2024/07/28 更新

お知らせ

 

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ヤブタ ヒサト
薮田 久人
YABUTA HISATO
所属
システム情報科学研究院 電気システム工学部門 教授
システム情報科学研究院 附属光・量子プロセス研究開発センター(併任)
システム情報科学研究院 ギガフォトンNext GLP共同研究部門(併任)
工学部 電気情報工学科(併任)
システム情報科学府 電気電子工学専攻(併任)
マス・フォア・イノベーション連係学府 (併任)
職名
教授
連絡先
メールアドレス
プロフィール
[研究活動]   (1)電子デバイスに用いられる機能性酸化物材料(酸化物半導体、誘電体・圧電体・強誘電体など)を中心とした無機材料の材料物性とそのデバイス応用に関する研究開発  (2)高繰り返し照射可能なエキシマレーザーを用いた深紫外光照射による材料改質プロセス技術の開発  上記(1)(2)を組み合わせた材料研究ならびにデバイス製造技術開発を行う。 [教育活動]  基幹教育科目、学部講義、大学院講義を担当。  研究室配属学生に対しては、卒業研究・修士論文研究・博士論文研究の指導を行う。また、社会に出てから必要とされる能力の獲得・育成を意図した教育指導も実践する。
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学位

  • 博士(理学)

経歴

  • 日本電気株式会社 基礎研究所 キヤノン株式会社 R&D本部   

    日本電気株式会社 基礎研究所 キヤノン株式会社 R&D本部

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ: 酸化物半導体薄膜へのエキシマレーザーアニール処理

    研究キーワード: レーザーアニール、エキシマレーザー、酸化物半導体、固相結晶化

    研究期間: 2023年4月

  • 研究テーマ: ワイドバンドギャップ半導体へのレーザードーピング

    研究キーワード: レーザードーピング、エキシマレーザー、ワンドバンドギャップ半導体

    研究期間: 2023年4月

  • 研究テーマ: 機能性酸化物材料の物性研究とデバイス適用

    研究キーワード: 酸化物半導体、誘電体、圧電体、強誘電体、酸化物透明導電膜

    研究期間: 2022年8月

受賞

  • SID Special Recognition Award

    2022年5月   The Society for Information Display   For his pioneering work on oxide-semiconductor TFTs fabricated by the sputtering process, particularly the first demonstration of high-mobility amorphous IGZO TFTs using low-temperature sputtering processes leading to mass-productive and high-performance active-matrix backplanes for recent flat-panel displays.

論文

  • The Early Work on Sputtering Formation of Amorphous IGZO (In-Ga-Zn-O) Channel and SnO Channel TFTs 招待 査読 国際誌

    Hisato Yabuta、Ryo Hayashi、Hideya Kumomi

    Proceedings of the International Display Workshops   29   2023年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    現在、ディスプレイ用のTFTとして広く製品に搭載されているアモルファスIn-Ga-Zn-O(IGZO)TFTをスパッタリング法により形成することに成功した。また、酸化物半導体としては希少なp型半導体であるSnOを用いたSnO-TFTもスパッタリング法による開発に成功した。これらの成功事例の開発経緯を振り返り紹介した。

    DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2022.0116

  • Effects of substrate surface polarity on heteroepitaxial growth of pseudobinary ZnO–InN alloy films on ZnO substrates 査読

    Ryota Narishige, Naoto Yamashita, Kunihiro Kamataki, Takamasa Okumura, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Hisato Yabuta, Naho Itagaki

    Journal of Materials Research   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/s43578-022-00827-4

  • Amorphous In-Ga-Mg-O Thin Films Formed by RF Magnetron Sputtering: Optical, Electrical Properties and Thin-Film-Transistor Characteristics 査読

    Hisato Yabuta, Naho Itagaki, Toshikazu Ekino, Yuzo Shigesato

    IEEE Open Journal of Nanotechnology   3   149 - 152   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    ディスプレイ用TFTとして広く用いられているIGZO-TFTなどのアモルファス酸化物半導体TFTは、最先端シリコン半導体ICチップの後工程トランジスタとしても利用されるべく開発が進められている。しかしIGZO-TFTなどはシリコンICの後工程で用いられる還元雰囲気プロセスに対して脆弱であるという欠点を有する。そこで、耐還元性に優れたアモルファス酸化物半導体であるIn-Ga-Mg-Oを見出し、スパッタリング法を用いてIn-Ga-Mg-O TFTを開発した。

    DOI: 10.1109/ojnano.2022.3222850

  • Structural investigation of ferroelectric BiFeO3–BaTiO3 solid solutions near the rhombohedral–pseudocubic phase boundary 査読

    Hisato Yabuta, Masatoshi Watanabe, Takayuki Watanabe, Makoto Kubota, Mikio Shimada, Tomoyuki Koganezawa, Ichiro Hirosawa, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada

    Applied Physics Letters   116 ( 25 )   252902 - 252902   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0008990

  • Enhancement of tetragonal anisotropy and stabilisation of the tetragonal phase by Bi/Mn-double-doping in BaTiO3 ferroelectric ceramics 査読

    Hisato Yabuta, Hidenori Tanaka, Tatsuo Furuta, Takayuki Watanabe, Makoto Kubota, Takanori Matsuda, Toshihiro Ifuku, Yasuhiro Yoneda

    Scientific Reports   7   45842   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep45842

  • Platelet NaNbO3 grown by single-step molten salt synthesis: Study on bismuth migration in topochemical conversion reaction 査読

    Takayuki Watanabe, Masatoshi Watanabe, Tatsuya Suzuki, Satoshi Yamabi, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Naoko Ito, Nobuhiro Kumada

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 9S )   09PB08   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/jjap.53.09pb08

  • Microscopic structure and electrical transport property of sputter-deposited amorphous indium-gallium-zinc oxide semiconductor films 招待 査読

    H Yabuta, N Kaji, M Shimada, T Aiba, K Takada, H Omura, T Mukaide, I Hirosawa, T Koganezawa, H Kumomi

    Journal of Physics: Conference Series   518 ( 1 )   012001   2014年6月

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    記述言語:その他   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/518/1/012001

  • Characterizations of epitaxial Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–Bi(Zn1/2Ti1/2)O3 solid solution films grown by pulsed laser deposition 査読

    Takahiro Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Hisato Yabuta, Takeshi Kobayashi, Kaoru Miura, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 5S1 )   05FE06   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/jjap.53.05fe06

  • Growth of (1-x)NaNbO3–xBaTiO3 Single Crystals by Slow-Cooling and Flux Methods 査読

    Takayuki Watanabe, Hisato Yabuta, Miki Ueda, Masatoshi Watanabe, Tatsuya Suzuki, Kaoru Miura, Naoko Ito, Nobuhiro Kumada

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 9S1 )   09KC02   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/jjap.52.09kc02

  • Structure and Magnetic Properties of BiFe1–xCoxO3 and Bi0.9Sm0.1Fe1–xCoxO3 査読

    Makoto Kubota, Kengo Oka, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Masaki Azuma

    Inorganic Chemistry   52 ( 18 )   10698 - 10704   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/ic402041p

  • Effect of sintering condition and V-doping on the piezoelectric properties of BaTiO3–Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–BiFeO3 ceramics 査読

    Ichiro FUJII, Ryuta MITSUI, Kouichi NAKASHIMA, Nobuhiro KUMADA, Hisato YABUTA, Mikio SHIMADA, Takayuki WATANABE, Kaoru MIURA, Satoshi WADA

    Journal of the Ceramic Society of Japan   121 ( 1416 )   589 - 592   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.121.589

  • Microstructure and Piezoelectric Properties of BaTiO3–Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–BiFeO3 Ceramics 査読

    Ryuta Mitsui, Ichiro Fujii, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Takayuki Watanabe, Mikio Shimada, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui, Yoshihiro Kuroiwa, Satoshi Wada

    Key Engineering Materials   566   59 - 63   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.566.59

  • Growth of (111) One-Axis-Oriented Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 Films on (100)Si Substrates 査読

    Takahiro Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Koji Ishii, Yoshitaka Ehara, Hisato Yabuta, Takeshi Kobayashi, Tetsuro Fukui, Kaoru Miura, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 4S )   04CH09   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/jjap.52.04ch09

  • Film Thickness Dependence of Ferroelectric Properties of (111)-Oriented Epitaxial Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 Films 査読

    Takahiro Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Hisato Yabuta, Yoshitaka Ehara, Tetsuro Fukui, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 9 PART 2 )   09LA04   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.51.09la04

  • Microstructure of BaTiO3–Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–BiFeO3 Piezoelectric Ceramics 査読

    Hisato Yabuta, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Jumpei Hayashi, Makoto Kubota, Kaoru Miura, Tetsuro Fukui, Ichiro Fujii, Satoshi Wada

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 9 PART 2 )   09LD04   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.51.09ld04

  • Piezoelectric enhancement of relaxor-based lead-free piezoelectric ceramics by nanodomain engineering 査読

    Ichiro Fujii, Ryuta Mitsui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada, Hisato Yabuta, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Kaoru Miura

    Proceedings of ISAF-ECAPD-PFM 2012   6297767   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    DOI: 10.1109/isaf.2012.6297767

  • Sm置換BiFeO3の相転移挙動 査読

    久保田純, 岡研吾, 中村嘉孝, 薮田久人, 三浦薫, 島川祐一, 東正樹

    粉体および粉末冶金   59 ( 5 )   239 - 245   2012年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Sequential Phase Transitions in Sm Substituted BiFeO3
    The compositional and thermal evolution of the crystal structure of the Bi1-xSmxFeO3 solid solution synthesized under a high pressure was investigated. Samples with 0.10≤x≤0.20 had an antipolar PbZrO3-type structure with a √2a×2√2a×4a perovskite superstructure at room temperature, while the sample with x = 0.05 had a rhombohedral BiFeO3-type structure. Among them, the samples with 0.10≤x≤0.12 transformed from an antipolar PbZrO3-type structure to a polar BiFeO3-type structure and finally to a nonpolar GdFeO3-type structure on heating, which is similar to Zr-rich Pb(Zr,Ti)O3. On the other hand, the samples with 0.15 ≤x≤ 0.20 transformed directly to a nonpolar GdFeO3-type structure. The ferroelectric Curie temperature of BiFeO3 was markedly lowered by the Sm substitution.

    DOI: 10.2497/jjspm.59.239

  • Sequential Phase Transitions in Sm Substituted BiFeO3 査読

    Makoto Kubota, Kengo Oka, Yoshitaka Nakamura, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Yuichi Shimakawa, Masaki Azuma

    Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 9 )   09NE08   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.50.09ne08

  • Structural, Dielectric, and Piezoelectric Properties of Mn-Doped BaTiO3–Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–BiFeO3 Ceramics 査読

    Ichiro Fujii, Ryuta Mitsui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui, Satoshi Wada

    Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 9 )   09ND07   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.50.09nd07

  • Structural Transformation of Hexagonal (0001)BaTiO3 Ceramics to Tetragonal (111)BaTiO3 Ceramics 査読

    Takayuki Watanabe, Mikio Shimada, Toshiaki Aiba, Hisato Yabuta, Kaoru Miura, Kengo Oka, Masaki Azuma, Satoshi Wada, Nobuhiro Kumada

    Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 9 )   09ND01   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.50.09nd01

  • Relaxor Characteristics of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 Ceramics 査読

    Ichiro Fujii, Keisuke Yamato, Mikio Shimada, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada

    Key Engineering Materials   485   31 - 34   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.485.31

  • Sputtering formation of p-type SnO thin-film transistors on glass toward oxide complimentary circuits 査読

    Hisato Yabuta, Nobuyuki Kaji, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Applied Physics Letters   97 ( 7 )   072111   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3478213

  • Electronic states of magnetic refrigerator materials Mn0.9Fe1.1P0.55As0.45using soft x-ray magnetic circular dichroism 査読

    Y Takeda, T Okane, T Ohkochi, S -i Fujimori, Y Saitoh, H Yamagami, H Yabuta, T Takabatake

    Journal of Physics: Conference Series   200 ( 1 )   012199   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/200/1/012199

  • Materials, Devices, and Circuits of Transparent Amorphous-Oxide Semiconductor 査読

    Hideya Kumomi, Seiichiro Yaginuma, Hideyuki Omura, Amita Goyal, Ayumu Sato, Masaya Watanabe, Mikio Shimada, Nobuyuki Kaji, Kenji Takahashi, Masato Ofuji, Tomohiro Watanabe, Naho Itagaki, Hisae Shimizu, Katsumi Abe, Yoshinori Tateishi, Hisato Yabuta, Tatsuya Iwasaki, Ryo Hayashi, Toshiaki Aiba, Masafumi Sano

    Journal of Display Technology   5 ( 12 )   531 - 540   2009年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/jdt.2009.2025521

  • 42.1: Invited Paper: Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs 査読

    Ryo Hayashi, Ayumu Sato, Masato Ofuji, Katsumi Abe, Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    SID Symposium Digest of Technical Papers   39 ( 1 )   621 - 624   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1889/1.3069739

  • Circuits using uniform TFTs based on amorphous In-Ga-Zn-O 査読

    Ryo Hayashi, Masato Ofuji, Nobuyuki Kaji, Kenji Takahashi, Katsumi Abe, Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of the Society for Information Display   15 ( 11 )   915 - 921   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1889/1.2812992

  • Neutron powder diffraction study of the site disorder in YbInCu4 査読

    K. Hiraoka, H. Yabuta, K. Kojima, K. Oikawa, T. Kamiyama

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   310 ( 2 )   380 - 382   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmmm.2006.10.085

  • Pressure effects on the first order transition in MnFe(P,As) and MnFe(P,Ge) 査読

    H. Yabuta, K. Umeo, T. Takabatake, L. Chen, Y. Uwatoko

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   310 ( 2 )   1826 - 1828   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmmm.2006.10.699

  • Temperature- and Field-Induced First-Order Ferromagnetic Transitions in MnFe(P1-xGex) 査読

    Hisato Yabuta, Kazunori Umeo, Toshiro Takabatake, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe

    Journal of the Physical Society of Japan   75 ( 11 )   113707 - 113707   2006年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jpsj.75.113707

  • High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering 査読

    Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Katsumi Abe, Toshiaki Aiba, Tohru Den, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Applied Physics Letters   89 ( 11 )   112123 - 112123   2006年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2353811

  • 115NMR study of YbInNi4 査読

    H Yabuta, K Hiraoka, Y Miura, K Kojima, S Tomiyoshi

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   272-276   205 - 206   2004年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmmm.2003.12.538

  • Low Temperature Recovery of Ru/(Ba, Sr)TiO3/Ru Capacitors Degraded by Forming Gas Annealing 査読

    Toshihiro Iizuka, Koji Arita, Ichiro Yamamoto, Shintaro Yamamichi, Hiromu Yamaguchi, Takeo Matsuki, Shuji Sone, Hisato Yabuta, Yoichi Miyasaka, Yoshitake Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( Part 1, No. 4B )   2063 - 2067   2000年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.39.2063

  • Plasma CVD of (BaSr)TiO3 Dielectrics for Gigabit DRAM Capacitors 査読

    M. Yoshida, H. Yabuta, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, S. Sone, K. Arita, T. Iizuka, S. Nishimoto, Y. Kato

    Journal of Electroceramics   3 ( 2 )   123 - 133   1999年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1023/a:1009938909239

  • Electrical Properties of (Ba, Sr)TiO3 Films on Ru Bottom Electrodes Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition at Extremely Low Temperature and Rapid Thermal Annealing 査読

    Shuji Sone, Reiko Akahane, Koji Arita, Hisato Yabuta, Shintaro Yamamichi, Masaji Yoshida, Yoshitake Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( Part 1, No. 4B )   2200 - 2204   1999年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.38.2200

  • A stacked capacitor technology with ECR plasma MOCVD (Ba,Sr)TiO3 and RuO2/Ru/TiN/TiSix/ storage nodes for Gb-scale DRAMs 査読

    S. Yamamichi, P. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

    IEEE Transactions on Electron Devices   44 ( 7 )   1076 - 1083   1997年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/16.595934

  • A stacked capacitor with an MOCVD-(Ba,Sr)TiO3 film and a RuO2/Ru storage node on a TiN-capped plug for 4 Gbit DRAMs and beyond 査読

    H. Yamaguchi, T. Iizuka, H. Koga, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, S. Yamamichi, P. Lesaicherre, M. Suzuki, Y. Kojima, K. Nakajima, N. Kasai, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, S. Nishimoto

    International Electron Devices Meeting. Technical Digest   675 - 678   1996年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    DOI: 10.1109/iedm.1996.554071

  • Low Temperature Fabrication of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films by ECR Plasma CVD 査読

    Y. Kato, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, T. Iizuka, S. Yamamichi, P-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, M. Yoshida

    MRS Proceedings   433   3 - 8   1996年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/proc-433-3

  • Low Temperature Deposition of (Ba,Sr)TiO3 Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition 査読

    Shuji Sone, Hisato Yabuta, Yoshitake Kato, Toshihiro Iizuka, Shintaro Yamamichi, Hiromu Yamaguchi, Pierre-Yves Lesaicherre, Shozo Nishimoto, Masaji Yoshida

    Japanese Journal of Applied Physics   35 ( Part 1, No. 9B )   5089 - 5093   1996年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.35.5089

  • Thin film (Ba,Sr)TiO3 over stacked RuO2 nodes for Gbit DRAM capacitors 査読

    Yoshida, M., Yabuta, H., Sone, S., Takemura, K., Sakuma, T., Kato, Y., Miyasaka, Y., Iizuka, T., Yamamichi, S., Yamaguchi, H., Lesaicherre, P. Y., Nishimoto, S.

    Nec Research & Development   37 ( 3 )   305 - 316   1996年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • An ECR MOCVD (Ba,Sr)TiO3 based stacked capacitor technology with RuO2/Ru/TiN/TiSix storage nodes for Gbit-scale DRAMs 査読

    S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

    Proceedings of International Electron Devices Meeting   119 - 122   1995年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)  

    DOI: 10.1109/iedm.1995.497196

  • Improved Electrical Properties of SrTiO3, Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition 査読

    Hisato Yabuta, Koichi Takemura, Hiromu Yamaguchi, Shuji Sone, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

    MRS Proceedings   361   325 - 330   1994年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/proc-361-325

  • (Ba+Sr)/Ti ratio dependence of the dielectric properties for (Ba0.5Sr0.5)TiO3 thin films prepared by ion beam sputtering 査読

    Shintaro Yamamichi, Hisato Yabuta, Toshiyuki Sakuma, Yoichi Miyasaka

    Applied Physics Letters   64 ( 13 )   1644 - 1646   1994年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.111818

  • Magnetic and NMR study of valence phase transition in YbIn1−xTxCu4 (T = Ag and Au) 査読

    K. Kojima, H. Yabuta, T. Hihara

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   104-107   653 - 654   1992年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/0304-8853(92)90968-t

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講演・口頭発表等

  • ワイドギャップ酸化物半導体材料に対するKrFエキシマレーザー照射プロセスの適用検討

    @薮田 久人;@田中 洋平;@片山 慶太;#別府 美彩;#佐藤 舞起;#石原 昌幸;@岩本 知広;@妹川 要;@三浦 泰祐

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • KrFエキシマレーザーによるITO薄膜のアニール処理

    #佐藤 舞起;@薮田 久人;@田中 洋平;@片山 慶太;@岩本 知広;@妹川 要;@三浦 泰祐

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • KrFエキシマレーザーによるβ-Ga2O3へのSnドーピング

    #別府 美彩;@田中 洋平;@片山 慶太;@薮田 久人

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都市大学   国名:日本国  

  • Sputtering formation of amorphous ZnO films with non-equilibrium nitrogen incorporation and their crystallization process by annealing 招待 国際会議

    @H. Yabuta, #Z. Shen, #Y. Mido, @H. Setoyama, @I. Hirosawa, @N. Itagaki

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto International Conference Center   国名:日本国  

    N添加することによってアモルファス化させたZnO薄膜を熱処理により固相成長結晶化させた膜は、通常の多結晶ZnO膜よりも良好な電気特性が得られることが知られている。この固相成長結晶化ZnO薄膜の原子レベルでの構造情報を得るべくXAFS実験を行った。その結果、バルクZnOと同程度かそれ以上の結晶の秩序性を有していることが明らになっただけでなく、波数空間でのEXAFS振動の解析により、Zn-Zn配位距離がバルクZnOと比較してa軸方向に伸長しc軸方向に圧縮した構造になっていることが推測された。これはc軸配向ZnO薄膜が引っ張り応力を受けていることに相当し、先行研究で報告されている引っ張り応力を受けたc軸配向ZnO薄膜は通常の膜より良好な電気特性を示す現象と一致する。このことからN添加ZnO薄膜の固相結晶化より得られたZnO薄膜は引っ張り応力を受けており、それにより良好な電気特性を示すものと考察した。

  • Non-equilibrium nitrogen incorporation into ZnO films by rf-magnetron sputtering: stabilization of amorphous phase and noteworthy local structure in crystalline phase by solid phase crystallization 国際会議

    Hisato Yabuta, Zhiyuan Shen, Yuta Mido, Hiroyuki Setoyama, Ichiro Hirosawa, Naho Itagaki

    The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Egmond aan Zee   国名:オランダ王国  

  • Sputter epitaxy of atomically flat (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnO(N) buffer layers fabricated by Ar/N2discharges 国際会議

    Y. Nakano, UR. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta and N. Itagaki

    The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Egmond aan Zee   国名:オランダ王国  

  • Sputter deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films using ZnO seed layers grown via solid-phase crystallization 国際会議

    Yoshiharu Wada, Zhiyuan Shen, Hisato Yabuta, Naoto Yamashita, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Haruki Kiyama, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, and Naho Itagaki

    The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Egmond aan Zee   国名:オランダ王国  

  • Pseudomorphic growth of (ZnO)x(InN)1-x films on ZnO substrates by magnetron sputtering using Ar/N2/O2 discharges 国際会議

    R. Narishige, Y. Nakano, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, and N. Itagaki

    The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Egmond aan Zee   国名:オランダ王国  

  • Sputter epitaxy of Zn1-xMgxO films on lattice-mismatched sapphire substrates utilizing ZnO(N)/MgO buffer layers fabricated by Ar/N2 and Ar/O2 discharges 国際会議

    T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

    The International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG XXXV)  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Egmond aan Zee   国名:オランダ王国  

  • Structural investigation of BiFeO3-BaTiO3 single crystals around the morphotripic phase boundary by reciprocal space mapping 招待 国際会議

    Hisato Yabuta, Mikio Shimada, Masatoshi Watanabe, Takayuki Watanabe, Makoto Kubota, Tomoyuki Koganezawa, Ichiro Hirosawa, Nobuyuki Kumada, Satoshi Wada, Naho Itagaki

    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC'2023)  2023年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Technische Universität Wien   国名:オーストリア共和国  

    優れた圧電特性を示すBiFeO3-BaTiO3固溶体は、強誘電性・圧電性を示すことから中心対称性のない結晶構造を有していることが自明であるが、粉末X線回折からは立方晶と同定される回折パターンが得られるという不思議な性質を有する。しかし原子スケールより少し大きめの数10~100 nmスケールでは強誘電性に起因するドメイン構造がTEMにより観察されている。このドメイン構造に起因する微視的な双晶構造を固溶体単結晶の3次元逆格子マッピングを用いることで解析することを提案した。この解析結果より、粉末X線で立方晶と同定されるBiFeO3-BaTiO3固溶体は僅かに歪んだ菱面体晶もしくはさらに低対称の結晶構造であることが推測された。

  • A Study of Solid-phase Crystallization of Amorphous ZnON Films 国際会議

    Zhiyuan Shen, Yuta Mido, Naoto Yamashita, Takamasa Okumura, Kunihiro Kamataki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Hisato Yabuta, Naho Itagaki

    The 7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM 2023)  2023年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyushu university, Fukuoka   国名:日本国  

  • The Early Work on Sputtering Formation of Amorphous IGZO (In-Ga-Zn-O) Channel and SnO Channel TFTs 招待

    Hisato Yabuta, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi

    The 29th International Display Workshops (IDW ’22),  2022年12月 

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:英語  

    国名:その他  

    現在、ディスプレイ用のTFTとして広く製品に搭載されているアモルファスIn-Ga-Zn-O(IGZO)TFTをスパッタリング法により形成することに成功した。また、酸化物半導体としては希少なp型半導体であるSnOを用いたSnO-TFTもスパッタリング法による開発に成功した。これらの成功事例をレビュー講演として紹介した。

  • Amorphous In-Ga-Mg-O thin film: Optical, Electrical Properties and TFT characteristics 招待

    H. Yabuta, N. Itagaki, T. Ekino, Y. Shigesato

    The 32nd Annual Meeting of MRS-J  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:英語  

    国名:その他  

    ディスプレイ用TFTとして広く用いられているIGZO-TFTなどのアモルファス酸化物半導体TFTは、最先端シリコン半導体ICチップの後工程トランジスタとしても利用されるべく開発が進められている。しかしIGZO-TFTなどはシリコンICの後工程で用いられる還元雰囲気プロセスに対して脆弱であるという欠点を有する。そこで、耐還元性に優れたアモルファス酸化物半導体であるIn-Ga-Mg-Oを見出し、そのスパッタリング法を用いてそのTFTを開発した。

  • YbInCu4の価数揺動状態 III

    薮田 久人, 小島 健一, 檜原 忠幹

    日本物理学会 第45回年次大会 大阪大学  1990年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • YbInCu4の価数揺動状態 IV

    薮田 久人, 小島 健一, 堀江 雅浩, 鈴木 孝至, 桜井 醇児, 藤田 敏三, 福田 豊, 檜原 忠幹

    日本物理学会 1990年秋の分科会 岐阜大学  1990年10月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • C15b型イッテルビウム化合物のNMR

    薮田 久人, 小島 健一, 福田 豊, 檜原 忠幹, 笠松 義隆

    日本物理学会 1991年春の分科会 学習院大学  1991年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Magnetic and NMR study of valence phase transition in YbIn1-xTxCu4 (T = Ag and Au)"

    K. Kojima, 〇H. Yabuta, T. Hihara

    International Conference on Magnetism;Edinburgh, Scotland  1991年9月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Cl5b型イッテルビウム化合物のNQR

    薮田 久人, 小島 健一, 檜原 忠幹, 笠松 義隆

    日本物理学会 第46回年会 北海道大学  1991年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • IBS-(Ba,Sr)TiO3薄膜の誘電率の(Ba,Sr)/Ti比依存性

    薮田 久人, 山道 新太郎, 佐久間 敏幸, 宮坂 洋一

    第54回応用物理学会学術講演会 北海道大学  1993年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • ECR-CVD法によるSrTiO3膜電気特性のマイクロ波パワー依存性

    山口 弘, P-Y. Lesaicherre, 薮田 久人, 佐久間 敏幸, 小野 春彦, 吉田 政次

    第41回応用物理学会関係連合講演会  1994年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Growth of SrTiO3 Thin Films by Sr((CH3)3COCHCOC(CH3)3)2/Ti(O-iC3H7)4/O2/Ar Vapor Phase System

    Hisato Yabuta, Hiromu Yamaguchi, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

    7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE VII), Yokohama, Japan  1994年5月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • ECR-CVDによるSrTiO3薄膜の電気的特性

    薮田 久人, 竹村 浩一, 山口 弘, 曽祢 修次, 佐久間 敏幸, 吉田 政次

    第55回応用物理学会学術講演会 名城大学  1994年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Improved Electrical Properties of SrTiO3 Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition

    Hisato Yabuta, Koichi Takemura, Hiromu Yamaguchi, Shuji Sone, Toshiyuki Sakuma, Masaji Yoshida

    1994 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA,  1994年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • ECR-CVD法によるSrTiO3膜電気特性のマイクロ波パワー依存性

    山口 弘, 曽祢 修次, 薮田 久人, 吉田 政次, 加藤 芳健

    第42回応用物理学会関係連合講演会  1995年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 高誘電率(Ba,Sr)TiO3薄膜のCVD

    吉田 政次, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健

    化学工学会 第27回秋季大会  1995年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • ECR-CVD法により成膜した(Ba,Sr)TiO3の電気特性

    曽祢 修次, 薮田 久人, 山口 弘, 加藤 芳健, 吉田 政次, 山道 新太郎

    第56回応用物理学会学術講演会  1995年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • CVD-SrTiO3膜の電気特性

    山口 弘, 曽祢 修次, 薮田 久人, 加藤 芳健, 吉田 政次

    電気学会電子材料研究会 (EFM-95)  1995年11月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • CVDによる(Ba,Sr)TiO3薄膜

    吉田 政次, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健

    日本表面科学会 第15回表面科学講演大会  1995年12月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • An ECR MOCVD (Ba,Sr)TiO3 based stacked capacitor technology with RuO2/Ru/TiN/TiSix storage nodes for Gbit-scale DRAMs

    S. Yamamichi, P.-Y. Lessaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Ono

    The IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM '95), Washington DC, USA  1995年12月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Low Temperature Fabrication of (Ba,Sr)TiO3 Thin Films by ECR Plasma CVD

    Y. Kato, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, T. Iizuka, S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, S. Nishimoto, M. Yoshida

    1996 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, San Fransisco, USA  1996年4月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • ECR-CVD法による(Ba,Sr)TiO3の低温成膜

    曽祢 修次, 薮田 久人, 加藤 芳健, 吉田 政次, 飯塚 敏洋, 山道 新太郎, 山口 弘, LESAICHERRE Pierre-Yves, 西本 昭三

    第13回強誘電体応用会議(FMA13)  1996年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba,Sr)TiO3容量膜

    吉田 政次, 有田 幸司, 薮田 久人, 曽祢 修次, 山道 新太郎, 竹村 浩一, 佐久間 敏幸, 加藤 芳健, 宮坂 洋一, 飯塚 敏洋, 山口 弘, LESAICHERRE Pierre-Yves, 西本 昭三

    第51回半導体・集積回路技術シンポジウム  1996年12月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Stacked Capacitors with (Ba,Sr)TiO3 Films and RuO2/Ru Storage Nodes Over TiN Studs for 4Gbit DRAMs and Beyond

    H. Yamaguchi, S. Yamamichi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida, H. Koga, N. Kasai, T. Iizuka, S. Nishimoto, M. Suzuki, P.-Y. Lesaicherre, Y. Kojima, K. Nakajima

    The IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM '96), San Francisco, USA  1996年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Phase Formation in CVD-grown SrTiO3 and (BaSr)TiO3 Films

    M. Yoshida, H. Yabuta, S. Sone, H. Yamaguchi, K. Arita, Y. Kato

    Joint International Meeting - the 192nd Meeting of The Electrochemical Society and the 48th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Paris, France,  1997年8月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • ECR-CVDによるBST薄膜の6インチ基板面内均一性

    薮田 久人, 山道 新太郎, 有田 幸司, 飯塚 敏洋, 曽祢 修次, 山口 弘, 加藤 芳健, 西本 昭三, 吉田 政次

    第45回応用物理学会関係連合講演会 東京工科大学  1998年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Reliability Study on High Dielectric Constant (Ba,Sr)TiO3 Thin Films

    S. Yamamichi, A. Yamamichi, D. Park, H. Yabuta, T. Iizuka, K. Arita, S. Sone, Y. Kato, S. Nishimoto, T.-J. King, C. Hu, M. Yoshida

    The 193rd Electrochemical Society Spring Meeting, San Diego, USA,  1998年5月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Electrical Properties of (Ba,Sr)TiO3 Films on Ru Bottom Electrodes Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition at Extremely Low Temperature and Rapid Thermal Annealing

    S. Sone, R. Akahane, K. Arita, H. Yabuta, S. Yamamichi, M. Yoshida, Y. Kato

    1998 International Conference on Solid State Devices & Materials (SSDM), Hiroshima, Japan,  1998年9月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Low Temperature Recovery of Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru Capacitors Degraded by Forming Gas Annealing

    T. Iizuka, K. Arita, I. Yamamoto, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, T. Matsuki, S. Sone, H. Yabuta, Y. Miyasaka, Y. Kato

    1999 International Conference on Solid State Devices & Materials (SSDM), Tokyo, Japan,  1999年9月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru薄膜キャパシタの水素アニール劣化に対する低温ポストアニール回復効果

    飯塚 敏洋, 有田 幸司, 山本 一郎, 山道 新太郎, 山口 弘, 松木 武雄, 薮田 久人, 曽祢 修次, 宮坂 洋一, 加藤 芳健

    第58回半導体・集積回路技術シンポジウム  2000年5月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 115In NMR study of YbInNi4

    H. Yabuta, K. Hiraoka, Y. Miura, K. Kojima, S. Tomiyoshi

    International Conference on Magnetism, Roma, Italy,  2003年7月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性

    薮田 久人, 梅尾 和則, 高畠 敏郎, 小山 佳一, 渡辺 和雄

    日本物理学会 第60回年次大会 東京理科大学  2005年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 遍歴電子メタ磁性体MnFe(P,Ge)の磁性II

    薮田 久人, 笹川 哲也, 重藤 啓輔, 高畠 敏郎

    日本物理学会 2005年秋季大会 同志社大学  2005年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • RFスパッタ法によるアモルファス酸化物チャネルTFTの室温作成

    薮田 久人, 佐野 政史, 安部 勝美, 田 透, 雲見 日出也, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄

    第66回応用物理学会学術講演会 徳島大学  2005年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Amorphous Oxide Channel TFTs Fabricated with RF Sputtering Method

    H. Kumomi, N. Kaji, H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono

    ITC’06, The 2nd International Thin-Film Transistor Conference, Kitakyushu, Japan  2006年1月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • メタ磁性体MnFe(P,Ge)およびMnFe(P,As)の電気抵抗

    薮田 久人, 笹川 哲也, 道村 真司, 重藤 啓輔, 伊賀 文俊, 高畠 敏郎

    日本物理学会 第61回年次大会 愛媛大学  2006年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Pressure effects on the first order transition in MnFe(P,As) and MnFe(P,Ge)

    H. Yabuta, K. Umeo, T. Takabatake, L. Chen, Y. Uwatoko

    International Conference on Magnetism, Kyoto, Japan  2006年8月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • TEM Characterization of TFTs of Transparent Oxide Semiconductors Fabricated at Room Temperature by Rf-sputtering Method

    T. Aiba, M. Shimada, H. Yabuta, K. Abe, K. Nobuyuki, R. Hayashi, M. Sano, H. Kumomi

    The 16th International Microscopy Congress, Sapporo, Japan  2006年9月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • メタ磁性物質MnFe(P,As)の磁性元素サイト置換効果

    メタ磁性物質MnFe(P, As, の磁性元素サイト置換効果

    日本物理学会 2006年秋季大会 千葉大学  2006年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Amorphous In-Ga-Zn-O based TFTs and circuits

    R. Hayashi, M. Ofuji, N. Kaji, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    The 3rd International TFT Conference (ITC07), Rome, Italy  2007年1月 

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • 磁気冷凍材料の軟X線磁気円二色性

    竹田 幸治, 岡根 哲夫, 大河内 拓雄, 斎藤 祐児, 山上 浩志, 薮田 久人, 高畠 敏郎

    日本物理学会 2007年春季大会 鹿児島大学  2007年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • メタ磁性物質MnFe(P,As)の圧力誘起スピングラス相

    薮田 久人, 陳 林, 上床 美也, 重藤 啓輔, 高畠 敏郎

    日本物理学会 第62回年次大会 北海道大学  2007年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Fundamental Analysis on On-Operation of an Amorphous In-Ga-Zn-O Based Gated Four-Probe TFT

    K. Abe, M. Ofuji, H. Shimizu, A. Sato, Y. Tateishi, K. Takahashi, N. Kaji, H. Yabuta, R. Hayashi, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    ITC08, The 4th International Thin-Film Transistor Conference, Seoul, Korea,  2008年1月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導

    薮田 久人, 高田 一広, 島田 幹夫, 雲見 日出也, 廣沢 一郎, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

    日本物理学会 第63回年次大会 近畿大学  2008年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • アニールにより伝導制御されたアモルファスIn-Ga-Zn-O 膜の電気伝導と構造

    薮田 久人, 高田 一広, 島田 幹夫, 加地 信幸, 林 享, 雲見 日出也, 廣沢 一郎, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

    第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学  2008年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Invited Paper: Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs 招待

    R. Hayashi, A. Sato, M. Ofuji, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    2008 SID International Symposium, Los Angeles, USA  2008年5月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • p型伝導を示す多結晶およびアモルファスSnO膜の構造および電気特性

    薮田 久人, 加地 信幸, 林 享, 雲見 日出也, 野村 研二, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄

    第56回応用物理学関係連合講演会、筑波大学  2009年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • EELSによるIn-Ga-Zn系アモルファス酸化物半導体の構造解析

    島田 幹夫, 大村 秀之, 雲見 日出也, 薮田 久人, 饗場 利明, 須賀 健夫, 高田 一広, 向出 太平

    日本顕微鏡学会第65回学術講演会 仙台国際センター  2009年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Electronic States of Magnetic Refrigerator Materials using Soft X-ray Magnetic circular Dichroism

    Y Takeda, T Okane, T Ohkochi, S -i Fujimori, Y Saitoh, H Yamagami, H Yabuta, T Takabatake

    International Conference on Magnetism (ICM2009), Karlsruhe, Germany,  2009年7月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Amorphous Oxide Semiconductor Based TFTs: Their Current Situation and Issues 招待

    N. Itagaki, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano, H. Kumomi

    第19回日本MRS学術シンポジウム, 産業貿易センター  2009年12月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

    Amorphous Oxide Semiconductor Based TFTs: Their Current Situation and Issues

  • Materials and Devices of Transparent Amorphous Oxide Semiconductors 招待

    H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano

    International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors (TAOS 2010), Yokohama, Japan,  2010年1月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(I)

    長田 潤一, 安井 伸太郎, 山田 智明, 内田 寛, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

    第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学  2010年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M = Zn, Mg)の強誘電性評価(II)

    安井 伸太郎, 長田 潤一, 山田 智明, 内田 寛, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

    第71回応用物理学会学術講演会 長崎大学  2010年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 非鉛系圧電材料開発の現状と今後

    和田 智志, 三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 久保田 純, 福井 哲朗

    第49回セラミックス基礎科学討論会 岡山コンベンションセンター  2011年1月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜の作製と評価

    長田 潤一, 安井 伸太郎, 山田 智明, 内田 寛, 東 正樹, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 三浦 薫, 舟窪 浩

    第58回応用物理学関係連合講演会 神奈川工科大学  2011年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3三成分系セラミックス作製と圧電特性

    三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 久保田 純, 福井 哲朗

    日本セラミックス協会 2011年 年会 静岡大学  2011年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • c軸配向六方晶BaTiO3セラミックスの(111)配向正方晶BaTiO3への構造変化

    渡邉 隆之, 島田 幹夫, 餐場 利明, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹, 和田 智志, 熊田 伸弘

    第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Sm置換BiFeO3の相転移挙動

    久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 中村 嘉孝, 島川 祐一, 岡 研吾, 東 正樹

    第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系セラミックスの誘電・圧電特性

    藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 黒岩 芳弘, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 林 潤平, 薮田 久人, 久保田 純, 福井 哲朗

    第28回強誘電体応用会議(FMA28) コープイン京都  2011年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • (111)配向正方晶BaTiO3セラミックスの作製

    熊田 伸弘, 渡邉 隆之, 島田 幹夫, 餐場 利明, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹, 和田 智志

    粉体粉末冶金協会 平成23年度春季大会 早稲田大学  2011年6月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Structural, dielectric, and piezoelectric properties of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3 ceramics

    Ichiro Fujii, Ryuta Mitsui, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Satoshi Wada, Yoshihiro Kuroiwa, Mikio Shimada, Takayuki Watanabe, Jumpei Hayashi, Hisato Yabuta, Makoto Kubota, Tetsuro Fukui

    ISAF-PFM-2011, The 20th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics and Interrnational Symposium on Piezoresponse Force Microscopy & Nanoscale Phenomena in Polar Materials, Vancouver, Canada  2011年7月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • Sm置換BiFeO3の相転移挙動

    久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 中村 嘉孝, 島川 祐一, 岡 研吾, 東 正樹

    粉体粉末冶金協会 平成23年度秋季大会 大阪大学  2011年10月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • PLD法によるBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の作製と評価

    及川 貴弘, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲郎

    第31回エレクトロセラミックス研究討論会 東京大学  2011年10月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3セラミックスの微構造と圧電特性

    三井 龍太, 藤井 一郎, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 島田 幹夫, 林 潤平, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 久保田 純, 福井 哲朗

    第31回エレクトロセラミックス研究討論会 東京大学  2011年10月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 一軸配向Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜の作製と圧電性評価

    安井 伸太郎, 及川 貴弘, 長田 潤一, 内田 寛, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 三浦 薫, 黒澤 実, 舟窪 浩

    第59回応用物理学関係連合講演会 早稲田大学  2012年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • ドナー及びアクセプターを添加したBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3セラミックスの圧電特性

    藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 島田 幹夫, 林 潤平, 久保田 純, 福井 哲朗

    日本セラミックス協会 2012年 年会 京都大学  2012年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • PLD法で作製したBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の特性

    及川 貴弘, 安井 伸太郎, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲郎, 舟窪 浩

    第59回応用物理学関係連合講演会 早稲田大学  2012年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BiFeO3-BaTiO3固溶体結晶の強誘電性と磁性

    薮田 久人, 向出 太平, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 熊田 伸弘, 和田 智志

    日本物理学会 第67回年次大会 関西学院大学  2012年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 高圧合成法で作製したSm置換BiFe1-xCoxO3の組成および温度依存性

    久保田 純, 薮田 久人, 三浦 薫, 岡 研吾, 東 正樹

    第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • ナノドメインエンジニアリングによるBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系圧電セラミックスの開発

    藤井 一郎, 三井 龍太, 中島 光一, 熊田 伸弘, 和田 智志, 森吉 千佳子, 黒岩 芳弘, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 島田 幹夫, 三浦 薫

    第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • PLD法で作製したBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の評価

    及川 貴弘, 安井 伸太郎, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 福井 哲朗, 舟窪 浩

    第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3圧電セラミクスの微細構造

    薮田 久人, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 林 潤平, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 和田 智志

    第29回強誘電体応用会議(FMA29) コープイン京都  2012年5月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価

    及川 貴弘, 安井 伸太郎, 真鍋 直人, 小林 健, 渡邉 隆之, 薮田 久人, 三浦 薫, 舟窪 浩

    第73回応用物理学会学術講演会 愛媛大学・松山大学  2012年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BiFeO3-BaTiO3固溶体結晶の強誘電性と磁性II

    薮田 久人, 向出 太平, 島田 幹夫, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 福井 哲朗, 藤井 一郎, 熊田 伸弘, 和田 智志

    日本物理学会 2012年秋期大会 横浜国立大学  2012年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BiFeO3-BaTiO3固溶体結晶の強誘電性と磁性III

    薮田 久人, 渡邉 壮俊, 島田 幹夫, 向出 太平, 渡邉 隆之, 久保田 純, 三浦 薫, 熊田 伸弘, 和田 智志

    日本物理学会 第68回年次大会 広島大学  2013年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Microscopic Structure and Electrical Transport Property of Sputter-Deposited Oxide-Semiconductor Thin Films 招待

    Hisato Yabuta

    26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26), Fukuoka, JAPAN  2013年9月 

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    記述言語:英語  

    国名:その他  

  • BiFeO3-BaTiO3固溶体結晶の構造・強誘電性・磁性

    薮田久人, 渡邉壮俊, 島田幹夫, 向出太平, 渡邉隆之, 久保田純, 三浦薫, 熊田伸弘, 和田智志

    日本物理学会 2013年秋期大会 徳島大学  2013年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • 機能性酸化物材料の構造評価 招待

    薮田久人

    SPring-8利用推進協議会 次世代先端デバイス研究会(第1回)連合会館  2014年3月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BiFeO3-BaTiO3固溶体結晶の構造・強誘電性・磁性Ⅱ

    薮田久人, 渡邉壮俊, 島田幹夫, 向出太平, 渡邉隆之, 久保田純, 三浦薫, 熊田伸弘, 和田智志

    日本物理学会 第69回年次大会 東海大学  2014年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Mn添加BaTiO3 強誘電体セラミックスへのBi 添加効果

    薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 松田堅義, 三浦 薫, 伊福俊博

    第31回強誘電体応用会議(FMA31)コープイン京都  2014年5月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3強誘電体セラミックスへのMn,Bi同時添加効果

    薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 久保田純, 松田堅義, 三浦薫, 伊福俊博

    日本物理学会 2014年秋期大会 中部大学  2014年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3セラミックスのBi,Mn添加による微視的構造変化

    薮田久人, 田中秀典, 古田達雄, 清水康志, 渡邉隆之, 久保田純, 松田堅義, 三浦薫, 伊福俊博, 米田安宏

    日本物理学会 第70回年次大会 早稲田大学  2015年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • マグネトロンスパッタリング法による酸化物半導体薄膜の開発とその評価 招待

    薮田 久人

    応用物理学会九州支部 特別講演会 九州大学  2021年3月 

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    記述言語:その他  

    国名:その他  

  • 非晶質ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成とシード層としての効果 招待

    板垣 奈穂, 沈 志遠, 御堂 雄大, 薮田 久人

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 オンライン  2021年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • Solid-phase Crystallization of Sputter-deposited ZnON Films and Their Impacts as Seed Layers for ZnO:Al Transparent Conducting Oxides

    Z. Shen, N. Yamashita, Y. Mido, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

    プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部 第25回支部大会 オンライン  2021年12月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

    Solid-phase Crystallization of Sputter-deposited ZnON Films and Their Impacts as Seed Layers for ZnO:Al Transparent Conducting Oxides

  • 固相結晶化シード層上へのZnO:Al透明導電膜のスパッタリング成膜:固相結晶化温度の影響

    沈 志遠, 山下 尚人, 鎌滝 晋礼, 奥村 賢直, 古閑 一憲, 白谷 正治, 薮田 久人, 板垣 奈穂

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 東北大学  2022年9月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

  • BaTiO3 系非鉛圧電セラミックス開発における放射光利用 招待

    薮田久人

    第10 回SPring-8 次世代先端デバイス研究会/第84 回SPring-8 先端利用技術ワーク ショップ 「シリコン半導体製造技術・セラミックスデバイス開発の最前線と放射光 利用」  2022年12月 

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    記述言語:日本語  

    国名:その他  

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産業財産権

特許権   出願件数: 147件   登録件数: 102件
実用新案権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
意匠権   出願件数: 0件   登録件数: 0件
商標権   出願件数: 0件   登録件数: 0件

所属学協会

  • 日本MRS

  • 日本フラックス成長研究会

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

学術貢献活動

  • Chairperson 国際学術貢献

    THERMEC 2023  ( Austria ) 2023年7月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Chairperson 国際学術貢献

    Advanced in Functional Materials 2023  ( Japan ) 2023年1月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2023年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:2

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2022年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:1

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2021年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:1

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2020年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:3

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2018年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:3

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2016年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:3

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2015年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:6

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2014年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:4

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2013年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:2

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2012年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:7

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2011年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:1

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2010年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:7

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2009年

     詳細を見る

    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:1

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 先進レーザー加工技術に関する研究

    2023年4月

    九州大学、ギガフォトン株式会社 

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    担当区分:研究代表者 

    高繰返し発振可能な深紫外エキシマレーザーを用いて次世代半導体デバイスなどの電子デバイス製造に関する新規プロセス技術を開発することを目的とする。

  • 先進レーザー加工技術に関する研究

    2022年4月 - 2025年3月

    共同研究

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

教育活動概要

  • 基幹教育科目:数学演習B
    学部講義:ディジタル電子回路I,II
    大学院講義:電磁エネルギー工学特論II
    卒業研究指導
    修士論文研究指導
    博士論文研究指導

担当授業科目

  • 電磁エネルギー工学特論Ⅱ

    2024年6月 - 2024年8月   夏学期

  • Electromagnetic Energy Engineering II

    2024年6月 - 2024年8月   夏学期

  • 数学演習B

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • 電気電子工学演示Ⅰ

    2024年4月 - 2024年9月   前期

  • ディジタル電子回路Ⅱ(EC)

    2023年12月 - 2024年2月   冬学期

  • 電気電子工学演示Ⅱ

    2023年10月 - 2024年3月   後期

  • 電気電子工学読解Ⅱ

    2023年10月 - 2024年3月   後期

  • ディジタル電子回路Ⅰ(EC)

    2023年10月 - 2023年12月   秋学期

  • 電磁エネルギー工学特論Ⅱ

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • Electromagnetic Energy Engineering II

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • 電気電子工学特別演習

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電磁エネルギー工学特別講究

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Research in Electromagnetic Energy Engineering

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Eng II

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学特別研究Ⅰ

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 電気電子工学特別研究Ⅱ

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Seminar in Electrical and Electronic Engineering

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • Advanced Research in Electrical and Electronic Engineering I

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 数学演習B

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 電気電子工学読解Ⅰ

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 電気電子工学演示Ⅰ

    2023年4月 - 2023年9月   前期

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FD参加状況

  • 2024年3月   役割:参加   名称:【シス情FD】高度データサイエンティスト育成事業の取り組みについて

    主催組織:部局

  • 2023年11月   役割:参加   名称:GakuNin RDMデータ活用セミナー : これからの研究データ管理を探る

    主催組織:部局

  • 2023年11月   役割:参加   名称:【シス情FD】企業等との共同研究の実施増加に向けて

    主催組織:部局

  • 2023年10月   役割:参加   名称:【シス情FD】価値創造型半導体人材育成センターについて

    主催組織:部局

  • 2023年9月   役割:参加   名称:【シス情FD】Top10%論文/Top10%ジャーナルとは何か: 傾向と対策

    主催組織:部局

  • 2023年4月   役割:参加   名称:【シス情FD】若手教員による研究紹介⑧

    主催組織:部局

  • 2023年4月   役割:参加   名称:令和5年度 第1回全学FD(新任教員の研修)The 1st All-University FD (training for new faculty members) in FY2023

    主催組織:全学

  • 2023年3月   役割:参加   名称:【シス情FD】独・蘭・台湾での産学連携を垣間見る-Industy 4.0・量子コンピューティング・先端半導体-

    主催組織:部局

  • 2022年9月   役割:参加   名称:【シス情FD】研究機器の共用に向けて

    主催組織:部局

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その他教育活動及び特記事項

  • 2024年  クラス担任  学部

社会貢献活動

  • SEMICON JAPAN アカデミアブース出展

    SEMIジャパン  東京ビッグサイト  2023年12月

     詳細を見る

    対象:社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関

    種別:その他

    研究室のアクティビティ(エキシマレーザーアニール固相結晶化技術、ワイドギャップ半導体へのエキシマレーザードーピング)を来場者(主に産業界)に紹介した。