工学部融合基礎工学科

    工学部電気情報工学科

担当授業科目

  • 融合工学概論Ⅰ

    2026年4月 - 現在   前期

  • 半導体デバイス工学A

    2026年4月 - 現在  

  • 現代物理学基礎

    2026年4月 - 2026年9月   前期

  • 量子力学

    2026年4月 - 2026年9月   前期

  • 光デバイス･システム基礎/Basic Optical Device System

    2025年4月 - 現在  

  • 先端工学特論

    2025年4月 - 現在  

  • 光エレクトロニクス

    2025年4月 - 現在  

  • 総合理工学修士実験

    2025年4月 - 現在  

  • 総合理工学修士演習

    2025年4月 - 現在  

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他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

  • 2026年  三重大学　研究基盤推進機構  国内外の区分:国内 

  • 2025年  三重大学　研究基盤推進機構  区分:客員教員 

国際教育イベント等への参加状況等

  • 2026年3月

    Xiamen University

    Xiamen University special seminor

  • 2025年4月

    King Abdullah University of Science and Technology

    Electrical and Computer Engineering(ECE) Graduate Seminar

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    開催国・都市名：サウジアラビア

メディア報道

  • サイラジ！光の未来探検 テレビ・ラジオ番組

    ラジオ大阪  2026年4月