研究者詳細 - 板垣奈穂

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イタガキ　ナホ

板垣奈穂

ITAGAKI NAHO

所属

システム情報科学研究院 I&Eビジョナリー特別部門教授
プラズマナノ界面工学センター（併任）
工学部電気情報工学科（併任）
システム情報科学府電気電子工学専攻（併任）
マス・フォア・イノベーション連係学府（併任）

ホームページ

http://plasma.ed.kyushu-u.ac.jp/inorganic/

外部リンク

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

学位

博士（理学）

経歴

産業技術総合研究所キヤノン株式会社

産業技術総合研究所キヤノン株式会社

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：次世代型・超高速エキシトニクストランジスタの創成

研究キーワード：エキシトニクス、トランジスタ

研究期間： 2011年1月
研究テーマ：レアメタルフリー環境低負荷型電子・光デバイスの創成

研究キーワード：レアメタル代替、電子デバイス、光デバイス、低環境負荷

研究期間： 2010年4月
研究テーマ：高品質酸化物半導体薄膜の新規生成法の開発

研究キーワード：酸化物半導体

研究期間： 2010年4月

受賞

Best Poster Award, 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit

2022年5月 Material Research Society Epitaxial Growth of Atomically Flat Single-crystalline (ZnO)/_x /(InN)_1-/x/ Films on O-polar ZnO Substrates by Magnetron Sputtering
Best Poster Award, 2022 MRS Spring Meeting & Exhibit

2022年5月 Material Research Society

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Epitaxial Growth of Atomically Flat Single-crystalline (ZnO)/_x /(InN)_1-/x/ Films on O-polar ZnO Substrates by Magnetron Sputtering

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プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第 25 回（令和3年度）支部大会講演奨励賞

2021年12月プラズマ・核融合学会逆Stranski-Krastanovモードを利用した単結晶ZnMgO薄膜のスパッタリング成膜
第45回（2018年秋季）応用物理学会講演奨励賞

2018年9月応用物理学会スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)x(InN)1-x膜の作製
第14回プラズマエレクトロニクス賞

2016年3月応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 "Synthesis and characterization of ZnInON semiconductor: a ZnO-based compound with tunable band gap" N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani
さきがけ「太陽光と光電変換機能」研究領域　総括賞

2015年1月独立行政法人科学技術振興機構「太陽光と光電変換機能」研究領域さきがけ「太陽光と光電変換機能」領域の研究推進
プラズマ材料科学賞（奨励部門）

2013年8月学振 153委員会スパッタリングにおけるZnO膜の結晶成長制御とグリーンデバイスへの展開
Outstanding Poster Award

2013年8月 the 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering 2013
International Symposium on Sputtering and Plasma Processes 2013; Poster Award

2013年7月 International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
11th APCPST "Advanced Plasma Application Award"

2012年10月 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science adn Technology (APCPST) & 25th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM)
Award for Encouragement of Research in Materials Science

2012年9月 IUMRS-ICEM2012
IUMRS-ICEM2012 "Young Scientist Awards: Silver Award Winners"

2012年9月
Best Poster Presentation Award

2012年3月 th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
ISPlasma2012 "Best Presentation Award"

2012年3月 ISPlasma2012

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論文

Sputtering deposition of dense and low-resistive amorphous In2O3: Sn films under ZONE-T conditions of Thornton's structural diagram 査読国際共著

Wada, Y; Magdy, W; Takeda, K; Mido, Y; Yamashita, N; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Hori, M; Shiratani, M; Itagaki, N

APPLIED PHYSICS LETTERS 124 ( 24 ) 242101 2024年6月（ ISSN:0003-6951 eISSN:1077-3118 ）

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担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Applied Physics Letters

We have fabricated smooth-surfaced amorphous In2O3:Sn (a-ITO) films at a high temperature of 550 °C, far above the typical crystallization threshold of 150 °C for ITO films. This achievement has been made possible by intentionally introducing N2 into the sputtering atmosphere, which maintains a low N atom incorporation of only a few atomic percent within the films. Positioned within ZONE-T of the Thornton diagram (higher-temperature region characterized by high film density), our method allows the preparation of films with superior film density about 6.96 g/cm3, substantially exceeding the density of 6.58 g/cm3 for conventional a-ITO films fabricated under ZONE-1 (low-temperature region) and approaching the bulk crystal density of In2O3 at 7.12 g/cm3. The films also feature a high carrier density of 5 × 1020 cm−3 and a remarkably low resistivity of 3.5 × 10−4 Ω cm, comparable to those of polycrystalline films. The analysis via vacuum-ultraviolet absorption spectroscopy on N and O atom densities in the plasma suggests that amorphization is primarily caused not by N atoms incorporated in the films but by those temporally adsorbed on the film surface, inhibiting crystal nucleation before eventually desorbing. Our findings will pave the way not only for broader applications of a-ITO films but also for the design of other amorphous materials at temperatures beyond their crystallization points.

DOI： 10.1063/5.0211090

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Sputter deposition of ZnO-AlN pseudo-binary amorphous alloys with tunable band gaps in the deep ultraviolet region 査読国際共著

Urakawa, S; Magdy, W; Wada, Y; Narishige, R; Kaneshima, K; Yamashita, N; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

MATERIALS RESEARCH EXPRESS 11 ( 6 ) 065901 2024年6月（ eISSN:2053-1591 ）

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担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Research Express

ZnO-AlN pseudo-binary amorphous alloys (a-ZAON hereinafter) with tunable band gaps in the deep ultraviolet (DUV) region have been synthesized using magnetron sputtering. The miscibility gap between ZnO and AlN has been overcome using room-temperature sputtering deposition, leveraging the rapid quenching abilities of sputtered particles to fabricate metastable but single-phase alloys. X-ray diffraction patterns and optical transmittance spectra revealed that the synthesized films with chemical composition ratios of [Zn]/([Zn] + [Al]) = 0.24-0.79 likely manifested as single-phase of a-ZAON films. Despite their amorphous structures, these films presented direct band gaps of 3.4-5.8 eV and thus high optical absorption coefficients (105 cm−1). Notably, the observed values adhered to Vegard’s law for crystalline ZnO-AlN systems, implying that the a-ZAON films were solid solution alloys with atomic-level mixing. Furthermore, atomic force microscopy analyses revealed smooth film surfaces with root-mean-square roughness of 0.8-0.9 nm. Overall, the wide-ranging band gap tunability, high absorption coefficients, amorphous structures, surface smoothness, and low synthesis temperatures of a-ZAON films position them as promising materials for use in DUV optoelectronic devices and power devices fabricated using large-scale glass and flexible substrates.

DOI： 10.1088/2053-1591/ad4f57

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Growth of Single-Crystalline ZnO Films on 18%-Lattice-Mismatched Sapphire Substrates Using Buffer Layers with Three-Dimensional Islands 査読国際誌

Nakamura, Y; Yamashita, N; Kamataki, K; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 22 ( 6 ) 3770 - 3777 2022年5月（ ISSN:1528-7483 eISSN:1528-7505 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Crystal Growth and Design

Heteroepitaxial growth of single-crystalline zinc oxide (ZnO) films on a c-plane sapphire substrate is an important technology for electronics and optoelectronic devices. Recently, the inverted Stranski-Krastanov (SK) mode has been demonstrated, and it has realized the heteroepitaxial growth of ZnO films on a sapphire substrate by sputtering. In this mode, a 10 nm-thick buffer layer consisting of three-dimensional islands (3D buffer layers) initially forms and relaxes the strain, and then, a two-dimensional ZnO film (2D layer) grows involving small strain. To clarify the correlation between the structural properties of the 3D buffer layers and the 2D layer, we introduce a figure of merit (FOM) of ZnO films: the reciprocal of the product of the full width at half-maximum (FWHM) of the (002) and (101) planes of X-ray rocking curves (XRCs) and root-mean-square (RMS) roughness. We find that the FOM of the 2D layers correlates with the RMS roughness, the in-plane orientation, and the lateral correlation length ζ of the surfaces of the buffer layers. We observe a surprisingly high correlation coefficient of 0.97. Our results imply that on the buffer layers with larger ζ, adatoms more easily reach the thermodynamically favored lattice positions. Thus, high-quality single-crystalline ZnO films, where the (002) plane XRC-FWHM and the RMS roughness are 0.05° and 1.5 nm, respectively, are grown on the buffer layers with a large ζ of 13.7 nm. This finding provides a useful tool for understanding the mechanism of the inverted SK mode.

DOI： 10.1021/acs.cgd.2c00145

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The Effects of Spin-Coating Rate on Surface Roughness, Thickness, and Electrochemical Properties of a Pt Polymer Counter Electrode 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Advanced Engineering Forum 45 2022年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/p-6l16rl

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Performance comparison of nitrile-based liquid electrolytes on bifacial dye-sensitized solar cells under low-concentrated light 査読国際誌

Putri, TE; Chawarambwa, FL; Attri, P; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

MRS ADVANCES 7 ( 21 ) 427 - 432 2022年4月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

Abstract: Dye-sensitized solar cell (DSSC) has low power output and efficiency. Even though the low-concentrated light can increase the POUT and power conversion efficiency (PCE) of DSSC, the effect of increase in the cell temperature, particularly electrolyte evaporation, becomes a major concern. In this study, we compared and investigated the performance of acetonitrile (AN-50), propionitrile (PN-50), and 3-metoxy propionitrile (Z-100) as nitrile-based electrolyte under low-concentrated light. The results showed 4–8 times increase in JSC and POUT in all electrolytes. AN-50 demonstrated an improved performance under influence of 2 cm distance concave mirror concentrated light with the highest JSC = 74.21 mA/cm2, POUT = 24.53 mW/cm2, and η = 7.99%. However, the performance of cell with AN-50 and PN-50 started to degrade within 3 h of measurement. In contrast, Z-100 displayed performance stability during 4 days measurement even with the lowest JSC= 49.98 mA/cm2, POUT = 19.50 mW/cm2, and η = 6.35%. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

DOI： 10.1557/s43580-022-00270-x

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Epitaxial growth of Zn1-xMgxO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode using magnetron sputtering 査読国際誌

Takahashi, D; Yamashita, N; Yamashita, D; Okumura, T; Kamataki, K; Koga, K; Shiratani, M; Itagaki, N

MRS ADVANCES 7 ( 20 ) 415 - 419 2022年2月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

We have succeeded in epitaxial growth of high-quality Zn1−xMgxO films of x = 0.04–0.33 on 18%-lattice mismatched sapphire substrates using magnetron sputtering. The films have grown in inverted Stranski-Krastanov (inverted SK) mode, where a buffer layer consisting of three-dimensional islands initially forms and a relaxed two-dimensional layer subsequently grows on the buffer layer. The resultant films have flat surfaces with root-mean-square roughness of 0.43–0.75 nm and are of high-crystal qualities even for large Mg contents; the full widths at half maximum of (0002) x-ray rocking curves are 0.05° (x = 0.33) and 0.07° (x = 0.14). Furthermore, we observed that the optical absorption edge shifts continuously toward the shorter wavelength with increasing x, and the band gap has been tuned from 3.5 to 4.3 eV. These results show that the inverted SK mode is useful for fabricating high-quality Zn1−xMgxO films with wide-range tunability of band gaps. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

DOI： 10.1557/s43580-022-00234-1

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-022-00234-1/fulltext.html
Nanostructured Ge and GeSn films by high-pressure He plasma sputtering for high-capacity Li ion battery anodes 査読国際誌

Uchida, G; Nagai, K; Habu, Y; Hayashi, J; Ikebe, Y; Hiramatsu, M; Narishige, R; Itagaki, N; Shiratani, M; Setsuhara, Y

SCIENTIFIC REPORTS 12 ( 1 ) 1742 2022年2月（ ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Scientific Reports

We fabricated nanostructured Ge and GeSn films using He radio-frequency magnetron plasma sputtering deposition. Monodisperse amorphous Ge and GeSn nanoparticles of 30–40 nm size were arranged without aggregation by off-axis sputtering deposition in the high He-gas-pressure range of 0.1 Torr. The Ge film porosity was over 30%. We tested the charge/discharge cycle performance of Li-ion batteries with nanostructured Ge and GeSn anodes. The Ge anode with a dispersed arrangement of nanoparticles showed a Li-storage capacity of 565 mAh/g after the 60th cycle. The capacity retention was markedly improved by the addition of 3 at% Sn in Ge anode. The GeSn anode (3 at% Sn) achieved a higher capacity of 1128 mAh/g after 60 cycles with 92% capacity retention. Precise control of the nano-morphology and electrical characteristics by a single step procedure using low temperature plasma is effective for stable cycling of high-capacity Ge anodes.

DOI： 10.1038/s41598-022-05579-z

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その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-022-05579-z
Performances of Carbon Black-Titanium nitrate and Carbon Black-Titanium/Triton X-100 Composite Polymer Counter Electrodes for Dye-Sensitized Solar Cells 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, A. Pankaj, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Adv. Mater. Res. 1168 2022年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/AMR.1168.35

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Improved luminescence performance of Yb3+-Er3+-Zn2+: Y2O3 phosphor and its application to solar cells 査読国際誌

Chawarambwa, FL; Putri, TE; Hwang, SH; Attri, P; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Nakamura, D; Shiratani, M

OPTICAL MATERIALS 123 2022年1月（ ISSN:0925-3467 eISSN:1873-1252 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Optical Materials

Upconversion materials (UC) can convert low-energy photons into visible light and, therefore, can be incorporated in solar cells to increase the absorption of visible light. This study synthesized UC nanophosphors Yb3+, Er3+: Y2O3 and Yb3+, Er3+, Zn2+: Y2O3 by a simple co-precipitation method for application in dye-sensitized solar cells (DSSCs). The impact of the enhancement in the concentration of Zn2+ on the photoluminescence (PL) and color point of the synthesized nanophosphors was also investigated. The synthesized nanophosphors emitted intense red and weaker green emissions upon excitation at 980 nm. The incorporation of Zn2+ to the Yb3+, Er3+: Y2O3 nanophosphors leads to color tunability in the red and yellow regions. Furthermore, the synthesized nanophosphors were incorporated into the DSSC photoanode to form a TiO2-UC-based DSSC for converting near-infrared (NIR) into visible light. We observed that the TiO2-UC-based DSSC showed an enhancement ratio in current density and power conversion efficiency of 17.4% and 16.6%, respectively, compared to the bare TiO2-based DSSC. These results reveal that UC-based Yb3+, Er3+, Zn2+: Y2O3 nanophosphors are useful in improving the efficiency of DSSCs and in color tunability applications.

DOI： 10.1016/j.optmat.2021.111928

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Plasma Treatment Effect on the Paramagnetic Species of Barley Seed Radical’s Intensity: An EPR study 査読国際誌

2021年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1615/PlasmaMed.2020036353
Plasma Treatment Effect on the Paramagnetic Species of Barley Seed Radical’s Intensity: An EPR study 査読国際誌

10 ( 3 ) 2021年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1615/PlasmaMed.2020036353
Morphological control of nanostructured Ge films in high Ar-gas-pressure plasma sputtering process for Li ion batteries 査読国際誌

Hayashi, J; Nagai, K; Habu, Y; Ikebe, Y; Hiramatsu, M; Narishige, R; Itagaki, N; Shiratani, M; Setsuhara, Y; Uchida, G

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61 ( SA ) 2021年12月（ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

We present a study on morphological control of nanostructured Ge films by the Ar gas pressure in plasma sputtering deposition. In the low Ar-gas-pressure range, aggregated islands of amorphous grains are formed on the film surface, while in the high-pressure range of 500 mTorr monodisperse nano-grains of about 30 nm in size are orderly arranged without aggregation. The film porosity shows a high value of over 10%. We tested the charge/discharge cycle performance of Li-ion batteries with nanostructured Ge films as anodes. The battery cell with an ordered arrangement structure maintained a high capacity of 434 mAh g-1 after 40 charge/discharge cycles, while that with an aggregated structure exhibited a rapid degradation of capacity to 5.08-183 mAh g-1. An ordered arrangement of Ge nano-grains with a high porosity, which is realized in a simple one-step procedure using high Ar-gas-pressure plasma sputtering, is effective for the stable cycling of high-capacity metal anodes.

DOI： 10.35848/1347-4065/ac2b7b

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Performance Characteristics of Bifacial Dye-Sensitized Solar Cells with a V-Shaped Low-Concentrating Light System 査読国際誌

T. E. Putri, F. L Chawarambwa, M. K. Son, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ACS Appl. Energy Mater. 4 ( 12 ) 2021年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaem.1c02774
Transport of Nanoparticles in Afterglow Region Using Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 査読国際誌

K. Koga, S. H. Hwang, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 66 ( 7 ) 2021年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of concentrated light on the performance and stability of a quasi-solid electrolyte in dye-sensitized solar cells 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Chem. Phys. Lett. 781 2021年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cplett.2021.138986
Passivating antireflection coating of crystalline silicon using i/n a-Si:H/SiN trilayer 査読国際誌

J Phys Chem Solids 156 2021年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jpcs.2021.110127
Comparison between Ar+CH4 Cathode and Anode Coupled Capacitively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon Films 査読国際誌

S. H. Hwang, R. Iwamoto, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

Thin Solid Films 729 2021年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2021.138701
Sputtering Growth of Metal Oxynitride Semiconductors for Excitonic Devices 査読国際誌

R. Narishige, N. Itagaki, M. Shiratani

5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2021年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/EDTM50988.2021.9420921
Highly efficient and transparent counter electrode for application in bifacial solar cells 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Chem. Phys. Lett. 768 2021年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cplett.2021.138369
Synthesis of Yb3+/Ho3+ co-doped Y2O3 nanoparticles and its application to dye sensitized solar cells 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, K. Kamataki, M. Shiratani, K. Koga, N. Itagaki, D. Nakamura

J. Mol. Struct. 1228 2021年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.molstruc.2020.129479
Effects of Activated Carbon Counter Electrode On Bifacial Dye Sensitized Solar Cells (DSSCs) 査読国際誌

T. E. Putri, Y. Hao, F. L. Chawarambwa, H. Seo, Min-Kyu Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Mater. Sci. Forum 1016 2021年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1016.863
Time of Flight Size Control of Carbon Nanoparticles Using Ar+CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Method 査読国際誌

S. H. Hwang, K. Koga, Y. Hao, P. Attri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, J-S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

Processes 9 ( 1 ) 2020年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/pr9010002
Graphene-Si3N4 nanocomposite blended polymer counter electrode for low-cost dye-sensitized solar cells 査読国際誌

F. L. Chawarambwa, T. E. Putri, M. K. Son, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Chem. Phys. Lett. 758 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cplett.2020.137920
Size and flux of carbon nanoparticles synthesized by Ar+CH4 multi-hollow plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Diam Relat Mater 109 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.diamond.2020.108050
Impact of surface morphologies of substrates on the epitaxial growth of magnetron sputtered (ZnO)x(InN)1-x films 査読国際誌

R. Narishige, K. Kaneshima, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Jpn. J. Appl. Phys. 60 ( SA ) 2020年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abba0c
Low stress diamond-like carbon films containing carbon nanoparticles fabricated by combining rf sputtering and plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, T. Nakatani, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 59 ( 10 ) 2020年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Growth of single crystalline films on lattice-mismatched substrates through 3D to 2D mode transition 査読国際誌

N. Itagaki, Y. Nakamura, R. Narishige, K. Takeda, K. Kamataki, K. Koga, M. Hori, M. Shiratani

Sci. Rep. 10 2020年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-020-61596-w
Impact of radish sprouts seeds coat color on the electron paramagnetic resonance signals after plasma treatment 査読国際誌

K. Koga, P. Attri, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, V. Mildaziene

Jpn. J. Appl. Phys. 59 ( SH ) 2020年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab7698
Improved Nanoscale Al-doped ZnO with a ZnO Buffer Layer Fabricated by Nitrogen-mediated Crystallization for Flexible Optoelectronic Devices 査読国際誌

I. Suhariadi, N. Itagaki, M. Shiratani

ACS Appl. Nano Mater. 3 2020年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsanm.9b02571
Spatial-Structure of Fluctuation of Amount of Nanoparticles in Amplitude-Modulated VHF Discharge Reactive Plasma 査読国際誌

R. Zhou, K. Kamataki, H. Ohtomo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Fusion Res. 14 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1585/pfr.14.4406120
Effects of Gas Pressure on the Size Distribution and Structure of Carbon Nanoparticles Using Ar + CH4 Multi-Hollow Discharged Plasma Chemical Vapor Deposition 査読国際誌

S. H. Hwang, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Fusion Res. 14 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1585/pfr.14.4406115
Effect of Higher-Order Silane Deposition on Spatial Profile of Si-H2/Si-H Bond Density Ratio of a-Si:H Films 査読国際誌

L. Shi, K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Fusion Res. 14 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1585/pfr.14.4406144
Identification and Suppression of Si-H2 Bond Formation at P/I Interface in a-Si:H Films Deposited by SiH4 Plasma CVD 査読国際誌

K. Tanaka, H. Hara, S. Nagaishi, L. Shi, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Fusion Res. 14 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1585/pfr.14.4406141
Sputter Epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films on Lattice-mismatched Sapphire Substrate 査読国際誌

N. Miyahara, S. Urakawa, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

MRS Adv. 4 ( 27 ) 1551 - 1556 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/adv.2019.17
Effects of nitrogen impurity on zno crystal growth on Si substrates 査読国際誌

S. Muraoka, L. Jiahao, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

MRS Adv. 4 ( 27 ) 1557 - 1563 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/adv.2019.28
Cross-correlation analysis of fluctuations of interactions between nanoparticles and low pressure reactive plasmas 査読国際誌

R. Zhou, K. Mori, H. Ohtomo, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Mater. Sci. Forum 941 2104 - 2108 2018年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2104
Effects of sputtering pressure on (ZnO)x(InN)1-x crystal film growth at 450ºC 査読国際誌

941 2093 - 2098 2018年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2093
Photoluminescence of (ZnO)0.82 (InN)0.18 films: Incident light angle dependence 査読国際誌

N. Miyahara, K. Iwasaki, D. Yamashita, D. Nakamura, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Mater. Sci. Forum 941 2099 - 2103 2018年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.941.2099
The effect of the H2/(H2+Ar) flow-rate ratio on hydrogenated amorphous carbon films grown using Ar/H2/C7H8 plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

T. Fang, K. Yamaki, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka,Y. Setsuhara

Thin Solid Films 660 891 - 898 2018年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2018.02.035
Effects of gas velocity on deposition rate and amount of cluster incorporation into a-Si:H films fabricated by SiH4 plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

T. Kojima, S. Toko, K. Tanaka, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Fusion Res. 13 1406082 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1585/pfr.13.1406082
Progress in photovoltaic performance of organic/inorganic hybrid solar cell based on optimal resistive Si and solvent modified poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) junction 査読国際誌

H. Seo, D. Sakamoto, H. Chou, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Progress in Photovoltaics: Research and Applications 26 ( 2 ) 2018年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pip.2961
色素増感太陽電池のポリマー対向電極における触媒反応の活性化招待

徐鉉雄, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

信学技報 (IEICE Technical Report) 117 ( 334 ) 2017年12月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Low temperature rapid formation of Au-induced crystalline Ge films using sputtering deposition 査読国際誌

S. Tanami, D. Ichida, S. Hashimoto, H. Seo, D. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 641 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2017.02.067
Hysteresis in volume fraction of clusters incorporated into a-Si:H films deposited by SiH4 plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

S. Toko, K. Keya, Y. Torigoe, T. Kojima, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Surf. Coat. Technol. 326 ( Part B ) 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2017.01.034
Performance enhancement of quantum dot-sensitized solar cells based on polymer nano-composite catalyst 査読国際誌

H. Seo, C. V.V.M. Gopi, H.-J. Kim, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Electrochimica Acta 249 2017年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2017.08.030
Synthesis of Nanoparticles using Low Temperature Plasmas and Its Application to Solar Cells and Tracers in Living Body 査読国際誌

K. Koga, H. Seo, A. Tanaka, N. Itagaki, M. Shiratani

ECS Transactions 77 ( 3 ) 2017年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/07703.0017ecst
低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用

古閑一憲, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 白谷正治

信学技報 (IEICE Technical Report) 117 ( 8 ) 2017年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Densities and surface reaction probabilities of oxygen and nitrogen atoms during sputter deposition of ZnInON on ZnO 査読国際誌

K. Matsushima, T. Ide, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

IEEE Trans. Plasma Science 45 ( 2 ) 2017年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TPS.2016.2632124
Effects of sputtering gas pressure dependence of surface morphology of ZnO films fabricated via nitrogen mediated crystallization 査読国際誌

K. Iwasaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

MRS Adv. 2 ( 5 ) 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/adv.2016.617
Blue Photoluminescence of (ZnO)0.92(InN)0.08 査読国際誌

K. Matsushima, K. Iwasaki, N. Miyahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

MRS Adv. 2 ( 5 ) 2016年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/adv.2016.625
Fluctuation of Position and Energy of a Fine Particle in Plasma Nanofabrication 査読国際誌

M. Shiratani, M. Soejima, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

Materials Science Forum 879 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.879.1772
Optical Bandgap Energy of Si Nanoparticle Composite Films Deposited by a Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Method 査読国際誌

S. Toko, Y. Kanemitsu, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

J. Nanosci. Nanotechnol. 16 ( 10 ) 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1166/jnn.2016.13233
Surface Modification of Polymer Counter Electrode for Low Cost Dye-sensitized Solar Cells 査読国際誌

H. Seo, M. K. Son, S. Hashimoto, T. Takasaki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Electrochimica Acta 210 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2016.06.020
Effect of Sulfur Doped TiO2 on Photovoltaic Properties of Dye-Sensitized Solar Cells 査読国際誌

H. Seo, S. H. Nam, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, and J.-H. Boo

Electron. Mater. Lett. 12 ( 4 ) 2016年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s13391-016-4018-8
Correlation between SiH2/SiH and light-induced degradation of p–i–n hydrogenated amorphous silicon solar cells 査読国際誌

55 ( 7S2 ) 2016年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.07LE03
Improvement of Charge Transportation in Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells Using Vanadium Doped TiO2 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, S. H. Nam and J. H. Boo

J. Nanosci. Nanotechnol. 16 ( 5 ) 2016年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1166/jnn.2016.12210
Optoelectronic properties of valence-statecontrolled amorphous niobium oxide 査読国際誌

J. Phys.: Condens. Matter 28 ( 25 ) 2016年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0953-8984/28/25/255001
Quantum Characterization of Si Nano-Particles Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition 査読国際誌

H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

Sci. Adv. Mater. 8 ( 3 ) 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1166/sam.2016.2520
Polymer Counter Electrode of Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrenesulfonate) Containing TiO2 Nano-particles for Dye-sensitized Solar Cells 査読国際誌

H. Seo, M.-K. Son, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Journal of Power Sources 307 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jpowsour.2015.12.112
Effects of deposition rate and ion bombardment on properties of a-C:H films deposited by H-assisted plasma CVD method 査読国際誌

X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

Jpn. J. Appl. Phys. 55 ( 1S ) 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.01AA11
Effects of Gas Flow Rate on Deposition Rate and Amount of Si Clusters Incorporated into a-Si:H Films 査読国際誌

S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 55 ( 1S ) 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.01AA19
Room Temperature Fabrication of (ZnO)x(InN)1-x films with Step-Terrace Structure by RF Magnetron Sputtering 査読国際誌

K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

MRS Advances 1 ( 2 ) 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/adv.2015.59
Simple method of improving harvest by nonthermal air plasma irradiation of seeds of Arabidopsis thaliana (L.) 査読国際誌

K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, N. Hayashi, M. Shiratani

Appl. Phys. Express 9 ( 1 ) 2015年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.9.016201
水素プラズマとカーボン壁の相互作用で発生したダストに対するダスト除去フィルタのダスト除去性能評価

白谷正治, 古閑一憲, 立石瑞樹, 片山龍, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 板垣奈穂, 芦川直子, 時谷政行, 増崎貴, 西村清彦, 相良明男, LHD実験グループ

九州大学超顕微解析研究センター報告 39 2015年12月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Synthesis of indium-containing nanoparticles using plasmas in water to study their effects on living body 査読国際誌

T. Amano, K. Koga, T. Sarinont, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, S. Kitazaki, M. Hirata, Y. Nakatsu, A. Tanaka

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Simple Evaluation Method of Atmospheric Plasma Irradiation Dose using pH of Water 査読国際誌

K. Koga, T. Sarinont, T. Amano, H. Seo, N. Itagaki, Y. Nakatsu, A. Tanaka, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Structural alternation of tandem dye-sensitized solar cells based on mesh-type of counter electrode 査読国際誌

H. Seo, S. Hashimoto, D. Ichida, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

Electrochimica Acta 179 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2015.04.105
Substrate temperature dependence of Au-induced crystalline Ge film formation using sputtering deposition 査読国際誌

S. Tanami, D. Ichida, D. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Raman spectroscopy of PIN hydrogenated amorphous silicon solar cells 査読国際誌

K. Keya, Y. Torigoe, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Attraction during binary collision of fine particles in Ar plasma 査読国際誌

M. Soejima, T. Ito, D. Yamashita, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas 査読国際誌

S. Toko, Y. Torigoe, K. Keya, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Cross correlation analysis of plasma perturbation in amplitude modulated reactive dusty plasmas 査読国際誌

T. Ito, M. Soejima, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Kobayashi, S. Inagaki

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Deposition rate and etching rate due to neutral radicals and dust particles measured using QCMs together with a dust eliminating filter 査読国際誌

R. Katayama, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, M. Tokitani, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD Experimental Group

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of Ambient Humidity on Plant Growth Enhancement by Atmospheric Air Plasma Irradiation to Plant Seeds 査読国際誌

T. Sarinont, T. Amano, K. Koga, S. Kitazaki, N. Hayashi, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of electrode structure on characteristics of multi-hollow discharges 査読国際誌

Y. Torigoe, K. Keya, S. Toko, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of N2 dilution on fabrication of Ge nanoparticles by rf sputtering 査読国際誌

S. Hashimoto, S. Tanami, H. Seo, G. Uchida, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Laser trapped single fine particle as a probe of plasma parameters 査読国際誌

D. Yamashita, M. Soejima, T. Ito, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Measurement of absolute density of N atom in sputtering plasma for epitaxial growth ZnO films via nitrogen mediated crystallization 査読国際誌

T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Measurements of absolute densities of nitrogen and oxygen atoms in sputtering plasma for fabrication of ZnInON films 査読国際誌

K. Matsushima, T. Ide, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Measurements of nitrogen atom density in N2/Ar sputtering plasma for fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films 査読国際誌

T. Takasaki, T. Ide, K. Matsushima, K. Takeda, M. Hori, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M, Shiratani, N. Itagaki

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Raman Spectroscopy of a-C:H Films Deposited Using Ar + H2+ C7H8 Plasma CVD 査読国際誌

X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP 60 ( 9 ) 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Real-time mass measurement of dust particles deposited on vessel wall in a divertor simulator using quartz crystal microbalances 査読国際誌

M. Tateishi, K. Koga, R. Katayama, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experiment Group

J. Nucl. Mater. 463 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jnucmat.2014.10.049
Fabrication of ZnInON/ZnO multi-quantum well solar cells 査読国際誌

K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Thin Solid Films 587 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.01.012
Effects of cluster incorporation into hydrogenated amorphous silicon films in initial discharge phase on film stability 査読国際誌

S. Toko, Y. Torigoe, W. Chen, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 587 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.02.052
Effects of discharge voltage on the characteristics of a-C:H films prepared by H-assisted Plasma CVD method 査読国際誌

X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

40 ( 2 ) 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.14723/tmrsj.40.123
Fabrication of p-i-n solar cells utilizing ZnInON by RF magnetron sputtering 査読国際誌

K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1741 2015年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2015.248
ZnO-based semiconductors with tunable band gap for solar sell applications 招待査読国際誌

N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Proc. SPIE photonics west 2015 9364 2015年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.2078114
Effects of morphology of buffer layers on ZnO/sapphire heteroepitaxial growth by RF magnetron sputtering 査読国際誌

T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1741 2015年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2015.87
Photovoltaic application of Si nanoparticles fabricated by multihollow plasma discharge CVD: Dye and Si co-sensitized solar cells 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 54 ( 1S ) 2015年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.01AD02
Synthesis and characterization of ZnInON semiconductor: a ZnO-based compound with tunable band gap 査読国際誌

N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashia, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Mater. Res. Express 1 ( 3 ) 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/2053-1591/1/3/036405
Growth mechanism of ZnO deposited by nitrogen mediated crystallization 査読国際誌

I. Suhariadi, M. Shiratani, N. Itagaki

Mater. Res. Express 1 ( 3 ) 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/2053-1591/1/3/036403
Performance enhancement of dye and Si quantum dot hybrid nanostructured solar cell with TiO2 barrier 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

39 ( 3 ) 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.14723/tmrsj.39.321
Off-axis sputter deposition of ZnO films on c-sapphire substrates by utilizing nitrogen-mediated crystallization method 査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Opt. Engineering 53 ( 8 ) 2014年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1117/1.OE.53.8.087109
SiC Nanoparticle Composite Anode for Li-Ion Batteries 査読国際誌

M. Shiratani, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, H. Seo, N. Itagaki, T. Ishihara

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1678 2014年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2014.742
Plasma etching of single fine particle trapped in Ar plasma by optical tweezers 査読国際誌

T. Ito, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida and M. Shiratani

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012014
Contribution of H2 plasma etching to radial profile of amount of dust particles in a divertor simulator 査読国際誌

M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura and A. Sagara, the LHD Experimental Group

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012009
Contribution of ionic precursors to deposition rate of a-Si:H films fabricated by plasma CVD 査読国際誌

S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012008
Deposition of crystalline Ge nanoparticle films by high-pressure RF magnetron sputtering method 査読国際誌

D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012002
Effects of filter gap of cluster-eliminating filter on cluster eliminating efficiency 査読国際誌

Y. Hashimoto, S. Toko, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga and M. Shiratani

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012007
Emission spectroscopy of Ar + H-2+ C7H8 plasmas: C7H8 flow rate dependence and pressure dependence 査読国際誌

X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine and M. Hori

J. Phys. : Conf. Series (SPSM26) 518 ( 1 ) 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/518/1/012010
Infrared Plasmonics via ZnO 査読国際誌

J. W. Allen, M. S. Allen, D. C. Look, B. R. Wenner, N. Itagaki, K. Matsushima, I. Surhariadi

J. Nano Res. 28 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.28.109
スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成査読

板垣奈穂、古閑一憲、白谷正治

応用物理 83 ( 5 ) 2014年5月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nanostructure Control of Si and Ge Quantum Dots Based Solar Cells Using Plasma Processes 査読国際誌

M. Shiratani, G. Uchida, H. Seo, D. Ichida, K. Koga, N. Itagaki, and K. Kamataki

Materials Science Forum 783-786 2014年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.783-786.2022
Performance dependence of Si quantum dot-sensitized solar cells on counter electrode 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 53 ( 5S1 ) 2014年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.05FZ01
Study on the Crystal Growth Mechanism of ZnO Films Fabricated Via Nitrogen Mediated Crystallization 査読国際誌

I. Suhariadi, K. Oshikawa, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, and N. Itagaki

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015064
Combinatorial Plasma CVD of Si Nanoparticle Composite Films for Band Gap Control 査読国際誌

G. Uchida, Y. Kanemitsu, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015080
Correlation between nanoparticle growth and plasma parameters in low pressure reactive VHF discharge plasmas 査読国際誌

M. Shiratani, Y. Morita, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015083
Deposition of Carbon Films on PMMA Using H-assisted Plasma CVD 査読国際誌

X. Dong, R. Torigoe, K. Koga, G. Uchida, M. Shiratani, N. Itagaki, Y. Setsuhara, K. Takenaka, M. Sekine, .M. Hori

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015072
Effects of Grid DC Bias on Incorporation of Si Clusters into Amorphous Silicon Thin Films in Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 査読国際誌

S. Toko, Y. Kim, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015069
Effects of H2 Gas Addition on Structure of Ge Nanoparticle Films Deposited by High-pressure RF Magnetron Sputtering Method 査読国際誌

G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015082
Electrochemical impedance analysis on the additional layers for the enhancement on the performance of dye-sensitized solar cell 査読国際誌

H. Seo, M. Son, S. Park, M. Jeong, H. Kim, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 554 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.103
Off-axis sputter deposition of ZnO films on c-sapphire substrates with buffer layers prepared via nitrogen-mediated crystallization 招待査読国際誌

N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Proc. SPIE photonics west 2014 8987 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.2041081
Spatial Profile of Flux of Dust Particles Generated due to Interaction between Hydrogen Plasmas and Graphite Target 査読国際誌

M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

Jpn. Phys. Soc. Conf. Proc (APPC12) 1 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7566/JPSCP.1.015020
Substrate temperature dependence of hydrogen content of a-Si:H film deposited with a cluster-eliminating filter 査読国際誌

Y. Hashimoto, S. Toko, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
A model for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas 査読国際誌

M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, S. Iwashita, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, G. Uchida

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Analysis of fluctuation of Ar metastable density and nanoparticle amount in capacitively coupled discharges with amplitude modulation 査読国際誌

Y. Morita, T. Ito, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Analysis on the photovoltaic property of Si quantum dot-sensitized solar cells 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Int. J. Precision Eng. Manuf. 15 ( 2 ) 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s12541-014-0343-8
Combinatorial evaluation of optical properties of crystalline Si nanoparticle embedded Si films deposited by a multi-hollow discharge plasma CVD method 査読国際誌

Y. Kanemitsu, G. Uchida, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Coupling between radicals and nanoparticles in initial growth phase in reactive plasmas with amplitude modulation (Invited) 招待査読国際誌

K. Koga, Y. Morita, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Itagaki, G. Uchida, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Deposition of Crystalline Ge Nanoparticle Films Varying H2 Dilution Ratio Using High Pressure rf Magnetron Sputtering 査読国際誌

S. Hashimoto, D. Ichida, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of amplitude modulation on deposition of hydrogenated amorphous silicon films using multi-Hollow discharge plasma CVD method 査読国際誌

Y. Torigoe, Y. Hashimoto, S. Toko, Y. Kim, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Epitaxial growth of ZnO films on sapphire substrates by magnetron sputtering: Effects of buffer layers prepared via nitrogen mediated crystallization 査読国際誌

T. Ide, K. Matsushima, R. Shimizu, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of In-rich ZnInON filmswith narrow band gap by RF magnetron sputtering 査読国際誌

K. Matsushima, R. Shimizu, T. Ide, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of SiC nanoparticles as high capacity electrodes for Li-ion batteries 査読国際誌

G. Uchida, K. Kamataki, D. Ichida, Y. Morita, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, T. Ishihara, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of size-controlled Ge nanoparticle films varying gas flow rate using high pressure rf magnetron sputtering method 査読国際誌

D. Ichida, S. Hashimoto, G. Uchida, H. Seo, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fine response of deposition rate of Si films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD with amplitude modulation 査読国際誌

S. Toko, Y. Hashimoto, Y. Kanemitu, Y. Torigoe, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Magnetron sputtering of low-resistive In2O3:Sn films with buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization 査読国際誌

K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Nanoparticle amount in reactive plasmas with amplitude modulation detected by twodimensional laser light scattering method 査読国際誌

T. Ito, Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Pressure dependence of carbon film deposition using H-assisted plasma CVD 査読国際誌

X. Dong, K. Koga, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Takenaka, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Quantum characterization and photovoltaic application of Si nano-particles fabricated by multi-hollow plasma discharge chemical vapor deposition 査読国際誌

H. Seo, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Raman spectroscopy of a fine particle optically trapped in plasma 査読国際誌

D. Yamashita, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Spatial profile of flux of dust particles in hydrogen helicon plasmas 査読国際誌

M. Tateishi, K. Koga, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Masuzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Sputter Deposition of Ga-doped Zinc Oxide (GZO) Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 査読国際誌

T. Nakanishi, K. Oshikawa, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Sputtering fabrication of a novel widegap semiconductor ZnGaON for optoelectronic devices with wide bandgap for optical device 査読国際誌

R. Shimizu, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Study on nitrogen desorption behavior of sputtered ZnO for transparent conducting oxide 査読国際誌

I. Suhariadi, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Subacute toxicity of gallium arsenide, indium arsenide and arsenic trioxide following intermittent intrantracheal instillations to the lung of rats 査読国際誌

A. Tanaka, M. Hirata, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Hayashi, G. Uchida

Proc. 8th Int. Conf. Reactive Plasmas 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Theory for correlation between plasma fluctuation and fluctuation of nanoparticle growth in reactive plasmas 査読国際誌

M. Shiratani, K. Koga, K. Kamataki, S. Iwashita, G. Uchida, H. Seo, and N. Itagaki

Jpn. J. Appl. Phys. 53 ( 1 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.010201
The improvement on the performance of quantum dot-sensitized solar cells with functionalized Si 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, M. Sato, G. Uchida, K. Koga, N. Itagaki, K. Kamataki, M. Shiratani

Thin Solid Films 546 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.04.073
Characteristics of Crystalline Silicon/Si Quantum Dot/Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Hybrid Solar Cells 査読国際誌

G. Uchida, Y. Wang, D. Ichida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NA05
Correlation between Volume Fraction of Silicon Clusters in Amorphous Silicon Films and Optical Emission Properties of Si and SiH 査読国際誌

Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, and M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NA07
Effects of Nitrogen on Crystal Growth of Sputter-Deposited ZnO Films for Transparent Conducting Oxide 査読国際誌

I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Kuwahara, K. Matsushima, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NB03
Epitaxial Growth of ZnInON Films with Tunable Band Gap from 1.7 eV to 3.3 eV on ZnO Templates 査読国際誌

K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NM06
Flux Control of Carbon Nanoparticles Generated due to Interactions between Hydrogen Plasmas and Graphite Using DC-Biased Substrates 査読国際誌

K. Koga, M. Tateishi, K. Nishiyama, G. Uchida, K. Kamataki, D. Yamashita, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, Akiko Sagara, the LHD Experimental Group

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NA08
Improvement on the Electron Transfer of Dye-Sensitized Solar Cell Using Vanadium Doped TiO2 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, D. Ichida, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, S. Nam, J. Boo

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 11S ) 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.11NM02
Study on the Fabrication of Paint-Type Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells 査読国際誌

H. Seo, M. Son, H. Kim, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 10S ) 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.10MB07
ナノ材料のプラズマプロセシングの研究の現状と将来

白谷正治, 古閑一憲, 内田儀一郎, Hyunwoong Seo, 板垣奈穂, 岩下伸也

表面科学 34 ( 10 ) 2013年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Characteristics of photocurrent generation in the near-ultraviolet region in Si quantum-dot sensitized solar cells 査読国際誌

G. Uchida, M. Sato, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 544 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.04.111
Effects of nanoparticle incorporation on properties of microcrystalline films deposited using multi-hollow discharge plasma CVD 査読国際誌

Y. Kim, T. Matsunaga, K. Nakahara, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Surf. Coat. Technol. 228 ( 1 ) 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2012.04.029
Effects of DC Substrate Bias Voltage on Dust Flux in the Large Helical Device 査読国際誌

K. Koga, K. Nishiyama, Y. Morita, G. Uchida, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, and the LHD Experimental Group

J. Nucl. Mater. 438 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jnucmat.2013.01.154
Observation of nanoparticle growth process using a high speed camera 国際誌

Y. Morita, S. Iwashita, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, and M. Shiratani

ISPC 21 Proceedings 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Discharge power dependence of carbon dust flux in a divertor simulator 査読国際誌

K. Nishiyama, Y. Morita, G. Uchida, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, and H. Kersten

J. Nucl. Mater. 438 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jnucmat.2013.01.169
Growth control of ZnO nano-rod with various seeds and photovoltaic application 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

J. Phys. : Conference Series (11th APCPST) 441 ( 1 ) 2013年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/441/1/012029
Characterization of the energy flux toward the substrate during magnetron sputter deposition of ZnO thin films 査読国際誌

S. Bornholdt, N. Itagaki, K. Kuwahara, H. Wulff, M. Shiratani and H. Kersten

Plasma Sources Sci. Technol. 22 ( 2 ) 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0963-0252/22/2/025019
Analysis on the effect of polysulfide electrolyte composition for higher performance of Si quantum dot-sensitized solar cells 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Electrochimica Acta 95 ( 1 ) 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2013.02.026
Model for Thickness dependence of mobility and concentration in highly conductive ZnO 招待査読国際誌

D. C. Look, K. D. Leedy, A. Kiefer, B. Claflin, N. Itagaki, K. Matsushima, I. Surhariadi

Opt. Engineering 52 ( 3 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1117/1.OE.52.3.033801
Control of Deposition Profile and Properties of Plasma CVD Carbon Films 査読国際誌

K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering 2 ( 26 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Control of nanoparticle formation in reactive plasmas and its application to fabrication of green energy devices 招待査読国際誌

M. Shiratani, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga

Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering 2 ( 26 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate 査読国際誌

N. Itagaki, K. Oshikawa, K. Matsushima, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 13th International Conference on Plasma Surface Engineering 2 ( 26 ) 2013年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
The reduction of charge recombination and performance enhancement by the surface modification of Si quantum dot-sensitized solar cell 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Electrochimica Acta 87 ( 1 ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.electacta.2012.09.087
Dust particle formation due to interaction between graphite and helicon deuterium plasmas 査読国際誌

S. Iwashita, K. Nishiyama, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Fusion Engineering and Design 88 ( 1 ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.fusengdes.2012.10.002
Effects of Hydrogen Dilution on ZnO Thin Films Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 査読国際誌

I. Suhariadi, K. Matsushima, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Kamtaki, K. Koga, M. Shiratani, S. Bornholdt, H. Kersten, Harm Wulff, N. Itagaki

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 1S ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.01AC08
High Amount Cluster Incorporation in Initial Si Film Deposition by SiH4 Plasma Chemical Vapor Deposition 査読国際誌

Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 1S ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.01AD01
Improvement of Si Adhesion and Reduction of Electron Recombination for Si Quantum Dot-Sensitized Solar Cells 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, M. Sato, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 52 ( 1S ) 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.01AD05
Sputter deposition of Epitaxial Zinc-Indium Oxynitride Films for Excitonic Transistors (Invited) 招待査読国際誌

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Proc. International Symposium on Dry Process 34 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Control of radial density profile of nano-particle produced in reactive plasma by amplitude modulation of rf discharge voltage 査読国際誌

K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

Thin Solid Films 523 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2012.07.059
Effects of crystalline nanoparticle incorporation on growth, structure, and properties of microcrystalline silicon films deposited by plasma CVD 査読国際誌

Y. Kim, T. Matsunaga, K. Nakahara ,G. Uchida, K. Kamataki , N. Itagaki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 523 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2012.06.023
ZnO:Al Thin Films with Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization: Effects of N2/Ar Gas Flow Rate Ratio 査読国際誌

I. Suhariadi, N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, K. Nakahara, M. Shiratani

37 ( 2 ) 2012年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.14723/tmrsj.37.165
High quality epitaxial ZnO films grown on solid-phase crystallized buffer layers 査読国際誌

K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Thin Solid Films 520 ( 14 ) 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.136
The Optical Analysis and Application of Size-controllable Si Quantum Dots Fabricated by Multi-hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition 査読国際誌

H. Seo, Y. Wang, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1426 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2012.890
Characteristics of stable a-Si:H Schottoky cells fabricated by suppressing cluster deposition 査読国際誌

M. Shiratani, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, Y. Kim, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1426 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2012.1245
In situ analysis of size dispersion of nano-particles in reactive plasma using two dimentional laser light scattering method 査読国際誌

K. Kamataki, Y. Morita, M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki

Journal of Instrumentation 7 ( 4 ) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1748-0221/7/04/C04017
In-situ Measurements of Cluster Volume Fraction in Silicon Thin Films Using Quartz Crystal Microbalances 査読国際誌

Y. Kim, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1426 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2012.839
Novel fabrication method for ZnO films via nitrogen-mediated crystallization (Invited) 招待査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa

Proc. of SPIE photonics west 2012 8263 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.911971
Combinatorial Deposition of Microcrystalline Silicon Films Using Multihollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition 査読国際誌

K. Koga, T. Matsunaga, Y. Kim, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, and M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 1 ) 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AD02
Deposition of cluster-free B-doped a-Si:H films using SiH4+B10H14 multi-hollow discharge plasma CVD 査読国際誌

K. Koga, K. Nakahara, Y. Kim, T. Matsunaga, D.Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 1 ) 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AD03
Effect of nitridation of Si nano-particles on the performance of quantum-dot sensitized solar cells 査読国際誌

G. Uchida, K. Yamamoto, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 1 ) 2012年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AD01
Zno films with buffer layers crystallized via nitrogen mediation: Effects of deposition temperature of buffer layers 査読国際誌

K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Collection of carbon dust particles formed due to plasma-wall interactions between high density H2 plasma and carbon wall onto substrates by applying local DC bias voltage 国際誌

K. Nishiyama, Y. Morita, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, the LHD Experimental Group, S. Bornholdt, H. Kersten

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Deposition of cluster-free a-Si:H films using cluster eliminating filter 国際誌

K. Nakahara, K. Hatozaki, Y. Hashimoto, T. Matsunaga, M. Sato, D. Yamashita, H. Matsuzaki, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Deposition of highly stable cluster-free a-Si:H films using fast gas flow multi-hollow discharge plasma CVD method 国際誌

K. Hatozaki, K. Nakahara, T. Matsunaga, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of electrolyte on performance of quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles synthesized by multi-hollow discharge plasma CVD 国際誌

Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of N2 gas addition to sputtering plasma on properties of epitaxial ZnO films 国際誌

K. Kuwahara, N. Itagaki, K. Nakahara, D. Yamashita, Seo H., G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of nanoparticle incorporation on Si thin films deposited by plasma CVD 国際誌

M. Shiratani, Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Influence of nano-particles on multi-hollow discharge plasma for microcrystalline silicon thin films deposition 国際誌

T. Matsunaga, Y. Kim, K. Koga, H. Seo, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Low resistive ZnO:Al films with ZnO buffer layers fabricated by Ar/N2 magnetron sputtering 国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells by surface modification using ZnO barrier layer 国際誌

Y. Wang, M. Sato, H. Seo, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Intern. Symp. on Dry Process 33 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Radical Flux Evaluation to Microcrystalline Silicon Films Deposited by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD 国際誌

Y. Kim, T. Matsunaga, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Self-organized carbon Mk formation on the top surface of fine trenches using a low temperature plasma anisotropic CVD for depositing fine organic structure 国際誌

K. Koga, T. Urakawa, G. Uchida, H. Seo, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Setsuhara, M. Sekine, M. Hori

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Study of interaction between plasma fluctuation and nucleation of nanoparticle in plasma CVD 国際誌

K. Kamataki, K. Koga, G. Uchida, H. Seo, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. Plasma Conf. 2011 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Combinatorial study on effects of substatrate temperature of silicon film deposition using multi-hollow discharge plasma cvd 査読国際誌

Y. Kim, T. Matsunaga, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Defect density of cluster-free a-si:h films deposited by multi-hollow discharge plasma CVD 査読国際誌

K. Nakahara, K. Hatozaki, M. Sato, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of nano-particles on (220) crystal orientation of microcrystallite silicon thin films 査読国際誌

T. Matsunaga, Y. Kim, K. Koga, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Properties and performance of si quantum dot-sensitized solar cells with low temperature titania paste 査読国際誌

Y. Wang, M. Sato, T. Matsunaga, N. Itagaki, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Zinc oxide-based transparent conducting films with buffer layers fabricated via nitrogen-mediated crystallization 査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. PVSEC-21 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Surface nitridation of silicon nano-particles using double multi-hollow discharge plasma CVD 査読国際誌

G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Nakahara, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Kondo, M. Shiratani

Physica Status Solidi (c) 8 ( 10 ) 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssc.201001230
Deposition of cluster-free P-doped a-Si:H films using SiH4+PH3 multi-hollow discharge plasma CVD method 査読国際誌

K. Koga, K. Nakahara, Y. Kim, Y. Kawashima, T. Matsunaga, M. Sato, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, and M. Shiratani

Physica Status Solidi (c) 8 ( 10 ) 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssc.201100229
Hybrid sensitized solar cells using Si nanoparticles and ruthenium dye 査読国際誌

G. Uchida, Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Kondo, M. Shiratani

Physica Status Solidi (c) 8 ( 10 ) 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssc.201100166
Impacts of Amplitude Modulation of RF Discharge Voltage on the Growth of Nanoparticles in Reactive Plasma 査読国際誌

K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, M. Shiratani

Appl. Phys. Express 4 ( 10 ) 2011年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.4.105001
Impacts of Plasma Fluctuations on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma 国際誌

K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

2011年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Comparison between silicon thin films with and without incorporating crystalline silicon nanoparticles into the film 査読国際誌

K. Koga, Y. Kawashima, T. Matsunaga, M. Sato, K. Nakahara, W. M. Nakamura, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Thin Solid Films 519 ( 20 ) 2011年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.01.408
Combinatorial study of substrate temperature dependence on properties of silicon films deposited using multihollow discharge plasma CVD 国際誌

Y. Kim, T. Matsunaga, Y. Kawashima, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Itagaki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

2011年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Nano-factories in plasma: present status and outlook 査読国際誌

M. Shiratani, K. Koga, S. Iwashita, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

J. Phys. D: Appl. Phys. 44 ( 17 ) 2011年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0022-3727/44/17/174038
Novel Fabrication Method for Transparent Conducting Oxide Films Utilizing Solid-Phase Crystallized Seed Layers 招待査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara

Proc. Int. Conf. Advances in Condensed and Nano Materials 2011 1393 2011年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1063/1.3653599
Generation and Surface Modification of Si nano-particles using SiH4/H2 and N2 multi-hollow discharges and their application to the third generation photovoltaics 招待査読国際誌

K. Koga, G. Uchida, K. Yamamoto, Y. Kawashima, M. Sato, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

International Conference on Advances in Condensed and Nano Materials (ICACNM) 1393 2011年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1063/1.3653600
Novel fabrication method of ZnO films utilizing solid-phase crystallized seed layers 査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1315 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/opl.2011.709
Highly Conducting and Very Thin ZnO:Al Films with ZnO Buffer Layer Fabricated by Solid Phase Crystallization from Amorphous Phase 査読国際誌

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Appl. Phys. Express 4 ( 1 ) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.4.011101
Novel fabrication method for oxide semiconductors via atomic-additive mediated crystallization 招待査読国際誌

N. Itagaki

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686461
Optical and Electrical Properties of Particle Composite Thin Films deposited in SiH4/H2 and N2 Multi-Hollow Discharges 国際誌

G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Yamamoto, K. Nakahara, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

Proc. of MNC2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Substrate Temperature Dependence of Sticking Probability of SiOx-CH3 Nano-Particles 国際誌

H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. of International Symposium on Dry Process 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Cluster-Free B-Doped a-Si:H Films Deposited Using SiH4 + B10H14 Multi-Hollow Discharges 査読国際誌

K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686686
Deposition profiles of microcrystalline silicon films using multi-hollow discharge plasma CVD 査読国際誌

T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, K. Nakahara, W. M. Nakamura, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686679
Effects of Amplitude Modulation of rf Discharge Voltage on Growth of Nano-Particles in Reactive Plasma 査読国際誌

K. Kamataki, H. Miyata, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, D. Yamashita, H. Matsuzaki, M. Shiratani

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686456
Effects of Ar addition on breakdown voltage in a Si(CH3)2(OCH3)2 RF discharge 査読国際誌

G. Uchida, S. Nunomutra, H. Miyata, S. Iwashita, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5686704
Fluctuation Control for Plasma Nanotechnologies 査読国際誌

M. Shiratani, K. Koga, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki

Proc. IEEE TENCON 2010 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5685920
Generation of nitridated silicon particles and their thin film deposition using double multi-hollow discharges 国際誌

G. Uchida, M. Sato, Y. Kawashima, K. Nakahara, K. Yamamoto, T. Matsunaga, D. Yamashita, H. Matsuzaki, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma 55 ( 7 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Carbon dust particles generated due to H2 plasma-carbon wall interaction 国際誌

H. Miyata, K. Nishiyama, S. Iwashita, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Ashikawa, S. Muzaki, K. Nishimura, A. Sagara, LHD experimental group

Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma 55 ( 7 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Combinatorial deposition of microcrystalline Si films using multi-hollow discharge plasma CVD 国際誌

T. Matsunaga, Y. Kawashima, K. Koga, W. M. Nakamura, K. Nakahara, H. Matsuzaki, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani

Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma 55 ( 7 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Deposition rate enhancement of cluster-free P-doped a-Si:H films using multi-hollow discharge plasma CVD method 国際誌

K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. of 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasma 55 ( 7 ) 2010年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Si quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles produced by plasma CVD 査読国際誌

Y. Kawashima, K. Yamamoto, M. Sato, K. Nakahara, T. Matsunaga, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, M. Kondo

Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5617205
Deposition of cluster-free P-doped a-Si:H films using a multi-hollow discharge plasma CVD method 査読国際誌

K. Nakahara, Y. Kawashima, M. Sato, T. Matsunaga, K. Yamamoto, W. M. Nakamura, D. Yamashita, H. Matsuzaki, G. Uchida, K. Kamataki, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2010年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5616514
Materials, Devices, and Circuits of Transparent Amorphous-Oxide Semiconductor 査読国際誌

H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A.Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano

J. Display Technol. 5 ( 12 ) 2009年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JDT.2009.2025521
Favorable Elements for an Indium-based Amorphous-oxide TFT Channel: Study of In-X-O (X=B, Mg, Al, Si, Ti, Zn, Ga, Ge, Mo, Sn) Systems 査読国際誌

A. Goyal, T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, and H. Kumomi

Mat. Res. Soc. Symp. Proc 1109 2009年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence 査読国際誌

N. Itagaki, T. Iwasaki, H. Kumomi, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono

Phys. Stat. Sol. (a) 205 ( 8 ) 2008年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.200778909
Combinatorial approach to thin-film transistors using multicomponent semiconductor channels: An application to amorphous oxide semiconductors in In-Ga-Zn-O system 査読国際誌

T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono,

Appl. Phys. Lett. 90 ( 24 ) 2007年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2749177
Guiding Principles for Obtaining High-Quality Microcrystalline Silicon Growth Rates Using SiH4/H2 Glow-Discharge Plasma 査読国際誌

C. Niikura, N. Itagaki, Matsuda

Jpn. J. Appl. Phys. 46 ( 5A ) 2007年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.3052
High rate growth of high-quality microcrystalline silicon films from plasma by interconnected multi-hollow cathode 査読国際誌

C. Niikura, N. Itagaki, and Matsuda

Surf. Coat. Technol. 201 ( 9-11 ) 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2006.07.009
Guiding Principles for Preparing High Quality Microcrystalline Silicon at High Growth Rates 査読国際誌

C. Niikura, N. Itagaki, and A. Matsuda

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 31 ( 2 ) 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Combinatorial study on In-Ga-Zn-O semiconductor films as active-channel layers for thin-film transistor 査読国際誌

T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 928 2006年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1557/PROC-0928-GG10-04
Electron temperature measurement in SiH4/H2 ECR plasma produced by 915 MHz microwaves 査読国際誌

N. Itagaki, K. Sasaki, Y. Kawai

Thin Solid Films 506 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.08.087
Characteristics of the plasma parameters in the fabrication of microcrystalline silicon thin films using 915 MHz ECR plasma 査読国際誌

D. Ha Thang, K. Sasaki, H. Muta, N. Itagaki, and Y. Kawai

Thin Solid Films 506 2006年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.08.064
Production of low electron temperature ECR plasma 査読国際誌

Y. Kawai, N. Itagaki, M. Koga, and H. Muta

Surf. Coat. Technol. 193 ( 1-3 ) 2005年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2004.08.141
Production of high density VHF plasma using a cathode with interconnected multi holes 査読国際誌

N. Itagaki, C. Niikura, A. Matsuda and M. Kondo

Proc. Plasma Sci. Symp. 2005 and the 22th Symp. on plasma processing 2005年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Investigation of the Plasma Parameters in 915 MHz ECR Plasma with SiH4/H2 Mixtures 査読国際誌

H. Muta, D. Ha Thang, N. Itagaki, and Y. Kawai

Proc. Plasma Sci. Symp. 2005 and the 22th Symp. on plasma processing 2005年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
High-rate growth of microcrystalline silicon films using a high-density SiH4/H2 glow-discharge plasma 査読国際誌

C. Niikura, N. Itagaki, M. Kondo, Y. Kawai, and Matsuda

Thin Solid Films 457 ( 1 ) 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2003.12.041
Control of the electron temperature by varying the resonance zone width in ECR plasma 査読国際誌

N. Itagaki, K. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

Thin Solid Films 457 ( 1 ) 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2003.12.014
Generation of a low-electron-temperature ECR plasma using mirror magnetic field 査読国際誌

H. Muta, N. Itagaki, M. Koga, and Y. Kawai

Surf. Coat. Technol. 174 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0257-8972(03)00525-5
Electron-temperature dependence of nitrogen dissociation in 915 MHz ECR plasma 査読国際誌

N. Itagaki, S. Iwata, K. Muta, A. Yonesu, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

Thin Solid Films 435 ( 1 ) 2003年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(03)00395-X
Relationship between the electron temperature and the power absorption profile in ECR plasma 査読国際誌

N. Itagaki, K. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

Proc. 16th Intern. Symp. on Plasma Chemistry 2003年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Electron-temperature control in 915 MHz electron cyclotron resonance plasma 査読国際誌

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

J. Vac. Sci. Technol., A 20 ( 6 ) 2002年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.1513791
Production of low-electron-temperature electron cyclotron resonance plasma with large area using 915MHz microwave 査読国際誌

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

Vacuum 66 ( 3-4 ) 2002年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0042-207X(02)00138-0
Numerical investigation of the production mechanism of a low-temperature electron cyclotron resonance plasma 査読国際誌

H. Muta, N. Itagaki, and Y. Kawai

Vacuum 66 ( 3-4 ) 2002年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0042-207X(02)00130-6
Numerical investigation of a low-electron-temperature ECR plasma in Ar/N2 mixtures 査読国際誌

H. Muta, M. Koga, N. Itagaki, and Y. Kawai

Surf. Coat. Technol. 171 ( 1-3 ) 2002年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0257-8972(03)00261-5
Behavior of the molecular dissociation in 915 MHz ECR nitrogen plasma 査読国際誌

N. Itagaki, S. Iwata, K. Muta, A. Yonesu, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

Proc. 5th Intern. Conf. Reactive Plasmas 1 2002年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Production of low electron temperature ECR plasma for thin film deposition 査読国際誌

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

Surf. Coat. Technol. 142-144 2001年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0257-8972(01)01204-X
Production of low electron temperature ECR plasma for plasma application 査読国際誌

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

Proc. XXV Intern. Conf. Phenomena in Ionized Gases 2001年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Production of low electron temperature ECR plasma for plasma processing 査読国際誌

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

Thin Solid Films 390 ( 1-2 ) 2001年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(01)00920-8
Investigation of ECR plasma uniformity from the point of view of production & confinement 査読国際誌

N. Itagaki, T. Yoshizawa, Y. Ueda and Y. Kawai

Thin Solid Films 386 ( 2 ) 2001年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(00)01635-7
Production of low-electron-temperature electron cyclotron resonance plasma using nitrogen gas in the mirror magnetic field 査読国際誌

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

Jpn. J. Appl. Phys. 40 ( 4A ) 2001年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.40.2489
Effect of magnetic-mirror confinement on electron temperature control in ECR plasma 査読国際誌

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

J. Plasma Fusion Res. 4 2001年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0257-8972(01)01204-X
Production of low-electron-temperature ECR plasma using 915 MHz microwave 査読国際誌

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii and Y. Kawai

Proc. Plasma Sci. Symp. 2001 and the 18th Symp. on plasma processing 2001年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Plasma parameter measurements and deposition of a-Si:H thin films in pulsed ECR plasma 査読国際誌

N. Itagaki, A. Fukuda, T. Yoshizawa, M. Shindo, Y. Ueda and Y. Kawai

Surf. Coat. Technol. 131 ( 1-3 ) 2000年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0257-8972(00)00758-1
Effect of nanoscale inhomogeneity on blocking temperature of ZnO:Co films fabricated by using nitrogen-mediated crystallization

Agusutrisno, MN; Okumura, T; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

MRS ADVANCES 2024年7月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

Diluted magnetic semiconductors (DMS) have attracted interest for the potential applications of spintronic devices. The origin of the temperature dependence of their ferromagnetism has been debated and has not been concluded yet. A potential conclusion is that nanoscale inhomogeneity largely affects the temperature dependence of the magnetization in DMS even if the structure and compositions are not largely different. We examined this hypothesis by implementing nitrogen-mediated crystallization consisting of sputtering deposition of amorphous film and solid-phase crystallization by thermal annealing. A series of samples with different inhomogeneities were prepared by changing the annealing time. No significant changes in the composition and the structure were observed after annealing for various times, while significant enhancements were observed in the coercivity, blocking temperature, and grain size. These results provide clear understanding in the temperature dependence of the ferromagnetism in DMS and direct evidence of the potential conclusion on the long-lasting debate. Graphical abstract: (Figure presented.)

DOI： 10.1557/s43580-024-00907-z

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1557/s43580-024-00907-z/fulltext.html
Large-scale fabrication of thulium iron garnet film with perpendicular magnetic anisotropy using RF magnetron sputtering

Agusutrisno, MN; Obinata, S; Okumura, T; Kamataki, K; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 ( 7 ) 07SP06 - 07SP06 2024年7月（ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Large-scale fabrication of thulium iron garnet (TmIG) films on gadolinium gallium garnet (GGG) substrates, with a total area of 25 cm2, has been demonstrated by rotating substrate holders during on-axis sputtering. By optimizing the growth parameters based on the pressure and flow rate of the oxygen ratio, a Tm/Fe ratio of 0.65 was obtained, which is close to the stoichiometry of TmIG. The increase in post-annealing temperature has induced the growth of the TmIG structure by the strain of the lattice constant mechanism. At the highest post-annealing temperature, the crystal structure of TmIG (444) and the perpendicular magnetic anisotropy (PMA) were obtained. This result demonstrates the potential method for large-scale fabrication of TmIG film with PMA.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad5aff

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad5aff/pdf
Response of lettuce seeds undergoing dormancy break and early senescence to plasma irradiation

Okumura, T; Anan, T; Shi, HP; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Shiratani, M; Ishibashi, Y; Koga, K; Mildaziene, V

APPLIED PHYSICS EXPRESS 17 ( 5 ) 2024年5月（ ISSN:1882-0778 eISSN:1882-0786 ）

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出版者・発行元：Applied Physics Express

This study reports the response of lettuce seeds undergoing dormancy breaking and early senescence to DBD plasma irradiation. A heat map of germination percentages at 12 h reveals that dormancy has broken at 39 days' storage, and that one minute of plasma irradiation enhances germination in dormant seeds. Plasma irradiation does not affect those seeds where dormancy has already broken. Early senescence via storage was estimated using ESR measurements and the molecular modification of quercetin. This study reveals that lettuce seed susceptibility to plasma irradiation depends on storage duration and conditions, with dormancy state as a critical variable modulating the impact of plasma irradiation.

DOI： 10.35848/1882-0786/ad3798

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On-axis sputtering fabrication of Tm3Fe5O12 film with perpendicular magnetic anisotropy 査読国際誌

Agusutrisno, MN; Marrows, CH; Kamataki, K; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

THIN SOLID FILMS 788 ( 15 ) 140176 - 140176 2024年1月（ ISSN:0040-6090 eISSN:1879-2731 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Thin Solid Films

Thulium iron garnet, Tm3Fe5O12 with perpendicular magnetic anisotropy is fabricated using an on-axis sputtering technique followed by annealing, whereas previous reports have used unusual off-axis geometries. Stoichiometric Tm3Fe5O12 is obtained after the modification of the deposition conditions involving the position of the substrate relative to the cathode, which affects both the chemical and structural properties. The effective perpendicular magnetic anisotropy of 8.6 kJ/m3 is well in line with the results of previous studies using pulse laser deposition and off-axis sputtering. A maze domain pattern is observed, and the domain-wall energy is evaluated as 0.69 mJ/m2.

DOI： 10.1016/j.tsf.2023.140176

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Prediction by a hybrid machine learning model for high-mobility amorphous In2O3: Sn films fabricated by RF plasma sputtering deposition using a nitrogen-mediated amorphization method 査読国際誌

Kamataki, K; Ohtomo, H; Itagaki, N; Lesly, CF; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Koga, K; Shiratani, M

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 134 ( 16 ) 2023年10月（ ISSN:0021-8979 eISSN:1089-7550 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Journal of Applied Physics

In this study, we developed a hybrid machine learning technique by combining appropriate classification and regression models to address challenges in producing high-mobility amorphous In2O3:Sn (a-ITO) films, which were fabricated by radio-frequency magnetron sputtering with a nitrogen-mediated amorphization method. To overcome this challenge, this hybrid model that was consisted of a support vector machine as a classification model and a gradient boosting regression tree as a regression model predicted the boundary conditions of crystallinity and experimental conditions with high mobility for a-ITO films. Based on this model, we were able to identify the boundary conditions between amorphous and crystalline crystallinity and thin film deposition conditions that resulted in a-ITO films with 27% higher mobility near the boundary than previous research results. Thus, this prediction model identified key parameters and optimal sputtering conditions necessary for producing high-mobility a-ITO films. The identification of such boundary conditions through machine learning is crucial in the exploration of thin film properties and enables the development of high-throughput experimental designs.

DOI： 10.1063/5.0160228

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Evaluation of Interaction Between Substrate and Nanoparticles Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 査読

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2023年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Health assessment of rice cultivated and harvested from plasma-irradiated seeds 査読国際誌

Okumura, T; Tanaka, H; Nakao, T; Anan, T; Arita, R; Shiraki, M; Shiraki, K; Miyabe, T; Yamashita, D; Matsuo, K; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Shiratani, M; Hosoda, S; Tanaka, A; Ishibashi, Y; Koga, K

SCIENTIFIC REPORTS 13 ( 1 ) 17450 2023年10月（ ISSN:2045-2322 eISSN:2045-2322 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Scientific Reports

This study provides the health effects assessment of rice cultivated from plasma-irradiated seeds. The rice (Oryza sativa L.) cultivated from seeds with plasma irradiation showed a growth improvement (slope-ratios of with plasma to without plasma were 1.066, 1.042, and 1.255 for tiller, and earing, and ripening periods, respectively) and an 4% increase in yield. The cultivated rice was used for repeated oral administrations to mice for 4-week period. Distilled water and rice cultivated from seeds without plasma irradiation were also used as control. The weights of the lung, kidney, liver, and spleen, with corresponding average values of 0.22 g, 0.72 g, 2.1 g, and 0.17 g for w/ plasma group and 0.22 g, 0.68 g, 2.16 g, and 0.14 g for w/o plasma group, respectively, showing no effect due to the administration of rice cultivated from plasma-irradiated seeds. Nutritional status, liver function, kidney function, and lipid, neutral fat profiles, and glucose metabolism have no significant difference between with and without plasma groups. These results show no obvious subacute effects were observed on rice grains cultivated and harvested from the mother plant that experienced growth improvement by plasma irradiation. This study provides a new finding that there is no apparent adverse health effect on the grains harvested from the plasma-irradiated seeds.

DOI： 10.1038/s41598-023-43897-y

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Evaluation of Interaction Between Substrate and Nanoparticles Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 査読

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2023年10月

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記述言語：英語

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Low-temperature fabrication of silicon nitride thin films from a SiH4+N2 gas mixture by controlling SiNx nanoparticle growth in multi-hollow remote plasma chemical vapor deposition 査読国際誌

Kamataki, K; Sasaki, Y; Nagao, I; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 164 2023年9月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

High-quality amorphous silicon nitride (SiNx) thin films were fabricated by the controlled growth of nanoparticles during SiH4+N2 multi-hollow remote plasma chemical vapor deposition (CVD) at low substrate temperature 100 °C. Measurements from quartz crystal microbalances showed that a higher amount of nanoparticle incorporation in the SiNx film corresponded to a higher ratio of N/Si in the film, implying that the nanoparticles were nitrided in the plasma phase. We controlled the size of the nanoparticles by tuning the gas flow ratio of N2/SiH4 and the total gas flow rate. Transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy showed that smaller nanoparticles in the plasma led to a higher ratio of N/Si in the film and a lower hydrogen content. We attribute these results to the low heat capacity and large specific surface area of the nanoparticles, which enabled active chemical reactions on their surface in the plasma.

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107613

Web of Science

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Control of inhomogeneity and magnetic properties of ZnO:Co films grown by magnetron sputtering using nitrogen 査読国際誌

Agusutrisno, MN; Narishige, R; Kamataki, K; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Yamashita, N

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 162 2023年8月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

We experimentally report the control of structural inhomogeneity and magnetic properties of Co-doped ZnO films using nitrogen mediated-crystallization. The ZnO:CoN were grown on a silicon substrate at room temperature by RF-magnetron sputtering using nitrogen and followed by a post-annealing treatment for 3 hours at 400 °C, 600 °C, 800 °C and 1000 °C in the air. This method induces changes in inhomogeneity properties comprised by microstructure and stoichiometry of each film, which are confirmed by X-ray diffraction, thermal desorption, and X-ray fluorescence measurements. The difference in inhomogeneity has led to the transformation in the magnetic properties. Films annealed at 400 °C, which showed the highest inhomogeneity, exhibited superparamagnetic-ferromagnetic properties. In contrast, all the other films exhibited diamagnetic properties. Increasing the post-annealing temperature above 400 °C reduces inhomogeneities indicated by improved grain size, decreased impurities, and lattice parameters and stoichiometry of ZnO:CoN films approached those of pure ZnO. Our present results will contribute to control the inhomogeneity of ZnO:Co films to improve magnetic properties at room temperature.

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107503

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Stress reduction of a-C:H films with inserting submonolayer of carbon nanoparticles

Shiratani Masaharu, Ono Shinjiro, Eri Manato, Okumura Takamasa, Kamataki Kunihiro, Yamashita Naoto, Kiyama Haruki, Itagaki Naho, Koga Kazunori

Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023 ( 0 ) 1Ga06 2023年（ eISSN:24348589 ）

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記述言語：英語出版者・発行元：The Japan Society of Vacuum and Surface Science

Amorphous carbon (a-C(:H)) thin films have been studied in a wide range of fields as protective films for automotive parts, hard masks for semiconductor device fabrication, and biocompatible films for medical devices due to their excellent characteristics. In particular, mechanical properties (film stress and fracture toughness) related to film delamination are important because they are related to the durability of the films, which in turn are related to film stress and adhesion strength. Recently, we have shown that the introduction of carbon nanoparticles (CNPs) between two layers of a-C:H thin films reduces film stress[1]. In this study, we evaluated other properties of the CNP-inserted sample and examined the effect of CNPs on the mechanical properties of the film toward the practical stage.Sandwich structure films were fabricated using a capacitively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system [1]. Ar and CH4 gases were introduced from the top at 19 sccm and 2.6 sccm, respectively. The thickness of the first and second layers was 154 nm. For the nanoindentation test, a nanoindentation tester (ENT-1100a) was employed and a Berkovich indenter was used.The load-unloading curve by nano-indentation showed a typical curve at 5 mN, and a step in the curve occurred at over 8 mN, and SEM images of the indentation showed that the membrane peeled off in a circular shape when the step occurred. EDS analysis of the peel scar revealed that the peel occurred at the interface between the first and second layers. In addition, the fracture toughness of the film was determined from the SEM images of the delamination traces and the load-unloading curve at the time of step generation, and it decreased with increasing Cp in the region where the film stress was constant for the CNP coverage. These results suggest that CNP coverage has a negative correlation with fracture toughness and that there is an optimum value for improving mechanical properties. Other properties will be discussed in detail in the presentation.[1] S.H. Hwang et al., Jpn. J. Appl. Phys. 59 100906, (2020).

DOI： 10.14886/jvss.2023.0_1ga06

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One-dimensional particle-in-cell/Monte Carlo collision simulation for investigation of amplitude modulation effects in RF capacitive discharges 査読国際誌

Nagao, I; Kamataki, K; Yamamoto, A; Otaka, M; Yamamoto, Y; Yamashita, D; Yamashita, N; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

MRS ADVANCES 7 ( 31 ) 911 - 917 2022年12月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

We have investigated the effects of amplitude modulation (AM) discharges especially in differences of AM frequency on plasma parameters such as electric field, electron density, electron temperature, ion energy distribution function (IEDF), and ion angular distribution function (IADF) of capacitively coupled AM discharge Ar plasma using a Particle-in-cell/Monte Carlo collision (PIC-MCC) model. The electron density and the kinetic energy of ions incident on the grounded electrode oscillate periodically with the AM frequency. The oscillation amplitude of the electron density in the central plasma region between the electrodes decreases with increasing the AM frequency above 5 kHz. On the other hand, the peak energy of IEDF decreases with increasing the AM frequency above 500 kHz. Thus, the AM frequency is a good tuning knob to control such plasma parameters.

DOI： 10.1557/s43580-022-00417-w

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Effects of substrate surface polarity on heteroepitaxial growth of pseudobinary ZnO–InN alloy films on ZnO substrates(Invited) 査読国際誌

Narishige, R; Yamashita, N; Kamataki, K; Okumura, T; Koga, K; Shiratani, M; Yabuta, H; Itagaki, N

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 38 ( 7 ) 1803 - 1812 2022年11月（ ISSN:0884-2914 eISSN:2044-5326 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Journal of Materials Research

(ZnO)X(InN)1-X films have been epitaxially grown on 0.9%-lattice-mismatched ZnO substrates at 450 °C by sputtering. Films fabricated on O-polar substrates exhibit higher crystal quality and smoother surface. The full width at half-maximum of (0002) rocking curve and the root-mean-square roughness (Rq) of a 30-nm-thick film on O-polar surface are 0.21° and 2.71 nm, respectively, whereas those on Zn-polar one are 0.32° and 4.30 nm, respectively. Rq on O-polar surface further decreases to 0.73 nm as the thickness decreases to 10 nm, where we successfully obtained atomically flat single-crystalline films having atomically sharp interface with the substrates. High-resolution transmission electron microscopy revealed the Stranski–Krastanov (layer plus island) growth for O-polar case and just 3D islanding mode growth for Zn-polar one. All the results indicate the much longer migration length of adatoms on O-polar surface during the film growth, enabling adatoms to reach their thermodynamically favored positions even at low substrate temperature. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

DOI： 10.1557/s43578-022-00827-4

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1557/s43578-022-00827-4/fulltext.html
Amorphous In-Ga-Mg-O Thin Films Formed by RF Magnetron Sputtering: Optical, Electrical Properties and Thin-Film-Transistor Characteristics 査読国際誌

Yabuta, H; Itagaki, N; Ekino, T; Shigesato, Y

IEEE OPEN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY 3 149 - 152 2022年11月（ eISSN:2644-1292 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IEEE Open Journal of Nanotechnology

We report on optical and electrical properties of amorphous In-Ga-Mg-O (a-IGMO) films and characteristics of a-IGMO channel thin-film transistors which went through the reductive post-annealing process. Optical band-gap energies of a-IGMO films were larger than that of amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) films. Carrier density and Hall mobility of a-IGMO films with the reductive post-annealing were almost the same degree as those of a-IGZO films. Although the reductive annealing with the SiNx underlayer makes an a-IGZO film degenerate semiconductor and its TFT inoperative, a-IGMO TFTs successfully operated after this reductive process. Break-junction tunnelling spectroscopy which was applicable not to a-IGMO but to a-IGZO with the reductive process showed a noticeable density of state character in the vicinity of the Fermi level for a-IGZO, which is consistent with its property.

DOI： 10.1109/OJNANO.2022.3222850

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Plasma irradiation-introduced RONS amount into plant seeds and their response analysis 査読国際誌

T. Okumura, T. Anan, P. Attri, Y. Tsukada, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Role of short-lived nitrogen species generated at low-pressure RF plasma on the germination and seedling growth 査読国際誌

K. Koga, P. Attri, T. Okumura, T. Anan, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Measurements of strength and fluctuation of 2D electric fields in plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers 査読国際誌

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effects of amplitude modulation discharge on behavior of oxygen ions in Ar/O2 capacitively coupled plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo collision model 査読国際誌

I. Nagao, A. Yamamoto, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Control of magnetic transition of ZnO:Co grown by RF-sputter using post-Annealing 査読国際誌

Nurut A.M., Yamashita N., Kamataki K., Koga K., Itagaki N., Shiratani M.

2022 International Conference on Informatics Electrical and Electronics, ICIEE 2022 - Proceedings 2022年10月（ ISBN:9781665486224 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：2022 International Conference on Informatics Electrical and Electronics, ICIEE 2022 - Proceedings

Ferromagnetic semiconductor has attracted much attention for the application of spintronic devices, which will bring next generation of the information technology. Cobalt-doped Zinc Oxides (ZnO: Co) is strong candidate of this material group. The ZnO: Co films were grown on a silicon substrate (100) at room temperature by radio-frequency (rf) sputtering deposition and followed by post-Annealing treatment for 3 hours at 400°C and 800°C in the air. The transition from paramagnetic to ferromagnetic occurs after annealing at 400°C, and the properties return to paramagnetic like as-deposition when the temperature rises to 800°C. The XRD measurement of ZnO: Co films exhibited a wurtzite structure in the (002) plane and was free from secondary phases. Then, post-Annealing at 400°C due to shift peak and decrease oxygen element, meanwhile the crystallinity significantly up to 800°C.

DOI： 10.1109/ICIEE55596.2022.10010108

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Pressure dependence on spatio-temporal distribution of excitation rates of Ar 2p1 and Ne 2p1 in Ar and Ar/Ne capacitively coupled plasmas 査読国際誌

M. Otaka, T. Arima, J. Lai, K. Ikeda, K. Kamataki, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Effect of plasma irradiation on germination of lettuce seeds with fluctuating dormancy 査読国際誌

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Plasma induced conversion of CO2 with water to useful compounds 査読国際誌

P. Attri, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Takeuchi

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Sputter epitaxy of Mg-doped ZnO films on sapphire substrates using inverted Stranski-Krastanov mode 査読国際誌

M. Shiratani, D. Takahashi, N. Yamashita, N. Itagaki

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Process analysis of cracking aC: H/CNP/aC: H sandwich films under stress using nanoindentation 査読国際誌

S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Sputter epitaxy of Mg-doped ZnO films on sapphire substrates using inverted Stranski-Krastanov mode 査読国際誌

M. Shiratani, D. Takahashi, N. Yamashita, N. Itagaki

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Role of short-lived nitrogen species generated at low-pressure RF plasma on the germination and seedling growth 査読国際誌

K. Koga, P. Attri, T. Okumura, T. Anan, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Process analysis of cracking aC: H/CNP/aC: H sandwich films under stress using nanoindentation 査読国際誌

S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Pressure dependence on spatio-temporal distribution of excitation rates of Ar 2p1 and Ne 2p1 in Ar and Ar/Ne capacitively coupled plasmas 査読国際誌

M. Otaka, T. Arima, J. Lai, K. Ikeda, K. Kamataki, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Plasma irradiation-introduced RONS amount into plant seeds and their response analysis 査読国際誌

T. Okumura, T. Anan, P. Attri, Y. Tsukada, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Plasma induced conversion of CO2 with water to useful compounds 査読国際誌

P. Attri, T. Okumura, K. Koga, K. Kamataki, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Takeuchi

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Measurements of strength and fluctuation of 2D electric fields in plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers 査読国際誌

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Effects of amplitude modulation discharge on behavior of oxygen ions in Ar/O2 capacitively coupled plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo collision model 査読国際誌

I. Nagao, A. Yamamoto, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Effect of plasma irradiation on germination of lettuce seeds with fluctuating dormancy 査読国際誌

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Bull. Am. Phys. Soc. 2022年10月

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記述言語：英語

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Effects of amplitude modulated capacitively coupled discharge Ar plasma on kinetic energy and angular distribution function of ions impinging on electrodes: particle-in-cell/Monte Carlo collision model simulation 査読国際誌

Abe, K; Kamataki, K; Yamamoto, A; Nagao, I; Otaka, M; Yamashita, D; Okumura, T; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61 ( 10 ) 106003 - 106003 2022年9月（ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics

We investigated the effects of amplitude modulated (AM) capacitively coupled Ar discharge plasma on the ion energy distribution function (IEDF) and the ion angular distribution function (IADF) incident on electrodes using the particle-in-cell/Monte Carlo collision model. For AM discharge, the electron density and electron temperature and the kinetic energy and angle of ions incident on the ground electrode change periodically with AM frequency, whereas ones for continuous wave discharge are almost constant. For AM discharge, the plasma had hysteresis characteristics. The peak energy of IEDF varies from 53 to 135 eV and the FWHM of IADF varies from 1.82 to 3.34 degrees for gas pressure 10mTorr, the peak-to-peak input voltage 400 V and AM level of 50%. The variation width of the peak energy of IEDF and FWHM of IADF increases with the AM level. These effects of AM method discharge are more noticeable at lower pressures. Thus, the AM discharge offers a way to control simultaneously IEDF and IADF, which opens a new avenue for plasma processes such as an ALD-like PECVD.

DOI： 10.35848/1347-4065/ac7626

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac7626/pdf
Effects of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS/O2/Ar capacitively coupled plasma

Kamataki Kunihiro, Nagamatsu Daiki, Yang Tao, Abe Kohei, Yamamoto Akihiro, Nagao Iori, Arima Toshiaki, Otaka Michihiro, Yamamoto Yuma, Yamashita Daisuke, Okumura Takamasa, Yamashita Naoto, Itagaki Naho, Koga Kazunori, Shiratani Masaharu

AIP Advances 12 ( 8 ) 2022年8月（ eISSN:21583226 ）

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記述言語：英語

CiNii Research
Effects of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS/O2/Ar capacitively coupled plasma 査読国際誌

K. Kamataki, D. Nagamatsu, T. Yang, K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, T. Arima, M. Otaka, Y. Yamamoto, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

AIP Adv. 12 2022年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0097691
Effects of amplitude modulated discharge on growth of nanoparticles in TEOS/O2/Ar capacitively coupled plasma 査読国際誌

K. Kamataki, D. Nagamatsu, T. Yang, K. Abe, A. Yamamoto, I. Nagao, T. Arima, M. Otaka, Y. Yamamoto, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

AIP Adv 12 2022年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0097691
Detection of NO3− introduced in plasma-irradiated dry lettuce seeds using liquid chromatography-electrospray ionization quantum mass spectrometry (LC-ESI QMS) 査読国際誌

Okumura, T; Attri, P; Kamataki, K; Yamashita, N; Tsukada, Y; Itagaki, N; Shiratani, M; Ishibashi, Y; Kuchitsu, K; Koga, K

SCIENTIFIC REPORTS 12 ( 1 ) 12525 2022年7月（ ISSN:2045-2322 eISSN:20452322 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Discharge plasma irradiates seeds with reactive oxygen and nitrogen species (RONS). However, RONS introduced in seeds by plasma irradiation have not been successfully detected thus far. This study provides experimental evidence that nitrate ion NO<jats:sub>3</jats:sub><jats:sup>−</jats:sup> is introduced in lettuce seeds as RONS upon irradiation with atmospheric-pressure air dielectric barrier discharge plasma. Plasma irradiation for 5 min promotes seed germination. The components of the plasma-irradiated seeds were examined using electrospray ionization quantum mass spectrometry (ESI QMS), which revealed that the plasma irradiation introduced an ion with a mass of 62 m/z in detectable amounts. This ion was identified as NO<jats:sub>3</jats:sub><jats:sup>−</jats:sup> by liquid chromatography (LC), multiple wavelength detector (MWD), and LC-ESI QMS. A one-dimensional simulation at electron temperature T<jats:sub>e</jats:sub> = 1 eV, electron density N<jats:sub>e</jats:sub> = 10<jats:sup>13</jats:sup>/m<jats:sup>3</jats:sup>, and gas temperature T<jats:sub>g</jats:sub> = 300 K indicated the introduction of NO<jats:sub>3</jats:sub><jats:sup>−</jats:sup>, involving nitric oxide NO. NO<jats:sub>3</jats:sub><jats:sup>−</jats:sup> is one of the most important ions that trigger signal transduction for germination when introduced in seeds. The scanning electron microscopy (SEM) images revealed that there was no change on the surface of the seeds after plasma irradiation. Plasma irradiation is an effective method of introducing NO<jats:sub>3</jats:sub><jats:sup>−</jats:sup> in seeds in a dry process without causing damage.</jats:p>

DOI： 10.1038/s41598-022-16641-1

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Spatio-temporal measurements Ar 2p1 excitation rates and optical emission spectroscopy by capacitively coupled Ar and Ne mixed gas plasma 査読国際誌

Otaka, M; Arima, T; Lai, J; Ikeda, K; Kamataki, K; Yamashita, N; Okumura, T; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M

MRS ADVANCES 7 ( 31 ) 918 - 922 2022年7月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

We investigated the Ar mixture ratio dependence of the high-energy electron behaviors in capacitively coupled Ar+Ne plasmas using Optical Emission Spectroscopy (OES) and Phase-Resolved Optical Emission Spectroscopy (PROES) methods. OES measurements showed that optical emission intensities of Ar and Ne decreased as Ar mixture ratio increased, which implied decreases in the excitation rates of Ar and Ne. The spatio-temporal distribution of the Ar I 2p1 excitation rate was measured using the PROES method. These measurements showed the Ar I 2p1 excitation rate decreased as the Ar mixture ratio increased, which was consistent with the OES results. These results implied that the collision frequency between electrons and neutral particles increased with increase in Ar mixture ratio. In addition, the sheath expansion width in one RF cycle became small with increasing Ar mixture ratio, which led to a weakening of the effect of stochastic heating and a decrease of the electron temperature.

DOI： 10.1557/s43580-022-00306-2

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Treatment of organic wastewater by a combination of non-thermal plasma and catalyst: a review 査読国際誌

Attri, P; Koga, K; Okumura, T; Chawarambwa, FL; Putri, TE; Tsukada, Y; Kamataki, K; Itagaki, N; Shiratani, M

REVIEWS OF MODERN PLASMA PHYSICS 6 ( 1 ) 2022年7月（ ISSN:2367-3192 eISSN:2367-3192 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Reviews of Modern Plasma Physics

Recently, non-thermal plasma technology has been frequently used for wastewater treatment. Plasma technology uses the effect of high-energy electrons, reactive species, ultraviolet light, free radicals, and pyrolysis to treat wastewater. Although in many cases, only the use of non-thermal plasma alone is not successful in degrading the complex organic wastes. This might be because of complexity in wastewater or not appropriate plasma device for wastewater treatment, or improper use of plasma-generated species that plays a critical role in organic waste degradation. To increase the degradation efficiency and reduce treatment time, the combination of non-thermal plasma and catalysts (homogeneous and heterogeneous) improves pollutant removal. This review includes the different non-thermal plasma systems and their action on decolorizing or degradation of dyes, degradation of phenolic pollutants, and degradation of pharmaceutical products, including antibiotics and other volatile organic solvents (VOC’s) with and without catalyst. Finally, probable mechanisms and suggestions to improve the wastewater treatment using non-thermal plasma were put forward. This review aims to help researchers understand the role of treatment time, feed gases, and catalysts on the degradation of organic wastes and looks forward to all possible developments in this field.

DOI： 10.1007/s41614-022-00077-1

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s41614-022-00077-1/fulltext.html
Raman spectral analysis of the as-deposited a-C:H films prepared by CH4+ Ar plasma CVD 査読国際誌

Ono, S; Hwang, SH; Okumura, T; Kamataki, K; Yamashita, N; Itagaki, N; Koga, K; Shiratani, M; Oh, JS; Takabayashi, S; Nakatani, T

MRS ADVANCES 7 ( 30 ) 718 - 722 2022年7月（ ISSN:2731-5894 eISSN:2059-8521 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MRS Advances

Applicability of precise Raman spectral analysis of a-C:H films deposited using a plasma chemical vapor deposition (CVD) method has been discussed based on the sensitivity to initial conditions in peak separation. The spectral analysis offers to deconvolute the spectra into five peaks, while the as-deposited films prepared by plasma CVD is difficult to the five-peak separation. We found the peak position and the peak height ratio of the D-band to the G+-band can be employed to discuss the structure of the as-deposited films. We examined the structural difference between the films deposited at the powered electrode and that at grounded electrode. We found graphene nanoribbon-like structures may be formed in the films deposited on the grounded substrate. This result suggests that the substrate position is an important factor to form the graphene nanoribbon-like structure. Graphical abstract: [Figure not available: see fulltext.]

DOI： 10.1557/s43580-022-00310-6

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The effect of visual cognition on the fear caused by pain recall

Itagaki, N; Iramina, K; Nakada, Y

2022 14TH BIOMEDICAL ENGINEERING INTERNATIONAL CONFERENCE (BMEICON 2022) 2022年（ ISSN:2334-3052 ISBN:978-1-6654-8903-4 ）

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DOI： 10.1109/BMEiCON56653.2022.10012108

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書籍等出版物

可視領域でバンドギャップチューニング可能な新材料ZIONの開発と太陽電池への応用（太陽光と光電変換機能―異分野融合から生まれる次世代太陽電池―）

板垣奈穂（担当：共著）

シーエムシー出版 2016年2月

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担当ページ：第1章, 2 記述言語：日本語著書種別：学術書

講演・口頭発表等

Fabrication of ZnO Based Transparent Conducting Oxide as an Alternative to In2O3:Sn by Sputtering Combined with Solid Phase Crystallization 国際会議

N. Itagaki, Z. Shen, Y. Wada, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication of ZnO Based Transparent Conducting Oxide as an Alternative to In2O3:Sn by Sputtering Combined with Solid Phase Crystallization 国際会議

N. Itagaki, Z. Shen, Y. Wada, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語

開催地：国立京都国際会館国名：日本国

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Fabrication of ZnO based transparent conducting oxides by sputtering combined with solid phase crystallization : a way to meet the future demand for transparent electrodes 招待国際会議

N. Itagaki, Y. Wada, H. Yabuta, M. Shiratani

AAPPS-DPP2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication of ZnO based transparent conducting oxides by sputtering combined with solid phase crystallization : a way to meet the future demand for transparent electrodes 招待国際会議

N. Itagaki, Y. Wada, H. Yabuta, M. Shiratani

AAPPS-DPP2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語

開催地：ポートメッセ名古屋国名：日本国

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スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御招待

板垣奈穂

化学工学会第54回秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡大学国名：日本国
スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御招待

板垣奈穂

化学工学会第54回秋季大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：福岡大学国名：日本国

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Structural Control of Sputter Deposited Films Using Impurities 招待国際会議

N. Itagaki

International C+Nano Convergence Technology Symposium (ICTS) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Structural Control of Sputter Deposited Films Using Impurities 招待国際会議

N. Itagaki

International C+Nano Convergence Technology Symposium (ICTS) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：オンライン

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不純物でスパッタ膜のモフォロジーを制御する～アモルファスからエピ膜まで～ (招待講演) 招待

板垣奈穂

第78回CVD研究会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都大学国名：日本国
不純物でスパッタ膜のモフォロジーを制御する～アモルファスからエピ膜まで～ (招待講演) 招待

板垣奈穂

第78回CVD研究会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：京都大学国名：日本国

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Sputtering Growth of Single-Crystalline ZnO Based Semiconducting Films on Large Lattice-Mismatched Substrates (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy (IWMSE) 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputtering Growth of Single-Crystalline ZnO Based Semiconducting Films on Large Lattice-Mismatched Substrates (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy (IWMSE) 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：オンライン国名：日本国

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Structural Control of Sputter Deposited Films beyond the Thornton Diagram Using Impurities (keynote) 招待国際会議

N. Itagaki

AAPPS-DPP 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Structural Control of Sputter Deposited Films beyond the Thornton Diagram Using Impurities (keynote) 招待国際会議

N. Itagaki

AAPPS-DPP 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語

開催地：オンライン国名：日本国

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Fabrication of Low-Resistive Amorphous In2O3 :Sn Films at 600°C by Magnetron Sputtering Using Nitrogen 国際会議

2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学国名：日本国
Fabrication of Low-Resistive Amorphous In2O3 :Sn Films at 600°C by Magnetron Sputtering Using Nitrogen 国際会議

N. Itagaki, Y. Mido, Z. Shen, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語

開催地：名古屋大学国名：日本国

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不純物で薄膜モフォロジーを制御する～アモルファスからエピ膜まで～ (招待講演) 招待

板垣奈穂

日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会　リトリート学習会 2022 2022年7月

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
不純物で薄膜モフォロジーを制御する～アモルファスからエピ膜まで～ (招待講演) 招待

板垣奈穂

日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会リトリート学習会 2022 2022年7月

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語

開催地：オンライン国名：日本国

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Development of New Oxynitride Semiconductors with Tunable Band Gaps Using Magnetron Sputtering(Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

2021年12月

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Inverted Stranski-Krastanov Growth of ZnO Based Semiconductors for Excitonic Devices(Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

2021年12月

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputtering Deposition with Impurities: Another Key Parameter to Control Film Structures(Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

MRS fall meeting 2021 2021年12月

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開催年月日： 2021年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter epitaxy of ZnO based oxide/oxynitride semiconductors for excitonic transistors(Invited) 招待国際会議

5th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics 2021年10月

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開催年月日： 2021年9月 - 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
非晶質ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成とシード層としての効果(招待講演) 招待

板垣奈穂, 沈志遠, 御堂雄大, 薮田久人

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
スパッタエピタキシー法を駆使したZnO系新材料の開発(招待講演) 招待

板垣奈穂

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Sputter epitaxy through “inverse” SK mode for a new class of excitonic devices (Invited) 招待国際会議

2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
A novel semiconductor ZION for excitonic devices (Invited) 招待

N. Itagaki

2020年8月

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開催年月日： 2020年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputtering Deposition with Impurities: Another Key Parameter to Control Film Structures (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

2019年12月

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
ZnO Based Semiconductors for Excitonic Devices (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

2019年12月

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Inverse Stranski-Krastanov growth: a method for growth of single crystalline films beyond lattice-matching condition (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

Satellite Workshop of XXXIV ICPIG & ICRP-10 "New trends of plasma processes for thin films and related materials for the deep discussion on new trends of plasma processes" 2019年7月

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開催年月日： 2019年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter Epitaxy of ZnO Based Compounds for Excitonic Devices 招待国際会議

N. Itagaki, K. Imoto, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter Epitaxy of compound semiconductors via inverse Stranski-Krastanov mode: A method of single crystalline film growth beyond lattice matchins condition 招待国際会議

N. Itagaki, K. Imoto, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

28th Annual Meeting of MRS-Japan 2018 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter Epitaxy via Inverse Stranski-Krastanov Growth Mode: A Method of Single Crystal Growth beyond Lattice Matching Condition 国際会議

N. Itagki, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018) 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices (Invited) 招待国際会議

N. Itagki, N. Miyahara, D. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2018) 2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Inverse Stranski-Krastanov Growth of Single Crystalline Films: A New Mode of Heteroepitaxy for Large Lattice Mismatched System (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, M. Shiratani

10th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC 2018) 2018年7月

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開催年月日： 2018年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
格子整合条件を超えて原子平坦表面を実現する新規スパッタエピタキシー技術の開発～ZnO on sapphireを例に～（招待講演）招待

板垣奈穂, 岩崎和也, 古閑一憲, 白谷正治

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
Excitonic devices for on-chip optical interconnects 国際会議

N. Itagaki

Joint workshop btw SKKU and Kyushu University Emerging materials and devices 2018年1月

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開催年月日： 2018年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication of High-Mobility Nanocrystal-Free a-In2O3:Sn Films by Magnetron Sputtering with Impurity-Mediated Amorphization Method 招待国際会議

N. Itagaki, H. Wang, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

27th annual meeting of MRS-J 2017年12月

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開催年月日： 2017年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
逆SKモードを利用した超高品質スパッタエピタキシー（招待講演）招待

板垣奈穂

2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：姫路商工会議所国名：日本国
不純物添加スパッタリング法による高移動度・ナノ結晶フリー a-In2O3:Sn薄膜の作製

板垣奈穂, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡国際会議場, 福岡国際センター国名：日本国
Fabrication of High-Mobility Amorphous In2O3:Sn Films by RF Magnetron Sputtering with Impurity-Mediated Amorphization Method (Keynote) 招待国際会議

N. Itagaki, T. Takasaki, H. Wang, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 2017年8月

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開催年月日： 2017年8月 - 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Inverse Stranski-Krastanov Growth of Single Crystalline ZnO-Based Semiconductors on Lattice Mismatched Substrates (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

International Union of Materials Research Societies - The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017) 2017年8月

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開催年月日： 2017年8月 - 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Inverse Stranski-Krastanov Growth of Pit-Free Single Crystalline ZnO Films on Lattice Mismatched Substrates 国際会議

N. Itagaki, K. Iwasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017年8月

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開催年月日： 2017年7月 - 2017年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
不純物添加スパッタリングによる高移動度アモルファスITOの作製（招待講演）招待

板垣奈穂

プラズマ材料科学第 153委員会　第130回研究会　プラズマを用いた新奇プロセス・新規材料創製 2017年4月

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開催年月日： 2017年4月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：なごやサイエンスパーク　サイエンス交流プラザ国名：日本国
スパッタエピタキシー法を用いた高品質単結晶薄膜の形成（招待講演）招待

板垣奈穂

プラズマ核融合学会第29回専門講習会「スパッタ技術の現状と展望」 2017年1月

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開催年月日： 2017年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学国名：日本国
Sputtering growth of (ZnO)x(InN)1-x semiconductor: a ZnO-based compound with bandgap tunability over the entire visible spectrum (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, D. Ymashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

26th annual meeting of MRS-J 2016年12月

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開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
バンドギャップチューニング可能なZnO系新半導体材料の開発（プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演）招待

板垣奈穂, 松島宏一, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：朱鷺メッセ, 新潟国名：日本国
Plasma surface interactions of single crystal ZnO during sputtering in Ar+O2+N2 国際会議

N. Itagaki and M. Shiratani

Workshop on Plasma surface interaction for technological applications 2016年7月

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開催年月日： 2016年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Inverse SK mode of epitaxial film growth and its application to solar cells (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

The 3rd Korea-Japan Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2016年2月

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開催年月日： 2016年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
可視領域でバンドギャップチューニング可能な新材料ZIONの開発（招待講演）招待

板垣奈穂

固体化学の新しい指針を探る研究会第78回定例研究会 2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪大学国名：日本国
Single Crystal Growth On Large Lattice-Mismatched Substrates By Using Buffer Layers With Fine Grains (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2015) 2015年9月

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Sputtering growth of single-crystalline ZnO films on c-sapphire substrates by using impurity-mediated crystallization method: Effects of surface morphology of buffer layers 国際会議

N. Itagaki, T. Ide, K. Matsushima, T. Takasaki, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, Masaharu Shiratani

2015 E-MRS Spring Meeting and Exhibit 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
High-mobility amorphous In2O3:Sn films prepared by sputter deposition with nitrogen-mediated amorphization method 国際会議

N. Itagaki, T. Takasaki, T. Nakanishi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterial/8th International Conference on Plasma Nanotechnology and Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015) 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
可視領域でバンドギャップチューニング可能なZnO系新材料の開発（招待講演）招待

板垣奈穂, 松島宏一, 井手智章, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学国名：日本国
ZnO-based semiconductors with tunable band gap for 3rd generation solar sells (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

International Society for Optics and Photonics, Photonics West 2015 2015年2月

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開催年月日： 2015年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
不純物添加結晶化法による高品質ZnO薄膜の形成（招待講演）招待

板垣奈穂

学振166委員会　第66回研究会 2015年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アイビーホール青学会館、東京国名：日本国
ZnO-based semiconductors with tunable band gap for solar cell application (Invited) 招待国際会議

Naho Itagaki

2015 Japan-Korea Joint Symposium on Advanced Solar Cells 2015年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputtering Growth of ZnO-based semiconductors with Band Gap Tunability over the Entire Visible Spectrum (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014) 2014年12月

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開催年月日： 2014年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Sputtering Growth of Pseudobinary ZnO-InN Alloys with Tunable Band Gap for Application in Multi-Quantum Well Solar Cells 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

2014 MRS Fall Meeting 2014年12月

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開催年月日： 2014年11月 - 2014年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成

板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第30回　九州・山口プラズマ研究会 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ラグナガーデンホテル、沖縄国名：日本国
Synthesize of ZnO-based Semiconductor with Tunable Band Gap and Its Application in Multi-Quantum-Well Solar Cells 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Ide, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, and M. Shiratani

6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Non-Equilibrium and Extreme State -High-mobility amorphous In2O3:Sn films prepared via nitrogen-mediated amorphization- 国際会議

N. Itagaki, T. Nakanishi, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

Plasma Conference 2014 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

Non-equilibrium and extreme state: high-mobility amorphous In2O3:Sn films prepared via nitrogen-mediated amorphization
Sputteing Growth of High-Quality ZnO-based Semiconductors for Optoelectronic Applications (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

American Vacuum Society 61st International Symposium and Exhibition (AVS) 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
超高効率太陽電池への挑戦～量子効果を利用した新型太陽電池の実現に向けて～（招待講演）招待

板垣奈穂

第25回精密加工プロセス研究会講演会 2014年10月

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：リファレンス駅東ビル国名：日本国
c面サファイア基板上への単結晶ZnO膜の形成 : 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおける成長初期過程の表面形態の影響

板垣奈穂, 井出智章, 松島宏一, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
Fabrication of Pseudo-binary ZnO-InN Alloys with Tunable Bandgap by Low-Temperature Magnetron Sputtering (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

15th IUMRS-International Conference in Asia 2014年8月

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Crystal Growth Control of Sputter-Deposited ZnO Films by Nitrogen-Mediated Crystallization Method 国際会議

N. Itagaki, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

15th IUMRS-International Conference in Asia 2014年8月

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開催年月日： 2014年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter-Deposition of Pseudobinary ZnO-InN Alloys with Tunable Bandgap for Photovoltaic Application (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, R. Shimizu, and T. Ide

International Conference on Microelectronics and Plasma Technology 2014 (ICMAP2014) 2014年7月

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Novel oxynitride semiconductors for photovoltaic applications (太陽電池のための新規酸窒化物材料の探索) 招待

板垣奈穂

36th Seminar of Photovoltaic Power Generation Project (第36回平成26年度太陽光発電プロジェクト講演会 ) 2014年5月

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開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：宮崎大学国名：日本国
Sputtering growth of ZnO-based semiconductors using ZnON buffer layers for optoelectronic applications (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

The International Symposium on Plasma-Nano Materials and Processes 2014年4月

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開催年月日： 2014年4月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
不純物添加結晶化法を用いた高品質ZnO薄膜のスパッタリング成膜」 -格子不整合基板上への単結晶膜の作製から極薄透明導電膜の作製まで- (招待講演) 招待

板垣奈穂

スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第137回定例研究会 2014年3月

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：機械振興会館国名：日本国
Sputtering growth of single-crystalline ZnO-based semiconductors on lattice mismatched substrates (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, I. Suhariadi, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

International Society for Optics and Photonics, Photonics West 2014 2014年2月

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開催年月日： 2014年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
新規酸窒化物半導体を用いたピエゾ電界誘起量子井戸型太陽電池の創製

板垣奈穂

第2回「太陽光と光電変換機能」領域公開シンポジウム 2013年12月

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開催年月日： 2013年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：UDXギャラリーネクスト, 東京国名：日本国
ZnInON系太陽電池材料の探索 (招待講演) 招待

板垣奈穂

第5回薄膜太陽電池セミナー 2013年11月

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学国名：日本国
不純物添加結晶化法による酸化亜鉛の高品質成長と新規２次元材料への展開

板垣奈穂

第29回九州山口プラズマ研究会 2013年11月

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：クレドホテル臼杵国名：日本国
Crystallinity Control of Sputtered ZnO:Al Transparent Conducting Films by Utilizing Buffer Layers Fabricated via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

N. Itagaki, K. Oshikawa, I. Suhariadi, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

Solid State Devices and Materials 2013 (SSDM) 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Synthesis and Characterization of Oxynitride Semiconductor ZnInON with Tunable Bandgap

N. Itagaki, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G.Uchida, K. Koga, M. Shiratani

The 26th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-26) 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Band-Gap Engineering of ZnO Based Semiconductors Deposited by Sputtering 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：日本国
Novel Approach to Sputtering Growth of Single Crystalline Oxide Semiconductors for Optoelectronic Applications (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

2013年8月

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
グリーン時代を切り拓く革新的エレクトロニクス材料の創製～極低消費電力トランジスタおよび次世代型太陽電池の実現に向けて～

板垣奈穂

2013年度先端サマーセミナー（第5回研究活動交流会） 2013年8月

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学国名：日本国
Novel Application of Ar/N2 Discharges to Sputtering Growth of High Quality Oxide Semiconductors (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

The XXXI edition of the International Conference on Phenomena in Ionized Gases (ICPIG) 2013年7月

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開催年月日： 2013年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
Sputter Deposition of Single Crystal ZnO Films on 18% Lattice mismatched c-Al2O3 Substrates via Nitrogen Mediated Crystallization 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, and M. Shiratani

International Symposium on Sputtering and Plasma Processes (ISSP2013) 2013年7月

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開催年月日： 2013年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter Deposition of Semiconductor-Grade ZnO Based Materials on Lattice Mismatched Substrates (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa, and I. Suarihadi

The Collaborative Conference on Materials Research 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
スパッタリングにおけるZnNOx膜の初期成長制御とグリーンデバイスへの展開 (招待講演) 招待

板垣奈穂

第112回研究会（153委員会,154委員会,131委員会合同研究会）プラズマ材料科学に基づいた薄膜形成と新プロセスの創出 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学国名：日本国
高効率太陽電池の実現に向けた新規酸窒化物半導体ZnInONのバンドギャップエンジニアリング

板垣奈穂, 松島宏一, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第10回　「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2013年5月

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開催年月日： 2013年5月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：石川県立音楽堂国名：日本国
スパッタ法によるC面サファイア基板上への原子平坦ZnO薄膜の作製

板垣奈穂, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Sputter deposition of zinc-indium oxynitride semiconductors with narrow bandgap for excitonic transistors 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013) 2013年2月

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開催年月日： 2013年1月 - 2013年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter deposition of atomically-flat ZnO films on lattice mismatched substrates via nitrogen mediated crystallization (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, I. Suhariadi, K. Oshikawa, K. Matsushima, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

The 16th International Workshop on Advanced Plasma Processing and Diagnostics 2013年1月

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開催年月日： 2013年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：日本国
Epitaxial Growth of ZnO Based Semiconductors via Impurity-Additive Mediated Crysallization 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, T. Hirose, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

2012 MRS Fall Meeting 2012年11月

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Sputter deposition of Epitaxial Zinc-Indium Oxynitride Films for Excitonic Transistors 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, T. Hirose, K. Kuwahara, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

The 34th International Symposium on Dry Process 2012年11月

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開催年月日： 2012年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Zinc-Indium Oxynitride Thin Films for Multiple-Quantum–Well Solar Cells 国際会議

Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology　(11th APCPST) 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都大学国名：日本国
Zinc-Indium Oxynitride Semiconductors for Piezo-Electric-Field Effect MQW Solar Cells 国際会議

N. Itagaki, K. Matsushima, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, H. Seo, K. Koga, M. Shiratani

2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate 国際会議

N. Itagaki, I. Suhariadi, K. Kuwahara, K. Oshikawa, D. Yamashita, H. Seo, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

13th International Conference on Plasma Surface Engineering (PSE2012) 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
高効率量子井戸型太陽電池のための新規酸窒化物半導体薄膜の作製

板垣奈穂、松島宏一、桑原和成、押川晃一郎、I. Suhariadi、山下大輔、徐鉉雄、鎌滝晋礼、内田儀一郎、古閑一憲、白谷正治

第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2012年5月

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開催年月日： 2012年5月 - 2012年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都テルサ国名：日本国
Piezo-electric-field effect MQW solar cells based on novel oxynitride semiconductors

N. Itagaki

2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
窒素添加結晶化バッファー層によるZnO:Al 薄膜の結晶性制御：窒素供給量の影響

板垣奈穂, I. Suhariadi, 桑原和成, 山下大輔, 徐鉉雄, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
Novel fabrication method for ZnO films via nitrogen-mediated crystallization (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Matsushima, K. Oshikawa

SPIE (International society for optics and photonics) photonics west 2012 2012年1月

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開催年月日： 2012年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Zinc oxide-based transparent conducting films with buffer layers fabricated via nitrogen-mediated crystallization 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, G. Uchida, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani

The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21) 2011年12月

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開催年月日： 2011年11月 - 2011年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Ar/N2マグネトロンスパッタによる低抵抗ZnO:Al膜の作製国際会議

板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 徐鉉雄, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：石川県立音楽堂国名：日本国
窒素添加結晶化法による超均一・低抵抗酸化亜鉛薄膜の作製

板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第27回九州・山口プラズマ研究会（兼応用物理学会九州支部シンポジウム「プラズマ計測とその応用　ナノプロセスから環境まで」） 2011年11月

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：かんぽの宿柳川, 福岡国名：日本国
Spatial distribution of resistivity of ZnO:Al thin films fabricated on solid-phase crystallized seed layers 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

European Material Research Society 2011 Fall Meeting (E-MRS) 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ポーランド共和国
ZnO:Al薄膜の抵抗率の面内均一性に対する固相結晶化シード層の効果

板垣奈穂, 桑原和成, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学国名：日本国
Fabrication of high quality ZnO films via nitrogen-mediated crystallization 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

2011年7月

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開催年月日： 2011年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication of highly conducting ZnO:Al films utilizing solid-phase crystallized seed layer 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

European Materials Research Society 2011 Spring Meeting 2011年5月

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開催年月日： 2011年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
固相結晶化シード層を用いた酸化亜鉛系透明導電膜の作製

板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Novel fabrication method for transparent conducting oxide films utilizing solid-phase crystallized seed layers (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, and K. Nakahara

2011年2月

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開催年月日： 2011年2月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：インド
Solid phase crystallization of ZnO films via nitrogen-atom mediation 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara

2010 MRS Fall Meeting 2010年11月

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開催年月日： 2010年11月 - 2010年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Novel fabrication method for oxide semiconductors via atomic-additive mediated crystallization (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

International technical conference of IEEE Region 10 2010年11月

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
アモルファス相からの固相結晶化による酸化亜鉛薄膜の作製

板垣奈穂, 桑原和成, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第26回九州・山口プラズマ研究会 2010年11月

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山陽館, 大分国名：日本国
Fabrication of a-ZnON films by Ar/N2 sputtering for solid-phase crystallization of ZnO 国際会議

N. Itagaki, K. Kuwahara, K. Nakahara, D. Yamashita, K. Kamataki, G. Uchida, K. Koga, M. Shiratani

63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP) 2010年10月

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開催年月日： 2010年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
窒素原子を介した固相結晶化法による酸化亜鉛薄膜の作製

板垣奈穂, 桑原和成, 中原賢太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 内田儀一郎, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：長崎大学国名：日本国
公募で勝つには-私の経験

板垣奈穂

第37回西日本放電懇談会 2010年8月

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開催年月日： 2010年8月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東洋館, 佐賀国名：日本国
Combinatorial sputtering of oxynitride semiconductors (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki

2010 International Workshop on Plasma Applications 2010年6月

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開催年月日： 2010年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Amorphous Oxide Semiconductor Based TFTs: Their Current Situation and Issues (Invited) 招待国際会議

N. Itagaki, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, M. Sano and H. Kumomi

2009年12月

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開催年月日： 2009年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
In-X-O (X=B,Mg,Al,Si,Ti,Ga,Ge,Mo,Sn) をチャネル層に用いたTFTとその特性の元素X依存性

板垣奈穂, Amita Goyal, 岩崎達哉, 田透, 雲見日出也

第69回応用物理学会学術講演会 2008年9月

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開催年月日： 2008年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：中部大学国名：日本国
Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence 国際会議

N. Itagaki, T. Iwasaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono

European Material Research Society 2007 Spring Meeting 2007年6月

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開催年月日： 2007年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
In-Ga-Zn-O 系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性

板垣奈穂, 岩崎達哉, 田透, 雲見日出也, 野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄

第53回応用物理学関係連合講演会 2006年3月

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開催年月日： 2006年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：武蔵工業大学, 東京国名：日本国
マルチホロー型カソードを用いた高密度VHFプラズマの生成と診断

板垣奈穂, 新倉ちさと, 松田彰久, 近藤道雄

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月

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開催年月日： 2004年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北学院大, 宮城国名：日本国
Electron-Temperature Measurement in SiH4/H2 ECR Plasma Produced by 915MHz Microwaves 国際会議

N. Itagaki, K. Sasaki and Y. Kawai

7th Asia Pacific Conf. Plasma Sci. Technol. and 17th Symp. Plasma Sci. Mater. 2004年6月

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開催年月日： 2004年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Production of Electron-Temperature-Controllable ECR Plasma for Thin Film Deposition 国際会議

N. Itagaki, K. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

2003年11月

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開催年月日： 2003年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Relationship between the plasma parameter and the microwave power absorption in ECR plasma 国際会議

N. Itagaki, K. Muta, Y. Kawai, N. Ishii

American Phys. Soc. 45st Annual Meet. Division of Plasma Phys. 2003年11月

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開催年月日： 2003年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Electron Temperature Control in ECR Plasma by Varying the Resonance Zone Width 国際会議

N. Itagaki, K. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

2003年9月

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開催年月日： 2003年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Control of the electron temperature by varying the resonance zone width in ECR plasma 国際会議

N. Itagaki, H. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

16th Symposium on Plasma Science for Materials 2003年6月

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開催年月日： 2003年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Relationship between the electron temperature and the power absorption profile in ECR plasma 国際会議

N. Itagaki, K. Muta, N. Ishii and Y. Kawai

2003年6月

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開催年月日： 2003年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：イタリア共和国
ECRプラズマにおける共鳴幅変化による電子温度制御

板垣奈穂, 牟田浩司, 河合良信

第 50回応用物理学関係連合講演会 2003年3月

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開催年月日： 2003年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川大学, 神奈川国名：日本国
Behaviour of N2 Dissociation in ECR Plasma 国際会議

N. Itagaki, S, Iwata, K. Muta, Y. Kawai, A. Yonesu, S. Kawakami, N. Ishii

4th Cross Straits Symp. Mater.,Energy and Environmental Sci. 2002年11月

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開催年月日： 2002年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
915MHz ECRプラズマにおける電子温度のパワー吸収分布依存性

板垣奈穂, 牟田浩司, 河合良信

プラズマ・核融合学会第19回年会 2002年11月

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開催年月日： 2002年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：愛知県犬山市国名：日本国
915MHz ECRプラズマの窒素解離特性

板垣奈穂, 河合良信, 米須章, 川上聡, 石井信雄

プラズマ科学のフロンティア研究会 2002年10月

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開催年月日： 2002年10月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：核融合科学研究所, 岐阜国名：日本国
Behavior of the molecular dissociation in 915 MHz ECR nitrogen plasma 国際会議

N. Itagaki, S. Iwata, K. Muta, A. Yonesu, S. Kawakami, N. Ishii, Y. Kawai

2002年7月

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開催年月日： 2002年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
Electron-temperature dependence of nitrogen dissociation in 915 MHz ECR plasma 国際会議

N. Itagaki, S. Iwata, K. Muta, A. Yonesu, S. Kawakami, N. Ishii, Y. Kawai

6th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering 2002年7月

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開催年月日： 2002年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
915 MHz ECRプラズマにおける窒素解離特性の電子温度依存性

板垣奈穂、岩田真治、牟田浩二、米須明、川上聡、石井信雄、河合良信

第49回応用物理学関係連合講演会 2002年3月

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開催年月日： 2002年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学, 神奈川国名：日本国
915MHz ECRプラズマにおける電子温度制御

板垣奈穂, 川上聡, 石井信雄, 河合良信

プラズマ・核融合学会第18回年会 2001年11月

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開催年月日： 2001年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：春日市, 福岡国名：日本国
Electron-temperature control in 915 MHz electron cyclotron resonance plasma 国際会議

N. Itagaki, Y. Kawai, S. Kawakami, N. Ishii

2001年10月

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開催年月日： 2001年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Production of low electron temperature ECR plasma for plasma application 国際会議

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii, Y. Kawai

2001年7月

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開催年月日： 2001年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Production of low-electron temperature ECR plasma with large area using 915 MHz microwave 国際会議

N. Itagaki, S. Kawakami, N. Ishii, Y. Kawai

2001年6月

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開催年月日： 2001年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of Magnetic-Mirror Confinement on Electron Temperature Control in ECR Plasma 国際会議

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

2000年12月

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開催年月日： 2000年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
ECRプラズマの低電子温度化に対する窒素ガス添加効果

板垣奈穂, 上田洋子, 石井信雄, 河合良信

平成12年度応用物理学会九州支部講演会 2000年12月

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開催年月日： 2000年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本大学, 熊本国名：日本国
Production of Low Electron Temperature ECR Plasma for Plasma Processing 国際会議

N. Itagaki, Y.Ueda and Y. Kawai

5th Asia-Pacific Conference on Plasma Science & Technology and 13th Symposium on Plasma Science for Materials 2000年9月

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開催年月日： 2000年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
Production of low electron temperature ECR plasma for thin film deposition 国際会議

N. Itagaki, Y. Ueda, N. Ishii and Y. Kawai

2000年9月

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開催年月日： 2000年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
低電子温度ECRプラズマ生成への試み

板垣奈穂, 上田洋子, 河合良信, 石井信雄

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年3月

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開催年月日： 2000年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学, 東京国名：日本国
Control of the Electron Temperature in an ECR Plasma for Thin Film Deposition 国際会議

N. Itagaki, A. Fukuda, Y. Ueda, N.Ishii and Y. Kawai

American Phys. Soc. 41st Annual Meet. Division of Plasma Phys. 1999年11月

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開催年月日： 1999年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Plasma parameter measurements and deposition of a-Si:H thin films in pulsed ECR plasma 国際会議

N. Itagaki, A. Fukuda, T. Yoshizawa, M. Shindo, Y. Ueda and Y. Kawai

1999年9月

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開催年月日： 1999年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
Investigation of ECR plasma uniformity from the point of view of production & confinement 国際会議

N. Itagaki, T. Yoshizawa, Y. Ueda, Y. Kawai

12th Symposium on Plasma Science for Materials 1999年6月

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開催年月日： 1999年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
スパッタエピタキシーによる新規酸窒化物半導体材料の作製とエキシトンデバイスへの応用(招待講演) 招待

板垣奈穂

第134回フロンティア材料研究所講演会 2021年1月

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開催年月日： - 2021年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学フロンティア材料研究所国名：日本国
Predictions for High Quality Amorphous ITO(In2O3:Sn) Film Formation via Hybrid Machine Learning Model 招待国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

ICTS 2024年1月

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開催年月日： 2024年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Predictions for High Quality Amorphous ITO(In2O3:Sn) Film Formation via Hybrid Machine Learning Model 招待国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

ICTS 2024年1月

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開催年月日： 2024年8月

記述言語：英語

国名：大韓民国

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プラズマスパッタによる高移動度アモルファスITO成膜におけるハイブリッド機械学習モデル

鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学国名：日本国
Large-Scale Fabrication of Tm3 Fe5 O12 Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy Using Magnetron Sputtering 国際会議

A. M. Nurut, S. Obinata, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Yamashita

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
イネ種皮のプラズマ起因化学種透過性の二次元分布解析

史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学国名：日本国
プラズマ照射によるシロイヌナズナ種皮の物質透過性変化

奥村賢直, 古閑一憲, アタリパンカジ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 南原英司

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学国名：日本国
大気圧プラズマを用いた窒素固定における電極温度の効果

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学国名：日本国
CxHy+ArプラズマCVDを用いた水素化アモルファスカーボン膜の堆積特性に対するガス圧力の効果

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学国名：日本国
CxHy+ArプラズマCVDを用いた水素化アモルファスカーボン膜の堆積特性に対するガス圧力の効果

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

開催地：東京都市大学国名：日本国

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大気圧プラズマを用いた窒素固定における電極温度の効果

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

開催地：東京都市大学国名：日本国

researchmap
プラズマ照射によるシロイヌナズナ種皮の物質透過性変化

奥村賢直, 古閑一憲, アタリパンカジ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 南原英司

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

開催地：東京都市大学国名：日本国

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プラズマスパッタによる高移動度アモルファスITO成膜におけるハイブリッド機械学習モデル

鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

開催地：東京都市大学国名：日本国

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イネ種皮のプラズマ起因化学種透過性の二次元分布解析

史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語

開催地：東京都市大学国名：日本国

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Large-Scale Fabrication of Tm3 Fe5 O12 Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy Using Magnetron Sputtering 国際会議

A. M. Nurut, S. Obinata, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani, N. Yamashita

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語

開催地：東京都市大学国名：日本国

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Sputtering deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films on seed layers grown via solid phase crystallization of fractionally crystallized ZnON films 国際会議

Y. Wada, S. Zhiyuan, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Deposition of carbon nanoparticles fabricated by multi-hollow discharge plasma CVD on DC biased substrates 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M.Shiratani

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Molecular structure analysis of DBD plasma irradiated DMPO by LC-MS 国際会議

T. Okumura, H. Shi, P.Attri, D. Yamasita, K. Kamataki, N.Yamasita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratan

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Nitrogen Fixation to Leaf Mold Using Air Plasma and Evaluation of Phenotype Response of Sugarcane to Nitrogen-Fixed Fertilizer 国際会議

T.Nakao, T. Okumura, P. Attri, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Koga

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Deposition of carbon nanoparticles fabricated by multi-hollow discharge plasma CVD on DC biased substrates 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M.Shiratani

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語

開催地：名古屋大学国名：日本国

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Sputtering deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films on seed layers grown via solid phase crystallization of fractionally crystallized ZnON films 国際会議

Y. Wada, S. Zhiyuan, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語

開催地：名古屋大学国名：日本国

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Nitrogen Fixation to Leaf Mold Using Air Plasma and Evaluation of Phenotype Response of Sugarcane to Nitrogen-Fixed Fertilizer 国際会議

T.Nakao, T. Okumura, P. Attri, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, K. Koga

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語

開催地：名古屋大学国名：日本国

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Molecular structure analysis of DBD plasma irradiated DMPO by LC-MS 国際会議

T. Okumura, H. Shi, P.Attri, D. Yamasita, K. Kamataki, N.Yamasita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratan

ISPlasma 2024年3月

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：英語

開催地：名古屋大学国名：日本国

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プラズマスパッタによる高品質アモルファスITO薄膜形成のためのハイブリッド機械学習モデル招待

鎌滝晋礼，板垣奈穂，山下大輔, 奥村賢直，山下尚人, 古閑一憲, 白谷正治

2024年1月

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開催年月日： 2024年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学国名：日本国
プラズマスパッタによる高品質アモルファスITO薄膜形成のためのハイブリッド機械学習モデル招待

鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 古閑一憲, 白谷正治

SPP-41 2024年1月

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開催年月日： 2024年1月

記述言語：日本語

開催地：東京工業大学国名：日本国

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Effects of Carbon Nanoparticle Interposed between Two Hydrogenated Amorphous Carbon Films on Surface Morphology of a-C:H Film

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Enhancement of The Coercivity and Blocking Temperature of Co doped ZnO films by RF sputtering Using Nitrogen 国際会議

M. N. Agusutrisno, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Yamashita

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Evaluation of Elastic Parameters of a-C:H Film with Carbon Nanoparticles Using Nanoindentation Method 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Hybrid machine learning model prediction for high mobility amorphous ITO films fabricated by RF plasma sputtering 国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of Carbon Nanoparticle Interposed between Two Hydrogenated Amorphous Carbon Films on Surface Morphology of a-C:H Film

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第39回九州･山口プラズマ研究会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語

開催地：国立京都国際会館国名：日本国

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Hybrid machine learning model prediction for high mobility amorphous ITO films fabricated by RF plasma sputtering 国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語

開催地：国立京都国際会館国名：日本国

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Evaluation of Elastic Parameters of a-C:H Film with Carbon Nanoparticles Using Nanoindentation Method 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語

開催地：国立京都国際会館国名：日本国

researchmap
Enhancement of The Coercivity and Blocking Temperature of Co doped ZnO films by RF sputtering Using Nitrogen 国際会議

M. N. Agusutrisno, K. Kamataki, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, N. Yamashita

MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語

開催地：国立京都国際会館国名：日本国

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クメンを用いた二周波容量結合プラズマ CVD 法による a-C:H 膜の製膜特性

恵利眞人, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
PECVD を用いた a-C:H 成膜における添加希ガス種における成膜機構の違い

池田築, 大高真寛，大友洋，脇田大地，頼建勲，鎌滝晋礼, 山下大輔，奥村賢直，山下尚人，板垣奈穂，古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央，松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
任意波形放電による水素化アモルファスカーボン成膜：イオンフラックスが膜質に与える影響

脇田大地，大高真寛，池田築，頼建勲，大友洋，鎌滝晋礼，山下直人，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治，進藤崇央，松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
逆 Stranski-Krastanov モードによるサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜のエピタキシャル成長:バッファー層のモフォロジーの影響

畑昌太朗，中野祐太郎，成重椋太，山下尚人，鎌滝晋礼，奥村賢直，古閑一憲，白谷正治，木山治樹，板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
逆 Stranski-Krastanov モードを利用した異なるオフ角を有するサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

中野祐太郎，成重椋太，山下尚人，鎌滝晋礼，奥村賢直，古閑一憲，白谷正治，木山治樹，板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
放電電圧変調波形が高周波容量結合プラズマに与える影響：PIC-MCC シミュレーション

長尾伊織，山本祐馬，佐藤優志，鎌滝晋礼，山下尚人, 奥村賢直，木山治樹，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
水と大気圧プラズマの相互作用による二酸化炭素分解

乙部響, P. Attri，奥村賢直, 史合平, 中尾匠，日高直哉, 鎌滝晋礼，山下大輔，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
TEOS-PECVD における発光分光計測を用いたSiO2 薄膜膜質推定についての研究

佐藤優志, 山本祐馬, F. W. Sukuma, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国
PECVD を用いた a-C:H 成膜における添加希ガス種における成膜機構の違い

池田築, 大高真寛, 大友洋, 脇田大地, 頼建勲, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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逆 Stranski-Krastanov モードを利用した異なるオフ角を有するサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

中野祐太郎, 成重椋太, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 木山治樹, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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逆 Stranski-Krastanov モードによるサファイア基板上への(ZnO)x(InN)1-x 膜のエピタキシャル成長:バッファー層のモフォロジーの影響

畑昌太朗, 中野祐太郎, 成重椋太, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 木山治樹, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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水と大気圧プラズマの相互作用による二酸化炭素分解

乙部響, P. Attri, 奥村賢直, 史合平, 中尾匠, 日高直哉, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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放電電圧変調波形が高周波容量結合プラズマに与える影響：PIC-MCC シミュレーション

長尾伊織, 山本祐馬, 佐藤優志, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 奥村賢直, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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任意波形放電による水素化アモルファスカーボン成膜：イオンフラックスが膜質に与える影響

脇田大地, 大高真寛, 池田築, 頼建勲, 大友洋, 鎌滝晋礼, 山下直人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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クメンを用いた二周波容量結合プラズマ CVD 法による a-C:H 膜の製膜特性

恵利眞人, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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TEOS-PECVD における発光分光計測を用いたSiO2 薄膜膜質推定についての研究

佐藤優志, 山本祐馬, F. W. Sukuma, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第27回支部大会 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：日本語

開催地：山口KDDI維新ホール国名：日本国

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空気プラズマを用いた窒素固定に対する放電電力密度の効果

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

第40回プラズマ・核融合学会年会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アイーナ・いわて県民情報交流センター国名：日本国
空気プラズマを用いた窒素固定に対する放電電力密度の効果

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

第40回プラズマ・核融合学会年会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：アイーナ・いわて県民情報交流センター国名：日本国

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Sputtering deposition of single crystalline ZnO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode: effects of thickness of 3D island buffer layer

H. Otsuyama, R. Mitsuishi, T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
プラズマ中に浮遊する微粒子の帯電量の新評価法

井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, P. Yiming, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 富田健太郎

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国
TEOS-PECVD によるSiO2成膜におけるプラズマ発光強度と膜質の関係

山本祐馬, 佐藤優志, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国
任意電圧波形放電による容量結合プラズマにおける重畳周波数の効果：PIC-MCCモデル

頼建勳, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国
Sputtering deposition of single crystalline ZnO films on sapphire substrates via inverted Stranski-Krastanov mode: effects of thickness of 3D island buffer layer

H. Otsuyama, R. Mitsuishi, T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国

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任意電圧波形放電による容量結合プラズマにおける重畳周波数の効果：PIC-MCCモデル

頼建勳, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国

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プラズマ中に浮遊する微粒子の帯電量の新評価法

井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, P. Yiming, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 富田健太郎

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国

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TEOS-PECVD によるSiO2成膜におけるプラズマ発光強度と膜質の関係

山本祐馬, 佐藤優志, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 8th Asian Applied Physics Conference 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：九州大学伊都キャンパス国名：日本国

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Comparative study of deposition characteristics of different precursors for plasma CVD 国際会議

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kunihiro, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

DPS2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Quantitative Analysis of Electric Field Intensity Generated by Scalable Dielectric Barrier Discharge Electrodes for Irradiating to Plant Seeds 国際会議

K. Koga, T. Okumura, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, M. Shiratani

DPS2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Comparative study of deposition characteristics of different precursors for plasma CVD 国際会議

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kunihiro, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

DPS2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語

開催地：ウインク愛知国名：日本国

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Quantitative Analysis of Electric Field Intensity Generated by Scalable Dielectric Barrier Discharge Electrodes for Irradiating to Plant Seeds 国際会議

K. Koga, T. Okumura, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, M. Shiratani

DPS2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語

開催地：ウインク愛知国名：日本国

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質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における分子修飾解析

史合平,奥村賢直,パンカジアトリ,山下大輔,鎌滝晋礼,山下尚人,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国
大量処理のためのプラズマ照射による土壌への窒素固定化の最適化

中尾匠,奥村賢,アタリパンカジ,山下大輔,鎌滝晋礼,山下尚人,板垣奈穂,白谷正治,古閑一憲

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国
液体クロマトグラフィー質量分析法を用いたプラズマ被照射物からの亜硝酸塩および硝酸塩の同時検出法の開発

日高直哉,奥村賢直,アタリパンカジ,鎌滝晋礼,山下尚人,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国
スケーラブル誘電体バリア放電プラズマを照射したDMPOの質量分析

乙部響,史合平,奥村賢直,阿南輝樹,アタリパンカジ,山下大輔,鎌滝晋礼,山下尚人,板垣奈穂,古閑一憲,白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国
質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における分子修飾解析

史合平, 奥村賢直, パンカジアトリ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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液体クロマトグラフィー質量分析法を用いたプラズマ被照射物からの亜硝酸塩および硝酸塩の同時検出法の開発

日高直哉, 奥村賢直, アタリパンカジ, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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大量処理のためのプラズマ照射による土壌への窒素固定化の最適化

中尾匠, 奥村賢, アタリパンカジ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治, 古閑一憲

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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スケーラブル誘電体バリア放電プラズマを照射したDMPOの質量分析

乙部響, 史合平, 奥村賢直, 阿南輝樹, アタリパンカジ, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第33回日本MRS年次大会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：日本語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Predictions for High Mobility Amorphous ITO(In2O3:Sn) Films via Hybrid Machine Learning Model 国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

AAPPS-DPP2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Predictions for High Mobility Amorphous ITO(In2O3:Sn) Films via Hybrid Machine Learning Model 国際会議

K. Kamataki, N. Itagaki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, K. Koga, M. Shiratani

AAPPS-DPP2023 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語

開催地：ポートメッセ名古屋国名：日本国

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Highly sensitive electric field vector measurements using an optically trapped fine particle 国際会議

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：大韓民国
Controlling the synthesis, transport, and surface coverage of carbon nanoparticles using plasma CVD 国際会議

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Evaluation of carbon nanoparticle adhesion on substrate surface deposited by plasma CVD 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Controlling the synthesis, transport, and surface coverage of carbon nanoparticles using plasma CVD 国際会議

S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語

開催地：ねぶたの家ワ・ラッセ国名：日本国

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Highly sensitive electric field vector measurements using an optically trapped fine particle 国際会議

M. Shiratani, T. Sato, K. Kamataki, S. W. Fitriani, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語

開催地：ねぶたの家ワ・ラッセ国名：大韓民国

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Evaluation of carbon nanoparticle adhesion on substrate surface deposited by plasma CVD 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

Global Plasma Forum in Aomori 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語

開催地：ねぶたの家ワ・ラッセ国名：日本国

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Evaluation of Interaction Between Substrate and Nanoparticles Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N.Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

GEC 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）
Evaluation of Interaction Between Substrate and Nanoparticles Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

K. Koga, S. Ono, M. Eri, T. Okumura, K. Kamataki, N.Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

GEC 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語

開催地：Michigan League

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プラズマ照射による窒素固定肥料へのサトウキビの表現型応答解析

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測(4)

鎌滝晋礼, 佐藤斗真, 井口恒聖, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成と透明導電膜シード層としての効果：ZnON膜の結晶化度の影響

和田義晴, 沈志遠, 薮田久人, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
逆Stranski-Krastanovモードを用いたサファイア基板上へのZnO単結晶膜成長：MgOバッファー層の効果

湯上貴文, 矢高功太郎, 山下尚人, 山下大輔,　奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
サファイア基板上への原子ステップを有するZn1-xMgxO薄膜の形成：3次元島バッファー層の形成温度の影響

矢高功太郎, 湯上貴文, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
ZnOおよびScAlMgO4ステップ基板上への(ZnO)x(InN)1-x膜の室温エピタキシャル成長

成重椋太, 中野祐太朗, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 薮田久人, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
逆Stranski-Krastanovモードによる格子不整合基板上への原子平坦 (ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

中野祐太郎, 成重椋太, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 木山治樹, 薮田久人, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
質量分析を用いたプラズマ照射DMPOの分子修飾解析

史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
サンドウィッチ構造 a-C:H 膜の剥離と強度に対する膜界面に堆積したナノ粒子の効果

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
任意波形放電を用いた水素化アモルファスカーボン膜の膜質制御

大高真寛,大友洋, 池田築, 頼建勲, 脇田大地, 鎌滝晋礼, 山下直人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
ZnON膜からの固相結晶化ZnO膜の形成と透明導電膜シード層としての効果：ZnON膜の結晶化度の影響

和田義晴, 沈志遠, 薮田久人, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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逆Stranski-Krastanovモードを用いたサファイア基板上へのZnO単結晶膜成長：MgOバッファー層の効果

湯上貴文, 矢高功太郎, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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逆Stranski-Krastanovモードによる格子不整合基板上への原子平坦 (ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

中野祐太郎, 成重椋太, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 木山治樹, 薮田久人, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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質量分析を用いたプラズマ照射DMPOの分子修飾解析

史合平, 奥村賢直, P. Attri, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測(4)

鎌滝晋礼, 佐藤斗真, 井口恒聖, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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任意波形放電を用いた水素化アモルファスカーボン膜の膜質制御

大高真寛, 大友洋, 池田築, 頼建勲, 脇田大地, 鎌滝晋礼, 山下直人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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プラズマ照射による窒素固定肥料へのサトウキビの表現型応答解析

中尾匠, 奥村賢直, パンカジアタリ, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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サンドウィッチ構造 a-C:H 膜の剥離と強度に対する膜界面に堆積したナノ粒子の効果

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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サファイア基板上への原子ステップを有するZn1-xMgxO薄膜の形成：3次元島バッファー層の形成温度の影響

矢高功太郎, 湯上貴文, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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ZnOおよびScAlMgO4ステップ基板上への(ZnO)x(InN)1-x膜の室温エピタキシャル成長

成重椋太, 中野祐太朗, 山下尚人, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 薮田久人, 板垣奈穂

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：熊本城ホール他国名：日本国

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質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における変動分子の組織別解析

史合平, 奥村賢直, A. Pankaj, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学国名：日本国
大気圧空気プラズマによる硝酸態窒素固定量に対する放電電力密度依存性

中尾匠, 奥村賢直, A. Pankaj, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：崇城大学国名：日本国
大気圧空気プラズマによる硝酸態窒素固定量に対する放電電力密度依存性

中尾匠, 奥村賢直, A. Pankaj, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：崇城大学国名：日本国

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質量分析を用いたプラズマ照射イネ種子における変動分子の組織別解析

史合平, 奥村賢直, A. Pankaj, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語

開催地：崇城大学国名：日本国

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Measurement of electric field, UV photons, and long-lifetime reactive species generated by atmospheric pressure air plasma for plasma bio applications 国際会議

T. Okumura, S. Tsuboyama, Y. Tagawa, T. Nakao, T. Anan, H. Tanaka, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, K. Kuchitsu

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Effects of tailored voltage waveform discharges on deposition of hydrogenated amorphous carbon films by CH4/Ar capacitively coupled plasma 国際会議

M. Otaka, H. Otomo, K. Ikeda, J. Lai, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Optical tweezers technique for electric field strength and fluctuation measurements in plasma using a fine particle 国際会議

T. Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Control of ion trajectory in high aspect ratio trenches by using amplitude modulated rf discharges 国際会議

I. Nagao, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Investigation of particle charge and interparticle interaction in a plasma 国際会議

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Coverage control of carbon nanoparticles on substrate using capacitively coupled plasma chemical vapor deposition 国際会議

K. Koga, S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Sputter epitaxy of atomically flat (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnO(N) buffer layers fabricated by Ar/N2 discharges 国際会議

Y. Nakano, R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Deposition characteristics of cumene plasma CVD for high-speed deposition of high-density a-C:H films 国際会議

S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Relation between Spatial Distribution of Optical Emission Intensity and SiO2 Film Property in TEOS-PECVD 国際会議

Y. Yamamoto, I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Effects of Ne mixing on plasma enhanced chemical vapor deposition of a-C:H films using CH4/Ar/Ne capacitively coupled discharges 国際会議

K. Ikeda, M. Otaka, H. Otomo, T. Arima, J. Lai, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Sputter epitaxy of Zn1-xMgxO films on lattice-mismatched sapphire substrates utilizing ZnO(N)/MgO buffer layers fabricated by Ar/N2 and Ar/O2 discharges 国際会議

T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Pseudomorphic growth of (ZnO)x(InN)1-x films on ZnO substrates by magnetron sputtering using Ar/N2/O2 discharges 国際会議

R. Narishige, Y. Nakano, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Sputter deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films using ZnO seed layers grown via solid-phase crystallization 国際会議

Y. Wada, Z. Shen, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Effects of lower discharge frequency on ion energy distribution function in dual frequency plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo method 国際会議

J. Lai, T. Arima, M. Otaka, K. Ikeda, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オランダ王国
Control of ion trajectory in high aspect ratio trenches by using amplitude modulated rf discharges 国際会議

I. Nagao, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Sputter epitaxy of Zn1-xMgxO films on lattice-mismatched sapphire substrates utilizing ZnO(N)/MgO buffer layers fabricated by Ar/N2 and Ar/O2 discharges 国際会議

T. Yunoue, K. Yataka, N. Yamashita, D. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Sputter epitaxy of atomically flat (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnO(N) buffer layers fabricated by Ar/N2 discharges 国際会議

Y. Nakano, R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Sputter deposition of low resistive 30-nm-thick ZnO:Al films using ZnO seed layers grown via solid-phase crystallization 国際会議

Y. Wada, Z. Shen, H. Yabuta, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Relation between Spatial Distribution of Optical Emission Intensity and SiO2 Film Property in TEOS-PECVD 国際会議

Y. Yamamoto, I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Pseudomorphic growth of (ZnO)x(InN)1-x films on ZnO substrates by magnetron sputtering using Ar/N2/O2 discharges 国際会議

R. Narishige, Y. Nakano, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, H. Kiyama, K. Koga, M. Shiratani, H. Yabuta, N. Itagaki

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Optical tweezers technique for electric field strength and fluctuation measurements in plasma using a fine particle 国際会議

T. Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Measurement of electric field, UV photons, and long-lifetime reactive species generated by atmospheric pressure air plasma for plasma bio applications 国際会議

T. Okumura, S. Tsuboyama, Y. Tagawa, T. Nakao, T. Anan, H. Tanaka, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, P. Attri, K. Koga, M. Shiratani, K. Kuchitsu

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Investigation of particle charge and interparticle interaction in a plasma 国際会議

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Effects of tailored voltage waveform discharges on deposition of hydrogenated amorphous carbon films by CH4/Ar capacitively coupled plasma 国際会議

M. Otaka, H. Otomo, K. Ikeda, J. Lai, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Effects of Ne mixing on plasma enhanced chemical vapor deposition of a-C:H films using CH4/Ar/Ne capacitively coupled discharges 国際会議

K. Ikeda, M. Otaka, H. Otomo, T. Arima, J. Lai, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, H. Kiyama, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, T. Shindo, S. Tanaka, T. Matsudo

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Effects of lower discharge frequency on ion energy distribution function in dual frequency plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo method 国際会議

J. Lai, T. Arima, M. Otaka, K. Ikeda, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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Deposition characteristics of cumene plasma CVD for high-speed deposition of high-density a-C:H films 国際会議

S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

researchmap
Coverage control of carbon nanoparticles on substrate using capacitively coupled plasma chemical vapor deposition 国際会議

K. Koga, S. Ono, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

ICPIG2023 2023年7月

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開催年月日： 2023年7月

記述言語：英語

開催地：Hotel Zuiderduin, Egmonf aan Zee 国名：オランダ王国

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プラズマ中帯電微粒子の相互作用に関する研究

井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, P. Yiming, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度日本表面真空学会　九州支部学術講演会 2023年6月

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アルカス佐世保国名：日本国
ナノ粒子を用いた膜界面の形状ゆらぎによる膜応力低減

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度日本表面真空学会　九州支部学術講演会 2023年6月

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：アルカス佐世保国名：日本国
ナノ粒子を用いた膜界面の形状ゆらぎによる膜応力低減

小野晋次郎, 恵利眞人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 木山治樹, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度日本表面真空学会九州支部学術講演会 2023年6月

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語

開催地：アルカス佐世保国名：日本国

researchmap
プラズマ中帯電微粒子の相互作用に関する研究

井口恒聖, 佐藤斗真, 鎌滝晋礼, 富田健太郎, P. Yiming, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

2023年度日本表面真空学会九州支部学術講演会 2023年6月

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開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語

開催地：アルカス佐世保国名：日本国

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Prediction of Plasma CVD Process Data of a-Si:H Films via Machine Learning 国際会議

K. Kamataki, F. L. Chawarambwa, D. Yamashita, N. Yamashita, T.Okumura, N. Itagaki, K.Koga, M. Shiratani

ISPC25 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Prediction of Plasma CVD Process Data of a-Si:H Films via Machine Learning 国際会議

K. Kamataki, F. L. Chawarambwa, D. Yamashita, N. Yamashita, T.Okumura, N. Itagaki, K.Koga, M. Shiratani

ISPC25 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語

開催地：みやこめっせ国名：日本国

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プラズマCVD法で堆積した2層a-C:Hの機械的強度に対するカーボンナノ粒子挿入の効果

田渕竜也, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学国名：日本国
Non-off Axis Sputtering Deposition of Ferrimagnetic Insulator Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy

2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
プラズマ照射によるレタス種子表面および内部の分子変動

阿南輝樹, 奥村賢直, アトリパンカジ, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学国名：日本国
光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測(3)

鎌滝晋礼, 佐藤斗真, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学国名：日本国
Non-off Axis Sputtering Deposition of Ferrimagnetic Insulator Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy

山下尚人, A. Agustrisno, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, C. Marrows

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：英語

開催地：上智大学国名：日本国

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光ピンセットによる捕捉微粒子を用いたArプラズマ中の電場強度分布及び電場揺動計測(3)

鎌滝晋礼, 佐藤斗真, 富田健太郎, P. Yiming, 山下大輔, 山下尚人, 奥村賢直, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語

開催地：上智大学国名：日本国

researchmap
プラズマ照射によるレタス種子表面および内部の分子変動

阿南輝樹, 奥村賢直, アトリパンカジ, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語

開催地：上智大学国名：日本国

researchmap
プラズマCVD法で堆積した2層a-C:Hの機械的強度に対するカーボンナノ粒子挿入の効果

田渕竜也, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語

開催地：上智大学国名：日本国

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A Study of Solid-phase Crystallization of Amorphous ZnON Films 国際会議

Z. Shen, Y. Mido, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani1, H. Yabuta, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Measurement of fluctuation of electric field in Ar plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers 国際会議

T. Sato, S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Structural Characteristics of Carbon Sphere Composite Deposited by Ar+CH4 Plasma Chemical Vapor Deposition Method 国際会議

K. Koga, S. H. Hwang, S. Ono, D. Yoshikawa, T. 0kumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M.Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputtering deposition of single crystalline Zn1-xMgxO films on sapphire substrate via inverted Staranski-Krastanov mode: effects of substrate 国際会議

K.Yataka, N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Time resolved optical emission spectroscopy in Ar and Ar/Ne capacitively coupled radio frequency plasma. 国際会議

M. Otaka, D. Nagamatsu, T. Arima, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fluctuation of plasma and amount of nanoparticles in TEOS amplitude modulated rf discharge 国際会議

A. Yamamoto, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of Amplitude Modulation Discharge on Ion Energy and Angular Distributions studied by PIC-MCC method 国際会議

I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of Gas Pressure on Deposition Characteristics of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Produced by Ar + CH4 Capacitively Coupled Plasma 国際会議

S. Ono, S. H. Hwang, D. Yoshikawa, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Masaharu

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of thermal treatment of ZnO substrates on epitaxial growth of (ZnO)x(InN)1-x films fabricated by magnetron sputtering 国際会議

R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of RF powers on the crystal quality and surface morphology of single crystalline ZnO films deposited by magnetron sputtering 国際会議

R. Mitsuishi, N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Microscopic analysis of single crystalline Zn1-xMgxO thin films on sapphire grown via inverted Stranski-Krastanov mode 国際会議

N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of lower discharge frequency on plasma parameters in capacitively coupled plasmas studied by particle-in-cell/Monte Carlo collision method 国際会議

T. Arima, M. Otaka, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Developing Prediction of Key Process Parameters and Sputtering Conditions for Amorphous and high Mobility ITO/In2O3 Films via Machine Learning 国際会議

K. Kamataki, Y. Mido, I. Nagao, D. Yamashita, T. Okumura, N.Yamashita, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
A Study of Solid-phase Crystallization of Amorphous ZnON Films 国際会議

Z. Shen, Y. Mido, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani1, H. Yabuta, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Time resolved optical emission spectroscopy in Ar and Ar/Ne capacitively coupled radio frequency plasma. 国際会議

M. Otaka, D. Nagamatsu, T. Arima, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Structural Characteristics of Carbon Sphere Composite Deposited by Ar+CH4 Plasma Chemical Vapor Deposition Method 国際会議

K. Koga, S. H. Hwang, S. Ono, D. Yoshikawa, T. 0kumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M.Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Sputtering deposition of single crystalline Zn1-xMgxO films on sapphire substrate via inverted Staranski-Krastanov mode: effects of substrate 国際会議

K.Yataka, N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Microscopic analysis of single crystalline Zn1-xMgxO thin films on sapphire grown via inverted Stranski-Krastanov mode 国際会議

N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Measurement of fluctuation of electric field in Ar plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers 国際会議

T. Sato, S. Okunaga, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Fluctuation of plasma and amount of nanoparticles in TEOS amplitude modulated rf discharge 国際会議

A. Yamamoto, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Effects of thermal treatment of ZnO substrates on epitaxial growth of (ZnO)x(InN)1-x films fabricated by magnetron sputtering 国際会議

R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Effects of RF powers on the crystal quality and surface morphology of single crystalline ZnO films deposited by magnetron sputtering 国際会議

R. Mitsuishi, N. Yamashita, D. Takahashi, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, N. Itagaki

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Effects of lower discharge frequency on plasma parameters in capacitively coupled plasmas studied by particle-in-cell/Monte Carlo collision method 国際会議

T. Arima, M. Otaka, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Effects of Gas Pressure on Deposition Characteristics of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Produced by Ar + CH4 Capacitively Coupled Plasma 国際会議

S. Ono, S. H. Hwang, D. Yoshikawa, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Masaharu

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Effects of Amplitude Modulation Discharge on Ion Energy and Angular Distributions studied by PIC-MCC method 国際会議

I. Nagao, A. Yamamoto, K. Kamataki, D. Yamashita, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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Developing Prediction of Key Process Parameters and Sputtering Conditions for Amorphous and high Mobility ITO/In2O3 Films via Machine Learning 国際会議

K. Kamataki, Y. Mido, I. Nagao, D. Yamashita, T. Okumura, N.Yamashita, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

7th International Conference on Advances in Functional Materials(AFM-2022) 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語

開催地：九州大学医学部百年講堂国名：日本国

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サファイア基板上への Zn1-xMgxO 膜のスパッタエピタキシー：ZnON/MgO バッファー層の効果

湯上貴文, 矢高功太郎, 三石遼, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲，白谷正治, 薮田久人, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
プラズマ照射を用いて窒素リッチ化した肥料で栽培したサトウキビの生育評価

中尾匠，小野晋二郎，山本小龍，内野泰祐，奥村賢直，P. Attri，古閑一憲, 山下大輔，鎌滝晋礼，山下尚人，板垣奈穂，白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
水への CO₂プラズマ照射による選択的 CO 生成

内野泰佑, アタリパンカジ, 奥村賢直, 古閑一憲，山下大輔, 鎌滝普礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
Ar/Ne/CH4 プラズマ CVD による a-C:H 成膜への Ne 混合効果

池田築，大高真寛，大友洋，有馬聡明，頼建勲，鎌滝晋礼, 山下大輔，奥村賢直，山下尚人，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治, 進藤崇央，田中諭志，松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
ナノインデンテーションを用いた a-C:H/CNP/a-C:H サンドイッチ構造膜の機械的強度評価

田渕竜也, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲，白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
固相結晶成長した ZnO シード層上への ZnO:Al 膜のスパッタリング成膜

和田義晴, 沈志遠, 薮田久人, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲，白谷正治, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国
Ar/Ne/CH4 プラズマ CVD による a-C:H 成膜への Ne 混合効果

池田築, 大高真寛, 大友洋, 有馬聡明, 頼建勲, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 奥村賢直, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治, 進藤崇央, 田中諭志, 松土龍夫

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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水への CO₂プラズマ照射による選択的 CO 生成

内野泰佑, アタリパンカジ, 奥村賢直, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝普礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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固相結晶成長した ZnO シード層上への ZnO:Al 膜のスパッタリング成膜

和田義晴, 沈志遠, 薮田久人, 山下尚人, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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プラズマ照射を用いて窒素リッチ化した肥料で栽培したサトウキビの生育評価

中尾匠, 小野晋二郎, 山本小龍, 内野泰祐, 奥村賢直, P. Attri, 古閑一憲, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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ナノインデンテーションを用いた a-C:H/CNP/a-C:H サンドイッチ構造膜の機械的強度評価

田渕竜也, 小野晋次郎, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 山下尚人, 板垣奈穂, 古閑一憲, 白谷正治

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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サファイア基板上への Zn1-xMgxO 膜のスパッタエピタキシー：ZnON/MgO バッファー層の効果

湯上貴文, 矢高功太郎, 三石遼, 山下尚人, 山下大輔, 奥村賢直, 鎌滝晋礼, 木山治樹, 古閑一憲, 白谷正治, 薮田久人, 板垣奈穂

プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口支部第26回支部大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：日本語

開催地：九州大学筑紫キャンパス国名：日本国

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Influence of Seed Dormancy on Plasma Irradiation Effects on their Germination 国際会議

K. Koga, T. Okumura, P. Attri, T. Anan, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Ishibashi, S. Tsuboyama, K. Kuchitsu, K. Ishikawa, M. Hori

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Formation of Graphene Nanoribbon-like Structure in Carbon Nanoparticles Fabricated by Ar+CH4 Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

S. Ono, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, J. S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of Amplitude Modulated Discharge on SiO2 film qualities in TEOS Plasma CVD 国際会議

Y. Yamamoto, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Investigation of dual frequency method in capacitively coupled plasmas using particle-in-cell/Monte Carlo method 国際会議

J. Lai, T. Arima, M. Otaka, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Measurement of the charge on single fine particles in plasma 国際会議

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, Y. Pan, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Discharge frequency dependence on spatio-temporal distribution of excitation rates of Ar 2p1 and Ne 2p1 in Ar and Ar/Ne capacitively coupled plasmas 国際会議

K. Ikeda, M. Otaka, T. Arima, J. Lai, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improvement of Germination Characteristics of Sorghum bicolor Seeds Irradiated by Surface Discharge Plasma 国際会議

S. Yamamoto, T. Nakao, T. Anan, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Yanagawa, S. Shimada

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Plasma Irradiation-induced Molecular Modification of Quercetin as Plant Antioxidant 国際会議

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Study on biomolecules extracted from plasma-irradiated plant seeds using quadrupole mass spectrometer 国際会議

T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Electric fields measurement using an optically trapped charged particle in Ar plasma (Invited) 招待国際会議

K. Kamataki, T. Sato, k. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Amorphous In-Ga-Mg-O thin film: Optical, Electrical Properties and TFT characteristics 国際会議

H.Yabuta, N. Itagaki, T. Ekino, Y. Shigesato

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Predictive Analytics in Impurity Mediated Amorphization Plasma Sputtering Process using Machine Learning tools and Techniques 国際会議

F. L. Chawarambwa, M. Shiratani, K. Kamataki, N. Itagaki

2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Amorphous In-Ga-Mg-O thin film: Optical, Electrical Properties and TFT characteristics 国際会議

H.Yabuta, N. Itagaki, T. Ekino, Y. Shigesato

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Study on biomolecules extracted from plasma-irradiated plant seeds using quadrupole mass spectrometer 国際会議

T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Predictive Analytics in Impurity Mediated Amorphization Plasma Sputtering Process using Machine Learning tools and Techniques 国際会議

F. L. Chawarambwa, M. Shiratani, K. Kamataki, N. Itagaki

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Plasma Irradiation-induced Molecular Modification of Quercetin as Plant Antioxidant 国際会議

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, D. Yamashita, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Measurement of the charge on single fine particles in plasma 国際会議

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, Y. Pan, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Investigation of dual frequency method in capacitively coupled plasmas using particle-in-cell/Monte Carlo method 国際会議

J. Lai, T. Arima, M. Otaka, I. Nagao, K. Kamataki, D. Yamashita, N. Yamashita, N. Itagaki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Influence of Seed Dormancy on Plasma Irradiation Effects on their Germination 国際会議

K. Koga, T. Okumura, P. Attri, T. Anan, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani, Y. Ishibashi, S. Tsuboyama, K. Kuchitsu, K. Ishikawa, M. Hori

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Improvement of Germination Characteristics of Sorghum bicolor Seeds Irradiated by Surface Discharge Plasma 国際会議

S. Yamamoto, T. Nakao, T. Anan, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Yanagawa, S. Shimada

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Formation of Graphene Nanoribbon-like Structure in Carbon Nanoparticles Fabricated by Ar+CH4 Plasma Chemical Vapor Deposition 国際会議

S. Ono, S. H. Hwang, T. Okumura, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, J. S. Oh, S. Takabayashi, T. Nakatani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Electric fields measurement using an optically trapped charged particle in Ar plasma (Invited) 招待国際会議

K. Kamataki, T. Sato, k. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Effects of Amplitude Modulated Discharge on SiO2 film qualities in TEOS Plasma CVD 国際会議

Y. Yamamoto, A. Yamamoto, I. Nagao, M. Otaka, D. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Discharge frequency dependence on spatio-temporal distribution of excitation rates of Ar 2p1 and Ne 2p1 in Ar and Ar/Ne capacitively coupled plasmas 国際会議

K. Ikeda, M. Otaka, T. Arima, J. Lai, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

第32回日本MRS年次大会 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月

記述言語：英語

開催地：横浜市産業貿易センタービル国名：日本国

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Sputter epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnON buffer layers

Y. Nakano, R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta, N. Itagaki

2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
二周波重畳容量結合並行平板放電の PIC-MCC シミュレーション:駆動周波数の効果

有馬聡明, 頼建勲, 大高真寛, 池田築, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 山下尚人, 板垣奈穂, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治

2022年(令和４年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 7th Asian Applied Physics Conference 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大分大学国名：日本国
Sputtering deposition of ZnO:Al Transparent Conducting Films on Seed Layers Crystallized via Thermal Annealing of Amorphous ZnON Films

Z. Shen, H. Yabuta, Y. Wada, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, N. Itagaki

2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Sputter epitaxy of (ZnO)x(InN)1-x films on sapphire substrates using ZnON buffer layers

Y. Nakano, R. Narishige, N. Yamashita, K. Kamataki, T. Okumura, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, H. Yabuta, N. Itagaki

2022年(令和４年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 7th Asian Applied Physics Conference 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：大分大学国名：日本国

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二周波重畳容量結合並行平板放電の PIC-MCC シミュレーション:駆動周波数の効果

有馬聡明, 頼建勲, 大高真寛, 池田築, 長尾伊織, 鎌滝晋礼, 山下大輔, 山下尚人, 板垣奈穂, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治

2022年(令和４年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 7th Asian Applied Physics Conference 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：日本語

開催地：大分大学国名：日本国

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Sputtering deposition of ZnO:Al Transparent Conducting Films on Seed Layers Crystallized via Thermal Annealing of Amorphous ZnON Films

Z. Shen, H. Yabuta, Y. Wada, N. Yamashita, T. Okumura, K. Kamataki, K. Koga, M. Shiratani, H. Kiyama, N. Itagaki

2022年(令和４年度)応用物理学会九州支部学術講演会 / The 7th Asian Applied Physics Conference 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：大分大学国名：日本国

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One-dimensional particle-in-cell / Monte Carlo collision model simulation of the effects of amplitude modulation discharge on ion/electron energy distribution functions 国際会議

I. Nagao, A. Yamamoto, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

DPS2022 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of plasma activ ated lact ate solution administration to seeds of Arabidopsis thaliana on germination characteristics 国際会議

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi, S. Tsuboyama, K. Hashimoto, K. Kuchitsu, H. Hashizume, K. Ishikawa, M. Hori

DPS2022 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of plasma activ ated lact ate solution administration to seeds of Arabidopsis thaliana on germination characteristics 国際会議

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi, S. Tsuboyama, K. Hashimoto, K. Kuchitsu, H. Hashizume, K. Ishikawa, M. Hori

DPS2022 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：大阪国際会議場国名：日本国

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One-dimensional particle-in-cell / Monte Carlo collision model simulation of the effects of amplitude modulation discharge on ion/electron energy distribution functions 国際会議

I. Nagao, A. Yamamoto, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

DPS2022 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：大阪国際会議場国名：日本国

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Enhancing output power of polymer electrolytes DSSCs with V-shape lowconcentrated light systems 国際会議

2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国
Enhancing output power of polymer electrolytes DSSCs with V-shape lowconcentrated light systems 国際会議

T. E. Putri, F. L. Chawarambwa, P. Attri, K. Kamataki, N. ltagaki, K. Koga, M. Shiratani

PVSEC-33 2022年11月

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開催年月日： 2022年11月

記述言語：英語

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国

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Study of electric field measurements in Ar plasmas using an optically trapped fine particle 国際会議

T.Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N.Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

AAPPS-DPP 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Study of electric field measurements in Ar plasmas using an optically trapped fine particle 国際会議

T.Sato, K. Kamataki, K. Tomita, P. Yiming, D. Yamashita, N.Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

AAPPS-DPP 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語

開催地：オンライン国名：日本国

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The role of post-annealing treatment on ZnO:Co structure and magnetic transition grown by sputtering deposition 国際会議

A. M. Nurut, N. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

ICIEE 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：インドネシア共和国
The role of post-annealing treatment on ZnO:Co structure and magnetic transition grown by sputtering deposition 国際会議

A. M. Nurut, N. Yamashita, K. Kamataki, K. Koga, N. Itagaki, M. Shiratani

ICIEE 2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語

開催地：Indonesia,Yogyakarta・オンライン国名：インドネシア共和国

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Plasma irradiation-introduced RONS amount into plant seeds and their response analysis 国際会議

T. Okumura, T. Anan, P. Attri, Y. Tsukada, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani, Y. Ishibashi

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Role of short-lived nitrogen species generated at low-pressure RF plasma on the germination and seedling growth 国際会議

K. Koga, P. Attri, T. Okumura, T. Anan, T. Nakao, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, M. Shiratani

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Measurements of strength and fluctuation of 2D electric fields in plasmas using a fine particle trapped with laser tweezers(Invited) 招待国際会議

K. Kamataki, T. Sato, K. Tomita, P. Yimin, D. Yamashita, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effects of amplitude modulation discharge on behavior of oxygen ions in Ar/O2 capacitively coupled plasma studied by particle-in-cell/Monte Carlo collision model 国際会議

I. Nagao, A. Yamamoto, Y. Yamamoto, K. Kamataki, T. Okumura, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Pressure dependence on spatio-temporal distribution of excitation rates of Ar 2p1 and Ne 2p1 in Ar and Ar/Ne capacitively coupled plasmas 国際会議

M. Otaka, T. Arima, J. Lai, K. Ikeda, K. Kamataki, N. Yamashita, T. Okumura, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of plasma irradiation on germination of lettuce seeds with fluctuating dormancy 国際会議

T. Anan, T. Nakao, T. Okumura, P. Attri, K. Kamataki, N. Yamashita, N. Itagaki, K. Koga, M. Shiratani

ICRP-11/GCE2022 2022年10月

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