研究者詳細 - 田中悟

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タナカ　サトル

田中悟

SATORU TANAKA

所属

工学研究院エネルギー量子工学部門教授
工学部量子物理工学科（併任）
工学府量子物理工学専攻（併任）

連絡先

電話番号

0928023535

プロフィール

次世代半導体エレクトロニクスの基盤技術構築のための基礎から応用までの研究を行っている．特に「周期ナノ表面構造科学」という領域を提案し，ナノ表面構造が作り出す新しい構造や物性に関して探索中である．既存の考えに絆されずに自由な発想で新しい領域を創造していくのをモットーに掲げている．教育・社会活動を通じ「物理」の重要性を認識してもらうように努力している．

ホームページ

http://www.qpn.kyushu-u.ac.jp/Tanaka/Welcome.html

外部リンク

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学
ナノテク・材料 / 応用物性
ナノテク・材料 / ナノ構造物理
ナノテク・材料 / ナノ材料科学
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

学位

Ph.D.

経歴

九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門教授

2006年10月 - 現在

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国名：日本国

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理化学研究所，千代田化工建設

理化学研究所，千代田化工建設
北海道大学電子科学研究所

学歴

ノースカロライナ州立大学大学院材料科学研究科材料科学

- 1995年

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国名：アメリカ合衆国

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North Carolina State Univ. Graduate School, Division of Materials Science

- 1995年

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早稲田大学理工学部金属工学科

- 1984年

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国名：日本国

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研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：電子デバイス

研究キーワード：電子デバイス

研究期間： 2024年
研究テーマ：表面物理

研究キーワード：表面物理

研究期間： 2024年
研究テーマ：結晶成長

研究キーワード：結晶成長

研究期間： 2024年
研究テーマ：グラフェン

研究キーワード：グラフェン

研究期間： 2024年
研究テーマ：Crystal Growth

研究キーワード：Crystal Growth

研究期間： 2024年
研究テーマ：グラフェンナノ構造の創成と電子状態探索

研究キーワード：グラフェン，ナノ構造，電子状態

研究期間： 2022年4月 - 2026年3月
研究テーマ：グラフェン転写の科学と応用

研究キーワード：グラフェン転写，新奇電子物性

研究期間： 2022年4月 - 2023年3月
研究テーマ：IV族原子層形成と電子物性

研究キーワード：２次元物質，グラフェン，シリセン、ゲルマネン，スタネン

研究期間： 2016年4月 - 2020年3月
研究テーマ：・グラフェン半導体の形成と物性に関する研究

研究キーワード：グラフェン，電子デバイス，ナノ構造

研究期間： 2006年4月 - 2014年3月
研究テーマ：・SiC表面の自己形成ナノ構造に関する研究

研究キーワード：ワイドギャップ半導体，電子デバイス，ナノ構造，自己組織化，ボトムアップテクノロジー

研究期間： 2000年4月 - 2025年3月
研究テーマ：・SiC表面自己改質効果に関する研究

研究キーワード：ワイドギャップ半導体，グラフェン，電子デバイス，光デバイス，ナノ構造，自己組織化，ボトムアップテクノロジー

研究期間： 2000年4月 - 2014年3月
研究テーマ：・SiC電子デバイスに関する研究

研究キーワード：ワイドギャップ半導体，MOSFET，ナノ構造

研究期間： 2000年4月 - 2014年3月
研究テーマ：・III族窒化物系半導体の結晶成長と光物性に関する研究

研究キーワード：ワイドギャップ半導体，新結晶構造，エピタキシー，MBE，紫外線LED

研究期間： 1998年4月 - 2014年3月

論文

Formation of graphene nanoribbons on the macrofacets of vicinal 6H -SiC(0001) surfaces 査読国際誌

Fukuma K., Visikovskiy A., Iimori T., Miyamachi T., Komori F., Tanaka S.

Physical Review Materials 6 ( 12 ) 124003-1 - 124003-8 2022年12月（ eISSN:2475-9953 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Physical Review Materials

Thermal decomposition of vicinal 6H-SiC(0001) surfaces with miscut angles toward the [11 ̄00] direction
results in the appearance of pairs of (0001) macroterraces and (11 ̄0n) macrofacets covered with graphene, as
follows. A carpetlike carbon layer grows on the surface, covering both the macroterraces and macrofacets; it
forms a (6R3 × 6R3) buffer layer on the former ones, whereas its partial periodic bonding with the SiC steps
on the latter ones generates a pseudographene nanoribbon (pseudo-GNR) array. The nanoribbons have a width of 1.7–1.8 nm and are aligned in the [112 ̄0] direction with a spatial periodicity of 3.3 nm. Scanning tunneling spectroscopy at a nanoribbon indicated a 0.4–0.5 eV energy gap and the Raman spectroscopy analysis of the pseudo-GNR array showed the absence of the 2D peak and the polarization dependence of the G and D peaks, which is typical of the armchair-edge nanoribbon.

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.6.124003

Scopus

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その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.6.124003/fulltext
Electronic structure of 3 degree-twisted bilayer graphene on 4H-SiC(0001) 査読国際誌

Physical Review Materials 5 L051001-1 - L051001-6 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.L051001
Twisted bilayer graphene fabricated by direct bonding in a high vacuum 査読国際誌

Imamura, H., Visikovskiy, A., Uotani, R., Kajiwara, T., Ando, H., Iimori, T., Iwata, K., Miyamachi, T., Nakatsuji, K., Mase, K., Shirasawa, T., Komori, F. & Tanaka, S.

Applied Physics Express 13 ( 7 ) 075004 2020年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Triangular lattice atomic layer of Sn(1 × 1) at graphene/SiC(0001) interface 査読国際誌

11 ( 1 ) 015202 2017年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Sn atomic layers attract considerable interest owing to their spin-related physical properties caused by their strong spin–orbit interactions. We performed Sn intercalation into the graphene/SiC(0001) interface and found a new type of Sn atomic layer. Sn atoms occupy on-top sites of Si-terminated SiC(0001) with in-plane Sn–Sn bondings, resulting in a triangular lattice. Angle-resolved photoemission spectroscopy revealed characteristic dispersions at K" and M" points, which agreed well with density functional theory calculations. The Sn triangular lattice atomic layer at the interface showed no oxidation upon exposure to air, which is useful for characterization and device fabrication ex situ.
Graphene/SiC(0001) interface structures induced by Si intercalation and their influence on electronic properties of graphen 査読国際誌

PHYSICAL REVIEW B 94 245421 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nonlinear terahertz field-induced carrier dynamics in photoexcited epitaxial monolayer graphene 査読国際誌

H. A. Hafez, I. Al-Naib, M. M. Dignam, Y. Sekine, K. Oguri, F. Blanchard, D. G. Cooke, Tanaka Satoru, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

Phys. Rev. B 91 035422 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Highly Anisotropic Parallel Conduction in the Stepped Substrate of Epitaxial Graphene Grown on Vicinal SiC 査読国際誌

A. Endo, F. Komori, K. Morita, T. Kajiwara, Tanaka Satoru

J. Low Temp. Phys. 179 237 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Hydrogen desorption from hydrogen fluoride and remote hydrogen plasma cleaned silicon carbide (0001) surfaces 査読国際誌

S. W. King, Tanaka Satoru, R. F. Davis, R. J. Nemanich

J. Vac. Sci. Tech. A 33 ( 5 ) 05E105 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Scanning tunneling microscopic and spectroscopic studies on a crystalline silica monolayer epitaxially formed on hexagonal SiC(000-1) surfaces 査読国際誌

H. Tochihara, T. Shirasawa, T. Suzuki, T. Miyamachi, T. Kajiwara, K. Yagyu, S. Yoshizawa, T. Takahashi, Tanaka Satoru, F. Komori

Appl. Phys. Lett. 104 051601 2015年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Graphene nanoribbons grown on epitaxial SixCyOz layer on vicinal SiC(0001) surfaces by chemical vapor deposition 査読国際誌

Hagihara Yoshihito, Tanaka Satoru

Appl. Phys. Express 6 055102 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy 査読国際誌

Kajiwara Kakashi, Tanaka Satoru

Physical Review B 87, 121407 (2013). 87 121407 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H–SiC 査読国際誌

( 25 ) 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Few-layer epitaxial graphenes grown on vicinal 6H–SiC (0001) were characterized by confocal Raman imaging.
In the beginning of the growth, the surface of SiC substrate was covered with monolayer graphene. Next,
few-layer graphenes started to grow toward directions perpendicular to [11–20] of the SiC substrate. The
shift in the G-peak was not straightforward with the increase in number of graphene layers. This result can
be interpreted that the in-plane compressive stress from the substrate depends on the domain size of graphene.
The 2D-peak frequency shifted to higher frequency side due to strong compressive strain from the
substrate with increasing of the growth times.
SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長招待査読

田中　悟，森田　康平，日比野　浩樹

表面科学 32 ( 6 ) 2011年8月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェン形成招待査読

田中　悟

日本結晶成長学会誌 37 ( 3 ) 2010年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
LEED analysis of graphite films on vicinal 6H-SiC(0001) surface 査読国際誌

K. Hayashi, S. Mizuno, S. Tanaka

Journal of Novel Carbon Resource Sciences 2 ( 0001 ) 2010年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Shape, width, and replicas of π bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001) 査読国際誌

82 ( 4 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H–SiC studied by deep ultraviolet Raman spectroscopy 査読国際誌

97 ( 3 ) 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Anisotropic transport in graphene on SiC substrate with periodic nanofacets 査読国際誌

S. Odaka, H. Miyazaki, S.-L. Li, A. Kanda, K. Morita, S. Tanaka, Y. Miyata, H. Kataura, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Lett. 96 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Anisotropic layer-by-layer growth of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces 査読国際誌

S. Tanaka, K. Morita, H. Hibino

Phys. Rev. B, Rapid Communication 81 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Atomic-layer-resolved bandgap structure of an ultrathin oxynitride-silicon film epitaxially grown on 6H-SiC(0001) 査読国際誌

T. Shirasawa, K. Hayashi, H. Yoshida, S. Mizuno, S. Tanaka, T. Muro, Y. Tamenori, Y. Harada, T. Tokushima, Y. Horikawa, E. Kobayashi, T. Kinoshita, S. Shin, T. Takahashi, Y. Ando, K. Akagi, S. Tsuneyuki, H. Tochihara

Phys. Rev. B 79 ( 24 ) 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0001) surfaces 査読国際誌

K. Hayashi, K. Morita, S. Mizuno, H. Tochihara, S. Tanaka

Surf. Sci. 603 2009年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Electron Beam Irradiation Effect for Solid C60 Epitaxy on Graphene 査読国際誌

A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka

Diamond and Related Materials 18 2009年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
van der Waals epitaxy of solid C 60 on graphene sheet 査読国際誌

A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tananka, A. Yamamoto

Diamond and Related Materials 17 2008年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ordering distance of surface nanofacets on vicinal 4H-SiC(0001) 査読国際誌

M. Fujii, S. Tanaka

Phys. Rev. Lett. 2007年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nucleation and growth mode of GaN on vicinal SiC surfaces 査読国際誌

M. Ebihara, S. Tanaka, I. Suemune

Jpn. J. Appl. Phys. 2007年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Epitaxial silicon oxynitride layer on a 6H-SiC(0001) surface 査読国際誌

T. Shirasawa ,K. Hayashi, S. Mizuno, S. Tanaka, K. Nakatsuji, F. Komori, H. Tochihara

Phys. Rev. Lett. 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Laser-induced microexplosion confined in the bulk of a sapphire crystal: Evidence of multimegabar pressures 査読国際誌

S. Juodkazis, K. Nishimura, S. Tanaka, H. Misawa, E. G. Gamaly, B. Luther-Davies, L. Hallo, P. Nicolai, V. T. Tikhonchuk

Phys. Rev. Lett. 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Self-ordering of nanofacets on vicinal SiC surfaces 査読国際誌

H. Nakagawa, S. Tanaka, I. Suemune

Phys. Rev. Lett. 2003年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Width-dependent band gap of arm-chair graphene nanoribbons formed on vicinal SiC substrates by MBE

Iimori T., Miyamachi T., Kajiwara T., Mase K., Tanaka S., Komori F., Nakatsuji K.

Journal of Physics Condensed Matter 35 ( 45 ) 455002 - 455002 2023年8月（ ISSN:0953-8984 eISSN:1361-648X ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Journal of Physics Condensed Matter

Formation and electronic states of graphene nanoribbons with arm-chair edges (AGNR) are studied on the SiC(0001) vicinal surfaces toward the [ 1 1 ˉ 00 ] direction. The surface step and terrace structures of both 4H and 6H-SiC substrates are used as the growth templates of one-dimensional arrays of AGNRs, which are prepared using the carbon molecular beam epitaxy followed by hydrogen intercalation. A band gap is observed above the π-band maximum by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) for the both samples. The average widths of the AGNRs are 6 and 10 nm, and the estimated average band gaps are 0.40 and 0.28 eV for the 4H- and 6H- substrates, respectively. A simple and phenomenological inverse relation between the energy gap and AGNR width works in the analyses of the ARPES data.

DOI： 10.1088/1361-648x/aced30

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/aced30/pdf
Width-dependent band gap of arm-chair graphene nanoribbons formed on vicinal SiC substrates by MBE 査読国際誌

Takushi Iimori1, Toshio Miyamachi, @Takashi Kajiwara, Kazuhiko Mase, @Satoru Tanaka, Fumio Komori and Kan Nakatsuji

J. Phys.: Condens. Matter 35 455002 - 455 2023年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Environmental effects on layer-dependent dynamics of Dirac fermions in quasicrystalline bilayer graphene 査読国際誌

Y. Zhao, T. Suzuki , T. Iimori, H.-W. Kim , J. R. Ahn, M. Horio, Y. Sato, Y. Fukaya , T. Kanai , K. Okazaki, S. Shin , S. Tanaka , F. Komori , H. Fukidome, I. Matsuda

PHYSICAL REVIEW B 105 ( 11 ) 115304-1 - 115304-8 2022年3月（ ISSN:2469-9950 eISSN:2469-9969 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The carrier dynamics in various types of epitaxial graphene layers on SiC substrates was investigated by means of time- and angle-resolved photoemission spectroscopy (TARPES). Layer-dependent electron doping was observed in the Dirac bands of quasicrystalline bilayer graphene after optical pumping, leading to generation of transient voltage between the upper and lower layers. The amount of photoinduced carrier transport depends on the distance from the substrate. A comparison of the TARPES results of single-layer graphene between flat and stepped SiC substrates experimentally indicates that a source of the doping carriers likely originates from interface step states. The dynamic model is described based on the electronic structure, calculated using density functional theory.

DOI： 10.1103/PhysRevB.105.115304

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Data-driven sensitivity analysis in surface structure determination using total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD)

Hoshi T., Sakata D., Oie S., Mochizuki I., Tanaka S., Hyodo T., Hukushima K.

Computer Physics Communications 271 2022年2月（ ISSN:0010-4655 eISSN:1879-2944 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Computer Physics Communications

The present article proposes a data analysis method for experimentally-derived measurements, which consists of an auto-optimization procedure and a sensitivity analysis. The method was applied to the results of a total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD) experiment, a novel technique of determining surface structures or the position of the atoms near the material surface. This method solves numerically the partial differential equation in the fully-dynamical quantum diffraction theory with many trial surface structures. In the sensitivity analysis, we focused on the experimental uncertainties and the variation over individual fitting parameters, which was analyzed by solving the eigenvalue problem of the variance-covariance matrix. A modern massively parallel supercomputer was used to complete the analysis within a moderate computational time. The sensitivity analysis provides a basis for the choice of variables in the data analysis for practical reliability. The effectiveness of the present analysis method was demonstrated in the structure determination of a Si4O5N3/6H-SiC(0001)-(root 3x root 3) R30 degrees surface. Furthermore, this analysis method is applicable to many experiments other than TRHEPD. (C) 2021 The Author(s). Published by Elsevier B.V.

DOI： 10.1016/j.cpc.2021.108186

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Electronic structure of 3 degrees-twisted bilayer graphene on 4H-SiC(0001)

Takushi Iimori, Anton Visikovskiy, Hitoshi Imamura, Toshio Miyamachi, Miho Kitamura, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Satoru Tanaka, Fumio Komori

PHYSICAL REVIEW MATERIALS 5 ( 5 ) 2021年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.L051001
Twisted bilayer graphene fabricated by direct bonding in a high vacuum

Hitoshi Imamura, Anton Visikovskiy, Ryosuke Uotani, Takashi Kajiwara, Hiroshi Ando, Takushi Iimori, Kota Iwata, Toshio Miyamachi, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Tetsuroh Shirasawa, Fumio Komori, Satoru Tanaka

APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 ( 7 ) 2020年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1882-0786/ab99d1
Ultrafast unbalanced electron distributions in quasicrystalline 30° twisted bilayer graphene 査読

13 ( 10 ) 11981 - 11987 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ultrafast carrier dynamics in a graphene system are very important in terms of optoelectronic devices. Recently, a twisted bilayer graphene has been discovered that possesses interesting electronic properties owing to strong modifications in interlayer couplings. Thus, a better understanding of ultrafast carrier dynamics in a twisted bilayer graphene is highly desired. Here, we reveal the unbalanced electron distributions in a quasicrystalline 30° twisted bilayer graphene (QCTBG), using time- A nd angle-resolved photoemission spectroscopy on the femtosecond time scale. We distinguish time-dependent electronic behavior between the upper- A nd lower-layer Dirac cones and gain insight into the dynamical properties of replica bands, which show characteristic signatures due to Umklapp scatterings. The experimental results are reproduced by solving a set of rate equations among the graphene layers and substrate. We find that the substrate buffer layer plays a key role in initial carrier injections to the upper and lower layers. Our results demonstrate that QCTBG can be a promising element for future devices.

DOI： 10.1021/acsnano.9b06091
Ultrafast Unbalanced Electron Distributions in Quasicrystalline 30 degrees Twisted Bilayer Graphene 査読

Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Sung Joon Ahn, Yuhao Zhao, Mari Watanabe, Jiadi Xu, Masami Fujisawa, Teruto Kanai, Nobuhisa Ishii, Jiro Itatani, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Satoru Tanaka, Joung Real Ahn, Kozo Okazaki, Shik Shin, Fumio Komori, Iwao Matsuda

ACS NANO 13 ( 10 ) 11981 - 11987 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsnano.9b06091
Structure determination of hydrogen-terminated 4H -SiC(0001) by LEED 査読

Hiroshi Ando, Anton Visikovskiy, Takeshi Nakagawa, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka

Physical Review B 99 ( 23 ) 2019年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.99.235434
Structure determination of hydrogen-terminated 4H-SiC(0001) by LEED

Hiroshi Ando, Anton Visikovskiy, Takeshi Nakagawa, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 99 ( 23 ) 2019年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.99.235434
Coexistence of Two Types of Spin Splitting Originating from Different Symmetries 査読

Koichiro Yaji, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Kenta Kuroda, Singo Hayashi, Takashi Kajiwara, Tanaka Satoru, Fumio Komori, Shik Shin

Physical Review Letters 122 ( 12 ) 2019年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.122.126403
Coexistence of Two Types of Spin Splitting Originating from Different Symmetries

Koichiro Yaji, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Kenta Kuroda, Singo Hayashi, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Shik Shin

PHYSICAL REVIEW LETTERS 122 ( 12 ) 2019年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.122.126403
Vacancy and curvature effects on the phonon properties of single wall carbon nanotube 査読

Ashraful Hossain Howlader, Md Sherajul Islam, Tanaka Satoru, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 2 ) 2018年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB08
Vacancy and curvature effects on the phonon properties of single wall carbon nanotube 査読

Ashraful Hossain Howlader, Md Sherajul Islam, Tanaka Satoru, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 2 ) 2018年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB08
Effect of ¹⁰B isotope and vacancy defects on the phonon modes of two-dimensional hexagonal boron nitride 査読

Md Sherajul Islam, Khalid N. Anindya, Ashraful G. Bhuiyan, Tanaka Satoru, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 2 ) 2018年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB04
Triangular lattice atomic layer of Sn(1 × 1) at graphene/SiC(0001) interface 査読

11 ( 1 ) 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Sn atomic layers attract considerable interest owing to their spin-related physical properties caused by their strong spin-orbit interactions. We performed Sn intercalation into the graphene/SiC(0001) interface and found a new type of Sn atomic layer. Sn atoms occupy on-top sites of Si-terminated SiC(0001) with in-plane Sn-Sn bondings, resulting in a triangular lattice. Angle-resolved photoemission spectroscopy revealed characteristic dispersions at and points, which agreed well with density functional theory calculations. The Sn triangular lattice atomic layer at the interface showed no oxidation upon exposure to air, which is useful for characterization and device fabrication ex situ.

DOI： 10.7567/APEX.11.015202
Vacancy and curvature effects on the phonon properties of single wall carbon nanotube 査読

Ashraful Hossain Howlader, Md. Sherajul Islam, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Jpn. J. Appl. Phys. 57 ( 2S2 ) 02CB08 - (4) 2018年1月

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記述言語：英語

Vacancy and curvature effects on the phonon properties of single wall carbon nanotube

DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB08
Triangular lattice atomic layer of Sn(1 x 1) at graphene/SiC(0001) interface

Shingo Hayashi, Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Takushi Iimori, Tetsuroh Shirasawa, Kan Nakastuji, Toshio Miyamachi, Shuhei Nakashima, Koichiro Yaji, Kazuhiko Mase, Fumio Komori, Satoru Tanaka

APPLIED PHYSICS EXPRESS 11 ( 1 ) 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.11.015202
Effect of 10B isotope and vacancy defects on the phonon modes of two-dimensional hexagonal boron nitride 査読国際誌

Md. Sherajul Islam, Khalid N. Anindya, Ashraful G. Bhuiyan, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Japanese Journal of Applied Physics 57 02CB04 2017年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Modulation of Electron-Phonon Coupling in One-Dimensionally Nanorippled Graphene on a Macrofacet of 6H-SiC 査読国際誌

Koichiro Ienaga, Takushi Iimori, Koichiro Yaji, Toshio Miyamachi, Shuhei Nakashima, Yukio Takahashi, Kohei Fukuma, Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Tanaka Satoru, Fumio Komori

Nano Letters 17 ( 6 ) 3527 - 3532 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Modulation of Electron-Phonon Coupling in One-Dimensionally Nanorippled Graphene on a Macrofacet of 6H-SiC

Koichiro Ienaga, Takushi Iimori, Koichiro Yaji, Toshio Miyamachi, Shuhei Nakashima, Yukio Takahashi, Kohei Fukuma, Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Satoru Tanaka, Fumio Komori

NANO LETTERS 17 ( 6 ) 3527 - 3532 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acs.nanolett.7b00606
Modulation of Electron-Phonon Coupling in One-Dimensionally Nanorippled Graphene on a Macrofacet of 6H-SiC 査読

Koichiro Ienaga, Takushi Iimori, Koichiro Yaji, Toshio Miyamachi, Shuhei Nakashima, Yukio Takahashi, Kohei Fukuma, Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Tanaka Satoru, Fumio Komori

Nano Letters 17 ( 6 ) 3527 - 3532 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acs.nanolett.7b00606
High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates 査読

R. Dagher, S. Matta, R. Parret, M. Paillet, B. Jouault, L. Nguyen, M. Portail, M. Zielinski, T. Chassagne, Tanaka Satoru, J. Brault, Y. Cordier, A. Michon

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 214 ( 4 ) 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.201600436
Graphene/SiC(0001) interface structures induced by Si intercalation and their influence on electronic properties of graphene 査読

Anton Visikovskiy, Shin Ichi Kimoto, Takashi Kajiwara, Masamichi Yoshimura, Takushi Iimori, Fumio Komori, Tanaka Satoru

Physical Review B 94 ( 24 ) 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.94.245421
Graphene/SiC(0001) interface structures induced by Si intercalation and their influence on electronic properties of graphene

Anton Visikovskiy, Shin-ichi Kimoto, Takashi Kajiwara, Masamichi Yoshimura, Takushi Iimori, Fumio Komori, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 94 ( 24 ) 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.94.245421
Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC 査読国際誌

Ayhan Yurtsever, Jo Onoda, Takushi Iimori, Kohei Niki, Toshio Miyamachi, Masayuki Abe, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Yoshiaki Sugimoto

Small 12 ( 29 ) 3956 - 3966 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC 査読

Ayhan Yurtsever, Jo Onoda, Takushi Iimori, Kohei Niki, Toshio Miyamachi, Masayuki Abe, Seigi Mizuno, Tanaka Satoru, Fumio Komori, Yoshiaki Sugimoto

Small 3956 - 3966 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201600666
Graphene: Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC (Small 29/2016) 査読

Ayhan Yurtsever, Jo Onoda, Takushi Iimori, Kohei Niki, Toshio Miyamachi, Masayuki Abe, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Yoshiaki Sugimoto

Small 12 ( 29 ) 3882 - 3882 2016年8月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201670142
Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC

Ayhan Yurtsever, Jo Onoda, Takushi Iimori, Kohei Niki, Toshio Miyamachi, Masayuki Abe, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Yoshiaki Sugimoto

SMALL 12 ( 29 ) 3956 - 3966 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201600666
Graphene Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC (Small 29/2016) 査読

Ayhan Yurtsever, Jo Onoda, Takushi Iimori, Kohei Niki, Toshio Miyamachi, Masayuki Abe, Seigi Mizuno, Tanaka Satoru, Fumio Komori, Yoshiaki Sugimoto

Small 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201670142
Hydrogen desorption from hydrogen fluoride and remote hydrogen plasma cleaned silicon carbide (0001) surfaces 査読

Sean W. King, Tanaka Satoru, Robert F. Davis, Robert J. Nemanich

Journal of Vacuum Science and Technology A 33 ( 5 ) 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.4921526
Hydrogen desorption from hydrogen fluoride and remote hydrogen plasma cleaned silicon carbide (0001) surfaces

Sean W. King, Satoru Tanaka, Robert F. Davis, Robert J. Nemanich

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 33 ( 5 ) 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.4921526
Effects of photoexcitation on intense terahertz field-induced nonlinearity in monolayer epitaxial graphene

H. A. Hafez, I. Al-Naib, M. M. Dignam, Y. Sekine, K. Oguri, F. Blanchard, D. G. Cooke, S. Tanaka, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性（１）

田中悟, 福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 矢治光一郎, 中辻寛, 小森文夫, 田中宏和, 神田晶申, Cuong Nguyen Thanh, 岡田晋

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 3439 - 3439 2015年8月

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記述言語：日本語

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3439
SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性（2）

福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 田中悟, 飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 矢治光一郎, 中辻寛, 小森文夫, 田中宏和, 神田晶申, Cuong Nguyen Thanh, 岡田晋

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 3440 - 3440 2015年8月

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記述言語：日本語

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3440
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method 査読

Yoshihiro Kangawa, Hiroshige Suetsugu, Michael Knetzger, Elke Meissner, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Yosuke Iwasaki, Koichi Kakimoto

Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.085501
Effects of photoexcitation on intense terahertz fieldinduced nonlinearity in monolayer epitaxial graphene

H. A. Hafez, I. Al-Naib, M. M. Dignam, Y. Sekine, K. Oguri, F. Blanchard, D. G. Cooke, Tanaka Satoru, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

CLEO: Applications and Technology, CLEO-AT 2015 CLEO Applications and Technology, CLEO-AT 2015 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1364/CLEO_AT.2015.JW2A.63
Highly Anisotropic Parallel Conduction in the Stepped Substrate of Epitaxial Graphene Grown on Vicinal SiC

Akira Endo, Fumio Komori, Kouhei Morita, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka

JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 179 ( 3-4 ) 237 - 250 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10909-015-1277-y
Highly Anisotropic Parallel Conduction in the Stepped Substrate of Epitaxial Graphene Grown on Vicinal SiC 査読

Akira Endo, Fumio Komori, Kouhei Morita, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka

Journal of Low Temperature Physics 179 ( 3-4 ) 237 - 250 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10909-015-1277-y
Fabrication of conical micropore structure on silicon nitride/silicon using focused ion beam milling for biosensor application 査読

Nur Hamizah Zainal Ariffin, Hafizal Yahaya, Shunji Shinano, Satoru Tanaka, Abdul Manaf Hashim

Microelectronic Engineering 133 1 - 5 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2014.11.011
Nonlinear terahertz field-induced carrier dynamics in photoexcited epitaxial monolayer graphene 査読

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 91 ( 3 ) 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.035422
Nonlinear terahertz field-induced carrier dynamics in photoexcited epitaxial monolayer graphene 査読

Hassan A. Hafez, Ibraheem Al-Naib, Marc M. Dignam, Yoshiaki Sekine, Katsuya Oguri, Francois Blanchard, David G. Cooke, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Hiroki Hibino, Tsuneyuki Ozaki

PHYSICAL REVIEW B 91 ( 3 ) 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.035422
Polarized micro Raman scattering spectroscopy for curved edges of epitaxial graphene 査読

Md Sherajul Islam, A. G. Bhuiyan, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto

Applied Physics Letters 105 ( 24 ) 2014年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4904469
Analysis of vibrational properties of C-doped hexagonal boron nitride (h-BN) 査読

Md Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Computational Materials Science 94 ( C ) 225 - 233 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.commatsci.2014.04.047
Nonlinear transmission of an intense terahertz field through monolayer graphene 査読

H. A. Hafez, I. Al-Naib, K. Oguri, Y. Sekine, M. M. Dignam, A. Ibrahim, D. G. Cooke, S. Tanaka, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

AIP Advances 4 ( 11 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4902096
Nonlinear terahertz-field-induced carrier dynamics in photoexcited graphene

Hassan A. Hafez, Ibraheem Al-Naib, Marc M. Dignam, Yoshiaki Sekine, Katsuya Oguri, Akram Ibrahim, Tanaka Satoru, Fumio Komori, Hiroki Hibino, Tsuneyuki Ozaki

39th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2014 2014 39th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2014 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2014.6956170
Effect of boron and nitrogen doping with native point defects on the vibrational properties of graphene 査読

Md Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto

Computational Materials Science 94 ( C ) 35 - 43 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.commatsci.2014.01.040
Effect of vacancy defects on phonon properties of hydrogen passivated graphene nanoribbons 査読国際誌

Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Tanaka Satoru, Akihiro Hashimoto

Carbon ( 80 ) 146 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Polarized microscopic laser Raman scattering spectroscopy for edge structure of epitaxial graphene and localized vibrational mode 査読

Md Sherajul Islam, D. Tamakawa, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto

CARBON 77 1073 - 1081 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.carbon.2014.06.023
Polarized microscopic laser Raman scattering spectroscopy for edge structure of epitaxial graphene and localized vibrational mode 査読

Md Sherajul Islam, D. Tamakawa, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto

Carbon 77 1073 - 1081 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.carbon.2014.06.023
Site-specific atomic and electronic structure analysis of epitaxial silicon oxynitride thin film on SiC(0001) by photoelectron and auger electron diffractions 査読

Naoyuki Maejima, Fumihiko Matsui, Hirosuke Matsui, Kentaro Goto, Tomohiro Matsushita, Satoru Tanaka, Hiroshi Daimon

journal of the physical society of japan 83 ( 4 ) 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7566/JPSJ.83.044604
Site-Specific Atomic and Electronic Structure Analysis of Epitaxial Silicon Oxynitride Thin Film on SiC(0001) by Photoelectron and Auger Electron Diffractions

Naoyuki Maejima, Fumihiko Matsui, Hirosuke Matsui, Kentaro Goto, Tomohiro Matsushita, Satoru Tanaka, Hiroshi Daimon

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 83 ( 4 ) 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7566/JPSJ.83.044604
Scanning tunneling microscopic and spectroscopic studies on a crystalline silica monolayer epitaxially formed on hexagonal SiC(000(1)over-bar) surfaces

Hiroshi Tochihara, Tetsuroh Shirasawa, Takayuki Suzuki, Toshio Miyamachi, Takashi Kajiwara, Kazuma Yagyu, Shunsuke Yoshizawa, Toshio Takahashi, Satoru Tanaka, Fumio Komori

APPLIED PHYSICS LETTERS 104 ( 5 ) 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4863753
Effect of vacancy defects on phonon properties of hydrogen passivated graphene nanoribbons 査読

M. Sherajul Islam, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto

Carbon 80 ( 1 ) 146 - 154 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.carbon.2014.08.049
Temperature dependence of terahertz transmission through photoexcited graphene

H. A. Hafez, I. Al-Naib, K. Oguri, Y. Sekine, A. Ibrahim, M. M. Dignam, R. Morandotti, Tanaka Satoru, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

CLEO: Science and Innovations, CLEO_SI 2014 CLEO Science and Innovations, CLEO_SI 2014 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Temperature Dependence of Terahertz Transmission through Photoexcited Graphene

H. A. Hafez, I. Al-Naib, K. Oguri, Y. Sekine, A. Ibrahim, M. M. Dignam, R. Morandotti, Tanaka Satoru, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

CLEO: Applications and Technology, CLEO_AT 2014 CLEO Applications and Technology, CLEO_AT 2014 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Temperature Dependence of Terahertz Transmission through Photoexcited Graphene

H. A. Hafez, I. Al-Naib, K. Oguri, Y. Sekine, A. Ibrahim, M. M. Dignam, R. Morandotti, Tanaka Satoru, F. Komori, H. Hibino, T. Ozaki

CLEO: QELS_Fundamental Science, CLEO_QELS 2014 CLEO QELS_Fundamental Science, CLEO_QELS 2014 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Scanning tunneling microscopic and spectroscopic studies on a crystalline silica monolayer epitaxially formed on hexagonal SiC (000 1 ̄) surfaces 査読

104 ( 5 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

An epitaxial silicon-oxide monolayer of chemical composition of Si ₂O₃ (the Si₂O₃ layer) formed on hexagonal SiC(0001̄) surfaces has been observed by scanning tunneling microscopy (STM). Filled- and empty-state STM images with atomic resolution support the previously reported model. Typical structural defects in the Si ₂O₃ layer are found to be missing SiO_n (n=1, 2, 3) molecules. The band gap of the Si₂O₃ layer obtained by point tunneling spectroscopy is 5.5±0.5eV, exhibiting considerable narrowing from that of bulk SiO₂, 8.9eV. It is proposed that the Si₂O₃ layer is suitable as a relevant interface material for formation of SiC-based metal-oxide-semiconductor devices.

DOI： 10.1063/1.4863753
Intense terahertz-field-induced nonlinearity in graphene

H. Hafez, I. Al-Naib, G. Sharma, R. Morandotti, Tanaka Satoru, F. Komori, K. Oguri, H. Hibino, T. Ozaki

2013 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2013 2013 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2013 2013年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2013.6665850
Numerical experiments on phonon properties of isotope and vacancy-type disordered graphene 査読

Md Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto

Diamond and Related Materials 40 115 - 122 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2013.10.013
Numerical experiments on phonon properties of isotope and vacancy-type disordered graphene 査読国際誌

Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Tanaka Satoru, Akihiro Hashimoto

Diamond & Related Materials ( 40 ) 115 - 122 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Numerical analysis on vacancy induced vibrational properties of graphene nanoribbons 査読国際誌

Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Tanaka Satoru, Akihiro Hashimoto

Computational Materials Science ( 79 ) 356 - 361 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Numerical analysis on vacancy induced vibrational properties of graphene nanoribbons 査読

Md Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto

Computational Materials Science 79 356 - 361 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.commatsci.2013.06.047
Graphene nanoribbons grown on epitaxial SixCyOz layer on Vicinal SiC(0001) surfaces by chemical vapor deposition 査読

Yoshihito Hagihara, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Satoru Tanaka

Applied Physics Express 6 ( 5 ) 2013年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.055102
Graphene Nanoribbons Grown on Epitaxial SixCyOz Layer on Vicinal SiC(0001) Surfaces by Chemical Vapor Deposition

Yoshihito Hagihara, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Satoru Tanaka

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6 ( 5 ) 2013年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.055102
Erratum Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy (Physical Review B (2013) 87 (121407(R)) DOI:10.1103/PhysRevB.87.121407) 査読

Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 87 ( 15 ) 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.159907
Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy (vol 87, 121407, 2013)

Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 87 ( 15 ) 2013年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.159907
Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy 査読

Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 87 ( 12 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.121407
Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy

Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 87 ( 12 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.121407
Electrical characteristics of surface-stoichiometry-controlled p-GaN schottky contacts 査読

Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka

Japanese journal of applied physics 52 ( 1 PART2 ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.01AF05
Role of atomic terraces and steps in the electron transport properties of epitaxial graphene grown on SiC 査読

H. Kuramochi, S. Odaka, K. Morita, S. Tanaka, H. Miyazaki, M. V. Lee, S. L. Li, H. Hiura, K. Tsukagoshi

AIP Advances 2 ( 1 ) 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3679400
A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H-SiC 査読

Susumu Kamoi, Kenji Kisoda, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kouhei Morita, Tanaka Satoru, Akihiro Hashimoto, Hiroki Hibino

Diamond and Related Materials 25 80 - 83 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2012.02.017
Uniaxial deformation of graphene Dirac cone on a vicinal SiC substrate

Kan Nakatsuji, Tsuguo Yoshimura, Fumio Komori, Kouhei Morita, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 85 ( 19 ) 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.195416
A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H-SiC

Susumu Kamoi, Kenji Kisoda, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kouhei Morita, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto, Hiroki Hibino

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 25 80 - 83 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2012.02.017
Uniaxial deformation of graphene Dirac cone on a vicinal SiC substrate 査読

Kan Nakatsuji, Tsuguo Yoshimura, Fumio Komori, Kouhei Morita, Satoru Tanaka

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 85 ( 19 ) 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.195416
Role of atomic terraces and steps in the electron transport properties of epitaxial graphene grown on SiC 査読国際誌

H. Kuramochi,S. Odaka, K. Morita, S. Tanaka, H. Miyazaki, M. V. Lee, S.-L. Li, H. Hiura, and K. Tsukagoshi

AIP ADVANCES ( 2 ) 2012年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization 査読

Yoshimine Kato, Masaki Goto, Ryota Sato, Kazuhiro Yamada, Akira Koga, Kungen Tsutsui, Chenda Srey, Tanaka Satoru

Surface and Coatings Technology 206 ( 5 ) 990 - 993 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2011.04.021
Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization

Yoshimine Kato, Masaki Goto, Ryota Sato, Kazuhiro Yamada, Akira Koga, Kungen Teii, Chenda Srey, Satoru Tanaka

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 206 ( 5 ) 990 - 993 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2011.04.021
Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization 査読国際誌

Yoshimine Kato, Masaki Goto a, Ryota Sato a, Kazuhiro Yamada a, Akira Koga b, Kungen Teii, Chenda Srey, Satoru Tanaka

Surface & Coatings Technology ( 206 ) 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Site-Specific Stereograph of SiC(0001) Surface by Inverse Matrix Method 査読国際誌

Kentaro GOTO, Mie HASHIMOTO, Tomoaki HATAYAMA, Tomohiro MATSUSHITA,Yukako KATO, Satoru TANAKA, and Hiroshi DAIMON

Journal of the Physical Society of Japan 80 (2011) 013601 ( 80 ) 2011年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Si 2p core level shifts of the epitaxial SiON layer on a SiC(0001), studied by photoemissin spectroscopy

T. Shirasawa, Tanaka Satoru, T. Muro, Y. Tamenori, Y. Harada, T. Tokushima, T. Kinoshita, S. Shin, T. Takahashi, H. Tochihara

7th International Forum on Advanced Material Science and Technology, IFAMST-7 Advanced Material Science and Technology 15 - 19 2011年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.675-677.15
Site-specific stereograph of SiC(0001) surface by inverse matrix method 査読

Fumihiko Matsui, Noriyuki Nishikayama, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Kentaro Goto, Mie Hashimoto, Tomoaki Hatayama, Tomohiro Matsushita, Yukako Kato, Satoru Tanaka, Hiroshi Daimon

journal of the physical society of japan 80 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JPSJ.80.013601
Site-Specific Stereograph of SiC(0001) Surface by Inverse Matrix Method

Fumihiko Matsui, Noriyuki Nishikayama, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Kentaro Goto, Mie Hashimoto, Tomoaki Hatayama, Tomohiro Matsushita, Yukako Kato, Satoru Tanaka, Hiroshi Daimon

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 80 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JPSJ.80.013601
Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H-SiC studied by deep ultraviolet Raman spectroscopy 査読

Kenji Kisoda, Susumu Kamoi, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kouhei Morita, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto

Applied Physics Letters 97 ( 3 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3466150
Shape, width, and replicas of pi bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001)

Kan Nakatsuji, Yuki Shibata, Ryota Niikura, Fumio Komori, Kouhei Morita, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 82 ( 4 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.82.045428
Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H-SiC studied by deep ultraviolet Raman spectroscopy

Kenji Kisoda, Susumu Kamoi, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kouhei Morita, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 97 ( 3 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3466150
Shape, width, and replicas of π bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001) 査読

82 ( 4 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Massless π bands of graphene grown on a SiC(0001) substrate can be affected by the scattering at the boundaries and the interface superstructure. We investigated the π band structure and width of the single- and double-layer graphenes grown on a vicinal SiC(0001) substrate using angle-resolved photoemission spectroscopy. The π electron scattering at the substrate steps makes the spectrum width anisotropic but no difference occurs in the π band shape. Quasi- 2×2 replicas of the π band due to the interface 6√3×6√3R30°superstructure were observed in the single-layer graphene while they were absent in the double-layer graphene.

DOI： 10.1103/PhysRevB.82.045428
Anisotropic transport in graphene on SiC substrate with periodic nanofacets 査読

S. Odaka, H. Miyazaki, S. L. Li, A. Kanda, K. Morita, S. Tanaka, Y. Miyata, H. Kataura, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi

Applied Physics Letters 96 ( 6 ) 2010年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3309701
Anisotropic layer-by-layer growth of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces 査読

Tanaka Satoru, Kouhei Morita, Hiroki Hibino

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 81 ( 4 ) 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.041406
Anisotropic layer-by-layer growth of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces

Satoru Tanaka, Kouhei Morita, Hiroki Hibino

PHYSICAL REVIEW B 81 ( 4 ) 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.041406
Deep UV Raman spectroscopy of epitaxial graphenes on vicinal 6H-SiC substrates

S. Kamoi, N. Hasuike, K. Kisoda, H. Harima, K. Morita, Tanaka Satoru, A. Hashimoto

13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009 Silicon Carbide and Related Materials 2009 ICSCRM 2009 611 - 614 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.611
Atomic-layer-resolved bandgap structure of an ultrathin oxynitride-silicon film epitaxially grown on 6H-SiC (0001) 査読

T. Shirasawa, K. Hayashi, H. Yoshida, S. Mizuno, S. Tanaka, T. Muro, Y. Tamenori, Y. Harada, T. Tokushima, Y. Horikawa, E. Kobayashi, T. Kinoshita, S. Shin, T. Takahashi, Y. Ando, K. Akagi, S. Tsuneyuki, H. Tochihara

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 79 ( 24 ) 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.79.241301
Atomic-layer-resolved bandgap structure of an ultrathin oxynitride-silicon film epitaxially grown on 6H-SiC(0001) 査読

T. Shirasawa, K. Hayashi, H. Yoshida, S. Mizuno, S. Tanaka, T. Muro, Y. Tamenori, Y. Harada, T. Tokushima, Y. Horikawa, E. Kobayashi, T. Kinoshita, S. Shin, T. Takahashi, Y. Ando, K. Akagi, S. Tsuneyuki, H. Tochihara

PHYSICAL REVIEW B 79 ( 24 ) 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.79.241301
Electron beam irradiation effect for solid C₆₀ epitaxy on graphene 査読

Akihiro Hashimoto, Hiromitsu Terasaki, Akio Yamamoto, Tanaka Satoru

Diamond and Related Materials 18 ( 2-3 ) 388 - 391 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2008.11.005
Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0001) surfaces

Kenjiro Hayashi, Kouhei Morita, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara, Satoru Tanaka

SURFACE SCIENCE 603 ( 3 ) 566 - 570 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2008.12.025
Stable surface termination on vicinal 6H-SiC(0 0 0 1) surfaces 査読

Kenjiro Hayashi, Kouhei Morita, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara, Tanaka Satoru

Surface Science 603 ( 3 ) 566 - 570 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.susc.2008.12.025
van der Waals epitaxy of solid C₆₀ on graphene sheet 査読

Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka, Akio Yamamoto

Diamond and Related Materials 17 ( 7-10 ) 1622 - 1624 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2008.03.011
van der Waals epitaxy of solid C-60 on graphene sheet

Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka, Akio Yamamoto

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 17 ( 7-10 ) 1622 - 1624 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2008.03.011
Three-dimensional laser microfabrication of metals, semiconductors, and dielectrics

Saulius Juodkazis, Koichi Nishimura, Hiroki Okuno, Yusuke Tabuchi, Shigeki Matsuo, Satoru Tanaka, Hiroaki Misawa

International Conference on Lasers, Applications, and Technologies 2007: Laser-assisted Micro- and Nanotechnologies International Conference on Lasers, Applications, and Technologies 2007 Laser-assisted Micro- and Nanotechnologies 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1117/12.751889
Ordering distance of surface nanofacets on vicinal 4H-SiC(0001) 査読

Masahiro Fujii, Tanaka Satoru

Physical Review Letters 99 ( 1 ) 2007年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.99.016102
Ordering distance of surface nanofacets on vicinal 4H-SiC(0001)

Masahiro Fujii, Satoru Tanaka

PHYSICAL REVIEW LETTERS 99 ( 1 ) 2007年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.99.016102
Nucleation and growth mode of GaN on vicinal SiC surfaces 査読

Masato Ebihara, Satoru Tanaka, Ikuo Suemune

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 46 ( 12-16 ) L348 - L351 2007年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.L348
Nucleation and growth mode of GaN on vicinal SiC surfaces

Masato Ebihara, Satoru Tanaka, Ikuo Suemune

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 46 ( 12-16 ) L348 - L351 2007年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.L348
Epitaxial silicon oxynitride layer on a 6H-SiC(0001) surface 査読

Tetsuroh Shirasawa, Kenjiro Hayashi, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Hiroshi Tochihara

Physical Review Letters 98 ( 13 ) 2007年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.98.136105
Epitaxial silicon oxynitride layer on a 6H-SiC(0001) surface

Tetsuroh Shirasawa, Kenjiro Hayashi, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Hiroshi Tochihara

PHYSICAL REVIEW LETTERS 98 ( 13 ) 2007年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.98.136105
Laser-induced microexplosion confined in the bulk of a sapphire cystal Evidence of multimegabar pressures 査読

S. Juodkazis, K. Nishimura, S. Tanaka, H. Misawa, E. G. Gamaly, B. Luther-Davies, L. Hallo, P. Nicolai, V. T. Tikhonchuk

Physical Review Letters 96 ( 16 ) 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.166101
Nucleation stages of carbon nanotubes on SiC(0001) by surface decomposition 査読

Kenjiro Hayashl, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka, Hiroki Toyoda, Hiroshi Tochihara, Ikuo Suemune

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 44 ( 24-27 ) L803 - L805 2005年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.L803
SiC surface nanostructures induced by self-ordering of nano-facets 査読

Tanaka Satoru, H. Nakagawa, I. Suemune

Materials Science Forum 457-460 ( I ) 407 - 410 2004年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Characteristics of AlN growth on vicinal SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy 査読

J. Brault, E. Bellet-Amalric, S. Tanaka, F. Enjalbert, D. Le Si Dang, E. Sarigiannidou, J. L. Rouviere, G. Feuillet, B. Daudin

Physica Status Solidi (B) Basic Research 240 ( 2 ) 314 - 317 2003年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssb.200303268
A UV light-emitting diode incorporating GaN quantum dots 査読

Satoru Tanaka, Jeong Sik Lee, Peter Ramvall, Hiroaki Okagawa

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 8 A ) L885 - L887 2003年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.42.l885
Structural anisotropy in GaN films grown on vicinal 4H-SiC surfaces by metallorganic molecular-beam epitaxy 査読

Jun Ichi Kato, Satoru Tanaka, Satoshi Yamada, Ikuo Suemune

Applied Physics Letters 83 ( 8 ) 1569 - 1571 2003年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1605791
Realization of low dislocation GaN/sapphire wafers by 3-step metalorganic vapor phase epitaxial growth with island induced dislocation control 査読

Hajime Fujikura, Kazuyuki Iizuka, Tanaka Satoru

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 42 ( 5 A ) 2767 - 2772 2003年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Linear alignment of GaN quantum dots on AIN grown on vicinal SiC substrates 査読

Journal of Applied Physics 93 ( 5 ) 3108 - 3110 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1538334
II-VI quantum dots grown by MOVPE 査読

I. Suemune, K. Yoshida, H. Kumano, T. Tawara, A. Ueta, S. Tanaka

Journal of Crystal Growth 248 301 - 309 2003年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)01862-6
II-VI quantum dots grown by MOVPE 査読

Suemune, I, K Yoshida, H Kumano, T Tawara, A Ueta, S Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 248 301 - 309 2003年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)01862-6
Self-ordering of nanofacets on vicinal sic surfaces 査読

Hiroshi Nakagawa, Satoru Tanaka, Ikuo Suemune

Physical Review Letters 91 ( 22 ) 2003年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.91.226107
GaN quantum dot UV light emitting diode 査読

Jeong Sik Lee, Tanaka Satoru, Peter Ramvall, Hiroaki Okagawa

Materials Research Society Symposium - Proceedings 798 11 - 16 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Compositional variation of AlGaN epitaxial films on 6H-SiC substrates determined by cathodoluminescence 査読

A. Petersson, Anders Gustafsson, L. Samuelson, Satoru Tanaka, Yoshinobu Aoyagi

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 7 2002年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Lateral arrangement of self-assembled GaN islands on periodically stepped AlN surfaces 査読

Physica Status Solidi (B) Basic Research 234 ( 3 ) 939 - 942 2002年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<939::AID-PSSB939>3.0.CO;2-L
Nitrogen-doped p-type ZnO layers prepared with H₂O vapor-assisted metalorganic molecular-beam epitaxy 査読

A. B.M.Almamun Ashrafi, Ikuo Suemune, Hidekazu Kumano, Satoru Tanaka

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 41 ( 11 B ) L1281 - L1284 2002年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.41.l1281
Nitrogen-doped p-type ZnO layers prepared with H2O vapor-assisted metalorganic molecular-beam epitaxy 査読

ABMA Ashrafi, Suemune, I, H Kumano, S Tanaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41 ( 11B ) L1281 - L1284 2002年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.L1281
Growth of AlN-SiC solid solutions by sequential supply epitaxy 査読

A Avramescu, H Hirayama, Y Aoyagi, S Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 234 ( 2-3 ) 435 - 439 2002年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01703-1
Growth of AlN-SiC solid solutions by sequential supply epitaxy 査読

A. Avramescu, H. Hirayama, Y. Aoyagi, S. Tanaka

Journal of Crystal Growth 234 ( 2-3 ) 435 - 439 2002年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01703-1
Near K-edge absorption spectra of III-V nitrides 査読

K. Fukui, R. Hirai, A. Yamamoto, H. Hirayama, Y. Aoyagi, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Tanaka Satoru

Physica Status Solidi (B) Basic Research 228 ( 2 ) 461 - 465 2001年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/1521-3951(200111)228:2<461::AID-PSSB461>3.0.CO;2-Q
Near K-edge absorption spectra of III-V nitrides 査読

K Fukui, R Hirai, A Yamamoto, H Hirayama, Y Aoyagi, S Yamaguchi, H Amano, Akasaki, I, S Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 228 ( 2 ) 461 - 465 2001年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
On phonon confinement effects and free carrier concentration in GaN quantum dots 査読

M. Kuball, J. Gleize, Satoru Tanaka, Y. Aoyagi

Physica Status Solidi (B) Basic Research 228 ( 1 ) 195 - 198 2001年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/1521-3951(200111)228:1<195::AID-PSSB195>3.0.CO;2-B
Quantum dot formation and crystal growth using an atomic nano-mask 査読

Y Aoyagi, S Tanaka, H Hirayama, M Takeuchi

PHYSICA E 11 ( 2-3 ) 89 - 93 2001年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00181-3
Nucleation and growth kinetics of AIN films on atomically smooth 6H-SiC (0001) surfaces 査読

Satoshi Yamada, Jun Ichi Kato, Satoru Tanaka, Ikuo Suemune, Adrian Avramescu, Yoshinobu Aoyagi, Nobuaki Teraguchi, Akira Suzuki

Applied Physics Letters 78 ( 23 ) 3612 - 3614 2001年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1377309
Resonant Raman scattering on self-assembled GaN quantum dots 査読

M. Kuball, J. Gleize, Satoru Tanaka, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 78 ( 7 ) 987 - 989 2001年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1347386
Quantum dot formation and crystal growth using an atomic nano-mask 査読

Yoshinobu Aoyagi, Satoru Tanaka, Hideki Hirayama, Misaichi Takeuchi

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 11 ( 2-3 ) 89 - 93 2001年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00181-3
Microcavities with distributed Bragg reflectors based on ZnSe/MgS superlattice grown by MOVPE 査読

T Tawara, H Yoshida, T Yogo, S Tanaka, Suemune, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 221 699 - 703 2000年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00803-4
Anti-surfactant in III-nitride epitaxy - quantum dot formation and dislocation termination 査読

Satoru Tanaka, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 39 ( 8 B ) L831 - L834 2000年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of periodic steps with a unit-cell height on 6H-SiC (0001) surface by HCl etching 査読

Shun Ichi Nakamura, Tsunenobu Kimoto, Hiroyuki Matsunami, Satoru Tanaka, Nobuaki Teraguchi, Akira Suzuki

Applied Physics Letters 76 ( 23 ) 3412 - 3414 2000年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.126663
Origin of size distributions in ZnSe self-organized quantum dots grown on ZnS layers 査読

Takehiko Tawara, Satoru Tanaka, Hidekazu Kumano, Ikuo Suemune

Journal of Electronic Materials 29 ( 5 ) 515 - 519 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-000-0037-0
Origin of size distributions in ZnSe self-organized quantum dots grown on ZnS layers 査読

T Tawara, S Tanaka, H Kumano, Suemune, I

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 29 ( 5 ) 515 - 519 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-000-0037-0
Optical properties of GaN quantum dots 査読

Peter Ramvall, Philippe Riblet, Shintaro Nomura, Yoshinobu Aoyagi, Satoru Tanaka

Journal of Applied Physics 87 ( 8 ) 3883 - 3890 2000年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.372429
Investigations of optical and electrical properties of In-doped GaN films grown by gas-source molecular beam epitaxy 査読

X. Q. Shen, P. Ramvall, P. Riblet, Y. Aoyagi, K. Hosi, S. Tanaka, I. Suemune

The 7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques Journal of Crystal Growth 209 ( 2-3 ) 396 - 400 2000年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00578-3
MOVPE growth of ZnSe/ZnMgS distributed Bragg reflectors with high refractive-index contrast 査読

T. Tawara, I. Suemune, S. Tanaka

The 9th International Conference on II-VI Compounds Journal of Crystal Growth 214 1019 - 1023 2000年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00259-1
Microcavities with distributed Bragg reflectors based on ZnSe/MgS superlattice grown by MOVPE 査読

T. Tawara, H. Yoshida, T. Yogo, Tanaka Satoru, I. Suemune

Journal of Crystal Growth 221 ( 1-4 ) 699 - 703 2000年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00803-4
Cathodoluminescence Studies of Spontaneously Formed Low-dimensional AlGaN Structures 査読

Anders Petersson, Anders Gustafsson, Satoru Tanaka, Yoshinobu Aoyagi, Lars Samuelson

Physica Scripta T 79 56 - 59 1999年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication of self-assembling AIGaN quantum dot on AIGaN surfaces using anti-surfactant 査読

H. Hirayama, Y. Aoyagi, Tanaka Satoru

Materials Research Society Symposium - Proceedings 537 1999年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication of self-assembling AlGaN quantum dot on AlGaN surfaces using anti-surfactant 査読

H. Hirayama, Y. Aoyagi, S. Tanaka

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4 ( SUPPL. 1 ) 1999年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of indium doping on the transient optical properties of GaN films 査読

Hidekazu Kumano, Ken Ichi Hoshi, Satoru Tanaka, Ikuo Suemune, Xu Qiang Shen, Philippe Riblet, Peter Ramvall, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 75 ( 19 ) 2879 - 2881 1999年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.125178
Confinement induced decrease of the exciton-longitudinal optical phonon coupling in GaN quantum dots 査読

Peter Ramvall, Tanaka Satoru, Shintaro Nomura, Philippe Riblet, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 75 ( 13 ) 1935 - 1937 1999年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.124876
Growth and luminescence properties of self-organized ZnSe quantum dots 査読

Takehiko Tawara, Tanaka Satoru, Hidekazu Kumano, Ikuo Suemune

Applied Physics Letters 75 ( 2 ) 235 - 237 1999年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.124333
Cathodoluminescence spectroscopy and imaging of individual GaN dots 査読

Anders Petersson, Anders Gustafsson, Lars Samuelson, Tanaka Satoru, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 74 ( 23 ) 3513 - 3515 1999年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.124147
Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant 査読

H Hirayama, S Tanaka, Y Aoyagi

MICROELECTRONIC ENGINEERING 47 ( 1-4 ) 251 - + 1999年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant 査読

Hideki Hirayama, Satoru Tanaka, Yoshinobu Aoyagi

Proceedings of the 1998 4th International Symposium on New Phenomena in Mesoscopic Structures (NPMS'98) Microelectronic Engineering 47 ( 1 ) 251 - 253 1999年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0167-9317(99)00207-5
Enhancement of surface decomposition using supersonic beam Direct evidence from GaN quantum dot formations on AlGaN surfaces in gas-source molecular beam epitaxy 査読

X. Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi

Proceedings of the 1998 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-X) Journal of Crystal Growth 201 402 - 406 1999年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)01362-1
High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH₃ 査読

Jin Soo Hwang, Satoru Tanaka, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi, Seeyearl Seong

Journal of Crystal Growth 200 ( 1-2 ) 63 - 69 1999年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00893-8
Semiconductor photonic dots Visible wavelength-sized optical resonators 査読

I. Suemune, A. Ueta, A. Avramescu, Tanaka Satoru, H. Kumano, K. Uesugi

Applied Physics Letters 74 ( 14 ) 1963 - 1965 1999年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.123714
Size-dependent optical nonlinearities in GaN quantum dots 査読

Philippe Riblet, Satoru Tanaka, Peter Ramvall, Shintaro Nomura, Yoshinobu Aoyagi

Solid State Communications 109 ( 6 ) 377 - 381 1999年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0038-1098(98)00574-2
Optical characterization of the "E2" deep level in GaN 査読

P. Hacke, P. Ramvall, Tanaka Satoru, Y. Aoyagi, A. Kuramata, K. Horino, H. Munekata

Applied Physics Letters 74 ( 4 ) 543 - 545 1999年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.123180
GaN quantum structures with fractional dimension -from quantum well to quantum dot 査読

Tanaka Satoru, I. Suemune, P. Ramvall, Y. Aoyagi

Physica Status Solidi (B) Basic Research 216 ( 1 ) 431 - 434 1999年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<431::AID-PSSB431>3.0.CO;2-3
Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant 査読

Hideki Hirayama, Tanaka Satoru, Yoshinobu Aoyagi

Microelectronic Engineering 49 ( 3-4 ) 287 - 290 1999年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0167-9317(99)00448-7
Intense photoluminescence from self-assembling InGaN quantum dots artificially fabricated on AlGaN surfaces 査読

Hideki Hirayama, Satoru Tanaka, Peter Ramvall, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 72 ( 14 ) 1736 - 1738 1998年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.121168
The formation of GaN dots on Al_xGa_1-xN surfaces using Si in gas-source molecular beam epitaxy 査読

Xu Qiang Shen, Satoru Tanaka, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 72 ( 3 ) 344 - 346 1998年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.120731
Observation of confinement-dependent exciton binding energy of GaN quantum dots 査読

Peter Ramvall, Tanaka Satoru, Shintaro Nomura, Philippe Riblet, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 73 ( 8 ) 1104 - 1106 1998年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.122098
Aluminum nitride-silicon carbide solid solutions grown by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

R. S. Kern, L. B. Rowland, S. Tanaka, R. F. Davis

Journal of Materials Research 13 ( 7 ) 1816 - 1822 1998年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/JMR.1998.0257
Aluminum nitride-silicon carbide solid solutions grown by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

RS Kern, LB Rowland, S Tanaka, RF Davis

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 13 ( 7 ) 1816 - 1822 1998年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Chemical beam epitaxy of GaN using triethylgallium and ammonia 査読

X. Q. Shen, Tanaka Satoru, S. Iwai, Y. Aoyagi

Journal of Crystal Growth 188 ( 1-4 ) 86 - 91 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00057-8
Growth mechanisms of GaN quantum dots and their optical properties 査読

S Tanaka, P Ramvall, S Nomura, H Hirayama, Y Aoyagi

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 81 ( 6 ) 20 - 26 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Real-time observations of the GaN dot formation by controlling growth mode on the AlGaN surface in gas-source molecular beam epitaxy 査読

X. Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi

Journal of Crystal Growth 189-190 147 - 152 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00196-1
Influences of surface V/III ratio on the film quality during the GaN growth in gas-source molecular beam epitaxy 査読

Xu Qiang Shen, Tanaka Satoru, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37 ( 6 A ) 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Growth mechanisms of GaN quantum dots and their optical properties 査読

Satoru Tanaka, Peter Ramvall, Shintaro Nomura, Hideki Hirayama, Yoshinobu Aoyagi

Electronics and Communications in Japan, Part II: Electronics (English translation of Denshi Tsushin Gakkai Ronbunshi) 81 ( 6 ) 20 - 26 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/(SICI)1520-6432(199806)81:6<20::AID-ECJB3<3.0.CO;2-7
Reaction kinetics of silicon carbide deposition by gas-source molecular-beam epitaxy 査読

R. S. Kern, S. Tanaka, L. B. Rowland, R. F. Davis

Journal of Crystal Growth 183 ( 4 ) 581 - 593 1998年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00471-5
Reaction kinetics of silicon carbide deposition by gas-source molecular-beam epitaxy 査読

RS Kern, S Tanaka, LB Rowland, RF Davis

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 183 ( 4 ) 581 - 593 1998年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Application of ζ-factor method to Ti-Al-Cr system in analytical electron microscopy 査読

47 ( 1 ) 9 - 15 1998年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

This study presents quantitative microanalysis of the Ti-Al-Cr system using analytical electron microscopy. The absorption correction is made using the ζ-factor method developed recently, which does not require knowledge of thickness nor density at the point of analysis. A brief summary of the method is given to illustrate the process for simultaneous determination of the composition and thickness at the point of analysis. It is demonstrated that the ζ-factor method is applicable to the ternary Ti-Al-Cr system.

DOI： 10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023564
Characterization of GaN quantum dots on AlGaN/SiC substrate using cathodoluminescence 査読

A. Petersson, S. Tanaka, Y. Aoyagi, L. Samuelson

Materials Science Forum 264-268 ( PART 2 ) 1335 - 1338 1998年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1335
Drastic change in the GaN film quality by in-situ controlling surface reconstructions in GSMBE 査読

X. Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi

Proceedings of the 1997 MRS Fall Meeting Materials Research Society Symposium - Proceedings 482 223 - 226 1997年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
InGaN quantum dots fabricated on AlGaN surfaces - growth mechanism and optical properties 査読

H. Hirayama, S. Tanaka, P. Ramvall, Y. Aoyagi

Proceedings of the 1997 MRS Fall Meeting Materials Research Society Symposium - Proceedings 482 737 - 742 1997年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
New Buffering Process in Preparation of Hiah Quality GaN Films 査読

Jin Soo Hwang, Seeyearl Seong, Satoru Tanaka, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi, Paul Joe Chong

Bulletin of the Korean Chemical Society 18 ( 11 ) 1133 - 1135 1997年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Simulated emission from optically pumped GaN quantum dots 査読

Tanaka Satoru, Hideki Hirayama, Yoshinobu Aoyagi, Yukio Narukawa, Yoichi Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita

Applied Physics Letters 71 ( 10 ) 1299 - 1301 1997年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.119877
Growth and doping via gas-source molecular beam epitaxy of SiC and SiC/AlN heterostructures and their microstructural and electrical characterization 査読

Diamond and Related Materials 6 ( 10 ) 1282 - 1288 1997年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Growth and doping via gas-source molecular beam epitaxy of SiC and SiC/AlN heterostructures and their microstructural and electrical characterization 査読

RS Kern, K Jarrendahl, S Tanaka, RF Davis

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 6 ( 10 ) 1282 - 1288 1997年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Homoepitaxial SiC growth by molecular beam epitaxy 査読

Physica Status Solidi (B) Basic Research 202 ( 1 ) 379 - 404 1997年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/1521-3951(199707)202:1<379::AID-PSSB379>3.0.CO;2-2
Homoepitaxial SiC growth by molecular beam epitaxy 査読

RS Kern, K Jarrendahl, S Tanaka, RF Davis

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 202 ( 1 ) 379 - 404 1997年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Gas-source molecular beam epitaxy of III-V nitrides 査読

R. F. Davis, M. J. Paisley, Z. Sitar, D. J. Kester, K. S. Ailey, K. Linthicum, L. B. Rowland, S. Tanaka, R. S. Kern

Journal of Crystal Growth 178 ( 1-2 ) 87 - 101 1997年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00077-8
Growth of A1N and GaN thin films via OMVPE and gas source MBE and their characterization 査読

Robert F. Davis, T. W. Weeks, M. D. Bremser, S. Tanaka, R. S. Kern, Z. Sitar, K. S. Ailey, W. G. Perry, C. Wang

Solid-State Electronics 41 ( 2 SPEC. ISS. ) 129 - 134 1997年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
GaN quantum dots in Al_xGa_1-xN confined layer structures 査読

S. Tanaka, H. Hirayama, S. Iwai, Y. Aoyagi

Proceedings of the 1996 MRS Fall Symposium Materials Research Society Symposium - Proceedings 449 135 - 140 1997年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Reduction of the defect density in GaN films using ultra-thin AlN buffer layers on 6H-SiC 査読

Satoru Tanaka, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi

Journal of Crystal Growth 170 ( 1-4 ) 329 - 334 1997年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00611-2
Self-assembling GaN quantum dots on Al_xGa_1-xN surfaces using a surfactant 査読

Satoru Tanaka, Sohachi Iwai, Yoshinobu Aoyagi

Applied Physics Letters 69 ( 26 ) 4096 - 4098 1996年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.117830
Electrical characteristics of metal/AlN/n-type 6H-SiC(0001) heterostructures 査読

M. O. Aboelfotoh, R. S. Kern, S. Tanaka, R. F. Davis, C. I. Harris

Applied Physics Letters 69 ( 19 ) 2873 - 2875 1996年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.117347
Growth of SiC and III-V nitride thin films via gas-source molecular beam epitaxy and their characterization 査読

Robert F. Davis, S. Tanaka, L. B. Rowland, R. S. Kern, Z. Sitar, S. K. Ailey, C. Wang

Journal of Crystal Growth 164 ( 1-4 ) 132 - 142 1996年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/0022-0248(95)01023-8
Vicinal and on-axis surfaces of 6H-SiC(0001) thin films observed by scanning tunneling microscopy 査読

Satoru Tanaka, R. Scott Kern, Robert F. Davis, John F. Wendelken, Jun Xu

Surface Science 350 ( 1-3 ) 247 - 253 1996年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/0039-6028(95)01105-6
Defect formation during hetero-epitaxial growth of aluminum nitride thin films on 6H-silicon carbide by gas-source molecular beam epitaxy 査読

Satoru Tanaka, R. Scott Kern, James Bentley, Robert F. Davis

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 35 ( 3 ) 1641 - 1647 1996年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Defect formation during hetero-epitaxial growth of aluminum nitride thin films on 6H-Silicon carbide by gas-source molecular beam epitaxy 査読

S Tanaka, RS Kern, J Bentley, RF Davis

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 ( 3 ) 1641 - 1647 1996年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Microstructural evolution and defect formation during the initial stages of the growth of silicon carbide and aluminum nitride on α(6H) -SiC(0001) substrates 査読

163 ( 1-2 ) 93 - 99 1996年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The effect of gas flow ratios (C₂H₄/Si₂H₆ = 1,2,10) on the growth mode of SiC thin films on vicinal α(6H)-SiC(0001) substrates by gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE) at 950-1150°C has been investigated. Step flow, step bunching and the deposition of 6H-SiC occurred at the outset of the exposure of the (1 × 1) surface to the reactants using any flow ratio. Subsequent deposition resulted in either step flow and continued growth of 6H films using C₂H₄/Si₂H₆ = 1 or nucleation and coalescence of 3C-SiC islands on the 6H terraces using C₂H₄/Si₂H₆ = 2 and 10. The initial stage of A1N film growth on these substrates and the occurrence of defects has also been investigated. Essentially atomically flat A1N surfaces, indicative of two-dimensional growth, were obtained using on-axis substrates. Island-like features were observed on the vicinal surfaces. The coalescence of the latter features gave rise to double positioning boundaries as a result of the misalignment of the Si/C bilayer steps with the A1/N bilayers in the growing films. The quality of the thicker A1N films was strongly influenced by the concentration of these boundaries. The following sections describe the procedures used to deposit and analyze these two materials as well as detail the results and conclusions of this research.

DOI： 10.1016/0022-0248(95)01052-1
Issues and examples regarding growth of AlN, GaN and AlxGa1-xN thin films via OMVPE and gas source MBE 査読

Robert F. Davis, T. W. Weeks, M. D. Bremser, Tanaka Satoru, R. S. Kern, Z. Sitar, K. S. Ailey, W. G. Perry, C. Wang

Unknown Journal 395 3 - 13 1996年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Initial stage of aluminum nitride film growth on 6H-silicon carbide< by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

Tanaka Satoru, R. Scott Kern, Robert F. Davis

Applied Physics Letters 1995年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.114173
INITIAL-STAGE OF ALUMINUM NITRIDE FILM GROWTH ON 6H-SILICON CARBIDE BY PLASMA-ASSISTED, GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY 査読

S TANAKA, RS KERN, RF DAVIS

APPLIED PHYSICS LETTERS 66 ( 1 ) 37 - 39 1995年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film growth mode and polytype formation during gas-source molecular beam epitaxy 査読

Satoru Tanaka, R. Scott Kern, Robert F. Davis

Applied Physics Letters 65 ( 22 ) 2851 - 2853 1994年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.112513
Initial stages of growth of thin films of III-V nitrides and silicon carbide polytypes by molecular beam epitaxy 査読

Robert F. Davis, K. S. Ailey, R. S. Kern, D. J. Kester, Z. Sitar, L. Smith, S. Tanaka, C. Wang

Proceedings of the 1994 MRS Spring Meeting Materials Research Society Symposium - Proceedings 339 351 - 362 1994年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/proc-339-351
Aluminum nitride/silicon carbide multilayer heterostructure produced by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

L. B. Rowland, R. S. Kern, S. Tanaka, Robert F. Davis

Applied Physics Letters 62 ( 25 ) 3333 - 3335 1993年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.109062
Epitaxial growth of AIN by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

L. B. Rowland, R. S. Kern, S. Tanaka, Robert F. Davis

Journal of Materials Research 8 ( 9 ) 2310 - 2314 1993年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/JMR.1993.2310
Solid solutions of AIN and SiC grown by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy 査読

R. S. Kern, S. Tanaka, R. F. Davis

Journal of Materials Research 8 ( 7 ) 1477 - 1480 1993年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/JMR.1993.1477
Layer-by-layer growth of SiC at low temperatures 査読

J. J. Sumakeris, L. B. Rowland, R. S. Kern, S. Tanaka, R. F. Davis

Thin Solid Films 225 ( 1-2 ) 219 - 224 1993年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/0040-6090(93)90158-L
Gas-source molecular beam epitaxy of monocrystalline β-SiC on vicinal α(6H)-SiC 査読

8 ( 11 ) 2753 - 2756 1993年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Single-crystal epitaxial films of cubic /3(3C)-SiC(lll) have been deposited on hexagonal a(6H)-SiC(0001) substrates oriented 3-4° toward [1120] at 1050–1250 °C via gas-source molecular beam epitaxy using disilane (Si2H6 and ethylene (C2H4). High-resolution transmission electron microscopy revealed that the nucleation and growth of the β(3C)-SiC regions occurred primarily on terraces between closely spaced steps because of reduced rates of surface migration at the low growth temperatures. Double positioning boundaries were observed at the intersections of these regions.

DOI： 10.1557/JMR.1993.2753

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書籍等出版物

グラフェンの機能と応用展望II

田中悟（担当：単著）

シーエムシー出版 2012年11月

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担当ページ：第9章 SiC上のグラフェン成長と電子状態記述言語：日本語著書種別：学術書

講演・口頭発表等

Fabrication and characterization of twisted bilayer graphene 招待国際会議

S. Tanaka, #H. Imamura, #R. Uotani, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, @T. Iimori, @T. Miyamachi,@ K. Nakatsuji, @K. Mase, @F. Komori

Materials Research Meeting 2019 December 10-14, 2019, Yokohama, Japan 2019年12月

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Rotation-angle controlled twisted bilayer graphene 国際会議

S. Tanaka, #H. Imamura, #R. Uotani, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, @T. Iimori, @T. Miyamachi,@ K. Nakatsuji, @K. Mase, @F. Komori

12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '19 2019年10月

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of graphene lateral superlattices on self-ordered SiC facets 招待

2015年7月

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

国名：日本国
SiC ウエハ上のグラフェンナノ構造とデバイス応用招待

田中悟

第7回ワイドバンドギャップ半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究分科会講演会第28回精密加工プロセス研究会講演会 2015年6月

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開催年月日： 2015年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：大阪国名：日本国
ナノ表面構造制御によるヘテロエピタキシー招待

第55回真空に関する連合講演会 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月 - 2014年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：滋賀国名：日本国
MBE法による傾斜SiC表面上へのグラフェンナノリボンの成長招待

第33回電子材料シンポジウム(30th Electronic Materials Symposium) 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：滋賀国名：日本国
SiC表面ナノ構造上のグラフェンナノリボンの形成と電子物性招待

田中悟

日本物理学会第６6回年次大会領域9，領域7合同シンポジウム主題：表面界面状態の理解と触媒反応・電子デバイスへの新展開 2014年3月

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学国名：日本国
グラフェンナノ構造の形成と構造ー電子物性相関招待

田中　悟

早稲田大学各務記念材料技術研究所オープンセミナー 2011年10月

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開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田国名：日本国
Formation of graphene nanostructures on vicinal SiC surfaces 招待国際会議

S. Tanaka

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月 - 2011年5月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of epitaxial grapehene nanostructures and correlation with electronic structures 招待

S. Tanaka

2011年7月

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開催年月日： 2011年6月 - 2011年7月

会議種別：口頭発表（招待・特別）

国名：日本国
Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces 招待国際会議

S. Tanaka

2011年10月

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開催年月日： 2011年5月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
SiCナノ表面構造とヘテロエピタキシー招待

田中悟

真空・表面科学合同講演会 2010年11月

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開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪国名：日本国
Self-organized graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces 招待国際会議

S. Tanaka, K. Morita, N. Uehara, K. Nakatsuji, T. Yoshimura, F. Komori

International Symposium on Graphene Dvices (ISGD) 2010 2010年10月

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開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Growth mechanisms of graphene on vicinal SiC surfaces 国際会議

Satoru Tanaka, Kouhei Morita, Naoya Uehara, Hiroki Hibino

European Materials Society (E-MRS) Spring Meeting 2010年6月

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開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
SiCナノ表面上へのエピタキシャルグラフェンの形成と評価招待

田中　悟

日本物理学会第６５回年次大会領域7，領域4，領域6，領域9合同シンポジウム主題：グラフェンの生成・評価と物性－最前線と展望－ 2010年3月

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開催年月日： 2010年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：岡山国名：日本国
Formation of graphene nanowires on vicinal SiC surfaces 国際会議

Srey Chenda, Satoru Tanaka

MRS 2009 Fall Meeting 2009年12月

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開催年月日： 2009年11月 - 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
A breakthrough toward wafer-size bilayer graphene transfer 国際会議

Akihiro Hashimoto, Hiromitsu Tearsaki, Kouhei Morita, Satoru Tanaka and Hiroki Hibino

2009 MRS Fall Meeting 2009年12月

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開催年月日： 2009年11月 - 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Spatially uniform-thick bi-layer graphene on vicinal SiC surfaces 国際会議

Kohei Morita, Hiroki Hibino, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Seigi Mizuno, Satoru Tanaka

ICSCRM2009 2009年10月

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開催年月日： 2009年10月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
A breakthrough toward wafer-size bilayer graphene transfer 国際会議

Akihiro Hashimoto, Hiromitsu Tearsaki, Kouhei Morita, Satoru Tanaka and Hiroki Hibino

ICSCRM2009 2009年10月

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開催年月日： 2009年10月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Rippled Graphene Nanostructures on vicinal SiC surfaces 国際会議

Yoshihito Hagihara, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Satoru Tanaka

ICSCRM2009 2009年10月

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開催年月日： 2009年10月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
微傾斜SiC表面上のナノグラフェン構造の形成と物性招待

田中悟

東北大学電気通信研究所・共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御」 2009年10月

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開催年月日： 2009年10月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台国名：日本国
SiC表面上へのエピタキシャルグラフェンの形成と結晶構造招待

田中　悟

日本物理学会第１９回格子欠陥シンポジウム 2009年9月

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開催年月日： 2009年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡国名：日本国
ＳｉＣナノ周期表面上のグラフェンナノ構造招待

田中悟，森田康平，萩原好人，スレイチェンダ

電気学会光量子デバイス研究会 2009年9月

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開催年月日： 2009年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国
Graphene formation on vicinal SiC surfaces 招待国際会議

S. Tanaka, K. Motita, S. Chenda, Y. Hagihara, K. Hayashi, S. Mizuno, K. Nakatsuji, F. Komori

2009年2月

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開催年月日： 2009年2月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of graphene nanowires on vicinal SiC surfaces 国際会議

Satoru Tanaka, Srey Chenda

MRS 2008 Fall Meeting 2008年12月

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開催年月日： 2008年12月 - 2009年12月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Uniform thickness distribution of graphene layers on vicinal SiC surfaces 国際会議

S. Tanaka, K. Hayashi, K. Motita, S. Chenda, Y. Hagihara, S. Mizuno, H. Hibino, T. Shirasawa, K. Nakatsuji, F. Komori

ISGD2008 (2008 International Symposium on Graphene Devices) 2008年11月

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開催年月日： 2008年11月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
LEED Analysis of Stacking Sequence of Graphene Layers Formed on Vicinal SiC(0001) Surface 国際会議

K. Hayashi, ,K. Morita. M. Suzuki, S. Mizuno, S. Tanaka, and H. Tochihara

International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5) 2008年11月

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開催年月日： 2008年11月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
SiCナノ表面と表面自己改質によるヘテロ構造の形成招待

田中　悟

2008年11月

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開催年月日： 2008年11月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台国名：日本国
Epitaxial SiO/SiN superstructure on 6H-SiC surface

Tetsuroh Shirasawa, Kenjiro Hayashi, Seigi Mizuno, Hiroshi Tochihara, Satoru Tanaka

2007年7月

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開催年月日： 2008年7月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Transfer of Large Area Graphene Sheets from Carbonized 6H-SiC by a Direct Bonding Technique 国際会議

Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka and Akio Yamamoto

MRS 2007 Fall Meeting 2007年11月

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開催年月日： 2007年11月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Self-ordering of surface nanofacets on vicinal 4H-SiC(0001) 国際会議

Satoru Tanaka, Masahiro Fujii

Materials Research Society Fall Meeting 2007年11月

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開催年月日： 2007年11月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
A New Formation Method of Large Area Graphene on SiO2/Si Substrate 国際会議

Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka and Akio Yamamoto

The 18th European Diamond and Related Materials 2007年9月

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開催年月日： 2007年9月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Van der Waals Epitaxy of Solid Fullerene on Graphene Sheet 国際会議

Akihiro Hashimoto, Kohsuke Iwao, Satoru Tanaka and Akio Yamamoto

The 18th European Diamond and Related Materials 2007年9月

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開催年月日： 2007年9月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Self-ordering of surface nano-facets on vicinal 4H-SiC 国際会議

Satoru Tanaka, Masahiro Fujii

ECSCD9 2007年9月

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開催年月日： 2007年9月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：オーストリア共和国
Initial step-flow growth of GaN on Ga-adsorbed SiC nanofacet surfaces 国際会議

Masato Ebihara, Satoru Tanaka and Ikuo Suemune

2006年11月

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会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
SiC上グラフェンバッファー層の水素インターカレーションによる準安定構造

#梶原悠矢,#田中夏帆，ビシコフスキーアントン，田中悟

応用物理学会春季大会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京国名：日本国

SiC 基板上へのエピタキシャルグラフェンの成長には表面熱分解法や CVD 法が用いられている. いずれの方法においても，SiC 上にまずエピタキシャルなカーボンバッファー層((6√3×6√ 3)R30°構造)(以下 6R3 層)が形成される.この 6R3 層と SiC 界面に水素をインターカレーションすることにより，6R3 層はフリースタンディングな単層グラフェンへと構造遷移し[1]，高移動度を示すことが知られている.水素インターカレーションは比較的低温(〜600°C)の水素雰囲気で行われるが，グラフェンへの構造遷移過程はあまり調べられていない.我々は水素インターカレーション温度や処理時間を変化させた場合に，グラフェンの歪み分布や歪み量が変化する現象を観察し，遷移過程において準安定な中間状態がある可能性を示唆した[2].本報告では，そのような中間状態の構造および電子状態を DFT+タイトバインディング計算により明らかにすることを目的とした
SiC m面上1次元周期リップルグラフェンの電子状態

@飯盛拓嗣, #今村均, @片野達貴, @Seo Insung, @間瀬一彦, Anton Visikovskiy, 田中悟, @小森文夫, @中辻寛

日本物理学会 2024年春季大会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

国名：日本国
4H-SiC m面上1次元リップルグラフェンの作製と構造評価

#今村均, Anton Visikovskiy, @碇智徳, @飯盛拓嗣, @中辻寛, @小森文夫, 田中悟

日本物理学会 2024年春季大会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

国名：日本国
微傾斜 SiC(0001)上の転写グラフェンの歪み状態

#奥田茉央，アントンビシコフスキー, @増野谷拓実, @近藤さらな, @神田晶申,田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

グラフェンの格子歪み(勾配)により誘起される擬磁場は，実磁場では実現出来ない強度[1]や局所性[2]から電子物性や伝導特性に大きな影響を与える可能性があり，非常に興味深い.我々はグラフェンに周期擬磁場を付与する試みとして，SiC 表面に注目した研究を行っている.SiC のユニットセルは c 軸方向に長い周期を有する(ポリタイプ)ことから，表面には様々な周期構造が現れ，グラフェンを転写することにより周期擬磁場が実現できる可能性がある.本研究では、Si(0001)微傾斜面において発現するステップバンチングや周期的ナノファセット構造[3]に着目し，周期歪みの付与を試みた.
SiC バッファー層上への転写グラフェンの構造及びラマン特性

○#田嶋哲平，#今村均，ビシコフスキーアントン, 田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

SiC(0001)上にグラフェンがエピタキシャル成長する際は、まず(6√3 × 6√3)𝑅30°構造のバッファー層(以下 6R3 バッファー層)が形成する。その後、SiC との界面に新たな 6R3 バッファー層が成長することで、6R3 バッファー層がグラフェン化する。SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンは、6R3 バッファー層によるフォノン散によって、電子移動度の低下や内在的なドーピングが報告されている。一方で、ツイスト二層グラフェン(TBG)では、構造緩和によりナノメートルオーダーで局所歪みが生じ、その結果擬磁場が誘起されることが理論的に示唆されている(1)。更に、6R3 バッファー層上の上層と下層の非等価なドープと構造緩和により、バンド変調が起こることが今村らにより報告されている(2)。6R3 バッファー層はグラフェンと類似なハニカム構造を有することから、6R3 バッファー層上に単層グラフェンをツイスト転写することで、構造緩和や疑磁電場が発生し、グラフェンの物性が変化する可能性がある。本研究では、6R3 バッファー層上にグラフェンをツイスト転写し、構造及びラマン特性の変化を評価した。
SiC 上 CVD グラフェンバッファー層の水素インターカレーション

#田中夏帆，#今村均, ビシコフスキーアントン，田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

グラフェンの成長には SiC 表面熱分解法や金属基板上の CVD 法が用いられている。SiC 熱分解法では、大面積で高品質なエピタキシャルグラフェンが成長できるが、層厚制御が困難であるという問題がある。空間的に均一な層数のグラフェンは、転写グラフェンに必須である。そこで我々は C2H4 ガスを原料とする CVD 法で均一なエピタキシャルバッファー層(以下 6R3 層)を成長し、更に水素インターカレーションを施すことによって、単層のフリースタンディング(FS)グラフェンを得ている。しかしながら、完全に剥離させることが難しいことから、水素インターカレーションに問題があると考え、そのメカニズムを明らかにすることを本研究の目的とした。まず、4H-SiC(0001)面(Si 面)を高温水素エッチングすることによりステップ・テラス構造を形成した。その後、1400°C、1 atm で C2H4(26.8 ppm)を供給し、SiC(0001)面上に 6R3 層を成長した。更に、600~1000°C、1 atm において水素(1 slm)でインターカレーションを行った。インターカレーション時間と温度をパラメータとして、顕微ラマン分光および AFM 等により評価を行った。
転写グラフェン/SiC(0001)の界面構造

#光平知民，#今村均，アントンビシコフスキー，田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

近年、グラフェンに格子歪みを加えることで擬似的な磁場(擬磁場)が発現することで電子状態が変調することが報告されており、グラフェンの歪み状態の制御は重要な課題である。2層ツイストグラフェン(TBG)では、モアレ構造に起因した局所構造緩和(歪み)により電子状態が変化することが知られている[1]。このような TBG のアナロジーとして，我々は格子不整合を加味した系−即ち SiC(0001)上の単層グラフェン−を考えている.SiC(0001)基板へ単層グラフェンを直接転写することにより、SiC とグラフェンの格子不整合+転写回転角度(モアレ)を取り入れることにより，新たな電子状態の創製を目指している。
ナノインデンテーション法を用いた 1 次元周期歪みグラフェンの作製

#吉武一彦，アントンビシコフスキー, 田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

グラフェンは、格子歪みによってベクトルポテンシャルが生じ、擬磁場が誘起されることにより電子状態が変化することが示されている[1]。また、銅上に形成された1次元リップルグラフェン(RG)において無磁場でランダウ量子化が確認されており[2]、周期擬磁場によって従来と異なる量子化が起こることが示されている。しかし、ナノスケールの1次元 RG の周期や歪み量を実験的に制御することは難しい。本研究では、RG の周期を構造的に制御し、歪み量および擬磁場との相関を明らかにすることを目的とする。周期 RG 構造の形成には， AFM カンチレバーを用いた SiC 表面へのナノインデンテーションとグラフェン転写を用いる。
4H-SiC-m面上の周期リップルグラフェン

#今村均，ビシコフスキーアントン@碇智徳, @藤澤唯太, @小畑由紀子, @岡田佳憲,田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

グラフェンに格子歪みを加えるとベクトルポテンシャルが導入され、電子状態が変調される。この時導入される場は擬磁場(Pseudo-Magnetic Field)と呼ばれ、近年注目を集めている。擬磁場を導入する格子歪みの一つにグラフェンのリップル化が挙げられ、理論的にはリップルグラフェンには周期的に符号が反転する擬磁場が形成されると予測されている[1]。しかしながら、均一で周期の揃ったサンプルを作製することは困難であり、このことがリップルグラフェンの構造・電子状態の実験的観察を妨げている。そこで、我々は SiC-m面に着目した。SiC-m 面は周期的な凹凸構造を有しており、これをテンプレートとしてグラフェンを転写することにより均一なリップルグラフェンの形成を図った[今村、田中、本講演会]。
4H-SiC m面の1次元周期構造

#今村均，ビシコフスキーアントン，@碇智徳, @藤澤唯太, @岡田佳憲, 田中悟

第８４回応用物理学会秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月 - 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本国名：日本国

近年、SiC-MOSFET の微細化のため (0001)面をトレンチ型に加工した MOSFET が注目されている。このトレンチ型 MOSFET では、m 面(1-100)をチャネルとするため従来のプレーナー型に比べ電子移動度が向上することが期待されている。しかしながら、SiC-m 面や酸化物層の構造は未解明であり、構造の理解のためには更なる検討が必要である。そこで本研究では 4H-SiC m 面基板の水素エッチング、真空アニール処理を行い、m 面の表面構造観察を試みた。
Flat bands in periodically strained graphene

Anton Visikovskiy, Satoru Tanaka

2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語

国名：日本国
1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態

飯盛拓嗣, #今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, Anton Visikovskiy, 田中悟, 小森文夫

日本物理学会 2023年春季大会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語

国名：日本国
4H-SiC m面上のグラフェン周期リップル構造

#今村均、#田中夏帆、飯盛拓嗣、中辻寛、宮町俊生、小森文夫、ビシコフスキーアントン、田中悟

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学国名：日本国
Twisted bilayer graphene with clean interface by direct transfer of CVD graphene 招待

2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：日本国
大面積ツイスト2層グラフェンの作製と電子状態評価招待

田中悟

日本物理学会 2020年秋季大会 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月 - 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：日本国
Periodically rippled graphene formed on 4H–SiC m-plane surface 国際会議

2019年8月

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開催年月日： 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Chemnitz 国名：ドイツ連邦共和国
Moiré induced electronic structure of twisted bilayer graphene 国際会議

2019年8月

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開催年月日： 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Chemnitz 国名：ドイツ連邦共和国
Graphene nanoribbons on macro-facets of vicinal 6H-SiC(0001) 国際会議

#Kohei Fukuma, Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, @Takushi Iimori, @Fumio Komori, Satoru Tanaka

International Symposium on Epitaxial Graphene 2019 (ISEG2019) 2019年8月

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開催年月日： 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
IV族三角格子原子層の成長と電子物性招待

田中　悟

第２回陽電子回折研究会 2018年2月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：筑波国名：日本国
Graphene nanoribbons grown on facets resulted from macro-step bunching on vicinal SiC surfaces 国際会議

#Kohei Fukuma, Anton Visikovskiy, #Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara,@Takushi Iimori,@Fumio Komori, Satoru Tanaka

International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG2017) 2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Graphene transfer on periodic SiC nanosurfaces 国際会議

Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy,@Takushi Iimori,@Toshio Miyamachi,@Fumio Komori,Satoru Tanaka

International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG2017) 2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sn atomic layer by intercalation at graphene / SiC interface 国際会議

#Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, @Takushi Iimori, @Tetsuro Shirasawa, @Kan Nakastuji, @Toshio Miyamachi, @Syuhei Nakashima, @Kazuhiko Mase, @Fumio Komori, Satoru Tanaka

International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG2017) 2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sn and Pb triangular lattice atomic layers on SiC(0001) and at graphene/SiC(0001) interface 国際会議

Anton Visikovskiy,#Shingo Hayashi,@Fumio Komori, Satoru Tanaka

International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG2017) 2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
SiC(0001)上のIV族原子層膜の形成招待

#林　真吾，田中　悟

陽電子回折研究会 2017年1月

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開催年月日： 2017年1月 - 2018年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

Graphene を始めとした原子層物質の研究において,同じ IV 族元素である Sn の原子層 (stanene)の形成が試みられている[1].Stanene は 2 次元トポロジカル絶縁性[2]やスピン量子ホール効果(SQHE)などの物性が期待されている.そこで我々は SiC 上への stanene 形成を目的として,SiC 上の Sn の吸着—成長に関する研究を行っている.SiC は 6√3 バッファー層を介してグラフェンのエピタキシャル成長が生じる.また,化学的安定性やワイドギャップ半導体であることから,2次元物質の成長及び物性測定に適した基板材料である.また,SiC 上の Sn はモット絶縁体の状態を調べる研究対象にもなっており,吸着 Sn 同士の大きな相互作用に関しても注目されている[3]. 本研究では SiC(0001)-adatom Si に現れる様々な表面構造に着目し,Sn 吸着状態や成長モードへの影響を調べた.過去の研究において Si(111)7×7 表面の Sn は,再表層の Si ダングリングボンドを終端し,Si との混成がないことが報告されている[4].今回,Si-(√3×√3), (2√3×2√13)構造上及びグラフェン/SiC 界面への Sn 成長を行い,形成された構造を XPS・ ARPES・LEED 等を用いた解析を行った.
SiCナノ表面構造制御によるグラフェンナノ構造化招待

田中　悟，@小森　文夫，@神田　晶申

東北大通研「炭化珪素系ヘテロ構造を用いた物質創成と応用展開」第２回研究会 2017年1月

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開催年月日： 2017年1月 - 2018年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台国名：日本国
Anisotropic growth of graphene on cleaved SiC(1-100) surfaces 国際会議

#T. Takasaki,# J. Shioji, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, S. Tanaka

18th International Conference of Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Graphene/SiC(0001) interface variety induced by Si intercalation 国際会議

A. Visikovskiy, #S.-I. Kimoto, T. Kajiwara, @M. Yoshimura, @F. Komori, S. Tanaka

18th International Conference of Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Graphene lateral superlattices formed on SiC facets - semiconducting and ballistic transport - 国際会議

Tanaka Satoru, Takashi Kajiwara, ANTON VISIKOVSKIY

2015 MRS Fall Meeting 2015年11月

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開催年月日： 2015年11月 - 2015年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Sub 2‐dimensional graphene nanostructures formed on SiC(1‐108) facets ‐ semiconducting and ballistic transport 国際会議

2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Giardini Naxos 国名：イタリア共和国
Quasi-one-dimensional graphene nanostructure on corrugated SiC surfaces 国際会議

Tanaka Satoru

21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures 2015年7月

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Semiconducting characteristics in self-ordered quasi-one dimensional graphene lateral superlattice 国際会議

Tanaka Satoru

NT-15 2015年6月

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開催年月日： 2015年6月 - 2015年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
One-dimensional Si adatom induced nanoribbon formation on SiC surface during molecular beam epitaxy 国際会議

Tanaka Satoru

IUMRS-IECM 2012 2014年8月

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Intermediate C-Rich (Sqrt [3] x Sqrt [3]) R30 Structure Preceding Graphene Buffer Layer Formation on SiC (0001) 国際会議

Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, ANTON VISIKOVSKIY, Tanaka Satoru

ICSCRM2013 2013年10月

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開催年月日： 2013年9月 - 2013年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Silicon Intercalation at the SiC-Graphene Interface 国際会議

Shin-ichi Kimoto, Takashi Kajiwara, ANTON VISIKOVSKIY, Tanaka Satoru

ICSCRM2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月 - 2013年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Bandgap Opening on Graphene Nanoribbons Grown on Vicinal 6H- and 4H-SiC Surfaces by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

Tanaka Satoru, Takashi Kajiwara, ANTON VISIKOVSKIY

ICSCRM2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月 - 2013年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Growth of graphene nanoribbon arrays on　vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy 招待国際会議

2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Yokohama 国名：アメリカ合衆国
グラフェンナノ構造形成と物性相関招待

日本学術振興会第167委員会 2013年4月

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開催年月日： 2013年4月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Yokohama 国名：日本国
Epitaxial Graphene Nanoribbons Grown by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

Takashi Kajiwara, Tanaka Satoru

2012 MRS Fall Meeting 2012年11月

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Graphene Growth on SiC Nanofacet Surfaces by Chemical Vapor Deposition 国際会議

Yoshihito Hagihara, Tanaka Satoru

2012 MRS Fall Meeting 2012年11月

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Raman Spectroscopy of Epitaxial Graphene Nanoribbons 国際会議

2012 MRS Fall Meeting 2012年11月

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Graphene nanoribbons grown by molecular beam epitaxy 招待国際会議

Tanaka Satoru

IUMRS-IECM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Graphene nanostructures on vicinal SiC surfaces 国際会議

Takashi Kajiwara, Yusuke Kurisu, and Satoru Tanaka

Materials Research Society Fall Meeting 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月 - 2011年12月

会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：アメリカ合衆国
GROWTH-MECHANISM OF SILICON-CARBIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION BELOW 1273-K

S TANAKA, H KOMIYAMA

JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY 1990年10月

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記述言語：英語

国名：日本国
CHEMICAL AND STRUCTURAL-ANALYSES OF THE TITANIUM NITRIDE/ALPHA (6H)-SILICON CARBIDE INTERFACE

RC GLASS, LM SPELLMAN, S TANAKA, RF DAVIS

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 1992年7月

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記述言語：英語

国名：日本国
LAYER-BY-LAYER GROWTH OF SIC AT LOW-TEMPERATURES

JJ SUMAKERIS, LB ROWLAND, RS KERN, S TANAKA, RF DAVIS

THIN SOLID FILMS 1993年3月

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記述言語：英語

国名：日本国
ALUMINUM NITRIDE SILICON-CARBIDE MULTILAYER HETEROSTRUCTURE PRODUCED BY PLASMA-ASSISTED, GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

LB ROWLAND, RS KERN, S TANAKA, RF DAVIS

APPLIED PHYSICS LETTERS 1993年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
SOLID-SOLUTIONS OF ALN AND SIC GROWN BY PLASMA-ASSISTED, GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

RS KERN, LB ROWLAND, S TANAKA, RF DAVIS

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 1993年7月

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記述言語：英語

国名：日本国
EPITAXIAL-GROWTH OF ALN BY PLASMA-ASSISTED, GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

LB ROWLAND, RS KERN, S TANAKA, RF DAVIS

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 1993年9月

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記述言語：英語

国名：日本国
GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF MONOCRYSTALLINE BETA-SIC ON VICINAL ALPHA(6H)-SIC

LB ROWLAND, RS KERN, S TANAKA, RF DAVIS

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 1993年11月

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記述言語：英語

国名：日本国
EFFECTS OF GAS-FLOW RATIO ON SILICON-CARBIDE THIN-FILM GROWTH MODE AND POLYTYPE FORMATION DURING GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

S TANAKA, RS KERN, RF DAVIS

APPLIED PHYSICS LETTERS 1994年11月

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記述言語：英語

国名：日本国
Vicinal and on-axis surfaces of 6H-SiC(0001) thin films observed by scanning tunneling microscopy

S Tanaka, RS Kern, RF Davis, JF Wendelken, J Xu

SURFACE SCIENCE 1996年4月

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記述言語：英語

国名：日本国
Microstructural evolution and defect formation during the initial stages of the growth of silicon carbide and aluminum nitride on alpha(6H)-SiC(0001) substrates

RF Davis, S Tanaka, RS Kern

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 1996年5月

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記述言語：英語

国名：日本国
Growth of SiC and III-V nitride thin films via gas-source molecular beam epitaxy and their characterization

RF Davis, S Tanaka, LB Rowland, RS Kern, Z Sitar, SK Ailey, C Wang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 1996年7月

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記述言語：英語

国名：日本国
Electrical characteristics of metal/AlN/n-type 6H-SiC(0001) heterostructures

MO Aboelfotoh, RS Kern, S Tanaka, RF Davis, CI Harris

APPLIED PHYSICS LETTERS 1996年11月

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記述言語：英語

国名：日本国
Self-assembling GaN quantum dots on AlxGa1-xN surfaces using a surfactant

S Tanaka, S Iwai, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1996年12月

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記述言語：英語

国名：日本国
Gas-source molecular beam epitaxy of III-V nitrides

RF Davis, MJ Paisley, Z Sitar, DJ Kester, KS Ailey, K Linthicum, LB Rowland, S Tanaka, RS Kern

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 1997年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
Stimulated emission from optically pumped GaN quantum dots

S Tanaka, H Hirayama, Y Aoyagi, Y Narukawa, Y Kawakami, S Fujita, S Fujita

APPLIED PHYSICS LETTERS 1997年9月

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記述言語：英語

国名：日本国
The formation of GaN dots on AlxGa1-xN surfaces using Si in gas-source molecular beam epitaxy

XQ Shen, S Tanaka, S Iwai, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1998年1月

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記述言語：英語

国名：日本国
Intense photoluminescence from self-assembling InGaN quantum dots artificially fabricated on AlGaN surfaces

H Hirayama, S Tanaka, P Ramvall, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1998年4月

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記述言語：英語

国名：日本国
Real-time observations of the GaN dot formation by controlling growth mode on the AlGaN surface in gas-source molecular beam epitaxy

XQ Shen, S Tanaka, S Iwai, Y Aoyagi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 1998年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
Influence of surface V/III ratio on the film quality during the GaN growth in gas-source molecular beam epitaxy

XQ Shen, S Tanaka, S Iwai, Y Aoyagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 1998年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
Observation of confinement-dependent exciton binding energy of GaN quantum dots

P Ramvall, S Tanaka, S Nomura, P Riblet, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1998年8月

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記述言語：英語

国名：日本国
Optical characterization of the "E2" deep level in GaN

P Hacke, P Ramvall, S Tanaka, Y Aoyagi, A Kuramata, K Horino, H Munekata

APPLIED PHYSICS LETTERS 1999年1月

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記述言語：英語

国名：日本国
Semiconductor photonic dots: Visible wavelength-sized optical resonators

Suemune, I, A Ueta, A Avramescu, S Tanaka, H Kumano, K Uesugi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1999年4月

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記述言語：英語

国名：日本国
Cathodoluminescence spectroscopy and imaging of individual GaN dots

A Petersson, A Gustafsson, L Samuelson, S Tanaka, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 1999年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
Growth and luminescence properties of self-organized ZnSe quantum dots

T Tawara, S Tanaka, H Kumano, Suemune, I

APPLIED PHYSICS LETTERS 1999年7月

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記述言語：英語

国名：日本国
Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant (vol 47, pg 251, 1999)

H Hirayama, S Tanaka, Y Aoyagi

MICROELECTRONIC ENGINEERING 1999年12月

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記述言語：英語

国名：日本国
Optical properties of GaN quantum dots

P Ramvall, P Riblet, S Nomura, Y Aoyagi, S Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2000年4月

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記述言語：英語

国名：日本国
MOVPE growth of ZnSe/ZnMgS distributed Bragg reflectors with high refractive-index contrast

T Tawara, Suemune, I, S Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2000年6月

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記述言語：英語

国名：日本国
アンチサーファクタントによるGaN層の低転位化

武内道一, 平山秀樹, 青柳克信, 田中悟

まてりあ 2001年12月

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記述言語：日本語

国名：日本国
Self-ordering of nanofacets on vicinal SiC surfaces

H Nakagawa, S Tanaka, Suemune, I

PHYSICAL REVIEW LETTERS 2003年11月

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記述言語：英語

国名：日本国
SiC表面上のエピタキシャルSiO/SiN超構造の作製

田中　悟，藤井　政弘，白澤　徹郎，林　賢二郎，水野　清義，栃原　浩

2006年SiC研究会 2006年11月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：群馬県高崎市国名：日本国

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MISC

エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性

田中悟

触媒 2012年6月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

SiC表面上へのグラフェンの成長とその電子物性について述べる．特に微傾斜SiC基板に特有に現れる周期的ナノファセット表面構造に着目し，その表面熱分解において形成されるグラフェンの形成機構について解説する．強い異方性をもった層状成長モードを示し，また，異方性のあるモフォロジーを反映して，K点の電子状態に変調が生じることを示す．
「グラフェンの成長と応用」によせて

田中　悟

日本結晶成長学会誌 2010年10月

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記述言語：日本語

産業財産権

特許権	出願件数: 6件	登録件数: 0件
実用新案権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
意匠権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
商標権	出願件数: 0件	登録件数: 0件

所属学協会

Materials Research Society
応用物理学会
日本物理学会
応用物理学会
日本物理学会
日本表面真空学会
日本表面真空学会

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日本物理学会

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応用物理学会

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委員歴

日本真空表面学会九州支部幹事国内

2021年4月 - 2024年3月
日本物理学会運営委員国内

2019年4月 - 2021年3月
日本物理学会 Jr.セッション委員国内

2019年4月 - 2021年3月
日本結晶成長学会幹事国内

2009年4月 - 2013年3月
日本結晶成長学会ナノエピ分科会幹事国内

2009年4月 - 2013年3月
応用物理学会幹事国内

2009年4月 - 2012年3月
応用物理学会薄膜表面物理分科会幹事国内

2009年4月 - 2012年3月
電気学会先端量子ビームとナノ応用技術調査専門委員会運営委員国内

2007年4月 - 2013年3月

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学術貢献活動

科学研究費審査員（基盤研究S)/副幹事

役割：審査・評価

日本学術振興会 2021年10月 - 2022年9月

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種別：審査・学術的助言
科学研究費審査員（基盤研究S)

役割：審査・評価

日本学術振興会 2020年10月 - 2021年10月

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種別：審査・学術的助言
シンポジウムオーガナイザー，論文委員国際学術貢献

2017年11月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：100
科学研究費審査委員（国際強度研究加速基金）

役割：審査・評価

日本学術振興会 2017年10月 - 2017年3月

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種別：審査・学術的助言
シンポジウムオーガナイザー，論文委員国際学術貢献

2016年8月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：800
国際科学研究費委員会専門委員

役割：審査・評価

日本学術振興会 2015年10月 - 2016年9月

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種別：審査・学術的助言
科学研究費委員会専門委員

役割：審査・評価

日本学術振興会 2015年10月 - 2015年3月

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種別：審査・学術的助言
シンポジウムオーガナイザー，論文委員国際学術貢献

2012年9月 - 2013年9月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：800
座長（Chairmanship）

日本物理学会平成２２年度秋季大会（大阪） 2010年9月 - 2010年3月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）

日本物理学会第６５回年次大会（岡山） 2010年3月

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種別：大会・シンポジウム等
科学研究費委員会専門委員

役割：審査・評価

日本学術振興会 2009年11月 - 2010年2月

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種別：審査・学術的助言
実行委員国際学術貢献

（大津（滋賀）） 2007年10月 - 2008年10月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：500
実行委員国際学術貢献

（京都） 2006年10月 - 現在

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：800
日本学術振興会科学技術研究費審査員

役割：審査・評価

日本学術振興会 2005年12月 - 2006年3月

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種別：審査・学術的助言

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共同研究・競争的資金等の研究課題

m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2023年6月 - 2024年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2022年4月 - 2023年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2021年4月 - 2022年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御

2020年4月 - 2021年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2020年4月 - 2021年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2019年4月 - 2019年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価

研究課題/領域番号：19H02602 2019年 - 2022年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

田中悟, 神田晶申, 小森文夫, Anton V.Visikovs

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費

互いに面内回転したグラフェンを2層重ねると，新しい結晶概念であるモアレ系結晶となる．本研究では，SiC基板上に剥離が容易なグラフェンがエピタキシャル成長する「新CVD法」をベースとした新しい剥離・転写手法を用いて，回転角を自在に制御した大面積モアレ積層系グラフェンを作製し，それらの電子物性とキャリア輸送特性を検証・探索する．

CiNii Research
SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御

2018年4月 - 2019年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
SiC表面へのグラフェン転写によるナノ構造形成と電子状態制御

2018年 - 2020年

NTT戦略リソース

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2017年4月 - 2018年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
グラフェン/ SiC 界面への結晶インターカレーション

2017年 - 2019年

科学研究費助成事業萌芽研究

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
SiC表面構造制御と原子層薄膜への展開

2017年 - 2019年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
グラフェン研究のため

2017年

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資金種別：寄附金
m面SiC基板の表面平坦化に関する研究

2016年4月 - 2017年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
サブ２Dナノカーボンの創製とデバイス応用

2016年 - 2020年

戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
次世代半導体表面構造を高品質形成制御する超小型専用装置の開発

2016年 - 2017年

兵庫県COE

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担当区分：研究分担者資金種別：受託研究
グラフェン研究のため

2016年

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資金種別：寄附金
SiC基板の表面平坦化に関する研究

2015年10月 - 2016年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
グラフェン研究

2015年

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資金種別：寄附金
SiC基板の表面構造制御とデバイス適用に関する研究

2014年10月 - 2014年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
エピタキシャル原子層ナノデバイス材料の創製

2014年 - 2019年

戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
ヘテロエピタキシャルグラフェンに関する研究

2013年4月 - 2014年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
ヘテロエピタキシャルグラフェンに関する研究

2012年4月 - 2013年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
グラフェンナノ構造化による新奇物性の創成と応用

2011年 - 2016年

科学研究費助成事業 CREST

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費以外の競争的資金
グラフェン研究

2010年

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資金種別：寄附金
SiC表面の電子ビーム回折による評価

2009年10月 - 2010年6月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
傾斜SiC基板上のグラフェン成長に関する研究

2009年4月 - 2010年3月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
表面電子励起状態および吸着子のダイナミクス

2009年 - 2011年

科学研究費助成事業一般研究(A)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

2009年 - 2011年

科学研究費助成事業一般研究(A)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
シリコンカーバイド上の酸窒化シリコン膜とその上に形成する薄膜の構造解析

2008年 - 2010年

科学研究費助成事業一般研究(B)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
次世代エレクトロニクスのためのナノ周期表面構造科学

2007年 - 2012年

戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
SiC表面自己改質によるグラフェンの形成

2007年

JSTシーズ発掘試験研究

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
自己組織化ナノ表面を活用した高品質SiC基板の実用化研究

2006年 - 2007年

JSTシーズ試験研究

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー

2002年 - 2004年

科学研究費助成事業一般研究(A)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
III族窒化物半導体量子ドットLED・レーザの開発研究

2001年 - 2003年

科学研究費助成事業一般研究(B)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
III族系窒化物半導体量子ドットの成長機構の解明

1997年 - 1998年

科学研究費助成事業奨励研究(A)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費