研究者詳細 - 矢嶋赳彬

2024/07/28 更新

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ヤジマ　タケアキ

矢嶋赳彬

YAJIMA TAKEAKI

所属

システム情報科学研究院情報エレクトロニクス部門准教授
工学部電気情報工学科（併任）
システム情報科学府電気電子工学専攻（併任）
マス・フォア・イノベーション連係学府（併任）

連絡先

メールアドレス

電話番号

0928023759

プロフィール

酸化物薄膜、電子デバイス・回路、ニューロモルフィック関連分野に関する研究・教育活動

ホームページ

https://www.eng.kyushu-u.ac.jp/lab_electrical17

外部リンク

学位

博士（科学）

経歴

2012.8～2020.9 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻助教

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：小型学習回路によるエッジ情報処理

研究キーワード：エコーステートネットワーク、エクストリームマシン、リザバーコンピューティング、強化学習

研究期間： 2022年10月
研究テーマ：スイッチング回路のリズム制御による低消費電力化

研究キーワード：ニューロン回路、非同期、DCDCコンバータ、環境発電、アナログCMOS

研究期間： 2020年10月
研究テーマ：プロトンと電子を用いた短期記憶素子

研究キーワード：酸化物薄膜、ヘテロ構造、半導体、水素

研究期間： 2020年10月
研究テーマ：相転移材料を用いたデジタル温度センサ

研究キーワード：金属絶縁体転移、VO2、酸化バナジウム、サーミスタ、二値

研究期間： 2020年10月

受賞

文部科学大臣表彰若手科学者賞

2022年4月文部科学省酸化物機能に基づく省電力情報処理基盤の研究

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電子回路の低消費電力化は最重要課題である。しかし現状シリコンデバイスの優位性が高すぎるあまり既存の枠組みを超えるのが難しく、「異分野融合」が必須である。
氏は、シリコン技術に、「機能性酸化物」と「神経回路的アーキテクチャ」を導入し、電子回路の低消費電力化技術を構築した。酸化物固有の相転移現象を利用することで低消費電力化と高速化を両立できることを示し、さらに神経回路的アーキテクチャによって無駄な回路動作を排除し消費電力を削減できることを示した。
本研究成果は、新しい低消費電力化技術として、現実世界とデータ空間をリンクする次世代社会インフラの一翼を担うと期待される。
The Oxide Electronics Prize for Excellency in Research

2019年10月 International Workshop on Oxide Electronics Excellency in Research in oxide electronics
SSDM Young Researcher Award

2019年9月 SSDM 2019 Young Researcher Award
さきがけ交流会ポスター賞

2019年1月科学技術振興機構神経回路にヒントを得たsub-nW超低消費電力回路の開発
第40回応用物理学会論文賞

2018年9月日本応用物理学会 Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface.
NF基金研究開発奨励賞

2017年11月エヌエフ基金酸化物の金属絶縁体転移を用いた低消費電力電子デバイスの研究
応用物理学会ポスター賞

2017年9月日本応用物理学会 Fabrication of Phase-Transition Neuron Firing by Joule Heat Accumulation
The 8th Silicon Technology Division Award

2017年9月 The 8th Silicon Technology Division Award
ゲートスタック研究会安田賞

2014年2月第１９回ゲートスタック研究会 VO2エピタキシャル薄膜を用いたVO2相転移の不均質性の抑制
第26回独創性を拓く先端技術大賞

2012年7月フジサインケイビジネスアイ先端技術大賞ペロブスカイト酸化物における界面ダイポールの設計とトランジスタへの応用～新たな酸化物デバイスを目指して～
PCSI Young Scientist Award

2012年2月 Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces Young Scientist Award
MRS Spring, Graduate Student Award

2011年4月 Material Research Society Graduate Student Award
PFシンポジウムポスター賞

2011年3月酸化物ヘテロ界面の界面ダイポール制御によるバンドアラインメントの制御
応用物理学会講演奨励賞

2010年9月日本応用物理学会 (SrAlO3)－負電荷挿入によるSrRuO3/Nb:SrTiO3(001)ショットキー障壁高さの増大
東京大学応用物理学科卒業論文賞

2007年3月東京大学工学部物理工学科 LaMnO3/SrTiO3界面の電子的・イオン的再構成

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論文

Review of solid-state proton devices for neuromorphic information processing 招待査読国際誌

Satya Prakash Pati, Takeaki Yajima

Jpn. J. Appl. Phys. 63 ( 3 ) 030801 - 030801 2024年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Review of solid-state proton devices for neuromorphic information processing
Abstract

This is a review of proton devices for neuromorphic information processing. While solid-state devices utilizing various ions have been widely studied for non-volatile memory, the proton, which is the smallest ion, has been relatively overlooked despite its advantage of being able to move through various solids at RT. With this advantage, it should be possible to control proton kinetics not only for fast analog memory function, but also for real-time neuromorphic information processing in the same time scale as humans. Here, after briefing the neuromorphic concept and the basic proton behavior in solid-state devices, we review the proton devices that have been reported so far, classifying them according to their device structures. The benchmark clearly shows the time scales of proton relaxation ranges from several milliseconds to hundreds of seconds, and completely match the time scales for expected neuromorphic functions. The incorporation of proton degrees of freedom in electronic devices will also facilitate access to electrochemical phenomena and subsequent phase transitions, showing great promise for neuromorphic information processing in the real-time and highly interactive edge devices.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad297b
Resonant frequency modulation in inductive vibration power generator via resistive impedance control

Takeaki Yajima

IEEE Transactions on Power Electronics 39 ( 1 ) 1269 - 1278 2023年12月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/tpel.2023.3322704
Zero-dimensionality of a scaled-down VO2 metal-insulator transition via high-resolution electrostatic gating 査読

Takeaki Yajima, Yusuke Samata, Satoshi Hamasuna, Satya Prakash Pati, Akira Toriumi

NPG Asia Materials 15 39-1 - 39-6 2023年6月

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記述言語：その他

Zero-dimensionality of a scaled-down VO2 metal-insulator transition via high-resolution electrostatic gating

DOI： 10.1038/s41427-023-00486-9
Controlling proton volatility in SiO₂-capped TiO₂ thin films for neuromorphic functionality

T. Yajima, S. P. Pati

Applied Physics Letters 120 ( 24 ) 241601 - 241601 2022年6月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0094481
Ultra-low-power switching circuits based on a binary pattern generator with spiking neurons 査読国際誌

Takeaki Yajima

Scientific Reports 12 1150 2022年1月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ultra-low-power switching circuits based on a binary pattern generator with spiking neurons
Observation of the Pinch‐Off Effect during Electrostatically Gating the Metal‐Insulator Transition 査読国際誌

8 2100842 - 2100842 2021年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/aelm.202100842
Regulating phase transformation kinetics via redox reaction in ferroelectric Ge-doped HfO2 査読

T. Yajima, T. Nishimura, S. Migita, T. Tanaka, K. Uchida, A. Toriumi

Applied Physics Letters 117 ( 18 ) 182902 - 182902 2020年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0028620
Modulation of VO 2 Metal–Insulator Transition by Ferroelectric HfO 2 Gate Insulator 査読

6 ( 5 ) 1901356 - 1901356 2020年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/aelm.201901356
High-speed low-energy heat signal processing via digital-compatible binary switch with metal-insulator transitions. 査読

T. Yajima, T. Tanaka, Y. Samata, K. Uchida, A. Toriumi

International Electron Devices Meeting (IEDM) 903 - 906 2019年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

High-speed low-energy heat signal processing via digital-compatible binary switch with metal-insulator transitions.

DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993502
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique. 査読

T. Yajima, G. Oike, S. Yamaguchi, S. Miyoshi, T. Nishimura, A. Toriumi

AIP Advances 8 115133 2018年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique.

DOI： 10.1063/1.5055302
Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials. 査読

T. Yajima, T. Nishimura, and A, Toriumi

VLSI (Technology) 18 27 - 28 2018年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials.

DOI： 10.1109/VLSIT.2018.8510649
Identifying the Collective Length in VO2 Metal-Insulator Transitions 査読

Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

SMALL 13 ( 12 ) 2017年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201603113
Functional Passive Material VO2 for Analogue Signal Processing with High-Speed, Low Power, and Robust Performance 査読国際誌

T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838540
Independent control of phases and defects in TiO2 thin films for functional transistor channels 査読

Takeaki Yajima, Go Oike, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 213 ( 8 ) 2196 - 2202 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.201600006
Positive-bias gate-controlled metal-insulator transition in ultrathin VO2 channels with TiO2 gate dielectrics 査読

Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

NATURE COMMUNICATIONS 6 2015年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/ncomms10104
Controlling band alignments by artificial interface dipoles at perovskite heterointerfaces 査読国際誌

Yajima, Takeaki, Hikita, Yasuyuki, Minohara, Makoto, Bell, Christopher, Mundy, Julia A., Kourkoutis, Lena F., Muller, David A., Kumigashira, Hiroshi, Oshima, Masaharu, Hwang, Harold Y

Nature Communications 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/ncomms7759
Drastic change in electronic domain structures via strong elastic coupling in VO2 films 査読

Takeaki Yajima, Yuma Ninomiya, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

PHYSICAL REVIEW B 91 ( 20 ) 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.205102
Enhanced Electrical Transparency by Ultrathin LaAlO3 Insertion at Oxide Metal/Semiconductor Heterointerfaces 査読国際誌

Yajima, Takeaki, Minohara, Makoto, Bell, Christopher, Kumigashira, Hiroshi, Oshima, Masaharu, Hwang, Harold Y., Hikita, Yasuyuki

Nano Letters 2015年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/nl504169m
A heteroepitaxial perovskite metal-base transistor 査読

Takeaki Yajima, Yasuyuki Hikita, Harold Y. Hwang

NATURE MATERIALS 10 ( 3 ) 198 - 201 2011年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/NMAT2946
Design of The Ultra-Low-Power Driven VMM Configurations for μW Scale IoT Devices

2023年12月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/mcsoc60832.2023.00018
Long-time-constant leaky-integrating oxygen-vacancy drift-diffusion FET for human-interactive spiking reservoir computing

Hisashi Inoue, Hiroto Tamura, Ai Kitoh, Xiangyu Chen, Zolboo Byambadorj, Takeaki Yajima, Yasushi Hotta, Tetsuya Iizuka, Gouhei Tanaka, Isao H. Inoue

2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 2023年6月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185412
CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks 査読

Xiangyu Chen, Zolboo Byambadorj, Takeaki Yajima, Hisashi Inoue, Isao H. Inoue, Tetsuya Iizuka

Applied Physics Letters 122 074102 2023年2月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks

DOI： 10.1063/5.0136627
An ultra-compact leaky integrate-and-fire neuron with long and tunable time constant utilizing pseudo resistors for spiking neural networks

Xiangyu Chen, Takeaki Yajima, Isao H. Inoue, Tetsuya Iizuka

Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SC ) SC1051 - SC1051 2022年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ac43e4
Self-synchronized Rectifier with Phase Information Extracted from Vibration Energy Harvester 査読

Hang Yin, Takeaki Yajima

Sensors and Materials 34 ( 5 ) 1899 - 1907 2022年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.18494/SAM3863
Atomistic simulation study of impacts of surface carrier scatterings on carrier transport in Pt nanosheets 査読

Takahisa Tanaka, Taro Kato, Takeaki Yajima, Ken Uchida

IEEE Electron Device Letters 1057 - 1060 2021年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/led.2021.3077466
Temperature dependence of resistivity increases induced by thiols adsorption in gold nanosheets

Taro Kato, Takahisa Tanaka, Takeaki Yajima, Ken Uchida

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) SBBH13 - SBBH13 2021年2月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Temperature dependence of resistivity increases induced by thiols adsorption in gold nanosheets

DOI： 10.35848/1347-4065/abd6de
Impact of defects in self-assembled monolayer on humidity sensing by molecular functionalized transistors 査読

T. Tanaka, T. Yajima, K. Uchida

Jpn. J. Appl. Phys. 2020年3月

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記述言語：英語

Impact of defects in self-assembled monolayer on humidity sensing by molecular functionalized transistors
Understanding of Fermi level pinning at metal/germanium interface based on semiconductor structure 査読

X. Lu, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi

APEX 13 031003 2020年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Understanding of Fermi level pinning at metal/germanium interface based on semiconductor structure
Reaction of GeO2 with Ge and crystallization of GeO2 on Ge 査読

M. Xie, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi

J. Appl. Phys. 127 024101 2020年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Reaction of GeO2 with Ge and crystallization of GeO2 on Ge
Electron‐Doping Mottronics in Strongly Correlated Perovskite 査読

32 ( 6 ) 1905060 2019年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Heteroepitaxial vertical perovskite hot-electron transistors down to the monolayer limit. 査読

B. Kim, Y. Hikita, T. Yajima, H. Hwang

Nature Commun. 10 5312 2019年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Heteroepitaxial vertical perovskite hot-electron transistors down to the monolayer limit.
Almost pinning-free bismuth/Ge and/Si interfaces 査読

Tomonori Nishimura, Xuan Luo, Soshi Matsumoto, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

AIP ADVANCES 9 ( 9 ) 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5115535
Delta-temperatural electronic transportation achieved in metastable perovskite rare-earth nickelate thin films 査読

Chen Jikun, Hu Haiyang, Yajima Takeaki, Wang Jiaou, Ge Binghui, Dong Hongliang, Jiang Yong, Chen Nuofu

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 7 ( 26 ) 8101 - 8108 2019年7月

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記述言語：その他

Delta-temperatural electronic transportation achieved in metastable perovskite rare-earth nickelate thin films

DOI： 10.1039/c9tc02327e
Overcoming synthetic metastabilities and revealing metal-to-insulator transition & thermistor bi-functionalities for d-band correlation perovskite nickelates 査読

Chen Jikun, Hu Haiyang, Wang Jiaou, Yajima Takeaki, Ge Binghui, Ke Xinyou, Dong Hongliang, Jiang Yong, Chen Nuofu

MATERIALS HORIZONS 6 ( 4 ) 788 - 795 2019年4月

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記述言語：その他

Overcoming synthetic metastabilities and revealing metal-to-insulator transition & thermistor bi-functionalities for d-band correlation perovskite nickelates

DOI： 10.1039/c9mh00008a
Inhomogeneous barrier heights at dipole-controlled SrRuO3/Nb:SrTiO3 Schottky junctions 査読

T. Yajima, M. Minohara, C. Bell, H. Y. Hwang, Y. Hikita

Applied Physics Letters 11 221603 2018年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5052712
Anomalous Spectral Shape Evolution of Ge Raman Shift in Oxidation of SiGe. 査読

Y Noma, W Song, T Nishimura, T Yajima, A Toriumi

IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Anomalous Spectral Shape Evolution of Ge Raman Shift in Oxidation of SiGe.

DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421461
Strain Tuning in Complex Oxide Epitaxial Films Using an Ultrathin Strontium Aluminate Buffer Layer 査読

Di Lu, Yasuyuki Hikita, David J. Baek, Tyler A. Merz, Hiroki Sato, Bongju Kim, Takeaki Yajima, Christopher Bell, Arturas Vailionis, Lena F. Kourkoutis, Harold Y. Hwang

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 12 ( 3 ) 2018年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1002/pssr.201700339
Rigidity enhancement of GeO2by Y doping for reliable Ge gate stacks 査読

Tomonori Nishimura, Xiaoyu Tang, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Rigidity enhancement of GeO2by Y doping for reliable Ge gate stacks

DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421529
Potential Influence of Surface Atomic Disorder on Fermi-level Pinning at Metal/SiGe Interface 査読

X Luo, T Nishimura, T Yajima, A Toriumi

Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Potential Influence of Surface Atomic Disorder on Fermi-level Pinning at Metal/SiGe Interface

DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421410
Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm 査読

Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Letters 112 ( 10 ) 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5017094
Sub-nm EOT ferroelectric HfO2 on p+Ge with highly reliable field cycling properties 査読

X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 17 37.1.1 - 37.1.4 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IEDM.2017.8268508
Dipole-correlated carrier transportation and orbital reconfiguration in strain-distorted SrNbxTi1-xO3/KTaO3 査読

Jikun Chen, Xinyou Ke, Jiaou Wang, Takeaki Yajima, Haijie Qian, Song Sun

PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS 19 ( 44 ) 29913 - 29917 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/c7cp06495k
Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface 査読

Nishimura Tomonori, Yajima Takeaki, Toriumi Akira

SEMICONDUCTOR PROCESS INTEGRATION 10 80 ( 4 ) 107 - 112 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface
Fermi-level pinning (FLP) at metal/semiconductor interface, which is deviated from ideal Schottky-Mott limit, has been discussed for several decades based on various intrinsic and extrinsic models, and it has commonly been considered that the origin of FLP is ascribed only to semiconductor side. In this paper, we discuss FLP from the viewpoint of work function of metal. We focus on a fact that both of surface term of vacuum work function at metal/vacuum interface and intrinsic metal induced gap states (MIGS) at metal/semiconductor interface are described as a common physics of wave function tailing from metal. This suggests that the MIGS is regarded as a surface term of work function of metal at metal/semiconductor interface rather than interface states. Namely, the FLP caused by MIGS seems corresponded to modulation of work function. We also discuss how to control the work function modulation from both semiconductor and metal sides taking germanium as an example.

DOI： 10.1149/08004.0107ecst
Kinetic pathway of the ferroelectric phase formation in doped HfO2 films 査読

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122 ( 12 ) 2017年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5003918
Thermal oxidation kinetics of germanium 査読

X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi

APPLIED PHYSICS LETTERS 111 ( 5 ) 052101 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4997298
n(+)Si/pGe Heterojunctions Fabricated by Low Temperature Ribbon Bonding With Passivating Interlayer 査読

Tony Chi Liu, Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 38 ( 6 ) 716 - 719 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2017.2699658
Thermodynamic understanding and analytical modeling of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks on Si, SiGe, and SiC 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS LETTERS 110 ( 14 ) 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4979711
Ultrahigh Thermoelectric Performance in SrNb0.2Ti0.8O3 Oxide Films at a Submicrometer-Scale Thickness 査読

Jikun Chen, Hongyi Chen, Feng Hao, Xinyou Ke, Nuofu Chen, Takeaki Yajima, Yong Jiang, Xun Shi, Kexiong Zhou, Max Dobeli, Tiansong Zhang, Binghui Ge, Hongliang Dong, Huarong Zeng, Wenwang Wu, Lidong Chen

ACS ENERGY LETTERS 2 ( 4 ) 915 - 921 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsenergylett.7b00197
General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 査読

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 25.2.1 - 25.2.4 2017年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838477
General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 査読国際誌

L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, A. Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838477
Ferroelectric phase stabilization of HfO2 by nitrogen doping 査読

Lun Xu, Tomonori Nishimura, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9 ( 9 ) 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.9.091501
Anomalous electrical properties of Au/SrTiO3 interface 査読

Lun Xu, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 8 ) 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PB04
Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface 査読

Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9 ( 8 ) 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.9.081201
Ferroelectricity of nondoped thin HfO2 films in TiN/HfO2/TiN stacks 査読

Tomonori Nishimura, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 8 ) 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PB01
Recent Progress of Junction Technology for Germanium CMOS 査読

Tomonori Nishimura, Choong Hyun Lee, Toshimitsu Nakamura, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi

2015 15TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 65 - 68 2016年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IWJT.2015.7467098
Experimental evidence of zone-center optical phonon softening by accumulating holes in thin Ge 査読

Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

AIP ADVANCES 6 ( 1 ) 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4941072
Gate-bias dependent phonon softening observed in Ge MOSFETs 査読

Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

ECS Transactions 69 ( 10 ) 75 - 80 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/06910.0075ecst
Significance of Kinetic-linkage of Oxygen Vacancy with SiO2/Si Interface for SiO2-IL Scavenging in HfO2 Gate Stacks 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

2015 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Study of Si kinetics in interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stacks 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 ( 6 ) 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.8.061304
Effect of Free Carrier Accumulation or Depletion on Zone-center Vibrational Mode in Ge 査読

Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

2015 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Nondestructive characterization of oxide/germanium interface by direct-gap photoluminescence analysis 査読

Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishiumura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 ( 5 ) 2015年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.8.051301
Analytical Formulation of SiO<inf>2</inf>-IL scavenging in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>/Si gate stacks - A key is the SiO<inf>2</inf>/Si interface reaction 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2015- ( February ) 21.2.1 - 21.2.4 2015年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047094
Effect of Si substrate on interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS LETTERS 105 ( 18 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4901172
Atomic-scale Planarization of Ge (111), (110) and (100) Surfaces 査読

Tomonori Nishimura, ChoongHyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM) 127 - 128 2014年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISTDM.2014.6874698
Kinetic Model for Scavenging of SiO2 Interface Layer in HfO2 Gate Stacks 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

2014 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/SNW.2014.7348532
Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H-2 annealing 査読

Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7 ( 5 ) 2014年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.7.051301
HfO2-assisted SiO2 reduction in HfO2/SiO2/Si stacks 査読

Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

THIN SOLID FILMS 557 272 - 275 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.10.142
Visualizing the interfacial evolution from charge compensation to metallic screening across the manganite metal-insulator transition 査読

Julia A. Mundy, Yasuyuki Hikita, Takeaki Hidaka, Takeaki Yajima, Takuya Higuchi, Harold Y. Hwang, David A. Muller, Lena F. Kourkoutis

NATURE COMMUNICATIONS 5 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/ncomms4464
High electron mobility (16 cm2/Vsec) FETs with high on/off ratio (10^6) and highly conductive films (10^2 S/cm) by chemical doping in very thin (∼20 nm) TiO2 films on thermally grown SiO2 査読

2013年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724610
Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing 査読

T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, A. Toriumi

ULSI PROCESS INTEGRATION 8 58 ( 9 ) 201 - 206 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1149/05809.0201ecst
Coexistence of two-dimensional and three-dimensional Shubnikov–de Haas oscillations in Ar+-irradiated KTaO3 査読

88 ( 8 ) 085102 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.88.085102
Hot electron transport in a strongly correlated transition-metal oxide 査読

Kumari Gaurav Rana, Takeaki Yajima, Subir Parui, Alexander F. Kemper, Thomas P. Devereaux, Yasuyuki Hikita, Harold Y. Hwang, Tamalika Banerjee

SCIENTIFIC REPORTS 3 2013年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep01274
ペロブスカイト酸化物における界面ダイポールの設計とトランジスタへの応用

矢嶋赳彬

先端技術大賞 2012年6月

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記述言語：その他
Reentrant insulating state in ultrathin manganite films 査読

Bongju Kim, Daeyoung Kwon, Takeaki Yajima, Christopher Bell, Yasuyuki Hikita, Bog G. Kim, Harold Y. Hwang

APPLIED PHYSICS LETTERS 99 ( 9 ) 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3628659
Charge Writing at the LaAlO3/SrTiO3 Surface 査読

Yanwu Xie, Christopher Bell, Takeaki Yajima, Yasuyuki Hikita, Harold Y. Hwang

NANO LETTERS 10 ( 7 ) 2588 - 2591 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/nl1012695
Mn3O4 precipitates in laser-ablated manganite films 査読

T. Higuchi, T. Yajima, L. Fitting Kourkoutis, Y. Hikita, N. Nakagawa, D. A. Muller, H. Y. Hwang

APPLIED PHYSICS LETTERS 95 ( 4 ) 043112 2009年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3193667
Termination control of the interface dipole in La0.7Sr0.3MnO3/Nb:SrTiO3 (001) Schottky junctions 査読

Yasuyuki Hikita, Mitsuru Nishikawa, Takeaki Yajima, Harold Y. Hwang

PHYSICAL REVIEW B 79 ( 7 ) 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.79.073101

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書籍等出版物

環境発電ハンドブック第２版

矢嶋赳彬（担当：共著）

エヌ・ティー・エス 2022年4月

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担当ページ：p43-47 記述言語：日本語著書種別：学術書
環境発電ハンドブック第２版

矢嶋赳彬

エヌ・ティー・エス 2021年10月

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記述言語：その他

講演・口頭発表等

酸化物相転移とプロトンを駆使したニューロモルフィックデバイス設計招待

矢嶋赳彬

第258回JOEM研究会 2023年12月

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記述言語：その他

国名：その他
Smart energy extraction from energy harvesters using timing-based asynchronous digital circuits 招待

Takeaki Yajima

IEEE-NEMS2022 2022年4月

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記述言語：その他

国名：その他
Low-power circuits for energy harvesters based on spiking-neuron delay elements 招待

Takeaki Yajima

EuMW2021 2022年4月

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記述言語：その他

国名：その他
持続可能社会のためのニューロモルフィックデバイス設計招待

矢嶋赳彬

学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第7回研究会 2022年8月

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記述言語：その他

国名：その他
環境発電の普及に向けた電源回路技術の動向について招待

矢嶋赳彬

SDRJ委員会 2023年1月

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記述言語：その他

国名：その他
プロトンを用いたニューロモルフィック情報素子の設計招待

矢嶋赳彬

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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記述言語：その他

国名：その他
Designing neuromorphic devices using protons 招待

Takeaki Yajima

IWDTF 2023 (2023, Kanazawa, Japan) 2023年10月

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記述言語：その他

国名：その他

Designing neuromorphic devices using protons
スパイキングニューラルネットを用いたエッジAIと環境発電のへの応用招待

矢嶋赳彬

エネルギーハーベスティングコンソーシアム総会 (2023, Tokyo) 2023年6月

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記述言語：その他

国名：その他
固体プロトン素子を用いたニューロモルフィック機能設計招待

矢嶋赳彬

第85回固体イオニクス研究会 (2023, Tokyo) 2023年7月

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記述言語：その他

国名：その他
酸化物ヘテロ構造とプロトンを用いたニューロモルフィック素子招待

矢嶋赳彬

第84回応用物理学会秋季講演会 (2023, Kumamoto) 2023年9月

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記述言語：その他

国名：その他
プロトンを用いたニューロモルフィック情報処理招待

矢嶋赳彬

新材料・新原理で築くニューロモルフィックシステム (2023, Osaka) 2023年8月

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記述言語：その他

国名：その他
ニューロン回路と材料機能を用いた超低消費電力化技術の研究招待

矢嶋赳彬

Neumorphランチョンセミナー 2021年10月

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記述言語：その他

国名：その他
Ultra-sharp three-terminal switch using nano-scale phase transition material 招待

Takeaki Yajima

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021) 2021年10月

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記述言語：その他

国名：その他
非同期デジタル制御による振動発電用回路招待

矢嶋赳彬

環境発電関連技術の最先端（応用物理学会エネルギーハーベスティング研究グループ） 2021年11月

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記述言語：その他

国名：その他
Codesign of materials and circuits for neuromorphic edge computing 招待

Takeaki Yajima

2021年12月

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記述言語：その他

国名：その他

Codesign of materials and circuits for neuromorphic edge computing
Next-generation switching devices based on metal-insulator transitions 招待

Takeaki Yajima

ISPlasma2022 2022年3月

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記述言語：その他

国名：その他

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MISC

神経回路のアナロジーに基づく省エネエレクトロニクス査読

矢嶋赳彬

電気学会誌 2024年2月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejjournal.144.84
スパイキングニューロン回路を用いた低消費電力IoT回路技術

矢嶋赳彬

機能材料 2021年3月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
金属絶縁体転移材料を利用した回路技術の研究査読

矢嶋赳彬

電子情報通信学会和文論文誌C 2020年9月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
ペロブスカイト酸化物へテロ界面における界面ダイポールを用いたバンドオフセット制御

矢嶋赳彬、疋田育之、簑原誠人、Christopher BELL、組頭広志、尾嶋正治、Julia A. MUNDY、Lena FITTING KOURKOUTIS、David. A. MULLER、Harold HWANG

2012年4月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
Engineering Artificial Interface Dipoles at Oxide Heterointerfaces.

T. Yajima, Y. Hikita, M. Minohara, C. Bell, J. A. Mundy, L. Fitting Kourkoutis, D. A. Muller, H. Kumigashira, M. Oshima, H. Y. Hwang

PF Activity Report 2015年6月

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記述言語：その他

Engineering Artificial Interface Dipoles at Oxide Heterointerfaces.
Engineering Artificial Interface Dipoles at Oxide Heterointerfaces

T. Yajima, Y. Hikita, M. Minohara, C. Bell, J. A. Mundy, L. Fitting Kourkoutis, D. A. Muller, H. Kumigashira, M. Oshima, and H. Y. Hwang

PF Activity Report 2015年4月

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記述言語：英語掲載種別：機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等

その他リンク： http://pfwww.kek.jp/acr/2014pdf/part_a/14ah1_2.pdf
ペロブスカイト酸化物における界面ダイポールの設計とトランジスタへの応用査読

矢嶋赳彬

独創性を拓く　先端技術大賞 2012年6月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

その他リンク： http://www.fbi-award.jp/sentan/jusyou/2012/3.pdf
Controlling Band Alignments by Engineering Interface Dipoles at Perovskite Oxide Heterointerfaces.

T. Yajima, Y. Hikita, M. Minohara, C. Bell, H. Kumigashira, M. Oshima, J. A. Mumdy, L. F. Kourkoutis, D. A. Muller, H. Hwang

PF News 2012年1月

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記述言語：その他

Controlling Band Alignments by Engineering Interface Dipoles at Perovskite Oxide Heterointerfaces.

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産業財産権

特許権	出願件数: 14件	登録件数: 1件
実用新案権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
意匠権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
商標権	出願件数: 0件	登録件数: 0件

所属学協会

IEEE
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
日本神経回路学会
Material Research Society
応用物理学会

委員歴

幹事国際

2024年1月 - 2025年9月
応用物理学会中分類（酸化物エレクトロニクス）プログラム委員国内

2023年4月 - 2025年3月
ニューロモルフィックAIハードウェア研究センター外部委員国内

2021年7月 - 現在
プログラム委員国際

2020年10月 - 2023年3月
幹事国内

2019年12月 - 現在
応用物理学会トータルバイオミメティクス領域グループ幹事国内

2019年11月 - 2023年4月
エネルギーハーベスティングコンソーシアム正式オブザーバ国内

2018年4月 - 現在

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学術貢献活動

オーガナイザ

脳機能から考えるレザバーコンピューティングの未来（オンライン） 2021年8月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：55
オーガナイザ

バイオミメティック情報処理の最前線（大阪） 2020年11月

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種別：大会・シンポジウム等
Executive Comittee 国際学術貢献

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials （ Tokyo Japan ） 2018年9月

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種別：大会・シンポジウム等
代表企画者

第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会企画セッション「ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術」（三島） 2018年1月

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種別：大会・シンポジウム等
代表世話人

春季応用物理学会シンポジウム「次世代ニューロモルフィックハードウェアにおける機能性酸化物の役割」（横浜） 2017年3月

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種別：大会・シンポジウム等

共同研究・競争的資金等の研究課題

自立センサノードのためのバイオミメティック汎用電源回路

2022年 - 2027年

産業技術研究助成事業 (経済産業省)

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
スパイキングネットによるエッジでのリアルタイム学習基盤

2019年 - 2024年

戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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担当区分：研究分担者資金種別：受託研究
抵抗変化素子を活用した環境発電用回路技術の創成

2017年 - 2020年

戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究

教育活動概要

学部にて電磁気学基礎、量子力学応用I、大学院にてニューロモルフィックハードウェア特論、電気電子工学企画演習を担当する。

担当授業科目

電磁気学基礎

2023年12月 - 2024年2月冬学期
電気電子工学演示Ⅱ

2023年10月 - 2024年3月後期
電気電子工学読解Ⅱ

2023年10月 - 2024年3月後期
電磁気学基礎

2023年10月 - 2023年12月秋学期
Neuromorphic Hardware II

2023年6月 - 2023年8月夏学期
ニューロコンピューティング特論Ⅱ

2023年6月 - 2023年8月夏学期
ニューロモルフィックハードウェア特論Ⅱ

2023年6月 - 2023年8月夏学期
電気工学基礎Ⅱ

2023年6月 - 2023年8月夏学期
構成エレクトロニクス特別講究

2023年4月 - 2024年3月通年
Advanced Research in Electrical and Electronic Eng II

2023年4月 - 2024年3月通年
Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

2023年4月 - 2024年3月通年
Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

2023年4月 - 2024年3月通年
電気電子工学特別研究Ⅱ

2023年4月 - 2024年3月通年
電気電子工学特別研究Ⅰ

2023年4月 - 2024年3月通年
電気電子工学特別演習

2023年4月 - 2024年3月通年
Advanced Research in Constructive Electronics

2023年4月 - 2024年3月通年
電気電子工学演示Ⅰ

2023年4月 - 2023年9月前期
電気電子工学読解Ⅰ

2023年4月 - 2023年9月前期
電気工学基礎

2023年4月 - 2023年9月前期
ニューロコンピューティング特論Ⅰ

2023年4月 - 2023年6月春学期
量子力学応用Ⅰ

2023年4月 - 2023年6月春学期
量子力学応用Ⅰ

2023年4月 - 2023年6月春学期
電気工学基礎Ⅰ

2023年4月 - 2023年6月春学期
電磁気学基礎

2022年12月 - 2023年2月冬学期
電磁気学基礎

2022年10月 - 2022年12月秋学期
Neuromorphic Hardware II

2022年6月 - 2022年8月夏学期
ニューロモルフィックハードウェア特論Ⅱ

2022年6月 - 2022年8月夏学期
工学概論（Ⅰ群）

2022年4月 - 2022年9月前期
量子力学大意

2022年4月 - 2022年9月前期
電気電子工学特別研究第ニ 1G

2022年4月 - 2022年9月前期
電気電子工学読解Ⅰ

2022年4月 - 2022年9月前期
電気電子工学演示Ⅰ

2022年4月 - 2022年9月前期
電気電子工学研究演示(第1ｸﾞﾙｰﾌﾟ)

2022年4月 - 2022年9月前期
Group Research Proposal for EEE

2022年4月 - 2022年9月前期
Survey in EEE Studies(Group1)

2022年4月 - 2022年9月前期
電気電子工学企画演習

2022年4月 - 2022年9月前期
Neuromorphic Hardware I

2022年4月 - 2022年6月春学期
量子力学応用Ⅰ

2022年4月 - 2022年6月春学期
ニューロモルフィックハードウェア特論Ⅰ

2022年4月 - 2022年6月春学期
電磁気学基礎

2021年12月 - 2022年2月冬学期
電気電子工学読解Ⅱ

2021年10月 - 2022年3月後期
電気電子工学研究調査(第1ｸﾞﾙｰﾌﾟ)

2021年10月 - 2022年3月後期
電磁気学基礎

2021年10月 - 2022年3月後期
電磁気学基礎

2021年10月 - 2021年12月秋学期
ニューロモルフィックハードウェア特論Ⅱ

2021年6月 - 2021年8月夏学期
Neuromorphic Hardware II

2021年6月 - 2021年8月夏学期
電気電子工学読解Ⅰ

2021年4月 - 2021年9月前期
[M2]電気電子工学演習第三

2021年4月 - 2021年9月前期
ニューロモルフィックハードウェア特論

2021年4月 - 2021年9月前期
Neuromorphic Hardware I

2021年4月 - 2021年6月春学期
量子力学応用Ⅰ

2021年4月 - 2021年6月春学期
ニューロモルフィックハードウェア特論Ⅰ

2021年4月 - 2021年6月春学期
量子力学応用１

2021年4月 - 2021年6月春学期

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FD参加状況

2022年1月役割：参加名称：【シス情FD】シス情関連の科学技術に対する国の政策動向（に関する私見）

主催組織：部局
2021年4月役割：参加名称：令和３年度第１回全学ＦＤ（新任教員の研修）

主催組織：全学
2021年3月役割：参加名称：学習支援システム（M2B）講習会（オンライン開催）◇初級編・中・上級編◇13:00～15:00

主催組織：全学
2020年12月役割：参加名称：Moodle&MS Teams連携によるオンライン講義実施報告(Youtube Prezi Powerpoint Wolframcloud そして TeX)

主催組織：部局

その他教育活動及び特記事項

2023年クラス担任学部
2022年クラス担任学部
2021年クラス担任学部

メディア報道

九大、生物の神経回路に学ぶ超省エネIoT制御技術を確立新聞・雑誌

日本経済新聞 2022年1月

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九大、生物の神経回路に学ぶ超省エネIoT制御技術を確立

政策形成、学術振興等への寄与活動

2023年3月応用物理学会シンポジウム「脳と非生体型自律分散システムにおける情報処理・創造の最前線」

世話人
2021年4月 - 2021年8月第２回トータルバイオミメティクス研究会「脳機能から考えるレザバーコンピューティングの未来」

代表企画者
2020年5月 - 2022年3月応用物理学会若手チャプタ

副代表
2018年11月 - 2019年3月 International Workshop on Materials Science & Device Physics for Advanced Electron Devices

実行委員
2017年10月 - 2018年9月 SSDM 2018

実行委員
2017年6月 - 2018年1月第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会企画セッション"ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術"

代表企画者
2016年9月 - 2017年3月春季応用物理学会 2017 シンポジウム "次世代ニューロモルフィックハードウェアにおける機能性酸化物の役割"

代表世話人

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