研究者詳細 - 稲葉優文

お知らせ

写真a

イナバ　マサフミ

稲葉優文

INABA MASAFUMI

所属

システム情報科学研究院電気システム工学部門助教
工学部電気情報工学科（併任）
システム情報科学府電気電子工学専攻（併任）

連絡先

電話番号

0928023771

プロフィール

静電気応用工学の一環で、誘電泳動集積法を用いたセンサデバイスに関する研究と、微粒子の新たな電気的集積法に関する研究を行っている。これまで、ダイヤモンド半導体デバイスに関する研究、ナノカーボンの電気特性に関する研究、ダイヤモンド量子センシングに関するに従事してきたが、この知見を現状の研究に発展的に導入する。

ホームページ

https://masafumi-inaba.jimdo.com/
稲葉優文の個人ホームページ
http://hv.ees.kyushu-u.ac.jp/Lab-j/index.html
末廣・中野研究室のホームページ

外部リンク

学位

博士（工学）

経歴

名古屋大学・未来材料・システム研究所・日本学術振興会特別研究員早稲田大学・理工学術院・助手

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：ダイヤモンド放熱シート

研究キーワード：ダイヤモンド, 放熱シート

研究期間： 2019年2月
研究テーマ：誘電泳動を用いたセンシングデバイス

研究キーワード：誘電泳動、センサ

研究期間： 2019年2月
研究テーマ：ダイヤモンド半導体デバイス

研究キーワード：ダイヤモンド、デバイス

研究期間： 2014年4月
研究テーマ：ナノカーボンの電気特性評価

研究キーワード：ナノカーボン

研究期間： 2011年4月

受賞

パワーアカデミー萌芽研究優秀賞

2021年3月パワーアカデミーパワーアカデミー萌芽研究の研究助成における優れた研究成果報告に対して、受賞した。
優秀ポスター賞

2018年11月第32回ダイヤモンドシンポジウム「真空ギャップゲート構造による2次元正孔ガスダイヤモンドデバイスの評価」を報告し、ダイヤモンドで全く新しい評価デバイスを考案し、実証実験を行ったことを評価された。

　詳細を見る

水素終端ダイヤモンドの表面の2次元正孔ガス層（2DHG）は、価電子帯上端付近に界面準位を持たず、変調効果が高いため、電界効果トランジスタのチャネル応用が盛んに研究されている。特に、ゲート絶縁膜兼パッシベーション膜として高温原子層堆積法によるアルミナ膜を用いることで、高耐圧、広い温度領域での安定動作が達成されているが、その移動度は80 cm2/Vs程度と、バルクで報告されている移動度に比べて極めて低い。移動度低下因子のうち、界面不純物の影響が支配的であることが指摘されている。本研究では、界面不純物の発生源であるゲート絶縁膜を、電荷の存在しない真空とするデバイスを考案し、その動作を検証した。
EMS賞

2016年7月電子材料シンポジウムダイヤモンドの2次元正孔ガスを用いた縦型MOSFETデバイスを世界に先駆けて報告した。

論文

Effect of mixing ratio on NO2 gas sensor response with SnO2-decorated carbon nanotube channels fabricated by one-step dielectrophoretic assembly 査読国際誌

M. Inaba, T. Oda, M. Kono, N. Phansiri, T. Morita, S. Nakahara, M. Nakano, J. Suehiro

SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL 344 2021年10月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.snb.2021.130257
Effect of mixing ratio on NO2 gas sensor response with SnO2-decorated carbon nanotube channels fabricated by one-step dielectrophoretic assembly 査読

Masafumi Inaba, Takenori Oda, Masaki Kono, Nisarut Phansiri, Takahiro Morita, Shota Nakahara, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

Sensors and Actuators B: Chemical 344 130257 - 130257 2021年10月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.snb.2021.130257
Response properties of nitrogen dioxide gas sensors with tin oxide decorated carbon nanotube channel fabricated by two-step dielectrophoretic assembly 査読

Masafumi Inaba, Masaki Kono, Takenori Oda, Nisarut Phansiri, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

AIP Advances 10 ( 5 ) 055223 - 055223 2020年5月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0008188
Dielectrophoretic properties of submicron diamond particles in sodium chloride aqueous solution 査読

Masafumi Inaba, Shohei Hayashi, Henan Li, Mikoto Kamimura, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 4 ) 046502 - 046502 2020年4月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab7baf
Dielectrophoretic properties of submicron diamond particles in sodium chloride aqueous solution 査読国際誌

Masafumi Inaba, Shohei Hayashi, Henan Li, Mikoto Kamimura, Michihiko Nakano and Junya Suehiro

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 046502 ) 1 - 5 2020年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab7baf
Correlation between the Carbon Nanotube Growth Rate and Byproducts in Antenna-Type Remote Plasma Chemical Vapor Deposition Observed by Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy 査読

Masafumi Inaba, Takumi Ochiai, Kazuyoshi Ohara, Ryogo Kato, Tasuku Maki, Toshiyuki Ohashi, Hiroshi Kawarada

Small 15 ( 48 ) 2019年11月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201901504
Electrical property measurement of two-dimensional hole-gas layer on hydrogen-terminated diamond surface in vacuum-gap-gate structure 査読国際誌

Masafumi Inaba, Hiroshi Kawarada, Yutaka Ohno

Applied Physics Letters 114 ( 25 ) 2019年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5099395
Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors 査読国際誌

Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Satoshi Okubo, Ikuto Tsuyuzaki, Taisuke Kageura, Shinobu Onoda, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Scientific reports 8 ( 1 ) 2018年12月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-018-28837-5
Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip 査読

Masafumi Inaba, Kazuyoshi Ohara, Megumi Shibuya, Takumi Ochiai, Daisuke Yokoyama, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

Journal of Applied Physics 123 ( 24 ) 2018年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5027849
Hydrogen-terminated diamond vertical-type metal oxide semiconductor field-effect transistors with a trench gate 査読国際誌

Masafumi Inaba, Tsubasa Muta, Mikinori Kobayashi, Toshiki Saito, Masanobu Shibata, Daisuke Matsumura, Takuya Kudo, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Applied Physics Letters 109 ( 3 ) 2016年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4958889
Contact Conductivity of Uncapped Carbon Nanotubes Formed by Silicon Carbide Decomposition 査読

Masafumi Inaba, Chih Yu Lee, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Miho Myodo, Yu Hirano, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

Journal of Physical Chemistry C 120 ( 11 ) 6232 - 6238 2016年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acs.jpcc.5b11815
Very low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface 査読国際誌

Masafumi Inaba, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Chih Yu Lee, Yoshiho Masuda, Naoya Tomatsu, Wataru Norimatsu, Atsushi Hiraiwa, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

Applied Physics Letters 106 ( 12 ) 2015年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4916248
Quantitative evaluation of dielectrophoretic separation efficiency of cancer exosomes based on fluorescence imaging

Ryu Nakabayashi, Rie Koyama, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

Japanese Journal of Applied Physics 2024年3月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ad2657
Demonstration of New Microelectrode Design to Enhance Sensitivity of Dielectrophoretic Impedance Measurement 査読

Michihiko Nakano, Masafumi Inaba, Tomoko Murakami, Maho Sakurai, Junya Suehiro

IEEE Sensors Letters 7 ( 8 ) 1 - 4 2023年8月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/lsens.2023.3297315
Electrical Properties of GaN Cap Layer for AlGaN/GaN HEMT 査読

Mohamad Hasnan Abdull Hamid, Rahil Izzati Mohd Asri, Mohammad Nuzaihan, Masafumi Inaba, Zainuriah Hassan, Hiroshi Kawarada, Shaili Falina, Mohd Syamsul

Key Engineering Materials 947 3 - 8 2023年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/p-9qdk55
Comparison between modulations of contact and channel potential in nitrogen dioxide gas response of ambipolar carbon nanotube field-effect transistors 招待査読国際誌

S. Nakahara, T. Morita, H. Omachi, M. Inaba, M. Nakano, J. Suehiro

AIP ADVANCES 12 ( 12 ) 2022年12月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0124891
Comparison between modulations of contact and channel potential in nitrogen dioxide gas response of ambipolar carbon nanotube field-effect transistors

Shota Nakahara, Takahiro Morita, Haruka Omachi, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

AIP Advances 12 ( 12 ) 125302 - 125302 2022年12月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0124891
High-sensitivity room temperature p-doped and undoped GaN thin film resistive gas sensor 査読国際誌

M. Hasnan, R.I.M. Asri, Z. Hassan, S.A.A. Abdalmohammed, M. Nuzaihan, M. Inaba, S. Falina and M. Syamsul

International Journal of Nanotechnology 2022年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1504/ijnt.2022.124520
Characterization of Extra-Cellular Vesicle Dielectrophoresis and Estimation of Its Electric Properties 査読

Hao Chen, Tsubasa Yamakawa, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

Sensors 22 ( 9 ) 2022年4月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/s22093279
Characterization of Extra-Cellular Vesicle Dielectrophoresis and Estimation of Its Electric Properties 招待査読国際誌

H. Chen, T. Yamakawa, M. Inaba, M, Nakano, J. Suehiro

Sensors 22 ( 9 ) 3279 2022年4月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/s22093279
高周波沿面放電によるSF₆中CF₄のCOへの変換と検出

劉栩林, Phansiri Nisarut, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里秀文

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2021 270 - 271 2021年9月

　詳細を見る

記述言語：日本語

電力の安定供給を確保するために、経年劣化したガス絶縁開閉装置（GIS）の設備診断が必要である。GIS内の異常放電によって生じるSF6分解ガスのうち、CF4は長時間GIS内に滞留する。故にCF4ガスの濃度測定により設備診断が可能である。しかし、CF4の直接検出が困難なので、放電によりCF4を検出しやすいガスに転換する間接検出法を研究している。本発表では、高周波沿面放電によるSF6中CF4のCOへの変換とFTIR検出の結果を報告する。

DOI： 10.11527/jceeek.2021.0_270
Indirect detection of residual CF4 in gas-insulated switchgear via conversion under dielectric barrier discharge 査読

Nisarut Phansiri, Xulin Liu, Kohei Miwa, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro, Hidefumi Sato

International Journal of Plasma Environmental Science and Technology 15 2021年8月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.34343/ijpest.2021.15.e02010
Indirect detection of residual CF₄ in gas-insulated switchgear via conversion under dielectric barrier discharge 査読国際誌

N. Phansiri, X. Liu, K Miwa, M. Inaba, M, Nakano, J. Suehiro, H. Sato

Int. J. Plasma Environ. Sci. Technol. 15 ( 2 ) 2021年8月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.34343/ijpest.2021.15.e02010
Detection of SARS-CoV-2 Gene by Microbeads Dielectrophoresis-based DNA Detection Method 招待査読国際誌

M. Nakano, M. Inaba, J. Suehiro

IEEJ Trans. Sens. Micromachines 141 ( 7 ) 233 - 236 2021年7月

　詳細を見る

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.141.233
Detection of SARS-CoV-2 Gene by Microbeads Dielectrophoresis-based DNA Detection Method

Michihiko Nakano, Masafumi Inaba, Junya Suehiro

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 141 ( 7 ) 233 - 236 2021年7月

　詳細を見る

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.141.233
Rapid and low-cost amplicon visualization for nucleic acid amplification tests using magnetic microbeads dagger 招待査読国際誌

M. Nakano, M. Inaba, J. Suehiro

ANALYST 146 2818 - 2824 2021年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/d0an02349c
A New Scheme for Residual CF4 Detection in Gas-Insulated Switchgear Using Plasma-induced CF4 Decomposition into CO2 査読国際誌

N. Phansiri, D. Maenosono, M. Inaba, M. Nakano, J. Suehiro, H. Sato

2020 8th International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis (CMD) 2020年10月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/CMD48350.2020.9287294
Application of 2DHG Diamond p-FET in Cascode With Normally-OFF Operation and a Breakdown Voltage of Over 1.7 kV 査読

Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 10 ) 4006 - 4009 2020年10月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/ted.2020.3019020
A New Scheme for Residual CF4 Detection in Gas-Insulated Switchgear Using Plasma-induced CF4 Decomposition into CO2 査読

Nisarut Phansiri, Daichi Maenosono, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro, Hidefumi Sato

2020 8th International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis (CMD) 2020年10月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/cmd48350.2020.9287294
Application of 2DHG Diamond p-FET in Cascode with Normally-off Operation and Breakdown Voltage of Over 1.7 kV 査読国際誌

T. Bi, J. Niu, N. Oi, M. Inaba, T. Sasaki, H. Kawarada

IEEE Transaction on Electron Devices 67 ( 10 ) 4006 - 4009 2020年9月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.3019020
誘電体バリア放電によるSF₆中CF₄のCOへの変換と検出

劉栩林, Phansiri Nisarut, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里秀文

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2020 292 - 293 2020年9月

　詳細を見る

記述言語：日本語

ガス絶縁開閉装置（GIS）の内部に充填されたSF6は、部分放電や過熱等の異常により分解される。様々な分解ガスが生じる中で、その多くは再結合や吸着剤によって除去される。その一方で、CF4は長時間に渡ってGIS内部に滞留する。このことから、CF4によるGISの設備診断が提案されている。筆者らはこれまでに、CF4の簡便な検出法として半導体ガスセンサによる検出を試みたが、その検出能力は目標に及ばなかった。そこで、CF4を間接的に計測する方法として、誘電体バリア放電でCF4をCOあるいはCO2に転換して計測する方法を考案した。本発表では、COへの転換についてガス検知管で測定した結果を報告する。

DOI： 10.11527/jceeek.2020.0_292
Response properties of nitrogen dioxide gas sensors with tin oxide decorated carbon nanotube channel fabricated by two-step dielectrophoretic assembly 査読国際誌

M. Inaba, M. Kono, T. Oda, N. Phansiri, M. Nakano, J. Suehiro

AIP Advances 10 055223 2020年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0008188
Over 12000 A/cm² and 3.2 mΩcm² Miniaturized Vertical-Type Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFET 査読

41 ( 1 ) 111 - 114 2020年1月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

We present a miniaturized vertical-type two-dimensional hole gas (2DHG) diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) by adopting a gate-source overlapping structure. We developed a 2μm-wide trench and disposed a part of the gate electrode to overlap the Al₂O₃ insulator film on the source electrode to eliminate the space between source and gate electrode. We obtained the maximum drain current density of I_D =12800 A/cm² at V_DS =-50 V and the specific on-resistance of R_ON =3.2 m}Ω cm² at V_DS =-10 V and confirmed their improvement by the miniaturization of devices and reduction of source to gate resistance. In addition, the drain current on/off ratio was 7 orders magnitude even at 200 °C with the formation of a highly concentrated, thick nitrogen-doped layer as the current blocking layer.

DOI： 10.1109/LED.2019.2953693
Over 12000 A/cm2 and 3.2 m$Omega$ cm2 Miniaturized Vertical-Type Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFET 査読

Masayuki Iwataki, Nobutaka Oi, Kiyotaka Horikawa, Shotaro Amano, Jun Nishimura, Taisuke Kageura, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE Electron Device Letters 41 ( 1 ) 111 - 114 2020年1月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/led.2019.2953693
DNA-induced changes in traveling wave dielectrophoresis velocity of microparticles 査読

Michihiko Nakano, Zhenhao Ding, Masafumi Inaba, Junya Suehiro

AIP Advances 10 ( 1 ) 015236 - 015236 2020年1月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5129725
DNA-induced changes in traveling wave dielectrophoresis velocity of microparticles 査読国際誌

M. Nakano, Z. Ding, M. Inaba, J. Suehiro

AIP Advances 10 ( 1 ) 015236 2020年1月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5129725
Simple microfluidic device for detecting the negative dielectrophoresis of DNA labeled microbeads 査読

Michihiko Nakano, Zhenhao Ding, Kenya Matsuda, Jingwen Xu, Masafumi Inaba, Junya Suehiro

Biomicrofluidics 13 ( 6 ) 2019年11月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5124419
Simple microfluidic device for detecting the negative dielectrophoresis of DNA labeled microbeads 査読

Michihiko Nakano, Zhenhao Ding, Kenya Matsuda, Jingwen Xu, Masafumi Inaba, Junya Suehiro

Biomicrofluidics 13 ( 6 ) 064109 - 064109 2019年11月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5124419
Point‐Arc Remote Plasma Chemical Vapor Deposition for High‐Quality Single‐Crystal Diamond Selective Growth 査読

216 ( 21 ) 1900227 - 1900227 2019年11月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.201900227
誘電泳動集積法で作製したSnO₂ガスセンサのCF₄応答における再現性調査

Phansiri Nisarut, 前之園大地, 稲葉優文, 中野道彦, 里秀文, 末廣純也

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2019 325 - 326 2019年9月

　詳細を見る

記述言語：日本語

SF6 used in gas-insulated switchgear is decomposed by accidental partial or arc discharge resulting in reducing the insulating property. In this study, one of the byproducts, carbon tetrafluoride (CF4), is selected as the detection target to diagnose the apparatus because of its accumulation property. The sensor was constructed by assembling SnO2 nanoparticles using dielectrophoresis. Repeatability and reproducibility of the sensor were investigated. The response was decreased to 25% in the second test than first ones. The normalized responses of the nine sensors were in a range of 0.1-0.22.

DOI： 10.11527/jceeek.2019.0_325
Correlation between the Carbon Nanotube Growth Rate and Byproducts in Antenna‐Type Remote Plasma Chemical Vapor Deposition Observed by Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy 招待査読

1901504 - 1901504 2019年7月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/smll.201901504
Normally-OFF Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFETs Through Nitrogen-Ion Implantation 査読

Nobutaka Oi, Takuya Kudo, Masafumi Inaba, Satoshi Okubo, Shinobu Onoda, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE Electron Device Letters 40 ( 6 ) 933 - 936 2019年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Normally-OFF Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFETs Through Nitrogen-Ion Implantation
Diamond is a promising material for power applications owing to its excellent physical properties. Two-dimensional hole gas (2DHG) diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with hydrogen-terminated (C-H) channel have high current densities and high breakdown fields but often show normally-ON operation. From the viewpoint of safety, normally-OFF operation is required for power applications. In this letter, we used ion implantation to form a shallow and thin nitrogen-doped layer below the C-H channel region, which realized normally OFF operation. Nitrogen-ion implanted length is fixed at 5 or 10 mu m. Nitrogen is a deep donor (1.7 eV) and the nitrogen-doped layer prevents hole accumulation near the surface. The threshold voltage was as high as -2.5 V and no obvious dependence on the threshold voltage of nitrogenion implanted length is observed. The breakdown field was 2.7 MV/cm at room temperature. Of 64 devices with a common gate length, 75% showed normally-OFF operation. We confirmed the threshold voltage shift by a thin and shallow nitrogen-doped layer formed by ion implantation.

DOI： 10.1109/led.2019.2912211
Electrical property measurement of two-dimensional hole-gas layer on hydrogen-terminated diamond surface in vacuum-gap-gate structure 査読

Masafumi Inaba

Applied Physics Letters 114 ( 25 ) 253504 - 253504 2019年6月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5099395
Point-Arc Remote Plasma Chemical Vapor Deposition for High-Quality Single-Crystal Diamond Selective Growth 査読国際誌

Wenxi Fei, Masafumi Inaba, Haruka Hoshino, Ikuto Tsuyusaki, Sora Kawai, Masayuki Iwataki, Hiroshi Kawarada

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2019年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.201900227
Normally-OFF Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFETs Through Nitrogen-Ion Implantation 査読

Nobutaka Oi, Takuya Kudo, Masafumi Inaba, Satoshi Okubo, Shinobu Onoda, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE Electron Device Letters 40 ( 6 ) 933 - 936 2019年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2019.2912211
Carbon 1s X-ray photoelectron spectra of realistic samples of hydrogen-terminated and oxygen-terminated CVD diamond (111) and (001) 査読

Shozo Kono, Taisuke Kageura, Yuya Hayashi, Sung Gi Ri, Tokuyuki Teraji, Daisuke Takeuchi, Masahiko Ogura, Hideyuki Kodama, Atsuhito Sawabe, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Diamond and Related Materials 93 105 - 130 2019年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2019.01.017
Carbon 1s X-ray photoelectron spectra of realistic samples of hydrogen-terminated and oxygen-terminated CVD diamond (111) and (001) 査読

Shozo Kono, Taisuke Kageura, Yuya Hayashi, Sung-Gi Ri, Tokuyuki Teraji, Daisuke Takeuchi, Masahiko Ogura, Hideyuki Kodama, Atsuhito Sawabe, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Diamond and Related Materials 93 105 - 130 2019年3月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Carbon 1s X-ray photoelectron spectra of realistic samples of hydrogen-terminated and oxygen-terminated CVD diamond (111) and (001)
© 2019 Elsevier B.V. Key factors in C 1s photoelectron spectroscopy for realistic samples of single crystal diamonds are remarked. Basic equations for angle-dependent photoelectron spectroscopy applied to single crystal diamond samples are described in Appendix A. Carbon 1s photoelectron spectroscopic works so far reported for hydrogen-terminated and oxygen-terminated diamond (001) and (111) samples were reviewed placing special attention on surface C 1s components with reference to the key factors. The results showed diversity in C 1s photoelectron spectra so far reported. We had three specific subjects of the study in C 1s XPS; the first is that we have reconfirmed the phenomenon that surface conductive layers resumed when smooth non-doped CVD C(111)-O samples were annealed in vacuum [Diam.Rela.Mate.18(2009)206]. A single C 1s XPS surface component was found for a smooth C(111)-O sample before the vacuum-anneal, which was attributed to surface carbon atoms in C–O–H bonding. The second subject is that dependence of C 1s XPS spectra on surface sensitivity has been measured for all the samples with different surface roughness of C(001)-O, C(111)-O, C(001)-H, and C(111)-H. The results were converted to the energy difference between the Fermi-level (Ef) and valence band maximum (Ev) on the probing depth from the surface. All the samples showed downward bending of Ev toward the surface. For the C(001)-H samples, this was a reconfirmation of previous work [Surf.Sci.604(2010)1148]. For the C(001)-H and C(111)-H samples, various degrees of downward band bending toward surface were observed and analyzed with two-dimensional band simulation. It was concluded that another source of holes such as shallow acceptors is present in a deeper region of the surface in addition to holes very close to surface caused by the charge-transfer-doping. The third subject is that C 1s XPS spectra for superconducting C(111)-O samples showed a lattice distortion of ~9 monolayers near the surface.

DOI： 10.1016/j.diamond.2019.01.017
Enhancement of the electron transfer rate in carbon nanotube flexible electrochemical sensors by surface functionalization 査読

Keita Nishimura, Takuya Ushiyama, Nguyen Xuan Viet, Masafumi Inaba, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno

Electrochimica Acta 295 157 - 163 2019年2月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2018.10.147
Enhancement of the electron transfer rate in carbon nanotube flexible electrochemical sensors by surface functionalization 査読

Keita Nishimura, Takuya Ushiyama, Nguyen Xuan Viet, Masafumi Inaba, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno

Electrochimica Acta 295 157 - 163 2019年2月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2018.10.147
Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing 査読

New Journal of Physics 20 ( 8 ) 2018年8月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1367-2630/aad997
Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing 査読

New Journal of Physics 20 ( 8 ) 083029 - 083029 2018年8月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1367-2630/aad997
Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors 査読

Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Satoshi Okubo, Ikuto Tsuyuzaki, Taisuke Kageura, Shinobu Onoda, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Scientific Reports 8 ( 1 ) 2018年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors
Power semiconductor devices require low on-resistivity and high breakdown voltages simultaneously. Vertical-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) meet these requirements, but have been incompleteness in diamond. Here we show vertical-type p-channel diamond MOSFETs with trench structures and drain current densities equivalent to those of n-channel wide bandgap devices for complementary inverters. We use two-dimensional hole gases induced by atomic layer deposited Al2O3 for the channel and drift layers, irrespective of their crystal orientations. The source and gate are on the planar surface, the drift layer is mainly on the sidewall and the drain is the p(+) substrate. The maximum drain current density exceeds 200 mA mm(-1) at a 12 mu m source-drain distance. On/off ratios of over eight orders of magnitude are demonstrated and the drain current reaches the lower measurement limit in the off-state at room temperature using a nitrogen-doped n-type blocking layer formed using ion implantation and epitaxial growth.

DOI： 10.1038/s41598-018-28837-5
Role of Carboxyl and Amine Termination on a Boron-Doped Diamond Solution Gate Field Effect Transistor (SGFET) for pH Sensing 査読

Shaili Falina, Sora Kawai, Nobutaka Oi, Hayate Yamano, Taisuke Kageura, Evi Suaebah, Masafumi Inaba, Yukihiro Shintani, Mohd Syamsul, Hiroshi Kawarada

Sensors 18 ( 7 ) 2178 - 2178 2018年7月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Role of Carboxyl and Amine Termination on a Boron-Doped Diamond Solution Gate Field Effect Transistor (SGFET) for pH Sensing

DOI： 10.3390/s18072178
Role of carboxyl and amine termination on a boron-doped diamond solution gate field effect transistor (SGFET) for PH sensing 査読

Shaili Falina, Sora Kawai, Nobutaka Oi, Hayate Yamano, Taisuke Kageura, Evi Suaebah, Masafumi Inaba, Yukihiro Shintani, Mohd Syamsul, Hiroshi Kawarada

Sensors (Switzerland) 18 ( 7 ) 2018年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/s18072178
Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip 査読

Masafumi Inaba, Kazuyoshi Ohara, Megumi Shibuya, Takumi Ochiai, Daisuke Yokoyama, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

Journal of Applied Physics 123 ( 24 ) 244502 2018年6月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip
Understanding the electrical contact properties of carbon nanotube (CNT) ends is important to use the high conductance of CNTs in the CNT on-axis direction in applications such as through-silicon via structures. In this study, we experimentally evaluated the contact resistivity between single-/multi-walled CNT ends and a metal nanoprobe using conductive atomic force microscopy (C-AFM). To validate the measured end contact resistivity, we compared our experimentally determined value with that obtained from numerical calculations and reported values for side contact resistivity. The contact resistivity normalized by the length of the CNT ends was 0.6-2.4 x 10(6) Omega nm for single-walled CNTs. This range is 1-2 orders of magnitude higher than that determined theoretically. The contact resistivity of a single-walled CNT end with metal normalized by the contact area was 2-3 orders of magnitude lower than that reported for the resistivity of a CNT sidewall/metal contact. For multi-walled CNTs, the measured contact resistivity was one order of magnitude higher than that of a CNT forest grown by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition, whereas the contact resistivity of a top metal electrode was similar to that obtained for a single-walled CNT forest. Published by AIP Publishing.

DOI： 10.1063/1.5027849
Sheet resistance underneath the Au ohmic-electrode on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001) 査読

S. Kono, T. Sasaki, Masafumi Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials 80 93 - 98 2017年11月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2017.09.020
Sheet resistance underneath the Au ohmic-electrode on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001) 査読

S. Kono, T. Sasaki, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials 80 93 - 98 2017年11月

　詳細を見る

記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2017.09.020
Vertical edge graphite layer on recovered diamond (001) after high-dose ion implantation and high-temperature annealing 査読

Masafumi Inaba, Akinori Seki, Kazuaki Sato, Tomoyoshi Kushida, Taisuke Kageura, Hayate Yamano, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254 ( 9 ) e201700040 2017年9月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssb.201700040
Vertical edge graphite layer on recovered diamond (001) after high-dose ion implantation and high-temperature annealing 査読

Masafumi Inaba, Akinori Seki, Kazuaki Sato, Tomoyoshi Kushida, Taisuke Kageura, Hayate Yamano, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

Physica Status Solidi (B) Basic Research 254 ( 9 ) 2017年9月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssb.201700040
Threshold voltage control of electrolyte solution gate field-effect transistor by electrochemical oxidation 査読

Takuro Naramura, Masafumi Inaba, Sho Mizuno, Keisuke Igarashi, Eriko Kida, Shaili Falina Mohd Sukri, Yukihiro Shintani, Hiroshi Kawarada

APPLIED PHYSICS LETTERS 111 ( 1 ) 013505 2017年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4991364
Threshold voltage control of electrolyte solution gate field-effect transistor by electrochemical oxidation 査読

Takuro Naramura, Masafumi Inaba, Sho Mizuno, Keisuke Igarashi, Eriko Kida, Shaili Falina Mohd Sukri, Yukihiro Shintani, Hiroshi Kawarada

Applied Physics Letters 111 ( 1 ) 2017年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4991364
Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond 査読

Taisuke Kageura, Kanami Kato, Hayate Yamano, Evi Suaebah, Miki Kajiya, Sora Kawai, Masafumi Inaba, Takashi Tanii, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Shozo Kono, Hiroshi Kawarada

Applied Physics Express 10 ( 5 ) 2017年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.055503
Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond 査読

Taisuke Kageura, Kanami Kato, Hayate Yamano, Evi Suaebah, Miki Kajiya, Sora Kawai, Masafumi Inaba, Takashi Tanii, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Shozo Kono, Hiroshi Kawarada

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 ( 5 ) 055503 2017年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.055503
Charge state stabilization of shallow nitrogen vacancy centers in diamond by oxygen surface modification 査読

Hayate Yamano, Sora Kawai, Kanami Kato, Taisuke Kageura, Masafumi Inaba, Takuma Okada, Itaru Higashimata, Moriyoshi Haruyama, Takashi Tanii, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Hiroshi Kawarada

Japanese Journal of Applied Physics 56 ( 4 ) 2017年4月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CK08
Charge state stabilization of shallow nitrogen vacancy centers in diamond by oxygen surface modification 査読

Hayate Yamano, Sora Kawai, Kanami Kato, Taisuke Kageura, Masafumi Inaba, Takuma Okada, Itaru Higashimata, Moriyoshi Haruyama, Takashi Tanii, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Hiroshi Kawarada

Japanese Journal of Applied Physics 56 ( 4 ) 04CK08 2017年4月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CK08
Normally-Off C-H Diamond MOSFETs with Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage 査読

Yuya Kitabayashi, Takuya Kudo, Hidetoshi Tsuboi, Tetsuya Yamada, Dechen Xu, Masanobu Shibata, Daisuke Matsumura, Yuya Hayashi, Mohd Syamsul, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE Electron Device Letters 38 ( 3 ) 363 - 366 2017年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2017.2661340
Normally-Off C-H Diamond MOSFETs With Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage 査読

Yuya Kitabayashi, Takuya Kudo, Hidetoshi Tsuboi, Tetsuya Yamada, Dechen Xu, Masanobu Shibata, Daisuke Matsumura, Yuya Hayashi, Mohd Syamsul, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 38 ( 3 ) 363 - 366 2017年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2017.2661340
Durability-enhanced two-dimensional hole gas of C-H diamond surface for complementary power inverter applications 査読

Hiroshi Kawarada, Tetsuya Yamada, Dechen Xu, Hidetoshi Tsuboi, Yuya Kitabayashi, Daisuke Matsumura, Masanobu Shibata, Takuya Kudo, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa

Scientific reports 7 2017年2月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep42368
Durability-enhanced two-dimensional hole gas of C-H diamond surface for complementary power inverter applications 査読

Hiroshi Kawarada, Tetsuya Yamada, Dechen Xu, Hidetoshi Tsuboi, Yuya Kitabayashi, Daisuke Matsumura, Masanobu Shibata, Takuya Kudo, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa

SCIENTIFIC REPORTS 7 42368 2017年2月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep42368
Polycrystalline boron-doped diamond with an oxygen-terminated surface channel as an electrolyte-solution-gate field-effect transistor for pH sensing 査読

Yukihiro Shintani, Shoji Ibori, Keisuke Igarashi, Takuro Naramura, Masafumi Inaba, Hiroshi Kawarada

ELECTROCHIMICA ACTA 212 10 - 15 2016年9月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2016.06.104
Polycrystalline boron-doped diamond with an oxygen-terminated surface channel as an electrolyte-solution-gate field-effect transistor for pH sensing 査読

Yukihiro Shintani, Shoji Ibori, Keisuke Igarashi, Takuro Naramura, Masafumi Inaba, Hiroshi Kawarada

Electrochimica Acta 212 10 - 15 2016年9月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2016.06.104
Diamond MOSFETs using 2D hole gas with 1700V breakdown voltage

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo, Masafumi Inaba, A. Hiraiwa

28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 Proceedings of the 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 483 - 486 2016年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISPSD.2016.7520883
Hydrogen-terminated diamond vertical-type metal oxide semiconductor field-effect transistors with a trench gate 査読

Masafumi Inaba, Tsubasa Muta, Mikinori Kobayashi, Toshiki Saito, Masanobu Shibata, Daisuke Matsumura, Takuya Kudo, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 ( 3 ) 033503 2016年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4958889
Diamond MOSFETs using 2D hole gas with 1700V breakdown voltage 査読

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo, M. Inaba, A. Hiraiwa

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2016- 483 - 486 2016年7月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISPSD.2016.7520883
Contact Conductivity of Uncapped Carbon Nanotubes Formed by Silicon Carbide Decomposition 査読

Masafumi Inaba, Chih-Yu Lee, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Miho Myodo, Yu Hirano, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 120 ( 11 ) 6232 - 6238 2016年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acs.jpcc.5b11815
Ohmic contact for silicon carbide by carbon nanotubes

Masafumi Inaba, Kazuma Suzuki, Yu Hirano, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015 Silicon Carbide and Related Materials 2015 561 - 564 2016年1月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.561
Large-current-controllable carbon nanotube field-effect transistor in electrolyte solution 査読

Miho Myodo, Masafumi Inaba, Kazuyoshi Ohara, Ryogo Kato, Mikinori Kobayashi, Yu Hirano, Kazuma Suzuki, Hiroshi Kawarada

Applied Physics Letters 106 ( 21 ) 2015年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4921454
Large-current-controllable carbon nanotube field-effect transistor in electrolyte solution 査読

Miho Myodo, Masafumi Inaba, Kazuyoshi Ohara, Ryogo Kato, Mikinori Kobayashi, Yu Hirano, Kazuma Suzuki, Hiroshi Kawarada

APPLIED PHYSICS LETTERS 106 ( 21 ) 213503 - 213503 2015年5月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4921454
Very low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface 査読

Masafumi Inaba, Kazuma Suzuki, Megumi Shibuya, Chih-Yu Lee, Yoshiho Masuda, Naoya Tomatsu, Wataru Norimatsu, Atsushi Hiraiwa, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada

APPLIED PHYSICS LETTERS 106 ( 12 ) 123501 - 123501 2015年3月

　詳細を見る

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4916248

▼全件表示

書籍等出版物

Carbon Nanotube Forests on SiC: Structural and Electrical Properties

Masafumi Inaba, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroshi Kawarada（担当：共著）

Springer, Singapore 2019年9月

　詳細を見る

担当ページ：Novel Structured Metallic and Inorganic Materials pp605-620 記述言語：英語著書種別：学術書

DOI： https://doi.org/10.1007/978-981-13-7611-5_40

講演・口頭発表等

新規熱伝導性フィラーの開発と電界整列による放熱シートの機能付加招待

稲葉優文

九州大学　新技術説明会 2023年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：JST東京本部別館1Fホール（東京・市ケ谷）国名：日本国
電界整列ダイヤモンド鎖の密度を意図的に変化させた熱分布伝熱シートの作製

市来宗一郎, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2024年3月 - 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学世田谷キャンパス, 東京都世田谷区国名：日本国
乳がん細胞と大腸がん細胞由来エクソソームの誘電泳動特性の違い

中林龍・高山理衣・稲葉優文・中野道彦・末廣純也

令和6年電気学会全国大会 2024年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2024年3月 - 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：徳島大学常三島キャンパス, 徳島県徳島市国名：日本国
電界整列による放熱シートの高熱伝導率化招待

稲葉優文

セミナー「放熱シートの設計と熱伝導性の向上」(主催：技術情報協会) 2024年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列による放熱シートの機能付加と新規熱伝導性フィラーの開発招待

稲葉優文

セミナー「パワーモジュールに向けた高放熱材料の開発動向・評価と要求特性」(主催：AndTech) 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

開催地：オンライン国名：日本国
Quantitative evaluation of dielectrophoretic separation efficiency of cancer exosomes based on fluorescence imaging 国際会議

MNC 2023 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
電界整列多結晶ダイヤモンドフレークの伝熱シートフィラーへの応用

清家清弥, 市来宗一郎, 大曲新矢, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス, 神奈川県平塚市国名：日本国
ナノダイヤモンド粒子の誘電泳動集積の蛍光観察

浅野尚紀, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス, 神奈川県平塚市国名：日本国
電界整列ダイヤモンド粒子をフィラーに用いた意図的熱伝導率分布を有する伝熱シートの作製

市来宗一郎, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス, 神奈川県平塚市国名：日本国
ダイヤモンドフィラーを電界整列した伝熱シートに対する重力の影響

稲葉優文, 清家清弥, 市来宗一郎, 中野道彦, 末廣純也

第37回ダイヤモンドシンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス, 神奈川県平塚市国名：日本国
エクソソームの誘電泳動特性に与える影響の評価

高山理衣, 中林龍, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール, 熊本県熊本市国名：日本国
DNA 結合微粒子の誘電泳動特性変化に基づく DNA 分解酵素検出法の検討

旭航希, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2023年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール, 熊本県熊本市国名：日本国
Device and composite applications of electrical manipulation of particles: dielectrophoresis and electrical alignment 招待国際会議

Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJI2MA-3) 2023年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
ダイヤモンドフィラーの沈降を抑制した伝熱シートの熱伝導特性

稲葉優文, 清家清弥, 中野道彦, 末廣純也

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール, 熊本県熊本市国名：日本国
Fabrication of polycrystalline diamond flakes and their electric field alignment behavior 国際会議

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
Fast gas response for NO2 at carbon nanotubes/electrode contact of ambipolar field-effect transistors 国際会議

Masafumi Inaba, Kaito Yagi, Haruka Omachi, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
NO2 gas response properties of ambipolar CNT-FETs with various conditions of CNT-CNT junctions 国際会議

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
Electrical alignment of diamond filler particles in polydimethylsiloxane-based heat-conduction sheets with canceling the effect of gravitational force 国際会議

Masafumi Inaba, Seiya Seike, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
CNTの集積量によるCNT-FETのNO2ガス応答変化のメカニズムに関する理論的検討

八木凱斗, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
蛍光顕微鏡を用いた蛍光ナノダイヤモンド粒子の誘電泳動集積の観察

浅野尚紀, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
多結晶ダイヤモンドフレークのサイズ制御法の検討

清家清弥, 市来宗一郎, 大曲新矢, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
フィラーを電界整列した伝熱シートの熱伝導率のフィラー濃度依存性

市来宗一郎, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
エクソソームの誘電泳動特性に与える蛍光染色の影響

髙山理衣, 中林龍, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
誘電泳動を利用したヒト乳がん細胞由来エクソソームの分離の実証

中林龍, 髙山理衣, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
微粒子誘電泳動を用いたDNA分解酵素の検出における反応時間の影響

旭航希, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023年度(第76回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学, 熊本県熊本市国名：日本国
Effects of decollation density on NO2 gas-response in CNT/SnO2 hybrid gas sensors fabricated by dielectrophoretic assembly

Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

2023年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Separation of normal and cancer cell-derived exosomes based on their dielectrophoretic properties 国際会議

Biosensors 2023 2023年6月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
多結晶ダイヤモンドフレークの作製と電界整列

清家清弥, 陳映晨, 大曲新矢, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第 70 回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学四谷キャンパス, 東京都千代田区国名：日本国
ヒト由来エクソソームの誘電泳動特性の評価

中林龍, 髙山理衣, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和 5 年電気学会全国大会 2023年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学東山キャンパス, 愛知県名古屋市国名：日本国
Nitrogen dioxide gas response rate at contact and channel in ambipolar carbon nanotube field-effect transistors,

Masafumi Inaba, Shota Nakahara, Haruka Omachi, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

2023年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of amount and metal/semiconducting ratio of CNT on ambipolar CNT-FET gas sensor response to NO2

Kaito Yagi, Shota Nakahara, Naoki Asano, Haruka Omachi, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

2023年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
誘電泳動を利用したヒト乳がん細胞由来エクソソームの分離

中林龍, 髙山理衣, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2023 年度（第 24 回）静電気学会春季講演会 2023年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区国名：日本国
Novel Biological Indicator using DNA-labeled Microparticles for Non-thermal Plasma Sterilization 国際会議

M. Nakano, T. Okumura, M. Inaba, P. Atrri, K. Koga, M. Shiratani, J. Suehiro

2022年12月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
多結晶ダイヤモンドフレークの作製と電界整列挙動

清家清弥, 陳映晨, 大曲新矢, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第36回ダイヤモンドシンポジウム 2022年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：慶應義塾大学矢上キャンパス, 神奈川県横浜市国名：日本国
誘電泳動集積を用いて作製した両極性CNT-FETガスセンサの電子伝導領域におけるNO2高速応答

中原正太, 八木凱斗, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第36回ダイヤモンドシンポジウム 2022年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：慶應義塾大学矢上キャンパス, 神奈川県横浜市国名：日本国
微粒子誘電泳動 DNA 検出法を用いたDNA 分解酵素の定量検出の検討

重本真, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2022年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アスティとくしま, 徳島県徳島市国名：日本国
Mechanism of NO2 detection of ambipolar carbon nanotube field-effect transistors fabricated by dielectrophoretic assembly

S. Nakahara, K. Yagi, H. Omachi, M. Inaba, M. Nakano, and J. Suehiro

2022年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
CNTの半導体・金属比率とCNT-FETのNO2ガス応答の関係

八木凱斗, 中原正太, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学川内北キャンパス, 宮城県仙台市国名：日本国
植物病原菌のmultiplex PCR検出における目視判定手法の検討

中野道彦, 稲葉優文, 末廣純也

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学川内北キャンパス, 宮城県仙台市国名：日本国
CNT-FET型ガスセンサ応答のゲート電圧スイープ方向依存性

中原正太, 八木凱斗, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学川内北キャンパス, 宮城県仙台市国名：日本国
CNT-FETのNO2応答にCNTの半導体・金属比率が与える影響

八木凱斗, 中原正太, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電泳動集積法を用いて作製したCNT-FETガスセンサの正孔や電子伝導とNO2応答速度の関係

中原正太, 八木凱斗, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
オンサイトGIS設備診断を目指した小型高周波沿面放電装置を用いたCF4間接検出法

浦郷幹太, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里　秀文, 宇都宮清司

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
シリコーンおよびアクリル樹脂によるダイヤモンドフィラーの電界整列挙動への影響の検討

陳　映晨, 清家清弥・稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
ダイヤモンドフィラーのアクリル溶媒とシリコーン溶媒における誘電泳動特性

清家清弥, 陳　映晨, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
微粒子誘電泳動を用いたDNA分解酵素の検出における結合DNA長の影響

重本　真, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
ヒト乳がん由来エクソソームの誘電泳動分離の検討

中林　龍, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2022年度(第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
GIS設備診断のための高周波沿面放電を利用したSF6中CF4のCOへの変換とガスセンサによる検出

浦郷幹太, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里　秀文, 宇都宮清司

令和4年電気学会電力・エネルギー部門大会 2022年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福井大学文京キャンパス, 福井県福井市国名：日本国
A proposal to measure diamond particle conductance using dielectrophoresis 国際会議

Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2022 2022年6月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of NO2 Gas Adsorption to CNT/Electrode Contacts on Gas Response of CNT-FETs 国際会議

Shota Nakahara, Takahiro Morita, Takuya Okamoto, Haruka Omachi, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2022 2022年6月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of Medium's Viscosity on Suppressing Sedimentation of Diamond Fillers in acrylic solvent during Electric Field Alignment 国際会議

Yingchen Chen, Mikoto Kamimura, Seiya Seike, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2022 2022年6月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
CNT/電極コンタクトへのNO2ガス吸着がCNT-FET型ガスセンサ応答に与える影響

中原正太, 森田貴大, 岡本拓也, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
等温DNA増幅法と微粒子誘電泳動を組み合わせた核酸増幅検査用試作デバイスの性能評価

黄怡, 吉田諒, 田中凌仁, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和4年電気学会全国大会 2022年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列ダイヤモンドフィラー伝熱シート作製におけるフィラー沈降の抑制方法の検討

陳映晨, 神村尊, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和4年電気学会全国大会 2022年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
微粒子誘電泳動DNA検出法を用いたDNA分解酵素検出の検討

重本真, 柴垣有希, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和4年電気学会全国大会 2022年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
高周波沿面放電プラズマによるSF6中CF4のCOとCO2への変換と検出

劉栩林, 浦郷幹太, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里秀文, 宇都宮清司

誘電・絶縁材料／放電・プラズマ・パルスパワー／高電圧　合同研究会 2022年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列ダイヤモンドフィラー伝熱シート作製におけるフィラー沈降の抑制と熱伝導率向上の検討

陳映晨, 神村尊, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

誘電・絶縁材料／放電・プラズマ・パルスパワー／高電圧　合同研究会 2022年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2022年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電泳動集積法により作製したカーボンナノチューブ／SnO2ハイブリッドガスセンサのNO2応答

稲葉優文，中野道彦，末廣純也

第35回ダイヤモンドシンポジウム 2021年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
等温DNA増幅法と微粒子誘電泳動による検出を組み合わせた小型デバイスの検討

吉田諒, 末廣純也, 中野道彦, 稲葉雅文, 重本真, 陳晧, 黄怡

第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2021年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列伝熱コンポジットシート作製におけるフィラー粒子沈降による熱伝導率への影響抑制の検討

神村尊, 陳映晨, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
微粒子誘電泳動を用いたDNA分解酵素の検出

重本真, 柴垣有希, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
エクソソームの誘電泳動特性関する基礎検討

陳皓, 山川翼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
DNA増幅と微粒子誘電泳動を用いたDNA検出を行うデバイスの検討：等温DNA増幅法の組み込み

吉田諒, 陳晧, 重本真, 黄怡, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
等温DNA増幅法と微粒子誘電泳動を組み合わせた新型コロナウイルス遺伝子の検出

黄怡, 吉田諒, 田中凌仁, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電泳動集積による両極性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの電子伝導領域におけるNO2応答

中原正太, 森田貴大, 岡本拓也, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ型NO2ガスセンサにおける電極-カーボンナノチューブコンタクトの影響

森田貴大, 中原正太, 岡本拓也, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
高周波沿面放電によるSF6中CF4のCOへの変換と検出

劉栩林, Nisarut Phansiri, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里秀文

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列ナノコンポジット伝熱シートにおけるアクリル母材の粘度の熱伝導率への影響

陳映晨, 神村尊, 清家清弥, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電泳動集積法を用いて作製した両極性CNTFETの電子伝導領域におけるNO2応答

中原正太, 森田貴大, 岡本拓也, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列伝熱シート作製におけるフィラー粒子沈降が熱伝導率へ与える影響抑制の検討

神村尊, 陳映晨, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2021年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Diamond particle alignment by AC electric field application for thermal conductivity enhancement of heat conduction sheets 国際会議

Masafumi Inaba, Shohei Hayashi, Henan Li, Mikoto Kamimura, Jun Hirotani, Michihiko Nakano, Junya Suehiro

2021 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2021年6月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
誘電泳動法を用いて作製した両極性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのNO2ガス応答

森田貴大, 中原正太, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列法によるダイヤモンドフィラー伝熱シートに関する熱伝導率向上の検討

神村尊, 李赫男, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和３年電気学会全国大会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電泳動集積法を用いたFET型両極性カーボンナノチューブガスセンサのNO2に対する応答

中原正太, 森田貴大, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和３年電気学会全国大会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
リポソームの誘電泳動特性に関する基礎検討

陳皓, 吉田諒, 山川翼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和３年電気学会全国大会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
粒子誘電泳動 DNA 検出法の自動化とその効果

吉田諒, 陳晧, 重本真, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和３年電気学会全国大会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
フィラーに微粒子ダイヤモンドを用いた高熱伝導・高絶縁・フレキシブルな伝熱シートの開発

稲葉優文

パワーアカデミー研究助成 2021年成果報告会 2021年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
GIS設備診断のための誘電体バリア放電によるCF4からCOへの変換

Nisarut Phansiri, 三輪航平, 稲葉優文, 中野道彦, 里秀文, 末廣純也

誘電体・絶縁材料／放電・プラズマ・パルスパワー／高電圧合同研究会 2021年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列法によるダイヤモンドフィラー伝熱シートに関する母材と熱伝導率向上の検討

神村尊, 李赫男, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

誘電体・絶縁材料／放電・プラズマ・パルスパワー／高電圧合同研究会 2021年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
ダイヤモンド微粒子を電界整列させた伝熱シートの熱伝導率評価

稲葉優文, 李赫男, 神村尊, 中野道彦, 末廣純也

第34回ダイヤモンドシンポジウム 2021年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
SnO2/カーボンナノチューブ同時集積NO2ガスセンサ特性の混合比依存性

小田剛士, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第37回センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム 2020年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
A New Scheme for Residual CF4 Detection in Gas-Insulated Switchgear Using Plasma-induced CF4 Decomposition into CO2 国際会議

Nisarut Phansiri, Daichi Maenosono, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro, Hidefumi Sato

2020 8th International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis (CMD) 2020年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
微粒子誘電泳動DNA検出法による新型コロナウイルス遺伝子の検出

中野道彦, 稲葉優文, 末廣純也

第37回センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム 2020年10月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
フロー式1step誘電泳動集積法を用いたSnO2/カーボンナノチューブガスセンサのNO2検出特性

小田剛士, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
CF4 conversion into CO2 by dielectric barrier discharge for indirect CF4 detection in gas-insulated switchgear

2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
DNA増幅と微粒子誘電泳動を用いたワンチップDNA検出デバイス

吉田諒, 陳晧, 末廣純也, 中野道彦, 稲葉優文

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
リポソームの誘電泳動特性の数値計算解析

陳皓, 吉田諒, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第73回電気, 情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
誘電体バリア放電によるSF6中CF4のCOへの変換と検出

劉栩林, Nisarut Phansiri, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也, 里秀文

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列法で作製したダイヤモンドフィラー複合伝熱シートの熱伝導特性シミュレーション

神村尊, 李赫男, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
アクリル樹脂シートに混合したダイヤモンド微粒子の電界整列と熱伝導特性への影響

李赫男, 神村尊, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
CNT-FETガスセンサを用いたNO2検出における電流ヒステリシス特性と感度向上への応用

森田貴大, 稲葉優文, 末廣純也, 中野道彦

第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2020年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
電界整列を⽤いたダイヤモンド微粒⼦複合伝熱シートの熱伝導特性の向上

李赫男, 林将平, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和２年電気学会全国大会 2020年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京電機大学北千住キャンパス国名：日本国
誘電泳動集積を用いて作製したCNT/SnO₂センサの集積時間によるNO₂検出特性の変化

小田剛士, 河野雅紀, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

令和２年電気学会全国大会 2020年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京電機大学北千住キャンパス国名：日本国
Detection of Residual CF4 in Gas-insulated Switchgear Using a SnO2 Gas Sensor with Application of Partial Discharge

Nisarut Phansiri, Daichi Maenosono, Masafumi Inaba, Junya Suehiro, Hidefumi Sato

2020年3月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
ダイヤモンド微粒子フィラーの電界整列が複合材料の熱伝導特性に及ぼす影響

李赫男, 林将平, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

誘電体・絶縁材料／放電・プラズマ・パルスパワー／高電圧合同研究会 2020年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：三菱電機健康保険組合湯布郷館, 大分県由布市湯布院町国名：日本国
Decomposition Products of CF4/SF6 Gas Mixture Generated by Partial Discharge Using a SnO2 Gas Sensor Fabricated by Dielectrophoresis

2020年1月

　詳細を見る

開催年月日： 2020年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
誘電泳動集積法により作製したCNT-FETガスセンサのNO2曝露ガス応答におけるオンオフ比向上の効果

尾崎圭祐, 行部晃生, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2019年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アクトシティ浜松（静岡県浜松市）国名：日本国
ダイヤモンド微粒子の誘電泳動による電気的特性調査

林将平, 李赫男, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第33回ダイヤモンドシンポジウム 2019年11月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学（東京都目黒区）国名：日本国
ダイヤモンド微粒子の誘電泳動による物性調査

林将平, 李赫男, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
Reproducibility of CF4 detection characteristics of SnO2 gas sensor fabricated by dielectrophoresis

2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
ガス圧力がSnO2ガスセンサのCF4応答に及ぼす影響

前之園大地, Nisarut Phansiri, 稲葉優文, 中野道彦, 里秀文, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
誘電泳動集積法により作製したCNT-FETガスセンサを用いたNO2検出における電流ヒステリシスの影響

行部晃生, 尾崎圭祐, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
誘電泳動集積法により作製したCNT-FETガスセンサのオン電流向上による高感度NO2検出

尾崎圭祐, 行部晃生, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
空気由来酸素がSnO2ナノ粒子修飾カーボンナノチューブガスセンサのNO2応答に及ぼす影響

河野雅紀, 小田剛士, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
NO2検出におけるSnO2ナノ粒子修飾カーボンナノチューブガスセンサのSnO2修飾量の影響

小田剛士, 河野雅紀, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
微粒子誘電泳動法を用いたチップ型DNA検出装置における等温遺伝子増幅

福島光彦, 寺野裕貴, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
DNAハイブリダイゼーションによる微粒子の誘電泳動特性の変化

徐鏡雯 , 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
アクリル溶媒中におけるダイヤモンド微粒子の高電界整列挙動観察

李赫男, 林将平, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也

第72回電気・情報関係学会九州支部連合大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州工業大学戸畑キャンパス, 福岡県北九州市国名：日本国
微粒子ダイヤモンドの誘電泳動特性

稲葉優文, 林将平, 李赫男, 中野道彦, 末廣純也

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス(北海道札幌市) 国名：日本国
SnO2ガスセンサのCF4応答にガス圧力が及ぼす影響

前之園大地, Phansiri Nisarut, 稲葉優文, 中野道彦, 里秀文, 末廣純也

令和元年電力エネルギー部門大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：広島県広島市、広島工業大学五日市キャンパス国名：日本国
ダイヤモンド微粒子の誘電泳動特性評価

#林将平, #李赫男, @稲葉優文, @中野道彦, @末廣純也

令和元年基礎・材料・共通部門大会 2019年9月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：岩⼿⼤学上⽥キャンパス (岩⼿県盛岡市) 国名：日本国
誘電泳動集積法によって作製した半導体型カーボンナノチューブチャネルFET型ガスセンサのNO2ガス応答

@稲葉優文, #行部晃生, #尾崎圭祐, @中野道彦, @末廣純也

令和元年度E部門総合研究会 2019年7月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市国名：日本国
1 step誘電泳動集積法を用いて作製したSnO₂ナノ粒子修飾CNTガスセンサのNO₂検出特性

#小田剛士, #河野雅紀, @稲葉優文, @中野道彦, @末廣純也

令和元年度E部門総合研究会 2019年7月

　詳細を見る

開催年月日： 2019年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市国名：日本国

▼全件表示

MISC

ライフサイエンス分野における誘電泳動の最新成果

中野道彦, 稲葉優文, 末廣純也

電気泳動第64巻 2020年2月

　詳細を見る

記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
真空ギャップゲート構造による2次元正孔ガス伝導層の評価

稲葉優文, 川原田洋, 大野雄高

2020年1月

　詳細を見る

記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
ダイヤまでのより道

稲葉優文

2018年4月

　詳細を見る

記述言語：日本語

産業財産権

特許権	出願件数: 3件	登録件数: 0件
実用新案権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
意匠権	出願件数: 0件	登録件数: 0件
商標権	出願件数: 0件	登録件数: 0件

所属学協会

応用物理学会
電気学会
ニューダイヤモンドフォーラム
フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
九州パワーアカデミー
フィラー研究会

▼全件表示

委員歴

第41回電子材料シンポジウム運営委員国内

2022年3月 - 2023年3月
ニューダイヤモンドフォーラム運営委員国内

2021年5月 - 2024年5月
ニューダイヤモンドフォーラム若手の会　委員国内

2021年5月 - 2024年5月
第40回電子材料シンポジウム運営委員国内

2021年3月 - 2023年3月
ダイヤモンド・DLC関連若手会幹事国内

2020年2月 - 2022年3月

学術貢献活動

学術論文等の審査

役割：査読

2023年

　詳細を見る

種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：3
Program Committee member 国際学術貢献

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2022 （ Kanazawa Bunka Hall, Kanazawa, Ishikawa Japan ） 2022年6月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等

参加者数：200
座長

第62回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（オンライン） 2022年3月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
幹事

第10回フラーレン・ナノチューブグラフェン若手研究会（オンライン） 2021年3月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
幹事

第1回ダイヤモンド・DLC関連若手研究会（オンライン） 2020年11月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
座長

電気・情報関係学会九州支部第73回連合大会（オンライン） 2020年9月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
プログラム編集委員

電気・情報関係学会九州支部第73回連合大会（オンライン） 2020年9月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2020年

　詳細を見る

種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：7
座長

電気・情報関係学会九州支部第72回連合大会（九州工業大学戸畑キャンパス） 2019年9月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等
プログラム編集委員

電気・情報関係学会九州支部第72回連合大会（九州工業大学戸畑キャンパス） 2019年9月

　詳細を見る

種別：大会・シンポジウム等

▼全件表示

共同研究・競争的資金等の研究課題

ファンデルワールス材料で拓く熱輸送の時空間制御技術の確立

研究課題/領域番号：JP23H01445 2023年 - 2026年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

　詳細を見る

担当区分：研究分担者資金種別：科研費
1枚で熱分布を作り出す熱配線シートの開発

2023年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
両極性カーボンナノチューブFETを用いた超高速・高感度NO2検出

2023年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
ダイヤモンドフレークの創成と放熱材料応用

2023年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
均質誘電泳動法の開発と半導体カーボンナノチューブガスセンサへの応用

研究課題/領域番号：JP22K04185 2022年 - 2024年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C)

　詳細を見る

担当区分：研究代表者資金種別：科研費
ダイヤモンドフィラーを用いたフレキシブル伝熱シートの内部構造と熱伝導特性向上

2022年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
広域誘電泳動集積技術の開発とスピンゼーベック発電素子への応用

2022年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
広域誘電泳動集積によるスピンゼーベック発電素子の開発

2022年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタによるダイナミックレンジNO2ガスセンサの開発と応答原理解明

2022年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
研究助成／光の不平等電界による低次元半導体微粒子の配向技術の確立

2021年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
絶縁・フレキシブル・高熱伝導なダイヤモンド複合伝熱シート

研究課題/領域番号：JP20K14777 2020年 - 2021年

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究

　詳細を見る

担当区分：研究代表者資金種別：科研費
AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor (HEMT) for SARS-CoV-2(COVID-19) Rapid Detection

2020年 - 2021年

　詳細を見る

担当区分：研究分担者資金種別：受託研究
研究助成／ダイヤモンド微粒子の誘電泳動技術の確立とフレキシブル伝熱シートへの応用

2020年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
研究助成／フレキシブル伝熱シートの高熱伝導率化と内部構造評価

2019年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
研究助成／フィラーに微粒子ダイヤモンドを用いた、高熱伝導・高絶縁・フレキシブルな伝熱シートの開発

2019年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
量子コンピューティングに向けたダイヤモンドオンチップ光回路に関する研究

研究課題/領域番号：18K13787 2018年 - 2019年

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究

　詳細を見る

担当区分：研究代表者資金種別：科研費
２次元正孔ガスを用いたダイヤモンドＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度向上

研究課題/領域番号：17J08746 2017年 - 2018年

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費

　詳細を見る

担当区分：研究代表者資金種別：科研費
2次元正孔ガスを用いたダイヤモンドMOSFETのチャネル移動度向上

2017年 - 2018年

日本学術振興会特別研究員

　詳細を見る

担当区分：研究代表者資金種別：共同研究
ダイヤモンド上に形成された垂直配向グラファイトとその電極応用

2016年

　詳細を見る

資金種別：寄附金
ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用

研究課題/領域番号：26220903 2014年 - 2018年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S)

　詳細を見る

担当区分：研究分担者資金種別：科研費
クローニングによるSiC上のジグザグ型カーボンナノチューブ・フォレストの長尺化

研究課題/領域番号：26630136 2014年 - 2015年

科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究

　詳細を見る

担当区分：研究分担者資金種別：科研費
ダイヤモンド表面近傍の電子スピン制御による単一核スピンの観測

研究課題/領域番号：26249043 2014年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A)

　詳細を見る

担当区分：研究分担者資金種別：科研費

▼全件表示

教育活動概要

学生実験の指導を担当する。

担当授業科目

電気情報工学基礎実験

2023年10月 - 2024年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ（AB）

2023年10月 - 2024年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ（EC・EE）

2023年10月 - 2024年3月後期
電気情報工学基礎実験

2022年10月 - 2023年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ（AB）

2022年10月 - 2023年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ

2021年10月 - 2022年3月後期
電気情報工学基礎実験

2021年10月 - 2022年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ

2020年10月 - 2021年3月後期
電気情報工学基礎実験

2020年10月 - 2021年3月後期
電気情報工学基礎実験

2019年10月 - 2020年3月後期
電気情報工学実験Ⅱ

2019年10月 - 2020年3月後期
日韓共同理工系学部留学生予備教育コース（物理）

2019年10月 - 2020年3月後期

▼全件表示

FD参加状況

2023年4月役割：参加名称：【シス情FD】若手教員による研究紹介⑧

主催組織：部局
2023年3月役割：参加名称：【シス情FD】独・蘭・台湾での産学連携を垣間見る-Industy 4.0・量子コンピューティング・先端半導体-

主催組織：部局
2022年11月役割：参加名称：【工学・シス情】教職員向け知的財産セミナー（ＦＤ）

主催組織：部局
2022年7月役割：参加名称：【シス情FD】若手教員による研究紹介⑤

主催組織：部局
2022年6月役割：参加名称：【シス情FD】電子ジャーナル等の今後について

主催組織：部局
2022年5月役割：参加名称：【シス情FD】若手教員による研究紹介④「量子コンピュータ・システム・アーキテクチャの研究～道具になることを目指して～」

主催組織：部局
2022年4月役割：参加名称：【シス情FD】第4期中期目標・中期計画等について

主催組織：部局
2022年1月役割：参加名称：【シス情FD】シス情関連の科学技術に対する国の政策動向（に関する私見）

主催組織：部局
2021年12月役割：参加名称：【シス情FD】企業出身教員から見た大学

主催組織：部局
2021年11月役割：参加名称：【シス情FD】若手教員による研究紹介　及び　研究費獲得のポイント等について③

主催組織：部局
2021年10月役割：参加名称：【シス情FD】熊本高専と九大システム情報との交流・連携に向けてー 3年半で感じた高専の実像ー

主催組織：部局
2021年9月役割：参加名称：博士後期課程の充足率向上に向けて

主催組織：部局
2021年7月役割：参加名称：若手教員による研究紹介　及び　科研取得のポイント、その他について　②

主催組織：部局
2021年6月役割：講演名称：若手教員による研究紹介　及び　科研取得のポイントについて　①

主催組織：部局
2021年5月役割：参加名称：先導的人材育成フェローシップ事業(情報・AI分野)について

主催組織：部局
2020年11月役割：参加名称：マス・フォア・イノベーション卓越大学院について

主催組織：部局
2020年10月役割：参加名称：2020年度ユニバーシティ・デザイン・ワークショップの報告

主催組織：部局
2020年9月役割：参加名称：電気情報工学科総合型選抜（AO入試）について

主催組織：部局
2019年10月役割：参加名称：電子ジャーナルの現状と今後の動向に関する説明会

主催組織：部局
2019年6月役割：参加名称：8大学情報系研究科長会議の報告

主催組織：部局
2019年4月役割：参加名称：平成３１年度第１回全学ＦＤ（新任教員の研修）

主催組織：全学

▼全件表示

他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

2019年早稲田大学／理工学術院区分:非常勤講師国内外の区分:国内

学期、曜日時限または期間：不定期
2018年早稲田大学／理工学術院区分:非常勤講師国内外の区分:国内

学期、曜日時限または期間：前期、木曜4,5限

その他教育活動及び特記事項

2019年学友会・同好会等の指導電気電子工学課程企業見学会

　詳細を見る

とりまとめ・引率

社会貢献活動

中学生の科学実験教室2023（静電気・雷を体感しよう！　～放電装置の作製と実験～）

システム情報科学研究院，KDDI 財団福岡県教育委員会，福岡市教育委員会，糸島市教育委員会伊都キャンパス 2023年8月

　詳細を見る

対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：講演会
中学生の科学実験教室2022（静電気・雷を体感しよう！　～放電装置の作製と実験～）

システム情報科学研究院，KDDI 財団福岡県教育委員会，福岡市教育委員会，糸島市教育委員会伊都キャンパス 2022年8月

　詳細を見る

対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：講演会
中学生の科学実験教室2021（静電気・雷を体感しよう！　～放電装置の作製と実験～）

システム情報科学研究院，KDDI 財団福岡県教育委員会，福岡市教育委員会，糸島市教育委員会オンライン 2021年8月

　詳細を見る

対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：講演会
中学生の科学実験教室2020（見て！触って！感じる。静電気を体験しよう）

システム情報科学研究院，KDDI 財団福岡県教育委員会，福岡市教育委員会，糸島市教育委員会オンライン 2020年8月

　詳細を見る

対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：講演会
中学生の科学実験教室2019（見て！触って！感じる。静電気を体験しよう）

システム情報科学研究院，KDDI 財団福岡県教育委員会，福岡市教育委員会，糸島市教育委員会伊都キャンパス 2019年8月

　詳細を見る

対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：講演会
オープンキャンパス

高校生 2019年8月

　詳細を見る

対象：幼稚園以下,　小学生,　中学生,　高校生

種別：その他

▼全件表示