研究者詳細 - 山本圭介

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ヤマモト　ケイスケ

山本圭介

YAMAMOTO KEISUKE

所属

総合理工学研究院エネルギー科学部門教授
■廃止組織■ アドバンストプロジェクト部門（併任）
総合理工学府総合理工学専攻（併任）

連絡先

プロフィール

2013年1月～2016年10月まで、グリーンアジア国際教育センターの助教として、｢文部科学省博士課程教育リーディングプログラムグリーンアジア国際戦略プログラム｣の運営推進・コース学生指導を担当した。 2016年11月からは総合理工学研究院に異動し、｢先端半導体の材料・プロセス・デバイス技術の開発｣を中心に研究および総合理工学府大学院生・工学部融合基礎工学科学部生の指導を行なっている。

ホームページ

http://www.tj.kyushu-u.ac.jp/leading/index.html
グリーンアジア国際戦略プログラム
https://www.gic.kyushu-u.ac.jp/functionaldevices/
総合理工学研究院/グローバルイノベーションセンター機能デバイス工学研究室

外部リンク

学位

博士(工学)

経歴

なし

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ： SiGeプロセス技術・評価技術

研究キーワード： SiGe, コンタクト, 歪み, 欠陥

研究期間： 2019年12月
研究テーマ： Ge応用デバイス

研究キーワード： GeスピンMOSFET, フレキシブルGe TFT, Ge-on-Insulator

研究期間： 2019年4月
研究テーマ： SiCパワーデバイスに関する基礎研究

研究キーワード： 3C-SiC, ゲートスタック, オーミックコンタクト, FET

研究期間： 2011年10月
研究テーマ： Ge-CMOSデバイスに関する基礎研究

研究キーワード： Geチャネル, Ge-on-Insulator, high-k/Ge, メタルゲート, 金属/Geコンタクト, メタルS/D

研究期間： 2010年4月

受賞

IWDTF Best Paper Award

2023年10月 Fabrication and Electrical Characterization of Ge-on-Insulator based on Ge-on-Nothing Technology

論文

High-Mobility p-Channel Thin-Film Transistors Based on Polycrystalline GeSn 査読国際誌

Moto, K; Maeda, S; Igura, K; Huang, LY; Morimoto, A; Yamamoto, K; Toko, K

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS 2025年4月（ ISSN:2199-160X ）

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担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/aelm.202400901

Web of Science
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> growth on Ge by low-temperature (∼90 °C) atomic layer deposition and its application for MOS devices 査読国際誌

Aso, T; Kuwazuru, H; Wang, D; Yamamoto, K

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 190 ( 5 ) 109372 - 109372 2025年2月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

A low-temperature device process is necessary for germanium (Ge) and germanium tin (GeSn)-based novel electronics/optics/spintronics/flexible device applications. Concerning insulating layer formation for gate stack and passivation layer, atomic layer deposition (ALD) has been widely studied and applied due to advantages, as exemplified by precise film thickness control and excellent step coverage. However, low-temperature ALD has not been applied to the abovementioned Ge(Sn)-based novel devices. In this study, we investigated Al₂O₃ deposition using low-temperature (∼90 °C) ALD (without sample heating) on Ge substrates and examined methods to enhance film quality and electrical properties. We found that direct low-temperature ALD on Ge led to dimple formation, which we attribute to uneven ALD growth caused by variations in surface hydrophilicity. To avoid this, we introduced a GeO₂ underlayer formed by electron cyclotron resonance (ECR) plasma before low-temperature ALD, successfully preventing dimples and improving surface uniformity. The resulting Al/Al₂O₃/GeO₂/Ge metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor demonstrated enhanced electrical characteristics. Additionally, a MOS field-effect transistor (FET) with gate stacks fabricated at a maximum gate stack process temperature of 130 °C exhibited typical operational behavior. This low-temperature ALD approach offers a promising pathway for low-temperature gate stack and passivation layer fabrication in emerging Ge(Sn)-based device applications.

DOI： 10.1016/j.mssp.2025.109372

Web of Science

Scopus

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Low Temperature (210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor and Controllability of Its Flatband Voltage 査読国際誌

Hajime Kuwazuru, Taisei Aso, Dong Wang, Keisuke Yamamoto

Materials Science in Semiconductor Processing 178 108427 2024年8月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7324199
Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback Method 査読国際誌

Shimizu, N; Wang, D; Nakashima, H; Yamamoto, K

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 13 ( 4 ) 044001 2024年4月（ ISSN:2162-8769 eISSN:2162-8777 ）

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ECS Journal of Solid State Science and Technology

Ge has many unique characteristics, such as high carrier mobility and a narrow bandgap corresponding to near-infrared wavelengths. To take advantage of the attractive characteristics of Ge, Ge-on-Insulator (GOI) structures are necessary. In this study, we focus on a direct wafer bonding and etchback method to fabricate GOI structures and explore appropriate etching solutions for the etchback. An HF + H2O2 + CH3COOH solution can isotropically etch Ge and improve surface uniformity. The resulting surfaces were sufficiently flat to achieve Schottky and MOS diodes showing good electrical characteristics of the same level as devices based on commercial mirror-polished Ge surfaces. We discuss the role of the chemicals in the etching solution in achieving the flat surface. We fabricated GOI structures and a back-gate GOI capacitor through direct wafer bonding of SiO2/Si and Al2O3/Ge with the etchback method using the solution. The resulting electrical characteristics are also explained using theoretical calculations. This approach might offer an alternative route to high-quality GOI fabrication.

DOI： 10.1149/2162-8777/ad384b

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リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7178736
Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Roger Loo, Clement Porret, Jinyoun Cho, Kristof Dessein, Valerie Depauw

Japanese Journal of Applied Physics 63 04SP32 2024年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ge-on-Insulator (GOI) is considered to be a necessary structure for novel Ge-based devices. This paper proposes an alternative approach for fabricating GOI based on the Ge-on-Nothing (GeON) template. In this approach, a regular macropore array is formed by lithography and dry etching. These pores close and merge upon annealing, forming a suspended monocrystalline Ge membrane on one buried void. GOI is fabricated by direct bonding of GeON on Si carrier substrates, using an oxide bonding interface, and subsequent detachment. The fabricated GOI shows uniform physical properties as demonstrated using micro-photoluminescence measurements. Its electrical characteristics and cross-sectional structure are superior to those of Smart-CutTM GOI. To demonstrate its application potential, back-gate GOI capacitors and MOSFETs are fabricated. Their characteristics nicely agree with the theoretically calculated one and show typical MOSFET operations, respectively, which indicates promising Ge crystallinity. This method, therefore, shows the potential to provide high-quality GOI for advanced Ge application devices.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad2d07

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7178735
Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization 査読国際誌

Linyu Huang, Kenta Moto, Kota Igura, Takamitsu Ishiyama, Kaoru Toko, Dong Wang, Keisuke Yamamoto

Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 2 ) 02SP42 2024年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ad13a1

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7324195
Rectifying Schottky Contact in ZrN/polycrystalline p-Ge 査読国際誌

Kenta Moto, Kaoru Toko, Tomonari Takayama, Toshifumi Imajo, Takamitsu Ishiyama, and Keisuke Yamamoto

IEEE Journal of the Electron Devices Society 11 553 - 558 2023年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JEDS.2023.3323776

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7323627
Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Takuro Matsuo, Michihiro Yamada, Youya Wagatsuma, Kentaro Sawano, Kohei Hamaya

Materials Science in Semiconductor Processing 167 ( 15 ) 107763 2023年8月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107763

その他リンク： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107763

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7323626
Fabrication and characterization of germanium n-MOS and n-MOSFET with thermally oxidized yttrium gate insulator: Formation of underlying germanium oxide and its electrical characteristics 査読国際誌

Wen, WC; Wang, D; Nakashima, H; Yamamoto, K

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 162 ( 1 ) 107504 2023年4月（ ISSN:1369-8001 eISSN:1873-4081 ）

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Science in Semiconductor Processing

A high-quality insulating film on germanium is essential for germanium applications. In this study, we oxidized metal yttrium at 500–550 °C to generate an yttrium oxide (Y-oxide) layer on germanium. According to transmission electron microscopy images, Y-oxide comprised three layers, which were Y2O3, YGeO3, and GeOx from the top side. n-Type metal-oxide-semiconductor (n-MOS) capacitors and n-type MOS field-effect transistors (n-MOSFETs) with the Y-oxide gate insulator showed typical electrical characteristics. The n-MOS capacitor with the Y-oxide gate insulator had a lower interface state density (Dit) and border trap density (Nbt) than the n-MOS capacitor with a thermally oxidized GeOx insulator, suggesting that defects were terminated by Y atoms in the GeOx layer and GeOx/Ge interface. In contrast, the Dit–energy distribution and Nbt temperature dependence of the Y-oxide gate insulator were similar to those of the GeOx gate insulator, indicating that the defect signals originated in GeOx underlying YGeO3. The structural analysis showed that the temperature of metal yttrium oxidation affected only the GeOx thickness. Therefore, adjusting the conditions of metal yttrium oxidation may produce Y-oxidized gate stacks with a thinner GeOx layer or even direct contact of YGeO3 and Ge, which may result in different Dit values, Nbt values, and Nbt–temperature trends.

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107504

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その他リンク： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107504

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7174456
High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature - the importance of Coulomb scattering suppression 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Shigeomi Hishiki, Hiroki Uratani, Yoshiki Sakaida, Keisuke Kawamura

Applied Physics Express 15 ( 7 ) 071008 2022年6月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1882-0786/ac7846

その他リンク： https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac7846
Sn concentration effects on polycrystalline GeSn thin film transistors 査読国際誌

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

IEEE Electron Device Letters 2021年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2021.3119014

その他リンク： https://doi.org/10.1109/LED.2021.3119014
(Invited) Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

ECS Transactions 104 ( 4 ) 157 - 166 2021年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/10404.0157ecst

その他リンク： https://doi.org/10.1149/10404.0157ecst
(Invited) Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

ECS Transactions 102 ( 4 ) 63 - 71 2021年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/10204.0063ecst

その他リンク： https://doi.org/10.1149/10204.0063ecst
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeO_X layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy 査読国際誌

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

ECS Transactions 98 ( 5 ) 395 - 404 2020年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09805.0395ecst

その他リンク： https://doi.org/10.1149/09805.0395ecst
Interface trap and border trap characterization for Al₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET 査読国際誌

Wei-Chen Wen, Yuta Nagatomi, Hiroshi Akamine, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

AIP advances 10 ( 6 ) 065119-1 - 065119-7 2020年6月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0002100

その他リンク： https://doi.org/10.1063/5.0002100

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7238328
High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al₂O₃ interlayer and its internal charge analysis 査読国際誌

Ryusei Oka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Sigeomi Hishiki, Keisuke Kawamura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SG ) SGGD17 1 - SGGD17 10 2020年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6862
Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut^TM and Defect Elimination 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Md. M Alam, Kentarou Sawano, Zhongying Xue, Miao Zhang, and Zengfeng Di

ECS Transactions 93 ( 1 ) 73 - 77 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09301.0073ecst

その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09301.0073ecst
Polycrystalline thin-film transistors fabricated on high-mobility solid-phase-crystallized Ge on glass 査読国際誌

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakasima, Kaoru Toko

Applied Physics Letters 114 ( 21 ) 212107 2019年5月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5093952
Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Dong Wang, Hiroshi Nakasima, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SB ) SBBA14 2019年3月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab02e3
Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Semiconductor Science and Technology 33 ( 11 ) 114011 2018年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1361-6641/aae4bd
Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing 70 ( 1 ) 283 - 287 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2016.09.024

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.09.024
Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Mitsuhara Masatoshi, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics 118 ( 11 ) 115701-1 - 115701-12 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4930573

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4930573
Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge 査読国際誌

Keisuke Yamamoto, Mitsuhara Masatoshi, Keisuke Hiidome, Ryutaro Noguchi, Minoru Nishida, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 104 ( 14 ) 132109-1 - 132109-5 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4870510

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4870510
Fabrication of Metal-Nitride/Si Contacts with Low Electron Barrier Height 査読国際誌

Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

ECS Transactions 58 ( 9 ) 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05809.0053ecst

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/05809.0053ecst
Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO₂/GeO₂ gate stack 査読国際誌

Yamamoto Keisuke, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 103 ( 12 ) 2013年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4821546

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4821546
Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height 査読国際誌

K. Yamamoto, K. Harada, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 7 ) 2012年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.070208

その他リンク： http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/51/070208/
Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures 査読国際誌

K. Yamamoto, T. Yamanaka, K. Harada, T. Sada, K. Sakamoto, S. Kojima, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Applied Physics Express 5 ( 5 ) 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.5.051301

その他リンク： http://apex.jsap.jp/link?APEX/5/051301/
Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読国際誌

K. Yamamoto, T. Yamanaka, R. Ueno, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Thin Solid Films 520 ( 8 ) 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.047

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.10.047
High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer Passivation 査読国際誌

K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Applied Physics Express 4 ( 5 ) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.4.051301

その他リンク： http://apex.jsap.jp/link?APEX/4/051301/
Epitaxial Si/SiGe Multi-Stacks: From Stacked Nano-Sheet to Fork-Sheet and CFET Devices 査読国際共著

Loo, R; Akula, A; Shimura, Y; Porret, C; Rosseel, E; Dursap, T; Hikavyy, AY; Beggiato, M; Bogdanowicz, J; Merkulov, A; Ayyad, M; Han, H; Richard, O; Impagnatiello, A; Wang, D; Yamamoto, K; Sipocz, T; Kerekes, A; Mertens, H; Horiguchi, N; Langer, R

ECS Journal of Solid State Science and Technology 14 ( 1 ) 15003 2025年1月（ ISSN:2162-8769 eISSN:2162-8777 ）

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：ECS Journal of Solid State Science and Technology

After a short description of the evolution of metal-oxide-semiconductor device architectures and the corresponding requirements on epitaxial growth processes, the manuscript describes the material properties of complicated Si/SiGe multi-layer stacks used for complementary field effect transistor (CFET) devices. They contain two different Ge concentrations and have been grown using conventional process gases. A relatively high growth temperature is used to obtain acceptable Si and SiGe growth rates. Still island growth has been suppressed for Ge concentrations up to 40%. Excellent structural and optical material properties of the Si/SiGe multi-layer stack will be reported, with up to 3 + 3 Si channels in the top and bottom part of the stack, respectively. The absence/presence of lattice defects has also been verified by room-temperature photoluminescence measurements. Photoluminescence measurements at low temperatures are used to study band-to-band luminescence from individual sub-layers and to illustrate the optical material quality of the CFET stack.

DOI： 10.1149/2162-8777/ada79f

Web of Science

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Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation 査読国際誌

Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh

Materials Science in Semiconductor Processing 165 107692 2023年6月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107692

その他リンク： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107692

リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7172263
Underlayer selection to improve the performance of polycrystalline Ge thin film transistors 査読国際誌

Toshifumi Imajo, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

ECS Transactions 98 ( 5 ) 423 - 427 2020年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09805.0423ecst

その他リンク： https://doi.org/10.1149/09805.0423ecst
Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene 査読国際誌

Pablo Solís-Fernández, Yuri Terao, Kenji Kawahara, Wataru Nishiyama, Teerayut Uwanno, Yung-Chang Lin, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Kosuke Nagashio, Hiroki Hibino, Kazu Suenaga, Hiroki Ago

ACS Nano 14 ( 6 ) 6834 - 6844 2020年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsnano.0c00645

その他リンク： https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c00645
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待査読国際誌

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

ECS Transactions 92 ( 4 ) 3 - 10 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09204.0003ecst

その他リンク： https://dx.doi.org/10.1149/09204.0003ecst
Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate 査読国際誌

Takayuki Maekura, Taiki Goto, Kohei Nakae, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SB ) SBBE05 2019年2月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafb5e
Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy 査読

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics 124 ( 20 ) 205303 1 - 205303 11 2018年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

A border trap (BT) evaluation method was established for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks by using deep-level transient spectroscopy with a lock-in integrator. Ge metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs) with SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks were fabricated by using different methods. The interface trap (IT) and BT signals were successfully separated based on their different dependences on the intensity of injection pulses. By using p-type MOSCAPs, BTs at the position of 0.4 nm from the GeO₂/Ge interface were measured. The energy of these BTs was centralized at the position near to the valence band edge of Ge, and their density (N_bt) was in the range of 10¹⁷-10¹⁸ cm^-3. By using n-type MOSCAPs, BTs at the position range of 2.8-3.4 nm from the GeO₂/Ge interface were measured, of which N_bt varied little in the depth direction. The energy of these BTs was distributed in a relatively wide range near to the conduction band edge of Ge, and their N_bt was approximately one order of magnitude higher than those measured by p-MOSCAPs. This high N_bt value might originate from the states of the valence alternation pair with energy close to 1 eV above the conduction band edge of Ge. We also found that Al post metallization annealing can passivate both ITs and BTs near to the valence band edge of Ge but not those near to the conduction band edge.

DOI： 10.1063/1.5055291
Electrical properties of pesudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250^oC 査読国際誌

Hidenori Higashi, Kouhei Kudo, Keisuke Yamamoto. Shinya Yamada, Takeshi Kanashima, Isao Tsunoda, Hiroshi Nakashima, Kohei Hamaya

Journal of Applied Physics 123 ( 21 ) 215704-1 - 215704-7 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5031469

その他リンク： https://doi.org/10.1063/1.5031469
Two-step synthesis and characterizations of vertically stacked SnS-WS₂ and SnS-MoS₂ p-n heterojunctions 査読国際誌

A. Sukma Aji, M. Izumoto, K. Suenaga, K. Yamamoto, H. Nakashima, H. Ago

Phys. Chem. Chem. Phys. 20 ( 2 ) 889 - 897 2017年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/C7CP06823A

その他リンク： https://dx.doi.org/10.1039/C7CP06823A
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n⁺-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待査読国際誌

Hiroshi Nakashima, Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

ECS Transactions 80 ( 4 ) 97 - 106 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/08004.0097ecst

その他リンク： https://dx.doi.org/10.1149/08004.0097ecst
Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 査読国際誌

Takayuki Maekura, Kentaro Tanaka, Chisato Motoyama, Ryota Yoneda, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang

Semiconductor Science and Technology 32 ( 10 ) 104001 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1361-6641/aa827f

その他リンク： https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa827f
Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La₂O₃/La2₂O₃/Ge high-k gate-stacks 査読国際誌

T. Kanashima, R. Yamashiro, M. Zenitaka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, J. Tadano, S. Yamada, H. Nohira, Hiroshi Nakashima, K. Hamaya

Materials Science in Semiconductor Processing 70 ( 1 ) 260 - 264 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2016.11.016

その他リンク： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.016
Mechanism of mobility enhancement in Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor due to introduction of Al atoms into SiO₂/GeO₂ gate stack 査読国際誌

Yuta Nagatomi, Tomoki Tateyama, Shintaro Tanaka, Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Liwei Zhao, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing 70 ( 1 ) 246 - 253 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2016.11.014

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.014
Achievement of low parasitic resistance in Ge n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using embedded TiN-source/drain structure 査読国際誌

Yuta Nagatomi, Tomoki Tateyama, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Semiconductor Science and Technology 32 ( 3 ) 035001 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/1361-6641/32/3/035001

その他リンク： https://doi.org/10.1088/1361-6641/32/3/035001
Effect of post annealing on hole mobility of pseudo-single-crystalline germanium films on glass substrates 査読国際誌

Kenji Kasahara, Hidenori Higashi, Mario Nakano, Yuta Nagatomi, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Kohei Hamaya

Materials Science in Semiconductor Processing 70 ( 1 ) 68 - 72 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2016.07.004

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.07.004
A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes 査読国際誌

Yuichi Fujita, Michihiro Yamada, Yuta Nagatomi, Keisuke Yamamoto, Shinya Yamada, Kentarou Sawano, Takeshi Kanashima, Hiroshi Nakashima, Kohei Hamaya

Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 6 ) 063001-1 - 063001-4 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.063001

その他リンク： http://doi.org/10.7567/JJAP.55.063001
Effects of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diode 査読国際誌

Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 4S ) 04EH08-1 - 04EH08-5 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EH08

その他リンク： http://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EH08
Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium diodes with HfGe/Ge/TiN structure 査読国際誌

Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Takayuki Maekura

Thin Solid Films 2015年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.09.074

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.09.074
Electrical properties of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistors fabricated on glass substrates 査読国際誌

Kenji Kasahara, Yuta Nagatomi, Keisuke Yamamoto, H. Higashi, M. Nakano, Shinya Yamada, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Kohei Hamaya

Applied Physics Letters 107 ( 14 ) 142102-1 - 142102-5 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4932376

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4932376
Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices 査読国際誌

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

ECS Transactions 69 ( 10 ) 55 - 66 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06910.0055ecst

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/06910.0055ecst
Fabrication of PtGe/Ge contacts with high on/off ratio and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs 査読国際誌

Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 7 ) 070306-1 - 070306-4 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.070306

その他リンク： http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.070306
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric fin type metal/germanium/metal structure 査読国際誌

Dong Wang, Takayuki Maekura, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 107 ( 7 ) 071102-1 - 071202-3 2015年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4913261

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4913261
Investigation of Al-PMA Effect on Al₂O₃/GeO_x/Ge Gate Stack 査読国際誌

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

ECS Transactions 64 ( 8 ) 2014年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06406.0261ecst

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/06406.0261ecst
Low-temperature fabrication of Y₂O₃/Ge gate stacks with ultrathin GeO_x interlayer and low interface states density characterized by a reliable deep-level transient spectroscopy method 査読国際誌

DONG WANG, Nagatomi Yuta, Kojima Shuta, Yamamoto Keisuke, Hiroshi Nakashima

Thin Solid Films 557 288 - 291 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2013.10.065

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.065
Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts 査読国際誌

Hiroshi Nakashima, Yamamoto Keisuke, DONG WANG

ECS Transactions 58 ( 9 ) 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05809.0167ecst

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/05809.0167ecst
An accurate characterization of interface-state by deep-level transient spectroscopy for Ge metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO₂/GeO₂ bilayer passivation 査読国際誌

D. Wang, S. Kojima, K. Sakamoto, K. Yamamoto, H. Nakashima

Journal of Applied Physics 112 ( 8 ) 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4759139

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1063/1.4759139
Ohmic contact formation on n-type Ge by direct deposition of TiN 査読国際誌

M. Iyota, K. Yamamoto, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

Applied Physics Letters 98 ( 19 ) 2012年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3590711

その他リンク： http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3590711
Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator 査読国際誌

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima

Journal of the Electrochemical Society 158 ( 12 ) 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.037112jes

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/2.037112jes
Postmetallization annealing effect of TiN-gate Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin SiO₂/GeO₂ bilayer passivation 査読国際誌

H. Nakashima, Y. Iwamura, K. Sakamoto, D. Wang, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang

Applied Physics Letters 98 ( 25 ) 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3601480

その他リンク： http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3601480
Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator 査読国際誌

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima

ECS Transactions 34 ( 1 ) 2011年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： doi: 10.1149/1.3567723

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1149/1.3567723
Electrical and structural evaluations of high-k gate dielectrics fabaricated using plasma oxidation and the subsequent anneling for a Hf/SiO₂/Si structure 査読国際誌

H. Nakashima, Y. Sugimoto, Y. Suehiro, K. Yamamoto, M. Kajiwara, K. Hirayama, D. Wang

Semiconductor Science and Technology 23 ( 12 ) 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0268-1242/23/12/125020

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/12/125020
Dependences of effective work functions of TaN on HfO₂ and SiO₂ on post-metallization anneal 査読国際誌

Y. Sugimoto, K. Yamamoto, M. Kajiwara, Y. Suehiro, D. Wang, H. Nakashima

Thin Solid Films 517 ( 1 ) 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.058

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.058
Effective work function modulation of TaN metal gate on HfO₂ after postmetallization annealing 査読国際誌

Y. Sugimoto, M. Kajiwara, K. Yamamoto, Y. Suehiro, D. Wang, H. Nakashima

Applied Physics Letters 91 ( 11 ) 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2783472

その他リンク： http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.2783472
TaN/Hf 系 high-k/Si ゲートスタック構造の電気特性

杉本陽平, 山本圭介, 梶原誠生, 末廣雄策, 中島寛

九州大学大学院　総合理工学報告 28 ( 4 ) 2007年3月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

その他リンク： http://www.tj.kyushu-u.ac.jp/info/online/archive/index.php?volume=28&issue=4&lang=en
Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH₄OH/H₂O₂ Solution and Hf Metal Hard Mask 査読国際誌

Y. Sugimoto, K. Yamamoto, H. Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 46 ( 8 ) 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.L211

その他リンク： http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/46/L211/
Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO₂/Si structure 査読国際誌

Y. Sugimoto, H. Adachi, K. Yamamoto, D. Wang, Hideharu Nakashima, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing 9 ( 6 ) 2006年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2006.10.020

その他リンク： http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2006.10.020

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講演・口頭発表等

Fabrication of a Ge gate stack using plasma irradiation and low-temperature annealing for Ge applications 招待国際会議

H. Kuwazuru, D. Wang, and K. Yamamoto

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Inversion Mode n-channel TFT Fabricated on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge at Low Temperature Improved by Metal Induced Dopant Activation 招待国際会議

L. Huang, K. Moto, K. Igura, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, K. Yamamoto

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Electrical and Structural Characterization of Thermally Oxidized Yttrium Oxide on Germanium 招待国際会議

K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Thermally oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-MOS Capacitor and Field-Effect Transistor 招待国際会議

K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima

244th ECS meeting 2023年10月

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開催年月日： 2023年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Gothenburg 国名：スウェーデン王国

Germanium (Ge) has many exciting material characteristics, such as high carrier mobility and narrow bandgap in the near-infrared range. Thus it is suitable for various applications. A high-quality insulating film on Ge is required to apply Ge to novel electronic devices successfully. It is well known that GeO2 on Ge has good electrical characteristics as a gate insulator or interlayer (IL), similar to SiO2 on Si [1]. Unlike SiO2, however, GeO2 is thermodynamically unstable under atmospheric pressure at typical oxidation temperatures (~400 °C) and volatilizes as GeO [2,3]. Several methods have been developed to suppress GeO volatilization from the surface. For example, transition metals such as yttrium (Y) have been introduced into GeO2. Yttrium (Y)-doped GeO2 has excellent thermal, chemical, and electrical characteristics. In the capacitance–voltage measurement, it shows a low interface state density (Dit) and a narrow hysteresis corresponding to the border trap (BT) density (Nbt) of gate insulators [4]. Based on the above studies, we focused on metal Y deposition with subsequent thermal oxidation as an efficient alternative method to deposit Y-oxide as a gate insulator on Ge. This method has been studied to deposit Y2O3 as a gate insulator on Si [5]. Moreover, metal oxidation has been used to form various gate insulators on Ge, such as Al [6] and Hf [7]. In this study, we expect a capping layer of Y and oxidized Y to suppress GeO volatilization and stabilize the interface. We fabricated and evaluated metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors and MOS field-effect transistors (FETs) with either a thermally oxidized Y or a thermally oxidized Ge oxide layer. The structural analysis found that the insulator was divided into three layers: Y2O3, YGeO3, and GeOx from the top. The oxidation temperature affected only the thickness of the bottom GeOx layer. We found that the Y-oxide gate stack had better electrical characteristics and a lower Dit and Nbt than the thermally oxidized GeOx insulator. In contrast, the Dit–energy distribution and Nbt temperature dependence of the Y-oxide gate insulator were similar to those of the GeOx gate insulator. We examined these observations, including the structural analysis results. We found that thermally oxidized Y had a distinct advantage over thermally oxidized Ge oxide: the possibility of controlling the structure and electrical characteristics of the Ge gate stack, such as the GeOx thickness and the BT signal origin.
Fabrication of Inversion Mode n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, K. Yamamoto

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
ﾘｾｽﾁｬﾈﾙ化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)

鍬釣一、王冬、山本圭介

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール他国名：日本国
Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization 国際会議

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center 国名：日本国
Various Metal Contacts on Polycrystalline Ge with Amorphous Interlayer Formed by ZrN Sputter-Deposition 国際会議

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Ishiyama, K. Yamamoto

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center 国名：日本国
Control of schottky barrier height at metal/polycrystalline Ge interfaces with fermi-level pinning alleviation 国際会議

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Ishiyama, and K. Yamamoto

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Como 国名：イタリア共和国
Evaluation of the physical properties of Ge-on-insulator based on Ge-on-Nothing and layer transfer 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Como 国名：イタリア共和国
Control of schottky barrier height at metal/polycrystalline Ge interfaces with fermi-level pinning alleviation 国際会議

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Ishiyama, and K. Yamamoto

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語

開催地：Como 国名：イタリア共和国

researchmap
Study on the Performance of Metal S/D Ge n-MOSFET with Recessed Channel Structure 招待国際会議

H. Kuwazuru, S. Nasu, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Ge-on-Insulator from Ge-on-Nothing and Layer Transfer 招待国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization 招待国際会議

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Low Temperature (~210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor using Plasma Oxidation and Oxi-Nitridation for the Interlayer Formation 国際会議

H. Kuwazuru, D. Wang, K. Yamamoto

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：金沢市国名：日本国
Fabrication and Electrical Characterization of Ge-on-Insulator based on Ge-on-Nothing Technology 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, V. Depauw

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：金沢市国名：日本国

Ge-on-Insulator (GOI) is considered to be a necessary structure for novel Ge-based devices. This paper proposes an alternative approach for fabricating GOI based on the Ge-on-Nothing (GeON) template. In this approach, a regular macropore array is formed by lithography and dry etching. These pores close and merge upon annealing, forming a suspended monocrystalline Ge membrane on one buried void. GOI is fabricated by direct bonding of GeON on Si carrier substrates, using an oxide bonding interface, and subsequent detachment. The fabricated GOI shows uniform physical properties as demonstrated using micro-photoluminescence measurements. Its electrical characteristics and cross-sectional structure are superior to those of Smart-CutTM GOI. To demonstrate its application potential, back-gate GOI capacitors and MOSFETs are fabricated. Their characteristics nicely agree with the theoretically calculated one and show typical MOSFET operations, respectively, which indicates promising Ge crystallinity. This method, therefore, shows the potential to provide high-quality GOI for advanced Ge application devices.
First Demonstration of Rectifying Schottky Contact on Polycrystalline P-Type Ge Using ZrN Electrode 国際会議

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Imajo, K. Yamamoto

2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022) 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御

高山智成、茂藤健太、都甲薫、王冬、山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学国名：日本国
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II)

那須新悟、王冬、山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学国名：日本国
多結晶p型Ge上におけるショットキー整流性コンタクトの形成

茂藤健太、都甲薫、高山智成、今城利文、山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学国名：日本国
Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator 国際会議

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
Fabrication and evaluation of polycrystalline Ge-based thin-film transistors on glass 国際会議

T. Takayama, K. Moto, K. Yamamoto, T. Imajo, K. Toko

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hospital Campus, Kyushu Univ. 国名：日本国
Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology 招待国際会議

K. Yamamoto, T. Matsuo, D. Wang, K. Moto, K. Toko, H. Nakashima

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hospital Campus, Kyushu Univ. 国名：日本国
Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250°C) for spintronics application 国際会議

S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hospital Campus, Kyushu Univ. 国名：日本国
3C-SiCへの高品質ゲートスタック形成とMOSFET応用招待

山本圭介

（公財）科学技術交流財団　第4回「厳環境下IoTワイドギャップ素子研究会」 2022年7月

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ウインクあいち国名：日本国
3C-SiCへの高品質ゲートスタック形成とMOSFET応用招待

山本圭介

（公財）科学技術交流財団第4回「厳環境下IoTワイドギャップ素子研究会」 2022年7月

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開催年月日： 2022年7月

記述言語：日本語

開催地：ウインクあいち国名：日本国

researchmap
電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn 接合の低温形成

清水昇、王一、山本圭介、張師宇、中塚理、王冬

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
高移動度3C-SiC n-MOSFET の作製と高温動作実証

山本圭介、王冬、中島寛、菱木繁臣、浦谷泰基、坂井田佳紀、川村啓介

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Achievement of High Channel Mobility of 3C-SiC n-MOSFET with the Gate Stack Formed at Low Temperature 国際会議

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Shigeomi Hishiki, Hiroki Uratani, Yoshiki Sakaida, Keisuke Kawamura

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2021年11月

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開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：online 国名：その他
Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

240th ECS meeting 2021年10月

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Orlando, FL 国名：アメリカ合衆国
固相成長GeSn薄膜トランジスタにおけるSn組成の影響

茂藤健太、山本圭介、今城利文、末益崇、中島寛、都甲薫

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築

松尾拓朗、山本圭介、王冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上

松尾拓朗、山本圭介、王冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Sn Doping Effects on Polycrystalline Germanium Thin-Film Transistors on Glass 国際会議

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021) 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：online 国名：その他
Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer 国際会議

Keisuke Yamamoto, Kento Iseri, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021) 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：online 国名：その他
Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

239th ECS meeting 2021年5月

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開催年月日： 2021年5月 - 2021年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：アメリカ合衆国
エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討

清水昇、山本圭介、王冬、中島寛

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月

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開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Sn Doping Effects in Solid-Phase Crystallized Ge Thin-Film Transistors 国際会議

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

PRiME 2020 2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：その他
Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication 招待国際会議

Noboru Shimizu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

PRiME 2020 2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：その他
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeO_X layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

PRiME 2020 2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：その他
Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities 国際会議

Hiroki Kanakogi, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020) 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：online 国名：その他
Study on Position of Border Traps in Al₂O₃/GeO_X/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 国際会議

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019年11月

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成

井芹健人、温偉辰、山本圭介、王冬、中島寛

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
SiO₂/Al₂O₃絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

岡龍誠、山本圭介、王冬、中島寛、菱木繁臣、川村啓介

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
SiO₂/Al₂O₃絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動作

山本圭介、岡龍誠、王冬、中島寛、菱木繁臣、川村啓介

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
Low temperature (<300^oC) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices 国際会議

Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO₂/Al₂O₃ gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC 国際会議

Ryusei Oka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Sigeomi Hishiki, Keisuke Kawamura

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination 国際会議

K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 2019年6月

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開催年月日： 2019年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Madison, Wisconsin 国名：アメリカ合衆国
Fabrication of Ge MOS Capacitor with Metal Yttrium Oxidation 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, Kentaro Akiyama, Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化

仲江航平、薛飛達、山本圭介、王冬、中島寛、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国
電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

秋山健太郎、井芹健人、温偉辰、山本圭介、王冬、中島寛

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国
Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application

Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国
Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator 国際会議

K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Impact of Al₂O₃ interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御

山本圭介、光原昌寿、王冬、中島寛

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス国名：日本国
非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ)

板屋航, 仲江航平, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡市・福岡国際会議場国名：日本国
[講演奨励賞受賞記念講演] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成

岡本隼人, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市・パシフィコ横浜国名：日本国
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月

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開催年月日： 2017年2月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 国際会議

Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016) 2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tsukuba International Congress Center, Ibaraki 国名：日本国
非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成

岡本隼人, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県・朱鷺メッセ国名：日本国
Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction 国際会議

Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University 国名：日本国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
金属/Ge接合及びn⁺/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価

山本圭介, 岡本隼人, 王冬, 中島寛

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス国名：日本国
Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers 国際会議

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Universite de Montreal, Canada 国名：カナダ

その他リンク： http://www.icsi-epi.com/
Electrical Properties of Metal/Ge contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Nakashima Hiroshi, Noguchi Ryutaro, Nishida Minoru, Mitsuhara Masatoshi, Hara Toru

8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調

山本圭介, 王冬, 中島寛

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス国名：日本国
Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces 国際会議

Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM 2014) 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Swissotel Merchant Court 国名：シンガポール共和国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明（Ⅱ）

山本圭介, 光原昌寿, 吹留佳祐, 野口竜太郎, 西田稔, 王冬, 中島寛

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス国名：日本国
Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin 招待国際会議

Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Nakashima Hiroshi

7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年1月

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height 招待国際会議

Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

224th ECS Meeting 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Francisco, CA 国名：アメリカ合衆国

その他リンク： https://ecs.confex.com/ecs/224/webprogram/Paper25999.html
ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化

山本圭介, 佐田隆宏, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：機械振興会館国名：日本国
Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact 国際会議

Yamamoto Keisuke, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-8) 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Its Application to Back-Gate MOSFET 国際会議

Yamamoto Keisuke, Asakawa Kojiro, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明

山本圭介, 光原昌寿, 西田稔, 王冬, 中島寛

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性

山本圭介, 王冬, 中島寛

第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：愛媛大学・松山大学国名：日本国
TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用

山本圭介, 井餘田昌俊, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 2012年6月

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開催年月日： 2012年6月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学　ベンチャービジネスラボラトリー国名：日本国
低障壁TiN/n-Ge コンタクトの形成とコンタクト抵抗評価

山本圭介, 原田健司, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
HfGe_x ショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFET の作製

山本圭介, 佐田隆宏, 山中武, 坂本敬太, 小島秀太, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
TiN ショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFET の作製

山本圭介, 山中武, 原田健司, 佐田隆宏, 坂本敬太, 小島秀太, 王冬, 中島寛

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
High Performance of Ge MOSFETs with Bilayer-Passivated MOS Interface 国際会議

K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7) 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Leuven 国名：ベルギー王国
2層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性

山本圭介, 上野隆二, 山中武, 平山佳奈, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月

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開催年月日： 2011年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Effects of Capping Layers on Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films on Insulators 招待国際会議

R. Hashimoto, T. Koga, T. Nagano, K. Moto, K. Yamamoto, and T. Sadoh

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Epitaxial SiGe/Si Multi-Stacks for Complementary FET Devices 招待国際会議

R. Loo, A. Akula, C. Porret, D. Wang, K. Yamamoto, T. Sipőcz, Á. Kerekes, A. Merkulov, M. Ayyad, H. Han, O. Richard, A. Impagnatiello, A. Hikavyy, Y. Shimura

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy 招待国際会議

A. Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月

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開催年月日： 2023年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Optical Material Properties of Epitaxial SiGe/Si Multi-Layers Used for Complementary FET Devices 国際会議

R. Loo, A. Hikavyy, D. Wang, K. Yamamoto, T. Sipőcz, Á. Kerekes, A. Akula, and Y. Shimura

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center 国名：日本国
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Thinning Combined with Post-Annealing 国際会議

T. Koga, T. Nagano, K. Moto, K. Yamamoto, Taizoh Sadoh

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Congress Center 国名：日本国
N-type characteristics of undoped Ge#D0.967^RSn#D0.033 fabricated on bulk n-Ge 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月

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開催年月日： 2023年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Como 国名：イタリア共和国
Polycrystalline Thin-Film Transistor Based on Solid-Phase Crystallized Ge and GeSn 招待国際会議

K. Moto, K. Yamamoto, and K. Toko

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region 招待国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月

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開催年月日： 2023年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Transferable High-k/Boron Nitride Gate Dielectric for Two-Dimensional Field-Effect Transistors 国際会議

Eui Young Jung, Pablo Solís-Fernández, Keisuke Yamamoto, Hiroki Ago

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月

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開催年月日： 2022年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：金沢市国名：日本国
電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査

清水昇、王一、山本圭介、張師宇、柴山茂久、中塚理、王冬

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東北大学国名：日本国
Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hospital Campus, Kyushu Univ. 国名：日本国
DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析招待

中島寛、Wei-Chen Wen、山本圭介、王冬

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月

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開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
Underlayer Selection to Improve the Performance of Polycrystalline Ge Thin Film Transistors 国際会議

Toshifumi Imajo, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

PRiME 2020 2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Online 国名：その他
Border-Trap Evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 国際会議

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019年11月

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

236th ECS meeting 2019年10月

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Atlanta, GA 国名：アメリカ合衆国
固相成長Ge薄膜のTFT動作実証とSn添加効果の検討

茂藤健太、山本圭介、今城利文、末益崇、中島寛、都甲薫

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
Evaluation of Border Traps in Al₂O₃/GeO_X/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学国名：日本国
Electrical properties of p-channel thin-film transistors fabricated on high-mobility polycrystalline Ge on glass 国際会議

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya Univ. 国名：日本国
Border Trap Evaluation for Al₂O₃/GeO_X/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy 国際会議

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 2019年6月

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開催年月日： 2019年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Madison, Wisconsin 国名：アメリカ合衆国
金融起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性

東英実、笠原健司、山本圭介、工藤康平、山田晋也、金島岳、中島寛、浜屋宏平

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス国名：日本国
Border trap evaluation using deep-level transient spectroscopy for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks 国際会議

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tohoku Univ. 国名：日本国
GOI基板を用いた非対称ー金属／Ge／金属構造光素子の作製・特性評価

後藤太希、前蔵貴行、仲江航平、山本圭介、中島寛、王冬、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋国際会議場国名：日本国
Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La₂O₃ high-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatments 国際会議

T. Kanashima, H. Furusho, K. Takeyama, H. Nohira, K. Yamamoto, H. Nakashima

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate 国際会議

T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, D. Wang

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Evaluation of border-traps in GeO₂/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス国名：日本国
溶液処理による結晶Lu-doped La₂O₃/La₂O₃/Ge(111)MIS界面特性改善

古荘仁久, 高山恭一, 山本圭介, 中島寛, 野平博司, 金島岳

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス国名：日本国
Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年2月

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開催年月日： 2018年2月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n⁺-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

232nd ECS meeting 2017年10月

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：National Habor, MD 国名：アメリカ合衆国
Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs 国際会議

Taisei Sakaguchi, Kentaro Akiyama, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang

2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017) 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai International Center, Sendai, Miyagi 国名：日本国

その他リンク： http://www.ssdm.jp/
Characterization of near-interface border-traps in GeO₂/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy 国際会議

Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017) 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sendai International Center, Sendai, Miyagi 国名：日本国

その他リンク： http://www.ssdm.jp/
メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性

坂口大成, 秋山健太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡市・福岡国際会議場国名：日本国
Near-interface border traps characterization for GeO₂/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡市・福岡国際会議場国名：日本国
トンネルFET応用に向けた二次元半導体によるヘテロ構造体の合成

泉本征憲, Adha Sukuma Aji, 河原憲治, 山本圭介, 中島寛, 吾郷浩樹

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：福岡市・福岡国際会議場国名：日本国
Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO₂/Ge gate stacks 国際会議

Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 2017年5月

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Warwick, Coventry, UK 国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)

その他リンク： https://www2.warwick.ac.uk/fac/cross_fac/icsi-10
Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Kentaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 2017年5月

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Warwick, Coventry, UK 国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)

その他リンク： https://www2.warwick.ac.uk/fac/cross_fac/icsi-10
[講演奨励賞受賞記念講演] ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構

永冨雄太, 建山知輝, 坂口大成, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市・パシフィコ横浜国名：日本国
La₂O₃/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La₂O₃キャップ層の効果

銭高真人, 古荘仁久, 山本圭介, 中島寛, 浜屋宏平, 金島岳

第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市・パシフィコ横浜国名：日本国
Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価

前蔵貴行, 本山千里, 田中健太郎, 山本圭介, 中島寛, 王冬

第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市・パシフィコ横浜国名：日本国
Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Kentaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG

10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月

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開催年月日： 2017年2月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

JSPS Core-to Core Program "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration" 2016年11月

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Juelich, Germay 国名：ドイツ連邦共和国
Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

永冨雄太, 建山知輝, 坂口大成, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県・朱鷺メッセ国名：日本国
Effect of Post Annealing on Hole Mobility of Pseudo-Single-Crystalline Germanium Thin-Film-Transistors on Glass Substrates 国際会議

Kenji Kasahara, Hidenori Higashi, Mario Nakano, Yuta Nagatomi, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Kohei Hamaya

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University 国名：日本国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
Mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO₂/GeO₂ gate stacks 国際会議

Yuta Nagatomi, Tomoki Tateyama, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University 国名：日本国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
Improvement of C-V Characteristics in LaYO₃/La₂O₃/Ge(111) MIS Structures 国際会議

Takeshi Kanashima, Masato Zenitaka, Keisuke Yamamoto, Riku Yamashiro, Hiroshi Nohira, Hiroshi Nakashima, Shinya Yamada, Kohei Hamaya

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Nagoya University 国名：日本国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上

永冨雄太, 田中慎太郎, 建山知輝, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス国名：日本国
メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減

建山知輝, 永冨雄太, 田中慎太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス国名：日本国
La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善

金島岳, 銭高真人, 山本圭介, 山城陸, 只野純平, 野平博司, 中島寛, 山田晋也, 浜屋宏平

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京工業大学大岡山キャンパス国名：日本国
Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2016年1月

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO₂/GeO₂ gate stacks 国際会議

Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Tomoki Tateyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2016年1月

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開催年月日： 2016年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes 国際会議

Takayuki Maekura, Dong Wang, Keisuke YAMAMOTO, Hiroshi Nakashima

2015 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2015) 2015年9月

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sapporo Convention Center, Hokkaido 国名：日本国
PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance 国際会議

Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke YAMAMOTO, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2015 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2015) 2015年9月

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Sapporo Convention Center, Hokkaido 国名：日本国
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用

永冨雄太, 田中慎太郎, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 2015年6月

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開催年月日： 2015年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー国名：日本国
Direct-bandgap Light Emission and Detection at Room Temperature in Bulk-Ge Diodes with HfGe/Ge/TiN Structure 国際会議

Dong Wang, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Universite de Montreal, Canada 国名：カナダ

その他リンク： http://www.icsi-epi.com/
Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida

9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Universite de Montreal, Canada 国名：カナダ

その他リンク： http://www.icsi-epi.com/
ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御

永冨雄太, 長岡裕一, 田中慎太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス国名：日本国
300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

笠原健司, 永冨雄太, 山本圭介, 東英実, 中野茉莉央, 山田晋也, 金島岳, 中島寛, 浜屋宏平

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス国名：日本国
非対称-金属/Ge/金属構造を有する光素子の試作と特性評価

前蔵貴行, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス国名：日本国
n-ウェルの形成のためのGe基板上へのSb拡散

米田亮太, 山本圭介, 中島寛

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東海大学湘南キャンパス国名：日本国
Effect of Al post metallization annealing on Al₂O₃/GeOx/Ge gate stacks 国際会議

Nagatomi Yuta, Nagaoka Yuichi, Tanaka Shintaro, Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Nakashima Hiroshi

8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年1月

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開催年月日： 2015年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Contact properties of group IV metal-nitrides (TiN, ZrN, HfN) on Ge 招待国際会議

Nakashima Hiroshi, Keisuke Yamamoto, WANG DONG, Mitsuhara Masatoshi, Noguchi Ryutaro, Hiidome Keisuke, Minoru Nishida

JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年11月

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：IMEC, Leuven 国名：ベルギー王国
Investigation of Al-PMA Effect on Al₂O₃/GeO_X/Ge Gate Stack 国際会議

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

226th ECS Meeting 2014年10月

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開催年月日： 2014年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Cancun 国名：メキシコ合衆国

その他リンク： https://ecs.confex.com/ecs/226/webprogram/Paper41134.html
ZrN, HfN/Geコンタクトの電気特性と界面微細構造解析

野口竜太郎, 光原昌寿, 山本圭介, 西田稔, 中島寛, 原徹

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス国名：日本国
n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成

山本裕介, 村山亮介, 山本圭介, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 川村啓介

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス国名：日本国
ALDにより形成したAl₂O₃/Geゲートスタックに於けるKr/O₂ECRプラズマ酸化効果

長岡裕一, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：北海道大学札幌キャンパス国名：日本国
Effect of Kr/O₂ mixed ECR plasma oxidation on electrical properties of Al₂O₃/Ge gate stacks fabricated by ALD 国際会議

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2014 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2014) 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Tsukuba International Congress Center, Ibaraki 国名：日本国
Al₂O₃/GeO_x/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査

永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー国名：日本国
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure 国際会議

DONG WANG, Sho Kamezawa, Yamamoto Keisuke, Hiroshi Nakashima

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM 2014) 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Swissotel Merchant Court 国名：シンガポール共和国

その他リンク： http://istdm2014.org/index.html
非対称-金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性

亀沢翔, 花田尊徳, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス国名：日本国
Al₂O₃/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成

永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学相模原キャンパス国名：日本国
Fabrication of MOS and Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron and Hole Barrier Heights 招待国際会議

Nakashima Hiroshi, Keisuke Yamamoto, WANG DONG

7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2014年1月

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開催年月日： 2014年1月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
次世代CMOS実現に向けた金属/半導体コンタクトの障壁制御

山本圭介, 王冬, 中島寛

第5回半導体材料・デバイスフォーラム 2013年11月

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開催年月日： 2013年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：ネストホテル熊本国名：日本国
Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts 招待国際会議

Hiroshi Nakashima, Yamamoto Keisuke, DONG WANG

224th ECS Meeting 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：San Francisco, CA 国名：アメリカ合衆国

その他リンク： https://ecs.confex.com/ecs/224/webprogram/Paper26111.html
Low temperature fabrication of Ohmic contact for p-type 4H-SiC using Al/Ti/Sn 国際会議

Hatayama Kota, Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
An accurate characterization of metal-insulator-semiconductor interface-state by deep-level transient spectroscopy and its application on Y₂O₃/Ge gate stacks with ultrathin GeO_x interlayer 国際会議

DONG WANG, Nagatomi Yuta, Kojima Shuta, Kamezawa Sho, Yamamoto Keisuke, Hiroshi Nakashima

8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-8) 2013 2013年6月

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開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Fukuoka 国名：日本国
極薄GeO_X界面層を有するY₂O₃/Ge ゲートスタックの低温形成

永冨雄太, 小島秀太, 亀沢翔, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成

畑山紘太, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS

中島寛, 王冬, 山本圭介

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化

佐田隆宏, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS 招待国際会議

Nakashima Hiroshi, Keisuke Yamamoto, WANG DONG

6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2013年2月

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開催年月日： 2013年2月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：Tohoku University 国名：日本国
Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs 招待国際会議

H. Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang

PRiME 2012 Joint international meeting: 222nd Meeting of ECS — The Electrochemical Society & 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Hawaii Convention Center 国名：アメリカ合衆国
High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain 国際会議

T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012) 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto International Conference Center, Kyoto 国名：日本国
Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET 国際会議

K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012) 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto International Conference Center, Kyoto 国名：日本国
Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO₂ and ZrGeO Interlayers 国際会議

S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012) 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kyoto International Conference Center, Kyoto 国名：日本国
低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用

朝川幸二朗, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：愛媛大学・松山大学国名：日本国
STEMを利用したTiN/Geコンタクト界面の微細構造解析

光原昌寿, 吹留佳祐, 西田稔, 山本圭介, 中島寛

第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：愛媛大学・松山大学国名：日本国
1.0 nm EOTを有するhigh-k/Ge ゲートスタックの形成

小島秀太, 坂本敬太, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月

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開催年月日： 2012年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学国名：日本国
Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer by Nitrogen Incorporation 国際会議

K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

2011 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2011) 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：WINC AICHI, Nagoya 国名：日本国
High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate 国際会議

T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

2011 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2011) 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：WINC AICHI, Nagoya 国名：日本国
SiN膜堆積によるSi基板への局所歪み導入

原田健司, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学国名：日本国
TiN/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性

山中武, 山本圭介, 上野隆二, 坂本敬太, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学国名：日本国
TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果

坂本敬太, 岩村義明, 山本圭介, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：山形大学国名：日本国
Photoluminescence observation of defects for uniaxially Strained Si-on-insulator 国際会議

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7) 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Leuven 国名：ベルギー王国
Alleviation of Fermi-level pinning at metal/Ge interface by direct deposition of TiN on Ge surface 国際会議

M. Iyota, K. Yamamoto, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7) 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Leuven 国名：ベルギー王国
High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface 招待国際会議

H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang

E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting 2011年5月

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開催年月日： 2011年5月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Congress Center, Nice 国名：フランス共和国
Ge-MOS キャパシタに於けるTiN メタルゲート形成後の熱処理効果

岩村義明, 坂本敬太, 平山佳奈, 山本圭介, 楊海貴, 王冬, 中島寛

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月

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開催年月日： 2011年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：神奈川工科大学国名：日本国
Defect evaluation by photoluminescence for uniaxially strained Si and strained Si-on-insulator 国際会議

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima

China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2011 2011年3月

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開催年月日： 2011年3月

会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Kerry Hotel Pudong, Shanghai 国名：中華人民共和国
Ge on insulator 構造を用いた横型SiGeスピン伝導素子の作製

大木健司, 菊岡柊也, 吉川修, 鍬釣一, 森本敦己, 山本圭介, 宇佐見, 服部梓, 澤野憲太郎, 浜屋宏平

2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月

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会議種別：口頭発表（一般）

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所属学協会

応用物理学会
アメリカ電気化学会

学術貢献活動

学術論文等の審査

役割：査読

2024年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：7

国際会議録　査読論文数：50
座長国際学術貢献

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF2023) （ Kanazawa Japan ） 2023年10月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：116
座長（Chairmanship）

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会（熊本城ホール他） 2023年9月

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種別：大会・シンポジウム等
座長国際学術貢献

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) （ Nagoya Japan ） 2023年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) （ Nagoya Japan ） 2023年9月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2023年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：5

国際会議録　査読論文数：50
Japanese Journal of Applied Physics, IWDTF2023特集号国際学術貢献

2022年12月 - 2024年7月

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種別：学会・研究会等
座長（Chairmanship）

2022年度応用物理学会九州支部学術講演会（大分大学） 2022年11月

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種別：大会・シンポジウム等
座長国際学術貢献

2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022) （ Chiba Japan ） 2022年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022) （ Chiba Japan ） 2022年9月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会（東北大学） 2022年9月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2022年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：3

国際会議録　査読論文数：42
座長（Chairmanship）

2021年度応用物理学会九州支部学術講演会（オンライン） 2021年12月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン） 2021年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021) （ Online Japan ） 2021年9月

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種別：大会・シンポジウム等
座長(moderator) 国際学術貢献

239th ECS Meeting （ Online UnitedStatesofAmerica ） 2021年5月 - 2021年6月

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種別：大会・シンポジウム等
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2021特集号国際学術貢献

2021年1月 - 2021年12月

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種別：学会・研究会等
学術論文等の審査

役割：査読

2021年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：3

国際会議録　査読論文数：37
座長（Chairmanship）国際学術貢献

2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020) （ online Japan ） 2020年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020) （ Online Japan ） 2020年9月

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種別：大会・シンポジウム等
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2020特集号国際学術貢献

2020年1月 - 2020年12月

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種別：学会・研究会等
学術論文等の審査

役割：査読

2020年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：4

国際会議録　査読論文数：31
座長（Chairmanship）国際学術貢献

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) （ Nagoya University, Nagoya Japan ） 2019年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) （ Nagoya University, Japan Japan ） 2019年9月

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種別：大会・シンポジウム等
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2019特集号国際学術貢献

2019年1月 - 2019年12月

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種別：学会・研究会等
学術論文等の審査

役割：査読

2019年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：7

国際会議録　査読論文数：58
座長（Chairmanship）

平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会（福岡大学、福岡市） 2018年12月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会（名古屋国際会議場、名古屋市） 2018年9月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）国際学術貢献

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) （ The University of Tokyo, Tokyo Japan ） 2018年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) （ The University of Tokyo, Japan Japan ） 2018年9月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2018年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：3

国際会議録　査読論文数：91
座長（Chairmanship）

平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会（宮崎観光ホテル、宮崎県宮崎市） 2017年12月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）国際学術貢献

2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017) （ Sendai International Center, Sendai, Miyagi Japan ） 2017年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2017) （ Sendai International Center, Sendai, Miyagi Japan ） 2017年9月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2017年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：2

国際会議録　査読論文数：31
座長（Chairmanship）

平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会（対馬市交流センター、長崎県対馬市） 2016年12月

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種別：大会・シンポジウム等
座長（Chairmanship）国際学術貢献

2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016) （ Tsukuba International Congress Center, Ibaraki Japan ） 2016年9月

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種別：大会・シンポジウム等
論文委員国際学術貢献

2016 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2016) （ Tsukuba International Congress Center, Tsukuba Japan ） 2016年9月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2016年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：5

国際会議録　査読論文数：38
座長（Chairmanship）

平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会（琉球大学、沖縄県） 2015年12月

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種別：大会・シンポジウム等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓

研究課題/領域番号：24H00034 2024年 - 2028年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発

研究課題/領域番号：24K07576 2024年 - 2026年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発

研究課題/領域番号：23K03927 2023年 - 2025年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発（A new fabrication scheme for Ge on Insulator with improved material properties）

2022年 - 2023年

JSPS二国間交流事業・共同研究（ベルギー(FWO)との共同研究）

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現

2021年 - 2023年

令和3-5年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
A new fabrication scheme for Ge on Insulator (NEW GOI)

2020年1月 - 2021年12月

共同研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
低消費電力フレキシブルCMOSの創製

2020年 - 2025年

NEDO・未踏チャレンジ2050

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担当区分：研究分担者資金種別：受託研究
ゲルマニウムスピンMOSFETの実証

研究課題/領域番号：19H05616 2019年 - 2023年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現

研究課題/領域番号：19K15028 2019年 - 2020年

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
卓越研究員制教員（総合理工学研究院）の海外派遣

2019年 - 2020年

2019 年度 Progress 100 （世界トップレベル研究者招へいプログラム）・若手研究者グローバルリーダー育成型

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担当区分：研究代表者資金種別：学内資金・基金等
材料界面の複合顕微解析―結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用―

研究課題/領域番号：18KK0134 2018年 - 2020年

日本学術振興会科学研究費助成事業国際共同研究強化(B)

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担当区分：研究分担者資金種別：科研費
電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー

2018年

九州大学QRプログラム・わかばチャレンジ

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担当区分：研究代表者資金種別：学内資金・基金等
超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究

2015年

九州大学教育研究プログラム・研究拠点形成プロジェクト(P&P)

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担当区分：研究代表者資金種別：学内資金・基金等
MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現

研究課題/領域番号：25886010 2013年 - 2014年

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費

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教育活動概要

2013年1月～2016年10月まで、グリーンアジア国際教育センターの助教として、｢文部科学省博士課程教育リーディングプログラムグリーンアジア国際戦略プログラム｣の運営推進・コース学生指導を担当した。

2016年11月からは総合理工学研究院に異動し、｢先端半導体の材料・プロセス・デバイス技術の開発｣を中心に研究および総合理工学府大学院生・工学部融合基礎工学科学部生の指導を行なっている。

担当授業科目

半導体・デバイス工学A

2024年4月 - 2024年6月春学期
Semiconductor Physics / 半導体物性

2024年4月 - 2024年6月春学期
Semiconductor Physics / 半導体物性

2023年4月 - 2023年6月春学期
研究指導演習(II)

2022年10月 - 2023年3月後期
研究指導演習(I)

2021年10月 - 2022年3月後期
研究指導演習(II)

2021年10月 - 2022年3月後期
Doctoral Research (II)

2021年4月 - 2022年3月通年
研究指導演習(I)

2020年10月 - 2021年3月後期
研究指導演習(II)

2020年10月 - 2021年3月後期
国際演習A1,A2,A3,A4

2020年4月 - 2021年3月通年
Doctoral Research (II)

2020年4月 - 2021年3月通年
研究指導演習(I)

2019年10月 - 2020年3月後期
Fundamental Research (III)

2019年4月 - 2020年3月通年
Doctoral Research (II)

2019年4月 - 2020年3月通年
Fundamental Research (I)

2019年4月 - 2020年3月通年
Fundamental Research (II)

2019年4月 - 2020年3月通年
Doctoral Research (I)

2017年4月 - 2017年9月前期

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国際教育イベント等への参加状況等

2013年11月

九州大学グリーンアジア国際リーダー教育センター・九州大学総合理工学研究院

グリーンアジア国際セミナー・総理工セミナー

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開催国・都市名：春日市
2013年1月

九州大学グリーンアジア国際リーダー教育センター

グリーンアジア国際セミナー

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開催国・都市名：福岡市

指導学生の受賞

2024 International Conference on Solid State devices and Materials(SSDM2024) Young Researcher Award

授与年月：2024年9月

受賞学生の区分：博士受賞学生氏名：Linyu HUANG

その他教育活動及び特記事項

2022年その他特記事項融合基礎工学科・高専連携プログラムインターンシップ生受け入れ(4名)

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融合基礎工学科・高専連携プログラムインターンシップ生受け入れ(4名)

社会貢献活動

九州大学　総理工セミナー総理工若手研究者ポスターセッション｢高性能ULSIのためのゲルマニウムMOSデバイスの開発｣

九州大学総合理工学府第一ホテル東京 2012年12月

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対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

種別：セミナー・ワークショップ

海外渡航歴

2019年10月 - 2019年12月

滞在国名1：ベルギー王国滞在機関名1：imec

学内運営に関わる各種委員・役職等

2019年4月 - 2022年3月学府総合理工学府同窓会　修了生役員