Platelet NaNbO₃ grown by single-step molten salt synthesis: Study on bismuth migration in topochemical conversion reaction Reviewed

Takayuki Watanabe, Masatoshi Watanabe, Tatsuya Suzuki, Satoshi Yamabi, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Naoko Ito, Nobuhiro Kumada

Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 9S )   09PB08   2014.9

Microscopic structure and electrical transport property of sputter-deposited amorphous indium-gallium-zinc oxide semiconductor films Invited Reviewed

H Yabuta, N Kaji, M Shimada, T Aiba, K Takada, H Omura, T Mukaide, I Hirosawa, T Koganezawa, H Kumomi

Journal of Physics: Conference Series   518 ( 1 )   012001   2014.6

Characterizations of epitaxial Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃–Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃ solid solution films grown by pulsed laser deposition Reviewed

53 ( 5S1 )   05FE06   2014.5

Growth of (1-x)NaNbO₃–xBaTiO₃ Single Crystals by Slow-Cooling and Flux Methods Reviewed

52 ( 9S1 )   09KC02   2013.9

Structure and Magnetic Properties of BiFe_1–xCo_xO₃ and Bi_0.9Sm_0.1Fe_1–xCo_xO₃ Reviewed

52 ( 18 )   10698 - 10704   2013.9

Effect of sintering condition and V-doping on the piezoelectric properties of BaTiO₃–Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃–BiFeO₃ ceramics Reviewed

121 ( 1416 )   589 - 592   2013.8

Microstructure and Piezoelectric Properties of BaTiO₃–Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃–BiFeO₃ Ceramics Reviewed

566   59 - 63   2013.7

Growth of (111) One-Axis-Oriented Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃ Films on (100)Si Substrates Reviewed

Takahiro Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Koji Ishii, Yoshitaka Ehara, Hisato Yabuta, Takeshi Kobayashi, Tetsuro Fukui, Kaoru Miura, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 4S )   04CH09   2013.4

Film Thickness Dependence of Ferroelectric Properties of (111)-Oriented Epitaxial Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃ Films Reviewed

Takahiro Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Hisato Yabuta, Yoshitaka Ehara, Tetsuro Fukui, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 9 PART 2 )   09LA04   2012.9

Microstructure of BaTiO₃–Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃–BiFeO₃ Piezoelectric Ceramics Reviewed

51 ( 9 PART 2 )   09LD04   2012.9

Piezoelectric enhancement of relaxor-based lead-free piezoelectric ceramics by nanodomain engineering Reviewed

Ichiro Fujii, Ryuta Mitsui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada, Hisato Yabuta, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Kaoru Miura

Proceedings of ISAF-ECAPD-PFM 2012   6297767   2012.7

Sm置換BiFeO₃の相転移挙動 Reviewed

久保田純, 岡研吾, 中村嘉孝, 薮田久人, 三浦薫, 島川祐一, 東正樹

粉体および粉末冶金   59 ( 5 )   239 - 245   2012.5

Sequential Phase Transitions in Sm Substituted BiFeO₃ Reviewed

Makoto Kubota, Kengo Oka, Yoshitaka Nakamura, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Yuichi Shimakawa, Masaki Azuma

Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 9 )   09NE08   2011.9

Structural, Dielectric, and Piezoelectric Properties of Mn-Doped BaTiO₃–Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃–BiFeO₃ Ceramics Reviewed

50 ( 9 )   09ND07   2011.9

Structural Transformation of Hexagonal (0001)BaTiO₃ Ceramics to Tetragonal (111)BaTiO₃ Ceramics Reviewed

Takayuki Watanabe, Mikio Shimada, Toshiaki Aiba, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Kengo Oka, Masaki Azuma, Satoshi Wada, Nobuhiro Kumada

Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 9 )   09ND01   2011.9

Relaxor Characteristics of BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃ Ceramics Reviewed

Ichiro Fujii, Keisuke Yamato, Mikio Shimada, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada

Key Engineering Materials   485   31 - 34   2011.7

Sputtering formation of p-type SnO thin-film transistors on glass toward oxide complimentary circuits Reviewed

Hisato Yabuta, Nobuyuki Kaji, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

Applied Physics Letters   97 ( 7 )   072111   2010.8

Electronic states of magnetic refrigerator materials Mn_0.9Fe_1.1P_0.55As_0.45using soft x-ray magnetic circular dichroism Reviewed

Y Takeda, T Okane, T Ohkochi, S -i Fujimori, Y Saitoh, H Yamagami, H Yabuta, T Takabatake

Journal of Physics: Conference Series   200 ( 1 )   012199   2010.1

Materials, Devices, and Circuits of Transparent Amorphous-Oxide Semiconductor Reviewed

Hideya Kumomi, Seiichiro Yaginuma, Hideyuki Omura, Amita Goyal, Ayumu Sato, Masaya Watanabe, Mikio Shimada, Nobuyuki Kaji, Kenji Takahashi, Masato Ofuji, Tomohiro Watanabe, Naho Itagaki, Hisae Shimizu, Katsumi Abe, Yoshinori Tateishi, Hisato Yabuta, Tatsuya Iwasaki, Ryo Hayashi, Toshiaki Aiba, Masafumi Sano

Journal of Display Technology   5 ( 12 )   531 - 540   2009.12

42.1: Invited Paper: Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs Reviewed

Ryo Hayashi, Ayumu Sato, Masato Ofuji, Katsumi Abe, Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

SID Symposium Digest of Technical Papers   39 ( 1 )   621 - 624   2008.5

Circuits using uniform TFTs based on amorphous In-Ga-Zn-O Reviewed

Ryo Hayashi, Masato Ofuji, Nobuyuki Kaji, Kenji Takahashi, Katsumi Abe, Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

Journal of the Society for Information Display   15 ( 11 )   915 - 921   2007.11

Neutron powder diffraction study of the site disorder in YbInCu₄ Reviewed

K. Hiraoka, H. Yabuta, K. Kojima, K. Oikawa, T. Kamiyama

Journal of Magnetism and Magnetic Materials   310 ( 2 )   380 - 382   2007.3

Pressure effects on the first order transition in MnFe(P,As) and MnFe(P,Ge) Reviewed

H. Yabuta, K. Umeo, T. Takabatake, L. Chen, Y. Uwatoko

Journal of Magnetism and Magnetic Materials   310 ( 2 )   1826 - 1828   2007.3

Temperature- and Field-Induced First-Order Ferromagnetic Transitions in MnFe(P_1-xGe_x) Reviewed

Hisato Yabuta, Kazunori Umeo, Toshiro Takabatake, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe

Journal of the Physical Society of Japan   75 ( 11 )   113707 - 113707   2006.11

High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO₄ channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering Reviewed

Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Katsumi Abe, Toshiaki Aiba, Tohru Den, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Applied Physics Letters   89 ( 11 )   112123 - 112123   2006.9

¹¹⁵NMR study of YbInNi₄ Reviewed

H Yabuta, K Hiraoka, Y Miura, K Kojima, S Tomiyoshi

Journal of Magnetism and Magnetic Materials   272-276   205 - 206   2004.5

Low Temperature Recovery of Ru/(Ba, Sr)TiO₃/Ru Capacitors Degraded by Forming Gas Annealing Reviewed

Toshihiro Iizuka, Koji Arita, Ichiro Yamamoto, Shintaro Yamamichi, Hiromu Yamaguchi, Takeo Matsuki, Shuji Sone, Hisato Yabuta, Yoichi Miyasaka, Yoshitake Kato

Japanese Journal of Applied Physics   39 ( Part 1, No. 4B )   2063 - 2067   2000.4

Plasma CVD of (BaSr)TiO₃ Dielectrics for Gigabit DRAM Capacitors Reviewed

M. Yoshida, H. Yabuta, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, S. Sone, K. Arita, T. Iizuka, S. Nishimoto, Y. Kato

Journal of Electroceramics   3 ( 2 )   123 - 133   1999.6

Electrical Properties of (Ba, Sr)TiO₃ Films on Ru Bottom Electrodes Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition at Extremely Low Temperature and Rapid Thermal Annealing Reviewed

Shuji Sone, Reiko Akahane, Koji Arita, Hisato Yabuta, Shintaro Yamamichi, Masaji Yoshida, Yoshitake Kato

Japanese Journal of Applied Physics   38 ( Part 1, No. 4B )   2200 - 2204   1999.4

A stacked capacitor technology with ECR plasma MOCVD (Ba,Sr)TiO₃ and RuO₂/Ru/TiN/TiSi_x/ storage nodes for Gb-scale DRAMs Reviewed

S. Yamamichi, P. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

IEEE Transactions on Electron Devices   44 ( 7 )   1076 - 1083   1997.7

A stacked capacitor with an MOCVD-(Ba,Sr)TiO₃ film and a RuO₂/Ru storage node on a TiN-capped plug for 4 Gbit DRAMs and beyond Reviewed

H. Yamaguchi, T. Iizuka, H. Koga, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, S. Yamamichi, P. Lesaicherre, M. Suzuki, Y. Kojima, K. Nakajima, N. Kasai, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, S. Nishimoto

International Electron Devices Meeting. Technical Digest   675 - 678   1996.12

Low Temperature Fabrication of (Ba, Sr)TiO₃ Thin Films by ECR Plasma CVD Reviewed

Y. Kato, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, T. Iizuka, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, M. Yoshida

MRS Proceedings   433   3 - 8   1996.12

Low Temperature Deposition of (Ba,Sr)TiO₃ Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition Reviewed

Shuji Sone, Hisato Yabuta, Yoshitake Kato, Toshihiro Iizuka, Shintaro Yamamichi, Hiromu Yamaguchi, Pierre-Yves Lesaicherre, Shozo Nishimoto, Masaji Yoshida

Japanese Journal of Applied Physics   35 ( Part 1, No. 9B )   5089 - 5093   1996.9

Thin film (Ba,Sr)TiO₃ over stacked RuO₂ nodes for Gbit DRAM capacitors Reviewed

Yoshida, M., Yabuta, H., Sone, S., Takemura, K., Sakuma, T., Kato, Y., Miyasaka, Y., Iizuka, T., Yamamichi, S., Yamaguchi, H., Lesaicherre, P. Y., Nishimoto, S.

Nec Research & Development   37 ( 3 )   305 - 316   1996.3

An ECR MOCVD (Ba,Sr)TiO₃ based stacked capacitor technology with RuO₂/Ru/TiN/TiSi_x storage nodes for Gbit-scale DRAMs Reviewed

S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

Proceedings of International Electron Devices Meeting   119 - 122   1995.12

Improved Electrical Properties of SrTiO₃, Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition Reviewed

Hisato Yabuta, Koichi Takemura, Hiromu Yamaguchi, Shuji Sone, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

MRS Proceedings   361   325 - 330   1994.12

(Ba+Sr)/Ti ratio dependence of the dielectric properties for (Ba_0.5Sr_0.5)TiO₃ thin films prepared by ion beam sputtering Reviewed

Shintaro Yamamichi, Hisato Yabuta, Toshiyuki Sakuma, Yoichi Miyasaka

Applied Physics Letters   64 ( 13 )   1644 - 1646   1994.3

Magnetic and NMR study of valence phase transition in YbIn_1−xT_xCu₄ (T = Ag and Au) Reviewed

104-107   653 - 654   1992.2

Sputter epitaxy of atomically flat (ZnO)_x(InN)_1-x films on sapphire substrates using ZnO(N) buffer layers fabricated by Ar/N₂discharges International conference

Y. Nakano, UR. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta and N. Itagaki

The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023.7 

Sputter deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films using ZnO seed layers grown via solid-phase crystallization International conference

Yoshiharu Wada, Zhiyuan Shen, Hisato Yabuta, Naoto Yamashita, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Haruki Kiyama, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, and Naho Itagaki

The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023.7 

Pseudomorphic growth of (ZnO)_x(InN)_1-x films on ZnO substrates by magnetron sputtering using Ar/N₂/O₂ discharges International conference

R. Narishige, Y. Nakano, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, and N. Itagaki

The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023.7 

Sputter epitaxy of Zn_1-xMg_xO films on lattice-mismatched sapphire substrates utilizing ZnO(N)/MgO buffer layers fabricated by Ar/N₂ and Ar/O₂ discharges International conference

T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023.7 

Structural investigation of BiFeO₃-BaTiO₃ single crystals around the morphotripic phase boundary by reciprocal space mapping Invited International conference

Hisato Yabuta, Mikio Shimada, Masatoshi Watanabe, Takayuki Watanabe, Makoto Kubota, Tomoyuki Koganezawa, Ichiro Hirosawa, Nobuyuki Kumada, Satoshi Wada, Naho Itagaki

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC'2023)  2023.7 

A Study of Solid-phase Crystallization of Amorphous ZnON Films International conference

Zhiyuan Shen, Yuta Mido, Naoto Yamashita, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Hisato Yabuta, Naho Itagaki

The 7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2023)  2023.1 

The Early Work on Sputtering Formation of Amorphous IGZO (In-Ga-Zn-O) Channel and SnO Channel TFTs Invited

Hisato Yabuta, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi

2022.12 

Amorphous In-Ga-Mg-O thin film: Optical, Electrical Properties and TFT characteristics Invited

H. Yabuta, N. Itagaki, T. Ekino, Y. Shigesato

The 32nd Annual Meeting of MRS-J  2022.12 

YbInCu₄の価数揺動状態 III

薮田 久人, 小島 健一, 檜原 忠幹

日本物理学会 第45回年次大会 大阪大学  1990.3 

YbInCu₄の価数揺動状態 IV

薮田 久人, 小島 健一, 堀江 雅浩, 鈴木 孝至, 桜井 醇児, 藤田 敏三, 福田 豊, 檜原 忠幹

日本物理学会 1990年秋の分科会 岐阜大学  1990.10 

C15b型イッテルビウム化合物のNMR

薮田 久人, 小島 健一, 福田 豊, 檜原 忠幹, 笠松 義隆

日本物理学会 1991年春の分科会 学習院大学  1991.3 

Magnetic and NMR study of valence phase transition in YbIn_1-xT_xCu₄ (T = Ag and Au)"

International Conference on Magnetism;Edinburgh, Scotland  1991.9 

Cl5b型イッテルビウム化合物のNQR

薮田 久人, 小島 健一, 檜原 忠幹, 笠松 義隆

日本物理学会 第46回年会 北海道大学  1991.9 

IBS-(Ba,Sr)TiO₃薄膜の誘電率の（Ba,Sr)/Ti比依存性

薮田 久人, 山道 新太郎, 佐久間 敏幸, 宮坂 洋一

第54回応用物理学会学術講演会 北海道大学  1993.9 

ECR-CVD法によるSrTiO₃膜電気特性のマイクロ波パワー依存性

山口 弘, P-Y. Lesaicherre, 薮田 久人, 佐久間 敏幸, 小野 春彦, 吉田 政次

第41回応用物理学会関係連合講演会  1994.3 

Growth of SrTiO₃ Thin Films by Sr((CH₃)₃COCHCOC(CH₃)₃)₂/Ti(O-iC₃H₇)₄/O₂/Ar Vapor Phase System

Hisato Yabuta, Hiromu Yamaguchi, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE VII), Yokohama, Japan  1994.5 

ECR-CVDによるSrTiO₃薄膜の電気的特性

薮田 久人, 竹村 浩一, 山口 弘, 曽祢 修次, 佐久間 敏幸, 吉田 政次

第55回応用物理学会学術講演会 名城大学  1994.9 

Improved Electrical Properties of SrTiO₃ Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition

Hisato Yabuta, Koichi Takemura, Hiromu Yamaguchi, Shuji Sone, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

1994 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA,  1994.11 

ECR-CVD法によるSrTiO₃膜電気特性のマイクロ波パワー依存性

山口 弘, 曽祢 修次, 薮田 久人, 吉田 政次, 加藤 芳健

第42回応用物理学会関係連合講演会  1995.3 

高誘電率(Ba,Sr)TiO₃薄膜のCVD

吉田 政次, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健

化学工学会 第27回秋季大会  1995.9 

ECR-CVD法により成膜した(Ba,Sr)TiO₃の電気特性

曽祢 修次, 薮田 久人, 山口 弘, 加藤 芳健, 吉田 政次, 山道 新太郎

第56回応用物理学会学術講演会  1995.9 

CVD-SrTiO₃膜の電気特性

山口 弘, 曽祢 修次, 薮田 久人, 加藤 芳健, 吉田 政次

電気学会電子材料研究会 (EFM-95)  1995.11 

CVDによる(Ba,Sr)TiO₃薄膜

吉田 政次, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健

日本表面科学会 第15回表面科学講演大会  1995.12 

An ECR MOCVD (Ba,Sr)TiO₃ based stacked capacitor technology with RuO₂/Ru/TiN/TiSi_x storage nodes for Gbit-scale DRAMs

S. Yamamichi, P.-Y. Lessaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

The IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM '95), Washington DC, USA  1995.12 

Low Temperature Fabrication of (Ba,Sr)TiO₃ Thin Films by ECR Plasma CVD

Y. Kato, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, T. Iizuka, S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, M. Yoshida

1996 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, San Fransisco, USA  1996.4 

ECR-CVD法による(Ba,Sr)TiO₃の低温成膜

曽祢 修次, 薮田 久人, 加藤 芳健, 吉田 政次, 飯塚 敏洋, 山道 新太郎, 山口 弘, LESAICHERRE Pierre-Yves, 西本 昭三

第13回強誘電体応用会議(FMA13)  1996.5 

ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba,Sr)TiO₃容量膜

吉田 政次, 有田 幸司, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山道 新太郎, 竹村 浩一, 佐久間 敏幸, 加藤 芳健, 宮坂 洋一, 飯塚 敏洋, 山口 弘, LESAICHERRE Pierre-Yves, 西本 昭三

第51回半導体・集積回路技術シンポジウム  1996.12 

Stacked Capacitors with (Ba,Sr)TiO₃ Films and RuO₂/Ru Storage Nodes Over TiN Studs for 4Gbit DRAMs and Beyond

H. Yamaguchi, S. Yamamichi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Koga, N. Kasai, T. Iizuka, S. Nishimoto, M. Suzuki, P.-Y. Lesaicherre, Y. Kojima, K. Nakajima

The IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM '96), San Francisco, USA  1996.12 

Phase Formation in CVD-grown SrTiO₃ and (BaSr)TiO₃ Films

M. Yoshida, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, K. Arita, Y. Kato

Joint International Meeting - the 192nd Meeting of The Electrochemical Society and the 48th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Paris, France,  1997.8 

ECR-CVDによるBST薄膜の6インチ基板面内均一性

薮田 久人, 山道 新太郎, 有田 幸司, 飯塚 敏洋, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健, 西本 昭三, 吉田 政次

第45回応用物理学会関係連合講演会 東京工科大学  1998.3 

Reliability Study on High Dielectric Constant (Ba,Sr)TiO₃ Thin Films

S. Yamamichi, A. Yamamichi, D. Park, H. Yabuta, T. Iizuka, K. Arita, S. Sone, Y. Kato, S. Nishimoto, T.-J. King, C. Hu, M. Yoshida

The 193rd Electrochemical Society Spring Meeting, San Diego, USA,  1998.5 

Electrical Properties of (Ba,Sr)TiO₃ Films on Ru Bottom Electrodes Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition at Extremely Low Temperature and Rapid Thermal Annealing

S. Sone, R. Akahane, K. Arita, H. Yabuta, S. Yamamichi, M. Yoshida, Y. Kato

1998 International Conference on Solid State Devices & Materials (SSDM), Hiroshima, Japan,  1998.9 

Low Temperature Recovery of Ru/(Ba,Sr)TiO₃/Ru Capacitors Degraded by Forming Gas Annealing

T. Iizuka, K. Arita, I. Yamamoto, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, T. Matsuki, S. Sone, H. Yabuta, Y. Miyasaka, Y. Kato

1999 International Conference on Solid State Devices & Materials (SSDM), Tokyo, Japan,  1999.9 

Ru/(Ba,Sr)TiO₃/Ru薄膜キャパシタの水素アニール劣化に対する低温ポストアニール回復効果

飯塚 敏洋, 有田 幸司, 山本 一郎, 山道 新太郎, 山口 弘, 松木 武雄, 薮田 久人, 曽祢 修次, 宮坂 洋一, 加藤 芳健

第58回半導体・集積回路技術シンポジウム  2000.5 

¹¹⁵In NMR study of YbInNi₄

H. Yabuta, K. Hiraoka, Y. Miura, K. Kojima, S. Tomiyoshi

International Conference on Magnetism, Roma, Italy,  2003.7 

遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性

薮田 久人, 梅尾 和則, 高畠 敏郎, 小山 佳一, 渡辺 和雄

日本物理学会 第60回年次大会 東京理科大学  2005.3 

遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性II

薮田 久人, 笹川 哲也, 重藤 啓輔, 高畠 敏郎

日本物理学会 2005年秋季大会 同志社大学  2005.9 

RFスパッタ法によるアモルファス酸化物チャネルTFTの室温作成

薮田 久人, 佐野 政史, 安部 勝美, 田 透, 雲見 日出也, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄

第66回応用物理学会学術講演会 徳島大学  2005.9 

Amorphous Oxide Channel TFTs Fabricated with RF Sputtering Method

H. Kumomi, N. Kaji, H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono

2006.1 

メタ磁性体MnFe(P,Ge)およびMnFe(P,As)の電気抵抗

薮田 久人, 笹川 哲也, 道村 真司, 重藤 啓輔, 伊賀 文俊, 高畠 敏郎

日本物理学会 第61回年次大会 愛媛大学  2006.3 

Pressure effects on the first order transition in MnFe(P,As) and MnFe(P,Ge)

H. Yabuta, K. Umeo, T. Takabatake, L. Chen, Y. Uwatoko

International Conference on Magnetism, Kyoto, Japan  2006.8 

TEM Characterization of TFTs of Transparent Oxide Semiconductors Fabricated at Room Temperature by Rf-sputtering Method

T. Aiba, M. Shimada, H. Yabuta, K. Abe, K. Nobuyuki, R. Hayashi, M. Sano, H. Kumomi

The 16th International Microscopy Congress, Sapporo, Japan  2006.9 

メタ磁性物質MnFe(P,As)の磁性元素サイト置換効果

メタ磁性物質MnFe(P, As, の磁性元素サイト置換効果

日本物理学会 2006年秋季大会 千葉大学  2006.9 

Amorphous In-Ga-Zn-O based TFTs and circuits

R. Hayashi, M. Ofuji, N. Kaji, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

The 3rd International TFT Conference (ITC07), Rome, Italy  2007.1 

磁気冷凍材料の軟X線磁気円二色性

竹田 幸治, 岡根 哲夫, 大河内 拓雄, 斎藤 祐児, 山上 浩志, 薮田 久人, 高畠 敏郎

日本物理学会 2007年春季大会 鹿児島大学  2007.3 

メタ磁性物質MnFe(P,As)の圧力誘起スピングラス相

薮田 久人, 陳 林, 上床 美也, 重藤 啓輔, 高畠 敏郎

日本物理学会 第62回年次大会 北海道大学  2007.9 

Fundamental Analysis on On-Operation of an Amorphous In-Ga-Zn-O Based Gated Four-Probe TFT

K. Abe, M. Ofuji, H. Shimizu, A. Sato, Y. Tateishi, K. Takahashi, N. Kaji, H. Yabuta, R. Hayashi, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

ITC08, The 4th International Thin-Film Transistor Conference, Seoul, Korea,  2008.1 

アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導

薮田 久人, 高田 一広, 島田 幹夫, 雲見 日出也, 廣沢 一郎, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

日本物理学会 第63回年次大会 近畿大学  2008.3 

アニールにより伝導制御されたアモルファスIn-Ga-Zn-O 膜の電気伝導と構造

薮田 久人, 高田 一広, 島田 幹夫, 加地 信幸, 林 享, 雲見 日出也, 廣沢 一郎, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学  2008.3 

Invited Paper: Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs Invited

R. Hayashi, A. Sato, M. Ofuji, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

2008 SID International Symposium, Los Angeles, USA  2008.5 

p型伝導を示す多結晶およびアモルファスSnO膜の構造および電気特性

薮田 久人, 加地 信幸, 林 享, 雲見 日出也, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学  2009.3 

EELSによるIn-Ga-Zn系アモルファス酸化物半導体の構造解析

島田 幹夫, 大村 秀之, 雲見 日出也, 薮田 久人, 饗場 利明, 須賀 健夫, 高田 一広, 向出 太平

日本顕微鏡学会第65回学術講演会 仙台国際センター  2009.5 

Electronic States of Magnetic Refrigerator Materials using Soft X-ray Magnetic circular Dichroism

Y Takeda, T Okane, T Ohkochi, S -i Fujimori, Y Saitoh, H Yamagami, H Yabuta, T Takabatake

International Conference on Magnetism (ICM2009), Karlsruhe, Germany,  2009.7 

Amorphous Oxide Semiconductor Based TFTs: Their Current Situation and Issues Invited

N. Itagaki, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano, H. Kumomi

2009.12 

Materials and Devices of Transparent Amorphous Oxide Semiconductors Invited

H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano

International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors (TAOS 2010), Yokohama, Japan,  2010.1 

エピタキシャルBi(M_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(I)

長田 潤一, 安井 伸太郎, 山田 智明, 内田 寛, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学  2010.9 

エピタキシャルBi(M_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(II)

安井 伸太郎, 長田 潤一, 山田 智明, 内田 寛, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学  2010.9 

非鉛系圧電材料開発の現状と今後

和田 智志, 三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 久保田 純, 福井 哲朗

第49回セラミックス基礎科学討論会 岡山コンベンションセンター  2011.1 

エピタキシャルBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜の作製と評価

長田 潤一, 安井 伸太郎, 山田 智明, 内田 寛, 東 正樹, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

第58回応用物理学関係連合講演会 神奈川工科大学  2011.3 

BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃三成分系セラミックス作製と圧電特性

三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 久保田 純, 福井 哲朗

日本セラミックス協会 2011年 年会 静岡大学  2011.3 

c軸配向六方晶BaTiO₃セラミックスの(111)配向正方晶BaTiO₃への構造変化

渡邉 隆之, 島田 幹夫, 餐場 利明, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹, 和田 智志, 熊田 伸弘

第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011.5 

Sm置換BiFeO₃の相転移挙動

久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 中村 嘉孝, 島川 祐一, 岡 研吾, 東 正樹

第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011.5 

BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃系セラミックスの誘電・圧電特性

藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 黒岩 芳弘, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 林 潤平, 薮田 久人, 久保田 純, 福井 哲朗

第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011.5 

(111)配向正方晶BaTiO₃セラミックスの作製

熊田 伸弘, 渡邉 隆之, 島田 幹夫, 餐場 利明, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹, 和田 智志

粉体粉末冶金協会 平成23年度春季大会 早稲田大学  2011.6 

Structural, dielectric, and piezoelectric properties of BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃ ceramics

Ichiro Fujii, Ryuta Mitsui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada, Yoshihiro Kuroiwa, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui

ISAF-PFM-2011, The 20th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics and Interrnational Symposium on Piezoresponse Force Microscopy & Nanoscale Phenomena in Polar Materials, Vancouver, Canada  2011.7 

Sm置換BiFeO₃の相転移挙動

久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 中村 嘉孝, 島川 祐一, 岡 研吾, 東 正樹

粉体粉末冶金協会 平成23年度秋季大会 大阪大学  2011.10 

PLD法によるBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃膜の作製と評価

及川 貴弘, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲郎

第31回エレクトロセラミックス研究討論会 東京大学  2011.10 

BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃セラミックスの微構造と圧電特性

三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 久保田 純, 福井 哲朗

第31回エレクトロセラミックス研究討論会 東京大学  2011.10 

一軸配向Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃系圧電体薄膜の作製と圧電性評価

安井 伸太郎, 及川 貴弘, 長田 潤一, 内田 寛, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 三浦 薫, 黒澤 実, 舟窪 浩

第59回応用物理学関係連合講演会 早稲田大学  2012.3 

ドナー及びアクセプターを添加したBaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃セラミックスの圧電特性

藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 島田 幹夫, 林 潤平, 久保田 純, 福井 哲朗

日本セラミックス協会 2012年 年会 京都大学  2012.3 

PLD法で作製したBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃膜の特性

及川 貴弘, 安井 伸太郎, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲郎, 舟窪 浩

第59回応用物理学関係連合講演会 早稲田大学  2012.3 

BiFeO₃-BaTiO₃固溶体結晶の強誘電性と磁性

薮田 久人, 向出 太平, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 熊田 伸弘, 和田 智志

日本物理学会 第67回年次大会 関西学院大学  2012.3 

高圧合成法で作製したSm置換BiFe_1-xCo_xO₃の組成および温度依存性

久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹

第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012.5 

ナノドメインエンジニアリングによるBaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃系圧電セラミックスの開発

藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 森吉 千佳子, 黒岩 芳弘, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 島田 幹夫, 三浦 薫

第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012.5 

PLD法で作製したBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃膜の評価

及川 貴弘, 安井 伸太郎, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲朗, 舟窪 浩

第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012.5 

BaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃圧電セラミクスの微細構造

薮田 久人, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 林 潤平, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 和田 智志

第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012.5 

シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価

及川 貴弘, 安井 伸太郎, 真鍋 直人, 小林 健, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 三浦 薫, 舟窪 浩

第73回応用物理学会学術講演会 愛媛大学・松山大学  2012.9 

BiFeO₃-BaTiO₃固溶体結晶の強誘電性と磁性II

薮田 久人, 向出 太平, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 熊田 伸弘, 和田 智志

日本物理学会 2012年秋期大会 横浜国立大学  2012.9 

BiFeO₃-BaTiO₃固溶体結晶の強誘電性と磁性III

薮田 久人, 渡邉 壮俊, 島田 幹夫, 向出 太平, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 熊田 伸弘, 和田 智志

日本物理学会 第68回年次大会 広島大学  2013.3 

Microscopic Structure and Electrical Transport Property of Sputter-Deposited Oxide-Semiconductor Thin Films Invited

Hisato Yabuta

26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26), Fukuoka, JAPAN  2013.9 

BiFeO₃-BaTiO₃固溶体結晶の構造・強誘電性・磁性

薮田久人, 渡邉壮俊, 島田幹夫, 向出太平, 渡邉隆之, 久保田純, 三浦薫, 熊田伸弘, 和田智志

日本物理学会 2013年秋期大会 徳島大学  2013.9 

機能性酸化物材料の構造評価 Invited

薮田久人

SPring-8利用推進協議会 次世代先端デバイス研究会（第1回）連合会館  2014.3 

BiFeO₃-BaTiO₃固溶体結晶の構造・強誘電性・磁性Ⅱ

薮田久人, 渡邉壮俊, 島田幹夫, 向出太平, 渡邉隆之, 久保田純, 三浦薫, 熊田伸弘, 和田智志

日本物理学会 第69回年次大会 東海大学  2014.3 

Mn添加BaTiO₃ 強誘電体セラミックスへのBi 添加効果

薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 松田堅義, 三浦 薫, 伊福俊博

第31回強誘電体応用会議（FMA31）コープイン京都  2014.5 

BaTiO₃強誘電体セラミックスへのMn,Bi同時添加効果

薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 久保田純, 松田堅義, 三浦薫, 伊福俊博

日本物理学会 2014年秋期大会 中部大学  2014.9 

BaTiO₃セラミックスのBi,Mn添加による微視的構造変化

薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 久保田純, 松田堅義, 三浦薫, 伊福俊博, 米田安宏

日本物理学会 第70回年次大会 早稲田大学  2015.3 

マグネトロンスパッタリング法による酸化物半導体薄膜の開発とその評価 Invited

薮田 久人

応用物理学会九州支部 特別講演会 九州大学  2021.3 

非晶質ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成とシード層としての効果 Invited

板垣 奈穂, 沈 志遠, 御堂 雄大, 薮田 久人

第82回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン  2021.9 

Solid-phase Crystallization of Sputter-deposited ZnON Films and Their Impacts as Seed Layers for ZnO:Al Transparent Conducting Oxides

Z. Shen, N. Yamashita, Y. Mido, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

2021.12 

固相結晶化シード層上へのZnO:Al透明導電膜のスパッタリング成膜：固相結晶化温度の影響

沈 志遠, 山下 尚人, 鎌滝 晋礼, 奥村 賢直, 古閑 一憲, 白谷 正治, 薮田 久人, 板垣 奈穂

第83回応用物理学会秋季学術講演会 東北大学  2022.9 

BaTiO3 系非鉛圧電セラミックス開発における放射光利用 Invited

薮田久人

第10 回SPring-8 次世代先端デバイス研究会／第84 回SPring-8 先端利用技術ワーク ショップ 「シリコン半導体製造技術・セラミックスデバイス開発の最前線と放射光 利用」  2022.12 

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2020

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2018

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2016

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2015

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2014

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2013

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2012

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2011

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2010

Screening of academic papers

Role(s)： Peer review

2009

ディジタル電子回路Ⅱ（EC）

2023.12 - 2024.2   Winter quarter

電気電子工学演示Ⅱ

2023.10 - 2024.3   Second semester

電気電子工学読解Ⅱ

2023.10 - 2024.3   Second semester

ディジタル電子回路Ⅰ（EC）

2023.10 - 2023.12   Fall quarter

電磁エネルギー工学特論Ⅱ

2023.6 - 2023.8   Summer quarter

Electromagnetic Energy Engineering II

2023.6 - 2023.8   Summer quarter

電気電子工学特別演習

2023.4 - 2024.3   Full year

電気電子工学特別研究Ⅰ

2023.4 - 2024.3   Full year

電気電子工学特別研究Ⅱ

2023.4 - 2024.3   Full year

Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

2023.4 - 2024.3   Full year

Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

2023.4 - 2024.3   Full year

Advanced Research in Electrical and Electronic Eng II

2023.4 - 2024.3   Full year

電磁エネルギー工学特別講究

2023.4 - 2024.3   Full year

Advanced Research in Electromagnetic Energy Engineering

2023.4 - 2024.3   Full year

数学演習Ｂ

2023.4 - 2023.9   First semester

電気電子工学読解Ⅰ

2023.4 - 2023.9   First semester

電気電子工学演示Ⅰ

2023.4 - 2023.9   First semester

2023.4   Role：Participation   Title：令和５年度 第１回全学ＦＤ（新任教員の研修）The 1st All-University FD (training for new faculty members) in FY2023

Organizer：University-wide

2023.4   Role：Participation   Title：【シス情FD】若手教員による研究紹介⑧

Organizer：[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

2023.3   Role：Participation   Title：【シス情FD】独・蘭・台湾での産学連携を垣間見る-Industy 4.0・量子コンピューティング・先端半導体-

Organizer：[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]

2022.9   Role：Participation   Title：【シス情FD】研究機器の共用に向けて

Organizer：[Undergraduate school/graduate school/graduate faculty]