生駒 嘉史(いこま よしふみ) | データ更新日:2024.04.09 |
大学院(学府)担当
学部担当
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ホームページ
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研究者プロファイリングツール 九州大学Pure
取得学位
博士(工学)
専門分野
バルクナノ半導体材料, 半導体薄膜成長
ORCID(Open Researcher and Contributor ID)
0000-0001-5483-464X
外国での教育研究期間(通算)
00ヶ年00ヶ月
活動概要
1. 巨大ひずみ加工によるバルクナノ結晶粒半導体材料に関する研究
High-Pressure Torsionを用いて、巨大ひずみ加工によるバルクナノ半導体材料創製に関する研究を行っている。
2. パルスジェットCVD法による薄膜形成に関する研究
パルス超音速フリージェットを用いて、化学気相堆積法(CVD)によるSiC/Si系ナノ薄膜形成、ナノポア、一次元ナノ結晶成長に関する研究を行っている。
High-Pressure Torsionを用いて、巨大ひずみ加工によるバルクナノ半導体材料創製に関する研究を行っている。
2. パルスジェットCVD法による薄膜形成に関する研究
パルス超音速フリージェットを用いて、化学気相堆積法(CVD)によるSiC/Si系ナノ薄膜形成、ナノポア、一次元ナノ結晶成長に関する研究を行っている。
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