研究者詳細 - 佐道泰造

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サドウ　タイゾウ

佐道泰造

SADOH TAIZOH

所属

システム情報科学研究院情報エレクトロニクス部門准教授
工学部電気情報工学科（併任）
システム情報科学府電気電子工学専攻（併任）
マス・フォア・イノベーション連係学府（併任）

連絡先

プロフィール

１．研究活動 (a)シリコン系材料の高機能化・新材料の探索　集積回路を構成する半導体デバイスの微細化・集積化が高度に進み、従来の開発手法では、集積回路の性能向上が困難となりつつあります。今後も高まるニーズに応えるためには、微細化のみに頼る従来手法に加え、材料自体の特性を飛躍的に向上することが必要です。このため、デバイス高速化に有効なSiGe、SiGeC、光通信デバイスとしての可能性のある直接遷移型FeSi2など、新シリコン系材料に注目し、材料の製作、および電子・光学特性の解明を行っています。（b）照射誘起欠陥を利用したプロセス技術の確立　半導体結晶に荷電粒子を照射すると、空孔、格子間原子などの照射誘起欠陥が生成されます。これらの欠陥は、結晶中を移動して消滅したり、複合欠陥を形成して安定化します。その緩和過程で、照射誘起欠陥はある量のエネルギーを結晶を構成する原子に放出しますが、そのエネルギーを半導体加工のためのプロセスエネルギーとして利用すると、低温での固相結晶成長やシリサイド形成反応を誘起することが可能となります。照射誘起欠陥緩和の素過程の解明、照射誘起欠陥により誘起される非晶質化、結晶化、シリサイド形成反応の機構の解明、およびこれらの現象を利用してのデバイス構造形成を行っています。（c）シリコン結晶中微小欠陥の挙動の解明　半導体材料には、結晶成長、デバイス加工などの工程で、プロセス誘起欠陥、重金属汚染など種々の微小欠陥が導入されます。半導体デバイスの微細化に伴い、これら微小欠陥がデバイスの動作特性に及ぼす影響が顕著になっています。シリコン結晶中の微小欠陥の評価に関する研究を行い、３ｄ遷移金属不純物、水素関連複合欠陥、および粒子照射誘起欠陥の特性を系統的に解明しています。また、次世代の基板材料として期待されるＳＯＩ中微小欠陥の電気的特性評価評価手法を開発しています。２．教育活動　マイクロデバイス物理特論（大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻、平成８年度より）、電子デバイス工学第二（工学部電気系学科、平成８，９年度）、基礎数学演習第一（工学部電気情報工学科、平成10年度）、電気電子工学（農学部農業工学科、平成８年度より）、一般電気工学第二（工学部地球環境工学科、平成12年度より）を担当。３．社会活動　財団法人福岡県産業・科学技術振興財団福岡県地域結集型共同事業研究員（平成10年１〜３月）

ホームページ

https://nano.ed.kyushu-u.ac.jp/~sadoh_lab/
研究室の紹介

外部リンク

学位

博士（工学）

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：高性能フレキシブルエレクトロニクスの実現に向けた低温結晶成長技術に関する研究

研究キーワード：フレキシブルエレクトロニクス、半導体、シリコン、ゲルマニウム、スズ

研究期間： 2005年4月
研究テーマ：次世代集積回路の実現に向けたシリコン・ゲルマニウム系ヘテロ半導体技術に関する研究

研究キーワード：集積回路、半導体、シリコン、ゲルマニウム、スズ

研究期間： 1999年4月
研究テーマ：シリコン系材料の非熱平衡プロセスに関する研究

研究キーワード：半導体、シリコン、ゲルマニウム、非平衡プロセス

研究期間： 1996年4月 - 2005年3月
研究テーマ：シリコン中の微小欠陥に関する研究

研究キーワード：半導体、シリコン、ゲルマニウム、イオン、重金属、水素

研究期間： 1996年4月 - 1999年3月

受賞

The 2020 Reviewer of the Year for Applied Physics Express, Outstanding Reviewer Award

2021年3月 IOP Publishing

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IOP Publishingの論文誌の編集に多大な貢献。
2017年度APEX/JJAP編集貢献賞

2018年3月応用物理学会応用物理学会の論文誌(APEX/JJAP)の編集に多大な貢献。

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応用物理学会の論文誌(APEX/JJAP)の編集に多大な貢献。
電気学会論文発表賞

1994年1月

論文

Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation 査読国際誌

165 107692-1 - 107692-8 2023年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

極薄Ge薄膜の新しい成膜プロセスを創出するとともに、トランジスタを作製し、高い移動度を実現。高移動度チャネルを用いた次世代集積回路の実現を加速する重要な成果である。

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107692

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172263
Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing 査読国際誌

Keita Katayama, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh

Materials Science in Semiconductor Processing 160 107433-1 - 107433-7 2023年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107433

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172264
High mobility of (111)-oriented large-domain (>100 μm) poly-InSb on glass by rapid-thermal crystallization of sputter-deposited films 査読国際誌

132 ( 14 ) 145302-1 - 145302-6 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

スパッタ法による堆積と急速熱処理法を用いたInSb薄膜の新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上に極めて高いキャリア移動度を有するInSb薄膜を実現。高感度かつ低コストな薄膜磁気センサの実現を加速する重要な成果である。

DOI： https://doi.org/10.1063/5.0105045

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172265
Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator 査読国際誌

117 ( 17 ) 172102-1 - 172102-6 2020年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

V族元素を触媒として用いた新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上におけるn型Ge結晶薄膜の低温形成を実現。次世代集積回路や高性能フレキシブル・エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。

DOI： 10.1063/5.0020489

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172266
Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≤50 nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization 査読国際誌

115 ( 4 ) 042101-1 - 042101-5 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

低温固相成長法に界面変調法を重畳した新しい結晶成長技術を創出し、絶縁膜上における極薄GeSn結晶薄膜の高移動度化を実現。次世代集積回路や高性能フレキシブル・エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。

DOI： 10.1063/1.5096798

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172262
Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator 査読国際誌

T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao

Jap.J.Appl.Phys. 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain 査読国際誌

T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo and M. Miyao

Materials Science Forum 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe3Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application 査読国際誌

T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao

ECS Transactions 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source / Drain Fabricated by Low-Temperature Processing 査読国際誌

T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys. 2007年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature formation (<500°C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain：査読国際誌

2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge 査読国際誌

T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao

Appl. Phys. Lett. 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Suppression of Floating-Body Effects in Poly-Si TFT by Schottky S/D Structure 査読国際誌

T. Sadoh, Y. Ohyama, A. Kenjo, K. Ikeda, Y. Yamashita, and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys. 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing

Katayama, K; Ikenoue, H; Sadoh, T

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 160 2023年6月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

Germanium is an attractive material for advanced devices such as high speed transistors and high efficiency optical devices. To realize the high performance operation, low resistive contacts to Ge are required. However, the Fermi level in Ge at metal/Ge contacts is often pinned near the valance band edge. This Fermi level pinning generates high Schottky barrier heights at metal/Ge contacts regardless the work function of the metals, which results in low resistive contacts to p-type Ge but high resistive contacts to n-type Ge. Thus, a technique for modulating the Schottky barrier heights at metal/Ge contacts is desired. For this purpose, effects of surface treatments of Ge using phosphoric acid coating and excimer laser annealing (LA) were investigated. After LA without phosphoric acid coating, the reverse current of the Al/n-type Ge contacts is increased by an order of magnitude. On the other hand, the reverse current is significantly increased by three orders of magnitude after LA with phosphoric acid coating. Here, the Schottky barrier heights are decreased from 0.56 to 0.50 eV and from 0.59 to 0.49 eV after LA for samples without and with phosphoric acid coating, respectively. These phenomena are attributed to formation of very thin GeOx surface layers and very shallow doped layers having very high P concentrations, respectively. This technique is useful for modulation of the Fermi level pinning for metal/Ge contacts with the low thermal budget.

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107433

Web of Science

Scopus
Preface: Special issue on control of semiconductor interfaces (ISCSI-IX)

Shiojima, K; Nakatsuka, O; Kita, K; Ohmi, SI; Sadoh, T

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 158 2023年5月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107386

Web of Science

Scopus
Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget

Aoki R., Katayama K., Nakamura D., Ikenoue H., Sadoh T.

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 159 - 160 2023年（ ISBN:9784991216947 ）

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出版者・発行元：30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings

To achieve high performance of advanced devices, a doping process with low thermal budget is required. For this purpose, excimer laser doping into Si is investigated. By using ultra-thin Al films deposited on n-type Si substrates as diffusion source, p-type regions are formed on the surfaces of the n-type Si substrates after laser irradiation. The electrical properties and surface morphologies of the samples are investigated as a function of the laser fluence. PN junctions showing good rectifying characteristics without surface roughening are obtained by optimization of the laser fluence. This technique will be useful to realize next-generation high-performance devices with low thermal budget.

Scopus
Sn-Doped Si Thin-Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization

Hanafusa Y., Okamoto K., Sadoh T.

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 157 - 158 2023年（ ISBN:9784991216947 ）

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出版者・発行元：30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings

Solid-phase crystallization of Sn-doped Si thin films (Sn concentration: 1%, thickness: ≤ 30 nm) on insulator has been investigated. After annealing of the Sn-doped Si thin films at temperatures below 600oC, domain structures were observed. The growth velocities of the domains decreased with decreasing film thickness. However, they are significantly higher compared with the reported values of the solid-phase epitaxy of Si. The crystal structures of the grown films also depended on the film thickness, and larger grain sizes are obtained for thicker films.

Scopus
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (≤20 nm) by Post-Annealing for Thin-Film Transistor Application

Koga T., Nagano T., Moto K., Yamamoto K., Sadoh T.

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 161 - 162 2023年（ ISBN:9784991216947 ）

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出版者・発行元：30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings

A technique to obtain high carrier mobility of Sn-doped Ge thin-films (thickness: ≤20 nm) on insulators is proposed. In a conventional approach, the grain sizes of Sn-doped poly-Ge films grown by solid-phase crystallization decrease with decreasing thickness. This significantly deteriorates the carrier mobility. To solve this problem, thinning of thick Ge films having large grain sizes is investigated. Moreover, to eliminate the crystal defects, post-Annealing is examined. This achieves high carrier mobility (~200 cm2/Vs) even for thin-films (thickness: 20 nm). A good transistor operation is demonstrated using the thinned Ge films. This technique will be useful to realize advanced thin-film transistors for next-generation electronics.

Scopus
High mobility of (111)-oriented large-domain (>100 μm) poly-InSb on glass by rapid-thermal crystallization of sputter-deposited films

Kajiwara, T; Shimoda, O; Okada, T; Koswaththage, CJ; Noguchi, T; Sadoh, T

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 132 ( 14 ) 2022年10月（ ISSN:0021-8979 eISSN:1089-7550 ）

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出版者・発行元：Journal of Applied Physics

Rapid-thermal annealing (RTA) of InSb precursor films, deposited by sputtering using an Ar plasma at room temperature, has been investigated to achieve high carrier mobility on low-cost glass substrates. Although InSb films containing residual Ar (∼1%) were partially lost by evaporation during RTA, such evaporation during RTA is suppressed by reducing the residual Ar to ∼0.3%. The crystallinity of the films is significantly increased by RTA at temperatures above 400 °C. The electron mobilities of the films increase with increasing RTA temperature up to 490 °C, showing the maximum values (9000-10 000 cm2 V-1 s-1) at 490 °C, and then, the mobilities decrease at RTA temperatures above 490 °C. The mobilities of 9000-10 000 cm2 V-1 s-1 are obtained for films with a wide range of thickness (300-1000 nm) grown at 490 °C. Detailed analysis indicated that the high carrier mobilities are realized by preferentially (111)-oriented large crystal domains (diameter: >100 μm), obtained by the regrowth of randomly oriented small grains, together with a low barrier height (16 meV) at the sub-domain boundaries (twin boundaries) in the large domains. The RTA after the sputtering technique will facilitate high-performance InSb-based devices with low production costs.

DOI： 10.1063/5.0105045

Web of Science

Scopus
High mobility of (111)-oriented large-domain (>100 μm) poly-InSb on glass by rapid-thermal crystallization of sputter-deposited films

Kajiwara Takashi, Shimoda Otokichi, Okada Tatsuya, Charith Jayanada Koswaththage, Noguchi Takashi, Sadoh Taizoh

Journal of Applied Physics 132 145302 2022年10月（ ISSN:00218979 eISSN:10897550 ）

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記述言語：英語

Rapid-thermal annealing (RTA) of InSb precursor films, deposited by sputtering using an Ar plasma at room temperature, has been investigated to achieve high carrier mobility on low-cost glass substrates. Although InSb films containing residual Ar (∼1%) were partially lost by evaporation during RTA, such evaporation during RTA is suppressed by reducing the residual Ar to ∼0.3%. The crystallinity of the films is significantly increased by RTA at temperatures above 400 °C. The electron mobilities of the films increase with increasing RTA temperature up to 490 °C, showing the maximum values (9000–10 000 cm^2 V^<−1> s^<−1>) at 490 °C, and then, the mobilities decrease at RTA temperatures above 490 °C. The mobilities of 9000–10 000 cm^2 V^<−1> s^<−1> are obtained for films with a wide range of thickness (300–1000 nm) grown at 490 °C. Detailed analysis indicated that the high carrier mobilities are realized by preferentially (111)-oriented large crystal domains (diameter: >100 μm), obtained by the regrowth of randomly oriented small grains, together with a low barrier height (16 meV) at the sub-domain boundaries (twin boundaries) in the large domains. The RTA after the sputtering technique will facilitate high-performance InSb-based devices with low production costs.

CiNii Research
Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Ultrathin-Films for Advanced TFT

Sadoh T., Nagano T., Koga T., Moto K., Yamamoto K.

Proceedings of the International Display Workshops 29 165 - 167 2022年（ ISSN:18832490 ）

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出版者・発行元：Proceedings of the International Display Workshops

High-speed fully-depleted thin-film transistors (TFTs) are required for next-generation electronics, such as three-dimensional large-scale integrated circuits and advanced system-in-displays. For this purpose, a novel growth technique, i.e., interface-modulated solid-phase crystallization, of Sn-doped Ge has been developed. This achieves high carrier mobility (~100 cm2/Vs) of ultrathin films (20 nm) on insulators.

Scopus
Solid-Phase Crystallization Characteristics of Interface-Modulated So-Doped Ge Thin Films on Insulator with Capping

Nagano, T; Hara, R; Sadoh, T

TWENTY-NINETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES: TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS (AM-FPD 22) 114 - 115 2022年（ ISBN:978-4-9912169-2-3 ）

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Web of Science
Solid-Phase Crystallization Characteristics of Interface-Modulated Sn- Doped Ge Thin Films on Insulator with Capping

Nagano T., Hara R., Sadoh T.

Proceedings of AM-FPD 2022 - 29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials 114 - 115 2022年（ ISBN:9784991216923 ）

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出版者・発行元：Proceedings of AM-FPD 2022 - 29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials

Thin poly-Ge films (thickness: ≤ 50 nm) having high carrier mobility are required for advanced thin-film devices. However, carrier mobility of poly-Ge films obtained by conventional solid-phase crystallization (SPC) significantly decreases with decreasing thickness below 50 nm. To solve this problem, we develop an interface-modulated SPC of Sn-doped Ge combined with a-Si capping. In the present study, we investigate growth characteristics of a-Si capped Sn-doped Ge films on insulator. It is clarified that a-Si capping enhances SPC of Sn-doped Ge films and results in large crystal grains, which improves the carrier mobility of Sn-doped Ge thin films. This technique will be useful to realize advanced thin-film devices for next-generation electronics.

DOI： 10.23919/AM-FPD54920.2022.9851292

Scopus
Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating 査読国際誌

@Kaname IMOKAWA, #Takayuki KURASHIGE, @Akira SUWA, @Daisuke NAKAMURA, @Taizoh SADOH, @Tetsuya GOTO, @Hiroshi IKENOUE

IEEE Journal of the Electron Devices Society 8 27 - 32 2020年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1109/JEDS.2019.2956991

その他リンク： https://doi.org/10.1109/JEDS.2019.2956991
Low-Temperature (∼250°C) Gold-Induced Lateral Growth of Sn-Doped Ge on Insulator Enhanced by Layer-Exchange Reaction 査読国際誌

8 ( 10 ) P609 - P614 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： http://dx.doi.org/10.1149/2.0281910jss
Improved Carrier Mobility of Thin Ge Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Interface-Modulation

Xiangsheng Gong, Chang Xu, Taizoh Sadoh

26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2019 AM-FPD 2019 - 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/AM-FPD.2019.8830601
High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing 査読国際誌

C. J. Koswaththage, T. Higashizako, T. Okada, T. Sadoh, M. Furuta, B. S. Bae, and T. Noguchi

AIP Advances 9 045009-1 - 045009-5 2019年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1063/1.5087235
Low temperature and low-cost excimer laser doping for poly-Si thin-film transistor fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

Laser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII 2019 Laser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1117/12.2509141
Low-temperature (∼250°C) gold-induced lateral growth of Sn-doped Ge on insulator enhanced by layer-exchange reaction 査読

8 ( 10 ) P609 - P614 2019年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (≤250°C) formation of Sn-doped Ge (GeSn) (substitutional Sn concentration: 2-3%) on insulator is desired to realize flexible electronics, where high-speed thin-film transistors are integrated on flexible plastic-substrates (softening temperature: ∼300°C). To achieve this, gold-induced lateral crystallization of amorphous GeSn (a-GeSn) is investigated. Here, a-GeSn (Sn concentration: 0%-20%) on insulator structures, having Au-island patterns, were annealed. For initial Sn concentrations of 0%-5%, high-speed lateral crystallization proceeds around Au-patterns, and large grown regions (∼5-20 μm) are obtained by low-temperature short-time annealing (150°C-250°C, 10 min). However, bottom regions of GeSn are not crystallized at 150°C-200°C, while the whole films including bottom regions are crystallized at 250°C. These phenomena are caused by the following temperature-dependent growth mechanisms. At 150°C-200°C, Au atoms are supplied into surface-regions of a-GeSn films from Au-islands by surface-diffusion, resulting in crystallization of only surface-regions. On the other hand, at 250°C, layer-exchange of Au/GeSn occurs, which increases supply channel of Au for diffusion. This results in complete crystallization of GeSn to the bottom. Substitutional Sn concentrations in grown layers are increased with increasing annealing temperature. As a result, GeSn films (substitutional Sn concentration: ∼3%) are obtained at ∼250°C.

DOI： 10.1149/2.0281910jss
Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating (シリコン材料・デバイス) 査読

118 ( 241 ) 11 - 14 2018年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2018 AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/AM-FPD.2018.8437343
Retraction Nucleation-controlled low-temperature solid-phase crystallization for Sn-doped polycrystalline-Ge film on insulator with high carrier mobility (∼550 cm²/V s) (Applied Physics Letters (2018) 112 (242103) DOI: 10.1063/1.5024307) 査読

113 ( 2 ) 2018年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The authors wish to retract their publication.1 This action is taken because an error in film thicknesses used in determining the mobilities reported in the manuscript resulted in mobility overestimates by factors of two, three, and four for the films with thicknesses of 100, 150, and 200 nm, respectively. Since the high value of the mobility was the central result of the manuscript and drove much of the discussion, the authors are retracting the publication. The authors sincerely apologize for any inconvenience this mistake may have caused.

DOI： 10.1063/1.5046407
Nucleation-controlled low-temperature solid-phase crystallization for Sn-doped polycrystalline-Ge film on insulator with high carrier mobility (∼550 cm²/V s) 査読

112 ( 24 ) 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

High-speed thin-film transistors (TFTs) are required to develop the next generation of electronics, such as three-dimensional large-scale integrated circuits and advanced system-in-displays. For this purpose, high-carrier-mobility semiconductor films on insulator structures should be fabricated with low-temperature processing conditions (≤500 °C). To achieve this, we investigate solid-phase crystallization of amorphous-GeSn (a-GeSn) films (Sn concentration: 2% and thickness: 50-200 nm) on insulating substrates, where thin a-Si under-layers (thickness: 0-20 nm) are introduced between a-GeSn films and insulating substrates. The GeSn films are polycrystallized by annealing (450 °C, 20 h) for all samples irrespective of a-GeSn and a-Si thickness conditions, while the Si films remain amorphous. Analysis of crystal structures of GeSn films (thickness: 50 nm) reveals that grain sizes decrease from ∼10 μm to 2-3 μm by the introduction of a-Si under-layers (thickness: 3-20 nm). This phenomenon is attributed to the change in dominant nucleation sites from the interface to the bulk, which significantly decreases grain-boundary scattering of carriers through a decrease in the barrier heights at grain boundaries. Bulk-nucleation further becomes dominant by increasing the GeSn film thickness. As a result, a high carrier mobility of ∼550 cm²/V s is realized for GeSn films (thickness: 100 nm) grown with a-Si under-layers. This mobility is the largest among ever reported data for Ge and GeSn grown on an insulator. This technique will facilitate realization of high-speed TFTs for use in the next generation of electronics.

DOI： 10.1063/1.5024307
Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400°C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読国際誌

70 8 - 11 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-Temperature formation of n-Type Ge/Insulator by Sb-Induced layer exchange crystallization

Hongmiao Gao, Rikuta Aoki, Masaya Sasaki, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 2017 AM-FPD 2017 - 24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 239 - 240 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Thickness-dependent substitutional-Sn-Concentration in GeSn-on-Insulator by weak-laser-irradiation-enhanced solid-phase crystallization at low-Temperature (180°C)

241 - 243 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Effects of film-Thickness on substitutional Sn concentration in GeSn films on insulator grown by combination of laser irradiation and subsequent thermal annealing are investigated. Here, the laser fluence is chosen as weak, which is below the critical fluence for crystallization of GeSn. It is clarified that for samples irradiated with low fluence, complete crystallization of a-Ge0.8Sn0.2 films (thickness: 50200 nm) is achieved by subsequent thermal annealing at 180°C for 5 h without incubation time. The substitutional Sn concentrations increase with decreasing film thickness. As a result, very high substitutional Sn concentration of ∼15%, which corresponds to high-substitution fraction of ∼75% of total Sn atoms, is achieved for film thickness of 50 nm. This technique will be useful to realize next-generation high performance devices on flexible insulating substrates.
Low-temperature (<200⸰C) solid-phase crystallization of high substitutional Sn concentration (~10%) GeSn on insulator enhanced by weak laser irradiation 査読国際誌

7 ( 7 ) 075204-1 - 075204-6 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of n-type Ge on insulator by low-temperature Sb-induced layer exchange crystallization

Hongmiao Gao, Rikuta Aoki, Masaya Sasaki, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 21 - 22 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/IWJT.2017.7966503
Weak-laser-irradiation-enhanced solid-phase crystallization of GeSn-on-insulator at low-temperature (180°C) - Thickness-dependent high substitutional-Sn-concentration

19 - 20 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Low-temperature (≤200°C) formation of GeSn (substitutional Sn concentration: >8%) films on insulator is desired to realize high-speed thin film transistors (TFTs) and high-efficiency optical devices on flexible plastic substrates (softening temperature: ∼200°C). This is because GeSn (substitutional Sn concentration: >8%) has higher carrier mobility than Si and Ge due to the direct-transition energy band structure with smaller effective mass of carriers.

DOI： 10.23919/IWJT.2017.7966502
Novel growth techniques of group-IV based semiconductors on insulator for next-generation electronics

Japanese Journal of Applied Physics 56 ( 5 ) 05DA06-1 - 05DA06-14 2017年4月

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記述言語：英語
Characterization of Si thin films doped by wet-chemical laser processing 査読

Akira Suwa, Nozomu Tanaka, Taizoh Sadoh, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue

SID Symposium, Seminar, and Exhibition 2017, Display Week 2017 Digest of Technical Papers - SID International Symposium 48 ( 1 ) 430 - 432 2017年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/sdtp.11659
High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thickness-dependent low-temperature solid-phase crystallization 査読国際誌

Applied Physics Letters 109 ( 23 ) 232106-1 - 232106-5 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4971825
High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thickness-dependent low-temperature solid-phase crystallization 査読

Taizoh Sadoh, Yuki Kai, Ryo Matsumura, Kenta Moto, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 109 ( 23 ) 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4971825
Low-Temperature Growth of Orientation-Controlled Large-Grain Ge-Rich SiGe on Insulator at Controlled-Position for Flexible Electronics

ECS Transactions 75 ( 10 ) 95 - 103 2016年10月

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記述言語：英語
Cooling Rate Dependent High Substitutional Sn Concentration (>10%) in GeSn Crystals on Insulator by Pulsed Laser-Annealing

ECS Transactions 75 ( 10 ) 109 - 113 2016年10月

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記述言語：英語
Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization

ECS Transactions 75 ( 10 ) 105 - 108 2016年10月

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記述言語：英語
Formation of large-grain crystalline germanium on single layer graphene on insulator by rapid melting growth 査読

Tahsin Morshed, Yuki Kai, Ryo Matsumura, Jong Hyeok Park, Hironori Chikita, Taizoh Sadoh, Abdul Manaf Hashim

Materials Letters 178 147 - 150 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.matlet.2016.05.007
Large-grain Sn-doped Ge (100) on insulator by aluminum-induced crystallization at low-temperature for flexible electronics

Masaya Sasaki, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 2016 Proceedings of AM-FPD 2016 - 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials 191 - 193 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/AM-FPD.2016.7543662
Pulse number controlled laser annealing for GeSn on insulator structure with high substitutional Sn concentration 査読国際誌

Applied Physics Letters 108 ( 26 ) 262105-1 - 262105-5 2016年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： dx.doi.org/10.1063/1.4955059
Formation of germanium (111) on graphene on insulator by rapid melting growth for novel germanium-on-insulator structure 査読

Tahsin Morshed, Yuki Kai, Ryo Matsumura, Jong Hyeok Park, Hironori Chikita, Taizoh Sadoh, Abdul Manaf Hashim

Materials Letters 168 223 - 227 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.matlet.2016.01.056
Low-temperature (<300 °C) formation of orientation-controlled large-grain (>10 μm) Ge-rich SiGe on insulator by gold-induced crystallization

Taizoh SADOH, J.-H. Park, R. Aoki, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

602 3 - 6 2016年3月

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記述言語：英語

DOI： dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.10.057
Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics 査読

Taizoh Sadoh, Jong Hyeok Park, Rikuta Aoki, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 3 ) 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.03CB01
Low-temperature (≤ 300 °c) formation of orientation-controlled large-grain (≥ 10 μm) Ge-rich SiGe on insulator by gold-induced crystallization 査読

602 3 - 6 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (≤ 300 °C) formation of orientation-controlled large-grain (≥ 10 μm) Ge-rich (≥ 50%) SiGe crystals on insulator are realized by the gold-induced layer-exchange technique. Stacked structures of a-Si_{1 - x}Ge_x (0 ≤ x ≤ 1)/Au/SiO₂ are employed as starting materials. Here, thin-Al₂O₃ layers are introduced as diffusion barrier at a-SiGe/Au interfaces to suppress random bulk-nucleation and make (111)-oriented interface-nucleation on SiO₂ dominant. For samples with Ge fraction of 80%-100%, (111)-oriented large-grains (≥ 10 μm) are obtained through layer-exchange during annealing at 250 °C. On the other hand, layer-exchange for Ge fraction of 50% does not proceed at 250 °C. This phenomenon is attributed to retardation of lateral growth by introduction of Si. To enhance lateral growth, increase of annealing temperature is examined. As a result, (111)-oriented large-grains (≥ 10 μm) are realized for SiGe with Ge fraction of 50%-100%, having uniform composition profiles, by annealing at 300 °C. This technique is very useful to realize high-performance flexible electronics, employing plastic substrates (softening temperature: ∼350 °C).

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.10.057
High Sn-concentration (~ 8%) GeSn by low-temperature (~ 150 °c) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge 査読

602 20 - 23 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

GeSn with a high substitutional Sn concentration (> 7%) is an attractive direct band gap material for high-efficiency photodevices that can be merged with large-scale integrated circuits (LSIs). To achieve GeSn with high Sn concentration, low-temperature solid-phase epitaxy using amorphous-GeSn (a-GeSn) (Sn concentration: 10%-36%)/crystal-Ge (c-Ge) stacked structures was investigated. Solid-phase growth of GeSn was enhanced as Sn concentration was increased, which enabled epitaxial growth at very low temperature (150-200 °C). Interestingly, concentrations of substitutional Sn increased with decreasing growth temperature. As a result, epitaxial growth of GeSn with substitutional Sn concentrations of ~ 8% was achieved by decreasing the growth temperature to 150 °C using a-GeSn (Sn concentration: 36%)/c-Ge stacked structures. This technique is expected to be useful to realize multi-function LSIs, where high-efficiency photodevices are integrated with transistors.

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.09.069
High Sn-concentration (similar to 8%) GeSn by low-temperature (similar to 150 degrees C) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge

THIN SOLID FILMS 602 20 - 23 2016年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.09.069
Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics

Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 03 ) 03CB01-1 - 03CB01-4 2016年1月

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記述言語：英語
Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics 査読

Taizoh Sadoh, Jong-Hyeok Park, Rikuta Aoki, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 55 ( 3 ) 03CB01 - 03CB01 2016年1月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature growth of orientation-controlled large-grain Ge-rich SiGe on insulator at controlled-position for flexible electronics

Taizoh Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, J. H. Park, M. Miyao

Symposium on Thin Film Transistors 13, TFT 2016 - PRiME 2016/230th ECS Meeting Thin Film Transistors 13, TFT 13 75 95 - 103 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/07510.0095ecst
Low-temperature formation of large-grain (10 m) ge at controlled-position on insulator by gold-induced crystallization combined with diffusion-barrier patterning 査読

Rikuta Aoki, Jong Hyeok Park, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 ( 3 ) P179 - P182 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0161603jss
Low-Temperature Formation of Large-Grain (≥10 μm) Ge at Controlled-Position on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Diffusion-Barrier Patterning

Rikuta Aoki, J.-H. Park, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ, Taizoh SADOH

5 ( 3 ) P179 - P182 2016年1月

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記述言語：英語
Cooling rate dependent high substitutional Sn concentration (>10%) in GeSn crystals on insulator by pulsed laser-annealing

K. Moto, R. Matsumura, Taizoh Sadoh, Hiroshi Ikenoue, M. Miyao

Symposium on Thin Film Transistors 13, TFT 2016 - PRiME 2016/230th ECS Meeting Thin Film Transistors 13, TFT 13 75 109 - 113 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/07510.0109ecst
Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulating substrates by metal-induced crystallization

T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, M. Miyao

Symposium on Thin Film Transistors 13, TFT 2016 - PRiME 2016/230th ECS Meeting Thin Film Transistors 13, TFT 13 105 - 108 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/07510.0105ecst
Seeding Effects of Sn/a-Ge Island Structures for Low-Temperature Lateral-Growth of a-GeSn on Insulator

ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 ( 2 ) P76 - P79 2015年12月

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記述言語：英語
Low-temperature (∼180°C) position-controlled lateral solid-phase crystallization of GeSn with laser-anneal seeding 査読

107 ( 26 ) 2015年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

To realize next-generation flexible thin-film devices, solid-phase crystallization (SPC) of amorphous germanium tin (GeSn) films on insulating substrates combined with seeds formed by laser annealing (LA) has been investigated. This technique enables the crystallization of GeSn at controlled positions at low temperature (∼180°C) due to the determination of the starting points of crystallization by LA seeding and Sn-induced SPC enhancement. The GeSn crystals grown by SPC from LA seeds showed abnormal lateral profiles of substitutional Sn concentration. These lateral profiles are caused by the annealing time after crystallization being a function of distance from the LA seeds. This observation of a post-annealing effect also indicates that GeSn with a substitutional Sn concentration of up to ∼10% possesses high thermal stability. These results will facilitate the fabrication of next-generation thin-film devices on flexible plastic substrates with low softening temperatures (∼250°C).

DOI： 10.1063/1.4939109
Low-temperature (～180 ℃) position-controlled lateral solid-phase crystallization of GeSn with laser-anneal seeding

Matsumura, Ryo, Chikita, Hironori, Kai Yuki, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

107 ( 26 ) 262106-1 - 262106-5 2015年12月

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記述言語：英語

レーザアニール法によるSn溶融シード形成技術とGeSn固相成長技術を融合し、絶縁膜上における大面積GeSn結晶の低温成長を実現。次世代フレキシブル・エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。
Ultra-low temperature (<= 300 degrees C) growth of Ge-rich SiGe by solid-liquid-coexisting annealing of a-GeSn/c-Si structures

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 118 ( 9 ) 067112-1 - 067112-7 2015年9月

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記述言語：英語

DOI： 10.1063/1.4929878
Thickness Dependent Solid-Phase Crystallization of Amorphous GeSn on Insulating Substrates at Low Temperatures (≤250◦C)

Matsumura, Ryo, Masaya Sasaki, Chikita, Hironori, Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

4 ( 12 ) P95 - P97 2015年9月

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記述言語：英語
Ultra-low temperature (≤300 °C) growth of Ge-rich SiGe by solid-liquid-coexisting annealing of a-GeSn/c-Si structures 査読

118 ( 9 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ultra-low temperature (≤300 °C) growth of Ge-rich SiGe on Si substrates is strongly desired to realize advanced electronic and optical devices, which can be merged onto Si large-scale integrated circuits (LSI). To achieve this, annealing characteristics of a-GeSn/c-Si structures are investigated under wide ranges of the initial Sn concentrations (0%-26%) and annealing conditions (300-1000 °C, 1 s-48 h). Epitaxial growth triggered by SiGe mixing is observed after annealing, where the annealing temperatures necessary for epitaxial growth significantly decrease with increasing initial Sn concentration and/or annealing time. As a result, Ge-rich (∼80%) SiGe layers with Sn concentrations of ∼2% are realized by ultra-low temperature annealing (300 °C, 48 h) for a sample with the initial Sn concentration of 26%. The annealing temperature (300 °C) is in the solid-liquid coexisting temperature region of the phase diagram for Ge-Sn system. From detailed analysis of crystallization characteristics and composition profiles in grown layers, it is suggested that SiGe mixing is generated by a liquid-phase reaction even at ultra-low temperatures far below the melting temperature of a-GeSn. This ultra-low-temperature growth technique of Ge-rich SiGe on Si substrates is expected to be useful to realize next-generation LSI, where various multi-functional devices are integrated on Si substrates.

DOI： 10.1063/1.4929878
Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics

Taizoh Sadoh, Jong Hyeok Park, Rikuta Aoki, Masanobu Miyao

22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD 2015 Proceedings of AM-FPD 2015 - 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials 143 - 146 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/AM-FPD.2015.7173225
High quality, giant crystalline-Ge stripes on insulating substrate by rapid-thermal-annealing of Sn-doped amorphous-Ge in solid-liquid coexisting region

AIP Advances 5 ( 6 ) 067112-1 - 067112-7 2015年6月

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記述言語：英語
High quality, giant crystalline-Ge stripes on insulating substrate by rapid-thermal-annealing of Sn-doped amorphous-Ge in solid-liquid coexisting region 査読

Ryo Matsumura, Yuki Kai, Hironori Chikita, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

AIP Advances 5 ( 6 ) 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4922266
Gold-induced low-temperature (≤300°C) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics

21 - 27 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

A low-temperature (≤300°C) growth technique of quasi-single crystal, i.e., orientation-controlled large-grain (≥10 μm), Ge-related semiconductors, on insulator is desired for realization of advanced flexible electronics. To achieve this, we have developed the gold-induced layer-exchange crystallization technique using a-SiGe/Au stacked structures. By introduction of a diffusion barrier with appropriate thickness into the a-SiGe/Au interface, (111)-oriented quasi-single crystal SiGe is achieved on insulating substrates at low temperatures (∼300°C). Based on these results, this technique is developed to form quasi-single crystal Ge on flexible plastic sheets. The grown layers have high carrier mobility, because residual Au hardly deteriorates the electrical properties of grown layers due to the low solubility of Au in Ge. This technique will facilitate the realization of advanced flexible electronics.

DOI： 10.1149/06910.0021ecst
Ultra-low temperature (∼180°C) solid-phase crystallization of GeSn on insulator triggered by laser-anneal seeding

301 - 304 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Solid-phase crystallization (SPC) of amorphous-GeSn (a-GeSn) films on insulating substrates has been developed combining with laser-anneal seeding, to realize next generation thin-film devices. By this technique, we have realized crystallization of GeSn (>10%) at low temperatures (∼180°C), which is applicable to flexible thin-film devices on low cost plastic substrates with low softening temperatures (∼200°C). In addition, the starting point of crystallization can be controlled by seeding, which is a big advantage in circuit designing.

DOI： 10.1149/06905.0301ecst
Non-thermal equilibrium formation of Ge_1-xSn_x (0蠆x蠆0.2) crystals on insulator by pulsed laser annealing

297 - 300 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

To realize high-speed thin film transistors, we investigated formation of Ge_1-xSn_x (0蠆x蠆0.2) crystals on quartz by pulsed laser annealing. The process-window necessary for crystallization was found to be significantly expanded by introducing Sn, i.e., 16 mJ/cm² for Ge, ∼130 mJ/cm² for GeSn. Moreover, Ge_0.8Sn_0.2 samples had high substitutional Sn concentration (∼7%) after the growth. These results are expected to be useful to realize highspeed thin film transistors and multi-functional devices.

DOI： 10.1149/06905.0297ecst
Thickness dependent solid-phase crystallization of amorphous GeSn on insulating substrates at low temperatures (≤250°C) 査読

4 ( 12 ) P95 - P97 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (≤250°C) solid-phase crystallization of amorphous-GeSn films (Sn-concentration: 20%-30%, thickness: 30-100 nm) on insulating-substrates are investigated. As a result, we have realized high growth-rate (∼13 μm/h) for samples (film-thickness: 100 nm, initial Sn-concentration: 30%) at surprisingly low-temperature (150°C), which is very useful to realize flexible thin-film transistors. During this study, we encountered interesting phenomena that growth rates significantly decrease with decreasing filmthickness. In addition, substitutional Sn-concentrations in grown layers increased with decreasing film thickness. These phenomena are attributed to change in bond arrangement processes caused by interface. This technique is expected to facilitate next generation flexible thin-film transistors.

DOI： 10.1149/2.0021512ssl
Ultra-high-speed lateral solid phase crystallization of GeSn on insulator combined with Sn-melting-induced seeding 査読国際誌

Hironori Chikita, Ryo Matsumura, Yuki Kai, Taizoh SADOH, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 105 ( 20 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： doi.org/10.1063/1.4902344
Ultra-high-speed lateral solid phase crystallization of GeSn on insulator combined with Sn-melting-induced seeding 査読

H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh, M. Miyao

Applied Physics Letters 105 ( 20 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4902344
Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読国際誌

Masahi Kurosawa, Taizoh SADOH, Masanobu Miyao

Journal of Applied Physics 116 ( 17 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： doi.org/10.1063/1.4901262
Large-grain SiGe-on-insulator with uniform Si concentration by segregation-free rapid-melting growth 査読国際誌

Ryo Matsumura, Ryusuke Kato, Taizoh SADOH, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 105 ( 10 ) 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： doi: 10.1063/1.4895512
Large-grain SiGe-on-insulator with uniform Si concentration by segregation-free rapid-melting growth 査読

Ryo Matsumura, Ryusuke Kato, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 105 ( 10 ) 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4895512
Self-Organized Travelling-Zone-Melting Growth of a-Ge/Sn/c-Ge Stacked-Structures for High-Quality GeSn

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 3 ( 10 ) 340 - 343 2014年7月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.0011411jss
High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (≥50 um) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization 査読国際誌

104 ( 25 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

フレキシブルなプラスチックシート上に、方位制御された大粒径Ge結晶を実現。電気特性を評価し、高いキャリヤ移動度を実証。プラスチック上に多機能を有する異種デバイスを混載する基盤技術の創出であり、次世代エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。

DOI： http://dx.doi.org/10.1063/1.4885716
High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (>50 μm) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization 査読

104 ( 25 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

High-carrier-mobility semiconductors on flexible-plastic are essential to realize flexible electronics, for this purpose, electrical properties of orientation-controlled large-grain Cie crystals on flexible-plastic dircctly formed by nucleation-controlled gold-induced-crystallization (GIC) are examined, and compared with those obtained by aluminum-induced-crystallization (AIC). The Ge crystals show p- Type conductions. Here, hole concentrations are 2.2 x10¹⁷ and 5.8 x 10²⁰cm ³ for GIC-Ge and AIC-Ge, respectively, which are explained on the basis of the solubility of Au and AL in Ge. Thanks to the low hole concentration, GIC-Ge shows high hole mobility (160cm²V^-1 'S^-1') compared with AIC-Ge (37cm²V^-1 'S^-1'). These demonstrate significant advantage of GIC to realize high-performance flexible-electronics.

DOI： 10.1063/1.4885716
Sn-induced low-temperature (similar to 150 degrees C) crystallization of Ge on insulator

THIN SOLID FILMS 557 155 - 158 2014年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.123
フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (有機エレクトロニクス) 査読

朴鍾爀, 宮尾正信, 佐道泰造

114 ( 2 ) 17 - 20 2014年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (≤250℃) formation technique of orientation-controlled large-grain Ge thin films on insulator is desirable for realization of advanced flexible electronics. To achieve this, the Au-induced crystallization technique combined with inter-diffusion-control and interface-energy-modulation techniques has been investigated. Consequently, selective formation of (100) or (111)-oriented large-grain (>20 μm) Ge crystals on insulator have been realized. Moreover, formation of (111)-oriented large-grain Ge crystals directly on plastic substrates is demonstrated. This technique facilitates realization of future flexible electronics.
フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (シリコン材料・デバイス) 査読

朴鍾爀, 宮尾正信, 佐道泰造

114 ( 1 ) 17 - 20 2014年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (≤250℃) formation technique of orientation-controlled large-grain Ge thin films on insulator is desirable for realization of advanced flexible electronics. To achieve this, the Au-induced crystallization technique combined with inter-diffusion-control and interface-energy-modulation techniques has been investigated. Consequently, selective formation of (100) or (111)-oriented large-grain (>20 μm) Ge crystals on insulator have been realized. Moreover, formation of (111)-oriented large-grain Ge crystals directly on plastic substrates is demonstrated. This technique facilitates realization of future flexible electronics.
Sn-induced low-temperature (∼ 150 °c) crystallization of Ge on insulator 査読

557 155 - 158 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature formation (∼ 150 °C) of Ge films on insulator is investigated for realization of advanced flexible devices. We propose utilization of Sn as catalyst to enhance the crystallization at low-temperatures. By annealing (150-200 °C) of a-Ge/Sn stacked structures formed on insulators, the composition distributions of Ge/Sn layers are inverted, and Sn/poly-Ge stacked structures are obtained. The results demonstrate that the crystallization occurs at 150 °C, which is slightly below the eutectic temperatures. This Sn-induced crystallization technique is useful to obtain poly-Ge on low-cost flexible substrates (softening temperature: ∼ 200 °C).

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.123
In-depth analysis of high-quality Ge-on-insulator structure formed by rapid-melting growth 査読

H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, T. Sadoh, M. Miyao

Thin Solid Films 557 139 - 142 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.035
Dynamic analysis of rapid-melting growth using SiGe on insulator 査読

Ryo Matsumura, Yuki Tojo, Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 557 125 - 128 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.129
Coherent lateral-growth of Ge over insulating film by rapid-melting- crystallization 査読

T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, M. Miyao

Thin Solid Films 557 135 - 138 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.127
In-depth analysis of high-quality Ge-on-insulator structure formed by rapid-melting growth

THIN SOLID FILMS 557 139 - 142 2014年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.035
Coherent lateral-growth of Ge over insulating film by rapid-melting-crystallization

THIN SOLID FILMS 557 135 - 138 2014年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.127
Dynamic analysis of rapid-melting growth using SiGe on insulator

THIN SOLID FILMS 557 125 - 128 2014年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.129
Giant-Lateral-Growth of SiGe Stripes on Insulating-Substrate by Self-Organized-Seeding and Rapid-Melting-Growth in Solid-Liquid Coexisting Region

ECS SOLID STATE LETTERS 3 ( 5 ) P61 - P64 2014年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.003405ssl
Formation of Large Grain Ge Single Crystal on Insulating Substrate By Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-Ge(Sn)

ECS Transactions 61 ( 3 ) 97 - 100 2014年3月

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記述言語：英語
Low Temperature (~ 300oC) Epitaxial Growth of SiGe by Liquid-Solid Coexisting Annealing of A-GeSn/Si (100) Structure

ECS Transactions 58 ( 9 ) 257 - 262 2014年3月

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記述言語：英語
The Effects of Annealing Temperatures on Composition and Strain in SixGe1−x Obtained by Melting Growth of Electrodeposited Ge on Si (100)

7 1409 - 1421 2014年2月

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記述言語：英語
111)-oriented large-grain (50 um) Ge crystals directly formed on flexible plastic substrate by gold-induced layer-exchange crystallization 査読

Jong Hyeok Park, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

Japanese journal of applied physics 53 ( 2 PART 1 ) 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.020302
(111)-oriented large-grain (≧50 μm) Ge crystals directly formed on flexible plastic substrate by gold-induced layer-exchange crystallization 査読国際誌

53 ( 2 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

不定型なプラスチック基板上における方位制御された大粒径Ge結晶の低温成長を実現。フレキシブルなプラスチック上に多機能を有する異種デバイスを混載する基盤技術の創出であり、次世代エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。
Ultralow-temperature catalyst-induced-crystallization of SiGe on plastic for flexible electronics

T. Sadoh, J. H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014 2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014 47 - 48 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISTDM.2014.6874633
Low temperature (~300°C) epitaxial growth of SiGe by liquid-solid coexisting annealing of A-GeSn/Si(100) structure

137 - 140 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

To develop a new low-temperature crystallization technique, annealing characteristics of a-GeSn/Si(100) structures are investigated. It is revealed that epitaxial growth accompanying Si-Ge mixing is generated at temperatures in the liquid-solid coexisting region of the Ge-Sn system. The annealing temperature necessary for epitaxial growth is significantly decreased by increasing annealing time and/or Sn concentration. Consequently, epitaxial growth at 300°C becomes possible. These findings are expected to be useful to realize next-generation large-scale integrated circuits, where various multi-functional devices are integrated.

DOI： 10.4028/www.scientific.net/AMM.481.137
Giant-lateral-growth of SiGe stripes on insulating-substrate by self-organized-seeding and rapid-melting-growth in solid-liquid coexisting region 査読

Ryo Matsumura, Ryusuke Kato, Yuki Tojo, Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

ECS Solid State Letters 3 ( 5 ) P61 - P64 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.003405ssl
Formation of quasi-single-crystal Ge on plastic by nucleation-controlled Au-induced layer-exchange growth for flexible electronics

Jong Hyeok Park, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2014 Proceedings of AM-FPD 2014 - The 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices TFT Technologies and FPD Materials 291 - 294 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/AM-FPD.2014.6867200
Formation of large grain Ge single crystal on insulating substrate by liquid-solid coexisting annealing of a-Ge(Sn) 査読

R. Matsumura, Y. Kai, H. Chikita, Taizoh Sadoh, M. Miyao

International Symposium on Silicon Compatible Materials, Processes, and Technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 4 - 225th ECS Meeting ECS Transactions 61 ( 3 ) 97 - 100 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/06103.0097ecst
Formation of giant SiGe crystals on insulator by self-organized-seeding rapid-melting growth

Ryo Matsumura, Hironori Chikita, Taizoh Sadoh, M. Miyao

2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies, ISQNM 2013 Quantum, Nano, Micro Technologies and Applied Researches 27 - 29 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/AMM.481.27
Effect of Sn-doped Ge insertion layers on epitaxial growth of ferromagnetic Fe₃Si films on a flexible substrate

Hidenori Higashi, Yuichi Fujita, Makoto Kawano, Junya Hirayama, Shinya Yamada, Jong Hyeok Park, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao, Kohei Hamaya

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014 2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014 59 - 60 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISTDM.2014.6874683
Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO ₂ substrates 査読

Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Journal of Applied Physics 116 ( 17 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4901262
(111)-oriented large-grain (≥50 µm) Ge crystals directly formed on flexible plastic substrate by gold-induced layer-exchange crystallization 査読

53 ( 2 ) 20302 - 20302 2014年1月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Self-organized travelling-zone-melting growth of a-Ge/Sn/c-Ge stacked-structures for high-quality GeSn 査読

Ryo Matsumura, Yuki Kinoshita, Yuki Tojo, Taizoh Sadoh, Tomoaki Nishimura, Masanobu Miyao

ECS Journal of Solid State Science and Technology 3 ( 10 ) P340 - P343 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0011411jss
The effects of annealing temperatures on composition and strain in Si_xGe_1-x obtained by melting growth of electrodeposited Ge on Si (100) 査読

Mastura Shafinaz Zainal Abidin, Tahsin Morshed, Hironori Chikita, Yuki Kinoshita, Shunpei Muta, Mohammad Anisuzzaman, Jong Hyeok Park, Ryo Matsumura, Mohamad Rusop Mahmood, Taizoh Sadoh, Abdul Manaf Hashim

Materials 7 ( 2 ) 1409 - 1421 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/ma7021409
Atomically-Coherent-Coalescence of Two Growth-Fronts in Ge Stripes on Insulator by Rapid-Melting Lateral-Crystallization

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 2 ( 3 ) 54 - 57 2013年12月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.005303jss
Crystallization of Electrodeposited Germanium Thin Film on Silicon (100)

Taizoh SADOH

Materials 6 5047 - 5057 2013年11月

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記述言語：英語
Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization 査読

Masashi Kurosawa, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Ichiro Mizushim, Masanobu Miyao

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2 ( 3 ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.005303jss
Nucleation-controlled gold-induced-crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (～250°C) 査読国際誌

103 ( 8 ) 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

不定型な絶縁基板上における方位制御された大粒径Ge結晶の低温成長を実現。プラスチック上に多機能を有する異種デバイスを混載する基盤技術の創出であり、次世代エレクトロニクスの実現を加速する重要な成果である。

DOI： http://dx.doi.org/10.1063/1.4819015
Nucleation-controlled gold-induced-crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (∼250 °c) 査読

103 ( 8 ) 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Selective formation of Ge(100) and (111) on amorphous-insulator at low-temperatures (∼250 °C) is realized through gold-induced- crystallization using a-Ge/Au/SiO₂ stacked-structures by combining interface-energy-modulation of substrates. Introduction of thin-Al ₂O₃ layers (∼7 nm thickness) at a-Ge/Au interfaces enables large-grain (≥20 μm) Ge(111) formation, which is speculated to be due to suppression of random bulk-nucleation and domination of (111)-oriented interface-nucleation on SiO₂. To examine this speculation, Al ₂O₃-covered substrates are employed. This results in formation of Ge(100), due to energetically favorable (100)-oriented interface-nucleation on Al₂O₃. Consequently, large-grain (≥20 μm) Ge(100) and (111) are achieved on amorphous-insulators at 250 °C. This technique is very useful to realize flexible-electronics.

DOI： 10.1063/1.4819015
Effects of pattern dimensions on stabilization of crystal orientation for (111) ge-on-insulator in rapid melting growth 査読

Mohammad Anisuzzaman, Shunpei Muta, Abdul Manaf Hashim, Taizoh Sadoh

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 18 ( 2 ) 69 - 74 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Orientation-control of ge-stripes-on-insulator by narrowing in rapid-melting growth from SI(111) seed 査読

Mohammad Anisuzzaman, Shunpei Muta, Masanao Takahashi, Abdul Manaf Hashim, Taizoh Sadoh

ECS Solid State Letters 2 ( 9 ) P76 - P78 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.008309ssl
Laterally-graded doping into ge-on-insulator by combination of ion-implantation and rapid-melting growth 査読

Ryo Matsumura, Mohammad Anisuzzaman, Hiroyuki Yokoyama, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

ECS Solid State Letters 2 ( 7 ) 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.002307ssl
Orientation-Control of Ge-Stripes-on-Insulator by Narrowing in Rapid-Melting Growth from Si(111) Seed

Taizoh SADOH

ECS SOLID STATE LETTERS 2 ( 9 ) P76 - P78 2013年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.008309ssl
Low-temperature crystallization of amorphous silicon and amorphous germanium by soft X-ray irradiation 査読

Akira Heya, Kazuhiro Kanda, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Sho Amano, Naoto Matsuo, Shuji Miyamoto, Masanobu Miyao, Takayasu Mochizuki

Thin Solid Films 534 334 - 340 2013年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.02.129
Laterally-Graded Doping into Ge-on-Insulator by Combination of Ion-Implantation and Rapid-Melting Growth

ECS SOLID STATE LETTERS 2 ( 7 ) P58 - P60 2013年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.002307ssl
Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure 査読

Ryo Matsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEICE technical report 113 ( 18 ) 17 - 23 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure 査読

Ryo Matsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEICE technical report 113 ( 17 ) 17 - 23 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成

佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会　信学技報 113 ( 17 ) 17 - 23 2013年4月

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記述言語：日本語
High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature -modulated successive rapid-melting-growth 査読国際誌

Applied Physics Letters 102 ( 9 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth 査読

Yuki Tojo, Ryo Matsumura, Hiroyuki Yokoyama, Masashi Kurosawa, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 102 ( 9 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4794409
High-quality hybrid-GeSn/Ge stacked-structures by low-temperature Sn induced-melting growth 査読

Y. Kinoshita, R. Matsumura, T. Sadoh, T. Nishimura, M. Miyao

ECS Transactions 58 ( 9 ) 179 - 184 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/05809.0179ecst
Orientation stabilized rapid melting growth of thin (100) ge-on-insulator structures and their implementation in Homoepitaxial growth 査読

Mohammad Anisuzzaman, Shunpei Muta, Abdul Manaf Hashim, Taizoh Sadoh

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 18 ( 2 ) 63 - 67 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature metal-induced crystallization of orientation-controlled SiGe on insulator for flexible electronics 査読

T. Sadoh, J. H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao

ECS Transactions 58 ( 9 ) 213 - 221 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/05809.0213ecst
Liquid-solid coexisting annealing of a-GeSn/Si(100) structure for low temperature epitaxial growth of SiGe 査読

H. Chikita, R. Matsumura, Taizoh Sadoh, M. Miyao

ECS Transactions 58 ( 9 ) 257 - 262 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/05809.0257ecst
Crystallization of electrodeposited germanium thin film on silicon (100) 査読

Mastura Shafinaz Zainal Abidin, Ryo Matsumura, Mohammad Anisuzzaman, Jong Hyeok Park, Shunpei Muta, Mohamad Rusop Mahmood, Taizoh Sadoh, Abdul Manaf Hashim

Materials 6 ( 11 ) 5047 - 5057 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/ma6115047
Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si platform by SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth using RTA technique

Ichiro Mizushima, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

2013 13th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2013 Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013 30 - 31 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IWJT.2013.6644498
Enhanced interfacial-nucleation in al-induced crystallization for (111) Oriented Si_1-xGe_x (0 ≤ x ≤ 1) films on insulating substrates 査読

1 ( 3 ) P144 - P147 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Orientation-controlled Si_1-xGe_x (0≤ x≤1) films on insulating substrates are essential to achieve high-efficiency solar-cells and highspeed thin-film-transistors. We investigate Al-induced crystallization of amorphous-Si_1-xGe_x/Al-oxide/Al/quartz stacked-structures as a function of Ge-fraction, air-exposure time of Al surfaces, and thicknesses of Al and SiGe films. By tuning interfacial Al-oxide layer thickness, which is controlled by air-exposure time, (100) or (111) Si_1-xGe_x (x < 0.2) layers are selectively formed. However, increase of Ge-fraction significantly enhances the random bulk-nucleation, which results in poly-crystalline Si_1-xGe _x (x ≥ 0.2) with random-orientations. To enhance interfacial-nucleation at Al/quartz over bulk-nucleation, film-thickness of Al and SiGe are thinned to 50 nm. This achieves (111)-oriented Si _1-xGe_x films with the whole Ge fractions. This oriented-growth can be explained by the theoretical calculation that (111) SiGe has the minimum surface energy on quartz substrates.

DOI： 10.1149/2.010203jss
Hybrid-formation of Ge-on-insulator structures on Si platform by SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth - A road to artificial crystal

M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, Taizoh Sadoh

12th High Purity Silicon Symposium - 222nd ECS Meeting High Purity Silicon 12 50 59 - 70 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/05005.0059ecst
Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読

Ryo Matsumura, Yuki Tojo, Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Ichiro Mizushima, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 101 ( 24 ) 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4769998
Formation of large grain SiGe on insulator by Si segregation in seedless-rapid-melting process

R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, Y. Tojo, T. Sadoh, M. Miyao

5th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 220th ECS Meeting SiGe, Ge, and Related Compounds 5 Materials, Processing, and Devices 431 - 436 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/05009.0431ecst
Formation of graded SiGe on insulator by segregation-controlled rapid-melting-growth

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, Taizoh Sadoh, M. Miyao

5th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 220th ECS Meeting SiGe, Ge, and Related Compounds 5 Materials, Processing, and Devices 747 - 751 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/05009.0747ecst
Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読国際誌

Ryo Matsumura, Yuki Tojo, Masashi Kurosawa, Taizoh SADOH, I. Mizushima, M. Miyao

Applied Physics Letters 101 ( 24 ) 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 50 ( 9 ) 431 - 436 2012年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/05009.0431ecst
Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting-Growth

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 50 ( 9 ) 547 - 751 2012年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/05009.0747ecst
Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth - A Road to Artificial Crystal -

HIGH PURITY SILICON 12 50 ( 5 ) 59 - 70 2012年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/05005.0059ecst
Formation of nanostructured germanium-on-insulator for integration of multi-functional materials on a panel

M. Anisuzzaman, S. Muta, A. M. Hashim, M. Miyao, T. Sadoh

19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 Proceedings of the 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 235 - 238 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Crystallization mechanism of a-Si and a-Ge by soft X-ray irradiation

Shota Kino, Akira Heya, Yuki Nonomura, Naoto Matsuo, Kazuhiro Kanda, Shuji Miyamoto, Sho Amano, Takayasu Mochizuki, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 Proceedings of the 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 223 - 226 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
(111)-Oriented large-grain Ge on insulator by gold-induced crystallization combined with interfacial layer insertion

Jong Hyeok Park, Tsuneharu Suzuki, Masashi Kurosawa, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 Proceedings of the 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2012 231 - 234 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Single-crystalline laterally graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読国際誌

M. Kurosawa, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 101 ( 9 ) 2012年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Single-crystalline laterally graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読

Masashi Kurosawa, Yuki Tojo, Ryo Matsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 101 ( 9 ) 2012年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4748328
Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0 <= x <= 1) Films on Insulating Substrates

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 1 ( 3 ) 144 - 147 2012年8月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/2.010203jss
Crystallization mechanism of thick a-Si _0.5Ge _0.5 film by excimer laser annealing

Shota Kino, Yuki Nonomura, Akira Heya, Naoto Matsuo, Kazuhiro Kanda, Shuji Miyamoto, Sho Amano, Takayasu Mochizuki, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

10th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IMFEDK 2012 IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 98 - 99 2012年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IMFEDK.2012.6218600
Epitaxial-Template Structure Utilizing Ge-on-Insulator Stripe Arrays with Nanospacing for Advanced Heterogeneous Integration on Si Platform

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 6 ) 06FF04-1 - 06FF04-5 2012年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FF04
Epitaxial-template structure utilizing Ge-on-insulator stripe arrays with nanospacing for advanced heterogeneous integration on Si platform 査読

Abdul Manaf Hashim, Mohamad Anisuzzaman, Shunpei Muta, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 51 ( 6 PART 2 ) 2012年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FF04
S iG e ミキシング誘起溶融成長によるG OI（G e on Ins ulator）の形成人工単結晶への道査読

81 410 2012年5月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成人工単結晶への道査読

宮尾正信, 佐道泰造, 都甲薫, 黒澤昌志

応用物理 81 ( 5 ) 410 - 414 2012年5月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The development of high-quality Ge-on-insulator (GOI) structures is essential for making a breakthrough into the scaling limit of Si large-scale integrated circuits. In the present paper, we review a new GOI growth technique, i.e., the SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth technique, which enables chip-sized and mesh-shaped GOI structures. In addition, the integration of GOI(111) on Si(100) substrates becomes possible by combining this method with the Si-microseeding technique. These progresses pave the way for the artificial single-crystal technology.

DOI： 10.11470/oubutsu.81.5_410
Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読国際誌

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 100 ( 17 ) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 Si偏析効果による大粒径化査読

加藤立奨, 黒澤昌志, 横山裕之, 佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 112 ( 19 ) 61 - 62 2012年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Melting growth of Si-doped Ge films, i.e., Ge(Si) films, on insulator has been investigated. After rapid-thermal annealing of Ge(Si) films in the temperatures region surrounded with the liquidus curve and solidus curve of the phase diagram of the SiGe system, SiGe crystals with large-grains (15-30μm) were formed. The Si concentration profiles in the grains showed peaks at the center of grains. The peak Si concentrations were almost the same as the Si concentrations along the solidus curve at the annealing temperature. These phenomena were explained based on the formation of Si-rich micro-crystals during annealing and subsequent Si-segregated lateral-growth during cooling.
界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長界面酸化膜厚依存性査読

鈴木恒晴, 朴鍾?, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

112 ( 19 ) 71 - 73 2012年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

A technique for low-temperature(<〜350℃) formation of orientation-controlled large-grain Ge films on insulating layers is desirable for realization of flexible high-speed thin film transistors. In line with this, we have investigated Au-induced layer-exchange crystallization using a-Ge/Au/insulator stacked structures where Al_2O_3 layers were inserted at a-Ge/Au interfaces. Consequently, (111)-oriented large-grain (20-50 μm) films are obtained by inserting the interfacial layers (〜3 μm). These phenomena are explained based on the retardation of random bulk nucleation in Au films and thus domination of(111)-oriented nucleation on insulators, caused by suppression of Ge/Au interdiffusion.
Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読

Masashi Kurosawa, Naoyuki Kawabata, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 100 ( 17 ) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4705733
Nano-lithography free formation of high density Ge-on-insulator network for epitaxial template 査読国際誌

H. Yokoyama, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 100 ( 9 ) 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of dose on activation characteristics of P in Ge

Taizoh SADOH

THIN SOLID FILMS 520 ( 8 ) 3255 - 3258 2012年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.076
Nano-lithography free formation of high density Ge-on-insulator network for epitaxial template 査読

Hiroyuki Yokoyama, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 100 ( 9 ) 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3691258
Low temperature (∼250°C) layer exchange crystallization of Si _{1 - X}Ge _x (x = 1-0) on insulator for advanced flexible devices 査読

520 ( 8 ) 3293 - 3295 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (∼250°C) layer exchange crystallization of poly-Si _{1 - x}Ge _x (x = 1-0) films on insulators has been investigated for realization of advanced flexible devices. We propose utilization of Au as catalyst to enhance the crystallization at low temperatures. By annealing (∼250°C, 20 h) of the a-Si _{1 - x}Ge _x (x = 1-0)/Au stacked structures formed on insulating substrates, the SiGe and Au layers exchange their positions, and Au/poly-SiGe stacked structures are obtained. The Ge fractions of the obtained poly-SiGe layers are identical to that of the initial a-SiGe layers, and there is no Si or Ge segregation. This low temperature crystallization technique enables poly-SiGe films on plastic substrates, which are essential to realize advanced flexible devices.

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.087
Enhancement of SiN-induced compressive and tensile strains in Si free-standing microstructures by modulation of SiN network structures 査読

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

Thin Solid Films 520 ( 8 ) 3276 - 3278 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.088
Effects of dose on activation characteristics of P in Ge 査読

Mohammad Anisuzzaman, Taizoh Sadoh

Thin Solid Films 520 ( 8 ) 3255 - 3258 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.076
Low temperature (~250 °C) layer exchange crystallization of Si1−xGex (x=1–0) on insulator for advanced flexible devices

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

520 3293 - 3295 2012年2月

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記述言語：英語
Enhancement of SiN-induced compressive and tensile strains in Si free-standing microstructures by modulation of SiN network structures

THIN SOLID FILMS 520 ( 8 ) 3276 - 3278 2012年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.088
Self organization of FeGe/FeSi/FeGe layered structures on Ge and their electrical conduction properties 査読

B. Matsukura, Y. Hiraiwa, T. Nakajima, K. Narumi, S. Sakai, T. Sadoh, M. Miyao, Y. Maeda

Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, ASCONanomat 2011 Physics Procedia 23 21 - 24 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.phpro.2012.01.006
軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 (シリコン材料・デバイス) 査読

部家彰, 野々村勇希, 木野翔太, 松尾直人, 天野壮, 宮本修治, 神田一浩, 望月孝晏, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信

111 ( 357 ) 71 - 76 2011年12月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

It is necessary two processes (crystal-nucleus formation and crystal grain growth) for crystallization. In general, the activation energy of crystal-nucleus formation is higher than that of grain growth. To realize low-temperature crystallization, we tried to form the quasi-nucleus by soft X-ray irradiation. In this study, the effects of soft X-ray irradiation on crystallization of a-Si and a-Ge films were investigated. The crystallization temperatures of a-Si film and a-Ge film were decreased from 680℃ to 580℃ and 500℃ to 420℃ by soft X-ray irradiation, respectively. The decrease in crystallization temperature is also related to enhancement of atomic migration and atoms transitioning into a quasi-nuclei phase in the films.
Ion channeling study of epitaxy of iron based Heusler alloy films on Ge(111) 査読

Yoshihito Maeda, Kazumasa Narumi, Seiji Sakai, Yoshikazu Terai, Kohei Hamaya, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 519 ( 24 ) 8461 - 8467 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.05.024
Preface 査読

Yoshihito Maeda, Yoshikazu Terai, Kevin P. Homewood, Kenichi Takarabe, Kenji Yamaguchi, Motofumi Suzuki, Taizoh Sadoh, Yoshiaki Nakamura

Thin Solid Films 519 ( 24 ) 8433 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.05.018
Au-catalyst induced low temperature (∼250 °C) layer exchange crystallization for SiGe on insulator

39 - 42 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

The gold-induced crystallization technique has been investigated to achieve poly-SiGe films on insulators at low temperatures (≤ 300°C). By annealing of the amorphous SiGe (Ge concentration: 0-100%)/Au stacked structures formed on insulating substrates, positions of the SiGe and Au layers are inverted, and the Au/SiGe stacked structures are obtained. Crystallization of the SiGe layers in the inverted samples is confirmed by the Raman scattering spectroscopy analysis. Moreover, the Raman measurements reveal that the Ge fractions in the crystallized SiGe layers are almost the same as those of the initial amorphous SiGe layers. This gold-induced layer-exchange crystallization technique of SiGe layers at a low temperature (∼250°C) will be very useful to obtain poly-SiGe layers on plastic substrates, which are essential to realize flexible high-speed thin-films transistors and high-efficiency solar cells.

DOI： 10.1149/1.3570774
Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization

Masashi Kurosawa, Naoyuki Kawabata, Ryusuke Kato, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

15th International Symposium on Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics - 219th ECS Meeting Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15 51 - 54 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.3570776
Growth-direction dependent rapid-melting-growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its application to Ge mesh-growth

H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao

15th International Symposium on Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics - 219th ECS Meeting Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15 55 - 60 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.3570777
Chip-size formation of high-mobility Ge strips on SiN films by cooling rate controlled rapid-melting growth 査読国際誌

K. Toko, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 99 ( 03 ) 2011年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Chip-size formation of high-mobility Ge strips on SiN films by cooling rate controlled rapid-melting growth 査読

Kaoru Toko, Yasuharu Ohta, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 99 ( 3 ) 2011年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3611904
Strained single-crystal GOI (Ge on Insulator) arrays by rapid-melting growth from Si (111) micro-seeds

SOLID-STATE ELECTRONICS 60 ( 1 ) 22 - 25 2011年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.037
Strained single-crystal GOI (Ge on Insulator) arrays by rapid-melting growth from Si (1 1 1) micro-seeds 査読

T. Sakane, K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao

Solid-State Electronics 60 ( 1 ) 22 - 25 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.037
Low-temperature (∼ 250°C) Cu-induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulator 査読

14 ( 7 ) 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Metal-induced lateral crystallization (MILC) of amorphous Ge has been investigated to realize low temperature formation of poly-Ge films on insulating substrates. From a comparative study of MILC with various catalysis metals (Ni, Co, Pd, and Cu), it was found that Cu enhanced both nucleation and subsequent nucleus growth the most significantly among the species. Consequently, low temperature (∼ 250°C) growth with a high velocity (∼1 m/h) of poly-Ge films becomes possible by employing Cu as the catalyst. This technique will accelerate the realization of advanced high-speed TFT on flexible substrates.

DOI： 10.1149/1.3582794
Growth-direction-dependent characteristics of Ge-on-insulator by Si-Ge mixing triggered melting growth 査読

Y. Ohta, T. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao

Solid-State Electronics 60 ( 1 ) 18 - 21 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.039
Al-Induced oriented-crystallization of Si films on quartz and its application to epitaxial template for Ge growth 査読

Masashi Kurosawa, Kaoru Toko, Naoyuki Kawabata, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Solid-State Electronics 60 ( 1 ) 7 - 12 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.033
Al-Induced oriented-crystallization of Si films on quartz and its application to epitaxial template for Ge growth

SOLID-STATE ELECTRONICS 60 ( 1 ) 7 - 12 2011年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.033
Growth-direction-dependent characteristics of Ge-on-insulator by Si-Ge mixing triggered melting growth

SOLID-STATE ELECTRONICS 60 ( 1 ) 18 - 21 2011年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.039
Growth-direction-dependent characteristics of Ge-on-insulator by Si-Ge mixing triggered melting growth

SOLID-STATE ELECTRONICS 60 ( 1 ) 18 - 21 2011年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.039
Mesh-shape-and-size controlled rapid-melting growth for the formation of single-crystalline (100), (110) and (111) Ge networks on insulators 査読国際誌

I. Mizushima, K.Toko, Y. Ohta, T. Sakane, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 18 ) 2011年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Mesh-shape-and-size controlled rapid-melting growth for the formation of single-crystalline (100), (110), and (111) Ge networks on insulators 査読

Ichiro Mizushima, Kaoru Toko, Yasuharu Ohta, Takashi Sakane, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 18 ) 2011年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3586259
Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth

ADVANCED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND RELATED PHYSICS 15 35 ( 5 ) 55 - 60 2011年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3570777
Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization

ADVANCED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND RELATED PHYSICS 15 35 ( 5 ) 51 - 54 2011年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3570776
Au-Catalyst Induced Low Temperature (similar to 250 degrees C) Layer Exchange Crystallization for SiGe on Insulator

ADVANCED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND RELATED PHYSICS 15 35 ( 5 ) 39 - 42 2011年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3570774
Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth

ADVANCED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND RELATED PHYSICS 15 35 ( 5 ) 55 - 60 2011年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3570777
Low-Temperature (~ 250℃) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator 査読国際誌

14 ( 7 ) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Role of Vacancy Annihilation in Electrical Activation of P Implanted in Ge 査読

Mohammad Anisuzzaman, Taizoh Sadoh

IEICE technical report 111 ( 5 ) 13 - 16 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Role of Vacancy Annihilation in Electrical Activation of P Implanted in Ge 査読

Mohammad Anisuzzaman, Taizoh Sadoh

IEICE technical report 111 ( 4 ) 13 - 16 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Au-Induced Low-Temperature (similar to 250 degrees C) Crystallization of Si on Insulator Through Layer-Exchange Process

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 14 ( 6 ) H232 - H234 2011年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3562275
SiGe-mixing-triggered rapid-melting-growth of high-mobility Ge-on-insulator

Taizoh Sadoh, Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Takanori Tanaka, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Naoyuki Kawabata, Hiroyuki Yokoyama, Masanobu Miyao

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010, ISTESNE Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 8 - 13 2011年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.8
Open-gated pH sensor fabricated on an undoped-AlGaN/GaN HEMT structure 査読

Mastura Shafinaz Zainal Abidin, Abdul Manaf Hashim, Maneea Eizadi Sharifabad, Shaharin Fadzli Abd Rahman, Taizoh Sadoh

Sensors 11 ( 3 ) 3067 - 3077 2011年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/s110303067
Dehydrogenation-Enhanced Large Strain (similar to 1.6%) in Si Pillars Covered by Si3N4 Stress Liners

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 14 ( 4 ) H174 - H176 2011年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3551465
Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in Si-on-insulator microstructures by polarized microprobe Raman spectroscopy 査読国際誌

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Source-drain engineering using atomically controlled heterojunctions for next-generation SiGe transistor applications (Selected topics in Applied physics Technology evolution for silicon nano-electronics) 査読

Kohei Hamaya, Yuichiro Ando, Taizoh Sadoh

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 50 ( 1 ) 10101 - 1〜7 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Source-drain engineering using atomically controlled heterojunctions for next-generation SiGe transistor applications 査読

Kohei Hamaya, Yuichiro Ando, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 50 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.010101
Single-crystalline (100) Ge networks on insulators by rapid-melting growth along hexagonal mesh-pattern 査読

Kaoru Toko, Yasuharu Ohta, Takashi Sakane, Taizoh Sadoh, Ichiro Mizushima, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 4 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3544057
Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in Si-on-insulator microstructures by polarized microprobe Raman spectroscopy 査読

Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3535606
Magnetooptical properties of iron based Heusler alloy epitaxial films on Ge(111) 査読

Yoshihito Maeda, Tatsuya Ikeda, Takayuki Ichikawa, Takahito Nakajima, Bui Matsukura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Physics Procedia 11 200 - 203 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.phpro.2011.01.004
Source–Drain Engineering Using Atomically Controlled Heterojunctions for Next-Generation SiGe Transistor Applications 査読国際誌

50 ( 01 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Single-crystalline (100) Ge networks on insulators by rapid-melting growth along hexagonal mesh-pattern 査読国際誌

K. Toko, Y. Ohta, T. Sakane, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao

Applied Physics Letters 98 ( 4 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Atom-migration effect during crystallization of a-SiGe films by SR soft x-ray irradiation

Shota Kino, Yuki Nonomura, Akira Heya, Naoto Matsuo, Kazuhiro Kanda, Shuji Miyamoto, Sho Amano, Takayasu Mochizuki, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

18th International Display Workshops 2011, IDW 2011 Society for Information Display - 18th International Display Workshops 2011, IDW'11 1 659 - 662 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Dehydrogenation-enhanced large strain (∼1.6%) in Si pillars covered by Si3N4 stress liners 査読

14 ( 4 ) 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

High-strain Si-pillars are desirable for achieving high-speed three-dimensional transistors. The effects of postannealing (400-1150C) on strain-enhancement in Si-pillars covered with Si₃N₄ stress-liners are investigated. Before annealing, the Si₃N ₄ stress-liners induce strain in Si, where the direction of strain, which can be compressive or tensile, depends on the Si₃N₄ deposition parameters. After postannealing (800C), the strain becomes highly compressive, because of dehydrogenation-induced structural relaxation in Si ₃N₄ films. Consequently, compressive strains (1.6) are induced in the 200-nm-thick Si-pillars covered in 200-nm-thick Si ₃N₄ films after high temperature postannealing (1000-1150C). This strain-enhancement technique is useful for the realization of advanced high-speed three-dimensional transistors.

DOI： 10.1149/1.3551465
Au-induced low-temperature (∼250°C) crystallization of Si on insulator through layer-exchange process 査読

14 ( 6 ) 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Au-induced crystallization of Si through a layer-exchange process has been investigated to achieve poly-Si films on insulators at low-temperatures (∼250°C). By annealing (250-350°C) of amorphous Si (a-Si)/Au stacked structures formed on insulators, the positions of Si/Au layers are inverted, and Au/poly-Si stacked structures are obtained. This Au-induced layer-exchange growth technique at low-temperatures (∼250°C) should be very useful to obtain poly-Si films on flexible substrates, which are employed as template layers for growth of high quality Si_1-xGe_x (x: 0-1) films to realize flexible high-speed thin-film transistors and flexible high-efficiency solar cells.

DOI： 10.1149/1.3562275
High-mobility Ge on insulator (GOI) by SiGe mixing-triggered rapid-melting-growth

T. Sadoh, M. Miyao

4th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 218th ECS Meeting SiGe, Ge, and Related Compounds 4 Materials, Processing, and Devices 409 - 418 2010年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.3487571
High-mobility defect-free Ge single-crystals by rapid melting growth on insulating substrates

Masanobu Miyao, Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Takanori Tanaka, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Naoyuki Kawabata, Hiroyuki Yokoyama, Taizoh Sadoh

2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings 827 - 830 2010年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ICSICT.2010.5667440
Low-temperature (<= 250 degrees C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique

TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE 2196 - 2198 2010年11月

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記述言語：英語
Defect-free Ge-on-insulator with (100) , (110), and (111) orientations by growth-directions -selected rapid-melting growth 査読国際誌

K. Toko, T. Tanaka, Y. Ohta, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 97 ( 15 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Relaxation mechanism of SiGe-on-insulator by oxidation-induced Ge condensation with H⁺ irradiation and postannealing 査読

Masanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Journal of the Electrochemical Society 157 ( 11 ) H991 - H996 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.3486089
Defect-free Ge-on-insulator with (100), (110), and (111) orientations by growth-direction-selected rapid-melting growth 査読

Applied Physics Letters 97 ( 15 ) 152101(1) - 152101(3) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Defect-free Ge-on-insulator with (100), (110), and (111) orientations by growth-direction-selected rapid-melting growth 査読

Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Yasuharu Ohta, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 97 ( 15 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3493184
Relaxation Mechanism of SiGe-on-Insulator by Oxidation-Induced Ge Condensation with H(+) Irradiation and Postannealing

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 157 ( 11 ) H991 - H996 2010年9月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.3486089
Erratum Optical and electronic properties of M₂Si (M = Mg, Ca and Sr) grown by reactive deposition technique (International Journal of Modern Physics B) 査読

Junhua Hu, Akihiko Kato, Taizoh Sadoh, Yoshuhito Maeda, Konstantin N. Galkin, Taras V. Turchin, Nikolay G. Galkin, Hirokazu Tatsuoka

International Journal of Modern Physics B 24 ( 23 ) 2010年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1142/S0217979210056657
(100) orientation-controlled Ge giant-stripes on insulating substrates by rapid-melting growth combined with Si micro-seed technique 査読

Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Hiroyuki Yokoyama, Naoyuki Kawabata, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Express 3 ( 7 ) 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.3.075603
Optical and electronic properties of M₂Si (M = Mg,Ca, Sr) grown by reactive deposition technique 査読

Junhua Hu, Akihiko Kato, Taizoh Sadoh, Yoshuhito Maeda, K. N. Galkin, T. V. Turchin, Hirokazu Tatsuoka

International Journal of Modern Physics B 24 ( 19 ) 3693 - 3699 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1142/S0217979210056050
(100) Orientation-Controlled Ge Giant-Stripes on Insulating Substrates by Rapid-Melting Growth Combined with Si Micro-Seed Technique 査読国際誌

K. Toko, M. Kurosawa, H. Yokoyama, N. Kawabata, T. Sakane, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Express 3 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe 査読国際誌

M. Itakura, S. Masumori, N. Kuwano, H. Kanno, T. Sadoh,.and M. Miyao

Applied Physics Letters 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces 査読国際誌

K. Yamane, K. Hamaya, Y. Ando, Y. Enomoto, K. Yamamoto, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム査読

川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信

110 ( 16 ) 13 - 17 2010年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Large grain polycrystalline silicon-germanium (poly-SiGe) with controlled crystal orientation on glass substrates is required to achieve high speed thin-film transistors and high-efficiency thin-film solar cells. For this purpose, we have developed an advanced Al-induced crystallization (AIC) technique by controlling the interfacial oxide layers. As a results, homogeneous and large-grained (>10 μm) AIC growth was achieved for samples with the whole Ge fractions (0-100%). In addition, we evaluated crystal orientation of the poly-SiGe and discuss the growth mechanism.
SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性査読

大田康晴, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信

110 ( 16 ) 49 - 52 2010年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

We proposed SiGe mixing triggered melting growth, and realized (100)-oriented Ge on insulator (GOI) stripes (〜400μm) by using Si(100) substrates as crystal seed. To expand the application fields of such GOI structures, GOI stripes with various crystal orientations should be achieved. In the present study, growth-direction-dependent characteristics of GOI from Si(100), (110), (111) seeding substrates are investigated. During the study, we encountered a phenomenon of rotating growth of Ge layers. The detail of the rotation growth is investigated, and a guideline to prevent this phenomenon is clarified. As a results, GOI(110) and (111) stripes without the rotation are realized, together with GOI(100) stripes. Moreover, a large mesh (500μm × 250μm) of GOI stripe is realized based on these findings.
High-hole-mobility single-crystalline ge thin films formed on insulating substrates by SiGe mixing-triggered directional melting growth 査読

Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 49 ( 4 PART 2 ) 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DA08
Formation of Defect-Free Ge Island on Insulator by Ni-Imprint Induced Si Micro-Seeding Rapid Melting 査読

Takashi Sakane, Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEICE technical report 110 ( 16 ) 53 - 57 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of Defect-Free Ge Island on Insulator by Ni-Imprint Induced Si Micro-Seeding Rapid Melting 査読

Takashi Sakane, Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEICE technical report 110 ( 15 ) 53 - 57 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces 査読

K. Yamane, K. Hamaya, Y. Ando, Y. Enomoto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh, M. Miyao

Applied Physics Letters 96 ( 16 ) 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3368701
インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成

佐道泰造, 宮尾正信

電子通信情報学会　信学技報 110 ( 15 ) 53 - 57 2010年4月

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記述言語：日本語
ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム

佐道泰造, 宮尾正信

電子通信情報学会　信学技報 110 ( 15 ) 13 - 17 2010年4月

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記述言語：日本語
SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI（Ge on Insulator）形成のシード基板面方位・成長方向依存性

佐道泰造, 宮尾正信

電子通信情報学会　信学技報 110 ( 15 ) 49 - 52 2010年4月

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記述言語：日本語
High-Hole-Mobility Single-Crystalline Ge Thin Films Formed on Insulating Substrates by SiGe Mixing-Triggered Directional Melting Growth 査読国際誌

K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics 49 ( 4 ) 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High Quality Single-Crystalline Ge-Rich SiGe on Insulator Structures by Si-doping Controlled Rapid Melting Growth 査読国際誌

T. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao

Applied Physics Express 3 ( 3 ) 2010年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High quality single-crystalline Ge-rich SiGe on insulator structures by Si-doping controlled rapid melting growth 査読

Takanori Tanaka, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Express 3 ( 3 ) 2010年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.3.031301
Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices

THIN SOLID FILMS 518 S273 - S277 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.106
Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices 査読

M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, H. Itoh, Y. Maeda

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) S273 - S277 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.106
Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed 査読

Kaoru Toko, Takashi Sakane, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) S182 - S185 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.084
Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy 査読

T. Tanaka, M. Tanaka, M. Itakura, T. Sadoh, M. Miyao

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) S170 - S173 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.081
Formation of single-crystalline Ge stripes on quartz substrates by SiGe mixing-triggered liquid-phase epitaxy 査読

Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.083
Epitaxial growth of a full-Heusler alloy Co₂FeSi on silicon by low-temperature molecular beam epitaxy 査読

S. Yamada, K. Yamamoto, K. Ueda, Y. Ando, K. Hamaya, T. Sadoh, M. Miyao

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) S278 - S280 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.107
Al-induced low-temperature crystallization of Si_{1 - x}Ge_x (0 < x < 1) by controlling layer exchange process 査読

Masashi Kurosawa, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 518 ( 6 SUPPL. 1 ) S174 - S178 2010年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.082
Epitaxial growth of a full-Heusler alloy CO2FeSi on silicon by low-temperature molecular beam epitaxy

Taizoh SADOH

THIN SOLID FILMS 518 S278 - S280 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.107
Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed

THIN SOLID FILMS 518 S181 - S185 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.084
Al-induced low-temperature crystallization of Si-1 (-) Ge-x(x) (0 < x < 1) by controlling layer exchange process

Taizoh SADOH

THIN SOLID FILMS 518 S174 - S178 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.082
Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy

Taizoh SADOH

THIN SOLID FILMS 518 S170 - S173 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.081
Formation of single-crystalline Ge stripes on quartz substrates by SiGe mixing-triggered liquid-phase epitaxy

THIN SOLID FILMS 518 S179 - S181 2010年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.083
Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(∼250^o)

朴ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2010 ( 0 ) 584 - 585 2010年

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

フレキシブルな高速薄膜トランジスタ(TFT)の実現には，高移動度を有する半導体薄膜をプラスチックの軟化温度(∼300^oC)以下の極低温で高品質形成する必要がある．我々は，共晶温度の低いAu/Ge系（共晶点: 361^oC）に着目し，高移動度半導体(Ge)の低温成長を検討した．非晶質Ge（100 nm）/ Au（100 nm）の積層構造を石英基板上に作製した．熱処理（200∼400^oC）後の試料の組成分布の変化と結晶性を評価した処，低温(250^oC)で，Ge/Auが層交換すると共に，Geが結晶化することが明らかとなった．フレキシブルな高速TFTの実現を加速する画期的な成果である．

DOI： 10.11527/jceeek.2010.0.584.0
Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe 査読

Masaru Itakura, Shunji Masumori, Noriyuki Kuwano, Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 96 ( 18 ) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3422477
Low-temperature (≤250°C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique

2196 - 2198 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

The gold-induced crystallization technique has been investigated to achieve poly-Si films on insulators at low temperatures (≤250°C). By annealing (∼250°C) the amorphous Si (a-Si)/Au stacked structures formed on insulating substrates, the positions of Si/Au layers are inverted, and Au/poly-Si stacked structures are obtained. On the other hand, by annealing (>400°C) the structures, mixed layers of c-Si and Au are obtained. These growth phenomena are explained on the basis of the eutectic reaction. This gold-induced layer-exchange growth technique at low-temperatures (∼250°C) is very useful to obtain poly-Si on flexible substrates, which are essential to realize flexible high-speed thin-films transistors and high-efficiency solar cells.

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686705
Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation 査読国際誌

T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, and M. Miyao

Applied Physics Letters 2009年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation 査読

Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masashi Kurosawa, Masanori Tanaka, Masanori Yamaguchi, Shinji Suzuki, Tokuhide Kitamura, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 95 ( 26 ) 2009年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3278596
Defect-free single-crystal Ge island arrays on insulator by rapid-melting-growth combined with seed-positioning technique 査読

Kaoru Toko, Takashi Sakane, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 95 ( 11 ) 2009年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3231925
Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation 査読

Masashi Kurosawa, Naoyuki Kawabata, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 95 ( 13 ) 2009年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3241076
High-quality single-crystal Ge stripes on quartz substrate by rapid-melting-growth 査読

Masanobu Miyao, Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh

Applied Physics Letters 95 ( 2 ) 2009年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3182795
Electrical properties of poly-Ge on glass substrate grown by two-step solid-phase crystallization 査読

Kaoru Toko, Isakane Nakao, Taizoh Sadoh, Takashi Noguchi, Masanobu Miyao

Solid-State Electronics 53 ( 11 ) 1159 - 1164 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2009.08.002
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor 査読

T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K. Toko, M. Miyao

IEICE technical report 109 ( 98 ) 177 - 180 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Indentation-induced low-temperature solid-phase crystallization of Si _1-xGe_x (x=0-1) on insulator 査読

Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 94 ( 19 ) 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3136857
Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe₃ Si/Si Schottky tunnel barrier 査読

Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh, M. Miyao

Applied Physics Letters 94 ( 18 ) 2009年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3130211
Magnetic properties of epitaxially grown Fe3 Si/Ge (111) layers with atomically flat heterointerfaces 査読

Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, Taizoh Sadoh, Y. Maeda, Kimihide Matsuyama, M. Miyao

Journal of Applied Physics 105 ( 7 ) 2009年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3065985
アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長査読

黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信

109 ( 20 ) 19 - 23 2009年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-temperature (<550℃) Al-induced crystallization (AIC) of amorphous Si_<1-x>Ge_x (x=0-1) on glass substrate has been investigated to achieve high-speed thin-film transistors and high-efficiency thin-film solar cells. Crystal growth morphology drastically changed with Ge fraction, and layer exchange occurred heterogeneously for high Ge fractions (>50%). To solve this problem, the effects of interfacial oxide thickness on AIC growth were investigated. As a result, homogeneous layer exchange was achieved for samples with the whole Ge fractions (x=0-1) by controlling the air exposure time. These new findings will be a powerful tool to obtain high quality poly-SiGe films on glass substrates.
Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization 査読国際誌

K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex(x 0–1) on Insulating Substrate 査読

48 ( 3 ) 03B002 - 03B002 2009年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO2 structures (Special issue Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials) 査読

Taizoh Sadoh, Hiroki Ohta, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 48 ( 3 ) 03B004 - 1〜3 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO₂ structures 査読

Taizoh Sadoh, Hiroki Ohta, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 48 ( 3 PART 3 ) 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.03B004
Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO2Structures 査読

Taizoh Sadoh, Hiroki Ohta, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 48 ( 3 ) 03B004 - 03B004 2009年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structures 査読国際誌

T. Sadoh, H. Ohta, and M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 査読国際誌

M.Kurosawa, Y. Tsumira, T. Sadoh, and M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Interfacial-oxide layer controlled Al-induced crystallization of Si _1-xGe_x (x 0-1) on insulating substrate 査読

Masashi Kurosawa, Yoshitaka Tsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 48 ( 3 PART 3 ) 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.03B002
Position-controlled growth of SiGe crystal grains on insulator by indentation-induced solid-phase crystallization (Special issue Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials) 査読

Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 48 ( 3 ) 03B007 - 1〜4 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Position-controlled growth of sige crystal grains on insulator by indentation-induced solid-phase crystallization 査読

Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 48 ( 3 PART 3 ) 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.03B007
Interfacial-oxide layer controlled Al-induced crystallization of Si1-xGe[x] (x 0-1) on insulating substrate (Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials) 査読

Masashi Kurosawa, Yoshitaka Tsumura, Taizoh Sadoh

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 48 ( 3 ) 03B002 - 1〜5 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Magnetic properties of epitaxially grown Fe3Si/Ge(111) layers with atomically at heterointerfaces 査読国際誌

Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda, K. Matsuyama, and M. Miyao

Journal Applied Physics 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGeat Low Temperatures 査読国際誌

M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh and M. Miyao

Journal of the Korean Physical Society 2009年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ge fraction dependence of Al-induced crystallization of SiGe at low temperatures 査読

Masashi Kurosawa, Yoshitaka Tsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Journal of the Korean Physical Society 54 ( 1 PART 2 ) 451 - 454 2009年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3938/jkps.54.451
Atomically-controlled Fe₃Si/Ge hybrid structures for group-IV-semiconductor spin-transistor application

Masanobu Miyao, Yuichiro Ando, Koji Ueda, Kohei Hamaya, Yukio Nozaki, Taizoh Sadoh, Kimihide Matsuyama, Kazumasa Narumi, Yoshihito Maeda

2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, ICSICT 2008 ICSICT 2008 - 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings 688 - 691 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ICSICT.2008.4734647
Low temperature epitaxial growth of full heusler alloy Fe₂MnSi on Ge(111) substrates for spintronics application

Koji Ueda, Yuichiro Ando, Kenji Yamamoto, Mamoru Kumano, Kohei Hamaya, Taizoh Sadoh, Kazumasa Nammi, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

3rd SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 214th ECS Meeting ECS Transactions - SiGe, Ge, and Related Compounds 3 Materials, Processing, and Devices 273 - 276 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2986782
Formalion of SiGe quasi-single crystal grain on insulator by indentation-induced solid-phase crystallization

T. Sadoh, K. Toko, M. Miyao

3rd SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 214th ECS Meeting ECS Transactions - SiGe, Ge, and Related Compounds 3 Materials, Processing, and Devices 219 - 222 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2986773
Enhancement of local strain in Si microstructure by oxidation induced Ge condensation

M. Tanaka, T. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura, M. Miyao

3rd SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 214th ECS Meeting ECS Transactions - SiGe, Ge, and Related Compounds 3 Materials, Processing, and Devices 189 - 192 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2986768
Characterization of Fe₃Si/Si schottky contact for future spin-transistor

Yuji Kishi, Mamoru Kumano, Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

3rd SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium - 214th ECS Meeting ECS Transactions - SiGe, Ge, and Related Compounds 3 Materials, Processing, and Devices 277 - 280 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2986783
Comprehensive study of low temperature (＜1000 °C) oxidation process in SiGe/SOI structures 査読国際誌

2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe₃Si on Ge substrate 査読

Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Yuichiro Ando, Takahumi Jonishi, Kazumasa Narumi, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 422 - 424 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.110
Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H⁺ irradiation-assisted Ge condensation method 査読

Masanori Tanaka, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 248 - 250 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.030
Low-temperature oriented growth in [CoPt/MgO] _n multi-layer 査読

Taizoh Sadoh, M. Kurosawa, M. Kimura, K. Ueda, M. Koyanagi, M. Miyao

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 430 - 433 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.057
Low temperature epitaxial growth of Fe₃Si on Si(111) substrate through ultra-thin SiO₂ films 査読

Koji Ueda, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 425 - 427 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.121
Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence 査読

Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Masanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao, Jun Morioka, Tokuhide Kitamura

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 31 - 33 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.021
Comprehensive study of low temperature (< 1000 °C) oxidation process in SiGe/SOI structures 査読

517 ( 1 ) 251 - 253 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Oxidation of SiGe/SOI (Ge fraction: 0-50%) structures was investigated in a wide temperature range. Different oxidation features were observed for samples oxidized in low (< 680 °C), middle (700-800 °C), and high (> 800 °C) temperature regions. Very thin SiO₂ layers (< 150 nm) were formed during low (< 680 °C) temperature oxidation. Thus, the Ge fractions at the SiO₂/SiGe interfaces were almost the same as the initial Ge fractions (< 50%). Therefore, the initial Ge fraction dependent enhanced oxidation was observed. On the other hand, very thick SiO₂ (> 200 nm) was formed during high (> 800 °C) temperature oxidation. Thus, the oxidation rate was limited by the diffusion process of O in SiO₂. Therefore, the oxidation rate did not depend on the Ge fraction. At middle temperatures, the oxidation rate does not depend on the temperature for samples with high initial Ge fractions (> 20%). This is due to that increase in oxidation rate by increasing temperature was cancelled by the retardation of oxidation due to high Ge fractions (> 50%) piled-up at the SiO₂/SiGe interfaces.

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.025
Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe₃Si/SiGe for spintronics application 査読

Masanobu Miyao, Koji Ueda, Yu ichiro Ando, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Kazumasa Narumi, Yoshihito Maeda

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 181 - 183 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.055
Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge substrate

K. Ueda, T. Sadoh, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語
Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H+ irradiation-assisted Ge condensation method 査読国際誌

M. Tanaka, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence 査読国際誌

Dong Wang, H. Nakashima, M. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao, J. Morioka, T. Kitamura

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low temperature epitaxial growth of Fe3Si on Si(111) substrate through ultra-thin SiO2 films 査読国際誌

K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, M. Miyao

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe3Si/SiGe for spintronics application 査読国際誌

M. Miyao , K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature oriented growth in [CoPt/MgO]n multi-layer

T. Sadoh , M. Kurosawa, M. Kimura, K. Ueda , M. Koyanagi, M. Miyao

Thin Solid Films 2008年11月

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記述言語：英語
Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization 査読国際誌

T. Sadoh, K. Toko, K. Ikeda, S. Hata, M. Itakura, H. Nakashima, M. Nishida, and M.Miyao

ECS Transactions 2008年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Epitaxial ferromagnetic Fe₃Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces 査読

K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, M. Miyao

Applied Physics Letters 93 ( 13 ) 2008年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2996581
Characterization of Fe3Si/Si Schottky Contact for Future Spin-Transistor 査読国際誌

Y. Kishi, M. Kumano, K. Ueda, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Transactions 2008年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application

K. Ueda, Y. Ando, K. Yamamoto, M. Kumano, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Narumi,Y. Maeda, and M. Miyao

ECS Transactions 2008年10月

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記述言語：英語
Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation 査読国際誌

M. Tanaka, T. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura, and M. Miyao

ECS Transactions 2008年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of a Ferromagnetic Full-Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) 査読国際誌

K.Ueda, K. Hamaya, K.Yamamoto, Y. Ando, T.Sadoh, Y.Maeda, and M.Miyao

Appl. Phys. Lett. 2008年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長査読

都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2008 ( 24 ) 31 - 34 2008年9月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe₂MnSi on Ge(111) 査読

K. Ueda, K. Hamaya, K. Yamamoto, Y. Ando, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao

Applied Physics Letters 93 ( 11 ) 2008年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2977866
縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長査読

都甲　薫,佐道泰造,宮尾正信

電気学会・電子材料研究会資料 2008年9月

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記述言語：日本語
Epitaxial Ferromagnetic Fe3Si/Si(111) Structures with High-Quality Heterointerfaces 査読国際誌

K.Hamaya, K.Ueda, Y. Kishi, Y.Ando, T.Sadoh, and M.Miyao

Appl. Phys. Lett. 2008年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature solid-phase crystallization of amorphous SiGe films on glass by imprint technique 査読

Kaoru Toko, Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Tanemasa Asano, Masanobu Miyao

Solid-State Electronics 52 ( 8 ) 1221 - 1224 2008年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2008.05.009
Influence of Substrate Orientation on Low-Temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si 査読国際誌

K. Ueda, R. Kizuka, H. Takeuchi, A. Kenjo, T. Sadoh,.and M. Miyao

Thin Solid Films 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low temperature formation of multi-layered structures of ferromagnetic silicide Fe ₃ Si and Ge 査読

Koji Ueda, Yuichiro Ando, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

Applied Surface Science 254 ( 19 ) 6215 - 6217 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.139
Influences of Si pillar geometry on SiN-stressor induced local strain 査読

Masanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Jun Morioka, Tokuhide Kitamura, Masanobu Miyao

Applied Surface Science 254 ( 19 ) 6226 - 6228 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.146
Low Temperature Formation of Multi-Layered Structures of Ferromagnetic Silicide Fe3Si and Ge 査読国際誌

K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh,Y. Maeda and M. Miyao

Applied Surface Science 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Influences of Si Pillar Geometry on SiN-Stressor Induced Local Strain 査読国際誌

M. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura and M. Miyao

Applied Surface Science 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low Temperature Formation of Multi-Layered Structures of Ferromagnetic Silicide Fe3Si and Ge 査読国際誌

K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh,Y. Maeda and M. Miyao

Applied Surface Science 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application 査読国際誌

Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao

IEICE Transaction on Electronics 2008年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low temperature hetero-epitaxy of ferromagnetic suicide on ge substrates for spin-transistor application 査読

Yu Ichiro Ando, Koji Uedat, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Kazumasa Narumi, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

IEICE Transactions on Electronics E91-C ( 5 ) 708 - 711 2008年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1093/ietele/e91-c.5.708
Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application 査読

Yu-ichiro Ando, Koji Ueda, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Kazumasa Narumi, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

IEICE Transactions on Electronics 91 ( 5 ) 708 - 711 2008年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1093/ietele/e91-c.5.708
次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長査読

中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆, 佐道泰造

電子情報通信学会　信学技報 2008年4月

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記述言語：日本語
Electric field assisted low-temperature growth of SiGe on insulating films for future TFT

Masanobu Miyao, Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh

6th International Conference on Thin Film Physics and Applications, TFPA 2007 Sixth International Conference on Thin Film Physics and Applications 6984 2008年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1117/12.792280
金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成　~電界印加効果、触媒種効果~ 査読

萩原貴嗣，都甲薫，佐道泰造

電子情報通信学会　信学技報 2008年4月

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記述言語：日本語
Abnormal oxidation characteristics of SiGe/SOI structures depending on piled-up Ge fraction at SiO2/SiGe interface 査読国際誌

M.Tanaka, T. Ohka, T. Sadoh, and M. Miyao

J. Appl. Phys. 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nucleation-controlled metal-induced lateral crystallization of amorphous Si[1-x]Ge[x] with whole Ge fraction on insulator (Special issue Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and related materials) 査読

Taizoh Sadoh, Kaoru Toko, Hiroshi Kanno, Shunji Masumori, Masaru Itakura, Noriyuki Kuwano, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 47 ( 3 ) 1876 - 1879 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nucleation-controlled metal-induced lateral crystallization of amorphous Si_1-xGe_x with whole Ge fraction on insulator 査読

Taizoh Sadoh, Kaoru Toko, Hiroshi Kanno, Shunji Masumori, Masaru Itakura, Noriyuki Kuwano, Masanobu Miyao

Japanese journal of applied physics 47 ( 3 PART 2 ) 1876 - 1879 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.1876
Abnormal oxidation characteristics of SiGeSi -on-insulator structures depending on piled-up Ge fraction at Si O2 SiGe interface 査読

Masanori Tanaka, Tatsuo Ohka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Journal of Applied Physics 103 ( 5 ) 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2894583
Site preference of atoms in heusler alloys Fe₃Si and Fe ₂MnSi grown on ge(111) toward realization of Ge channel spin transistors

Yoshihito Maeda, Yusuke Hiraiwa, Kazumasa Narumi, Atsuo Kawasuso, Yosikazu Terai, Yuichiro Ando, Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Kohei Hamaya, Masanobu Miyao

New Materials with High Spin Polarization and Their Applications Materials Research Society Symposium Proceedings - New Materials with High Spin Polarization and Their Applications 13 - 18 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Comparative study of Al-induced crystallization for poly-Si and Ge on insulating film

Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao

5th International Symposium on ULSI Process Integration - 212th ECS Meeting ECS Transactions - 5th International Symposium on ULSI Process Integration 395 - 400 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2778396
Low-temperature epitaxial growth of [Fe₃Si/SiGe]_n (n=1-2) multi-layered structures for spintronics application

T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao

5th International Symposium on ULSI Process Integration - 212th ECS Meeting ECS Transactions - 5th International Symposium on ULSI Process Integration 473 - 479 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2778404
High-performance poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain

Taizoh Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, M. Miyao

6th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, PRICM 6 Selected, peer reviewed papers from The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, PRICM 6 1181 - 1184 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Formation of Fe₃Si/Ge/Fe₃Si multi-layer by double heteroepitaxy on high quality Fe₃Si/Ge substrate for spintronics application

Koji Ueda, Yuichiro Ando, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Yoshihito Maeda, Masanobu Miyao

5th International Symposium on ULSI Process Integration - 212th ECS Meeting ECS Transactions - 5th International Symposium on ULSI Process Integration 487 - 491 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2778406
Effect of Fe/Si ratio on epitaxial growth of Fe₃Si on Ge substrate

M. Kumano, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao

5th International Symposium on ULSI Process Integration - 212th ECS Meeting ECS Transactions - 5th International Symposium on ULSI Process Integration 481 - 485 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/1.2778405
Axial orientation of molecular-beam-epitaxy-grown Fe3 SiGe hybrid structures and its degradation 査読

Yoshihito Maeda, Takafumi Jonishi, Kazumasa Narumi, Yu Ichiro Ando, Koji Ueda, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 91 ( 17 ) 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2801705
Comparative Study of Al-Induced Crystallization for Poly-Si and Ge on Insulating Film 査読国際誌

Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Transactions 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Axial orientation of molecular-beam-epitaxy-grown Fe3Si/Ge hybrid structures and its degradation 査読国際誌

Yoshihito Maeda, Takafumi Jonishi, Kazumasa Narumi, Yu-ichiro Ando, Koji Ueda, Mamoru Kumano, Taizoh Sadoh, and Masanobu Miyao

Appl. Phys. Lett. 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of Fe3Si/Ge/Fe3Si Multi-Layer by Double Heteroepitaxy on High Quality Fe3Si/Ge Substrate for Spintronics Application 査読国際誌

K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda and M.Miyao

ECS Transactions 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of Fe/Si Ratio on Epitaxial Growth of Fe3Si on Ge Substrate 査読国際誌

M. Kumano, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao

ECS Transactions 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Editorial 査読

Yoshihito Maeda, Kevin P. Homewood, Taizoh Sadoh, Yoshikazu Terai, Kenji Yamaguchi, Kensuke Akiyama

Thin Solid Films 515 ( 22 ) 8101 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2007.02.019
Ni-imprint induced solid-phase crystallization in Si_1-xGe _x (x 0-1) on insulator 査読

Kaoru Toko, Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Tanemasa Asano, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 91 ( 4 ) 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2764447
Influence of substrate orientation on low-temperature epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe3Si on Si 査読

Koji Ueda, Ryo Kizuka, Hisashi Takeuchi, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 515 ( 22 ) 8250 - 8253 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2007.02.052
Ni-Imprint Induced Solid-Phase Crystallization in Si1-xGex(x:0-1) on Insulator 査読国際誌

K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao

Appliedd Physics Letters 2007年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application 査読

Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao

2007年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ge-channel thin-film transistor with schottky Source/drain fabricated by low-temperature processing 査読

Taizoh Sadoh, Hayato Kamizuru, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46 ( 3 B ) 1250 - 1253 2007年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.1250
Recent Progress of SiGe Heterostructure Technologies for Novel Devices : 査読国際誌

M. Miyao, H. Kanno, and T. Sadoh

ECS Transactions 2006年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low temperature crystallization of a-SiGe on insulating films for thin film transistor application 査読

Masanobu Miyao, Hiroshi Kanno, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh

SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices - 210th Electrochemical Society Meeting ECS Transactions 3 ( 7 ) 613 - 626 2006年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.2355858
Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe₃Si on Ge 査読

T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, M. Miyao

Applied Physics Letters 89 ( 18 ) 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2378399
Temperature dependent metal-induced lateral crystallization of amorphous SiGe on insulating substrate 査読

Hiroshi Kanno, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 89 ( 18 ) 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2374849
Low-temperature formation (<500 °c) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain 査読

89 ( 19 ) 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Poly-Ge thin-film transistors (TFTs) with Schottky source/drain (S/D) contacts were fabricated on glass by low-temperature (<500 °C) processing. First, the annealing characteristics of Ni/crystal-Ge stacked structures were examined. The results indicated that NiGen-Ge Schottky contacts (φ Bn =0.51 eV, n=1) with flat interfaces and low reverse leakage current [(2-5) × 10-2 A cm2] could be obtained by choosing an appropriate annealing temperature (200-300 °C). Based on this result, p -channel TFTs were fabricated with poly-Ge formed on glass by solid-phase crystallization at 500 °C. TFTs showed relatively high hole mobility (about 140 cm2 V s) with very low S/D parasitic resistance and no kink effect. The potential capability of the proposed devices for high-performance TFTs was demonstrated.

DOI： 10.1063/1.2387136
Temperature dependent metal-induced lateral crystallization of amorphous SiGe on insulating substrate 査読国際誌

H. Kanno, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

Appl. Phys. Lett. 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Stress-Relaxation Process during Post-Annealing in SGOI Formed by H^+ Irradiation and Oxidation-Induced Ge Condensation 査読

Masanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Koji Matsumoto, Toyotsugu Enokida, Masanobu Miyao

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 444 - 445 2006年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Directional Growth of Si Nanowires on Insulating Films by Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization : 査読国際誌

H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao

Mat. Res. Soc. Symp. Proc 2006年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Directional growth of Si nanowires on insulating films by electric-field-assisted metal-induced lateral crystallization

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

2005 MRS Fall Meeting Progress in Semiconductor Materials V - Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications 257 - 262 2006年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Recent progress of SiGe heterostructure technologies for novel devices

Masanobu Miyao, Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh

2nd International Symposium on Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing - 209th Meeting of the Electrochemical Society Dielectrics for Nanosystems II Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing 2 165 - 179 2006年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Electric field-dependent Ni-mediated lateral crystallization of a-Si on SiO2 : ( (Jun.,.2006)) 査読国際誌

H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh and M. Miyao

Thin Solid Films 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Thickness-dependent stress-relaxation in thin SGOI structures and its improvement 査読

Masanori Tanaka, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Toyotsugu Enokida, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 508 ( 1-2 ) 247 - 250 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.316
Morphological change of Co-nanodot on SiO₂ by thermal treatment 査読

Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Atsushi Kenjo, Fumiya Shoji, Kaoru Sato, Hiroyuki Kurino, Mitsumasa Koyanagi, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 508 ( 1-2 ) 178 - 181 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.10.005
Electric field-dependent Ni-mediated lateral crystallization of a-Si on SiO₂ 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 508 ( 1-2 ) 40 - 43 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.315
Characterization of metal-induced lateral crystallization of amorphous SiGe on insulating film 査読

Masaru Itakura, Syunji Masumori, Tomohisa Ohta, Yoshitsugu Tomokiyo, Noriyuki Kuwano, Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 508 ( 1-2 ) 57 - 60 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.06.102
Au-induced lateral crystallization of a-Si_1-xGe_x (x 0-1) at low temperature 査読

Tomohisa Aoki, Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Thin Solid Films 508 ( 1-2 ) 44 - 47 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.317
Morphological change of Co-nanodot on SiO2 by thermal treatment 査読国際誌

K. Ueda, T. Sadoh, A. Kenjo, F. Shoji, H. Kurino, M. Koyanagi, and M. Miyao

Thin Solid Films 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Thickness Dependent Stress-Relaxation in Thin SGOI Structures and Its Improvement 査読国際誌

M.Tanaka, I. Tsunoda, T. Sadoh, T. Enokida, M. Ninomiya, M. Nakamae and M. Miyao

Thin Solid Films 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Characterization of metal-induced lateral crystallization of amorphous SiGe on insulating film 査読国際誌

: M. Itakura, S. Masumori, T. Ohta, Y. Tomokiyo, N. Kuwano, H. Kanno, T. Sadoh and M. Miyao

Thin Solid Films 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Au-induced Lateral Crystallization of a-Si1-xGex(x: 0-1) at low-temperature 査読国際誌

T. Aoki, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao

Thin Solid Films 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous SiGe on SiO2 査読国際誌

H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys. 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Suppression of floating body effects in polycrystalline silicon thin-film transistor by schottky source/drain structure 査読

Taizoh Sadoh, Yasuhiro Ohyama, Atsushi Kenjo, Keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 5 B ) 4370 - 4373 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.4370
Suppression of Floating Body Effects in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor by Schottky Source/Drain Structure (Special Issue Active-Matrix Liquid-Crystal Displays--TFT Technologies and Related Materials) 査読

T. Sadoh, Yasuhiro Ohyama, Atsushi Kenjo, Keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 45 ( 5 ) 4370 - 4373 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Electric-field-assisted metal-induced lateral crystallization of amorphous SiGe on SiO₂ 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 5 B ) 4351 - 4354 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.4351
Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous SiGe on SiO2 (Special Issue Active-Matrix Liquid-Crystal Displays--TFT Technologies and Related Materials) 査読

H. Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 45 ( 5 ) 4351 - 4354 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Highly strain-relaxed ultrathin SiGe-on-insulator structure by Ge-condensation process combined with H+ irradiation and post-annealing 査読国際誌

M. Miyao, M. Tanaka, I. Tsunoda, T. Sadoh, T. Enokida, H. Hagino, M. Ninomiya and M. Nakamae

Appl. Phys. Lett. 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Improved oxidation-induced Ge condensation technique using H⁺ implantation and post annealing for highly stress-relaxed ultrathin SiGe on insulator 査読

Masanori Tanaka, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Toyotsugu Enokida, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 4 B ) 3147 - 3149 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.3147
Improved Oxidation-Induced Ge Condensation Technique Using H〔+〕 Implantation and Post Annealing for Highly Stress-Relaxed Ultrathin SiGe on Insulator (Special Issue Solid State Devices & Materials) 査読

45 ( 4 ) 3147 - 3149 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Highly strain-relaxed ultrathin SiGe-on-insulator structure by Ge condensation process combined with H⁺ irradiation and postannealing 査読

Masanobu Miyao, Masanori Tanaka, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Toyotsugu Enokida, Hiroyasu Hagino, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae

Applied Physics Letters 88 ( 14 ) 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2192644
Epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe₃Si on Si(111) substrate 査読

Taizoh Sadoh, Hisashi Takeuchl, Koji Ueda, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 4 B ) 3598 - 3600 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.3598
Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si(111) Substrate (Special Issue Solid State Devices & Materials) 査読

Taizoh Sadoh, Hisashi Takeuchi, Koji Ueda, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 45 ( 4 ) 3598 - 3600 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Improved Oxidation-Induced Ge Condensation Technique by Using H+ Irradiation and Post-Annealing for Highly Stress-Relaxed Ultrathin SGOI : 査読国際誌

M. Tanaka, I. Tsunoda, T. Sadoh, T. Enokida, M. Ninomiya, M. Nakamae and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys. 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si (111) Substrate 査読国際誌

T. Sadoh, H. Takeuchi, K. Ueda, A. Kenjo, and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys. 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-Temperature Formation of Poly-Si_1-xGe_x (0<x<1) Films by Ni-Induced Lateral Crystallization for Advanced TFT 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 126 ( 9 ) 1073 - 1078 2006年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejeiss.126.1073
Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe_3Si on Si (111) Substrate 査読

T. Sadoh, H. Takeuchi, K. Ueda, A. Kenjo, M. Miyao

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 374 - 375 2005年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Pulsed laser crystallization of silicon-germanium films 査読

T. Sameshima, H. Watakabe, H. Kanno, Taizoh Sadoh, M. Miyao

International Conference on Polycrystalline Semiconductors-Materials, Technologies, Device Applications Thin Solid Films 487 ( 1-2 ) 67 - 71 2005年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.01.037
Magnetic and Microstructural Properties of FePt L10 Nanoparticle Films Fabricated by Self-Assembled Deposition Method 査読

J. C. Bea, C.-K. Yin, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Sadoh, M. Miyao, M. Koyanagi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 436 - 437 2005年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Improved oxidation-induced Ge condensation technique by using H^+ irradiation and post-annealing for highly stress-relaxed ultrathin SGOI 査読

Masanori Ikishima, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Toyotsugu Enokida, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Masanobu Miyao

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 866 - 867 2005年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ge fraction dependent improved thermal stability of in situ doped boron in polycrystalline Si _1-xGe _x (0≤x≤0.5) films on SiON 査読

97 ( 5 ) 2005年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Postannealing characteristics of in situ doped B atoms in poly- Si1-x Gex (x≤0.5) films on SiON have been investigated. Supersaturated electrically active B (2× 1020 cm-3) is obtained for as-chemical vapor deposition samples, and their thermal stability is significantly improved by increasing Ge fraction, e.g., the stability for poly- Si0.6 Ge0.4 is ten times as high as that for poly-Si at 700-800°C. Such a Ge induced improvement will be a powerful tool to achieve poly-SiGe gate electrode for the next generation ultralarge scale integrated circuits. In addition, the deactivation process of electrically active B has been analyzed. Results indicated that deactivation processes consist of fast and slow processes. The former is due to movement of B atoms from substitutional to interstitial sites, which is enhanced by a local strain induced by the difference in atomic radii between Si and B atoms. The slow process was due to trapping of B at grain boundaries during grain growth. The two-state model based on the local strain compensation by Ge doping is proposed, which can well explain the Ge dependent thermal stability of electrically active B atoms.

DOI： 10.1063/1.1854731
Enhanced stress relaxation in ultrathin SiGe-on-insulator by H+ -implantation-assisted oxidation 査読

T. Sadoh, R. Matsuura, M. Miyao, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida

Applied Physics Letters 86 ( 21 ) 1 - 13 2005年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1935028
Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H^+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator 査読

Taizoh Sadoh, Ryo Matsuura, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Toyotsugu Enokida, Hiroyasu Hagino, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 44 ( 4 ) 2357 - 2360 2005年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-temperature formation of poly-Si_1-xGe_x (x 0-1) on SiO₂ by Au-mediated lateral crystallization 査読

Hiroshi Kanno, Tomohisa Aoki, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 4 B ) 2405 - 2408 2005年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.2405
Low-Temperature Formation of Poly-Si_<1-x>Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization 査読

Hiroshi Kanno, Tomohisa Aoki, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 44 ( 4 ) 2405 - 2408 2005年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Improvement of oxidation-induced Ge condensation method by H⁺ implantation and two-step annealing for highly stress-relaxed SiGe-on-insulator 査読

Taizoh Sadoh, Ryo Matsuura, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Toyotsugu Enokida, Hiroyasu Hagino, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 4 B ) 2357 - 2360 2005年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.2357
400 °c Formation of poly-SiGe on SiO₂ by Au-induced lateral crystallization 査読

8 ( 1-3 SPEC. ISS. ) 79 - 82 2005年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Au-induced low-temperature (400 °C) crystallization of amorphous-Si_1-xGe_x (x: 0-1) thin films on SiO₂ has been investigated. Although the growth velocity decreased with increasing Ge fraction, growth velocity exceeding 20 μm/h was obtained in all Ge fractions. As a result, strain-free poly-Si_1-xGe_x with large areas (>20 μm) were obtained at a low temperature (400 °C). These new polycrystalline SiGe films on insulator could be used for advanced system in display and three-dimensional ULSI.

DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.060
H⁺ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si _1-xGe_x on SiO₂ during oxidation-induced Ge condensation process 査読

T. Sadoh, R. Matsuura, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, H. Hagino, M. Miyao

Materials Science in Semiconductor Processing 8 ( 1-3 SPEC. ISS. ) 167 - 170 2005年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.043
Ge-enhanced MILC velocity in a-Ge/a-Si/SiO₂ layered structure 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Materials Science in Semiconductor Processing 8 ( 1-3 SPEC. ISS. ) 83 - 88 2005年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.036
Ion-beam enhanced stress-relaxation of SiGe on SiO₂

M. Tanaka, T. Sadoh, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, M. Miyao

2005 MRS Fall Meeting Growth, Modification and Analysis by Ion Beams at the Nanoscale 50 - 54 2005年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1557/proc-0908-oo05-21
Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator 査読

Taizoh Sadoh, Ryo Matsuura, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Toyotsugu Enokida, Hiroyasu Hagino, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 44 ( 4 ) 2357 - 2360 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.2357
Formation of polycrystalline-silicon-germanium films by pulsed laser-induced rapid annealing 査読

Hajime Watakabe, Toshiyuki Sameshima, Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Fifth International Symposium on Laser Precision Microfabrication Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 5662 428 - 431 2004年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1117/12.596398
Enhanced crystal nucleation in a-Si on SiO₂ by local Ge doping 査読

T. Sadoh, K. Nagatomo, I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Enokida, M. Miyao

Thin Solid Films 464-465 99 - 102 2004年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.06.010
Strain in β-FeSi ₂ modulated by Ge segregation in solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe] _n stacked structure 査読

237 ( 1-4 ) 146 - 149 2004年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Solid-phase growth of the [a-Si/a-FeSiGe] _n (n: 1, 2, 4; total thickness: 500nm) stacked structure has been investigated. After annealing at 700°C, the [a-SiGe/β-FeSi ₂ (Ge)] _n stacked structures were formed. From the analysis of the X-ray diffraction spectra, it was found that β-FeSi ₂ (Ge) was strained by 0.4-0.5% for n = 1. With increasing n, the strains decreased, which was due to segregation of Ge atoms from the a-FeSiGe layers to the a-Si layers. After annealing at 800°C, agglomeration of β-FeSi ₂ occurred and Ge atoms vanished completely from the β-FeSi ₂ lattice. Thus, nanocrystals of relaxed β-FeSi ₂ and c-Si _0.7 Ge _0.3 were formed. These new structures can be useful for formation of opto-electrical devices.

DOI： 10.1016/S0169-4332(04)01007-4
Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H^+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SGOI 査読

Taizoh Sadoh, Ryo Matsuura, M. Ninomiya, M. Nakamae, T. Enokida, H. Hagino, M. Miyao

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 780 - 781 2004年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low-Temperature Formation of Poly-Si_<1-x>Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization 査読

Hiroshi Kanno, Tomohisa Aoki, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 516 - 517 2004年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Formation of SiGe/β-FeSi₂ superstructures from amorphous Si/FeSiGe layers 査読

461 ( 1 ) 77 - 80 2004年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Growth of SiGe/β-FeSi₂ superstructures by annealing of a-Si/a-FeSiGe layered structures was investigated for control of the strains in β-FeSi₂ by Ge doping. The [a-SiGe/β-FeSi ₂(Ge)]_n multi-layered structures were formed after annealing at 700°C. From the analysis of the X-ray diffraction (XRD) spectra, it was found that β-FeSi₂(Ge) was strained by 0.4-0.5% for the sample with n=1. The strains decreased with increasing n, which was due to that the segregation of the Ge atoms from the a-Fe_0.4Si _0.5Ge_0.1 layers to the a-Si layers became large with increasing n. After annealing at 800°C, agglomeration of β-FeSi ₂ occurred, and nanocrystals of relaxed β-FeSi₂ and c-Si_0.7Ge_0.3 were formed. These demonstrate that the SiGe/β-FeSi₂ superstructures were formed by the Ge segregation. These new structures are useful for formation of opto-electrical devices.

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.02.068
Thin Solid Films Preface 査読

Yoshihito Y. Maeda, Kevin P. Homewood, Takashi Suemasu, Taizoh Sadoh, Haruhiko Udono, Yamaguchi Kenji

Proceedings of Symposium on Semiconducting Silicides Thin Solid Films 461 ( 1 ) 2004年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.02.048
Solid-phase crystallization of β-FeSi₂ thin film in Fe/Si structure 査読

461 ( 1 ) 68 - 71 2004年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Dependence of solid-phase growth of β-FeSi₂ thin films on the crystal orientation of Si substrates has been investigated by using a-Fe (thickness: 20 nm)/c-Si(100), (110) and (111) stacked structures. X-ray diffraction (XRD) measurements suggested that the substrate orientation dependence of the formation rate of β-FeSi₂ was as follows: (100)>(111)>(110). This dependence can be explained on the basis of the lattice mismatch between β-FeSi₂ and Si substrates, i.e., the lattice mismatch between β-FeSi₂(100) and Si(100), β-FeSi₂(110) or (101) and Si(111), and β-FeSi ₂(010) or (001) and Si(110) of 1.4-2.0%, 5.3-5.5% and 9.2%, respectively. The substrate orientation dependence of solid-phase growth becomes relatively remarkable for very thin films.

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.02.065
Modified metal-induced lateral crystallization using amorphous Ge/Si layered structure 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Physics Letters 85 ( 6 ) 899 - 901 2004年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1780595
Impurity conduction in ion beam synthesized β-FeSi₂/Si 査読

461 ( 1 ) 198 - 201 2004年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Carrier transport in ion-beam synthesized (IBS) β-FeSi₂ was investigated by using Hall effect measurement at low temperatures (15-300 K). The measurement showed p-type conduction in the temperature range of 15-300 K. The Hall coefficient increased with increasing temperature up to 25 K, and then it decreased, which suggested the two carrier conduction, i.e., the impurity conduction, as well as the conduction in the valence band, play an important role in the carrier transport. Based on the two carrier model, the hole concentration and mobility for the impurity conduction at 25 K were evaluated to be 9.9×10¹⁷ cm^-3 and 0.85 cm² V ^-1 s^-1, respectively, which suggested that the acceptors were isolated and did not form the impurity band at the impurity concentration of 9.9×10¹⁷ cm^-3. Thus, the threshold concentration for the impurity band formation was more than three orders of magnitude higher than that for GaAs (2×10¹⁶ cm^-3), which could be explained on the basis of the Mott criterion.

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.02.071
Electrical and structural properties of poly-SiGe film formed by pulsed-laser annealing 査読

H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, T. Sadoh, M. Miyao

Journal of Applied Physics 95 ( 11 I ) 6457 - 6461 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1707216
Enhanced metal-induced lateral crystallization in amorphous Ge/Si/SiO ₂ layered structure 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 4 B ) 1852 - 1855 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1852
Nucleation control in solid-phase crystallization of a-Si/SiO₂ by local Ge insertion 査読

Isao Tsunoda, Kei Nagatomo, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Shinya Yamaguchi, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 4 B ) 1901 - 1904 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1901
Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion 査読

Isao Tsunoda, Kei Nagatomo, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Shinya Yamaguchi, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 43 ( 4 ) 1901 - 1904 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1901
Formation of β-FeSi_<2-x>Ge_x by Ge-Segregation-Controlled Solid-Phase Growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n Multilayered Structure 査読

43 ( 4 ) 1879 - 1881 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_0.4Si_0.5Ge_0.1]_n (n=1, 2, 4; total thickness: 500 nm) multilayered structures has been investigated. After annealing at 700°C, [a-SiGe/polycrystalline β-FeSi_2−xGe_x]_n (x=0.5, 0.4, 0.2 for n=1, 2, 4, respectively) multilayered structures were formed. From the analysis of X-ray diffraction spectra, it was found that the lattice constants of β-FeSi_1.5Ge_0.5 changed from those of relaxed β-FeSi₂ by 0.4–0.5%. The change decreased with increasing n, which was due to the segregation of Ge atoms from the a-Fe_0.4Si_0.5Ge_0.1 layers to the a-Si layers becoming larger with increasing n. After annealing at 800°C, Ge atoms were completely swept out from the β-FeSi_2−xGe_x lattice. In addition, the agglomeration of β-FeSi₂ occurred, and nanocrystals of relaxed β-FeSi₂ and c-Si_0.7Ge_0.3 were formed. This technique for the formation of β-FeSi_2−xGe_x is expected to be useful for energy gap modulation for advanced optoelectrical devices.

DOI： 10.1143/JJAP.43.1879
Formation of β-FeSi_2-xGe_x by Ge-segregation-controlled solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n multilayered structure 査読

43 ( 4 B ) 1879 - 1881 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_0.4Si_0.5Ge _0.1]_n (n = 1, 2, 4; total thickness: 500 nm) multilayered structures has been investigated. After annealing at 700°C, [a-SiGe/polycrystalline β-FeSi_2-xGe_x]_n (x = 0.5, 0.4, 0.2 for n = 1, 2, 4, respectively) multilayered structures were formed. From the analysis of X-ray diffraction spectra, it was found that the lattice constants of β-FeSi_1.5Ge_0.5 changed from those of relaxed β-FeSi₂ by 0.4-0.5%. The change decreased with increasing n, which was due to the segregation of Ge atoms from the a-Fe _0.4Si_0.5Ge_0.1 layers to the a-Si layers becoming larger with increasing n. After annealing at 800°C, Ge atoms were completely swept out from the β-FeSi_2-xGe_x lattice. In addition, the agglomeration of βFeSi₂ occurred, and nanocrystals of relaxed β-FeSi₂ and c-Si_0.7Ge _0.3 were formed. This technique for the formation of βFeSi _2-xGe_x is expected to be useful for energy gap modulation for advanced optoelectrical devices.

DOI： 10.1143/JJAP.43.1879
Enhanced crystal nucleation in a-SiGe/SiO ₂ by ion-irradiation assisted annealing 査読

Isao Tsunoda, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Applied Surface Science 224 ( 1-4 ) 231 - 234 2004年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.051
Solid-phase crystallization of high-quality Si films on SiO₂ by local Ge-insertion 査読

I. Tsunoda, K. Nagatomo, A. Kenjo, Taizoh Sadoh, M. Miyao

Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Thin Solid Films 451-452 489 - 492 2004年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2003.11.011
Ge-dependent morphological change in poly-SiGe formed by Ni-mediated crystallization 査読

T. Sadoh, H. Kanno, A. Kenjo, M. Miyao

Applied Surface Science 224 ( 1-4 ) 227 - 230 2004年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.050
Enhancement of metal-induced crystallization in Ge/Si/Ni/SiO₂ layered structure 査読

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Thin Solid Films 451-452 324 - 327 2004年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2003.11.059
Formation of β-FeSi_<2-x>Ge_x by Ge-segregation-controlled solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n multilayered structure 査読

43 ( 4 ) 1879 - 1881 2004年

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1879
Furnace Annealing Behavior of B-deped Poly-SiGe Formed on Insulating Film 査読

Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Masanobu[et al] Miyao

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 8 ( 2 ) 151 - 154 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.15017/1515848
Strain modulation of β-FeSi₂(Ge) formed by SPC of [a-Si/a-FeSiGe]_n stacked-structure 査読

8 ( 2 ) 189 - 191 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_0.4Si_0.5Ge_0.1]_n stacked-structures has been investigated. [a-Si/a-Fe_0.4Si_0.5Ge_0.1]_n/c-Si (n=1, 2, 4) samples were annealed at 700-900°C for 30 min in a vacuum. The grown layers were analyzed by using Auger electron spectroscopy, the X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and the transmission electron microscopy. After annealing at 700°C, β-FeSi₂(Ge) strained by 0.4-0.5% was successfully formed for the sample with n=1. The strains became small with increasing n, i.e., with thinning layer. In addition, superstructures consisting of β-FeSi₂ and c-Si_0.7Ge_0.3 nanocrystals were obtained by Ge segregation after annealing at 800°C. These new structures are useful for fabrication of opto-electrical devices.
Solid-phase growth of β-FeSi₂ on Si substrates with different crystal orientations 査読

8 ( 2 ) 155 - 158 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Orientation dependent solid-phase growth of β-FeSi₂ thin films on (100), (110), and (111) Si substrates has been investigated by using a-Fe(thickness: 20 nm)/c-Si stacked structures. XRD measurements suggested that the substrate orientation dependence of the formation rate of β-FeSi₂ was as follows: (100) > (111) > (110). This dependence can be explained on the basis of the lattice mismatch between β-FeSi₂ and Si substrates, i.e., the lattice mismatch between β-FeSi₂ (100) and Si (100), β-FeSi₂ (110) or (101) and Si (111), and β-FeSi₂ (010) or (001) and Si (110) are 1.4-2.0%, 5.3-5.5%, and 9.2%, respectively. The substrate orientation dependence of solid-phase growth becomes relatively remarkable for very thin films.
Solid-Phase Growth of β-FeSi_2 on Si Substrates with Different Crystal Orientations 査読

8 ( 2 ) 155 - 158 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Orientation dependent solid-phase growth of β-FeSi_2 thin films on (100), (110), and (111) Si substrates has been investigated by using a-Fe (thickness: 20 nm)/c-Si stacked structures. XRD measurements suggested that the substrate orientation dependence of the formation rate of β-FeSi_2 was as follows: (100) > (111) > (110). This dependence can be explained on the basis of the lattice mismatch between β-FeSi_2 and Si substrates, i.e., the lattice mismatch between β-FeSi_2(100) and Si (100), β-FeSi_2 (110) or (101) and Si (111), and β-FeSi_2(010) or (001) and Si (110) are 1.4-2.0%, 5.3-5.5%, and 9.2%, respectively. The substrate orientation dependence of solid-phase growth becomes relatively remarkable for very thin films.

DOI： 10.15017/1515849
Solid phase crystallization of a-Si in Si/Ge multi-layer 査読

Isao Tsunoda, Kei Nagatomo, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 8 ( 2 ) 147 - 150 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Relaxation process of ion irradiation defects in IV-semiconductors 査読

Y. Murakami, M. Miyata, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao

E-MRS 2002 Symposium E Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 102 ( 1-3 ) 362 - 365 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0921-5107(02)00620-7
Furnace annealing behavior of B-doped poly-SiGe formed on insulating film 査読

Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 8 ( 2 ) 151 - 154 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Enhanced solid-phase growth of β-FeSi₂ by pre-amorphization 査読

206 304 - 307 2003年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Effects of Ar⁺ ion-irradiation on solid-phase growth of β-FeSi₂ have been investigated. Fe (10 nm)/Si structures were irradiated with 20 keV Ar⁺ (5.0 × 10¹⁵ cm^-2) at room temperature (RT) or 400 °C, and subsequently annealed at 800 °C. The results of X-ray diffraction measurements suggested that the formation of β-FeSi₂ for the sample irradiated at RT was faster than that irradiated at 400 °C. However, Auger electron spectroscopy measurements showed that atomic mixing at the Fe/Si interface before annealing was larger for the sample irradiated at 400 °C. These results suggested that amorphization of the Si substrate, in addition to atomic mixing at the Fe/Si interface, enhanced formation of β-FeSi₂, which was attributed to atomic rearrangement induced during defect relaxation in annealing process.

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00750-X
Etching characteristics of SiO₂ irradiated with focused ion beam 査読

T. Sadoh, H. Eguchi, A. Kenjo, M. Miyao

13th International conference on Ion beam modification of Mate Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 206 478 - 481 2003年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00800-0
Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO_2 by Focused Ion Beam 査読

Taizoh Sadoh, Hiroomi Eguchi, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 4 ) 1855 - 1858 2003年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Metal-induced solid-phase crystallization of amorphous SiGe films on insulator 査読

Hiroshi Kanno, Isao Tsunoda, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Shinya Yamaguchi, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 42 ( 4 B ) 1933 - 1936 2003年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.42.1933
Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator 査読

Hiroshi Kanno, Isao Tsunoda, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Shinya Yamaguchi, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 1 ) 1933 - 1936 2003年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Dose-dependent etching selectivity in SiO₂ by focused ion beam 査読

Taizoh Sadoh, Hiroomi Eguchi, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 42 ( 4 B ) 1855 - 1858 2003年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.42.1855
Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO2by Focused Ion Beam 査読

Taizoh Sadoh, Hiroomi Eguchi, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 1 ) 1855 - 1858 2003年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ion-Beam Irradiation Effect on Solid-Phase Growth of β-FeSi2 査読国際誌

16 ( 3-4 ) 505 - 508 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S1386-9477(02)00641-0
Ion-beam irradiation effect on solid-phase growth of β-FeSi₂ 査読

16 ( 3-4 ) 505 - 508 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Effects of Ar⁺ ion-beam irradiation on solid-phase growth of β-FeSi₂ have been investigated. Fe (10 nm)/Si structures were irradiated with 25 keV Ar⁺(5.0 × 10¹⁵ cm^-2) at a temperature of 25°C (sample A) or 400°C (sample B), and subsequently annealed at 800°C. A reference was obtained after annealing without irradiation (sample C). X-ray diffraction results indicated that β-FeSi₂ was formed after annealing at 800°C for 5 h, and the formation rate was the fastest for sample A and the slowest for sample C, i.e., A > B≫C. However, Auger electron spectroscopy measurements showed that atomic mixing at Fe/Si interface before annealing was B > A≫C. These results suggested that amorphization of Si substrate, in addition to atomic mixing, enhanced the solid-phase growth of β-FeSi₂, which was confirmed experimentally. Moreover, a direct band gap of 0.89 eV was observed for the sample with pre-amorphization by the Fourier-transform infrared (FT-IR) spectroscopy measurements. These enhancement effects were attributed to that the phase transition to β-FeSi₂ was accelerated by atomic arrangement induced during annihilation of excess vacancies. These enhancement effects can be utilized for nano-fabrication of β-FeSi₂ by using focused ion-beam irradiation.

DOI： 10.1016/S1386-9477(02)00641-0
Ge-fraction-dependent metal-induced lateral crystallization of amorphous-Si1-xGex (0≤x≤1) on SiO2 査読

82 ( 13 ) 2148 - 2150 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The metal-induced low-temperature crystallization (MILC) of amorphous Si_1-xGe_x on SiO₂ was investigated. It was found that the growth velocity of MILC-Si_1-xGe_x enhanced by 80% by increasing Ge fraction from 0% to 20% achieved poly-Si_0.8Ge_0.2 with large grains. Very sharp needle-like crystal regions were also obtained by optimizing the growth conditions.

DOI： 10.1063/1.1564298
Enhancement of bulk nucleation in a-Si_1-xGe_x on SiO₂ for low-temperature solid-phase crystallization 査読

T. Sadoh, I. Tsunoda, T. Nagata, A. Kenjo, M. Miyao

E-MRS, K Thin Solid Films 427 ( 1-2 ) 96 - 100 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(02)01255-5
Formation of high quality β-FeSi₂ by pre-amorphization- enhanced diffusion 査読

792 201 - 205 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Effects of Ar⁺ ion irradiation on solid-phase growth of β-FeSi₂ have been investigated. Si substrates were amorphized with Ar⁺ ions (20 keV) before Fe (15 nm) deposition to form Fe(15 nm)/a-Si/c-Si stacked structures. As a reference, Fe/c-Si stacked structures were prepared. In the initial stage of annealing at 800°C, β-FeSi ₂ formation was enhanced for pre-amorphized samples, which was due to the enhanced diffusion of silicidation species. In the long time annealing, β-FeSi₂ formation proceeded by thermal equilibrium diffusion, and the formation rate was not affected by pre-amorphization. Crystal quality of β-FeSi₂ was improved by pre-amorphization. The pre-amorphization enhanced diffusion is useful for formation of high quality β-FeSi₂ thin films.

DOI： 10.1557/proc-792-r9.16
Strain modulation of β-FeSi₂ by Ge-segregation in solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n multi-layer 査読

796 57 - 62 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Strain modulation of β-FeSi₂ by Ge doping was investigated. By solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_0.4Si_0.5Ge _0.1]_n layered structures, the [a-SiGe/β-FeSi _2-xGe_x]_n multi-layered structures (n=1, 2, 4) were formed after annealing at 700°C. From the analysis of the x-ray diffraction spectra, it was found that β-FeSi_1.3Ge_0.7 strained by 0.4-0.5 % was formed for the sample with n=1. This value corresponded to the band gap modulation of 30 meV based on the theoretical calculation. The strains decreased with increasing n, which was due to that segregation of Ge atoms from the a-Fe_0.4Si_0.5Ge _0.1 layers to the a-Si layers became significant with increasing n. After annealing at 800°C, agglomeration of β-FeSi₂ occurred, and nanocrystals of relaxed β-FeSi₂ and c-Si _0.7Ge_0.3 were formed. These new structures are useful for formation of opto-electrical devices.

DOI： 10.1557/proc-796-v2.9
Position control of nucleation in solid-phase crystallization of a-Si/SiO₂ by Ge layer insertion 査読

Taizoh Sadoh, Kei Nagatomo, Isao Tsunoda, Atsushi Kenjo, Masanobu Miyao

Critical Interfacial Issues in Thin-Film Optoelectronic and Energy Conversion Devices Materials Research Society Symposium - Proceedings 796 39 - 43 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/proc-796-v2.5
Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator 査読

Hiroshi Kanno, Isao Tsunoda, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Shinya Yamaguchi, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 4 ) 1933 - 1936 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.42.1933
Mechanism of Improved Thermal Stability of B in poly-SiGe Gate on SiON 査読国際誌

T. Sadoh, Fitrianto, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, and M. Miyao

Jpn. J. Appl. Phys 41 ( 4B ) 2468 - 2471 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.2468
Mechanism of improved thermal stability of B in poly-SiGe gate on SiON 査読

Taizoh Sadoh, Fitrianto, Atsushi Kenjo, Akihiro Miyauchi, Hironori Inoue, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 41 ( 4 B ) 2468 - 2471 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.2468
Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si_1-xGe_x on SiO₂ by ion-beam stimulation 査読

Isao Tsunoda, Tomohiro Nagata, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 89 ( 1-3 ) 336 - 340 2002年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00770-X
Thermal stability of B in poly-SiGe on SiON 査読

T. Sadoh, Fitrianto, M. Kunigami, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, M. Miyao

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 89 ( 1-3 ) 129 - 132 2002年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00816-9
Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si1-xGex on SiO2 by ion-beam stimulation 査読国際誌

I. Tsunoda, T. Nagata, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao

Materials Science and Engineering 89 ( 1-3 ) 336 - 340 2002年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00770-X
Metal-induced low-temperature crystallization of amorphous SiGe on insulating films 査読

M. Miyao, H. Kanno, I. Tsunoda, T. Sadoh, A. Kenjo

Quantum Confined Semiconductor Nanostructures Materials Research Society Symposium - Proceedings 744 55 - 59 2002年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/proc-744-m2.8
Thermal stability of B in poly-SiGe on SiON 査読国際誌

T. Sadoh, Fitrianto, M. Kunigami, A. Kenjo, A. Miyauchi, H. Inoue, and M. Miyao

Materials Science and Engineering 89 ( 1-3 ) 129 - 132 2002年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00816-9
500°C formation of poly-Si_1-xGe_x (x ≥ 0.5) on SiO₂ by ion-beam stimulated solid phase crystallization 査読

744 501 - 505 2002年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ion beam stimulated solid phase crystallization of a-Si_1-xGe_x (0 ≤ x ≤ 1) on SiO₂ has been investigated. The critical temperature to cause crystal nucleation can be successfully decreased by 150°C for a-Si_1-xGe_x with all Ge fractions (0 - 100%) by using ion stimulation. As a result, crystal growth below the softening temperature (∼ 500°C) of glass substrates was achieved for samples with Ge fractions exceeding 50%. This method combined with Ge doping and ion stimulation will be a powerful tool to fabricate poly-SiGe TFTs on low cost glass substrates.

DOI： 10.1557/proc-744-m8.22
Dose Rate Dependence of Ion-Induced-Damage in Si Evaluated by Spectroscopic Ellipsometry 査読国際誌

Y. Murakami, H. Yamauchi, T. Sadoh, A. Kenjo, and M. Miyao

Solid State Phenomena 78-79 341 - 343 2001年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Influence of Ion Beam Irradiation on Solid-Phase Regrowth of Amorphous Si on SiO2 査読国際誌

I. Tsunoda, T. Nagata, T. Sadoh, A. Kenjo, and M. Miyao

Solid State Phenomena 78-79 345 - 348 2001年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High-Performance MOS Tunneling Cathode with CoSi2Gate Electrode 査読

Taizoh Sadoh, Yi-Qun Zhang, Hiroki Yasunaga, Atsushi Kenjo, Toshio Tsurushima, Masanobu Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 40 ( 1 ) 2775 - 2778 2001年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High-performance MOS tunneling cathode with CoSi₂ gate electrode 査読

Taizoh Sadoh, Y. Q. Zhang, H. Yasunaga, A. Kenjo, T. Tsurushima, M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 40 ( 4 B ) 2775 - 2778 2001年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ion-beam stimulated solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO₂ 査読

Masanobu Miyao, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Atsushi Kenjo

Thin Solid Films 383 ( 1-2 ) 104 - 106 2001年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(00)01634-5
Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO2 査読国際誌

M. Miyao, I. Tsunoda, T. Sadoh, and A. Kenjo

Thin Solid Films 383 ( 1-2 ) 104 - 106 2001年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(00)01634-5
Dose rate dependence of ion-induced-damage in Si evaluated by spectroscopic ellipsometry 査読

Y. Murakami, H. Yamauchi, T. Sadoh, A. Kenjo, M. Miyao

6th International Workshop on Beam Injection assesment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2000) Solid State Phenomena 78-79 341 - 344 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/ssp.78-79.341
Influence of ion beam irradiation on solid-phase regrowth of amorphous Si on SiO2 査読

I. Tsunoda, T. Nagata, Taizoh Sadoh, A. Kenjo, M. Miyao

Solid State Phenomena 78-79 345 - 348 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effects of ion irradiation on silicon oxidation in electron cyclotron resonance argon and oxygen mixed plasma 査読

S. Matsuo, M. Yamamoto, T. Sadoh, T. Tsurushima, D. W. Gao, K. Furukawa, H. Nakashima

Journal of Applied Physics 88 ( 3 ) 1664 - 1669 2000年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.373868
Ion Irradiation Stimulated Crystal Nucleation in Amorphous Si on SiO_2 査読

Masanobu Miyao, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Atsushi Kenjo

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2000 442 - 443 2000年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
ECR plasma oxidation Dependence on energy of argon ion 査読

S. Matsuo, M. Yamamoto, T. Sadoh, T. Tsurushima, D. W. Gao, K. Furukawa, H. Nakashima

Fundamental Mechanisms of Low-Energy-Beam-Modified Surface Growth and Processing Materials Research Society Symposium - Proceedings 585 171 - 176 2000年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Narrow CoSi₂ line formation on SiO₂ by focused ion beam

A. Matsushita, Taizoh Sadoh, T. Tsurushima

Proceedings of the 1998 International Conference on 'Ion Implantation Technology' Proceedings (IIT'98) Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology 861 - 864 1999年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Silicon fine structure formation on sapphire with Focused Ion Beam

D. J. Bai, Y. Q. Zhang, A. Matsushita, A. Baba, A. Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, H. Mori, T. Tsurushima

Proceedings of the 1998 International Conference on 'Ion Implantation Technology' Proceedings (IIT'98) Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology 1101 - 1104 1999年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Characterization of CoSi₂ gate MOS structure formed by ion irradiation 査読

Atsushi Matsushita, Yi Qun Zhang, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 4 ( 1 ) 47 - 51 1999年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Resistance increase in CoSi₂ layer by irradiation induced damage 査読

Atsushi Matsushita, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 4 ( 1 ) 53 - 56 1999年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Resistance Increase in CoSi_2 Layer by Irradiation Induced Damage 査読

Atsushi Matsushita, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 4 ( 1 ) 53 - 56 1999年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.15017/1500393
Formation of CoSi2 gate electrode for MOS electron tunneling emitters 査読

Yi Qun Zhang, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 4 ( 1 ) 99 - 102 1999年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication and characteristics evaluation of CoSi ₂-gate MOS electron tunneling emission cathode 査読

Yi Qun Zhang, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 4 ( 1 ) 43 - 46 1999年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Ion-beam modification of TiO₂ film to multilayered photocatalyst 査読

T. Sumita, H. Otsuka, H. Kubota, M. Nagata, Y. Honda, R. Miyagawa, T. Tsurushima, Taizoh Sadoh

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 148 ( 1-4 ) 758 - 761 1999年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0168-583X(98)00809-X
Thin CoSi₂ formation on SiO₂ with low-energy ion irradiation 査読

Atsushi Matsushita, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 37 ( 11 ) 6117 - 6122 1998年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.37.6117
Thin CoSi_2 Formation on SiO_2 with Low-Energy Ion Irradiation 査読

Atsushi Matsushita, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37 ( 11 ) 6117 - 6122 1998年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Thin CoSi2Formation on SiO2with Low-Energy Ion Irradiation 査読

Atsushi Matsushita, Taizoh Sadoh, Toshio Tsurushima

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37 ( 1 ) 6117 - 6122 1998年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication and characterization of CoSi₂ gate MOS tunnel structure 査読

Yi Qun Zhang, Atsushi Matsushita, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Noboru Teshima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 3 ( 2 ) 257 - 260 1998年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Annealing effects on transition region at Si-SiO₂ interface 査読

Yi Qun Zhang, Akira Kikutake, Shuichi Wada, Takashi Nakashige, Dong Ju Bai, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Noboru Teshima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 3 ( 1 ) 111 - 116 1998年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Growth kinetics of CoSi formed by ion beam irradiation at room temperature 査読

A. Baba, H. Aramaki, T. Sadoh, T. Tsurushima

Journal of Applied Physics 82 ( 11 ) 5480 - 5483 1997年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.366460
Deep states in silicon on sapphire by transient-current spectroscopy 査読

T. Sadoh, A. Matsushita, Y. Q. Zhang, D. J. Bai, A. Baba, A. Kenjo, T. Tsurushima, H. Mori, H. Nakashima

Journal of Applied Physics 82 ( 10 ) 5262 - 5264 1997年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.366394
Deep level of iron-hydrogen complex in silicon 査読

T. Sadoh, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsurushima, H. Mori, H. Nakashima

Journal of Applied Physics 82 ( 8 ) 3828 - 3831 1997年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.365746
Effect of energy transport with recoil atoms on deposited energy distribution in silicon irradiated with energetic ions 査読

Dong Ju Bai, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 2 ( 2 ) 219 - 223 1997年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Tapered-surface etching of GaAs utilizing low-energy ion bombardment effect 査読

Dong Ju Bai, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 2 ( 2 ) 225 - 228 1997年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Amorphization induced by low-energy ion irradiation in silicon 査読

Dong Ju Bai, Tomohiro Kawase, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 2 ( 1 ) 163 - 166 1997年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Simplified evaluation of displacement effect distribution in silicon irradiated with low-energy ions 査読

Dong Ju Bai, Tomohiro Kawase, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, Hiroshi Mori, Toshio Tsurushima

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 2 ( 1 ) 59 - 64 1997年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Behavior of radiation-induced defects and amorphization in silicon crystal 査読

A. Baba, D. Bai, Taizoh Sadoh, A. Kenjo, Hiroshi Nakashima, H. Mori, T. Tsurushima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 121 ( 1-4 ) 299 - 301 1997年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0168-583X(96)00392-8
Electrical passivation of B-doped si through thin films used in VLSI fabrication 査読

Keiichi Tsukamoto, Satoru Iwasaki, Taizoh Sadoh, Yukinori Kuroki

Thin Solid Films 286 ( 1-2 ) 299 - 304 1996年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(96)08538-0
The evaluation of temporary degradation in quarter micron MOSFET by hydrogen passivation of Boron 査読

Keiichi Tsukamoto, Taizoh Sadoh, Akihiro Ikeda, Yukinori Kuroki

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University 1 ( 1 ) 39 - 44 1996年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
The Evaluation of Temporary Degradation in Quarter Micron MOSFET by Hydrogen Passivation of Boron 査読

Keiichi Tsukamoto, Taizoh Sadoh, Akihiro[et al] Ikeda

Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University ( 1 ) 39 - 44 1996年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.15017/1474936
Metastable-defect behaviors of iron-boron Pairs in silicon using recombination-enhanced defect reaction 査読

H. Nakashima, T. Sadoh, T. Tsurushima

Defect and Diffusion Forum 136-137 41 - 60 1996年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/ddf.136-137.41
Evaluation of Damage Induced by Low-Energy Ion Irradiation in Silicon 査読

Akiyoshi Baba, Taizoh Sadoh, Atsushi[et al] Kenjo

Memoirs of the Faculty of Engineering, Kyushu University 55 ( 2 ) 127 - 138 1995年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Recombination-enhanced migration of interstitial iron in silicon 査読

H. Nakashima, T. Sadoh, T. Tsurushima

Proceedings of the 1995 18th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-18. Part 1 (of 4) Materials Science Forum 196-201 ( pt 3 ) 1351 - 1356 1995年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.196-201.1351
Behavior of defects induced by low-energy ions in silicon films 査読

Taizoh Sadoh, Hironori Takeshita, Akiyoshi Baba, Atsushi Kenjo, Hiroshi Nakashima, Toshio Tsurusiiima

Japanese Journal of Applied Physics 33 ( 12S ) 715 1994年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.33.7151
Diffusion and electrical properties of 3d transition-metal impurity series in silicon 査読

Hiroshi Nakashima, Taizoh Sadoh, H. Kitagawa, K. Hashimoto

Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) Materials Science Forum 143-4 ( pt 2 ) 761 - 766 1994年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Electrical and thermal properties of structurally metastable iron-boron pairs in silicon 査読

Hiroshi Nakashima, Taizoh Sadoh, T. Tsurushima

Physical Review B 49 ( 24 ) 16983 - 16993 1994年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.49.16983
Deep levels of chromium-hydrogen complexes in silicon 査読

T. Sadoh, M. Watanabe, H. Nakashima, T. Tsurushima

Journal of Applied Physics 75 ( 8 ) 3978 - 3981 1994年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.356018
Metastable-defect behaviors of iron-boron pairs in silicon 査読

Hiroshi Nakashima, Taizoh Sadoh, T. Tsurushima

Unknown Journal 143-4 ( pt 2 ) 1191 - 1196 1994年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Deep levels of vanadium- and chromium-hydrogen complexes in silicon 査読

T. Sadoh, M. Watanabe, H. Nakashima, T. Tsurushima

Proceedings of the 17th International Conference on Defects in Semiconductors. Part 1 (of 3) Materials Science Forum 143-4 ( pt 2 ) 939 - 944 1994年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Hole traps of metastable iron-boron pairs in silicon 査読

H. Nakashima, T. Sadoh, T. Tsurushima

Journal of Applied Physics 73 ( 6 ) 2803 - 2808 1993年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.353056
Defect-free Ge-on-insulator with (100), (110), and (111) orientations by growth-direction-selected rapid-melting growth 査読

Kaoru Toko, Takanori Tanaka, Yasuharu Ohta, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

IEEE Transactions on Information Theory 39 ( 3 ) 1040 - 1043 1993年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/18.256510
Deep levels of vanadium and vanadium-hydrogen complex in silicon 査読

Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima, T. Tsurushima

Journal of Applied Physics 72 ( 2 ) 520 - 524 1992年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.352353
Diffusion of vanadium in silicon 査読

Taizoh Sadoh, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 58 ( 15 ) 1653 - 1655 1991年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.105154
Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge

Taizoh SADOH

2011-4 13 - 16 1900年

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記述言語：英語
絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長　～Si偏析効果による大粒径化～

佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会, 信学技報 112 ( 18 ) 61 - 62 1900年

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記述言語：日本語
界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長－界面酸化膜厚依存性－

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

電子情報通信学会, 信学技報 112 ( 18 ) 71 - 73 1900年

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記述言語：日本語
High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth

ECS Transactions 33 ( 6 ) 409 - 418 1900年

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記述言語：英語

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講演・口頭発表等

High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth 招待国際会議

T. Sadoh and M. Miyao

4th International SiGe Symposium The ECS 218th 2010年10月

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開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor 招待国際会議

T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K.Toko, M. Miyao

AWAD 2009 2009年6月

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開催年月日： 2009年6月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Effects of Capping Layers on Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films on Insulators 国際会議

#Ryu Hashimoto, #Taishiro Koga, #Takaya Nagano, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
絶縁膜上におけるIV族系半導体薄膜の低温固相成長招待

古賀泰志郎, 花房佑樹, 茂藤健太, 山本圭介, 佐道泰造

薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都国名：日本国
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用招待

佐道泰造

第４１回シリサイド系半導体研究会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Ultra-High Concentration Doping by Excimer Laser Annealing Using Solid-Diffusion Source 国際会議

#Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hisato Yabuta, Hiroshi Ikenoue, and Taizoh Sadoh

2023 International Conference on Solid State Materials and Devices 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Grain Enlargement of Ultrathin Si Films on Insulators by Sn-Doping 国際会議

#Yuki Hanafusa, #Kota Okamoto, and Taizoh Sadoh

2023 International Conference on Solid State Materials and Devices 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Thinning Combined with Post-Annealing 国際会議

#Taishiro Koga, #Takaya Nagano, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, and Taizoh Sadoh

2023 International Conference on Solid State Materials and Devices 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of pn Junctions by Doping Using Excimer Laser Annealing 国際会議

#Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hisato Yabuta, Hiroshi Ikenoue, and Taizoh Sadoh

12th Asia-Pacific Laser Symposium 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Crystallization by Rapid Thermal Annealing of Ne Sputtered InSb Films Deposited on Glass 国際会議

Tatsuya Okada, Otokichi Shimoda, C. J. Koswaththage, Takashi Kajiwara, Taizoh Sadoh, and Takashi Noguchi

23rd International Meeting on Information Display 2023年8月

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開催年月日： 2023年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Growth Characteristics of Sn-Doped Si Thin-Filmson Insulator 国際会議

#Yuki Hanafusa, #Kota Okamoto, and Taizoh Sadoh

2023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (≤20 nm) by Post-Annealing for Thin-Film Transistor Application 国際会議

2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都国名：日本国
Sn-Doped Si Thin-Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization 国際会議

#Yuki Hanafusa, #Kota Okamoto, and Taizoh Sadoh

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget 国際会議

#Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, and Taizoh Sadoh

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped GeUltra-thin Films for Advanced TFT 招待国際会議

@Taizoh Sadoh, #Takaya Nagano, #Taishiro Koga, @Kenta Moto, and @Keisuke Yamamoto

The 29th International Display Workshops 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Ultrathin Large Grain Si Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Sn-Doping 国際会議

#Kota Okamoto, #Tomohiro Kosugi, and @Taizoh Sadoh

2022 International Conference on Solid State Materials and Devices 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of High-Mobility InSb Films on Glass by Sputtering and Rapid-Thermal Annealing 国際会議

@Takashi Kajiwara, @Otokichi Shimoda, @Tatsuya Okada, @Charith Jayanada Koswaththage, @Takashi Noguchi, and @Taizoh Sadoh

2022 International Conference on Solid State Materials and Devices 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin (<50nm) Films on Insulator by a-Si Capping in Solid-Phase Crystallization 国際会議

#Takaya Nagano, #Ryutaro Hara, @Kenta Moto, @Keisuke Yamamoto, and @Taizoh Sadoh

2022 International Conference on Solid State Materials and Devices 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Solid-Phase Crystallization Characteristics of SiSn Thin Film on Insulating Substrates 国際会議

#Kota Okamoto, #Tomohiro Kosugi, and @Taizoh Sadoh

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improved Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films (≤ 50 nm) on Insulator by a-Si Capping 国際会議

2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya 国名：日本国
Solid-Phase Crystallization Characteristics of Interface-Modulated Sn-Doped Ge Thin Films on Insulator with Capping 国際会議

#Takaya Nagano, #Ryutaro Hara, and @Taizoh Sadoh

29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2022年7月

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin Films on Insulator by Capping-Enhanced Solid-Phase Crystallization 国際会議

#Ryutaro Hara, #Masanori Chiyozono, and @Taizoh Sadoh

2021 International Conference on Solid State Materials and Devices 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of Sn doping to Solid-Phase Crystallization of Si thin film on Insulator 国際会議

#Tomohiro Kosugi, #Kota Okamoto, and @Taizoh Sadoh

2021 International Conference on Solid State Materials and Devices 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Crystallization of SiN Capped InSb Films on Glass by Rapid Thermal Annealing 国際会議

@Otokichi Shimoda, @Yuki Sawama, @C. J. Koswaththage, @Takashi Noguchi, @Takashi Kajiwara, @Taizoh Sadoh, and @Tatsuya Okada

The 21st International Meeting on Information Display (IMID 2021) 2021年8月

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開催年月日： 2021年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of High-Sn Concentration SiSn on Insulator 国際会議

#K. Okamoto, #T. Kosugi, and @T. Sadoh

28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2021年6月

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開催年月日： 2021年6月 - 2021年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improved Carrier Mobility of Poly-Ge Ultrathin Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization 国際会議

#R. Hara, #M. Chiyozono, and @T. Sadoh

28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2021年6月

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開催年月日： 2021年6月 - 2021年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
(Plenary) Low-Temperature Crystallization of Group-IV Semiconductors on Insulator for Advanced Electronics 招待国際会議

@Taizoh Sadoh

4th International Conference on Circuits, Systems and Simulation (ICCSS 2021) & 4th International Conference on Consumer Electronics and Devices (ICCED 2021) 2021年5月

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開催年月日： 2021年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Growth Characteristics of SiSn on Insulator by Solid Phase Crystallization 国際会議

#Tomohiro Kosugi, #Kazuki Yagi, and @Taizoh Sadoh

JSAP Kyushu Chapter Annual Meeting 2020 /The 5th Asian Applied Physics Conference 2020年11月

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開催年月日： 2020年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of SiSn on Insulator - Effects of Sn Concentration and Film Thickness - 国際会議

#Tomohiro Kosugi, #Kazuki Yagi, and @Taizoh Sadoh

2020 International Conference on Solid State Materials and Devices 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (~20 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization 国際会議

#Masanori Chiyozono, #Xiangsheng Gong, @Taizoh Sadoh

2020 International Conference on Solid State Materials and Devices 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Solid-Phase Crystallization Combined with a-Si Under-Layer for High Sn Concentration GeSn Film without Sn-Segregation 国際会議

#Yuta Tan, #Daiki Tsuruta, @Taizoh Sadoh

2020 International Conference on Solid State Materials and Devices 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (≤50 nm) by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization Combined with Thinning 国際会議

2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
SiSn Film on Insulator by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization 国際会議

#T. Kosugi, #K. Yagi, @T. Sadoh

27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Bi-Induced Layer Exchange Crystallization for Formation of n-Type Ge on Insulator 国際会議

#Xiangsheng Gong, #Sen Liu, #Hongmiao Gao, @Taizoh Sadoh

2019 International Conference on Solid State Materials and Devices 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Carrier Mobility Sn-Doped Ge Thin-Films (≤50 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature 国際会議

2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya 国名：日本国
Improved Carrier Mobility of Thin Ge Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Interface-Modulation 国際会議

Xiangsheng Gong, Chang Xu, and Taizoh Sadoh

26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2019年7月

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-temperature and low-cost excimer laser doping for poly-si thin-film transistor fabrication 国際会議

K. Imokawa, N. Tanaka, A. Suwa, D. Nakamura, T. Sadoh, T. Goto, H. Ikenoue

SPIE Photonics West, Lase, Laser-based Micro- and Nanoprocessing XIII 2019年2月

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開催年月日： 2019年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of SiSn Films on Insulator 国際会議

K. Yagi, M. Miyao and T. Sadoh

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) 2018年10月

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Carrier Mobility Sn-Doped Ge on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Si-Under-Layer Insertion 国際会議

Chang Xu, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

E-MRS, 2018 Fall Meeting 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
N-Type Ge on Insulator by Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Ge Under-Layer Insertion 国際会議

Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

E-MRS, 2018 Fall Meeting 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
Low-Temperature Formation of n-Type Ge on Insulator by Thickness-Modulated Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Thin Ge Under-Layer Insertion 国際会議

H. Gao, M. Miyao, T. Sadoh

2018 International Conference on Solid-State Devices and Materials 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Excimer Laser Doping of LTPS Thin Films for Printable Device Fabrication 国際会議

N. Tanaka, K. Imokawa, A. Suwa, D. Nakamura, T. Sadoh, H. Ikenoue

2018 International Conference on Solid-State Devices and Materials 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Enhanced Growth of High Sn Concentration (Sn>=10%) GeSn on Insulator by Low Temperature (~170°C) Solid-Phase Crystallization Combined with Weak Laser Irradiation 国際会議

2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tokyo 国名：日本国
Characterization of Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication 国際会議

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, and Hiroshi Ikenoue

25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2018年7月

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Formation of n-Ge/Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization Combined with Ge Under-Layer Insertion 国際会議

Hongmiao Gao and Taizoh Sadoh

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2018年7月

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of film thickness on low temperature solid-phase crystallization of SiSn on insulator 国際会議

Kazuki Yagi and Taizoh Sadoh

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2018年7月

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of a-Si Layer Insertion on Solid-Phase Crystallization of Sn Doped Ge on Insulator 国際会議

Chang Xu, Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, and Taizoh Sadoh

2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2018年7月

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Crystallization of Group-IV Semiconductors on Insulator Using Catalysis 招待国際会議

T. Sadoh, M. Miyao, and I. Tsunoda

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年2月

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開催年月日： 2018年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Formation of n-Type Ge on Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization 国際会議

Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, and Taizoh Sadoh

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年2月

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開催年月日： 2018年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
High Substitutional-Sn-Concentration GeSn-on-Insulator by Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (~170°C) 国際会議

2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai 国名：日本国
Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization for Slef-Limiting Formation of n-Type Ge/Insulator 国際会議

H. Gao, R. Aoki, M. Miyao, and T. Sadoh

2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成－高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して－招待

佐道泰造，宮尾正信，角田功

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai 国名：日本国
Low-Temperature Formation of n-Type Ge/Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization 国際会議

H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh

24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2017年7月

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Thickness-Dependent Substitutional-Sn-Concentration in GeSn-on-Insulator by Weak- Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (180°C) 国際会議

2017年7月

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto 国名：日本国
A Novel Method for Laser Doping of Poly-Si Thin Films Using XeF Excimer Laser Irradiation in Acid Solution 国際会議

Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Tetsuya Goto, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Hiroshi Ikenoue

Lasers in Manufacturing Conference 2017 2017年6月

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開催年月日： 2017年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator at Low-Temperature (180°C) - Thickness-Dependent High Substitutional-Sn-Concentration - 国際会議

2017年6月

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開催年月日： 2017年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto 国名：日本国
Formation of n-Type Ge on Insulator by Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization 国際会議

H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh

17th International Workshop on Junction Technology 2017 2017年6月

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開催年月日： 2017年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature (~250°C) Growth of Large-Grain Sn-Doped Ge (100) on Insulator by Al-Induced Crystallization for Flexible Electronics 国際会議

M. Sasaki, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ, Taizoh SADOH

2017年2月

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開催年月日： 2017年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai 国名：日本国
High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs) of Sn-Doped Poly-Ge on Insulator by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization 国際会議

2016 MRS Falll Meeting 2016年11月

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Low-Temperature (<250°C) Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge-on-Insulator Enhanced by Au Catalysis 国際会議

T. Sakai, Taizoh SADOH, Ryo Matsumura, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2016年11月

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Boston 国名：アメリカ合衆国
Pulsed Laser Annealing for Non-Thermal Equilibrium GeSn (Sn>10%) on Insulating Substrate 国際会議

2016 MRS Falll Meeting 2016年11月

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開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Low-Temperature Growth of Orientation-Controlled Large-Grain Ge-Rich SiGe on Insulator at Controlled-Position for Flexible Electronics 招待国際会議

230th ECS Meeting 2016年10月

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Cooling Rate Dependent High Substitutional Sn Concentration (>10%) in GeSn Crystals on Insulator by Pulsed Laser-Annealing 国際会議

230th ECS Meeting 2016年10月

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization 国際会議

230th ECS Meeting 2016年10月

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開催年月日： 2016年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Thickness-Controlled Low-Temperature (~380°C) Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Poly-Ge/Insulator for High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs) 国際会議

K. Moto, Taizoh SADOH, Y. Kai, Ryo Matsumura, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tsukuba 国名：日本国
Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding 国際会議

Ryo Matsumura, Kenta Moto, Y. Kai, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tsukuba 国名：日本国
Low-Temperature Gold-Induced Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

International Conference on Solid State Devices and Materials 2016 2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation Controlled Artificial Nano-CRystals for Hybrid-Formation of (111), (110), and (100) Germanium-on-Insulator Structures 国際会議

International Conference on Nanostructured Materials 2016年8月

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Low-Temperature (≤300°C) Nano-Seeding Growth of Position-Controlled Large-Grain Germanium on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

Taizoh SADOH, R. Aoki, T. Tanaka, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2016年8月

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開催年月日： 2016年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Quebec 国名：カナダ
Formation and Analysis of GeSn on Insulator with Non-Thermal Equilibrium Sn Concentration Obtained by Pulsed Laser-Annealing 国際会議

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2016 2016年7月

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Formation of Position-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Localized Nucleation 国際会議

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2016 2016年7月

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Large-Grain Sn-Doped Ge (100) on Insulator by Aluminum-Induced Crystallization at Low-Temperature for Flexible Electronics 国際会議

Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2016 2016年7月

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Pulsed Laser Annealing for Supersaturated Substitutional Sn Atoms in GeSn Thin-Films on Insulator 国際会議

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2016年7月

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Non-Thermal Equilibrium Growth of Amorphous Ge1-xSnx (0<x<0.2) / Insulator Structures by Pulsed Laser-Annealing 国際会議

8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Liquid Phase Growth of Composition-Controlled Large-Grain SixGe1-x (0<x<0.2) on Insulating Substrates 国際会議

8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low Temperature (<250oC) Au-Induced Lateral Crystallization of Sn-Doped Ge on Insulator 国際会議

8th International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of High-Mobility Ge(Sn) on Insulator by Low-Temperature (~400°C) Solid-Phase Crystallization 国際会議

Y. Kai, Ryo Matsumura, Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya 国名：日本国
Position-Controlled Ge Crystals on Insulator at Low Temperature (≤300°C) by Spatially-Modulated Gold-Induced Crystallization 国際会議

R. Aoki, T. Tanaka, J.-H. Park, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ, Taizoh SADOH

2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya 国名：日本国
Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulator by Au-induced lateral crystallization for flexible electronics 国際会議

35th Electronic Materials Symposium 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of GeSn Crystals with High Sn Concentration on Insulating Substrate by Pulsed Laser-Annealing 国際会議

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2016年1月

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low Temperature (~150oC) Au-Induced Lateral Growth of a-GeSn on Insulator 国際会議

9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2016年1月

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Analysis and control of Si segregation phenomena to achieve uniform-SiGe crystals on insulator by rapid-melting growth 国際会議

2015 International Electron Devices and Materials Symposium 2015年11月

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾
Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≤300°C) 国際会議

Rikuta Aoki, J.-H. Park, Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年11月

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tainan 国名：台湾
Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate 国際会議

Kenta Moto, Ryo Matsumura, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年11月

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tainan 国名：台湾
Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate 国際会議

Kenta Moto, Ryo Matsumura, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年11月

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tainan 国名：台湾
Gold-induced low-temperature (≤300°C) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics 招待国際会議

Taizoh SADOH, J.-H. Park, Rikuta Aoki, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Phoenix 国名：アメリカ合衆国
Ultra-low temperature (~180°C) solid-phase crystallization of GeSn on insulator triggered by laser-anneal seeding 国際会議

Ryo Matsumura, Kenta Moto, Yuki Kai, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Phoenix 国名：アメリカ合衆国
Non-thermal equilibrium formation of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) crystals on insulator by pulsed laser annealing 国際会議

Kenta Moto, Ryo Matsumura, Hironori Chikita, Taizoh SADOH, Hiroshi Ikenoue, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Phoenix 国名：アメリカ合衆国
Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding 国際会議

Ryo Matsumura, Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年9月

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sapporo 国名：日本国
Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge for High Non-Equilibrium Substitutional Sn-Concentration GeSn 国際会議

Ryo Matsumura, Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年9月

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sapporo 国名：日本国
Laser-Anneal Seeded Solid-Phase Crystallization for　Ultra-Low Temperature Growth of Germanium-Tin 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年8月

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開催年月日： 2015年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Cancun 国名：メキシコ合衆国
Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition 招待国際会議

IMRC 2015 2015年8月

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開催年月日： 2015年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：メキシコ合衆国
Crystallization of GeSn on insulating substrates by lateral solid-phase crystallization technique 国際会議

EMS 2015 2015年7月

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Quasi-Single Crystal SiGe on Insulator by Au-Induced Crystallization for Flexible Electronics 国際会議

AM-FPD-15 2015年7月

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Thickness dependent solid phase crystallization of amorphous GeSn on insulating substrates 国際会議

ICSI 9 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (≤400°C) 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Montreal 国名：カナダ
Low-Temperature (≤300°C) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≥10 μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Montreal 国名：カナダ
High Sn-Concentration (~8%) GeSn by Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Montreal 国名：カナダ
Melting Sn Induced Low-Temperature Seeding for Position Controlled Giant GeSn Crystal Arrays 国際会議

ICSI 9 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Low Temperature (<200oC) position controlled Solid Phase Crystallization of GeSn combined with Laser Anneal Seeding 国際会議

ICSI 9 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Low temperature solid phase crystallization of GeSn on insulator for flexible electronics 国際会議

INC11 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-controlled large-grain SiGe on insulator by gold-induced crystallization at low-temperature for flexible opto-electronics 国際会議

INC11 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sn-precipitation-suppressed solid-phase epitaxy of GeSn on Ge at low-temperatures (~150°C) 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
Ultra-Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

2015年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Composition-controlled SiGe crystalson insulator by rapid-melting growth -Analysisand control of SiGe segregation- 国際会議

2015年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next-Generation Flexible Electronics(1) Characteristics of Solid Phase Crystallization 国際会議

IEDMS 2014 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾
Large-Grain Ge-on-Insulator Structure by Rapid-Melting Growth of a-GeSn 国際会議

IEDMS 2014 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾
Low Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next Generation Flexible Electronics - (2) Positioning Control of Nucleation – 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hualien 国名：台湾
Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Large-Grain and Uniform -Composition SiGe on Insulator 招待国際会議

Taizoh SADOH, Yuki Kai, Hironori Chikita, Ryo Matsumura, M. Miyao

JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Self-Organized Technologies of Group-IV Based Hetero-Semiconductors on Insulator for Multi-Functional Devices 招待国際会議

ICTF-16 2014年10月

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：クロアチア共和国
Low-Temperature Gold-Induced Crystallization of Orientation Controlled Sige on Plastic for Flexible Electronics 国際会議

ICTF-16 2014年10月

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：クロアチア共和国
Melting-Sn Induced Seeding-Processing for Low-Temperature Lateral-Crystallization of a-GeSn on Insulating Substrate 国際会議

SSDM 2014 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-Controlled Large-Grain SiGe on Flexible Substrate by Nucleation-Controlled Gold-Induced Crystallization 国際会議

SSDM 2014 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Large-Grain Ge-Based Group-IV Crystals on Insulator by Seedless Rapid-Melting Growth in Solid-Liquid-Coexisting Temperature Region 国際会議

SSDM 2014 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Large Grain Ge on Insulator Structure by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn 国際会議

IUMRS-ICA 2014年8月

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Composite-Structures of Single-Crystalline Ge(SiSn) and Amorphous Insulator on Si Platform for Multi-Functional Transistors by Self-Organized Processing 招待国際会議

ICCE-22 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：その他
Self-Organized Crystallization of Group IV Mixed-Crystal Semiconductors on Insulating Substrate for Advanced Thin-Film-Transistors 国際会議

ICCE-22 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：その他
Low-Temperature Formation of Atomically-Controlled GeSn Thin-Films on SiGe Virtual -Substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing 国際会議

ICCE-22 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：その他
Formation of Quasi-Single-Crystal Ge on Plastic by Nucleation-Controlled Au-Induced Layer-Exchange Growth for Flexible Electronics 国際会議

AM-FPD 14 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics 招待国際会議

Taizoh SADOH, J.-H. PARK, Masashi Kurosawa, M. Miyao

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Self-organized-seeding process for melt-back lateral-growth of group-IV mixed-crystal on insulator 国際会議

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Sn-enhanced low-temperature crystallization of a-GeSn/c-Si Stacked Structure for high-quality SiGe on Si platform 国際会議

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Effect of Sn-doped Ge Insertion Layers on Epitaxial Growth of Ferromagnetic Fe3Si Films on a Flexible Substrate 国際会議

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Formation of Large Grain Ge single crystal on Insulating substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-Ge(Sn) 国際会議

225th ECS Meeting 2014年5月

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開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Orientation-Controlled Large-Grain SiGe Crystal on Flexible Substrate by Low -Temperature Metal-Induced Crystallization 招待国際会議

Taizoh SADOH, J.-H. PARK, M. Miyao

7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2014年1月

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Dynamic control of lateral crystallization for Group IV mixed-crystal semiconductor on insulating substrate 国際会議

7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2014年1月

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Influences of Sn on low-temperature crystallization of a-GeSn mixed or a-Ge/Sn stacked layer on crystal substrate 国際会議

7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2014年1月

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Narrowing-Induced Orientation-Stabilization in Rapid-Melting Growth of Ge-on- Insulator 国際会議

Taizoh SADOH

IUMRS-ICA 2013 2013年12月

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：インド
Formation of giant SiGe crystals on insulator by self-organized-seeding rapid-melting growth 国際会議

ISQNM 2013 2013年12月

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Low Temperature (~300oC) Epitaxial Growth of SiGe by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Si(100) Structure 国際会議

ISQNM 2013 2013年12月

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：シンガポール共和国
Formation of Orientation-Controlled Thin (~50 nm) Ge(111)-on-Insulator by Rapid- Melting Growth Combined with Narrow-Striping 国際会議

MNC 2013 2013年11月

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 招待国際会議

Taizoh SADOH, J.-H. PARK, Masashi Kurosawa, M. Miyao

The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Si(100) Structure for Low Temperature Epitaxial Growth of SiGe 国際会議

224th ECS Meeting 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
High-Quality Hybrid-GeSn/Ge Stacked-Structures by Low-Temperature -Induced-Melting Growth 国際会議

224th ECS Meeting 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Hybrid-Formation of Single-Crystalline Ge(Si,Sn)-on-Insulator Structures by Self-Organized Melting-Growth 招待国際会議

SSDM 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature (~300oC) Epitaxial-Growth of SiGe(Sn) on Si-Platform by Liquid-Solid Coexisting Annealing 国際会議

SSDM 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Segregation-Free Giant Single-Crystalline SiGe-on-Insulator by Super-Cooling-Controlled Rapid-Melting Growth 国際会議

SSDM 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth for Giant-Single-Crystal SiGe on Insulator 国際会議

The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2013年8月

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
Selective-Growth of (100)- and (111)- Ge Thin-Films on Insulator by　Interfacial–Energy　-Controlled Metal-Induced-Crystallization 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2013年8月

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
High-Quality Ge-Networks on Insulator by Liquid-Phase Lateral-Epitaxy 国際会議

The 55th Electronic Materials Conference 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Laterally Graded SiGe-Profiles on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting Technique 国際会議

The 55th Electronic Materials Conference 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Ultra-Low-Temperature Formation of (100)- or (111)-Oriented Ge on Insulator for Flexible Electronics 国際会議

The 55th Electronic Materials Conference 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Orientation-Stabilization of Ge(111) on Insulator by Nano-Patterning in Rapid-Melting Growth 招待国際会議

13th International Workshop on Junction Technology 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid -Melting Growth 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-Stabilization of Ge(111) on Insulator by Nano-Patterning in Rapid-Melting Growth 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
In-Depth Analysis of High-Quality Ge-on-Insulator Structure Formed by Rapid-Melting Growth 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Formation (~150oC) of Ge on Insulator through Layer-Exchange of Ge/Sn Stacked-Structures 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Ge-Diffusion-Controlled Gold-Induced Crystallization of (100)- or (111)-Oriented Ge for Flexible Electronics 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-Temperature Formation of SiGe Crystals by Partial-Melting Method in a-GeSn /Si(100) Structure 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Melting-Induced-Mixing in a-Ge/Sn/c-Ge Structures for Sn-Doped Ge Films 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Laterally-Graded P-Doping in GOI Structure by Ion-Implantation and Rapid- Melting- Growth 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Single-Crystalline SiGe Stripes on Insulating Substrate by Segregation-Free Rapid -Melting-Growth 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 国際会議

ICSI-8 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Recent Progress of Rapid-Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurato 招待国際会議

Taizoh SADOH, M. Miyao

6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar 2013年2月

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開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-Stabilized Lateral-Growth of Ge-on-Insulator Nano-Wires by Rapid-Melting-Process 国際会議

MNC 2012 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月 - 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 招待国際会議

PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 国際会議

PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting-Growth 国際会議

PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Formation of large-grain Ge(111) films on insulator　by gold-induced layer-exchange crystallization　at low temperature 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Honolulu 国名：アメリカ合衆国
Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth 国際会議

SSDM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Low-temperature Crystallization of a-Si, a-Ge and a-Si1-xGex Films by Soft X-ray Irradiation 国際会議

SSDM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Si Segregation Behavior in Giant SiGe Stripes on Insulator during Rapid-Melting-Growth 国際会議

IUMRS-ICEM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Germanium Epitaxial Layer on Insulator Using Nanostructured Rapid-Melting-Grown Template 国際会議

IUMRS-ICEM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of N-Type Ge-on-Insulator through P-Implantation and Rapid-Melting Growth 国際会議

IUMRS-ICEM 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform 国際会議

E-MRS 2012 Fall Meeting 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth 国際会議

E-MRS 2012 Fall Meeting 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
(111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion 国際会議

AM-FPD 2012 2012年7月

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開催年月日： 2012年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Nanostructured Germanium-on-Insulator for Integration of Multi-Functional Materials on a Panel 国際会議

AM-FPD 2012 2012年7月

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開催年月日： 2012年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth 国際会議

AWAD 2012 2012年6月

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of (111)-oriented large-grain Ge on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique 国際会議

AWAD 2012 2012年6月

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-controlled SiGe on insulator for system on panel 国際会議

8th International Thin-film Transistor Conference 2012年1月

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開催年月日： 2012年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポルトガル共和国
Catalytic-growth of Si-based thin-films for advanced semiconductor devices 国際会議

International Thin Films Conference 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾
Formation of High-Quality Ge-on-Insulator (GOI) Networks for Next-Generation Large-Scale-Integration (LSI) 国際会議

International Thin Films Conference 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾
Advanced Hetero-epitaxial Growth based on SiGe for Multi-functional Devices 招待国際会議

15th International Conference on Thin Films 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Agglomeration Free GOI Stripe Arrays with Nano-Spacing for Epitaxial Template 国際会議

15th International Conference on Thin Films 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer-Exchange crystallization with Al2O3 Interfacial Layers 国際会議

15th International Conference on Thin Films 2011 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Hybrid-Formation of (100), (110), and (111) Ge-on-Insulator Structures on (100) Si Platform 国際会議

SSDM 2011 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Novel Growth-techniques of SiGe-based Hetero-structures for Post-scaling Devices 招待国際会議

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

国名：ベルギー王国
Low Temperature (~250 oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x=1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 国際会議

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Orientation Control of (100), (110), (111) Mesh-Patterned GOI Grown by SiGe Mixing-Triggered Rapid Melting Technique 国際会議

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Effects of Dose on Activation Characteristics of P in Ge 国際会議

Taizoh SADOH

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds 国際会議

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures 国際会議

ICSI7 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ベルギー王国
Recent Progress of SiGe-based Hetero-structure Technologies for Post-scaling Devices 招待国際会議

2011 International Workshop on Advanced Electrical Engineering and Related Topics 2011年7月

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開催年月日： 2011年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Low-Temperature Formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on Insulator by Al-Induced Crystallization 国際会議

AWAD2011 2011年6月

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開催年月日： 2011年6月 - 2011年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Low-temperature (~250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics 国際会議

AWAD2011 2011年6月

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開催年月日： 2011年6月 - 2011年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 国際会議

219th ECS Meeting 2011年5月

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Au-catalyst Induced Low Temperature (~250 ℃) Layer Exchange Crystallization for SiGe on Insulator 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2011年5月

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Montreal 国名：カナダ
Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth 国際会議

219th ECS Meeting 2011年5月

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：カナダ
Si1-xGex (0 x 1) oriented-growth on transparent-insulating-substrates by Al-induced layer-exchange crystallization 国際会議

ITC 2011 2011年3月

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)
High-Mobility Ge on Insulator (GOI) Nano-Stripes for Next Generation LSI 招待国際会議

T. Sadoh and M. Miyao

ESciNano 2010 2010年12月

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開催年月日： 2010年12月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：マレーシア
High-Mobility Ge on Insulator (GOI) Nano-Stripes for Next Generation LSI 招待国際会議

ESciNano2010 2010年12月

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開催年月日： 2010年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：マレーシア
Low-temperature (≤250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 国際会議

Taizoh SADOH, ＭａｓａｎｏｂｕＭｉｙａｏ

2010年11月

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates 招待国際会議

ICSICT 2010 2010年11月

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
High-Mobility Ge on Insulator (GOI) by SiGe Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth 招待国際会議

4th International SiGe Symposium The ECS 218th 2010年10月

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開催年月日： 2010年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds 国際会議

SSDM2010 2010年9月

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Uniaxial and Biaxial Strain Distribution Mapping in SOI Micro-Structures by Polarized Raman Spectroscopy 国際会議

SSDM2010 2010年9月

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation control of Ge on insulator by growth-direction-selected SiGe-mixing-triggered melting growth 国際会議

ISTESNE 2010 2010年6月

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開催年月日： 2010年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth 国際会議

5th ISTDM2010 2010年5月

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スウェーデン王国
Growth-Direction-Dependent Characteristics of Ge-on-Insulator by SiGe Mixing Triggered Melting Growth 国際会議

5th ISTDM2010 2010年5月

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スウェーデン王国
Strained Single-Crystal GOI (Ge on Insulator) Arrays by Rapid-Melting Growth from Si (111) Micro-Seeds 国際会議

5th ISTDM2010 2010年5月

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スウェーデン王国
SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth for Orientation-Controlled Ge on Transparent Insulating Substrates 国際会議

5th ISTDM2010 2010年5月

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スウェーデン王国
SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator) 招待国際会議

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2010年1月

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si on Insulator for Epitaxial Template 国際会議

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2010年1月

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Orientation-controlled poly-SiGe on insulator by Aluminum-induced crystallization 国際会議

2010年1月

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開催年月日： 2010年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor 招待国際会議

T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Kishi, K. Hamaya, Y. Maeda, and M. Miyao

NSC-JST Nano Device Workshop 2008年7月

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開催年月日： 2008年7月

会議種別：口頭発表（一般）

国名：台湾

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産業財産権

特許権	出願件数: 1件	登録件数: 0件
実用新案権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
意匠権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
商標権	出願件数: 0件	登録件数: 0件

所属学協会

電子情報通信学会
米国電気電子工学会
電気学会
応用物理学会
電気化学会

委員歴

電子情報通信学会代議員国内

2024年4月 - 2025年3月
電子情報通信学会幹事国内

2023年4月 - 2025年3月
電子情報通信学会九州支部庶務幹事国内

2023年4月 - 2025年3月
電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員国内

2018年4月 - 2030年3月
応用物理学会薄膜・表面物理分科会幹事国内

2017年4月 - 2030年3月
応用物理学会薄膜・表面物理分科会編集幹事国内

2017年4月 - 2030年3月
国際固体素子・材料コンファレンス論文委員国際

2016年1月 - 2030年5月
応用物理学会幹事国内

2010年5月 - 2030年5月
応用物理学会九州支部国内

2010年5月 - 2030年5月
電子情報通信学会SDM研究会幹事国内

2009年7月 - 2030年6月
プログラム委員国際

2008年10月 - 2030年5月
電気学会幹事国内

2007年5月 - 2009年5月
電気学会九州支部総務企画幹事国内

2007年5月 - 2009年5月
応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会幹事国内

2004年3月 - 2030年6月

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学術貢献活動

学術論文等の審査

役割：査読

2023年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：19

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2022年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：25

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2021年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：18

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2020年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：32

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2019年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：26

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2018年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：37

国際会議録　査読論文数：50
学術論文等の審査

役割：査読

2017年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：20

国際会議録　査読論文数：50
座長（Chairmanship）国際学術貢献

ITC’10 （姫路） 2010年1月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）国際学術貢献

（名古屋） 2008年12月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）国際学術貢献

（東京） 2008年7月

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種別：大会・シンポジウム等
代表幹事

第８回シリサイド系半導体夏の学校（滋賀県彦根市） 2004年7月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：50
現地実行委員国際学術貢献

第４回Siエピタキシーとヘテロ構造に関する国際会議（ICSi-4）（兵庫県津名郡東浦町） 2004年5月 - 2004年6月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：200
現地実行委員国際学術貢献

第６回半導体微細構造のビーム注入診断技術に関する国際会議（BIAMS2000）（福岡市） 2000年11月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：500