2024/10/08 更新

お知らせ

 

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コガ カズノリ
古閑 一憲
KOGA KAZUNORI
所属
システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 教授
プラズマナノ界面工学センター (併任)
工学部 電気情報工学科(併任)
システム情報科学府 電気電子工学専攻(併任)
マス・フォア・イノベーション連係学府 (併任)
職名
教授
連絡先
メールアドレス
プロフィール
1)研究活動概要  半導体産業などの先端産業を支える基盤技術の中にプラズマプロセスがある。プラズマプロセスの発展が半導体産業の発展つながる事から、プラズマプロセスの高精度化が様々角度から進められている。当研究室ではプラズマプロセスの高精度技術の開発と新たな応用展開の開拓を主な課題として、次のような研究を行っている. ・高品質半導体/炭素薄膜プロセスの創成 ・プラズマのバイオ応用研究 ・高品質半導体/炭素薄膜プロセスの創成  ドライプロセスであるプラズマは、不純物の少ない薄膜堆積法として、現在半導体デバイスや太陽光発電をはじめとする様々な分野で活用されている。次世代デバイスの実現にはプラズマプロセスの高性能化は必須であり、当研究室では、プラズマプロセスの基礎研究と製造技術の開発に世界に先駆けて取り組んでいる。  その関連研究として、プラズマ応用計測技術の開発やプラズマで発生するナノ粒子用いたナノ構造デバイスの創製などを行っている。 ・プラズマのバイオ応用研究  プラズマで発生する化学的活性な分子をもちいて生体応答を制御する研究が世界中で活発に研究されている。当研究室では、植物を対象にプラズマ照射による成長促進機構の解明と農業応用を検討している。種子への短時間照射による、成長促進を発見ししている。  その他、プラズマプロセスやプラズマエッチングに深く関与するプラズマシースに励起される非線形現象の研究や、プラズマプロセスの情報学的検討なども行っている。 2)教育活動概要  学部講義・演習と大学院生向け講義を担当している。
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外部リンク

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • エネルギー / プラズマ科学

  • エネルギー / プラズマ応用科学

学位

  • 博士(理学)

経歴

  • - Kyushu University, Research Associate.

    1999年

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  • - 九州大学 助手

    1999年

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学歴

  • 九州大学

    - 1999年

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  • 九州大学   総合理工学研究科   高エネルギー理工学

    - 1999年

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    国名: 日本国

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  • 九州大学

    - 1994年

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  • 九州大学   理学部   物理学

    - 1994年

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    国名: 日本国

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研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ:プラズマ物理学

    研究キーワード:プラズマ物理学

    研究期間: 2024年

  • 研究テーマ:プラズマプロセス

    研究キーワード:プラズマプロセス

    研究期間: 2024年

  • 研究テーマ:プラズマナノテクノロジー

    研究キーワード:プラズマナノテクノロジー

    研究期間: 2024年

  • 研究テーマ:プラズマ農業

    研究キーワード:プラズマ農業

    研究期間: 2024年

  • 研究テーマ:第4世代プラズマバイオテクノロジーの創成

    研究キーワード:細胞活性制御

    研究期間: 2009年4月

  • 研究テーマ:次世代LSI用低誘電率層間絶縁膜形成技術の開発

    研究キーワード:低誘電率層間絶縁膜

    研究期間: 2002年1月

  • 研究テーマ:プラズマ・カーボン壁相互作用による微粒子形成機構の研究

    研究キーワード:プラズマ・壁相互作用,核融合

    研究期間: 2001年1月

  • 研究テーマ:ナノ粒子を用いたカーボン薄膜の物性制御

    研究キーワード:アモルファスカーボン

    研究期間: 1999年4月

  • 研究テーマ:次世代LSI用銅配線技術の開発

    研究キーワード:銅配線

    研究期間: 1999年4月

  • 研究テーマ:高品質太陽光発電材料の高速製造技術の研究

    研究キーワード:アモルファスシリコン

    研究期間: 1999年4月

  • 研究テーマ:プロセスプラズマ中の微粒子成長機構の解明と成長制御の研究

    研究キーワード:プロセスプラズマ,微粒子

    研究期間: 1999年4月

受賞

  • 第21回プラズマ材料科学賞奨励部門賞

    2020年2月   プラズマ材料科学賞選考委員会  

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    反応性プラズマにおけるナノ粒子成長揺らぎの制御に関する研究

  • 第14回プラズマエレクトロニクス賞

    2016年3月   応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会  

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    "Synthesis and characterization of ZnInON semiconductor: a ZnO-based compound with tunable band gap" N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

  • ICMAP2014 Best Poster Presentation Award

    2014年7月   International Conference of Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  

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    "Atmospheric Pressure DBD Plasma Irradiation to Seeds of Glycine max (L.)Merrill and Vigna radiata" T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, and M. Shiratani

  • ICMAP2014 Best Poster Presentation Award

    2013年8月   International Conference of Microelectronics ans Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  

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    "Atmospheric Pressure DBD Plasma Irradiation to Seeds of Glycine max (L.)Merrill and Vigna radiata" T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, and M. Shiratani

  • The 9th Asian-European International Conference of Plasma Surface Engineering(AEPSE2013)/ Outstanding Poster Award

    2013年8月  

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    "Time evolution of spatial profile of nanoparticle amount in reactive plasmas" Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

  • ISSP2013 Best Poster Award

    2013年7月   12th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes  

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    "Sputter Deposition of Single Crystal ZnO Films on 18% Lattice mismatched c-Al2O3 Substrates via Nitrogen Mediated Crystallization" N. Itagaki, K. Kuwahara, I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, and M. Shiratani

  • Advanced Plasma Application Award

    2012年10月   11th Asia Pacific Conference on Plasma Science adn Technology (APCPST) & 25th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM)  

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    Zinc-Indium Oxynitride Thin Films for Multiple-Quantum–Well Solar Cells
    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

  • IUMRS-ICEM2012 "Young Scientist Awards: Silver Award Winners"

    2012年9月  

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    "High Capacity Li Ion Battery Anodes Using Silicon Carbide Nanoparticles Produced by Double Multi-Hollow Discharge Plasma CVD"
    K. Kamataki, M. Shiratani, T. Ishihara, H. Nagano, Y. Morita, K. Kuwahara, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

  • Best Presentation Award

    2012年3月   ISPlasma2012  

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    Interaction between amplitude modulated reactive plasmas and nanoparitcles grown in the plasmas
    KUNIHIRO KAMATAKI, KAZUNORI KOGA, GIICHIRO UCHIDA, NAHO ITAGAKI, HYUNWOONG SEO AND MASAHARU SHIRATANI

  • Invited Presentation Award

    2008年6月   Interfinish 2008 World Congress and Exposition  

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    "Deposition profile control of plasma CVD films on nano-patterned substrates" M. Shiratani, K. Koga

  • 応用物理学会第3回プラズマエレクトロニクス賞

    2005年3月   応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会  

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    対象論文 “Cluster-suppressed plasma chemical vapor deposition method for high quality hydrgenated amorphous silicon films”, K. Koga, M. Kai, M. Shiratani, Y. Watanabe, and N. Shikatani, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.41, pp. L168-170 (2002).

  • 第10回応用物理学会講演奨励賞

    2001年5月   応用物理学会  

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    対象講演「クラスタ抑制プラズマCVD装置による高品質a-Si : H作製」
    (古閑一憲, 園田剛士,鹿谷昇,白谷正治,渡辺征夫)

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論文

  • Comparison between Ar+CH4 Cathode and Anode Coupled Capacitively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon Films 査読 国際誌

    S. H. Hwang, R. Iwamoto, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

    Thin Solid Films   729   2021年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138701

  • Synthesis of Yb3+/Ho3+ co-doped Y2O3 nanoparticles and its application to dye sensitized solar cells 査読 国際誌

    F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, K. Kamataki, M. Shiratani, K. Koga, N. Itagaki, D. Nakamura

    J. Mol. Struct.   1228   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.molstruc.2020.129479

  • Alterations of DNA Methylation Caused by Cold Plasma Treatment Restore Delayed Germination of Heat-Stressed Rice (Oryza sativa L.) Seeds 査読 国際誌

    C. Suriyasak, K. Hatanaka, H. Tanaka, T. Okumura, D. Yamashita, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, N. Hamaoka, Y. Ishibashi

    ACS Agric. Sci. Technol.   1 ( 1 )   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsagscitech.0c00070

  • Impact of seed color and storage time on the radish seed germination and sprout growth in plasma agriculture 査読 国際誌

    P. Attri, K. Ishikawa, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, V. Mildaziene

    Sci. Rep.   11 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-021-81175-x

  • Effects of Activated Carbon Counter Electrode On Bifacial Dye Sensitized Solar Cells (DSSCs) 査読 国際誌

    T. E. Putri, Y. Hao, F. L. Chawarambwa, H. Seo, Min-Kyu Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Mater. Sci. Forum   1016   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.1016.863

  • Possible impact of plasma oxidation on the structure of C-terminal domain of SARS-CoV-2 spike protein: a computational study 査読 国際誌

    P. Attri, K. Koga, M. Shiratani

    Jpn. J. Appl. Phys.   14 ( 2 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd717

  • Long-term response of Norway spruce to seed treatment with cold plasma: dependence of the effects on the genotype 査読 国際誌

    Plasma Process Polym   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/ppap.202000159

  • Experimental identification of the reactive oxygen species transported into a liquid by plasma irradiation 査読 国際誌

    T. Kawasaki, K. Koga, M. Shiratani

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 ( 11 )   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc3a1

  • Size and flux of carbon nanoparticles synthesized by Ar+CH4 multi-hollow plasma chemical vapor deposition 査読 国際誌

    S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Diam Relat Mater   109   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2020.108050

  • Graphene-Si3N4 nanocomposite blended polymer counter electrode for low-cost dye-sensitized solar cells 査読 国際誌

    F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, M. K. Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Chem. Phys. Lett.   758   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cplett.2020.137920

  • Synthesis of Yb3+/Ho3+ co-doped Y2O3 nanoparticles and its application to dye sensitized solar cells 査読 国際誌

    F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, K. Kamataki, M. Shiratani, K. Koga, N. Itagaki, D. Nakamura

    J. Mol. Struct.   2020年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.molstruc.2020.129479

  • Impact of surface morphologies of substrates on the epitaxial growth of magnetron sputtered (ZnO)x(InN)1-x films 査読 国際誌

    R. Narishige, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 ( SA )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abba0c

  • Cold plasma treatment of sunflower seeds modulates plant-associated microbiome and stimulates root and lateral organ growth 査読 国際誌

    Front. Plant Sci.   11   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3389/fpls.2020.568924

  • Real-time monitoring of surface passivationof crystalline silicon during growth of amorphous and epitaxial silicon layer 査読 国際誌

    S. Nunomura, I. Sakata, H. Sakakita, K. Koga, M. Shiratani

    J. Appl. Phys.   128 ( 3 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0011563

  • Cold plasma treatment of Arabidopsis thaliana (L.) seeds modulates plant-associated microbiome composition 査読 国際誌

    Applied Physics Express   13   2020年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ab9712

  • Growth of single crystalline films on lattice-mismatched substrates through 3D to 2D mode transition 査読 国際誌

    N. Itagaki, Y. Nakamura, R. Narishige, K. Takeda, K. Kamataki, K. Koga, M. Hori, M. Shiratani

    Sci. Rep.   10 ( 1 )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-020-61596-w

  • Effects of surrounding gas on plasma-induced downward liquid flow 査読 国際誌

    T. Kawasaki, K. Nishida, G. Uchida, F. Mitsugi, K. Takenaka, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Shiratani

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 ( SH )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab71dc

  • Impact of radish sprouts seeds coat color on the electron paramagnetic resonance signals after plasma treatment 査読 国際誌

    K. Koga, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, V. Mildaziene

    Jpn. J. Appl. Phys.   59 ( SH )   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab7698

  • Relationship between cold plasma treatment-induced changes in radish seed germination and phytohormone balance 査読 国際誌

    L. D. Fomins, G. Pauzaite, R. Zukiene, V. Mildaziene, K. Koga, M. Shiratani

    Jpn. J. Appl. Phys.   59   2020年2月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab656c

  • Dielectric barrier discharge plasma treatment-induced changes in sunflower seed germination, phytohormone balance, and seedling growth 査読 国際誌

    R. Zukiene, Z. Nauciene, I. Januskaitiene, G. Pauzaite, V. Mildaziene, K. Koga, M. Shiratani

    Appl. Phys. Express   12 ( 12 )   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1882-0786/ab5491

  • Identification and Suppression of Si-H2 Bond Formation at P/I Interface in a-Si:H Films Deposited by SiH4 Plasma CVD 査読 国際誌

    K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, L. Shi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Fusion Res.   14   2019年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1585/pfr.14.4406141

  • Spatial-Structure of Fluctuation of Amount of Nanoparticles in Amplitude-Modulated VHF Discharge Reactive Plasma 査読 国際誌

    R. Zhou, K. Kamataki, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Fusion Res.   14   2019年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1585/pfr.14.4406120

  • Effects of Gas Pressure on the Size Distribution and Structure of Carbon Nanoparticles Using Ar + CH4 Multi-Hollow Discharged Plasma Chemical Vapor Deposition 査読 国際誌

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Fusion Res.   14   2019年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1585/pfr.14.4406115

  • Effect of Higher-Order Silane Deposition on Spatial Profile of Si-H2/Si-H Bond Density Ratio of a-Si:H Films 査読 国際誌

    L. Shi, K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Fusion Res.   14   2019年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1585/pfr.14.4406144

  • Progress and perspectives in dry processes for emerging multidisciplinary applications: how can we improve our use of dry processes? 査読 国際誌

    T. Iwase, Y. Kamaji, S. Y. Kang, K. Koga, N. Kuboi, M. Nakamura, N. Negishi, T. Nozaki, S. Nunomura, D. Ogawa, M. Omura, T. Shimizu, K. Shinoda, Y. Sonoda, H. Suzuki, K. Takahashi, T. Tsutsumi, K. Yoshikawa, T. Ishijima, K. Ishikawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   58   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab163a

  • Effects of gas velocity on deposition rate and amount of cluster incorporation into a-Si:H films fabricated by SiH4 plasma chemical vapor deposition 査読 国際誌

    T. Kojima, S. Toko, K. Tanaka, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Fusion Res.   13   1406082   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1585/pfr.13.1406082

  • Dependence of CO2 Conversion to CH4 on CO2 Flow Rate in Helicon Discharge Plasma 査読 国際誌

    S. Toko, R. Katayama, K. Koga, E. Leal-Quiros, M. Shiratani

    Sci. Adv. Mater.   10 ( 5 )   2018年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1166/sam.2018.3141

  • Synthesis of Nanoparticles using Low Temperature Plasmas and Its Application to Solar Cells and Tracers in Living Body 査読 国際誌

    K. Koga, H. Seo, A. Tanaka, N. Itagaki, M. Shiratani

    ECS Transactions   77 ( 3 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/07703.0017ecst

  • Plant Growth Enhancement of Seeds Immersed in Plasma Activated Water 査読 国際誌

    T. Sarinont, R. Katayama, Y. Wada, K. Koga, M. Shiratani

    MRS Adv.   2 ( 18 )   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2017.178

  • Response of Silkworm Larvae to Atmospheric Pressure Non-thermal Plasma Irradiation 査読 国際誌

    T. Sarinont, Y. Wada, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Medicine   6 ( 3-4 )   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1615/PlasmaMed.2017019137

  • Effects of sputtering gas pressure dependence of surface morphology of ZnO films fabricated via nitrogen mediated crystallization 査読 国際誌

    K. Iwasaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS Adv.   2 ( 5 )   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2016.617

  • Blue Photoluminescence of (ZnO)0.92(InN)0.08 査読 国際誌

    K. Matsushima, K. Iwasaki, N. Miyahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS Adv.   2 ( 5 )   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2016.625

  • Fluctuation of Position and Energy of a Fine Particle in Plasma Nanofabrication 査読 国際誌

    M. Shiratani, M. Soejima, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    Materials Science Forum   879   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.879.1772

  • R&D status of agricultural applications of high voltage and plasma in Japan 招待 国際誌

    M. Shiratani, T. Sarinont, K. Koga and N. Hayashi

    Proc. Workshop on Application of Advanced Plasma Technologies in CE Agriculture   2016年4月

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    記述言語:英語  

  • Quantum Characterization of Si Nano-Particles Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition 査読 国際誌

    H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    Sci. Adv. Mater.   8 ( 3 )   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/sam.2016.2520

  • Room Temperature Fabrication of (ZnO)x(InN)1-x films with Step-Terrace Structure by RF Magnetron Sputtering 査読 国際誌

    K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS Advances   1 ( 2 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2015.59

  • Plant Growth Response to Atmospheric Air Plasma Treatments of Seeds of 5 Plant Species 査読 国際誌

    M. Shiratani, T. Sarinont, T. Amano, N. Hayashi, K. Koga

    MRS Adv.   1 ( 18 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2016.37

  • Production of In, Au, and Pt nanoparticles by discharge plasmas in water for assessment of their bio-compatibility and toxicity 査読 国際誌

    T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, M. Hirata, A. Tanaka, M. Shiratani

    MRS Adv.   1 ( 18 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2016.41

  • 水素プラズマとカーボン壁の相互作用で発生したダストに対するダスト除去フィルタのダスト除去性能評価

    白谷正治, 古閑一憲, 立石瑞樹, 片山龍, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 芦川直子, 時谷政行, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    九州大学超顕微解析研究センター報告   39   2015年12月

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    記述言語:日本語  

  • Raman Spectroscopy of a-C:H Films Deposited Using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 査読 国際誌

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Discharge characteristics and hydrodynamics behaviors of atmospheric plasma jets produced in various gas flow patterns 査読 国際誌

    Y. Setsuhara, G. Uchida, A. Nakajima, K. Takenaka, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語  

  • Gas flow rate dependence of the production of reactive oxygen species in liquid by a plasma-jet irradiation 査読 国際誌

    G. Uchida, A. Nakajima, T. Kawasaki, K. Koga, K. Takenaka, M. Shiratani, Y. Setsuhara

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語  

  • Effects of Ambient Humidity on Plant Growth Enhancement by Atmospheric Air Plasma Irradiation to Plant Seeds 査読 国際誌

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, S. Kitazaki, N. Hayashi, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語  

  • Measurement of absolute density of N atom in sputtering plasma for epitaxial growth ZnO films via nitrogen mediated crystallization 査読 国際誌

    T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Measurements of absolute densities of nitrogen and oxygen atoms in sputtering plasma for fabrication of ZnInON films 査読 国際誌

    K. Matsushima, T. Ide, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Measurements of nitrogen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films 査読 国際誌

    T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   60 ( 9 )   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Fabrication of p-i-n solar cells utilizing ZnInON by RF magnetron sputtering 査読 国際誌

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1741   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.248

  • ZnO-based semiconductors with tunable band gap for solar sell applications 招待 査読 国際誌

    N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. SPIE photonics west 2015   9364   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2078114

  • Effects of morphology of buffer layers on ZnO/sapphire heteroepitaxial growth by RF magnetron sputtering 査読 国際誌

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1741   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.87

  • Comparative Study on the Pulmonary Toxicity of Indium Hydroxide, Indium-Tin Oxide, and Indium Oxide Following Intratracheal Instillations into the Lungs of Rats 査読 国際誌

    A. Tanaka, M. Hirata, N. Matsumura, K. Koga, M. Shiratani, Y. Kiyohara

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1723   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.21

  • Effects of Atmospheric Air Plasma Irradiation to Seeds of Radish Sprouts on Chlorophyll and Carotenoids Concentrations in their Leaves 査読 国際誌

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1723   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.39

  • Multigeneration Effects of Plasma Irradiation to Seeds of Arabidopsis Thaliana and Zinnia on Their Growth 査読 国際誌

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1723   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.12

  • 反応性微粒子プラズマプロセスを用いたゲルマニウム結晶ナノ粒子含有膜の堆積と量子ドット太陽電池への応用 査読

    内田儀一郎, 市田大樹, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

    スマートプロセス学会誌   4 ( 1 )   2015年1月

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    記述言語:日本語  

  • SiC Nanoparticle Composite Anode for Li-Ion Batteries 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki, T. Ishihara

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1678   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2014.742

  • Plasma etching of single fine particle trapped in Ar plasma by optical tweezers 査読 国際誌

    T. Ito, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida and M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012014

  • Control of the area irradiated by the sheet-type plasma jet in atmospheric pressure 査読 国際誌

    T. Kawasaki, K. Kawano, H. Mizoguchi, Y. Yano, K. Yamashita, M. Sakai, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012016

  • Formation of carbon nanoparticle using Ar+CH4 high pressure nanosecond discharges 査読 国際誌

    K. Koga, X. Dong, S. Iwashita, U. Czarnetzki and M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012020

  • Growth enhancement effects of radish sprouts: atmospheric pressure plasma irradiation vs. heat shock 査読 国際誌

    T. Sarinont, T. Amano, S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani and N. Hayashi

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012017

  • Contribution of H2 plasma etching to radial profile of amount of dust particles in a divertor simulator 査読 国際誌

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura and A. Sagara, the LHD Experimental Group

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012009

  • Contribution of ionic precursors to deposition rate of a-Si:H films fabricated by plasma CVD 査読 国際誌

    S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012008

  • Deposition of crystalline Ge nanoparticle films by high-pressure RF magnetron sputtering method 査読 国際誌

    D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012002

  • Effects of filter gap of cluster-eliminating filter on cluster eliminating efficiency 査読 国際誌

    Y. Hashimoto, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012007

  • Emission spectroscopy of Ar + H-2+ C7H8 plasmas: C7H8 flow rate dependence and pressure dependence 査読 国際誌

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine and M. Hori

    J. Phys. : Conf. Series (SPSM26)   518 ( 1 )   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012010

  • Off-axis sputter deposition of ZnO films on c-sapphire substrates with buffer layers prepared via nitrogen-mediated crystallization 招待 査読 国際誌

    N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. SPIE photonics west 2014   8987   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2041081

  • Effects of Atmospheric Air Plasma Irradiation on pH of Water 査読 国際誌

    T. Sarinont, K. Koga, S. Kitazaki, G. Uchida, N. Hayashi, M. Shiratani

    JPS Conf. Proc.   1   2014年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015078

  • Pressure dependence of carbon film deposition using H-assisted plasma CVD 査読 国際誌

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Effects of growth enhancement by plasma irradiation to seeds in water 査読 国際誌

    T. Sarinont, K. Koga, S. Kitazaki, M. Shiratani, N. Hayashi

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2014年2月

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    記述言語:英語  

  • Long term growth of radish sprouts after atmospheric pressure DBD plasma irradiation to seeds 査読 国際誌

    T. Amano, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2014年2月

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    記述言語:英語  

  • Multi-generation evaluation of plasma growth enhancement to arabidopsis thaliana (Invited) 招待 査読 国際誌

    K. Koga, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2014年2月

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    記述言語:英語  

  • Visualization of oxidizing substances generated by atmospheric pressure non-thermal plasma jet with water 査読 国際誌

    T. Kawasaki, K. Kawano, H. Mizoguchi, Y. Yano, K. Yamashita, M. Sakai, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2014年2月

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    記述言語:英語  

  • Growth control of ZnO nano-rod with various seeds and photovoltaic application 査読 国際誌

    H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    J. Phys. : Conference Series (11th APCPST)   441 ( 1 )   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/441/1/012029

  • Control of nanoparticle formation in reactive plasmas and its application to fabrication of green energy devices 招待 査読 国際誌

    M. Shiratani, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering   2 ( 26 )   2013年3月

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    記述言語:英語  

  • Subacute pulmonary toxicity of copper indium gallium diselenide following intratracheal instillations into the lungs of rats 査読 国際誌

    A. Tanaka, M. Hirata, M. Shiratani, K. Koga, Y. Kiyohara

    Journal of Occupational Health   54 ( 3 )   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1539/joh.11-0164-OA

  • The Optical Analysis and Application of Size-controllable Si Quantum Dots Fabricated by Multi-hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition 査読 国際誌

    H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1426   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.890

  • Effects of Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge Plasma Irradiation on Yeast Growth 査読 国際誌

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1469   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.969

  • Influence of Atmospheric Pressure Torch Plasma Irradiation on Plant Growth 査読 国際誌

    Y. Akiyoshi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga and M. Shiratani

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1469   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.970

  • Rapid Growth of Radish Sprouts Using Low Pressure O2 Radio Frequency Plasma Irradiation 査読 国際誌

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1469   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.966

  • Characteristics of stable a-Si:H Schottoky cells fabricated by suppressing cluster deposition 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, Y. Kim, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1426   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.1245

  • In-situ Measurements of Cluster Volume Fraction in Silicon Thin Films Using Quartz Crystal Microbalances 査読 国際誌

    Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1426   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.839

  • Self-organized carbon Mk formation on the top surface of fine trenches using a low temperature plasma anisotropic CVD for depositing fine organic structure 国際誌

    K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Deposition of FeSi2 nano-particle film 国際誌

    M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, K. Koga and M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Effects of substrate bias voltage on plasma anisotropic CVD of carbon using H-assisted plasma CVD reactor 国際誌

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Growth promotion characteristics of bread yeast by atmospheric pressure dielectric barrier discharge plasma irradiation 国際誌

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Production Process of Carbon Nanotube Coagulates 国際誌

    T. Mieno, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Influence of active oxygen species produced by atmospheric torch plasma on plant growth 査読 国際誌

    N. Hayashi, Y. Akiyoshi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   33   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Optical emission spectroscopy of Ar+H2+ C7H8 discharges for anisotropic plasma CVD of carbon 査読 国際誌

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   33   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Quantum dot-sensitized solar cells using nitridated si nanoparticles produced by double multi-hollow discharges 査読 国際誌

    M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Stable schottky solar cells using cluster-free a-si:h prepared by multi-hollow discharge plasma CVD 査読 国際誌

    K. Hatozaki, K. Nakahara, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   2011年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Deposition of highly stable cluster-free a-Si:H films using fast gas flow multi-hollow discharge plasma CVD method 国際誌

    K. Hatozaki, K. Nakahara, T. Matsunaga, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells by surface modification using ZnO barrier layer 国際誌

    Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   33   2011年11月

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    記述言語:英語  

  • Surface nitridation of silicon nano-particles using double multi-hollow discharge plasma CVD 査読 国際誌

    G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Kondo, M. Shiratani

    Physica Status Solidi (c)   8 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201001230

  • Deposition of cluster-free P-doped a-Si:H films using SiH4+PH3 multi-hollow discharge plasma CVD method 査読 国際誌

    K. Koga, K. Nakahara, Y. Kim, Y. Kawashima, T. Matsunaga, M. Sato, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

    Physica Status Solidi (c)   8 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100229

  • Hybrid sensitized solar cells using Si nanoparticles and ruthenium dye 査読 国際誌

    G. Uchida, Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Kondo, M. Shiratani

    Physica Status Solidi (c)   8 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201100166

  • Deposition profile control of carbon films on submicron wide trench substrate using H-assisted plasma CVD 国際誌

    T. Urakawa, T. Nomura, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2011年7月

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    記述言語:英語  

  • Generation and Surface Modification of Si nano-particles using SiH4/H2 and N2 multi-hollow discharges and their application to the third generation photovoltaics 招待 査読 国際誌

    K. Koga, G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    International Conference on Advances in Condensed and Nano Materials (ICACNM)   1393   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1063/1.3653600

  • マルチホロー放電プラズマCVDによる量子ドット増感太陽電池用シリコンナノ結晶粒子の作製

    内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    ケミカルエンジニヤリング   55 ( 12 )   947 - 954   2010年12月

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    記述言語:日本語  

  • Fluctuation Control for Plasma Nanotechnologies 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5685920

  • Growth Stimulation of Radish Sprouts Using Discharge Plasma 査読 国際誌

    S. Kitazaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686474

  • Photoluminescence of Si nanoparticles synthesized using multi-hollow discharge plasma CVD 査読 国際誌

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, T. Matsunaga, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686677

  • Redox Characteristics of Amino Acids Using Low Pressure Water Vapor RF Plasma 査読 国際誌

    Y. Akiyoshi, A. Nakahigashi, N. Hayashi, S. Kitazaki, Takuro Iwao, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686467

  • Substrate temperature dependence of feature profile of carbon films on substrate with submicron trenches 査読 国際誌

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686688

  • Cluster-Free B-Doped a-Si:H Films Deposited Using SiH4 + B10H14 Multi-Hollow Discharges 査読 国際誌

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686686

  • Deposition profiles of microcrystalline silicon films using multi-hollow discharge plasma CVD 査読 国際誌

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, K. Nakahara, W. M. Nakamura, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686679

  • Effects of Amplitude Modulation of rf Discharge Voltage on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma 査読 国際誌

    K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686456

  • Effects of Ar addition on breakdown voltage in a Si(CH3)2(OCH3)2 RF discharge 査読 国際誌

    G. Uchida, S. Nunomutra, H. Miyata, S. Iwashita, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. IEEE TENCON 2010   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TENCON.2010.5686704

  • Deposition rate enhancement of cluster-free P-doped a-Si:H films using multi-hollow discharge plasma CVD method 国際誌

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Plasma parameter measurements of Ar+H2+C7H8 plasma in H-assisted plasma CVD reactor 国際誌

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   2010年10月

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    記述言語:英語  

  • Redox Characteristics of Thiol of Plants Using Radicals Produced by RF Discharge 国際誌

    A. Nakahigashi, Y. Akiyoshi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   2010年10月

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    記述言語:英語  

  • Combinatorial deposition of microcrystalline Si films using multi-hollow discharge plasma CVD 国際誌

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, W. M. Nakamura, K. Nakahara, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles 査読 国際誌

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    35 ( 3 )   2010年9月

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    記述言語:英語  

  • Si quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles produced by plasma CVD 査読 国際誌

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/PVSC.2010.5617205

  • Effects of hydrogen dilution on electron density in multi-hollow discharges with magnetic field for A-Si:H film deposition 査読 国際誌

    K. Koga, Y. Kawashima, K. Nakahara, T. Matsunaga, W. M. Nakamura, M. Shiratani

    Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/PVSC.2010.5616502

  • Deposition of cluster-free P-doped a-Si:H films using a multi-hollow discharge plasma CVD method 査読 国際誌

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/PVSC.2010.5616514

  • Synthesis of crystalline Si nanoparticles for Quantum dots-sensitized solar cells using multi-hollow discharge plasma CVD 国際誌

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( B5-05 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • Control of deposition profile of hard carbon films on trenched substrates using H-assisted plasma CVD reactor 国際誌

    T. Nomura, Y. Korenaga, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( P1-39 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • Effects of gas residence time and H2 dilution on electron density in multi-hollow discharges of SiH4+ H2 国際誌

    K. Koga, H. Sato, Y. Kawashima, W. M. Nakamura, M. Shiratani

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( A5-06 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • In-situ Measurement of Production Process of Nanotube-Aggregates by the Laser-Mie Scattering (Dependence of Arc Condition and Gravity) 国際誌

    T. Mieno, GuoDong Tan, S. Usuba, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( P2-17 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • In-Situ Sampling of Dust Particles Produced Due to Interaction between Main Discharge Plasma and Inner Wall in LHD 国際誌

    H. Miyata, S. Iwashita, YasuY. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( P1-14 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • Measurement of electron density in multi-hollow discharges with magnetic field 国際誌

    H. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( A6-01 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • Observation of nano-particle transport in capacitively coupled radio frequency discharge plasma 国際誌

    S. Iwashita, H. Miyata, YasuY. Yamada, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of the 27th symposium on plasma processing   ( P1-13 )   2010年2月

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    記述言語:英語  

  • Substrate temperature dependence of deposition profile of plasma CVD carbon films in trenches 査読 国際誌

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dependence of volume fraction of clusters on deposition rate of a-Si:H films deposited using a multi-hollow discharge plasma CVD method 査読 国際誌

    H. Sato, Y. Kawashima, M. Tanaka, K. Koga, W. M. Nakamura, M. Shiratani

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Detection of nano-particles formed in cvd plasma using a two-dimensional photon-counting laser-light-scattering method 査読 国際誌

    H. Miyahara, S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Optical Emission Spectroscopy of a Magnetically Enhanced Multi-hollow Discharge Plasma for a-Si:H Deposition 査読 国際誌

    W. M. Nakamura, Y. Kawashima, M. Tanaka, H. Sato, J. Umetsu, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Control of Three Dimensional Transport of Nano-blocks by Amplitude Modulated Pulse RF Discharges using an Electrode with Needles 査読 国際誌

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Dust Particles formed owing to interactions between H2 or D2 helicon plasma, graphite 国際誌

    H. Miyata, S. Iwashita, YasuY. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Measurements of electron density in SiH4+H2 multi-hollow discharges using a frequency shift probe 国際誌

    K. Nakahara, Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Measurements of Surface Temperature of a-Si:H Films in Silane Multi-Hollow Discharge with IR Thermometer 国際誌

    H. Sato, Y. Kawashima, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Porosity Control of Nano-Particle Composite Porous Low Dielectric Films using Pulse RF Discharges with Amplitude Modulation 国際誌

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, H. Matsuzaki, M. Shiratani, M. Akiyama

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Pressure, aspect ratio dependence of deposition profile of carbon films on trench substrates deposited by plasma CVD 国際誌

    T. Nomura, Y. Korenaga, J. Umetsu, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Synthesis of Si nanoparticles for multiple exciton generation solar cells using multi-hollow discharge plasma CVD 国際誌

    Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Proc. of 2009 International Symposium on Dry Process   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Toward plasma nano-factories 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga

    Proc. of 2nd International Conference on Advanced Plasma Technologies (iCAPT-II) with 1st International Plasma Nanoscience Symposium (iPlasmaNano-I)   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • A comparison of dust particles produced due to interaction between graphite and plasma: LHD vs helicon discharges 査読 国際誌

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD experimental group

    J. Plasma Fusion Res.   8   2009年9月

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    記述言語:英語  

  • Plasma CVD of Nano-particle Composite Porous SiOCH Films 国際誌

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, H. Matsuzaki, M. Akiyama

    Proc. of 19th International Symposium on Plasma Chemistry   2009年7月

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    記述言語:英語  

  • Characterization of Dust Particles Ranging in Size from 1 nm to 10 µm Collected in the LHD 査読 国際誌

    4   34 - 34   2009年4月

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    記述言語:英語  

    We collected dust particles ranging in size from 1 nm to 10 µm from the Large Helical Device employing two methods: an ex-situ filtered vacuum collection method and an in-situ dust collection method. The size distribution from 1 nm to 10 µm is well expressed by the Junge distribution. Dust particles are classified into three kinds: small spherical dust particles below 1 µm in size, agglomerates consisting of primary particles of 10 nm, and large dust particles above 1 µm in size and irregular in shape; this suggests three formation mechanisms of dust particles: chemical vapor deposition growth, agglomeration, and peeling from walls. In-situ collection shows that agglomeration between dust particles takes place in main discharges. The primary dust particles in agglomerates are around 10 nm in size, suggesting agglomeration between a negatively charged large agglomerate and a positively charged dust particle 10 nm in size. We have also confirmed the important fact that a large number of dust particles move during vacuum vent. Therefore, the in-situ dust collection method is needed to reveal the generation-time and -processes of dust particles and their deposition position during discharges.

    DOI: 10.1585/pfr.4.034

  • Nano-block manipulation using pulse RF discharges with amplitude modulation combined with a needle electrode

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • Characteristics of dust particles produced due to interaction between hydrogen plasma, graphite

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, A. Sagara, K. Nisimura

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • Conductivity of nc-Si films depsited using multi-hollow discharge plasma CVD method

    K. Koga, Y. Kawashima, W. M. Nakamura, H. Sato, M. Tanaka, M. Shiratani, M. Kondo

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • Deposition profile of toluene plasma CVD carbon films in trenches

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • Effects of magnetic fields on multi-hollow discharges for thin film silicon solar cells

    Nakamura W. M., Sato H., Koga K., Shiratani M.

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • High Rate Deposition of a-Si:H Depositied using a Low Gas Pressure Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method

    K. Koga, W. M. Nakamura, H. Sato, M. Tanaka, H. Miyahara, M. Shiratani

    Proc. of PSS2009/SPP26   2009年2月

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    記述言語:英語  

  • Plasma CVD of Nano-particle Composite Porous Films of k=1.4-2.9, Young’s Modulus above 10 GPa 査読 国際誌

    2008年12月

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    記述言語:英語  

  • Deposition profile of plasma CVD carbon films in trenches 査読 国際誌

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Shiratani, M. Sekine, M. Hori

    Proc. of 30th International Symposium on Dry Process   2008年12月

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    記述言語:英語  

  • Rapid transport of nano-particles in amplitude modulated rf discharges for depositing porous ultra-low-k films 査読 国際誌

    S. Iwashita, K. Koga, M. Morita, M. Shiratani

    J. Phys. : Conference Series   100 ( 6 )   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/100/6/062006

  • Cluster incorporation control for a-Si:H film deposition 査読 国際誌

    W. M. Nakamura, K. Koga, H. Miyahara, M. Shiratani

    J. Phys. : Conference Series   100 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/100/8/082018

  • Optical emission spectroscopic study on H-assisted plasma for anisotropic deposition of Cu films 査読 国際誌

    J. Umetsu, K. Koga, K. Inoue, M. Shiratani

    J. Phys. : Conference Series   100 ( 6 )   2008年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/100/6/062007

  • Nanoparticle-Suppressed Plasma CVD for Depositing Stable a-Si:H Films 査読 国際誌

    M. Shiratani, W. M. Nakamura, H. Miyahara, K. Koga

    Digest of Technical Papers of the Fifteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays, Devices (AM-FPD 08)   2008年7月

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    記述言語:英語  

  • Rapid transport of nano-particles having a fractional elemental charge on average in capacitively coupled rf discharges by amplitude modulating discharge voltage 招待 査読 国際誌

    M. Shiratani, S. Iwashita, K. Koga, S. Nunomura

    Faraday Discussions   137   2008年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/B704910B

  • VHF discharge sustained in a small hole 査読 国際誌

    K. Koga, W. M. Nakamura, and M. Shiratani

    Proc. 28th Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases   2007年7月

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    記述言語:英語  

  • Transport of nano-particles in pulsed AM RF discharges

    S. Iwashita, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. the 24th Symp. on Plasma Processing   2007年1月

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    記述言語:英語  

  • In-situ sampling of dust generated in LHD and its analysis

    M. Shiratani, S. Kiridoshi, K. Koga, S. Iwashita, N. Ashikawa, K. NIshimura, A. Sagara, A. Komori, LHD Experimental Group

    Proc. the 24th Symp. on Plasma Processing   2007年1月

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    記述言語:英語  

  • Stability of a-Si:H deposited using multi-hollow plasma CVD

    K. Koga, W. M. Nakamura, D. Shimokawa, M. Shiratani

    Proc. the 24th Symp. on Plasma Processing   2007年1月

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    記述言語:英語  

  • Fabrication of nanoparticle composite porous films having ultra-low dielectric constant 査読 国際誌

    S. Nunomura, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe, Y. Morisada, N. Matsuki, and S. Ikeda

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 50 )   2005年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L1509

  • Highly stable a-Si:H films deposited by using multi-hollow plasma chemical vapor deposition 査読 国際誌

    K. Koga, T. Inoue, K. Bando, S. Iwashita, M. Shiratani, and Y. Watanabe

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 48 )   2005年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L1430

  • Production of crystalline Si nano-particles using VHF discharges and their properties 査読 国際誌

    M. Shiratani, T. Kakeya, K. Koga, Y. Watanabe, and M. Kondo

    30 ( 1 )   2005年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Preparation of high-quality a-Si:H using cluster-suppressed plasma CVD method and its prospects 招待 査読 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    30 ( 1 )   2005年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Carbon particle formation due to interaction between H2 plasma and carbon fiber composite wall 査読 国際誌

    K. Koga, R. Uehara, Y. Kitaura, M. Shiratani, Y. Watanabe, A. Komori

    IEEE Trans. Plasma Science   32 ( 2 )   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/TPS.2004.828129

  • Effects of Excitation Frequency and H2 Dilution on Cluster Generation in Silane High-Frequency Discharges 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, A. Harikai, T. Ogata, and Y. Watanabe

    MRS Symp. Proc.   762   2003年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-762-A9.5

  • シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成

    白谷正治, 古閑一憲, 尾形隆則, 掛谷知秀, 鹿口直斗, 渡辺征夫

    信学技報   103 ( 6 )   2003年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Anisotropic Plasma Chemical Vapor Deposition of Copper Films in Trenches 査読 国際誌

    K. Takenaka, M. Onishi, M. Takeshita, T. Kinoshita, K. Koga, M. Shiratani, and Y. Watanabe

    MRS Symp. Proc.   766   2003年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-766-E3.8

  • Anisotropic Deposition of Copper by H-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition 査読 国際誌

    K. Takenaka, M. Shiratani, M. Onishi, M. Takeshita, T. Kinoshita, K. Koga, and Y. Watanabe

    Matr. Sci. Semiconductor Processing   5 ( 2 )   2003年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S1369-8001(02)00108-7

  • ナノクラスタ制御プラズマCVDと高品質,光安定a-Si:H太陽電池への応用

    白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    アモルファスセミナーテキスト   2002年11月

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    記述言語:日本語  

  • Formation of nano-particles in microgravity plasma 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Journal of Japan Society of Microgravity Application   19   2002年10月

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    記述言語:英語  

  • Anisotropic deposition of copper by plasma CVD method 国際誌

    K. Takenaka, M. Onishi, M. Takenaka, T. Kinoshita, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   2002年10月

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    記述言語:英語  

  • Nucleation and subsequent growth of clusters in reactive plasma (invited lecture paper) 査読 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    Plasma Sources Sci. Technol.   11   2002年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0963-0252/11/3A/334

  • Correlation between Si cluster amount in silane HF discharges and quality of a-Si:H films 国際誌

    M. Shiratani, M. Kai, K. Imabeppu, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. ESCANPIG16/ICRP5 Joint Meeting   2002年7月

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    記述言語:英語  

  • Conformal deposition of pure Cu films in trenches by H-assisted plasma CVD using Cu(EDMDD)2 国際誌

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe, T. Shingen

    Proc. ESCANPIG16/ICRP5 Joint Meeting   2002年7月

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    記述言語:英語  

  • Anisotropic deposition of Cu with H-assisted plasma CVD 国際誌

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. ESCANPIG16/ICRP5 Joint Meeting   2002年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Suppression methods of cluster growth in silane discharges and their application to deposition of super high quality a-Si:H films 国際誌

    K. Koga, K. Imabeppu, M. Kai, A. Harikai, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Workshop on Information and Electrical Engineering (IWIE2002)   2002年5月

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    記述言語:英語  

  • Deposition of Cu films in trenches for LIS interconnects by H-assisted plasma CVD method 国際誌

    K. Takenaka, M. Onishi, T. Kinoshita, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe, T. Shingen

    Proc. Intern. Workshop on Information and Electrical Engineering (IWIE2002)   2002年5月

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    記述言語:英語  

  • Clustering phenomena in low-pressure reactive plasma: basis and applications (invited lecture paper) 査読 国際誌

    Y. Watanabe, A. Harikai, K. Koga, M. Shiratani

    Pure Appl. Chem.   74 ( 3 )   2002年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1351/pac200274030483

  • In-situ measurement of size and density of particles in sub-nm to nm size range 国際誌

    K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Nano-technology Workshop   2002年2月

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    記述言語:英語  

  • Deposition of high-quality Si films by suppressing cluster growth in SiH4 high-frequency discharges 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. Nano-technology Workshop   2002年2月

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    記述言語:英語  

  • プロセスプラズマ中のクラスタ - アモルファスシリコン太陽電池製造用プラズマ中のクラスター 査読

    白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    ( 5 )   2002年1月

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    記述言語:日本語  

  • クラスタ制御プラズマCVD法によるSi薄膜の高品質化

    渡辺征夫, 古閑一憲, 白谷正治

    シリコンテクノロジー   ( 37 )   2002年1月

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    記述言語:日本語  

  • Deposition of pure copper thin films by H-assisted plasma CVD using a new Cu complex Cu(EDMDD)2 国際誌

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   2001年11月

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    記述言語:英語  

  • Cluster-less plasma CVD reactor and its application to a-Si:H film deposition 査読 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-664-A5.6

  • Behavior of a particle injected in ion sheath of electropositive and electronegative gas discharges 国際誌

    M. Shiratani, A. Toyozawa, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Clustering phenomena in low-pressure reactive plasma: base and applications (invited) 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    Proc. Intern. Symp. on Plasma Chemistry   2001年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Deposition of super high quality a-Si:H thin films using cluster-suppressed plasma CVD reactor 国際誌

    K. Koga, T. Sonoda, N. Shikatani, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases   2001年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Development of H-assisted plasma CVD reactor for Cu interconnects 国際誌

    M. Shiratani, H. J. Jin, K. Takenaka, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    Proc. Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Nucleation and subsequent growth of clusters in reactive plasma (invited) 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    Proc. Intern. Conf. on Phenomena in Ionized Gases   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Formation kinetics and control of dust particles in capacitively-coupled reactive plasma (invited) 査読 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    Phys. Scripta   T89   2001年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1238/Physica.Topical.089a00029

  • Behavior of a particle injected in ion sheath 国際誌

    M. Shiratani, A. Toyozawa, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. of Plasma Science Symp. 2001/ 18th Symp. on Plasma Processing   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • Development of cluster-suppressed plasma CVD reactor for high quality a-Si:H film deposition 国際誌

    M. Shiratani, T. Sonoda, N. Shikatani, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. of Plasma Science Symp. 2001/ 18th Symp. on Plasma Processing   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • Effects of H2 dilution and excitation frequency on initial growth of clusters in silane plasma 国際誌

    K. Koga, K. Tanaka, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Proc. Plasma Science Symp. 2001/ 18th Symp. on Plasma Processing   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • H assisted control of quality and conformality in Cu film deposition using plasma CVD method 国際誌

    M. Shiratani, H. J. Jin, K. Takenaka, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    Proc. Advanced Metallization Conf. 2000   2001年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Measurements of surface reaction probability of SiH3 国際誌

    M. Shiratani, N. Shiraishi, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. of Plasma Science Symp. 2001/ 18th Symp. on Plasma Processing   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • Plasma CVD method for Cu interconnects in ULSI (invited) 国際誌

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Proc. of Plasma Science Symp. 2001/ 18th Symp. on Plasma Processing   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • Methods of suppressing cluster growth in silane rf discharges 査読 国際誌

    M. Shiratani, S. Maeda, Y. Matsuoka, K. Tanaka, K. Koga, Y. Watanabe

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2000年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-609-A5.6

  • Deposition of smooth thin Cu films in deep submicron trench by plasma CVD reactor with H atom source 査読 国際誌

    H. J. Jin, M. Shiratani, Y. Nakatake, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   2000年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-612-D9.2.1

  • Propagation characteristics of ion acoustic waves in an Ar/SF6 plasma 査読 国際誌

    R. Ichiki, M. Shindo, S. Yoshimura, K. Koga, Y. Kawai

    J. Phys. Soc. Jpn.   69 ( 6 )   2000年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JPSJ.69.1925

  • Filling subquater-micron trench structure with high-purity copper using plasma reactor with H atom source 査読

    H. J. Jin, M. Shiratani, Y. Nakatake, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    Res. Rep. ISEE Kyushu Univ.   5 ( 1 )   2000年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth processes of particles up to nanometer size in high-frequency SiH4 plasma 査読 国際誌

    Y. Watanabe, M. Shiratani, T. Fukuzawa, K. Koga

    Jour. Technical Phys.   41 ( 1 )   2000年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Observation of Asymmetric Sheath Structure in Multi-Component Plasma Containing Negative Ions 査読 国際誌

    K. Koga, H. Naitou, Y. Kawai

    J. Plasma Fusion Res.   2   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Observation of Local Structures in Asymmetric Ion Sheath 査読 国際誌

    K. Koga, H. Naitou, Y. Kawai

    J. Phys. Soc. Jpn.   68 ( 5 )   1999年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JPSJ.68.1578

  • Behavior of the Ion Sheath Instability in a Negative Ion Plasma 査読 国際誌

    K. Koga, Y. Kawai

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 3A )   1999年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.38.1553

  • Capture and Conversion of CO2 from Ambient Air Using Ionic Liquid-Plasma Combination

    Sukma Wahyu Fitriani, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Pankaj Attri

    Plasma Chemistry and Plasma Processing   2024年8月   ISSN:0272-4324 eISSN:1572-8986

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1007/s11090-024-10500-9

    researchmap

    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1007/s11090-024-10500-9/fulltext.html

  • Capture and Conversion of CO<sub>2</sub> from Ambient Air Using Ionic Liquid-Plasma Combination

    Fitriani, SW; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Attri, P

    PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING   2024年8月   ISSN:0272-4324 eISSN:1572-8986

  • Effects of Supplied Gas on Plasma-Induced Liquid Flows

    Shen, KC; Shi, HP; Koga, K; Shiratani, M; Kawasaki, T

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   2024年8月   ISSN:0093-3813 eISSN:1939-9375

  • Dry Process 2023

    Koga, K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 8 )   2024年8月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad5d78

    Web of Science

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  • Fundamental Study on Novel Biological Indicator Using DNA-Labeled Microbeads for Evaluating Nonthermal Plasma Sterilization

    Nakano, M; Okumura, T; Inaba, M; Attri, P; Koga, K; Shiratani, M; Suehiro, J

    IEEE SENSORS LETTERS   8 ( 8 )   2024年8月   ISSN:2475-1472

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    出版者・発行元:IEEE Sensors Letters  

    Nonthermal atmospheric-pressure discharge plasma is considered important for sterilization. Reactive species, such as active oxygen species, radicals, and nitrate ions, generated by the discharge plasma damage the target bacterial cell wall/membrane and DNA. Several plasma sterilization methods have been proposed, including dielectric barrier discharge (DBD). To achieve effective sterilization, it is necessary to evaluate their characteristics using many parameters. This letter aims to demonstrate a proof-of-concept of a novel biological indicator for plasma sterilization. A biological indicator is used to verify sterilization outcomes. We employ DNA-labeled microbeads as biological indicators for the rapid visualization of plasma sterilization. This is based on our recently developed method for visual detection of DNA molecules. If plasma-derived factors cause the degradation of the DNA attached to the microbeads, this can be confirmed by visualization. Herein, we present the correlation between sterilization and visualization in the case of DBD. This method offers a rapid evaluation of plasma sterilization because it easily and quickly determines the sterilization capability of the plasma.

    DOI: 10.1109/LSENS.2024.3420437

    Web of Science

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  • Effect of nanoscale inhomogeneity on blocking temperature of ZnO:Co films fabricated by using nitrogen-mediated crystallization

    Agusutrisno, MN; Okumura, T; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

    MRS ADVANCES   2024年7月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    Diluted magnetic semiconductors (DMS) have attracted interest for the potential applications of spintronic devices. The origin of the temperature dependence of their ferromagnetism has been debated and has not been concluded yet. A potential conclusion is that nanoscale inhomogeneity largely affects the temperature dependence of the magnetization in DMS even if the structure and compositions are not largely different. We examined this hypothesis by implementing nitrogen-mediated crystallization consisting of sputtering deposition of amorphous film and solid-phase crystallization by thermal annealing. A series of samples with different inhomogeneities were prepared by changing the annealing time. No significant changes in the composition and the structure were observed after annealing for various times, while significant enhancements were observed in the coercivity, blocking temperature, and grain size. These results provide clear understanding in the temperature dependence of the ferromagnetism in DMS and direct evidence of the potential conclusion on the long-lasting debate. Graphical abstract: (Figure presented.)

    DOI: 10.1557/s43580-024-00907-z

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-024-00907-z/fulltext.html

  • Deposition of hydrogenated amorphous carbon films by CH<sub>4</sub>/Ar capacitively coupled plasma using tailored voltage waveform discharges

    Otaka, M; Otomo, H; Ikeda, K; Lai, JS; Wakita, D; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Nagamatsu, D; Shindo, T; Matsudo, T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 7 )   2024年7月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    We investigated the effects of tailored voltage waveform (TVW) discharges on the deposition of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) films in CH4/Ar capacitively coupled plasma. TVW discharges employ two driving radio frequencies (13.56 MHz and 27.12 MHz) and control their phase shifts to independently regulate ion bombardment energy (IBE) and ion flux. In this study, a-C:H films were deposited by changing DC-self bias with phase shift and constant applied voltage peak-to-peak. Additionally, we investigated phase-resolved optical emission spectroscopy (PROES) for plasma characterization. As a result, plasma-enhanced CVD (PECVD) for a-C:H films using TVW discharges realize control of film properties such as mass density, sp3 fraction, and H content, while keeping the deposition rate constant. Thus, it is suggested that TVW discharges realize the independent control of IBE and ion flux with high accuracy, highlighting its utility in a-C:H film depositions.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad53b0

    Web of Science

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  • Large-scale fabrication of thulium iron garnet film with perpendicular magnetic anisotropy using RF magnetron sputtering

    Agusutrisno, MN; Obinata, S; Okumura, T; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 7 )   07SP06 - 07SP06   2024年7月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    Large-scale fabrication of thulium iron garnet (TmIG) films on gadolinium gallium garnet (GGG) substrates, with a total area of 25 cm2, has been demonstrated by rotating substrate holders during on-axis sputtering. By optimizing the growth parameters based on the pressure and flow rate of the oxygen ratio, a Tm/Fe ratio of 0.65 was obtained, which is close to the stoichiometry of TmIG. The increase in post-annealing temperature has induced the growth of the TmIG structure by the strain of the lattice constant mechanism. At the highest post-annealing temperature, the crystal structure of TmIG (444) and the perpendicular magnetic anisotropy (PMA) were obtained. This result demonstrates the potential method for large-scale fabrication of TmIG film with PMA.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad5aff

    Web of Science

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad5aff/pdf

  • Sputtering deposition of dense and low-resistive amorphous In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>: Sn films under ZONE-T conditions of Thornton's structural diagram

    Wada, Y; Magdy, W; Takeda, K; Mido, Y; Yamashita, N; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Hori, M; Shiratani, M; Itagaki, N

    APPLIED PHYSICS LETTERS   124 ( 24 )   2024年6月   ISSN:0003-6951 eISSN:1077-3118

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Letters  

    We have fabricated smooth-surfaced amorphous In2O3:Sn (a-ITO) films at a high temperature of 550 °C, far above the typical crystallization threshold of 150 °C for ITO films. This achievement has been made possible by intentionally introducing N2 into the sputtering atmosphere, which maintains a low N atom incorporation of only a few atomic percent within the films. Positioned within ZONE-T of the Thornton diagram (higher-temperature region characterized by high film density), our method allows the preparation of films with superior film density about 6.96 g/cm3, substantially exceeding the density of 6.58 g/cm3 for conventional a-ITO films fabricated under ZONE-1 (low-temperature region) and approaching the bulk crystal density of In2O3 at 7.12 g/cm3. The films also feature a high carrier density of 5 × 1020 cm−3 and a remarkably low resistivity of 3.5 × 10−4 Ω cm, comparable to those of polycrystalline films. The analysis via vacuum-ultraviolet absorption spectroscopy on N and O atom densities in the plasma suggests that amorphization is primarily caused not by N atoms incorporated in the films but by those temporally adsorbed on the film surface, inhibiting crystal nucleation before eventually desorbing. Our findings will pave the way not only for broader applications of a-ITO films but also for the design of other amorphous materials at temperatures beyond their crystallization points.

    DOI: 10.1063/5.0211090

    Web of Science

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  • Sputter deposition of ZnO-AlN pseudo-binary amorphous alloys with tunable band gaps in the deep ultraviolet region

    Urakawa, S; Magdy, W; Wada, Y; Narishige, R; Kaneshima, K; Yamashita, N; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   11 ( 6 )   2024年6月   eISSN:2053-1591

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    出版者・発行元:Materials Research Express  

    ZnO-AlN pseudo-binary amorphous alloys (a-ZAON hereinafter) with tunable band gaps in the deep ultraviolet (DUV) region have been synthesized using magnetron sputtering. The miscibility gap between ZnO and AlN has been overcome using room-temperature sputtering deposition, leveraging the rapid quenching abilities of sputtered particles to fabricate metastable but single-phase alloys. X-ray diffraction patterns and optical transmittance spectra revealed that the synthesized films with chemical composition ratios of [Zn]/([Zn] + [Al]) = 0.24-0.79 likely manifested as single-phase of a-ZAON films. Despite their amorphous structures, these films presented direct band gaps of 3.4-5.8 eV and thus high optical absorption coefficients (105 cm−1). Notably, the observed values adhered to Vegard’s law for crystalline ZnO-AlN systems, implying that the a-ZAON films were solid solution alloys with atomic-level mixing. Furthermore, atomic force microscopy analyses revealed smooth film surfaces with root-mean-square roughness of 0.8-0.9 nm. Overall, the wide-ranging band gap tunability, high absorption coefficients, amorphous structures, surface smoothness, and low synthesis temperatures of a-ZAON films position them as promising materials for use in DUV optoelectronic devices and power devices fabricated using large-scale glass and flexible substrates.

    DOI: 10.1088/2053-1591/ad4f57

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  • Response of lettuce seeds undergoing dormancy break and early senescence to plasma irradiation

    Okumura, T; Anan, T; Shi, HP; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Shiratani, M; Ishibashi, Y; Koga, K; Mildaziene, V

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   17 ( 5 )   2024年5月   ISSN:1882-0778 eISSN:1882-0786

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    出版者・発行元:Applied Physics Express  

    This study reports the response of lettuce seeds undergoing dormancy breaking and early senescence to DBD plasma irradiation. A heat map of germination percentages at 12 h reveals that dormancy has broken at 39 days' storage, and that one minute of plasma irradiation enhances germination in dormant seeds. Plasma irradiation does not affect those seeds where dormancy has already broken. Early senescence via storage was estimated using ESR measurements and the molecular modification of quercetin. This study reveals that lettuce seed susceptibility to plasma irradiation depends on storage duration and conditions, with dormancy state as a critical variable modulating the impact of plasma irradiation.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ad3798

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  • Plasma-ionic liquid-assisted CO<sub>2</sub> capture and conversion: A novel technology

    Attri, P; Koga, K; Razzokov, J; Okumura, T; Kamataki, K; Nozaki, T; Shiratani, M

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   17 ( 4 )   2024年4月   ISSN:1882-0778 eISSN:1882-0786

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Applied Physics Express  

    The present study focused on CO2 capture, storage, and conversion through the innovative integration of plasma-ionic liquid (IL) technology. For the first time, we employed plasma-IL technology to confront climate change challenges. We utilized 1-Butyl-3-methylimidazolium chloride IL to capture and store CO2 under atmospheric pressure, and subsequently employed plasma to induce the transformation of IL-captured CO2 into CO. Furthermore, we performed computer simulations to enhance our understanding of the CO2 and CO capture processes of water and IL solutions. This comprehensive approach provides valuable insights into the potential of plasma-IL technology as a viable solution for climate change.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ad33ea

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  • Heavy fuel oil-contaminated soil remediation by individual and bioaugmentation-assisted phytoremediation with Medicago sativa and with cold plasma-treated M. sativa

    Žaltauskaitė J., Meištininkas R., Dikšaitytė A., Degutytė-Fomins L., Mildažienė V., Naučienė Z., Žūkienė R., Koga K.

    Environmental Science and Pollution Research   31 ( 20 )   30026 - 30038   2024年4月   ISSN:09441344

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Environmental Science and Pollution Research  

    Developing an optimal environmentally friendly bioremediation strategy for petroleum products is of high interest. This study investigated heavy fuel oil (HFO)-contaminated soil (4 and 6 g kg−1) remediation by individual and combined bioaugmentation-assisted phytoremediation with alfalfa (Medicago sativa L.) and with cold plasma (CP)-treated M. sativa. After 14 weeks of remediation, HFO removal efficiency was in the range between 61 and 80% depending on HFO concentration and remediation technique. Natural attenuation had the lowest HFO removal rate. As demonstrated by growth rate and biomass acquisition, M. sativa showed good tolerance to HFO contamination. Cultivation of M. sativa enhanced HFO degradation and soil quality improvement. Bioaugmentation-assisted phytoremediation was up to 18% more efficient in HFO removal through alleviated HFO stress to plants, stimulated plant growth, and biomass acquisition. Cold plasma seed treatment enhanced HFO removal by M. sativa at low HFO contamination and in combination with bioaugmentation it resulted in up to 14% better HFO removal compared to remediation with CP non-treated and non-bioaugmented M. sativa. Our results show that the combination of different remediation techniques is an effective soil rehabilitation strategy to remove HFO and improve soil quality. CP plant seed treatment could be a promising option in soil clean-up and valorization.

    DOI: 10.1007/s11356-024-33182-4

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  • Plasma-Driven Sciences: Exploring Complex Interactions at Plasma Boundaries

    Ishikawa, K; Koga, K; Ohno, N

    PLASMA   7 ( 1 )   160 - 177   2024年3月   ISSN:2571-6182

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    出版者・発行元:Plasma  

    Plasma-driven science is defined as the artificial control of physical plasma-driven phenomena based on complex interactions between nonequilibrium open systems. Recently, peculiar phenomena related to physical plasma have been discovered in plasma boundary regions, either naturally or artificially. Because laboratory plasma can be produced under nominal conditions around atmospheric pressure and room temperature, phenomena related to the interaction of plasma with liquid solutions and living organisms at the plasma boundaries are emerging. Currently, the relationships between these complex interactions should be solved using science-based data-driven approaches; these approaches require a reliable and comprehensive database of dynamic changes in the chemical networks of elementary reactions. Consequently, the elucidation of the mechanisms governing plasma-driven phenomena and the discovery of the latent actions behind these plasma-driven phenomena will be realized through plasma-driven science.

    DOI: 10.3390/plasma7010011

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  • Growth control of <i>Marchantia polymorpha</i> gemmae using nonthermal plasma irradiation

    Tsuboyama, S; Okumura, T; Attri, P; Koga, K; Shiratani, M; Kuchitsu, K

    SCIENTIFIC REPORTS   14 ( 1 )   3172   2024年2月   ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    Abstract

    Several studies have documented that treatment by cold atmospheric pressure plasma (CAPP) on plants foster seed germination and growth in recent years. However, the molecular processes that underlie the action of CAPP on the seeds and plants remain mostly enigmatic. We here introduce gemmae of Marchantia polymorpha, a basal liverwort, as a novel model plant material suitable for CAPP research. Treating the gemmae with CAPP for a constant time interval at low power resulted in consistent growth enhancement, while growth inhibition at higher power in a dose-dependent manner. These results distinctly demonstrate that CAPP irradiation can positively and negatively regulate plant growth depending on the plasma intensity of irradiation, offering a suitable experimental system for understanding the molecular mechanisms underlying the action of CAPP in plants.

    DOI: 10.1038/s41598-024-53104-1

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    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41598-024-53104-1

  • Improving the efficiency of CO<inf>2</inf> methanation using a combination of plasma and molecular sieves

    Toko S., Okumura T., Kamataki K., Takenaka K., Koga K., Shiratani M., Setsuhara Y.

    Results in Surfaces and Interfaces   14   100204 - 100204   2024年2月   ISSN:2666-8459

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Results in Surfaces and Interfaces  

    In recent years, the chemical reactions with plasma catalysis have been attracted attention. The interaction between plasma ant catalyst can wide the process window, realizing the low pressure and low temperature processes with various catalysts. However, the wide process range make it difficult to optimization for social implement. The key lies in elucidating the reaction mechanism, predicting reactions through numerical simulations, and deriving optimal conditions. On the other hand, recent research has suggested that the use of molecular sieves (MS) can improve methanation efficiency. This can be combined with catalysts, offering new potential applications of MS in chemical reactions. Here, we investigated the more efficient combination of plasma and MS and their reaction mechanisms. As a result, it was found that: 1. The use of MS reduces the oxidation source in the gas phase, leading to an increase in methanation efficiency by suppressing reverse reactions. 2. The adsorption effect of MS, which suppress the reverse reaction, increases with higher pressure. 3. MS in plasma decrease the energy in plasma decrease the energy within the plasma, reducing the CO2 decomposition rate due to electron impact.

    DOI: 10.1016/j.rsurfi.2024.100204

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  • Influence of humidity on the plasma-assisted CO<sub>2</sub> conversion

    Attri, P; Okumura, T; Takeuchi, N; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M

    PLASMA PROCESSES AND POLYMERS   21 ( 1 )   2024年1月   ISSN:1612-8850 eISSN:1612-8869

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Plasma Processes and Polymers  

    The current research focuses on carbon dioxide (CO2) conversion at ambient conditions using streamer plasma. In this study, treatment time and humidity have been found to influence CO2 conversion. Our findings reveal a maximum CO2 conversion rate of 35.2%, achieved with a remarkably high energy efficiency of CO2 conversion at 135% and a low energy cost of 2.17 eV/molecule. We employed optical emission and fourier-transform infrared spectroscopy spectroscopy to analyze the different dissociation products of CO2 and determine the percentage of CO2 conversion. Furthermore, we utilized a two-dimensional (2D) fluid dynamics model and a zero-dimensional (0D) chemistry model to gain insights into the reactor mechanism.

    DOI: 10.1002/ppap.202300141

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  • プラズマ触媒作用を用いた二酸化炭素還元反応の促進に関する基礎研究

    都甲 将, 奥村 賢直, 鎌滝 晋礼, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 白谷 正治, 節原 裕一

    スマートプロセス学会誌   13 ( 1 )   31 - 36   2024年1月   ISSN:2186702X eISSN:21871337

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 スマートプロセス学会 (旧高温学会)  

    DOI: 10.7791/jspmee.13.31

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  • On-axis sputtering fabrication of Tm3Fe5O12 film with perpendicular magnetic anisotropy

    Agusutrisno, MN; Marrows, CH; Kamataki, K; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

    THIN SOLID FILMS   788   140176 - 140176   2024年1月   ISSN:0040-6090 eISSN:1879-2731

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Thin Solid Films  

    Thulium iron garnet, Tm3Fe5O12 with perpendicular magnetic anisotropy is fabricated using an on-axis sputtering technique followed by annealing, whereas previous reports have used unusual off-axis geometries. Stoichiometric Tm3Fe5O12 is obtained after the modification of the deposition conditions involving the position of the substrate relative to the cathode, which affects both the chemical and structural properties. The effective perpendicular magnetic anisotropy of 8.6 kJ/m3 is well in line with the results of previous studies using pulse laser deposition and off-axis sputtering. A maze domain pattern is observed, and the domain-wall energy is evaluated as 0.69 mJ/m2.

    DOI: 10.1016/j.tsf.2023.140176

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  • Capture and Conversion of CO<inf>2</inf> from Ambient Air Using Ionic Liquid-Plasma Combination

    Fitriani S.W., Okumura T., Kamataki K., Koga K., Shiratani M., Attri P.

    Plasma Chemistry and Plasma Processing   2024年   ISSN:02724324

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    出版者・発行元:Plasma Chemistry and Plasma Processing  

    Climate change is considered one of the main challenges in this century, and CO2 emissions significantly cause it. Integrating CO2 capture, storage, and conversion is proposed to solve this problem. 1-Butyl-3-methylimidazolium chloride ([Bmim]Cl) ionic liquid was employed to capture and store CO2 from the air and subsequently converted into CO using non-thermal plasma. Moreover, we also tested the CO2 capture and storage capacity of water from different sources, e.g., Milli-Q, deionized water, and tap water. [Bmim]Cl solution captured CO2 from the air and then converted to CO after 24 h using plasma. In comparison with water (Milli-Q water, deionized water, and tap water), CO production was increased by 28.31% in the presence of water (Milli-Q water, deionized water, and tap water) + [Bmim]Cl. It suggests that this method could be a promising way to capture, store, and convert CO2 from air at atmospheric pressure and room temperature as an effort to reduce carbon emission.

    DOI: 10.1007/s11090-024-10500-9

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  • Subchronic toxicity study of indium-tin oxide nanoparticles following intratracheal administration into the lungs of rats

    Matsumura, N; Tanaka, YK; Ogra, Y; Koga, K; Shiratani, M; Nagano, K; Tanaka, A

    journal of Occupational Health   66 ( 1 )   n/a   2024年   ISSN:13419145 eISSN:13489585

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 日本産業衛生学会  

    Objectives: We aimed to analyze the subchronic toxicity and tissue distribution of indium after the intratracheal administration of indium-tin oxide nanoparticles (ITO NPs) to the lungs of rats. Methods: Male Wistar rats were administered a single intratracheal dose of 10 or 20 mg In/kg body weight (BW) of ITO NPs. The control rats received only an intratracheal dose of distilled water. A subset of rats was periodically euthanized throughout the study from 1 to 20 weeks after administration. Indium concentrations in the serum, lungs, mediastinal lymph nodes, kidneys, liver, and spleen as well as pathological changes in the lungs and kidneys were determined. Additionally, the distribution of ionic indium and indium NPs in the kidneys was analyzed using laser ablation-inductively coupled plasma mass spectrometry. Results: Indium concentrations in the lungs of the 2 ITO NP groups gradually decreased over the 20-week observation period. Conversely, the indium concentrations in the mediastinal lymph nodes of the 2 ITO groups increased and were several hundred times higher than those in the kidneys, spleen, and liver. Pulmonary and renal toxicities were observed histopathologically in both the ITO groups. Both indium NPs and ionic indium were detected in the kidneys, and their distributions were similar to the strong indium signals detected at the sites of inflammatory cell infiltration and tubular epithelial cells. Conclusions: Our results demonstrate that intratracheal administration of 10 or 20 mg In/kg BW of ITO NPs in male rats produces pulmonary and renal toxicities.

    DOI: 10.1093/joccuh/uiae019

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  • Health assessment of rice cultivated and harvested from plasma-irradiated seeds

    Okumura, T; Tanaka, H; Nakao, T; Anan, T; Arita, R; Shiraki, M; Shiraki, K; Miyabe, T; Yamashita, D; Matsuo, K; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Shiratani, M; Hosoda, S; Tanaka, A; Ishibashi, Y; Koga, K

    SCIENTIFIC REPORTS   13 ( 1 )   17450   2023年12月   ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    This study provides the health effects assessment of rice cultivated from plasma-irradiated seeds. The rice (Oryza sativa L.) cultivated from seeds with plasma irradiation showed a growth improvement (slope-ratios of with plasma to without plasma were 1.066, 1.042, and 1.255 for tiller, and earing, and ripening periods, respectively) and an 4% increase in yield. The cultivated rice was used for repeated oral administrations to mice for 4-week period. Distilled water and rice cultivated from seeds without plasma irradiation were also used as control. The weights of the lung, kidney, liver, and spleen, with corresponding average values of 0.22 g, 0.72 g, 2.1 g, and 0.17 g for w/ plasma group and 0.22 g, 0.68 g, 2.16 g, and 0.14 g for w/o plasma group, respectively, showing no effect due to the administration of rice cultivated from plasma-irradiated seeds. Nutritional status, liver function, kidney function, and lipid, neutral fat profiles, and glucose metabolism have no significant difference between with and without plasma groups. These results show no obvious subacute effects were observed on rice grains cultivated and harvested from the mother plant that experienced growth improvement by plasma irradiation. This study provides a new finding that there is no apparent adverse health effect on the grains harvested from the plasma-irradiated seeds.

    DOI: 10.1038/s41598-023-43897-y

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  • Highly selective Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> etching on Si using pulsed-microwave CH<sub>3</sub>F/O<sub>2</sub>/Ar plasma

    Morimoto, M; Matsui, M; Ikeda, N; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SN )   2023年11月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Highly selective Si3N4 etching on Si was achieved in a CH3F/O2/Ar plasma using pulsed-microwave plasma and time-modulation bias. The Si3N4/Si selectivity reached infinity at a peak-to-peak voltage (V pp) of 240 V. The effect of pulsed-microwave on CH3F gas dissociation for highly selective Si3N4 etching was investigated by deposited film analysis, optical emission spectroscopy, and ion current flux measurements. As the duty cycle of the pulsed-microwave was decreased, the plasma density during the pulse on period decreased and the CH/H ratio increased. The pulsed-microwave plasma produced low-dissociation radicals by providing a low plasma density. The low-dissociation radicals in the CH3F plasma formed a fluorine (F)-rich hydrofluorocarbon (HFC) layer on the Si3N4 wafer surface. The F-rich HFC layer promotes Si3N4 etching even at low ion energy, where Si etching does not proceed, and enables highly selective Si3N4 etching on Si.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ace0ca

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  • Reaction kinetics studies for phenol degradation under the impact of different gas bubbles and pH using gas-liquid discharge plasma

    El-Tayeb, A; Okumura, T; Attri, P; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SN )   2023年11月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    A gas-liquid discharge plasma (GLDP) reactor is used to degrade organic pollutants such as phenol. GLDP contains a 7-pin plate system used to enhance phenol degradation in the presence of various pH, and gas bubbles produced from air, O2, O3, CO2, and Ar gases. Experimental outcomes show the impact of solution pH, as phenol degradation efficiencies of 85%, 90%, 96%, and 98% were obtained for pH of 12, 9, 3, and 1, respectively, after 60 min of treatment. This shows that the optimum pH for phenol degradation lies between 1 and 3. Moreover, we explored the influence of gas bubbles generated using various gases, such as air, O2, O3, CO2, and Ar, on phenol degradation. In the presence of O3 gas bubbles, the rate and degree of phenol degradation were significantly increased compared to gas bubbles produced from other gases (O2, CO2, Ar, and air). The degradation competence of phenol by added oxygen remained higher than argon. The performance of the GLDP system at various pH values and gas bubbles was evaluated using kinetic models. Pseudo-zero, first and second reaction kinetics models were used to examine the degradation of phenol. The rate of degradation at different pH and in the presence of gas bubbles follows pseudo-zero-order kinetics. Our GLDP reactor consumed energy of 127.5 J l-1 for phenol degradation under the influence of air bubbles and pH 5. The outcome of this research can help in the design of new reactors for industrial wastewater treatment.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acebfb

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  • Prediction by a hybrid machine learning model for high-mobility amorphous In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>: Sn films fabricated by RF plasma sputtering deposition using a nitrogen-mediated amorphization method

    Kamataki, K; Ohtomo, H; Itagaki, N; Lesly, CF; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Koga, K; Shiratani, M

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   134 ( 16 )   2023年10月   ISSN:0021-8979 eISSN:1089-7550

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    出版者・発行元:Journal of Applied Physics  

    In this study, we developed a hybrid machine learning technique by combining appropriate classification and regression models to address challenges in producing high-mobility amorphous In2O3:Sn (a-ITO) films, which were fabricated by radio-frequency magnetron sputtering with a nitrogen-mediated amorphization method. To overcome this challenge, this hybrid model that was consisted of a support vector machine as a classification model and a gradient boosting regression tree as a regression model predicted the boundary conditions of crystallinity and experimental conditions with high mobility for a-ITO films. Based on this model, we were able to identify the boundary conditions between amorphous and crystalline crystallinity and thin film deposition conditions that resulted in a-ITO films with 27% higher mobility near the boundary than previous research results. Thus, this prediction model identified key parameters and optimal sputtering conditions necessary for producing high-mobility a-ITO films. The identification of such boundary conditions through machine learning is crucial in the exploration of thin film properties and enables the development of high-throughput experimental designs.

    DOI: 10.1063/5.0160228

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  • Silicon surface passivation with a-Si:H by PECVD: growth temperature effects on defects and band offset

    Nunomura, S; Sakata, I; Misawa, T; Kawai, S; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SL )   2023年9月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The surface passivation of crystalline silicon (c-Si) is studied during growth of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) by means of plasma-enhanced CVD. The surface passivation is characterized by an in situ method of the photocurrent measurement of c-Si during the growth of an a-Si:H passivation layer at various growth temperatures. The passivation is also characterized by an ex situ method of the carrier lifetime measurement performed at RT in air. According to both the in situ and ex situ characterization results, the surface passivation is optimized around a growth temperate of 200 °C, where the defect reduction and the band offset formation at the a-Si:H/c-Si interface play important roles.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ace118

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  • Contribution of active species generated in plasma to CO<sub>2</sub> methanation

    Toko, S; Hasegawa, T; Okumura, T; Kamataki, K; Takenaka, K; Koga, K; Shiratani, M; Setsuhara, Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SL )   2023年9月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    CO2 methanation is an effective technology for CO2 reduction. Generally, methanation reactions are accelerated using thermal catalysts. However, the temperature control is difficult because CO2 methanation is an exothermic reaction, and the catalyst is deactivated by overheating. Plasma catalysis can solve this problem by driving this reaction at lower temperatures. Therefore, in this study, we investigated the contribution of the active species generated in the plasma to CO2 methanation. We found that the density of active species is linearly related to the power density, and in particular, the CH4 generation rate is determined by the CO-derived active species, not the H-derived active species. Furthermore, with an increase in the catalyst temperature, a new reaction pathway for CH4 production is added. The results of this study contribute to the understanding of the relationship between the active species produced in plasma and CO2 methanation.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acdad9

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  • Single-step fabrication of fibrous Si/Sn composite nanowire anodes by high-pressure He plasma sputtering for high-capacity Li-ion batteries 査読

    Uchida, G; Masumoto, K; Sakakibara, M; Ikebe, Y; Ono, S; Koga, K; Kozawa, T

    SCIENTIFIC REPORTS   13 ( 1 )   14280   2023年9月   ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    To realize high-capacity Si anodes for next-generation Li-ion batteries, Si/Sn nanowires were fabricated in a single-step procedure using He plasma sputtering at a high pressure of 100–500 mTorr without substrate heating. The Si/Sn nanowires consisted of an amorphous Si core and a crystalline Sn shell. Si/Sn composite nanowire films formed a spider-web-like network structure, a rod-like structure, or an aggregated structure of nanowires and nanoparticles depending on the conditions used in the plasma process. Anodes prepared with Si/Sn nanowire films with the spider-web-like network structure and the aggregated structure of nanowires and nanoparticles showed a high Li-storage capacity of 1219 and 977 mAh/g, respectively, for the initial 54 cycles at a C-rate of 0.01, and a capacity of 644 and 580 mAh/g, respectively, after 135 cycles at a C-rate of 0.1. The developed plasma sputtering process enabled us to form a binder-free high-capacity Si/Sn-nanowire anode via a simple single-step procedure.

    DOI: 10.1038/s41598-023-41452-3

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  • Influence of electric potential-induced by atmospheric pressure plasma on cell response

    Okumura, T; Chang, CH; Koga, K; Shiratani, M; Sato, T

    SCIENTIFIC REPORTS   13 ( 1 )   15960   2023年9月   ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Scientific Reports  

    Abstract

    Plasma irradiation leads not only active species, but also reactive chemical species, ultraviolet light, electric fields, magnetic fields, and shock waves. To date the effects of reactive chemical species have been mainly discussed. To understand the biological effect caused by an electric potential induced with an atmospheric-pressure plasma, the behavior of cell stimulated by electric potential was investigated using HeLa cell. The cell concentration assay revealed that less than 20% of cells inactivated by potential stimulation and the remained cells proliferate afterward. Fluorescent microscopic observation revealed that potential stimulation is appreciable to transport the molecules through membrane. These results show that potential stimulation induces intracellular and extracellular molecular transport, while the stimulation has a low lethal effect. A possible mechanism for this molecular transport by potential stimulation was also shown using numerical simulation based on an equivalent circuit of the experimental system including adhered HeLa cell. The potential formation caused by plasma generation is decisive in the contribution of plasma science to molecular biology and the elucidation of the mechanism underlying a biological response induction by plasma irradiation.

    DOI: 10.1038/s41598-023-42976-4

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    その他リンク: https://www.nature.com/articles/s41598-023-42976-4

  • Low-temperature fabrication of silicon nitride thin films from a SiH4+N2 gas mixture by controlling SiNx nanoparticle growth in multi-hollow remote plasma chemical vapor deposition

    Kamataki, K; Sasaki, Y; Nagao, I; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   164   2023年9月   ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081

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    出版者・発行元:Materials Science in Semiconductor Processing  

    High-quality amorphous silicon nitride (SiNx) thin films were fabricated by the controlled growth of nanoparticles during SiH4+N2 multi-hollow remote plasma chemical vapor deposition (CVD) at low substrate temperature 100 °C. Measurements from quartz crystal microbalances showed that a higher amount of nanoparticle incorporation in the SiNx film corresponded to a higher ratio of N/Si in the film, implying that the nanoparticles were nitrided in the plasma phase. We controlled the size of the nanoparticles by tuning the gas flow ratio of N2/SiH4 and the total gas flow rate. Transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy showed that smaller nanoparticles in the plasma led to a higher ratio of N/Si in the film and a lower hydrogen content. We attribute these results to the low heat capacity and large specific surface area of the nanoparticles, which enabled active chemical reactions on their surface in the plasma.

    DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107613

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  • Control of inhomogeneity and magnetic properties of ZnO:Co films grown by magnetron sputtering using nitrogen

    Agusutrisno, MN; Narishige, R; Kamataki, K; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   162   2023年8月   ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081

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    出版者・発行元:Materials Science in Semiconductor Processing  

    We experimentally report the control of structural inhomogeneity and magnetic properties of Co-doped ZnO films using nitrogen mediated-crystallization. The ZnO:CoN were grown on a silicon substrate at room temperature by RF-magnetron sputtering using nitrogen and followed by a post-annealing treatment for 3 hours at 400 °C, 600 °C, 800 °C and 1000 °C in the air. This method induces changes in inhomogeneity properties comprised by microstructure and stoichiometry of each film, which are confirmed by X-ray diffraction, thermal desorption, and X-ray fluorescence measurements. The difference in inhomogeneity has led to the transformation in the magnetic properties. Films annealed at 400 °C, which showed the highest inhomogeneity, exhibited superparamagnetic-ferromagnetic properties. In contrast, all the other films exhibited diamagnetic properties. Increasing the post-annealing temperature above 400 °C reduces inhomogeneities indicated by improved grain size, decreased impurities, and lattice parameters and stoichiometry of ZnO:CoN films approached those of pure ZnO. Our present results will contribute to control the inhomogeneity of ZnO:Co films to improve magnetic properties at room temperature.

    DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107503

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  • Improving the efficiency of Sabatier reaction through H<sub>2</sub>O removal with low-pressure plasma catalysis

    Hasegawa, T; Toko, S; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SL )   SL1028 - SL1028   2023年8月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Abstract

    This study aimed to realize in situ resource utilization in deep-space missions. The Sabatier reaction is used to generate CH4 from CO2, which accounts for 95% of the Martian atmosphere, and H2 from H2O on Mars. In general, thermal catalysis at temperatures above 250 °C drives the process. This high-temperature process, however, causes catalyst deactivation due to overheating. Plasma catalysis drives low-temperature reactions by excitation and decomposition of source gases via electron impact. We investigated the effect of removing H2O from gas phase in the reaction with Cu and Ni catalysts using molecular sieves in this study. The reverse reaction can be aided by OH radicals derived from H2O. Therefore, CO2 conversion increased from 49.4% to 69.1% for Cu catalysts with molecular sieves, and CH4 selectivity increased from 3.49% to 6.33%. These findings imply that removing H2O can suppress the reverse reactions.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ace831

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ace831/pdf

  • Plasma-assisted CO<sub>2</sub> and N<sub>2</sub> conversion to plant nutrient

    Attri, P; Okumura, T; Takeuchi, N; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M

    FRONTIERS IN PHYSICS   11   2023年7月   ISSN:2296-424X eISSN:2296-424X

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Frontiers in Physics  

    Colossal research on CO2 and N2 conversion using non-thermal plasma (NTP) technology has been ongoing since many years. The primary focus is on CO and NH3 production through CO2 and N2 conversion, respectively, with high conversion efficiency and low energy consumption with or without catalysts. Although in the present study, we propose that the NTP can assist in converting CO2 and N2 to plant nutrients in the form of plasma-treated/activated water. We used a homemade streamer plasma device and produced plasma-activated water (PAW) using CO2 and N2 feed gas, CO2-activated water (CAW) and N2-activated water (NAW). Later, we used CAW and NAW to treat the radish seeds and evaluate the germination rate, germination percentage, and seeding growth. To understand the chemical changes in PAW after the NTP treatment, we performed a chemical analysis to detect NO2¯, NO3¯, NH4+, and H2O2 along with the PAW pH and temperature shift. Additionally, to understand the other species produced in the gas phase, we simulated chemical reactions using COMSOL Multiphysics® software. Our results show that NOx and NHx species are less produced in CAW than in NAW, but CO2-generated PAW offers a significantly more substantial effect on enhancing the germination rate and seeding growth than NAW. Therefore, we suggested that CO and H2O2 formed during CAW production trigger early germination and growth enhancement. Furthermore, the total plasma reactor energy consumption, NO3¯ and NH4+ selective production percentage, and N2 conversion percentage were calculated. To our best knowledge, this is the first study that uses plasma-assisted CO2 conversion as a nutrient for plant growth.

    DOI: 10.3389/fphy.2023.1211166

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  • Effect of time-modulation bias on polysilicon gate etching

    Morimoto, M; Tanaka, M; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SI )   2023年7月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    The etching characteristics were studied via time-modulation bias (bias pulsing) by varying the pulsing parameters. The etch profiles were verified using polysilicon gate structures with dense and isolated patterns. Ion energy was defined as the peak-to-peak voltage (V pp) controlled by the RF bias power. The durations of the on period and off period (off time) of bias pulsing were adjusted by the pulse frequency and duty cycle. Profile evolution was observed in the variations in V pp and off time. Increasing the ion energy induced vertical profiles of dense patterns and the tapered profiles of isolated patterns. Extending the off time of bias pulsing induced tapered profiles of dense patterns and vertical profiles of isolated patterns. These results indicated that increasing the ion energy and pulse off time simultaneously was the direction to achieve anisotropic etch profiles for both the isolated and dense patterns.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acc7ab

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  • Optical emission spectroscopy study in CO<sub>2</sub> methanation with plasma

    Toko, S; Hasegawa, T; Okumura, T; Kamataki, K; Takenaka, K; Koga, K; Shiratani, M; Setsuhara, Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SI )   2023年7月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Methanation of CO2 is a key technology to realize a sustainable society. The reactions should be driven at a lower temperatures from the viewpoint of catalyst stability. Methanation with plasma catalysis can drive reactions at lower temperature than thermal catalysis. However, the reaction mechanism is little understood due to the complexity of the interactions. In this study, we investigated the power and pressure dependence of the methanation efficiency when only plasma is used as a fundamental research. We discuss how these parameters change the vibrational temperature and active species density and affect the methanation efficiency using optical emission spectroscopy.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acc66a

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  • Instant switching control between two types of plasma-driven liquid flows 査読

    Kawasaki, T; Shen, KC; Shi, HP; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( 6 )   060904-1 - 060904-4   2023年6月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Plasma-driven liquid flows that are generated in bulk liquid by plasma irradiation are one of the key factors in understanding the interaction between plasma and liquid. In this work, the direction of the plasma-driven liquid flow was successfully switched and controlled only by changing the frequency of argon plasma jet generation. The liquid flow could switch in the opposite direction within 3 s after the frequency change. Changes in the emission spectra with frequency have an important effect on the liquid flows, with results from current waveforms indicating that the frequency also changes the characteristics of the plasma jet.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acde29

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  • Cold Plasma-Induced Changes in <i>Stevia rebaudiana</i> Morphometric and Biochemical Parameter Correlations

    Judickaite, A; Venckus, J; Koga, K; Shiratani, M; Mildaziene, V; Zukiene, R

    PLANTS-BASEL   12 ( 8 )   2023年4月   ISSN:2223-7747

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Plants  

    Stevia rebaudiana Bertoni is an economically important source of natural low-calorie sweeteners, steviol glycosides (SGs), with stevioside (Stev) and rebaudioside A (RebA) being the most abundant. Pre-sowing seed treatment with cold plasma (CP) was shown to stimulate SGs biosynthesis/accumulation up to several fold. This study aimed to evaluate the possibility to predict CP-induced biochemical changes in plants from morphometric parameters. Principle component analysis (PCA) was applied to two different sets of data: morphometric parameters versus SGs concentrations and ratio, and morphometric parameters versus other secondary metabolites (total phenolic content (TPC), total flavonoid content (TFC)) and antioxidant activity (AA). Seeds were treated for 2, 5 and 7 min with CP (CP2, CP5 and CP7 groups) before sowing. CP treatment stimulated SGs production. CP5 induced the highest increase of RebA, Stev and RebA+Stev concentrations (2.5-, 1.6-, and 1.8-fold, respectively). CP did not affect TPC, TFC or AA and had a duration-dependent tendency to decrease leaf dry mass and plant height. The correlation analysis of individual plant traits revealed that at least one morphometric parameter negatively correlates with Stev orRebA+Stev concentration after CP treatment.

    DOI: 10.3390/plants12081585

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  • Effects of plasma-activated Ringer's lactate solution on cancer cells: evaluation of genotoxicity

    Liu, Y; Nakatsu, Y; Tanaka, H; Koga, K; Ishikawa, K; Shiratani, M; Hori, M

    GENES AND ENVIRONMENT   45 ( 1 )   3   2023年1月   ISSN:1880-7046 eISSN:1880-7062

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Genes and Environment  

    Background: Non-thermal atmospheric pressure plasma technologies form the core of many scientific advances, including in the electronic, industrial, and biotechnological fields. The use of plasma as a cancer therapy has recently attracted significant attention due to its cancer cell killing activity. Plasma-activated Ringer’s lactate solution (PAL) exhibits such activity. In addition to ROS, PAL contains active compounds or species that cause cancer cell death, but the potential mutagenic risks of PAL have not been studied. Results: PAL has a low pH value and a high concentration of H2O2. H2O2 was removed from PAL using catalase and catalase-treated PAL with a pH of 5.9 retained a killing effect on HeLa cells whereas this effect was not observed if the PAL was adjusted to pH 7.2. Catalase-treated PAL at pH 5.9 had no significant effect on mutation frequency, the expression of γH2AX, or G2 arrest in HeLa cells. Conclusion: PAL contains one or more active compounds or species in addition to H2O2 that have a killing effect on HeLa cells. The compound(s) is active at lower pH conditions and apparently exhibits no genotoxicity. This study suggested that identification of the active compound(s) in PAL could lead to the development of novel anticancer drugs for future cancer therapy.

    DOI: 10.1186/s41021-023-00260-x

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  • Editorial: Prospects of plasma generated species interaction with organic and inorganic materials

    Attri, P; Koga, K; Kurita, H; Ishikawa, K; Shiratani, M

    FRONTIERS IN PHYSICS   10   2023年1月   ISSN:2296-424X eISSN:2296-424X

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Frontiers in Physics  

    DOI: 10.3389/fphy.2022.1118018

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  • Role of insoluble atoms in the formation of a three-dimensional buffer layer in inverted Stranski–Krastanov mode

    Yamashita, N; Mitsuishi, R; Nakamura, Y; Takeda, K; Hori, M; Kamataki, K; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   38 ( 5 )   1178 - 1185   2023年1月   ISSN:0884-2914 eISSN:2044-5326

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Materials Research  

    The inverted Stranski–Krastanov (SK) mode is useful for heteroepitaxial growth of single-crystalline ZnO films on 18% lattice-mismatched sapphire substrates. We studied the role of nitrogen atoms during fabrication of a three-dimensional island-shaped buffer layer. We found an unprecedented maximum in the substrate temperature dependence of the density of the crystal grains, which facilitated the growth of flat ZnO layers. To reveal the mechanism of the aforementioned maximum, we measured the absolute N atom density in Ar/N2 sputtering plasma [N]plasma by vacuum-ultraviolet absorption spectroscopy. At [N]plasma = 2.2 × 1010 cm−3, we fabricated a ZnO film with a pit-free surface, attributable to the large surface reaction probability and small incorporation ratio of N atoms into the ZnO films. To describe these results, we applied an Ising model. The analytical calculations provide insights for inverted SK mode and clearly reveal the critical effects of the flux densities. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

    DOI: 10.1557/s43578-022-00886-7

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43578-022-00886-7/fulltext.html

  • プラズマ活性化乳酸リンゲル液が癌細胞に及ぼす影響 遺伝毒性の評価(Effects of plasma-activated Ringer's lactate solution on cancer cells: evaluation of genotoxicity)

    Liu Yang, Nakatsu Yoshimichi, Tanaka Hiromasa, Koga Kazunori, Ishikawa Kenji, Shiratani Masaharu, Hori Masaru

    Genes and Environment   45   1 of 10 - 10 of 10   2023年1月   ISSN:1880-7046

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    記述言語:英語   出版者・発行元:日本環境変異原ゲノム学会  

    プラズマ活性化乳酸リンゲル液(PAL)の細胞障害性と遺伝毒性について検討した。pHが低く高濃度のH2O2を含有するPALから、カタラーゼを用いてH2O2を除去した。その結果、PALのpHは5.6以下から5.9に上昇し、これらのカタラーゼ処理したPALではHeLa細胞に対する殺細胞効果が保持されていたが、カタラーゼ処理したPALのpHを7.2に調整すると効果が消失した。だが、カタラーゼ処理したpH5.9のPALには、HeLa細胞における変異頻度やγH2AX発現およびG2期停止に対し有意な作用を観察されなかった。以上より、今回の実験結果から、PALはH2O2以外にもHeLa細胞に対し殺細胞効果をもたらす1種類以上の活性化合物や活性種が含有されていることが明らかにされた。また、これらの物質は低pH条件下で活性化し遺伝毒性は有さないことから、PAL中の活性物質を同定することにより、抗癌剤の新薬開発に繋がることが期待された。

  • Role of Direct Plasma Irradiation, Plasma-Activated Liquid, and Plasma-Treated Soil in Plasma Agriculture

    Attri P., Okumura T., Takeuchi N., Razzokov J., Zhang Q., Kamataki K., Shiratani M., Koga K.

    Plasma Medicine   13 ( 3 )   33 - 52   2023年   ISSN:19475764

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    出版者・発行元:Plasma Medicine  

    Seed treatment with non-thermal plasma has seen a tremendous increase in both direct and indirect applications recently. In this review, we examined the effects of direct plasma irradiation, plasma-activated water (PAW), plasma-activated Ringer’s lactate solution, and plasma-treated soil on seeds, resulting in positive, negative, and neutral changes. Furthermore, we will compare the impact of pressure and feed gases on seed germination and seedling growth. Addition-ally, we focused on the types of reactive oxygen and nitrogen species (RONS) and their concentrations produced in the gas and liquid phases, as these play a crucial role in germination percentage and seedling growth. In conclusion, we find that plasma agriculture’s success is contingent on seed morphology, the types and concentrations of reactive species, and specific plasma characteristics.

    DOI: 10.1615/PlasmaMed.2023050454

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  • Stress reduction of a-C:H films with inserting submonolayer of carbon nanoparticles

    Shiratani Masaharu, Ono Shinjiro, Eri Manato, Okumura Takamasa, Kamataki Kunihiro, Yamashita Naoto, Kiyama Haruki, Itagaki Naho, Koga Kazunori

    Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science   2023 ( 0 )   1Ga06   2023年   eISSN:24348589

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Vacuum and Surface Science  

    <p>Amorphous carbon (a-C(:H)) thin films have been studied in a wide range of fields as protective films for automotive parts, hard masks for semiconductor device fabrication, and biocompatible films for medical devices due to their excellent characteristics. In particular, mechanical properties (film stress and fracture toughness) related to film delamination are important because they are related to the durability of the films, which in turn are related to film stress and adhesion strength. Recently, we have shown that the introduction of carbon nanoparticles (CNPs) between two layers of a-C:H thin films reduces film stress[1]. In this study, we evaluated other properties of the CNP-inserted sample and examined the effect of CNPs on the mechanical properties of the film toward the practical stage.</p><p>Sandwich structure films were fabricated using a capacitively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system [1]. Ar and CH4 gases were introduced from the top at 19 sccm and 2.6 sccm, respectively. The thickness of the first and second layers was 154 nm. For the nanoindentation test, a nanoindentation tester (ENT-1100a) was employed and a Berkovich indenter was used.</p><p></p><p>The load-unloading curve by nano-indentation showed a typical curve at 5 mN, and a step in the curve occurred at over 8 mN, and SEM images of the indentation showed that the membrane peeled off in a circular shape when the step occurred. EDS analysis of the peel scar revealed that the peel occurred at the interface between the first and second layers. In addition, the fracture toughness of the film was determined from the SEM images of the delamination traces and the load-unloading curve at the time of step generation, and it decreased with increasing Cp in the region where the film stress was constant for the CNP coverage. These results suggest that CNP coverage has a negative correlation with fracture toughness and that there is an optimum value for improving mechanical properties. Other properties will be discussed in detail in the presentation.</p><p></p><p>[1] S.H. Hwang et al., Jpn. J. Appl. Phys. 59 100906, (2020).</p>

    DOI: 10.14886/jvss.2023.0_1ga06

    CiNii Research

  • One-dimensional particle-in-cell/Monte Carlo collision simulation for investigation of amplitude modulation effects in RF capacitive discharges

    Nagao, I; Kamataki, K; Yamamoto, A; Otaka, M; Yamamoto, Y; Yamashita, D; Yamashita, N; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    MRS ADVANCES   7 ( 31 )   911 - 917   2022年12月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    We have investigated the effects of amplitude modulation (AM) discharges especially in differences of AM frequency on plasma parameters such as electric field, electron density, electron temperature, ion energy distribution function (IEDF), and ion angular distribution function (IADF) of capacitively coupled AM discharge Ar plasma using a Particle-in-cell/Monte Carlo collision (PIC-MCC) model. The electron density and the kinetic energy of ions incident on the grounded electrode oscillate periodically with the AM frequency. The oscillation amplitude of the electron density in the central plasma region between the electrodes decreases with increasing the AM frequency above 5 kHz. On the other hand, the peak energy of IEDF decreases with increasing the AM frequency above 500 kHz. Thus, the AM frequency is a good tuning knob to control such plasma parameters.

    DOI: 10.1557/s43580-022-00417-w

    Web of Science

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-022-00417-w/fulltext.html

  • Effects of substrate surface polarity on heteroepitaxial growth of pseudobinary ZnO–InN alloy films on ZnO substrates

    Narishige, R; Yamashita, N; Kamataki, K; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M; Yabuta, H; Itagaki, N

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   38 ( 7 )   1803 - 1812   2022年11月   ISSN:0884-2914 eISSN:2044-5326

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Journal of Materials Research  

    (ZnO)X(InN)1-X films have been epitaxially grown on 0.9%-lattice-mismatched ZnO substrates at 450 °C by sputtering. Films fabricated on O-polar substrates exhibit higher crystal quality and smoother surface. The full width at half-maximum of (0002) rocking curve and the root-mean-square roughness (Rq) of a 30-nm-thick film on O-polar surface are 0.21° and 2.71 nm, respectively, whereas those on Zn-polar one are 0.32° and 4.30 nm, respectively. Rq on O-polar surface further decreases to 0.73 nm as the thickness decreases to 10 nm, where we successfully obtained atomically flat single-crystalline films having atomically sharp interface with the substrates. High-resolution transmission electron microscopy revealed the Stranski–Krastanov (layer plus island) growth for O-polar case and just 3D islanding mode growth for Zn-polar one. All the results indicate the much longer migration length of adatoms on O-polar surface during the film growth, enabling adatoms to reach their thermodynamically favored positions even at low substrate temperature. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

    DOI: 10.1557/s43578-022-00827-4

    Web of Science

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43578-022-00827-4/fulltext.html

  • Raman spectral analysis of the as-deposited a-C:H films prepared by CH<sub>4</sub>+ Ar plasma CVD

    Ono, S; Hwang, SH; Okumura, T; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Oh, JS; Takabayashi, S; Nakatani, T

    MRS ADVANCES   7 ( 30 )   718 - 722   2022年11月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    Applicability of precise Raman spectral analysis of a-C:H films deposited using a plasma chemical vapor deposition (CVD) method has been discussed based on the sensitivity to initial conditions in peak separation. The spectral analysis offers to deconvolute the spectra into five peaks, while the as-deposited films prepared by plasma CVD is difficult to the five-peak separation. We found the peak position and the peak height ratio of the D-band to the G(+)-band can be employed to discuss the structure of the as-deposited films. We examined the structural difference between the films deposited at the powered electrode and that at grounded electrode. We found graphene nanoribbon-like structures may be formed in the films deposited on the grounded substrate. This result suggests that the substrate position is an important factor to form the graphene nanoribbon-like structure.

    DOI: 10.1557/s43580-022-00310-6

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  • Effects of amplitude modulated capacitively coupled discharge Ar plasma on kinetic energy and angular distribution function of ions impinging on electrodes: particle-in-cell/Monte Carlo collision model simulation

    Abe, K; Kamataki, K; Yamamoto, A; Nagao, I; Otaka, M; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 10 )   106003 - 106003   2022年9月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    Abstract

    We investigated the effects of amplitude modulated (AM) capacitively coupled Ar discharge plasma on the ion energy distribution function (IEDF) and the ion angular distribution function (IADF) incident on electrodes using the particle-in-cell/Monte Carlo collision model. For AM discharge, the electron density and electron temperature and the kinetic energy and angle of ions incident on the ground electrode change periodically with AM frequency, whereas ones for continuous wave discharge are almost constant. For AM discharge, the plasma had hysteresis characteristics. The peak energy of IEDF varies from 53 to 135 eV and the FWHM of IADF varies from 1.82 to 3.34 degrees for gas pressure 10mTorr, the peak-to-peak input voltage 400 V and AM level of 50%. The variation width of the peak energy of IEDF and FWHM of IADF increases with the AM level. These effects of AM method discharge are more noticeable at lower pressures. Thus, the AM discharge offers a way to control simultaneously IEDF and IADF, which opens a new avenue for plasma processes such as an ALD-like PECVD.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac7626

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  • Effects of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS/O<sub>2</sub>/Ar capacitively coupled plasma

    Kamataki, K; Nagamatsu, D; Yang, T; Abe, K; Yamamoto, A; Nagao, I; Arima, T; Otaka, M; Yamamoto, Y; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    AIP ADVANCES   12 ( 8 )   2022年8月   eISSN:2158-3226

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    出版者・発行元:AIP Advances  

    We investigate the effects of the amplitude modulation (AM) discharge method on the growth of nanoparticles and the relation between growth of nanoparticles and plasma generation in tetraethylorthosilicate (TEOS)/O2/Ar plasma. The laser-light scattering (LLS) intensity, which is proportional to the density and the sixth power of the size of nanoparticles in the Rayleigh scattering regime, decreases by 18% at an AM level of 10% and by 60% at an AM level of 50%. On the other hand, the ArI emission intensity, which is roughly proportional to plasma density, is higher than that for the continuous wave discharge. Thus, AM discharges suppress growth of nanoparticles in TEOS plasma. We have shown oscillations of the axial electric field Ez with the AM frequency for AM discharge by electric field measurement using an electro-optic probe. We have discussed that these fluctuations of Ez mainly lead to the vertical oscillation of the levitation position of nanoparticles trapped in the plasma sheath boundary region by taking into account the force balance equation in the axial direction on these negatively charged nanoparticles.

    DOI: 10.1063/5.0097691

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  • Effects of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS/O2/Ar capacitively coupled plasma

    Kamataki Kunihiro, Nagamatsu Daiki, Yang Tao, Abe Kohei, Yamamoto Akihiro, Nagao Iori, Arima Toshiaki, Otaka Michihiro, Yamamoto Yuma, Yamashita Daisuke, Okumura Takamasa, Yamashita Naoto, Itagaki Naho, Koga Kazunori, Shiratani Masaharu

    AIP Advances   12 ( 8 )   2022年8月   eISSN:21583226

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    記述言語:英語  

    CiNii Research

  • Changes in Content of Bioactive Compounds and Antioxidant Activity Induced in Needles of Different Half-Sib Families of Norway Spruce (<i>Picea abies</i> (L.) H. Karst) by Seed Treatment with Cold Plasma

    Sirgedaite-Seziene, V; Lucinskaite, I; Mildaziene, V; Ivankov, A; Koga, K; Shiratani, M; Lauzike, K; Baliuckas, V

    ANTIOXIDANTS   11 ( 8 )   2022年8月   ISSN:2076-3921 eISSN:2076-3921

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Antioxidants  

    In order to ensure sufficient food resources for a constantly growing human population, new technologies (e.g., cold plasma technologies) are being developed for increasing the germination and seedling growth without negative effects on the environment. Pinaceae species are considered a natural source of antioxidant compounds and are valued for their pharmaceutical and nutraceutical properties. In this study, the seeds of seven different Norway spruce half-sib families were processed for one or two minutes with cold plasma (CP) using dielectric barrier discharge (DBD) plasma equipment. At the end of the second vegetation season, the total flavonoid content (TFC), DPPH (2,2- diphenyl-1-picryl-hydrazyl-hydrate), and ABTS (2,2’-azino-bis (3-ethylbenzothiazoline-6-sulfonic acid)) antioxidant activity, and the amounts of six organic acids (folic, malic, citric, oxalic, succinic, and ascorbic) were determined in the needles of different half-sib families of Norway spruce seedlings. The results show that the TFC, antioxidant activity, and amounts of organic acids in the seedling needles depended on both the treatment duration and the genetic family. The strongest positive effect on the TFC was determined in the seedlings of the 477, 599, and 541 half-sib families after seed treatment with CP for 1 min (CP1). The TFC in these families increased from 118.06 mg g−1 to 312.6 mg g−1 compared to the control. Moreover, seed treatment with CP1 resulted in the strongest increase in the antioxidant activity of the needles of the 541 half-sib family seedlings; the antioxidant activity, determined by DPPH and ABTS tests, increased by 30 and 23%, respectively, compared to the control. The obtained results indicate that the CP effect on the amount of organic acids in the needles was dependent on the half-sib family. It was determined that treatment with CP1 increased the amount of five organic acids in the needles of the 541 half-sib family seedlings. The presented results show future possibilities for using cold plasma seed treatment in the food and pharmacy industries.

    DOI: 10.3390/antiox11081558

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  • Detection of NO3− introduced in plasma-irradiated dry lettuce seeds using liquid chromatography-electrospray ionization quantum mass spectrometry (LC-ESI QMS)

    Okumura, T; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Tsukada, Y; Itagaki, N; Shiratani, M; Ishibashi, Y; Kuchitsu, K; Koga, K

    SCIENTIFIC REPORTS   12 ( 1 )   12525   2022年7月   ISSN:2045-2322 eISSN:20452322

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    Abstract

    Discharge plasma irradiates seeds with reactive oxygen and nitrogen species (RONS). However, RONS introduced in seeds by plasma irradiation have not been successfully detected thus far. This study provides experimental evidence that nitrate ion NO3 is introduced in lettuce seeds as RONS upon irradiation with atmospheric-pressure air dielectric barrier discharge plasma. Plasma irradiation for 5 min promotes seed germination. The components of the plasma-irradiated seeds were examined using electrospray ionization quantum mass spectrometry (ESI QMS), which revealed that the plasma irradiation introduced an ion with a mass of 62 m/z in detectable amounts. This ion was identified as NO3 by liquid chromatography (LC), multiple wavelength detector (MWD), and LC-ESI QMS. A one-dimensional simulation at electron temperature Te = 1 eV, electron density Ne = 1013/m3, and gas temperature Tg = 300 K indicated the introduction of NO3, involving nitric oxide NO. NO3 is one of the most important ions that trigger signal transduction for germination when introduced in seeds. The scanning electron microscopy (SEM) images revealed that there was no change on the surface of the seeds after plasma irradiation. Plasma irradiation is an effective method of introducing NO3 in seeds in a dry process without causing damage.

    DOI: 10.1038/s41598-022-16641-1

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  • Treatment of organic wastewater by a combination of non-thermal plasma and catalyst: a review

    Attri, P; Koga, K; Okumura, T; Chawarambwa, FL; Putri, TE; Tsukada, Y; Kamataki, K; Itagaki, N; Shiratani, M

    REVIEWS OF MODERN PLASMA PHYSICS   6 ( 1 )   2022年7月   ISSN:2367-3192 eISSN:2367-3192

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Reviews of Modern Plasma Physics  

    Recently, non-thermal plasma technology has been frequently used for wastewater treatment. Plasma technology uses the effect of high-energy electrons, reactive species, ultraviolet light, free radicals, and pyrolysis to treat wastewater. Although in many cases, only the use of non-thermal plasma alone is not successful in degrading the complex organic wastes. This might be because of complexity in wastewater or not appropriate plasma device for wastewater treatment, or improper use of plasma-generated species that plays a critical role in organic waste degradation. To increase the degradation efficiency and reduce treatment time, the combination of non-thermal plasma and catalysts (homogeneous and heterogeneous) improves pollutant removal. This review includes the different non-thermal plasma systems and their action on decolorizing or degradation of dyes, degradation of phenolic pollutants, and degradation of pharmaceutical products, including antibiotics and other volatile organic solvents (VOC’s) with and without catalyst. Finally, probable mechanisms and suggestions to improve the wastewater treatment using non-thermal plasma were put forward. This review aims to help researchers understand the role of treatment time, feed gases, and catalysts on the degradation of organic wastes and looks forward to all possible developments in this field.

    DOI: 10.1007/s41614-022-00077-1

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  • Spatio-temporal measurements Ar 2p<sub>1</sub> excitation rates and optical emission spectroscopy by capacitively coupled Ar and Ne mixed gas plasma

    Otaka, M; Arima, T; Lai, J; Ikeda, K; Kamataki, K; Yamashita, N; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    MRS ADVANCES   7 ( 31 )   918 - 922   2022年7月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    We investigated the Ar mixture ratio dependence of the high-energy electron behaviors in capacitively coupled Ar+Ne plasmas using Optical Emission Spectroscopy (OES) and Phase-Resolved Optical Emission Spectroscopy (PROES) methods. OES measurements showed that optical emission intensities of Ar and Ne decreased as Ar mixture ratio increased, which implied decreases in the excitation rates of Ar and Ne. The spatio-temporal distribution of the Ar I 2p1 excitation rate was measured using the PROES method. These measurements showed the Ar I 2p1 excitation rate decreased as the Ar mixture ratio increased, which was consistent with the OES results. These results implied that the collision frequency between electrons and neutral particles increased with increase in Ar mixture ratio. In addition, the sheath expansion width in one RF cycle became small with increasing Ar mixture ratio, which led to a weakening of the effect of stochastic heating and a decrease of the electron temperature.

    DOI: 10.1557/s43580-022-00306-2

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-022-00306-2/fulltext.html

  • Cold plasma-induced stimulation of natural sweeteners biosynthesis in <i>Stevia rebaudiana</i> Bertoni

    Zukiene, R; Judickaite, A; Mildaziene, V; Koga, K; Shiratani, M

    FEBS OPEN BIO   12   301 - 301   2022年7月   ISSN:2211-5463

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  • Growth of Single-Crystalline ZnO Films on 18%-Lattice-Mismatched Sapphire Substrates Using Buffer Layers with Three-Dimensional Islands

    Nakamura, Y; Yamashita, N; Kamataki, K; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   22 ( 6 )   3770 - 3777   2022年6月   ISSN:1528-7483 eISSN:1528-7505

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Crystal Growth and Design  

    Heteroepitaxial growth of single-crystalline zinc oxide (ZnO) films on a c-plane sapphire substrate is an important technology for electronics and optoelectronic devices. Recently, the inverted Stranski-Krastanov (SK) mode has been demonstrated, and it has realized the heteroepitaxial growth of ZnO films on a sapphire substrate by sputtering. In this mode, a 10 nm-thick buffer layer consisting of three-dimensional islands (3D buffer layers) initially forms and relaxes the strain, and then, a two-dimensional ZnO film (2D layer) grows involving small strain. To clarify the correlation between the structural properties of the 3D buffer layers and the 2D layer, we introduce a figure of merit (FOM) of ZnO films: the reciprocal of the product of the full width at half-maximum (FWHM) of the (002) and (101) planes of X-ray rocking curves (XRCs) and root-mean-square (RMS) roughness. We find that the FOM of the 2D layers correlates with the RMS roughness, the in-plane orientation, and the lateral correlation length ζ of the surfaces of the buffer layers. We observe a surprisingly high correlation coefficient of 0.97. Our results imply that on the buffer layers with larger ζ, adatoms more easily reach the thermodynamically favored lattice positions. Thus, high-quality single-crystalline ZnO films, where the (002) plane XRC-FWHM and the RMS roughness are 0.05° and 1.5 nm, respectively, are grown on the buffer layers with a large ζ of 13.7 nm. This finding provides a useful tool for understanding the mechanism of the inverted SK mode.

    DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00145

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  • Performance comparison of nitrile-based liquid electrolytes on bifacial dye-sensitized solar cells under low-concentrated light

    Putri, TE; Chawarambwa, FL; Attri, P; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

    MRS ADVANCES   7 ( 21 )   427 - 432   2022年5月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    Abstract: Dye-sensitized solar cell (DSSC) has low power output and efficiency. Even though the low-concentrated light can increase the POUT and power conversion efficiency (PCE) of DSSC, the effect of increase in the cell temperature, particularly electrolyte evaporation, becomes a major concern. In this study, we compared and investigated the performance of acetonitrile (AN-50), propionitrile (PN-50), and 3-metoxy propionitrile (Z-100) as nitrile-based electrolyte under low-concentrated light. The results showed 4–8 times increase in JSC and POUT in all electrolytes. AN-50 demonstrated an improved performance under influence of 2 cm distance concave mirror concentrated light with the highest JSC = 74.21 mA/cm2, POUT = 24.53 mW/cm2, and η = 7.99%. However, the performance of cell with AN-50 and PN-50 started to degrade within 3 h of measurement. In contrast, Z-100 displayed performance stability during 4 days measurement even with the lowest JSC= 49.98 mA/cm2, POUT = 19.50 mW/cm2, and η = 6.35%. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

    DOI: 10.1557/s43580-022-00270-x

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  • Epitaxial growth of Zn1−xMgxO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode using magnetron sputtering

    Takahashi, D; Yamashita, N; Yamashita, D; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

    MRS ADVANCES   7 ( 20 )   415 - 419   2022年2月   ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:MRS Advances  

    We have succeeded in epitaxial growth of high-quality Zn1−xMgxO films of x = 0.04–0.33 on 18%-lattice mismatched sapphire substrates using magnetron sputtering. The films have grown in inverted Stranski-Krastanov (inverted SK) mode, where a buffer layer consisting of three-dimensional islands initially forms and a relaxed two-dimensional layer subsequently grows on the buffer layer. The resultant films have flat surfaces with root-mean-square roughness of 0.43–0.75 nm and are of high-crystal qualities even for large Mg contents; the full widths at half maximum of (0002) x-ray rocking curves are 0.05° (x = 0.33) and 0.07° (x = 0.14). Furthermore, we observed that the optical absorption edge shifts continuously toward the shorter wavelength with increasing x, and the band gap has been tuned from 3.5 to 4.3 eV. These results show that the inverted SK mode is useful for fabricating high-quality Zn1−xMgxO films with wide-range tunability of band gaps. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

    DOI: 10.1557/s43580-022-00234-1

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-022-00234-1/fulltext.html

  • Outcomes of Pulsed Electric Fields and Nonthermal Plasma Treatments on Seed Germination and Protein Functions

    Attri, P; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M; Wang, DY; Takahashi, K; Takaki, K

    AGRONOMY-BASEL   12 ( 2 )   2022年2月   eISSN:2073-4395

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    記述言語:その他   出版者・発行元:Agronomy  

    To meet the needs of the hungry population, it is critical to boost agricultural product production while minimizing contaminated waste. The use of two nonthermal technologies, pulsed electric field (PEF) and nonthermal plasma (NTP), is increasing every day. As both PEF and NTP are relatively newer areas, there is limited knowledge about these two technologies and their modes of action. Studies showed that PEF treatment on the plant seeds helps germination and seedling growth. The positive impact of PEF intensity is highly dependent on the seed coat type and plant species. Another nonthermal technology, NTP, affects seed germination, seedling growth, yield, and resilience to abiotic stress when generated at varying pressures with and without different feed gases. Early germination, germination rate, and germination percentage were all improved when the seedlings were treated with NTP. Similarly to the PEF treatment, NTP had a negative or no effect on germination. This review examined the effects of PEF and NTP on seed germination and ana-lyzed the situation and mechanism behind the positive or negative effect. Deactivation of proteins and enzymes to extend the shelf life of beverages is another prominent application of PEF and NTP. The interaction of PEF and NTP with proteins aids in understanding the microscopic mechanism of these technologies. Therefore, we covered in this review the potential structural and functional changes in proteins/enzymes as a result of PEF and NTP, as well as a comparison of the benefits and drawbacks of these two technologies.

    DOI: 10.3390/agronomy12020482

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  • Functional nitrogen science based on plasma processing: quantum devices, photocatalysts and activation of plant defense and immune systems

    Kaneko, T; Kato, H; Yamada, H; Yamamoto, M; Yoshida, T; Attri, P; Koga, K; Murakami, T; Kuchitsu, K; Ando, S; Nishikawa, Y; Tomita, K; Ono, R; Ito, T; Ito, AM; Eriguchi, K; Nozaki, T; Tsutsumi, T; Ishikawa, K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SA )   SA0805 - SA0805   2022年1月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    <title>Abstract</title>
    Nitrogen is a very common element, comprising approximately 78% of Earth’s atmosphere, and is an important component of various electronic devices while also being essential for life. However, it is challenging to directly utilize dinitrogen because of the highly stable triple bond in this molecule. The present review examines the use of non-equilibrium plasmas to generate controlled electron impacts as a means of generating reactive nitrogen species (RNS) with high internal energy values and extremely short lifetimes. These species include ground state nitrogen atoms, excited nitrogen atoms, etc. RNS can subsequently react with oxygen and/or hydrogen to generate new highly reactive compounds and can also be used to control various cell functions and create new functional materials. Herein, plasma-processing methods intended to provide RNS serving as short-lived precursors for a range of applications are examined in detail.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac25dc

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac25dc/pdf

  • Effect of gas flow rate and discharge volume on CO<sub>2</sub> methanation with plasma catalysis 査読

    Toko, S; Ideguchi, M; Hasegawa, T; Okumura, T; Kamataki, K; Takenaka, K; Koga, K; Shiratani, M; Setsuhara, Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SI )   2022年1月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    CO2 methanation can be a key technology for realizing a sustainable society. CH4 is used as an energy carrier and raw material for chemical products, thereby contributing to the reduction of CO2 emissions. Methanation with plasma catalysis lowers the process temperature, which can improve the throughput and stability. In this study, we investigated the effect of the gas flow rate and the discharge volume on CO2 methanation, using a low-pressure capacitively coupled plasma reactor. Higher gas flow rates can increase the rate of CO2 throughput, but the CH4 selectivity decreases owing to the reduced transportation rate of the reactants to the catalyst surface. Increasing the discharge volume is effective in improving the transportation rate. This study suggested that the structure of the reactor significantly affects the CH4 generation rate.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4822

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  • Improved luminescence performance of Yb<SUP>3+</SUP>-Er<SUP>3+</SUP>-Zn<SUP>2+</SUP>: Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> phosphor and its application to solar cells

    Chawarambwa, FL; Putri, TE; Hwang, SH; Attri, P; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Nakamura, D; Shiratani, M

    OPTICAL MATERIALS   123   2022年1月   ISSN:0925-3467 eISSN:1873-1252

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Optical Materials  

    Upconversion materials (UC) can convert low-energy photons into visible light and, therefore, can be incorporated in solar cells to increase the absorption of visible light. This study synthesized UC nanophosphors Yb3+, Er3+: Y2O3 and Yb3+, Er3+, Zn2+: Y2O3 by a simple co-precipitation method for application in dye-sensitized solar cells (DSSCs). The impact of the enhancement in the concentration of Zn2+ on the photoluminescence (PL) and color point of the synthesized nanophosphors was also investigated. The synthesized nanophosphors emitted intense red and weaker green emissions upon excitation at 980 nm. The incorporation of Zn2+ to the Yb3+, Er3+: Y2O3 nanophosphors leads to color tunability in the red and yellow regions. Furthermore, the synthesized nanophosphors were incorporated into the DSSC photoanode to form a TiO2-UC-based DSSC for converting near-infrared (NIR) into visible light. We observed that the TiO2-UC-based DSSC showed an enhancement ratio in current density and power conversion efficiency of 17.4% and 16.6%, respectively, compared to the bare TiO2-based DSSC. These results reveal that UC-based Yb3+, Er3+, Zn2+: Y2O3 nanophosphors are useful in improving the efficiency of DSSCs and in color tunability applications.

    DOI: 10.1016/j.optmat.2021.111928

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  • Plasma Synthesis of Silicon Nanoparticles: From Molecules to Clusters and Nanoparticle Growth

    Nunomura, S; Kamataki, K; Nagai, T; Misawa, T; Kawai, S; Takenaka, K; Uchida, G; Koga, K

    IEEE OPEN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY   3   94 - 100   2022年   eISSN:2644-1292

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE Open Journal of Nanotechnology  

    Plasma nanotechnology is widely used for nanoscale etching, dopant implantation and thin-film deposition for state-of-the-art semiconductor devices. Such a plasma nanotechnology has another interesting aspect of synthesizing nanoparticles, in a controlled manner of atomic composition, structure and those size. Here, we present the polymerization and growth of silicon nanoparticles from a molecular level to 10 nm-particles in hydrogen diluted silane plasmas. The polymerization and growth are experimentally studied using various plasma diagnostic tools. The results indicate that nanoparticles are rapidly formed via gas-phase reactions in a low-density plasma comprising high-energy electrons. The growth kinetics and the modification of plasma properties are discussed in terms of gas-phase reactions, charging and coagulation of nanoparticles.

    DOI: 10.1109/OJNANO.2022.3209995

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  • Control of magnetic transition of ZnO:Co grown by RF-sputter using post-Annealing

    Nurut A.M., Yamashita N., Kamataki K., Koga K., Itagaki N., Shiratani M.

    2022 International Conference on Informatics Electrical and Electronics, ICIEE 2022 - Proceedings   2022年   ISBN:9781665486224

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    出版者・発行元:2022 International Conference on Informatics Electrical and Electronics, ICIEE 2022 - Proceedings  

    Ferromagnetic semiconductor has attracted much attention for the application of spintronic devices, which will bring next generation of the information technology. Cobalt-doped Zinc Oxides (ZnO: Co) is strong candidate of this material group. The ZnO: Co films were grown on a silicon substrate (100) at room temperature by radio-frequency (rf) sputtering deposition and followed by post-Annealing treatment for 3 hours at 400°C and 800°C in the air. The transition from paramagnetic to ferromagnetic occurs after annealing at 400°C, and the properties return to paramagnetic like as-deposition when the temperature rises to 800°C. The XRD measurement of ZnO: Co films exhibited a wurtzite structure in the (002) plane and was free from secondary phases. Then, post-Annealing at 400°C due to shift peak and decrease oxygen element, meanwhile the crystallinity significantly up to 800°C.

    DOI: 10.1109/ICIEE55596.2022.10010108

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  • A Plasma Enhanced CVD Technology for Solving Issues on Sidewall Deposition in Trenches and Holes

    Shiratani, M; Kamataki, K; Koga, K

    2022 17TH INTERNATIONAL MICROSYSTEMS, PACKAGING, ASSEMBLY AND CIRCUITS TECHNOLOGY CONFERENCE (IMPACT)   2022-October   2022年   ISSN:2150-5934 ISBN:978-1-6654-5221-2

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    出版者・発行元:Proceedings of Technical Papers - International Microsystems, Packaging, Assembly, and Circuits Technology Conference, IMPACT  

    EUV lithography drives the miniaturization of semiconductors for higher integration, and semiconductor manufacturing is in transition from two-dimensional (2D) to three-dimensional (3D) structures [1], which plays a crucial role in supporting packaging for edge computing such as Internet-of-Things (loT). 3D power scaling enables higher integration without reducing the size of transistors by arranging them vertically instead of horizontally. One of the important processes in manufacturing 3D structured semiconductors is the formation of films on sidewalls of trenches and holes. Such films are often deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) [2]. Due to the gas decomposition by plasma, PECVD method archives a high deposition rate of good quality films at low temperature, which is an advantage over other deposition methods such as atomic layer deposition (ALD) [3]. However, this does not fully meet the actual manufacturing requirements. For instance, SiO2 dielectric films deposited by PECVD usually have low coverage and poor film quality on sidewall of trenches and holes compared to films on surface. Ion impact is one of the most important factors contributing to improving step coverage and film quality in trenches and holes. One parameter that characterized ion impact is the ion energy distribution function (IEDF) and ion angular distribution (IADF) [4], [5]. There are strong needs for low temperature deposition in trenches and holes.

    DOI: 10.1109/IMPACT56280.2022.9966682

    Web of Science

    Scopus

  • Impact of seed color and storage time on the radish seed germination and sprout growth in plasma agriculture

    Pankaj Attri, Kenji Ishikawa, Takamasa Okumura, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Vida Mildaziene

    Scientific Reports   11 ( 1 )   2021年12月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-021-81175-x

  • Performance Characteristics of Bifacial Dye-Sensitized Solar Cells with a V-Shaped Low-Concentrating Light System

    Tika E. Putri, Fadzai L. Chawarambwa, Min Kyu Son, Pankaj Attri, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ACS Applied Energy Materials   4 ( 12 )   13410 - 13414   2021年12月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaem.1c02774

  • Impact of Reactive Oxygen and Nitrogen Species Produced by Plasma on Mdm2–p53 Complex

    22 ( 17 )   9585 - 9585   2021年9月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The study of protein–protein interactions is of great interest. Several early studies focused on the murine double minute 2 (Mdm2)–tumor suppressor protein p53 interactions. However, the effect of plasma treatment on Mdm2 and p53 is still absent from the literature. This study investigated the structural changes in Mdm2, p53, and the Mdm2–p53 complex before and after possible plasma oxidation through molecular dynamic (MD) simulations. MD calculation revealed that the oxidized Mdm2 bounded or unbounded showed high flexibility that might increase the availability of tumor suppressor protein p53 in plasma-treated cells. This study provides insight into Mdm2 and p53 for a better understanding of plasma oncology.

    DOI: 10.3390/ijms22179585

  • Comparison between Ar+CH4 Cathode and Anode Coupled Capacitively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon Films 査読 国際誌

    S. H. Hwang, R. Iwamoto, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

    Thin Solid Films   729   2021年7月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138701

  • Highly efficient and transparent counter electrode for application in bifacial solar cells

    Fadzai Lesley Chawarambwa, Tika Erna Putri, Pankaj Attri, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Chemical Physics Letters   768   2021年4月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cplett.2021.138369

  • Impact of atmospheric pressure plasma treated seeds on germination, morphology, gene expression and biochemical responses

    Pankaj Attri, Kazunori Koga, Takamasa Okumura, Masaharu Shiratani

    Japanese Journal of Applied Physics   60 ( 4 )   2021年4月

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    記述言語:その他  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abe47d

  • Possible impact of plasma oxidation on the structure of the C-terminal domain of SARS-CoV-2 spike protein: A computational study

    Pankaj Attri, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Applied Physics Express   14 ( 2 )   2021年2月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/abd717

  • Alterations of DNA Methylation Caused by Cold Plasma Treatment Restore Delayed Germination of Heat-Stressed Rice (Oryza sativa L.) Seeds 査読 国際誌

    C. Suriyasak, K. Hatanaka, H. Tanaka, T. Okumura, D. Yamashita, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, N. Hamaoka, Y. Ishibashi

    ACS Agric. Sci. Technol.   1 ( 1 )   2021年2月

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    記述言語:その他  

    DOI: 10.1021/acsagscitech.0c00070

  • Impact of surface morphologies of substrates on the epitaxial growth of magnetron-sputtered (ZnO) x (InN)1-x films

    Ryota Narishige, Kentaro Kaneshima, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    Japanese Journal of Applied Physics   60 ( SA )   SAAB02 - SAAB02   2021年1月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abba0c

  • Time of Flight Size Control of Carbon Nanoparticles Using Ar+CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Method

    Sung Hwa Hwang, Kazunori Koga, Yuan Hao, Pankaj Attri, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani, Jun-Seok Oh, Susumu Takabayashi, Tatsuyuki Nakatani

    Processes   9 ( 1 )   2 - 2   2020年12月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3390/pr9010002

  • Experimental identification of the reactive oxygen species transported into a liquid by plasma irradiation

    Toshiyuki Kawasaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 11 )   110502 - 110502   2020年11月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abc3a1

  • Low-stress diamond-like carbon films containing carbon nanoparticles fabricated by combining rf sputtering and plasma chemical vapor deposition

    Sung-Hwa Hwang, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Tatsuyuki Nakatani, Masaharu Shiratani

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 10 )   100906 - 100906   2020年10月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abbb20

  • Plasma agriculture from laboratory to farm: A review

    Pankaj Attri, Kenji Ishikawa, Takamasa Okumura, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Processes   8 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語:その他  

    DOI: 10.3390/PR8081002

  • Influence of osmolytes and ionic liquids on the Bacteriorhodopsin structure in the absence and presence of oxidative stress: A combined experimental and computational study 査読

    Pankaj Attri, Jamoliddin Razzokov, Maksudbek Yusupov, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Annemie Bogaerts

    International Journal of Biological Macromolecules   148   657 - 665   2020年4月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ijbiomac.2020.01.179

  • Progress in photovoltaic performance of organic/inorganic hybrid solar cell based on optimal resistive Si and solvent modified poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) junction

    Hyunwoong Seo, Daisuke Sakamoto, Hakutatsu Chou, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Progress in Photovoltaics: Research and Applications   26 ( 2 )   145 - 150   2020年2月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pip.2961

  • Effect of hydrogen dilution on the silicon cluster volume fraction of a hydrogenated amorphous silicon film prepared using plasma-enhanced chemical vapor deposition 査読

    Yeonwon Kim, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Current Applied Physics   20 ( 1 )   191 - 195   2020年1月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2019.11.001

  • Local supply of reactive oxygen species into a tissue model by atmospheric-pressure plasma-jet exposure 査読

    Toshiyuki Kawasaki, Fumiaki Mitsugi, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Journal of Applied Physics   125   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Local supply of reactive oxygen species into a tissue model by atmospheric-pressure plasma-jet exposure
    © 2019 Author(s). The supply of reactive oxygen species (ROSs) into a tissue by plasmas must be controlled for the safe and effective use of plasma technologies in biomedical applications. In this study, the two-dimensional distributions of ROSs after passing through an agarose tissue model by the plasma-jet exposures were visualized using a KI-starch gel reagent to evaluate the local ROS supply. Partial ROS supply on the tissue model surface induced the local ROS supply in a pointlike shape just under the plasma-exposed spot. The O3-containing gas exposure without direct plasma contact could not induce the local ROS supply. Therefore, the local ROS supply was assumed to be induced by plasma-specific effects. However, the results also indicated that the plasma jet coming in direct contact with the tissue model surface did not necessarily induce the local ROS supply. The effects of the tissue model thickness on the local ROS supply were also studied; the local ROS supply could penetrate to a depth of 2 mm in the tissue model under the given experimental conditions.

    DOI: 10.1063/1.5091740

  • Controlling feeding gas temperature of plasma jet with Peltier device for experiments with fission yeast 査読

    Shinji Yoshimura, Mitsutoshi Aramaki, Yoko Otsubo, Akira Yamashita, Kazunori Koga

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SE )   SEEG03 - SEEG03   2019年6月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab1473

  • Progress and perspectives in dry processes for leading-edge manufacturing of devices: toward intelligent processes and virtual product development 査読

    Taku Iwase, Yoshito Kamaji, Song Yun Kang, Kazunori Koga, Nobuyuki Kuboi, Moritaka Nakamura, Nobuyuki Negishi, Tomohiro Nozaki, Shota Nunomura, Daisuke Ogawa, Mitsuhiro Omura, Tetsuji Shimizu, Kazunori Shinoda, Yasushi Sonoda, Haruka Suzuki, Kazuo Takahashi, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Yoshikawa, Tatsuo Ishijima, Kenji Ishikawa

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SE )   SE0804 - SE0804   2019年6月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab163b

  • Progress and perspectives in dry processes for nanoscale feature fabrication: toward intelligent processes and virtual product development 査読

    Taku Iwase, Yoshito Kamaji, Song Yun Kang, Kazunori Koga, Nobuyuki Kuboi, Moritaka Nakamura, Nobuyuki Negishi, Tomohiro Nozaki, Shota Nunomura, Daisuke Ogawa, Mitsuhiro Omura, Tetsuji Shimizu, Kazunori Shinoda, Yasushi Sonoda, Haruka Suzuki, Kazuo Takahashi, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Yoshikawa, Tatsuo Ishijima, Kenji Ishikawa

    Japanese Journal of Physics   Vol. 58   pp. SE0804(21pp)   2019年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Progress and perspectives in dry processes for nanoscale feature fabrication: toward intelligent processes and virtual product development

  • 大気圧非平衡He プラズマジェットと溶液との相互作用に関する可視化研究 招待

    内田 儀一郎, 竹中 弘祐, 川崎 敏之, 古閑 一憲, 白谷 正治, 節原 裕一

    スマートプロセス学会誌   8 ( 2 )   58 - 63   2019年3月

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    記述言語:日本語  

  • Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films on Lattice-mismatched Sapphire Substrate 査読

    Nanoka Miyahara, Seichi Urakawa, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    MRS Advances   2019年1月

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    記述言語:その他  

    Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films on Lattice-mismatched Sapphire Substrate
    We have recently developed a novel semiconductor, (ZnO)x(InN)1-x (abbreviated to ZION). In this study, we have succeeded in direct epitaxial growth of ZION films on 19?21&#37;-lattice-mismatched c-plane sapphire by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. X-ray diffraction analysis showed that there is no epitaxial relationship between ZION films fabricated at room-temperature (RT) and the sapphire substrates, while the films fabricated at 450oC grow epitaxially on the sapphire substrates. From the analysis of time evolution of the surface morphology, the process for the epitaxial growth of ZION on sapphire is found to consist of three stages. They are (i) initial nucleation of ZION crystallites with crystal axis aligned to the sapphire substrate, (ii) island growth from the initially formed nuclei and subsequent nucleation (secondary nucleation) of ZION crystallites, and (iii) lateral growth of ZION islands originated from initially formed nuclei. On the other hand, non-epitaxial ZION films fabricated at RT just grow in 3D mode. From these results, we conclude that the substrate temperature is the key to control of nucleation and subsequent epitaxial growth of ZION films on the lattice-mismatched substrate.

    DOI: 10.1557/adv.2019.17

  • Spatial correlation between density fluctuations of high energy electrons and nanoparticles in amplitude modulated capactively coupled plasma 査読

    R. Zhou, K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    J. Phys.: Conf. Ser.   2019年1月

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    記述言語:その他  

    Spatial correlation between density fluctuations of high energy electrons and nanoparticles in amplitude modulated capactively coupled plasma

  • Room-temperature fabrication of amorphous In2O3:Sn films with high electron mobility via nitrogen mediated amorphization 査読

    K. Imoto, H. Wang, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    J. Phys.: Conf. Ser.   2019年1月

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    記述言語:その他  

    Room-temperature fabrication of amorphous In2O3:Sn films with high electron mobility via nitrogen mediated amorphization

  • Effects of nitrogen impurity on zno crystal growth on Si substrates 査読

    Soichiro Muraoka, Lyu Jiahao, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    MRS Advances   2019年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of nitrogen impurity on zno crystal growth on Si substrates
    Effects of nitrogen impurity on ZnO crystal growth on Si substrates have been investigated. The quantitative analysis on the surface morphology deriving height-height correlation function indicates that adsorbed nitrogen atoms suppress the secondary nucleation and enhance adatom migration. The resultant films have smooth surface as well as large grain size up to 24 nm even for small thickness of 10 nm. ZnO films fabricated by using such films as buffer layers possess high crystal quality, where the full width at half maximum of (002) rocking curve is 0.68°, one-fourth of that for films fabricated without nitrogen.

    DOI: 10.1557/adv.2019.28

  • Photoluminescence of (ZnO)0.82(InN)0.18 films -Incident light angle dependence- 査読

    N. Miyahara, K. Iwasaki, D. Yamashita, D. Nakamura, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Mater. Sci. Forum   941   2099 - 2103   2018年12月

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    記述言語:その他  

    Photoluminescence of (ZnO)0.82(InN)0.18 films -Incident light angle dependence-
    We have fabricated a new semiconducting material, (ZnO)x(InN)1-x (called ZION hereafter), which is a pseudo-binary alloy of wurtzite ZnO (band gap: 3.4 eV) and wurtzite InN (band gap: 0.7 eV). We have succeeded in fabricating epitaxial (ZnO)0.82(InN)0.18 films on ZnO templates by RF magnetron sputtering. XRD measurements show that the full width at half maximum of the rocking curves from (101) plane and (002) plane are significantly small of 0.11 ? and 0.16 ?, respectively, indicating good in-plane and out-of-plane crystal alignment. High crystal quality of the films was also proved by deducing the defect density from XRD analysis showing that the edge type dislocation density is low of 8.2×108 cm-2. Furthermore, we observed room temperature photoluminescence from ZION films as a parameter of incident angle of He-Cd laser light. The results indicate that an emission peak of 2.79 eV is originated from ZION.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2099

  • Impact of Gamma rays and DBD plasma treatments on wastewater treatment

    Pankaj Attri, Fumiyoshi Tochikubo, Ji Hoon Park, Eun Ha Choi, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Scientific Reports   8 ( 1 )   2018年12月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-018-21001-z

  • Cross correlation analysis of fluctuation of interactions between nanoparticles and low pressure reactive plasmas 査読

    R. Zhou, K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Mater. Sci. Forum   941   2104 - 2108   2018年12月

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    記述言語:その他  

    Cross correlation analysis of fluctuation of interactions between nanoparticles and low pressure reactive plasmas
    We analyzed fluctuations of interactions between low pressure reactive plasmas and nanoparticles formed in the plasmas, to shed light on origins of fluctuations of interactions and to control fluctuations in plasma processes. Spatiotemporal fluctuations of nanoparticle density develop not only in a linear way but also in a nonlinear way. The results suggest nonlinear interactions potentially induce spatial and temporal process fluctuations.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2104

  • Effects of sputtering pressure on (ZnO)<inf>x</inf>(InN)<inf>1-x</inf> crystal film growth at 450?C 査読

    N. Itagaki, K. Takeuchi, N. Miyahara, K. Imoto, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    Mater. Sci. Forum   941   2093 - 2098   2018年12月

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    記述言語:その他  

    Effects of sputtering pressure on (ZnO)<inf>x</inf>(InN)<inf>1-x</inf> crystal film growth at 450?C
    We studied effects of sputtering pressure on growth of (ZnO)x(InN)1-x crystal films deposited at 450°C by rf magnetron sputtering. Epitaxial growth of (ZnO)x(InN)1-x films was realized on single-crystalline ZnO template. X-ray diffraction measurements show that full width at half maximum of the rocking curves from the (101) plane of the films reaches minimum value of 0.11? at 0.5 Pa. The sputtering gas pressure is a key tuning knob for controlling the crystal quality of ZION films.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2093

  • Particle behavior and its contribution to film growth in a remote silane plasma

    Yeonwon Kim, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films   36 ( 5 )   2018年9月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.5037539

  • The effect of the H<inf>2</inf>/(H<inf>2</inf> + Ar) flow-rate ratio on hydrogenated amorphous carbon films grown using Ar/H<inf>2</inf>/C<inf>7</inf>H<inf>8</inf>plasma chemical vapor deposition

    660   891 - 898   2018年8月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    © 2018 Elsevier B.V. To produce hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) films with high mass density at a high deposition rate and low substrate bias voltage, we deposited these films on a Si substrate by plasma chemical vapor deposition, using toluene as a source compound and varying the gas flow-rate ratio of H2/(H2+ Ar). By decreasing the gas flow-rate ratio from 55&#37; to 11&#37;, the hydrogen content in the films decreased, and the density of sp3carbon atoms in the films increased, whereas their surface roughness increased. At the gas flow-rate ratio of 11&#37;, we produced a-C:H films with a high bulk density of 1830 kg/m3at a high deposition rate of 81.1 nm/min.

    DOI: 10.1016/j.tsf.2018.02.035

  • Low-Pressure Methanation of CO2 Using a Plasma–Catalyst System

    10 ( 8 )   1087 - 1090   2018年8月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/sam.2018.3303

  • Transportation of reactive oxygen species in a tissue phantom after plasma irradiation

    Toshiyuki Kawasaki, Gouya Kuroeda, Ryuhei Sei, Masaaki Yamaguchi, Reishi Yoshinaga, Riho Yamashita, Hikaru Tasaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.01AG01

  • 色素増感太陽電池のポリマー対向電極における触媒反応の活性化 査読

    徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    信学技報   117   27 - 29   2017年11月

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    記述言語:その他  

    色素増感太陽電池の対向電極は電解液との酸化還元反応の触媒として務め、太陽電池の性能に(特に、充填率に)重要な役割を果たす。カーボン、グラフェン、カーボンナノチューブ、遷移金属及びその化合物、ポリマーなど多くの材料が色素増感太陽電池の白金対向電極を代替するため、研究されているが、高価な白金は依然としてドミナントな対向電極材料として使われている。本研究では低価のポリマーを用いた色素増感太陽電池の対向電極を研究した。ここではPoly(3、4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)を対向電極材料として使用した。以前研究と同様に、PEDOT:PSS対向電極を用いた色素増感太陽電池の最初効率は低かった。特に、相対的に不十分な触媒反応のため、充填率が大きく低下された結果を示した。PEDOT:PSS対向電極の触媒反応の向上のため、本研究はナノ粒子を導入した。ナノ粒子による対向電極の表面積の増加は触媒反応の活性化とともに色素増感太陽電池の効率を向上させた。結果的に、ナノ粒子を含めたポリマーナノコンポジット対向電極は白金対向電極以上の触媒反応とともに、さらに高い効率を示した。

  • 低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用 査読

    古閑一憲, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    信学技報   117   5 - 8   2017年11月

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    記述言語:その他  

    我々は、マルチホロー放電プラズマCVD法を開発し、サイズ・構造制御した結晶Siナノ粒子の連続作製に成功した。この方法では、サイズ・構造制御の重要パラメタはガス圧力とSiH4ガスに対するH2希釈率であることを明らかにした。結晶Siナノ粒子を用いて作製したショットキセルの量子効率がバンドギャップの3倍以上の光子エネルギー入射で100&#37;以上を示し、多重励起子生成型太陽電池の原理検証に成功した。また、結晶Siナノ粒子増感太陽電池として世界最高性能の太陽電池を実現した。加えてPtに代わる低コストポリマー対向電極材料の特性改善にSiナノ粒子が有効であることを明らかにした。

  • Low temperature rapid formation of Au-induced crystalline Ge films using sputtering deposition

    Sota Tanami, Daiki Ichida, Shinji Hashimoto, Hyunwoong Seo, Daisuke Yamashita, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   641   59 - 64   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.02.067

  • Hysteresis in volume fraction of clusters incorporated into a-Si:H films deposited by SiH 4 plasma chemical vapor deposition

    Susumu Toko, Yoshihiro Torigoe, Kimitaka Keya, Takashi Kojima, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Surface and Coatings Technology   326   388 - 394   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2017.01.034

  • Extension of the operational regime of the LHD towards a deuterium experiment

    Y. Takeiri, T. Morisaki, M. Osakabe, M. Yokoyama, S. Sakakibara, H. Takahashi, Y. Nakamura, T. Oishi, G. Motojima, S. Murakami, K. Ito, A. Ejiri, S. Imagawa, S. Inagaki, M. Isobe, S. Kubo, S. Masamune, T. Mito, I. Murakami, K. Nagaoka, K. Nagasaki, K. Nishimura, M. Sakamoto, R. Sakamoto, T. Shimozuma, K. Shinohara, H. Sugama, K. Y. Watanabe, J. W. Ahn, N. Akata, T. Akiyama, N. Ashikawa, J. Baldzuhn, T. Bando, E. Bernard, F. Castejon, H. Chikaraishi, M. Emoto, T. Evans, N. Ezumi, K. Fujii, H. Funaba, M. Goto, T. Goto, D. Gradic, Y. Gunsu, S. Hamaguchi, H. Hasegawa, Y. Hayashi, C. Hidalgo, T. Higashiguchi, Y. Hirooka, Y. Hishinuma, R. Horiuchi, K. Ichiguchi, K. Ida, T. Ido, H. Igami, K. Ikeda, S. Ishiguro, R. Ishizaki, A. Ishizawa, A. Ito, Y. Ito, A. Iwamoto, S. Kamio, K. Kamiya, O. Kaneko, R. Kanno, H. Kasahara, D. Kato, T. Kato, K. Kawahata, G. Kawamura, M. Kisaki, S. Kitajima, W. H. Ko, M. Kobayashi, S. Kobayashi, T. Kobayashi, K. Koga, A. Kohyama, R. Kumazawa, J. H. Lee, D. Lopez-Bruna, R. Makino, S. Masuzaki, Y. Matsumoto, H. Matsuura, O. Mitarai, H. Miura, J. Miyazawa, N. Mizuguchi, C. Moon, S. Morita, T. Moritaka, K. Mukai, T. Muroga, S. Muto, T. Mutoh, T. Nagasaka, Y. Nagayama, N. Nakajima, Y. Nakamura, H. Nakanishi, H. Nakano, M. Nakata, Y. Narushima, D. Nishijima, A. Nishimura, S. Nishimura, T. Nishitani, M. Nishiura, Y. Nobuta, H. Noto, M. Nunami, T. Obana, K. Ogawa, S. Ohdachi, M. Ohno, N. Ohno, H. Ohtani, M. Okamoto, Y. Oya, T. Ozaki, B. J. Peterson, M. Preynas, S. Sagara, K. Saito, H. Sakaue, A. Sanpei, S. Satake, M. Sato, T. Saze, O. Schmitz, R. Seki, T. Seki, I. Sharov, A. Shimizu, M. Shiratani, M. Shoji, C. Skinner, R. Soga, T. Stange, C. Suzuki, Y. Suzuki, S. Takada, K. Takahata, A. Takayama, S. Takayama, Y. Takemura, Y. Takeuchi, H. Tamura, N. Tamura, H. Tanaka, K. Tanaka, M. Tanaka, T. Tanaka, Y. Tanaka, S. Toda, Y. Todo, K. Toi, M. Toida, M. Tokitani, T. Tokuzawa, H. Tsuchiya, T. Tsujimura, K. Tsumori, S. Usami, J. L. Velasco, H. Wang, T. -H. Watanabe, T. Watanabe, J. Yagi, M. Yajima, H. Yamada, I. Yamada, O. Yamagishi, N. Yamaguchi, Y. Yamamoto, N. Yanagi, R. Yasuhara, E. Yatsuka, N. Yoshida, M. Yoshinuma, S. Yoshimura, Y. Yoshimura

    NUCLEAR FUSION   57 ( 10 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1741-4326/aa7fc2

  • Impact of an ionic liquid on protein thermodynamics in the presence of cold atmospheric plasma and gamma rays

    Pankaj Attri, Minsup Kim, Eun Ha Choi, Art E. Cho, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   19 ( 37 )   25277 - 25288   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c7cp04083k

  • Performance enhancement of quantum dot-sensitized solar cells based on polymer nano-composite catalyst

    Hyunwoong Seo, Chandu V. V. M. Gopi, Hee-Je Kim, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ELECTROCHIMICA ACTA   249   337 - 342   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.electacta.2017.08.030

  • The protective action of osmolytes on the deleterious effects of gamma rays and atmospheric pressure plasma on protein conformational changes

    Pankaj Attri, Minsup Kim, Thapanut Sarinont, Eun Ha Choi, Hyunwoong Seo, Art E. Cho, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    SCIENTIFIC REPORTS   7   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-08643-1

  • 低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用 (有機エレクトロニクス)

    古閑 一憲, 徐 鉉雄, 板垣 奈穂, 白谷 正治

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 8 )   5 - 8   2017年4月

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    記述言語:日本語  

  • Densities and Surface Reaction Probabilities of Oxygen and Nitrogen Atoms During Sputter Deposition of ZnInON on ZnO

    Koichi Matsushima, Tomoaki Ide, Keigo Takeda, Masaru Hori, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   45 ( 2 )   323 - 327   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2016.2632124

  • Influence of plasma irradiation on silkworm

    Akira Yonesu, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Nobuya Hayashi

    Plasma Medicine   7   313 - 320   2017年1月

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    記述言語:その他  

    Influence of plasma irradiation on silkworm
    © 2017 by Begell House, Inc. Silkworms have recently been proposed as an animal model for safety testing in basic research. We propose using silkworms for in vivo trials of direct plasma treatment. In this study, the influence of plasma irradiation on silkworms was investigated using a non-thermal atmospheric pressure plasma. Silkworm survival rate decreased with increasing low-frequency voltage and plasma irradiation period. Further investigation of the plasma-generated agents (oxygen related radicals, UV light, and charged particles), revealed that the contribution of charged particles significantly increases silkworm mortality.

  • ホッとひといき プラズマのほどよい刺激で植物がスクスク育つ

    古閑 一憲

    応用物理   86 ( 1 )   55 - 58   2017年1月

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    記述言語:日本語  

  • Effects of nonthermal plasma jet irradiation on the selective production of H2O2 and NO2- in liquid water

    Giichiro Uchida, Atsushi Nakajima, Taiki Ito, Kosuke Takenaka, Toshiyuki Kawasaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 ( 20 )   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4968568

  • Optical Bandgap Energy of Si Nanoparticle Composite Films Deposited by a Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Method

    Susumu Toko, Yoshinori Kanemitsu, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY   16 ( 10 )   10753 - 10757   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/jnn.2016.13233

  • Effects of plasma irradiation using various feeding gases on growth of Raphanus sativus L.

    Thapanut Sarinont, Takaaki Amano, Pankaj Attri, Kazunori Koga, Nobuya Hayashi, Masaharu Shiratani

    ARCHIVES OF BIOCHEMISTRY AND BIOPHYSICS   605   129 - 140   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.abb.2016.03.024

  • Surface Modification of Polymer Counter Electrode for Low Cost Dye-sensitized Solar Cells

    Hyunwoong Seo, Min-Kyu Son, Shinji Hashimoto, Toshiyuki Takasaki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ELECTROCHIMICA ACTA   210   880 - 887   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.electacta.2016.06.020

  • Effect of Sulfur Doped TiO2 on Photovoltaic Properties of Dye-Sensitized Solar Cells

    Hyunwoong Seo, Sang-Hun Nam, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Jin-Hyo Boo

    ELECTRONIC MATERIALS LETTERS   12 ( 4 )   530 - 536   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s13391-016-4018-8

  • Two-dimensional concentration distribution of reactive oxygen species transported through a tissue phantom by atmospheric-pressure plasma-jet irradiation

    Toshiyuki Kawasaki, Akihiro Sato, Shota Kusumegi, Akihiro Kudo, Tomohiro Sakanoshita, Takuya Tsurumaru, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 ( 7 )   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.076202

  • Correlation between SiH2/SiH and light-induced degradation of p-i-n hydrogenated amorphous silicon solar cells 査読

    Kimitaka Keya, Takashi Kojima, Yoshihiro Torigoe, Susumu Toko, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 7 )   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.07LE03

  • Correlation between SiH

    Keya Kimitaka, Kojima Takashi, Torigoe Yoshihiro, Toko Susumu, Yamashita Daisuke, Seo Hyunwoong, Itagaki Naho, Koga Kazunori, Shiratani Masaharu

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 ( 7 )   07LE03   2016年6月

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    記述言語:英語  

    Correlation between SiH
    We have measured the hydrogen content ratio I<inf>SiH2</inf>/I<inf>SiH</inf>associated with Si–H<inf>2</inf>and Si–H bonds in p–i–n (PIN) a-Si:H solar cells by Raman spectroscopy. With decreasing I<inf>SiH2</inf>/I<inf>SiH</inf>, the efficiency, short-circuit current density, open-circuit voltage, and fill factor of PIN a-Si:H solar cells after light soaking tend to increase. Namely, I<inf>SiH2</inf>/I<inf>SiH</inf>correlates well with light-induced degradation of the cells. While a single I-layer has a low I<inf>SiH2</inf>/I<inf>SiH</inf>of 0.03–0.09, a PIN cell has I<inf>SiH2</inf>/I<inf>SiH</inf>= 0.18 because many Si–H<inf>2</inf>bonds exist in the P-layer and at the P/I interface of the PIN solar cells. To realize PIN solar cells with higher stability, we must suppress Si–H<inf>2</inf>bond formation in the P-layer and at the P/I interface.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.07LE03

  • Improvement of Charge Transportation in Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells Using Vanadium Doped TiO2

    Hyunwoong Seo, Daiki Ichida, Shinji Hashimoto, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Sang-Hun Nam, Jin-Hyo Boo

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY   16 ( 5 )   4875 - 4879   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/jnn.2016.12210

  • Effects of irradiation distance on supply of reactive oxygen species to the bottom of a Petri dish filled with liquid by an atmospheric O-2/He plasma jet

    Toshiyuki Kawasaki, Shota Kusumegi, Akihiro Kudo, Tomohiro Sakanoshita, Takuya Tsurumaru, Akihiro Sato, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   119 ( 17 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4948430

  • Polymer counter electrode of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(4-styrenesulfonate) containing TiO2 nano-particles for dye-sensitized solar cells

    Hyunwoong Seo, Min-Kyu Son, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF POWER SOURCES   307   25 - 30   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jpowsour.2015.12.112

  • Quantum Characterization of Si Nano-Particles Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hyunwoong Seo, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS   8 ( 3 )   636 - 639   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/sam.2016.2520

  • Effects of gas flow rate on deposition rate and number of Si clusters incorporated into a-Si:H films

    Susumu Toko, Yoshihiro Torigoe, Kimitaka Keya, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 1 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AA19

  • Simple method of improving harvest by nonthermal air plasma irradiation of seeds of Arabidopsis thaliana (L.)

    Kazunori Koga, Sarinont Thapanut, Takaaki Amano, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Nobuya Hayashi, Masaharu Shiratani

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 ( 1 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.016201

  • Effects of deposition rate and ion bombardment on properties of a-C:H films deposited by H-assisted plasma CVD method

    Xiao Dong, Kazunori Koga, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara, Makoto Sekine, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 1 )   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.01AA11

  • Influence of ionic liquid and ionic salt on protein against the reactive species generated using dielectric barrier discharge plasma

    Pankaj Attri, Thapanut Sarinont, Minsup Kim, Takaaki Amano, Kazunori Koga, Art E. Cho, Eun Ha Choi, Masaharu Shiratani

    SCIENTIFIC REPORTS   5   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep17781

  • Gas Flow Rate Dependence of the Discharge Characteristics of a Plasma Jet Impinging Onto the Liquid Surface

    Giichiro Uchida, Atsushi Nakajima, Kosuke Takenaka, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   43 ( 12 )   4081 - 4087   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2015.2488619

  • Synthesis of Indium-Containing Nanoparticles in Aqueous Suspension Using Plasmas in Water for Evaluating Their Kinetics in Living Body

    Takaaki Amano, Thapanut Sarinont, Kazunori Koga, Miyuki Hirata, Akiyo Tanaka, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY   15 ( 11 )   9298 - 9302   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/jnn.2015.11427

  • Structural alternation of tandem dye-sensitized solar cells based on mesh-type of counter electrode

    Hyunwoong Seo, Shinji Hashimoto, Daiki Ichida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ELECTROCHIMICA ACTA   179   206 - 210   2015年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.electacta.2015.04.105

  • Synthesis of indium-containing nanoparticles using plasmas in water to study their effects on living body 査読

    T. Amano, K. Koga, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Kitazaki, M. Hirata, Y. Nakatsu, A. Tanaka

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.158   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Synthesis of indium-containing nanoparticles using plasmas in water to study their effects on living body
    Nanoparticles can be employed for biomedical applications such as biomarkers, drug delivery systems, and cancer therapies. They are, however, pointed out their adverse effects on human body. Here, we synthesed indium-containing nanoparticles using discharge plasmas with indium electrodes immersed in DI water and administrated nanoparticles to rats to analyze their kinetics in living body. The discharge power was 5.1 W. The electron density is 5x1017/cm3 deduced from Stark broadening of hydrogen lines. TEM observation shows the mean size of primary nanoparticles is 7 nm. The nanoparticles are indium crystalline and indium hydroxide crystalline. The synthesized nanoparticles and purchased nanoparticles (In2O3, <100nm) were administrated to rats using subcutaneous injection. Indium of 166.7 g/day (synthesized) and of 27.8 g/day (purchased) are detected from the urine at 12 weeks after the administration. Synthesized nanoparticles dispersed in water are useful for analyzing kinetics of nanoparticles in living body. Work partly supported by KAKENHI.

  • Attraction during binary collision of fine particles in Ar plasma 査読

    M. Soejima, T. Ito, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   GT1.018   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Attraction during binary collision of fine particles in Ar plasma
    Forces exerted on fine particles in plasmas play central roles in their transport, agglomeration, as well as Coulomb crystals and liquids. The forces are complicated because of charge fluctuation of fine particles, charge screening in plasma, anisotropy of plasma flow, and so on. Various formulas of such forces have been theoretically predicted but many of them have not been supported by experimental results yet. Here we carried out experiments on binary collision of fine particles using Ar rf-discharge plasmas. PMMA fine particles of 10 μm diameter were injected into the plasma and they were levitated around the plasma sheath boundary. The number of fine particles levitated was so small that we can observe non-collective pair interaction. We observed binary collisions of fine particles with a high speed and high resolution camera. We found that repulsion of two fine particles takes place in short distances, whereas attraction takes place in middle distances. These results indicate that inter-molecular like potential exists between them. The attraction corresponds to non-collective fine-particle attraction due to shadow effects.

  • Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas 査読

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   GT1.152   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas
    Light-induced degradation is the most important issue for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells. Our previous results have suggested that incorporation of clusters into films is responsible for the light-induced degradation. Therefore, it is important to control the incorporation of clusters. Recently, we have developed multi-hollow discharge plasma CVD method, by which clusters are driven toward the downstream region and high quality a-Si:H films can be deposited in the upstream region. Here, we report effects of H2 dilution on cluster incorporation. Cluster size was measured by TEM, and the incorporation amount of clusters was measured with quartz crystal microbalances. H2 dilution leads to smaller clusters and the cluster incorporation in the upstream region increases with H2 dilution because the diffusion velocity of such small clusters much surpasses gas flow velocity.

  • Cross correlation analysis of plasma perturbation in amplitude modulated reactive dusty plasmas 査読

    T. Ito, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Kobayashi, S. Inagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   GT1.049   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Cross correlation analysis of plasma perturbation in amplitude modulated reactive dusty plasmas
    Interactions between plasmas and nano-interface are one of the most important issues in plasma processing. We have studied effects of plasma perturbation on growth of nanoparticles in amplitude modulated reactive dusty plasmas and have clarified that amplitude modulation (AM) leads to suppression of growth of nanoparticles [1]. Here we report results of cross correlation analysis of time evolution of laser light scattering intensity from nanoparticles in reactive plasmas. Experiments were carried out using a capacitively-coupled rf discharge reactor with a two-dimensional laser light scattering (LLS) system. We employed Ar +DM-DMOS discharge plasmas to generate nanoparticles. The peaks at higher harmonics and subharmonics in spectra of laser light scattering intensity were detected, suggesting nonlinear coupling between plasma and nanoparticle amount. We found high cross correlation t between waves at AM frequency and its higher harmonics. Namely, perturbation at fAM closely correlates with those at higher harmonics.

  • Deposition rate and etching rate due to neutral radicals and dust particles measured using QCMs together with a dust eliminating filter 査読

    R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, M. Tokitani, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.101   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Deposition rate and etching rate due to neutral radicals and dust particles measured using QCMs together with a dust eliminating filter
    We have developed an in-situ method for measuring deposition rate of radicals and dust particles using quartz crystal microbalances (QCMs) together with a dust eliminating filter. The QCMs have three channels of quartz crystals. Channel 1 was used to measure total deposition rate due to radicals and dust particles. Channel 2 was covered with a dust eliminating filter. Channel 3 was covered with a stainless-steel plate. Moreover, all QCMs are covered with a grounded stainless steel mesh for suppressing influx of charged particles. The measurements were conducted in the Large Helical Device in the National Institute for Fusion Science, Japan. Although the deposition measurements during the discharges were difficult, we obtained deposition rate and etching rate by comparing the data before and after each discharge. The frequency difference for channel 1 changes from 0.1 Hz (etching) to -0.5 Hz (deposition), while those for channels 2 and 3 are within a range of +/-0.1 Hz and +/-0.05 Hz, respectively. The QCM method gives information on deposition rate and etching rate due to neutral radicals and dust particles.

  • Effects of electrode structure on characteristics of multi-hollow discharges 査読

    Y. Torigoe, K. Keya, S. Toko, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.129   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Effects of electrode structure on characteristics of multi-hollow discharges
    Silane plasmas are widely employed for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) film deposition. Amorphous silicon nanoparticles below 10 nm in size (clusters) are formed in silane plasmas and some of them are incorporated into a-Si:H films, leading to the light induced degradation which is the most important issue for a-Si:H solar cells. To suppress cluster incorporation, a multi-hollow discharge plasma CVD method has been developed and succeeded in depositing highly stable a-Si:H films. For further improvement of the film qualities, we have employed a thicker grounded electrode to suppress plasma expansion toward the deposition region. From optical images of the discharge plasmas, the expansion was significantly suppressed using 10 mm thick grounded electrode. For the 10 mm thick electrode, optical emission intensity ratio of Si* (288 nm) and SiH* (414 nm) ISi*/ISiH*, which shows a ratio of cluster generation ratio and radical ones, was 20&#37; of that for 1mm thick electrode. These results suggest that the generation of clusters was also suppressed using the 10 mm thick grounded electrode.

  • Effects of N2 dilution on fabrication of Ge nanoparticles by rf sputtering 査読

    S. Hashimoto, S. Tanami, H. Seo, G. Uchida, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.133   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Effects of N2 dilution on fabrication of Ge nanoparticles by rf sputtering
    Multiple exciton generation (MEG) in QDs is expected to enhance significantly the energy conversion efficiency of solar cells. Although there are several reports on MEG characteristics from various QD materials such as PbS, CdSe, CdS ZnS, and Ag2S, such materials have disadvantages of their toxicity and limited resources. Here we have developed quantum-dots (QDs) solar cells using Ge nanoparticles fabricated by rf sputtering method under high pressure. We fabricated Ge nanoparticles by rf sputtering at a pressure of 1.5 Torr. Since the mean free path of Ge atoms is an order of micrometer, and Ge nanoparticles are formed in gas phase. We fabricated Ge nanoparticles using Ar and N2 to terminate surface defects by N. Ge and Ar emission intensities decrease significantly with increasing N2 partial pressure. The electron density was measured with a plasma absorption probe. The electron density decreases with increasing N2 partial pressure.

  • Laser trapped single fine particle as a probe of plasma parameters” 査読

    LW1.104   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Here we report evaluation of electron density and temperature using optically trapped single fine particle. Experiments were carried out with a radio frequency low pressure plasma reactor, where we set two quartz windows as top and bottom flanges to irradiate an infrared laser light of 1064 nm wavelength from the bottom side. Ar plasmas were generated between a powered ring-electrode set at the bottom of the reactor and a grounded mesh placed at the center of the reactor at 100 Pa by applying 13.56 MHz voltage. The particles injected into the plasmas were monodisperse methyl methacrylate-polymer spheres of 10 μm in diameter. A negatively charged particle, which is suspended plasma sheath boundary, was trapped at the focal point of the irradiated laser light due to the transfer of momentum from the scattering of incident photons. At the beginning of the trapping, particle of 10 μm in size was trapped above 505 μm from the bottom window. After 230 min, the size and position were 9.56 μm and 520 μm, respectively. From the results, the electron density and temperature are deduced to be 1.7×109 cm-3 and 1.9 eV.

  • Raman spectroscopy of PIN hydrogenated amorphous silicon solar cells 査読

    K. Keya, Y. Torigoe, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.132   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Raman spectroscopy of PIN hydrogenated amorphous silicon solar cells
    Light-induced degradation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a key issue for enhancing competitiveness in solar cell market. A-Si:H films with a lower density of Si-H2 bonds shows higher stability. Here we identified Si-H2 bonds in PIN a-Si:H solar cells fabricated by plasma CVD using Raman spectroscopy. A-Si:H solar cell has a structure of B-doped μc-SiC:H (12.5 nm)/ non-doped a-Si:H (250nm)/ P-doped μc-Si:H (40 nm) on glass substrates (Asahi-VU). By irradiating HeNe laser light from N-layer, peaks correspond to Si-H2 bonds (2100 cm-1) and Si-H bonds (2000 cm-1) have been identified in Raman scattering spectra. The intensity ratio of Si-H2 and Si-H ISiH2/ISiH is found to correlate well to light induced degradation of the cells Therefore, Raman spectroscopy is a promising method for studying origin of light-induced degradation of PIN solar cells.

  • Simple Evaluation Method of Atmospheric Plasma Irradiation Dose using pH of Water 査読

    K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, Y. Nakatsu, A. Tanaka, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   LW1.143   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Simple Evaluation Method of Atmospheric Plasma Irradiation Dose using pH of Water
    Atmospheric discharge plasmas are promising for agricultural productivity improvements and novel medical therapies, because plasma provides high flux of short-lifetime reactive species at low temperature, leading to low damage to living body. For the plasma-bio applications, various kinds of plasma systems are employed, thus common evaluation methods are needed to compare plasma irradiation dose quantitatively among the systems. Here we offer simple evaluation method of plasma irradiation dose using pH of water. Experiments were carried out with a scalable DBD device. 300 μl of deionized water was prepared into the quartz 96 microwell plate at 3 mm below electrode. The pH value has been measured just after 10 minutes irradiation. The pH value was evaluated as a function of plasma irradiation dose. Atmospheric air plasma irradiation decreases pH of water with increasing the dose. We also measured concentrations of chemical species such as nitrites, nitrates and H2O2. The results indicate our method is promising to evaluate plasma irradiation dose quantitatively.

  • Substrate temperature dependence of Au-induced crystalline Ge film formation using sputtering deposition 査読

    S. Tanami, D. Ichida, D. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP609   GT1.149   2015年9月

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    記述言語:その他  

    Substrate temperature dependence of Au-induced crystalline Ge film formation using sputtering deposition
    We are developing Au-induced crystalline Ge film formation using sputtering deposition. For the method, very thin Au films were deposited on SiO2 substrates and then Ge atoms were irradiated to the Au films by sputtering. We found two kinds of Ge film growth: one is Ge film formation on Au films, and the other is Ge film formed between Au films and SiO2. The latter film formation, however, takes place in a narrow temperature range around 140°C. Here we report two kinds of substrate temperature dependence of Ge film formation: one is annealing temperature of Au films, and the other is the substrate temperature dependence during Ge sputtering. 30nm-thick Au films were deposited quartz glass as a catalyst at room temperature by sputtering. Then the Au films were annealed in a temperature range from room temperature to 190 °C in a vacuum. Au grain grows and crystal orientation shows better alignment as the annealing temperature rises. We found that the smaller grain size with random orientation is better for Ge film formed between Au films and SiO2.

  • Real-time mass measurement of dust particles deposited on vessel wall in a divertor simulator using quartz crystal microbalances

    Mizuki Tateishi, Kazunori Koga, Ryu Katayama, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani, Naoko Ashikawa, Suguru Masuzaki, Kiyohiko Nishimura, Akio Sagara

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS   463   865 - 868   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jnucmat.2014.10.049

  • Fabrication of ZnInON/ZnO multi-quantum well solar cells

    Koichi Matsushima, Ryota Shimizu, Tomoaki Ide, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    THIN SOLID FILMS   587   106 - 111   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.01.012

  • Effects of gas flow on oxidation reaction in liquid induced by He/O-2 plasma-jet irradiation

    Atsushi Nakajima, Giichiro Uchida, Toshiyuki Kawasaki, Kazunori Koga, Thapanut Sarinont, Takaaki Amano, Kosuke Takenaka, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   118 ( 4 )   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4927217

  • Effects of cluster incorporation into hydrogenated amorphous silicon films in initial discharge phase on film stability

    Susumu Toko, Yoshihiro Torigoe, Weiting Chen, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   587   126 - 131   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.02.052

  • Effects of discharge voltage on the characteristics of a-C:H films prepared by H-assisted Plasma CVD method 査読

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   40 ( 2 )   123-128 - 128   2015年7月

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    記述言語:英語  

    Effects of discharge voltage on the characteristics of a-C:H films prepared by H-assisted Plasma CVD method
    Hydrogen bonding configurations and hydrogen content of a-C:H films deposited by H-assisted plasma CVD were investigated by Fourier transform infrared spectroscopy. Plasma parameters related to deposition rate were derived using optical emission spectroscopy. The a-C:H films contain a large number of sp3 configurations (93&#37;) and a few sp2 configurations (7&#37;). Most of the hydrogen is bonded in methyl groups which shows the structure of deposited a-C:H films is polymer-like carbon. The mass density has nearly linear decreases with increasing the hydrogen atom density, indicating that control of hydrogen content is crucial to obtain a-C:H films of high mass density. A slight increase in radical generation rate and significant increases in etching rate by hydrogen atoms lead to decrease the deposition rate when the discharge voltage increases from 170 V to 180 V.

    DOI: 10.14723/tmrsj.40.123

  • Deposition of Carbon Films on PMMA Using H-assisted Plasma CVD 査読

    X. Dong, R. Torigoe, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, N. Itagaki, Y. Setsuhara, K. Takenaka, M. Sekine, M. Hori

    Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12)   1   015072   2015年3月

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    記述言語:英語  

    Deposition of Carbon Films on PMMA Using H-assisted Plasma CVD

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015072

  • Photovoltaic application of Si nanoparticles fabricated by multihollow plasma discharge CVD: Dye and Si co-sensitized solar cells

    Hyunwoong Seo, Daiki Ichida, Shinji Hashimoto, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 1 )   2015年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.01AD02

  • Dust Hour Glass in a Capacitive RF Discharge

    Shinya Iwashita, Edmund Schuengel, Julian Schulze, Peter Hartmann, Zoltan Donko, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Uwe Czarnetzki

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   42 ( 10 )   2672 - 2673   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2014.2343975

  • Visualization of the Distribution of Oxidizing Substances in an Atmospheric Pressure Plasma Jet

    Toshiyuki Kawasaki, Kota Kawano, Hiroshi Mizoguchi, Yuto Yano, Keisuke Yamashita, Miho Sakai, Takako Shimizu, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   42 ( 10 )   2482 - 2483   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2014.2325038

  • Synthesis and characterization of ZnInON semiconductor: a ZnO-based compound with tunable band gap

    N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   1 ( 3 )   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1591/1/3/036405

  • Off-axis sputter deposition of ZnO films on c-sapphire substrates by utilizing nitrogen-mediated crystallization method 査読

    Naho Itagaki, Kazunari Kuwahara, Koichi Matsushima, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    OPTICAL ENGINEERING   53 ( 8 )   87109   2014年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/1.OE.53.8.087109

  • Plasma induced long-term growth enhancement of Raphanus sativus L. using combinatorial atmospheric air dielectric barrier discharge plasmas

    Satoshi Kitazaki, Thapanut Sarinont, Kazunori Koga, Nobuya Hayashi, Masaharu Shiratani

    CURRENT APPLIED PHYSICS   14   S149 - S153   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2013.11.056

  • Performance dependence of Si quantum dot-sensitized solar cells on counter electrode

    Hyunwoong Seo, Daiki Ichida, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 5 )   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FZ01

  • Electrochemical impedance analysis on the additional layers for the enhancement on the performance of dye-sensitized solar cell

    Hyunwoong Seo, Min-Kyu Son, Songyi Park, Myeongsoo Jeong, Hee-Je Kim, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   554   122 - 126   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.103

  • Analysis on the Photovoltaic Property of Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells

    Hyunwoong Seo, Daiki Ichida, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    INTERNATIONAL JOURNAL OF PRECISION ENGINEERING AND MANUFACTURING   15 ( 2 )   339 - 343   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s12541-014-0343-8

  • Performance enhancement of dye and Si quantum dot hybrid nanostructured solar cell with TiO2 barrier 査読

    H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   39 ( 3 )   321 - 324   2014年1月

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    記述言語:日本語  

    Performance enhancement of dye and Si quantum dot hybrid nanostructured solar cell with TiO2 barrier
    Dye and quantum dot (QD) are representative sensitizers of the photochemical solar cells. Dye has the highest efficiency in the whole sensitizers. QDs have relatively low performance but their multiple exciton generation enhanced theoretical efficiency from 33 to 44&#37; and expected to achieve high efficiency. This work tried to enhance the photovoltaic performance with the co-sensitization of N719 dye and Si QD. The performance of dye and QD co-sensitized solar cell was not much enhanced because of electron loss of charge recombination. Therefore, TiO2 barrier layer was introduced on TiO2 and Si QD. It blocked the charge recombination with redox electrolyte. It also helped better electron injection from excited dye to TiO2 with strengthened dye adsorption. Consequently, the performance of co-sensitized solar cell was enhanced with reduced charge recombination and increased dye adsorption.

    DOI: 10.14723/tmrsj.39.321

  • Theory for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas

    Masaharu Shiratani, Kazunori Koga, Kunihiro Kamataki, Shinya Iwashita, Giichiro Uchida, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 1 )   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.010201

  • A model for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas 査読

    M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, S. Iwashita, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   4B-PM-O1   2014年1月

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    記述言語:その他  

    A model for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas

  • Analysis of fluctuation of Ar metastable density and nanoparticle amount in capacitively coupled discharges with amplitude modulation 査読

    Y. Morita, T. Ito, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-AM-S02-P1   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Analysis of fluctuation of Ar metastable density and nanoparticle amount in capacitively coupled discharges with amplitude modulation

  • Combinatorial evaluation of optical properties of crystalline Si nanoparticle embedded Si films deposited by a multi-hollow discharge plasma CVD method 査読

    Y. Kanemitsu, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   6P-AM-S08-P35   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Combinatorial evaluation of optical properties of crystalline Si nanoparticle embedded Si films deposited by a multi-hollow discharge plasma CVD method

  • Coupling between radicals and nanoparticles in initial growth phase in reactive plasmas with amplitude modulation 査読

    K. Koga, Y. Morita, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   3B-WS-14   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Coupling between radicals and nanoparticles in initial growth phase in reactive plasmas with amplitude modulation

  • Deposition of Crystalline Ge Nanoparticle Films Varying H2 Dilution Ratio Using High Pressure rf Magnetron Sputtering 査読

    S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   6P-AM-S08-P32   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Deposition of Crystalline Ge Nanoparticle Films Varying H2 Dilution Ratio Using High Pressure rf Magnetron Sputtering

  • Effects of amplitude modulation on deposition of hydrogenated amorphous silicon films using multi-Hollow discharge plasma CVD method 査読

    Y. Torigoe, Y. Hashimoto, S. Toko, Y. Kim, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   6P-AM-S08-P36   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of amplitude modulation on deposition of hydrogenated amorphous silicon films using multi-Hollow discharge plasma CVD method

  • Epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates by magnetron sputtering: Effects of buffer layers prepared via nitrogen mediated crystallization 査読

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   4P-PM-S08-P10   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates by magnetron sputtering: Effects of buffer layers prepared via nitrogen mediated crystallization

  • Fabrication of In-rich ZnInON filmswith narrow band gap by RF magnetron sputtering 査読

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-PM-S08-P02   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Fabrication of In-rich ZnInON filmswith narrow band gap by RF magnetron sputtering

  • Fabrication of SiC nanoparticles as high capacity electrodes for Li-ion batteries 査読

    G. Uchida, K. Kamataki, D. Ichida, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   4C-PM-O1   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Fabrication of SiC nanoparticles as high capacity electrodes for Li-ion batteries

  • Fabrication of size-controlled Ge nanoparticle films varying gas flow rate using high pressure rf magnetron sputtering method 査読

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   6P-AM-S08-P33   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Fabrication of size-controlled Ge nanoparticle films varying gas flow rate using high pressure rf magnetron sputtering method

  • Fine response of deposition rate of Si films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD with amplitude modulation 査読

    S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-AM-S05-P17   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Fine response of deposition rate of Si films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD with amplitude modulation

  • Magnetron sputtering of low-resistive In2O3:Sn films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 査読

    K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-PM-S08-P07   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Magnetron sputtering of low-resistive In2O3:Sn films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization

  • Nanoparticle amount in reactive plasmas with amplitude modulation detected by twodimensional laser light scattering method 査読

    T. Ito, Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-AM-SPD-P01   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Nanoparticle amount in reactive plasmas with amplitude modulation detected by twodimensional laser light scattering method

  • Raman spectroscopy of a fine particle optically trapped in plasma”, Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 査読

    5P-AM-S05-P23   2014年1月

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    記述言語:その他  

  • Spatial profile of flux of dust particles in hydrogen helicon plasmas”, Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 査読

    5P-AM-S05-P21   2014年1月

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    記述言語:その他  

  • Sputter Deposition of Ga-doped Zinc Oxide (GZO) Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 査読

    T. Nakanishi, K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-AM-S05-P19   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Sputter Deposition of Ga-doped Zinc Oxide (GZO) Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization

  • Sputtering fabrication of a novel widegap semiconductor ZnGaON for optoelectronic devices with wide bandgap for optical device 査読

    R. Shimizu, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-PM-S08-P03   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Sputtering fabrication of a novel widegap semiconductor ZnGaON for optoelectronic devices with wide bandgap for optical device

  • Study on nitrogen desorption behavior of sputtered ZnO for transparent conducting oxide 査読

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-PM-S08-P05   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Study on nitrogen desorption behavior of sputtered ZnO for transparent conducting oxide

  • Subacute toxicity of gallium arsenide, indium arsenide and arsenic trioxide following intermittent intrantracheal instillations to the lung of rats 査読

    A. Tanaka, M. Hirata, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Hayashi, G. Uchida

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   5P-AM-S2-P35   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Subacute toxicity of gallium arsenide, indium arsenide and arsenic trioxide following intermittent intrantracheal instillations to the lung of rats

  • Substrate temperature dependence of hydrogen content of a-Si:H film deposited with a cluster-eliminating filter 査読

    Y. Hashimoto, S. Toko, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   6P-AM-S08-P37   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Substrate temperature dependence of hydrogen content of a-Si:H film deposited with a cluster-eliminating filter

  • Combinatorial Plasma CVD of Si Nanoparticle Composite Films for Band Gap Control 査読

    G. Uchida, Y. Kanemitsu, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    JPS Conf. Proc   1   15080   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Combinatorial Plasma CVD of Si Nanoparticle Composite Films for Band Gap Control
    Crystalline Si nanoparticles were successfully fabricated by a multi-hollow discharge plasma CVD method. Optical band gap of Si-nanoparticle composite films was controlled in a range of 1.6?1.9?eV by the volume fraction of Si nanoparticles in the films. SiN nanoparticle composite films were also successfully produced using a double multi-hollow discharge plasma CVD method in SiH4/H2 and N2 gas mixture. High optical band gap of 2.1?2.2?eV was achieved by adding N atoms to the Si naoparticles.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015080

  • Correlation between nanoparticle growth and plasma parameters in low pressure reactive VHF discharge plasmas 査読

    M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    JPS Conf. Proc   1   15083   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Correlation between nanoparticle growth and plasma parameters in low pressure reactive VHF discharge plasmas
    We report experimental results on correlation between plasma parameters and growth of nanoparticles in capacitively-coupled VHF discharges with amplitude modulation (AM) obtained using two dimensional laser light scattering (LLS) method. Power spectra of floating potential, Ar 810.27?nm emission intensity, and LLS intensity have peaks at the modulation frequency of 100?Hz and its second harmonics, indicating linear correlation between plasma parameters and growth of nanoparticles, that is, their size and/or density. The power spectrum of LLS intensity has another peak at 60?Hz, which coincides with our theoretical prediction of plasma fluctuation induceed nonlinear response of nanoparticle growth.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015083

  • Effects of Grid DC Bias on Incorporation of Si Clusters into Amorphous Silicon Thin Films in Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 査読

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    JPS Conf. Proc   1   15069   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of Grid DC Bias on Incorporation of Si Clusters into Amorphous Silicon Thin Films in Multi-Hollow Discharge Plasma CVD
    Si clusters formed in silane discharge plasmas are mainly responsible for light induced degradation of hydrogenated amorphous Si (a-Si:H) thin films deposited by the plasmas. Here we have investigated effects of grid DC bias on incorporation amount of Si clusters into a-Si:H films in multi-hollow discharge plasma CVD reactor using quartz crystal microbalances, by which volume fraction of Si clusters in deposited films is quantitatively measured. When the grid potential is lower than plasma potential, the negatively charged clusters are repelled away from the grid by electrostatic force, resulting in lower volume fraction.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015069

  • Effects of H2 Gas Addition on Structure of Ge Nanoparticle Films Deposited by High-pressure RF Magnetron Sputtering Method 査読

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    JPS Conf. Proc   1   15082   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of H2 Gas Addition on Structure of Ge Nanoparticle Films Deposited by High-pressure RF Magnetron Sputtering Method
    We have deposited crystalline Ge nanoparticle films using a radio frequency magnetron sputtering method in argon and hydrogen gas mixture under a high pressure condition. Raman spectra and X-ray diffraction pattern of Ge nanoparticle films show a transition from amorphous to crystalline by adding H2 gas.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015082

  • Spatial Profile of Flux of Dust Particles Generated due to Interaction between Hydrogen Plasmas and Graphite Target 査読

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    JPS Conf. Proc   1   15020   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Spatial Profile of Flux of Dust Particles Generated due to Interaction between Hydrogen Plasmas and Graphite Target
    We have measured spatial profile of flux of dust particles generated due to interaction between H2 plasmas and graphite target in a divertor simulator to study transport mechanism of dust particles. Dust particles were collected on c-Si substrates and observed with a scanning electron microscope. We have found nanostructure of 10?nm in size on the substrate surface. Dust fluxes of both spherical dust particles and flakes are maximum at a position between 80 and 140?mm from the center of the plasma column. The spatial profile of dust flux is determined by the balance between deposition of nanoparticles and their etching by H atoms.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015020

  • Study on the Crystal Growth Mechanism of ZnO Films Fabricated Via Nitrogen Mediated Crystallization 査読

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    JPS Conf. Proc   1   15064   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Study on the Crystal Growth Mechanism of ZnO Films Fabricated Via Nitrogen Mediated Crystallization
    Effects of nitrogen addition to the sputtering atmosphere on crystal growth of ZnO films have been studied. The AFM characterization shows that the nitrogen suppresses the nucleation in the early stage of the crystal growth leading to a non-continue film structure with sparsely distributed grains. As the deposition time increases, the physical properties of the ZnO films are modified by enhancement of adatoms migration at the growing surface, thus homogenous and dense films with larger grain size are obtained. Utilizing these ZnO films as buffer layers with film thickness greater than 4?nm, the electrical resistivity of ZnO:Al films have been significantly decreased from 7.8 × 10?3?Ω?cm to 6.7 × 10?4?Ω?cm.

    DOI: 10.7566/JPSCP.1.015064

  • Nanostructure control of Si and Ge quantum dots based solar cells using plasma processes

    Masaharu Shiratani, Giichiro Uchida, Hyun Woong Seo, Daiki Ichida, Kazunori Koga, Naho Itagaki, Kunihiro Kamataki

    Materials Science Forum   783-786   2022 - 2027   2014年1月

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    記述言語:その他  

    Nanostructure control of Si and Ge quantum dots based solar cells using plasma processes
    We report characteristics of quantum dot (QD) sensitized solar cells using Si nanoparticles and Ge nanoparticles. Si nanoparticles were synthesized by multi-hollow discharge plasma chemical vapor deposition, whereas Ge nanoparticles were done by a radio frequency magnetron sputtering using Ar+H2 under high pressure conditions. The electrical power generation from Si QDs and Ge QDs was confirmed. Si QD sensitized solar cells show an efficiency of 0.024&#37;, fill factor of 0.32, short-circuit current of 0.75 mA/cm2 and open-circuit voltage of 0.10 V, while Ge QD sensitized solar cells show an efficiency of 0.036&#37;, fill factor of 0.38, short-circuit current of 0.64 mA/cm2 and open-circuit voltage of 0.15 V. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.783-786.2022

  • スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成 招待 査読

    板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理   83   385 - 389   2014年1月

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    記述言語:その他  

    スパッタリング成膜法を用いた酸化亜鉛(ZnO)薄膜の結晶成長において,初期核形成を制御する新しい方法「不純物添加結晶化(Impurity Mediated Crystallization: IMC)法」を開発した.本手法により,高格子不整合基板上への原子レベルで平坦なZnO単結晶膜の作製や,ガラス基板上への極薄低抵抗ZnO導電膜の形成が可能となった.本稿では,IMC法について紹介するとともに,これら成果の概要を述べる.

  • The improvement on the performance of quantum dot-sensitized solar cells with functionalized Si

    Hyunwoong Seo, Yuting Wang, Muneharu Sato, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Naho Itagaki, Kunihiro Kamataki, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   546   284 - 288   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.04.073

  • Flux Control of Carbon Nanoparticles Generated due to Interactions between Hydrogen Plasmas and Graphite Using DC-Biased Substrates

    Kazunori Koga, Mizuki Tateishi, Katsushi Nishiyama, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani, Naoko Ashikawa, Suguru Masuzaki, Kiyohiko Nishimura, Akio Sagara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NA08

  • Improvement on the electron transfer of dye-sensitized solar cell using vanadium doped TiO2

    Hyunwoong Seo, Yuting Wang, Daiki Ichida, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Sang-Hun Nam, Jin-Hyo Boo

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NM02

  • Epitaxial Growth of ZnInON Films with Tunable Band Gap from 1.7 to 3.3 eV on ZnO Templates

    Koichi Matsushima, Tadafumi Hirose, Kazunari Kuwahara, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Hyunwoong Seo, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NM06

  • Characteristics of Crystalline Silicon/Si Quantum Dot/Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Hybrid Solar Cells

    Giichiro Uchida, Yuting Wang, Daiki Ichida, Hyunwoong Seo, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NA05

  • Correlation between Volume Fraction of Silicon Clusters in Amorphous Silicon Films and Optical Emission Properties of Si* and SiH*

    Yeonwon Kim, Kosuke Hatozaki, Yuji Hashimoto, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NA07

  • Effects of Nitrogen on Crystal Growth of Sputter-Deposited ZnO Films for Transparent Conducting Oxide

    Iping Suhariadi, Kouichiro Oshikawa, Kazunari Kuwahara, Kouichi Matsushima, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naho Itagaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.11NB03

  • Study on the Fabrication of Paint-Type Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells

    Hyunwoong Seo, Min-Kyu Son, Hee-Je Kim, Yuting Wang, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 10 )   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.10MB07

  • Extension of operation regimes and investigation of three-dimensional currentless plasmas in the Large Helical Device

    O. Kaneko, H. Yamada, S. Inagaki, M. Jakubowski, S. Kajita, S. Kitajima, Kobayashi, K. Koga, T. Morisaki, S. Morita, T. Mutoh, S. Sakakibara, Y. Suzuki, H. Takahashi, K. Tanaka, K. Toi, Y. Yoshimura, T. Akiyama, Y. Asahi, N. Ashikawa, H. Chikaraishi, A. Cooper, D. S. Darrow, E. Drapiko, P. Drewelow, X. Du, A. Ejiri, M. Emoto, T. Evans, N. Ezumi, K. Fujii, T. Fukuda, H. Funaba, M. Furukawa, D. A. Gates, M. Goto, T. Goto, W. Guttenfelder, S. Hamaguchi, M. Hasuo, T. Hino, Y. Hirooka, K. Ichiguchi, K. Ida, H. Idei, T. Ido, H. Igami, K. Ikeda, S. Imagawa, T. Imai, M. Isobe, M. Itagaki, T. Ito, K. Itoh, S. Itoh, A. Iwamoto, K. Kamiya, T. Kariya, H. Kasahara, N. Kasuya, D. Kato, T. Kato, K. Kawahata, F. Koike, S. Kubo, R. Kumazawa, D. Kuwahara, S. Lazerson, H. Lee, S. Masuzaki, S. Matsuoka, H. Matsuura, A. Matsuyama, C. Michael, D. Mikkelsen, O. Mitarai, T. Mito, J. Miyazawa, G. Motojima, K. Mukai, A. Murakami, I. Murakami, S. Murakami, T. Muroga, S. Muto, K. Nagaoka, K. Nagasaki, Y. Nagayama, N. Nakajima, H. Nakamura, Y. Nakamura, H. Nakanishi, H. Nakano, T. Nakano, K. Narihara, Y. Narushima, K. Nishimura, S. Nishimura, M. Nishiura, Y. M. Nunami, T. Obana, K. Ogawa, S. Ohdachi, N. Ohno, N. Ohyabu, T. Oishi, M. Okamoto, A. Okamoto, M. Osakabe, Y. Oya, T. Ozaki, N. Pablant, B. J. Peterson, A. Sagara, K. Saito, R. Sakamoto, H. Sakaue, M. Sasao, K. Sato, M. Sato, K. Sawada, R. Seki, T. Seki, V. Sergeev, S. Sharapov, I. Sharov, A. Shimizu, T. Shimozuma, M. Shiratani, M. Shoji, S. Sudo, H. Sugama, C. Suzuki, K. Takahata, Y. Takeiri, Y. Takemura, M. Takeuchi, H. Tamura, N. Tamura, H. Tanaka, T. Tanaka, M. Tingfeng, Y. Todo, M. Tokitani, K. Tokunaga, T. Tokuzawa, H. Tsuchiya, K. Tsumori, Y. Ueda, L. Vyacheslavov, K. Y. Watanabe, T. Watanabe, T. H. Watanabe, B. Wieland, I. Yamada, S. Yamada, S. Yamamoto, N. Yanagi, R. Yasuhara, M. Yokoyama, N. Yoshida, S. Yoshimura, T. Yoshinaga, M. Yoshinuma, A. Komori

    NUCLEAR FUSION   53 ( 10 )   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0029-5515/53/10/104015

  • Characteristics of photocurrent generation in the near-ultraviolet region in Si quantum-dot sensitized solar cells

    Giichiro Uchida, Muneharu Sato, Hyunwoong Seo, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   544   93 - 98   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.04.111

  • Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate

    N. Itagaki, K. Oshikawa, K. Matsushima, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering   26   84 - 87   2013年9月

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    記述言語:その他  

    Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate
    High quality ZnO:Al (AZO) films have been obtained by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization (NMC), where sputtering method is employed for preparation of both buffer layers and AZO films. Introduction of small amount of N2 (N2/(Ar+N2) = 16&#37;) to the sputtering atmosphere of NMC-ZnO buffer layers drastically improves the crystallinity of buffer layers and thus AZO films. The most remarkable effect of the buffer layers is a significant reduction in the resistivity at high base pressure of background gases. The resistivity of conventional AZO films increases from 2.0 m??cm to 70.0 m??cm with increasing the base pressure from 3×10-5 Pa to 1×10-3 Pa, while the resistivity of AZO films with NMC buffer layers increases from 0.5 m??cm to 2.0 m??cm, where the thickness of AZO film is 88 nm. Furthermore, AZO films with a sheet resistance of 10 ?/? and an optical transmittance higher than 80&#37; in a wide wavelength range of 400?1100 nm have been obtained.

  • クラスタ抑制法を用いた高光安定アモルファスシリコンPIN太陽電池の作製

    古閑 一憲, 橋本 優史, 金 淵元, 都甲 将, 徐 鉉雄, 板垣 奈穗, 白谷 正治, 内田 儀一郎

    電気学会研究会資料. PST, プラズマ研究会   2013 ( 74 )   13 - 17   2013年9月

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    記述言語:日本語  

  • Control of Deposition Profile and Properties of Plasma CVD Carbon Films

    K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering   26   136 - 139   2013年9月

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    記述言語:その他  

    Control of Deposition Profile and Properties of Plasma CVD Carbon Films
    We have succeeded to deposit anisotropic and top surface deposition profile on substrates with trenches using H-assisted plasma CVD of Ar + H2 + C7H8 at a low substrate temperature of 100 oC. For the anisotropic deposition profile, carbon is deposited without being deposited on sidewall of trenches. For the top surface deposition profile, carbon is deposited at only top surface. The optical emission measurements and evaluation of deposition rate have revealed that a high flux of H atmos is the key to the deposition profile control. The mass density of the films and their Raman spectrum have shown that their structure is a-C:H.

  • Effects of nanoparticle incorporation on properties of microcrystalline films deposited using multi-hollow discharge plasma CVD

    Yeonwon Kim, Takeaki Matsunaga, Kenta Nakahara, Hyunwoong Seo, Kunihiro Kamataki, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   228   S550 - S553   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2012.04.029

  • Observation of nanoparticle growth process using a high speed camera 査読

    Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proceedings of 21st International Symposium on Plasma Chemistry   264   2013年8月

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    記述言語:その他  

    Observation of nanoparticle growth process using a high speed camera
    Time evolution of spatial profile of nanoparticle amount in low pressure reactive discharge plasmas have been measured to study effects of amplitude modulation of the plasmas on particle growth in the initial growth phase. Amplitude modulation of discharge voltage leads to oscillate nanoparticle amount and their spatial profile. Growth of nanoparticles is suppressed by increasing the AM frequency.

  • Mass density control of carbon films deposited by H-assisted plasma CVD method

    Tatsuya Urakawa, Hidehumi Matsuzaki, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara, Makoto Sekine, Masaru Hori

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   228   S15 - S18   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2012.10.002

  • Effects of DC substrate bias voltage on dust flux in the Large Helical Device

    Kazunori Koga, Katsushi Nishiyama, Yasuhiko Morita, Giichiro Uchida, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani, Naoko Ashikawa, Suguru Masuzaki, Kiyohiko Nishimura, Akio Sagara

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS   438   S727 - S730   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jnucmat.2013.01.154

  • Discharge power dependence of carbon dust flux in a divertor simulator

    Katsushi Nishiyama, Yasuhiko Morita, Giichiro Uchida, Daisuke Yamashita, Kunihiro Kamataki, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Naoko Ashikawa, Suguru Masuzaki, Kiyohiko Nishimura, Akio Sagara, Sven Bornholdt, Holger Kersten

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS   438   S788 - S791   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jnucmat.2013.01.169

  • Transport control of dust particles via the electrical asymmetry effect: experiment, simulation and modelling

    Shinya Iwashita, Edmund Schuengel, Julian Schulze, Peter Hartmann, Zoltan Donko, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Uwe Czarnetzki

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   46 ( 24 )   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/46/24/245202

  • Analysis on the effect of polysulfide electrolyte composition for higher performance of Si quantum dot-sensitized solar cells

    Hyunwoong Seo, Yuting Wang, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ELECTROCHIMICA ACTA   95   43 - 47   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.electacta.2013.02.026

  • ナノ材料のプラズマプロセシングの研究の現状と将来 招待 査読

    白谷 正治, 古閑 一憲, 内田 儀一郎, Hyunwoong SEO, 板垣 奈穂, 岩下 伸也

    表面科学   34 ( 10 )   520 - 527   2013年1月

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    記述言語:日本語  

    This paper reviews production of nanoparticles using low pressure reactive plasmas and its application to quantum dot sensitized solar cells. For the method, nanoparticles of several nm in size with a small size dispersion are produced in gas phase using reactive plasmas, and then the nanoparticles and radicals are co-deposited on a substrate. This method realizes one-step deposition of nanoparticle composite films in a controllable way.

    DOI: 10.1380/jsssj.34.520

  • H-2/N-2 Plasma Etching Rate of Carbon Films Deposited by H-Assisted Plasma Chemical Vapor Deposition

    Tatsuya Urakawa, Ryuhei Torigoe, Hidefumi Matsuzaki, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara, Keigo Takeda, Makoto Sekine, Masaru Hori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AB01

  • Dust particle formation due to interaction between graphite and helicon deuterium plasmas

    Shinya Iwashita, Katsushi Nishiyama, Giichiro Uchida, Hyunwoong Seo, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    FUSION ENGINEERING AND DESIGN   88 ( 1 )   28 - 32   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.fusengdes.2012.10.002

  • Effects of Hydrogen Dilution on ZnO Thin Films Fabricated via Nitrogen-Mediated Crystallization

    Iping Suhariadi, Koichi Matsushima, Kazunori Kuwahara, Koichi Oshikawa, Daisuke Yamashita, Hyunwoong Seo, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Sven Bornholdt, Holger Kersten, Harm Wulff, Naho Itagaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AC08

  • High Amount Cluster Incorporation in Initial Si Film Deposition by SiH4 Plasma Chemical Vapor Deposition

    Yeonwon Kim, Kosuke Hatozaki, Yuji Hashimoto, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AD01

  • Improvement of Si Adhesion and Reduction of Electron Recombination for Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells

    Hyunwoong Seo, Yuting Wang, Muneharu Sato, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 1 )   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.01AD05

  • The reduction of charge recombination and performance enhancement by the surface modification of Si quantum dot-sensitized solar cell

    Hyunwoong Seo, Yuting Wang, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    ELECTROCHIMICA ACTA   87   213 - 217   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.electacta.2012.09.087

  • Sputter deposition of Epitaxial Zinc-Indium Oxynitride Films for Excitonic Transistors 査読

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. International Symposium on Dry Process   34   97 - 98   2012年11月

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    記述言語:その他  

    Sputter deposition of Epitaxial Zinc-Indium Oxynitride Films for Excitonic Transistors

  • Growth Control of Dry Yeast Using Scalable Atmospheric-Pressure Dielectric Barrier Discharge Plasma Irradiation

    Satoshi Kitazaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Nobuya Hayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 11 )   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.11PJ02

  • Control of radial density profile of nano-particles produced in reactive plasma by amplitude modulation of radio frequency discharge voltage

    Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Daisuke Yamashita, Hidefumi Matsuzaki, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   523   76 - 79   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2012.07.059

  • Effects of crystalline nanoparticle incorporation on growth, structure, and properties of microcrystalline silicon films deposited by plasma chemical vapor deposition

    Yeonwon Kim, Takeaki Matsunaga, Kenta Nakahara, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Hyunwoong Seo, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   523   29 - 33   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2012.06.023

  • High quality epitaxial ZnO films grown on solid-phase crystallized buffer layers

    Kazunari Kuwahara, Naho Itagaki, Kenta Nakahara, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   520 ( 14 )   4674 - 4677   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.136

  • In situ analysis of size distribution of nano-particles in reactive plasmas using two dimensional laser light scattering method

    K. Kamataki, Y. Morita, M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki

    JOURNAL OF INSTRUMENTATION   7   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1748-0221/7/04/C04017

  • ZnO:Al Thin Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of N2/Ar Gas Flow Rate Ratio 査読

    I. Suhariadi, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, K. Nakahara, M. Shiratani

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   37 ( 2 )   165 - 168   2012年1月

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    記述言語:英語  

    ZnO:Al Thin Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of N2/Ar Gas Flow Rate Ratio
    Effects of N2/Ar gas flow rate ratio on the crystallinity of sputtered ZnO films fabricated via nitrogen mediated crystallization (NMC) have been clarified. Introduction of small amount of N2 (N2/Ar = 4/20.5 sccm) drastically improves the crystal orientation and enlarges grain size of the NMC-ZnO films, where FWHM of XRD patterns for 2θ-ω and ω scan of (002) plane are 0.17° and 2.6°, respectively. A further increase in N2/Ar flow rate ratio deteriorates the crystallinity, since excess N atoms in the films disarrange the crystal structure of ZnO. Furthermore, ZnO:Al (AZO) films with high crystallinity have been successfully fabricated by utilizing the NMC-ZnO films deposited at N2/Ar = 4/20.5 sccm as buffer layers. 100-nm-thick AZO films with a resistivity of 6.8×10-4 Ωcm and an optical transmittance higher than 80&#37; in a wide wavelength range of 500 nm to 1500 nm has been obtained.

    DOI: 10.14723/tmrsj.37.165

  • Pulmonary Toxicity of Indium Tin Oxide and Copper Indium Gallium Diselenide

    Akiyo Tanaka, Miyuki Hirata, Kazunori Koga, Makiko Nakano, Kazuyuki Omae, Yutaka Kiyohara

    MRS Proceedings   1469   2012年1月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.1074

  • Growth Enhancement of Radish Sprouts Induced by Low Pressure O-2 Radio Frequency Discharge Plasma Irradiation

    Satoshi Kitazaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Nobuya Hayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AE01

  • Combinatorial Deposition of Microcrystalline Silicon Films Using Multihollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

    Kazunori Koga, Takeaki Matsunaga, Yeonwon Kim, Kenta Nakahara, Daisuke Yamashita, Hidefumi Matsuzaki, Kunihiro Kamataki, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AD02

  • Deposition of Cluster-Free B-doped Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using SiH4+B10H14 Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

    Kazunori Koga, Kenta Nakahara, Yeon-Won Kim, Takeaki Matsunaga, Daisuke Yamashita, Hidefumi Matsuzaki, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AD03

  • Effect of Nitridation of Si Nanoparticles on the Performance of Quantum-Dot Sensitized Solar Cells

    Giichiro Uchida, Kosuke Yamamoto, Muneharu Sato, Yuki Kawashima, Kenta Nakahara, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 1 )   2012年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.01AD01

  • Impacts of Amplitude Modulation of RF Discharge Voltage on the Growth of Nanoparticles in Reactive Plasmas

    Kunihiro Kamataki, Hiroshi Miyata, Kazunori Koga, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 10 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.105001

  • Comparison between silicon thin films with and without incorporating crystalline silicon nanoparticles into the film

    Kazunori Koga, Takeaki Matsunaga, William Makoto Nakamura, Kenta Nakahara, Yuuki Kawashima, Giichiro Uchida, Kunihiro Kamataki, Naho Itagaki, Masaharu Shiratani

    THIN SOLID FILMS   519 ( 20 )   6896 - 6898   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.408

  • Redox Characteristics of Thiol Compounds Using Radicals Produced by Water Vapor Radio Frequency Discharge

    Nobuya Hayashi, Akari Nakahigashi, Masaaki Goto, Satoshi Kitazaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08JF04

  • Nano-factories in plasma: present status and outlook

    Masaharu Shiratani, Kazunori Koga, Shinya Iwashita, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kunihiro Kamataki

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   44 ( 17 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/44/17/174038

  • Zno films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation: Effects of deposition temperature of buffer layers

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   4D-2P-11   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Zno films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation: Effects of deposition temperature of buffer layers

  • Highly Conducting and Very Thin ZnO:Al Films with ZnO Buffer Layer Fabricated by Solid Phase Crystallization from Amorphous Phase

    Naho Itagaki, Kazunari Kuwahara, Kenta Nakahara, Daisuke Yamashita, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 1 )   2011年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.011101

  • Combinatorial study of substrate temperature dependence on properties of silicon films deposited using multihollow discharge plasma CVD 査読

    Y. Kim, T. Matsunaga, Y. Kawashima, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    POL08   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Combinatorial study of substrate temperature dependence on properties of silicon films deposited using multihollow discharge plasma CVD
    A combinatorial technique using a multi-hollow discharge plasma CVD method has been employed to investigate effects of substrate temperature on hydrogenated microcrystalline silicon (?c-Si:H) film growth. No film is deposited near the discharge region RT to 350°C, whereas the area of no film region decreases with increasing the substrate temperature. This is attributed to competitive reactions between Si etching by H atoms and Si deposition. The area of microcrystalline Si region increases with the substrate temperature due to high surface diffusion rate of Si containing radical. These results show that the process window of μc-Si:H films becomes wider for the higher substrate temperature due to two reasons: 1) the lower Si etching rate and 2) the longer surface migration length of Si containing radicals. The defect density decreases significantly with increasing Ts from 6.24 × 10 16 cm -3 for Ts =100 o C down to 6.26 × 10 15 cm -3 for T s =300 o C.

  • Impacts of Plasma Fluctuations on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma

    K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    D13-318   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Impacts of Plasma Fluctuations on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma

  • Collection of carbon dust particles formed due to plasma-wall interactions between high density H2 plasma and carbon wall onto substrates by applying local DC bias voltage

    K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P094-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Collection of carbon dust particles formed due to plasma-wall interactions between high density H2 plasma and carbon wall onto substrates by applying local DC bias voltage
    We collected dust particles generated by interaction between a plasma and a carbon target in helicon discharge reactor, by which diverter plasmas in fusion devices are simulated. The dust particles are classified into three kinds: small spherical particles, agglomerates, and large flakes, suggesting three formation mechanisms: chemical vapor deposition (CVD) growth, agglomeration, and peeling from redeposited layer on the reactor wall. The area density and flux towards substrates of dust particles exponentially increase with the substrate bias voltage. The energy influx of plasmas towards the target and ion density were measured to clarify the dust formation mechanisms. They are nearly constant irrespective of the substrate bias voltage suggesting that the production rate of dust particles does not depend on the substrate bias voltage and their collection efficiency does.

  • Deposition of cluster-free a-Si:H films using cluster eliminating filter

    K. Nakahara, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, M. Sato, D. Yamashita, H. Matsuzaki, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P010-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Deposition of cluster-free a-Si:H films using cluster eliminating filter
    We have succeeded in deposition of highly stable a-Si:H films at a rate of 3 nm/s. To evaluate their performance as an I layer of PIN solar cells, Fill Factor (FF) of N-type c-Si/a-Si:H/Ni Schottky cells with cluster free a-Si:H films were measured. High quality stable a-Si:H films, were deposited with a multi-hollow discharge plasma CVD reactor together with a cluster-eliminating filter. Initial FF of the cell is 0.521, whereas stabilized FF is 0.495 that is 4.99&#37; lower than the initial FF. Our multi-hollow discharge plasma CVD method is useful to fabricate highly stable a-Si:H solar cells.

  • Effects of electrolyte on performance of quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles synthesized by multi-hollow discharge plasma CVD

    Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   23P013-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of electrolyte on performance of quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles synthesized by multi-hollow discharge plasma CVD
    Effects of electrolyte on performance of Si QDSCs were investigated. We successfully fabricated an efficient polysulfide electrolyte based on the solvent mixed with water and methanol at a volume ratio of 3:7. The optimal electrolyte contains 1.0M Na2S, 0.5M S and 0.2M KCl. By introducing different ingredients with proper concentration, Jsc, Voc and fill factor are much improved. The efficiency of Si QDSCs using optimized electrolyte is 0.027&#37;

  • Effects of N2 gas addition to sputtering plasma on properties of epitaxial ZnO films

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, Seo H, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P008-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of N2 gas addition to sputtering plasma on properties of epitaxial ZnO films
    Effects of N2/Ar flow rate ratio on properties of ZnO films fabricated via nitrogen mediated crystallization (NMC) have been studied. NMC-ZnO films are deposited by RF magnetron sputtering using Ar-N2 mixed gas. X-ray diffraction (XRD) analysis shows that the crystallinity of NMC-ZnO films is improved by addition of a small amount of N2 to sputtering atmosphere (N2/(Ar+N2) flow ratio of 8&#37;). By using the NMC-ZnO films as homo-buffer layers, ZnO films with high crystallinity are deposited by RF magnetron sputtering. The full width at half-maximum of XRD patterns for ω scan of (002) plane are 0.061°, being significantly small compared with 0.49° for the films without buffer layers. A further increase in N2/Ar flow rate ratio deteriorates the crystallinity because excess N atoms in the films disarrange the crystal structure of ZnO. The results indicate that utilizing NMC buffer layers deposited at an adequate N2 partial pressure is very promising to obtain epitaxial ZnO films with high crystallinity.

  • Effects of nanoparticle incorporation on Si thin films deposited by plasma CVD

    M. Shiratani, Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    Proc. Plasma Conf. 2011   24G06   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of nanoparticle incorporation on Si thin films deposited by plasma CVD
    We have investigated effects of nanoparticle inclusion on properties of a-Si:H films and mc-Si:H films using the multi-hollow discharge plasma CVD method. Minor deposition species (nanoparticles in this study) modify considerably properties of a-Si:H films and mc-Si:H films

  • Influence of nano-particles on multi-hollow discharge plasma for microcrystalline silicon thin films deposition

    T. Matsunaga, Y. Kim, K. Koga, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P015-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Influence of nano-particles on multi-hollow discharge plasma for microcrystalline silicon thin films deposition
    Effects of nano-particles on formation kinetics of microcrystalline silicon films were studied by X-ray diffraction spectroscopy (XRD) and optical emission spectroscopy (OES). Volume fraction of (220) orientation crystals of films without incorporating nano-particles is higher than that of those with nano-particles. The IH?/ISi* value in the region with nano-particles is slightly higher than that in the region without nano-particles. The ISi*/ISiH* value is almost the same as that in the region with and without nano-particles. These results suggest that (220) orientation crystal growth is suppressed by incorporation of nano-particles.

  • Low resistive ZnO:Al films with ZnO buffer layers fabricated by Ar/N2 magnetron sputtering

    N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, K. Koga

    Proc. Plasma Conf. 2011   24G6   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Low resistive ZnO:Al films with ZnO buffer layers fabricated by Ar/N2 magnetron sputtering
    Low resistive ZnO:Al (AZO) films with uniform spatial distribution have been obtained by utilizing buffer layers fabricated by Ar/N2 magnetron sputtering. For 100 nm-thick AZO films, the averaged grain size of AZO films with buffer layers is 65 nm, which is 1.8 times larger than that of the films without buffer layers. This increase in the grain size of AZO films is due to the low grain density of buffer layers. As a result, the resistivity is drastically reduced. At the area facing the target erosion, the resistivity reduced from 2.27 m??cm for the films without buffer layers to 0.50 m??cm for our films, consequently, the spatial distribution of the resistivity is significantly improved. These results reveal that our method described here is full of promise for fabrication of ZnO-based TCO materials.

  • Radical Flux Evaluation to Microcrystalline Silicon Films Deposited by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P011-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Radical Flux Evaluation to Microcrystalline Silicon Films Deposited by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD
    To evaluate radical fluxes for microcrystalline silicon film deposition, Si films were deposited in a combinatorial way using a multi-hollow discharge plasma CVD method. Film crystallinity varied with the distance from the powered electrode. Based on the film deposition rate and Raman crystallinity, we proposed a method to estimate hydrogen flux. This evaluation of hydrogen flux is one of useful way to understand a process window of ?c-Si:H films.

  • Study of interaction between plasma fluctuation and nucleation of nanoparticle in plasma CVD

    K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    Proc. Plasma Conf. 2011   24P014-O   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Study of interaction between plasma fluctuation and nucleation of nanoparticle in plasma CVD
    We have investigated effects of plasma fluctuation on the growth of nanoparticles in capacitively-coupled rf discharges with amplitude modulation. Nanoparticles grow more slowly for higher AM levels, that is they have 7 times higher density and 23&#37; smaller size. This AM method is useful for the production of a large amount of nanoparticles with a small size

  • Combinatorial study on effects of substatrate temperature of silicon film deposition using multi-hollow discharge plasma cvd

    Y. Kim, T. Matsunaga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   3D-2P-09   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Combinatorial study on effects of substatrate temperature of silicon film deposition using multi-hollow discharge plasma cvd

  • Defect density of cluster-free a-si:h films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD

    K. Nakahara, K. Hatozaki, M. Sato, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   3D-2P-20   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Defect density of cluster-free a-si:h films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD

  • Effects of nano-particles on (220) crystal orientation of microcrystallite silicon thin films

    T. Matsunaga, Y. Kim, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   4D-2P-16   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Effects of nano-particles on (220) crystal orientation of microcrystallite silicon thin films

  • Properties and performance of si quantum dot-sensitized solar cells with low temperature titania paste

    Y. Wang, M. Sato, T. Matsunaga, N. Itagaki, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   3D-5P-09   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Properties and performance of si quantum dot-sensitized solar cells with low temperature titania paste

  • Zinc oxide-based transparent conducting films with buffer layers fabricated via nitrogen-mediated crystallization

    N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. PVSEC-21   4D-2P-10   2011年1月

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    記述言語:その他  

    Zinc oxide-based transparent conducting films with buffer layers fabricated via nitrogen-mediated crystallization

  • High rate deposition of highly stable a-Si:H films using multi-hollow discharges for thin films solar cells

    William Makoto Nakamura, Hidefumi Matsuzaki, Hiroshi Sato, Yuuki Kawashima, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   205   S241 - S245   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2010.07.081

  • 低圧プラズマによる酸化還元反応および植物成長への影響

    林 信哉, 中東 朱里, 秋吉 雄介, 北崎 訓, 古閑 一憲, 白谷 正治

    電気学会研究会資料. PST, プラズマ研究会   2010 ( 65 )   33 - 36   2010年12月

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    記述言語:日本語  

  • High rate deposition of cluster-suppressed amorphous silicon films deposited using a multi-hollow discharge plasma CVD

    Kazunori Koga, Hiroshi Sato, Yuuki Kawashima, William M. Nakamura, Masaharu Shiratani

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1210   217 - 222   2010年12月

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    記述言語:その他  

    High rate deposition of cluster-suppressed amorphous silicon films deposited using a multi-hollow discharge plasma CVD
    We have examined effects of gas velocity and gas pressure on a deposition rate of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films and on a volume fraction of clusters in the films using a multi-hollow discharge plasma CVD method. The maximum deposition rate realized for each pressure exponentially increases with decreasing the pressure from 1.0 Torr to 0.1 Torr, whereas the volume fraction of clusters very slightly increases with increasing the deposition rate. Based on the results, we have succeeded in depositing highly stable a-Si:H films of 4.9 × 1015cm-3 in a stabilized defect density at a rate of 3.0nm/s using the method. © 2010 Materials Research Society.

  • Deposition of a-Si: H Films with High Stability against Light Exposure by Reducing Deposition of Nanoparticles Formed in SiH4 Discharges

    Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yukio Watanabe

    Industrial Plasma Technology: Applications from Environmental to Energy Technologies   247 - 257   2010年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/9783527629749.ch20

  • Nanoblock Assembly Using Pulse RF Discharges with Amplitude Modulation

    Shinya Iwashita, Hiroshi Miyata, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    Industrial Plasma Technology: Applications from Environmental to Energy Technologies   377 - 383   2010年10月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/9783527629749.ch31

  • Deposition profile control of carbon films on patterned substrates using a hydrogen-assisted plasma CVD method

    Takuya Nomura, Kazunori Koga, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Masaharu Shiratani, Yuichi Setsuhara, Yuichi Setsuhara, Makoto Sekine, Makoto Sekine, Masaru Hori, Masaru Hori

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1222   203 - 207   2010年8月

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    記述言語:その他  

    Deposition profile control of carbon films on patterned substrates using a hydrogen-assisted plasma CVD method
    We have studied effects of H atom source on deposition profiles of carbon films, deposited by H assisted anisotropic plasma CVD method. Deposition rate normalized by that for the aspect ratio of 1 at sidewall and bottom decreases with increasing discharge power of H atom source from 0 W to 500 W, because the incident H atom flux per surface area in a trench increases and H atoms etch carbon films. © 2010 Materials Research Society.

  • Review of pulmonary toxicity of indium compounds to animals and humans

    Akiyo Tanaka, Miyuki Hirata, Yutaka Kiyohara, Makiko Nakano, Kazuyuki Omae, Masaharu Shiratani, Kazunori Koga

    THIN SOLID FILMS   518 ( 11 )   2934 - 2936   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.123

  • Substrate Temperature Dependence of Sticking Probability of SiOx-CH3 Nano-Particles

    H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of International Symposium on Dry Process   43 - 44   2010年1月

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    記述言語:その他  

    Substrate Temperature Dependence of Sticking Probability of SiOx-CH3 Nano-Particles

  • Carbon dust particles generated due to H2 plasma-carbon wall interaction 査読

    H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD experimental group

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   CTP.00114   2010年1月

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    記述言語:その他  

    Carbon dust particles generated due to H2 plasma-carbon wall interaction

  • Generation of nitridated silicon particles and their thin film deposition using double multi-hollow discharges 査読

    G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Yamamoto, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma   55 ( 7 )   CTP.00093   2010年1月

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    記述言語:その他  

    Generation of nitridated silicon particles and their thin film deposition using double multi-hollow discharges

  • Optical and Electrical Properties of Particle Composite Thin Films deposited in SiH4/H2 and N2 Multi-Hollow Discharges

    G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Yamamoto, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Proc. of MNC2010   12D-11-66   2010年1月

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    記述言語:その他  

    Optical and Electrical Properties of Particle Composite Thin Films deposited in SiH4/H2 and N2 Multi-Hollow Discharges

  • P-type sp(3)-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method

    Shojiro Komatsu, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Kazunori Koga, Atsushi Yamamoto, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   42 ( 22 )   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/42/22/225107

  • Two-dimensional spatial profile of volume fraction of nanoparticles incorporated into a-Si : H films deposited by plasma CVD

    William Makoto Nakamura, Hiroomi Miyahara, Hiroshi Sato, Hidefumi Matsuzaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   36 ( 4 )   888 - 889   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2008.923830

  • Discharge power dependence of H<inf>α</inf>intensity and electron density of Ar + H<inf>2</inf>discharges in H-assisted plasma CVD reactor

    202 ( 22-23 )   5659 - 5662   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have realized anisotropic deposition of Cu, for which Cu is preferentially filled from the bottom of trenches without being deposited on the sidewall of trenches, using H-assisted plasma CVD. To obtain information about a discharge condition to realize a high deposition rate, we have studied dependence of Hα656.3 nm and Ar 811.5 nm intensities and electron density in the main discharge on the main discharge power, Pm, and in the discharge of H atom source on the discharge power of H atom source, PH, as a parameter of a gas flow rate ratio R = H2/(H2+ Ar). The results suggest that a high electron density in the main discharge and high fluxes of ions and H atoms to a substrate, all of which are needed for deposition of high purity Cu at a high deposition rate, are realized for Pm= 45 W, PH= 500 W, and R = 3.3&#37;. © 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2008.06.108

  • Nanoparticle coagulation in fractionally charged and charge fluctuating dusty plasmas

    Shota Nunomura, Masaharu Shiratani, Kazunori Koga, Michio Kondo, Yukio Watanabe

    PHYSICS OF PLASMAS   15 ( 8 )   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2972162

  • Temperature Dependence of Dielectric Constant of Nanoparticle Composite Porous Low-k Films Fabricated by Pulse Radio Frequency Discharge with Amplitude Modulation

    Shinya Iwashita, Michihito Morita, Hidefumi Matsuzaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 8 )   6875 - 6878   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.6875

  • Growth Control of Clusters in Reactive Plasmas and Application to High-Stability a-Si: H Film Deposition

    Yukio Watanabe, Masaharu Shiratani, Kazunori Koga

    Advanced Plasma Technology   227 - 242   2008年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/9783527622184.ch12

  • Transport of nano-particles in capacitively coupled rf discharges without and with amplitude modulation of discharge voltage

    Kazunori Koga, Shinya Iwashita, Masaharu Shiratani

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   40 ( 8 )   2267 - 2271   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/40/8/S05

  • Single step method to deposit Si quantum dot films using H-2+SiH4VHF discharges and electron mobility in a Si quantum dot solar cell

    Masaharu Shiratani, Kazunori Koga, Soichiro Ando, Toshihisa Inoue, Yukio Watanabe, Shota Nunomura, Michio Kondo

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   201 ( 9-11 )   5468 - 5471   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.07.012

  • A device for trapping nano-particles formed in processing plasmas for reduction of nano-waste

    Shinya Iwashita, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

    SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   201 ( 9-11 )   5701 - 5704   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.surfcoat.2006.07.060

  • Species responsible for Si-H-2 bond formation in a-Si : H films deposited using silane high frequency discharges

    M Shiratani, K Koga, N Kaguchi, K Bando, Y Watanabe

    THIN SOLID FILMS   506   17 - 21   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.015

  • Mechanism of Cu deposition from Cu(EDMDD)(2) using H-assisted plasma CVD

    K Takenaka, K Koga, M Shiratani, Y Watanabe, T Shingen

    THIN SOLID FILMS   506   197 - 201   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.028

  • Nano-particle formation due to interaction between H-2 plasma and carbon wall

    K Koga, Y Kitaura, M Shiratani, Y Watanabe, A Komori

    THIN SOLID FILMS   506   656 - 659   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.062

  • Production of crystalline Si nano-clusters using pulsed H-2+SiH(4)VHFdischarges

    T Kakeya, K Koga, M Shiratani, Y Watanabe, M Kondo

    THIN SOLID FILMS   506   288 - 291   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.090

  • In situ simple method for measuring size and density of nanoparticles in reactive plasmas

    S Nunomura, M Kita, K Koga, M Shiratani, Y Watanabe

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   99 ( 8 )   2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2189951

  • Plasma anisotropic CVD of high purity Cu using Cu(hfac)2 査読

    Masaharu Shiratani, Takao Kaji, Kazunori Koga, Yukio Watanabe, Tomohiro Kubota, Seiji Samukawa

    6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    Plasma anisotropic CVD of high purity Cu using Cu(hfac)2

  • Cluster-eliminating filter for depositing cluster-free a-Si : H films by plasma chemical vapor deposition

    K Koga, N Kaguchi, K Bando, M Shiratani, Y Watanabe

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS   76 ( 11 )   1 - 4   2005年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2126572

  • Control of deposition profile of copper for large-scale integration (LSI) interconnects by plasma chemical vapor deposition

    K Takenaka, M Shiratani, M Takeshita, M Kita, K Koga, Y Watanabe

    PURE AND APPLIED CHEMISTRY   77 ( 2 )   391 - 398   2005年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1351/pac200577020391

  • Correlation between volume fraction of clusters incorporated into a-Si : H films and hydrogen content associated with Si-H-2 bonds in the films

    K Koga, N Kaguchi, M Shiratani, Y Watanabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   22 ( 4 )   1536 - 1539   2004年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.1763905

  • Anisotropic deposition of Cu in trenches by H-assisted plasma chemical vapor deposition

    K Takenaka, M Kita, T Kinoshita, K Koga, M Shiratani, Y Watanabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   22 ( 4 )   1903 - 1907   2004年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.1738663

  • Carbon particle formation due to interaction between H-2 plasma and carbon fiber composite wall

    K Koga, R Uehara, Y Kitaura, M Shiratani, Y Watanabe, A Komori

    IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE   32 ( 2 )   405 - 409   2004年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPS.2004.828129

  • Cluster-suppressed plasma CVD for deposition of high quality a-Si : H films

    M Shiratani, K Koga, Y Watanabe

    THIN SOLID FILMS   427 ( 1-2 )   1 - 5   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0040-6090(02)01171-9

  • Cluśter-suppressed plasma chemical vapor deposition method for high quality hydrogenated amorphous silicon films

    41 ( 2B )   L168 - L170   2002年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have developed a novel plasma chemical vapor deposition (PCVD) method for preparing high quality hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films, which suppresses effectively growth of clusters by transporting them out of the reactor using gas flow and thermophoresis. By utilizing this cluster-suppressed PCVD method, we have demonstrated deposition of quite high quality a-Si:H films, microstructure parameter Rαof which can be reduced below 0.003. The decrease in Rαvalue is closely related to the decrease in cluster amount. Preliminary evaluation of fill factor (FF) of the a-Si:H Schottky solar cell of the a-Si:H films of Rα= 0.057 shows the high initial value FFi= 0.57 and high stabilized value after-light-soaking FFa= 0.53.

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L168

  • H-assisted plasma CVD of Cu films for interconnects in ultra-large-scale integration

    Masaharu Shiratani, Hong Jie Jin, Kosuke Takenaka, Kazunori Koga, Toshio Kinoshita, Yukio Watanabe

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   2 ( 3-4 )   505 - 515   2001年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S1468-6996(01)00131-0

  • In situ observation of nucleation and subsequent growth of clusters in silane radio frequency discharges

    K Koga, Y Matsuoka, K Tanaka, M Shiratani, Y Watanabe

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 2 )   196 - 198   2000年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.126922

  • Effects of gas temperature gradient, pulse discharge modulation, and hydrogen dilution on particle growth in silane RF discharges

    M Shiratani, S Maeda, K Koga, Y Watanabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 1 )   287 - 293   2000年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.39.287

  • 非対称イオンシースにおける局所構造形成の観測

    古閑 一憲, 河合 良信

    九州大学大学院総合理工学報告   20 ( 2 )   157 - 161   1998年9月

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    記述言語:日本語  

    When the ion sheath instability is excited, a local structure in the potential profile is found and the local structure in the ion saturation current profiles is observed near the sheath edge and inside the sheath for almost all bias voltages of the separation grid. The correlation between the local structure and the ion sheath instability is examined. The length between the local structure formed near the sheath edge in the ion saturation current profiles in the both sides is found to be in inverse proportion to the frequency of the instability. Furthermore, the experimental results are also compared with the virtual anode oscillations.

    DOI: 10.15017/17465

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書籍等出版物

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講演・口頭発表等

  • High Throughput Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon Films using High-Pressure Ar+CH4 Plasmas 国際会議

    ICMCTF2021  2021年4月 

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    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • プラズマを用いてカーボンナノ粒子層を含むミルフィーユ型 a-C:H 膜の機械的特性

    古閑一憲, 黄成和, Y.Hao, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 白谷正治

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • クロージングリマークス(招待講演) 招待

    古閑一憲

    応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念シンポジウム  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマCVD中飛行時間によるカーボンナノ粒子サイズ制御

    古閑一憲, S. H. Hwang, Y. Hao, P. Attir, 奥村賢直,鎌滝晋礼,板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Green Route for Nitrogen-Enriched Organic Manure Synthesis Using Plasma Technology(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    ISPlasma2021/IC-PLANTS2021  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influences of Plasma Treatment of Seeds on their Molecular Responses(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    3rd International Workshop on Plasma Agriculture  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年2月 - 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • CVDプラズマ中のナノ粒子の成長制御と応用(招待講演) 招待

    古閑一憲

    第72回CVD研究会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Impact of Plasma Treatment Time on the Barley Seeds using Electron Paramagnetic Resonance 国際会議

    K. Koga, P. Attri, T. Anan, R. Arita, H. Tanaka, T. Okumura, D. Yamashita, K. Matsuo, K. Kanataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Ishibashi

    2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Role of seed coat color and harvest year on growth enhancement by plasma irradiation to seeds 国際会議

    K. Koga, P. Attri, K. Ishikawa, T. Okumura, K. Matsuo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, V. Mildaziene

    The 73rd Annual Gaseous Electronics Conference  2020年10月 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • マルチホロー放電プラズマ CVDを用いて作製したカーボンナノ粒子輸送量に対する電極基板間距離の効果

    古閑一憲, S. H. Hwang, 奥村賢直, Y. Hao, 山下大輔, 松尾かよ, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 白谷正治

    2020年度(第73回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマCVD技術文献のテキストマイニングを用いた単語のインパクトの解析

    古閑一憲, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治, 谷口雄太, 池田大輔

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いたa-Si:H堆積薄膜中のSi-H/Si-H2結合形成の活性化エネルギー

    古閑一憲, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会 2020年秋季大会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマと薄膜のナノ界面相互作用による結合形成の活性化エネルギー評価

    古閑一憲, 原尚志, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会第75回年次大会(2020年)  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • ⾮平衡プラズマを⽤いたサイズ制御したカーボンナノ粒⼦の連続作 製と堆積

    古閑⼀憲, 黄成和, 石川健治, P. Attri, 松尾かよ, 山下⼤輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 白谷正治

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学   国名:日本国  

  • ⾼温障害を持つイネ種⼦の発芽特性に対するプラズマ照射の効果

    古閑⼀憲, 石橋勇志, S. Chetphilin, 田中颯, 佐藤僚哉, 有田涼, 廣松真弥, 石川健治, P. Attri, 松尾かよ, 山下⼤輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 白谷正治

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射種子を用いた圃場実験の結果報告(招待講演) 招待

    古閑⼀憲

    第1回プラズマ農業フィールドテスト研究会  2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel & Resorts BEPPUWAN, 大分   国名:日本国  

  • プラズマ照射した種籾の圃場栽培試験

    古閑一憲, 佐藤僚哉, 吉田知晃, 有田涼, 田中颯, 廣松真弥, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • Metabolomics Approach for Studying Effects of Atmospheric Air Plasma Irradiation to Seeds (Keynote) 招待 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani, V. Mildaziene

    29th Annual Meeting of MRS-J  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impact of Atmospheric Pressure Plasma Irradiation to Seeds on Agricultural Productivity 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    3rd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2019)  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Rate Limiting Factors of Low Pressure Plasma-catalytic CO2 Methanation Process 国際会議

    K. Koga, A. Yamamoto, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    AVS 66th International Symposium & Exhibition  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Non-equilibrium nanoparticle composite film process using reactive plasmas (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    Advanced Metallization Conference 2019: 29th Asian Session (ADMETA Plus 2019)  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ar+CH4プラズマCVDを用いて堆積した水素化アモルファスカーボン薄膜の堆積特性に対する電極基板間距離依存性

    古閑一憲, Sung Hwa Hwang, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    2019年度(第72回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • プラズマ生成前駆体制御による単分散ナノ粒子合成

    古閑 一憲, 鎌滝 晋礼, 白谷 正治

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • Plasmas - from Laboratory to Table - (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Synthesis and deposition of a-C:H nanoparticles using reactive plasmas with a fast gas flow 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The Korea-Japan Workshop on Dust Particles in Plasmas  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputter deposition of wide bandgap (ZnO)x(AlN)1-x alloys: a new material system with tunable bandgap 国際会議

    S. Urakawa, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Mechanism of Carbon Nanoparticles In Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法による高品質SiN膜の低温(100度)形成

    永石翔大, 佐々木勇輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和元年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2019)  2019年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • Deposition of Carbon Nanoparticles Using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD for Synthesis of Carbon Nanoparticle Composite Films 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, T. Nakatani, J. S. Oh, K. Kamataki, N. Itagaki, M.Shiratani

    46th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2019)  2019年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 微粒子プラズマにおける2体衝突運動の顕微高速観察

    古閑一憲, 大友洋, 真銅雅子, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会第74回年次大会(2019年)  2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Spatial Profile of RONS Dose Supplied by a Scalable DBD Device 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, R. Sato, R. Shimada, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, T. Kawasaki

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • カイワレ大根種皮の色素に対するプラズマ照射の効果

    古閑一憲, 嶋田凌太郎, 和田陽介, 佐藤僚哉, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治, Vida Mildaziene

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • Evaluation of Amount of RONS Transport and Absorption of Seeds 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Innovative Agricultural Productivity Improvement Using Atmospheric Pressure Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 反応性プラズマとナノ粒子相互作用ゆらぎネットワーク解析

    古閑一憲

    第34回九州・山口プラズマ研究会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:シーサイドホテル屋久島, 鹿児島   国名:日本国  

  • Synthesis of Hydrogenated Amorphous Carbon Nanoparticles using High-Pressure CH4+Ar Plasmas and Their Deposition 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, T. Nakatani, M. Shiratani

    AVS 65th International Symposium & Exhibition  2018年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマ中二体微粒子の衝突解析による相互作用揺らぎの研究

    古閑一憲, 大友洋, 周靭, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • Siネットワーク秩序性に対する製膜前駆体の効果

    古閑一憲, 田中和真, 原尚志, 石榴, 中野慎也, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • Effects of cluster deposition on spatial profile of Si-Hx bond density in a-Si:H films 国際会議

    K. Koga, K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Challenge to precise control of chemical bond configuration in plasma CVD films 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    RUB Japan Science Days 2018  2018年7月 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Control of synthesis and deposition of nanoparticles using a multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    Workshop "Plasma surface interaction for technological applications"  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • High energy leverage method on growth enhancement of bio-mass plants using plasma seed treatment 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    7th International Conference on Plasma Medicine (ICPM-7)  2018年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • A deep insight of plasma-nanoparticle interaction 招待 国際会議

    K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    19th International Congress on Plasma Physics  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  • 水素原子源付プラズマCVD法に任意電圧波形を併用したa-C:H薄膜の堆積

    古閑一憲, 山木健司, 方トウジュン, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 大気圧空気誘電体バリア放電プラズマを照射したカイワレ種子の電子スピン共鳴分光

    古閑一憲, 和田陽介, 佐藤僚哉, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 任意電圧波形を用いたC7H8+Ar+H2プラズマ生成

    古閑一憲, 山木健司, 方トウジュン, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    平成30年電気学会全国大会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Effects of RONS Dose on Plasma Induced Growth Enhancement of Radish Sprout 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    2nd International Workshop On Plasma Agriculture (IWOPA2)  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma Enhanced Carbon Recycling for Large-Scale Introduction of Solar Cells to Energy Supply Chain 招待 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Towards ultra-high capacity batteries 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani

    Joint workshop btw SKKU and Kyushu University Emerging materials and devices  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A new insight into nanoparticle-plasma interactions (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, K. Mori, R. Zhou, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    JP-KO dust workshop  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Evaluation of coupling among interaction fluctuations in nanoparticle growth in reactive plasmas 国際会議

    K. Koga, K. Mori, R. Zhou, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    18th Workshop on Fine Particle Plasmas  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of High Quality Silicon Thin Films Utilizing Nanoparticles Trapped in Plasmas 国際会議

    K. Koga, T. Kojima, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    27th annual meeting of MRS-J  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Number Density of Seeds on Plasma Induced Plant Growth Enhancement 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    27th annual meeting of MRS-J  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Flow Velocity on Plant Growth of Radish Sprout 国際会議

    K. Koga, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 植物種子へのプラズマ照射効果による成長促進とその機序(シンポジウム講演) 招待

    古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • Development of a fine particle transport analyzer for processing plasmas 国際会議

    K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 39th International Symposium on Dry Process (DPS 2017)  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 反応性プラズマを用いた物質機能の初期階層形成

    古閑一憲

    第33回九州・山口プラズマ研究会  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎にっしょうかん   国名:日本国  

  • Surface-driven CH4 generation from CO2 in Low-pressure Non-thermal Plasma 国際会議

    K. Koga, S. Toko, S. Tanida, M. Shiratani

    American Vacuum Society 64th International Symposium and Exhibition (AVS64)  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月 - 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 火星上CO2のCH4資源化のための低温低圧プラズマ触媒プロセス

    古閑一憲, 都甲将, 谷田知史, 白谷正治, 細田聡史, 星野健

    第61回宇宙科学技術連合講演会  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • スケーラブルDBDプラズマのRONS照射量に対する空気流れの効果

    古閑一憲, 和田陽介, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • Hysteresis in Plasma CVD: a new path for high quality film deposition 招待 国際会議

    K. Koga, S. Toko, M. Shiratani

    11th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • プラズマ照射した種籾への催芽処理の効果

    古閑一憲, 和田陽介, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 橋本昌隆, 小島昌治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • Synthesis of Nanoparticles Using Low Temperature Plasmas and Its Application to Solar Cells and Tracers in Living Body (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, H. Seo, A. Tanaka, N. Itagaki, M. Shiratani

    231st Meeting of Electrochemical Society (ECS)  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用

    古閑一憲, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    電子情報通信学会有機エレクトロニクス研究会  2017年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:龍郷町生涯学習センター(鹿児島県奄美大島)   国名:日本国  

  • Corrational study of fluctuation of coupling between plasmas and nanoparticles 国際会議

    K. Koga, K. Mori, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Long-term evaluation of In nanoparticle transport in living body 国際会議

    K. Koga, A. Tanaka, M. Hirata, T. Amano, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparision of Gamma irradation and scalable DBD on the declorization of Dyes 国際会議

    K. Koga, P. Attri, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 九州大学における反応性プラズマ精密制御CVD法の紹介(招待講演) 招待

    古閑一憲

    第1回産学共同研究検討会  2017年1月 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Time evolution of cross-correlation between two fluctuations of couplings between plasmas and nanoparticles in amplitude modulated discharges 国際会議

    K. Koga, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    17th Workshop on Fine Particle Plasmas and JAPAN-KOREA Workshop on Dust Particles 2016  2016年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of amount of plasma activated water on growth enhancement of radish sprout 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, R. Katayama, Y. Wada, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparative study on death of cells irradiated by non-thermal plasma, X-ray, and UV 国際会議

    K. Koga, T. Amano, T. Sarinont, R. Katayama, Y. Wada, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, A. Tanaka, Y. Nakatsu, T. Kondo

    The 1st Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2016年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 小型ダスト飛跡分析装置を用いたミラー上ダスト堆積抑制の検討

    古閑一憲, 片山龍, 方韜鈞, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男

    第33回プラズマ・核融合学会年会  2016年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎの2次元空間構造の時間発展

    古閑一憲, 森研人, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    第33回プラズマ・核融合学会年会  2016年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いた高効率低劣化Si薄膜太陽電池の作製(招待講演) 招待

    古閑一憲

    第33回プラズマ・核融合学会年会  2016年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • プラズマ計測・診断 -反応性プラズマ中微粒子を中心として- (招待講演) 招待

    古閑一憲

    第27回プラズマエレクトロニクス講習会  2016年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京大学   国名:日本国  

  • Control of Plant Growth by RONS Produced Using Nonthermal Atmospheric Air Plasma 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, M. Shiratani

    American Vacuum Society 63rd International Symposium and Exhibition (AVS63)  2016年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Comparative study of non-thermal atmospheric pressure discharge plasmas for life science applications 国際会議

    K. Koga, R. Katayama, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, P. Attri, E. L. Quiros, .A. Tanaka, M. Shiratani

    69th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2016)  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • 火星上でのロケット燃料生成を目的とした低温低圧放電プラズマによるサバティエ反応

    古閑一憲, 都甲将, 白谷正治

    第60回宇宙科学技術連合講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:函館アリーナ   国名:日本国  

  • Time development of response of cells irradiated by non-thermal atmospheric air plasma 国際会議

    K. Koga, T. Amano, Y. Nakatsu, H. Seo, N. Itagaki, A. Tanaka, T. Kondo, M. Shiratani

    6th International Conference on Plasma Medicine (ICPM6)  2016年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nitrite concentration of plants grown from seeds irradiated by air dielectric barrier discharge plasmas 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, P. Attri, M. Shiratani

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • QCMを用いたLHD内ダスト堆積量のその場測定

    古閑一憲, 片山龍, 方韜鈞, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第11回核融合エネルギー連合講演会  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ中微粒子を用いたプラズマポテンシャルゆらぎの評価

    古閑一憲, 添島雅大, 伊藤鉄平, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会第71回年次大会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北学院大学   国名:日本国  

  • 「プラズマ材料科学の未来を語る」(低圧非平衡プラズマプロセス) (招待講演) 招待

    古閑一憲

    第125回研究会 APSPT9-SPSM28サテライトミーティング『プラズマ材料科学の未来を語る』  2016年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:JR博多シティ会議室   国名:日本国  

  • 振幅変調反応性高周波放電中のナノ粒子量のバイスペクトル解析

    古閑一憲

    応用力学研究所共同研究報告会  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学応用力学研究所   国名:日本国  

  • 大気圧非平衡プラズマの基礎 (招待講演) 招待

    古閑一憲

    プラズマ・核融合学会第28回専門講習会「プラズマ医療の現状と展望」  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Potential fluctuation evaluation using binary collision of fine particles suspended in plasmas (Invited) 招待

    K. Koga and M. Shiratani

    2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 液中プラズマを用いたAuとPtナノ粒子の簡易作製法

    古閑一憲, 天野孝昭, Thapanut Sarinont, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 中津可道, 平田美由紀, 田中昭代

    平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会  2015年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • プラズマ中のクーロン衝突微粒子間引力

    古閑一憲, 添島雅大, 伊東鉄平, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 野口将之, 内田誠一

    第32回プラズマ・核融合学会 年会  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • 新しいプラズマプロセス技術を用いた薄膜堆積

    古閑一憲, 田浪荘汰, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    接合科学共同利用・共同研究拠点 大阪大学接合科学研究所 平成27年度 共同研究成果発表会  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学接合科学研究所   国名:日本国  

  • Effects of Ion Energy on Chemical Bond Configuration in a-C:H Deposited using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    K. Koga, X. Dong, K. Yamaki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka, Y. Setsuhara

    37th International Symposium on Dry Process (DPS2015)  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Interactions between spin trapping reagents and non-thermal air DBD plasmas 国際会議

    K. Koga, T. Amano, T. Sarinont, T. Kondo, S. Kitazaki, Y. Nakatsu, A. Tanaka, M. Shiratani

    37th International Symposium on Dry Process (DPS2015)  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ照射に対する生体応答の研究

    古閑一憲

    第31回 九州・山口プラズマ研究会  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:COCOLAND SPORTS&RESORT, 山口   国名:日本国  

  • Improving of Harvest Period and Crop Yield of Arabidopsis Thaliana L. using Nonthermal Atmospheric Air Plasma 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    American Vacuum Society 62nd International Symposium and Exhibition (AVS)  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Two Dimentional Visualization of Oxidation Effect of Scalable DBD Plasma Irradiation using KI-starch Solution 国際会議

    K. Koga, T. Amano, T. Sarinont, T. Kawasaki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Nakatsu, A. Tanaka

    American Vacuum Society 62nd International Symposium and Exhibition (AVS)  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Simple Evaluation Method of Atmospheric Plasma Irradiation Dose using pH of Water 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, Y. Nakatsu, A. Tanaka, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • In vivo kinetics of nanoparticles synthesized by plasma in water (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, T. Amano, M. Hirata, A. Tanaka, M. Shiratani

    The 21st Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • In-situ laser Raman spectroscopy of an optically trapped fine particle 国際会議

    K. Koga, M. Soejima, K. Tomita, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    17th International Symposium on Laser-Aided Plasma Diagnostics (LAPD17)  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月 - 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control Of Nanoprticle Transport And Their Deposition For Porous Low-k Films By Using Plasma Pertubation (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga and M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • アルゴンプラズマ中微粒子運動の画像解析によるプラズマパラメータ評価

    古閑一憲, 添島雅大, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 内田誠一

    日本物理学会 2015年秋季大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中ナノ粒子とラジカルの非線形結合成分の時空間解析

    古閑一憲, 伊東鉄平, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会 2015年秋季大会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:関西大学   国名:日本国  

  • 大気圧非平衡プラズマ照射による液中ラジカル生成の相関解析(招待講演) 招待

    古閑一憲

    新学術領域研究 プラズマ・ナノマテリアル動態学の創成と安全安心医療科学の構築 第21回医工連携ゼミ  2015年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 非平衡プラズマスパッタリングによる高速低温層交換結晶成長

    古閑一憲, 市田大樹, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    日本物理学会第70回年次大会  2015年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • ラットに皮下投与したInナノ粒子の体内輸送

    古閑一憲, 天野孝昭, 平田美由紀, 田中昭代, 白谷正治

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 水素化アモルファスシリコン薄膜中Si-H2結合生成に対するクラスタ混入とラジカル表面反応の寄与

    古閑一憲, 都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷 正治

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • スパッタを用いた低温高速層交換Ge結晶成長に対する基板温度の効果

    古閑一憲, 市田大樹, 橋本慎史, 徐鉉雄, 山下大輔, 板垣奈穂, 白谷正治

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • プロセシングプラズマを用いたIV族半導体ナノ粒子の作製と太陽電池への応用(招待講演) 招待

    古閑一憲, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 白谷正治

    平成26年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「プラズマナノバイオ・医療の基礎研究」  2015年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • Temporal development of nonlinear coupling between radicals and nanoparticles in reactive plasmas (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, and M. Shiratani

    The 75th IUVSTA Workshop on Sheath Phenomena in Plasma Processing of Advanced Materials  2015年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • Cluster suppressed deposition of a-Si:H films by employing non-linear phenomena in reactive plasmas (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2015年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 大気圧空気プラズマを照射したカイコの成長

    古閑一憲, サリノントタパナット, 天野孝昭, 白谷正治

    第24回日本MRS年次大会  2014年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • プラズマ技術の生体・環境分野への応用研究

    古閑一憲

    九州大学テクノロジーフォーラム2014  2014年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京国際フォーラム   国名:日本国  

  • プラズマ照射によるシロイヌナズナの植物成長促進の世代間伝搬

    古閑一憲, サリノントタパナット, 北﨑訓, 林信哉, 白谷正治

    第30回 九州・山口プラズマ研究会  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ラグナガーデンホテル、沖縄   国名:日本国  

  • Analysis of coupling between nanoparticles and radicals using perturbation of radical density in reactive plasmas 国際会議

    K. Koga, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    Plasma Conference 2014  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of amplitude modulated VHF discharge on coupling between plasmas and nanoparticles 国際会議

    K. Koga, T. Ito, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, and M. Shiratani

    24th International Toki Conference  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatiotemporal Analysis of Nanoparticle Growth in Amplitude Modulated Reactive Plasmas for Understanding Interactions between Plasmas and Nanomaterials (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, Y. Morita, T. Ito, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 太陽電池開発の最前線

    古閑一憲

    2014年度先端サマーセミナー(第6回研究活動交流会)  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Quartz crystal microbalance measurements for in-situ evaluation of dust inventory in fusion devices 国際会議

    K. Koga, M. Tateishi, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    26th Symposium on Plasma Physics and Technology  2014年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Real time mass measurement of dust particles deposited on vessel wall using quartz crystal microbalances in a divertor simulator 国際会議

    K. Koga, M. Tateishi, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    21th International Conference on Plasma Surface Interactions (PSI2014)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of non-thermal air plasma irradiation to plant seeds on glucose concentration of plants 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, and M. Shiratani

    International Workshop on Diagnostics and Modelling for Plasma Medicine (DMPM2014)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • コンビナトリアル細胞活性解析を用いた細胞超活性プラズマの創成 (招待講演) 招待

    古閑一憲

    第8回レーザー学会「レーザーバイオ医療」技術専門委員会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:沖縄科学技術大学院大学   国名:日本国  

  • プラズマプロセス技術の最近の応用展開 (招待講演) 招待

    古閑一憲

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 平成25年度第3回特別講演会  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • Coupling between radicals in plasmas and nanoparticle growth in initial growth phase in reactive plasmas with amplitude modulation 国際会議

    K. Koga, Y. Morita, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, G. Uchida and M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of highly stable a-Si:H solar cells by suppressing cluster incorporation (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, Y. Hashimoto, S. Toko, D. Yamashita, Y. Torigoe, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

    2014 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Coupling between radicals and nanoparticles in initial growth phase in reactive plasmas with amplitude modulation (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, Y. Morita, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Multi-generation evaluation of plasma growth enhancement to arabidopsis thaliana (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ技術およびその応用可能性について (招待講演) 招待

    古閑一憲

    平成25年度次世代テクノロジーセミナー  2014年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:リファレンス駅東ビル, 福岡   国名:日本国  

  • Correlation between Plasma Fluctuation and Nanoparticle Amount in Initial Growth Phase in Reactive Plasmas with Amplitude Modulation

    K. Koga, Y. Morita, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani

    14th Workshop on Fine Particle Plasmas  2013年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Quantum dot sensitized solar cells using group IV semiconductor nanoparticles (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, D. Ichida, S. Hashimoto, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

    2013 EMN Fall Meeting  2013年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • ナノ粒子成長に対するプラズマ摂動周波数の効果

    古閑一憲, 森田康彦, 岩下伸也, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第30回年会  2013年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Deposition of Ge Nanoparticle Films and Their Application to Ge Quantum-dot Sensitized Solar Cells 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Carbon Nanostructure formed by high pressure methane plasmas

    K. Koga, S. Iwashita, G. Uchida, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparative Acute Pulmonary Toxicity of Different Types of Indium-Tin Oxide Following Intermittent Intratracheal Instillation to the Lung of Rats 国際会議

    K. Koga, A. Tanaka, M. Hirata, N. Hayashi, N. Itagaki and G. Uchida

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • クラスタ抑制法を用いた高光安定アモルファスシリコンPIN太陽電池の作製

    古閑一憲, 橋本優史, 金淵元, 都甲将, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    プラズマ研究会  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • Formation of self-organized nanostructures using high pressure CH4+Ar plasmas 国際会議

    K. Koga, S. Iwashita, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, M. Shiratani and U. Czarnetzki

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • High Pressure Nonthermal Methane Plasmas for Nanoparticle Production 国際会議

    K. Koga, S. Iwashita, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Kamataki, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 振幅変調放電プラズマ中のナノ粒子成長初期におけるナノ粒子量の時空間分布

    古閑一憲, 森田康彦, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Characteristics of high pressure Ar+CH4 nanosecond discharge plasmas for producing nanoparticles 国際会議

    K. Koga, D. Yamashita, G. Uchida, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Single particle trapping in plasmas using laser for studying interaction between a fine particle and palsams 国際会議

    K. Koga, D. Yamashita, G. Uchida, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time and space profiles of laser-light scattering intensity from nano-particles and optical emission intensity in amplitude modurated high frequency discharge plasmas 国際会議

    K. Koga

    The International LIGLR Workshop on Plasma Science & Technology  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • プラズマ-壁相互作用によるナノ粒子生成に対する壁へのプラズマ流入角度の効果

    古閑一憲, 西山雄士, 立石瑞樹, 白谷正治, H. Wulff, S. Bornholdt, H. Kersten

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • 重水素ヘリコンプラズマとグラファイト壁の相互作用により発生したダストの捕集

    古閑一憲, 岩下伸也, 西山雄士, 立石瑞樹, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Deposition of Si nanoparticle composite films for C-Si/Si QDs/organic Solar Cells

    K. Koga, Y. Wang, D. Ichida, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • グラファイトと重水素プラズマの相互作用で発生したダスト捕集

    古閑一憲, 岩下伸也, 西山雄士, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • 高気圧Ar+CH4ナノ秒放電を用いた薄膜堆積とナノ粒子生成

    古閑一憲, 岩下伸也, 山下大輔, 内田儀一郎, 白谷正治, Czarnetzki U.

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • Plasma Chemical Vapor Deposition for Solar Cells (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    2012 Workshop on Advanced Surface and Material Technologies  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:台湾  

  • Electrical Asymmetry Effectを用いた微粒子のシース間輸送

    古閑一憲, 岩下伸也, 内田儀一郎, J. Schulze, E. Schungel, P. Hartmann, 白谷正治, Z. Donko, U. Czarnetzki

    九州山口プラズマ研究会、応物新領域研究会  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:由布院倶楽部   国名:日本国  

  • Control of Dust Flux in LHD and in a Divertor Simulator 国際会議

    K. Koga, K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    24th Fusion Energy Conference (IAEA)  2012年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Formation of Nanoparticles in High Pressure Reactive Nanosecond Discharges 国際会議

    K. Koga, S. Iwashita, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical Trapping of Single Fine Particle in Plasmas for study of interactions between a fine particle and plasmas 国際会議

    K. Koga, D. Yamashita, S. Kitazaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    NANOSMAT 2012  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Control of deposition profile and properties of plasma CVD carbon films 国際会議

    K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    13th International Conference on Plasma Surface Engineering (PSE2012)  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Effects of Substrate DC Bias Voltage on Dust Collection Efficiency in Large Helical Device 国際会議

    K. Koga, K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    20th International Conference on Plasma Surface Interactions 2012 (PSI2012)  2012年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Effects of incorporation of clusters generated in the plasma ignition phase on Schottky cell performance of amorphous silicon films 国際会議

    K. Koga, K. Nakahara, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

    The Fourth International Workshop on Thin-Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC-4)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:スイス連邦  

  • Three growth modes of nanoparticles generated in reactive plasmas 国際会議

    K. Koga, K. Kamataki, S. Nunomura, S. Iwashita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    DPG Spring Meeting of the Section AMOP (SAMOP)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • 低温プラズマ異方性CVDを用いた微細トレンチ上面への自己組織カーボンマスク形成 国際会議

    古閑一憲, 浦川達也, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • プロセスプラズマ中の微粒子挙動研究とその応用(特別講演) 招待

    古閑一憲

    プラズマ科学のフロンティア2011研究会  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • CVDプラズマ中ナノ粒子の制御とその応用 (招待講演) 招待

    古閑一憲

    AIST計測・診断システム研究協議会 第8回プラズマ技術研究会  2011年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:虹の松原ホテル, 佐賀   国名:日本国  

  • 基板バイアスによるダスト捕集の検討

    古閑一憲

    第9回LHDにおけるPWI共同研究・検討会  2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • Effects of surface treatment on performance of Si nano-particle quantum dot solar cells 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP-2011)  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Deposition of carbon films on top surface of fine trenches at 100℃ using a plasma anisotropic CVD method

    古閑一憲, 野村卓也, 浦川達也, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Transport Control of Carbon Nanoparticles in H2 Helicon Discharges by Biasing Wall

    2011年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Generation and Surface Modification of Si nano-particles using SiH4/H2 and N2 multi-hollow discharges and their application to the third generation photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    2011年2月 

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    開催年月日: 2011年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:インド  

  • Radical flux evaluation of high pressure silane plasma CVD using multi-hollow discharges (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, T. Matsunaga, Y. Kawashima, Y. Kim, K. Nakahara, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 微細パターン基板へのSiOx-CH3ナノ粒子堆積

    古閑一憲, 宮田大嗣, 西山雄士, 岩下伸也, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 白谷正治

    第27回プラズマ・核融合学会年会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌国際プラザ   国名:日本国  

  • プラズマ-カーボン壁相互作用で発生したカーボン微粒子の基板へのフラックス評価

    古閑一憲, 宮田大嗣, 西山雄士, 岩下伸也, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 白谷正治, 芦川直子, 増﨑貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第27回プラズマ・核融合学会年会  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌国際プラザ   国名:日本国  

  • Deposition profile control of carbon films on the surface of fine structures using plasma CVD (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, T. Nomura, G. Uchida, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 1st Korean-Japan Symposium on Surface Technology  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Deposition of Nanoparticles using Substrate Bias Voltage 国際会議

    K. Koga, H. Miyata, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ-細胞相互作用による細胞活性制御

    古閑一憲, 北﨑訓, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第26回九州・山口プラズマ研究会  2010年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山陽館, 大分   国名:日本国  

  • High speed deposition of highly stable a-Si:H films using pure silane multi-hollow discharges 国際会議

    K. Koga, K. Nakahara, T. Matsunaga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles produced by multi-hollow discharge 国際会議

    K. Koga, G. Uchida, Y. Kawashima, M. Sato, K. Yamamoto, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Innovative Solar Cells  2010年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparison between Si thin films with and without incorporating nanoparticles into the film 国際会議

    K. Koga, Y. Kawashima, T. Matsunaga, M. Sato, K. Nakahara, W. M. Nakamura, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    10th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST)  2010年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of hydrogen dilution on electron density in multi-hollow discharges with magnetic field for a-Si:H film deposition 国際会議

    K. Koga, Y. Kawashima, K. Nakahara, T. Matsunaga, W. M. Nakamura, M. Shiratani

    35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • へリコンプラズマーカーボン壁相互作用で発生したカーボンダストの電場による収集

    古閑一憲, 宮田大嗣, 白谷正治

    第8回LHDにおけるPWI共同研究・検討会  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • Plasma CVD for Si thin film solar cells 国際会議

    K. Koga

    2010 International Workshop on Plasma Applications  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 振幅変調パルス放電による部分帯電ナノ粒子雲の輸送

    日本地球惑星科学連合年会  2010年5月 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉幕張メッセ国際会議場   国名:日本国  

  • Effects of gas residence time and H2 dilution on electron density in multi-hollow discharges of SiH4+ H2

    K. Koga, H. Sato, Y. Kawashima, W. M. Nakamura, M. Shiratani

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • LHDの第一壁へのダストフラックスの評価

    古閑一憲, 岩下伸也, 宮田大嗣, 山田泰之, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第2回PWI合同研究会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • シランホロ―放電に対する水素希釈の効果

    古閑一憲, 佐藤宙, 中村ウィリアム誠, 宮原弘臣, 松崎秀文, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロ―放電を用いたa-Si:H製膜中の基板温度

    古閑一憲, 川嶋勇毅, 佐藤宙, 白谷正治

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • High Rate Deposition of Cluster-suppressed Amorphous Silicon Films Deposited Using a Multi-hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    K. Koga, H. Sato, Y. Kawashima, M. Shiratani

    2009 MRS Fall Meeting  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Plasma Treatment of Indium Compounds to Reduce Their Adverse Health Effects 国際会議

    K. Koga, S. Iwashita, H. Miyata, M. Shiratani, M. Hirata, Y. Kiyohara, A. Tanaka

    2009 MRS Fall Meeting  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Synthesis of crystalline Si nanoparticles for third generation solar cells (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, M. Shiratani, M. Kondo

    10th Workshop on Fine Particle Plasmas  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma treatment of CIGS to reduce toxicity 国際会議

    K. Koga, S. Iwashita, H. Miyata, M. Shiratani, M. Hirata, Y. Kiyohara, A. Tanaka

    Seventh Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2009)  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • マイクロ波共振プローブを用いたH2+SiH4マルチホロー放電の電子密度計測

    古閑一憲, 佐藤 宙, 川嶋勇毅, 白谷正治

    第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いた微細構造への製膜形状制御(招待講演) 招待

    古閑一憲, 白谷正治

    西日本放電懇談会  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテル万松楼, 長崎   国名:日本国  

  • プラズマCVDの基礎 (Invited) 招待

    古閑一憲

    2009年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:日本語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:東京エレクトロン韮崎   国名:日本国  

  • LHDとモデル実験装置のダストの比較

    古閑一憲, 岩下伸也, 宮田大嗣, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第7回LHDにおけるPWI共同研究・検討会  2009年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • 高品質光安定a-Si:H薄膜作製用マルチホロー放電における電子密度の空間分布

    古閑一憲, 佐藤宙, 川嶋勇毅, 中村誠ウィリアム, 白谷正治

    電気学会プラズマ研究会  2009年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • Anisotropic deposition in narrow trenches using hydrogen assisted plasma CVD method 国際会議

    K. Koga, T. Nomura, M. Shiratani, M. Sekine, Y. Setsuhara, M. Hori

    2009年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition profile control of carbon films in trenches using a plasma CVD method (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    The 7th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing  2009年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 高品質a-Si堆積用マルチホロー放電プラズマ

    古閑一憲

    太陽電池製造用新規プラズマ源に関する研究会  2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学西新プラザ   国名:日本国  

  • Conductivity of nc-Si films depsited using multi-hollow discharge plasma CVD method

    K. Koga, Y. Kawashima, W. M. Nakamura, H. Sato, M. Tanaka, M. Shiratani, M. Kondo

    2009年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High Rate Deposition of a-Si:H Depositied using a Low Gas Pressure Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method

    K. Koga, W. M. Nakamura, H. Sato, M. Tanaka, H. Miyahara, M. Shiratani

    2009年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマプロセスにおける揺らぎの抑制と増幅 (招待講演) 招待

    古閑一憲

    プラズマ・核融合学会「プラズマ-バイオ融合科学への新展開」第2回専門委員会  2009年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • シランホロー放電に対する水素希釈の効果

    古閑一憲, 佐藤宙, 中村ウィリアム誠, 宮原弘臣, 松崎秀文, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Dust Particles in Size Range from 1 nm to 10 μm Sampled in LHD 国際会議

    2008年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:NIFS   国名:日本国  

  • Improvement in deposition rate of a-Si:H films using a low pressure multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    K. Koga, H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    ICPP2008 Satellite Meeting on Plasma Physics, Advanced Applications in Aso  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素希釈シラン有磁場マルチホロー放電を用いた高光安定a-Si:H膜の堆積

    古閑一憲, 中村ウィリアム誠, 佐藤 宙, 宮原弘臣, 白谷正治

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いたナノ粒子含有多孔質低誘電率膜の作製

    古閑一憲

    平成20年度西日本放電懇談会  2008年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:門司港ホテル   国名:日本国  

  • Deposition of highly stable a-Si:H films using hydrogen diluted silane hollow discharge 国際会議

    K. Koga, H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    The 3rd International School of Advanced Plasma Technology  2008年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  • Nano-structure formation using Plasma (Invited) 招待

    K. Koga

    2008年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of hydrogen dilution on a-Si:H deposition using silane hollow discharges

    K. Koga, H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of deposition profile of Cu in trenches using ion-enhanced surface reaction (Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani

    The 5th International Symposium on Advanced Plasma Processing, Diagnostics, The 1st International Symposium on Flexible Electronics Technology  2007年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Cluster-suppressed plasma CVD method employing VHF discharges 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Fine Particle Plasmas: Basis, Applications - Third Workshop on Fine Particle Plasmas  2002年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマスパッタリングによるSiナノ構造の自己組織的形成

    古閑 一憲, 甲斐 幹英, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    電気学会 プラズマ研究会  2002年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Correlation between cluster amount, qualities of a-Si:H films for SiH4 plasma CVD 国際会議

    K. Koga, K. Imabeppu, M. Kai, A. Harikai, M. Shiratani, Y. Watanabe

    American Vaccum Society 49th International Symposium  2002年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • クラスタ抑制プラズマCVD法を用いて堆積したa-Si:H膜の膜質に及ぼす放電周波数の影響

    古閑 一憲, 今別府 謙吾, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成14年度応用物理学会九州支部講演会  2002年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • クラスター抑制プラズマCVD法による高品質a-Si:H堆積

    古閑 一憲, 白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第18回九州・山口プラズマ研究会  2002年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電を用いたナノ結晶シリコンクラスタの生成

    古閑 一憲, 甲斐 幹英, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • アモルファスシリコン作製になぜ放電周波数を高周波化するか?

    古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    西日本放電懇談会  2002年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Carbon nano-particles due to interaction between H2 plasmas, carbon wall 国際会議

    K. Koga, R. Ueharaa, M. Shiratani, Y. Watanabe, A. Komori

    Joint Meeting of 16th European Conference on Atomic, Molecular Physics of Ionized Gases, 5th International Conference on Reactive Plasmas  2002年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Suppression methods of cluster growth in silane discharges, their application to deposition of super high quality a-Si:H films 国際会議

    K. Koga, K. Imabeppu, M. Kai, A. Harikai, M. Shiratani, Y. Watanabe

    International Workshop on Information, Electrical Engineering (IWIE2002)  2002年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • クラスタ抑制PECVD法により作製したa-Si:H薄膜の膜質とクラスタ量の相関

    古閑 一憲, 甲斐 幹英, 今別府 謙吾, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素プラズマとカーボン壁の相互作用による微粒子形成

    古閑 一憲, 上原 龍児, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 小森 彰夫

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスタ量と電子エネルギー分布への放電周波数の影響

    古閑 一憲, 針貝 篤史, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In situ mesurement of size, density of particles in sub-nm size range 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Seminar of Particle Technology Division of Korean Chemical Engineering  2002年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • In situ mesurement of size, density of particles in subnm size range (Invited) 招待

    K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    The Seminar of Particle Technology Division of Korean Chemical Engineering  2002年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Preliminary experiments on dust particles formation due to interaction between plasma, graphite wall 国際会議

    K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Fine Particle Plasmas: Basis, Applications - Second Workshop on Fine Particle Plasmas  2001年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • LSI内微細銅配線形用プラズマCVD

    古閑 一憲, 白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第17回九州・山口プラズマ研究会  2001年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ダイバータ壁とプラズマの相互作用による微粒子形成機構研究用装置の試作

    古閑 一憲, 徳安 達郎, 上原 龍児, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第18回プラズマ・核融合学会年会  2001年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電中のクラスタ成長に関する水素希釈と励起周波数の効果

    古閑 一憲, 針貝 篤史, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 渡邉 剛

    第62回応用物理学学術講演会  2001年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of super high quality a-Si:H thin films using cluster-suppressed plasma CVD reactor 国際会議

    K. Koga, T. Sonoda, N. Shikatani, M. Shiratani, Y. Watanabe

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases  2001年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • クラスタ抑制プラズマCVD装置による高品質a-Si:H作製

    古閑 一憲, 園田 剛士, 鹿谷 昇, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素希釈シラン高周波放電中の電子密度及びイオン密度

    古閑 一憲, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of H2 dilution, excitation frequency on initial growth of clusters in silane plasmas 国際会議

    K. Koga, K. Tanaka, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Plasma Science Symposium 2001/ 18th Symposium on Plasma Processing  2001年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • シランプラズマ中に発生する微粒子の表面付着確率

    古閑 一憲, 徳安 達郎, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度応用物理学会九州支部講演会  2000年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のSinHxクラスタ核のその場計測と成長制御

    古閑 一憲, 田中 健一, 徳安 達郎, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    プラズマ・核融合学会九州地区第4回研究発表講演会  2000年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Initial growth of clusters in silane rf discharges 国際会議

    K. Koga, K. Tanaka, T. Tokuyasu, M. Shiratani, Y. Watanabe

    53rd Annual Gaseous Electronics Conference  2000年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • シランプラズマ中のクラスタ成長に対する水素希釈・放電周波数の効果

    古閑 一憲, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電中クラスタの表面付着確率

    古閑 一憲, 徳安 達郎, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電中のクラスタのサイズ・密度測定

    古閑 一憲, 松岡 泰弘, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ中のクラスタの新計測法

    古閑 一憲, 松岡 泰弘, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第17回プラズマプロセシング研究会  2000年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中の微粒子成長の基板材料依存性

    古閑 一憲, 前田 真一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおける微粒子発生

    古閑 一憲, 前田 真一, 松岡 泰弘, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    プラズマ・核融合学会九州地区第3回研究発表講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素希釈によるシラン高周波放電中微小微粒子の抑制効果

    古閑 一憲, 松岡 泰弘, 田中 健一, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第60回応用物理学学術講演会  1999年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電における微小微粒子の抑制

    古閑 一憲

    西日本放電懇談会  1999年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Characteristics of Asymmetric Ion Sheath in a Negative Ion Plasma 国際会議

    K. Koga, H. Naitou, Y. Kawai

    2nd International Conference on the Physics of Dusty Plasmas  1999年5月 

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    開催年月日: 1999年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • イオンシース不安定性と非対称イオンシース構造

    古閑 一憲, 内藤 裕志, 河合 良信

    プラズマ・核融合学会九州地区第2回研究発表講演会  1999年2月 

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    開催年月日: 1999年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマスパッタによる高移動度アモルファスITO成膜におけるハイブリッド機械学習モデル

    鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • Large-Scale Fabrication of Tm3 Fe5 O12 Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy Using Magnetron Sputtering 国際会議

    A. M. Nurut, S. Obinata, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Yamashita

    ISPlasma  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • イネ種皮のプラズマ起因化学種透過性の二次元分布解析

    史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射によるシロイヌナズナ種皮の物質透過性変化

    奥村賢直, 古閑一憲, アタリパンカジ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 南原英司

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • モデル植物ゼニゴケを用いた低温プラズマ照射の初発反応と成長に対する影響の解析

    坪山祥子, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 朽津和幸

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • 大気圧プラズマを用いた窒素固定における電極温度の効果

    中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • ソルガム種子への空気プラズマ照射による発芽・生育促進効果

    柳川由紀, 蒔田由布子, 奥村賢直, 藤田美紀, 栗山朋子, 河内正治, 松井南, 古閑一憲

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • プラズマを用いた CO2 のメタン化におけるモレキュラーシーブの活用

    都甲将, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • CxHy+ArプラズマCVDを用いた水素化アモルファスカーボン膜の堆積特性に対するガス圧力の効果

    小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会 春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • Sputtering deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films on seed layers grown via solid phase crystallization of fractionally crystallized ZnON films 国際会議

    Y. Wada, S. Zhiyuan, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ISPlasma  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of carbon nanoparticles fabricated by multi-hollow discharge plasma CVD on DC biased substrates 国際会議

    K. Koga, S. Ono, M. Eri, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M.Shiratani

    ISPlasma  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Molecular structure analysis of DBD plasma irradiated DMPO by LC-MS 国際会議

    T. Okumura, H. Shi, P.Attri, D. Yamasita, K. Kamataki, N.Yamasita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratan

    ISPlasma  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of CO and H2O2 in plasma agriculture 国際会議

    P. Attri, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, M. Shiratani

    ISPlasma  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nitrogen Fixation to Leaf Mold Using Air Plasma and Evaluation of Phenotype Response of Sugarcane to Nitrogen-Fixed Fertilizer 国際会議

    T.Nakao, T. Okumura, P. Attri, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Koga

    ISPlasma  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラネタリバウンダリに貢献するプラズマ農業(招待講演) 招待

    古閑一憲

    2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • プラズマスパッタによる高品質アモルファスITO薄膜形成のためのハイブリッド機械学習モデル 招待

    鎌滝晋礼,板垣 奈穂,山下 大輔, 奥村 賢直,山下 尚人, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Predictions for High Quality Amorphous ITO(In2O3:Sn) Film Formation via Hybrid Machine Learning Model 招待 国際会議

    K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

    ICTS  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Induction of plant responses by plasma irradiation to seeds and their quantitative evaluation 招待 国際会議

    T. Okumura, P. Attri, Y. Ishibashi, K.Koga, M. Shiratani

    ICTS  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Understanding Plant Molecular Response to Low-temperature Plasma Irradiation(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    ICMAP2024  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of Carbon Nanoparticle Interposed between Two Hydrogenated Amorphous Carbon Films on Surface Morphology of a-C:H Film

    S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Enhancement of The Coercivity and Blocking Temperature of Co doped ZnO films by RF sputtering Using Nitrogen 国際会議

    M. N. Agusutrisno, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Yamashita

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of Elastic Parameters of a-C:H Film with Carbon Nanoparticles Using Nanoindentation Method 国際会議

    K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hybrid machine learning model prediction for high mobility amorphous ITO films fabricated by RF plasma sputtering 国際会議

    K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of ZnO Based Transparent Conducting Oxide as an Alternative to In2O3:Sn by Sputtering Combined with Solid Phase Crystallization 国際会議

    N. Itagaki, Z. Shen, Y. Wada, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Catalytic ability of Cu and Ni in methanation with plasma catalysis 国際会議

    S. Toko, T. Okumura, K. Kamataki, K. Takenaka, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • クメンを用いた二周波容量結合プラズマ CVD 法による a-C:H 膜の製膜特性

    恵利眞人, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷 正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • PECVD を用いた a-C:H 成膜における添加希ガス種における成膜機構の違い

    池田築, 大高真寛,大友洋,脇田大地,頼建勲,鎌滝晋礼, 山下大輔,奥村賢直,山下尚人,板垣奈穂,古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央,松土龍夫

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 任意波形放電による水素化アモルファスカーボン成膜:イオンフラックスが膜質に与える影響

    脇田大地,大高真寛,池田築,頼建勲,大友洋,鎌滝晋礼,山下直人,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治,進藤崇央,松土龍夫

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 逆 Stranski-Krastanov モードによるサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜のエピタキシャル成長:バッファー層のモフォロジーの影響

    畑昌太朗,中野祐太郎,成重椋太,山下尚人,鎌滝晋礼,奥村賢直,古閑一憲,白谷正治,木山治樹,板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 逆 Stranski-Krastanov モードを利用した異なるオフ角を有するサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

    中野祐太郎,成重椋太,山下尚人,鎌滝晋礼,奥村賢直,古閑一憲,白谷正治,木山治樹,板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 放電電圧変調波形が高周波容量結合プラズマに与える影響:PIC-MCC シミュレーション

    長尾伊織,山本祐馬,佐藤優志,鎌滝晋礼,山下尚人, 奥村賢直,木山治樹,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 水と大気圧プラズマの相互作用による二酸化炭素分解

    乙部響, P. Attri,奥村賢直, 史合平, 中尾匠,日高直哉, 鎌滝晋礼,山下大輔,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • TEOS-PECVD における発光分光計測を用いたSiO2 薄膜膜質推定についての研究

    佐藤優志, 山本祐馬, F. W. Sukuma, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第27回 支部大会  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山口KDDI維新ホール   国名:日本国  

  • 空気プラズマを用いた窒素固定に対する放電電力密度の効果

    中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

    第40回 プラズマ・核融合学会 年会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アイーナ・いわて県民情報交流センター   国名:日本国  

  • リアルタイム蛍光イメージングによる非熱プラズマ照射に対するゼニゴの初発応答解析

    奥村賢直, 坪山祥子, 古閑一憲, 白谷正治, 朽津和幸

    第40回 プラズマ・核融合学会 年会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アイーナ・いわて県民情報交流センター   国名:日本国  

  • Effect of the plasma-generated reactive species on protein folding

    P. Attri, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, M. Shiratani

    2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ中に浮遊する微粒子の帯電量の新評価法

    井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, P. Yiming, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 富田健太郎

    2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学伊都キャンパス   国名:日本国  

  • TEOS-PECVD によるSiO2成膜におけるプラズマ発光強度と膜質の関係

    山本祐馬, 佐藤優志, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学伊都キャンパス   国名:日本国  

  • 任意電圧波形放電による容量結合プラズマにおける重畳周波数の効果:PIC-MCCモデル

    頼 建勳, 鎌滝 晋礼, 山下 大輔, 奥村 賢直, 山下 尚人, 板垣 奈穂, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学伊都キャンパス   国名:日本国  

  • Sputtering deposition of single crystalline ZnO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode: effects of thickness of 3D island buffer layer

    H. Otsuyama, R. Mitsuishi, T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparative study of deposition characteristics of different precursors for plasma CVD 国際会議

    S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kunihiro, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    DPS2023  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Quantitative Analysis of Electric Field Intensity Generated by Scalable Dielectric Barrier Discharge Electrodes for Irradiating to Plant Seeds 国際会議

    K. Koga, T. Okumura, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, M. Shiratani

    DPS2023  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 持続可能世界へのプラズマ農業の可能な貢献

    白谷正治,アトリパンカジ,奥村賢直,古閑一憲

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • 水分存在下の大気圧プラズマ誘起CO2変換

    古閑一憲,アタリパンカジ,史合平,中尾匠,奥村賢直,白谷正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • 大量処理のためのプラズマ照射による土壌への窒素固定化の最適化

    中尾 匠,奥村 賢,アタリ パンカジ,山下 大輔,鎌滝 晋礼,山下 尚人,板垣 奈穂,白谷 正治,古閑 一憲

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • 液体クロマトグラフィー質量分析法を用いたプラズマ被照射物からの亜硝酸塩および硝酸塩の同時検出法の開発

    日高 直哉,奥村 賢直,アタリ パンカジ,鎌滝 晋礼,山下 尚人,板垣 奈穂,古閑 一憲,白谷 正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • スケーラブル誘電体バリア放電プラズマを照射したDMPOの質量分析

    乙部 響,史 合平,奥村 賢直,阿南 輝樹,アタリ パンカジ,山下 大輔,鎌滝 晋礼,山下 尚人,板垣 奈穂,古閑 一憲,白谷 正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • 質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における分子修飾解析

    史 合平,奥村 賢直,パンカジ アトリ,山下 大輔,鎌滝 晋礼,山下 尚人,板垣 奈穂,古閑 一憲,白谷 正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • 低温プラズマによる植物の成長制御の分子メカニズム: 植物における活性酸素種の生理的役割

    朽津和幸,坪山祥子,橋本貴史,橋本研志,奥村賢直,古閑一憲,白谷正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • Plasma effect on the enzyme structure: Experimental and simulation studies

    P. Attri,T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, M. Shiratani

    2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 種子への誘電体バリア放電プラズマ照射による植物の応答誘導

    奥村賢直,アタリパンカジ,古閑一憲,白谷正治

    第33回日本MRS年次大会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市産業貿易センタービル   国名:日本国  

  • Catalase enzyme inhibition's effect on plasma medicine 国際会議

    P. Attri, T. Okumura1, K. Koga, M. Shiratani

    AAPPS-DPP2023  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Predictions for High Mobility Amorphous ITO(In2O3:Sn) Films via Hybrid Machine Learning Model 国際会議

    K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

    AAPPS-DPP2023  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impact of plasma irradiation on plant seeds metabolism 国際会議

    T. Okumura, P. Attri, Y. Ishibashi, K. Koga, M. Shiratani

    AAPPS-DPP2023  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Highly sensitive electric field vector measurements using an optically trapped fine particle 国際会議

    Global Plasma Forum in Aomori  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Controlling the synthesis, transport, and surface coverage of carbon nanoparticles using plasma CVD 国際会議

    S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Global Plasma Forum in Aomori  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of carbon nanoparticle adhesion on substrate surface deposited by plasma CVD 国際会議

    K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    Global Plasma Forum in Aomori  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of Interaction Between Substrate and Nanoparticles Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

    K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N.Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    GEC  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • プラズマ照射による窒素固定肥料へのサトウキビの表現型応答解析

    中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測(4)

    鎌滝晋礼, 佐藤斗真, 井口恒聖, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成と透明導電膜シード層としての効果:ZnON膜の結晶化度の影響

    和田義晴, 沈志遠, 薮田久人, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 逆Stranski-Krastanovモードを用いたサファイア基板上へのZnO単結晶膜成長:MgOバッファー層の効果

    湯上貴文, 矢高功太郎, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • サファイア基板上への原子ステップを有するZn1-xMgxO薄膜の形成:3次元島バッファー層の形成温度の影響

    矢高功太郎, 湯上貴文, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • ZnOおよびScAlMgO4ステップ基板上への(ZnO)x(InN)1-x膜の室温エピタキシャル成長

    成重椋太, 中野祐太朗, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 薮田久人, 板垣奈穂

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 逆Stranski-Krastanovモードによる格子不整合基板上への原子平坦 (ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

    中野祐太郎, 成重椋太, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 木山治樹, 薮田久人, 板垣奈穂

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 質量分析を用いたプラズマ照射DMPOの分子修飾解析

    史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • サンドウィッチ構造 a-C:H 膜の剥離と強度に対する 膜界面に堆積したナノ粒子の効果

    小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 任意波形放電を用いた水素化アモルファスカーボン膜の膜質制御

    大高真寛,大友洋, 池田築, 頼建勲, 脇田大地, 鎌滝晋礼, 山下直人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • プラズマを用いたCO2の水素還元における選択性の制御

    都甲将, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール他   国名:日本国  

  • 質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における変動分子の組織別解析

    史合平, 奥村賢直, A. Pankaj, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:崇城大学   国名:日本国  

  • 大気圧空気プラズマによる硝酸態窒素固定量に対する放電電力密度依存性

    中尾匠, 奥村賢直, A. Pankaj, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

    2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:崇城大学   国名:日本国  

  • Measurement of electric field, UV photons, and long-lifetime reactive species generated by atmospheric pressure air plasma for plasma bio applications 国際会議

    T. Okumura, S. Tsuboyama, Y. Tagawa, T. Nakao, T. Anan, H. Tanaka, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, K. Kuchitsu

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Effects of tailored voltage waveform discharges on deposition of hydrogenated amorphous carbon films by CH4/Ar capacitively coupled plasma 国際会議

    M. Otaka, H. Otomo, K. Ikeda, J. Lai, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Optical tweezers technique for electric field strength and fluctuation measurements in plasma using a fine particle 国際会議

    T. Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Control of ion trajectory in high aspect ratio trenches by using amplitude modulated rf discharges 国際会議

    I. Nagao, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Investigation of particle charge and interparticle interaction in a plasma 国際会議

    K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Coverage control of carbon nanoparticles on substrate using capacitively coupled plasma chemical vapor deposition 国際会議

    K. Koga, S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Sputter epitaxy of atomically flat (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnO(N) buffer layers fabricated by Ar/N2 discharges 国際会議

    Y. Nakano, R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta, N. Itagaki

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Deposition characteristics of cumene plasma CVD for high-speed deposition of high-density a-C:H films 国際会議

    S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Relation between Spatial Distribution of Optical Emission Intensity and SiO2 Film Property in TEOS-PECVD 国際会議

    Y. Yamamoto, I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Effects of Ne mixing on plasma enhanced chemical vapor deposition of a-C:H films using CH4/Ar/Ne capacitively coupled discharges 国際会議

    K. Ikeda, M. Otaka, H. Otomo, T. Arima, J. Lai, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Sputter epitaxy of Zn1-xMgxO films on lattice-mismatched sapphire substrates utilizing ZnO(N)/MgO buffer layers fabricated by Ar/N2 and Ar/O2 discharges 国際会議

    T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Pseudomorphic growth of (ZnO)x(InN)1-x films on ZnO substrates by magnetron sputtering using Ar/N2/O2 discharges 国際会議

    R. Narishige, Y. Nakano, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Sputter deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films using ZnO seed layers grown via solid-phase crystallization 国際会議

    Y. Wada, Z. Shen, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Effects of lower discharge frequency on ion energy distribution function in dual frequency plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo method 国際会議

    J. Lai, T. Arima, M. Otaka, K. Ikeda, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

    ICPIG2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Stress reduction of a-C:H films by nano-structuring of inter-layer of films deposited by plasma CVD(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, S. Ono, T. Okumura, M. Shiratani

    Thermec'2023  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  • Molecular Recognition and Response in Plants from Plasma Irradiation(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga

    IWOPA4  2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • プラズマ中帯電微粒子の相互作用に関する研究

    井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, P. Yiming, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2023年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アルカス佐世保   国名:日本国  

  • ナノ粒子を用いた膜界面の形状ゆらぎによる膜応力低減

    小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2023年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アルカス佐世保   国名:日本国  

  • Plasma-induced CO2 conversion: Experimental and Computational study 国際会議

    P. Attri, T. Okumura, K. Koga, N. Takeuchi, K. Kamataki, M. Shiratani

    ISPC25  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Prediction of Plasma CVD Process Data of a-Si:H Films via Machine Learning 国際会議

    K. Kamataki, F. L. Chawarambwa, D. Yamashita, N. Yamashita, T.Okumura, N. Itagaki, K.Koga, M. Shiratani

    ISPC25  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of sputtering of a-C:H films on the chemical composition 国際会議

    M. Shiratani, K. Ikeda, M. Otaka, S. Ono, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki

    ISPC25  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • TEOSプラズマSiO2成膜に及ぼす振幅変調放電の効果

    山本晃大、長尾伊織、山本祐馬、大高真寛、山下大輔、鎌滝晋礼、奥村賢直、山下尚人、板垣奈穂、古閑一憲、白谷正治

    2022年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2022年6月 

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    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • 大気圧空気プラズマで生成した硝酸態窒素の水表面への輸送評価

    中尾匠、奥村賢直、P. Attri、古閑一憲、山下大輔、鎌滝晋礼、山下尚人、板垣奈穂、白谷正治

    2022年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2022年6月 

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    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • 逆Stranski-Krastanovモードによる単結晶ZnO薄膜のスパッタリング成膜:窒素流量の影響

    三石遼, 山下尚人, 矢高功太郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2022年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2022年6月 

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    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • Development of Measurement of Two-Dimensional Distribution of Strength of Electrical Field with High Spatial Resolution Using Optical Trapped Particle in Plasma 国際会議

    K. Kamataki, S. Okunaga,T. Sato,K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Key parameters for single crystalline ZnO film growth by magnetron sputtering via inverted Stranski-Krastanov mode 国際会議

    N. Yamashita, Y. Nakamura, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Growth of Nanoparticles in TEOS rf Plasma with Amplitude Modulation 国際会議

    A. Yamamoto, K. Abe, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M.Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Epitaxial Growth of Atomically Flat Single-crystalline (ZnO) (InN) Films on O-polar ZnO Substrates by Magnetron Sputtering 国際会議

    R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N.Itagaki

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Quantitative Evaluation through LC-QqQ MS/MS for RONS Induced into Dry Seeds by Non-Thermal Plasma Irradiation 国際会議

    T. Okumura , K. Koga , P. Attri , K. Kamataki , N. Yamashita , N. Itagaki, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Structural Control of Hydrogenated Amorphous Carbon Films by Substrate Position and Gas Pressure in Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

    S. Ono, S. H. Hwang, D. Yoshikawa, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, J. S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Amplitude Modulation Frequency Dependence of Ion Energy Distribution in Capacitively Coupled Discharge Plasma Studied by Particle-in-Cell/Monte Carlo Collision Method 国際会議

    I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Position Fluctuation of a Fine Particle Trapped with Laser Tweezers in Ar Plasma 国際会議

    T. Sato, S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effects of rf Frequency on Plasma Density in Capacitively Coupled Plasmas at Low Pressure Studied by Particle-in-Cell/Monte Carlo Collision Method 国際会議

    T. Arima , T. Yang, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Time Resolved Optical Emission Spectroscopy in Ar and Ar/Ne Capacitively Coupled Radio Frequency Plasma 国際会議

    M. Otaka, D. Nagamatsu, T. Arima, K. Kamataki, D. Yamashita, N. yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Stress Relaxation of Hydrogenated Amorphous Carbon Films by Incorporating Carbon Nanoparticles Using Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, S. Ono, D. Yoshikawa, T. Okumura, N. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, J-S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Epitaxial Growth of Single-Crystalline ZnO Films on Sapphire Substrates via Inverted Stranski-Krastanov Mode by Low-Power Magnetron Sputtering 国際会議

    R. Mitsuishi, N. Yamashita, D.Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS spring meeting 2022  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • 任意電圧波形励起PECVDによるa-C:H成膜における希ガスの効果の検証

    永松 大樹, 有馬 聡明, 大高 真寛, 山下 大輔, 鎌滝 晋礼, 古閑 一憲, 白谷 正治, 大友 洋, 進藤 崇央, 田中 諭志, 松戸 龍夫

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • 光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測

    鎌滝晋礼, 奥永冴京, 佐藤斗真, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人,奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ CVD 法を用いた a-C:H 薄膜製膜特性に対するガス圧力・基板位置の効果

    小野晋次郎, 吉川大智, 黄成和, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 呉準席, 鷹林将, 中谷達行

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • CNP 層を挿入した a-C:H 膜の応力低減に対する CNP 被覆率の効果

    吉川大智, 小野晋次郎, 黄成和, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 鷹林将,呉準席, 中谷達行

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ触媒作用を用いたCO2メタネーションにおける振動回転励起CO分子の役割

    都甲 将, 出口 雅志, 長谷川 大樹, 奥村 賢直, 鎌滝 晋礼, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 白谷 正治, 節原 裕一

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • 植物へのプラズマ照射効果解明に向けたゼニゴケ実験系の確立

    古閑一憲, 坪山祥子,田川雄大, 中尾匠,田中颯,阿南輝樹,奥村賢直 ,P. Attri,鎌滝晋礼,山下尚人 ,板垣奈穂 ,白谷正治 ,朽津和幸

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • 任意電圧波形励起 PECVD による a-C:H 成膜における希ガスの効果の検証

    永松大樹, 有馬聡明, 大高真寛, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 大友洋, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • パルス放電プラズマを用いたCO2メタン化に対する放電休止時間の効果

    長谷川大樹,出口 雅史,山下大輔,都甲将,鎌滝晋礼,古閑一憲, 白谷正治

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • 調湿レタス種子のラジカル量に与えるプラズマ照射の効果

    奥村賢直,阿南輝樹,パンカジアタリ, 古閑一憲, 鎌滝晋礼,山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 石橋勇

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子の皮下および気管内投与による生体影響の比較

    田中昭代, 松村渚, 田中佑樹, 小椋康光, 古閑一憲, 白谷正治, 長野嘉介

    第92回日本衛生学会学術総会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学・オンライン   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いて堆積した薄膜のナノ構造化による機械的特性制御

    古閑一憲,黄成和,小野晋次郎,吉川大智, 奥村賢直,鎌滝晋礼,山下尚人,板垣奈穂,白谷正治

    日本物理学会 第77回年次大会(2022年)  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月 - 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Deposition of Carbon Nanoparticles of 5 nm in Size on Positively Biased Substrates using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, S. Ono, D. Yoshikawa, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    ISPlasma2022/IC-PLANTS2022  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Concentration of Plasma Activated Lactate on Germination of Arabidopsis thaliana Seeds 国際会議

    H. Tanaka, T. Okumura, P. Attri, T. Anan, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Ishibashi, M. Nakano, K. Namiki, S. Tsuboyama, K. Hashimoto, K. Kuchitsu, H. Hashizume, K. Ishikawa, M. Hori, K. Koga

    ISPlasma2022/IC-PLANTS2022  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ナノダストの堆積制御

    古閑一憲

    令和3年度LHDにおけるプラズマ・壁相作用に関する研究会および静岡大学「放射科学が切り拓くグリーン・エネルギー超領域科学研究」研究会  2022年2月 

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    開催年月日: 2022年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ触媒を用いたCO2メタン化のためのプラズマシミュレーシンョン

    都甲将,出口雅志, 長谷川大樹, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲,白谷正治, 節原裕一

    2022年1月 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ照射肥料を用いて栽培した植物の成長解析

    奥村 賢直, アタリバンカジ,中尾匠, 田中颯, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 古閑ー憲, 板垣奈穂, 白谷正治, 竹内希

    2022年1月 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ照射による酸化還元反応に対する種子内水分量の効果

    阿南 輝樹, 田中颯,奥村賢直, アタリパンカジ, 中尾匠, 鎌滝晋礼,山下尚人, 板垣奈穂,古閑ー憲, 白谷 正治

    2022年1月 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • AM変調放電を圧いたTEOS プラズマにおけるナノ粒子成長とプラズマ生成の関係についての研究

    鎌滝晋礼, 阿部滉平, 山本晃大, 長尾伊織, 大高真寛, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑ー憲, 白谷正治

    2022年1月 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 異なる状態の混合粉末ターゲットによるAlドープ酸化亜鉛薄膜のスパッタリング堆積

    大島多美子, 日比野祐介,猪原武士,柳生義人, 佐竹卓彦, 川崎 仁晴, 青木 振一, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2022年1月 

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    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 光ピンセット技術を用いたプラズマ中微粒子への作用力の絶対値校正

    佐藤斗真, 奥永冴京, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Solid-phase Crystallization of Sputter-deposited ZnON Films and Their Impacts as Seed Layers for ZnO:Al Transparent Conducting Oxides

    Z. Shen, N. Yamashita, Y. Mido, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 逆 Stranski-Krastanov モードを利用した単結晶 ZnMgO 薄膜のスパッタリング成膜

    矢髙功太郎, 山下尚人, 髙橋大智, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 平行平板容量結合高周波放電プラズマの AM 変調周波数依存性に関する PICMCC シミュレーション

    長尾伊織, 阿部滉平, 山本晃大, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • PIC-MCCM を用いた平行平板容量結合プラズマに対する放電周波数依存性に関する研究

    陶陽, 阿部滉平, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 平行平板容量結合高周波プラズマ発光の時空間分解計測

    大高真寛, 有馬聡明, 永松大樹, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • N2/SiH4 flow rate ratio dependence of nanoparticle incorporation in SiNx films deposited by plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, Y. Sasaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Kinetic study of effects of discharge power on CO2 methanation using a plasma catalyst 国際会議

    T. Hasegawa, M. Ideguchi, D. Yamashita, S. Toko, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of rf bias on the film property of amorphous silicon oxide films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition 国際会議

    A. Yamamoto, K. Abe, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Structural Analysis of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Deposited by Capacitively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

    S. Ono, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, J. S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of pulse rf discharge on carbon dioxide methanation in plasma catalytic method 国際会議

    M. Ideguchi, T. Hasegawa, D. Yamashita, S. Toko, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Green route for ammonium nitrate synthesis: Fertilizer for plant growth enhancement 国際会議

    P. Attri, K. Koga, T. Okumura, N. Takeuchi, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of intraseed moisture and plasma irradiation on lettuce seed surface 国際会議

    T. Okumura, T. Anan, H. Tanaka, D. Yamashita, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi, Y. Fujimoto, M. Kumauchi, H. Matsui

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ion Energy Distribution Function in DC Pulse biased Capacitively Coupled Plasma Discharge by using Particle-In-Cell/Monte Carlo Collision Model 国際会議

    K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Investigation of 2D electric field measurements in Ar plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers 国際会議

    K. Kamataki, S. Okunaga, T. Sato, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study of Position Fluctuation of a Fine Particle Trapped with Laser Tweezers in Ar Plasma 国際会議

    T. Sato, S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Calibration of force acting on an optically trapped particle in Ar plasma 国際会議

    S. Okunaga, T. Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, T. Okumura, N.Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Structural analysis of carbon nanoparticle composite films prepared by Ar+CH4 multi-hollow plasma chemical vapor deposition 国際会議

    S. H. Hwang, S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurements of Radial and Vertical Electric Field in Capacitively Coupled Plasma 国際会議

    Y.Tao, D. Nagamatsu, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Possible plasma oxidation effect on the binding of C-terminal Domain of SARS-CoV-2 Spike Protein with Human Angiotensin-Converting Enzyme 2 (hACE2): A computational study 国際会議

    K. Koga, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, P. Attri

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Developing Prediction of Key Process Parameters of Plasma CVD for Fabricating a-Si:H Solar Cells through Boosting Technique 国際会議

    F. Chen, K. Kamataki, Y. Tao, S. Okunaga, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Improved luminescence performance of Yb3+-Er3+-Zn2+: Y2O3 nanophosphor and its application to Solar Cells

    L. F. Chawarambwa, K. Koga, K. Kamataki, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma treatment causes structural modifications in proteins, result in increased cytotoxicity towards cancer cells

    P.Attri, K. Koga, T. Okumura, M. Shiratani

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ポッケルスセルを用いたスケーラブル誘電体バリア放電により生じる電界の測定

    田川雄大, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, A. Pankaj, 山下大輔, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • スケーラブル誘電体バリア放電による対象物への活性酸素窒素種暴露量の評価

    中尾匠, 阿南輝樹, 田中颯, 奥村賢直, 山下大輔, A. Pankaj, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 水素と触媒を用いない低圧窒素プラズマを用いた窒素肥料作製

    古閑一憲, アタリ パンカジ, 奥村賢直, 竹内希, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 電子常磁性共鳴法を用いたレタス種子内ラジカル量のプラズマ照射時間依存性

    阿南輝樹, 田中颯, 奥村賢直, A. Pankaj, 山下大輔, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 石橋勇志, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • イネ種子へのプラズマ照射がDNAメチル化レベルに及ぼす影響

    田中颯, 阿南輝樹, 奥村賢直, A. Pankaj, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, S. Chetphilin, 石橋勇志, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ照射された植物種子に関する物理的、化学的および分子生物学的研究 招待

    奥村賢直, アトリ パンカジ,石橋勇志, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第31回日本MRS年次大会  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Investigation of Growth Suppression Mechanism of Nanoparticles through Amplitude Modulation Discharge Method in TEOS Plasma 国際会議

    K. Kamataki, K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

    the 12th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (APSPT-12)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Oxidation of Catalase by Plasma Treatment: A Probable Mechanism of Cancer Treatment 国際会議

    P. Attri, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

    the 12th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (APSPT-12)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Flowing Electrolyte System of Bifacial Dye-Sensitized Solar Cells Under Low-Concentrated Light 国際会議

    T. E. Putri, L. F. Chawarambwa, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    MRS fall meeting 2021  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • High-temperature Growth of Amorphous In O :Sn Films by Magnetron Sputtering using Nitrogen 国際会議

    Y. Mido, K. Takeda, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, M. Hori, N. Itagaki

    MRS fall meeting 2021  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Epitaxial Growth of Atomically Flat Single-crystalline (ZnO) (InN) Films on O-polar ZnO Substrates by Magnetron Sputtering 国際会議

    R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS fall meeting 2021  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Inverted Stranski-Krastanov Growth of Single-Crystalline Zn Mg O Films on Sapphire Substrates using Magnetron Sputtering 国際会議

    D. Takahashi, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    MRS fall meeting 2021  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effects of Plasma Irradiation to Moistened Seeds on Radical Amount 国際会議

    T. Anan, H. Tanaka,T. Okumura, P. Attri,D. Yamashita,K. Kamataki,K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, Y.Ishibashi

    The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of a-C:H films using tailored voltage waveforms in plasma enhanced CVD 国際会議

    D. Nagamatsu, T. Arima, M. Otaka, H. Otomo, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

    The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering deposition of single crystalline ZnO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode: effects of RF power 国際会議

    R. Mitsuishi, D. Takahashi, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ照射した植物の発芽・生長の分子機構検討(招待講演) 招待

    古閑一憲

    プラズマ・核融合学会 第38回年会  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 植物照射用スケーラブル誘電体バリア放電の生成粒子の計測

    古閑一憲,田川雄大,中尾匠,阿南輝樹,田中颯,奥村賢直,P. Attri,鎌滝晋礼,板垣奈穂,白谷正治,坪山祥子,橋本研志,朽津和幸

    プラズマ・核融合学会 第38回年会  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 種子に導入された大気圧空気プラズマ起因活性種の高感度微量定量測定法の創成

    奥村賢直,パンカジアトリ,古閑一憲,鎌滝晋礼,板垣奈穂,白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第38回年会  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Better step coverage of TEOS-PECVD SiO2 films realized by amplitude modulation of RF discharge voltage 国際会議

    K. Kamataki, K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, S. Tahara, Y. Mizokami, Y. Miyata, K. Tabuchi, T. Tanikuni, S. Hiyama, K. Nagahata

    42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Reduction of compressive stress of hydrogenated amorphous carbon films by inserting carbon nanoparticle layer using plasma CVD 国際会議

    S. H. Hwang, S. Ono, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, J.-S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

    42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study of effect of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS plasma 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga

    42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Energy utilization efficiency in CO2 methanation with plasma catalysis 国際会議

    S. Toko, M. Ideguchi, T. Hasegawa, K. Kamataki, K. Takenaka, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara

    42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Restoring germination rate of heat-stressed seeds by low temperature plasma treatment 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    Japan-RUB Workshop  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年10月 - 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Low-stress diamond-like carbon films containing carbon nanoparticles produced by combining rf sputtering and plasma chemical vapor deposition 国際会議

    S. H. Hwang, S. Ono, D. Yoshikawa, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

    Japan-RUB Workshop  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年10月 - 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Molecular Analysis of Plasma-Induced Germination Improvement of Rice Seeds With High-Temperature Stress Damage 国際会議

    K. Koga, Y. Ishibashi, C. Suriyasak, T. Okumura, H. Tanaka, P. Attri, K. Matsuo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Kamataki, M. Shiratani

    AVS67  2021年10月 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Transport of Nanoparticles in Afterglow Region Using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    74th Annual Gaseous Electronics Conference  2021年10月 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effect of plasma treatment on MDM2 and p53 expression in cancer cells 国際会議

    5th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月 - 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on measurement of strength and fluctuation of electrical field using optical trapped particle in Ar plasma 国際会議

    K. kamataki, S. Okunaga, T. Sato, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月 - 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Suppression of nanoparticle growth in TEOS plasma by amplitude modulation discharge method 国際会議

    K. Abe, A.Yamamoto, I.Nagao, M.Otaka, D.Yamashita, K.Kamataki, T.Okumura, N.Itagaki, K.Koga, M.Shiratani

    5th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月 - 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • スケーラブル誘電体バリア放電プラズマで発生した活性種量評価

    中尾匠, 阿南輝樹, 田中颯, 奥村賢直, P. Attri, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第74回電気・情報関係学会九州支部連合大会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • スケーラブル誘電体バリア放電プラズマの特性評価

    田川雄大, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, P. Attri, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第74回電気・情報関係学会九州支部連合大会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 反応性プラズマを用いたナノ粒子の成長制御とその応用展開(招待講演) 招待

    古閑一憲

    化学工学会第52回秋季大会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山大学 津島キャンパス   国名:日本国  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子の経気道性曝露による生体影響

    田中昭代, 松村渚, 田中佑樹, 小椋康光, 古閑一憲, 白谷正治, 長野嘉介

    第62回大気環境学会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 2D electric field measurements in Ar plasmas using a fine particle trapped with optical tweezers 国際会議

    S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, Y. Pan, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plathinium 2021  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Relation between CH4 yield and CO emission intensity gradient in plasma-assisted CO2 methanation 国際会議

    M. Ideguchi, T. Hasegawa, K. Kamataki, S. Toko, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plathinium 2021  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Epitaxial growth of (ZnO)X(InN)1-X films by magnetron sputtering: effects of surface polarity of ZnO substrates 国際会議

    R. Narishige, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Plathinium 2021  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • 窒素添加スパッタ法による高移動度アモルファスIn2O3:Sn薄膜の高温成膜

    御堂雄大, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ触媒反応において触媒が二酸化炭素リサイクリングのエネルギーコストに与える影響

    都甲将, 出口雅志, 長谷川大樹, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 振幅変調放電プラズマ中の光捕捉微粒子の挙動に関する研究

    鎌滝晋礼, 奥永冴京, 佐藤斗真, 富田健太郎, Pan Yiming, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Ar+CH4平行平板型プラズマCVDで作製したカーボンナノ粒子サイズに対するガス圧力の効果

    古閑一憲, 黄成和, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 鷹林将, 呉準席, 中谷達行, 白谷正治

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 液体クロマトグラフ-トリプル四重極質量分析計を用いたプラズマ照射種子内植物ホルモンの定量分析

    奥村賢直, アトリ パンカジ, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Cold Plasma induced structural modification of NADPH oxidase activator (Noxa 1) by oxidative stress

    P. Attri, T. Okumura. K. Koga, M. Shiratani

    2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜の表面モフォロジーに及ぼす基板極性の影響

    成重椋太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣 奈穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • ZnONバッファー層を用いたサファイア基板上への単結晶Zn1-xMgxO薄膜の成長

    高橋大智, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Effects of Carbon Nanoparticles Inserted between Two Diamond Like Carbon Layers Films on Residual Stress of Films Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

    S. H. Hwang, S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

    INTERFINISH 2020  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Production of Hollow Carbon Nanoparticles using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, J. S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani, M. Shiratani

    INTERFINISH 2020  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 容量結合型プラズマ化学気相堆積法を用いて製膜された水素化アモルファスカーボン膜(a-C:H)の構造解析

    小野晋次郎, 黄成和, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第15回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Comparative study on the decontamination of water using non-thermal atmospheric pressure plasma and gamma irradiation 招待 国際会議

    P.Attri, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

    APA Bioforum2021: Polymeric Biomaterials & Bioengineering  2021年8月 

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    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:インド  

  • Influence of Cold Atmospheric Plasma on NADPH Oxidase 1 (NOX1) Enzyme and Membrane Protein Structures: A Combined Experimental and Computational Study 国際会議

    P. Attri, K. Koga, A. Bogaerts, W. Lee, M. Shiratani

    8th International Conference on Plasma Medicine(icpm)  2021年8月 

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    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • スパッタ法によるサファイア基板上への原子平坦なZnMgO薄膜の作製

    髙橋大智, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • レタス種子表面状態に対する種子内水分およびプラズマ照射の影響

    阿南輝樹, 田中颯, 山下大輔, 奥村賢直, Pankaj Attri, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 石橋勇志, 藤本祉史, 熊内雅人, 松井英享

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Particle-In-Cell モンテカルロ衝突モデルによる容量結合型Arプラズマにおける下部バイアス電圧印加シミュレーション

    阿部滉平, 山本晃大, 長尾伊織, 大高真寛, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 容量結合プラズマ触媒法を用いたサバティエ反応プラズマパラメータがCO2変換率に与える影響

    長谷川大樹, 出口雅志, 山下大輔, 都甲将, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 窒素添加スパッタ法による高移動度アモルファス In2 O3 :Sn 薄膜の作製

    御堂雄大, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • (ZnO)x (InN)1-x 膜のスパッタエピタキシーに及ぼす基板表面極性の影響

    成重椋太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Ambient radiant energy source for powering IoT devices 招待 国際会議

    M. Shiratani, F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, K. Koga, K. Kamataki, M. Son, H. Seo

    Thermec2021  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  • Structure control ofa:C-H film nanocomposite using a combination of rf sputtering and plasma CVD(Invited) 招待 国際会議

    K. Koga, S. H. Hwang, K. Kamataki, P. Attri, N. Itagaki, M. Shiratani

    Thermec2021  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  • Arプラズマ中の光捕捉微粒子への作用力の研究

    鎌滝晋礼,奥永冴京, 岩本 亮介, 富田 健太郎, P.Yiming, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷 正治

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタリング法による(ZnO)x(InN)1-x膜のエピタキシャル成長:基板の面極性の影響

    成重椋太, 金島健太郎, 浦川 聖一, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念シンポジウム  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • ナノ粒子取り込みによる SiNx の低温プラズマ CVD 製膜

    佐々木勇輔, 吉田知晃, 阿部滉平, 山本晃大, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念シンポジウム  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 任意波形励起プラズマ CVD 法による a-C:H 膜質の制御

    岩本亮介, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

    応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念シンポジウム  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • かいわれ大根種子の発芽と発芽の成長に対する大気圧プラズマ照射の影響-種子の色と貯蔵の効果

    奥村賢直, アトリパンカジ, 石川健治, 古閑一憲, 白谷正治, ヴィダミルダズィネ

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Electric Field Measurements in Ar plasmas using a Fine Particle Trapped with Optical Tweezers 国際会議

    S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ISPlasma2021/IC-PLANTS2021  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 調湿レタス種子の発芽に及ぼす大気圧プラズマ照射の影響

    奥村 賢直, 阿南 輝樹, 田中 颯, 有田 涼, 山下 大輔, アトリ パンカジ, 鎌滝 晋礼, 板垣 奈穂, 古閑 一憲, 白谷 正治, 藤本 祉史, 熊内 雅人, 松井 英享, 石橋 勇志

    2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Effects of Concentrated Light on the Performance and Stability of Quasi-Solid Electrolytes in Dye-Sensitized Solar Cells 国際会議

    F. L. Chawarambwa, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of surface polarity of ZnO substrates on epitaxial growth of magnetron sputtered (ZnO)x(InN)1-x films 国際会議

    R. Narishige, K. Kaneshima, S. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputter deposition of low resistive amorphous In2O3:Sn films using nitrogen mediate amorphization method: Effects of nitrogen flow rate 国際会議

    Y. Mido, S. Urakawa, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Structural and Optical Properties of ZnMgO Films on Sapphire Substrates Fabricated by Sputter Epitaxy 国際会議

    D. Takahashi, Y. Nakamura, S. Urakawa, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Applications of Low Temperature Plasma to Agriculture in Preharvest Stage (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, P.Attri, T. Okumura, K. Koga

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Impact of surface morphologies of 3D island layers on the single crystal growth of magnetron sputtered ZnO films 国際会議

    Y. Nakamura, M. Kikuchi, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagak

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Growth of high-quality (ZnO)x(InN)1-x films by RF magnetron sputtering using a two-step growth process 国際会議

    K. Kaneshima, S. Urakawa, R. Narishige, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputter deposition of ZnAlO films with tunable bandgaps from 3.4 to 6.1 eV 国際会議

    ICMAP 2020 & ISFM 2020  2021年1月 

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    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Low temperature fabrication of SiO2 films using capacitively coupled TEOS plasma 国際会議

    Y. Sasaki, T. Yoshida, K. Abe, K. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st Workshop on Fine Particle Plasmas  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on Film Deposition Process using Spatial Profiles of Plasma Parameters and Nanoparticles in Reactive Plasma 国際会議

    K. Kamataki, T. Yoshida, Y. Sasaki, K. Abe, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st Workshop on Fine Particle Plasmas  2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ITO薄膜のスパッタ製膜プロセスへの機械学習の適用

    陳飛宇, 岩本亮介, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • PIC-MCCMを用いたCCPにおけるIEDに関する研究

    阿部滉平, 陶陽, 岩本亮介, 佐々木勇輔, 吉田知晃, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • レタス種子の発芽特性に及ぼす調湿・プラズマ照射時間依存性

    阿南輝樹, 田中颯, 有田涼, 山下大輔, 奥村賢直, アトリ パンカジ, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 石橋勇志, 藤本祉史, 熊内雅人, 松井英享

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • アルゴンプラズマ中光捕捉微粒子への作用力の校正

    奥永 冴京, 鎌滝 晋礼, 富田 健太郎, Pan Yiming, 山下 大輔, 板垣 奈穂, 古閑 一憲, 白谷 正治,

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • PECVD における任意電圧波形を用いた a-C:H 成膜

    永松大樹, 岩本亮介, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • CCPにおける径方向電場Eyの計測の試み

    陶陽, 岩本亮介, 阿部滉平, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシー法による(ZnO)X(InN)1-X膜の作製: 高温バッファー層の効果

    寺澤寛, 金島健太郎, 成重椋太, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Ar/N2スパッタリングによるサファイア基板上へのZnO単結晶成長:O-poorバッファー層の効果

    松本翔剛, 髙橋大智, 中村優太, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Ar+CH4 マルチホロー放電プラズマCVDで作製したカーボンナノ粒子のフラックスに対する熱泳動力の効果

    郝源, 𠮷川大智, 黄成和, 古閑一憲, 白谷正治, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 奥村賢直

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ CVD におけるナノ粒子成長とプラズマ生成の関係

    吉田知晃, 阿部滉平, 佐々木勇輔, 山本晃大, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • TEOSプラズマCVDを用いたSiO2膜の形成:基板バイアス電圧依存性

    山本晃大, 吉田智晃, 阿部滉平, 佐々木勇輔, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 容量結合プラズマCVD法によるSiO2膜の低温製膜

    佐々木勇輔, 吉田知晃, 阿部滉平, 山本晃大, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 容量結合プラズマ触媒法によるサバティエ反応:圧力依存性

    長谷川大樹, 出口雅志, 都甲将, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    令和2年度プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第24回支部大会  2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Impact of Plasma Treatment on the binding of C-terminal Domain of SARS-CoV-2 Spike Protein with Human Angiotensin-Converting Enzyme 2 (hACE2) 国際会議

    P. Attri, K. Koga, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Experimental identification of key species for ROS transportation in the depth direction by plasma irradiation 国際会議

    T. Kawasaki, K. Koga, M. Shiratani

    2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nitric Acid Generation by Pulsed Needle-water Discharge Plasma 国際会議

    H. Tanaka, R. Kogawa, Y. Oba, M. Fujita, T. Okumura, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, K. Kamataki, N. Itagaki

    2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth of Rice Cultivated in Field from Plasma-irradiated Seeds and Its Health Assessment for rats 国際会議

    T. Okumura, H. Tanaka, R. Arita, D. Yamashita, K. Matsuo, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ触媒法を用いたCO2のCH4化反応におけるプラズマ発光強度の空間分布

    出口雅志, 山下大輔, 都甲将, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第37回 プラズマ・核融合学会 年会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマCVDにおけるナノ粒子成長とプラズマ生成の関係

    白谷正治, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 吉田知晃, 佐々木勇輔, 阿部滉平

    第37回 プラズマ・核融合学会 年会  2020年12月 

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    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Sputter deposition of low resistive amorphous In2O3:Sn films using impurity mediate amorphization method: Effects of substrate temperature 国際会議

    Y. Midou, S. Urakawa, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 5t h Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of Concave Concentrator and Plane Reflector Mirror to Increase Efficiency of Bifacial Dye-Sensitized Solar Cells 国際会議

    T. E. Putri, F. L. Chawarambwa, H. Seo, Min-Kyu Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 5t h Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of substrate surface polarity on epitaxial growth of magnetron sputtered (ZnO)x(InN)1-xfilms 国際会議

    R. Narishige, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki,T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 5t h Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ触媒メタン化におけるメタン収率とプラズマ発光強度空間分布の関係

    出口雅志,長谷川 大樹,山下 大輔,鎌滝 晋礼,板垣 奈穂,古閑 一憲,白谷 正治,都甲 将,寒川 誠二

    2020年(令和2年度 )応用物理学会九州支部学術講演会  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Bandgap Tuning of ZnMgO Films on Sapphire Substrates Fabricated by Sputter Epitaxy 国際会議

    D. Takahashi, Y. Nakamura, S. Urakawa, D. Yamashita,T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 5t h Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Development of Highly Efficient and Stable Quasi-Solid Electrolytes for Dye-Sensitized solar Cells 国際会議

    F. L. Chawarambwa, K. Kamataki , K. Koga , M. Shiratani

    The 5t h Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子曝露による臓器障害

    田中 昭代, 松村 渚, 田中 佑樹, 小椋 康光, 古閑 一憲, 白谷 正治

    生命金属に関する合同年会2020(ConMetal 2020)  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • Information on electric field deduced using a fine particle trapped with laser tweezers in Ar plasma 国際会議

    K. Kamataki, S. Okunaga, K. Tomita, D. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 73rd Annual Gaseous Electronics Conference  2020年10月 

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    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • プラズマ触媒反応系における触媒のCO2生成反応への影響

    都甲将, 寒川誠二, 出口雅志, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 高温障害を持つイネ種子の発芽特性へ及ぼす誘電体バリア放電プラズマ照射の影響

    奥村 賢直, 石橋 勇志, C. Suriyasak, 田中 颯, 佐藤 僚哉, 有田 涼, 廣松 真弥, 古閑 一憲, P. Attri, 松尾 かよ, 山下 大輔, 板垣 奈穂, 鎌滝 晋礼,白谷 正治

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたアルゴンプラズマの等電場面計測

    奥永冴京, 岩本亮介, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, PanYiming, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • メタンプラズマCVDを用いたホローカーボンナノ粒子のワンステップ作製

    Y. Hao, S. H. Hwang, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 中谷達行, 白谷正治

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 低温環境下におけるプラズマCVDによる高品質保護膜の作製

    鎌滝晋礼, 吉田知晃, 佐々木勇輔, 阿部滉平, 岩本亮介, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    日本物理学会 2020年秋季大会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • プラズマ誘起欠陥の発生と修復~結晶シリコンの表面パッシベーションへの影響~

    布村正太, 坂田功 ,榊田 創, 古閑 一憲, 白谷 正治

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  • 低温成膜における反応性プラズマ中のナノ粒子制御

    鎌滝晋礼, 吉田知晃, 阿部滉平, 佐々木勇輔, 永石翔大, 岩本亮介, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    日本物理学会第75回年次大会(2020年)  2020年3月 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射したカイワレ種⼦の吸⽔の時間推移評価

    石川健治, P. Attri, 奥村賢直, 古閑⼀憲, 有田涼, 佐藤僚哉, 田中颯, 廣松真弥, 松尾かよ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 堀勝, 白谷正治

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学   国名:日本国  

  • 光ピンセットによるプラズマ中捕捉微粒⼦の揺動スペクトル解析

    鎌滝晋礼, 奥永冴京, 岩本亮介, 富田健太郎, 山下⼤輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学   国名:日本国  

  • Effects of substrates on the epitaxial growth of (ZnO)x(InN)1-x films 国際会議

    R. Narishige, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ISPlasma2020/IC-PLANTS2020  2020年3月 

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    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Methane production for energy storage using low temperature plasma (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, M. Ideguchi, A. Yamamoto, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020, 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Low temperature fabrication of passivation films by plasma enhanced CVD 招待 国際会議

    K. Kamataki, Y. Sasaki, S. Nagaishi, T. Yoshida, K. Abe, H. Hara, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020, 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of Activated Carbon Counter Electrode On Bifacial Dye Sensitized Solar Cells (DSSCs) 国際会議

    T. E. Putri, Y. Hao, F. L. Chawarambwa, H. Seo, Min-Kyu Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020, 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月 

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    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Si3N4/Carbon based PEDOT:PSS Counter Electrode for low-cost Dye-Sensitized Solar Cells 国際会議

    F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, Y. Hao, H. Seo, Min-Kyu Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    7th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2020, 4th International Symposium on Energy Research and Application  2020年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • TEOS プラズマ CVD による SiO2製膜と膜質の温度勾配依存性

    吉田知晃, 阿部滉平, 佐々木勇輔, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • プラズマ照射したカイワレダイコン種子の発芽促進機構-吸水時の種子内ラジカル動態-

    有田涼, 田中颯, 廣松真弥, 佐藤僚哉, 松尾かよ, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, Pankaj Attri, 石川健治, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • イネ種子に対するプラズマ照射効果のフィールドテスト

    田中颯, 有田涼, 廣松真弥, 佐藤僚哉, 松尾かよ, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, Pankaj Attri, 石川健治, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • レタス幼苗重量分布に対する種子エイジングとプラズマ照射の効果

    廣松真弥, 有田涼, 田中颯, 佐藤僚哉, 松尾かよ, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, Pankaj Attri, 石川健治, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • パルス変調プラズマ触媒法による二酸化炭素のメタン化

    出口雅志, 山本瑛久, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • 光ピンセットによる微粒子トラップを用いたアルゴンプラズマ電場の精密測定

    奥永冴京, 岩本亮介, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • 反応性プラズマのAM変調における発光強度分布

    阿部滉平, 吉田知晃, 佐々木勇輔, 山下大輔, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第23回支部大会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:B-ConPlaza, 別府   国名:日本国  

  • Measurements of Electrostatic Potential in RF Ar Plasma Using an Optically Trapped Fine Particle 国際会議

    M. Shiratani, R. Iwamoto, S. Okunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    20th Workshop on Fine Particle Plasmas  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of high nitriding and low hydrogen content SiN films at 100°C by controlling cluster formation in plasma 国際会議

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:National Institute of Fusion Science, Gifu   国名:日本国  

  • Tuning Parameters of Indium Tin Oxide Sputter Processing via Bayesian Optimization 国際会議

    R. Iwamoto, S. Okunaga, S. Muraoka, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    20th Workshop on Fine Particle Plasmas  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Apparent Activation Energy of Sabatier Reaction in Low Pressure Plasma-Catalyst Gas Conversion 国際会議

    M. Shiratani, S. Tanida, S. Toko, A. Yamamoto, K. Koga

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Developing Prediction of Amorphization Condition Models from Sputter Deposition Experimental Results by Machine Learning Method 国際会議

    K. Kamataki, R. Iwamoto, S. Okunaga, S. Muraoka, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of higher-order silane molecules on Si-H2 bond and Si-H bond densities in a-Si:H films 国際会議

    H. Hara, Y. Hao, K. Abe, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Pulse Bias Voltage on Characteristics of a-C:H Film Deposited by High Pressure Ar+CH4 Plasma CVD Process 国際会議

    S. H. Hwang, R. Iwamoto, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Investigation of Impact of Plasma Fluctuation Driven by Amplitude Modulated VHF Discharge on Growth of Nanoparticles in Reactive Plasma (Invited) 招待 国際会議

    K. Kamataki, R. Iwamoto, H. Tanaka, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ZnO Based Semiconductors for Excitonic Devices (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering Deposition with Impurities: Another Key Parameter to Control Film Structures (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 低温低圧プラズマと触媒を用いた二酸化炭素のメタン化率とCO発光強度の相関

    山本瑛久, 出口雅史, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • 不純物添加アモルファス化法による低抵抗アモルファスITO膜の作製: 基板温度の影響

    村岡宗一郎, 山下大輔, 鎌滝普礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • Sputter deposition of wide-gap amorphous ZnAlON films with tunable bandgaps from 3.4 to 4.2 eV

    S. Urakawa, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki, D. Nakamura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 気相中のクラスター生成制御による低温低水素SiN膜の作製

    永石翔大, 佐々木勇輔, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーによるサファイア基板上への単結晶ZnO膜の成長

    中村優太, 村岡宗一郎, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • (ZnO)x(InN)1-x膜のスパッタエピタキシーにおける基板温度の影響

    金島健太郎, 宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法を用いて高ガス流速で製膜することによるa-Si:H膜の面内に局所的に存在する高密度Si-H2結合の抑制

    原尚志, HAO Yuan, 阿部滉平, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるナノ粒子生成制御(招待講演) 招待

    鎌滝晋礼, 永石翔大, 佐々木勇輔, 原尚志, 岩本亮介, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • ベイズ的最適化による高移動度アモルファスITO/In2O3成膜条件の探索

    岩本亮介, 鎌滝晋礼, 村岡宗一郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年11月 - 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • Fabrication of dye sensitized solar cells with up and down conversion nano-particles 国際会議

    F. L. Chawarambwa, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    29th Annual Meeting of MRS-J  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Health Effects of Rice Harvested from Plasma-Irradiated Rice Seeds Administered Orally in Mice 国際会議

    A. Tanaka, K. Koga, M. Shiratani

    29th Annual Meeting of MRS-J  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of co-solvents on protein folding during plasma treatment (Invited) 招待 国際会議

    P. Attri, A. Bogaerts, K. Koga, M. Shiratani

    29th Annual Meeting of MRS-J  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of Plasma Irradiation to Seeds of Lactuca Sativa on Histogram of Fresh Weight of Their Seedling 国際会議

    R. Sato, M. Hiromatsu, K. Matsuo, T. Yoshida, R. Arita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    29th Annual Meeting of MRS-J  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate position dependence of characteristics of a-C:H films fabricated by Ar+CH4 plasma 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Development of Carbon Based Counter Electrodes for Dye Sensitized Solar Cells 国際会議

    F. L. Chawarambwa, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Machine Learning Analysis for Prediction of Key Plasma Process Parameters 国際会議

    R. Iwamoto, S. Okunaga, K. Kamataki, H. Hara, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter deposition of amorphous ZnAlON films with tunable bandgap 国際会議

    S. Urakawa, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Surface morphology of single-crystal ZnO films on sapphire substrates fabricated by sputter epitaxy *Yuta Nakamura, Soichiro Muraoka, Kunihiro K 国際会議

    Y. Nakamura, S. Muraoka, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Substrate temperature on Crystal Quality of (ZnO)x(InN)1-x Films Fabricated by Sputter Epitaxy 国際会議

    K. Kaneshima, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films for Excitonic Transistors 国際会議

    R. Narishige, N. Miyahara, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 4th Asian Applied Physics Conference  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of DC Pulse Bias on Deposition Characteristics of a-C:H Films Deposited by High Pressure Ar+CH4 Plasma CVD 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    41st International Symposium on Dry Process (DPS2019)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Low Temperature Fabrication of High Nitriding Degree of SiN films by Multi-Hollow Discharge SiH4+N2 Plasma CVD 国際会議

    K. Kamataki, S. Nagaishi, Y. Sasaki, H. Hara, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    41st International Symposium on Dry Process (DPS2019)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of low resistive amorphous In2O3:Sn films using impurity mediate amorphization method: Effects of substrate temperature 国際会議

    S. Muraoka, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    41st International Symposium on Dry Process (DPS2019)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fluctuation of Position and Energy of a Fine Particle in Plasma Nanofabrication

    M. Shiratani, M. Soejima, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Precision control of nanoparticle property in reactive plasma ~ Low Temperature Fabrication of Low Hydrogen Content SiN films in a Multi-Hollow Discharge Plasma CVD ~

    K. Kamataki, S. Nagaishi, Y. Sasaki, H. Hara, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Pressure on Characteristics of a-Si:H Films Desosited using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    Y. Hao, H. Hara, K. Abe, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    3rd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2019)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Spatial inhomogeneous distribution of high Si-H2 bond density in a-Si:H films deposited by MHPCVD 国際会議

    H. Hara, Y. Hao, K. Abe, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    72nd Gaseous Electronics Conference  2019年10月 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Optical emission spectroscopy of plasma-catalytic CO2 methanation 国際会議

    A. Yamamoto, M. Ideguchi, S. Toko, K. Koga, M. Shiratani

    72nd Gaseous Electronics Conference  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of Discharge Power on Deposition Cutoff of Carbon Nanoparticles Synthesized by High Pressure Ar+CH4 Multi-hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    72nd Gaseous Electronics Conference  2019年10月 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Development of a Sensitive Electric Field Probe in Ar plasmas using Optically Trapped Fine Particles 国際会議

    K. Tomita, S. Okunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    72nd Gaseous Electronics Conference  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Challenges and Opportunities in Dye Sensitized Solar Cells Using DBD Plasma Treated Upconversion Nanoparticles (Invited) 招待 国際会議

    K. Kamataki, F. L. Chawarambwa, K. Koga, M. Shiratani

    236th ECS Meeting  2019年10月 

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    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 吸水したカイワレダイコン種子内ラジカル計測

    吉田 知晃, 佐藤 僚哉, 山下 大輔, 鎌瀧 晋礼, 板垣 奈穂, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • AM変調反応性プラズマにおけるナノ粒子成長揺動に関する時空間情報解析

    鎌滝 晋礼, 田中 颯, 山下 大輔, 板垣 奈穂, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • プラズマ誘起有機酸の前駆体が拓く超バイオ機能

    石川 健治, 橋爪 博司, 田中 宏昌, 吉武 淳, 柴田 貴広, 小鹿 一, 伊藤 昌文, 古閑 一憲, 白谷 正治, 豊國 伸哉, 吉川 史隆, 水野 正明, 堀 勝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • プラズマ制御「前駆体」が拓く生命科学と材料科学(総合討論)

    金子 俊郎, 高島 圭介, 石川 健治, 朽津 和幸, 野崎 智洋, 澁田 靖, 古閑 一憲

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • (ZnO)x(InN)1-x膜スパッタエピタキシー:表面モルフォロジーの時間発展の観察

    金島 健太郎, 宮原 奈乃華, 浦川 聖一, 山下 大輔, 鎌滝 晋礼, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • インジウムナノ粒子の気管内および皮下投与によるインジウムの生体影響の比較

    田中昭代, 平田美由紀, 松村渚, 古閑一憲, 白谷正治

    第60回大気環境学会年会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京農工大学府中キャンパス   国名:日本国  

  • Ultra-sensitive Plasma Potential Measurements by using an Optically Trapped Fine Particle 国際会議

    M. Shiratani, R. Iwamoto, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Synthesis of Si-nanoparticles using low temperature plasmas and its application to DSSCs 国際会議

    F. L. Chawarambwa, M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, H. Seo

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Developing Prediction of Key Plasma Processing Parameter from Small Data of Experimental Results by Machine Learning Method 国際会議

    K. Kamataki, R. Iwamoto, S. Okunaga, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of cluster incorporation in SiN films 国際会議

    S. Nagaishi, Y. Sasaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • High Rate Deposition of Carbon Films Using High Pressure CH4 Plasma CVD 国際会議

    S. H. Hwang, R. Iwamoto, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Investigation of Spatiotemporal Structure of Fluctuation Related with Nanoparticle Growth in Amplitude-Modulated VHF Discharge Reactive Plasma 国際会議

    K. Kamataki, R. Iwamoto, H. Tanaka, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2019)  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Low Temperature Fabrication of Low Hydrogen Content SiN films by Multi Hollow Discharge SiH4+N2 Plasma CVD 国際会議

    Y. Sasaki, S. Nagaishi, H. Hara, S. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The Korea-Japan Workshop on Dust Particles in Plasmas  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Advanced Methods of Thin Film Fabrication using Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki

    28th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS28)  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Position fluctuation of a fine particle trapped optically in Ar plasma 国際会議

    M. Shiratani, K. Tomita, H. Ohtomo, R. Iwamoto, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of surrounding gas on plasma-induced liquid flow 国際会議

    T. Kawasaki, K. Nishida, M. Kawaguchi, Y. Hazama, G. Uchida, F. Mitsugi, N. Takeuchi, K. Takenaka, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cold plasma treatment stimulates seed germination by inducing dormancy loss due to changes in phytohormone balance 国際会議

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of liquid properties on plasma-induced liquid flow 国際会議

    K. Nishida, M. Kawaguchi, Y. Hazama, G. Uchida, F. Mitsugi, N. Takeuchi, K. Takenaka, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Shiratani, T. Kawasaki

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Atmospheric plasma-assisted modification of nanosized TiO2/Y2O3:Er3+/Yb3+ double composite film and its application to dye-sensitized solar cells 国際会議

    F. L. Chawarambwa, H. Chou, M. Shiratani, K. Koga

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on Relationship between Growth of Nanoparticles and Plasma Fluctuation due to Amplitude Modulated Discharge Voltage in Capacitively Coupled Reactive Plasma 国際会議

    K. Kamataki, R. Zhou, H. Ohtomo, R. Iwamoto, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of DC Substrate Bias Voltage on Deposition of Carbon Nanoparticles Produced by Ar+CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma CVD method 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, J. S. Oh, T. Nakatani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiH4 gas velocity dependence of deposition rate and Si-H2 bond density of a-Si:H films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    H. Hara, S. Nagaishi, R. Iwamoto, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Low Temperature Fabrication of Low Hydrogen Content SiN films in a Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    K. Kamataki, S. Nagaishi, Y. Sasaki, H. Hara, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x Films on Sapphire Substrates 国際会議

    N. Miyahara, S. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Prediction of Sputtering Conditions for Amorphous and Low Resistive ITO/In2O3 Films via Machine Learning 国際会議

    R. Iwamoto, K. Kamataki, S. Muraoka, N. Miyahara, D. Yamashita, D. Ikeda, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of Seed Coat Color on Reactive Species in Plasma Irradiated Seeds of Radish Sprouts 国際会議

    K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, V. Mildaziene

    XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases (XXXIV ICPIG) & 10th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-10)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリングによる可変バンドギャップ半導体(ZnO)x(AlN)1-xの創成

    浦川聖市, 宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    令和元年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2019)  2019年6月 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • プラズマ中の光捕捉微粒子に働く力の揺らぎ検出

    白谷正治, 大友洋, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲

    日本物理学会第74回年次大会(2019年)  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるナノ粒子成長における変調レベル依存性

    鎌滝晋礼, 周靭, 大友洋, 岩本亮介, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    日本物理学会第74回年次大会(2019年)  2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーによるサファイア基板上(ZnO)x(InN)1-x薄膜の2段階成長 招待

    宮原奈乃華, 浦川聖市, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Arプラズマ中の光捕捉微粒子を用いたシース近傍電界計測法の開発

    富田健太郎, 大友洋, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおける相互作用揺らぎの時空間構造の周波数依存性

    鎌滝晋礼, 周靭, 大友洋, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • ダウン/アップコンバージョンナノ粒子を用いた色素増感太陽電池の特性改善

    Chawarambwa Fadzai, 張博辰, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 徐鉉雄

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Deposition Control of Carbon Nanoparticles Synthesized by Using Ar + CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマに関する学生実験が受講者の動機付けに与える影響

    鎌滝晋礼, 大友洋, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • 高ガス流速下におけるシランプラズマ中で発生した粒子の堆積とその膜質への影響

    田中和真, 石榴, 原尚志, 永石翔大, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Cluster Incorporation Amount and Film Composition of SiN Films Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    S. Nagaishi, Y. Sasaki, K. Tanaka, H. Hara, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2019  2019年2月 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High transparency polymer counter electrode for bifacial dye sensitized solar cells 国際会議

    B. Zhang, F. L. chawarambwa, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2019  2019年2月 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of film deposition precursor on FWHM into a-Si:H thin films deposited by plasma CVD 国際会議

    K. Tanaka, H. Hara, L. Shi, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2019  2019年2月 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of clusters and higher-order silanes (HOSs) on surface roughness and Si-H2 bond density in a-Si:H films deposited by SiH4 plasma CVD 国際会議

    H. Hara, K. Tanaka, L. Shi, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2019  2019年2月 

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    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ambipolar charging due to plasma irradiation: from nanoparticles to proteins (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    19th Workshop on Fine Particle Plasmas  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma using Amplitude Modulated rf Discharge Voltage 国際会議

    K. Kamataki, R. Zhou, H. Ohtomo, R. Iwamoto, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    19th Workshop on Fine Particle Plasmas  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on Spatial Distribution of Plasma Fluctuation Using Optically Trapped Fine Particle in Ar Plasma 国際会議

    H. Ohtomo, T. Chimura, R. Zhou, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    19th Workshop on Fine Particle Plasmas  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Epitaxy of ZnO Based Compounds for Excitonic Devices 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Imoto, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Approaches to increase throuput of Plasma- Catalytic CO2 methanation 国際会議

    S. Tanida, A. Yamamoto, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • CO2 hydrogenation by plasma catalytic method: pressure dependence 国際会議

    A. Yamamoto, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-J  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of N2, O2 gas composition ratio and humidity in plasma on plasma induced plant growth enhancement 国際会議

    Y. Wada, R. Sato, R. Shimada, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of film deposition precursors on Raman intensity ITA/ITO of a-Si:H thin films fabricated by plasma CVD method 国際会議

    K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of cluster-eliminating filter and gas velocity on SiH2 bond formation in a-Si:H films deposited by MHDPCVD method 国際会議

    H. Hara, K. Tanaka, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Size and Structure Control of Carbon Nano-particles Synthesized by Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films via nitrogen-mediated amorphization: effects of target-substrate distance 国際会議

    K. Imoto, D.Yamashita, K.Kamataki, K.Koga, M.Shiratani, N.Itagaki

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition Rate and Cluster Incorporation Amount of SiN Films Fabricated by a Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    S. Nagaishi, Y. Sasaki, K. Tanaka, H. Hara, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Epitaxy of compound semiconductors via inverse Stranski-Krastanov mode: A method of single crystalline film growth beyond lattice matchins condition 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Imoto, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタによる擬2元系混晶(ZnO)x(InN,AlN)1-xのヘテロエピタキシー

    浦川聖市, 宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 種子への大気圧誘電体バリア放電プラズマ照射: 種子内色素の影響

    嶋田凌太郎, 和田陽介, 佐藤僚哉, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • SiH4+N2 マルチホロー放電プラズマ CVD を用い製膜した SiNx 薄膜のクラスター混入と膜質 の関係

    佐々木勇輔, 永石翔大, 田中和真, 原尚志, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ中光捕捉微粒子の位置揺らぎに関する研究

    千村智, 大友洋, 周靭, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Si 薄膜プラズマ CVD における成膜条件と膜質の相関の機械学習解析

    岩本亮介, 鎌滝晋礼, 田中和真, 原尚志, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 容量結合放電プラズマを用いた炭酸ガスのメタンへの改質

    山本瑛久, 谷田知史, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第22回支部大会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Effects of DC Bias Voltage on Deposition of Carbon Nano Particles Synthesized by Ar + CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Synthesis of Er3+/Eu3+ co-doped Y2O3 nanoparticles and its application to dye sensitized solar cells 国際会議

    F.L. Chawarambwa, B. Zhang, M. Shiratani, K. Koga

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Catalytic activity enhanced polymer counter electrode for bificial dye-sensitized solar cells 国際会議

    B. Zhang, F. L. Chawarambwa, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Applying Multivariate Analysis to a-Si:H Deposition Plasma Process Data 国際会議

    R. Iwamoto, K. Kamataki, K. Tanaka, H. Hara, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of Plasma Fluctuation Frequency on Growth of Nanopariticles in Reactive Plasmas 国際会議

    K. Kamataki, R. Zhou, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of amount of cluster incorporation into SiNx films and electron temperature of CVD Plasma 国際会議

    S. Nagaishi, Y. Sasaki, K. Tanaka, H. Hara, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M, Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Gas velocity dependence of Si-H2 bond density and surface roughness of a-Si:H films deposited by multi-hollow plasma CVD 国際会議

    H. Hara, K. Tanaka, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Asian Applied Physics Conference  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • リンゴの味と色に対する低温プラズマ照射の影響

    白谷正治, 大井手芳徳, 古閑一憲, 田原祐助, 都甲潔

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 圧力勾配式スパッタリングによる透明CNx膜のガス分圧依存性

    太田裕己, 高橋希世美, 米澤健, 中谷達行, 呉準席, 古閑一憲, 白谷正治, 伊藤昌文

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 種子へのプラズマ照射における活性種の吸収特性の検討-種子数密度の効果

    和田陽介, 佐藤僚哉, 嶋田凌太郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • CO2のCH4化のための低圧高周波プラズマの分光計測

    谷田知史, 山本瑛久, 古閑⼀憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 大気圧プラズマ照射したイネの成長に対する浸水処理日数依存性

    佐藤僚哉, 和田陽介, 嶋田凌太郎, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 顕微FTIRを用いたプラズマCVD Si薄膜の結合状態の二次元分布評価

    石榴, 田中和真, 原尚志, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中のナノ粒子量揺らぎの構造解析

    周靭, 鎌滝晋礼, 大友洋, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるプラズマ揺らぎとラジカルとナノ粒子成長の関係

    鎌滝晋礼, 周靭, 大友洋, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 高速ガス流マルチホロー放電プラズマの発光分光計測

    原尚志, 田中和真, 石榴, 中野慎也, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • フラックス制御スパッタによるIn-rich (ZnO)x(InN)1-x膜のヘテロエピタキシー

    宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 中村大輔, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • プラズマCVD法で作製したa-Si:H薄膜のSiネットワーク秩序性評価

    田中和真, 原尚志, 石榴, 中野慎也, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDによるSiN製膜時のクラスターの混入が膜物性へ与える影響

    永石翔大, 佐々木勇輔, 田中和真, 原尚志, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法による格子不整合基板上へZnOエピタキシャル成長—窒素酸素共添加多段バッファー層の効果—

    呂佳豪, 山下大輔, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタ法を用いたSi(111)基板上でのZnO結晶成長における窒素不純物の効果

    村岡宗一郎, 呂佳豪, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • Growth Kinetics of Carbon Nano Particles Generated in an Ar/CH4 Multi-Hollow Discharge Plasmas

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Arプラズマ中微粒子の相互作用の評価

    大友洋, 周靭, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • Ar/N2スパッタリングによる低抵抗アモルファスITO膜の作製:ターゲット-基板間距離の影響

    井本幸希, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第35回プラズマ・核融合学会年会  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • Sputter Epitaxy via Inverse Stranski-Krastanov Growth Mode: A Method of Single Crystal Growth beyond Lattice Matching Condition 国際会議

    N. Itagki, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018)  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Catalyst-free growth of c-axis aligned (ZnO)0.79(InN)0.21 nanorods by RF magnetron sputtering 国際会議

    N. Miyahara, D. Yamashita, D. Nakamura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of nitrogen impurity on sputtering growth of ZnO films on Si(111) substrates 国際会議

    S. Muraoka, J. Lyu, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 反応性プラズマにおけるプラズマ揺らぎの時空間構造

    鎌滝晋礼, 周靭, 大友洋, 岩本亮介, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第34回九州・山口プラズマ研究会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:シーサイドホテル屋久島, 鹿児島   国名:日本国  

  • Motion analysis of inter-particle interactions of three fine particles in Ar plasma 国際会議

    H. Ohtomo, R. Zhou, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    40th International Symposium on Dry Process (DPS2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter deposition of low resistive amorphous In2O3:Sn films using nitrogen-mediated amorphization method: Effects of target-substrate distance 国際会議

    K. Imoto, N. Miyahara, D.Yamashita, K.Kamataki, K.Koga, M.Shiratani, N.Itagaki

    40th International Symposium on Dry Process (DPS2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ESR study of plasma irradiated seeds 国際会議

    M. Shiratani, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, K. Koga

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatial-Structure of Density Fluctuation of Nanoparticles in Amplitude Modulated Capactively Coupled Plasma 国際会議

    R. Zhou, K. Kamataki, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatial distribution of SiH2/SiH bond density ratio in a-Si:H solar cells fabricated by plasma CVD 国際会議

    L. Shi, K. Tanaka, H. Hara, S. Nakano, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impact of Amplitude Modulation of RF Discharge Voltage on the Spatial Profile of Nanoparticle Characteristics in Reactive Plasma (Invited) 招待 国際会議

    K. Kamataki, R. Zhou, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Suppression of HOS molecules incorporation in a-Si:H films fabricated by plasma CVD 国際会議

    K. Tanaka, H. Hara, L. Shi, S. Nagaishi, S. Nakano, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter epitaxy of single crystalline ZnO on 18&#37;-lattice-mismatched sapphire using multi buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    J. Lyu, D. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatial-Structure of Density Fluctuation of Nanoparticles in Amplitude Modulated Capactively Coupled Plasma 国際会議

    R. Zhou, K. Kamataki, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Pressure on Size of Carbon Nanoparticles Prepared by Methane Plasma Process 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagki, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Micron-scale plasma fluctuation detected using paired fine particles (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, H. Ohtomo, K. Koga

    2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018)  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiH4+N2マルチホロー放電プラズマCVDによる SiN製膜時の膜へのクラスターの取り込み

    永石翔大, 佐々木勇輔, 田中和真, 原尚志, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    放電/プラズマ・パルスパワー合同研究会  2018年10月 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学   国名:日本国  

  • 銅電極を用いた低圧放電によるCO2のメタン変換

    谷田知史, 山本瑛久, 古閑一憲, 白谷正治

    放電/プラズマ・パルスパワー合同研究会  2018年10月 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)x(InN)1-x 膜の作製

    宮原奈乃華, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 中村大輔, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • 大気圧誘電体バリア放電プラズマ照射に対する種皮の機能大気圧誘電体バリア放電プラズマ照射に対する種皮の機能

    鎌滝晋礼, 和田陽介, 嶋田凌太郎, 佐藤僚哉, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, Vida Mildaziene

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • CH4+Arマルチホロー放電プラズマで生成したカーボンナノ粒子の基板堆積に対するガス流量の影響

    2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • Effects of CH4 Concentration on Size of Carbon Nano-Particles Formed in Multi-hollow Discharge Plasma 国際会議

    S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th UK-Japan Engineering Education League Workshop 2018  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Improvement of Si network order of a-Si:H thin films by suppressing incorporation of HOS molecules 国際会議

    S. Nakano, K. Tanaka, H. Hara, L. Shi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th UK-Japan Engineering Education League Workshop 2018  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analysis of Inter-particle Interactions of Two Fine Particles in Ar Plasma 国際会議

    H. Ohtomo, R. Zhou, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    JP-KO dust workshop 2018  2018年7月 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Density modulation of nanoparticles in amplitude modulated discharge plasmas 国際会議

    M. Shiratani, R. Zhou, H. Ohtomo, N. Itagaki, K. Koga

    24th Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG 2018)  2018年7月 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cross correlation analysis of fluctuation of interactions between nanoparticles and low pressure reactive plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    10th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC 2018)  2018年7月 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Room Temperature Photoluminescence from (ZnO)0.79(InN)0.21 films fabricated by RF magnetron sputtering 国際会議

    N. Miyahara, L. Shi, K. Iwasaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    10th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC 2018)  2018年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Effects of gas velocity dependence of Si-H2 bond density at P/I interface of a-Si:H layered films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD. 国際会議

    H. Hara, K. Tanaka, S. Nagaishi, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Workshop "Plasma surface interaction for technological applications"  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Methanation of CO2 using low temperature and catalyst 国際会議

    A. Yamamoto, S. Tanida, S. Toko, K. Koga, M. Shiratani

    Workshop "Plasma surface interaction for technological applications"  2018年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • SiH4 gas flow rate dependence of Si-H2 bond density at P/I interface in aSi:H solar cells fabricated by plasma CVD 国際会議

    H. Hara, K. Tanaka, S. Nagaishi, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    28th Symposium on Plasma Physics and Technology (SPPT)  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effect of gas flow rate on plasma-catalytic methanation reaction 国際会議

    A. Yamamoto, S. Tanida, S. Toko, K. Koga, M. Shiratani

    28th Symposium on Plasma Physics and Technology (SPPT)  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • a‐Si:H 薄膜への高次シラン取り込みとSiネットワーク秩序性の関係

    田中和真, 原尚志, 石榴, 永石翔大, 中野慎也, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成30年度九州表面・真空研究会2018(兼第23回九州薄膜表面研究会)  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • プラズマCVD法で作製したa-Si:H 膜のSiH2/SiH 結合密度比の2次元分布

    石榴, 田中和真, 原尚志, 中野慎也, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成30年度九州表面・真空研究会2018(兼第23回九州薄膜表面研究会)  2018年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • 格子整合条件を超えて原子平坦表面を実現する新規スパッタエピタキシー技術の開発~ZnO on sapphireを例に~(招待講演) 招待

    板垣奈穂, 岩崎和也, 古閑一憲, 白谷正治

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • プラズマ-触媒併用型二酸化炭素メタン変換における律速段階

    都甲将, 谷田知史, 山本瑛久, 古閑一憲, 白谷正治

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーにより作製した(ZnO)0.73(InN)0.27のフォトルミネッセンス

    宮原奈乃華, 岩崎和也, 石榴, 山下大輔, 中村大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • カーボン薄膜の選択プラズマCVD

    白谷正治, 方トウジュン, 山木健司, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲

    平成30年電気学会全国大会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Effects of Number Density of Seeds on Plant Growth Enhancement by Atmospheric Air Plasma Irradiation 国際会議

    Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd International Workshop On Plasma Agriculture (IWOPA2)  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cold Plasma Treatment Induces Changes in Seed Hormone Content and Explant Growth 招待 国際会議

    2nd International Workshop On Plasma Agriculture (IWOPA2)  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impact of Plasma Agriculture on Global Vegetation Biomass 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2nd International Workshop On Plasma Agriculture (IWOPA2)  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • IoT-oriented solar cells fabricated using plasma-based nanotechnology (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Pressure Gradient Sputtering to Achieve High Deposition Rate for Metal Thin Film 国際会議

    H. Ohta, K. Takahashi, Jun-Seok Oh, K. Koga, T. Nakatani, M. Ito, M. Shiratani, K. Yonezawa

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analysis of Coupling of Interaction Fluctuation between Reactive Plasmas and Nanoparticles 国際会議

    R. Zhou, K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A tailored voltage waveform plasma CVD method for carbon film deposition 国際会議

    K. Yamaki, T. Fang, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Thin film deposition using low temperature plasmas: past, present, and future (Plenary) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki

    4th International Workshop on Advanced Plasma Technology and Applications (The 4th IWAPTA workshop)  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:インドネシア共和国  

  • Plasma CVD of a-C:H films as protective layers for solar cells (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Fang, K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Takenaka, Y. Setsuhara

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Utilizing cluster cloud as a selective filter of deposition precursors of aSi:H films 国際会議

    S. Toko, T. Kojima, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Reduction of activation energy of CO2 methanation reaction using plasma-catalytic method 国際会議

    A. Yamamoto, S. Toko, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • SiH4 gas flow rate dependence of Si-H2 bond density at P/I interface in aSi:H solar cells fabricated by plasma CVD 国際会議

    K. Tanaka, H. Hara, S. Toko, T. Kojima, S. Nagaishi, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Enhancement on photovoltaic performance of dye-sensitized solar cells by applying up-conversion Y2O3:Er3 + nanoparticles 国際会議

    D. Sakamoto, B. Zhang, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effect of additive on catalytic enhancement of polymer counter electrode in dye-sensitized solar cells 国際会議

    B. Zhang, D. Sakamoto, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Strategy for the commercialization of dye-sensitized solar cells 招待 国際会議

    H. Seo, D. Sakamoto, B. Zhang, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2018, 2nd International Symposium on Energy Research and Application  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • 非平衡プラズマを用いたカーボンリサイクルによるエネルギー貯蔵

    谷田知史, 都甲将, 山本瑛久, 古閑一憲, 白谷正治

    九州大学エネルギーウィーク2018  2018年1月 

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    開催年月日: 2018年1月 - 2018年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学, アクロス福岡   国名:日本国  

  • プラズマ照射リンゴの味覚変化

    大井手芳徳, 古閑一憲, 白谷正治, 田原祐助, 都甲潔

    第3回味覚センサシンポジウム  2018年1月 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本教育会館   国名:日本国  

  • Ar プラズマ中で光捕捉した微粒子を用いたプラズマ揺動の評価

    大友洋, 森研人, 周靭, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • プラズマ CVD で作製した a-Si:H 積層膜の P/I 界面 SiH2結合量の基板温度依存性

    原尚志, 田中和真, 小島尚, 永石翔大, 都甲将, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーによる高品質(ZnO)0.8(InN)0.2薄膜の作製:スパッタリングガス圧力の影響

    竹内一登, 宮原奈乃華, 石榴, 岩崎和也, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • SiH4+N2マルチホロー放電プラズマ CVD による SiN 系膜の作製

    永石翔大, 小島尚, 田中和真, 原尚志, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • Ar/N2 スパッタリングによる高品質 ZnO 膜の作製:基板温度の影響

    村岡宗一郎, 岩崎和也, 呂佳豪, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • プラズマ CVD で作製した a-Si:H 薄膜の Si ネットワーク秩序性向上

    田中和真, 原尚志, 小島尚, 永石翔大, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第21回支部大会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • Fine Particle Plasma and Plasma Process (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    18th Workshop on Fine Particle Plasmas  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cross-spectrum Analysis of Interaction Fluctuation between Plasma and Nanoparticles in Capacitively-Coupled RF Discharge Reactive Plasmas 国際会議

    K. Mori, R. Zhou, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Workshop on Fine Particle Plasmas  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cloud of a-Si:H Clusters as Selective Filter in SiH4 Multi-Hollow Discharge Plasma 国際会議

    T. Kojima, K. Tanaka, S. Nagaishi, H. Hara, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Workshop on Fine Particle Plasmas  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analysis of Inter-particle Fluctuation in Capacitively Coupled Low Pressure Ar Plasma Using Optical Tweezers 国際会議

    H. Ohtomo, K. Mori, R. Zhou, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Workshop on Fine Particle Plasmas  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of High-Mobility Nanocrystal-Free a-In2O3:Sn Films by Magnetron Sputtering with Impurity-Mediated Amorphization Method 招待 国際会議

    N. Itagaki, H. Wang, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    27th annual meeting of MRS-J  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fluctuation Analysis of An Optical Trapped Fine Particle in Ar Plasma 国際会議

    H. Ohtomo, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    27th annual meeting of MRS-J  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Advanced plasma process for next-generation photovoltaics 招待 国際会議

    H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    27th annual meeting of MRS-J  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impact of Plasma Processing of Agricautural Food on Taste and Food Quality (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    The 10th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing (JSPP2017)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Y2O3:Er のアップコンバージョン特性と太陽電池への応用

    坂本大輔, 張博辰, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 中村大輔

    2017年度応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎観光ホテル   国名:日本国  

  • 低圧プラズマを用いた CO2 のメタン化反応の活性化エネルギー

    山本瑛久, 都甲将, 谷田知史, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年度応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎観光ホテル   国名:日本国  

  • 種子へのプラズマ照射のカイワレ大根の長さ分布に対する効果

    佐藤僚哉, 和田陽介, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年度応用物理学会九州支部学術講演会  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎観光ホテル   国名:日本国  

  • Growth Enhancement of Sorghum by Plasma Irradiation to The Seeds 国際会議

    M. Shiratani, Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gap between Electrodes and Seeds on Plasma Induced Plant Growth Enhancement 国際会議

    Y. Wada, R. Sato, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of electrode material on low pressure plasma-catalytic CO2 methanation 国際会議

    S. Tanida, S. Toko, A. Yamamoto, K. Koga, and M. Shiratani

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Photoluminescence from (ZnO)0.79(InN)0.21 films fabricated on sapphire substrates 国際会議

    N. Miyahara, K. Iwasaki, L. Shi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Correlation analysis between high energy electrons and nanoparticles in AM CCP 国際会議

    R. Zhou, K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering Growth of SiC Films on Si(111) Substrates by using Impurity Mediated Crystallization Method 国際会議

    K. Imoto, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Pressure on Crystal Quality of ZION Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering 国際会議

    L. Shi, N. Miyahara, D. Yamashita, H. Seo, J. Lyu, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2017年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 色素増感太陽電池のポリマー対向電極における触媒反応の活性化(招待講演) 招待

    徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    電子情報通信学会有機エレクトロニクス研究会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:サンメッセ鳥栖   国名:日本国  

  • 未来の食を支えるプラズマ農業技術への挑戦(シンポジウム講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • プラズマ照射によって液体中に誘起される流れの定量解析

    川崎敏之, 足立拓也, 阿南翔太, 武井彰汰, 別宮竜之介, 山ノ内翔太, 伊東巧, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • プラズマプロセスにおけるtailored voltage waveformsの使用に向けての設計及びマッチング

    山木健司, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • 反応性プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎのクロスコリレーション解析区間の比較

    周靭, 森研人, 大友洋, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • 光ピンセットを用いたArプラズマと単一微粒子との相互作用解析

    大友洋, 森研人, 周靭, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • 基板温度制御によるa-Si:H薄膜のSiネットワーク秩序性の向上

    田中和真, 小島尚, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • 植物種子の吸水に与える大気圧プラズマ照射の効果

    和田陽介, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタ法によるSi(111)基板上への高品質ZnO膜の作製:窒素添加バッファー層の効果

    岩崎和也, 呂佳豪, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:姫路商工会議所   国名:日本国  

  • Nanoparticle Composite Films: Fabrication and Functions (Invited) 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki

    The 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017)  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Carbon Recycling using Low Temperature Plasma with Activated Catalysts 国際会議

    S. Tanida, S. Toko, K. Koga, A. Yamamoto, M. Shiratani

    The 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017)  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • An Analysis on a Kinetic Motion of Optical Trapped Single Fine Particle in Ar Plasma 国際会議

    H. Ohtomo, K. Mori, Z. Ren, D. Yamashita H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017)  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Novel Fabrication Methods of Thin Films using Low Temperature Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki

    Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2017  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Photoluminescence from epitaxial (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates fabricated by RF magnetron sputtering 国際会議

    N. Miyahara, K. Iwasaki, L. Shi, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2017  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Effects of gas flow rate ratio on structure of a-C:H films deposited using Ar + H2+ C7H8 plasma CVD 国際会議

    T. Fang, K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2017  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • プラズマジェットによって液状ターゲット表面に供給されるROSの二次元分布に周囲ガスが与える影響

    足立拓也, 阿南翔太, 山ノ内翔太, 内田儀一朗, 竹中弘祐, 古閑一憲, 節原裕一, 白谷正治, 川崎敏之

    平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • 大気圧Heプラズマ照射によるヘアレスマウス皮膚への影響評価

    後藤典宏, 北﨑訓, 田中昭代, 平田美由紀, 中津可道, 古閑一憲, 白谷正治

    平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射による模擬生体内ROS透過率の推定

    武井彰汰, 古閑一憲, 白谷正治, 川崎敏之

    平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射によって液状媒体深さ方向に供給されるROSの同定への試み

    伊東巧, 武井彰汰, 別宮竜乃介, 古閑一憲, 白谷正治, 川崎敏之

    平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • Local Fluctuations of Plasma Detected with an Optically Trapped Fine Particle 国際会議

    M. Shiratani, H. Ohtomo, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2017)  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Effect of Gas flow rate ratio on the structure and properties of a-C:H films deposited using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    T. Fang, K. Yamaki, K .Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Spatial Structure of Interactions between Nanoparticles and Low Pressure Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    11th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Catalytic enhancement on polymer counter electrodes of dye-sensitized solar cells by isooctylphenoxy-polyethoxyethanol addition 国際会議

    B. Zhang, D. Sakamoto, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    11th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Suppression of Si-H2 bond formation at P/I interface in a-Si:H solar cells fabricated by plasma CVD (Invited) 国際会議

    K. Tanaka, T. Kojima, S. Toko, D. Yamashita, Hy. Seo, N. Itagaki, K.Koga, M. Shiratani

    11th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • インジウムナノ粒子と三酸化インジウムのラット気管内投与による体内動態

    田中昭代, 平田美由紀, 松村渚, 古閑一憲, 白谷正治

    58回大気環境学会年会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:兵庫医療大学   国名:日本国  

  • スペクトル解析によるプラズマ中クラスター挙動の分類

    白谷正治, 小島尚, 都甲将, 田中和真, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 容量結合型プラズマを用いたCO2メタン化におけるCO2変換率のガス流量依存性

    谷田知史, 都甲将, 山本瑛久, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 大気圧DBDプラズマ照射したリンゴの味評価

    大井手芳徳, 古閑一憲, 白谷正治, 田原祐助, 都甲潔

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • プラズマを用いた二酸化炭素のメタン化における電極表面の影響

    都甲将, 谷田知史, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 結晶Geナノ粒子膜の堆積とそのLiイオン電池への応用

    内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 神原淳

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 色素増感太陽電池のポリマー対向電極の触媒能のTriton X-100添加による向上

    張博辰, 坂本大輔, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 色素増感太陽電池におけるポリマー対向電極へのシリコンナノ粒子添加効果

    坂本大輔, 張博辰, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • ポリマーナノコンポジットを用いた量子ドット増感太陽電池の対向電極

    徐鉉雄, 坂本大輔, 張博辰, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中ナノ粒子とプラズマの相互作用ゆらぎの起因解明

    森研人, 周靭, 大友洋, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 反応性プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎの相関関係解析

    周靭, 森研人, 大友洋, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法による格子不整合基板上へのZnOエピタキシャル成長―窒素酸素共添加バッファー層の効果―

    呂佳豪, 岩崎和也, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 窒素添加スパッタリング法を用いたSi(111)基板上への高品質ZnO薄膜の作製

    岩崎和也, 呂佳豪, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 高圧マルチホロー放電プラズマCVD下流におけるラジカル成膜速度の時間変化

    小島尚, 都甲将, 田中和真, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • ジャガイモの生育に対するプラズマ照射時間の影響

    和田陽介, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 不純物添加法を用いたSi(111)基板上へのSiC薄膜成長

    井本幸希, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • スパッタエピタキシーによるサファイア基板上へのIn-N rich (ZnO)x(InN)1-x膜の作製

    宮原奈乃華, 岩崎和也, 石榴, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法で作製したZION薄膜の結晶性に及ぼすガス圧力の影響

    石榴, 宮原奈乃華, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • P/I界面のSi-H2結合形成に対する基板温度の効果

    田中和真, 原尚志, 小島尚, 永石翔大, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • Arプラズマ中で光捕捉された単一微粒子の運動解析

    大友洋, 森研人, 周靭, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • 不純物添加スパッタリング法による高移動度・ナノ結晶フリー a-In2O3:Sn薄膜の作製

    板垣奈穂, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡国際会議場, 福岡国際センター   国名:日本国  

  • Non-thermal atmospheric-pressure plasma activation of herbal seeds indicating the acceleration of the plant’s germination period (OIM1) 国際会議

    2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Mexico City   国名:メキシコ合衆国  

  • Effects of H2 flow rate on methanation of CO2 using low pressure nonthermal plasma 国際会議

    S. Toko, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth enhancement of radish sprout using plasma activated river water and falls water 国際会議

    Y. Wada, T. Sarinont, Y. Oide, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Catalytic Enhancement of Polymer Counter Electrode of Photochemical Photovoltaics based on Nano-particle Application 国際会議

    H. Seo, D. Sakamoto, H. Chou, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Film thickness dependence of structure of a-Si:H thin films measured by Raman spectroscopy 国際会議

    K. Tanaka, S. Toko, K. Keya, T. Kojima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Two-dimensional profile of RONS dose irradiated with a scalable DBD device 国際会議

    Y. Oide, T. Sarinont, R. Katayama, Y. Wada, T. Kawasaki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, P. Attri, E. H. Choi, A. Tanaka, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatiotemporal structure of fluctuation of interactions between plasmas and nanoparticles in capacitively-coupled rf discharge reactive plasmas 国際会議

    K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical Trapping Process of Single Fine Particle in Ar Plasma 国際会議

    H. Ohtomo, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Next Generation Photovoltaics Based on Si Nano-particles Fabricated by Advanced Plasma Process 国際会議

    H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of surface flat (ZnO)x(InN)1-x films on 3&#37;-lattice-mismatched a-sapphire substrates 国際会議

    N. Miyahara, K. Matsushima, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of bias voltage on the surface morphology of a-C:H films deposited using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, T. Fang, K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A Theoretical Model for Time Evolution of Radical Deposition Rate in Silane Plasma CVD 国際会議

    T. Kojima, S. Toko, K. Keya, K. Tanaka, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Inverse Stranski-Krastanov Growth of Single Crystalline ZnO-Based Semiconductors on Lattice Mismatched Substrates (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of High-Mobility Amorphous In2O3:Sn Films by RF Magnetron Sputtering with Impurity-Mediated Amorphization Method (Keynote) 招待 国際会議

    N. Itagaki, T. Takasaki, H. Wang, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Storage and Transportation of Reactive Oxygen Species in Tissue Phantom Irradiated with Non-thermal Plasma Jet 国際会議

    T. Kawasaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年8月 - 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Inverse Stranski-Krastanov Growth of Pit-Free Single Crystalline ZnO Films on Lattice Mismatched Substrates 国際会議

    N. Itagaki, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)  2017年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月 - 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurements of nitrogen and oxygen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films 国際会議

    M. Shiratani, T. Takasaki, H. Wang, K. Matsushima, H. Seo, K. Koga, K. Takeda, M. Hori, and N. Itagaki

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG 2017)  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  • Suppression of Si-H2 bond formation at P/I interface in a-Si:H solar cells deposited by multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    S. Toko, K. Tanaka, K. Keya, T. Kojima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG 2017)  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  • Rise time of Sabatier process using low pressure and low temperature plasma 国際会議

    S. Toko, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG 2017)  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  • インジウムナノ粒子のラット気管投与による体内動態

    田中昭代, 平田美由紀, 松村渚, 古閑一憲, 白谷正治

    第26回日本微量元素学会学術集会  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • Carbon recycling using Cu catalyst together with low pressure capacitively-coupled plasma 国際会議

    M. Shiratani, S. Toko, S. Tanida, K. Koga

    2017 International Forum on Functional Materials (IFFM2017)  2017年6月 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • a‐Si:H 薄膜中の Si ネットワーク秩序性のラマン分光法を⽤いた評価

    田中和真, 小島尚, 都甲将, ⼭下⼤輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑⼀憲, 白谷正治

    平成29年度九州表面・真空研究会2017(兼第22回九州薄膜表面研究会)  2017年6月 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • ⾊素増感太陽電池におけるナノ粒⼦を⽤いた表⾯改質によるポリマー触媒の反応活性化

    坂本⼤輔, 張博辰, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑⼀憲, 白谷正治

    平成29年度九州表面・真空研究会2017(兼第22回九州薄膜表面研究会)  2017年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • プラズマジェット照射による酸化反応の KI-デンプン試薬による二次元分布可視化(受賞講演) 招待

    川崎敏之, 古閑一憲, 白谷正治, 内田儀一郎, 竹中弘祐, 節原裕一

    大阪大学接合科学研究所第14回産学連携シンポジウム  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • 大気圧低温プラズマのヘアレスマウス皮膚照射による影響評価

    田中昭代, 北崎訓, 平田美由紀, 中津可道, 古閑一憲, 白谷正治

    第87回日本衛生学会学術総会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:フェニックス・シーガイア・リゾート, 宮崎   国名:日本国  

  • プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎのモード間相関

    森研人, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    日本物理学会第72回年次大会(2017年)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • スパッタ支援層交換で作製したポリイミド基板上結晶Ge薄膜の膜質

    白谷正治, 田浪荘汰, 坂本大輔, 張博辰, 徐鉉雄, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • プラズマを用いたCO2 のメタン化反応の考察

    都甲将, 谷田知史, 古閑一憲, 白谷正治

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD下流におけるラジカル製膜速度と膜中クラスター混入量の動的振る舞い

    都甲将, 小島尚, 毛屋公孝, 田中和真, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタにより格子不整合基板上に作製した表面平坦ZION薄膜

    宮原奈乃華, 松島宏一, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • 色素増感太陽電池の触媒としてのポリマーナノコンポジット

    徐鉉雄, 坂本大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜のフォトルミネッセンス

    松島宏一, 宮原奈乃華, 岩崎和也, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • a-Si:H太陽電池P/I界面におけるSi-H2結合評価

    都甲将, 田中和真, 小島尚, 毛屋公孝, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • Effects of atmospheric pressure plasma to various plant families on plant growth enhancement

    M. Shiratani, T. Sarinont, Y. Wada, R. Katayama, Y. Oide, K. Koga

    2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 大気圧DBD装置の活性種照射量の放電電力密度依存性

    白谷正治, 片山龍, 北﨑訓, T. Sarinont, 大井手芳徳, 和田陽介, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, Attri Pankaj, Eun Ha Choi, 田中昭代

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:パシフィコ横浜   国名:日本国  

  • Time evolution of CH4 yield in methanation of CO2 using helicon discharge plasma 国際会議

    S. Tanida, S. Toko, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Transportation of reative oxygen species through a tissue phantom by plasmajet irradiation 国際会議

    T. Kawasaki, G. Kuroeda, R. Sei, M. Yamaguchi, R. Yoshinaga, R. Yamashita, H. Tasaki, K. Koga, M. Shiratani

    9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2017/IC-PLANTS2017)  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Low Temperature Air Plasma Irradiation to Rice Seeds 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, Y. Wada, K. Koga

    34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)  2017年1月 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si Nanoparticles Fabricated by Multi-hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition and their Photovoltaic Application 国際会議

    D. Sakamoto, H. Chou, S. Tanami, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)  2017年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Theoretical Consideration on Methane Production Using Plasma on Mars 国際会議

    S. Toko, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)  2017年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of P-layer of PIN a-Si:H solar cells on Si-H2/Si-H bond ratio at P/I interface 国際会議

    K. Keya, K. Tanaka, T. Kojima, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)  2017年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of Plasma Irradiation on Silkworm 国際会議

    A. Yonesu, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)  2017年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • DC bias voltage dependence of dust transport in a compact dust trajectory analyzer 国際会議

    R. Katayama, T. Fang, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Masuzaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Nishimura, A. Sagara

    17th Workshop on Fine Particle Plasmas and JAPAN-KOREA Workshop on Dust Particles 2016  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comparison of biological effects between plasma and gamma-ray radiation 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, P. Attri, K. Koga

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of electron temperature and amount of cluster incorporation into films in SiH4 multi-hollow plasma CVD 国際会議

    T. Kojima, S. Toko, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatial distribution of Si-H2 bond density in a-Si:H film evaluated by microscopic FTIR 国際会議

    K. Tanaka, T. Kojima, K. Keya, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Properties of Au-induced layer-exchange crystalline Ge formed by sputtering deposition 国際会議

    S. Tanami, Y. Oide, D. Sakamoto, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Interaction potential fluctuation between binary collisions of fine particles suspended in low pressure Ar rf plasmas 国際会議

    M. Soejima, H. Ohtomo, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High-mobility transparent amorphous In2O3:Ge films fabricated by impurity mediated amorphization method 国際会議

    T. Takasaki, H. Wang, N. Miyahara, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Sputtering Gas Composition on Properties of ZnO Prepared by Nitrogen Mediated Crystallization Method 国際会議

    N. Miyahara, T. Ide, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of P-layer of PIN a-Si:H solar cells on Si-H2 bond formation at P/I interface 国際会議

    K. Keya, K. Tanaka, T. Kojima, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of modulation frequency on interaction fluctuation between plasma and nanoparticles 国際会議

    K. Mori, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of electrostatic field direction on dust accumulation to mirror in a plasma reactor 国際会議

    R. Katayama, T. Fang, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Masuzaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Nishimura, A. Sagara

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of bias voltage on mass density of a-C:H films deposited using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    T. Fang, K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of internal resistance by the quantity of Si nanoparticles on polymer counter electrode in dye-sensitized solar cells 国際会議

    D. Sakamoto, H. Chou, Y. Oide, S. Tanami, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Characteristic length of position fluctuation of a single fine particle optically trapped in Ar plasma 国際会議

    H. Ohtomo, M. Soejima, K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Discharge power dependence of methanation of CO2 under low pressure 国際会議

    S. Toko, R. Katayama, S. Tanida, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Stimulation of germinability of seeds under various gas plasma activated water 国際会議

    Y. Wada, T. Sarinont, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of plasma irradiation on growth of wheat and melon 国際会議

    T. Sarinont, Y. Wada, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analyses of Oxidative Mutagenesis and Carcinogenesis Using Genetically Modified Mice: Application to Plasma Medicine (Invited) 招待 国際会議

    Y. Nakatsu, N. Takano, M. Ohno, S. Kitazaki, K. Koga, A. Tanaka, M. Shiratani, T. Tsuzuki

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering growth of (ZnO)x(InN)1-x semiconductor: a ZnO-based compound with bandgap tunability over the entire visible spectrum (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, D. Ymashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    26th annual meeting of MRS-J  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマを用いたサバティエ反応によるCH4生成速度の理論的検討

    都甲将, 谷田知史, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎの時空間構造

    森研人, 添島雅大, 大友洋, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 大気圧DBDジェット装置のRONS照射量比較実験

    片山龍, サリノント タパナット, 大井手芳徳, 和田陽介, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, Pankaj Attri, 田中昭代, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で製膜されたa-Si:H薄膜のSi-H2結合密度の面内分布

    田中和真, 毛屋公孝, 都甲将, 小島尚, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD下流領域におけるクラスター輸送量と膜中クラスター混入量の関係

    小島尚, 都甲将, 毛屋公孝, 田中和真, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ポリイミドフィルム上へのプラズマ支援Au誘起低温高速層交換Ge結晶成長

    田浪荘汰, 坂本大輔, 張博辰, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ中微粒子の相互作用計測

    添島雅大, 大友洋, 森研人, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ中微粒子の光捕捉

    大友洋, 添島雅大, 森研人, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマプロセスによって作成されたSiナノ粒子の光電変換特性

    張博辰, 坂本大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDにより作製されたナノ粒子を用いることによるポリマー薄膜の性能向上

    坂本大輔, 張博辰, 田浪荘汰, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • スパッタ製膜圧力が窒素添加ZnO膜の表面形状に与える影響

    岩崎和也, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Scalable DBDによるRONS照射量の二次元分布

    大井手芳徳, 片山龍, サリノント タパナット, 和田陽介, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Ar+H2+C7H8プラズマCVD法におけるアモルファス水素化炭素膜に対する水素流量比の影響

    方韜鈞, 山木健司, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Ar/N2/O2スパッタによるZnO薄膜の高品質エピタキシャル成長

    宮原奈乃華, 井手智章, 岩崎和也, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Ar/N2 スパッタリングプラズマにより作製したアモルファスITO膜の表面形状

    王寒, 高崎俊行, 松島宏一, 岩崎和也, 宮原奈及華, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で製膜されたPIN a-Si:H太陽電池の安定性に界面が及ぼす影響

    毛屋公孝, 田中和真, 小島尚, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • アモルファスITO成膜用Ar/N2スパッタプラズマ中の窒素原子密度の測定

    高崎俊行, 王寒, 松島宏一, 竹田圭吾, 堀勝, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 容量結合RFプラズマを用いた低温低圧下におけるCO2のメタン化

    谷田知史, 都甲将, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 大気圧DBDプラズマによる植物収穫量の向上

    サリノント タパナット, 和田陽介, 片山龍, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • シロイヌナズナ種子へのプラズマ照射効果に対する前処理の影響

    和田陽介, サリノント タパナット, 片山龍, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第20回支部大会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Plasma anisotropic CVD of carbon films from toluene (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, X. Dong, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    6th International Conference on Advanced Plasma Technologies (ICAPT-6)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カンボジア王国  

  • 大気圧 DBDプラズマを照射した水のRONS濃度の水量依存性

    和田陽介, サリノント タパナット, 片山龍, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:対馬市交流センター, 長崎   国名:日本国  

  • Effects of atmospheric air plasma irradiation to a part of seeds on growth of plants 国際会議

    Y. Wada, T. Sarinont, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    The 1st Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマ中のクラスターサイズ・密度の放電時間依存性

    小島尚, 都甲将, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:対馬市交流センター, 長崎   国名:日本国  

  • PEDOT:PSS 薄膜の導電性向上

    坂本大輔, 張博辰, 大井手芳徳, 田浪荘汰, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:対馬市交流センター, 長崎   国名:日本国  

  • Enhancement of fill factor (FF) of dye-sensitized solar cell by means of counter polymer electrode containing Si nanoparticles 国際会議

    D. Sakamoto, H. Chou, Y. Oide, S. Tanami, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 1st Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of pulse discharge on cluster transport in downstream region of multi-hollow discharge CVD plasma 国際会議

    T. Kojima, S. Toko, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 1st Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Catalytic characteristics and photovoltaic application of polymer nano-composite 国際会議

    H. Seo, D. Sakamoto, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 1st Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 低圧プラズマによるCO2変換への放電電力・ガス滞在時間の効果

    都甲将, 谷田知史, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:対馬市交流センター, 長崎   国名:日本国  

  • 大気圧プラズマジェット照射による模擬生体中へのROSの供給

    黒枝剛哉, 清竜平, 山口真央, 吉永怜史, 山下莉穂, 田崎光, 川崎敏之, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:対馬市交流センター, 長崎   国名:日本国  

  • Blue and Green Photoluminescence of (ZnO)0.92(InN)0.08 国際会議

    K. Matsushima, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Plant Growth Enhancement of Seeds Immersed in Plasma Activated Water 国際会議

    T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratani

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Measurements of Absolute N Atom Density in Ar/N2 Sputtering Plasma during Heteroepitaxial Growth of Single Crystalline ZnO Films on Sapphire Substrates 国際会議

    K. Iwasaki, T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of particle size on catalytic characteristics of polymer counter electrode containing Si nanoparticles in dye-sensitized solar cells 国際会議

    D. Sakamoto, Y. Oide, S. Tanami, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Room temperature fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films via nitrogen-mediated amorphization method 国際会議

    T. Takasaki, W. Han, K. Iwasaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Low cost dye-sensitized solar cells based on polymer composite catalyst 国際会議

    D. Sakamoto, H. Seo, S. Tanami, Y. Oide, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)  2016年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Effect of photocatalyst TiO2 on the long-term stability of dye-sensitized solar cells 国際会議

    T. Takasaki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)  2016年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Advantages of Plasma Agriculture 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, K. Koga

    2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 大気圧プラズマジェット照射によって模擬生体内を輸送された ROS の二次元濃度分布

    川崎敏之, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第40回静電気学会全国大会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:群馬大学   国名:日本国  

  • Plasma assisted plant growth enhancement for agricultural yield enhancement (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    The 6th International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP 2016)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Catalytic enhancement on polymer composite counter electrode for low cost quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, D. Sakamoto, C. V. V. M. Gopi, M. Kim, H. J. Kim, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 6th International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP 2016)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • バンドギャップチューニング可能なZnO系新半導体材料の開発(プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演) 招待

    板垣奈穂, 松島宏一, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷 正治

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • ヘリコンプラズマを用いた低温低圧下におけるCO2からのCH4生成

    都甲将, 片山龍, 谷田知史, 古閑一憲, 白谷正治

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • 反応性プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎの時空間構造解析

    森研人, 添島雅大, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマ下流における電場とクラスター輸送の関係

    小島尚, 都甲将, 毛屋公孝, 田中和真, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • p層上に堆積したintrinsic a-Si:H中のSi-H2/Si-H結合比に対する界面の影響

    毛屋公孝, 田中和真, 小島尚, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:朱鷺メッセ, 新潟   国名:日本国  

  • A comparative study for action of gamma and plasma irradiation dose on thermodynamics of protein 国際会議

    M. Shiratani, P. Attri, T. Sarinont, E. H. Choi, K. Koga

    6th International Conference on Plasma Medicine (ICPM6)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • A comparative study of reactive oxygen species dose provided by atmospheric plasma and gamma ray irradiation using iodine-starch reaction 国際会議

    T. Sarinont, P. Attri, E. H. Choi, K. Koga, M. Shiratani

    6th International Conference on Plasma Medicine (ICPM6)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of plasma-irradiation distance on ROS and RNS productions in liquid 国際会議

    G. Uhcida, A. Nakajima, T. Ito, K. Takenaka, T. Kawasaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara

    6th International Conference on Plasma Medicine (ICPM6)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 低圧ヘリコン放電プラズマを用いたCO2のメタン化

    谷田知史, 都甲将, 片山龍, 古閑一憲, 白谷正治

    第10回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年8月 - 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法によって作成されたSiナノ粒子の量子測定と太陽電池への応用

    張博辰, 坂本大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第10回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年8月 - 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • プラズマ中でレーザートラップされた微粒子を用いたプラズマのその場計測

    大友洋, 添島雅大, 森研人, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治

    第10回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年8月 - 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • ナノ粒子制御による高光安定なa-Si:H太陽電池セルの作成

    田中和真, 毛屋公孝, 鳥越祥宏, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第10回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年8月 - 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • Inter-Particle Potential Fluctuation of Two Fine Particles Suspended in Ar Plasmas 国際会議

    M. Soejima, K. Koga, M. Shiratani

    16th International Conference On Nanotechnology (IEEE NANO 2016)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of radical deposition rate and cluster amount (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, T. Kojima, H. Seo, N. Itagaki and K. Koga

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Methanation of CO2 by low pressure helicon plasma discharge 国際会議

    S. Toko, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of atmospheric pressure plasma irradiation to plant seeds put in magnetic field on the plant growth 国際会議

    T. Sarinont, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Surface modification of polymeric catalyst for the catalytic enhancement of dye and quantum dot sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, M. K. Son, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Catalytic Activation of Polymer Composite Catalyst for Photochemical Solar Cells 国際会議

    H. Seo, M. Son, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 67th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Effects of RF power on Au-induced layer-exchange crystalline Ge formation using sputtering deposition 国際会議

    S. Tanami, Y. Oide, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    20th International Vacuum Congress (IVC-20)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • インジウムナノ粒子のラット皮下投与による体内動態

    田中昭代, 平田美由紀, 松村渚, 古閑一憲, 白谷正治

    第27回日本微量元素学会学術集会  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  • Envelope analysis and cross correlation analysis of plasma perturbation in amplitude modulated reactive dusty plasmas 国際会議

    K. Mori, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani and S. Inagaki

    Workshop on Plasma surface interaction for technological applications  2016年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Effects of hydrogen content on a-C:H films deposited by Ar+H2+C7H8 plasma CVD 国際会議

    K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki and M. Shiratani

    Workshop on Plasma surface interaction for technological applications  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Effects of clusters transport on hydrogenated amorphous silicon solar cells 国際会議

    T. Kojima, S. Toko, K. Keya, K. Tanaka, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    Workshop on Plasma surface interaction for technological applications  2016年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • コンパクトドリフトチューブへのダスト入射角度に対する印加バイアス電圧の影響

    片山龍, 方韜鈞, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男

    第11回核融合エネルギー連合講演会  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • コンパクトドリフトチューブを用いたArプラズマとグラファイト壁の相互作用により発生したダストの捕集実験

    方韜鈞, 片山龍, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男

    第11回核融合エネルギー連合講演会  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Effects of hydrogen content on mass density of a-C:H films deposited using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    K. Yamaki. X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, and M. Shiratani

    23rd Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Modulation level dependence of fluctuation of interactions between plasmas and nanoparticles grown in amplitude modulated discharges 国際会議

    K. Mori, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    23rd Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG)  2016年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of discharge power on transport characteristics of clusters in the downstream region of multi-hollow SiH4 discharges 国際会議

    T. Kojima, S. Toko, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    23rd Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG)  2016年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマを用いた低温高速層交換結晶成長に対するRF電力の効果

    田浪荘汰, 大井手芳徳, 坂本大輔, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成28年度九州表面・真空研究会2016(兼第21回九州薄膜表面研究会)  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 不純物添加法を用いた高移動度アモルファスIn2O3:Sn膜の作製

    高崎俊行, 松島宏一, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成28年度九州表面・真空研究会2016(兼第21回九州薄膜表面研究会)  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • DC biased parallel plates for reduction of dust accumulation on first mirror 国際会議

    M. Shiratani, R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, S. Masuzaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Nishimura, A. Sagara

    International Conference on Plasma Surface Interactions in Controlled Fusion Devices (22nd PSI)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月 - 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  • Fluctuation of position and energy of a fine particle in plasma nanofabrication (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月 - 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  • Plasma induced multigeneration effects on plant growth and crop yield (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, K. Koga, N. Hayashi

    1st International Workshop on Plasma Agriculture (IWOPA)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • R&D status of agricultural applications of high voltage and plasma in Japan (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, K. Koga, N. Hayashi

    Workshop on Application of Advanced Plasma Technologies in CE Agriculture  2016年4月 

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    開催年月日: 2016年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • コンパクトドリフトチューブを用いたプラズマ生成ダスト捕集

    白谷正治, 片山龍, 古閑⼀憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • ヘリコンプラズマを⽤いたCO2のメタン化におけるCH4収率と⽣成速度のCO2ガス流量依存性

    都甲将, 古閑⼀憲, 白谷正治

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜の表⾯モフォロジー制御

    松島宏⼀, 井手智章, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑⼀憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • 宇宙科学・⼯学とプラズマ (招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑⼀憲

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • プラズマによるクラスター捕捉を利用した低クラスター混入 a-Si:H 薄膜の作製

    都甲将, 毛屋公孝, 小島尚, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第7回薄膜太陽電池セミナー  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • 色素及び量子ドット増感太陽電池の電解液に適用可能なポリマー触媒

    徐鉉雄, 田浪荘汰, 大井手芳徳, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第7回薄膜太陽電池セミナー  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • A compact drift tube: a novel in-situ dust measurement method 国際会議

    M. Shiratani, R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, S. Masuzaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    8th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016)  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Non-thermal atmospheric air plasma irradiation to plant seeds for plasma agricultural applications 国際会議

    M. Soejima, K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, M. Shirtani

    5th International Conference on Advanced Plasma Technologies (ICAPT-5)  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年2月 - 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • Fluctuation in interaction potential between binary colliding fine particles suspended in plasmas 国際会議

    M. Soejima, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Conference on Advanced Plasma Technologies (ICAPT-5)  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年2月 - 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • Deposition of high-mobility amorphous In2O3:Sn films by utilizing nitrogen mediated amorphization method 国際会議

    T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Inverse Correlation between Radical Deposition Rate and Cluster Amount in Gas Phase in SiH4 Discharge Plasmas for Si Thin Film Solar Cell Fabrication 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, T. Kojima, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Hybrid counter electrode of photochemical solar cells for iodine and polysulfide redox systems (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Evaluation of SiH and SiH2 bonds in PIN a-Si:H solar cells using Raman spectroscopy 国際会議

    K. Keya, Y. Torigoe, S. Toko, T. Kojima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of annealing temperature on grain size of Au catalyst for layer-exchange Ge crystalline formation 国際会議

    S. Tanami, S. Hashimoto, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Stable and low cost polymeric catalyst for dye-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, M.-K. Son, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    EMN Photovoltaics Meeting  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • シランマルチホロー放電プラズマ下流領域におけるクラスタ量の時間変化

    小島尚, 都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中で形成されたナノ粒子によるレーザー散乱光強度のエンベロープ解析:変調周波数依存性

    森研人, 伊東鉄平, 添島雅大, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 小林達哉, 稲垣滋

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • プラズマスパッタリングによる酸化シリコン中への埋め込みGeナノ粒子の粒径制御

    大井手芳徳, 橋本慎史, 田浪荘汰, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • O2/N2分圧比制御による高品質(ZnO)x(InN)1-x膜のスパッタリング形成

    松村勇希, 松島宏一, 井手智章, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • Ar+H2+C7H8プラズマCVDで堆積したa-C:H膜へのイオン照射の効果

    山木健司, 董ショウ, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • ダイバータシミュレータ内でのコンパクトドリフトチューブを用いたダスト捕集実験

    片山龍, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 増崎貴, 芦川直子, 時谷政行, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第19回支部大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本大学   国名:日本国  

  • Analysis of Spatiotemporal Development of Interaction Fluctuation between Nanoparticles and Radicals in Reactive Plasmas 国際会議

    K. Koga, T. Ito, T. Kobayashi, M. Shiratani, S. Inagaki

    9th APSPT/28th SPSM  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of CO2 Conversion on Molar Ratio of H2/CO2 in Helicon Discharge Plasma 国際会議

    S. Toko, R. Katayama, K. Koga, M. Shiratani

    9th APSPT/28th SPSM  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Substrate Temperature on Film Growth Mode of ZnO-InN Pseudo Binary Alloys 国際会議

    K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    9th APSPT/28th SPSM  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • DC biased compact drift tube for measuring dust transport

    R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Masuzaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Arプラズマ中の2つのダスト粒子間のポテンシャル

    白谷正治, 添島雅大, 伊東鉄平, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • CO2-H2ヘリコンプラズマにおけるCH4生成反応速度

    都甲将, 片山龍, 古閑一憲, 白谷正治

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • He/O2プラズマジェット照射による液中酸化反応に及ぼすプラズマ照射距離の効果

    中島厚, 内田儀一郎, 川崎敏之, 古閑一憲, 竹中弘祐, 白谷正治, 節原裕一

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • クラスタ及びSiH3ラジカルのSiH2結合形成への寄与

    毛屋公孝, 鳥越祥宏, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • Photovoltaic Potentials of Nano-particles Based on Advanced Plasma Processes (Invited) 招待

    H. Seo, S. Hashimoto, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Performance Enhancement of Si Quantum Dotsensitized Solar Cells Based on Improved Charge Transfer

    H. Seo, S. Hashimoto, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 基板テクスチャ構造がa-Si:H薄膜中Si-H2結合形成に及ぼす影響

    毛屋公孝, 鳥越祥宏, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • a-Si:H膜中のSi-H2結合生成に対する表面反応の寄与

    鳥越祥宏, 毛屋公孝, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第25回日本MRS年次大会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • プラズマジェットによりアガロース膜を移動した活性酸素の検出プラズマジェットによりアガロース膜を移動した活性酸素の検出

    佐藤晃弘, 久壽米木捷太, 工藤章裕, 坂之下朋大, 鶴丸拓也, 若林泰昂, 川崎敏之, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:琉球大学   国名:日本国  

  • Plasma Assisted Agriculture (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, T. Amano, N. Hayashi, K. Koga

    2015 MRS Fall Meeting  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Deposition Kinetics of Metal Nanoparticles Produced by Discharges in Water 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, M. Hirata, A. Tanaka, M. Shiratani

    2015 MRS Fall Meeting  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • A Simple Method for Quantifying Dose of Reactive Species Generated by Atmospheric Pressure Plasmas 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, G. Uchida, T. Kawasaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015 MRS Fall Meeting  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Chemical Ordering in ZnO-InN Pseudo Binary Alloys with Tunable Bandgap 国際会議

    K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2015 MRS Fall Meeting  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマによる植物成長促進・食糧増産

    白谷正治, 古閑一憲, 林信哉

    第32回プラズマ・核融合学会 年会  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • 核融合炉内ダスト計測用コンパクトドリフトチューブの試作

    片山龍, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 時谷政行, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第32回プラズマ・核融合学会 年会  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • Catalytic Activation in Polymeric Counter Electrode of Dye-sensitized Solar Cells by Surface Modification 国際会議

    H. Seo, M.-K. Son, S. Hashimoto, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-25)  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Enhancement on Photocatalytic and Photovoltaic Properties of Dye-sensitized Solar Cells by S doped TiO2 国際会議

    H. Seo, S.-H. Nam, J.-H. Boo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-25)  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Plasma assisted enhancement of agricultural yield (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani and K. Koga

    25th International TOKI Conference (ITC-25)  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition rate and etching rate due to neutral radicals and dust particles measured using QCMs together with a dust eliminating filter 国際会議

    R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, M. Tokitani, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of Ambient Humidity on Plant Growth Enhancement by Atmospheric Air Plasma Irradiation to Plant Seeds 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Discharge characteristics and hydrodynamics behaviors of atmospheric plasma jets produced in various gas flow patterns 国際会議

    Y. Setsuhara, G. Uchida, A. Nakajima, K. Takenaka, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Gas flow rate dependence of the production of reactive oxygen species in liquid by a plasma-jet irradiation 国際会議

    G. Uchida, A. Nakajima, T. Kawasaki, K. Koga, K. Takenaka, M. Shiratani, Y. Setsuhara

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Substrate temperature dependence of Au-induced crystalline Ge film formation using sputtering deposition 国際会議

    S. Tanami, D. Ichida, D. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Raman Spectroscopy of a -C:H Films Deposited Using Ar + H 2 + C 7 H 8 Plasma CVD 国際会議

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Measurements of nitrogen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films 国際会議

    T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Measurements of absolute densities of nitrogen and oxygen atoms in sputtering plasma for fabrication of ZnInON films 国際会議

    K. Matsushima, T. Ide, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Measurement of absolute density of N atom in sputtering plasma for epitaxial growth ZnO films via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cross correlation analysis of plasma perturbation in amplitude modulated reactive dusty plasmas 国際会議

    T. Ito, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Kobayashi, S. Inagaki

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Attraction during binary collision of fine particles in Ar plasma 国際会議

    M. Soejima, T. Ito, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Synthesis of indium-containing nanoparticles using plasmas in water to study their effects on living body 国際会議

    T. Amano, K. Koga, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Kitazaki, M. Hirata, Y. Nakatsu, A. Tanaka

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Raman spectroscopy of PIN hydrogenated amorphous silicon solar cells 国際会議

    K. Keya, Y. Torigoe, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Laser trapped single fine particle as a probe of plasma parameters 国際会議

    D. Yamashita, M. Soejima, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of N2 dilution on fabrication of Ge nanoparticles by rf sputtering 国際会議

    S. Hashimoto, S. Tanami, H. Seo, G. Uchida, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of electrode structure on characteristics of multi-hollow discharges 国際会議

    Y. Torigoe, K. Keya, S. Toko, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICRP9/GEC68/SPP33  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマの直接照射及び照射溶液による突然変異の誘導

    中津可道, 大野みずき, 鷹野典子, 北崎訓, 古閑一憲, 天野孝昭, 白谷正治, 田中昭代, 續輝久

    第74回日本癌学会学術総会  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • Novel polymer counter electrode of dye-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, M.-K. Son, S. Hashimoto, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    66th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • 非平衡プラズマジェットの動的放電特性

    内田儀一郎, 竹中弘祐, 節原裕一, 川崎敏之, 古閑一憲, 白谷正治

    第21回プラズマ新領域研究会『プラズマ流の可視化』  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪大学   国名:日本国  

  • KI-デンプン水溶液を用いた大気圧プラズマの活性種照射量の簡便な評価法

    天野孝昭, Thapanut Sarinont, 内田儀一郎, 川崎敏之, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中ナノ粒子量揺らぎのクロスコリレーション解析

    伊東鉄平, 添島雅大, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 小林達哉, 稲垣滋

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法を用いたZnO膜作製におけるN2/Arプラズマ中のN原子絶対密度計測

    井手智章, 松島宏一, 高崎俊行, 竹田圭吾, 堀勝, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • 成膜領域へのマルチホロー放電プラズマの拡散に対する電極構造の影響

    鳥越祥宏, 都甲将, 毛屋公孝, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • 水素前方散乱分析法とフーリエ変換赤外分光法によるアモルファス炭素膜中水素濃度の比較分析

    Xiao Dong, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • 高移動度アモルファスIn2O3:Sn薄膜作製におけるN2/Arスパッタリングプラズマ中の窒素原子絶対密度計測

    高崎俊行, 井手智章, 松島宏一, 竹田圭吾, 堀勝, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • ラマン分光法を用いたa-Si:H PIN太陽電池のP、I層およびPI界面の評価

    毛屋公孝, 鳥越祥宏, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法におけるシランガス流速のクラスターに対するラジカル損失への影響

    都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • プラズマ中微粒子運動の2次元顕微解析

    添島雅大, 伊東鉄平, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 野口将之, 内田誠一

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • プラズマを用いた低温高速層交換結晶成長に対する金触媒膜厚の効果

    田浪荘汰, 橋本慎史, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • プラズマ・壁相互作用により発生したダスト堆積とプラズマ発光との相関

    片山龍, 古閑一憲, 山下大輔, Hyunwoong Seo, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 時谷政行, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • ZnInON膜作製時におけるAr/O2/N2プラズマ中のO原子及びN原子の絶対密度計測

    松島宏一, 井手智章, 高崎俊行, 竹田圭吾, 堀勝, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • RFスパッタリングによるGeナノ粒子作製への窒素希釈の効果

    橋本慎史, 田浪荘汰, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡大学   国名:日本国  

  • Requirements Of Buffer Layer For Heteroepitaxy Of ZnO On Lattice-Mismatched Substrate By Sputtering 国際会議

    M. Shiratani, T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, H. Seo, K. Koga, N. Itagaki

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Gas Flow Rate Ratio Dependence Of Properties Of Carbon Films Deposited Using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 国際会議

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Performance Enhancement Of Organic/inorganic Hybrid Solar Cell By The Surface Modification At Si And Polymer Junction 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Catalytic Enhancement On Polymeric Counter Electrode Of Si Quantum Dot-sensitized Solar Cells 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, S. Tanami, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputter Deposition Of Amorphous In2O3:Sn Films With High Mobility By Utilizing Nitrogen Mediated Amorphization Method 国際会議

    T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Hydrogen Concentration In Extremely Thin A-Si:H Fimls Deposited By Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    Y. Torigoe, S. Toko, K. Keya, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Fabrication Of Ge Nanoparticle Composite Films By Reactive Dusty Plasma Process For Next Generation Energy Devices (Invited) 招待 国際会議

    G. Uchida, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Discharge Characteristics Of A Helium Atmospheric Plasma Jet Impinging Onto The Liquid Surface 国際会議

    G. Uchida, A. Nakajima, K. Takenaka, Y. Setsuhara, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Response Of Silkworm Larvae To Non-thermal Atmospheric Pressure Plasma Stimulation 国際会議

    T. Sarinont, K. Koga, T. Amano, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • NO2- Concentration In Seeds Irradiated By Atmospheric Dielectric Barrier Discharge Plasmas 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratani

    The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015)  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • 液面に入射するプラズマジェットの放電特性と動的挙動

    内田儀一郎, 中島厚, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • Effects of Cluster Eliminating Filter on Extremely Thin a-Si:H Films Deposited by SiH4 Multi-Hollow Discharges

    Y. Torigoe, S. Toko, K. Keya, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDにおける水素希釈のa-Si:H膜中クラスター混入量への影響

    都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • 大気圧He/O2プラズマジェット照射による液中活性酸素種生成に及ぼすガス流パターンの効果

    中島厚, 内田儀一郎, 川崎敏之, 古閑一憲, Thapanut Sarinont, 天野孝昭, 竹中弘祐, 白谷正治, 節原裕一

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋国際会議場   国名:日本国  

  • AM変調を用いた反応性プラズマ中のナノ粒子揺らぎの時空間解析

    森研人, 伊東鉄平, 古閑一憲, 添島雅大, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 小林達哉, 稲垣滋

    第9回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 膜中クラスター体積分率の水素ガス流量依存性

    小島尚, 都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第9回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 窒素媒介結晶化のスパッタ法によるZnO膜のエピタキシャル成長の窒素流量の影響

    松村勇希, 井手智章, 松島宏一, 山下大輔, Hyunwoong Seo, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第9回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 水素原子源付プラズマCVD法によるカーボンフィルムの堆積速度および膜質の制御

    山木健司, 董ショウ, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 節原裕一, 竹中弘祐

    第9回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • RFスパッタリング法を用いて作製したGeナノ粒子膜の増感型量子ドット太陽電池への応用

    大井手芳徳, 橋本慎史, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第9回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 体内動態観察を目的とした水中プラズマによるインジウムナノ粒子の作製と投与

    天野孝昭, 古閑一憲, 板垣奈穂, 白谷正治, 田中昭代, 平田美由紀

    新学術領域研究「プラズマ医療科学の創成」+「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」+「統合的神経機能の制御を標的とした糖鎖の作動原理解明」合同公開シンポジウム  2015年8月 

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    開催年月日: 2015年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学ESホール   国名:日本国  

  • Bispectrum analysis of fluctuation of nanoparticle amount in amplitude modulated capacitively-coupled discharge plasmas 国際会議

    M. Shiratani, T. Ito, K. Koga, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, T. Kobayashi, S. Inagaki

    The XXXII edition of the International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG2015)  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ルーマニア  

  • Linear and Nonlinear Correlation between Deposition Rate and SiH Emission Intensity in SiH4 Multi-hollow Discharge Plasmas 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The XXXII edition of the International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG2015)  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ルーマニア  

  • Contribution of Clusters to SiH2 Bonds in a-Si:H Films 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The XXXII edition of the International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG2015)  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ルーマニア  

  • Position fluctuation of a fine particle optically trapped in Ar plasma 国際会議

    M. Shiratani, M. Soejima, T. Ito, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga

    The XXXII edition of the International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG2015)  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ルーマニア  

  • Third Generation Photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki

    The 1st Asian Workshop on Advanced Plasma Technology and Application  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Improvement of Agricultural Productivity utilizing Plasmas 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, N. Hayashi

    2015 International Forum on Functional Materials (IFFM2015)  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Second and Third Generation Photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki

    2015 International Forum on Functional Materials (IFFM2015)  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputtering growth of single-crystalline ZnO films on c-sapphire substrates by using impurity-mediated crystallization method: Effects of surface morphology of buffer layers 国際会議

    N. Itagaki, T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, Masaharu Shiratani

    2015 E-MRS Spring Meeting and Exhibit  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • クラスタ除去によるa-Si太陽電池の光劣化抑制(招待講演) 招待

    白谷正治, 都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 古閑一憲

    電子情報通信学会有機エレクトロニクス研究会  2015年4月 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大濱信泉記念館多目的ホール, 沖縄   国名:日本国  

  • Site-selective Coating of Carbon Protective Layer on Sub-micron Trenches Using Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, X. Dong, K. Koga, N. Itagaki, H. Seo, G. Uchida

    42nd International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2015)  2015年4月 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Crystalline Ge film deposition between Au catalyst film and quartz glass substrate using magnetron sputtering 国際会議

    M. Shiratani, D. Ichida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2015 MRS Spring Meeting  2015年4月 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Enhancement on the Photovoltaic Properties of Dye-Sensitized Solar Cells with Catalytically Activated Polymeric Counter Electrode 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015 MRS Spring Meeting  2015年4月 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • High-mobility amorphous In2O3:Sn films prepared by sputter deposition with nitrogen-mediated amorphization method 国際会議

    N. Itagaki, T. Takasaki, T. Nakanishi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/8th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of ZnInON-based multi-quantum well solar cells by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/8th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of ion irradiation on mass density of carbon films deposited by Hassisted plasma CVD 国際会議

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/8th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Flow Rate on Deposition Rate and Amount of Si Clusters Incorporated into a-Si:H Films 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/8th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマによるナノ粒子の合成と凝集・輸送制御(招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法によるc面サファイア基板上へのZnO膜の作製:歪み緩和におけるバッファー層結晶粒密度の影響

    井手智章, 松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • ワイドバンドギャップ半導体ZnInONをi層に用いたpin太陽電池の作製

    松島宏一, 清水僚太, 井手智章, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 可視領域でバンドギャップチューニング可能なZnO系新材料の開発(招待講演) 招待

    板垣奈穂, 松島宏一, 井手智章, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • Effects of atmospheric pressure DBD plasma irradiation on growth of silkworms 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratni

    The 20th Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The 7th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Photovoltaic application of Si nano-particles fabricated by underwater discharge (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 20th Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The 7th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Realization of highly stable a‐Si:H film by using cluster eliminating filter 国際会議

    2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel Raj, Cerkljena Gorenjskem   国名:スロベニア共和国  

  • Effects of hydrogen dilution on stability of a-Si:H films in silane hydrogen mixture multi-hollow discharge plasmas 国際会議

    Y. Torigoe, S. Toko, K. Keya, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Gas Residence Time Effects of Cluster Incorporation into a-Si:H Films 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of strained-induced ZnInON-based multi-quantum well solar cells by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Si nanoparticles using plasmas in liquid for solar cell applications 国際会議

    S. Hashimoto, D. Ichida, H. Seo, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • カイコの成長に対する非平衡大気プラズマ照射の効果

    サリノントタパナット, 天野孝昭, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で作製したナノ結晶シリコン薄膜を用いた光学バンドギャップ制御

    金光善徳, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝普礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ・壁相互作用により発生したダストの容器壁堆積のその場検出

    立石瑞樹, 片山龍, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 時谷政行 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • シランマルチホロー放電の発光強度の圧力依存性

    鳥越祥宏, 都甲将, 毛屋公孝, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリングと金薄膜触媒を用いた低温高速層交換Ge結晶成長

    市田大樹, 橋本慎史, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • LHD内バイアス基板への長期ダスト堆積実験

    片山龍, 立石瑞樹, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 時谷政行, 増崎貴, 西村清彦 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDで作製されたa-Si:H膜中Si-H2結合形成に対するクラスター混入と表面反応の寄与

    都甲将, 鳥越祥宏, 毛屋公孝, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマ照射植物種子の酸化ストレスの計測

    天野孝昭, サリノントタパナット, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第18回支部大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマナノプロセシングにおける揺らぎ抑制のための戦略

    白谷正治, 古閑一憲, 徐鉉雄, 板垣奈穂

    第24回日本MRS年次大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で堆積したSiナノ粒子含有膜の光学バンドギャップ制御

    金光善徳, 内田儀一郎, 市田大樹, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第24回日本MRS年次大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • Free Radical Formation by Atmospheric Pressure Plasmas for Different Gas Species

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, P. Attri

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • イオン液体を用いたRFスパッタリング法により作製した銀ナノ粒子サイズの圧力依存性

    天野孝昭, サリノント タパナット, 古閑一憲, 白谷正治

    第24回日本MRS年次大会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市開港記念会館   国名:日本国  

  • Synthesis of indium-containing nanoparticle using plasmas in liquid for evaluating their kinetics in living body

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 窒素添加スパッタリング法による高移動度アモルファスIn2O3:Sn 膜の作製

    高崎俊行, 中西貴彦, 山下大輔, 徐鉱雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電の上流領域に輸送された クラスタ量の水素希釈の効果

    毛屋公孝, 鳥越祥宏, 都甲将, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学   国名:日本国  

  • プラズマ中に光捕捉した微粒子の挙動解析

    添島雅大, 伊東鉄平, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学   国名:日本国  

  • Evaluaion of Si-H2 bond formation of a-Si:H film using cluster eliminating filter

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Contributions of ion irradiation to the characteristics of a-C:H films deposited by H-assisted plasma CVD method

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering Growth of Pseudobinary ZnO-InN Alloys with Tunable Band Gap for Application in Multi-Quantum Well Solar Cells 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Morphology Control of Buffer Layers for Growth of Single-Crystalline ZnO Films on Lattice Mismatched Substrates 国際会議

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Fabrication of Strained Multi-Quantum Well Solar Cells Utilizing ZnInON 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Performance Dependence of Perovskite Solar Cells on the Ratio of Lead Iodide and Methylammonium Iodide 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of Atmospheric Air Plasma Irradiation to Plant Seeds on Chlorophyll and Carotenoids in Plant 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Multigeneration Study of Effects of Plasma Irradiation to Seeds of Arabidopsis Thaliana and Zinnia 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, T. Amano, K. Koga

    2014 MRS Fall Meeting  2014年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月 - 2014年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成

    板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第30回 九州・山口プラズマ研究会  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ラグナガーデンホテル、沖縄   国名:日本国  

  • Synthesize of ZnO-based Semiconductor with Tunable Band Gap and Its Application in Multi-Quantum-Well Solar Cells 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, and M. Shiratani

    6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Residence Time on Amount of Si Clusters Incorporated into a-Si:H Films 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, Y. Kanemitu, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical Analysis on Perovskite Films According to CH3NH3I and PbI2 Concentration 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Adverse Health Effects of Indium Tin Oxide and Copper Indium Gallium Diselenide 国際会議

    A. Tanaka, M. Hirata, K. Koga, M. Shiratani, M. Nakano, K. Omae and Y. Kiyohara

    6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Non-Equilibrium and Extreme State -High-mobility amorphous In2O3:Sn films prepared via nitrogen-mediated amorphization- 国際会議

    N. Itagaki, T. Nakanishi, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Conference 2014  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of crystalline Ge films using RF sputtering and metal catalyst 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Plasma Conference 2014  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ mass measurement of dust particles generated due to interaction between H2 plasma and graphite wall 国際会議

    M. Tateishi, R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    Plasma Conference 2014  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of dust deposition on optical characteristics of substrates 国際会議

    R. Katayama, M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    Plasma Conference 2014  2014年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Ge films for applying solar cells using RF magnetron sputtering and gold film catalyst 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Global Photovoltaic Conference 2014  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Quantum characterization of Si nano-particles fabricated by multi-hollow discharge plasma chemical vapor deposition 国際会議

    H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Global Photovoltaic Conference 2014  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Improvement on charge transportation of Si quantum dot-sensitized solar cell using vanadium doped TiO2 国際会議

    H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, S. H. Nam, J. H. Boo

    Global Photovoltaic Conference 2014  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Fabrication of Si nanoparticles using plasmas in water for organic/inorganic hybrid solar cells 国際会議

    S. Hashimoto, D. Ichida, H. Seo, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Global Photovoltaic Conference 2014  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Novel method of Ge crystalline thin film deposition on SiO2 by sputtering 国際会議

    M. Shiratani, D. Ichida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    67th Annual Gaseous Electronics Conference  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Modulation frequency dependence of bispectrum of laser light scattering intensity from nanoparticles formed in reactive plasmas 国際会議

    T. Ito, D. Yamashita, H. Seo, K. KamatakiI, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    67th Annual Gaseous Electronics Conference  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cluster Incorporation Control by Hydrogen Silane Mixture in Multi Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    S. Toko, Y. Torigoe, Y. Kanemitsu, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    67th Annual Gaseous Electronics Conference  2014年11月 

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Single Fine Particle Trapped in Ar Plasma by Optical Tweezers (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Ito, M. Soejima, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki

    15th Workshop on Fine Particle Plasmas  2014年10月 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Dust Deposition on Optical Characteristics of Mirrors Installed on First Wall in LHD 国際会議

    R. Katayama, M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    15th Workshop on Fine Particle Plasmas  2014年10月 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Size-controlled Ge Nanoparticle Synthesis and Their Application to Quantum-dot Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, S. Hashimoto, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th Workshop on Fine Particle Plasmas  2014年10月 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Development of an in-situ Detection Method of Dust Particles Deposited on Vessel Wall Using Quartz Crystal Microbalances 国際会議

    M. Tateishi, R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    15th Workshop on Fine Particle Plasmas  2014年10月 

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    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • S i ナノ粒子を用いたハイブリッド型太陽電池の研究

    橋本慎史, 市田大樹, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第6回薄膜太陽電池セミナー2014  2014年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • 色素増感太陽電池のポリマー触媒の改善

    徐鉉雄, 橋本慎史, 市田大樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第6回薄膜太陽電池セミナー2014  2014年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマで作製したa-Si:H膜中クラスター量の水素-シラン混合比依存性

    毛屋公孝, 都甲将, 鳥越祥宏, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第6回薄膜太陽電池セミナー2014  2014年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • Nanopartilce Composite Plasma CVD Films and Some Applications (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting  2014年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:メキシコ合衆国  

  • Si量子ドットを用いたハイブリッド型太陽電池の研究

    橋本慎史, 市田大樹, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成26年度(第67回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDによるSi量子ドットの作製と新太陽電池への応用研究

    徐鉉雄, 橋本慎史, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成26年度(第67回)電気・情報関係学会九州支部連合大会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • c面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の形成 : 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおける成長初期過程の表面形態の影響

    板垣奈穂, 井出智章, 松島宏一, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • Characteristics of cluster eliminating filter for plasma CVD

    Y. Torigoe, S. Toko, W. Chen, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 酸窒化物半導体ZnInONを用いた量子井戸型太陽電池の作製

    松島宏一, 清水僚太, 井手智章, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • Influence of Atmospheric Air Discharge Plasma Irradiation on pH of Water

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, H. Nobuya

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ar/NH3プラズマによるグラファイト外包磁気ナノ微粒子のアミノ基表面修飾の最適化

    張ハン, 楊恩波, 古閑一憲, 白谷正治, 永津雅章

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:北海道大学   国名:日本国  

  • Plasma CVD nanostructured films for energy applications (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga

    12th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 27th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM)  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月 - 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • Fabrication of tandem dye-sensitized solar cell based on mesh-type of counter electrode 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月 - 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スイス連邦  

  • Effects of hydrogen dilution to nanoparticle formation in silane hydrogen mixture multi-hollow discharge plasmas 国際会議

    Y. Torigoe, S. Toko, W. Chen, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, and M. Shiratani

    12th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 27th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM)  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月 - 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • Stability of nanoparticle growth processes in reactive plasmas 国際会議

    M. Shiratani, H. Seo, K. Koga, N. Itagaki

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • RF Magnetron sputtering of low-resistive ZnO:Ga films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    T. Nakanishi, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Epitaxial growth of sputter-deposited ZnO films via nitrogen mediated crystallization: effects of nitrogen flow rate 国際会議

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Epitaxial growth of In-rich ZnInON films by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsuhima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Epitaxial growth of a novel widegap semiconductor ZnGaON by magnetron sputtering 国際会議

    R. Shimizu, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Synthesis of In nanoparticles using RF sputtering for evaluating nanoparticle kinetics in living body 国際会議

    T. Amano, K. Koga, T. Sarinont, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Hayashi, Y. Nakatsu, T. Tsuzuki, M. Hirata, A. Tanaka

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si QD/PEDOT:PSS Hybrid Solar Cells Using Si Nanoparticles Fabricated by Multi-Hollow Plasma CVD 国際会議

    S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Real Time Deposition Measurement of Dust Particles Generated by Plasma-Wall Interaction 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hydrogen Concentration Associated with Si-H2 Bonds in Films Deposited by High Frequency Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    Y. Torigoe, Y. Hashimoto, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Substrate Temperature on Defect Density of Ge Nanoparticle Films 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Raman spectroscopy of optically trapped single fine particle in plasmas 国際会議

    T. Ito, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hysteresis of Cluster Amount in Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    S. Toko, Y. Hasahimoto, Y. Kanemitsu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Counter electrode based on conductive polymer for cost-effective dye-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of reducing sugar of plants irradiated by air dielectric barrier discharge plasmas 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Crystal Growth Control of Sputter-Deposited ZnO Films by Nitrogen-Mediated Crystallization Method 国際会議

    N. Itagaki, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    15th IUMRS-International Conference in Asia  2014年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Atmospheric Pressure DBD Plasma Irradiation to Seeds of Glycine max (L.)Merrill and Vigna radiata 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, K. Koga, and M. Shiratani

    International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Suppression of Cluster Incorporation into a-Si:H Films Using a Cluster Eliminating Filter 国際会議

    Y. Torigoe, C. Weiting, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Photovoltaic Application of Polymer: Dye-sensitized Solar Cell and Organic/inorganic Hybrid Solar Cell (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Long term effects of atmospheric air plasma irradiated on seeds of Zinnia 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, and M. Shiratani

    International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014)  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Plasma agriculture: what plasma can do for agriculture (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani and K. Koga

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Pulmonary Toxic Effects of Indium-Tin Oxide Nanoparticles in Rats 国際会議

    Y. Nakatsu, T. Tsuzuki, A. Tanaka, M.Hirata, K. Koga, and M. Shiratani

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Production of indium nanoparticles for nano-safety evaluation 国際会議

    T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, and A. Tanaka

    19th Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & 6th Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials  2014年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Photovoltaic Properties of Organic/Inorganic Hybrid Solar Cells with Improved Electrode 国際会議

    H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2014 International Symposium on Green Manufacturing and Applications (ISGMA 2014)  2014年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Indium nanoparticle synthesis using plasmas in water for nanoparticle transport analysis in living body 国際会議

    T. Amano, K. Koga, M. Shiratani, and A. Tanaka

    26th Symposium on Plasma Physics and Technology  2014年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマ CVD で作成したGe半導体薄膜の光電特性

    市田大樹, 橋本慎史, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成26年度九州表面・真空研究会2014(兼第19回九州薄膜表面研究会)  2014年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡教育大学   国名:日本国  

  • Dust collection with dc-biased substrates in large helical device 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    21th International Conference on Plasma Surface Interactions (PSI2014)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Enhancement of food energy efficiency using plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, S. Kitazaki, and N. Hayashi

    5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM5)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Preservation of Growth Enhancement of Plants after Atmospheric Pressure DBD Plasma Irradiation 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, K. Koga, and M. Shiratani

    5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM5)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of ambient gas species for plasma irradiation to seeds on plant growth promotion 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, and M. Shiratani

    5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM5)  2014年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ Measurements of Volume Fraction of cDusters in Films During Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, S. Toko, K. Koga, N. Itagaki, H. Seo

    International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films(ICMCTF 2014)  2014年5月 

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    開催年月日: 2014年4月 - 2014年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Si/SiC coreshell nanoparticle composite anode for Li ion batteries 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2014 MRS Spring Meeting  2014年4月 

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    開催年月日: 2014年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • ナノ粒子含有振幅変調放電プラズマ中のAr準安定原子密度

    白谷正治, 古閑一憲, 森田康彦, 伊東鉄平, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂

    日本物理学会 第69回年次大会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中のナノ粒子成長とプラズマ揺らぎ

    白谷正治, 古閑一憲, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • プラズマプロセスによるグラファイト被覆金属ナノ微粒子の表面修

    永津雅章, 楊恩波, Anchu Viswan, 張晗, 古閑一憲, 白谷正治

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • グラファイト外包磁気ナノ微粒子噴上げ効果を利用したAr/NH3 RFプラズマによる表面修飾の高効率化とプラズマ表面相互作用の分光計測

    張晗, 楊恩波, 古閑一憲, 白谷正治, 永津雅章

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるナノ粒子成長のバイスペクトル解析

    森田康彦, 伊東鉄平, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • 水素原子源付きプラズマCVDで作製した炭素薄膜の堆積速度:圧力と電極間距離への依存性

    董ショウ, 古閑一憲, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • プラズマ中に光捕捉した単一微粒子を用いたプラズマと界面の相互作用評価

    伊東鉄平, 森田康彦, 岩下伸也, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスター量に対する振幅変調放電の効果

    都甲将, 橋本優史, 金光善徳, 鳥越祥宏, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法による高In組成ZnInON膜の作製

    松島宏一, 清水僚太, 井手智章, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • RFスパッタリングによるInナノ粒子の作製とそのラット体内の動態

    天野孝昭, 古閑一憲, Sarinont Thapanut, 板垣奈穂, 白谷正治, 林信哉, 中津可道, 續輝久, 平田美由紀, 田中昭代

    2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:青山学院大学   国名:日本国  

  • Transport of fine particles produced by interactions between H2 plasmas and carbon wall 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/7th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2014/IC-PLANTS2014)  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Enhancement of Plants Due to Plasma Atmospheric Pressure Irradiation to Seeds in Liquid 国際会議

    T. Sarinont, K. Koga, S. Kitazaki, N. Hayashi, M. Shiratani

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/7th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2014/IC-PLANTS2014)  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Qunatum-Dot Sensitized Solar Cells Using Ge Nanoparticle Films Deposited by High Pressure Rf Magnetron Sputtering Method 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/7th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2014/IC-PLANTS2014)  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Amplitude Modulation of Discharge Voltage on Volume Fraction of Clusters in Si Thin Films Depoisted by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/7th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2014/IC-PLANTS2014)  2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Band gap control of nc-Si thin films deposited multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kanemitsu, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Long Term Growth Curve of Raphanus sativus L. after Atmospheric Pressure DBD Plasma Irradiation 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, K. Koga, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Atmospheric Air Plasma Treatments of Seeds of Oryza sativa,Raphanus sativus L. and Zinnia on Plant Growth 国際会議

    T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Photocurrent generation of quantum-dot sensitized solar cells using group-IV semiconductor nanoparticle films (Invited) 招待 国際会議

    G. Uchida, D. Ichida, S. Hashimoto, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Sputtering Fabrication of novel semiconductor ZnGaON with wide bandgap for optoelectronic devices 国際会議

    R. Shimizu, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, and N. Itagaki

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Si nano-particles: Its quantum characteristics and application for photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    2014 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Selective removal of clusters in silane plasmas by cluster eliminating filter 国際会議

    Y. Hashimoto, Y. Torigoe, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Magnetron sputtering of In2O3:Sn films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Ga-doped Zinc Oxide (GZO) Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization by RF Magnetron Sputtering Method 国際会議

    T. Nakanishi, K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Flux Control of Dust Particles Generated due to Interactions between Graphite Wall and H2 Plasmas using DC Biased Substrates 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Size-controlled Ge Nanoparticle Films Using High Pressure RF Sputtering Method for Quantum Dot Solar Cell 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of InN-rich ZnInON films for photovoltaic appplications by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2014 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of Interactions between Plasmas and Interface using Optically Trapped Single Fine Particle 国際会議

    T. Ito, Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki, and M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Epitaxial growth of ZnO films on lattice mismatch substrates by magnetron sputtering: Effects of buffer layers prepared via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Hydrogen Dilution on Structure of Ge Quantum Dot Film Deposited by Using High Pressure rf Sputtering 国際会議

    S. Hashimoto, D. Ichida, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Gas Pressure on Deposition Rate of Anisotropic Plasma CVD 国際会議

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Amplitude Modulation on Stability of Hydrogenated Amorphous Silicon Films Deposited using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    Y. Torigoe, Y. Hashimoto, S. Toko, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2014 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Amplitude Modulation of Discharge Voltage on Cluster Amount in Downstream Region of Multi-Hollow Silane Discharge Plasmas Studied by Laser Light Scattering Method 国際会議

    S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    2014 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Bispectrum analysis of nanoparticle growth in reactive dusty plasmas 国際会議

    Y. Morita, T. Ito, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    18th Korea - Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • A model for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, S. Iwashita, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Visualization of oxidizing substances generated by atmospheric pressure non-thermal plasma jet with water 国際会議

    T. Kawasaki, K. Kawano, H. Mizoguchi, Y. Yano, K. Yamashita, M. Sakai, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Long term growth of radish sprouts after atmospheric pressure DBD plasma irradiation to seeds 国際会議

    T. Amano, T. Sarinont, S. Kitazaki, N. Hayashi, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of growth enhancement by plasma irradiation to seeds in water 国際会議

    T. Sarinont, K. Koga, S. Kitazaki, M. Shiratani, N. Hayashi

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Quantum characterization and photovoltaic application of Si nano-particles fabricated by multi-hollow plasma discharge chemical vapor deposition 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of SiC nanoparticles as high capacity electrodes for Li-ion batteries 国際会議

    G. Uchida, K. Kamataki, D. Ichida, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates by magnetron sputtering: Effects of buffer layers prepared via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Subacute toxicity of gallium arsenide, indium arsenide and arsenic trioxide following intermittent intrantracheal instillations to the lung of rats 国際会議

    A. Tanaka, M. Hirata, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Hayashi, G. Uchida

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on nitrogen desorption behavior of sputtered ZnO for transparent conducting oxide 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering fabrication of a novel widegap semiconductor ZnGaON for optoelectronic devices with wide bandgap for optical device 国際会議

    R. Shimizu, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Deposition of Ga-doped Zinc Oxide (GZO) Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

    T. Nakanishi, K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatial profile of flux of dust particles in hydrogen helicon plasmas 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Raman spectroscopy of a fine particle optically trapped in plasma 国際会議

    D. Yamashita, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Pressure dependence of carbon film deposition using H-assisted plasma CVD 国際会議

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nanoparticle amount in reactive plasmas with amplitude modulation detected by twodimensional laser light scattering method 国際会議

    T. Ito, Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Magnetron sputtering of low-resistive In2O3:Sn films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fine response of deposition rate of Si films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD with amplitude modulation 国際会議

    S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of In-rich ZnInON filmswith narrow band gap by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analysis of fluctuation of Ar metastable density and nanoparticle amount in capacitively coupled discharges with amplitude modulation 国際会議

    Y. Morita, T. Ito, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate temperature dependence of hydrogen content of a-Si:H film deposited with a cluster-eliminating filter 国際会議

    Y. Hashimoto, S. Toko, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of size-controlled Ge nanoparticle films varying gas flow rate using high pressure rf magnetron sputtering method 国際会議

    D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of amplitude modulation on deposition of hydrogenated amorphous silicon films using multi-Hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    Y. Torigoe, Y. Hashimoto, S. Toko, Y. Kim, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of Crystalline Ge Nanoparticle Films Varying H2 Dilution Ratio Using High Pressure rf Magnetron Sputtering 国際会議

    S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Combinatorial evaluation of optical properties of crystalline Si nanoparticle embedded Si films deposited by a multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    Y. Kanemitsu, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputtering growth of single-crystalline ZnO-based semiconductors on lattice mismatched substrates (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    International Society for Optics and Photonics, Photonics West 2014  2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Solar cells using nanoparticles of group IV semiconductor aiming at MEG effects 国際会議

    G. Uchida, H. Seo, D. Ichida, N. Itagaki, K, Koga, M. Shiratani

    6th International Symposium on Innovative Solar Cells  2014年1月 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nanoparticle composite plasma CVD films Fundamental and applications (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki

    The 9th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing  2014年1月 

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    開催年月日: 2014年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • 水中種子へのプラズマ照射の成長促進効果

    白谷正治, T. Sarinont, 天野孝昭, 古閑一憲, 北崎訓, 林信哉

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDにおけるa-Si:H膜中クラスター混入量に対する振幅変調放電の効果

    都甲将, 橋本優史, 金光善徳, 鳥越祥宏, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタ法による窒素添加結晶化バッファー層を用いた低抵抗In2O3:Sn薄膜の作製

    押川晃一郎, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 山下大輔, I. Suhariadi

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • スパッタリング法による狭ギャップ半導体ZnInON膜の高品質結晶成長

    松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • Ga添加酸化亜鉛薄膜に対する窒素添加結晶化法を用いた酸化亜鉛バッファー層の効果

    押川晃一郎, I. Suhariadi, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐世保工業高等専門学校   国名:日本国  

  • プラズマを用いたⅣ族半導体ナノ粒子膜の堆積とそのデバイス応用 (Invited) 招待

    内田儀一郎, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第16回プラズマエレクトロニクス分科会 プラズマ新領域研究会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大学利用施設UNITY, 神戸   国名:日本国  

  • Transport of Carbon Dust Particles Produced by Interactions between H2 Plasmas and Graphite Target

    M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, LHD Experimental Group

    14th Workshop on Fine Particle Plasmas  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of spatial profile of nanoparticle amount in amplitude modulated capacitively coupled reactive plasmas

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Morita, S. Iwashita, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Water on Interaction between Plant Growth and Plasma

    T. Sarinont, K. Koga, S. Kitazaki, M. Shiratani, N. Hayashi

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Quantum characteristics of crystalline Si nano-particles and their application for photochemical solar cells (Invited) 招待

    H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Morphological Characterization of ZnO Thin Films Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of Substrate Temperature

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Magnetron sputtering of low-resistive transparent conductive oxide films with double buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Amplitude Modulation of Discharge Voltage of Multi-Hollow Silane Discharges on Amount of Clusters Formed in the Discharges

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitsu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of Ge nanoparticle composite films and their application to solar cells

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    23rd Annual Meeting of MRS-JAPAN 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素プラズマとグラファイト壁の相互作用により発生するダスト粒子の輸送

    立石瑞樹, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会 第30回年会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • グラフェン外包磁気ナノ微粒子の表面化学修飾におけるRFプラズマ中への微粒子導入の効果

    張晗, 楊恩波, 高田昇治, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 永津雅章

    プラズマ・核融合学会 第30回年会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • プラズマ中の活性酸素種による植物のレドックス状態変化と成長促進効果

    林信哉, 内田詳平, 小野大帝, 北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第30回年会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京工業大学   国名:日本国  

  • Novel metal oxinitride materials for optoelectronic applications (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, N. Itagaki., K. Matsushima, R. Shimizu, H. Seo, K. Koga

    2013 EMN Fall Meeting  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nanostructure control of Si-based solar cells using plasma CVD (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, H. Seo, D. Ichida, K. Koga, N. Itagaki, K. Kamataki

    THERMEC 2013  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • RFマグネトロンスパッタリング法を用いて作製したGeナノ粒子膜の特性

    橋本慎史, 市田大樹, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 種子への大気圧DBDプラズマ照射後のカイワレ大根成長の時間推移

    天野孝昭, サリノント タパナット, 北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 酸素プラズマ照射による植物細胞の抗酸化活性変化

    林信哉, 小野大帝, 内田祥平, 北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • プラズマジェットから発生する酸化性物質の可視化

    山下佳亮, 河野航大, 溝口博士, 矢野裕士, 川崎敏之, 坂井美穂, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • マグネトロンスパッタ法による格子不整合基板上へのエピタキシャルZnO膜の作製:窒素添加結晶化バッファー層の効果

    井手智章, 松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中で発生するナノ粒子量の時空間分布

    伊東鉄平, 森田康彦, 岩下伸也, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 振幅変調マルチホロー放電プラズマCVD法を用いた 水素化アモルファスシリコン薄膜の作製

    鳥越祥宏, 橋本優史, 都甲将, 金淵元, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年12月 

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    開催年月日: 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • Control of plasma CVD films containing group IV nanoparticles (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    International Conference on Surface Engineering (ICSE 2013)  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells based on Si functionalization and multi-layered structure 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Conference on Surface Engineering (ICSE 2013)  2013年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • 高効率太陽電池のための狭バンドギャップZnInON膜の作成-[O]/([O]+[N])依存性-

    松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第5回薄膜太陽電池セミナー  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • 膜中クラスター退席分率のAM変調依存性

    都甲将, 橋本優史, 金光善徳, 鳥越祥宏, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第5回薄膜太陽電池セミナー  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • Fabrication of Dye and Si Quantum Dot Co-sensitized Solar Cells for Performance Enhancement 国際会議

    H. Seo, M.-K. Son, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2013)  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Correlation between Species Generated by Atmospheric Pressure Air Plasmas and Growth Enhancement of Oryza Sativa 国際会議

    T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratani

    The 6th Thailand-Japan International Academic Conference 2013  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シート状プラズマジェットの照射領域制御とその評価

    川崎敏之, 坂井美穂, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第29回九州山口プラズマ研究会  2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:クレドホテル臼杵   国名:日本国  

  • Deposition of Size-controlled Ge Nanoparticle Film by Highpressure rf Magnetron Sputtering for Quantum Dot Solar Cells 国際会議

    D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    AVS 60th International Symposium and Exhibition  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:その他  

  • PS+TF-MoA11 Two-dimensional Growth of Novel ZnO based Semiconductor ZnInON with Tunable Bandgap by Magnetron Sputtering 国際会議

    K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    AVS 60th International Symposium and Exhibition  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:その他  

  • Photocurrent Generation Characteristics of Ge Quantum-Dot Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    AVS 60th International Symposium and Exhibition  2013年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:その他  

  • Selective Removal of Clusters in Silane Plasmas Using Cluster Eliminating Filter 国際会議

    Y. Hashimoto, S. Toko, Y. Kim, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年10月 - 2013年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Pulmonary toxicity of copper indium gallium diselenide particles in rats 国際会議

    A. Tanaka, M. Hirata, K. Koga, N. Hayashi, M. Shiratani and Y. Kiyohara

    The 6th International Symposium on Nanotechnology, Occupational and Environmental Health  2013年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • The performance enhancement of dye and quantum dot hybrid nanostructured solar cell with barrier coating 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Taiwan Associatoin for Coatings and Thin Films Technology  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:台湾  

  • Cluster control plasma CVD for fabrication of stable a-Si:H solar cells 国際会議

    M. Shiratani, Y. Hashimoto, Y. Kanemitsu, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    66th Annual Gaseous Electronics Conference  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Sputtering deposition of ZnGaInON with tunable bandgap for photovoltaics 国際会議

    R. Shimizu, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    66th Annual Gaseous Electronics Conference  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cluster incorporation during amplitude modulated VHF discharge silane plasmas 国際会議

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    66th Annual Gaseous Electronics Conference  2013年10月 

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    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Ar/N2 Magnetron Sputtering Discharges to Control Growth of Transparent Conducting Oxide Films 国際会議

    K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    66th Annual Gaseous Electronics Conference  2013年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月 - 2013年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • ナノ粒子含有プラズマ系におけるナノ粒子成長

    白谷正治, 森田康彦, 岩下伸也, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, H. Seo, 鎌滝晋礼

    日本物理学会2013年秋季大会  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島大学(常三島キャンパス)   国名:日本国  

  • Effects of H2 plasma etching on carbon nanoparticles formed due to interactions betweengraphite target and H2 Plasmas

    M. Tateishi, K. Koga, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で堆積したSiナノ粒子膜の光学的バンドギャップ制御

    金光善徳, 内田儀一郎, 市田大樹, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第7回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • ハイスピードカメラを用いたナノ粒子成長プロセスの観測

    伊東鉄平, 森田康彦, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第7回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • シリコン量子ドット増感太陽電池の高性能化のための多硫化物電解液の最適化

    橋本慎史, 市田大樹, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第7回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • Crystallinity Control of Sputtered ZnO:Al Transparent Conducting Films by Utilizing Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

    N. Itagaki, K. Oshikawa, I. Suhariadi, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Photocarrier generation in quantum-dot sensitized solar cells using Ge nanoparticle films 国際会議

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma Etching of Single Fine Particle Trapped By Optical Tweezers

    M. Shiratani, D. Yamashita, K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of growth enhancement effects of radish sprouts due to atmospheric pressureplasma irradiation

    T. Sarinont, S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of the area irradiated by the sheet-type plasma jet in atmospheric pressure

    T. Kawasaki, M. Sakai, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time Evolution of Ar Emission Intensities of Ar + H2 + Toluene Plasmas in H-assistedPlasma CVD Reactor

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Production of SiC nanoparticles for Li-ion battery applications by using a high pressuremulti-hollow discharge plasma CVD

    G. Uchida, D. Ichida, Y. Kanemitsu, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of RF power on structure of Ge nanoparticle films deposited by high-pressure RFmagnetron sputtering method

    D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of H2 plasma etching on carbon nanoparticles formed due to interactions betweengraphite target and H2 Plasmas

    M. Tateishi, K. Koga, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of filter gap of cluster eliminating filter on cluster eliminating efficiency

    Y. Hashimoto, S. Toko, Y. Kim, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of Volume Fraction of Si Clusters in Films on Amplitude Modulation Frequencyin Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Method

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Amplitude modulation frequency dependence of nanoparticle amount in plasmas

    Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Synthesis and Characterization of Oxynitride Semiconductor ZnInON with Tunable Bandgap

    N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G.Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26)  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Combinatorial Method of Plasma Irradiation to Seeds of Raphanus sativus L. 国際会議

    M. Shiratani, S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, G. Uchida, N. Hayashi

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Atmospheric Air Plasma Irradiation on pH of Deionized Water 国際会議

    T. Sarinont, S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani and N. Hayashi

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマからのクラスター流出量のガス流速依存性

    都甲将, 金淵元, 橋本優史, 金光善徳, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製-Ar分圧依存性-

    松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  • シラン放電プラズマ初期のクラスター発生と膜への取り込み

    橋本優史, 都甲将, 金淵元, 山下大輔, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  • RFスパッタリング法を用いた結晶Geナノ粒子膜の堆積

    市田大樹, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるナノ粒子量空間分布の変調周波数依存性

    森田康彦, 岩下伸也, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:同志社大学   国名:日本国  

  • Performance Dependence of Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells on Counter Electrode 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Band-Gap Engineering of ZnO Based Semiconductors Deposited by Sputtering 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Contribution of ionic deposition precursors to Si thin film deposition 国際会議

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    Dry Process Symposium 2013  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of amplitude modulation of rf discharge voltage on silane plasmas in initial phase 国際会議

    Y. Kim, S. Toko, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    Dry Process Symposium 2013  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Safety Issues on Plasma Life Sicences (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, A. Tanaka, M. Hirata, N. Hayashi, N. Itagaki, G. Uchida

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Characteristics of GeSn nanoparticle films deposition by high-pressure rf magnetron sputtering method 国際会議

    D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Performance Enhancement of Si Quantum Dot-sensitized Solar Cell Using vanadium Doped TiO2 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, S. Nam, J. Boo

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Time evolution of spatial profile of nanoparticle amount in reactive plasmas 国際会議

    Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Sputtering Fabrication of ZnInON films with Tunable Bandgap for Heterojunction Solar Cells 国際会議

    R. Shimizu, K. Matsushima, Tadashi Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, and N. Itagaki

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Effects of atmospheric air plasma treatments of seeds on plant growth 国際会議

    T. Sarinont, S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, M. Shiratani and N. Hayashi

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Deposition of Ge nanoparticle films by high-pressure rf magnetron sputtering method for quantum dot solar cells 国際会議

    G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Tuning Size Distribution of Nanoparticles Formed in Reactive Plasmas using Plasma Parameter Modulation 国際会議

    M. Shiratani, Y. Morita, S. Iwashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, and K. Koga

    The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2013)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Coreshell nanoparticles generated by plasma CVD and their applications to Li ion batteries 国際会議

    M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, and K. Koga

    21st International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC21)  2013年8月 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • Observation of nanoparticle growth process using high speed camera 国際会議

    Y. Morita, K. Koga, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, D. Yamashita and M. Shiratani

    21st International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC21)  2013年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • Correlation between nanoparticle growth and plasma parameters in low pressure reactive VHF discharge plasmas 国際会議

    M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of carbon films on PMMA using H-assisted plasma CVD 国際会議

    X. Dong, R. Torigoe, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, Y. Setsuhara, K. Takenaka, M. Sekine, M. Hori

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Correlation between Species Generated by Atmospheric Pressure Air Plasmas and Growth Enhancement of Oryza Sativa 国際会議

    T. Sarinont, S. Kitazaki, K. Koga, G.u Uchida, M. Shiratani, T. Murakami, N. Hayashi

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on the crystal growth mechanism of ZnO films fabricated via nitrogen mediated crystallization 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of plasma incident angle of dust production due to interactions between hydrogen plasmas and carbon wall 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group d, S. Bornholdte, H. Kersten

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of grid DC bias on incorporation of Si clusters into amorphous silicon films by multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Transport of nanoparticles produced in reactive plasmas using a positively-biased collector 国際会議

    Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, and M. Shiratani

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Infrared Laser Manipulation of Single Fine Particle Levitated at Plasma/Sheath Boundary 国際会議

    D. Yamashita, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of H2 gas addition on structure of Ge nanoparticle films deposited by high-pressure rf magnetron sputtering method 国際会議

    D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamatakia, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Combinatorial plasma CVD of Si nanoparticle composite films for band gap control 国際会議

    Y. Kanemitsu, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)  2013年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter Deposition of Single Crystal ZnO Films on 18&#37; Lattice mismatched c-Al2O3 Substrates via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, and M. Shiratani

    International Symposium on Sputtering and Plasma Processes (ISSP2013)  2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Layer by layer deposition of ZnO buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization for ZnO:Al transparent conducting oxide 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    International Symposium on Sputtering and Plasma Processes (ISSP2013)  2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Combinatorial Approach to Plasma Biosciences (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, G. Uchida, and N. Hayashi

    2013 International Forum on Functional Materials (IFFM2013)  2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Analysis on the paint-type Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Symposium on Green Manufacturing and Applecations  2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Control of nanostructure of plasma CVD Si thin films (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, and K. Kamataki

    Japan-Australia Workshop on Gaseous Electronics and Its Applications (JAWS25)  2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • Advanced plasma sources and processes for energy harvesting devices (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, and K. Koga

    The 17th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Advance in quantum dot-sensitized solar cells using group IV semiconductor nano-particles (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

    The 17th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Volume fraction of clusters in Si thin films in initial deposition phase of plasma CVD 国際会議

    S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

    The 17th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Dust flux control in high density hydrogen plasmas using DC biased substrates 国際会議

    M. Tateishi, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    The 17th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • 高効率太陽電池の実現に向けた新規酸窒化物半導体ZnInONのバンドギャップエンジニアリング

    板垣奈穂, 松島宏一, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第10回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • Nanostructure of plasma CVD films containing nanoparticles (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki

    International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2013)  2013年4月 

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    開催年月日: 2013年4月 - 2013年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • スパッタ法によるC面サファイア基板上への原子平坦ZnO薄膜の作製

    板垣奈穂, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • 大気圧プラズマジェットによる殺菌への供給ガスの影響

    川崎敏之, 佐藤京祐, 森崎久志, 馬塲啓, 梅田翔一, 坂井美穂, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInONの作製

    松島宏一, 桑原和成, 廣瀬忠史, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Siナノ粒子膜を用いたSi/PEDOT:PSS太陽電池の特性評価

    内田儀一郎, 王玉亭, 市田大樹, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Silicon cluster volume fraction of silicon thin films prepared by multi-hollow plasma discharge CVD

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of distribution and transport of μm-sized dust particles in a CCRF discharge via the Electrical Asymmetry Effect 国際会議

    S. Iwashita, E. Schüngel, J. Schulze, P. Hartmann, Z. Donkó, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    2013年2月 

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    開催年月日: 2013年2月 - 2013年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Friedrich-Schiller-University of Jena   国名:ドイツ連邦共和国  

  • Fluctuation in Plasma Processes (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo

    6th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth promotion of Raphanus sativus L. using a combinatorialplasma irradiation method 国際会議

    S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, M.Shiratani, N. Hayashi

    The 6th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dust and Dust Manipulation in Capacitively Coupled Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    The 6th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter deposition of zinc-indium oxynitride semiconductors with narrow bandgap for excitonic transistors 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Enhancement of Plants using Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge Plasmas 国際会議

    T. Sarinont, S. Kitazaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Antioxidative activity of plant and regulation of plant growth induced by oxygen radicals 国際会議

    N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate temperature dependence of silcion cluster volume fraction in silicon thin films measured with quartz crystal microbalances 国際会議

    Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Spatio-temporal structure of growth of nano-particles with without amplitude modulation in reactive plasmas 国際会議

    K. Kamataki, Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of performance of p-i-n a-Si:H solar cells using stable a-Si:H films on distance between discahrges and substrate 国際会議

    K. Hatozaki, Y. Hashimoto, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of nanoparticle size in reactive plasmas: comparison between theory and experiments 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • The improvement on the electron transfer of dye-sensitized solar cell using vanadium doped TiO2 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Sanghoon Nam and Jin-Hyo Boo

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Properties and Performance of C-Si/Si QDs/organic Heterojunction Solar Cells 国際会議

    Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of etching effects due to H+ ions on dust transport using local bias potential 国際会議

    K. Nishiyama, M. Tateishi, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and The LHD Experimental Group

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Energy conversion efficincy of Si nanoparticle/PEDOT:PSS qunatum-dot solar cells 国際会議

    G. Uchida, Y. Wang, H. Seo, D. Ichida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Nitrogen on Crystal Growth of Sputter-Deposited ZnO Films for Transparent Conducting Oxide 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of deposition temperature on properties of epitaxial ZnInON films for solar cells 国際会議

    K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, and N. Itagaki

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of Voc of a-Si:H solar cells on distance between discharge and substrate 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Hatozaki, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cycle characteristics of lithium ion batteries using Si/SiC core-shell nanoparticle anode 国際会議

    Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, Y. Kim, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, H. Nagano, T. Ishihara

    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)  2013年2月 

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    開催年月日: 2013年1月 - 2013年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Tuning nanostructures of plasma CVD films (Plenary) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of epitaxial ZnInON films for MQW solar cells by RF magnetron sputtering 国際会議

    K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Deposition rate dependence of silicon cluster volume fraction in silicon thin films deposited by multi-hollow plasma discharge CVD 国際会議

    Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • The fabrication of paint-type Si quantum dot-sensitized solar cells and ZnS post-treatment (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, Y. wang, D. Ichida, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Sputter deposition of atomically-flat ZnO films on lattice mismatched substrates via nitrogen mediated crystallization (Invited) 招待 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中の微粒子成長速度の時空間相関

    白谷正治, 鎌滝晋礼, 森田康彦, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 徐鉉雄

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • 低圧プラズマ照射による稲の成長促進

    T. Sarinont, 北崎 訓, 内田 儀一郎, 古閑 一憲, 白谷 正治, 林 信哉

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDで堆積したSiナノ粒子含有膜のバンドギャップ制御

    金光善徳, 内田儀一郎, 市田大樹, 王玉亭, 波戸崎浩介, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロープラズマCVDを用いたリチウムイン電池用SiCナノ粒子膜のコンビナトリアル生成

    森田康彦, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 金淵元, 徐鉉雄, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 永野裕己, 石原達己

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • Siナノ粒子/PEDOT:PSSを用いた量子ドット太陽電池の作製

    市田大樹, 王玉亭, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第30回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)  2013年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:アクトシティ浜松・研修交流センター   国名:日本国  

  • Quantum yield of Si quantum dot solar cells using Si nanoparticles 国際会議

    G. Uchida, H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, K. Koga, M. Shiratani

    2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Etching Effects of Hydrogen Ions on Dust Collection Using Local Bias Potential 国際会議

    K. Nishiyama, M. Tateishi, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    2013 International Symposium on Information Science and Electrical Engineering  2013年1月 

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    開催年月日: 2013年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 反応性プラズマとナノ構造の相互作用の長距離相関モデル

    白谷正治, 鎌滝晋礼, 森田康彦, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 徐鉉雄

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中でのナノ粒子成長の時空間分布

    森田康彦, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 大型ヘリカル装置の主放電時に発生するダストの局所バイアス電圧を用いた除去

    西山雄士, 立石瑞樹, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法を用いたSiナノ粒子膜の堆積と有機・無機ハイブリッド型太陽電池への応用

    市田大樹, 王玉亭, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDで堆積したSiナノ粒子含有膜の光学特性

    金光善徳, 内田儀一郎, 市田大樹, 王玉亭, 波戸崎浩介, 徐鉉雄, 鎌滝普礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • スパッタリング法による高効率量子井戸型太陽電池のための狭バンドギャップ酸窒化物半導体の作製

    廣瀬忠史, 松島宏一, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • SiH4マルチホロー放電プラズマの発光分光計測

    橋本優史, 波戸崎浩介, 金淵元, 山下大輔, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第16回支部大会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Electrochemical impedance analysis on the additional layers for the enhancement on the performance of dye-sensitized solar cell 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    10th International Conference on Nano-Molecular Electronics  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Application of Si nanoparticles to energy devices: quantum-dot solar cells and Li ion batteris (Invited) 招待 国際会議

    G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, and M. Shiratani

    The 69th IUVSTA Workshop  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:スロベニア共和国  

  • A simplified model of a relationship between plasma fluctuation and size distribution of nanoparticles formed in reactive plasmas

    M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Transport control of dust particles in a capacitively coupled discharge via the Electrical Asymmetry Effect

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiC/Si nanoparticle anode of lithium ion batteries fabricated using double multi-hollow plasma CVD

    Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, Y. Kim, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, H. Nagano, T. Ishihara

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dust particle formation due to interaction between deuterium helicon plasmas and graphite wall

    M. Tateishi, S. Iwashita, K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dust Collection on DC Biased Substrates during Glow Discharges in the Large Helical Device

    K. Nishiyama, M. Tateishi, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagar2, and the LHD Experimental Group

    2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si ナノ粒子/PEDOT:PSS 量子ドット太陽電池のエネルギー変換効率

    市田大樹, 王玉亭, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • 低温スパッタリング法による高効率量子井戸型太陽電池のための新規酸窒化物半導体ZnInONの形成

    松島宏一, 桑原和成, 廣瀬忠史, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化バッファー層を用いた低抵抗ZnO:Al薄膜の作製: バッファー層形成時における酸素供給量の効果

    押川晃一郎, I. Suhariadi, 桑原和成, 山下 大輔, 徐 鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • ヘリコンプラズマ装置における捕集基板上ダストへのエッチング効果の考察

    立石瑞樹, 西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

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    開催年月日: 2012年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • コンビナトリアルプラズマ照射による植物の成長促進

    白谷正治, 北﨑訓, 古閑一憲, 林信哉

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • 局所バイアス電圧印加基板で捕集したカーボンダスト量に対する水素プラズマエッチングの効果

    立石瑞樹, 西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • 放電電力変調反応性プラズマにおけるナノ粒子成長の時空間構造の観測

    鎌滝晋礼, 森田康彦, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 山下大輔, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • ダイバータシミュレータで発生したカーボンダストの生成と輸送の放電電力の効果

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ, S. Bornholdt, H. Kersten

    プラズマ・核融合学会 第29回年会  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:春日クローバープラザ   国名:日本国  

  • Epitaxial Growth of ZnO Based Semiconductors via Impurity-Additive Mediated Crysallization 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, T. Hirose, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2012 MRS Fall Meeting  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Sputter deposition of Epitaxial Zinc-Indium Oxynitride Films for Excitonic Transistors 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 34th International Symposium on Dry Process  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plant growth regulation and redox reactions in plants induced by oxygen radical generated by air plasma 国際会議

    N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 34th International Symposium on Dry Process  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth promotion of Raphanus sativus L. and Oryza sativa using a combinatorial plasma irradiation method 国際会議

    S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 34th International Symposium on Dry Process  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Performance enhancement of c-Si/organic heterojunction solar cells by using Si quantum dots 国際会議

    Y. Wang, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 34th International Symposium on Dry Process  2012年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマプロセスにおける揺らぎのダイナミックス

    鎌滝晋礼, 森田康彦, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, H. Seo, 白谷正治

    九州山口プラズマ研究会、応物新領域研究会  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:由布院倶楽部   国名:日本国  

  • Long-range correlation of nanoparticle growth in in low pressure reactive VHF discharge plasmas 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga

    54th Annual Meeting of the APS Division of Plasma Physics (DPP)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Epitaxial Growth of ZnInON Films for Piezo-Electric-Field Effect MQW Solar Cells 国際会議

    K. Matsushima, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    AVS 59th International Symposium & Exhibition  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Photocarrier generation in Si quantum-dot sensitized solar cells 国際会議

    G. Uchida, H. Seo, Y. Wang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    AVS 59th International Symposium & Exhibition  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Sputter deposition of atomically smooth ZnO films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation 国際会議

    K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    AVS 59th International Symposium & Exhibition  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • SiH4/H2 and CH4 multi-hollow discharge plasma CVD of SiC nano-composite anode for high charge-discharge capacity lithium ion batteries 国際会議

    Y. Morita, K. Kamataki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    AVS 59th International Symposium & Exhibition  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年10月 - 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Impacts of plasma fluctuation on growth of nanoparticles in low pressure reactive VHF discharge plasmas 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Electrical asymmetry effect for controlling the transport of micrometer-sized particles in capacitively coupled plasmas 国際会議

    S. Iwashita, E. Schuengel, J. Schulze, G. Uchida, K. Koga, P. Hartmann, M. Shiratani, Z. Donko, U. Czarnetzki

    65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Control of size distribution of nanoparticles produced in reactive plasmas 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of hard carbon films on the nitride pmma by plasma anisotropic CVD 国際会議

    R. Torigoe, T. Urakawa, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setshuhara

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Investigation of sensitivity of yeast cell cycle to atmospheric pressure dielectric barrier discharge plasma irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Germination and Seedling Growth using Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge 国際会議

    T. Sarinont, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Temporal Evolution Of Number Density Of Ar Metastable Atoms In Dusty Plasmas 国際会議

    G. Uchida, N. Sadegh, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Control Of ZNO Nano-Rod With Various Seeds And Photovoltaic Application 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Time evolution of diameter of laser trapped single dust particle in plasmas 国際会議

    D. Yamashita, K. Koga, S. Kitazaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Temperature dependence of fill factor of a-Si:H Schottky cells 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Hatozaki, Y. Kim, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Sputter deposition of epitaxial ZnO films: effects of O2 partial pressure 国際会議

    K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High capacity lithium ion batteries using SiC nanoparticles 国際会議

    Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, H. Nagano, T. Ishihara

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of epitaxial ZnInON films for solar cell application by N2/Ar sputtering 国際会議

    K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurements of amount of Si clusters incorporated during film deposition using quartz crystal microbalances 国際会議

    Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of ZnO Buffer Layers via Nitrogen-Mediated Crystallization for ZnO:Al Transparent Conducting Oxide: Effects of Oxygen Addition 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

    Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (11th APCPST)  2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Zinc-Indium Oxynitride Thin Films for Multiple-Quantum–Well Solar Cells 国際会議

    2012年10月 

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    開催年月日: 2012年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都大学   国名:日本国  

  • コンビナトリアル大気圧DBDプラズマ照射による植物の成長促進

    北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    成24年度(第65回)電気関係学会九州支部連合大会  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 周期同調酵母への大気圧DBDプラズマ照射の効果

    北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    成24年度(第65回)電気関係学会九州支部連合大会  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • A Theoretical Model of a Relationship between Plasma Fluctuation and Nanostructure Fluctuation 国際会議

    M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of V-doped TiO2 on Performance Si QDSCs 国際会議

    Y. Wang, J. Boo, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of B-doped a-Si:H films using a cluster eliminating filter 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Hatozaki, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Zinc-Indium Oxynitride Semiconductors for Piezo-Electric-Field Effect MQW Solar Cells 国際会議

    N. Itagaki, K. Matsushima, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ Measurements of Size Distribution of Nanoparticles Formed in Reactive Plasmas Using a Laser Light Scattering Method 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Enhancement of light harvesting efficiency with multi-layered electrode of Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of hard carbon films by using H-assisted plasma CVD 国際会議

    R. Torigoe, T. Urakawa, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Selective deposition of nanoparticles to valleys of texture substrates 国際会議

    Y. Morita, K. Kamataki, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurements of Cluster Volume Fraction in Silicon Thin Films Using Quartz Crystal Microbalances 国際会議

    Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High Capacity Li Ion Battery Anodes Using Silicon Carbide Nanoparticles Produced by Double Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    K. Kamataki, M. Shiratani, T. Ishihara, H. Nagano, Y. Morita, K. Kuwahara, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of Si quantum-dot thin films for solar cell applications using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, H. Seo, Y. Wang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • An infrared laser trap of a single dust particle for study of plasma-surface interactions 国際会議

    G. Uchida, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ZnO films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation: effects of thickness of buffer layers 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hydrogenated Amorphous Silicon Solar Cells Fabricated by a Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    K. Hatozaki, Y. Hashimoto, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of ZnO Films via Nitrogen-Mediated Crystallization as Buffer Layers for ZnO:Al Transparent Conducting Oxide 国際会議

    I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Zn-In-ON films with tunable optical bandgap for photovoltaic applications 国際会議

    K. Matsushima, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si量子ドット増感太陽電池の高性能化のための多硫化物電解液の最適化

    市田大樹, 王玉亭, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第6回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 高効率量子井戸型太陽電池のための新規窒化物半導体薄膜の作製

    廣瀬忠史, 松島宏一, 桑原和成, 押川晃一郎, I. Suhariadi, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第6回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • プラズマ壁相互作用により発生するカーボンナノダストの生成に関する実験

    立石瑞樹, 西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑 一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

    第6回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • Study on the fabrication of paint-type Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Conference on Electronic materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2012)  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • 大容量リチウムイオン電池用プラズマCVD生成SiCナノ粒子負極の開発

    森田康彦, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 山下大輔, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 永野裕己, 石原達己

    第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  • プラズマの農業応用 -農産物殺菌から植物成長制御まで-

    林信哉, 神田康三, 大島一里, 柳生義人, 米須章, 古閑一憲, 白谷正治

    第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  • コンビナトリアル大気圧DBDプラズマ照射による植物の成長促進

    北崎訓, T. Sarinont, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  • プラズマ異方性CVD による窒化レジスト上への硬質カーボン膜の製膜

    鳥越隆平, 浦川達也, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  • 微粒子プラズマ中におけるAr準安定粒子密度の空間分布計測

    内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 森田康彦, H. Seo, 板垣奈穂, 古閑一憲, Nader Sadeghi, 白谷正治

    第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学・松山大学   国名:日本国  

  • Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate 国際会議

    N. Itagaki, I. Suhariadi, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    13th International Conference on Plasma Surface Engineering (PSE2012)  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Plasma CVD of hard carbon films on PMMA 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, K. Koga, R. Torigoe, T. Urakawa

    2012 International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2012)  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Enhancement of Plants by Combinatorial Plasma Irradiation 国際会議

    M. Shiratani, S. Kitazaki, T. Sarinont, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, K. Kamataki, N. Hayashi

    The 9th International Bioelectrics Symposium (BIOELECTRICS 2012)  2012年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • The improvement on the performance of quantum dot-sensitized solar cells with functionalized Si 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, M. Sato, G. Uchida, K. Koga, N. Itagaki, K. Kamataki and M. Shiratani

    2012年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Nanostructure control of thin films depoisted by plasmas and its application to fabrication of green energy devices (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, N. Itagaki, K. Koga, Uchida G., K. Kamataki, H. Seo

    (APT2012) The 2nd Advanced Plasma Technology for Green Energy and Biomedical Applications  2012年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:タイ王国  

  • The effects of the electrolyte composition on the performance of Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, Y. Wang, M. Sato, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, M. Son, H. Kim

    63rd Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry  2012年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Deposition of Si nano-particle films for Si quantum-dots sensitized solar cells 国際会議

    G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 6th International Conference on Technological Advances of Thin Films and Surface Coating  2012年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:シンガポール共和国  

  • Development of dust particle manipulation method in capacitively coupled plasmas via Electrical Asymmetry Effect 国際会議

    22th Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG2012)  2012年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポルトガル共和国  

  • Impacts of plasma fluctuation on nanoparticle growth in reactive plasmas 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, Y. Morita, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo

    IEEE ICOPS2012  2012年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Plasma etching resistance of plasma anisotropic CVD carbon films 国際会議

    R. Torigoe, T. Urakawa, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    IEEE ICOPS2012  2012年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • ダイバータシミュレータ中のカーボンナノダストの生成と輸送に関する実験

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ, S. Bornholdt, H. Kersten

    第9回核融合エネルギー連合講演会  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸国際会議場   国名:日本国  

  • LHDにおける炭素堆積層評価および水素保持特性に関する研究

    芦川直子, 鳥養祐二, 深山健介, 浜地志憲, 古閑一憲, 山内有二, 信太祐二, 上田良夫, 日野友明, 松山政夫, LHD実験グループ

    第9回核融合エネルギー連合講演会  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸国際会議場   国名:日本国  

  • Application of SiC nanoparticle films to energy conversion devices: lithium ion batteries and quantum-dot solar cells (Invited) 招待 国際会議

    G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, Y. Morita, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, M. Shiratani

    The 15th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • The fabrication of multi-layered Si quantum dot-sensitized solar cells for better light harvesting (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, Y. wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 15th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Observation of growth of nano-particles using a high speed camera 国際会議

    Y. Morita, K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 15th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Fabrication of ZnInON films with high crystallinity for photovoltaic applications 国際会議

    K. Matsushima, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 15th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Deposition of B-doped a-Si:H films with a cluster eliminating filter 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Hatozaki, Y. Kim, G.u Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 15th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • 高効率量子井戸型太陽電池のための新規酸窒化物半導体薄膜の作製

    板垣奈穂, 松島宏一, 桑原和成, 押川晃一郎, I. Suhariadi, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2012年5月 

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    開催年月日: 2012年5月 - 2012年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都テルサ   国名:日本国  

  • Discharge Power Dependence of Carbon Dust Flux in a Diverter Simulator 国際会議

    Y. Morita, K. Nishiyama, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

    20th International Conference on Plasma Surface Interactions 2012 (PSI2012)  2012年5月 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Control of transport of micrometer-sized particles in capacitively coupled plasmas 国際会議

    2012年5月 

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    開催年月日: 2012年5月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:その他  

  • Characteristics of stable a-Si:H Schottoky cells fabricated by suppressing cluster deposition 国際会議

    M. Shiratani, K. Nakahara, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Rapid growth of radish sprouts using low pressure oxygen radio frequency plasma irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Influence of Atmospheric Pressure Torch Plasma Irradiation on Plant Growth 国際会議

    Y. Akiyoshi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharges Irradiation on Yeast Growth 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • The analysis on the optical properties of size-controllable Si nano-particles by multi-hollow plasma discharge CVD 国際会議

    H. Seo, Y. Kim, M. Sato, Y. Wang, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Optical Emission Study for Chracterization of Nanoparticle-Suppressed Plasma CVD for Microcrystalline Film Deposition 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012 MRS Spring Meeting  2012年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマ揺らぎとプラズマ生成ナノ粒子のサイズ分布実験と理論

    白谷正治, 鎌滝晋礼, 西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 酸素ラジカル照射による植物細胞内の酸化還元応答と成長促進効果

    秋吉雄介, 林信哉, 北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 松下智直

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 酵母の成長特性に対する大気圧D B D 照射効果

    北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 窒化Si ナノ粒子膜を用いた量子ドット増感型太陽電池の効率波長依存性

    内田儀一郎, 佐藤宗治, 徐鉉雄, 王玉亭, 鎌滝普札, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • Siナノ粒子量子ドット増感型太陽電池電極の最適化

    王玉亭, 佐藤宗治, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 高安定a-Si:H 膜を用いたショットキーセル特性の光照射時間依存性

    波戸﨑浩介, 中原賢太, 橋本優史, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • ダストの生成に対する熱流束の影響とダストフラックスの制御

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, L H D実験グループ

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • クラスター除去フィルタを用いたP ドープn 型a-Si:H の製膜

    橋本優史, 中原賢太, 松永剛明, 波戸崎浩介, 内田儀一郎, 徐絃雄, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • Effects of Silicon Nano-particles on Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films Frabricated using Multi-hollow Discharge CVD Plasmas

    2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ異方性CVDカーボン膜の硬度のイオンエネルギー依存性

    浦川達也, 鳥越隆平, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化バッファー層によるZnO:Al 薄膜の結晶性制御: 窒素供給量の影響

    板垣奈穂, I. Suhariadi, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:早稲田大学   国名:日本国  

  • Control of transport and distribution of dust particles in capacitively coupled plasmas 国際会議

    DPG Spring Meeting of the Section AMOP (SAMOP)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Plasma fluctuation and plasma nanotechnologies (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    The 5th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2012)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth control of dry yeast using atmospheric pressure dielectric barrier discharge plasma irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 5th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Properties of microcrystalline silicon thin films with/without silicon nanoparticles deposited by multi-hollow plasma CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 5th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A-Si:H Schottky Cells with Quite Low Light Induced Degradation Fabricated by Multi-hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, K. Hatozaki, K. Nakahara, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurements of Nitric Oxide Generated from Dry Yeast Irradiated by Dielectric Barrier Discharge Plasmas 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Mesurements of energy influx towards a graphite target in helicon H2 discharge plasmas using a calorimetric probe 国際会議

    K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. MasuzakiI, K. Nishimura, A. sagara, The LHD Expreimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of dust-particle transportation in multi-frequency capacitively coupled radio frequency discharge 国際会議

    G. Uchida, Y. Wang, M. Sato, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • The improvement on the adhesion of Si nano-particles for Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    H. Seo, M. Sato, Y. Wang, Y. Kim, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical Emission Chracteristics of Nanoparticle-supressed CVD Plasmas for Microcrystalline Silicon Film Deposition 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Interaction between amplitude modulated plasmas and nanoparitcles growth in the plasmas 国際会議

    K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, H. Seo, M. Shiratani

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Etching rate of carbon films deposited by H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Urakawa, R. Torigoe, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of Hydrogen Dilution on ZnO Thin Films Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

    I. Suhariadi, K. Matsushima, K. Kuwahara, K. Oshikawa, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)  2012年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Impacts of plasma fluctuation on nanostructure formation using plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

    The Third International Symposium on Plasma Nanoscience (iPlasmaNano-III)  2012年2月 

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    開催年月日: 2012年2月 - 2012年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:マレーシア  

  • プラズマとナノ界面の相互作用の制御

    白谷正治, 古閑一憲, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会, 仙台"プラズマフォーラム"  2012年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:秋保温泉岩沼屋   国名:日本国  

  • Control of deposition profile of carbon films on fine trench using low temperature H-assisted plasma CVD method 国際会議

    T. Urakawa, R. Torigoe, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of nano-particles on multi-hollow discharge CVD plasmas for microcrystalline silicon thin film deposition 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Recent progress in frontier science of interactions between plasmas and nano-interfaces (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Quantum Efficiency of Quantum Dot-Sensitized Solar Cells Using Nitridated Si Nano-Particles Produced by Double Multi-Hollow Discharges PECVD 国際会議

    M. Sato, G. Uchida, H. Seo, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Growth characteristics of bread yeast using atmospheric pressure dielectric barrier discharge irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Bias voltage dependence of mass density of plasma CVD carbon films 国際会議

    R. Torigoe, T. Urakawa, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • The improvement on the combination between TiO2 and Si nano-particles for higher performance of Si quantum dot-sensitized solar cells (Invited) 招待 国際会議

    H. Seo, M. Sato, Y. wang, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Optimization of Redox Electrolyte for Higher Performance of Si Quantum Dot-sensitized Solar cells 国際会議

    Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • High stabilization of a-Si:H films by discharge plasma control 国際会議

    K. Hatozaki, K. Nakahara, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of ZnO-Based Transparent Conducting Films on Buffer Layers Crystallized via Nitrogen Mediation 国際会議

    K. Oshikawa, I. Suhariadi, K. Kuwahara, D. Yamashita, Seo H., G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of Novel Oxynitride Semiconductors by Magnetron Sputtering for Photovoltaic application 国際会議

    K. Matsushima, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects on nano-patricls on crystalline orientation of microcrystalline silicon films for solar cells 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kim, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of Nano-particles on Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films Fabricated using Multi-hollow Discharge CVD Plasmas 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effects of deposition temperature on the properties of ZnO films fabricated via nitrogen mediation 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Effect of N2/Ar Flow Rate Gas Ratio on the AZO Thin Films with Buffer Layers Deposited via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

    I. Suhariadi, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, K. Nakahara, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Dust Removal by Applying Bias Voltage to Reactor Wall in Large Helical Device 国際会議

    K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Discharge power dependence of dust flux in helicon discharge reactor 国際会議

    Y. Morita, K. Nishiyama, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Deposition profile control of carbon films on trench structure using plasma anisotropic CVD method 国際会議

    T. Urakawa, R. Torigoe, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Deposition of p-type a-Si:H using SiH4+ B10H14 multi-hollow discharge plasma CVD as a window layer for pin cell 国際会議

    K. Nakahara, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, M. Sato, H. Matsuzaki, G. Uchida, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Deposition of P-doped a-Si:H films with a cluster eliminating filter 国際会議

    Y. Hashimoto, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Hatozaki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 14th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • Stable a-Si:H Schottky Cells Fabricated by Multi-hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, K. Nakahara, K. Hatozaki, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga

    2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate dc bias voltage dependence of mass density of carbon films deposited using H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Urakawa, R. Torigoe, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of Atmospheric Pressure Torch Plasma Irradiation on Plant Cells 国際会議

    Y. Akiyoshi, A. Nakahigashi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Performance Enhancement of Si Quantum Dot-sensitized Solar Cells by Surface Modification Using ZnO barrier layer and 400nm TiO2 Particles 国際会議

    Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ZnO:Al Thin Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of N2/Ar Gas Flow Rate Ratio 国際会議

    I. Suhariadi, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, K. Nakahara, M. Shiratani

    2011年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Performance of quantum dot sensitized solar cells with nitridated Si nanoparticle films 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, H. Seo, Y. Wang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 反応性プラズマにおけるナノ粒子生成に対する放電電力摂動の効果

    鎌滝晋礼, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 山下大輔, 松崎秀文, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第15回九州・沖縄・山口支部大会  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学工学部   国名:日本国  

  • 水素プラズマ-カーボン壁相互作用によるダスト生成に対する壁への熱流速の影響

    森田康彦, 西山雄士, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ, S. BORNHOLDT, H. KERSTEN

    プラズマ・核融合学会 第15回九州・沖縄・山口支部大会  2011年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学工学部   国名:日本国  

  • クラスタ取込抑制マルチホロー放電プラズマCVD法で作製した光安定水素化アモルファスシリコン薄膜のショットキーセル特性

    波戸﨑浩介, 中原賢太, 橋本優史, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第15回九州・沖縄・山口支部大会  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大分大学工学部   国名:日本国  

  • 水素プラズマのグラファイト壁への熱フラックスとダスト生成

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ, S. Bornholdt, H. Kersten

    PWI合同研究会  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所, 岐阜   国名:日本国  

  • Zinc oxide-based transparent conducting films with buffer layers fabricated via nitrogen-mediated crystallization 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Stable schottky solar cells using cluster-free a-si:h prepared by multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Hatozaki, K. Nakahara, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Quantum dot-sensitized solar cells using nitridated si nanoparticles produced by double multi-hollow discharges 国際会議

    M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Properties and performance of si quantum dot-sensitized solar cells with low temperature titania paste 国際会議

    Y. Wang, M. Sato, T. Matsunaga, N. Itagaki, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Defect density of cluster-free a-si:h films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, K. Hatozaki, M. Sato, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A study of optical emission spectroscopy on microcrystalline silicon film using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Zno films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation: Effects of deposition temperature of buffer layers 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of nano-particles on (220) crystal orientation of microcrystallite silicon thin films 国際会議

    T. Matsunaga, Kim Y., K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年12月 

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    開催年月日: 2011年11月 - 2011年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of size distribution of nanoparticles in reactive plasmas by using AM rf discharges

    M. Shiratani, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD カーボン膜の硬度の基板バイアス依存性

    鳥越隆平, 浦川達也, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • Production and coagulation of carbon clusters by plasma methods

    T. Mieno, K. Koga, M. Shiratani

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法により作製したエピタキシャル酸化亜鉛薄膜の特性の成膜温度依存性

    松島宏一, 板垣奈穂, 桑原和成, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • クラスター除去フィルタを用いたP ドープa-Si;H の製膜ドープ量依存性

    橋本優史, 中原賢太, 松永剛明, 波戸崎浩介, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • LHDおよびLHDを模擬したヘリコン装置における水素ガスとグラファイトの相互作用により生じたダストの基板へのフラックスの基板バイアス電圧依存性

    森田康彦, 西山雄士, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:鹿児島大学   国名:日本国  

  • Effects of substrate bias voltage on dust collection efficiency

    K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVDで成膜したSi薄膜へのナノ粒子含有の効果 国際会議

    白谷正治, 金淵元, 松永剛明, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • 大気圧バリア放電プラズマ照射による酵母の成長促進特性 国際会議

    北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • 水素原子源付プラズマCVD装置を用いた炭素薄膜の異方性製膜に対する基板バイアス電圧の影響 国際会議

    浦川達也, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • カーボンナノチューブ微粒子のプラズマ合成過程 国際会議

    三重野哲, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • FeSi2ナノ粒子薄膜の堆積 国際会議

    佐藤宗治, 王玉亭, 中原賢太, 松永剛明, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • Si量子ドット増感型太陽電池の電解液最適化 国際会議

    王玉亭, 佐藤宗治, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • 微結晶シリコン薄膜作製用マルチホロー放電プラズマに対するナノ粒子の影響 国際会議

    松永剛明, 金淵元, 古閑一憲, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • 高密度水素プラズマとカーボン壁間のプラズマ・壁相互作用により形成されるカーボンダスト粒子の局所バイアス電圧印加による捕集 国際会議

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD 実験グループ, S. Bornholdt, H. Kersten

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • 高速ガス流マルチホロープラズマCVD法を用いた高光安定クラスタフリーa-Si:H膜の作製 国際会議

    波戸﨑浩介, 中原賢太, 橋本優史, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマで作製した微結晶シリコン膜へのラジカルフラックス評価 国際会議

    金淵元, 松永剛明, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • スパッタリングプラズマへの窒素ガス添加のエピキシャルZnO薄膜物性に対する効果 国際会議

    桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • クラスター除去フィルタを用いたクラスターフリー水素化アモルファスシリコンの製膜 国際会議

    中原賢太, 波戸﨑浩介, 橋本優史, 松永剛明, 佐藤宗治, 山下大輔, 松崎秀文, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • Study of interaction between plasma fluctuation and nucleation of nanoparticle in plasma CVD 国際会議

    K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

    Plasma Conference 2011 (PLASMA2011)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ar/N2マグネトロンスパッタによる低抵抗ZnO:Al膜の作製 国際会議

    板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県立音楽堂   国名:日本国  

  • Deposition profile control of carbon films on trenched substrate by simultaneous plasma CVD and plasma etching 国際会議

    M. Shiratani, T. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    64th Gaseous Electronics Conference  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Influence of Atmospheric Pressure Torch Plasma Irradiation on Plant Growth 国際会議

    Y. Akiyoshi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    64th Gaseous Electronics Conference  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells by surface modification using ZnO barrier layer 国際会議

    Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical emission spectroscopy of Ar+H2+ C7H8 discharges for anisotropic plasma CVD of carbon 国際会議

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of active oxygen species produced by atmospheric torch plasma on plant growth 国際会議

    N. Hayashi, Y. Akiyoshi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ中ダストの帯電揺らぎによる凝集と成長~分子からクラスター、ダストへの成長~

    布村正太, 白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    第29回Grain Formation Workshop/平成23年度銀河のダスト研究会  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    開催地:惑星科学研究センター, 神戸   国名:日本国  

  • Combinatorial Si Film Deposition by Multihollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, Y. Kim, T. Matsunaga, K. Nakahara, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • FeSi2 nano-particles embedded thin films by magnetron sputter deposition 国際会議

    M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, H. Seo, G. Uchida, Koga Koga, M. Shiratani

    2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 窒素添加結晶化法による超均一・低抵抗酸化亜鉛薄膜の作製

    板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第27回九州・山口プラズマ研究会(兼応用物理学会九州支部シンポジウム「プラズマ計測とその応用 ナノプロセスから環境まで」)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:かんぽの宿柳川, 福岡   国名:日本国  

  • Quantum dot sensitized solar cells using nanoparticles of Si compounds fabricated by multihollow discharge plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, K. Koga, N. Itagaki

    AVS 58th International Symposium & Exhibition  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年10月 - 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Growth promotion of bread yeast using atmospheric pressure dielectric barrier discharges 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    AVS 58th International Symposium & Exhibition  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月 - 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 自己組織化成長技術による極限ナノ加工プロセスの確立と有機基板上への高品質シリコン結晶成長の実現

    白谷正治, 古閑一憲

    CREST「ナノ科学を基盤とした革新的製造技術の創成」  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • ZnOバリア層を用いたSiナノ粒子量子ドット増感型太陽電池

    王玉亭, 佐藤宗治, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第3回薄膜太陽電池セミナー  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ラフレさいたま   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDを用いたクラスターフリーa-Si:H膜の欠陥密度の基板温度依存性

    波戸﨑浩介, 中原賢太, 松永剛明, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第3回薄膜太陽電池セミナー  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ラフレさいたま   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD 法を用いた微結晶シリコン薄膜のコンビナトリアル製膜

    金淵元, 松永剛明, 古閑一憲, 白谷正治

    第3回薄膜太陽電池セミナー  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ラフレさいたま   国名:日本国  

  • Impacts of Plasma Fluctuations in Reactive Plasmas (Invited) 招待 国際会議

    K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

    BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Fabrication of Si Nano-particles and Their Application to Quantum Dot Sensitized Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Fabrication of Si Nano-particles and Their Application to Quantum Dot Sensitized Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • プラズマCVD中におけるナノ粒子成長に対するプラズマ揺らぎの効果

    鎌滝晋礼, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 山下大輔, 松崎秀文, 白谷正治

    プラズマエレクトロニクス分科会20周年(研究会創設25周年)記念特別シンポジウム  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • Deposition of Si Nano-particle Films for Quantum Dot Sensitized Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Low Carbon Earth Summit (LCES-2011)  2011年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Two dimensional laser light scattering to deduce size and density of nanoparticles in plasmas (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida

    Laser Aided Plasma Diagnostic conference (LAPD15)  2011年10月 

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    開催年月日: 2011年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • 高周波放電のAM変調によるナノ粒子サイズ分布の制御

    白谷正治, 鎌滝晋礼, 西山雄士, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂

    平成23年度(第64回)電気関係学会九州支部連合大会  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • 大気圧バリア放電照射による酵母の増殖促進

    北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    平成23年度(第64回)電気関係学会九州支部連合大会  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀大学   国名:日本国  

  • Spatial distribution of resistivity of ZnO:Al thin films fabricated on solid-phase crystallized seed layers 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    European Material Research Society 2011 Fall Meeting (E-MRS)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  • Deposition of quantum dot thin films using Si nanoparticles with surface nitridation (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Yamamoto, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga

    The 8th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2011)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Effects of flux of carbon radicals on anisotropic deposition of carbon films on fine trench using H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 8th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2011)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Effects of Si nano-particle incorporation on properties of microcrystalline silicon thin films studied by multi-hollow discharge CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 8th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2011)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Plasma CVD of nanoparticle composite films and their applications (Plenary) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida

    The 8th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2011)  2011年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • ZnOバリア層を用いたSiナノ粒子量子ドット増感型太陽電池

    王玉亭, 佐藤宗治, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第5回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDを用いて作製したクラスターフリーa-Si:Hのショットキーセルの特性

    波戸﨑浩介, 中原賢太, 松永剛明, 佐藤宗治, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第5回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 水素プラズマとカーボン壁間のプラズマ・壁相互作用により形成されるナノダストの基板へのフラックスの基板バイアスによる制御

    西山雄士, 森田康彦, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第5回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • エピタキシャル酸化亜鉛薄膜作製における窒素添加効果

    桑原和成, 板垣奈穂, 中原賢太, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

    第5回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • Frontier science of interactions between plasmas and nano‐interfaces (Plenary) 招待 国際会議

    2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hotel Salinera Strunjan   国名:スロベニア共和国  

  • Carbon protective layer on top surface of trench substrate using H-assisted plasma CVD (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Urakawa, G. Uchida, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Workshop on Plasma Synthesis and Application of Nanomaterials  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:スロベニア共和国  

  • ZnO:Al薄膜の抵抗率の面内均一性に対する固相結晶化シード層の効果

    板垣奈穂, 桑原和成, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • 水素プラズマとグラファイトの相互作用により発生したカーボンナノ粒子の基板バイアス電圧印加による配置制御

    西山雄士, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年8月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • 微細溝への炭素薄膜の製膜形状制御における水素フラックスの効果

    浦川達也, 鳥越隆平, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • 窒化Siナノ粒子含有薄膜の光導電率の波長依存性

    佐藤宗治, 王玉亭, 中原賢太, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDを用いて作製したクラスターフリーa-Si:Hの膜質の基板温度依存性

    中原賢太, 波戸﨑浩介, 松永剛明, 佐藤宗治, 内田儀一郎, 山下大輔, 松崎秀文, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山形大学   国名:日本国  

  • Impacts of Plasma Fluctuations on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasmas 国際会議

    K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    2011年8月 

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    開催年月日: 2011年8月 - 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アイルランド  

  • Combinatorial study of substrate temperature dependence on properties of silicon films deposited using multihollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, Y. Kawashima, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G.u Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Deposition profile control of carbon films on submicron wide trench substrate using H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Urakawa, T. Nomura, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Innovative Si solar cells: new approaches and demonstration of devices (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki

    The 13th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Highly stable schottky cells using cluster-free a-Si:H deposited by multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    K. Hatozaki, K. Nakahara, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 13th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Fluctuation Control towards Ultimate Plasma Nanotechnologies (Keynote) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Redox Characteristics of the components in plant cell using oxygen radicals 国際会議

    Y. Akiyoshi, Keiichi Yamamoto, A. Nakahigashi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of nanoparticle incorporation on crystalline orientation of microcrystalline silicon films prepared by multi-hollow plasma discharge CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, K. Nakahara, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of radial density profile of nano-particle produced in reactive plasma by amplitude modulation of rf discharge voltage 国際会議

    K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of high quality ZnO films via nitrogen-mediated crystallization 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma Nanofactory 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, K. Koga

    2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Surface modification with TiO2 films for Si quantum dot-sensitized solar cells 国際会議

    Y. Wang, M. Sato, T. Matsunaga, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics  2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Nanoparticle formation due to interactions between H2 plasmas and graphite 国際会議

    K. Nishiyama, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

    2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics  2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Effects of solid-phase crystallization temperature on properties of epitaxial ZnO films 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Deposition of Si Nano-particle Films and its Application to Quantum dot Sensitized Solar Cells 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Wang, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics  2011年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Process Window Evaluation of Microcrystalline Silicon Films with and without Incorporating Clusters using Multi-hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Yeon Won Kim, K. Koga, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP-2011)  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Substrate temperature dependence of defect density of cluster-free a-Si:H films deposited using SiH4 multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Hatozaki, K. Nakahara, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP-2011)  2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Applications of nanoparticles formed in reactive plasmas: from solar cells to LSI (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida

    International Workshop on Plasmas and Particles  2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:大韓民国  

  • Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells by surface coating

    Y. Wang, M. Sato, T. Matsunaga, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 微細溝へのカーボン薄膜製膜速度の主放電電力依存性

    浦川達也, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    九州表面・真空研究会2011(兼第16回九州薄膜表面研究会)  2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD による微結晶シリコン製膜プロセスウィンドウのガス圧力依存性

    松永剛明, 金淵元, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    九州表面・真空研究会2011(兼第16回九州薄膜表面研究会)  2011年6月 

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    開催年月日: 2011年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 高光安定a-Si太陽電池の開発

    白谷正治, 古閑一憲, 板垣奈穂, 内田儀一郎

    第3回薄膜コンソ技術委員会  2011年5月 

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:産総研関西センター, 大阪   国名:日本国  

  • Fabrication of highly conducting ZnO:Al films utilizing solid-phase crystallized seed layer 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    European Materials Research Society 2011 Spring Meeting  2011年5月 

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Transport control of carbon nanoparticles in plasmas by biasing wall potential for plasma nano-factories 国際会議

    K. Nishiyama, H. Miyata, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

    European Materials Research Society 2011 Spring Meeting  2011年5月 

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • High quality epitaxial ZnO films grown on solid-phase crystallized buffer layers 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, and M. Shiratani

    European Materials Research Society 2011 Spring Meeting  2011年5月 

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    開催年月日: 2011年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Plasma nanofactories for constructing nanosystems in the third generation nanotechnology (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    6th International Workshop on Microplasmas  2011年4月 

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    開催年月日: 2011年4月

    記述言語:英語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    国名:フランス共和国  

  • 固相結晶化シード層を用いた酸化亜鉛系透明導電膜の作製

    板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • 大気圧バリア放電による酵母の成長促進

    北崎訓, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中のナノ粒子成長に対する気相揺らぎの効果

    鎌滝晋礼, 宮田大嗣, 古閑一憲, 内田儀一郎, 山下大輔, 松崎秀文, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDで製膜したトレンチ基板上の炭素系薄膜の製膜速度の主放電電力依存性

    浦川達也, 野村卓矢, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • 水素プラズマとグラファイトの相互作用により発生したナノダストの基板へのフラックスの基板バイアス電圧依存性

    西山雄士, 宮田大嗣, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • DM-DMOS微粒子プラズマ中におけるAr準安定粒子密度の時間変動

    内田儀一郎, 宮田大嗣, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, Nader Sadeghi, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD 法を用いたラジカルフラックス評価

    松永剛明, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 中原賢太, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電による表面窒化Siナノ粒子含有薄膜のコンビナトリアル成膜

    山本康介, 佐藤宗治, 川嶋勇毅, 中原賢太, 山下大輔, 松崎秀文, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • SiH4+B10H14マルチホロー放電プラズマCVDによるp型a-Si:Hの製膜

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤 宗治, 山本康介, 中村ウィリアム誠, 内田儀一郎, 山下大輔, 松崎秀文, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Combinatorial study on deposition profiles of silicon thin films deposited using high gas pressure multi-hollow discharge plasma CVD

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 量子ドット増感太陽電池の電流密度-電圧特性の膜堆積による影響

    佐藤宗治, 川嶋勇毅, 山本康介, 中原賢太, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • 振幅変調パルス放電を用いてトレンチ基板上に堆積させたナノ粒子の付着形状

    宮田大嗣, 西山雄士, 岩下伸也, 松崎秀文, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川工科大学   国名:日本国  

  • Ultra Low Resistive NM Thick AZO Films Deposited by Magnetron Sputtering Using Solid Phase Crystallization 国際会議

    M. Shiratani, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga

    The 4th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth enhancement of plants using atmospheric pressure dielectric barrier discharge irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 4th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Process window of microcrystalline silicon films deposited using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kim, Y. Kawashima, K. Koga, D. Yamashita, K. Nakahara, M. Sato, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 4th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of substrate temperature on properties of μc-Si:H films deposited using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Takayama Public Cultural Hall, Gifu   国名:日本国  

  • Deposition of P-doped a-Si:H films of a low defect density using SiH4+PH3 multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, Y. Kim, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Combinatorial deposition of surface nitridated Si nano-particle composite films by double multi-hollow discharges 国際会議

    M. Sato, K. Yamamoto, Y. Kawashima, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. shiratani

    The 4th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of ?c-Si films using plasma CVD under high gas pressure conditions 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, Y. Kim, K. Koga, K. Nakahara, M. Sato, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Atmospheric pressure discharge device for biomedical application 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, N. Hayashi

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical and electrical properties of nitridated Si nano-particle composite thin films deposited by double multi-hollow discharges CVD 国際会議

    G. Uchida, K. Yamamoto, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Generation of nitridated silicon nano-particles by double multi-hollow discharge CVD 国際会議

    M. Sato, K. Yamamoto, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effect of substrate temperature on microcrystalline silicon thin films deposited using plasma enhanced CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, K. Yamamoto, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of B-doped a-Si:H films using SiH4+B10H14 multi-hollow discharge plasma CVD for pin solar cell 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, Y. Kim, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma20)  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fluctuation of charge on a nano-particle in plasmas and its conseuquences 国際会議

    M. Shiratani and K. Koga

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • Deposition of Si nano-particle quantum dot thin film by multi-hollow discharge and their application to the third generation hotovoltaics 国際会議

    G. Uchida, K. Yamamoto, M. Sato, Y. Kawashima, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. shiratani

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • LHD第一壁へのダストフラックスに対する壁電位の効果

    白谷正治, 宮田大嗣, 西山雄士, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一朗, 板垣奈穂, 古閑一憲, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    核融合科学研究所一般共同研究成果報告会(NIFS)  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山陽館, 大分   国名:日本国  

  • Combinatorial study on deposition profiles of silicon thin films deposited using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kim, T. Matsunaga, Y. Kawashima, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Main discharge dependence of deposition rate of plasma CVD carbon films de-posited using H-assisted plasma CVD reactor 国際会議

    T. Urakawa, T. Nomura, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G.u Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth promotion of plants using low pressure O2 RF discharges 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Emission intensity measurements of Ar+H2+C7H8 plasmas using H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Surface reactions of P-doped a-Si:H films deposition using SiH4+PH3 国際会議

    D. Yamashita, K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Property evaluation of silicon films deposited using high gas pressure multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, Y. Kim, K. Koga, K. Nakahara, M. Sato, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Photoluminescence measurement of nitridated Si particles generated by double multi-hollow discharge PECVD 国際会議

    M. Sato, K. Yamamoto, Y. Kawashima, K. Nakahara, T. Matsunaga, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical bandgap energy of B-doped a-Si:H films depositedby SiH4+B10H14multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Low resistivity AZO films fabricated on solid phase crystallized ZnO buffer layer: solid phase crystallization temperature dependence 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Generation of nitridated Si particle composite films by double multi-hollow plasma CVD method 国際会議

    K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Flux measurements of carbon dust particles towards biased substrates in H2 helicon discharge plasmas 国際会議

    K. Nishiyama, H. Miyata, D. Yamashita, K. Kamataki, G.u Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Electrical characteristics of Si nanoparticles/ruthenium dye hybrid sensitized solar cells 国際会議

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of SiOx-CH3 nano-particles on trench substrates using pulse RF discharges 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, K. Nishiyama, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

    The 12th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition rate of SiH4+PH3 multi-hollow plasma CVD a-Si:H films

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence Of Atmospheric Pressure Torch Plasma Irradiation On Plant Growth

    Y. Akiyoshi, A. Nakahigashi, N. Hayashi, Satosi Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Microcrystalline silicon films deposited by using multi-hollow discharge plasma CVD under high pressure depletion conditions

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, K. Nakahara, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, M. Shiratani

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Investigation of Interaction between of Growth of Nano Particles and Plasma Fluctuations in Plasma CVD

    K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Generation of nitridated silicon particles and the application to solar cell

    G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD を用いた第三世代太陽電池用結晶シリコンナノ粒子のサイズ制御

    川嶋勇毅, 佐藤宗治, 山本康介, 中原賢太, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 鎌滝晋礼, 近藤道雄, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 大気圧DBDを用いた植物および酵母の成長促進

    北﨑訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 水素原子源付プラズマCVD装置で生成したH2+Ar+C7H8プラズマの発光強度計測

    野村卓矢, 浦川達也, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 堀勝, 関根誠

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDで形成したカーボン薄膜のトレンチ基板上への成膜形状の主放電電力依存性

    浦川達也, 野村卓矢, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 水素プラズマとグラファイトとの相互作用により発生したダストのフラックスの壁電位依存性

    西山雄士, 宮田大嗣, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 振幅変調パルス放電を用いた微細パターン基板へのナノ粒子の堆積

    宮田大嗣, 西山雄士, 岩下伸也, 山下大輔, 松崎秀文, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDを用いたμc-Si:Hのコンビナトリアル製膜によるSiH3,Hフラックス解析

    松永剛明, 川嶋勇毅, 金淵元, 古閑一憲, 中原賢太, 佐藤宗治, 山下大輔, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマCVD中のナノ粒子成長に対するプラズマ揺動の影響

    鎌滝晋礼, 宮田大嗣, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 山下大輔, 松崎秀文, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電プラズマを用いた表面窒化Siナノ粒子含有薄膜の作製

    山本康介, 佐藤宗治, 川嶋勇毅, 中原賢太, 山下大輔, 松崎秀文, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電によるN2/SiH4プラズマの独立制御

    佐藤宗治, 山本康介, 川嶋勇毅, 中原賢太, 山下大輔, 松崎秀文, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • スパッタリング法を用いた新規固相結晶化法によるエピタキシャル酸化亜鉛薄膜の作製

    桑原和成, 板垣奈穂, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Substrate temperature dependence of microcrystalline silicon deposition by multi-hollow discharge plasma CVD

    2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiH4+B10H14マルチホロー放電プラズマCVDを用いたBドーピングa-Si:Hの堆積

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤宗治, 山本康介, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第14回 支部大会  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • A novel control method of nano-strucutre of oxide films using sputtering deposition (Keynote Speech) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

    The Second International Symposium on Plasma Nanoscience (iPlasmaNano-II)  2010年12月 

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    開催年月日: 2010年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • 酸素および水プラズマによる植物の成長促進

    中東朱里, 秋吉雄介, 林信哉, 白谷正治, 古閑一憲

    第27回プラズマ・核融合学会年会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌国際プラザ   国名:日本国  

  • シリコンナノ粒子とRu色素を用いた増感太陽電池の電流密度-電圧特性

    川嶋勇毅, 佐藤宗治, 山本康介, 中原賢太, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 水プラズマによるチオール化合物の酸化還元特性

    林信哉, 中東朱里, 北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 活性酸素種を用いた植物の成長促進特性

    北崎訓, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 異方性プラズマCVDで堆積したカーボン膜のエッチングレート

    山下大輔, 浦川達也, 野村卓矢, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDカーボン膜の堆積速度の基板配置位置依存性

    浦川達也, 野村卓矢, 松崎秀文, 山下大輔, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Ar+H2+C7H8プラズマの水素発光強度計測

    野村卓矢, 浦川達也, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 微細トレンチ基板へのナノ粒子の堆積

    西山雄士, 宮田大嗣, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 窒素原子を介した酸化亜鉛薄膜の固相結晶化におけるアニール温度依存性

    桑原和成, 板垣奈穂, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 高ガス圧力条件における微結晶シリコン薄膜の作製

    松永剛明, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 中原賢太, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で堆積したPドープa-Si:H膜の導電率

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤宗治, 山本康介, 中村ウィリアム誠, 内田儀一郎, 山下大輔, 松崎秀文, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電を用いた表面窒化シリコン粒子の生成

    山本康介, 佐藤宗治, 川嶋勇毅, 中原賢太, 山下大輔, 松崎秀文, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Generation of nitridated silicon nanoparticles and the application to solar cell (Invited) 招待 国際会議

    G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 1st Korean-Japan Symposium on Surface Technology  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Fluctuation Control for Plasma Nanotechnologies (Keynote Speech) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate temperature dependence of feature profile of carbon films on substrate with submicron trenches 国際会議

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Redox Characteristics of Amino Acids Using Low Pressure Water Vapor RF Plasma 国際会議

    Y. Akiyoshi, A. Nakahigashi, N. Hayashi, S. Kitazaki, T. Iwao, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Photoluminescence of Si nanoparticles synthesized using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, T. Matsunaga, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Stimulation of Radish Sprouts Using Discharge Plasmas 国際会議

    S. Kitazaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G.u Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Ar addition on breakdown voltage in a Si(CH3)2(OCH3)2 RF discharge 国際会議

    G. Uchida, S. Nunomutra, H. Miyata, S. Iwashita, Dsaisuke Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Amplitude Modulation of rf Discharge Voltage on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasmas 国際会議

    K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition profiles of microcrystalline silicon films using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, K. Nakahara, W. M. Nakamura, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cluster-Free B-Doped a-Si:H Films Deposited Using SiH4 + B10H14 Multi-Hollow Discharges 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    International technical conference of IEEE Region 10  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cluster-free p-type a Si:H films deposited using SiH4 + B10H14 multi-hollow discharges 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate temperature dependence of feature profile plasma CVD carbon films on trenched substrates 国際会議

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Stshuhara, M. Sekine, M. Hori

    The 4th International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth stimulation of sprouts using plasma irradiation 国際会議

    S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    The 4th International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Novel solar cells using Si nanoparticles 国際会議

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 4th International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of microcrystalline silicon filmas deposited by using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, M. Sato, K. Nakahara, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    The 4th International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ collection of dust particles produced due to interaction between helicon discharge plasmasand graphite on substrates with bias voltage 国際会議

    M. Shiratani, H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, D.Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara

    2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Generation of nitridated silicon particle in SiH4/H2 and N2 multi-hollow discharges 国際会議

    G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Manipulation of Nano-objects Uusing Plasmas for a Plasma Nano-factory (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, G.u Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

    The 11th Asia Pacific Physics Conference (APPC11)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Substrate Temperature Dependence of Sticking Probability of SiOx-CH3 Nano-Particles 国際会議

    H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010 International Symposium on Dry Process Program (DPS)  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical and Electrical Properties of Particle Composite Thin Films deposited in SiH4/H2 and N2 Multi-Hollow Discharges 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Yamamoto, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • アモルファス相からの固相結晶化による酸化亜鉛薄膜の作製

    板垣奈穂, 桑原和成, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第26回九州・山口プラズマ研究会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山陽館, 大分   国名:日本国  

  • 窒化シリコン微粒子の生成と太陽電池への応用

    内田儀一郎, 川嶋勇毅, 山本康介, 佐藤宗治, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第26回九州・山口プラズマ研究会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:山陽館, 大分   国名:日本国  

  • Combinatorial plasma CVD of Si thin films with a multihollow discharge plasma CVD reactor 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, T. Matsunaga, Y. Kawashima, W. M. Nakamura, G. Uchida, N. Itagaki

    AVS 57th International Symposium & Exhibition  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Scalable atmospheric DBD device for biomedical processing 国際会議

    S. Kitazaki, T. Iwao, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Hayashi

    AVS 57th International Symposium & Exhibition  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Carrier generation in Si quantum dots-sensitized solar cell 国際会議

    Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Rapid transport of nano-particles as a key technology for fabrication of quantum-dot solar cells 国際会議

    K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Raman spectroscopy of carbon films deposited by plasma anisotorpic CVD 国際会議

    T. Nomura, T. Urakawa, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of deposition profile of carbon films on nano-patterned substrates using H-assisted plasma CVD 国際会議

    T. Urakawa, T. Nomura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Atmospheric Pressure Discharge Treatment of TiO2 Layer of quantum dot/dye sensitized solar cells 国際会議

    S. Kitazaki, Y. Kawashima, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ZnO transparent conductive films prepared by solid-phase crystallization from amorphous phase 国際会議

    K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Production of nitridated silicon particles for quantum dot solar cell 国際会議

    K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H.Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical and electrical properties of microcrystalline silicon thin films deposited by mutli-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, K. Nakahara, M. Sato, D. Yamashita, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of H2 plasma irradiation to TiO2 on quantum dot/dye-sensitized solar cells 国際会議

    H. Miyata, Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of cluster-free B-doped a-Si:H films using SiH4+B10H14 multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC3)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Fabrication of a-ZnON films by Ar/N2 sputtering for solid-phase crystallization of ZnO 国際会議

    N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Plasma parameter measurements of Ar+H2+C7H8 plasmas in H-assisted plasma CVD reactor 国際会議

    T. Nomura, T. Urakawa, Y. Korenaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Redox Characteristics of Thiol of Plants Using Radicals Produced by RF Discharge 国際会議

    A. Nakahigashi, Y. Akiyoshi, N. Hayashi, S. Kitazaki, K. Koga, M. Shiratani

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Generation of nitridated silicon particles and their thin film deposition using double multi-hollow discharges 国際会議

    G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Yamamoto, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Deposition rate enhancement of cluster-free P-doped a-Si:H films using multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Combinatorial deposition of microcrystalline Si films using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, W. M. Nakamura, K. Nakahara, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Carbon dust particles generated due to H2 plasma-carbon wall interaction 国際会議

    H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD experimental group

    63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)  2010年10月 

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    開催年月日: 2010年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • SiH4+ B10H14マルチホロー放電プラズマCVD法によるBドープa-Si:Hの製膜

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤宗治, 山本康介, 中村ウィリアム誠, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 高ガス圧力条件における微結晶シリコン薄膜の結晶化率分布

    松永剛明, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 中原賢太, 佐藤宗治, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣菜穂, 白谷正治

    第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電プラズマを用いた表面窒化シリコン粒子の生成

    山本康介, 川嶋勇毅, 佐藤宗治, 中原賢太, 松永剛明, 山下大輔, 松崎秀文, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:国立中央青少年交流の家, 静岡   国名:日本国  

  • 窒素原子を介した固相結晶化法による酸化亜鉛薄膜の作製

    板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 高ガス圧力微結晶シリコン製膜条件における結晶化率2次元分布

    松永剛明, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 中原賢太, 佐藤宗治, 山下大輔, 内田儀一郎, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 白谷正治

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • SiH4+ B10H14マルチホロー放電プラズマCVD法を用いたBドープa-Si:Hの製膜

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤宗治, 山本康介, 中村ウィリアム誠, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 山下大輔, 松崎秀文

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • ダブルマルチホロー放電によるシリコン粒子の表面窒化

    内田儀一郎, 佐藤宗治, 川嶋勇毅, 中原賢太, 山本康介, 山下大輔, 松崎秀文, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 水素プラズマとグラファイトの相互作用で発生したダストの壁へのフラックスに対する壁電位の影響

    宮田大嗣, 西山雄士, 岩下伸也, 松崎秀文, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一朗, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 酸素プラズマを用いたスプラウトの成長促進

    北崎訓, 岩尾拓朗, 古閑一憲, 白谷正治, 林信哉

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • プラズマCVD炭素薄膜の製膜形状の基板温度依存性

    野村卓矢, 浦川達也, 是永有輝, 山下大輔, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • ナノ粒子増感太陽電池の光電流の照射光強度依存性

    川嶋勇毅, 佐藤宗治, 山本康介, 中原賢太, 松永剛明, 松崎秀文, 内田儀一郎, 近藤道雄, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • 反応性プラズマ中のナノ粒子成長に対する電力摂動の効果

    鎌滝晋礼, 宮田大嗣, 古閑一憲, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 山下大輔, 松崎秀文, 白谷正治

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:長崎大学   国名:日本国  

  • シリコンナノ微粒子の生成と太陽電池への応用

    内田儀一郎, 川嶋勇毅, 山本康介, 佐藤宗治, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    平成22年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「微粒子プラズマの応用に関する基礎的研究」  2010年8月 

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:ホテルクレセント, 仙台   国名:日本国  

  • Control of nano-block transport using amplitude modulated pulse rf discharges (selected as a presentation in Hot Topic Session) 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Shiratani, U. Czarnetzki

    20th Europhysics Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG2010)  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Evolution of green plasma nanotechnology for harvesting energy devices (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, G. Uchida, K. Koga

    The 11th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Stimulation of plant growth using discharges plasmas 国際会議

    S. Kitazaki, T. Iwao, K. Koga, M. Shiratai, N. Hayashi

    The 11th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2010年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Generation of Si particles and their nitridation using double multihollow discharges 国際会議

    M. Sato, Y. Kawashima, K. Yamamoto, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    The 11th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Deposition of cluster-free P-doped a-Si:H films using a multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, T. Matsunaga, K. Koga, M. Shiratani

    35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Si quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles produced by plasma CVD 国際会議

    Y. Kawashima, K. Nakahara, T. Matsunaga, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)  2010年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • SiH4+PH3マルチホロー放電プラズマCVDによるn型a-Si:Hの製膜

    中原賢太, 川嶋勇毅, 松永剛明, 佐藤宗治, 内田儀一郎, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

    九州表面・真空研究会2010(兼第15回九州薄膜表面研究会)  2010年6月 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法を用いた 微結晶シリコン薄膜の作製と膜質評価

    松永剛明, 川嶋勇毅, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    九州表面・真空研究会2010(兼第15回九州薄膜表面研究会)  2010年6月 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ナノ粒子含有シリコン薄膜の光学特性

    佐藤宗治, 川嶋勇毅, 山本康介, 中原賢太, 板垣奈穂, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

    九州表面・真空研究会2010(兼第15回九州薄膜表面研究会)  2010年6月 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Flux Measurements of Dust Particles during Hydrogen Discharges in LHD 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD experimental group

    19th International Conference on Plasma Surface Interactions in Controlled Fusion Devices (PSI2010)  2010年5月 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • インジウム系太陽電池CIGSの気管内投与後の肺および血清金属濃度

    田中昭代, 平田美由紀, 清原裕, 古閑一憲, 白谷正治

    第80回日本衛生学会総会  2010年5月 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台国際センター   国名:日本国  

  • SiH4+PH3マルチホロー放電プラズマCVDによるPドープa-Si:Hの製膜

    中原賢太, 佐藤宙, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 白谷正治

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 放電電力摂動のイオン密度への影響

    宮田大嗣, 岩下伸也, 山田泰之, 古閑一憲, 白谷正治

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 多面体ホルダによるLHD内ダストのin-situ捕集

    岩下伸也, 宮田大嗣, 山田泰之, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎 貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • Ar+H2+C7H8 プラズマの電子密度計測

    野村卓矢, 是永有輝, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根 誠, 堀勝

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 無対流アーク放電によるナノチューブ合成過程のミー散乱測定

    三重野哲, 薄葉州, 古閑一憲, 白谷正治

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • 高周波酸素/水プラズマによるシステインの酸化特性

    林信哉, 中東朱里, 柳生義人, 古閑一憲, 白谷正治

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • プラズマCVDを用いたシリコンナノ粒子の作製と第三世代太陽電池への応用

    川嶋勇毅, 中原賢太, 佐藤 宙, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東海大学   国名:日本国  

  • Frontier science of interactions between plasmas and nano-interfaces (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    The 3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Toxicity of CIGS nano-particles 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, M. Hirata, Y. Kiyohara, A. Tanaka

    The 3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Surface temperature rise of a-Si:H films during deposition in silane multi-hollow discharges 国際会議

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, W. M. Nakamura, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hα emission intensity measurements of H2 + Ar + C7H8 plasmas in H-assisted plasma CVD reactor 国際会議

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya Institute of Technology   国名:日本国  

  • Effects of amplitude modulation of RF discharge voltage on ion saturation current 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2010)  2010年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of n-type a-Si:H using SiH4+PH3 multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, H. Sato, Y. Kawashima, K. Koga, M. Shiratani

    The 3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (IC-PLANTS 2010)  2010年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of n-type a-Si:H using SiH4+PH3 multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, H. Sato, Y. Kawashima, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Surface temperature rise of a-Si:H films during deposition in silane multi-hollow discharges 国際会議

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, W. M. Nakamura, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Hα emission intensity measurements of H? + Ar + C?H? plasmas in H-assisted plasma CVD reactor 国際会議

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya Institute of Technology   国名:日本国  

  • Effects of amplitude modulation of RF discharge voltage on ion saturation current 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    The 2nd International Student Workshop on Electrical Engineering  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of surface roughness of nano-particle composite low-k film deposited in CVD plasma 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, M. Akiyama

    2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Gas Flow Rate Ratio Dependence of Deposition Profile of H-Assisted Plasma CVD Carbon Films on Trench Substrates 国際会議

    T. Nomura, Y. Korenaga, J. Umetsu, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High Deposition Rate of a-Si:H Films of Low Stabilized Defect Density 国際会議

    W. M. Nakamura, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani

    2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Synthesis of crystalline Si nanoparticles for Quantum dots sensitized solar cells 国際会議

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of H2 Dilution on Deposition of a-Si:H Films using Silane Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    K. Nakahara, H. Sato, W. M. Nakamura, K. Koga, M. Shiratani

    2nd International Symposium on Advance Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010)  2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Thin film silicon solar cells in the age of GW production lines (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    The Second International Symposium of Experiment-Integrated Computational Chemistry on Multiscale Fluidics (ECCMF2)  2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurement of electron density in multi-hollow discharges with magnetic field

    H. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Koga, M. Shiratani

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Observation of nano-particle transport in capacitively coupled radio frequency discharge plasmas

    S. Iwashita, H. Miyata, Y. Yamada, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-Situ Sampling of Dust Particles Produced Due to Interaction between Main Discharge Plasmas and Inner Wall in LHD

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ Measurement of Production Process of Nanotube-Aggregates by the Laser-Mie Scattering (Dependence of Arc Condition and Gravity)

    T. Mieno, G. Tan, S. Usuba, K. Koga, M. Shiratani

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of deposition profile of hard carbon films on trenched substrates using H-assisted plasma CVD reactor

    T. Nomura, Y. Korenaga, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Synthesis of crystalline Si nanoparticles for Quantum dots-sensitized solar cells using multi-hollow discharge plasma CVD

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Towards the multiple exciton generation solar cells ? Si quantum-dot sensitized solar cells (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, W. M. Nakamura, K. Koga

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nano-particle composite ULK films deposited by plasma CVD 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of hydrogen dilution on electron density in multi-hollow discharges with magnetic field 国際会議

    K. Nakahara, H. Sato, Y. Kawashima, K. Koga, M. Shiratani

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of emission intensities on discharge power of H atom source in H2 + Ar + C7H8 CVD plasmas 国際会議

    T. Nomura, Y. Korenaga, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Carrier extraction from Si nanoparitcles in quantum dots-sensitized solar cell 国際会議

    Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Carbon dust formed due to interaction between graphite and H2 plasma 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    2010年1月 

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    開催年月日: 2010年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 2次元フォトンカウンティングレーザー散乱法を用いたCVDプラズマ中のナノ粒子輸送の観察

    宮田大嗣, 岩下伸也, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ヘリコンプラズマ・カーボン壁相互作用で生成されるダストの分析

    岩下伸也, 宮田大嗣, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • トルエン水素プラズマを用いたカーボン薄膜堆積に対するイオン・ラジカルフラックスの影響

    野村卓矢, 梅津潤, 井上和彦, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • シランホロ―放電のプラズマパラメータに対する磁場印加の効果

    中村ウィリアム誠, 川嶋勇毅, 田中雅敏, 佐藤宙, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • カーボン薄膜異方性製膜用Ar+H2+C7H8プラズマのプラズマパラメータ計測

    梅津潤, 井上和彦, 野村卓矢, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第12回支部大会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • シリコンナノ粒子を用いた量子ドット増感太陽電池

    川嶋勇毅, 中原賢太, 佐藤宙, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • プラズマCVDによるSiOCHナノ粒子構造の多孔質低誘電率膜

    宮田大嗣, 岩下伸也, 山田泰之, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 秋山守人

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • プラズマCVDカーボン薄膜のトレンチ基板上への製膜形状の圧力依存性

    野村卓矢, 是永有輝, 梅津潤, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜   国名:日本国  

  • Application of Si nanoparticles to third generation photovoltaics

    M. Shiratani, Y. Kawashima, K. Koga

    2nd International Symposium on Innovative Solar Cells  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマ―バイオ融合科学:プラズマプロセスの観点から(招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    第26回プラズマ・核融合学会年会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • LHDの主放電と内壁の相互作用で発生するダストのフラックス

    岩下伸也, 宮田大嗣, 山田泰之, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第26回プラズマ・核融合学会年会  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都   国名:日本国  

  • Deposition Profile Control of Carbon Films on Patterned Substrates using a Hydrogen-assited Plasma CVD Method 国際会議

    T. Nomura, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2009 MRS Fall Meeting  2009年12月 

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    開催年月日: 2009年11月 - 2009年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Carbon particle formation due to interaction between graphite, helicon plasmas 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga

    American Vacuum Society 56th International Symposium  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Production of crystalline Si nanoparticles for third generation photovoltaics using a multi-hollow discharge plasma CVD method 国際会議

    Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    American Vacuum Society 56th International Symposium  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Deposition profile of carbon films in submicron wide trenches using H-assisted plasma 国際会議

    T. Nomura, K. Koga, M. Shiratani, M. Sekine, Y. Setsuhara, M. Hori

    American Vacuum Society 56th International Symposium  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Amplitude modulated pulse RF discharges for producing and driving nano-blocks 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    American Vacuum Society 56th International Symposium  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Manipulation of nanoparticles using plasmas 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga

    10th Workshop on Fine Particle Plasmas  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 容量結合型高周波放電プラズマ中のナノブロック輸送の観察

    宮田大嗣, 山田泰之, 岩下伸也, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • 炭素系薄膜のトレンチ基板上への製膜形状のイオンエネルギー依存性

    野村卓也, 是永有輝, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • 振幅変調パルス放電を用いたナノ粒子含有多孔質低誘電率膜の作製

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 秋山守人

    第25回 九州・山口プラズマ研究会  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • 重水素ヘリコンプラズマ・カーボン壁相互作用で生成されるダストのサイズ分布

    山田泰之, 宮田大嗣, 岩下伸也, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVDによる結晶シリコンナノ粒子のサイズ制御

    川嶋勇毅, 中原賢太, 佐藤宙, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • プラズマCVD炭素系薄膜のトレンチ基板上への製膜形状のガス流量比依存性

    是永有輝, 野村卓也, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • H2+SiH4マルチホロー放電プラズマの電子密度計測

    佐藤宙, 中原賢太, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 白谷正治

    応用物理学会九州支部学術講演会  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本   国名:日本国  

  • Flux of dust particles formed due to plasma-wall interaction in LHD 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, K. Nishimura, A. Sagara, S. Masuzaki, LHD Experimental Group

    10th Workshop on Fine Particle Plasmas  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ultrahigh quality amorphous silicon film deposition for solar cell employing novel plasma enhanced CVD (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    62nd Gaseous Electronics Conference  2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nanoblock manipulation in CVD plasmas 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    62nd Gaseous Electronics Conference  2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Towards plasma nano-factories (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2nd International Conference on Advanced Plasma Technologies (iCAPT-II) with 1st International Plasma Nanoscience Symposium (iPlasmaNano-I)  2009年10月 

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    開催年月日: 2009年9月 - 2009年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スロベニア共和国  

  • Dust Particles Formed owing to Interactions between H2 or D2 Helicon Plasmas, Graphite 国際会議

    H. Miyata, S. Iwashita, Y. Yamada, K. Koga, M. Shiratani

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Synthesis of Si nanoparticles for multiple exciton generation solar cells using multi-hollow discharge plasma CVD 国際会議

    Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Synthesis of Si Nanoparticles for Multiple Exciton Generation Solar Cells using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際会議

    Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Pressure, aspect ratio dependence of deposition profile of carbon films on trench substrates deposited by plasma CVD 国際会議

    T. Nomura, Y. Korenaga, J. Umetsu, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Porosity Control of Nano-particle Composite Porous Low Dielectric Films using Pulse RF Discharges with Amplitude Modulation 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, H. Matsuzaki, M. Shiratani, M. Akiyama

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Measurements of Surface Temperature of a-Si:H Films in Silane Multi-Hollow Discharge with IR Thermometer 国際会議

    H. Sato, Y. Kawashima, K. Koga, M. Shiratani

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Measurements of Electron Density in SiH4+H2 Multi-Hollow Discharges using a Frequency Shift Probe 国際会議

    K. Nakahara, Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani

    2009 International Symposium on Dry Process  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Production of Si nanoparticles in CVD plasmas for Si thin fillm solar cells of the third generation (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    Second International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP2009)  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Production of Si nano-particles in CVD plasmas for Si thin film solar cells of the third generation (Invited Talk) 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2nd International Conference on Microelectronics, Plasma Technology (ICMAP 2009)  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Plasma CVD for Si thin fillm solar cells (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2009)  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Deposition of porous low-k films having nano-grained structures using amplitude modulated pulse rf discharges 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Akiyama

    Seventh Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2009)  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Plasma CVD for Si thin film solar cells (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    Seventh Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2009)  2009年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Detection, control of nano-clusters in CVD plasmas for a-Si thin film solar cells 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    Seventh Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2009)  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Aspect ratio dependence of deposition profile of plasma CVD carbon films on trenched substrates 国際会議

    M. Shiratani, T. Nomura, Y. Korenaga, J. Umetsu, H. Matsuzaki, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Seventh Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE 2009)  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • プラズマ中ナノ結晶シリコン成長過程の診断(招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山大学   国名:日本国  

  • 放射温度計を用いたシランマルチホロー放電におけるa-Si:H膜の表面温度測定

    佐藤宙, 中原賢太, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 白谷正治

    第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山大学   国名:日本国  

  • プラズマCVD炭素薄膜のトレンチへの製膜形状のガス流量比―入射イオンエネルギーマッピング

    野村卓矢, 是永有輝, 梅津潤, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山大学   国名:日本国  

  • ナノ粒子含有多孔質低誘電率膜物性の粒子サイズ依存性

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 秋山守人

    第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山大学   国名:日本国  

  • シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術の現状と展望(特別招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    プラズマ科学のフロンティア研究会  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所   国名:日本国  

  • Plasma CVD of Nano-particle Composite Porous SiOCH Films 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, H. Matsuzaki, M. Akiyama

    19th International Symposium on Plasma Chemistry  2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Thin film silicon solar cells: present, future (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    The 9th Korea-Japan Workshop  2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語  

    国名:大韓民国  

  • Synthesis of crystalline Si nanoparticles for third generation photovoltaics using multi-hollow discharge plasma CVD, photoluminescence of the nanoparticles 国際会議

    Y. Kawashima, H. Sato, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

    The 9th Korea-Japan Workshop  2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • クラスタ抑制プラズマCVDを用いた高光安定水素化アモルファスシリコン薄膜の高速堆積

    白谷正治, 古閑一憲

    第1回三菱PVコンファレンス  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:三菱重工, 諫早   国名:日本国  

  • Plasma diagnostics of H2 + SiH4 multi-hollow discharges 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, Y. Kawashima, K. Nakahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    22nd SYMPOSIUM ON PLASMA SCIENCE FOR MATERIALS  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • カーボン薄膜のプラズマCVDにおける微細溝基板上への堆積形状の圧力依存性

    野村卓矢, 梅津潤, 是永有輝, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    九州表面・真空研究会(兼)第14回九州薄膜表面研究会  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • 振幅変調パルス放電を用いたナノ粒子含有多孔質絶縁膜の作製と物性評価

    宮田大嗣, 岩下伸也, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 秋山守人

    九州表面・真空研究会(兼)第14回九州薄膜表面研究会  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法を用いて作製した結晶シリコンナノ粒子の第3世代太陽電池への応用

    川嶋勇毅, 佐藤宙, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    九州表面・真空研究会(兼)第14回九州薄膜表面研究会  2009年6月 

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    開催年月日: 2009年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州工業大学   国名:日本国  

  • Amplitude modulated pulse RF discharges for synthesizing nano-particle composite porous low-k films 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Akiyama

    2009年5月 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of hydrogen dilution on electron density in multi-hollow disicharge for depositing highly stable a-Si:H thin films 国際会議

    Y. Kawashima, H. Sato, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2009年5月 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Health effects of indium compounds: Outcomes of animal, epidemiological studies,, prevention of indium lung (Invited) 招待 国際会議

    A. Tanaka, M. Hirata, Y. Kiyohara, M. Nakano, K. Omae, M. Shiratani, K. Koga

    6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics, Optics (TOEO-6)  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • C7H8+H2+Ar混合プラズマにおけるC,CH,C2発光強度のガス流量比依存性

    梅津 潤, 井上和彦, 野村卓矢, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根 誠, 堀 勝

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • 水素希釈シランマルチホロー放電における電子密度の空間分布

    佐藤 宙, 田中雅敏, 川嶋勇毅, 中村ウィリアム 誠, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法で作製した結晶シリコンナノ粒子のフォトルミネッセンス

    川嶋勇毅, 田中雅敏, 佐藤 宙, 中村ウィリアム 誠, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 近藤道雄

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • ハニカム型有磁場マルチホロー放電を用いた高品質a-Si:Hの2.5nm/s製膜

    田中雅敏, 中村ウィリアム 誠, 佐藤 宙, 川嶋勇毅, 古閑一憲, 松崎秀文, 白谷正治

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • 無重力~加重力下アーク放電による炭素クラスター合成の差異

    三重野哲, 薄葉 州, 白谷正治, 古閑一憲

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • 針状電極を用いたCVDプラズマ中のナノブロックの3次元輸送制御

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • ナノ粒子含有ポーラス低誘電率絶縁膜の耐熱性

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年4月 

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    開催年月日: 2009年3月 - 2009年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:筑波大学   国名:日本国  

  • Plasma manipulation of nano-blocks and its application to ULK film deposition (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Akiyama

    International Conference on Plasma Nano Technology & Science (IC-PLANTS2009)  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Characteristics of dust particles produced due to interaction between hydrogen plasmas, graphite

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, A. Sagara, K. Nisimura

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Nano-block manipulation using pulse RF discharges with amplitude modulation combined with a needle electrode

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of magnetic fields on multi-hollow discharges for thin film silicon solar cells

    Nakamura W. M., Sato H., Koga K., Shiratani M.

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition profile of toluene plasma CVD carbon films in trenches

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition profile control of plasma enhanced CVD carbon films in submicron wide trenches 国際会議

    M. Shiratani, J. Umetsu, T. Nomura, K. Inoue, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2009年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High Deposition Rate of Highly Stable a-Si:H Films by Magnetically Enhanced Multi-hollow Discharges 国際会議

    W. M. Nakamura, Y. Kawashima, M. Tanaka, H. Sato, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2009年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Design and controlling of plasma nano-processing for the third generation solar cell devices (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, W. M. Nakamura, H. Sato, K. Koga

    8th International Workshop of Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2009年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 2次元フォトンカウンティングレーザー散乱法を用いたCVDプラズマ中のナノ粒子輸送の観察

    宮田大嗣, 宮原弘臣, 岩下伸也, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 薄膜シリコン太陽電池作製のためのマルチホロー放電に対する磁場印加の効果

    中村ウィリアム誠, 古閑一憲, 佐藤宙, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • ヘリコンプラズマ・カーボン壁相互作用で生成されるダストの分析

    岩下伸也, 宮田大嗣, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • トルエン水素プラズマを用いたカーボン薄膜堆積に対するイオン・ラジカルフラックスの影響

    野村卓矢, 梅津潤, 井上和彦, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • シランホロー放電のプラズマパラメータに対する磁場印加の効果

    中村ウィリアム誠, 川嶋勇毅, 田中雅敏, 佐藤 宙, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • カーボン薄膜異方性製膜用トルエン水素プラズマのプラズマパラメータ計測

    梅津潤, 井上和彦, 野村卓矢, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    プラズマ・核融合学会 第12回九州・沖縄・山口支部大会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法を用いて作製した、ナノ結晶シリコン薄膜の光電特性

    川嶋勇毅, 古閑一憲, 中村ウィリアム誠, 佐藤宙, 田中雅敏, 白谷正治

    第2回プラズマ新領域研究会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • 有磁場マルチホロー放電プラズマCVD法を用いた高光安定a-Si:H膜の1.2nm/sでの堆積

    中村 ウィリアム 誠, 田中 雅敏, 川嶋 勇毅, 佐藤 宙, 宮原 弘臣, 松崎 秀文, 古閑 一憲, 白谷 正治

    第2回プラズマ新領域研究会  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:広島大学   国名:日本国  

  • Control of nano-block transport in asymmetric capacitively coupled discharges 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    9th Workshop on Fine Particle Plasmas  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of Nano-particle Composite Porus Low-k Films Using Pulse RF Discharges with Amplitude Modulation 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Pressure Dependence of Deposition Rate of a-Si:H Films Deposited Using a Multi-hollow Discharge 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Effects of Hydrogen Dilution on Deposition of a-Si:H Films using a Multi-hollow Dischage Plasma CVD Method 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of 2D Spatial Profiles of Volume Fraction of Clusters Incorporated into a-Si:H Films 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Discharge Power Dependence of Ha Intensity in H2+C7H8 Capacitively Coupled Dicharges 国際会議

    K. Inoue, J. Umetsu, T. Nomura, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of Deposition Rate of Carbon Films in Trenches on Substrate Temperature, Aspect Ratio Using H-assisted Plasma CVD Reactor 国際会議

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Noumura, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Formation of Dust Particles due to Interaction between Graphite, Deuterium Helicon Plasmas 国際会議

    M. Shiratani, S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga

    The IUMRS International Conference in Asia 2008  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランマルチホロー放電を用いたa-Si:H製膜における水素希釈の効果

    佐藤 宙, 田中雅敏, 川嶋勇毅, 中村ウィリアム誠, 宮原浩臣, 古閑一憲, 松崎秀文, 白谷正治

    2008年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎大学   国名:日本国  

  • 低気圧ホロー放電プラズマCVDを用いたa-Si:H薄膜の製膜速度の向上

    田中 雅敏, 佐藤 宙, 中村 誠 ウイリアム, 川嶋 勇毅, 古閑 一憲, 宮原 弘臣, 松崎 秀文, 白谷 正治

    2008年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎大学   国名:日本国  

  • 炭素系薄膜のトレンチ基板上への製膜速度のアスペクト比・基板温度依存性

    野村卓矢, 梅津潤, 井上和彦, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    2008年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎大学   国名:日本国  

  • パルスプラズマを用いたナノブロックの3次元輸送制御

    宮田 大嗣, 岩下 伸也, 松崎 秀文, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2008年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎大学   国名:日本国  

  • ナノ結晶シリコン薄膜の導電率の照射光強度依存性

    川嶋 勇毅, 古閑 一憲, 白谷 正治

    2008年度 応用物理学会九州支部学術講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮崎大学   国名:日本国  

  • Deposition profile of plasma CVD carbon films in trenches 国際会議

    J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Shiratani, M. Sekine, M. Hori

    30th International Symposium on Dry Process  2008年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma CVD of Nano-particle Composite Porous Films of k=1.4-2.9, Young's Modulus above 10 GPa 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, H. Matsuzaki, M. Shiratani, M. Akiyama

    30th International Symposium on Dry Process  2008年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of deposition profile of plasma CVD hard carbon films on substrates with trenches 国際会議

    M. Shiratani, J. Umetsu, K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    61st Annual Gaseous Electronics Conference  2008年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nano-particle manipulation using pulse RF discharges with amplitude modulation 国際会議

    S. Iwashita, K. Koga, M. Shiratani

    61st Annual Gaseous Electronics Conference  2008年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Analysis of dust particles produced due to interaction between graphite, deuterium helicon plasmas 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    61st Annual Gaseous Electronics Conference  2008年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Formation, transport of nano-particles using pulse RF discharges with amplitude modulation 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    ICPP2008 Satellite Meeting on Plasma Physics, Advanced Applications in Aso  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A Comparison of Dust Particles Produced due to Interaction between Graphite, Plasmas: LHD vs Helicon Discharges 国際会議

    S. Iwashita, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Substrate Temperature of Deposition Profile of Carbon Films in Trenches Deposited by Plasma CVD 国際会議

    J. Umetsu, K. Inoue, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Optical Emission Spectroscopy of a Magnetically Enhanced Multi-hollow Discharge Plasma for a-Si:H Deposition 国際会議

    W. M. Nakamura, Y. Kawashima, M. Tanaka, H. Sato, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Manipulation of Nano-blocks Formed in CVD Plasmas using Pulse RF Discharges with Amplitude Modulation 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Main Discharge Power Dependence of Emission Intensities in H2+C7H8 Plasmas 国際会議

    K. Inoue, J. Umetsu, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ Measurement of Production Process of Carbon Clusters under Gravity-free Condition by the Mie-scattering Method 国際会議

    T. Mieno, G. Tan, S. Usuba, K. Koga, M. Shiratani

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Development of Combinatorial Plasma-process Analyzer for Next-generation Plasma-nano-fabrications 国際会議

    Y. Setsuhara, K. Takenaka, M. Shiratani, K. Koga, K. Takeda, M. Sekine, M. Hori

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Detection of Nano-particles Formed in CVD Plasmas using Two-dimentional Photon-counting Laser-light-scattering Method 国際会議

    H. Miyahara, S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of Volume Fraction of Clusters on Deposition Rate of a-Si:H films Dposited using a Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dependence of Deposition Rate on a Ratio of Ion Flux to Radical Flux in Plasma Anisotropic CVD of C Films 国際会議

    J. Umetsu, K. Inoue, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    International Congress on Plasma Physics 2008 (ICPP2008)  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • LHD で捕集したダストの分析 I

    岩下伸也, 古閑一憲, 白谷正治, 芦川直子, 西村清彦, 相良明男

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • 振幅変調パルスRF 放電を用いたナノ粒子輸送の観察

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 森貞佳紀, 松木信雄, 池田慎悟

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電中の電子エネルギー分布への磁場印加効果

    中村ウィリアム誠, 川嶋勇毅, 田中雅敏, 佐藤 宙, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • マルチホロー放電プラズマCVD法でのa-Si:H製膜速度の圧力依存性

    佐藤宙, 中村ウィリアン誠, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • イオン・ラジカルフラックスによるトレンチ基板へのカーボン薄膜堆積形状制御

    梅津潤, 井上和彦, 野村卓矢, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:中部大学   国名:日本国  

  • High deposition rate of highly stable a-Si:H films for the third generation of photovoltaics 国際会議

    W. M. Nakamura, Y. Kawashima, M. Tanaka, H. Sato, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    The 7th International Workshop on Advanced Plasma Processing, Diagnostics  2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Nanoparticle suppressed plasma CVD for depositing stable a-Si:H (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2008 The fifteenth international workshop on active-matrix flatpanel displays and devices  2008年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ, ex-situ sampling of dust particles formed due to interaction between graphite, deuterium helicon plasmas 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, K. Koga, M. Shiratani

    ITER International Summer School 2008  2008年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Evaluation of 2D spatial profile of volume fraction of clusters in a-Si:H films deposited by using a multi-hollow discharge plasma CVD method

    2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 振幅変調高周波放電を用いたポーラス低誘電率膜の作製と物性評価

    岩下伸也, 宮田大嗣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 森貞佳紀, 松木信雄, 池田慎悟

    平成20年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会 (兼)第13回九州薄膜表面研究会 「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • 基板内微細溝へのカーボン薄膜製膜速度の基板温度依存性

    梅津 潤, 井上和彦, 野村卓矢, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    平成20年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会 (兼)第13回九州薄膜表面研究会 「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • Deposition profile control of plasma CVD films on nano-patterned substrates (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    Interfinish 2008  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Rapid deposition of porous ultra low-k films using pulse RF discharges with amplitude modulation 国際会議

    S. Iwashita, H. Miyata, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Interfinish 2008  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Heat treatment with high pressure water vapor of hydrogenated amorphous silicon 国際会議

    H. Sato, W. M. Nakamura, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Interfinish 2008  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Evaluation of two dimensional spatial profiles of volume fraction of nanoparticles incorporated into a-Si:H films 国際会議

    W. M. Nakamura, H. Sato, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    Interfinish 2008  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Control of deposition profile of hard carbon films on substrates having trenches 国際会議

    J. Umetsu, K. Koga, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori, M. Shiratani

    Interfinish 2008  2008年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Si thin films of second and third generation photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, W. M. Nakamura, H. Sato, S. Nunomura, M. Kondo

    International workshop on merging state-of-the-art plasma science into novel technologies  2008年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • Plasma processes for developing nanosystems in the 3rd generation nanotechnology (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, S. Iwashita, S. Nunomura, M. Kondo

    6th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing  2008年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 2次元フォトンカウンティングレーザー散乱法を用いたCVDプラズマ中のナノ粒子の検出

    岩下伸也, 守田道仁, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治, 森貞佳紀, 松木信雄, 池田慎悟

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本大学   国名:日本国  

  • 重水素ヘリコンプラズマ・カーボン壁相互作用で生成されるダストのin-situ捕集

    岩下伸也, 古閑一憲, 白谷正治

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本大学   国名:日本国  

  • コンビナトリアルプラズマ解析装置の創製:トレンチ基板上へのカーボン薄膜のコンフォーマル堆積

    梅津潤, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一, 関根誠, 堀勝

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本大学   国名:日本国  

  • SiH4有磁場マルチホロー放電の発光分光

    中村ウィリアム誠, 佐藤宙, 宮原弘臣, 松崎秀文, 古閑一憲, 白谷正治

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本大学   国名:日本国  

  • Plasma engineering for third generation nanotechnology (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    2008年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ミー散乱法によるシリコン微粒子の測定(招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲

    東北大学通研共同プロジェクト研究会「微粒子プラズマ科学の展開」  2008年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • Emission Spectroscopy of Magnetically Enhanced Multi-Hollow Discharges

    W. M. Nakamura, H. Sato, J. Umetsu, H. Miyahara, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Plasma CVD of nano-particle composite porous low-k films usihg pulse RF discharges with amplitude modulation

    S. Iwashita, Michihito Morita, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Measurement of Diffusion, Cohesion Process of Carbon Clusters by Mie Scattering

    T. Mieno, S. Usuba, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • In-situ observation of nano-block transport in CVD plasmas using two-dimensional photon counting laser-light scattering method

    S. Iwashita, Michihito Morita, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Ha emission intensity, electron density in anisotropic CVD plasmas

    J. Umetsu, K. Inoue, K. Takenaka, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Formation of carbon dust particles due to interaction between graphite, pulse deuterium helicon plasmas

    S. Iwashita, H. Matsuzaki, K. Koga, M. Shiratani

    2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月 - 2009年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High-quality amorphous Si formation by sophisticated plasma technology (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga

    6th International Workshop of Advanced Plasma Processing and Diagnostics  2008年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2008年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • LHDにおけるダストのその場サンプリングと分析 (招待講演) 招待

    白谷正治, 切通聡, 岩下伸也, 古閑一憲, 芦川直子, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

    第5回LHDにおけるPWI共同研究・検討会  2007年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:核融合科学研究所   国名:日本国  

  • Control of nanostrucuture of plasma CVD films and its application to third generation photovoltaics (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, W. M. Nakamura, D. Shimokawa, H. Miyahara, K. Koga

    Fifth EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing  2007年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nanocrystalline silicon/amorphous silicon composite material (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, S. Nunomura, M. Kondo

    International Workshop upon Thin Film Silicon Solar Cells  2007年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 無対流炭素クラスターの拡散・凝集過程のミー散乱測定

    三重野哲, 薄葉州, 古閑一憲, 白谷正治

    日本学術会議主催 第24回宇宙利用シンポジウム  2007年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本科学未来館   国名:日本国  

  • In-situ sampling of dust in main and glow discharges in LHD and its analysis (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, S. Kiridoshi, K. Koga, N. Ahikawa, K. Nishimura, A. Sagara, A. Komori, LHD Experimental Group

    Joint US-Japan Workshop on Dynamics of Dust Particles in Fusion Devices and Non-diffusive Plasma Transport and Its Statistics in Edge Plasmas of Fusion  2007年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2007年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Si thin film deposition process for the future solar cells (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, S. Iwashita, W. M. Nakamura, H. Miyahara, S. Nunomura, M. Kondo

    4th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics & Thin Film Technology for Electronic Materials  2006年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2006年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Production of size-controlled Si nano-crystallites using SiH4+H2 discharges and its application to optoelectronic films (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe, S. Nunomura, and M. Kondo

    International Symposium on EcoTopia Science2005 (ISETS05)  2005年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマプロセスによる結晶シリコンナノ粒子の生成 (招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    第6回プラズマナノテクノロジ-研究会  2003年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋大学   国名:日本国  

  • 革新的プラズマCVDを目指して (招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    第3回インテリジェント・ナノプロセス研究会  2003年12月 

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    開催年月日: 2003年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学   国名:日本国  

  • Anisotropic Cu Deposition using Plasma Chemical Vapor Deposition (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Takenaka, M. Takeshita, M. Kita, K. Koga, and Y. Watanabe

    American Vacuum Society 50th International Symposium  2003年11月 

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    開催年月日: 2003年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 銅のプラズマCVD におけるサブミクロントレンチへの成膜形状制御

    白谷正治, 竹中弘祐, 古閑一憲, 渡辺征夫

    九州・山口プラズマ研究会  2003年11月 

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    開催年月日: 2003年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:九州大学   国名:日本国  

  • VHFプラズマCVDによる結晶シリコンナノ粒子の生成と膜への取り込み (招待講演) 招待

    白谷正治, 古閑一憲, 渡辺征夫

    第30回アモルファスセミナー  2003年11月 

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    開催年月日: 2003年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岐阜ルネッサンスホテル   国名:日本国  

  • Silicon nano-structure formation using plasma under micro-G and one G conditions (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, T. Kakeya, K. Koga, and Y. Watanabe

    56th Annual Gaseous Electronics Conference  2003年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2003年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Copper plasma CVD (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Takenaka, M. Takeshita, K. Koga, and Y. Watanabe

    37th IUVSTA Workshop on Plasma Deposition of Advanced Materials  2003年9月 

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    開催年月日: 2003年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オランダ王国  

  • プラズマを用いたSiナノ粒子の形成に対する重力の影響

    白谷正治, 掛谷知秀, 古閑一憲, 渡辺征夫

    電気学会九州支部  2003年9月 

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    開催年月日: 2003年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:崇城大学   国名:日本国  

  • Control of deposition profile of Cu for LSI interconnects by plasma chemical vapor deposition (Invited) 招待 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, and Y. Watanabe

    16th International Symposium on Plasma Chemistry  2003年6月 

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    開催年月日: 2003年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  • Carbon particle formation due to interaction between H2 plasmas, carbon wall 国際会議

    M. Shiratani, R. Uehara, K. Koga, Y. Watanabe

    Fine Particle Plasmas: Basis, Applications - Third Workshop on Fine Particle Plasmas  2002年12月 

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    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 炭素壁と水素プラズマ相互作用に起因する微粒子形成過程解明のための研究

    上原 龍児, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 小森 彰夫

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部 第6回支部大会  2002年12月 

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    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD法によるLSI用微細銅配線形成

    竹中 弘祐, 大西 将夫, 竹下 学, 木下 年夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 神元 俊哉

    電気学会 プラズマ研究会  2002年12月 

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    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Silicon nano-particles formed under one-G, micro-gravity plasmas 国際会議

    M. Shiratani, M. Kai, K. Koga, Y. Watanabe

    Fine Particle Plasmas: Basis, Applications - Third Workshop on Fine Particle Plasmas  2002年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Conformal, anisotorpic deposition of Cu films using H-assisted plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, K. Takenaka, M. Onishi, K. Koga, Y. Watanabe, T. Shingen

    American Vaccum Society 49th International Symposium  2002年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cu薄膜形成プラズマCVDにおける核発生と島成長

    竹中 弘祐, 大西 将夫, 竹下 学, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 神元 俊哉

    平成14年度応用物理学会九州支部講演会  2002年11月 

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    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いた水素原子アシストプラズマCVDでの高速成膜

    竹下 学, 竹中 弘祐, 大西 将夫, 木下 年夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 神元 俊哉

    平成14年度応用物理学会九州支部講演会  2002年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • a-Si:H薄膜のArプラズマスパッタリングによる新構造Si微粒子の形成

    甲斐 幹英, 掛谷 知秀, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成14年度応用物理学会九州支部講演会  2002年11月 

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    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素原子アシストプラズマCVD法によるLSI用銅配線形成

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第18回九州・山口プラズマ研究会  2002年11月 

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    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • ナノクラスタ制御プラズマCVDと高品質, 光安定a-Si:H太陽電池への応用

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第29回アモルファスセミナー  2002年11月 

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    開催年月日: 2002年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 微重力プラズマ中のナノ粒子形成

    白谷 正治, 甲斐 幹英, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第18回日本マイクログラビティ応用学会学術講演会  2002年10月 

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    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Anisotropic deposition of copper by plasma CVD method 国際会議

    K. Takenaka, M. Onishi, M. Takenaka, T. Kinoshita, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    24th International Symposium on Dry Process  2002年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Conformal deposition of ultra thin, smooth Cu films in trenches using Cu(EDMDD)2 by H-assisted plasma CVD 国際会議

    M. Shiratani, K. Takenaka, M. Onishi, M. Takeshita, T. Kinoshita, K. Koga, Y. Watanabe, T. Shingen

    2nd ECS International Semiconductor Technology Conference  2002年9月 

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    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 銅のプラズマ異方性CVDの成膜機構の検討

    竹中 弘祐, 大西 将夫, 竹下 学, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマスパッタリングにより形成した新構造シリコンナノ微粒子

    甲斐 幹英, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のSiクラスタ成長過程に対する水素希釈の影響

    針貝 篤史, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いたH原子アシストプラズマCVD法によるCu薄膜形成:主放電電力依存性

    竹中 弘祐, 竹下 学, 大西 将夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 神元俊哉

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマを用いたSi新ナノ構造形成

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2002年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Correlation between Si cluster amount in silane HF discharges, quality of a-Si:H films 国際会議

    M. Shiratani, M. Kai, K. Imabeppu, K. Koga, Y. Watanabe

    Joint Meeting of 16th European Conference on Atomic, Molecular Physics of Ionized Gases, 5th International Conference on Reactive Plasmas  2002年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Conformal deposition of pure Cu films in trenches by H-assisted plasma CVD using Cu(EDMDD)2 国際会議

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe, T. Shingen

    Joint Meeting of 16th European Conference on Atomic, Molecular Physics of Ionized Gases, 5th International Conference on Reactive Plasmas  2002年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Anisotropic deposition of Cu with H-assisted plasma CVD 国際会議

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    Joint Meeting of 16th European Conference on Atomic, Molecular Physics of Ionized Gases, 5th International Conference on Reactive Plasmas  2002年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cluster-supressed plasma CVD for deposition of high quality a-Si:H films (Invited) 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    European Materials Research Society 2002 Spring Meeting  2002年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Anisotropic deposition of copper by H-assisted plasma chemical vapor deposition 国際会議

    K. Takenaka, M. Shiratani, M. Onishi, M. Takeshita, T. Kinoshita, K. Koga, Y. Watanabe

    European Materials Research Society 2002 Spring Meeting  2002年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Deposition of Cu films in trenches for LSI interconnects by H-assisted plasma CVD method 国際会議

    K. Takenaka, M. Onishi, T. Kinoshita, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe, T. Shingen

    International Workshop on Information, Electrical Engineering (IWIE2002)  2002年5月 

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    開催年月日: 2002年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 低圧シランプラズマ中の微粒子成長機構

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科研究科フォーラム  2002年3月 

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H原子アシストプラズマCVD法による銅の異方性成膜

    竹中 弘祐, 大西 将夫, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いたH原子アシストプラズマCVDによるトレンチ内への銅薄膜コンフォーマル堆積

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 大西 将夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年3月 

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of high quality Si films by suppressing cluster growth in SiH4 high-frequency discharges 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Seminar of Particle Technology Division of Korean Chemical Engineering  2002年2月 

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    開催年月日: 2002年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • クラスタ抑制プラズマCVD法によるSi薄膜の高品質化

    渡辺 征夫, 古閑 一憲, 白谷 正治

    シリコンテクノロジー第37回研究会  2002年1月 

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    開催年月日: 2002年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cluster formation model in SiH4 plasmas, its application to deposition of high quality a-Si:H films 国際会議

    M. Shiratani, M. Kai, K. Imabeppu, K. Koga, Y. Watanabe

    Fine Particle Plasmas: Basis, Applications - Second Workshop on Fine Particle Plasmas  2001年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • プラズマ・カーボン壁相互作用による微粒子形成過程研究用装置の開発

    徳安 達郎, 上原 龍児, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度応用物理学会九州支部講演会  2001年12月 

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    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中に発生するSiクラスタの核発生・初期成長に対する放電周波数の効果

    針貝 篤史, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度応用物理学会九州支部講演会  2001年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランCVDプラズマ中のクラスタ量とa-Si:H薄膜の膜質の関係

    今別府 謙吾, 甲斐 幹英, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度応用物理学会九州支部講演会  2001年12月 

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    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H原子アシストプラズマCVD法による銅の異方性成膜

    大西 将夫, 竹中 弘祐, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度応用物理学会九州支部講演会  2001年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDDMD)2を用いたプラズマCVD法における銅薄膜の高純度化と発生核の高密度化

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 大西 将夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 神元 俊哉

    平成13年度応用物理学会九州支部講演会  2001年12月 

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    開催年月日: 2001年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスタとシリコン系薄膜太陽電池

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第17回九州・山口プラズマ研究会  2001年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Deposition of pure copper thin films by H-assisted plasma CVD using a new Cu complex Cu(EDMDD)2 国際会議

    K. Takenaka, H. J. Jin, M. Onishi, K. Koga, M. Shiratani, Y. Watanabe

    International Symposium on Dry Process  2001年11月 

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    開催年月日: 2001年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Electron-, ion-densities in silane high frequency discharges 国際会議

    Y. Watanabe, A. Hariaki, K. Koga, M. Shiratani

    54th Annual Gaseous Electronics Conference  2001年10月 

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    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 銅プラズマCVDにおけるトレンチ内製膜速度の異方性

    大西 将夫, 金 洪杰, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度電気関係学会九州支部連合大会  2001年10月 

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    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 超高品質a-Si:H薄膜作製用プラズマCVD装置のクラスタ計測

    甲斐 幹英, 今別府 謙吾, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度電気関係学会九州支部連合大会  2001年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電中のクラスタ成長に対する水素希釈と放電周波数の効果

    針貝 篤史, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度電気関係学会九州支部連合大会  2001年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いた銅プラズマCVD:膜質の全圧と基板温度への依存性

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 大西 将夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成13年度電気関係学会九州支部連合大会  2001年10月 

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    開催年月日: 2001年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • CuプラズマCVDと次世代配線への応用

    白谷 正治, 竹中 弘祐, 金 洪杰, 大西 将夫, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    電気学会 電子・情報・システム部門大会  2001年9月 

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    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • クラスタ抑制プラズマCVD法による超高品質a-Si:H薄膜形成(招待講演)

    渡辺 征夫, 白谷 正治, 古閑 一憲

    第62回応用物理学学術講演会 非晶質:分科内総合講演「アモルファスシリコンの光劣化防止策」  2001年9月 

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    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いたH原子源付プラズマCVD装置による高純度銅薄膜形成

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 大西 将夫, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫, 渡邉 剛

    第62回応用物理学学術講演会  2001年9月 

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    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H原子源付プラズマCVD装置で堆積したCu薄膜中の不純物濃度分布

    白谷 正治, 金 洪杰, 大西 将夫, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第62回応用物理学学術講演会  2001年9月 

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    開催年月日: 2001年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Behavior of a particle injected in ion sheath of electropositive, electronegative gas discharges 国際会議

    M. Shiratani, A. Toyozawa, K. Koga, Y. Watanabe

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases  2001年7月 

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    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Nucleation, subsequent growth of clusters in reactive plasmas (invited) 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases  2001年7月 

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    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Clustering phenomena in low-pressure reactive plasmas: base, applications (invited) 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    15th International Symposium on Plasma Chemistry  2001年7月 

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    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Development of H-assisted plasma CVD reactor for Cu interconnects 国際会議

    M. Shiratani, H. J. Jin, K. Takenaka, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    International Conference on Phenomena in Ionized Gases  2001年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • アモルファスシリコン太陽電池の高速・高品質製造技術の開発 (招待講演)

    渡辺 征夫, 白谷 正治, 古閑 一憲

    新エネルギーシンポジウム  2001年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Electron, ion densities in SiH4 HF discharges 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    9th Workshop on the Physics of Dusty Plasmas  2001年5月 

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    開催年月日: 2001年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Cluster-less plasma CVD reactor, its application to a-Si:H film deposition 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    2001 MRS Spring Meeting  2001年4月 

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    開催年月日: 2001年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 太陽電池用超高品質アモルファスSi薄膜の超高速作製のためのクラスタ制御プラズマCVD法の開発 (招待講演)

    渡辺 征夫, 白谷 正治, 古閑 一憲

    第13回太陽光発電連絡会  2001年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H-assisted plasma CVD using Cu(hfac)2, Cu(EDMDD)2 国際会議

    M. Shiratani, H. J. Jin, K. Takenaka, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    2001 MRS Spring Meeting  2001年4月 

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    開催年月日: 2001年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • H原子源付プラズマCVD装置による高品質Cu極薄膜の堆積

    白谷 正治, 金 洪杰, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDMDD)2を用いたプラズマCVD法による銅薄膜形成

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • イオンシースに注入した微粒子の軌跡

    白谷 正治, 古閑 一憲, 豊澤 聡大, 渡辺 征夫

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001年3月 

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    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Behavior of a particle injected in ion sheath 国際会議

    M. Shiratani, A. Toyozawa, K. Koga, Y. Watanabe

    Plasma Science Symposium 2001/ 18th Symposium on Plasma Processing  2001年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Plasma CVD method for Cu interconnects in ULSI (invited) 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    Plasma Science Symposium 2001/ 18th Symposium on Plasma Processing  2001年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Measurements of surface reaction probability of SiH3 国際会議

    M. Shiratani, N. Shiraishi, K. Koga, Y. Watanabe

    Plasma Science Symposium 2001/ 18th Symposium on Plasma Processing  2001年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Development of cluster-suppressed plasma CVD reactor for high quality a-Si:H film deposition 国際会議

    M. Shiratani, T. Sonoda, N. Shikatani, K. Koga, Y. Watanabe

    Plasma Science Symposium 2001/ 18th Symposium on Plasma Processing  2001年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2001年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 高品質a-Si:H作製のためのクラスタ抑制プラズマCVD装置の開発

    白谷 正治, 園田 剛士, 古閑 一憲, 渡辺 征夫, 鹿谷 昇

    平成12年度応用物理学会九州支部講演会  2000年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素希釈シラン高周波放電中の電子密度のシラン分圧依存性

    田中 健一, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度応用物理学会九州支部講演会  2000年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cu(EDDMD)2を用いたプラズマCVD法による銅薄膜堆積

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度応用物理学会九州支部講演会  2000年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • LSI内微細銅配線形成のためのプラズマCVD法の開発

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第16回九州・山口プラズマ研究会  2000年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスタ計測と高品質a-Si:H薄膜の高速作製法の開発

    渡辺 征夫, 古閑 一憲, 白谷 正治

    第16回九州・山口プラズマ研究会  2000年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H assisted control of quality, conformality in Cu film deposition using plasma CVD method 国際会議

    M. Shiratani, H. J. Jin, K. Takenaka, K. Koga, Y. Watanabe

    Advanced Metallization Conference 2000  2000年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Effects of H irradiation on properties of Cu films deposited by plasma CVD 国際会議

    Y. Watanabe, K. Koga, H. J. Jin, Y. Nakatake, T. Kinoshita, M. Shiratani

    53rd Annual Gaseous Electronics Conference  2000年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • D2+SiH4高周波放電で作製した微粒子とa-Si:H膜の組成

    白谷 正治, 園田 剛士, 鹿谷 昇, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 新銅錯体材料Cu(EDMDD) 2を用いたプラズマCVDによる銅薄膜作製

    竹中 弘祐, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度電気関係学会九州支部連合大会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマイオンシース中の微粒子挙動の観察

    豊澤 聡大, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度電気関係学会九州支部連合大会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD法により微細トレンチに形成したCu薄膜の段差被覆性

    金 洪杰, 竹中 弘祐, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • トレンチへの段差被覆性に与えるSiH4トライオードrf放電の接地電極サイズの影響

    白石 信仁, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスタ成長に及ぼす励起周波数・水素希釈の影響

    田中 健一, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度電気関係学会九州支部連合大会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • D2+SiH4高周波放電により作製した微粒子と水素化アモルファスシリコン膜の組成

    園田 剛士, 鹿谷 昇, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成12年度電気関係学会九州支部連合大会  2000年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 銅の高アスペクト比パターン埋め込みのためのラジカル表面反応制御(招待講演)

    白谷 正治, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第61回応用物理学学術講演会シンポジウム「Feature Profile Evolutionのためのプラズマ物理化学」  2000年9月 

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Formation kinetics, control of dust particles in capacitively-coupled reactive plasmas (invited) 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    International Topical Conference on Plasma Physics: Colloidal Plasma Science  2000年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Recent progress in study on cluster growth kinetics in silane rf plasmas (invited) 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    4th European Workshop on Dusty, Colloidal Plasma  2000年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Methods of suppressing cluster growth in silane rf discharges 国際会議

    M. Shiratani, S. Maeda, Y. Matsuoka, K. Tanaka, K. Koga, Y. Watanabe

    2000 MRS Spring Meeting  2000年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Initial growth kinetics of clusters in processing plasmas 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga

    8th Workshop on the Physics of Dusty Plasma  2000年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Thin smooth Cu films deposited in deep submicron trench by plasma CVD reactor with H atom source 国際会議

    M. Shiratani, H. J. Jin, Y. Nakatake, K. Koga, Y. Watanabe

    2000 MRS Spring Meeting  2000年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • シラン高周波放電中ナノ微粒子の成長過程:基板の効果

    白谷 正治, 前田 真一, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD法により形成したCu薄膜の結晶サイズに及ぼすH原子照射の効果

    金 洪杰, 中武 靖裕, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • パルス及び定常高周波トライオードSiH4 放電中のラジカルの表面反応確率

    白石 信仁, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Control of surface reactions for conformal deposition of Cu in fine trench structure (invited) 国際会議

    M. Shiratani, H. J. Jin, Y. Nakatake, K. Koga, Y. Watanabe

    'International Workshop on Basic Aspects of Non-equilibrium Plasmas Interacting with Surfaces  2000年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • シラン高周波放電中ナノ微粒子成長に与える基板の影響

    白谷 正治, 古閑 一憲, 前田 真一, 渡辺 征夫

    第17回プラズマプロセシング研究会  2000年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Surface reaction probability of radicals in CW, pulsed RF triode SiH4 discharges 国際会議

    M. Shiratani, N. Shiraishi, K. Koga, Y. Watanabe

    International Workshop on Basic Aspects of Non-equilibrium Plasmas Interacting with Surfaces  2000年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2000年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • H2希釈SiH4高周波放電中のH密度測定

    園田 剛士, 中村 幸作, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 直流放電イオンシース中の微粒子挙動の観察

    波多江 哲, 豊澤 聡大, 古閑 一憲, 福澤 剛, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD法によるトレンチへの銅への埋め込み特性

    金 洪杰, 中武 靖裕, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiH4高周波放電によるa-Si:H成膜と微粒子量との関係

    前田 真一, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会  1999年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シランプラズマ中のクラスターとa-Si:H成膜

    渡辺 征夫, 古閑 一憲, 白谷 正治

    第15回九州・山口プラズマ研究会  1999年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A-Si:H Film Deposition Using Plasma CVD with Suppression of Cluster-Size Particles 国際会議

    M. Shiratani, S. Maeda, Y. Matsuoka, K. Tanaka, K. Koga, Y. Watanabe

    1999 American Vacuum Society International Symposium  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 発光分光法によるH2+SiH4高周波放電中のH密度の測定

    中村 幸作, 園田 剛士, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度電気関係学会九州支部連合大会  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 水素希釈および電極加熱によるシラン高周波放電中微小微粒子の抑制効果

    田中 健一, 松岡 泰弘, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度電気関係学会九州支部連合大会  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • イオンシース中の微粒子挙動の観察

    豊澤 聡大, 波多江 哲, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度電気関係学会九州支部連合大会  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • SiH4高周波トライオード放電中のSiH3密度空間分布とSiH3の表面反応確率

    白石 信仁, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度電気関係学会九州支部連合大会  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • H原子原付プラズマCVD装置を用いた微細トレンチへの銅の埋め込み

    中武 靖裕, 金 洪杰, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    平成11年度電気関係学会九州支部連合大会  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Suppression of Cluster-Size Particles in Silane RF Discharges 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga, S. Maeda, Y. Matsuoka, K. Tanaka

    52nd Annual Gaseous Electronics Conference  1999年10月 

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    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Complete Filling of High-Purity Copper in Sub-quater-Micron Trench Structure Using Plasma CVD Reactor with H Atom Source 国際会議

    H. Jin, M. Shiratani, Y. Nakatake, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    1999 American Vacuum Society International Symposium  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Behabior of a Particle in Plasma-Wall Sheath Region 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, K. Koga, A. Hatae, A. Toyozawa

    52nd Annual Gaseous Electronics Conference  1999年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • H2+SiH4高周波放電中のH密度

    白谷 正治, 中村 幸作, 園田 剛士, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第60回応用物理学学術講演会  1999年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • プラズマCVD法による高品質銅の微細トレンチ埋め込み

    金 洪杰, 中武 靖裕, 古閑 一憲, 白谷 正治, 渡辺 征夫

    第60回応用物理学学術講演会  1999年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • シラン高周波放電中微粒子成長抑制条件下でのa-Si:H膜堆積

    白谷 正治, 前田 真一, 古閑 一憲, 渡辺 征夫

    第60回応用物理学学術講演会  1999年9月 

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    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Growth Processes of Particles up to Nanometer in High-Frequency SiH4, GeH4 RF Plasmas (invited) 国際会議

    Y. Watanabe, M. Shiratani, T. Fukuzawa, K. Koga

    24th International Conference on Phenomena in Ionized Gases  1999年7月 

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    開催年月日: 1999年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Recent Advance in Understanding Formation of Particles in SiH4 RF Discharges (invited) 国際会議

    M. Shiratani, K. Koga, Y. Watanabe

    12th Symposium on Plasma Science, Materials  1999年6月 

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    開催年月日: 1999年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • Void Free Filling of High-Purity Copper in Subquater-Micron Trench Structure Using Plasma Reactor with H Atom Source 国際会議

    H. Jin, M. Shiratani, Y. Nakatake, K. Koga, T. Fukuzawa, T. Kinoshita, Y. Watanabe, M. Toyofuku

    12th Symposium on Plasma Science, Materials  1999年6月 

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    開催年月日: 1999年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:その他  

  • 粒子径の異なるインジウム・スズ酸化物ナノ粒子の経気道性曝露による生体影響評価

    田中 昭代, 松村 渚, 柴田 悦子, 田中 佑樹, 小椋 康光, 古閑 一憲, 白谷 正治, 長野 嘉介

    産業衛生学雑誌  2022年5月  (公社)日本産業衛生学会

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    記述言語:日本語  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子の皮下投与による亜慢性影響

    松村 渚, 田中 佑樹, 小椋 康光, 古閑 一憲, 白谷 正治, 長野 嘉介, 田中 昭代

    Biomedical Research on Trace Elements  2022年9月  (一社)日本微量元素学会

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    記述言語:日本語  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子の皮下および気管内投与による生体影響の比較

    田中 昭代, 松村 渚, 田中 佑樹, 小椋 康光, 古閑 一憲, 白谷 正治, 長野 嘉介

    日本衛生学雑誌  2022年3月  (一社)日本衛生学会

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    記述言語:日本語  

  • インジウム・スズ酸化物ナノ粒子の体内動態に及ぼすサイズ効果

    田中 昭代, 松村 渚, 田中 佑樹, 小椋 康光, 古閑 一憲, 白谷 正治, 長野 嘉介

    大気環境学会年会講演要旨集  2022年9月  (公社)大気環境学会

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    記述言語:日本語  

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MISC

  • プラズマを用いたCO<sub>2</sub>の水素還元における選択性の制御

    都甲将, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年   ISSN:2758-4704

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  • プラズマ触媒作用を用いたCO<sub>2</sub>メタネーションのためのゼロ次元シミュレーション

    都甲将, 長谷川大樹, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年   ISSN:2758-4704

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  • プラズマ触媒作用を用いたCO<sub>2</sub>メタネーションにおける振動回転励起CO分子の役割

    都甲将, 出口雅志, 長谷川大樹, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 竹中弘祐, 古閑一憲, 白谷正治, 節原裕一

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   2022年   ISSN:2436-7613

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  • 生体内動態評価のための液中プラズマによるナノ粒子生成 (小特集 プラズマが誘導する生体応答とそのバイオ・医療応用)

    古閑 一憲, 天野 孝昭, 北崎 訓, 白谷 正治, 中津 可道, 平田 美由紀, 田中 昭代

    プラズマ・核融合学会誌   2015年12月

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    記述言語:日本語  

    プラズマの医療応用では,プラズマの即時作用・ナノマテリアルの持続作用及びシナジー効果を活用した研究が行われている.プラズマとナノマテリアルの医療応用では,治療効果の評価のみならず,健康影響や毒性など安全性の評価も重要である.しかしながら,プラズマとナノマテリアルの包括的な安全性評価は世界でも行われておらず,安全性に関するガイドラインの構築は危急の課題である.筆者らは,個体レベル・細胞レベルの2つの視点から生体内動態を定量解析して,プラズマとナノマテリアルの包括的な健康影響評価を行い安全性に関するガイドラインの構築をめざしている.本章では,端緒に付いたばかりのプラズマ・ナノマテリアルの生体内動態評価研究の,液中プラズマを用いたナノ粒子の作製とナノ粒子の生体内動態についての試験的投与結果の概要を紹介する.

  • プラズマの直接照射及び照射溶液による突然変異の誘導

    中津 可道, 大野 みずき, 鷹野 典子, 北崎 訓, 古閑 一憲, 天野 孝昭, 白谷 正治, 田中 昭代, 續 輝久

    日本癌学会総会記事   2015年10月

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    記述言語:英語  

  • Measurement of absolute density of N atom in sputtering plasma for epitaxial growth ZnO films via nitrogen mediated crystallization 査読

    T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   2015年10月

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    記述言語:英語  

    Measurement of absolute density of N atom in sputtering plasma for epitaxial growth ZnO films via nitrogen mediated crystallization

  • Measurements of absolute densities of nitrogen and oxygen atoms in sputtering plasma for fabrication of ZnInON films 査読

    K. Matsushima, T. Ide, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   2015年10月

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    記述言語:英語  

    Measurements of absolute densities of nitrogen and oxygen atoms in sputtering plasma for fabrication of ZnInON films

  • Measurements of nitrogen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films 査読

    T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   2015年10月

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    記述言語:英語  

    Measurements of nitrogen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films

  • Raman Spectroscopy of a-C:H Films Deposited Using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 査読

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP   2015年10月

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    記述言語:英語  

    Raman Spectroscopy of a-C:H Films Deposited Using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD

  • 17pCP-12 アルゴンプラズマ中微粒子運動の画像解析によるプラズマパラメータ評価

    古閑 一憲, 添島 雅大, 徐 鉉雄, 板垣 奈穂, 白谷 正治, 内田 誠一

    日本物理学会講演概要集   2015年9月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_639

  • 反応性プラズマにおけるシリコンクラスター・ナノ粒子形成 (小特集 シリコン系太陽電池の高効率化に向けたプラズマCVDの科学) -- (気相の物理・化学)

    古閑 一憲, 白谷 正治

    プラズマ・核融合学会誌   2015年5月

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    記述言語:日本語  

    薄膜堆積で用いられている反応性プラズマで発生するナノ粒子は薄膜に取り込まれることで膜質の劣化を招くためプロセスプラズマの科学における重要な研究対象である.特に水素化アモルファスシリコン太陽電池における光劣化現象では,シランプラズマ中で発生したサイズが10nm程度以下のアモルファス構造のナノ粒子(クラスター)の堆積膜への混入が原因の1つとして考えられている.本節では,反応性プラズマ中のナノ粒子について核発生からサイズが10nm程度までの初期成長期の成長機構について概要を説明した後,シランプラズマで発生したナノ粒子の堆積膜への輸送,混入と膜質への影響に関する研究結果を紹介する.

  • 低圧プロセスプラズマの揺らぎとナノ粒子成長 (小特集 プラズマとナノ界面の相互作用)

    白谷 正治, 古閑 一憲

    プラズマ・核融合学会誌   2014年7月

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    記述言語:日本語  

    ナノ界面の揺らぎ(ばらつき)の決定機構を解明し,揺らぎ抑制法・増幅法を開発することを目的として,プラズマ中で成長するナノ粒子とプラズマの相互作用を,ナノ界面とプラズマの相互作用のモデルとして取り上げた研究について紹介する.プラズマ揺らぎがナノ粒子成長に正帰還する場合,帰還なしの場合,負帰還する場合の3つの領域が存在することが明らかになった.

  • 30aAE-11 ナノ粒子含有振幅変調放電プラズマ中のAr準安定原子密度(30aAE 非平衡極限プラズマ,領域2(プラズマ))

    白谷 正治, 古閑 一憲, 森田 康彦, 伊東 鉄平, 内田 儀一郎, 鎌滝 晋礼, 徐 鉉雄, 板垣 奈穂

    日本物理学会講演概要集   2014年3月

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    記述言語:日本語  

  • 25pKC-3 ナノ粒子含有プラズマ系におけるナノ粒子成長(非平衡極限プラズマ,領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))

    白谷 正治, 森田 康彦, 岩下 伸也, 古閑 一憲, 内田 儀一郎, 板垣 奈穂, Seo Hyunwoong, 鎌滝 晋礼

    日本物理学会講演概要集   2013年8月

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    記述言語:日本語  

  • Pressure dependence of carbon film deposition using H-assisted plasma CVD

    X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas   2012年2月

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    記述言語:英語  

    Pressure dependence of carbon film deposition using H-assisted plasma CVD

  • Self-organized carbon Mk formation on the top surface of fine trenches using a low temperature plasma anisotropic CVD for depositing fine organic structure

    K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Plasma Conf. 2011   2011年11月

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    記述言語:英語  

    Self-organized carbon Mk formation on the top surface of fine trenches using a low temperature plasma anisotropic CVD for depositing fine organic structure

  • Effects of substrate bias voltage on plasma anisotropic CVD of carbon using H-assisted plasma CVD reactor

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   2011年11月

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    記述言語:英語  

    Effects of substrate bias voltage on plasma anisotropic CVD of carbon using H-assisted plasma CVD reactor

  • Optical emission spectroscopy of Ar+H2+ C7H8 discharges for anisotropic plasma CVD of carbon

    T. Urakawa, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

    Proc. Intern. Symp. on Dry Process   2011年11月

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    記述言語:英語  

    Optical emission spectroscopy of Ar+H2+ C7H8 discharges for anisotropic plasma CVD of carbon

  • プロセスプラズマ中の微粒子の凝集と輸送

    古閑 一憲, 内田 儀一郎, 白谷 正治, 布村 正太, 渡辺 征夫

    プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research   2011年2月

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    記述言語:日本語  

    反応性プラズマを用いるプラズマプロセスでは,気相中で微粒子が発生することが多い.近年,この微粒子を多階層のナノシステムの機能性ナノ部品として使用するボトムアップ型のナノテクノロジーへの展開が盛んに行われている.本章では,この展開に重要な部分帯電した微粒子群の凝集と輸送についての最近の研究成果を紹介する.

  • 光劣化しない革新的アモルファスシリコン太陽電池の作製をめざして

    白谷 正治, 古閑 一憲

    プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research   2010年1月

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    記述言語:日本語  

    資源量が豊富であり省資源・低コストを実現できることから薄膜Si太陽電池が電力用太陽電池の本命と期待されている.太陽電池の大量導入には,高効率・低コスト・高歩留まりの実現が必要である.光劣化のないa-Si:H薄膜を作製できると,これらの実現が容易になる.a-Si:H成膜において気相で形成されるアモルファスSiクラスタの膜中への取り込みを抑制することにより,光劣化のないa-Si:H薄膜を作製できることを紹介する.

  • 高品質光安定a-Si:H薄膜作製用マルチホロー放電における電子密度の空間分布

    古閑 一憲, 佐藤 宙, 川嶋 勇毅, 中村 誠ウィリアム, 白谷 正治

    電気学会研究会資料. PST, プラズマ研究会   2009年6月

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    記述言語:日本語  

  • 28aSP-11 無対流ガス空間中炭素クラスターの凝集過程測定(ミー散乱)(28aSP プラズマ宇宙物理(コンプレックスプラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))

    三重野 哲, 譚 国棟, 薄葉 州, 古閑 一憲, 白谷 正治

    日本物理学会講演概要集   2009年3月

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    記述言語:日本語  

  • クラスター制御プラズマCVDによるa-Si:H薄膜堆積

    白谷 正治, 古閑 一憲

    應用物理   2008年2月

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    記述言語:日本語  

  • 新しいナノ構造形成技術:プラズマ異方性CDV (特集 新しいナノテクノロジーの展望)

    白谷 正治, 古閑 一憲

    ケミカルエンジニヤリング   2006年12月

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    記述言語:日本語  

  • 反応性プラズマを用いたナノ粒子の気相合成とナノ粒子含有膜堆積への応用

    白谷 正治, 古閑 一憲

    應用物理   2006年4月

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    記述言語:日本語  

  • Dust Formation due to Interaction between H2 Plasma and Carbon Wall

    Kazunori Koga, Ryuji Uehara, Masaharu Shiratani, Yukio Watanabe, Akio Komori

    IEEE International Conference on Plasma Science   2003年10月

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    記述言語:その他  

    Dust Formation due to Interaction between H2 Plasma and Carbon Wall
    The dust formation due to interaction between hydrogen plasma and carbon walls was discussed. Carbon fiber composites of 35 mm in diameter were placed at 285 mm from the center of the quartz window to simulate the divertor wall. It was found that all emission intensities and sputtering rates decrease with the increase in kinetic energy of the ions impinging on the target.

  • シランプラズマ中のクラスタ成長と薄膜形成

    白谷 正治, 古閑 一憲, 尾形 隆則, 掛谷 知秀, 鹿口 直斗, 渡辺 征夫

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス   2003年4月

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    記述言語:日本語  

    a-Si:H形成に用いられるシランプラズマ中のクラスタ量は放電周波数の高周波化,H_2希釈で激減する.クラスタ量を減らすと,膜の微細構造パラメータが小さくなり高い曲線因子を実現できる.

  • Anisotropic deposition of copper by H-assisted plasma chemical vapor deposition

    K Takenaka, M Shiratani, M Onishi, M Takeshita, T Kinoshita, K Koga, Y Watanabe

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   2002年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/S1369-8001(02)00108-7

  • Cluster-less plasma CVD reactor and its application to a-Si:H film deposition

    Masaharu Shiratani, Kazunori Koga, Yukio Watanabe

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   2001年12月

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    記述言語:その他  

    Cluster-less plasma CVD reactor and its application to a-Si:H film deposition
    Even under the conventional device-quality discharge conditions, large amount of clusters are found to exist in silane radio frequency (RF) discharges. The size and density of clusters near the substrate on the grounded electrode are 2 nm and 1011cm-3, respectively. In order to prevent such clusters from depositing on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films, we have developed a cluster-less plasma CVD reactor which can significantly suppress cluster amount by using gas viscous and thermophoretic forces exerted on clusters, and by reducing gas stagnation region. Using the reactor, we have demonstrated deposition of ultra high quality a-Si:H films which have a significantly less concentration of Si-H2bonds compared to conventional device-quality films.

  • Methods of suppressing cluster growth in silane RF discharges

    M. Shiratani, S. Maeda, Y. Matsuoka, K. Tanaka, K. Koga, Y. Watanabe

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   2000年12月

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    記述言語:その他  

    Methods of suppressing cluster growth in silane RF discharges
    The effects of gas temperature gradient, pulse discharge modulation, hydrogen dilution, gas flow, and substrate materials on growth of clusters below about 10 nm in size in silane parallel-plate RF discharges are studied using a high-sensitivity photon-counting laser-light-scattering (PCLLS) method. Thermophoretic force due to the gas temperature gradient between the electrodes drives neutral clusters above a few nm in size toward the cool RF electrode. Pulse discharge modulation is much more effective in reducing the cluster density when it is combined with the gas temperature gradient, and clusters above a few nm in size cannot be detected by the PCLLS method even for the discharge over a few hours. Hydrogen dilution and gas flow are also effective in suppressing growth of clusters, when the H2/SiH4concentration ratio is above about 5 and the flow velocity is above about 6 cm/s, respectively. Cluster growth rate with a glass or Si substrate is found to be considerably higher than that without the substrate.

  • H assisted control of quality and conformality in Cu film deposition using plasma CVD method

    Masaharu Shiratani, Hong Jie Jin, Kosuke Takenaka, Kazunori Koga, Toshio Kinoshita, Yukio Watanabe

    Advanced Metallization Conference (AMC)   2000年12月

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    記述言語:その他  

    H assisted control of quality and conformality in Cu film deposition using plasma CVD method
    Hydrogen assisted plasma CVD (HAPCVD), in which Cu(hfac)2 is supplied as the source material, realizes control of quality and conformality in Cu fill deposition, since H irradiation is effective in purifying the Cu films, increasing the grain size, and reducing the surface roughness, while decrease in dissociation degree of Cu(hfac)2 leads to realize conformal deposition in fine trenches. Cu(hfac) is identified as the radical mainly contributing to the deposition. Based on the results, we propose a model in which Cu(hfac) and H react on surfaces to deposit Cu films. We also have demonstrated conformal deposition of smooth Cu films of 30 nm in thickness and 1.9 μΩcm in resistivity in trenches using the HAPCVD.

  • Deposition of smooth thin Cu films in deep submicron trench by plasma CVD reactor with H atom source

    M. Shiratani, Hong Jie Jin, Y. Nakatake, K. Koga, T. Kinoshita, Y. Watanabe

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   2000年12月

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    記述言語:その他  

    Deposition of smooth thin Cu films in deep submicron trench by plasma CVD reactor with H atom source
    Effects of H irradiation on purifying Cu films and improving their surface roughness as well as size and orientation of Cu grains in the films have been examined using a newly developed plasma CVD reactor equipped with an H atom source, in which Cu(hfac)2is supplied as the source material. The H irradiation is effective in purifying the Cu films, increasing the grain size, and reducing the surface roughness, while it has no effect on the grain orientation. The decrease in dissociation degree of material gas leads to reduction of the surface reaction probability of Cu-containing radicals, which is important to realize conformal deposition in fine trenches. Using the control of dissociation degree of material gas independent of H irradiation, we have demonstrated conformal deposition of smooth Cu films in the trench using the developed plasma CVD reactor.

  • Filling subquarter-micron trench structure with high-purity copper using plasma reactor with H atom source

    Hong Jie Jin, Masaharu Shiratani, Yasuhiro Nakatake, Kazunori Koga, Toshio Kinoshita, Yukio Watanabe

    Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University   2000年3月

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    記述言語:英語  

    Filling subquarter-micron trench structure with high-purity copper using plasma reactor with H atom source
    A plasma chemical vapor deposition reactor with an additional source of H atoms, in which concentrations of both H atoms and Cu-containing radicals are controllable independently, is developed to fill fine patterns for interconnects with high-purity Cu. Cu-filling property in trench structure with the reactor is evaluated under deposition conditions of high-purity (≈100&#37;) Cu films. The surface reaction probability β of Cu-containing radicals is deduced from the coverage shape of Cu deposition in the trench structure and its Monte Carlo simulation. With decreasing the main discharge power Pm, the β value decreases from 0.2 for Pm = 35 W to 0.01 for Pm = 3 W. Using this reactor, we have realized filling of high purity Cu in a trench 0.3 μm wide and 0.9 μm deep.

    DOI: 10.15017/1513729

  • Behavior of the ion sheath instability in a negative ion plasma

    Kazunori Koga, Yoshinobu Kawai

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   1999年12月

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    記述言語:英語  

    Behavior of the ion sheath instability in a negative ion plasma
    The ion sheath instability with half the ion plasma frequency was observed around the separation grid in a double plasma containing negative ions, where the dominant negative ion species was specified from the dispersion relation of the ion acoustic wave. Detailed behavior of ion sheath instability was examined as a function of concentration of negative ions and bias potential of the separation grid. By measuring the sheath structure formed around the separation grid, it was found that when the negative ion density was increased, the ion sheath instability was suppressed. Furthermore, the peak frequency decreased with an increasing concentration of negative ions. ©1999 Publication Board, Japanese Journal of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.38.1553

  • Behavior of the ion sheath instability in a negative ion plasma

    K Koga, Y Kawai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   1999年3月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.38.1553

  • 負イオンプラズマにおける非対称イオンシース構造

    古閑 一憲, 河合 良信, 内藤 裕志

    電気学会研究会資料. EP, プラズマ研究会   1998年11月

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    記述言語:日本語  

  • 27p-C-4 イオンシース不安定性におけるシース構造(II)

    古閑 一憲, 内藤 浩志, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集   1998年9月

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    記述言語:日本語  

  • 27p-C-1 負イオンプラズマ中の擬似波 II

    饒辺 幹, 吉村 信次, 古閑 一憲, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集   1998年9月

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    記述言語:日本語  

  • 7a-YN-7 イオンシース不安定性におけるシース構造

    古閑 一憲, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集   1997年9月

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    記述言語:日本語  

  • 29a-YG-9 負イオンを含む多成分プラズマにおけるイオンシース不安定性(II)

    古閑 一憲, 林 信哉, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集   1997年3月

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    記述言語:日本語  

  • 29a-YG-10 イオン波の分散特性に対する負イオンの効果

    吉村 信次, 古閑 一憲, 中村 良治, 渡辺 二太, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集   1997年3月

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    記述言語:日本語  

  • 1p-YM-3 負イオンを含む多成分プラズマにおけるイオンシース不安定性(プラズマ物理・核融合(プラズマ基礎))

    古閑 一憲, 林 信哉, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集. 年会   1996年3月

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    記述言語:日本語  

  • 28a-Q-11 負イオンを含む多成分プラズマのイオンシース中の現象

    古閑 一憲, 林 信哉, 和田 哲行, 篠原 俊二郎, 河合 良信

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会   1995年9月

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    記述言語:日本語  

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Works(作品等)

  • 集積回路内銅配線形成に関する共同研究

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産業財産権

特許権   出願件数: 12件   登録件数: 4件
実用新案権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
意匠権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
商標権   出願件数: 0件   登録件数: 0件

所属学協会

  • 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

  • 電気学会

  • プラズマ・核融合学会

  • Materials Research Society

  • American Vaccum Society

  • 日本生化学会

  • 応用物理学会

  • American Vacuum Society

  • ブラズマ・核融合学会

  • 日本物理学会

  • ブラズマ・核融合学会

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  • Materials Research Society

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  • American Vacuum Society

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  • American Vaccum Society

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  • 応用物理学会

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  • 電気学会

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  • 日本生化学会

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  • プラズマ・核融合学会

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  • 日本物理学会

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  • 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

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委員歴

  • プラズマ・核融合学会   理事   国内

    2024年6月 - 2028年5月   

  • 出版委員長   国際

    2023年1月 - 2023年12月   

  • プラズマ・核融合学会 九州・山口・沖縄支部   支部長   国内

    2022年6月 - 2024年5月   

  • 応用物理学会   論文賞委員   国内

    2022年4月 - 2024年3月   

  • 副出版委員長   国際

    2022年1月 - 2022年12月   

  • 論文委員   国際

    2022年1月 - 2022年12月   

  • Program Committee   Program Committee   国際

    2020年4月 - 2021年3月   

  • Program Committee   Program Committee   国際

    2020年4月 - 2021年3月   

  • 論文委員   論文委員   国際

    2020年1月 - 2020年12月   

  • Program Committee   Program Committee   国際

    2019年1月 - 2020年12月   

  • Session Chair B2   Session Chair B2   国際

    2019年1月 - 2020年12月   

  • 論文委員   論文委員   国際

    2019年1月 - 2019年12月   

  • 副幹事長   副幹事長   国内

    2018年4月 - 2022年3月   

  • 応用物理学会 プラズマ・エレクトロニクス分科会   副幹事長  

    2018年4月 - 2022年3月   

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  • 論文委員   論文委員   国際

    2018年1月 - 2018年12月   

  • プログラム編集委員   プログラム編集委員   国内

    2017年4月 - 2021年3月   

  • 論文委員   論文委員   国際

    2017年4月 - 2018年3月   

  • 代議員   代議員   国内

    2017年2月 - 2019年1月   

  • Treasurer   Treasurer   国際

    2017年1月 - 2018年12月   

  • Program Committee   Program Committee   国際

    2016年4月 - 2021年3月   

  • 委員   委員   国内

    2016年4月 - 2018年12月   

  • Organizing Committee   Organizing Committee   国際

    2016年4月 - 2017年3月   

  • 論文委員   論文委員   国際

    2016年4月 - 2017年3月   

  • Programme committee member   Programme committee member   国際

    2015年6月 - 2016年6月   

  • 幹事   幹事   国内

    2013年4月 - 2015年3月   

  • 「プラズマ理工学と医学・農学の融合科学」専門委員   「プラズマ理工学と医学・農学の融合科学」専門委員   国内

    2013年4月 - 2015年3月   

  • 幹事   幹事   国内

    2006年4月 - 2008年3月   

  • 学会誌モニター   学会誌モニター   国内

    2003年4月 - 2005年3月   

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学術貢献活動

  • Japanese Journal of Applied Physics DPS2022 Special Issue 国際学術貢献

    2022年4月 - 2023年3月

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    種別:学会・研究会等 

  • その他

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会(パシフィコ横浜)  ( パシフィコ横浜 Japan ) 2017年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2017年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:4

    日本語雑誌 査読論文数:0

    国際会議録 査読論文数:0

    国内会議録 査読論文数:0

  • プラズマ・核融合学会誌

    2016年7月 - 2018年7月

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    種別:学会・研究会等 

  • Other 国際学術貢献

    37th International Dymposium on Dry Process (DPS2015)  ( Awaji Island Japan Japan ) 2015年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:150

  • Other 国際学術貢献

    9th International Conference on Reactive Plasmas/68th Gaseous Electronics Conference/33rd Symposium on Plasma Processing  ( Hawaii Convention Center UnitedStatesofAmerica UnitedStatesofAmerica ) 2015年10月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:1,000

  • Other 国際学術貢献

    9th International Conference on Reactive Plasmas/68th Gaseous Electronics Conference/33rd Symposium on Plasma Processing  ( Hawaii Convention Center UnitedStatesofAmerica UnitedStatesofAmerica ) 2015年10月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:1,000

  • Japanese Journal of Applied Physics ISPlasma2016 Special Issue 国際学術貢献

    2015年4月 - 2017年3月

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    種別:学会・研究会等 

  • Surface Coatings & Techonol AEPSE2015 Special Issue 国際学術貢献

    2015年4月 - 2017年3月

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    種別:学会・研究会等 

  • その他

    2015年第62回応用物理学会春季学術講演会(東海大)  ( 東海大学湘南キャンパス Japan ) 2015年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Other 国際学術貢献

    36th International Dymposium on Dry Process (DPS2014)  ( PACIFICO Convention Plaza Japan Japan ) 2014年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:150

  • Other 国際学術貢献

    26th Symposium on Plasma Physics and Technology  ( Prague CzechRepublic CzechRepublic ) 2014年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:100

  • その他 国際学術貢献

    ( 福岡市 Japan ) 2014年2月

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    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:600

  • その他

    プラズマ・核融合学会 九州・沖縄・山口支部第17回支部大会  ( 佐世保工業高等専門学校 Japan ) 2013年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他 国際学術貢献

    ( 岐阜県下呂市 下呂シナジーセンター Japan ) 2013年2月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    プラズマ核融合学会 第29回年会  ( 福岡県春日市 クローバープラザ Japan ) 2012年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Other 国際学術貢献

    IEEE TENCON2010  ( Fukuoka Japan Japan ) 2010年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 座長(Chairmanship)

    2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会(東海大)  ( 東海大学湘南キャンパス ) 2010年3月 - 2008年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    応用物理学会九州支部学術講演会講演会  ( 熊本大学 Japan ) 2009年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    第70回応用物理学会学術講演会  ( 富山大学 Japan ) 2009年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Journal of Plasma and Fusion Research Series 国際学術貢献

    2008年9月 - 2009年9月

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    種別:学会・研究会等 

  • その他

    フロンティアプロセス2008  ( 独立行政法人・産業技術総合研究所・つくば中央第2 2-12棟 つくばOSL 第6会議室 Japan ) 2008年8月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会  ( 日本大学理工学部 船橋校舎 Japan ) 2008年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他 国際学術貢献

    プラズマ表面工学に関するアジア-ヨーロッパ国際会議(AEPSE2007)  ( 長崎市「やすらぎ伊王島」 Japan ) 2007年9月 - 2008年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Other 国際学術貢献

    The 5th International Symposium on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The 1st International Symposium on Flexible Electronics Technology  ( Sungkyunkwan University(SKKU), Suwon Korea Korea ) 2007年4月 - 2008年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    第33回アモルファスセミナー スタートアップセッション  ( 九州地区国立大学九重共同研修所 Japan ) 2006年11月 - 2007年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    第33回アモルファスセミナー  ( 九州大学百年記念講堂 Japan ) 2006年11月 - 2007年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • その他

    応用物理学会2005年秋季講演会  ( 徳島市,徳島大学 Japan ) 2005年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • プラズマ駆動種子記憶操作:プラズマが駆動する種子内分子動態の学理創成

    研究課題/領域番号:24A206  2024年4月 - 2029年3月

    科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    古閑 一憲

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    資金種別:科研費

    CiNii Research

  • プラズマプロセスによる膜形成の一般則の統合研究

    研究課題/領域番号:24H00205  2024年4月 - 2029年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    白谷 正治, 布村 正太, 鎌滝 晋礼, 古閑 一憲

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    資金種別:科研費

    長年、成膜プロセスは、所望の膜質を実現する外部パラメータを実験的に探索する手法にとらわれているのが現状である。それは、成膜プロセスから膜質を理論的に同定する方法論が確立されていないためである。そこで、本研究は、プラズマ内部パラメータと膜質の定量的関係の一般則を導出することを目的としている。そこで、本研究では、① 電子密度やイオンエネルギーなどのプラズマ内部パラメータを発光情報から導出する定量的法則を見出すこと、②膜質のin-situ計測と大量データ収集システムを構築し、③ 外部パラメータ×プラズマ内部パラメータ×膜質の総合的な定量的な関係則を見出し、プラズマプロセス膜形成の一般則を導出する。

    CiNii Research

  • プラズマが駆動する種子内分子動態の総括研究

    研究課題/領域番号:24H02246  2024年4月 - 2029年3月

    科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    古閑 一憲, 金子 俊郎, 小野 亮, 杤久保 文嘉, 伊藤 篤史, 國枝 正, 魚住 信之, 石川 健治, 石橋 勇志, 江原 宏, 新田 洋司, 村上 朝之, 谷口 和成, 栂根 一夫

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    資金種別:科研費

    プラズマは、環境負荷の少ない植物成長促進法として注目を集めている。中でも種子へのプラズマ照射は、低コストな成長促進だけでなく、DNA修飾変動などを示す。種子へのプラズマ照射からDNA修飾変動に至る分子機構解明のためには、プラズマから種子内細胞までの分子機構がプラズマによりどのように変動を受けるのかを統合した学理の構築が必要である。本総括研究では、5年間の研究期間において、プラズマ科学と種子科学を中心に、様々な分野における研究者が一同に会して議論しプラズマ種子科学領域を創成する。

    CiNii Research

  • プラズマが駆動する気相から種子への活性種輸送の学理構築

    研究課題/領域番号:24H02250  2024年4月 - 2029年3月

    科学研究費助成事業  学術変革領域研究(A)

    古閑 一憲, 神野 雅文, 朽津 和幸, 吉田 朋子, 谷口 和成

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    資金種別:科研費

    プラズマは、環境負荷の少ない植物成長促進法として注目を集めている。中でも種子へのプラズマ照射は、低コストな成長促進法としてだけでなく、DNA修飾変動などを示す。種子へのプラズマ照射効果を明らかにする上で、プラズマから種子にどのような分子がどれほど輸送されたのかを明らかにすることは、必須の検討事項である。本計画研究では、5年間の研究期間において、プラズマから種子、植物細胞への分子輸送機構を明らかにして、輸送制御を実現するために基礎学理を構築する。

    CiNii Research

  • 持続可能な農業生産性向上を実現するプラズマアグリサイエンス拠点

    2023年 - 2024年

    JST COI-NEXT 共創分野 育成型

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • Plasma-modified peptides/proteins for multi-target anticancer treatment

    研究課題/領域番号:23K22483  2022年4月 - 2027年3月

    科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    Attri Pankaj, 田中 宏昌, 栗田 弘史, 竹内 希, 白谷 正治, 古閑 一憲

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    資金種別:科研費

    Modified the amino acids through plasma and understood the structure changes in proteins and peptides in the absence and presence of co-solvents. Additionally, to understand the effect of plasma-modified protein action on cancer cells, we will bind the protein with drugs and inhibit their action.

    CiNii Research

  • Plasma-modified peptides/proteins for multi-target anticancer treatment

    研究課題/領域番号:22H01212  2022年 - 2026年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    資金種別:科研費

  • Plasma-modified peptides/proteins for multi-target anticancer treatment

    研究課題/領域番号:22H01212  2022年 - 2026年

    Japan Society for the Promotion of Science  Grants-in-Aid for Scientific Research  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • プラズマ生成フリーラジカル非平衡反応場の液相時空間解析

    研究課題/領域番号:21H04451  2021年 - 2023年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • プラズマ生成フリーラジカル非平衡反応場の液相時空間解析

    研究課題/領域番号:21H04451  2021年 - 2023年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • 低温プラズマ照射に対する種子の外部情報認識に関する分子メカニズム解明

    研究課題/領域番号:20H01893  2020年 - 2022年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    古閑 一憲, 朽津 和幸, 石橋 勇志, 奥村 賢直, Attri Pankaj

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

    プラズマの植物応用において、プラズマ照射効果の機序解明のボトルネックとなっているのは、個体差や栽培条件のばらつきにマスクされない明確なプラズマ照射効果を実現する実験系を確立することである。課題解決のため、プラズマ照射に対する種子の応答の分子メカニズムの解明を本研究の目的とした。本研究では、発芽特性の植物内の活性酸素種量最適領域を示すoxidative windowをプラズマの農業応用で初めて導入する。また従来評価が困難であった疎水性の分子について、超臨界液体クロマトグラフィーを用いて評価可能であるところに独自性を持つ。

    CiNii Research

  • 環境に優しい作物収量増加を目指した窒素・炭素肥料作製用その場プラズマシステム開発

    2020年 - 2022年

    JST A-STEP 育成型

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • プラズマ誘起生体活性物質による超バイオ機能の展開

    研究課題/領域番号:19H05462  2019年 - 2023年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別推進研究

    堀 勝, 梶山 広明, 伊藤 昌文, 片岡 洋祐, 白谷 正治, 豊國 伸哉, 榊原 均, 松本 省吾, 古閑 一憲, 吉川 史隆

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

    プラズマによって誘起された生体活性物質の分子構造と物性を突き止め、各物質と生体との相互作用を解明することによって、超バイオ機能発現の本質を明らかにする。また、活性物質による細胞死、増殖、分化などの真核生物に普遍的な現象の分子機構を解明する。その成果を基盤にして、プラズマ医療、農業という未来産業を拓く羅針盤となる、学術基盤『プラズマ生命科学』を切り拓き、地球規模の課題である、難病治療や食糧不足などを解決するイノベーションを産み出す。

    CiNii Research

  • 組成制御低温プラズマを用いた種子処理に対する発芽初期段階のストレス応答

    2019年 - 2020年

    日本学術振興会  二国間交流

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    担当区分:研究代表者  資金種別:共同研究

  • 精密制御プラズマ・触媒反応場の創成

    研究課題/領域番号:18K18754  2018年 - 2019年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 穀物増産を実現する種子へのプラズマ大量処理技術開発

    2017年 - 2018年

    JAXA宇宙探査イノベーションハブ

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • 電場を用いた帯電ダストと製膜前駆体イオンの除去

    2017年

    NIFS 一般共同研究

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • プラズマ照射による植物成長促進の世代間伝搬機構の解明

    研究課題/領域番号:16H03895  2016年 - 2019年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • インジウムナノ粒子の体内吸収と毒性メカニズム

    研究課題/領域番号:16H05257  2016年 - 2018年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • プラズマ・触媒ナノ粒子複合反応場によるCO2資源化技術の開発 (代表者:白谷正治)

    2015年 - 2016年

    JAXA宇宙探査イノベーションハブ

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • プラズマを用いたナノ粒子精密配置制御の学術基盤創成

    研究課題/領域番号:26246036  2014年 - 2018年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • 液中プラズマを用いたミクロンサイズの穴への銅ナノ粒子埋め込みプロセスの創成

    研究課題/領域番号:25600126  2013年 - 2015年

    科学研究費助成事業  挑戦的萌芽研究

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • プラズマ・ナノマテリアル動態学の創成と安全安心医療科学の構築

    研究課題/領域番号:24108009  2012年 - 2016年

    日本学術振興会・文部科学省  科学研究費助成事業  新学術領域研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • コンビナトリアル細胞活性解析を用いた細胞超活性プラズマの創成

    研究課題/領域番号:24340143  2012年 - 2015年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 職業性吸入インジウムの体内動態と多臓器障害に関する研究

    研究課題/領域番号:23390164  2011年 - 2013年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • ナノ粒子制御によるアモルファスシリコンセルの高光安定化に関する研究 超高周波プラズマ源の開発 (代表者:白谷正治)

    2010年 - 2014年

    NEDO太陽光発電システム次世代高性能技術の開発

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • 細胞周期同期パルスプラズマ照射による細胞増殖加速

    研究課題/領域番号:22656022  2010年 - 2011年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • 大学院システム情報科学研究院研究資金 部門名(情報エレクトロニクス部門古閑一憲助教)

    2010年

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    資金種別:寄附金

  • 電場を用いたダスト収集

    2010年

    平成22年度九州大学宙空環境研究センター「共同研究」

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    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

  • ナノ粒子含有プラズマによるナノ界面ボンドエンジニアリングの創生(代表者:白谷正治)

    研究課題/領域番号:21110005  2009年 - 2013年

    日本学術振興会・文部科学省  科学研究費助成事業  新学術領域研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • プラズマとナノ界面の相互作用に関する総括研究(代表者:白谷正治)

    研究課題/領域番号:21110001  2009年 - 2013年

    日本学術振興会・文部科学省  科学研究費助成事業  新学術領域研究

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    担当区分:連携研究者  資金種別:科研費

  • 電位構造制御によるダストフラックス計測

    2009年

    平成21年度九州大学宙空環境研究センター「共同研究」

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    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

  • プラズマを用いた次世代LSI用低誘電率層間絶縁膜の作製

    2008年3月 - 2012年3月

    共同研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他産学連携による資金

  • 高度秩序構造を有する薄膜多接合太陽電池の研究開発(ナノ結晶シリコン)(代表者:白谷正治)

    2008年 - 2014年

    NEDO 革新的太陽光発電技術研究開発(革新型太陽電池国際研究拠点整備事業)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • ナノブロック輸送・配置の学術・技術基盤構築(代表者:白谷正治)

    研究課題/領域番号:20360040  2008年 - 2010年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • プラズマ中ダストの能動的輸送制御

    2008年

    平成20年度九州大学宙空環境研究センター「共同研究」

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    担当区分:研究代表者  資金種別:学内資金・基金等

  • CREST 研究領域「ナノ科学を基盤とした革新的製造技術の創成」 プラズマナノ科学創成によるプロセスナビゲーション構築とソフト材料加工(代表者:堀 勝)

    2007年 - 2011年

    戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • インジウム新素材によるインジウム肺発症の実験的研究(代表者:田中昭代)

    研究課題/領域番号:19390164  2007年 - 2009年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • 大面積/高効率多接合薄膜シリコン太陽電池の高生産製膜技術開発(代表者:白谷正治)

    2007年 - 2009年

    太陽光発電システム未来技術研究開発

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • 重水素プラズマ・カーボン壁相互作用によるナノダストの生成と重水素吸蔵量の評価

    研究課題/領域番号:18740353  2006年 - 2007年

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • プラズマを用いたナノカプセルの創製と物質内包技術の開発(代表者:白谷正治)

    研究課題/領域番号:18656027  2006年 - 2007年

    科学研究費助成事業  萌芽研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費

  • トップセルの光劣化の基礎現象解明

    2006年 - 2007年

    NEDO再受託

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    担当区分:研究分担者  資金種別:受託研究

  • 低コスト高効率太陽電池のための高光安定水素化アモルファスシリコンの大面積・高速作製技術の開発

    2005年 - 2007年

    NEDO 平成17年度第2回産業技術研究助成事業

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    担当区分:研究代表者  資金種別:受託研究

  • ナノ構造の新作製法としてのプラズマ異方性CVD

    研究課題/領域番号:16360020  2004年 - 2006年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • 水素プラズマ・カーボン壁相互作用によるナノ粒子成長機構の研究

    研究課題/領域番号:16740316  2004年 - 2005年

    科学研究費助成事業  若手研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 微重力反応性プラズマ中の微粒子成長

    研究課題/領域番号:15654082  2003年 - 2004年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • 超高効率太陽電池のためのクラスタ反応制御プラズマCVD

    研究課題/領域番号:14205047  2002年 - 2004年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • プラズマ・カーボン壁相互作用による微粒子形成機構の研究

    研究課題/領域番号:14780385  2002年 - 2003年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • LSI内微細銅配線のためのプラズマ異方性CVD

    研究課題/領域番号:14350021  2002年 - 2003年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • 革新的次世代太陽光発電システム技術研究開発

    2000年6月 - 2001年3月

    産業技術総合研究所,九州大学,凸版印刷,スタンレー電気,日本板硝子 

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    担当区分:研究分担者 

    本研究は,九州大学,産業技術総合研究所,凸版印刷,スタンレー電気,日本板硝子が共同で行うものであり,全体としては,薄膜シリコン系スタック型太陽電池において、従来トップセル材料として用いられてきたアモルファスシリコンが持つ光劣化の問題を根本的に解決する革新的材料、ナノ構造制御シリコンを開発し、それを用いた低コスト高効率太陽電池製造技術を確立し、モジュールコストを50円/W以下を可能とする指針を得ることを目的としている.
     九州大学の分担内容は,九州大学プラズマ研究室で開発したSi微粒子成長制御法と微粒子観測技術をもとに,上述のナノ構造制御シリコン太陽電池を作製する際に必要となるナノ構造制御シリコン材料の開発を行うことを目的としている.

  • 負性プラズマとそのシース中での微粒子挙動に関する研究

    研究課題/領域番号:12780357  2000年 - 2001年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

  • シランプラズマ中のSiクラスタの成長機構に関する研究

    研究課題/領域番号:11450037  1999年 - 2000年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

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    資金種別:科研費

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教育活動概要

  • 学部教育担当科目
     電気情報数学
     数学演習II
     アカデミックフロンティア
    大学院教育担当科目
     ナノプロセス工学特論

担当授業科目

  • ナノプロセス工学特論Ⅱ

    2024年6月 - 2024年8月   夏学期

  • 電気情報数学Ⅱ(EC)

    2024年6月 - 2024年8月   夏学期

  • 電気電子工学演示Ⅰ

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 電気情報数学(B)

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 数学演習B

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論Ⅰ

    2024年4月 - 2024年6月   春学期

  • 電気情報数学Ⅰ(EC)

    2024年4月 - 2024年6月   春学期

  • 電気電子工学演示Ⅱ

    2023年10月 - 2024年3月   後期

  • 電気電子工学読解Ⅱ

    2023年10月 - 2024年3月   後期

  • ナノプロセス工学特論Ⅱ

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • 電気情報数学Ⅱ(EC)

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Eng II

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • ナノプロセス特別講究

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Research in Nanoprocess

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学特別演習

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学特別研究Ⅰ

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学特別研究Ⅱ

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学演示Ⅰ

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 電気情報数学(B)

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 数学演習B

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論Ⅰ

    2023年4月 - 2023年6月   春学期

  • 電気情報数学Ⅰ(EC)

    2023年4月 - 2023年6月   春学期

  • 電気電子工学演示Ⅱ

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 課題協学科目

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 課題協学科目

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 電気電子工学読解Ⅱ

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • ナノプロセス工学特論Ⅱ

    2022年6月 - 2022年8月   夏学期

  • 電気情報数学Ⅱ(EC)

    2022年6月 - 2022年8月   夏学期

  • 基幹教育セミナー

    2022年6月 - 2022年8月   夏学期

  • Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 国際演示技法

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 知的財産技法

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • ティーチング演習

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 先端プロジェクト管理技法

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Scientific English Presentation

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Intellectual Property Management

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Exercise in Teaching

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Advanced Project Management Technique

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • ナノプロセス特別講究

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Advanced Research in Nanoprocess

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 電気電子工学特別演習

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第一

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第二

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • Adv Res in Electrical and Electronic Engineering II

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 電気電子工学演示Ⅰ

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 工学概論(Ⅰ群)

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 数学演習B

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論Ⅰ

    2022年4月 - 2022年6月   春学期

  • 電気情報数学Ⅰ(EC)

    2022年4月 - 2022年6月   春学期

  • 電気電子工学読解Ⅱ

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • 課題協学科目

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • ナノプロセス工学特論Ⅱ

    2021年6月 - 2021年8月   夏学期

  • 基幹教育セミナー

    2021年6月 - 2021年8月   夏学期

  • Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 知的財産技法

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • ティーチング演習

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 先端プロジェクト管理技法

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Scientific English Presentation

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Intellectual Property Management

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Exercise in Teaching

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Advanced Project Management Technique

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • ナノプロセス特別講究

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Advanced Research in Nanoprocess

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 電気電子工学特別演習

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第一

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第二

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • Adv Res in Electrical and Electronic Engineering II

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • [M2]電気電子工学演習第三

    2021年4月 - 2021年9月   前期

  • 電気情報数学(B)

    2021年4月 - 2021年9月   前期

  • 数学演習Ⅱ

    2021年4月 - 2021年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2021年4月 - 2021年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論Ⅰ

    2021年4月 - 2021年6月   春学期

  • 電気電子工学演習第二

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 基幹教育セミナー

    2020年6月 - 2020年8月   夏学期

  • Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 国際演示技法

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 知的財産技法

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • ティーチング演習

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 先端プロジェクト管理技法

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Scientific English Presentation

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Intellectual Property Management

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Exercise in Teaching

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Advanced Project Management Technique

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • ナノプロセス特別講究

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Advanced Research in Nanoprocess

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 電気電子工学特別演習

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第一

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 電気電子工学特別講究第二

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • Adv Res in Electrical and Electronic Engineering II

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • 数学演習II

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気情報数学(B)

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 数学演習Ⅱ

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気電子工学演習第一

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気電子工学演習第三

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 基幹教育セミナー

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気情報数学

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気電子工学演習第二

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • 電気情報数学

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 数学演習II

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 電気情報数学(B)

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 数学演習Ⅱ

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 電気電子工学演習第一

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 電気電子工学演習第三

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 電気電子工学演習第二

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 電気情報工学入門Ⅱ

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 電気情報数学

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気情報工学入門Ⅰ

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気情報数学

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 数学演習Ⅱ

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気電子工学演習第一

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気電子工学演習第三

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気情報工学入門I

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 数学演習II

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気電子工学演習第二

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • Advanced Project Management Technique

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • 国際演示技法

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • 知的財産技法

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • ティーチング演習

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • 先端プロジェクト管理技法

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • Overseas Internship

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • Scientific English Presentation

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • Intellectual Property Management

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • Exercise in Teaching

    2017年4月 - 2018年3月   通年

  • 電気情報数学

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気情報数学

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 数学演習Ⅱ

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気電子工学演習第一

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気電子工学演習第三

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気電子工学特別研究第ニ

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 数学演習II

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気情報数学

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • 数学演習II

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • 電気情報数学

    2015年4月 - 2015年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2015年4月 - 2015年9月   前期

  • 数学演習II

    2015年4月 - 2015年9月   前期

  • 電子情報工学基礎

    2014年4月 - 2014年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2014年4月 - 2014年9月   前期

  • 電気情報数学

    2014年4月 - 2014年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2013年4月 - 2013年9月   前期

  • 電子情報工学基礎

    2013年4月 - 2013年9月   前期

  • 電気情報数学

    2013年4月 - 2013年9月   前期

  • 電気情報数学

    2011年4月 - 2011年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2011年4月 - 2011年9月   前期

  • 電気情報数学

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • ナノプロセス工学特論

    2010年4月 - 2010年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2009年10月 - 2010年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2009年4月 - 2009年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2008年10月 - 2009年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2008年4月 - 2008年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2007年10月 - 2008年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2007年4月 - 2007年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2006年10月 - 2007年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2006年4月 - 2006年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2005年10月 - 2006年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2005年4月 - 2005年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2004年10月 - 2005年3月   後期

  • 電気情報工学実験I

    2004年4月 - 2004年9月   前期

  • 電気情報工学実験II

    2003年10月 - 2004年3月   後期

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FD参加状況

  • 2024年3月   役割:参加   名称:【シス情FD】高度データサイエンティスト育成事業の取り組みについて

    主催組織:部局

  • 2023年11月   役割:参加   名称:【シス情FD】企業等との共同研究の実施増加に向けて

    主催組織:部局

  • 2023年10月   役割:参加   名称:【シス情FD】価値創造型半導体人材育成センターについて

    主催組織:部局

  • 2023年9月   役割:参加   名称:【シス情FD】Top10%論文/Top10%ジャーナルとは何か: 傾向と対策

    主催組織:部局

  • 2023年7月   役割:参加   名称:【シス情FD】若手教員の研究紹介⑨

    主催組織:部局

  • 2023年6月   役割:参加   名称:【シス情FD】SBRC、QRECの活動ご紹介

    主催組織:部局

  • 2023年3月   役割:参加   名称:【シス情FD】独・蘭・台湾での産学連携を垣間見る-Industy 4.0・量子コンピューティング・先端半導体-

    主催組織:部局

  • 2022年9月   役割:参加   名称:【シス情FD】研究機器の共用に向けて

    主催組織:部局

  • 2022年4月   役割:参加   名称:【シス情FD】第4期中期目標・中期計画等について

    主催組織:部局

  • 2021年12月   役割:参加   名称:【シス情FD】企業出身教員から見た大学

    主催組織:部局

  • 2021年9月   役割:参加   名称:博士後期課程の充足率向上に向けて

    主催組織:部局

  • 2021年7月   役割:参加   名称:若手教員による研究紹介 及び 科研取得のポイント、その他について ②

    主催組織:部局

  • 2021年6月   役割:参加   名称:若手教員による研究紹介 及び 科研取得のポイントについて ①

    主催組織:部局

  • 2021年5月   役割:参加   名称:先導的人材育成フェローシップ事業(情報・AI分野)について

    主催組織:部局

  • 2020年11月   役割:参加   名称:マス・フォア・イノベーション卓越大学院について

    主催組織:部局

  • 2019年6月   役割:参加   名称:8大学情報系研究科長会議の報告

    主催組織:部局

  • 2019年3月   役割:参加   名称:3ポリシー見直し方針に関する全学FD

    主催組織:全学

  • 2018年11月   役割:参加   名称:工学部FD ハラスメント出前ミニ講座

    主催組織:部局

  • 2018年11月   役割:参加   名称:システム情報科学研究院FD 科学技術基本政策の今と未来

    主催組織:部局

  • 2016年1月   役割:参加   名称:平成27年度第2回工学部・工学府FD

    主催組織:部局

  • 2009年7月   役割:参加   名称:平成21年度第1回システム情報科学府ファカルティディベロップメント

    主催組織:部局

  • 2009年3月   役割:参加   名称:第2回ファカルティディベロップメント

    主催組織:部局

  • 2008年3月   役割:参加   名称:システム情報科学府FD

    主催組織:部局

  • 2007年4月   役割:参加   名称:平成19年度第1回全学FD

    主催組織:全学

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国際教育イベント等への参加状況等

  • 2010年8月

    九州大学・釜山大学

    釜山大学とのStudent exchange program

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    開催国・都市名:日本・福岡 韓国・釜山

その他教育活動及び特記事項

  • 2023年  クラス担任  学部

  • 2022年  クラス担任  学部

  • 2021年  クラス担任  学部

  • 2020年  クラス担任  学部

  • 2019年  クラス担任  学部

  • 2018年  クラス担任  学部

  • 2015年  クラス担任  学部

  • 2014年  クラス担任  学部

  • 2013年  クラス担任  学部

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社会貢献活動

  • 世界一行きたい科学広場inふくおか2014

    世界一行きたい科学広場inふくおか実行委員会  ホークスタウンモール特設会場  2014年11月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • 世界一行きたい科学広場inふくおか2014

    世界一行きたい科学広場inふくおか実行委員会  ホークスタウンモール特設会場  2014年11月

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    種別:出前授業

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  • 最先端プラズマ技術で作る太陽電池

    応用物理学会,プラズマ・核融合学会  アイレフ  2010年7月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2010年7月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:その他

  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2010年7月

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    種別:その他

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  • 最先端プラズマ技術で作る太陽電池

    応用物理学会,プラズマ・核融合学会  アイレフ  2010年7月

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    種別:出前授業

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  • いとしまサイエンスキャラバン

    九州大学  二丈町役場  2008年2月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:講演会

  • いとしまサイエンスキャラバン

    九州大学  二丈町役場  2008年2月

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    種別:出前授業

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  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2007年7月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:その他

  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2007年7月

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    種別:その他

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  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2005年7月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:その他

  • リフレッシュ理科教室

    応用物理学会,福岡市立少年科学文化会館  福岡市立少年科学文化会館  2005年7月

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    種別:その他

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  • 科学と生活のフェスティバル

    応用物理学会  名古屋市科学館  2001年6月

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    対象: 社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:その他

  • 科学と生活のフェスティバル

    応用物理学会  名古屋市科学館  2001年6月

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    種別:その他

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メディア報道

  • 八重山日報2023年3月7日の7面に、プラズマ農業に関する記事掲載。 新聞・雑誌

    八重山日報  2023年3月

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    八重山日報2023年3月7日の7面に、プラズマ農業に関する記事掲載。

  • ニュース番組「おはよう日本」内企画「サイカル研究室」2022年10月放映に出演。 テレビ・ラジオ番組

    2022年10月

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    ニュース番組「おはよう日本」内企画「サイカル研究室」2022年10月放映に出演。

海外渡航歴

  • 2011年10月 - 2012年9月

    滞在国名1:ドイツ連邦共和国   滞在機関名1:Institute for Experimental Physics V: Plasma and Atom Physics, Ruhr-University Bochum

学内運営に関わる各種委員・役職等

  • 2024年4月 - 2026年3月   センター シンクロトロン光利用研究センター運営委員会 委員

  • 2021年4月 - 2022年3月   学科 進路指導教員(工学部電気情報工学科)

  • 2021年4月 - 2022年3月   専攻 進路指導教員(電気電子工学専攻)

  • 2019年7月 - 2020年3月   センター 次期シンクロトロン光利用研究センター運営委員会 委員

  • 2019年4月 - 2021年3月   学府 入試委員

  • 2019年4月 - 2020年3月   研究院 システム情報現況調査表(教育)WG

  • 2016年4月 - 2019年3月   研究院 システム情報科学府同窓会評議員

  • 2015年4月 - 2018年3月   学科 分子システムデバイスリーディングプログラム デバイス応用学セミナーWG

  • 2015年4月 - 2017年3月   全学 遺伝子組み換え実験安全委員

  • 2015年4月 - 2016年3月   研究院 講義担当ポイント集計係

  • 2014年4月 - 2018年3月   研究院 電気情報工学実験 会計担当

  • 2014年4月 - 2016年3月   研究院 研究活動交流会委員

  • 2014年4月 - 2016年3月   部門 情エレ・電シス 積立金会計担当

  • 2013年4月 - 2016年3月   研究院 システム情報紀要編集委員会委員

  • 2013年2月 - 2013年5月   研究院 リーディング大学院申請準備委員会

  • 2013年1月 - 2014年3月   全学 中央分析センター運営委員

  • 2010年9月 - 2011年2月   研究院 HPデザイン改変WG

  • 2010年4月 - 2011年3月   研究院 研究活動交流会委員

  • 2010年4月 - 2011年3月   全学 ハラスメント相談員

  • 2010年4月 - 2011年3月   全学 中央分析センター運営委員

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