TERASHIMA TOMOHIDE
Organization
Faculty of Information Science and Electrical Engineering Department of Electronics Professor
School of Engineering Department of Electrical Engineering and Computer Science（Concurrent）
Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Department of Electrical and Electronic Engineering（Concurrent）
Joint Graduate School of Mathematics for Innovation
（Concurrent）
Title
Professor
Contact information
Tel
0928023690
Degree
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博士（工学） ( 大阪大学 )
Research History
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Kyushu University
2024.4 - Present
Papers
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SiC MOSFET – Key device for future electrification – Invited
Tomohide Terashima
AWAD2021 2021
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An Analytical Evaluation of Performance Limit for PiN diodes and IGBTs
Tomohide Terashima
IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2021 16 583 - 591 2021
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Development of an Accurate SPICE Model for a new 1.2-kV SiCMOSFET device
Takashi Masuhara, Takeshi Horiguchi, Yasushige Mukunoki1, Tomohide Terashima, Naochika Hanano, and Eisuke Suekawa
PCIM Europe 2020 407 - 410 2020 （ ISBN:978-3-8007-5245-4 ）
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A Comparative Study of SPICE models for an SiC-MOSFET Reviewed
Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani
PCIM Europe 2019 1958 - 1962 2019 （ ISBN:978-3-8007-4938-6 ）
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An Improved SPICE Model for a 1.2-kV, 36-A Discrete SiC-MOSFET With Higher Accuracy for a Wide Range of Drain Currents Reviewed
Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani
21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe) 1 - 5 2019
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An Analytical Calculation for Lowest Forward Voltage of PiN Diodes Reviewed
Tomohide Terashima
IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2019 14 1518 - 1523 2019
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電力変換技術におけるパワーデバイスの動作についての解析的考察及び、その駆動技術に関する研究
寺島知秀
博士学位論文 大阪大学大学院工学研究科 2017.7
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Recent Progress and challenges in SiC MOSFET for Power Applications Invited
T. Terashima and S. Hino
TWHM 2017 57 - 58 2017
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High-Voltage Integrated Circuits: History, State of the Art, and Future Prospects
Don Disney, Ted Letavic, Tanya Trajkovic, Tomohide Terashima, Akio Nakagawa
IEEE Trans. Electron Devices 64 ( 3 ) 659 - 673 2017
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SiCパワーデバイスの性能向上とその限界 -自己発熱の影響について-
寺島知秀
第81回半導体･集積回路シンポジウム 2017
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An Analytical Investigation for the Switching Loss of Power Devices Reviewed
Tomohide Terashima and Yasufumi Fujiwara
IEEJ Trans on Electronics, Information and Systems 137 ( 9 ) 1219 - 1227 2017
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Investigation of High Level Injection State of PiN Diodes by Comparing Simulation Results and Analytical Theory Reviewed
Tomohide Terashima and Yasufumi Fujiwara
IEEJ Trans on Electronics, Information and Systems 137 ( 7 ) 918 - 926 2017
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Review of Integration Trends in Power Electronics Systems and Devices Invited
Gourab Majumdar, Takeshi Oi, Tomohide Terashima, Shiori Idaka, Dai Nakajima and Yoichi Goto
CIPS2016 2016 （ ISBN:978-3-8007-4171-7 ）
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Characterization and modeling of 1.2kV 30-A SiC MOSFET
Y.Mukunoki, Y.Nakamura, T.Horiguchi, S.Kinouchi, Y.Nakayama, T.Terashima, M.Kuzumoto and H.Agkagi
IEEE Trans. Electron Devices 63 ( 11 ) 4339 - 4345 2016
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Superior Performance of SiC Power Devices and Its Limitation by Self-heating Invited
T. Terashima
IEDM 2016 264 - 267 2016
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Improvement and Problems of Power Devices Using Wide-Bandgap Semiconductors Reviewed
64 ( 9 ) 701 - 706 2015
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SiCパワーデバイスの性能改善状況と解決すべき課題
寺島知秀
電子デバイス研究会 2014年 2014
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A Balanced High Voltage IGBT Design with Ultra Dynamic Ruggedness and Area-efficient Edge Termination Reviewed
Ze Chen, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, Tomohide Terashima, and Tsuyoshi Kawakami
Proc. of ISPSD 2013 37 - 40 2013
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Development of secured energy infrastructure in Japan Invited
Masazumi Yamamoto and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2013 3 - 7 2013
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Analysis of a Drain-Voltage Oscillation of MOSFET under High dV/dt UIS Condition Reviewed
Shinya Soneda, Atsushi Narazaki, Tetsuo Takahashi, Kazutoyo Takano, Shigenori Kido, Yusuke Fukada, Kensuke Taguchi, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 153 - 156 2012
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Great Impact of RFC Technology on Fast Recovery Diode Rating towards 600 V for Low Loss and High Dynamic Ruggedness Reviewed
Fumihito Masuoka, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 373 - 376 2012
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LPT(II)-CSTBTTM(III) for High Voltage Application with Ultra Robust Turn-off Capability Utilizing Novel Edge Termination Design Reviewed
Ze Chen, Katsumi Nakamura and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 25 - 28 2012
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Next Generation 600V CSTBTTM with an Advanced Fine Pattern and a Thin Wafer Process Technologies Reviewed
Shigeto Honda, Yuki Haraguchi, Atsushi Narazaki, Tomohide Terashima, and Yoshiaki Terasaki
Proc. of ISPSD 2012 149 - 152 2012
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MOSFETのUIS時におけるBVDSS発振現象の動作解析
曽根田真也，楢崎敦司，城戸成範，深田祐介， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012
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High VoltageアプリケーションへのLPT(II)-CSTBT(III)技術のチャレンジ~ 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化 ~
陳 則，中村勝光，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012
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RFC diodeのキャリアプラズマ形成動作メカニズムと600～1700 Vクラスでの有効性実証
増岡史仁，中村勝光，西井昭人， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012
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CSTBTTM(III) having wide SOA under high temperature condition Reviewed
Yusuke Fukada, Kenji Suzuki, Tetsuo Takahashi, Tatsuo Harada, Hidenori Fujii, Shinichi Ishizawa, Junichi Yamashita, John F Donlon, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2011 132 - 135 2011
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Relaxation of Current Filament due to RFC Technology and Ballast Resistor for Robust FWD Operation Reviewed
Akito Nishii, Katsumi Nakamura, Fumihito Masuoka, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2011 96 - 99 2011
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RFC diodeの高リカバリー耐量化 逆回復動作におけるcurrent filament現象とその抑制
西井昭人，中村勝光，増岡史仁，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2011年 2011
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高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(Ⅲ)の開発
深田祐介，鈴木健司，高橋徹雄，原田辰雄，山下潤一， 藤井秀紀，石澤慎一，John F Donlon，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2011年 2011
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A new 1200V HVIC with a novel high voltage Pch-MOS Reviewed
M. Yoshino, K. Shimizu, T. Terashima
Proc. of ISPSD 2010 93 - 96 2010
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多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧P-Channel MOS
吉野学，清水和宏， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010
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Recent technology trend in power semiconductor devices
130 ( 6 ) 912 - 916 2010
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Relaxed Field of Cathode (RFC) Diiode：高破壊耐量を有する次世代HV Diode
増岡史仁，中村勝光，西井昭人，貞松康史，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010
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高耐圧領域でのワイドセルピッチLPT(Ⅱ)CSTBTTM(Ⅲ)技術の有効性
中村勝光，陳則，貞松康史，大宅大介， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010
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A Novel Driving Technology for a Passive Gate on a Lateral-IGBT Reviewed
Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2009 45 - 48 2009
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新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化
寺島知秀
電子材料･電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2009年 2009
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The 2nd Generation divided RESURF structure for High Voltage ICs Reviewed
Kazuhiro Shimizu and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2008 311 - 314 2008
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第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
清水和宏、寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2008年 2008
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Trench-Isolated High-Voltage IC with Reduced Parasitic Bipolar Transistor Action Reviewed
T. Takahashi, T. Terashima, and J. Moritani
Proc. of ISPSD 2007 69 - 72 2007
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Configuration of JI-LIGBT for Over 100 kHz Switching Reviewed
Tomohide Terashima and Junichi Moritani
Proc. of ISPSD 2007 225 - 228 2007
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高耐圧ICの発展と将来展望
寺島知秀
電子情報通信学会 技術研究報告 信学技報 2007年 2007
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100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
寺島知秀、平田大介
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2007年 2007
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高抵抗（P--）基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
魚田紫織、寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2006年 2006
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High Speed Lateral-IGBT with A Passive Gate Reviewed
Tomohide Terashima and Junichi Moritani
Proc. of ISPSD 2005 91 - 94 2005
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受動ゲートによる横型IGBTの高速化
寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2005年 2005
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SODI 技術による誘電体分離HVIC の高耐圧化
秋山 肇、保田直紀、寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2004年 2004
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Simulator-Independent Capacitance Macro Model for Power DMOS Transistors Reviewed International coauthorship
S. Pawel, H. Kusano, Y. Nakamura, W. Teich, T. Terashima, and M. Netzel
Proc. of ISPSD 2003 287 - 290 2003
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120V BiC-DMOS Process for the Latest Automotive and Display Applications Reviewed
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kennchi Hatasako, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD2002 93 - 96 2002
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120V BiC-DMOSプロセス開発 -42Vバッテリーシステム,FPDシステムの高機能化-
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2002年 2002
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60V Field NMOS and PMOS transistors for the multi-voltage system integration Reviewed
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kenichi Hatasako, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD2001 259 - 262 2001
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BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2001年 2001
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Multi-voltage device integration technique for 0.5 μm BiCMOS & DMOS process
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, and Kenichi Hatasako
Proc. of ISPSD 2000 331 - 334 2000
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0.5µm BiCMOS&DMOSプロセスにおける5V-90V系素子形成技術
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2000年 2000
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0.5µm BiCMOS&DMOS開発
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1999年 1999
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A New Phenomenon of P-channel Dual Action Device Reviewed
Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Shinji Nobuto, Masanori Fukunaga, and Masao Yamawaki
Proc. of ISPSD 1998 363 - 366 1998
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An 0.8-µm High-Voltage IC Using a Newly Designed 600-V Lateral P-Channel Dual-Action Device on SOI Reviewed
Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Masakazu Okada, Shinji Nobuto, Masao Yamawaki, and Sotoju Asai
Journal of Solid-State Circuits 33 ( 9 ) 1423 - 1427 1998
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A New Level-Shifting Technique by divided RESURF Structure Reviewed
Tomohide Terashima, Kazuhiro Shimizu, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD’97 57 - 60 1997
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An improvement on p-channel SOI LIGBT by adopting slit type p-drift structure Reviewed
H. Akiyama, K. Watabe, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao
Proc. of ISPSD’97 353 - 356 1997
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A Novel p-channel Dual Action Device for HVIC Reviewed
K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and S. Asai
Proc. of BCTM’97 147 - 150 1997
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A 0.8µm High Voltage IC using Newly Designed 600V Lateral IGBT on Thick Buried-Oxide SOI Reviewed
K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao
Proc. of ISPSD’96 151 - 154 1996
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分割RESURFによる新しいレベルシフト技術
清水和宏、寺島知秀、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会 1996年 1996
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Over 1000V n-ch LDMOSFET and p-ch LIGBT with JI RESURF Structure and Multiple Floating Field Plate Reviewed
Tomohide. Terashima, Junichi Yamashita, and Tomihisa Yamada
Proc. of ISPSD’95 455 - 459 1995
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1000VクラスのRESURF nch DMOS/pch IGBTの構造とその電気特性
寺島知秀、山下潤一、山田富久、浅野徳久
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1995年 1995
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Structure of 600V IC and a New Voltage Sensing Device Reviewed
T. Terashima, M. Yoshizawa, M. Fukunaga, and G. Majumdar
Proc. of ISPSD’93 224 - 229 1993
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600V HVICの構造開発
寺島知秀、吉澤正夫
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1992年 1992
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SOI分離構造の高耐圧化
秋山馨、寺島知秀、近藤久雄、塚本克博
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1992年 1992
Books
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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術
（ Role： Contributorモビリティの電動化におけるSiCパワーデバイスによる性能向上への期待）
㈱シーエムシー出版 2020.1
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Energy Device Vol.1, No.2 2013
（SiCデバイスの実用化に向けた状況）
㈱技術情報協会 2013.12
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電気学会125年史1888-2013
（ Role： Contributor「パワー半導体デバイス」）
一般社団法人 電気学会 2013.10
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電気学会技術報告第1082号「大変革を遂げているパワーデバイス開発」
寺島知秀 他（ Role： Contributor第6章 横型パワーデバイス）
(社)電気学会 2007.10
Presentations
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（特別編B） 2024.5 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワーデバイスの基本動作、及びSiC/GaNパワーデバイスの大きな可能性 Invited
寺島知秀
SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向と課題･部材開発と将来展望 2024.2 ㈱Andtech
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電化・電動化社会を推進するパワーデバイスの進化と製品動向 Invited
寺島知秀
「おかやま半導体コンソーシアム」第2回勉強会 2024.2 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイス、モジュール紹介
寺島知秀
おかやま半導体コンソーシアム 先進企業視察 2024.2 公益財団法人 岡山県産業振興財団主催
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残された強み、パワー半導体戦略 Invited
寺島知秀
「電子デバイス戦略マップ2023-2024」説明会 ～未来社会の実現につなげる技術～ 2024.1 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワー半導体 Invited
寺島知秀
SEMI Tutorial「半導体プロセス技術」 2023.12 SEMIジャパン
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パワーデバイスの基本的動作・構造・プロセス、及び次世代パワーデバイスの本格的市場拡大 Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2023.11 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会
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パワーデバイスの基本動作、及びGaNパワーデバイスの大きな可能性 Invited
寺島知秀
DX ,カーボンニュートラルに向けてのGaNデバイスの市場動向と技術展望 2023.9 グローバルネット株式会社
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2023.5 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2022.12 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2022.11 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2022.6 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2022.5 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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エッジシステムを駆動し、その進化を支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
EPFCシンポジウム2022冬「カーボンニュートラルを目指す中でのエッジシステムへの期待」 2022.2 一般社団法人エッジプラットフォームコンソーシアム
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中核技術とSDGs実現を支えるパワーエレクトロニクス
寺島知秀
「電子デバイス戦略マップ②2021-2022」説明会 ～未来社会を実現する中核技術を探る～ 2022.1 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワー半導体を生かし切るパワーモジュール －高性能・コンパクト・高放熱・高絶縁の同時実現－ Invited
寺島知秀
ISSM 戦略フォーラム2021「すり合わせ×モジュール化戦略－半導体材料・装置優位の加速－」 2021.12
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2021.12 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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加速する電動化と、連動して進化し続けるパワー半導体への期待 Invited
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2021.11 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2021.11 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2021.5 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス Invited
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2020.12 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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電動化社会の到来 -パワー半導体が主役になる- Invited
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2020.11 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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来たるべき電動化社会におけるSiCパワーデバイスへの大きな期待
寺島知秀
NEDIA Day 九州ふくおか 2020.6 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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SiC MOSFET – Leading device for future electrification – Invited International conference
Tomohide Terashima
3rd CIES Power Electronics Forum 2020.1
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来るべき電動化社会に向けたSiCパワーデバイスへの期待 Invited
寺島 知秀
特別シンポジウム「エネルギーエレクトロニクスセミナー 2019」 2019.11 崇城大学
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次世代パワーデバイス開発の現場から Invited
寺島 知秀
電気学会北陸支部 学術講演会 2019.9 福井工業専門学校
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パワー半導体製造技術
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2019.6 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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True performance of SiC MOSFETs and the necessary conditions to achieve it
T. Terashima
WiPDA-Asia 2019 2019.5 IEEE
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クルマの電動化で求められるパワーデバイス性能とSiC デバイスによる性能向上への期待 Invited
寺島知秀
第66回 応用物理学会春季学術講演会/第33回 エレクトロニクス実装学会講演大会 特別シンポジウム 2019.3 応用物理学会, エレクトロニクス実装学会
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パワーデバイスの発展と今後の課題 Invited
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2018.7 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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急拡大する情報処理技術と電動化を支える次世代パワーデバイス Invited
第5回グリーンイノベーションシンポジウム 2018.2 芝浦工業大学
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パワー半導体の概要と求められるニーズ Invited
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2017.12 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイスの発展と今後の課題 Invited
寺島知秀
「おかやま電池関連技術研究会」第2回技術セミナー 2015.10 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイス・モジュール技術開発状況
寺島知秀
内閣府SIPパワエレ 第5回ワークショップ 「パワエレ応用 その２」 2015.7 内閣府
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IGBTの性能向上と現在の状況
寺島知秀
シリコン材料･デバイス研究会（SDM） 2014.10 電子情報通信学会
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SiCデバイスの実用化に向けた開発状況とパッケージ・製品応用技術
寺島知秀
「パワーデバイス」セミナー 2014.9 株式会社技術情報協会
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パワーデバイス、HVIC開発における、シミュレーション技術の役割
寺島知秀
TCAD Executive Seminar in 札幌
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パワーデバイス（IGBT）およびその制御技術について
寺島知秀
パワー半導体デバイス・集積回路セミナー 2011.12 慶應義塾大学理工学部
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パワーデバイスの設計技術
寺島知秀
第１１回半導体量産地域イノベーションのための熊本大学シンポジウム 公開セミナー『パワーデバイスセミナー』 2010.9 熊本大学
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パワーICの最新技術動向
青木正明、松本 聡、礒部弘之、金子佐一郎、久保田 裕、寺島知秀、山内経則
平成２２年電気学会全国大会 シンポジウム 2010.3 (一社)電気学会
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第二部 CO2削減と快適性を追求するパワー半導体 Invited
寺島知秀、森睦宏、白石正樹、岩室 憲幸
公開シンポジウム「暮らしを変える! 電子･情報･システム技術」 2008.12 (一社)電気学会
-
ゲートドライブ用HVICの技術動向 Invited
寺島知秀
PEAF (Power Electronics Application Forum) 2007 2007.11 マイウェイテクノサービス株式会社
Professional Memberships
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一般社団法人 NPERC-J
2019.6 - Present
-
一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
2014.8 - Present
-
一般社団法人 電気学会
2008.4 - Present
-
Institute of Electrical and Electronics Engineers（IEEE）
2005.1 - Present
Committee Memberships
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(一社) 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス（SDM）研究専門委員会 委員 Domestic
2022.10 - Present
Committee type：Academic society
-
(一社)電気学会 電子・情報・システム部門研究調査運営委員会 1号委員 Domestic
2022.4 - Present
-
公益財団法人 岡山県産業振興財団 企業アドバイザー Domestic
2017.12 - 2024.3
Committee type：Other
-
公益社団法人 中国地方総合研究センター 企業アドバイザー Domestic
2014.10 - 2017.4
Committee type：Other
-
IEEE EDS Power Devices and ICs Committee member Foreign country
2014.4 - 2017.12
Committee type：Academic society
Visiting, concurrent, or part-time lecturers at other universities, institutions, etc.
-
2019 東京工業大学 Classification:Part-time lecturer Domestic/International Classification:Japan
Semester, Day Time or Duration：2019年6月18日～8月6日
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2018 東京工業大学 Classification:Part-time lecturer Domestic/International Classification:Japan
Semester, Day Time or Duration：2018年6月12日～7月31日
-
2017 東京工業大学 Classification:Part-time lecturer Domestic/International Classification:Japan
Semester, Day Time or Duration：2017年6月13日～8月1日
-
2015 東京工業大学 Classification:Part-time lecturer Domestic/International Classification:Japan
Semester, Day Time or Duration：2015年11月6日
-
2014 東京工業大学 Classification:Part-time lecturer Domestic/International Classification:Japan
Semester, Day Time or Duration：2014年11月7日