| 草場 彰（くさば あきら） | データ更新日：2024.04.01 |
准教授 ／
応用力学研究所
新エネルギー力学部門
材料情報学
| 1. | 草場彰, 寒川義裕, 計算科学と機械学習による窒化物半導体結晶成長の研究（研究室紹介）, クリスタルレターズ, Vol.85, pp.60-64, 2024.01, [URL]. |
| 2. | 草場 彰, 窒化ガリウム結晶成長への情報科学技術の活用（特集「JST ACT-X AI活用で挑む学問の革新と創成」）, 日本ロボット学会誌, Vol.41, No.8, p.680, 2023.10, [URL]. |
| 3. | 草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳, GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状（特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開：シミュレーションからデジタルツインへ」）, 日本結晶成長学会誌, Vol.50, No.1, p.50-1-05, 2023.04, [URL]. |
| 4. | 寒川義裕, 草場彰, 窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展（特集「結晶成長ダイナミクスの展望－平衡過程と非平衡過程の協奏－」）, 表面と真空, Vol.66, No.4, pp.227-232, 2023.04, [URL]. |
| 5. | 佐々木真, 河原吉伸, 草場彰, データ駆動アプローチを用いた動的乱流現象の解析（小特集「磁場閉じ込め核融合プラズマにおけるデータ駆動アプローチによる物理モデリングの進展」）, プラズマ・核融合学会誌, Vol.97, No.2, pp.79-85, 2021.02, [URL]. |
| 6. | Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations (Special Issue: Recent Progress in Growth of Nitride Semiconductors for Realization of Deep Ultraviolet Optoelectronic Devices), Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol.47, No.3, p.47-3-05, 2020.10, [URL]. |
| 7. | 草場 彰, 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究, 九州大学学位論文, 2019.03, [URL]. |
| 8. | 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析（特集「特異構造の結晶科学～結晶成長と構造・物性相関～」）, 日本結晶成長学会誌, Vol.45, No.1, p.45-1-03, 2018.04, [URL]. |
| 9. | 寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯, 窒化物半導体MOVPEの熱力学解析 ～面方位依存性～（特集「エピタキシーの基礎～ステップダイナミクスと熱力学的考察～」）, 日本結晶成長学会誌, Vol.43, No.4, pp.233-238, 2017.08, [URL]. |
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