九州大学 研究者情報
発表一覧
加藤 喜峰(かとう よしみね) データ更新日:2022.07.01

准教授 /  工学研究院 材料工学部門 材料機能工学


学会発表等
1. 森岡 誠, 嶌田 圭祐、加藤 喜峰, 超音波を用いたヘリウムガス濃度の測定, 令和3年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.
2. 松尾 誠也, Ting Pan, Huan Zhu, Lusato M. Majula,加藤 喜峰, Siペーストを用いたpn接合太陽電池製作時の酸化抑制, 令和3年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.
3. 佐藤 凌,Huan Zhu, 窪木 祐介, 加藤 喜峰, Siペーストの低温焼結によるpn接合形成, 令和3年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.
4. Huan Zhu, Yusuke Kuboki, Morihiro Sakamoto, Yoshimine Kato, Effect of Low Temperature Annealing on pn Junction Formation Using Si Paste, 2021 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference, 2021.04.
5. 山本 裕晴、Ting PAN、 徳満 幸夫、有田 護、井上 雅弘、加藤 喜峰, 多重反射ラマン散乱光 を用いた水素ガス検知, 令和2年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11.
6. 嶌田 圭祐、木戸 拓哉、Ting Pan、山本 裕晴、加藤 喜峰, ガス管中の水素とヘリウムガス置換の挙動, 令和2年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11.
7. Ting Pan, Huan Zhu, 佐藤 凌,加藤 喜峰, 熱処理中のTi膜のSiペースト酸化に及ぼす影響, 令和2年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2020.11.
8. Akitoshi Matsuda, Yoshimine Kato, Model-Based Sensor System for Measuring Gas Concentration by Ultrasound, 2020 IEEE 9th Global Conference on Consumer Electronics (GCCE) Conference, 2020.10.
9. Ting Pan, Zhu Huan, Morihiro Sakamoto, Hiroshige Matsumoto, Yoshimine Kato, Effect of rapid thermal annealing on fabricating pn-junction device by Si paste, 九州大学エネルギーウィーク2020, 2020.01.
10. Takuya Kido, Mahjabin Taskin, Ting Pan, Yusei Yamamoto, Toshimitsu Tanaka, Masahiro Inoue and Yoshimine Kato , Observation of H2 Gas Replacement in a Pipeline Using Ultrasonic, International Conference on Sustainable Energy and Green Technology, SEGT 2019, 2019.12.
11. 坂本 盛敬, Zhu Huan, Li Yan, 窪木 祐介, 加藤 喜峰, カーボンブラックを添加したSi ペーストの酸化に及ぼす影響, 令和元年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2019.11.
12. 村本泰啓, PAN TING, 加藤 喜峰, カーボンを蒸着したSi(001)基板上のSiC 成長, 令和元年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2019.11.
13. 木戸 拓哉, Mahjabin Taskin, Ting Pan, 山本 裕晴, 田中 俊光, 井上 雅弘, 加藤 喜峰 , 超音波によるパイプ内の水素ガス置換の観測, 令和元年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2019.11.
14. Huan Zhu, Yoshimine Kato, Kungen Teii, Rapid Thermal Annealing on Si film and pn-junction formation by Si paste, TACT2019 International Thin Films Conference, 2019.11, The cost of making a Si wafer is the biggest barrier to prevent further large scale installation which partly comes from wasting the saw dust during wafering process. In an attempt to save the manufacture cost, we have first introduced a novel way to fabricate Si homojunction based solar cells by Si pastes to skip all Czochralski Si ingot growth procedures [1]. In this research, Si pastes were prepared from grinded the n or p-type Si slices through a planetary ball miller. The pn-junction device was directly fabricated by coating p-type and n-type Si pastes on an Al sputtered carbon substrate. Rapid thermal annealing (RTA) was performed for recrystallization of Si paste and suppressing the oxidation of Si films in an infrared heating furnace, and RTA temperatures were controlled from 1150 to 1300 ℃ while annealing periods were set as 1s, 5s, 10s, 30s, 1min, 5min and 10min to optimize the RTA parameters. Raman spectra and X-ray diffraction patterns were used for identifying the crystallization of Si films. Fourier Transform Infrared Spectroscopy was utilized for evaluating the oxidation level of Si films after annealing process, and microstructure of device was observed by scanning electron microscope, finally, current-voltage characteristics measurements were performed by a power device analyzer/curve tracer. As a result, typical rectify performance was acquired with pn device, structure porosity and oxidation condition were improved by rapid thermal annealing. Photo-induced current was also confirmed under the AM1.5 illumination. Since this low cost Si paste showed huge potential for solar cell manufacturing, it was expected that such low cost solar cell would spread out in the world..
15. Y. Kato, Si paste as a novel printing electronic material, International Conference on Materials Science and Engineering, 2019.09.
16. Y. Kato, H. Fukuoka, M. Taskin, and Akitoshi Matsuda, Oxygen Concentration Measurement in the Air by using Ultrasonic, The International Conference on Advanced Materials Science and Engineering (AMSE 2019), 2019.03.
17. Yan Li, Yoshimine Kato, pn junction formation by Si paste coated on metal substrates, 九州大学エネルギーウィーク2019, 2019.01.
18. Yan Li, Yoshimine Kato, Removal of oxides and surface texturization of crystalline Si wafer by ion beam etching, 2018 International Conference on Power, Energy and Materials Engineering (PEME2018), 2018.12.
19. 井上雅弘, 加藤 喜峰, Bing-rui Li, In situ Measurement of Thermal Conductivity and Diffusivity of Rock, International Symposium in Mine Ventilation (SIVM 2018), 2018.11.
20. 井上雅弘, 加藤 喜峰, Bing-rui Li, Development of a New Remote Sensor for Concentration and Location of Various Gases in Mines, International Symposium in Mine Ventilation (SIVM 2018), 2018.11.
21. Mahjabin Taskin, 木戸 拓哉, 井上雅弘, 加藤 喜峰, Ultrasonic Flow Meter for Mine Ventilation, International Symposium in Mine Ventilation (SIVM 2018), 2018.11.
22. Mahjabin Taskin, 木戸 拓哉, 井上雅弘, 加藤 喜峰, Methane Detection in Airflow using Ultrasound from Exterior of the Ventilation Pipe, International Symposium in Mine Ventilation (SIVM 2018), 2018.11.
23. Mahjabin Taskin, 木戸 拓哉, 加藤 喜峰, Flowing H2 Gas Concentration Measurement Using Ultrasound from Exterior of the Pipe, IEEE Sensors 2018, 2018.10.
24. Mahjabin Taskin, 内海 銀志朗, 加藤 喜峰, Observation of Ultrasound Wave from Exterior of a Metal Pipe for Flowing Gas Measurement, IWPMA2018 (Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators), 2018.09.
25. 水蘆嵩人, 松田昭信, 加藤 喜峰, 古君 修, 超音波を用いた 超音波を用いた 1,11,11,1-ジフルオロエタンの気体濃度測定に関する研究, 日本金属学会他 九州支部 平30年度合同学術講演会, 2018.06.
26. 内海 銀志朗, Mahjabin Taskin, 加藤 喜峰, 古君 修, 超音波を用いた金属管内の気体濃度変化の観測, 日本金属学会他 九州支部 平29年度合同学術講演会, 2017.06, 超音波を用いて金属管内の水素濃度変化を管の外側から穴を開ける事無く測定することに成功した。本研究では、気体中を伝わる音波の音速が変化することを利用して、混入した気体の濃度を求める。超音波を用いた測定装置は安価であり構造が単純であるため、今後多種多様の気体の濃度をガス管の外側から測定できる事が期待される。.
27. 原﨑俊栄, 加藤 喜峰, 梶原隆司, 田中 悟, 堤井 君元, エチレン(C2H4)を用いたSi(100)基板表面の炭化, 平28年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2016.12.
28. Yoshimine Kato, Hirotsugu Tsuchida, Kent Dobara, Masatoshi Aramaki, Osamu Furukimi, Hydrogen Trap in Seashells, PRiME 2016 (Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science), 2016.10.
29. 折田 昂優, 原田 駿, 上岡 貞登, 松本 広重, 加藤 喜峰, 奥山 勇治, Si ミリング中の雰囲気制御による電気伝導性の向上, 平26年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2014.12.
30. 渡辺雄輝, 葛 晰遥, 国友 和也, 古君 修, 加藤 喜峰, He, H2の比熱比の新測定法:超音波の利用, 第35回 日本熱物性シンポジウム, 2014.11.
31. Yoshimine Kato, Masahiro INOUE, Hiroshi Furukawa, Munehiro Iwakura, Wireless network of gas concentration detection using ultrasonic devices
, 10th INTERNATIONAL MINE VENTILATION CONGRESS 2014, 2014.08.
32. 葛 晰遥, 渡辺雄輝, 平松 智寛, 加藤 喜峰, 超音波によるSUS管中の水素ガス濃度測定, 日本金属学会他 九州支部 平26年度合同学術講演会, 2014.06.
33. 渡辺雄輝, 平松 智寛, 葛 晰遥, 国友 和也, 古君 修, 加藤 喜峰, 超音波を用いた水素とヘリウムの比熱比の測定, 日本金属学会他 九州支部 平26年度合同学術講演会, 2014.06.
34. 平松 智寛, 葛 晰遥, 藤田 秀朗, 古君 修, 加藤 喜峰, 超音波による水素とヘリウムの比熱比測定, 電子情報通信学会 超音波研究会, 2014.02.
35. 葛 晰遥, 平松 智寛, 加藤 喜峰, HYDROGEN GAS CONCENTRATION MEASUREMENT FROM EXTERIOR OF A PIPELINE BY USING ULTRASONIC
, International Conference on Hydrogen Production - 2014, 2014.02.
36. 葛 晰遥, 平松 智寛, 加藤 喜峰, 超音波による管中の水素ガス濃度測定, 水素エネルギー協会大会(HESS大会), 2013.12.
37. 井ノ口 裕士, 原田 駿, 奥山 勇治, 松本 広重, 田中 悟, 加藤 喜峰, 微結晶Siペーストのアニールによる結晶性回復とその評価, 平25年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2013.11.
38. 下田 尚孝, 加藤 喜峰, 堤井 君元, ナノクリスタルダイヤモンド薄膜の各種オーミック電極, SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, 2013.12.
39. 土田 大嗣, 安丸 義人, 奥山 勇治, 松本 広重, 加藤 喜峰, 微細粒化した長残光材料の発光特性, 平25年度 応用物理学会九州支部学術講演会, 2013.11.
40. 加藤 喜峰, 堤井 君元, ナノダイヤモンド膜のプラズマCVD合成と電子応用技術, 第15回応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会プラズマ新領域研究会, 2013.11.
41. N. Shimoda, R. Amano, Yoshimine Kato, KUNGEN TEII, The Ohmic Electrode of the Thin Nanocrystalline Diamond Film at High Temperatures, Diamond and Carbon Materials 2013, 2013.09.
42. 下田 尚孝, 加藤 喜峰, 堤井 君元, ナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極特性, 日本金属学会他九州支部 平25年度合同学術講演会, 2013.06.
43. 福岡 浩彰, 葛 晰遥, 加藤 喜峰, 井上 雅弘, 藤田 秀朗, 超音波を用いた高精度ガス濃度測定法, 電子情報通信学会 超音波研究会, 2013.01.
44. 天野 僚, 下田 尚孝, 加藤 喜峰, 堤井 君元, p型4H‐SiC/n型ナノクリスタルダイヤモンド ダイオードの高温動作, 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会 , 2012.11.
45. 井ノ口 裕士, 酒井 孝明, 松本 広重, 加藤 喜峰, 微結晶Siペーストによるpn接合の形成およびその評価, 日本金属学会他九州支部 平24年度合同学術講演会, 2012.06.
46. 下田 尚孝, 天野 僚, 加藤 喜峰, 堤井 君元, 高温時におけるナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極の特性, 日本金属学会他九州支部 平24年度合同学術講演会, 2012.06.
47. Hiroaki Fukuoka, Masahiro Inoue, Yoshimine Kato, and Hideaki Fujita, Gas Concentration Measurment using Ultrasonic, The 1st IEEE Global Conference on Consumer Electronics 2012, 2012.10.
48. Y. Kato, M. Goto, R. Amano, N. Shimoda, and K. Teii, Electrical Characteristics of 4H-SiC/Nanocrystalline Diamond pn Junctions, Diamond and Carbon Materials 2012, 2012.09.
49. Hiroaki Fukuoka, Jinhyuck Jung, Hideaki FUJITA, Yoshimine KATO, and Masahiro INOUE, Standard Measurement of Hydrogen Concentration using Ultrasonic, 9th World Hydrogen Energy Conference 2012(WHEC2012), 2012.06.
50. 野田知宏、荒牧正俊、奥田金晴、加藤喜峰、古君修, 摺動性に及ぼすDLC成膜前の表面粗さの影響, 日本鉄鋼協会 平成24年度春季講演大会 材料とプロセス, 2012.03.
51. 野田知宏、荒牧正俊、奥田金晴、加藤喜峰、古君修, 摺動性に及ぼすDLC成膜前の表面粗さの影響, 日本熱処理技術協会平成23年度秋季講演大会, 2011.12.
52. Masaki Goto, Ryo Amano, Yoshimine Kato, Kungen Teii, Fabrication and characterization of Si/ and SiC/nanocrystalline diamond pn junctions, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), 2011.09.
53. Jinhyuck Jung, Masashi SONOYAMA, Hideaki FUJITA, and Yoshimine KATO, The novel hydrogen sensor using ultrasonic, International Congress on Hydrogen Production (ICH2P-11), 2011.06.
54. 野田知宏 、奥田金晴、荒牧正俊 、加藤喜峰、 古君修, DLC成膜による摩擦係数変化に関する前処理の影響, 日本金属学会九州支部 合同学術講演会, 2011.06.
55. 天野 僚,五島 正基,加藤 喜峰,堤井 君元, 半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究, 日本金属学会九州支部 合同学術講演会, 2011.06.
56. 安丸義人、加藤 喜峰、酒井 孝明、松本 広重, ナノサイズ化した長残光燐光材料, 日本金属学会九州支部 合同学術講演会, 2011.06.
57. 五島 正基, 古閑 彰, 山田 和広, 加藤 喜峰, 堤井 君元, マイクロ波プラズマCVD法を用いたp-Si上の3C-SiC/n型ナノクリスタルダイヤモンド薄膜の成長, 応用物理学会九州支部, 2010.11.
58. 加藤 喜峰, 超音波を使った携帯型高速水素検出器, 九州新技術・新工法展示商談会 プレゼンテーションコーナー, 2010.11.
59. Toshiyasu ETO, Naoya YAMADA, Yoshimine KATO, Masatoshi ARAMAKI, Yoshimasa FUNAKAWA and Osamu FURUKIMI, Fatigue Strength in High Strength Steel Sheet with a Punched Hole, International Conference on Advanced Steels (ICAS), 2010.11.
60. Satoshi UCHIDA, Takasi YAMAMOTO, Masayuki YAMAMOTO, Masatoshi ARAMAKI, Yoshimine KATO, Kyono YASUDA and Osamu FURUKIMI, Nano-indentated Hardness of Bainite Phase in 0.8%C Dual Phase Steels, International Conference on Advanced Steels (ICAS), 2010.11.
61. Masashi SONOYAMA, Hideaki FUJITA, and Yoshimine KATO, Application of Ultrasonic to a Hydrogen Sensor, IEEE SENSORS 2010 Conference, 2010.11.
62. Yoshimine Kato, Masashi Sonoyama, An Ultrasonic Hydrogen Sensor for practical use, 12th Int. Symp. on Materials Science and Engineering between Kyushu Univ. and Chonbuk National Univ., 2010.10.
63. Yoshimine KATO, Akira KOGA, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, Kungen TEII, Growth of 3C-SiC/nanocrystalline diamond films on Si (001) by microwave plasma-assisted carbonization and deposition, 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 8th), 2010.08.
64. 加藤 喜峰, 超音波を用いた水素センサー, 福岡水素エネルギー戦略会議 平成22年度 第2回 研究分科会, 2010.08.
65. 五島正基、古閑彰、加藤喜峰、堤井君元, マイクロ波プラズマCVD法によるSi/SiC/NCD膜の成長及び評価, 日本金属学会九州支部 合同学術講演会, 2010.06.
66. Yoshimine Kato, Masashi Sonoyama, Hideaki Fujita , An Ultrasonic Hydrogen Sensor, 2010 The Korean Ceramic Society Symposium, 2010.04.
67. 園山 将士、藤田 秀朗、加藤 喜峰, 超音波を用いた水素センサーの温度特性, The 30th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2009), 2009.11.
68. Yoshimine Kato, Tomohiko Horikawa, Tomohiro Ikeda, and Kungen Teii, SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD, 16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams -SMMIB2009-, 2009.10.
69. Yoshimine Kato, Masahiro Inoue, Hideaki Fujita, Hiroshi Baba, Katsumi Ohira, A Hydrogen Sensor using Ultrasonic, 自動車技術会, 2009.05.
70. Ayataka Endo, Mai Ogasawara, Atsushi Takahashi, Yoshimine Kato and Chihaya Adachi, Photophysical and Electroluminescent Properties of SnF2-OEP having Thermally Activated Delayed Fluorescence, Materials Research Society, 2008.12.
71. 小笠原舞, 遠藤礼隆, 高橋敦史, 加藤喜峰, 安達千波矢, 熱活性化遅延蛍光を有するSnF2(OEP)のPL及びOLED特性, 応用物理学会九州支部, 2008.11.
72. 遠藤礼隆, 小笠原舞, 高橋敦史, 加藤喜峰, 安達千波矢, 熱活性化遅延蛍光を発光層に用いた新機構有機LED, 有機EL討論会, 2008.11.
73. Yoshimine Kato, 超音波を用いた水素センサーに関する研究, The 29th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2008), 2008.11.
74. Yoshimine Kato, Diamond like carbon (DLC) films applied for liquid crystal display alignment layer, 2008 ITRI and KU joint Symposium, 2008.07.
75. 加藤 喜峰、作元 一雄, アンジュレーションSi(001)基板上へのSiC核形成および成膜, 第13回九州薄膜表面研究会, 2008.06.
76. Yoshimine Kato, Nucleation of SiC on as-received and undulated Si(001) substrates, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, 2007.10.
77. 田平弘介,生駒嘉史,加藤喜峰,本岡輝昭, SIMOX基板上極薄Si層における正孔移動度の増大, 応用物理, 2006.03.
78. M. Uenuma, Y.Ikoma, Y. Kato and T. Motooka, Design and Fabrication of Temperature-Independent Arrayed-Waveguide Grating Demultiplexers on SOI Substrates, 2005 IEEE Int. SOI Conf., 2005.10.
79. 小野研太、河合信次,生駒 嘉史、加藤 喜峰、本岡 輝昭, 希土類イオン注入4H-SiCの光学特性, 日本金属学会九州支部 合同学術講演会, 2005.06.
80. Yoshimine Kato, For better viewing sense in LCD (liquid crystal displays): DLC film used as an alignment layer with an ion beam technology, 6th Int. Sympo. on Materials Science and Engineering between Kyushu Univ. and Chonbuk National Univ., 2004.10.
81. 正木孝佳,河合信次,加藤喜峰,本岡輝昭, 超音速フリージェットCVDによるDyドープSiドットの作製, 応用物理, 2004.09.
82. Y. KATO, H. KAMIYA, Novel Alignment layer: A Diamond-like Carbon Film without Alignment Process, 23th Int. Display Research Conf., 2003.09.
83. Yukito SAITOH, Yoshiki NAKAGAWA, Hiroyuki SATOH and Yoshimine KATO, Optical Anisotropy of Polymer Film Exposed to Ion Beam and its Modeling, 23th Int. Display Research Conf., 2003.09.
84. Y. KATO, Y. NAKAGAWA, Y. SAITOH, H. SATOH, S. ODAHARA, M. HASEGAWA, P. CHAUDHARI, J. DOYLE, S. LIEN, A. CALLEGARI, J. RITSUKO, M. SAMANT, and J. STOHR, Hydrogenated amorphous carbon film used as an alignment layer for liquid crystal displays, 22th International Display Research ConferenceEuro Display '02, 2002.10.
85. Y. NAKAGAWA, Y. KATO, Y. SAITOH, K. SAKAI, H. SATOH, K. WAKO, S. ODAHARA, T. NAKAMURA, J. NAKAGAKI, H. NAKANO, P. CHAUDHARI, J. LACEY, J. DOYLE, E. GALLIGAN, S. LIEN, A. CALLEGARI, G. HOUGHAM, P. ANDRY, R. JOHN, M. LU, C. CAI, J. SPEIDELL, S. PURUSHOTHAMA, Novel LC alignment method using diamond like carbon film and ion beam alignment, Society for Information display International Symposium SID'01, 2001.06.
86. Y. KATO, Initial Stage of ITO Plasma Etching using CH4 or C2H2 Gas, 19th Int. Display Research Conf.Euro Display '99, 1999.09.
87. Y. KATO, Y. KAIDA, Y. MIYOSHI, and M. ATSUMI, A-SiGe:H and a-SiGeC:H Used as Black-Matrix on Arrays for TFT-LCD's, 39th Electronic Materials Conference, 1997.06.

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