カンガワ ヨシヒロ
寒川 義裕
KANGAWA YOSHIHIRO
所属
応用力学研究所 新エネルギー力学部門 教授
総合理工学府 総合理工学専攻（併任）
半導体・デバイスエコシステム研究教育センター （併任）
エネルギー研究教育機構 （併任）
シンクロトロン光利用研究センター （併任）
総合理工学府 総合理工学専攻（併任）
半導体・デバイスエコシステム研究教育センター （併任）
エネルギー研究教育機構 （併任）
シンクロトロン光利用研究センター （併任）
職名
教授
連絡先
プロフィール
■プロセス・インフォマティクスによる新材料開発
■材料プロセスにおけるデジタルツイン（マルチフィジックス結晶成長シミュレーション技術）の構築
■深紫外LED、LD、次世代パワーデバイスの研究開発
など
ホームページ
ORCID
研究分野
研究分野
-
ナノテク・材料 / 結晶工学
-
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
-
ナノテク・材料 / 応用物性
学位
学位
-
博士（工学）
経歴
経歴
-
九州大学 応用力学研究所 教授
2017年6月 - 現在
詳細を見る
国名：日本国
備考：所長（2024~）、副所長（2022~2023）
-
名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授
2017年6月 - 2021年3月
詳細を見る
国名：日本国
備考：クロスアポイントメント
-
名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任准教授
2016年8月 - 2017年5月
詳細を見る
国名：日本国
備考：クロスアポイントメント
-
九州大学 応用力学研究所 准教授
2005年1月 - 2017年5月
詳細を見る
国名：日本国
-
東京農工大学 応用分子化学科 助手
2002年4月 - 2004年12月
詳細を見る
国名：日本国
-
学習院大学 計算機センター 助手
2000年4月 - 2002年3月
詳細を見る
国名：日本国
学歴
学歴
-
九州大学 総合理工学研究科 材料開発工学専攻
1997年4月 - 2000年3月
詳細を見る
国名：日本国
備考：博士後期過程
-
九州大学 総合理工学研究科 材料開発工学専攻
1995年4月 - 1997年3月
詳細を見る
国名：日本国
備考：博士前期過程
研究テーマ・研究キーワード
研究テーマ・研究キーワード
-
研究テーマ： プロセス・インフォマティクス
研究キーワード： プロセス・インフォマティクス
研究期間： 2024年
-
研究テーマ： 化合物半導体
研究キーワード： 化合物半導体
研究期間： 2024年
-
研究テーマ： 結晶成長
研究キーワード： 結晶成長
研究期間： 2024年
-
研究テーマ： 表面科学
研究キーワード： 表面科学
研究期間： 2024年
-
研究テーマ： 半導体化学気相成長の科学
研究キーワード： 化学気相成長
研究期間： 2024年4月 - 2028年3月
-
研究テーマ： エピタキシー
研究キーワード： エピタキシー
研究期間： 2024年
-
研究テーマ： 深紫外LEDの実用化に向けたAlGaNヘテロ界面の原子レベル制御
研究キーワード： 深紫外LED
研究期間： 2023年4月 - 2026年3月
-
研究テーマ： 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
研究キーワード： 量子論マルチシミュレーション
研究期間： 2020年4月 - 2023年3月
-
研究テーマ： 革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用
研究キーワード： パワーデバイス
研究期間： 2016年10月 - 2020年11月
-
研究テーマ： 深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究
研究キーワード： 深紫外レーザ
研究期間： 2016年4月 - 2022年3月
-
研究テーマ： 特異構造の結晶科学～完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス～
研究キーワード： 結晶の特異構造
研究期間： 2016年4月 - 2021年3月
-
研究テーマ： 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
研究キーワード： 次世代パワーデバイス
研究期間： 2016年4月 - 2021年3月
受賞
受賞
-
APEX/JJAP Editorial Contribution Award
2018年3月 The Japan Society of Applied Physics
-
第31回 論文賞
2014年11月 日本結晶成長学会 寒川義裕（九州大学）、秋山 亨（三重大学）、伊藤智徳（三重大学）、白石賢二（名古屋大学）、中山隆史（千葉大学） 「化合物半導体エピタキシーにおける量子計算科学の展開」
詳細を見る
【受賞理由】 寒川義裕氏らは量子論に基づく原子レベルの第一原理解析とマクロレベルの統計的解析を結合した手法を開発し、結晶成長の根幹に関わる現象を解明している。近年、化合物半導体の成長技術は飛躍的に進展しており、現在では原子レベルでその成長機構・膜構造を制御する段階に入っている。材料開発を更に加速するためには、材料設計・成膜における「羅針盤」とも言うべき表面構造状態図が必要となるが、成膜中の成長表面の原子配列（再構成構造）を実験的に解明することが困難である。表面再構成構造を解析する手法として量子論に基づく第一原理計算が有効と思われるが、従来法は絶対零度における静的構造安定性の解析に限られたものであった。候補者らは第一原理計算と量子統計化学に基づく計算手法を融合させた計算技術を開拓し、半導体成膜環境下における表面構造状態図の解析手法を確立した。また本計算技術を用いて窒化物半導体の非極性・半極性面における表面構造状態図を創成し、不純物取込やファセット形成等の成長機構の議論に展開した。本候補論文に記述されている知見は半導体材料開発、特に緑・赤色LED用材料の開発プロセスを加速する上で有用であり、本会論文賞にふさわしいと判断した。
-
Certificate of Appreciation
2011年12月 American Chemical Society 感謝状
-
研究活動表彰
2011年11月 九州大学
-
研究活動表彰
2010年11月 九州大学
-
研究・産学連携活動表彰
2009年5月 九州大学
-
EMS賞
2005年7月 Electronic Materials Symposium 本シンポジウムでは、平成9年（第16回）から優れた研究発表をなされた、あるいは討論等によりこの会議を盛り上げてくれた若手研究者を対象としたEMS賞を授与しています。
-
日本結晶成長学会 第2回奨励賞
2004年8月 日本結晶成長学会 受賞論文：Y. Kangawa, T. Ito, Y. S. Hiraoka, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, “Theoretical approach to influence of As2 pressure on GaAs growth kinetics”, Surf. Sci. 507-510(2002)285-289
-
放談賞
2003年8月 日本結晶成長学会
-
学生優秀発表賞
1999年1月 日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 寒川義裕、桑野範之、沖憲典、“InGaAs/(110)InP混晶におけるCuAu-I型規則化メカニズムの原子間ポテンシャルによる解析”
-
講演奨励賞
1996年1月 応用物理学会 寒川義裕、桑野範之、沖憲典、“III-V族半導体混晶におけるTP-A型規則化のモンテカルロ法による解析”
論文
論文
-
Kangawa, Y; Kusaba, A; Kawamura, T; Kempisty, P; Ishisone, K; Boero, M
CRYSTAL GROWTH & DESIGN 25 ( 3 ) 740 - 746 2025年1月 （ ISSN:1528-7483 eISSN:1528-7505 ）
詳細を見る
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Crystal Growth and Design
We investigate theoretically the formation mechanisms of the unintentional compositional gradient layer occurring at AlGaN/AlN heterointerfaces during metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The study of heterointerface morphology is crucial for developing AlGaN deep-ultraviolet light-emitting laser diodes. After studying the stability of the surface reconstructions with intrinsic point defects in their subsurface layers using an ab initio-based approach, we inspect the impact of defects on the atomic interdiffusion at the heterointerfaces by Monte Carlo simulation. The relationship between MOCVD conditions and the type of dominant intrinsic point defects is clarified. We find that (i) cation and anion vacancy complexes are dominant in the subsurface layers above 1000 °C and (ii) they accumulate near the AlGaN/AlN heterointerface during growth, causing cation interdiffusion, i.e., the formation of compositional gradient layers. Controlling the type of intrinsic point defects incorporated during the surface growth in MOCVD is a key factor in preserving atomically flat heterointerfaces.
その他リンク： https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.cgd.4c01542
-
Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE 査読 国際共著 国際誌
Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
Crystal Growth & Design 21 ( 3 ) 1878 - 1890 2021年2月
詳細を見る
-
Evolution of the free energy of the GaN (0001) surface based on first-principles phonon calculations 査読 国際共著 国際誌
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa
PHYSICAL REVIEW B 100 085304-1 - 12 2019年8月
詳細を見る
-
DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000 1 ) metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際共著 国際誌
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, Hiroshi Amano
Applied Physics Letters 111 ( 14 ) 2017年10月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
The carbon incorporation mechanism in GaN(0001) and GaN(000 1) during MOVPE was investigated using density functional theory (DFT) calculations. The results confirm that the crucial factors for carbon incorporation are Fermi level pinning and accompanying surface band bending. In addition, the lattice symmetry has a strong dependence on the stability of carbon in a few subsurface layers, which results from interactions between the impurities and surface states. It was shown that these effects are responsible for facilitating or hindering the incorporation of impurities and dopants. The influence of diluent gas species (hydrogen or nitrogen) on carbon incorporation was discussed.
DOI： 10.1063/1.4991608
-
First-principles molecular dynamics of H2 molecule formation inside hydrogenated amorphous carbon
Takei, Y; Ishii, J; Matsushima, S; Kusaba, A; Kangawa, Y; Hanada, K
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 614 2025年8月 （ ISSN:0022-3115 eISSN:1873-4820 ）
詳細を見る
出版者・発行元：Journal of Nuclear Materials
A carbon layer redeposited by plasma on a plasma facing wall is an important element for understanding tritium recycling in fusion power generation. The characteristics of this redeposited layer need to be thoroughly investigated, and hydrogenated amorphous carbon is considered a potential model for this purpose. In this study, first-principles molecular dynamics simulations were conducted to investigate the initial formation behavior of H2 molecules inside amorphous carbon, and systematic data on the relationship between the number of C-H bonds and H2 molecule formation were provided. The results suggest that the saturation of C-H bonds is the important factor in H2 molecule formation. This structural model is expected to contribute to further simulation studies on the characteristics of redeposited layers concerning tritium cycling.
-
Faceted-rough surface on a crystallite’s shape with nanometer-scale Kardar–Parisi–Zhang kinetic rough surfaces for interface-limited growth 査読
Noriko Akutsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kozo Fujiwara, Kensaku Maeda, Yasuhiro Akutsu
Applied Surface Science 708 163579 2025年6月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.1016/j.apsusc.2025.163579
オープンデータURL： https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.163579
-
Akutsu N, Kangawa Y
Scientific reports 14 ( 1 ) 29662 2024年11月 （ ISSN:2045-2322 ）
詳細を見る
担当区分：最終著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：Scientific Reports
Kinetic roughening of the (001) singular surface during steady crystal growth is studied on the basis of a lattice model using the Monte Carlo method. At a sufficiently low temperature, there are known to be two kinetic roughening points as the driving force for crystal growth Δμ increases. At a low driving force ΔμKPZ(001), there is the Karder–Parisi–Zhang (KPZ) roughening transition point. On the KPZ rough surface, elementary steps around islands are well defined though the surface is thermodynamically rough, with a roughness exponent α consistent with the KPZ universal value of 0.3869. Island-on-island structures were found to be crucial in forming the KPZ rough surface. To understand the effects of the atomical roughness of the (001) surface and the interplay of steps on long-period undulations on this surface, the dependence on the temperature T and driving force for crystal growth Δμ of surface quantities is investigated. At higher temperatures, additional Berezinskii–Kosterlitz–Thouless (BKT) rough and re-entrant KPZ regions are found for large Δμ, where the crystal surface grows adhesively. A T–Δμ kinetic roughening diagram is also presented.
-
Adiabatic Potential for Conformational Change of V<sub>Ga</sub>-V<sub>N</sub> Complex Defects in GaN 査読 国際誌
Nakamura, J; Oda, M; Kangawa, Y
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 2024 ( 11 ) 2400026 2024年3月 （ ISSN:0370-1972 eISSN:1521-3951 ）
詳細を見る
記述言語：英語 出版者・発行元：Physica Status Solidi (B) Basic Research
Focusing on a VGa–VN complex vacancy defect in GaN, the adiabatic potential for conformational changes of the VGa–VN is investigated using the density functional theory. There are two types of configurations due to the symmetry of the crystal, it is confirmed that there is almost no difference in their stability or electronic state. Using these configurations as the initial and final states, the defect reaction is analyzed when VGa–VN moves using the climbing-image nudged elastic band method. The reaction barrier for the migration of VGa (VN) is found to be 2.2 (3.3) eV. It is concluded that these reactions occur frequently as GaN is annealed since the atomic diffusion potential barrier is similar to that in other semiconductors. These results suggest that VGa–VN in GaN moves through the crystal as a pair of vacancies by alternately repeating the VGa and the VN migration. These results provide important knowledge for elucidating the microscopic mechanism of the experimentally observed VGa–VN aggregation reaction.
-
First-principles calculations of α-Ga2O3/Al2O3 superlattice band structures 査読 国際誌
Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
Journal of Crystal Growth 626 ( 15 ) 127477 2024年1月
詳細を見る
-
Advances in process informatics: AI-assisted exploration of material manufacturing process 招待 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa
JSAP Review 2023 230215 2023年10月
詳細を見る
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌） 出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics
-
Polar GaN Surfaces under Gallium Rich Conditions: Revised Thermodynamic Insights from Ab Initio Calculations 査読 国際誌
Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
Materials 16 ( 17 ) 5982 2023年8月
詳細を見る
-
Progress in Surface Science in III-Nitride MOCVD 招待 査読
Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba
Vacuum & Surface Science 66 ( 4 ) 227 - 232 2023年4月
詳細を見る
担当区分：筆頭著者 記述言語：日本語
-
Bandgap Change in Short‐Period InN/AlN Superlattices Induced by Lattice Strain 査読 国際誌
Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Akito Korei, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
physica status solidi (b) 2023 2200549 2023年2月
詳細を見る
-
Polarization Doping in a GaN-InN System—Ab Initio Simulation 査読 国際誌
Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Jacek Piechota, Yoshihiro Kangawa, Izabella Grzegory, Michal Leszczynski, Zbigniew R Zytkiewicz, Grzegorz Muziol, Eva Monroy, Agata Kaminska, Stanislaw Krukowski
Materials 16 ( 3 ) 1227 2023年1月
詳細を見る
-
Beyond <i>ab initio</i> reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy
Kusaba, A; Nitta, S; Shiraishi, K; Kuboyama, T; Kangawa, Y
APPLIED PHYSICS LETTERS 121 ( 16 ) 2022年10月 （ ISSN:0003-6951 eISSN:1077-3118 ）
詳細を見る
出版者・発行元：Applied Physics Letters
To develop a quantitative reaction simulator, data assimilation was performed using high-resolution time-of-flight mass spectrometry (TOF-MS) data applied to a GaN metalorganic vapor phase epitaxy system. Incorporating ab initio knowledge into the optimization enables it to reproduce not only the concentration of CH4 (an impurity precursor) as an objective variable but also known reaction pathways. The simulation results show significant production of GaH3, a precursor of GaN, which has been difficult to detect in TOF-MS experiments. Our proposed approach is expected to be applicable to other applied physics fields that require quantitative prediction that goes beyond ab initio reaction rates.
DOI： 10.1063/5.0119783
-
Polarization doping—Ab initio verification of the concept: Charge conservation and nonlocality 査読 国際誌
Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Jacek Piechota, Yoshihiro Kangawa, Izabella Grzegory, Michal Leszczynski, Zbigniew R Zytkiewicz, Grzegorz Muziol, Eva Monroy, Agata Kaminska, Stanislaw Krukowski
Journal of Applied Physics 132 ( 6 ) 064301 2022年8月
詳細を見る
-
An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth 査読 国際誌
Mauro Boero, Kieu My Bui, Kenji Shiraishi, Kana Ishisone, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Oshiyama
Applied Surface Science 599 153935 2022年6月
詳細を見る
-
DFT Modeling of Unintentional Oxygen Incorporation Enhanced by Magnesium in GaN (0001) and AlN (0001) Growth Surfaces during Metal‐Organic Vapor‐Phase Epitaxy 査読 国際誌
A. Kusaba, #R. M. Kurniawan, @P. Kempisty, Y. Kangawa
Physica Status Solidi (b) 2100430 2022年2月
詳細を見る
-
Exploration of a large-scale reconstructed structure on GaN(0001) surface by Bayesian optimization 査読 国際誌
A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Kuboyama, A. Oshiyama
Applied Physics Letters 120 ( 2 ) 021602 2022年1月
詳細を見る
-
結晶成長とプロセスインフォマティクス
寒川 義裕
日本結晶成長学会誌 49 ( 1 ) n/a 2022年 （ ISSN:03856275 eISSN:21878366 ）
詳細を見る
記述言語：日本語 出版者・発行元：日本結晶成長学会
<p> This tutorial provides an overview of the research trends to date in the field of crystal growth theory of semiconductors. Furthermore, a future outlook is discussed based on the research trends to date. In the research field, the major trend to date was to analyze and understand the experimental results and phenomena theoretically. As a number of physical models have already been developed in the research field, it is expected that these models will be used to construct “digital twins” of chemical reaction system and apply them to “process informatics” to predict optimum growth condition of new materials.</p>
-
Al coverage of AlN(0001) surface and Al vapor pressure – Thermodynamic assessment based on ab initio calculations 査読 国際誌
Pawel Strak, Ashfaq Ahmad, Pawel Kempisty, Jacek Piechota, Konrad Sakowski, Grzegorz Nowak, Yoshihiro Kangawa, Jan Łażewski, Stanislaw Krukowski
Computational Materials Science 203 ( 15 ) 111159 2021年12月
詳細を見る
-
Effects of Mg dopant in Al-composition-graded Al x Ga1− x N (0.45≤ x) on vertical electrical conductivity of ultrawide bandgap AlGaN p–n junction 査読 国際誌
Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Konrad Sakowski, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, Jacek Piechota, Isamu Akasaki
Applied Physics Express 14 ( 9 ) 096503 2021年8月
詳細を見る
-
Adsorption of nitrogen at AlN (000-1) surface–decisive role of structural and electronic factors 査読 国際誌
Pawel Strak, Konrad Sakowski, Jacek Piechota, Ashfaq Ahmad, Izabella Grzegory, @Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
Surface Science 713 121891 2021年6月
詳細を見る
-
Band gap tuning in InxGa1-xN/InyGa1-yN short period superlattices 査読 国際誌
I. Gorczyca, G. Staszczak, G. Targowski, E. Grzanka, J. Smalc-Koziorowska, T. Suski, T. Kawamura, Y. Kangawa
Superlattices and Microstructures 155 106907 2021年5月
詳細を見る
-
Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE 査読 国際誌
Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 4 ) 045507 2021年4月
詳細を見る
-
Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach 査読 国際誌
Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
CrystEngComm 23 ( 6 ) 1423 - 1428 2021年1月
詳細を見る
-
Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces 査読
Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Journal of Crystal Growth 549 125868 2020年11月
詳細を見る
-
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN 査読 国際誌
Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa
Scientific Reports 10 18570-1 - 11 2020年10月
詳細を見る
-
Ab initio and thermodynamic picture of Al adsorption of AlN (0001) surface–Role of bond creation and electron transition contributions 査読 国際誌
P. Kempisty, P. Strak, K. Sakowski, Y. Kangawa, S. Krukowski
Applied Surface Science 532 147419-1 - 12 2020年8月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読
Tomoya Kimura, Kazuki Ohnishi, Yuki Amano, Naoki Fujimoto, Masaaki Araidai, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 8 ) 088001 2020年7月
詳細を見る
-
Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p–n diodes 査読
Takashi Nakano, Yosuke Harashima, Kenta Chokawa, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Shigeyoshi Usami, Norihito Mayama, Kazuya Toda, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Applied Physics Letters 117 ( 1 ) 012105 2020年7月
詳細を見る
-
Daichi Yosho, Fumiya Shintaku, Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa, Jun Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 14 ( 6 ) 2020年6月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
The oxygen incorporation kinetics of vicinal m(10−10) gallium nitride (GaN) growth during metal-organic vapor phase epitaxy is clarified using a diffusion equation-based approach that incorporates diffusion potentials obtained by large-scale density functional theory (DFT) calculations. A diffusion model based on the Burton, Cabrera and Frank (BCF) theory is proposed, and then, the oxygen concentration in the epitaxial films is calculated quantitatively. The calculation results agree with the experimental tendency that the oxygen concentration in the −c 5° off m-GaN epilayers is lower than that in the +c 5° off m-GaN epilayers. Then, the off-angle dependence of oxygen incorporation in vicinal m-GaN growth is predicted.
-
Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Małgorzata Wierzbowska, Stanisław Krukowski
Physica Status Solidi (B) Basic Research 257 ( 4 ) 1900530-1 - 5 2020年4月
詳細を見る
-
Computational study of oxygen stability in vicinal m(10−10)-GaN growth by MOVPE 査読 国際誌
#F. Shintaku, #D. Yosho, Y. Kangawa, @J.-I. Iwata, @A. Oshiyama, @K. Shiraishi, @A. Tanaka, H. Amano
Applied Physics Express 13 055507-1 - 4 2020年4月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
DOI： 10.35848/1882-0786/ab8723
リポジトリ公開URL： https://hdl.handle.net/2324/7173479
-
Modeling carbon coverage on polar GaN surfaces during MOVPE 査読 国際誌
#Daichi Yosho, #Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa
Japanese Journal of Applied Physics 59 048002-1 - 5 2020年4月
詳細を見る
-
Theoretical study of adatom stability on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE 査読 国際誌
Y. Inatomi, Y. Kangawa
Applied Surface Science 502 144205-1 - 8 2020年2月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis for nonpolar III-nitride surfaces under metalorganic vapor-phase epitaxy conditions 査読 国際誌
Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, @Yoshihiro Kangawa
Japanese Journal of Applied Physics 59 028003-1 - 4 2020年1月
詳細を見る
-
Chemical vapor deposition condition dependence of reconstructed surfaces on 4H-SiC (0001), (000-1), and (1-100) surfaces 査読 国際誌
Kenta Chokawa, Emi Makino, Norikazu Hosokawa, Shoichi Onda, Yoshihiro Kangawa, and Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 58 115501-1 - 7 2019年10月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth conditions 査読 国際誌
Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, @Yoshihiro Kangawa
Japanese Journal of Applied Physics 58 SC1014-1 - 9 2019年5月
詳細を見る
-
Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読 国際誌
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings 2019年5月
詳細を見る
-
Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa
Materials 12 ( 6 ) 972-1 - 14 2019年3月
詳細を見る
-
Kieu My Bui, Jun Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, Atsushi Oshiyama
Journal of Crystal Growth 507 421 - 424 2019年2月
詳細を見る
-
Y. Inatomi, Yoshihiro Kangawa, A. Pimpinelli, T. L. Einstein
Physical Review Materials 3 ( 1 ) 013401-1 - 8 2019年1月
詳細を見る
-
Kenta Chokawa, Emi Makino, Norikazu Hosokawa, Shoichi Onda, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 11 ) 2019年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Chemical vapor deposition has been developed to enable defect-free 4H-SiC crystals to be grown at lower cost and with higher growth rates. However, the structure and stability of 4H-SiC surfaces during crystal growth has not been clarified. In this study, we performed first-principles calculations and obtained the surface energies of ideal surfaces and Si-terminated surfaces on (0001), (000) and (100) surfaces. For the (0001) and (000) surfaces, the Si-terminated surfaces are more stable than the ideal surfaces and Si atoms are adsorbed onto the surfaces up to high temperatures. The ideal surface on the (100) surface is stable, and the Si-terminated surface changes to an ideal surface at lower temperatures than on the (0001) and (000) surfaces. These results indicate the possible temperature ranges in which to perform crystal growth. Thus, we clarified the conditions required to grow 4H-SiC crystals and the dependency of these structures on surface orientation.
-
Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Toru Akiyama
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 11 ) 115504-1 - 7 2018年11月
詳細を見る
-
Kieu My Bui, Jun Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, Atsushi Oshiyama
Journal of Physical Chemistry C 122 ( 43 ) 24665 - 24671 2018年11月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy 査読 国際誌
Kazuki Sekiguchi, Hiroki Shirakawa, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, @Yoshihiro Kangawa, @Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 4S ) 04FJ03-1 - 4 2018年3月
詳細を見る
-
First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under oxide vapor phase epitaxy growth conditions 査読 国際誌
T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254 ( 8 ) 1600706-1 - 6 2017年8月
詳細を見る
-
Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Materials 10 ( 8 ) 948-1 - 13 2017年8月
詳細を見る
-
First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of GaN 招待 査読 国際誌
Kenji Shiraishi, Kazuki Sekiguchi, Hiroki Shirakawa, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, @Yoshihiro Kangawa, @Koichi Kakimoto
ECS Transactions 80 ( 1 ) 295 - 301 2017年8月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of (0001) and (000(1)over-bar) GaN metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌
A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, H. Valencia, K. Shiraishi, Y. Kumagai, K. Kakimoto, A. Koukitu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 7 ) 070304-1 - 4 2017年7月
詳細を見る
-
Theoretical study of the composition pulling effect in InGaN metalorganic vapor-phase epitaxy growth 査読 国際誌
Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, Y. Kumagai, K. Kakimoto, A. Koukitu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 7 ) 078003-1 - 3 2017年7月
詳細を見る
-
Chemical beam epitaxy of GaAs1-xNx using MMHy and DMHy precursors, modeled by ab initio study of GaAs(100) surfaces stability over As-2, H-2 and N-2 査読 国際誌
H. VALENCIA, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 557 - 561 2017年6月
詳細を見る
-
Hubert Valencia, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes 56 ( 6 ) 060306-1 - 3 2017年6月
詳細を見る
-
First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN 査読 国際誌
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 950 - 953 2017年6月
詳細を見る
-
Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III-nitride metal organic vapor phase epitaxy 査読 国際誌
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K.Shiraishi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 4 ) 04CJ04-1 - 4 2017年4月
詳細を見る
-
Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics 56 ( 3 ) 038002-1 - 3 2017年3月
詳細を見る
-
Pawel Kempisty, Paweł Stra̧k, Konrad Sakowski, Yoshihiro Kangawa, Stanisław Krukowski
Physical Chemistry Chemical Physics 19 ( 43 ) 29676 - 29684 2017年1月
詳細を見る
-
Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌
A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Kakimoto, A. Koukitu
APPLIED PHYSICS EXPRESS 9 ( 12 ) 125601-1 - 4 2016年12月
詳細を見る
-
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 5 ) 05FM01-1 - 4 2016年5月
詳細を見る
-
Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics 査読 国際誌
Takahiro Kawamura, Mitsutoshi Mizutani, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Japanese Journal of Applied Physics 55 ( 3 ) 031301-1 - 5 2016年3月
詳細を見る
-
Ab initio study of GaAs(100) surface stability over AS(2), H-2 and N-2 as a model for vapor-phase epitaxy of GaAs1-xNx 査読 国際誌
H. Valencia, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 432 6 - 14 2015年12月
詳細を見る
-
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method 査読 国際誌
Y. Kangawa, H. Suetsugu, M. Knetzger, E. Meissner, K. Hazu, S. F. Chichibu, T. Kajiwara, S. Tanaka, Y. Iwasaki, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 085501-1 - 5 2015年8月
詳細を見る
-
Real-time observation system development for high-temperature liquid/solid interfaces and its application to solid-source solution growth of AlN 査読 国際誌
Y. Kangawa, A. Kusaba, H. Sumiyoshi, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 ( 6 ) 065601-1 - 3 2015年6月
詳細を見る
-
Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability 招待 査読 国際誌
Y. Kangawa, T. Ito, A. Koukitu, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 10 ) 100202-1 - 11 2014年10月
詳細を見る
-
Role of the Surface N-H Molecular Layer in High Quality In-RICH InGaN Growth by MOVPE 査読 国際誌
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING OF JAPAN 47 ( 7 ) 2014年7月
詳細を見る
-
Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001) and (000(1)over-bar) 査読 国際誌
R. Iguchi, T. Kawamura, Y. Suzuki, M. Inoue, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 6 ) 065601-1 - 4 2014年6月
詳細を見る
-
Molecular beam epitaxy growth of GaN under Ga-rich conditions investigated by molecular dynamics simulation 査読 国際誌
T. Kawamura, H. Hayashi, T. Miki, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 5 ) 05FL08-1 - 5 2014年5月
詳細を見る
-
First principles approach to C aggregation process during 0th graphene growth on SiC (0001) 査読 国際誌
M. Inoue, H. Kageshima, Y. Kangawa, K. Kakimoto
AIP Conf. Proc. 1566 129 - 130 2013年12月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
-
InSb Mid-Infrared Photon Detector for Room-Temperature Operation 査読 国際誌
Koichi Ueno, Edson Gomes Camargo, Takashi Katsumata, Hiromasa Goto, Naohiro Kuze, Yoshihiro KANGAWA, Koichi Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 9 ) 092202-1 - 092202-6 2013年9月
詳細を見る
-
Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach 招待 査読 国際誌
Yoshihiro KANGAWA, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama
MATERIALS 6 ( 8 ) 3309 - 3360 2013年8月
詳細を見る
担当区分：筆頭著者, 責任著者 記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
We review the surface stability and growth kinetics of III-V and III-nitride semiconductors. The theoretical approach used in these studies is based on ab initio calculations and includes gas-phase free energy. With this method, we can investigate the influence of growth conditions, such as partial pressure and temperature, on the surface stability and growth kinetics. First, we examine the feasibility of this approach by comparing calculated surface phase diagrams of GaAs(001) with experimental results. In addition, the Ga diffusion length on GaAs(001) during molecular beam epitaxy is discussed. Next, this approach is systematically applied to the reconstruction, adsorption and incorporation on various nitride semiconductor surfaces. The calculated results for nitride semiconductor surface reconstructions with polar, nonpolar, and semipolar orientations suggest that adlayer reconstructions generally appear on the polar and the semipolar surfaces. However, the stable ideal surface without adsorption is found on the nonpolar surfaces because the ideal surface satisfies the electron counting rule. Finally, the stability of hydrogen and the incorporation mechanisms of Mg and C during metalorganic vapor phase epitaxy are discussed.
DOI： 10.3390/ma6083309
-
Theoretical Investigation of the Effect of Growth Orientation on Indium Incorporation Efficiency during InGaN Thin Film Growth by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読 国際誌
Tomoe Yayama, Yoshihiro KANGAWA, Koichi Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 8 ) 08JC02-1 - 08JC02-3 2013年8月
詳細を見る
-
Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process 査読 国際誌
Makoto Inoue, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, BING GAO, Yoshihiro KANGAWA, Koichi Kakimoto
INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY 706923 2013年6月
詳細を見る
-
Thermodynamic Analysis of Coherently Grown GaAsN/Ge: Effects of Different Gaseous Sources 査読 国際誌
J. Kawano, Y. Kangawa, T. Yayama, K. Kakimoto, A. Koukitu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 4 ) 045601-1 - 045601-5 2013年4月
詳細を見る
-
First principles approach to C aggregation process during 0th graphene growth on SiC(0001) 査読 国際誌
Masato Inoue, Hiroyuki Kageshima, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012 Physics of Semiconductors - Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012 1566 129 - 130 2013年1月
詳細を見る
-
N Substitution in GaAs(001) Surface under an Atmosphere of Hydrogen 査読 国際誌
J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 10 ) 10ND17-1 - 10ND17-4 2012年10月
詳細を見る
-
First-principles calculation of 0th-layer graphene-like growth of C on SiC(0001) 査読 国際誌
M. Inoue, H. Kageshima, Y. Kangawa, K. Kakimoto
PHYSICAL REVIEW B 86 ( 8 ) 085417-1 - 085417-7 2012年8月
詳細を見る
-
Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory 査読 国際誌
T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 352 ( 1 ) 2012年8月
詳細を見る
-
Molecular dynamics simulation of diffusion behavior of N atoms on the growth surface in GaN solution growth 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Y. Suzuki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 351 ( 1 ) 2012年7月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of vapor-phase epitaxial growth of GaAsN on Ge 査読 国際誌
J. Kawano, Y. Kangawa, T. Ito, K. Kakimoto, A. Koukitu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 343 ( 1 ) 2012年3月
詳細を見る
-
Investigation of GaN Solution Growth Processes on Ga- and N-Faces by Molecular Dynamics Simulation 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, S. Kotake, Y. Suzuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 1 ) 01AF06-1 - 01AF06-4 2012年1月
詳細を見る
-
Jun Kawano, Yoshihiro Kangawa, Tomoe Yayama, Tomonori Ito, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2011, Program - 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2011 496 - 500 2011年12月
詳細を見る
-
Microstructure of Bulk AlN Grown by A New Solution Growth Method 査読 国際誌
Y. Kangawa, N. Kuwano, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 12 ) 120202-1 - 120202-3 2011年12月
詳細を見る
-
固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究 招待 査読
寒川 義裕, B. M. Eelbaum, 桑野範之, 柿本 浩一
日本結晶成長学会誌 38 2011年12月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Novel Solution Growth Method of Bulk AlN Using Al and Li3N Solid Sources 査読 国際誌
Yoshihiro KANGAWA, Ryutaro Toki, Tomoe Yayama, Boris M. Epelbaum, Koichi Kakimoto
APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 ( 9 ) 095501-1 - 095501-3 2011年9月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
窒化アルミニウムは深紫外LEDやパワーデバイス用の材料として期待されている。しかし、そのバルク成長技術は開発途上にある。本研究では、固体ソース溶液成長技術を開発し、窒化アルミニウムのバルク成長に適用した。新規溶液成長技術により、従来の窒素ガスを窒素原料とする低温溶液成長技術に比べ約２倍の成長速度を達成することに成功した。また、得られた窒化アルミニウム単結晶に含まれる貫通転位密度はハライド気相成長法により作製した単結晶と同程度であり、高品質結晶の成長が確認された。以上より、本研究で開発した固体ソース溶液成長技術の適用可能性が示唆された。
-
Calculation of phase diagrams of the Li3N-Al system for AlN growth 査読 国際誌
T. Yayama, Yoshihiro KANGAWA, Koichi Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI C 8 ( 5 ) 1581 - 1584 2011年5月
詳細を見る
-
Tight-Binding Approach to Initial Stage of the Graphitization Process on a Vicinal SiC Surface 査読 国際誌
M. Inoue, Yoshihiro KANGAWA, K. Wakabayashi, H. Kageshima, Koichi Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 3 ) 038003-1 - 038003-2 2011年3月
詳細を見る
-
半導体バルク結晶成長における熱と物質の輸送と成長速度との関係 招待 査読
柿本浩一、Gao Bing、中野 智、寒川義裕
日本結晶成長学会誌 38 2011年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
GaAsN気相エピキタシーにおける混晶組成の理論的検討 招待 査読
川野 潤、寒川義裕、屋山 巴、伊藤智徳、柿本浩一、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 38 2011年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 312 ( 18 ) 2010年9月
詳細を見る
-
Theoretical analyses of In incorporation and compositional instability in coherently grown InGaN thin films 査読 国際誌
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
PHYSICA STATUS SOLIDI C 7 ( 7-8 ) 2249 - 2251 2010年7月
詳細を見る
-
AlN synthesis on AlN/SiC template using Li-Al-N solvent 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI A 207 ( 6 ) 2010年6月
詳細を見る
-
H. Matsuo, S. Hisamatsu, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
ISTC/CSTIC 2009 (CISTC), ECS Transactions - ISTC/CSTIC 2009 (CISTC) 18 1037 - 1042 2009年12月
詳細を見る
-
Heat and impurity transfer mechanisms of Czochralski and directional solidification processes 査読 国際誌
Koichi Kakimoto, X. J. Chen, L. J. Liu, H. Miyazawa, H. Matsuo, S. Nakano, S. Hisamatsu, Yoshihiro Kangawa
ISTC/CSTIC 2009 (CISTC), ECS Transactions - ISTC/CSTIC 2009 (CISTC) 925 - 933 2009年12月
詳細を見る
-
Numerical Analysis of mc-Si Crystal Growth 査読 国際誌
K. Kakimoto, H. Matsuo, S. Hisamatsu, B. Ganesh, B. Gao, X. J. Chen, L. J. Liu, Y. Kangawa
Solid State Phenomena 156-158 2009年10月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
-
Method for Theoretical Prediction of Indium Composition in Coherently Grown InGaN Thin Films 査読 国際誌
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 ( 8 ) 088004 - 088005 2009年8月
詳細を見る
-
Influence of compositional changes of source materials on AlN synthesis using Li-Al-N solvent 査読 国際誌
T. Nagano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI C 6 2009年6月
詳細を見る
-
Theoretical approach to structural stability of GaN: How to grow cubic GaN 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, Koichi Kakimoto
Journal of Crystal Growth 311 ( 10 ) 3106 - 3109 2009年5月
詳細を見る
-
Possibility of AlN vapor phase epitaxy using Li(3)N as a nitrogen source 査読 国際誌
Y. Kangawa, T. Nagano, K. Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI C 6 2009年1月
詳細を見る
-
Numerical analysis of Mc-Si crystal growth 査読 国際誌
Koichi Kakimoto, Hitoshi Matsuo, Syo Hisamatsu, Birava Ganesh, Gao Bing, X. J. Chen, Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Yoshihiro Kangawa
13th International Autumn Meeting - Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST 2009, Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIII, GADEST 2009 193 - 198 2009年1月
詳細を見る
-
Monte Carlo simulation of atomic arrangement in InGaN thin film grown by MOVPE 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 ( 3 ) 2009年1月
詳細を見る
-
Distribution of Light Elements in Multicrystalline Silicon for Solar Cells Grown by Directional Solidification 査読 国際誌
H. Matsuo, S. Hisamatsu, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 156 ( 9 ) 2009年1月
詳細を見る
-
Thermal Conductivity of SiC Calculated by Molecular Dynamics 査読 国際誌
T. Kawamura, D. Hori, Y. Kangawa, K. Kakimoto, M. Yoshimura, Y. Mori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 12 ) 8898 - 8901 2008年12月
詳細を見る
-
Thermodynamical analysis of oxygen incorporation from a quartz crucible during solidification of multicrystalline silicon for solar cell 査読 国際誌
H. Matsuo, R. B. Ganesh, S. Nakano, L. J. Liu, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Oshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 ( 22 ) 4666 - 4671 2008年11月
詳細を見る
-
Directional solidification of multicrystalline silicon using the accelerated crucible rotation technique 査読 国際誌
R. B. Ganesh, H. Matsuo, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
CRYSTAL GROWTH & DESIGN 8 ( 7 ) 2008年7月
詳細を見る
-
Estimation of growth rate in unidirectionally solidified multicrystalline silicon by the growth-induced striation method 査読 国際誌
R. B. Ganesh, H. Matsuo, T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 ( 11 ) 2697 - 2701 2008年5月
詳細を見る
-
Synthesis of AlN from Li3N and Al: Application to vapor phase epitaxy 査読 国際誌
T. Wakigawa, T. Nagano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 ( 11 ) 2827 - 2831 2008年5月
詳細を見る
-
Investigation of the thermal conductivity of a fullerene peapod by molecular dynamics simulation 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 ( 7-9 ) 2008年4月
詳細を見る
-
Global analysis of GaN growth using a solution technique 査読 国際誌
D. Kashiwagi, R. Gejo, Y. Kangawa, L. J. Liu, F. Kawamura, Y. Mori, T. Sasaki, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 ( 7-9 ) 2008年4月
詳細を見る
-
Numerical investigation of crystal growth process of bulk Si and nitrides - A review 招待 査読 国際誌
Koichi Kakimoto, L. Liu, H. Miyazawa, S. Nakano, D. Kashiwagi, X. J. Chen, Yoshihiro Kangawa
Crystal Research and Technology 42 ( 12 ) 1185 - 1189 2007年12月
詳細を見る
-
c-GaN分子線エピタキシーにおける成長初期過程の理論解析 招待 査読
寒川 義裕, 松尾有里子, 秋山亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 柿本 浩一
クリスタルレターズ 36 2007年9月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Possibility of AlN solution growth using Al and Li3N 査読 国際誌
Y. Kangawa, T. Wakigawa, K. Kakimoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 46 ( 9A ) 2007年9月
詳細を見る
-
Numerical study of the relationship between growth condition and atomic arrangement of InGaN 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
PHYSICA STATUS SOLIDI B 244 ( 6 ) 2007年6月
詳細を見る
-
Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of GaN/AlN quantum dot superlattices 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Physica Status Solidi C 4 ( 7 ) 2007年6月
詳細を見る
-
InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討 招待 査読
寒川義裕・柿本浩一・伊藤智徳・纐纈明伯
応用物理 2007年5月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Ab initio-based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN (001) 査読 国際誌
Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 2007年4月
詳細を見る
-
Theoretical approach to initial growth kinetics of GaN on GaN(001) 査読 国際誌
Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 300 ( 1 ) 2007年3月
詳細を見る
-
Influence of hydrogen coverage on Si(1 1 1) substrate on the growth of GaN buffer layer 査読 国際誌
Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Rie Togashi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth 300 ( 1 ) 66 - 69 2007年3月
詳細を見る
-
Analysis of compositional instability of InGaN by Monte Carlo simulation 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 2007年1月
詳細を見る
-
Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
Journal of Crystal Growth 298 ( SPEC. ISS ) 251 - 253 2007年1月
詳細を見る
-
Thermodynamic stability of In1-x-yGaxAlyN on GaN and InN 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
Physica Status Solidi C 3 ( 6 ) 2006年6月
詳細を見る
-
Investigation of thermal conductivity of nitride mixed crystals and superlattices by molecular dynamics 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Physica Status Solidi C 3 ( 6 ) 2006年6月
詳細を見る
-
Growth of GaN directly on Si(111) substrate by controlling atomic configuration of Si surface by metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌
K. Takemoto, H. Murakami, T. Iwamoto, Y. Matsuo, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 45 ( 17-19 ) 2006年5月
詳細を見る
-
Enhancement of the diffusion of oxygen and boron in silicon crystals under irradiation of infrared laser light 査読 国際誌
L. J. Liu, K. Tanahashi, H. Yamada-Kaneta, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 99 ( 7 ) 073103-1 - 073103-4 2006年4月
詳細を見る
-
MBE growth of a novel chalcopyrite-type ternary compound MnGeP2 査読 国際誌
K. Sato, T. Ishibashi, K. Minami, H. Yuasa, J. Jogo, T. Nagatsuka, A. Mizusawa, Y. Kangawa, A. Koukitu
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS 66 ( 11 ) 2005年11月
詳細を見る
-
Investigation of thermal conductivity of GaN by molecular dynamics 査読 国際誌
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 284 ( 1-2 ) 197 - 202 2005年10月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth 査読 国際誌
Akinori Koukitu, Jun Kikuchi, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai
The Internbational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III Journal of Crystal Growth 281 ( 1 ) 47 - 54 2005年7月
詳細を見る
-
Growth of MnGeP2 thin films by molecular beam epitaxy 査読 国際誌
Kazuyuki Minami, Jumpei Jogo, Valery Smirnov, Hideki Yuasa, Toshikazu Nagatsuka, Takayuki Ishibashi, Yoshitaka Morishita, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Akinori Koukitu, Katsuaki Sato
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 44 ( 8-11 ) L265 - L267 2005年6月
詳細を見る
-
MnGeP2 thin films grown by molecular beam epitaxy 査読 国際誌
T. Ishibashi, K. Minami, J. Jogo, T. Nagatsuka, H. Yuasa, V. Smirnov, Y. Kangawa, A. Koukitu, K. Sato
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY 18 ( 1 ) 2005年2月
詳細を見る
-
GaN growth process using GaP(111)A and (111)B surfaces as an initial substrate 査読 国際誌
Y. Matsuo, N. Kawaguchi, M. Fujino, Y. Kangawa, Y. Kumagai, T. Irisawa, A. Koukitu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275 ( 1-2 ) 2005年2月
詳細を見る
-
Impact of crystallization manner of the buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layers on GaAs (111)A substrate 査読 国際誌
H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275 ( 1-2 ) 2005年2月
詳細を見る
-
化合物半導体気相成長の熱力学 査読
纐纈 明伯、寒川 義裕、熊谷 義直、関 壽
応用物理 2005年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Growth of thick AlN layer on sapphire (0001) substrate using hydride vapor phase epitaxy 査読 国際誌
T. Yamane, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
Physica Status Solidi C 2 ( 7 ) 2005年1月
詳細を見る
-
Growth and characterization of thick GaN layers with high Fe doping 査読 国際誌
Y. Kumagai, H. Murakami, Y. Kangawa, A. Koukitu
Physica Status Solidi C 2 ( 7 ) 2005年1月
詳細を見る
-
Yoshihiro Kangawa, Norihito Kawaguchi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth 272 ( 1-4 SPEC. ISS. ) 444 - 448 2004年12月
詳細を見る
-
Thermodynamic analysis of InN and InxGa1-xN MOVPE using various nitrogen sources 査読 国際誌
Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Ken Tanaka, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth 272 ( 1-4 SPEC. ISS. ) 341 - 347 2004年12月
詳細を見る
-
Systematic theoretical investigations of adsorption behavior on the GaAs(0 0 l)-c(4 × 4) surfaces 査読 国際誌
Tomonori Ito, Kazumi Tsutsumida, Kohji Nakamura, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Akihito Taguchi, Hiroyuki Kageshima
Applied Surface Science 237 ( 1-4 ) 194 - 199 2004年10月
詳細を見る
-
Theoretical investigations of adatom behavior on non-planar surfaces with GaAs(n 1 1)A 査読 国際誌
Koichi Asano, Yoshihiro Kangawa, Hirotoshi Ishizaki, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomononori Ito
Applied Surface Science 237 ( 1-4 ) 206 - 212 2004年10月
詳細を見る
-
Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content 査読 国際誌
Norihito Kawaguchi, Ken Nosuke Hida, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Physica Status Solidi (A) Applied Research 201 ( 12 ) 2846 - 2849 2004年9月
詳細を見る
-
Yoshihiro Kangawa, Norihito Kawaguchi, Ken Nosuke Hida, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 43 ( 8A ) L1026 - L1028 2004年8月
詳細を見る
-
Hisashi Murakami, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth 268 ( 1-2 ) 1 - 7 2004年7月
詳細を見る
-
IV族混晶半導体の熱力学的安定性 査読
伊藤智徳、寒川義裕
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Y. Kumagai, T. Yamane, T. Miyaji, H. Murakami, Yoshihiro Kangawa, A. Koukitu
5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS 2003, Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 2498 - 2501 2003年12月
詳細を見る
-
Atsushi Mori, Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa, Akinori Koukitu
5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS 2003, Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 2486 - 2489 2003年12月
詳細を見る
-
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, Y. Kumagai, A. Koukitu
5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS 2003 Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 2575 - 2579 2003年12月
詳細を見る
-
H. Murakami, N. Kawaguchi, Yoshihiro Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
5th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS 2003 Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 2141 - 2144 2003年12月
詳細を見る
-
An empirical potential approach to structural stability of GaNxAs<>sub1-x#DR 査読 国際誌
Takashi Suda, Yoshihiro Kangawa, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
Journal of Crystal Growth 258 ( 3-4 ) 277 - 282 2003年11月
詳細を見る
-
Semigrand canonical Monte Carlo simulation with the Gibbs-Duhem integration technique: Formulation for alloy phase diagrams and attempt on InxGa1-xN/GaN 査読 国際誌
A. Mori, B. B. Laird, Yoshihiro Kangawa, T. Ito, A. Koukitu
Russian Journal of Physical Chemistry A 77 ( SUPPL. 1 ) S21 2003年7月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Effect of Ni-Cu substrates on phase selection of hexagonal and cubic boron nitride thin films 査読 国際誌
Shigeo Kotake, Takaya Hasegawa, Kazutaka Kamiya, Yasuyuki Suzuki, Takami Masui, Yoshihiro Kangawa, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
Applied Surface Science 216 ( 1-4 SPEC. ) 72 - 77 2003年6月
詳細を見る
-
Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Applied Surface Science 216 ( 1-4 SPEC. ) 453 - 457 2003年6月
詳細を見る
-
Systematic theoretical investigations of miscibility in Si1-x-yGexCy thin films 査読 国際誌
Tomonori Ito, Kohji Nakamura, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Akihito Taguchi, Hiroyuki Kageshima
Applied Surface Science 216 ( 1-4 SPEC. ) 458 - 462 2003年6月
詳細を見る
-
High temperature ramping rate for GaAs (111)A substrate covered with a thin GaN buffer layer for thick GaN growth at 1000°C 査読 国際誌
Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami, Yoshihiro Kangawa, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 5B ) L526 - L528 2003年5月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Theoretical investigation of arsenic desorption from GaAs(001) surfaces under an atmosphere of hydrogen 査読 国際誌
Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Toshiharu Irisawa, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes 42 ( 5 A ) 2578 - 2581 2003年5月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Semigrand canonical Monte Carlo simulation with Gibbs-Duhem integration technique for alloy phase diagrams 査読 国際誌
Atsushi Mori, Brian B. Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akinori Koukitu
Materials Physics and Mechanics 6 ( 1 ) 49 - 57 2003年3月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Norihito Kawaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 42 ( 2 A ) L95 - L98 2003年2月
詳細を見る
-
GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ 招待 査読
寒川義裕，伊藤智徳，白石賢二，大鉢忠，纐纈明伯
表面科学 2003年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs(111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers 査読 国際誌
H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
Phys. Stat. Sol. (c) 2003年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE 査読 国際誌
Y. Kangawa, T. Ito, Y. Kumagai and A. Koukitu
Phys. Stat. Sol. (c) 2003年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響 査読
寒川義裕，伊藤智徳，熊谷義直，纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2003年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Theoretical approach to influence of As2 pressure on GaAs growth kinetics 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, Y. S. Hiraoka, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
Surface Science 507-510 285 - 289 2002年6月
詳細を見る
-
Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(0 0 1) 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Irisawa, T. Ohachi
Applied Surface Science 190 ( 1-4 ) 517 - 520 2002年5月
詳細を見る
-
An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende structural stability of semiconductors 査読 国際誌
Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa
Journal of Crystal Growth 235 ( 1-4 ) 149 - 153 2002年2月
詳細を見る
-
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
Journal of Crystal Growth 237-239 ( 1 4 I ) 223 - 226 2002年1月
詳細を見る
-
Theoretical investigations of thermodynamic stability for Si1-x-yGexCy 査読 国際誌
Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa
Journal of Crystal Growth 237-239 ( 1 4I ) 116 - 120 2002年1月
詳細を見る
-
A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
Surface Science 493 ( 1-3 ) 178 - 181 2001年11月
詳細を見る
-
Theoretical investigations of adatom adsorptions on the As-stabilized GaAs(1 1 1)A surface 査読 国際誌
A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ito, Yoshihiro Kangawa
Surface Science 493 ( 1-3 ) 173 - 177 2001年11月
詳細を見る
-
Formation mechanism of Al-segregated region in InAlAs/(110)InP 査読 国際誌
Y. Kangawa, K. Wakizono, N. Kuwano, K. Oki, T. Ito
J. Cryst. Growth 229 ( 1 ) 164 - 168 2001年1月
詳細を見る
-
Empirical Interatomic potential calculation for compositional instability of III-V nitride alloys in lattice mismatch systems 査読 国際誌
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors 2000年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
-
Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN 査読 国際誌
Yoshihiro Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu
Journal of Crystal Growth 220 ( 4 ) 401 - 404 2000年1月
詳細を見る
-
Numerical calculation with empirical interatomic potential for formation mechanism of CuAu-I type ordered structure in InGaAs/(110)InP 査読 国際誌
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki, T. Ito
Appl. Surf. Sci. 159 368 - 373 2000年1月
詳細を見る
-
A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stability 査読 国際誌
Y. Kangawa and T. Ito
Proc. 27th International Symposium on Compound Semiconductors 2000年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
-
原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混晶中に出現するCuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析 査読
寒川義裕、桑野範之、沖憲典、伊藤智徳
日本金属学会誌 1999年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：研究論文（学術雑誌）
-
Yoshihiro Kangawa, Noriyuki Kuwano, Kensuke Oki, Tomonori Ito
日本金属学会誌 63 ( 6 ) 741 - 746 1999年1月
詳細を見る
-
Formation mechanism of antiphase boundary structure in molecular beam epitaxy grown InGaAs/(110)InP 査読 国際誌
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ( 1A ) 40 - 41 1999年1月
詳細を見る
-
Numerical calculation with empirical interatomic potential for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP 査読 国際誌
Y. Kangawa, M. Suenaga, N. Kuwano, K. Oki
Proc. of International Conference on Solid-Solid Phase Transformations ’99 (JIMIC-3) 661 - 664 1999年1月
詳細を見る
記述言語：英語 掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
書籍等出版物
書籍等出版物
-
Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach
T. Matsuoka, @Y. Kangawa（担当：編集）
Springer Nature 2018年5月
詳細を見る
記述言語：英語 著書種別：学術書
This book presents extensive information on the mechanisms of epitaxial growth in III-nitride compounds, drawing on a state-of-the-art computational approach that combines ab initio calculations, empirical interatomic potentials, and Monte Carlo simulations to do so. It discusses important theoretical aspects of surface structures and elemental growth processes during the epitaxial growth of III-nitride compounds. In addition, it discusses advanced fundamental structural and electronic properties, surface structures, fundamental growth processes and novel behavior of thin films in III-nitride semiconductors. As such, it will appeal to all researchers, engineers and graduate students seeking detailed information on crystal growth and its application to III-nitride compounds.
-
Ab initio-Based Approach to Crystal Growth Chemical Potential Analysis
Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa（担当：共著）
Elsevier Inc. 2014年12月
詳細を見る
担当ページ：1, 477-520 記述言語：英語 著書種別：学術書
Computer-aided calculations for crystal growth in the area of semiconductor materials are presented from the viewpoint of an ab initio-based approach. Reliable predictions can now be made for a wide range of problems in the field of semiconductor crystal growth, such as surface reconstructions, adsorption-desorption, and migration behavior of atomic and molecular species as functions of growth conditions, by employing chemical potential analysis in ab initio calculations. The availability of chemical potential analysis is examined by investigating surface phase diagrams and growth processes on the reconstructed surfaces for prototypical semiconductors, including GaAs, InAs on GaAs, GaN, and InGaN on GaN with the aid of Monte Carlo simulations. An overview of these issues is provided and the latest achievements are presented to illustrate the capability of the ab initio-based approach by directly comparing with experimental results under realistic growth conditions, such as growth temperature and gas pressure. The successful applications in crystal growth lead to future prospects in the ab initio-based approach to the materials' design and consequently great advances in crystal growth for various materials, including nanomaterials.
-
Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces
Takashi Nakayama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi（担当：共著）
Elsevier Inc. 2011年1月
詳細を見る
担当ページ：1, 113-174 記述言語：英語 著書種別：学術書
-
Atomic structures and electronic properties of semiconductor interfaces
Nakayama T., Kangawa Y., Shiraishi K.
Comprehensive Semiconductor Science and Technology, Second Edition: Volumes 1-3 2024年1月 （ ISBN:9780323958196, 9780323960274 ）
詳細を見る
Atomic and electronic structures of semiconductor interfaces are explained, focusing on fundamental physics revealed by recent researches. To understand atomic structures, it is essential to understand how the interface is formed and how stable the interface is. We consider these by illustrating the epitaxial growth and oxidation processes and explaining key concepts such as the growth diagram, growth modes, stress release, and defect generation. On the other hand, the most important quantities to characterize the interface electronic structures are the Schottky barrier and the band offset, because they govern most transport and optical properties around interfaces. The origins of these quantities are explained, using key concepts such as the interface states, charge neutrality level, band bending, and Fermi-level pinning. Prospects for future trend of interface investigations are also illustrated.
-
Thermodynamic approach to InN epitaxy
Yoshihiro Kangawa（担当：単著）
Springer Verlag 2018年1月
詳細を見る
担当ページ：95-108 記述言語：英語 著書種別：学術書
In this chapter, influences of N/III ratio, growth orientation and total pressure on epitaxial growth processes of In(Ga)N are discussed. It is known that N/III ratio is essential parameter to grow In(Ga)N thin films.
-
Atomic arrangement and In composition in InGaN quantum wells
Yoshihiro Kangawa（担当：単著）
Springer Verlag 2018年1月
詳細を見る
担当ページ：109-124 記述言語：英語 著書種別：学術書
In this section, atomic arrangement and indium incorporation in InGaN epitaxial layers are discussed. Chichibu et al. have studied why In-containing (Al, In, Ga)N films exhibit a defect-insensitive emission probability.
-
第3編、第3章； 固体ソース溶液成長法～AlN単結晶成膜を事例として～
寒川 義裕（担当：共著）
(株)NTS 2013年6月
詳細を見る
担当ページ：ポストシリコン半導体 －ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－, pp. 379-390 記述言語：日本語 著書種別：学術書
講演・口頭発表等
講演・口頭発表等
-
成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション2024 招待
寒川義裕
10th CIRFE symposium 2024年9月 名古屋大学CIRFE
詳細を見る
-
半導体化学気相成長のプロセスモデリング 招待
寒川義裕
日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 2024年度春季講演会（湯川記念講演会） 2024年4月
詳細を見る
開催年月日： 2024年4月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展 招待
寒川義裕
化学工学会CVD反応分科会第37回シンポジウム「CVDと薄膜の計算科学」 2023年3月
詳細を見る
開催年月日： 2023年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 / Online 国名：日本国
本講演では、窒化ガリウム有機金属化学気相成長（MOCVD）のプロセスインフォマティクスにおけるシミュレーション技術（デジタルツイン）の進展について、最近の研究事例を用いて詳細に解説する。
-
Process Informatics − 半導体化学気相成長の科学 招待
寒川義裕
学習院桜友会寄付講座（生命情報社会学）シンポジウム X–informatics 〜巡り会うデータサイエンス〜 2023年2月
詳細を見る
開催年月日： 2023年2月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：学習院大学 / Online 国名：日本国
本講演では、半導体化学気相成長のプロセス探索に関する最近の進展について、一般市民向けにわかりやすく紹介する。
-
窒化物半導体プロセスインフォマティクスの開拓 招待
寒川義裕
日本材料学会 ナノ材料部門委員会・ 半導体エレクトロニクス部門委員会 合同研究会 2022年11月
詳細を見る
開催年月日： 2022年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：京都大学（ハイブリッド） 国名：日本国
半導体テクノロジーの根幹を成す化学気相成⻑は、①気相反応、②表⾯プロセス、③固相拡散が絡み合う複雑系であり、プロセス・インフォマティクスの核⼼となるシミュレーション技術は未だ確⽴されていない。本講演では、化学気相成長条件（説明変数）から残留不純物濃度（⽬的変数）をダイレクトに計算予測するシミュレーション技術（量⼦⼒学と統計熱⼒学に⽴脚したマルチフィジックス結晶成⻑シミュレーション技術）を紹介する。また、データ同化により①気相反応の速度定数をチューニングした事例、ベイズ最適化により②⼤規模表⾯再構成モデルを構築した事例を紹介する。
-
平衡状態に近い結晶成長形における晶相・晶癖変化: ナノスケールKardar–Parisi–Zhangラフ面の影響
阿久津典子、草場彰、寒川義裕、藤原航三、前田健作、阿久津泰弘
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名城大学 国名：日本国
-
AlGaN系UV LDにおけるPL半値幅に対する成長温度の影響
齋藤巧夢、三宅倫太郎、丸山竣大、佐々木祐輔、狩野祥吾、加藤晴也、橘田直樹、渡辺崚太、宮本侑茉、神谷始音、岩山章、三宅秀人、寒川義裕、上山智、竹内哲也、岩谷素顕
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名城大学 国名：日本国
-
β-Ga2O3 中の点欠陥による電子構造への影響
河村貴宏、秋山亨、草場彰、寒川義裕
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名城大学 国名：日本国
-
Partial Breakdown of the Kolmogorov–Johnson–Mehl–Avrami Theory in a Two-Dimensional Poly-Nuclear Process on the Kardar–Parisi–Zhang Kinetic Rough (001) Surface During Steady Crystal Growth 国際共著 国際会議
Noriko Akutsu, Vesselin D. Tonchev, Yoshihiro Kangawa
11th International Conference on Engineering of Chemical Complexity (ECC11) 2025年7月 Active Matter Core-to-Core Project
詳細を見る
開催年月日： 2025年7月 - 2025年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tokyo 国名：日本国
-
窒化ガリウムにおける負電荷状態でのVGa-VN 欠陥反応解析
佃修多、小田将人、寒川義裕
第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2025年7月 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会
詳細を見る
開催年月日： 2025年7月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道 国名：日本国
-
AlN/GaN界面における原子拡散の理論的解明
藤田大輝、小田将人、寒川義裕
第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2025年7月 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会
詳細を見る
開催年月日： 2025年7月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：北海道 国名：日本国
-
GaN結晶成長〜デバイスプロセスにおけるシミュレーションとインフォマティクス〜 招待
寒川義裕
応用物理学会先進パワー半導体分科会第30回研究会 2025年5月 応用物理学会先進パワー半導体分科会
詳細を見る
開催年月日： 2025年5月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
窒化ガリウム半導体の結晶成長シミュレーションとプロセスインフォマティクス 招待
寒川義裕
ワイドギャップ半導体学会第21回研究会 2025年5月 ワイドギャップ半導体学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年5月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：京都 国名：日本国
-
(001)面KPZカイネティック・ラフニング転移点の2次元単数核-多数核成長過程のクロスオーバー現象と2次元Ising模型のドメイン形成クロスオーバー現象の違い
阿久津典子、寒川義裕
日本物理学会2025年春季大会 2025年3月 日本物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
(001)面カイネティック・ラフニングにおけるKPZ-BKT普遍クラス：温度依存性
阿久津典子、寒川義裕
日本物理学会2025年春季大会 2025年3月 日本物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
(001) 面カイネティック・ラフニングにおけるKPZ-BKT普遍クラスとその温度、駆動力依存性
阿久津典子、寒川義裕
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 国名：日本国
-
AlN/GaN における混晶化機構の解明
藤田大輝、小田将人、寒川義裕
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 国名：日本国
-
不純物添加Ga2O3の電子構造解析
河村貴宏、西村健志、山下拓真、秋山亨、寒川義裕
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月 応用物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2025年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京理科大学 国名：日本国
-
データ同化を用いた反応速度定数の推定によるGaN MOVPEデジタルツインの構築
生越奎太朗、佐野雅季、草場 彰、白石賢二、寒川義裕
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京 国名：日本国
-
熱力学的カイネティック・ラフニングと原子的カイネティック・ラフニング： KPZラフニングとBKTラフニング
阿久津典子、寒川義裕
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 国名：日本国
-
界面律速定常成長における面成長速度異方性と 2つのカイネティック・ラフニングとの関係
阿久津典子、寒川義裕
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 国名：日本国
-
ステップ離脱型ファセット化マクロステップ定常成長の「ステップ」成長方向と積層欠陥抑制
阿久津典子、草場彰、寒川義裕
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 国名：日本国
-
GaN結晶中のMg拡散機構の解明-モンテカルロシミュレーションによる解析-
伊藤佑太、草場 彰、渡邉浩崇、新田州吾、田中敦之、本田善央、寒川義裕、天野 浩
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 国名：日本国
-
微傾斜GaN(0001)におけるIn拡散ポテンシャル
西澤宏隆、草場 彰、寒川義裕
第53回結晶成長国内会議 2024年11月 日本結晶成長学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：日本語 会議種別：ポスター発表
開催地：東京 国名：日本国
-
Approximate step-step attractive energy determining method using experimentally observed faceting diagram at equilibrium: an application to Si (113) + (114) 国際会議
Noriko Akutsu, Yoshihiro Kangawa
15th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices '24 2024年11月 日本表面真空学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Matsue 国名：日本国
-
Exploration method for crystal growth conditions using sparse modelling: Application to high-temperature annealing of sputtered AlN films 国際会議
Taichi Hara, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Hideto Miyake, Tetsuji Kuboyama
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024年11月 IWN Organizing Committee
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hawai'i 国名：アメリカ合衆国
-
First-Principles Structural Analysis of Polarity Inversion Boundary in GaN 国際会議
Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Hideto Miyake, Yoshihiro Kangawa, Tomoyuki Tanikawa
12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024年11月 IWN Organizing Committee
詳細を見る
開催年月日： 2024年11月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Hawai'i 国名：アメリカ合衆国
-
Effect of Lattice Strain on Bandgaps of κ-Ga2O3
Takuma Yamashita, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
The 43rd Electronic Materials Symposium 2024年10月 電子材料シンポジウム
詳細を見る
開催年月日： 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kashihara 国名：日本国
-
Band structure analysis of κ-Ga2O3/Al2O3 superlattices
Takeshi Nishimura, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
The 43rd Electronic Materials Symposium 2024年10月 電子材料シンポジウム
詳細を見る
開催年月日： 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：ポスター発表
開催地：Kashihara 国名：日本国
-
Karder–Parisi–Zhang Kinetic Roughening Transition in Nucleation-Limited Steady Crystal Growth 国際会議
Noriko Akutsu, Yoshihiro Kangawa
13th International Conference on Mathematical Modeling in Physical Sciences 2024年9月 IC MSQUARE
詳細を見る
開催年月日： 2024年9月 - 2024年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kalamata 国名：ギリシャ共和国
-
RNNを用いたLSIチップ異常検出モデルの検討
高江洲 義人、山田親稔、寒川義裕
第15回半導体デバイスフォーラム 2024年9月 半導体デバイスフォーラム実行委員会
詳細を見る
開催年月日： 2024年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡 国名：日本国
-
KPZ kinetic roughening in two-dimensional poly-nucleation steady crystal growth: A Monte Carlo study for a two-dimensional surface in three dimensions 国際会議
Noriko Akutsu, Yoshihiro Kangawa
Recent developments in Kardar-Parisi-Zhang universality 2024年9月
詳細を見る
開催年月日： 2024年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
第一原理計算によるGaN の極性反転界面構造の解析
河村貴宏, 秋山亨, 三宅秀人, 寒川義裕, 池田和久, 谷川智之
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月
詳細を見る
-
表面荒さの成長駆動力・表面傾斜依存性：モンテカルロ計算
阿久津典子、寒川義裕
日本物理学会第79回年次大会 2024年9月 日本物理学会
詳細を見る
開催年月日： 2024年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：札幌 国名：日本国
-
Determination of Local Electron Counting Rule Satisfaction by SAT Solver 国際会議
Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa
The 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9) 2024年6月
詳細を見る
開催年月日： 2024年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Jeju 国名：大韓民国
-
結晶成長プロセスインフォマティクス 招待
寒川義裕
第７回結晶成⻑基礎セミナー： 化合物半導体のエピタキシャル成⻑〜基礎理論から産業分野への展開 2024年6月
詳細を見る
-
KPZカイネティック・ラフニングとしての2次元多数核成長
阿久津典子, 寒川義裕
第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2024年5月
詳細を見る
-
Electronic structures of κ Ga2O3/Al2O3 superlattices 国際会議
T. Nishimura, T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa
10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024年4月
詳細を見る
開催年月日： 2024年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Vacancies in III-Nitrides (II): Diffusion near Hetero Interfaces 国際会議
R. Shimauchi, Y. Kangawa, A. Kusaba
10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024年4月
詳細を見る
開催年月日： 2024年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Vacancies in III-Nitrides (I): Formation under Reconstructed Surfaces 国際会議
K. Tateyama, Y. Kangawa, A. Kusaba, T. Kawamura
10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024年4月
詳細を見る
開催年月日： 2024年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
First-Principles Calculations of Bandgap Control of κ-Ga2O3 by Uniaxial Strain 国際会議
T. Yamashita, T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa
10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024) 2024年4月
詳細を見る
開催年月日： 2024年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析
中村城太、小田将人、寒川義裕
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月
詳細を見る
開催年月日： 2024年3月
記述言語：日本語
開催地：東京都市大学 国名：日本国
-
化学気相成長におけるプロセスインフォマティクス〜現状と将来展望〜 招待
寒川義裕
（独）日本学術振興会 R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第15回研究会（特別企画）「AIと科学技術・社会」 2024年3月
詳細を見る
開催年月日： 2024年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京大学 国名：日本国
半導体テクノロジーの根幹である化学気相成長（CVD）は、①気相反応、②表面反応、③固相拡散の素過程が絡み合う複雑系である。本研究では、CVDプロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術（eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition: eXS2-CVD）の開発を行っている。本講演では、人工知能を活用した材料開発（プロセスインフォマティクス）の核心となるeXS2-CVDについて、その現状と将来展望を紹介する。
-
III族窒化物MOVPEにおける表面再構成と点欠陥安定性の相関解析 招待
寒川義裕
一般社団法人GaNコンソーシアム2023年度結晶・評価WG研究会（第1回） 2023年12月
詳細を見る
開催年月日： 2023年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
Ab initio thermodynamic study of the metallic surface wetting layer during MBE (In)GaN growth and its consequences for dopants incorporation 国際会議
Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月
詳細を見る
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
Computational investigation of GaN growth for power electronics applications 国際会議
Kana Ishisone, Mauro Boero, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月
詳細を見る
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
Adiabatic potential for conformational change of VGa-VN complex defects in GaN 国際会議
Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月
詳細を見る
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
First-principles calculations on the decomposition reaction pathway of trimethylindium in InN MOVPE 国際会議
Yuya Nagashima, Hirotaka Watanabe, Syugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月
詳細を見る
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
A numerical study of UV AlGaN heterostructures with polarization doping 国際会議
Konrad Sakowski, Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月
詳細を見る
開催年月日： 2023年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
Correlation between Surface Reconstruction and Impurity Incorporation in III-Nitride MOCVD: Surface Phase Diagram
K. Tateyama, F. Kihara, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Kawamura
The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42) 2023年10月
詳細を見る
開催年月日： 2023年10月
記述言語：日本語
開催地：橿原 国名：日本国
-
First-principles calculation of band structure of alpha-Ga2O3/Al2O3 superlattices 国際会議
T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2023年7月
詳細を見る
開催年月日： 2023年7月 - 2023年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Naples 国名：イタリア共和国
-
Theoretical exploration of widegap materials with the corundum structure for heteroepitaxy on alpha−Ga2O3 国際会議
Shun Yamakawa, Hirofumi Akamatsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2023年7月
詳細を見る
開催年月日： 2023年7月 - 2023年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Naples 国名：イタリア共和国
-
スパッタAlN膜の高温アニールプロセスにおけるスパースモデリング
原太一、草場彰、寒川義裕、三宅秀人
第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2023年6月
詳細を見る
開催年月日： 2023年6月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形 国名：日本国
-
Numerical simulations of AlGaN heterostructures with polarization-doping
Konrad Sakowski, Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Motoaki Iwaya, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski
The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices 2023年6月
詳細を見る
開催年月日： 2023年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Metz 国名：フランス共和国
-
Modelling interlayer diffusion in III-nitride hetero interface
#Koyo Miyamoto, @Akira Kusaba, @Yoshihiro Kangawa
41st Electronic Materials Symposium 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：日本語
開催地：Kashihara, Nara 国名：日本国
-
Ab Initio Studies on TMA and TMI Decomposition during MOVPE Growth
Yuya Nagashima, Daichi Akaishi, Shugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
41st Electronic Materials Symposium 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：日本語
開催地：Kashihara, Nara 国名：日本国
-
Growth Simulation of GaN MOVPE Based on Rate Equation Analysis
Masaki Sano, Yuya Nagashima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
41st Electronic Materials Symposium 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：日本語
開催地：Kashihara, Nara 国名：日本国
-
Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning
Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama
41st Electronic Materials Symposium 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：日本語
開催地：Kashihara, Nara 国名：日本国
-
Tuning of ab-initio reaction rate in GaN metal-organic vapor phase epitaxy by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data 国際会議
A. Kusaba, Z. Ye, S. Nitta, K. Shiraishi, T. Kuboyama, Y. Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022) 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin 国名：ドイツ連邦共和国
-
半導体材料開発の新機軸～プロセス・インフォマティクス～ 招待
@寒川義裕
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会 2022年10月
詳細を見る
開催年月日： 2022年10月
記述言語：日本語
開催地：名古屋 国名：日本国
近年のプロセス・インフォマティクス技術の開発状況を外観し、最近の研究事例：省エネルギー次世代半導体デバイス（GaNパワーデバイス）開発を目的とした適用事例を紹介する。
-
Polarization-doping of AlGaN laser diodes in numerical simulations 国際会議
Konrad Sakowski, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Pawel Strak, Yoshihiro Kangawa, Grzegorz Muziol, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski
European Materials Research Society, 2022 Fall Meeting 2022年9月
詳細を見る
開催年月日： 2022年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：日本国
-
Innovations in the materials development process: process informatics 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
Campus Asia EEST 2022 Summer School 2022年8月
詳細を見る
開催年月日： 2022年8月
記述言語：英語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：Pusan / Online 国名：大韓民国
-
p型GaNのHVPE成長におけるH₂キャリアガス導入の影響
@長嶋佑哉、@木村友哉、@洗平昌晃、@長川健太、草場彰、寒川義裕、@白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月
詳細を見る
開催年月日： 2022年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京／オンライン 国名：日本国
-
窒化物半導体エピタキシーにおける不純物混入機構の理論解析 招待
寒川義裕
第35期コンピュータによる材料開発・物質設計を考える会（Computer aided Materials and Moleculer Desgin Forum: CAMM）フォーラム本例会 2022年2月
詳細を見る
開催年月日： 2022年2月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
First-principles calculation of optical properties of III-V nitride semiconductors 招待 国際会議
Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022 2022年1月
詳細を見る
開催年月日： 2022年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋/オンライン（ハイブリッド） 国名：日本国
-
Computics driven methods and applications to innovative materials for next-generation devices 招待 国際会議
Mauro Boero, Kana Ishisone, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022 2022年1月
詳細を見る
開催年月日： 2022年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：名古屋/オンライン（ハイブリッド） 国名：日本国
-
窒化物半導体ヘテロ界面における相互拡散メカニズムの理論検討
#宮本滉庸、草場彰、寒川義裕
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2021年12月
詳細を見る
開催年月日： 2021年12月
記述言語：日本語
開催地：松山／オンライン 国名：日本国
-
窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス 招待
寒川義裕
第26回結晶工学セミナー、第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会「結晶工学×インフォマティクス」 2021年11月
詳細を見る
開催年月日： 2021年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス 招待
寒川義裕
結晶工学×インフォマティクスセミナー（第26回結晶工学セミナー、第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会） 2021年11月
詳細を見る
開催年月日： 2021年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Tuning of Reaction Rate Constants for Trimethylgallium Decomposition by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, Z. Ye, S. Nitta, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021) 2021年11月
詳細を見る
開催年月日： 2021年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Theoretical approach to unintentional oxygen doping during MOVPE of GaN:Mg and AlN:Mg 国際会議
Y. Kangawa, A. Kusaba, P. Kempisty
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021) 2021年11月
詳細を見る
開催年月日： 2021年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
結晶成長デジタルツイン―AIと計算科学からのアプローチ 招待
草場彰、久保山哲二、寒川義裕
第50回結晶成長国内会議 2021年10月
詳細を見る
開催年月日： 2021年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
プロセス・インフォマティクスの新機軸：窒化物半導体MOVPEにおける取り組み 招待
寒川義裕
日本学術振興会R032委員会第2回研究会 2021年8月
詳細を見る
開催年月日： 2021年8月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
First-principles study of Mg and O co-doping mechanism in the growth surface during GaN(0001) and AlN(0001) metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議
A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa
32nd IUPAP Conference on Computational Physics (CCP 2021) 2021年8月
詳細を見る
開催年月日： 2021年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)
-
Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE 国際会議
Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science 2021年3月
詳細を見る
開催年月日： 2021年3月
記述言語：英語
開催地：online 国名：日本国
-
Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio-based approach 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
SPIE Photonic West OPTO 2021年3月
詳細を見る
開催年月日： 2021年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online 国名：アメリカ合衆国
-
Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors 招待 国際会議
Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021年3月
詳細を見る
開催年月日： 2021年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online 国名：日本国
-
Structures, electron states and reactions on growing surfaces and at device interfaces of SiC and GaN 招待 国際会議
Kieu My Bui, Yu-ichiro Matsushita, Kenta Chokawa, Mauro Boero, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, and Atsushi Oshiyama
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語
開催地：online 国名：日本国
-
Ab initio-based approach to GaN HVPE and THVPE processes: p-type doping and facet stability 国際会議
Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Pawel Kempisty, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online 国名：日本国
-
On numerical simulations of polarization-doped AlGaN UV laser diodes 招待 国際会議
Konrad Sakowski, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Pawel Strak, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online 国名：日本国
-
Change of the effective bandgaps of InN/AlN superlattices due to lattice distortion 招待 国際会議
Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Małgorzata Wierzbowska3 and Stanisław Krukowski
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：online 国名：日本国
-
More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches 招待 国際会議
Akira Kusaba and Yoshihiro Kangawa
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語
開催地：online 国名：日本国
-
Ab initio atomistic thermodynamics of pseudo-hot surfaces in the context of GaN growth and doping 招待 国際会議
Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, and Yoshihiro Kangawa
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語
開催地：online 国名：日本国
-
First principles molecular dynamics as a tool to explore complex chemical reactions in GaN 招待 国際会議
Mauro Boero, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語
開催地：online 国名：日本国
-
Modeling semiconductor epitaxy for next generation power device application 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
IMI Workshop on Fiber Topology Meets Applications 2021年1月
詳細を見る
開催年月日： 2021年1月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
窒化物半導体プロセス・インフォマティクス：不純物混入の抑制 招待
寒川義裕
第49回薄膜・表面物理基礎講座 2020年11月
詳細を見る
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：オンライン 国名：日本国
-
GaN MOVPE成長におけるＴＭＧ分解のH2とNH3による効果の理論的考察
榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川善裕, 白石賢二
第49回結晶成長国内会議 2020年11月
詳細を見る
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構：量子論に立脚したBCFモデル
用正大地, 新宅史哉, 稲富悠也, 寒川義裕, 岩田潤一, 押山淳, 白石賢二, 田中敦之, 天野浩
第49回結晶成長国内会議 2020年11月
詳細を見る
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索
草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人
第49回結晶成長国内会議 2020年11月
詳細を見る
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Influence of surface reconstruction on impurity incorporation in GaN MOVPE: ab initio calculation
Kurniawan Romeo Marcel，寒川義裕
日本航空宇宙学会西部支部講演会(2020) 2020年11月
詳細を見る
開催年月日： 2020年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE
D. Yosho, Y. Inatomi, and Y. Kangawa
37th Electronic Materials Symposium 2020年10月
詳細を見る
開催年月日： 2020年10月
記述言語：英語
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Norimatsu, and H. Miyake
37th Electronic Materials Symposium 2020年10月
詳細を見る
開催年月日： 2020年10月
記述言語：英語
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN 招待 国際会議
Atsushi Oshiyama, Kieu My Bui, Mauro Boero, Yoshihiro Kangawa, and Kenji Shiraishi
2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2020年9月
詳細を見る
開催年月日： 2020年9月 - 2020年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体: 第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ
原嶋庸介、中野崇志、長川健太、白石賢二、押山淳、寒川義裕、宇佐美茂佳、間山憲仁、戸田一也、田中敦之、本田善央、天野 浩
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月
詳細を見る
開催年月日： 2020年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
不純物混入と深紫外デバイス特性の相関 招待
寒川義裕
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月
詳細を見る
開催年月日： 2020年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)
秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月
詳細を見る
開催年月日： 2020年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
UV-B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性
山田和輝、佐藤恒輔、安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、Sakowski Konrad
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月
詳細を見る
開催年月日： 2020年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Al組成傾斜p型AlGaNクラッド層の電気的特性のAl組成及びMg濃度依存性
山田和輝，佐藤恒輔，安江信次，田中隼也，手良村昌平，荻野雄矢，大森智也，石塚彩花，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人, 寒川義裕， K. Sakowski
第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2020年7月
詳細を見る
開催年月日： 2020年7月
記述言語：日本語
開催地：オンライン 国名：日本国
-
微傾斜m(101-0)面GaN-MOVPEにおける酸素混入のモデリング
用正大地，新宅史哉，稲富悠也，寒川義裕，岩田潤一，押山淳，白石賢二，田中敦之，天野浩
第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2020年7月
詳細を見る
開催年月日： 2020年7月
記述言語：日本語
開催地：オンライン 国名：日本国
-
MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析
木村友哉，大西一生，天野裕己，藤元直樹，洗平昌晃，新田州吾，本田善央，天野浩，寒川義裕，白石賢二
第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2020年7月
詳細を見る
開催年月日： 2020年7月
記述言語：日本語
開催地：オンライン 国名：日本国
-
Theoretical model for oxygen incorporation during step flow growth of GaN on vicinal m-GaN by MOVPE 国際会議
Daichi Yosho, Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020) 2020年4月
詳細を見る
開催年月日： 2020年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Theoretical approach to carbon concentration on GaN(0001) and (000-1) surfaces during MOVPE 国際会議
Daichi Yosho, Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa
The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020) 2020年4月
詳細を見る
開催年月日： 2020年4月
記述言語：英語
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
らせん転位とMg不純物との複合体を含む GaNの第一原理電子構造解析 招待
中野崇志，原嶋庸介，長川健太，洗平昌晃，白石賢二，押山淳，草場彰，@寒川義裕，田中敦之，本田善央，天野浩
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月
詳細を見る
開催年月日： 2020年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：上智大学 国名：日本国
GaN薄膜中のMgはp型不純物（アクセプター）として知られているが、らせん転位との複合体を形成することによりn型（ドナー）に成り得ることを明らかにした。
-
GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析
中野崇志、原嶋庸介、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩
応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回） 2020年1月
詳細を見る
開催年月日： 2020年1月 - 2020年2月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：三島 国名：日本国
-
First-principles phonon calculations as a method of improving the atomistic thermodynamics of III-nitrides surfaces 国際会議
Pawel Kempisty, @Yoshihiro Kangawa
5th Workshop on ab initio phonon calculations 2019年12月
詳細を見る
開催年月日： 2019年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Krakow 国名：ポーランド共和国
-
窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明
稲富悠也、寒川義裕
第48回結晶成長国内会議 2019年10月
詳細を見る
開催年月日： 2019年10月 - 2019年11月
記述言語：日本語
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
未来材料開拓に向けた相界面制御 招待
@寒川義裕
第48回結晶成長国内会議 2019年10月
詳細を見る
開催年月日： 2019年10月 - 2019年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE 招待
@Yoshihiro Kangawa, @Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi
The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38) 2019年10月
詳細を見る
開催年月日： 2019年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara 国名：日本国
-
MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析
稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月
詳細を見る
開催年月日： 2019年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
MOVPE条件下におけるIII族窒化物半導体無極性面の熱力学解析
清水紀志，秋山亨, アブドルムィッツプラディプト，中村浩次, 伊藤智徳，草場彰, 寒川義裕
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月
詳細を見る
開催年月日： 2019年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
Theoretical approach to oxygen incorporation mechanism in vicinal m-GaN MOVPE 国際会議
Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月
詳細を見る
開催年月日： 2019年9月
記述言語：英語
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響
稲富悠也、寒川義裕
第42回結晶成長討論会 2019年8月
詳細を見る
開催年月日： 2019年8月
記述言語：日本語
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
Theoretical approach of oxygen incorporation into GaN grown on vicinal GaN(10-10) 国際会議
Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes 2019年8月
詳細を見る
開催年月日： 2019年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin 国名：ドイツ連邦共和国
-
Numerical simulations of the electrical properties of AlGaN luminescent heterostructures 招待 国際会議
Konrad Sakowski
1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes 2019年8月
詳細を見る
開催年月日： 2019年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin 国名：ドイツ連邦共和国
-
Unintentional doping in GaN MOVPE: A new theoretical model 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes 2019年8月
詳細を見る
開催年月日： 2019年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin 国名：ドイツ連邦共和国
-
Thermodynamics of vapor-surface equilibria in ab initio modelling of semiconductor growth processes 国際会議
Pawel Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski, @Yoshihiro Kangawa, and Stanisław Krukowski
19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Keystone, Colorado 国名：アメリカ合衆国
-
Study of the origins of carbon impurities on GaN MOVPE from a gas phase reaction perspective 国際会議
Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi
19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Keystone, Colorado 国名：アメリカ合衆国
-
Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with m-plane Surface 国際会議
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Bellevue, Washington 国名：アメリカ合衆国
-
A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Bellevue, Washington 国名：アメリカ合衆国
-
First-Principles Calculation of Band Gaps of Al1-xInxN alloys and short period Al1-xInxN/Al1-yInyN superlattices 国際会議
Takahiro Kawamura,Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Małgorzata Wierzbowska, and Stanisław Krukowski
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Bellevue, Washington 国名：アメリカ合衆国
-
Theoretical study on step bunching instability during nitride semiconductor growth 国際会議
Yuya Inatomi, and Yoshihiro Kangawa
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 2019年7月
詳細を見る
開催年月日： 2019年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Bellevue, Washington 国名：アメリカ合衆国
-
m面GaN-MOVPEにおける酸素混入量の基板傾斜方向依存性の理論解析
新宅史哉、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2019年6月
詳細を見る
開催年月日： 2019年6月
記述言語：日本語
開催地：広島 国名：日本国
-
Electronic structure analysis of the core structures of threading dislocations in GaN 国際会議
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Compound Semiconductor Week 2019 2019年5月
詳細を見る
開催年月日： 2019年5月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nara 国名：日本国
We have comprehensively studied the relation between threading core structures and electronic property in GaN thin films. We examined various core types of the threading dislocations. We found that both edge dislocations and screw dislocations do not cause the leakage currents in n-type GaN based devices because no defect level appears near the conduction band bottom.
-
Monte Carlo simulation of GaN MOVPE process: carbon incorporation mechanism 国際会議
S. Yamamoto, Y. Okawachi, P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019) 2019年4月
詳細を見る
開催年月日： 2019年4月
記述言語：英語
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Step bunching stability – instability diagram for nitride semiconductor growth 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019) 2019年4月
詳細を見る
開催年月日： 2019年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Adatom Density on Polar GaN Surfaces During MOVPE 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019) 2019年4月
詳細を見る
開催年月日： 2019年4月
記述言語：英語
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
化学反応を含むGaN結晶成長流体シミュレーョン手法の開発
榊原聡真, 川上賢人, 高村昴, 洗平昌晃, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
詳細を見る
開催年月日： 2019年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 国名：日本国
-
MOVPE法のGaN結晶成長3次元マルチフィジックスシミュレーション
川上賢人，高村昴，草場彰，芳松克則，岡本直也，寒川義裕，柿本浩一，白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
詳細を見る
開催年月日： 2019年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 国名：日本国
-
GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析
中野崇志，長川健太，洗平昌晃，白石賢二，押山淳，宇佐美茂佳，草場彰，寒川義裕，田中敦之，本田善央，天野浩
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
詳細を見る
開催年月日： 2019年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 国名：日本国
-
縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーョン
富澤巧, 川上賢人, 櫻井照夫, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 醍醐佳明, 水島一郎, 依田孝, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
詳細を見る
開催年月日： 2019年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 国名：日本国
-
気相反応から考えるGaN MOVPEにおける炭素混入起源の解明
大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
詳細を見る
開催年月日： 2019年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工業大学 国名：日本国
-
窒化物半導体成長モデリングの進展：不純物混入機構の考察 招待
寒川義裕
第11回九大2D物質研究会「2D物質の形成と構造・物性評価」 2019年2月
詳細を見る
開催年月日： 2019年2月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡 国名：日本国
-
GaN薄膜における転位芯構造と電子物性の相関：第一原理計算に基づく論解析
中野崇志, 長川健太, 大河内勇斗, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩
第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2019年1月
詳細を見る
開催年月日： 2019年1月
記述言語：日本語
開催地：三島市 国名：日本国
-
Ab initio-based approach to crystal growth of nitride semiconductors: alloy composition and impurity concentration 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi
4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sendai 国名：日本国
-
Surface adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE: a theoretical approach 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Modelling of Band Gaps in Short Period In(Ga)N/GaN Superlattices with Different Sequences of Barrier and Quantum Wells 国際会議
Izabela Gorczyca, Grzegorz Staszczak, Ewa Grzanka, Grzegorz Targowski, Tadek Suski, Niels Eged Christensen, Takahiro Kawamura, and Yoshikiro Kangawa
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Multiphysics simulation of GaN MOVPE: Flow influence on GaN growthorientation 国際会議
Subaru Komura, Kento Kawakami, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, and Kenji Shiraishi
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
First-Principle Study of Nitrogen substitution on the GaN Surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 国際会議
Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface 国際会議
Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
First-Principles Investigation of Compositional Dependence of Band Gaps in AlN/InN and InN/GaN Superlattices 国際会議
Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, and Stanislaw Krukowski
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer 国際会議
Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, and Yoshihiro Kangawa
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition 国際会議
Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000−1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration 国際会議
Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, and Yoshihiro Kangawa
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
Systematic improvement of III-nitrides surface thermodynamics by including first principles phonon calculations 国際会議
Pawel Kempisty, and Yoshihiro Kangawa
The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月
詳細を見る
開催年月日： 2018年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kanazawa 国名：日本国
-
GaN結晶成長過程における炭素混入メカニズムの理論的解明
大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、草場彰、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二
第47回結晶成長国内会議(JCCG47) 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月 - 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
量子力学と流体力学の融合によるＧａＮマルチフィジックス気相成長シミュレーション 招待
白石賢二、川上賢人、関口一樹、高村昴、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、岡本直也、芳松克則、寒川義裕、柿本浩一
第47回結晶成長国内会議(JCCG47) 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月 - 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
表面再構成構造を考慮したGaN MOVPEのマルチフィジックス流動シミュレーション
川上賢人、高村昴、草場彰、芳松克則、岡本直也、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二
第47回結晶成長国内会議(JCCG47) 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月 - 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
GaN MOVPEにおける炭素取込み機構の考察 招待
寒川義裕
第47回結晶成長国内会議(JCCG47) 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月 - 2018年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
Ab initio based-approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi
The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪 国名：日本国
-
Methodology for multiphysics flow simulation in GaN MOVPE using thermodynamic analysis and first principles calculation for GaN deposition 国際会議
K. Kawakami, S. Komura, Y. Yamamoto, A. Kusaba, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：英語
開催地：Hawaii 国名：アメリカ合衆国
-
Flow Influence on GaN MOVPE Growth-orientation 国際会議
S. Komura, K. Kawakami, Y. Yamamoto, A. Kusaba, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, and K. Shiraishi
9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hawaii 国名：アメリカ合衆国
-
First Principles and Thermodynamic Studies on GaN MOVPE Processes 国際会議
Y. Okawachi, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, and K. Shiraishi
9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：英語
開催地：Hawaii 国名：アメリカ合衆国
-
Influence of surface reconstruction on the impurity incorporation in GaN MOVPE 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
Mathematical Aspects ofSurface and Interface Dynamics 16 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tokyo 国名：日本国
-
A new theoretical model for adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
第37回電子材料シンポジウム（EMS 37） 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：日本語
開催地：長浜 国名：日本国
-
A kinetic – thermodynamic modeling of carbon incorporation during step flow growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy
Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
第37回電子材料シンポジウム（EMS 37） 2018年10月
詳細を見る
開催年月日： 2018年10月
記述言語：日本語
開催地：長浜 国名：日本国
-
Power module concepts for innovative reliable nitride based power devices and applications - The EU public funded project ‘InRel-NPower‘- 国際会議
Martin Rittner, Ulrich Kessler, Samuel Araujo, Sebastian Mansfeld, Jörg Naundorf, Kai Kriegel, Martin Schulz, Hideto Miyake, Yoshihiro Kangawa, Gaudenzio Meneghesso
31st International Electric Vehicle Symposium and Exhibition, EVS 2018 and International Electric Vehicle Technology Conference 2018, EVTeC 2018 2018年1月
詳細を見る
開催年月日： 2018年9月 - 2018年10月
記述言語：英語
開催地：Kobe City 国名：日本国
-
Multi-physics simulations of high-temperature CVD of SiC 国際会議
S. Komura, R. Oshima, K. Kawakami, K. Chokawa, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, E. Makino, N. Hosokawa, S. Onda, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2018年9月
詳細を見る
開催年月日： 2018年9月
記述言語：英語
開催地：Birmingham 国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)
-
Thermodynamics analysis of high-temperature CVD of SiC 国際会議
K. Chokawa, E. Makino, N. Hosokawa, S. Onda, Y. Kangawa, and K. Shiraishi
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2018年9月
詳細を見る
開催年月日： 2018年9月
記述言語：英語
開催地：Birmingham 国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)
-
Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE 招待 国際会議
@Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System 国際会議
#A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, P. Kempisty, @Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
First Principles and Thermodynamic Studies on GaN MOVPE Processes 国際会議
Yuto Okawachi, Kazuki Sekiguchi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Mitsuo Shoji, Yasuteru Shigeta, @Yoshihiro Kangawa, @Koichi Kakimoto, and Kenji Shiraishi
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Contribution of first principles phonon calculations to thermodynamics analysis of GaN surfaces 国際会議
Pawel Kempisty, @Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
A theoretical model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by MOVPE 国際会議
#Y. Inatomi, @Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE 国際会議
#S. Yamamoto, #Y. Inatomi, #A. Kusaba, P. Kempisty, @Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices 国際会議
T. Kawamura, T. Akiyama, @Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018年8月
詳細を見る
開催年月日： 2018年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性
草場彰，李冠辰，Pawel Kempisty，Michael R. von Spakovsky，寒川義裕
第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2018年7月
詳細を見る
開催年月日： 2018年7月
記述言語：日本語
開催地：名古屋 国名：日本国
-
Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling 招待 国際会議
Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX) 2018年6月
詳細を見る
開催年月日： 2018年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：奈良 国名：日本国
-
First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities 国際会議
Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, @Yoshihiro Kangawa, @Koichi Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX) 2018年6月
詳細を見る
開催年月日： 2018年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：奈良 国名：日本国
-
Multi-Physics Simulations of GaN MOVPE 招待 国際会議
Kenji Shiraishi, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, @Yoshihiro Kangawa, @Koichi Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX) 2018年6月
詳細を見る
開催年月日： 2018年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：奈良 国名：日本国
-
First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 国際会議
Thi Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, @Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX) 2018年6月
詳細を見る
開催年月日： 2018年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：奈良 国名：日本国
-
電子材料開発における計算科学の進展 招待
寒川義裕
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会 2018年6月
詳細を見る
開催年月日： 2018年6月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：佐賀 国名：日本国
-
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE 招待 国際会議
#Y. Inatomi, #A. Kusaba, @Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu
The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2018年4月
詳細を見る
開催年月日： 2018年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Modeling and process design of III-nitride MOVPE 招待 国際会議
@Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi
The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2018年4月
詳細を見る
開催年月日： 2018年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Yokohama 国名：日本国
-
Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio based−approach 招待 国際会議
Yoshihiro Kangawa
KAUST EE Seminar 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Jeddah 国名：サウジアラビア王国
-
気相原子－吸着原子の平衡を考慮した新規結晶成長モデルの提案：GaN MOVPEにおける不純物取り込み機構の理論解析
#稲富悠也, @寒川義裕, @柿本浩一
日本物理学会第73回年次大会 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：日本語
開催地：東京理科大学 国名：日本国
-
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)
#稲富悠也，#草場 彰，@柿本浩一，@寒川義裕，小島一信，秩父重英
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
マルチフィジックスシミュレーションに基づくSiCガス成長の研究
大島亮祐、高村昴、川上賢人、山本芳裕、長川健太、芳松克則、岡本直也、牧野恵美、細川徳一、恩田正一、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
SiCガス成長における気相反応と表面再構成構造の予測
長川健太, 寒川義裕, 牧野英美, 細川徳一, 恩田正一, 白石賢二
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
Driving force for m-plane GaN MOVPE: a new thermodynamic modeling 国際会議
#Akira Kusaba, @Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
ISPlasma2018/IC-PLANTS2018 2018年3月
詳細を見る
開催年月日： 2018年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名城大学 国名：日本国
-
Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction 招待 国際会議
Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto
SPIE Photonics Wese OPTO 2018年1月
詳細を見る
開催年月日： 2018年1月 - 2018年2月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Francisco 国名：アメリカ合衆国
III-Nitride semiconductors are attractive materials for optoelectronic devices including LEDs and LDs. To enhance the device performances, it is important to improve the crystalline quality of the films. The knowledge of atomistic-scale phenomena is indispensable to optimize the growth conditions. In the present work, we investigated the surface phase diagram in GaN(0001) and GaN(000-1) MOVPE, i.e., the reconstructed structures on the growth surfaces in GaN MOVPE, by an ab initio-based approach. The obtained surface phase diagram is useful to optimize the growth conditions. Furthermore, we studied the relationships among the growth conditions, surface reconstructions, and impurity incorporation in GaN MOVPE.
-
GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析
草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46） 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：浜松 国名：日本国
-
MOVPE GaN成長における駆動力への流れの影響
山本芳裕, 川上賢人, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46） 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：浜松 国名：日本国
-
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響II
高村昴, 川上賢人, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46） 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：浜松 国名：日本国
-
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響I
川上賢人, 高村昴, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46） 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：浜松 国名：日本国
-
Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process in GaN MOVPE 国際会議
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2017 MRS Fall Meeting 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Boston 国名：アメリカ合衆国
-
Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics 国際会議
A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：英語
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 36th Electronic Materials Symposium 2017年11月
詳細を見る
開催年月日： 2017年11月
記述言語：日本語
開催地：Nagahama 国名：日本国
-
A kinetic−thermodynamic theory in step−flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
大阪電気通信大学国際ワークショップ 2017年10月
詳細を見る
開催年月日： 2017年10月
記述言語：英語
開催地：寝屋川市 国名：日本国
-
GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析 招待
寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一
日本学術振興会第162委員会第105回研究会 2017年10月
詳細を見る
開催年月日： 2017年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：四ツ谷 国名：日本国
-
Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月
記述言語：英語
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
Multiphysics Flow Simulation with Appropriate Conditions Predicted by Thermodynamic Analysis of Driving Force of GaN Crystal Growth 国際会議
Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月
記述言語：英語
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
A Methodology for Multiphysics Simulation of Gallium Nitride MOVPE Method using Thermodynamic Analysis of Driving Force of Gallium Nitride Crystal Growth 国際会議
K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月
記述言語：英語
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface 国際会議
P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月 - 2017年10月
記述言語：英語
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
Thermodynamic Analysis of the Surface Reactions in GaN MOVPE 国際会議
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions 国際会議
A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
E-MRS 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
GaN MOVPEにおける気相中および基板上での反応プロセス解明
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第78回 応用物理学会 秋季学術講演会 2017年9月
詳細を見る
開催年月日： 2017年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡 国名：日本国
-
Multi-physics flow simulation satisfying appropriate conditions on GaN deposition predicted by a thermodynamic analysis of the deposition driving force 国際会議
Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：英語
開催地：Strasbourg 国名：フランス共和国
-
Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces 国際会議
P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：英語
開催地：Strasbourg 国名：フランス共和国
-
Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint 国際会議
Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：英語
開催地：Strasbourg 国名：フランス共和国
-
Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process Considering the Activation Energy 国際会議
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：英語
開催地：Strasbourg 国名：フランス共和国
-
A methodology for multiphysics simulation of GaN MOVPE using thermodynamic analysis of driving force for the deposition of GaN 国際会議
K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：英語
開催地：Strasbourg 国名：フランス共和国
-
窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題 招待
寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
GaN MOVPE法における結晶成長マルチフィジックスシミュレーション
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
GaN MOVPEにおけるTMG分解反応プロセスの理論的考察
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関
稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：日本語
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
NH3化学吸着の非平衡状態発展：最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング
草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2017年7月
詳細を見る
開催年月日： 2017年7月
記述言語：日本語
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関
稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本 浩一
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月
詳細を見る
開催年月日： 2017年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：横浜 国名：日本国
-
OVPE成長条件下におけるGaN 非極性表面構造の第一原理計算
河村貴宏, 北本啓, 今出完, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕, 柿本浩一
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月
詳細を見る
開催年月日： 2017年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：横浜 国名：日本国
-
エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状 招待
白石賢二, 関口一樹, 長川健太, 白川裕規, 川上賢人, 山本芳裕, 洗平昌晃, 永松謙太郎, 新田州吾, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 天野浩
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月
詳細を見る
開催年月日： 2017年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：横浜 国名：日本国
-
GaN MOVPEにおける結晶成長マルチフィジックス流動シミュレーション
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月
詳細を見る
開催年月日： 2017年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：横浜 国名：日本国
-
活性化エネルギーを考慮したTMG分解プロセスの理論的考察
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二
第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月
詳細を見る
開催年月日： 2017年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：横浜 国名：日本国
-
Innovation of AlN solution growth technique 招待 国際会議
Y. Kangawa
Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP 2016) 2016年10月
詳細を見る
開催年月日： 2016年10月 - 2016年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hsinchu 国名：台湾
-
Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction 招待 国際会議
Y. Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 2016年10月
詳細を見る
開催年月日： 2016年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Orlando, Florida 国名：アメリカ合衆国
It is known that the growth process of semiconductors depends on the growth conditions such as growth temperature, partial pressures of gaseous sources, and growth orientation. To improve the crystalline quality of thin films, many experimentalist have studied the relationships between growth processes and growth conditions. A lot of technical knowledges and know-how to optimize the growth conditions have been reported. However, there is no discussion about atomistic-scale phenomena because in situ observations using electron beam is difficult in case of MOVPE and HVPE system. The knowledge of atomistic-scale phenomena is indispensable to control the growth process more precisely. Ab initio calculation is a powerful technique for modelling and analysis of atomistic-scale phenomena. The conventional ab initio calculation has been applicable to the analysis of stable surface reconstruction at absolute zero. In 2001, we proposed an ab initio-based approach that incorporates the gas-phase free energy. The theoretical approach is useful for analyzing the influence of the growth temperature and the partial pressures on the stability of the surface reconstructions. Transition of surface reconstruction on various surface orientations brings change in surface energy, i.e., change in relative stability among various surface orientations which induces facet formation. A surface phase diagram obtained by the theoretical approach is valuable in the optimization of the growth conditions and the acceleration of material development. In the present talk, I introduce how to make the surface phase diagram of nitride semiconductors by the theoretical approach.
-
Consideration of MOVPE Growth Process of GaN by First Principles Calculations and Thermodynamic Analysis 国際会議
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 2016年10月
詳細を見る
開催年月日： 2016年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Orlando, Florida 国名：アメリカ合衆国
-
Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, M. R. von Spakovsky, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 2016年10月
詳細を見る
開催年月日： 2016年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Orlando, Florida 国名：アメリカ合衆国
-
First Principle and Thermodynamic Analysis of MOVPE Growth of GaN and AlN 国際会議
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM2016) 2016年9月
詳細を見る
開催年月日： 2016年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tsukuba 国名：日本国
-
First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes 招待 国際会議
Y. Kangawa
2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course 2016年9月
詳細を見る
開催年月日： 2016年9月
記述言語：英語 会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等
開催地：Tsukuba 国名：日本国
In this lecture, I introduce how to make the surface phase diagram of nitride semiconductors by an ab initio-based approach.
-
窒化物半導体成長メカニズムの熱力学的考察
関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二
第77会応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
詳細を見る
開催年月日： 2016年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：新潟 国名：日本国
-
GaN結晶成長シミュレーションの新展開： 第一原理計算に基づくアプローチ 招待
寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一
第77会応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月
詳細を見る
開催年月日： 2016年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：新潟 国名：日本国
-
Computational fluid dynamic approach coupled with thermodynamic analysis of driving force for deposition in GaN MOVPE 国際会議
K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月
詳細を見る
開催年月日： 2016年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
MOCDV and CBE of GaAs1-xNx modeled by ab initio stabilities of (100) surfaces under As2, H2, and N2 国際会議
H. VALENCIA, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月
詳細を見る
開催年月日： 2016年8月
記述言語：英語
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, H. Amano, A. Koukitu
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月
詳細を見る
開催年月日： 2016年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
Contribution of lattice constraint to indium incorporation during coherent growth of InGaN 国際会議
T. Tamura, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) 2016年8月
詳細を見る
開催年月日： 2016年8月
記述言語：英語
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
Thermodynamic analysis of In- and N-polar InN growth by metalorganic vapor phase epitaxy
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, A. Koukitu
35th Electronic Materials Symposium 2016年7月
詳細を見る
開催年月日： 2016年7月
記述言語：日本語
開催地：Laforet Biwako 国名：日本国
-
4H-SiC再構成表面における初期酸化過程に関する研究
平山楓, 中村拓人, 村岡幸輔, 石井純子, 寒川 義裕, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇智徳
平成 28 年度九州表面・真空研究会 2016 2016年6月
詳細を見る
開催年月日： 2016年6月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
InN(0001)面および(000−1)面MOVPE成長の熱力学解析
草場 彰, 寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一, 纐纈明伯
第８回窒化物半導体結晶成長講演会 2016年5月
詳細を見る
開催年月日： 2016年5月
記述言語：日本語
開催地：京都大学 国名：日本国
-
半導体材料の結晶成長～表面反応に関して第一原理計算と熱力学解析の視点から～ 招待
寒川 義裕
第29期CAMMフォーラム本例会 2016年1月
詳細を見る
開催年月日： 2016年1月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：表参道アイビーホール 国名：日本国
-
Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, Y. Honda, H. Amano, K. Kakimoto
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) 2015年11月
詳細を見る
開催年月日： 2015年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hamamatsu 国名：日本国
-
InN加圧MOVPEにおけるファセット面制御によるポリタイプ制御 招待
寒川 義裕, 柿本 浩一
第45回結晶成長国内会議 2015年10月
詳細を見る
開催年月日： 2015年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach 国際会議
A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, K. Kakimoto
Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) 2015年9月
詳細を見る
開催年月日： 2015年9月
記述言語：英語
開催地：Bologna 国名：イタリア共和国
-
Development of in-situ observation system for high-temperature liquid/solid interfaces: application to solid-source solution growth of AlN 国際会議
Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) 2015年9月
詳細を見る
開催年月日： 2015年9月
記述言語：英語
開催地：Bologna 国名：イタリア共和国
-
Development of in situ observation system for liquid/solid interface during solution growth of AlN 招待 国際会議
Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP2015) 2015年8月
詳細を見る
開催年月日： 2015年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Hilton Fukuoka 国名：日本国
-
窒化物半導体結晶成長用基板表面の第一原理計算による考察 招待
寒川 義裕
日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」第94回研究会 2015年7月
詳細を見る
開催年月日： 2015年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京 国名：日本国
-
Surface Energy and Facet Formation in InN films grown by Pressurized-Reactor MOVPE
A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34) 2015年7月
詳細を見る
開催年月日： 2015年7月
記述言語：日本語
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析
草場 彰, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会 2015年5月
詳細を見る
開催年月日： 2015年5月
記述言語：日本語
開催地：東北大学 国名：日本国
-
AlN固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察
草場 彰, 住吉 央朗, 寒川 義裕, 三宅 秀人, 柿本 浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会 2015年5月
詳細を見る
開催年月日： 2015年5月
記述言語：日本語
開催地：東北大学 国名：日本国
-
シードを用いた太陽電池用シリコンの結晶成長 招待
柿本 浩一, GAO BING, LIU XIN, 中野 智, 原田 博文, 宮村 佳児, 関口 隆史, 寒川 義裕
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
詳細を見る
開催年月日： 2015年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 国名：日本国
-
パワーデバイス用単結晶の結晶成長 招待
柿本 浩一, GAO BING, LIU XIN, 中野 智, 西澤 伸一, 原田 博文, 宮村 佳児, 関口 隆史, 寒川 義裕
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
詳細を見る
開催年月日： 2015年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 国名：日本国
-
Theoretical aspects in growth of In-rich InGaN 招待 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto
SPIE 2015 Photonics West 2015年2月
詳細を見る
開催年月日： 2015年2月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：San Francisco 国名：アメリカ合衆国
-
SiC表面分解法によるステップ端近傍のグラフェン成長シミュレーション
土井 優太, 井口 綾佑, 河村 貴宏, 鈴木 泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44） 2014年11月
詳細を見る
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：学習院大学 国名：日本国
-
化合物半導体エピタキシーにおける量子計算科学の展開 招待
寒川義裕, 秋山 亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 中山隆史
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44） 2014年11月
詳細を見る
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語
開催地：学習院大学 国名：日本国
-
分子動力学法によるらせん転位を含む4H-SiCの歪エネルギー解析
水谷充利, 河村 貴宏, 鈴木 泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44） 2014年11月
詳細を見る
開催年月日： 2014年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：学習院大学 国名：日本国
-
Theoretical approach to growth mechanisms of InN by vapor phase epitaxy 招待 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto
2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2) 2014年10月
詳細を見る
開催年月日： 2014年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tohoku University 国名：日本国
-
CL studies of AlN/AlN(0001) grown by solid source solution growth method 国際会議
H. Sumiyoshi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, M. Knetzger, E. Meissner, Y. Iwasaki, K. Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014) 2014年8月
詳細を見る
開催年月日： 2014年8月
記述言語：英語
開催地：Wroclaw 国名：ポーランド共和国
-
固体ソース溶液成長におけるAlN成長機構の解析
住吉央朗, 寒川義裕, 秩父重英, M. Knetzger, E. Meissner, 岩崎洋介, 柿本 浩一
第6回窒化物半導体結晶成長講演会 2014年7月
詳細を見る
開催年月日： 2014年7月
記述言語：日本語
開催地：名城大学 国名：日本国
-
Theoretical study on structural stability of InN grown by pressurized-reactor MOVPE
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
33rd Electronic Materials Symposium 2014年7月
詳細を見る
開催年月日： 2014年7月
記述言語：英語
開催地：Shuzenji, Izu 国名：日本国
-
Structural Phase Diagram of InN by Pressurized-Reactor MOVPE: A Theoretical Study 国際会議
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
The 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5) 2014年6月
詳細を見る
開催年月日： 2014年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Jeju 国名：大韓民国
-
InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム
寒川 義裕, 濱田 達郎, 木村 健司, 片山 竜二, 松岡 隆志, 柿本 浩一
2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
詳細を見る
開催年月日： 2014年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学 国名：日本国
-
電力変換の高効率化に向けた次世代パワーデバイス用AlN結晶の開発 招待
寒川 義裕
九州大学共進化社会システム創成拠点フォーラム 2014年3月
詳細を見る
開催年月日： 2014年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：市ヶ谷 国名：日本国
-
固体ソース溶液成長法により作製したAlN の光学測定
寒川 義裕, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 秩父重英, 柿本 浩一
第13回 東北大学多元物質科学研究所 研究発表会 2013年12月
詳細を見る
開催年月日： 2013年12月
記述言語：日本語
開催地：仙台 国名：日本国
-
InN高圧MOVPE成長における構造多形の制御に関する理論検討
濱田 達郎, 屋山 巴, 寒川 義裕, 柿本 浩一
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 2013年11月
詳細を見る
開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：長崎大学 国名：日本国
-
Influence of growth direction on threading dislocation annihilation process in AlN grown by 3SG method 国際会議
H. Suetsugu, Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto
6th KAIST-Kyushu University Symposium on Aerospace Engineering 2013年11月
詳細を見る
開催年月日： 2013年11月
記述言語：英語
開催地：Daejeon 国名：大韓民国
-
Stabilities of GaAs(100) Surfaces under As2, H2, and N2 Conditions as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs1-xNx: a First-Principles Study
VALENCIA HUBERT, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第43回結晶成長国内会議（NCCG43） 2013年11月
詳細を見る
開催年月日： 2013年11月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：長野 国名：日本国
-
Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method 招待 国際会議
Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII) 2013年10月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Seeon, Bavaria 国名：ドイツ連邦共和国
-
Designing vicinal direction of SiC(0001) for epitaxial graphene growth 国際会議
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, S. Tanaka, K. Kakimoto
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013) 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月 - 2013年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Miyazaki 国名：日本国
-
Dislocation propagation behavior in AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method 招待 国際会議
Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Doshisha University, Kyoto 国名：日本国
-
The orientation dependence of In incorporation of InGaN: The role of N-H layer 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
記述言語：英語
開催地：Doshisha University, Kyoto 国名：日本国
-
Investigation of growth process of MBE growth of GaN under Ga-rich conditions by molecular dynamics 国際会議
T. Kawamura, H. Hayashi, M. Amekawa, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
記述言語：英語
開催地：Doshisha University, Kyoto 国名：日本国
-
Structural control of C clustering at SiC(0001) steps 国際会議
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
記述言語：英語
開催地：Doshisha University, Kyoto 国名：日本国
-
The role of N-H molecular layer on the surface for high quality In-rich InGaN growth by MOVPE 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Symposium on Innovative Materials for Processes in Energy Systems 2013 (IMPRES2013) 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyushu University 国名：日本国
-
SiC表面分解法によるグラフェン成長の分子動力学シミュレーション
井口綾佑, 河村貴宏, 鈴木泰之, 井上仁人, 寒川義裕, 柿本 浩一
第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月
詳細を見る
開催年月日： 2013年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：同志社大学 国名：日本国
-
Structural controllability of C clusters by template effect of SiC step 招待 国際会議
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto
17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 2013年8月
詳細を見る
開催年月日： 2013年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Influence of growth orientation on microstructure of AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method 国際会議
Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 2013年8月
詳細を見る
開催年月日： 2013年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Ab initio Study of GaAs(100) Surfaces Under As2, H2, and N2 Influence, as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs1-xNx 国際会議
H. Valencia, Y. Kangawa, K. Kakimoto
17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 2013年8月
詳細を見る
開催年月日： 2013年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Warsaw 国名：ポーランド共和国
-
Innovation on Solution Growth Technique of Bulk AlN 招待 国際会議
Y. Kangawa
Colloquium in Fraunhofer IISB 2013年4月
詳細を見る
開催年月日： 2013年4月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（招待・特別）
開催地：Erlangen 国名：ドイツ連邦共和国
-
固体窒素原料を用いたAlN溶液成長法の開発 招待
寒川義裕
平成25年度資源素材学会春季大会 2013年3月
詳細を見る
開催年月日： 2013年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：千葉工業大学 国名：日本国
-
GaN薄膜成長におけるN原子取り込み過程の分子動力学シミュレーション
河村貴宏, 三木貴文, 鈴木泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月
詳細を見る
開催年月日： 2013年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工業大学 国名：日本国
-
C凝集過程におけるSiC(0001)ステップのテンプレート効果
井上仁人, 寒川 義裕, 影島博之, 柿本 浩一
第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月
詳細を見る
開催年月日： 2013年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工業大学 国名：日本国
-
太陽電池用III族窒化物半導体の成膜プロセスの理論検討 招待
寒川義裕
第5回半導体デバイス若手ワークショップ 2013年3月
詳細を見る
開催年月日： 2013年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：宮崎市 国名：日本国
-
Tight-binding approach to C clustering at a step of SiC(0001) 国際会議
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomatarials (ISPlasma2013) 2013年1月
詳細を見る
開催年月日： 2013年1月 - 2013年2月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya University 国名：日本国
-
エピタキシャルグラフェン成長初期のC凝集課程-SiC表面構造とCクラスター構造の相関- 招待
井上仁人、寒川義裕
第５回九大グラフェン研究会「グラフェンナノ構造の形成と物性」 2013年1月
詳細を見る
開催年月日： 2013年1月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
創エネ・省エネに向けた窒化物半導体材料開発 招待
寒川義裕
第28回太陽光発電プロジェクト講演会 2013年1月
詳細を見る
開催年月日： 2013年1月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：宮崎大学 国名：日本国
-
Theoretical analysis for N incorporation in GaAsN grown by vapor phase epitaxy 招待 国際会議
J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) 2012 2012年12月
詳細を見る
開催年月日： 2012年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Orland Florida 国名：アメリカ合衆国
-
The influence of the topmost nitrogen atoms on In incoporation efficiency during InGaN MOVPE growth 招待 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) 2012 2012年12月
詳細を見る
開催年月日： 2012年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Orland Florida 国名：アメリカ合衆国
-
AlN溶液成長に向けたAlN(0001)基板前処理～水素ガスエッチング条件の最適化～
末次 弘茂, 梶原 隆司, 寒川 義裕, 永田 俊郎, 田中 悟, 柿本 浩一
平成24年度応用物理学会九州支部講演会 2012年12月
詳細を見る
開催年月日： 2012年12月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：佐賀大学 国名：日本国
-
太陽電池用窒化物エピタキシャル成長機構の理論検討 招待
寒川義裕、川野潤、Hubert Valencia、柿本浩一
第42回結晶成長国内会議 2012年11月
詳細を見る
開催年月日： 2012年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
SiCステップにおけるC原子グラフェン化過程への理論的アプローチ
井上仁人、寒川義裕、影島博之、若林克法、柿本浩一
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42） 2012年11月
詳細を見る
開催年月日： 2012年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
MOVPE成長条件下におけるInN(10-1-1)面の表面構造に関する理論検討
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42） 2012年11月
詳細を見る
開催年月日： 2012年11月
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
SiC結晶成長の分子動力学シミュレーション
速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本 浩一
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42） 2012年11月
詳細を見る
開催年月日： 2012年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
Applicability of solid-source solution growth (3CG) method to the AlN bulk growth 招待 国際会議
Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors 2012年10月
詳細を見る
開催年月日： 2012年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Tohoku University 国名：日本国
-
TEM analysis of bulk AlN grown by solid source solution growth method 国際会議
Y. Kangawa, N. Kuwano, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 2012年10月
詳細を見る
開催年月日： 2012年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sapporo Convention Center 国名：日本国
-
Theoretical investigation of the influence of growth orientation of indium incorporation efficiency during InGaN thin film growth by MOVPE 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 2012年10月
詳細を見る
開催年月日： 2012年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sapporo Convention Center 国名：日本国
-
Development of molecular dynamics simulation for molecular beam epitaxy of GaN under Ga-rich conditios 国際会議
T. Kawamura, T. Miki, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) 2012年10月
詳細を見る
開催年月日： 2012年10月
記述言語：英語
開催地：Sapporo 国名：日本国
-
量子論的アプローチによる表面状態図の作成 招待
寒川義裕、柿本浩一
第36回結晶成長討論会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：唐津市 国名：日本国
-
極性・半極性面上InGaN MOVPEにおけるIn取り込み効率の理論検討
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一
第36回結晶成長討論会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：唐津市 国名：日本国
-
SiCステップによるクラスタリングCのグラフェン化作用
井上仁人、寒川義裕、影島博之、柿本浩一
第36回結晶成長討論会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：唐津市 国名：日本国
-
SiC(0001)ステップにおける C 原子凝集過程の理論検討
井上仁人、寒川義裕、影島博之、若林克法、柿本浩一
第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学 国名：日本国
-
過剰Ga条件下におけるGaNのMBE成長シミュレーションの開発
三木貴文, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学 国名：日本国
-
MOVPE法によるInGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一
第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月
詳細を見る
開催年月日： 2012年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学・松山大学 国名：日本国
-
First principles approach to C aggregation process during 0th graphene growth on SiC(0001) 国際会議
M. Inoue, H. Kageshima, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012) 2012年7月
詳細を見る
開催年月日： 2012年7月 - 2012年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Zurich 国名：スイス連邦
-
Solid-source solution growth (3SG) method for bulk AlN growth 国際会議
Y. Kangawa, N. Kuwano, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4) 2012年7月
詳細を見る
開催年月日： 2012年7月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：St. Petersburg 国名：ロシア連邦
-
Theoretical investigation of the influence of growth orientation on indium incorporation efficiency during InGaN growth by MOVPE
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
第31回電子材料シンポジウム 2012年7月
詳細を見る
開催年月日： 2012年7月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Izu-city 国名：日本国
-
Influence of substrate orientation on In incorporation efficiency of InGaN grown by MOVPE -Theoretical approach on growth process/kinetics of InGaN- 招待 国際会議
Y. Kangawa
16th International Conference on MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16) 2012年5月
詳細を見る
開催年月日： 2012年5月
記述言語：英語 会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：Busan 国名：大韓民国
-
AlN 厚膜成長技術の提案～固体ソース溶液成長法～ 招待
寒川義裕、柿本浩一
第4回窒化物半導体結晶成長講演会 2012年4月
詳細を見る
開催年月日： 2012年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京大学 国名：日本国
-
InGaN薄膜におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する新規モデルの提案
屋山巴，寒川義裕、柿本浩一
第4回窒化物半導体結晶成長講演会 2012年4月
詳細を見る
開催年月日： 2012年4月
開催地：東京大学 国名：日本国
-
InGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討
屋山 巴，寒川 義裕, 柿本 浩一
第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援－固体ソース溶液成長法によるAlN 単結晶の作製－ 招待
寒川義裕
第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
SiC(0001)上グラフェン成長初期 C 凝集過程の第一原理計算による検討
井上 仁人,影島 愽之,寒川 義裕,柿本 浩一
第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
数値解析を用いた太陽電池用多結晶シリコン育成中における
中野 智, 高 冰, 原田 博文，関口 隆史，李 維東，寒川 義裕，柿本 浩一
第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田大学 国名：日本国
-
高効率多接合太陽電池材料の作製指針に関する理論検討 招待
寒川義裕
H23年度（第20回）太陽光発電プロジェクト講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：宮崎市 国名：日本国
-
Surface model of impurity incorporation in III-V-N semiconductors for multi-junction solar cell 招待 国際会議
Y. Kangawa, J. Kawano, K. Kakimoto
International Symposium on Innovative Solar Cells 2012 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京大学 国名：日本国
-
分子動力学法によるSiC結晶中の点欠陥の拡散挙動解析
速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本 浩一
第59回応用物理学会春季学術講演会 2012年3月
詳細を見る
開催年月日： 2012年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：早稲田 国名：日本国
-
SiC熱分解によるグラフェン成長の初期過程－C凝集過程の基板傾斜方向依存性－ 招待
井上 仁人, 寒川 義裕,柿本 浩一
結晶成長：実験と理論の最新の展開 (低温研ワークショップ) 2012年2月
詳細を見る
開催年月日： 2012年2月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
固体ソース溶液成長法により作製したAlN厚膜中の微細組織 招待
寒川義裕、柿本浩一
阪大産研 若手セミナー 2012年2月
詳細を見る
開催年月日： 2012年2月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
Dependence of Graphene growth mechanism on SiC(0001) surface orientation 招待 国際会議
Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
結晶成長自由討論会（放談会） 2012年1月
詳細を見る
開催年月日： 2012年1月
開催地：九州大学 国名：日本国
-
固体ソースAlN溶液成長技術の提案 招待
寒川義裕、柿本浩一
第154回KASTECセミナー 2012年1月
詳細を見る
開催年月日： 2012年1月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
N substitution in GaAs(001) surface under an atomosphere of hydrogen 国際会議
Jun Kawano, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoro
21th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2011年12月
詳細を見る
開催年月日： 2011年11月 - 2011年12月
開催地：Fukuoka 国名：日本国
-
固体原料を用いたAlN 溶液成長法の提案 招待
寒川義裕、柿本浩一
第41回結晶成長国内会議 2011年11月
詳細を見る
開催年月日： 2011年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：つくば国際会議場 国名：日本国
-
水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察
川野潤、寒川義裕、柿本浩一
第41回結晶成長国内会議 2011年11月
詳細を見る
開催年月日： 2011年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：つくば国際会議場 国名：日本国
-
N原子の拡散を制御したGaN溶液成長シミュレーション
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本 浩一, 小竹茂夫, 鈴木泰之
第41回結晶成長国内会議（NCCG-41） 2011年11月
詳細を見る
開催年月日： 2011年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：つくば国際会議場 国名：日本国
-
Theoretical approach to anisotropic growth mechanism of graphene on a vicinal SiC (0001) surface 国際会議
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 2011 2011年9月
詳細を見る
開催年月日： 2011年9月
開催地：Garmisch-Partenkirchen 国名：ドイツ連邦共和国
-
Growth of AlN using Li-Ga-N solution 国際会議
R. Toki, Y. Kangawa, K. Kakimoto
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 2011 2011年9月
詳細を見る
開催年月日： 2011年9月
開催地：Garmisch-Partenkirchen 国名：ドイツ連邦共和国
-
[1100]方向微傾斜SiC(0001)面における0層グラフェンの異方成長機構
井上 仁人，寒川 義裕，影島 愽之，若林 克法，柿本 浩一
第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月
詳細を見る
開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学 国名：日本国
-
水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察
川野 潤，寒川 義裕，柿本 浩一
第72回応用物理学会学術講演会 2011年8月
詳細を見る
開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学 国名：日本国
-
表面ヘキサゴナリティと二次元核生成理論に基づいたSiC結晶多形の圧力温度依存性の解析
白桃 拓哉，高 冰，中野 智，西澤 伸一，寒川 義裕，柿本 浩一
第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月
詳細を見る
開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学 国名：日本国
-
GaN溶液成長におけるN原子の拡散挙動の数値解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本 浩一, 小竹茂夫, 鈴木泰之
第72回応用物理学会秋季学術講演会 2011年8月
詳細を見る
開催年月日： 2011年8月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：山形大学 国名：日本国
-
Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory 国際会議
Takuya SHIRAMOMO, Bing GAO, Frederic MERCIER, Shin-ichi NISHIZAWA, Satoshi NAKANO, Yoshihiro KANGAWA, Koichi KAKIMOTO
The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2011年8月
詳細を見る
開催年月日： 2011年7月 - 2011年8月
開催地：Montrey, CA 国名：アメリカ合衆国
-
Theoretical approach to anisotropic growth process of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces tilting toward [1100]
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto
第30回電子材料シンポジウム 2011年6月
詳細を見る
開催年月日： 2011年6月
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
THERMODYNAMIC ANALYSIS FOR THE PREDICTION OF N COMPOSITION IN COHERENTLY GROWN GaAsN FOR A MULTI- 国際会議
Jun Kawano, Yoshihiro Kangawa, Tomoe Yayama, Tomonori Ito, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
THE 37th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2011年6月
詳細を見る
開催年月日： 2011年6月
開催地：Seattle 国名：アメリカ合衆国
-
Li-Al-N系溶液を用いたAlN結晶成長
土岐隆太郎，寒川義裕，屋山 巴，柿本 浩一
第3回窒化物半導体結晶成長講演会 2011年6月
詳細を見る
開催年月日： 2011年6月
開催地：九州大学 国名：日本国
-
InGaN薄膜作製におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討
屋山 巴，川野 潤，寒川 義裕，柿本 浩一，纐纈 明伯
第3回窒化物半導体結晶成長講演会 2011年6月
詳細を見る
開催年月日： 2011年6月
開催地：九州大学 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶シリコン中の軽元素濃度の制御
柿本浩一，Bing Gao，中野 智，寒川義裕
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月 - 2011年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学 国名：日本国
-
GaN 溶液成長初期過程の分子動力学シミュレーション
河村貴宏，寒川義裕，柿本浩一，小竹茂夫，鈴木泰之
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月 - 2011年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学 国名：日本国
-
SiC溶液成長における炉内温度分布が結晶成長速度へ与える影響
乾 史憲，高 冰，中野 智，寒川義裕，柿本浩一
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
2 次元核生成に基づいた SiC 結晶多形の圧力温度依存性の解析
白桃拓哉，柿本浩一，高 冰，中野 智，寒川義裕，西澤伸一
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川工科大学 国名：日本国
-
PVT を用いたSiC 結晶成長における結晶多型の安定性解析
柿本浩一,白桃拓哉，高 冰，中野 智，寒川義裕，西澤伸一
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
水素吸着したGaAs(N)表面における窒素取り込み
川野 潤，寒川 義裕，柿本 浩一
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
熱力学解析によるGaAsN成長における原料ガスの違いによる影響の検討
川野 潤，寒川 義裕，屋山 巴，柿本 浩一， 纐纈 明伯
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
InGaN成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討
屋山 巴，川野 潤，寒川義裕，柿本浩一， 纐纈明伯
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
AlN バルク成長に向けた2相溶液成長法の提案
寒川義裕、土岐隆太郎、屋山巴、柿本浩一
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
[1100]方向微傾斜SiC 表面におけるグラフェンの異方成長機構
井上仁人，寒川義裕，影島愽之，若林克法，柿本浩一
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：神奈川工大 国名：日本国
-
Two-phase-solution growth of AlN on self-nucleated AlN crystal 招待 国際会議
Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
IWBNS-7 (7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors) 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Koyasan 国名：日本国
-
Molecular Dynamics Simulation of Solution Growth of GaN 国際会議
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, S. Kotake, Y. Suzuki
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2011年3月
詳細を見る
開催年月日： 2011年3月
開催地：名古屋工業大学 国名：日本国
-
微傾斜SiC(0001)面におけるグラフェン核形成機構の傾斜方向依存性
井上仁人，寒川義裕，柿本浩一
第３回九大グラフェン研究会 2011年2月
詳細を見る
開催年月日： 2011年2月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九大 筑紫キャンパス 国名：日本国
-
SiC結晶成長の最近の発展
柿本浩一、Gao Bing、X. J. Chen, 白桃拓哉、中野 智、寒川義裕、西澤伸一
パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 2011年1月
詳細を見る
開催年月日： 2011年1月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：新潟大学 国名：日本国
-
分子動力学法によるGaNの溶液成長シミュレーション
河村 貴宏，小竹 茂夫，鈴木 泰之，寒川 義裕，柿本 浩一
窒化物・ナノエレクトロニクス材料研究センター講演会 2010年11月
詳細を見る
開催年月日： 2010年11月
開催地：東北大学 国名：日本国
-
Effect of heater transfer rate on maximum dislocation density in multicrystalline silicon grown by the travelling heater method (THM) 国際会議
S. Hisamatsu, S. Nakano, X. J. Chen, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 4th International Workshop on Science and Technology of Crystalline Si Solar Cells (CSSC4) 2010年10月
詳細を見る
開催年月日： 2010年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Taipei 国名：台湾
-
SiC溶液成長における低周波電磁撹拌の影響
乾 史憲，高 冰，中野 智，寒川 義裕，柿本 浩一
第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 2010年10月
詳細を見る
開催年月日： 2010年10月
開催地：筑波国際会議場 国名：日本国
-
Theoretical analysis of N composition in epitaxially grown GaAsN for multi-junction solar cell 国際会議
J. Kawano, K. Ikeda, Y. Kangawa, K. Kakimoto
3rd International Symposium on Innovative Solar Cells 2010年10月
詳細を見る
開催年月日： 2010年10月
開催地：Tokyo Tech Front 国名：日本国
-
Prediction of N composition in coherently grown GaAsN thin films for multi-junction solar cell 国際会議
J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
3rd Super High Efficiency Solar Cell Workshop 2010年10月
詳細を見る
開催年月日： 2010年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Miyazaki Kanko Hotel 国名：日本国
-
SiC溶液成長における低周波電磁撹拌の影響
乾 史憲，高 冰，中野 智，寒川義裕，柿本浩一
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月
詳細を見る
開催年月日： 2010年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：長崎大学 国名：日本国
-
熱力学解析によるGaAsN成長における基盤拘束の寄与の検討
川野 潤, 池田和磨, 寒川義裕, 柿本浩一, 纐纈明伯
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月
詳細を見る
開催年月日： 2010年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：長崎大学 国名：日本国
-
SiC表面におけるグラフェン成長の初期過程
井上仁人， 寒川義裕， 若林克法，影島博之，柿本浩一
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月
詳細を見る
開催年月日： 2010年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：長崎大学 国名：日本国
-
Differential thermal analysis of Li3N-Al pseudobinary system for AlN growth 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 16th. International Conference on Crystal Growth (ICCG-16) 2010年8月
詳細を見る
開催年月日： 2010年8月
開催地：Beijing 国名：中華人民共和国
-
III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発
川野 潤, 池田和磨, 寒川義裕, 柿本浩一
NEDO新エネルギー技術成果報告会2010 2010年7月
詳細を見る
開催年月日： 2010年7月
開催地：東京国際フォーラム 国名：日本国
-
Tight-binding approach to initial stage of graphitization on SiC surface
井上仁人、寒川義裕、若林克法、柿本浩一
第29回電子材料シンポジウム 2010年7月
詳細を見る
開催年月日： 2010年7月
開催地：ラフォーレ修善寺 国名：日本国
-
AlN成長に向けたLi3N-Al擬二元系状態図
屋山 巴， 寒川 義裕，柿本 浩一
第２９回電子材料シンポジウム 2010年7月
詳細を見る
開催年月日： 2010年7月
開催地：伊豆修善寺 国名：日本国
-
Calculation of Phase Diagrams of Li3N-Al pseudo binary system for AlN Growth 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitride 2010 (ISGN-3) 2010年7月
詳細を見る
開催年月日： 2010年7月
開催地：Montpellier 国名：フランス共和国
-
AlN溶液成長に向けたLi3N-Al擬二元系状態図解析
屋山 巴, 寒川 義裕, 柿本 浩一
2010年第2回窒化物半導体結晶成長講演会 2010年5月
詳細を見る
開催年月日： 2010年5月
開催地：三重大学 国名：日本国
-
AlN溶液成長に向けたLi-Al-N三元系状態図解析
屋山 巴, 寒川 義裕, 柿本 浩一
2010年春季第57回応用物理学会学術講演会 2010年3月
詳細を見る
開催年月日： 2010年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東海大学 国名：日本国
-
Calculation of phase diagram for the growth of III-V-N semiconductors in multi-junction solar cell 国際会議
K. Ikeda, Y. Kangawa, K. Kakimoto
2nd International Symposium on Innovative Solar Cells 2009年12月
詳細を見る
開催年月日： 2009年12月
開催地：筑波国際会議場 国名：日本国
-
Structural stability of strained GaAsN layer in multi-junction solar cell 国際会議
K. Ikeda, Y. Kangawa, K. Kakimoto
2nd Super High Efficiency Solar Cell Workshop 2009年12月
詳細を見る
開催年月日： 2009年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 西新プラザ 国名：日本国
-
Theoritical analyses of In incorporation and compositionalinstability in coherently grown InGaN thin films 国際会議
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009年10月
詳細を見る
開催年月日： 2009年10月
開催地：Jeju 国名：大韓民国
-
AlN synthesis on AlN/SiC template using Li-Al-N solvent 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto
8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009年10月
詳細を見る
開催年月日： 2009年10月
開催地：Jeju 国名：大韓民国
-
Numerical investigation of heat and mass transfer during a unidirectional solidification process in crystalline silicon for solar cells 国際会議
Koichi KAKIMOTO, Lijun Liu, X. J. Chen, Hitoshi Matsuo, Hiroaki Miyazawa, Sho Hisamatsu, Satoshi Nakano and Yoshihiro Kangawa
216th ECS Meeting 2009年10月
詳細を見る
開催年月日： 2009年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Vienna 国名：オーストリア共和国
-
Numerical analysis of mc-Si crystal growth 国際会議
K. Kakimoto, H. Matsuo, S. Hisamatsu, B. Ganesh, G. Bing, X.J. Chen, L. Liu, H. Miyazawa and Y. Kangawa
GADEST 2009 2009年9月
詳細を見る
開催年月日： 2009年9月 - 2009年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Berlin 国名：ドイツ連邦共和国
-
Li-Al-N 溶液を用いたAlN/SiC テンプレート上へのAlN 成長
寒川義裕、柿本浩一
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月
詳細を見る
開催年月日： 2009年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：富山大学 国名：日本国
-
Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent 招待 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto
6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI) 2009年8月
詳細を見る
開催年月日： 2009年8月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Galindia 国名：ポーランド共和国
-
炉内ガス反応を考慮した太陽電池用シリコン結晶中の軽元素の分布解析 招待
久松翔，Bing Gao，X. J. Chen，中野智，寒川義裕，柿本浩一
日本学術振興会第145委員会 第118回研究会 2009年7月
詳細を見る
開催年月日： 2009年7月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学C-CUBE筑紫ホール 国名：日本国
-
Microstructures in AlN/sapphire grown by vapor phase epitaxy using Al and Li3N
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Kakimoto
28th Electronic Materials Symposium 2009年7月
詳細を見る
開催年月日： 2009年7月
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
Control of indium composition in coherently grown InGaN thin films
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto and A. Koukitu
28th Electronic Materials Symposium 2009年7月
詳細を見る
開催年月日： 2009年7月
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
基板拘束を受けたInGaN薄膜におけるIn取り込み量の予測
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto and A. Koukitu
2009年第１回窒化物半導体結晶成長講演会 2009年5月
詳細を見る
開催年月日： 2009年5月
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶Si中のSi2N2OとSi3N4の析出に関する数値解析
久松 翔，松尾 整，中野 智，寒川 義裕，柿本 浩一
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年4月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：筑波大学 国名：日本国
-
基板拘束を受けたInGaN薄膜の組成制御に関する理論検討
屋山 巴，寒川 義裕，柿本 浩一，纐纈明伯
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年3月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：筑波大学 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶シリコン中の析出物が微結晶形成に及ぼす影響
松尾 整，久松 翔，寒川 義裕，柿本 浩一
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年4月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：筑波大学 国名：日本国
-
Li3Nを窒素源とする気相成長により作製したAlN/sapphireの微細組織観察
寒川義裕、長野利彦、江崎哲也、桑野範之、柿本浩一
2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年4月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月 - 2009年4月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：筑波大学 国名：日本国
-
Distributions of light elements and their precipitations grown by unidirectional solidification in multicrystalline silicon for solar cell 国際会議
H. Matsuo, S. Hisamatsu, Y. Kangawa, S. Nakano, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
ISTC/CSTIC 2009 2009年3月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月
開催地：Shanghai 国名：中華人民共和国
-
Control of In composition in InGaN thin films for multi-junction solar cells 国際会議
Y. Kangawa, T. Yayama, K. Kakimoto, A. Koukitu
International Symposium on Innovative Solar Cells 2009 2009年3月
詳細を見る
開催年月日： 2009年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京大学（駒場II） 国名：日本国
-
Theoretical approach to control of In composition in InGaN for multijunction solar cells 招待 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto
Super high efficiency solar cell workshop 2009年2月
詳細を見る
開催年月日： 2009年2月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：豊田工業大学 国名：日本国
-
数値解析による太陽電池用多結晶Si中のSi2N2O析出領域の検討
久松翔1，松尾整1，中野智2，寒川義裕1,2，柿本浩一1,2
第３８回日本結晶成長学会国内会議 2008年11月
詳細を見る
開催年月日： 2008年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
Li3Nを窒素源とするAlNバルク成長における酸素混入の影響
長野利彦1，寒川義裕1,2，柿本浩一1,2
第３８回日本結晶成長学会国内会議 2008年11月
詳細を見る
開催年月日： 2008年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶シリコン中の軽元素および析出物の分布に関する考察
松尾整1、久松翔1、寒川義裕1, 2、新船幸二3, 4、大下祥雄3、山口真史3、柿本浩一1, 2
第３８回日本結晶成長学会国内会議 2008年11月
詳細を見る
開催年月日： 2008年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
立方晶GaNエピ成長における成長形の制御 招待
寒川義裕、秋山亨*、伊藤智徳*、白石賢二**、柿本浩一
第３８回日本結晶成長学会国内会議 2008年11月
詳細を見る
開催年月日： 2008年11月
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：仙台 国名：日本国
-
Influence of oxygen incorporation on AlN synthesis using Al and Li3N 国際会議
Toshihiko Nagano1, YoshihiroKangawa1, 2, Koichi Kakimoto1, 2
IWN2008 2008年10月
詳細を見る
開催年月日： 2008年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Montreux 国名：スイス連邦
-
Possibility of AlN vapor phase epitaxy using Li3N as a nitrogen source 国際会議
YoshihiroKangawa1, 2, Toshihiko Nagano2, Koichi Kakimoto1, 2
IWN2008 2008年10月
詳細を見る
開催年月日： 2008年10月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Montreux 国名：スイス連邦
-
一方向性凝固法による多結晶Si育成過程におけるSi2N2O濃度分布解析
久松 翔1，松尾 整1，中野 智2，劉 立軍2, 3，寒川 義裕1, 2，柿本 浩一1, 2
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年9月
詳細を見る
開催年月日： 2008年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：中部大学 国名：日本国
-
Li3NとAlを用いたAlN成長における酸素混入の影響
長野利彦1，寒川義裕1,2，柿本浩一1,2
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年9月
詳細を見る
開催年月日： 2008年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：中部大学 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶シリコン成長中の坩堝回転が酸素濃度分布に与える影響
松尾 整1，R. Bairava Ganesh1，中野 智2，劉 立軍2, 3，寒川 義裕1, 2，新船 幸二4, 5，大下 祥雄4，山口 真史4，柿本 浩一1, 2
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年9月
詳細を見る
開催年月日： 2008年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：中部大学 国名：日本国
-
Crucible rotation dependence of oxygen concentration during solidification of multicrystalline 国際会議
Hitoshi Matsuo, R.Bairava Ganesh, Satoshi Nakano, Lijun Liu, Yoshihiro Kangawa, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Koichi Kakimoto
21st Congress of the International Union of Crystallography 2008年8月
詳細を見る
開催年月日： 2008年8月
開催地：Osaka 国名：日本国
-
Theoretical study of growth condition of cubic GaN
寒川義裕、秋山亨*、伊藤智徳*、白石賢二**、柿本浩一
EMS27 2008年7月
詳細を見る
開催年月日： 2008年7月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ修善寺 国名：日本国
-
Theoretical approach to structural stability of GaN: How to grow cubic GaN 国際会議
Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto
ISGN-2 2008年7月
詳細を見る
開催年月日： 2008年7月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ラフォーレ修善寺 国名：日本国
-
Thermodynamical analysis of oxygen incorporation from a quartz crucible during solidification of multicrystalline silicon for solar cell 国際会議
H. Matsuo, R. Bairava Ganesh, S. Nakano, L. Liu, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
the 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年5月
詳細を見る
開催年月日： 2008年5月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学医学部百年記念講堂 国名：日本国
-
Monte Carlo simulation of atomic arrangement in InGaN thin film grown by MOVPE 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
the 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年5月
詳細を見る
開催年月日： 2008年5月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学医学部百年記念講堂 国名：日本国
-
一方向性凝固法による太陽電池用多結晶シリコンの酸素混入機構の解明
松尾 整 、R. Bairava Ganesh、中野 智、劉 立軍、寒川 義裕、 新船 幸二、大下 祥雄、山口 真史、柿本 浩一
ナノ学会第６回大会 2008年5月
詳細を見る
開催年月日： 2008年5月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学医学部百年記念講堂 国名：日本国
-
ACRTを用いた太陽電池用多結晶シリコン中の炭素濃度の制御
R. Bairava Ganesh, 松尾 整，中野 智, 劉 立軍,寒川 義裕，新船 幸二，大下 祥雄，山口 真史, 柿本 浩一
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学 国名：日本国
-
不純物の影響を考慮したSiC の熱伝導率解析
河村貴宏，寒川義裕，柿本浩一
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学 国名：日本国
-
バルクシリコン系の結晶成長とシミュレーターの展望と課題
柿本浩一，中野 智，宮澤宏章，寒川義裕
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学 国名：日本国
-
太陽電池用多結晶シリコンの熱化学的解析を用いた酸素混入機構の解明
松尾 整，R. Bairava Ganesh, 中野 智, 劉 立軍,寒川 義裕，新船 幸二，大下 祥雄，山口 真史, 柿本 浩一
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学 国名：日本国
-
Al とLi3N を原料とするサファイア基板上AlN 気相成長
寒川義裕，脇川達人，長野利彦，柿本浩一
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学 国名：日本国
-
窒化物半導体エピ成長の条件最適化に向けた理論予測 招待
寒川義裕、伊藤智徳、纐纈明伯、柿本浩一
日本学術振興会第161委員会（第57回研究会）／第162委員会（第59回研究会）合同研究会 2008年3月
詳細を見る
開催年月日： 2008年3月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：主婦会館プラザエフ 国名：日本国
-
Li3Nを窒素源とするAlN成長における相安定性の解析
脇川達人、長野利彦、寒川義裕、柿本浩一
2007年応用物理学会結晶工学分科会年末講演会 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：学習院大学 国名：日本国
-
Numerical analysis in a unidirectional solidification process for multicrystalline silicon with square crucibles 国際会議
H. Miyazawa, L. J. Liu, S. Nakano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 2nd International Workshop on Science and Technology of Crystalline Si Solar Cells (CSSC) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Xiamen Univ., China 国名：中華人民共和国
-
GROWTH OF MULTICRYSTALLINE SILICON BY UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION USING ACCELERATED CRUCIBLE ROTATION TECHNIQUE 国際会議
R. Bairava Ganesh, H. Matsuo, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
The 2nd International Workshop on Science and Technology of Crystalline Si Solar Cells (CSSC) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Xiamen Univ., China 国名：中華人民共和国
-
3D global analysis in a unidirectional solidification process of multicrystalline silicon for photovoltaic 国際会議
H. Miyazawa, L. J. Liu, S. Nakano, Y. Kangawa, K. Kakimoto
17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月 - 2008年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場 国名：日本国
-
ANALYSIS OF CARBON DISTRIBUTION AND SiC PRECIPITATION USING UNIDIRECTIONAL-SOLIDIFICATION PROCESS FOR MULTI-CRYSTALLINE SILICON 国際会議
S. Nakano, L. J. Liu, X. J. Chen, H. Miyazawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月 - 2008年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場 国名：日本国
-
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION GROWTH OF MULTICRYSTALLINE SILICON USING ACCELERATED CRUCIBLE ROTATION TECHNIQUE (ACRT) 国際会議
R. Bairava Ganesh, H. Matsuo, Y. Kangawa, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, K. Kakimoto
17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月 - 2008年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場 国名：日本国
-
OXYGEN INCOPORATION MECHANISM FROM A CRUCIBLE IN MULTICRYSTALLINE SILICON FOR SOLAR CELLS 国際会議
Hitoshi Matsuo, R. Bairava Ganesh, Satoshi Nakano, Lijun Liu, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Koichi Kakimoto
17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17) 2007年12月
詳細を見る
開催年月日： 2007年12月 - 2008年12月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡国際会議場 国名：日本国
-
Analysis of oxygen incorporation processin unidirectionally solidified multicrystalline silicon for solar cells
Hitoshi Matsuo, R. Bairava Ganesh, Satoshi Nakano, Lijun Liu, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Koichi Kakimoto
シリコン材料の化学と技術フォーラム2007 2007年11月
詳細を見る
開催年月日： 2007年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：朱鷺メッセ 国名：日本国
-
Li3Nを窒素源とするAlN溶液成長
寒川義裕、脇川達人、長野利彦、柿本浩一
第37回結晶成長国内会議 2007年11月
詳細を見る
開催年月日： 2007年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
SiCにおける結晶構造の不規則性が熱伝導率に及ぼす影響
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第37回結晶成長国内会議 2007年11月
詳細を見る
開催年月日： 2007年11月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道大学 国名：日本国
-
一方向性凝固法による多結晶シリコンの酸素混入過程の解析
松尾 整，R. Bairava Ganesh, 中野 智, 劉 立軍,寒川 義裕，新船 幸二，大下 祥雄，山口 真史, 柿本 浩一
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年9月
詳細を見る
開催年月日： 2007年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学 国名：日本国
-
SiCの熱伝導率に対する積層欠陥の影響
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年9月
詳細を見る
開催年月日： 2007年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学 国名：日本国
-
GaN 溶液成長における熱対流と成長速度の関係
柿本浩一、寒川義裕、劉立軍、川村史朗、森勇介、佐々木孝友
2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年9月
詳細を見る
開催年月日： 2007年9月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学 国名：日本国
-
Analysis of oxygen incorporation in unidirectionally solidified multicrystalline silicon for solar cells 国際会議
Hitoshi Matsuo, R.Bairava Ganesh, Satoshi Nakano, Lijun Liu, Yoshihiro Kangawa, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Koichi Kakimoto
The 15th International Conference on Crystal Growth 2007年8月
詳細を見る
開催年月日： 2007年8月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Salt Lake City, Utah 国名：アメリカ合衆国
-
Investigation of thermal conductivity of fullerene peapod by molecular dynamics 国際会議
Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
The 15th International Conference on Crystal Growth 2007年8月
詳細を見る
開催年月日： 2007年8月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Salt Lake City, Utah 国名：アメリカ合衆国
-
On thermal conductivity of 2H-, 3C-, 4H- and 6H-SiC calculated by molecular dynamics 国際会議
Takahiro Kawamura, Daisuke Hori, Yoshihiro Kangawa), Koichi Kakimoto
The 15th International Conference on Crystal Growth 2007年8月
詳細を見る
開催年月日： 2007年8月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Salt Lake City, Utah 国名：アメリカ合衆国
-
Possibility of AlN synthesis using Al and Li3N under an atmospheric pressure 国際会議
T. Wakigawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 15th International Conference on Crystal Growth 2007年8月
詳細を見る
開催年月日： 2007年8月
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Salt Lake City, Utah 国名：アメリカ合衆国
-
AlとLi3Nを用いた常圧AlN溶液成長
脇川達人, 寒川義裕, 柿本浩一
第26回電子材料シンポジウム 2007年7月
詳細を見る
開催年月日： 2007年7月
開催地：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市） 国名：日本国
-
Ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior during GaAs epitaxial growth 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, Y. S. Hiraoka, T. Irisawa, T. Ohachi
International Workshop on Atomic-Scale Surface Dynamics of Advanced Materials 2001年11月
詳細を見る
開催年月日： 2001年11月
記述言語：英語
国名：日本国
-
高As圧下におけるGaAs成長速度As圧依存性の理論検討
寒川義裕, 伊藤智徳, 平岡佳子, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠
東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究会「半導体表面におけるナノプロセスの量子化学」 2001年10月
詳細を見る
開催年月日： 2001年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：仙台 国名：日本国
-
GaAs(001)-(2x4)b2および-(2x4)b1表面におけるGa拡散距離基板温度依存性
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 入澤寿美
第62回応用物理学会秋季学術講演会 2001年9月
詳細を見る
開催年月日： 2001年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛知工業大学 国名：日本国
-
Si1-x-yGexCyにおけるC混合安定性に対する副格子の影響
伊藤智徳, 寒川義裕
第62回応用物理学会秋季学術講演会 2001年9月
詳細を見る
開催年月日： 2001年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛知工業大学 国名：日本国
-
Theoretical investigation for As pressure dependence of GaAs growth rate 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, Y. S. Hiraoka, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
20th European Conference on Surface Science 2001年9月
詳細を見る
開催年月日： 2001年9月
記述言語：英語
開催地：Krakow 国名：ポーランド共和国
-
Theoretical investigations of thermodynamic stability for Si1-x-yGexCy 国際会議
T. Ito, Y. Kangawa, A. Kobayashi
The 13th International Conference on Crystal Growth 2001年7月
詳細を見る
開催年月日： 2001年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
Empirical interatomic potential calculations for relative stability of Ga adatom on GaAs(100) and (n11)A surfaces 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
The 13th International Conference on Crystal Growth 2001年7月
詳細を見る
開催年月日： 2001年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende structural stability of semiconductors 国際会議
T. Ito, Y. Kangawa, K. Tsutsumida
The 13th International Conference on Crystal Growth 2001年7月
詳細を見る
開催年月日： 2001年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001) 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Irisawa, T. Ohachi
8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2001年6月
詳細を見る
開催年月日： 2001年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Sapporo 国名：日本国
-
Si1-x-yGexCyにおける混合安定性のGe濃度依存性に関する理論検討
伊藤智徳, 寒川義裕
第48回応用物理学会春季学術講演会 2001年3月
詳細を見る
開催年月日： 2001年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：明治大学 国名：日本国
-
Empirical Interatomic potential calculation for comositional instability of InGaN thin films grown on GaN and InN 招待 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu
The 5th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics 2001年3月
詳細を見る
開催年月日： 2001年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
国名：日本国
-
Empirical potential-based approach for understanding epitaxial growth of aemiconductors 招待 国際会議
T. Ito, Y. Kangawa, K. Shiraishi, A. Taguchi
The 5th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics 2001年3月
詳細を見る
開催年月日： 2001年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
国名：日本国
-
GaAs(211)Aおよび(411)A表面上におけるGa原資の安定吸着位置と相対的安定性
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠
第48回応用物理学会春季学術講演会 2001年3月
詳細を見る
開催年月日： 2001年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：明治大学 国名：日本国
-
A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stabilities
Y. Kangawa, T. Ito
27th International Symposium on Compound Semiconductors 2000年12月
詳細を見る
開催年月日： 2000年10月
記述言語：英語
開催地：Monterey, CA 国名：アメリカ合衆国
We proposed a new empirical interatomic potential for compound semiconductors applicable to estimation of subtle energy difference. The potential was devised to incorporate the interactions between atoms beyond 3rd neighbors by considering electrostatic contributions. The versatility of the potential was confirmed by the calculation of relative stabilities between wurtzite and zinc blende structures. Using the new potential, we also worked out the excess energies for InxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/InN in order to investigate thermodynamic stabilities. We found that the excess energy maximum drastically shifted toward x∼0.80 for InGaN/GaN and x∼0.10 for InGaN/InN due to the lattice constraint from the bottom layer in contrast with x∼0.50 for bulk.
-
Theoretical investigation of adatom adsorption on the As-stabilized GaAs(111)A surface 国際会議
A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ito, Y. Kangawa
International Symposium on Surface and Interface 2000年10月
詳細を見る
開催年月日： 2000年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi
International Symposium on Surface and Interface 2000年10月
詳細を見る
開催年月日： 2000年10月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
GaAs(411)Aおよび(001)-(4x2)表面上における吸着Ga原子の相対的安定性
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠
第61回応用物理学会秋季学術講演会 2000年9月
詳細を見る
開催年月日： 2000年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学 国名：日本国
-
Empirical Interatomic potential calculation for compositional instability of III-V nitride alloys in lattice mismutch systems 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2000 2000年9月
詳細を見る
開催年月日： 2000年9月
記述言語：英語
開催地：Nagoya 国名：日本国
-
原子間ポテンシャルによるGaAs(111)A表面上Ga原子の安定吸着機構の検討
伊藤智徳, 寒川義裕, 田口明仁, 白石賢二
第61回応用物理学会秋季学術講演会 2000年9月
詳細を見る
開催年月日： 2000年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：北海道工業大学 国名：日本国
-
Formation mechanisms of Al-segregated region on InAlAs/(110)InP 国際会議
Y. Kangawa, K. Wakizono, Noriyuki Kuwano, K. Oki, T. Ito
The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2000年8月
詳細を見る
開催年月日： 2000年8月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東北大学 国名：日本国
-
InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与
寒川義裕, 伊藤智徳, 森篤史, 纐纈明伯
第31回結晶成長国内会議（NCCG-31） 2000年7月
詳細を見る
開催年月日： 2000年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：名古屋大学 国名：日本国
-
Numerical calculation with empirical interatomic potential for formation mechanism of AuAu-I type ordered structure in InGaAs/(110)InP 国際会議
Y. Kangawa, Noriyuki Kuwano, K. Oki
International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 1999年10月
詳細を見る
開催年月日： 1999年10月
記述言語：英語
開催地：Karuizawa 国名：日本国
-
原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
第30回結晶成長国内会議（NCCG-30） 1999年7月
詳細を見る
開催年月日： 1999年7月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
InGaAs/(110)InP混晶におけるCuAu-I型規則化メカニズムの原子間ポテンシャルによる解析
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 平成11年度合同学術講演会 1999年6月
詳細を見る
開催年月日： 1999年6月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
Theoretical investigation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP using empirical interatomic potential
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki
18th Electronic Materials Symposyum 1999年6月
詳細を見る
開催年月日： 1999年6月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kii-Shirahama 国名：日本国
-
Empirical Interatomic potential calculation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP 国際会議
Y. Kangawa, M. Suenaga, N. Kuwano, K. Oki
International Conference on Solid-Solid Transformation '99 1999年5月
詳細を見る
開催年月日： 1999年5月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
原子間ポテンシャル計算によるInGaAs/(110)InP中に出現するCuAu-I型規則構造の形成機構に関する研究
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
文部科学省研究費補助金特定領域研究（Ａ）「相変態」成果報告会 1998年10月
詳細を見る
開催年月日： 1998年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛 国名：日本国
-
原子間ポテンシャル計算によるInGaAs/(110)InP中に出現するCuAu-I型規則構造安定性の定量解析
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
日本金属学会1998秋季大会 1998年9月
詳細を見る
開催年月日： 1998年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：愛媛大学 国名：日本国
-
Empirical interatomic potential calculation for InGaAs/(110)InP and its application to CuAu-I type ordered structure stability
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki
17th Electronic Materials Symposium 1998年7月
詳細を見る
開催年月日： 1998年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Izu-Nagaoka 国名：日本国
-
InAlAs/(110)InP混晶中に出現するL10型規則相ならびにAl偏析領域の形成機構
寒川義裕, 小島周子, 桑野範之, 沖憲典
第58回応用物理学会秋季学術講演会 1997年10月
詳細を見る
開催年月日： 1997年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：秋田大学 国名：日本国
-
InAlAs/(110)InP混晶中に出現する逆位相境界の形成機構
小島周子, 寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
第58回応用物理学会秋季学術講演会 1997年10月
詳細を見る
開催年月日： 1997年10月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：秋田大学 国名：日本国
-
TEM observations for the formation mechanism of microstructures in InAlAs/(110)InP
Y. Kangawa, C. Kojima, N. Kuwano, K. Oki
16th Electronic Materials Symposium 1997年7月
詳細を見る
開催年月日： 1997年7月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Minoo 国名：日本国
-
InAlAs/(110)InP混晶中に出現する微細組織の形成機構
小島周子, 寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
日本電子顕微鏡学会 第53回学術講演会 1997年5月
詳細を見る
開催年月日： 1997年5月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：尼崎 国名：日本国
-
TEM observation of microstructures in InAlAs/(110)InP 国際会議
C. Kojima, Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki
The Asian Science Seminar on New Direction in Transmission Electron Microscopy and Nano-characterization of Materials 1997年3月
詳細を見る
開催年月日： 1997年3月
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyushu University 国名：日本国
-
InGaAs/(110)InP混晶におけるCuAu-I型規則構造の形成機構
寒川義裕, 小島周子, 桑野範之, 沖憲典
第44回応用物理学会春季学術講演会 1997年3月
詳細を見る
開催年月日： 1997年3月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：日本大学（船橋） 国名：日本国
-
TEM observation for the ordering mechanism of an InGaAs alloy grown on a (110)InP substrate
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki
平成7-8年度文部科学省科学研究費補助金基板研究（Ａ）「エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス」成果報告会 1997年1月
詳細を見る
開催年月日： 1997年1月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神戸 国名：日本国
-
(110)Inp基板上にエピタキシャル成長させたInGaAs混晶の規則化機構
寒川義裕, 小島周子, 桑野範之, 沖憲典
第38回日本電子顕微鏡学会九州支部会学術講演会 1996年11月
詳細を見る
開催年月日： 1996年11月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：宮崎医科大学 国名：日本国
-
III-V族半導体混晶におけるTP-A型規則化のモンテカルロ法による解析
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典
第57回応用物理学会秋季学術講演会 1996年9月
詳細を見る
開催年月日： 1996年9月
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州産業大学 国名：日本国
-
Si/Ge/Si(001)界面形状とフォノン伝播の関係
勝谷 匡博，脇川 達人，寒川 義裕，王 萍，福山 敦彦，明石 義人，碇 哲雄，柿本 浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学 国名：日本国
-
Empirical potential-based approach to relative stability among tetrahedral clusters in bulk InGaN and InGaN/GaN
Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Kohichi Nakamura, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
21st Electronic Materials Symposium (EMS ’02) 2001年6月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：ホテル富士見ハイツ 国名：日本国
-
Influence of Buffer Layer Crystallization on the Crystalline Quality of Subsequently Grown GaN Epitaxial Layers on GaAs (111)A Surfaces
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Yoshihiro Kangawa, Akinori Koukitu
21st Electronic Materials Symposium (EMS ’02) 2001年6月
詳細を見る
開催地：ホテル富士見ハイツ 国名：日本国
-
常圧H2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2 x 4)再構成面の形成機構
松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯
第32回結晶成長国内会議（NCCG-32） 2001年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：若里ホール 国名：日本国
-
InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相−固相関係
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
第32回結晶成長国内会議（NCCG-32） 2001年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：若里ホール 国名：日本国
-
Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE 国際会議
Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
The 4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2001年10月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：軽井沢プリンスホテル 国名：日本国
-
Empirical potential approach to thermodynamic stability of thin nitride films 招待 国際会議
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu
Frontier Science Research Conferences -Science and Technology of Nitride Materials 2001- 2001年10月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：La Jolla, California 国名：アメリカ合衆国
-
InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響 招待
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
第3 回ナノ構造・エピ成長分科会シンポジウム 2002年2月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
ハロゲン系気相エピタキシーによるInAs(001)基板上へのInAs1-xSbx三元混晶の成長
江里口健一、森岡理、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯
第50回応用物理学関係連合講演会 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川大学 国名：日本国
-
GaAs(111)基板両面にMOHVPE法で成長させたGaNの微細構造
桑野範之、園田欣大、村上尚、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯
第50回応用物理学関係連合講演会 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川大学 国名：日本国
-
常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A-(2x2)As面からGa終端面への相転移過程
松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯
第50回応用物理学関係連合講演会 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川大学 国名：日本国
-
HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長
山根貴好、宮地岳広、村上尚、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯
第50回応用物理学関係連合講演会 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川大学 国名：日本国
-
MOVPE成長におけるInGaN気相−固相関係に対する基板拘束の寄与
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
第50回応用物理学関係連合講演会 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：神奈川大学 国名：日本国
-
高In組成InGaNナノ薄膜の実現に向けた光励起による成長最表面の制御
寒川義裕
21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第１回発表会- 2002年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
気相−固相反応から見たIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長”、第27回結晶成長討論会、志賀高原プリンスホテル 招待
寒川義裕
第27回結晶成長討論会 2002年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：志賀高原プリンスホテル 国名：日本国
-
常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面からのAs脱離過程と(2 x 2)再構成面の形成機構
松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯
第63回応用物理学会学術講演会 2002年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：新潟大学 国名：日本国
-
InGaN MBE成長の気相−固相関係に対する基板拘束の寄与
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
第63回応用物理学会学術講演会 2002年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：新潟大学 国名：日本国
-
Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE 国際会議
Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5) 2003年5月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：Nara-Ken New Public Hall 国名：日本国
-
Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs (111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers 国際会議
H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5) 2003年5月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：Nara-Ken New Public Hall 国名：日本国
-
GaNナノ薄膜の低温成長における光励起の効果
寒川義裕
21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第１回若手発表会- 2003年7月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
Effect of periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers during thick GaN layer growth on GaAs (111)A
N. Kawaguchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
22nd Electronic Materials Symposium (EMS ’03) 2003年7月
詳細を見る
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
Growth of InAs1-xSbx Layers on InAs (001) Substrates Using Halide Vapor Phase Epitaxy
Ken-ichi Eriguchi, Kikurou Takemoto, Yoshihiro Kangawa,Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
22nd Electronic Materials Symposium (EMS ’03) 2003年7月
詳細を見る
開催地：ラフォーレ琵琶湖 国名：日本国
-
HVPE法を用いたAlNの成長は可能か？
纐纈明伯，菊地 潤，寒川 義裕，熊谷 義直
第33回結晶成長国内会議 2003年8月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
InGaN薄膜における自然超格子構造
森 篤史，伊藤智徳，寒川 義裕，纐纈明伯
第33回結晶成長国内会議 2003年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
第一原理計算による常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移
松尾 有里子，寒川 義裕，熊谷 義直，入澤 寿美，纐纈 明伯
第33回結晶成長国内会議 2003年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討
寒川 義裕，入澤 寿美、熊谷 義直，纐纈 明伯
第33回結晶成長国内会議 2003年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
Thermodynamic Study on Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of CdGeP2
Yoshihiro Kangawa and Valery M. Smirnov
21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第4回発表会- 2003年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
Pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN nano-films with high indium content
Yoshihiro KANGAWA
21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第4回発表会- 2003年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京農工大学 国名：日本国
-
AlN, GaN HVPE成長のための原料部塩化物生成解析
菊地 潤、熊谷 義直、寒川 義裕、纐纈 明伯
第64回応用物理学会学術講演会 2003年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡大学 国名：日本国
-
InAs(001)基板上へのInAs1-xSbxのハロゲン系気相エピタキシーにおけるV/III比の影響
江里口 健一、竹本 菊郎、寒川 義裕、熊谷 義直、纐纈 明伯
第64回応用物理学会学術講演会 2003年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡大学 国名：日本国
-
高品質GaN成長に向けたGaP(111)A基板表面からのP脱離の理論検討
松尾 有里子，藤野 真理恵，寒川 義裕，熊谷 義直，入澤 寿美，纐纈 明伯
第64回応用物理学会学術講演会 2003年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡大学 国名：日本国
-
モンテカルロシミュレーションによるGaN成長初期過程の理論検討
寒川義裕，入澤寿美，熊谷義直，纐纈明伯
第64回応用物理学会学術講演会 2003年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：福岡大学 国名：日本国
-
「低温成長で拡がる半導体混晶の世界 −なぜ無理矢理原子が入るかー」 窒化物混晶における非混和性
纐纈 明伯, 松本 喜以子, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 入澤 寿美
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
GaAs(211)A-(001)-(2x4)β2 複合ファセット基板上での吸着Ga原子の振舞い
浅野 耕一, 寒川 義裕, 白石 賢二, 秋山 亭, 中村 浩次, 伊藤 智徳
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
第一原理計算および統計力学的手法によるIn系窒化物原料の熱力学データ
松尾 有里子, 菊地 潤, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
GaP(111)基板を用いたGaN成長の面方位依存性
松尾 有里子, 川口 暢彦, 藤野 真理恵, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 入澤 寿美, 纐纈 明伯
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
HVPE法によるAlN厚膜成長における成長温度の影響
山根 貴好, 鹿内 洋志, 村上 尚, 寒川 義裕, 熊谷 義直,纐纈 明伯
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
光励起MOVPEによる高In組成InGaN成長
寒川 義裕, 比田 剣之輔, 熊谷 義直, 纐纈 明伯,河口 紀仁
第51回応用物理学関係連合講演会 2004年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：東京工科大学 国名：日本国
-
分子動力学法によるGaN及び窒化物混晶の熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：埼玉大学 国名：日本国
-
GaNバッファー層を用いたGaN/Si(111)のMOVPE成長
松尾有里子、寒川義裕、岩本智行、野間かおり、熊谷義直、纐纈明伯
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：埼玉大学 国名：日本国
-
InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
寒川義裕、柿本浩一、伊藤智徳、纐纈明伯
電子情報通信学会 研究会 2005年5月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：三重大学 国名：日本国
-
Influence of lattice constraint from substrate on compositional instability of InAlGaN thin film
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
24th Electronic Materials Symposium 2005年7月
詳細を見る
開催地：メルパルク松山 国名：日本国
-
Analysis of thermal conductivity of nitride alloy by molecular dynamics
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
24th Electronic Materials Symposium 2005年7月
詳細を見る
開催地：メルパルク松山 国名：日本国
-
分子動力学法によるAlN/GaN 超格子の熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第35回日本結晶成長学会 2005年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：広島大学
-
分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaN の熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第35回日本結晶成長学会 2005年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：広島大学 国名：日本国
-
InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析
寒川義裕、柿本浩一
第35回日本結晶成長学会 2005年8月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：広島大学 国名：日本国
-
Thermodynamic stability of In1-x-yGaxAlyN on GaN and InN 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
6th International Conference on Nitride Semiconductor 2005年8月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：Bremen 国名：ドイツ連邦共和国
-
Investigation of thermal conductivity of nitride mixed crystal by molecular dynamics 国際会議
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
6th International Conference on Nitride Semiconductor 2005年8月
詳細を見る
会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）
開催地：Bremen 国名：ドイツ連邦共和国
-
AlN/GaN超格子の熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第66回応用物理学会学術講演会 2005年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：徳島大学 国名：日本国
-
格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
第66回応用物理学会学術講演会 2005年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：徳島大学 国名：日本国
-
モンテカルロ法によるInGaN組成不安定性の理論検討
寒川義裕、柿本浩一
第66回応用物理学会学術講演会 2005年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：徳島大学 国名：日本国
-
ナノ構造を有する窒化物半導体の熱伝導率解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
2006年春季第53回応用物理学会学術講演会 2006年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：武蔵工大 国名：日本国
-
GaN(001)成長初期過程の原子レベル解析
寒川義裕，秋山亨，伊藤智徳，白石賢二，柿本浩一
2006年春季第53回応用物理学会学術講演会 2006年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：武蔵工大 国名：日本国
-
Analysis of compositional instability of InGaN by Monte Carlo simulation 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 13 2006年5月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Miyazaki 国名：日本国
-
An investigation of thermal conductivity of nitride-semiconductor nanostructures by molecular dynamics 国際会議
Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa and Koichi Kakimoto
International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 13 2006年5月
詳細を見る
開催地：Miyazaki 国名：日本国
-
Influence of hydrogen coverage on Si(111) substrate on the growth of GaN buffer layer 国際会議
Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Rie Togashi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu
First International Symposium on Growth of III-Nitrides 2006年6月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Lincoping 国名：スウェーデン王国
-
Theoretical Approach on Initial Growth Kinetics of GaN on GaN(001) 国際会議
Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto
First International Symposium on Growth of III-Nitrides 2006年6月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Lincoping 国名：スウェーデン王国
-
分子動力学法による カーボンナノチューブの熱伝導率計算
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
2006年秋季67回応用物理学会学術講演会 2006年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：滋賀 国名：日本国
-
分子動力学法による GaN/AlN量子ドットの熱伝導率計算
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
2006年秋季67回応用物理学会学術講演会 2006年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：滋賀 国名：日本国
-
GaNバッファ層成長におけるSi(111)基板表面の水素被覆率の影響
松尾 有里子，寒川 義裕，富樫 理恵，柿本 浩一，纐纈 明伯
2006年秋季67回応用物理学会学術講演会 2006年9月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：滋賀 国名：日本国
-
InGaN 中に形成される微細組織の理論検討
寒川 義裕, 柿本 浩一, 伊藤 智徳, 纐纈 明伯
2006年秋季67回応用物理学会学術講演会 2006年9月
詳細を見る
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：滋賀 国名：日本国
-
Ab initio based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN(001) 国際会議
Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto
MBE2006 2006年9月
詳細を見る
開催地：Tokyo 国名：日本国
-
分子動力学法による 機能性材料の熱伝導率解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
第27回熱物性シンポジウム 2006年10月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：京都 国名：日本国
-
Numerical study of relationship between growth condition and atomic arrangement of InGaN 国際会議
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 2006年10月
詳細を見る
記述言語：英語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of GaN/AlN quantum dot superlattices 国際会議
Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa and Koichi Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 2006年10月
詳細を見る
開催地：Kyoto 国名：日本国
-
単層及び多層カーボンナノチューブの 熱伝導率解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
第36回結晶成長国内会議NCCG-36 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
第36回結晶成長国内会議NCCG-36 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
LPE成長法によるGaN単結晶成長過程の数値流動解析
柏木 大輔，劉 立軍2，寒川 義裕，柿本 浩一
2006年応用物理学会九州支部学術講演会 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学 国名：日本国
-
一方向凝固多結晶シリコンの ラマン散乱による応力解析
松尾整、河村貴宏 、寒川義裕 、柿本浩一、新船幸二、大下祥雄、山口真史
第36回結晶成長国内会議NCCG-36 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討
寒川 義裕, 松尾有里子, 秋山 亨, 伊藤 智徳, 白石 賢二, 柿本 浩一
第36回結晶成長国内会議NCCG-36 2006年11月
詳細を見る
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大阪大学 国名：日本国
-
分子動力学法を用いたSiCの熱伝導率解析
堀 大輔, 河村 貴宏, 寒川 義裕, 柿本 浩一
2006年応用物理学会九州支部学術講演会 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学 国名：日本国
-
Si/Ge/Si(001)界面形状と熱物性の関係
勝谷 匡博，脇川 達人，寒川 義裕，福山 敦彦，明石 義人，碇 哲雄，柿本 浩一
2006年応用物理学会九州支部学術講演会 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：大分大学 国名：日本国
-
一方向性凝固三次元シミュレータの開発 招待
劉 立軍， 中野 智，宮澤 宏章，寒川 義裕， 柿本 浩一
結晶加工と評価技術第145 委員会 第108 回研究会 2006年11月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：九州大学 国名：日本国
-
分子動力学法によるC60ピーポッドの 熱伝導率解析
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院 国名：日本国
-
GaN 溶液成長における 熱対流と窒素輸送の数値流動解析
柏木大輔, 下條 亮平, 寒川 義裕, 劉 立軍, 川村 史朗, 森 勇介, 佐々木 孝友, 柿本 浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院 国名：日本国
-
一方向凝固多結晶シリコンの ラマン散乱による応力解析
松尾 整, 河村 貴宏, R. Bairava Ganesh,寒川 義裕, 新船 幸二, 大下 祥雄, 山口 真史, 柿本 浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院大学 国名：日本国
-
Li3Nを用いた常圧AlN溶液成長の可能性
寒川 義裕, 柿本 浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
記述言語：日本語 会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院 国名：日本国
-
分子動力学法を用いたSiCの熱伝導率解析
堀大輔, 河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一
2007年春季第54回応用物理学会学術講演会 2007年3月
詳細を見る
会議種別：口頭発表（一般）
開催地：青山学院 国名：日本国
MISC
MISC
-
AIによる材料製造条件の探索『プロセス・インフォマティクス』技術の進展 査読
寒川義裕
応用物理, 92, 599 2023年10月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
材料開発の分野では，ノウハウ（経験と勘）による“ものづくり”からの脱却，人工知能（AI）を活用した“ものづくり”への移行が進められている．ここで核心となるのは，現実空間の製造プロセスを仮想空間に再現するデジタルツイン技術，いわゆるシミュレーション技術の開発である．本稿では，ナノテクノロジー推進の根幹である化学気相成長を例に，そのシミュレーション技術の最近の進展について解説する．また，AIによる製造条件探索『プロセス・インフォマティクス』への展開について述べる．
-
材料開発におけるプロセス・インフォマティクスの最新事情 査読
寒川義裕
学士會会報 2021年9月
詳細を見る
記述言語：日本語
材料開発におけるプロセス・インフォマティクス学術分野の開拓を推し進めている。本報告では国内外の研究トレンドから最新の研究事例までを俯瞰的に紹介している。
-
立方晶GaNの成長過程と構造安定性
寒川義裕、秋山 亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2008年10月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
寒川義裕、柿本浩一、伊藤智徳、纐纈明伯
応用物理学会誌 2007年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
c-GaN分子線エピタキシーにおける成長初期過程の理論解析
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一
クリスタルレターズ 2007年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2003年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
GaAsエピタキシャル成長における吸着－脱離現象への理論的アプローチ
寒川 義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 平岡佳子, 入澤寿美, 大鉢 忠
日本結晶成長学会誌 2002年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展 査読
寒川義裕、草場彰
Vacuum and Surface Science, 66(4), 227-232 2023年4月
詳細を見る
-
GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状 査読
草場彰、寒川義裕、久保山哲二、新田州吾、白石賢二、押山淳
日本結晶成長学会誌、50-1-05 2023年4月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響 査読
河村貴宏、秋山亨、宇佐美茂佳、今西正幸、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕
日本結晶成長学会誌、50-1-02 2023年4月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
結晶成長とプロセスインフォマティクス 〜理論解析から計算予測へ〜 査読
寒川義裕
日本結晶成長学会誌 2022年4月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations 査読
Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski,
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 2020年10月
詳細を見る
-
III族窒化物成長における表面・界面の構造および極性の理論解析
秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、#草場彰、@寒川義裕
日本結晶成長学会誌、45(1)、45-1-03-1-8、2018 2018年4月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
窒化物半導体MOVPEの熱力学解析 ～面方位依存性～
寒川 義裕, 草場 彰, 白石 賢二, 柿本 浩一, 纐纈 明伯
日本結晶成長学会誌 2017年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
AlN 溶液成長における固-液界面その場観察装置の開発
寒川 義裕, 三宅 秀人, Michal Bockowski, 柿本 浩一
日本結晶成長学会誌 2015年10月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
Theoretical study on structural stability of InN grown by pressurized-reactor MOVPE
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 33rd Electronic Materials Symposium (EMS30) 2014年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Theoretical investigation of the influence of growth orientation on indium incorporation efficiency during InGaN growth by MOVPE
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 31st Electronic Materials Symposium (EMS30) 2012年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究
寒川義裕、B. M. Epelbaum、桑野範之、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2012年1月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
半導体バルク結晶成長における熱と物質の輸送と成長速度の関係
柿本浩一、Gao Bing、中野 智、寒川義裕
日本結晶成長学会誌 2011年10月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論検討
川野 潤、寒川義裕、屋山 巴、伊藤智徳、柿本浩一、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2011年10月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
Theoretical approach to anisotropic growth process of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces tilting toward [1100]
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto,
Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343) 2011年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Phase diagram of Li3N-Al pseudobinary system for AlN growth
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343) 2010年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Tight-binding approach to initial stage of graphitization on SiC surface
M. Inoue, Y. Kangawa, K. Wakabayash, K. Kakimoto, "
Extended abstracts of the 29th Electronic Materials Symposium (EMS29) (ISSN 1343-0343) 2010年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Control of indium composition in coherently grown InGaN thin films
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
Extended abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) (ISSN 1343-0343) 2009年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Microstructures in AlN/sapphire grown by vapor phase epitaxy using Al and Li3N
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) (ISSN 1343-0343), 2009, H8, 187. 2009年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Theoretical study of growth condition of cubic GaN
Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 27th Electronic Materials Symposium (EMS27) (ISSN 1343-0343) 2008年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Solution growth of AlN using Al and Li3N under an atmospheric pressure
T. Wakigawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium (EMS26) (ISSN 1343-0343) 2007年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算による立方晶GaN 気相成長の成長初期過程解析
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一
九州大学 応用力学研究所 所報 2007年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析
松尾整、河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一、新船幸二、大下祥雄、山口真史
日本結晶成長学会誌 2006年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討
寒川義裕、松尾有里子、秋山亨、伊藤智徳、白石賢二、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2006年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2006年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
単層及び多層カーボンナノチューブの熱伝導率解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2006年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Influence of lattice constraint from substrate on compositional instability of InAlGaN thin film
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343) 2005年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
MOVPE growth of GaN buffer layer directly on Si substrate
A. Koukitu, K. Takemoto, Y. Matsuo, T. Iwamoto, Y. Kangawa, Y. Kumagai
Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343) 2005年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Analysis of thermal conductivity of nitride alloy by molecular dynamics
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto
Extended abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) (ISSN 1343-0343) 2005年7月
詳細を見る
記述言語：英語
-
化合物半導体気相成長の熱力学
纐纈明伯、寒川義裕、熊谷義直、関 壽
応用物理学会誌 2005年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析
寒川義裕、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2005年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2005年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
分子動力学法によるAlN/GaN超格子の熱伝導解析
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一
日本結晶成長学会誌 2005年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
IV族混晶半導体の熱力学的安定性
伊藤智徳、寒川義裕
日本結晶成長学会誌 2004年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性
寒川義裕、河口紀仁、岡田安史、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
表面反応場制御による窒化物半導体薄膜の高品質化 −表面極性依存性−学、2003、p61
纐纈明伯、寒川義裕、松尾有里子、熊谷義直
科研費基盤(C)企画・調査「電子プローブによる光・電子デバイス材料および実装素子のナノ組織解析技術の進展」、桑野範之(Ed.)、九州大 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Thermodynamic analyses of the MOVPE growth of indium containing nitrides using various nitrogen sources
J. Kikuchi, Y. Matsuo, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343), 2004, E15. 2004年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
High Fe doping during thick GaN layer growth on sapphire (0001)
H. Murakami, M. Harada, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, “
Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343) 2004年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Hydride vapor phase epitaxy of thick AlN layer on sapphire (0001) substrate
T. Yamane, H. Shikauchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
Extended abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23) (ISSN 1343-0343) 2004年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察
岩本智行、野間かおり、松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
II-IV-V2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討
寒川義裕、石橋隆幸、熊谷義直、纐纈明伯、佐藤勝昭
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
GaN/GaP ヘテロ成長と基板面方位
藤野真理恵、富樫理恵、松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯、「
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ
松尾有里子、田中健、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯、「
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析
菊地潤、松尾有里子、寒川義裕、田中健、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2004年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
寒川義裕、伊藤智徳、白石賢二、大鉢 忠、纐纈明伯
表面科学 2003年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討
寒川義裕、入澤寿美、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2003年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Effect of periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers during thick GaN layer growth on GaAs(111)A
N. Kawaguchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, “
Extended abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium (EMS22) (ISSN 1343-0343) 2003年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Growth of InAs1-xSbx layers on InAs(001) substrates using halide vapor phase epitaxy
K. Eriguchi, K. Takemoto, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu
Extended abstracts of the 22nd Electronic Materials Symposium (EMS22) (ISSN 1343-0343) 2003年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
第一原理計算による常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移
松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2003年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?
纐纈明伯、菊地潤、寒川義裕、熊谷義直
日本結晶成長学会誌 2003年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Theoretical approach to control of thickness and composition of III-V semiconductor thin films
Y. Kangawa, T. Ito, K. Shiraishi, A. Taguchi, A. Koukitu and T. Ohachi, “
Proc. of the Sixth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo 2002年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Temperature ramping rate dependence of thick GaN growth on GaN buffer/GaAs (111)A substrate
Y. Kumagai, H. Murakami, Y. Kangawa, H. Seki and A. Koukitu
Extended abstracts of the 21st Electronic Materials Symposium (EMS21) (ISSN 1343-0343) 2002年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Empirical potential-based approach to relative stability among tetrahedral clusters in bulk InGaN and InGaN/GaN
Y. Kangawa, T. Ito, K. Nakamura, Y. Kumagai and A. Koukitu
Extended abstracts of the 21st Electronic Materials Symposium (EMS21) (ISSN 1343-0343) 2002年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション
森篤史、B. B. Laird、寒川義裕、伊藤智徳、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2002年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相−固相関係
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2002年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
常圧H2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2x4)再構成面の形成機構
松尾有里子、寒川義裕、熊谷義直、入澤寿美、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2002年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Monte Carlo simulation study of alloy phase diagrams of InGaN thin film on GaN and InN
A. Mori, B. B. Laird, Y. Kangawa, T. Ito and A. Koukitu
Proc. of the Sixth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo 2002年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Empirical potential approach to thermodynamic stability of thin nitride films
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu, “
Bulletin of the Stefan University 2001年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Semigrand canonical Monte Carlo simulation toward the construction of InGaN alloy phase diagram
N. Kasae, A. Mori, T. Toyama, T. Ito and Y. Kangawa
Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo, 2001, p425 2001年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Empirical interatomic potential calculation for compositional instability of InGaN thin films grown on GaN and InN
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu
Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo 2001年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Empirical potential-based approach for understanding epitaxial growth of semiconductors
T. Ito, Y. Kangawa, K. Shiraishi and A. Taguchi
Proc. Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Tokyo 2001年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Relative stability of Ga on the high index GaAs surfaces
Y. Kangawa, S. Sakaguchi and T. Ito
Proc. The Fifth International Seminar on Microstructures and Mechanical Properties of New Engineering Materials, Mie 2001年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用
伊藤智徳、寒川義裕
日本結晶成長学会誌 2000年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
InGaN非混和性に対する基板拘束の寄与
寒川義裕、伊藤智徳、森篤史、纐纈明伯
日本結晶成長学会誌 2000年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混晶中に出現するCuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析
寒川義裕、桑野範之、沖憲典、伊藤智徳
日本金属学会誌 1999年2月
詳細を見る
記述言語：日本語 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
-
原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析
寒川義裕、桑野範之、沖憲典
日本結晶成長学会誌 1999年1月
詳細を見る
記述言語：日本語
-
Theoretical investigation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP using empirical interatomic potential
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki
Extended abstracts of the 18th Electronic Materials Symposium (EMS18) (ISSN 1343-0343) 1999年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
TEM observation of microstructures in InAlAs/(110)InP
C. Kojima, Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki
New Direction in Transmission Electron Microscopy and Nono-characterization of Materials, C. Kinoshita, Y. Tomokiyo, S. Matsumura (Eds.), the Research Laboratory for High Voltage Electron Microscopy, Kyushu University, Japan 1997年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
TEM observation for the ordering mechanism of an InGaAs alloy grown on a (110)InP substrate
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki
Proc. Second Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Kobe 1997年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Ising model approach for the L10-ordering in III-V semiconductor alloys of (A, B)C
N. Kuwano, Y. Kangawa, M. Ishimaru and K. Oki
Proc. First Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Tokyo 1996年1月
詳細を見る
記述言語：英語
-
Monte Carlo analysis of microstructures in ordered III-V semiconductor alloys: Attempt of simulation for the triple period (TP-A) structure
Y. Kangawa, N. Kuwano and K. Oki
Proc. MRS-J Symposium R; Novel Semiconducting Materials, Makuhari Messe, H. Oyanagi (Ed.), MRS-Japan 1996年1月
詳細を見る
記述言語：英語
産業財産権
産業財産権
| 特許権 | 出願件数: 2件 | 登録件数: 0件 |
| 実用新案権 | 出願件数: 0件 | 登録件数: 0件 |
| 意匠権 | 出願件数: 0件 | 登録件数: 0件 |
| 商標権 | 出願件数: 0件 | 登録件数: 0件 |
所属学協会
所属学協会
-
(一社)ワイドギャップ半導体学会
2021年5月 - 現在
詳細を見る
-
産学協力委員会「R032産業イノベーションのための結晶成長委員会」
2021年4月 - 現在
詳細を見る
-
応用物理学会 先進パワー半導体分科会
2018年7月 - 現在
詳細を見る
-
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピ成長分科会
2008年4月 - 現在
詳細を見る
-
日本結晶成長学会
2000年4月 - 現在
詳細を見る
-
応用物理学会
1996年4月 - 現在
詳細を見る
-
応用物理学会
-
日本結晶成長学会 バルク分科会
-
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピ成長分科会
-
日本結晶成長学会
-
応用物理学会 先進パワー半導体分科会
委員歴
委員歴
-
International Organization for Crystal Growth (IOCG) 理事 国際
2023年1月 - 2025年8月
-
日本結晶成長学会 副会長
2022年4月 - 2025年3月
詳細を見る
団体区分：学協会
-
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 総務委員
2021年4月 - 2023年3月
詳細を見る
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事 国内
2022年4月 - 2024年3月
-
日本結晶成長学会 副会長 国内
2022年4月 - 2024年3月
-
新エネルギー・産業技術総合開発機構 NEDO技術委員 国内
2022年1月
-
応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事 国内
2021年4月 - 2023年3月
-
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 総務委員 国内
2021年4月 - 2023年3月
-
日本結晶成長学会 理事 国内
2019年4月 - 2022年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事長 国内
2019年4月 - 2022年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事長
2019年4月 - 2022年3月
詳細を見る
-
日本結晶成長学会 理事
2019年4月 - 2022年3月
詳細を見る
-
応用物理学会先進パワー半導体分科会 幹事 国内
2019年4月 - 2021年3月
-
日本結晶成長学会 理事 国内
2016年4月 - 2019年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事 国内
2016年4月 - 2019年3月
-
(公)名古屋産業科学研究所 非常勤所員 国内
2016年4月 - 2018年3月
-
ナイトライド基金運営委員会 委員 国内
2015年3月 - 2017年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事 国内
2013年4月 - 2016年3月
-
日本結晶成長学会 理事 国内
2013年4月 - 2016年3月
-
ナイトライド基金運営委員会 委員 国内
2012年11月 - 2015年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事 国内
2010年4月 - 2013年3月
-
日本結晶成長学会 理事 国内
2010年4月 - 2013年3月
-
日本結晶成長学会 ホームページ委員会 国内
2010年4月 - 2013年3月
-
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 幹事 国内
2008年7月 - 2010年3月
-
日本航空宇宙学会西部支部 幹事 国内
2006年4月 - 2008年3月
学術貢献活動
学術貢献活動
-
Vice-chair of Organizing Committee, International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026) 国際学術貢献
役割：企画立案・運営等
日本結晶成長学会 （ 熊本 ） 2026年11月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
参加者数：1,200
-
Chair of Local arrangement committee / Vice-chair of Steering committee, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 国際学術貢献
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) （ Fukuoka Japan ） 2023年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：1,300
-
Member of Program Committee, 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) 国際学術貢献
役割：企画立案・運営等
15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) （ Malmö ） 2025年7月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
参加者数：800
-
Member of Program Committee, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024)
役割：企画立案・運営等
（ Hawaii ） 2024年11月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
参加者数：800
-
副論文委員長
第42回電子材料シンポジウム （ 橿原 ） 2023年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
編集委員 国際学術貢献
Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月 - 2024年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
実行委員長
第９回講演会（応用物理学会先進パワー半導体分科会） （ 福岡国際会議場 ） 2022年12月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：550
-
現地実行委員長
第９回講演会（応用物理学会先進パワー半導体分科会） （ 福岡国際会議場 Japan ） 2022年12月
詳細を見る
-
副論文委員長
第41回電子材料シンポジウム （ 橿原 ） 2022年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
副論文委員長
第41回電子材料シンポジウム （ 橿原 Japan ） 2022年10月
詳細を見る
-
Program Committee, Member 国際学術貢献
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022) （ Berlin Germany ） 2022年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：1,200
-
編集委員 国際学術貢献
Japanese Journal of Applied Physics 2022年4月 - 2023年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
論文副委員長 国際学術貢献
ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 （ Nagoya Japan ） 2022年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 国際学術貢献
（ Nagoya Japan ） 2022年3月
詳細を見る
-
実行委員長 国際学術貢献
IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022 （ 名古屋/オンライン（ハイブリッド） ） 2022年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：110
-
IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022 国際学術貢献
（ 名古屋/オンライン（ハイブリッド） Japan ） 2022年1月
詳細を見る
-
論文委員
第40回電子材料シンポジウム （ online Japan ） 2021年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
産学協力委員会「R032産業イノベーションのための結晶成長委員会」運営委員
日本学術振興会 2021年4月 - 2026年3月
詳細を見る
-
Jpn. J. Appl. Phys. 国際学術貢献
2021年4月 - 2022年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
論文委員 国際学術貢献
ISPlasma2021/IC-PLANTS2021 （ online Japan ） 2021年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
Local Arrangement Committee, Co-chair 国際学術貢献
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) （ online Japan ） 2021年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
Steering Committee, Chair 国際学術貢献
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) （ online Japan ） 2021年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：96
-
学術論文等の審査
役割：査読
2021年
詳細を見る
種別：査読等
外国語雑誌 査読論文数：1
-
論文委員
第39回電子材料シンポジウム （ online Japan ） 2020年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
Jpn. J. Appl. Phys. 国際学術貢献
2020年4月 - 2021年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
論文委員
第38回電子材料シンポジウム （ Nara Japan ） 2019年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
日本学術振興会第162委員会・幹事
日本学術振興会 2019年10月
詳細を見る
-
Session chair 国際学術貢献
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) （ Bellevue, Washington UnitedStatesofAmerica ） 2019年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：1,200
-
幹事長
第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 （ 広島 ） 2019年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：124
-
Steering committee, vice chair 国際学術貢献
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19) （ Yokohama Japan ） 2019年4月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
Jpn. J. Appl. Phys. 国際学術貢献
2019年4月 - 2020年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
Program Committee/Publication committee, member 国際学術貢献
ISPlasma2019 / IC-PLANTS2019 （ Nagoya Japan ） 2019年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
学術論文等の審査
役割：査読
2019年
詳細を見る
種別：査読等
外国語雑誌 査読論文数：2
-
Steering Committee, Member 国際学術貢献
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018) （ Kanazawa Japan ） 2018年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
Session chair 国際学術貢献
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018) （ Kanazawa Japan ） 2018年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
座長
第47回結晶成長国内会議 （ 仙台 ） 2018年10月 - 2018年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
座長
第37回電子材料シンポジウム （ 滋賀長浜 ） 2018年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
論文委員
第37回電子材料シンポジウム （ 滋賀長浜 ） 2018年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
Steering Committee, Member 国際学術貢献
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX) （ Nara Japan ） 2018年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：500
-
Session chair 国際学術貢献
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX) （ Nara Japan ） 2018年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：500
-
Jpn. J. Appl. Phys. 国際学術貢献
2018年4月 - 2019年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
Program Committee, member 国際学術貢献
ISPlasma2018 / IC-PLANTS2018 （ Nagoya Japan ） 2018年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
学術論文等の審査
役割：査読
2018年
詳細を見る
種別：査読等
外国語雑誌 査読論文数：1
-
Local Arrangement Committee, Chair 国際学術貢献
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017) （ Fukuoka Japan ） 2017年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
論文委員
第36回電子材料シンポジウム （ 滋賀長浜 ） 2017年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
Organizing Committee, Member 国際学術貢献
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) （ Nagoya Japan ） 2017年9月 - 2017年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長
第78回応用物理学会秋季学術講演会 （ 福岡 ） 2017年9月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：6,000
-
Jpn. J. Appl. Phys. 国際学術貢献
2017年4月 - 2018年3月
詳細を見る
種別：学会・研究会等
-
座長（Chairmanship）
第64回応用物理学会春季学術講演会 （ 横浜 ） 2017年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：6,000
-
Program Committee, member 国際学術貢献
ISPlasma2017 / IC-PLANTS2017 （ Nagoya Japan ） 2017年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
学術論文等の審査
役割：査読
2017年
詳細を見る
種別：査読等
外国語雑誌 査読論文数：4
-
Topic committee, member 国際学術貢献
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016) （ Orlando, Florida UnitedStatesofAmerica ） 2016年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
座長 国際学術貢献
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 （ Orland UnitedStatesofAmerica ） 2016年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
座長（Chairmanship）
第77回応用物理学会秋季学術講演会 （ 朱鷺メッセ（新潟市） ） 2016年9月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：6,000
-
Steering committee, member 国際学術貢献
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) （ Nagoya Japan ） 2016年8月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：1,200
-
論文委員
第35回電子材料シンポジウム （ 滋賀守山 ） 2016年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長（Chairmanship）
第８回窒化物半導体結晶成長講演会 （ 京都大学 ） 2016年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
Program Committee, member 国際学術貢献
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nono-materials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) （ Nagoya University Japan ） 2016年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
Steering committee, member 国際学術貢献
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides （ Hamamatsu Japan ） 2015年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：450
-
Program Committee, member 国際学術貢献
9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-9) （ Wonju Korea ） 2015年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：70
-
座長（Chairmanship）
NCCG-45 （第45回結晶成長国内会議） （ 北海道大学 ） 2015年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
NCCG-44（第44回結晶成長国内会議） （ 学習院大学 ） 2014年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
Organizing committee, member 国際学術貢献
5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5) （ Jeju Korea ） 2014年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：300
-
座長（Chairmanship）
第61回応用物理学会春季学術講演会 （ 青山学院大学 ） 2014年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
プログラム委員 国際学術貢献
ISPlasma 2014 （ Meijo University, Nagoya Japan ） 2014年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：500
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
ISPlasma 2014 / ICPLANTS 2014 (6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science) （ Meijo Univ., Nagoya Japan ） 2014年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
NCCG-43 (第43回 結晶成長国内会議) （ 長野 ） 2013年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
Local Organizing Committee, Co-chair 国際学術貢献
CSSC-7 (7th International Worcshop on Crystalline Silicon Solar Cells) （ C-CUBE, Kyushu Univ. Japan ） 2013年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
論文委員
EMS-33, 34 （ ラフォーレ修善寺／琵琶湖 ） 2013年10月 - 2015年8月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
実行委員 国際学術貢献
ICSCRM2013 （ Miyazaki Japan ） 2013年9月 - 2013年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：700
-
世話人
日本結晶成長学会ナノエピ分科会SiC結晶成長講演会 （ 大阪大学 ） 2013年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：140
-
座長（Chairmanship）
日本結晶成長学会ナノエピ分科会SiC結晶成長講演会 （ 大阪大学 ） 2013年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
Program committee, Member 国際学術貢献
ISCS 2013 （ Kobe Japan ） 2013年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：700
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
ISCS 2013 (The 40th International Symposium on Compound Semiconductor) （ Kobe Convention Centor Japan ） 2013年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
日本学術振興会第161委員会・運営委員
日本学術振興会 2013年4月
詳細を見る
-
座長（Chairmanship）
第60回応用物理学会春季学術講演会 （ 神奈川工業大学 ） 2013年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
プログラム委員 国際学術貢献
ISPlasma 2013 （ Nagoya Japan ） 2013年1月 - 2013年2月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：500
-
実行委員、プログラム委員
第42回 結晶成長国内会議 （ 九州大学 筑紫キャンパス ） 2012年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：350
-
座長（Chairmanship）
第42回結晶成長国内会議 （ 九州大学 ） 2012年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員 国際学術貢献
IWN2012 （ Sapporo Japan ） 2012年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
現地実行委員
第36回 結晶成長討論会 （ 唐津 ） 2012年9月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：70
-
座長（Chairmanship）
2012年秋季応用物理学会学術講演会 （ 愛媛大学・松山大学 ） 2012年9月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員
EMS-32, 33 （ ラフォーレ琵琶湖／修善寺 ） 2012年9月 - 2014年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
論文委員
EMS-31, 32 （ ラフォーレ修善寺／琵琶湖 ） 2012年7月 - 2013年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：220
-
座長（Chairmanship）
結晶成長：実験と理論の最新の展開 (低温研ワークショップ) （ 北海道大学 ） 2012年2月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
第4回九大グラフェン研究会 （ 九州大学 伊都キャンパス ） 2012年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：50
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
結晶成長自由討論会（放談会） （ 九州大学 ） 2012年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
論文委員
EMS-30 （ ラフォーレ琵琶湖 ） 2011年6月 - 2011年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
実行委員
第3回窒化物半導体結晶成長講演会 （ 九州大学 筑紫ホール ） 2011年6月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
IWBNS-7 (7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors) （ Koyasan Japan ） 2011年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
第3回九大グラフェン研究会 （ 九州大学 筑紫キャンパス ） 2011年2月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：50
-
座長（Chairmanship）
日本航空宇宙学会西部支部講演会 （ 九州大学 伊都キャンパス ） 2010年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員 国際学術貢献
SHESC-3 （ Miyazaki Japan ） 2010年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：70
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
SHESC-3 （ Miyazaki Japan ） 2010年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
2010年秋季応用物理学会学術講演会 （ 長崎大学 ） 2010年9月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員
NCCG-40 （ 北京 ） 2010年8月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：53
-
論文委員
EMS-29 （ ラフォーレ修善寺 ） 2010年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長（Chairmanship）
第2回窒化物半導体結晶成長講演会 （ 三重大学 ） 2010年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会 （ 東海大学 ） 2010年3月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
第2回 炭素系ナノ構造に関する基礎研究 ～エピタキシャルグラフェンの形成と物性～ （ 九州大学 伊都キャンパス ） 2010年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：50
-
司会（Moderator）
第2回 炭素系ナノ構造に関する基礎研究 ～エピタキシャルグラフェンの形成と物性～ （ 九州大学伊都キャンパス ） 2010年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員 国際学術貢献
SHESC-2 （ 九州大学 西新プラザ ） 2009年12月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：50
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
SHESC-2 （ 九州大学西新プラザ ） 2009年12月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
SHESC-1 （ 豊田工業大学 ） 2009年2月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
低次元カーボン系材料の最新動向—C60，カーボンナノチューブ，グラフェン （ 九州大学筑紫キャンパス ） 2009年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：30
-
司会（Moderator）
低次元カーボン系材料の最新動向—C60，カーボンナノチューブ，グラフェン （ 九州大学筑紫キャンパス ） 2009年1月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
NCCG-38 （ 仙台 ） 2008年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
司会（Moderator）
窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 （ 九州大学筑紫キャンパス ） 2008年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
総務委員
EMS-27 （ ラフォーレ修善寺 ） 2008年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
実行委員 国際学術貢献
ISGN-2 （ Laforet Shuzenji Japan ） 2008年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：400
-
論文委員 国際学術貢献
CGCT-4 （ 東北大学 ） 2008年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：600
-
座長（Chairmanship） 国際学術貢献
CGCT-4 （ 東北大学 ） 2008年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
第２回 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 （ 九州大学 筑紫キャンパス ） 2008年4月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：30
-
実行委員 国際学術貢献
PVSEC-17 （ 福岡国際センター ） 2007年12月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：1,000
-
座長（Chairmanship）
NCCG-3７ （ 北海道大学 ） 2007年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
世話人
窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 （ 九州大学 筑紫キャンパス ） 2007年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：30
-
総務委員
EMS-26 （ ラフォーレ琵琶湖 ） 2007年7月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長（Chairmanship）
第２回 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究 （ 九州大学筑紫キャンパス ） 2007年4月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
プログラム委員
NCCG-36 （ 大阪大学 ） 2006年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：200
-
座長（Chairmanship）
NCCG-36 （ 大阪大学 ） 2006年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
H18年度応用物理学会九州支部学術講演会 （ 大分大学 ） 2006年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
座長（Chairmanship）
H18年度航空宇宙学会西部支部会 （ 九州大学 ） 2006年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
論文委員 国際学術貢献
IWN2006 （ 京都 ） 2006年10月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：800
-
出版委員 国際学術貢献
ICMOVPE-XIII （ 宮崎 ） 2006年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：300
-
座長（Chairmanship）
日本結晶成長学会バルク成長分科会 第67回研究会 （ 東京農工大学 ） 2005年11月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
-
実行委員
NCCG-34 （ 東京農工大学 ） 2004年8月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：250
-
Executive committee (member) 国際学術貢献
ICNS-5 （ Nara Japan ） 2003年5月
詳細を見る
種別：大会・シンポジウム等
参加者数：600
共同研究・競争的資金等の研究課題
共同研究・競争的資金等の研究課題
-
半導体化学気相成長の科学
研究課題/領域番号：24H00432 2024年 - 2027年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A)
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：科研費
-
Atomic-level control of AlGaN hetero-interfaces for deep-UV LED (AtLv-AlGaN)
2023年 - 2025年
EIG CONCERT-Japan:Design of Materials with Atomic Precision
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
研究課題/領域番号：22H01970 2022年 - 2024年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
文部科学省「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」
2020年4月 - 2023年3月
名古屋大学
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
2020年 - 2022年
文部科学省「富岳」成果創出加速プログラム
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
大口径GaN基板の高品質・低コスト化を可能にする結晶径拡大成長技術の開発
2018年 - 2019年
JST A-step
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
窒化物半導体成長プロセスの基板面方位依存性
2018年
東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
HORIZON 2020: Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Application (InRel-NPower) 国際共著
2017年1月 - 2020年11月
University of Padova (イタリア)
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
自己組織化による窒化アルミニウム結晶薄膜の創製
研究課題/領域番号：17K06795 2017年 - 2019年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：科研費
-
JST 日－EU戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)「革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用」 国際共著
2016年10月 - 2020年11月
三重大学
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」
2016年5月 - 2021年3月
名古屋大学（日本）
詳細を見る
担当区分：連携研究者
-
JST CREST「深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究」
2016年4月 - 2022年3月
名城大学
詳細を見る
担当区分：連携研究者
-
日本学術振興会 新学術領域研究（研究領域提案型）「特異構造の結晶科学～完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス～：計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計」
2016年4月 - 2021年3月
東京大学
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究
2016年 - 2021年
JST CREST
詳細を見る
担当区分：連携研究者 資金種別：受託研究
-
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
研究課題/領域番号：16H06418 2016年 - 2020年
日本学術振興会・文部科学省 科学研究費助成事業 新学術領域研究（研究領域提案型）
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用
2016年 - 2019年
戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム） ～III-V-N系半導体における欠陥構造・特性の理論解析～
2015年 - 2017年
産業技術研究助成事業 (経済産業省)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
International research collaboration on next generation thermo-electric and high frequency power devices developments 国際共著
2014年4月
Virginia Tech (USA)
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
固体窒素原料を用いた窒化アルミニウム溶液成長法の開発
2014年
日本学術振興会 二国間交流
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：共同研究
-
InN高圧MOVPEにおける異相混入の抑制に関する理論検討
2014年
東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定（継続）
2014年
物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
International research collaboration on bulk III-Nitride growth 国際共著
2013年9月
九州大学（日本）、UNIPRESS, PAS (Poland)
詳細を見る
担当区分：研究代表者
-
固体ソース溶液成長により作製したAlNバルク結晶の光学特性
2013年4月 - 2020年3月
九州大学、東北大学（日本）
詳細を見る
担当区分：研究代表者
-
窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム単結晶成長技術の開発
研究課題/領域番号：25420712 2013年 - 2015年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：科研費
-
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（集光型多接合） ～III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発（継続）～
2013年 - 2014年
産業技術研究助成事業 (経済産業省)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明（継続）
2013年
東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定
2013年
物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
Innovation on growth technology of III-Nitride semiconductors 国際共著
2012年9月
九州大学（日本）、Fraunhofer IISB (Germany)
詳細を見る
担当区分：研究代表者
-
量子計算科学によるInN加圧MOVPEにおける異相混入機構の解明
2012年4月 - 2020年3月
九州大学、東北大学（日本）
詳細を見る
担当区分：研究代表者
気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算により、InN加圧MOVPEにおける異相混入機構を解析している。
-
高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明
2012年
東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
グラフェンナノ構造の作製と構造－物性相関
2011年 - 2013年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
超高効率太陽電池開発の加速・強化
2009年
科学技術振興調整費 (文部科学省)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（集光型多接合）～III-V-N系半導体成長シミュレータの研究開発～
2008年10月 - 2015年3月
豊田工業大学（日本）
詳細を見る
担当区分：研究分担者
-
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（集光型多接合） ～III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発～
2008年 - 2012年
産業技術研究助成事業 (経済産業省)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
-
オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援
2008年 - 2011年
戦略的創造研究推進事業 (文部科学省)
詳細を見る
担当区分：研究代表者 資金種別：受託研究
-
表面構造制御法開発による準安定立法晶III族窒化物半導体の創製と物性制御
研究課題/領域番号：20360011 2008年 - 2010年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製
2007年 - 2009年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
第３元素の占有個所を特定する結晶ナノ構造解析と機能特性発現の解明
2005年 - 2007年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー
研究課題/領域番号：15360004 2003年 - 2005年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：科研費
-
アルミ（Al）系窒化物半導体の大型基板結晶成長装置の開発
2002年 - 2004年
産業技術研究助成事業 (経済産業省)
詳細を見る
担当区分：研究分担者 資金種別：受託研究
教育活動概要
教育活動概要
-
総合理工学府総合理工学専攻（I類：物質科学）および工学部融合基礎工学科において半導体の結晶成長に関する講義を担当している。また、新たな材料開発（プロセス・インフォマティクス）技術を修得した学生を社会に輩出できるよう、修士・博士学生の指導を行っている。
担当授業科目
担当授業科目
-
融合基礎工学概論II
2024年12月 - 2025年2月 冬学期
-
結晶成長工学 d
2024年12月 - 2025年2月 冬学期
-
総合理工学修士演習
2024年4月 - 2025年3月 通年
-
総合理工学修士実験
2024年4月 - 2025年3月 通年
-
融合基礎工学概論II
2023年12月 - 2024年2月 冬学期
-
総合理工学修士実験
2023年4月 - 2024年3月 通年
-
総合理工学特別講究第二
2023年4月 - 2024年3月 通年
-
総合理工学修士演習
2023年4月 - 2024年3月 通年
-
結晶成長工学 d
2022年12月 - 2023年2月 冬学期
-
総合理工学修士実験
2022年4月 - 2023年3月 通年
-
総合理工学修士演習
2022年4月 - 2023年3月 通年
-
プロセス機能特論第二 dei
2021年4月 - 2021年9月 前期
-
Analysis of Nanostructural Materials
2020年10月 - 2021年3月 後期
-
専門英語
2020年10月 - 2021年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2020年10月 - 2021年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2020年4月 - 2021年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2020年4月 - 2021年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2020年4月 - 2021年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2020年4月 - 2021年3月 通年
-
Analysis of Nano-structural Materials
2019年10月 - 2020年3月 後期
-
学術英語３・個別テーマ
2019年10月 - 2020年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2019年10月 - 2020年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
航空宇宙材料強度学講究
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習I
2019年4月 - 2020年3月 通年
-
Analysis of Nano-structural Materials
2018年10月 - 2019年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2018年10月 - 2019年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2018年4月 - 2019年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2018年4月 - 2019年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2018年4月 - 2019年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2018年4月 - 2019年3月 通年
-
Analysis of Nano-structural Materials
2017年10月 - 2018年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2017年10月 - 2018年3月 後期
-
学術英語3･個別ﾃｰﾏ
2017年10月 - 2018年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2017年10月 - 2018年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2017年4月 - 2018年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2017年4月 - 2018年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2017年4月 - 2018年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2017年4月 - 2018年3月 通年
-
Analysis of Nano-structural Materials
2016年10月 - 2017年3月 後期
-
学術英語3・科学英語個別テーマ
2016年10月 - 2017年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2016年4月 - 2017年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2016年4月 - 2017年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2016年4月 - 2017年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2016年4月 - 2017年3月 通年
-
学術英語3・科学英語個別テーマ
2015年10月 - 2016年3月 後期
-
Analysis of Nano-structural Materials
2015年10月 - 2016年3月 後期
-
航空宇宙構造動力学特論
2015年4月 - 2016年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2015年4月 - 2016年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2015年4月 - 2016年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習I
2015年4月 - 2016年3月 通年
-
ナノ構造解析学
2014年10月 - 2015年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2013年10月 - 2014年3月 後期
-
力学I
2013年10月 - 2014年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2013年4月 - 2014年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2013年4月 - 2014年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2013年4月 - 2014年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2013年4月 - 2014年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習I
2012年4月 - 2013年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2012年4月 - 2013年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2012年4月 - 2013年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2012年4月 - 2013年3月 通年
-
ナノ構造解析学
2011年10月 - 2012年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2011年4月 - 2012年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2011年4月 - 2012年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2011年4月 - 2012年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2011年4月 - 2012年3月 通年
-
ナノ構造解析学
2010年10月 - 2011年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2010年4月 - 2011年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2010年4月 - 2011年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2010年4月 - 2011年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2010年4月 - 2011年3月 通年
-
力学I
2010年4月 - 2010年9月 前期
-
力学I
2009年10月 - 2010年3月 後期
-
ナノ構造解析学
2009年10月 - 2010年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2009年4月 - 2010年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2009年4月 - 2010年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2009年4月 - 2010年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2009年4月 - 2010年3月 通年
-
ナノ構造解析学
2008年10月 - 2009年3月 後期
-
航空宇宙構造動力学特論
2008年4月 - 2009年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習I
2008年4月 - 2009年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2008年4月 - 2009年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2008年4月 - 2009年3月 通年
-
ナノ構造解析学
2007年10月 - 2008年3月 後期
-
航空宇宙構造力学演習I
2007年4月 - 2008年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2007年4月 - 2008年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学特論
2007年4月 - 2008年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2007年4月 - 2008年3月 通年
-
力学I
2007年4月 - 2007年9月 前期
-
ナノ構造解析学
2006年10月 - 2007年3月 後期
-
力学I
2006年10月 - 2007年3月 後期
-
航空宇宙構造動力学特論
2006年4月 - 2007年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習I
2006年4月 - 2007年3月 通年
-
航空宇宙構造力学演習II
2006年4月 - 2007年3月 通年
-
航空宇宙構造動力学実験
2006年4月 - 2007年3月 通年
FD参加状況
FD参加状況
-
2024年12月 役割：参加 名称：令和６年度ダイバーシティ推進トップセミナー
主催組織：全学
-
2024年10月 役割：司会 名称：応用力学研究所ハラスメント防止研修
主催組織：部局
-
2023年12月 役割：参加 名称：令和５年度ダイバーシティ推進トップセミナー
主催組織：全学
-
2023年12月 役割：参加 名称：応用力学研究所メンタルヘルスＦＤ
主催組織：部局
他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等
他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等
-
2021年 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：前期
-
2021年 福井大学 学術研究院工学系部門 機械・システム工学科 機械工学コース 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：後期
-
2016年 放送大学 福岡学習センター 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：第1学期
-
2016年 名古屋大学大学院 工学研究科 計算理工学専攻 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：前期
国際教育イベント等への参加状況等
国際教育イベント等への参加状況等
-
2022年6月
Pusan National University
Campus Asia EEST ASIA, 2022 Summer School
詳細を見る
開催国・都市名：Pusan / Online
参加者数：103
指導学生の受賞
指導学生の受賞
-
講演奨励賞
授与年月：2024年11月
受賞学生の区分：博士 受賞学生氏名：伊藤佑太（名古屋大学）
詳細を見る
GaN結晶中のMg拡散機構の解明：モンテカルロシミュレーションによる解析
-
学生ポスター賞
授与年月：2024年11月
受賞学生の区分：修士 受賞学生氏名：西澤宏隆
詳細を見る
微傾斜GaN(0001)におけるIn拡散ポテンシャル
その他教育活動及び特記事項
その他教育活動及び特記事項
-
2024年 その他特記事項 特別研究学生（研究指導委託）の受入：名古屋大学博士後期課程２年生（2024/5/1〜7/31）
詳細を見る
特別研究学生（研究指導委託）の受入：名古屋大学博士後期課程２年生（2024/5/1〜7/31）
-
2015年 その他特記事項 平成27年度 九州大学 学生表彰： 草場彰(M2)
詳細を見る
平成27年度 九州大学 学生表彰： 草場彰(M2)
-
2012年 その他特記事項 修士学生（末次弘茂）の受賞：Award for NIMS Internship Program 2012
詳細を見る
修士学生（末次弘茂）の受賞：Award for NIMS Internship Program 2012
-
2011年 その他特記事項 指導学生（井上仁人、博士課程）が、九州大学イノベーション人材養成センターのITP実践型プログラムに採用
詳細を見る
指導学生（井上仁人、博士課程）が、九州大学イノベーション人材養成センターのITP実践型プログラムに採用
-
2011年 その他特記事項 特任助教（川野潤）の受賞：日本結晶成長学会第９回奨励賞
詳細を見る
特任助教（川野潤）の受賞：日本結晶成長学会第９回奨励賞
-
2011年 その他特記事項 博士学生（屋山巴）の受賞：Award for NIMS Internship Program 2011
詳細を見る
博士学生（屋山巴）の受賞：Award for NIMS Internship Program 2011
-
2010年 その他特記事項 指導学生（井上仁人、修士課程）が九州大学ロバート・ファン／アントレプレナーシップ・センター（QREC）アカデミック・チャレンジ研究助成に採用
詳細を見る
指導学生（井上仁人、修士課程）が九州大学ロバート・ファン／アントレプレナーシップ・センター（QREC）アカデミック・チャレンジ研究助成に採用
大学全体における各種委員・役職等
大学全体における各種委員・役職等
-
2025年4月 - 2027年3月 統括技術部運営会議委員
-
2024年4月 - 2026年3月 産学官連携戦略会議委員
-
2024年4月 - 2026年3月 国際交流委員会委員
-
2024年4月 - 2026年3月 教育研究評議会委員
-
2022年4月 - 2024年3月 附属図書館商議委員
-
2018年4月 - 2020年3月 シンクロトロン光利用研究センター運営委員会
-
2017年4月 - 2019年3月 男女共同参画委員会
-
2016年4月 - 2018年3月 炭素資源国際教育研究センター委員会
-
2012年4月 - 2014年3月 超高圧電子顕微鏡室（HVEM）運営委員会
-
2010年4月 - 2012年3月 電子ジャーナル委員
-
2010年4月 - 2012年3月 総合研究博物館運営委員
その他部局等における各種委員・役職等
その他部局等における各種委員・役職等
-
2024年4月 - 2026年3月 応用力学研究所長
-
2025年4月 - 2026年3月 センター シンクロトロン光利用研究センター運営委員
-
2024年4月 - 2026年3月 センター 汎オミクス計測・計算科学センター運営委員会委員
-
2024年4月 - 2026年3月 地区 筑紫地区協議会委員
-
2024年4月 - 2026年3月 地区 安全衛生委員会委員
-
2023年4月 - 2025年3月 センター 再生可能流体エネルギー研究センター運営委員会
-
2023年4月 - 2024年3月 専攻 材料理工学メジャー副主任
-
2022年4月 - 2024年3月 研究所 副所長
-
2022年4月 - 2024年3月 地区 筑紫地区共通経費専門委員
-
2022年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学研究所技術室長
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学共同研究拠点所内共同利用・共同研究委員会
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 放射線安全委員会
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学共同研究拠点運営委員会
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学共同研究拠点共同利用・共同研究委員会
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学共同研究拠点共同利用・共同研究委員会専門部会（新エネルギー力学）
-
2021年4月 - 2024年3月 研究所 応用力学共同研究拠点所内運営会議
-
2021年4月 - 2023年3月 研究所 部門長（応用力学研究所新エネルギー力学部門）
-
2021年4月 - 2023年3月 センター 大気海洋環境研究センター運営委員会
-
2021年4月 - 2023年3月 センター 高温プラズマ理工学研究センター運営委員会
-
2021年4月 - 2023年3月 センター 自然エネルギー統合利用センター運営委員会
-
2020年4月 - 2021年3月 センター 自然エネルギー統合利用センター運営委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 部門長（応用力学研究所新エネルギー力学部門）
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 応用力学共同研究拠点所内共同利用・共同研究委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 応用力学共同研究拠点所内運営会議
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 応用力学共同研究拠点共同利用・共同研究委員会専門部会（新エネルギー力学）
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 応用力学共同研究拠点共同利用・共同研究委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 応用力学共同研究拠点運営委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 センター 高温プラズマ理工学研究センター運営委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 センター 大気海洋環境研究センター運営委員会
-
2019年4月 - 2021年3月 研究所 放射線安全委員会
-
2017年4月 - 2019年3月 研究所 放射線安全委員会
-
2016年4月 - 2019年3月 研究所 出版・広報委員
-
2016年4月 - 2017年3月 研究所 海洋大気プロジェクト研究推進委員会
-
2015年4月 - 2017年3月 研究所 放射線安全委員
-
2015年4月 - 2017年3月 研究所 公開研究発表会等実行委員会
-
2015年4月 - 2017年3月 研究所 計算機専門委員会
-
2015年4月 - 2017年3月 研究所 公開研究発表等実行委員会
-
2013年9月 - 2017年5月 センター エネルギー基盤技術国際教育研究センター運営委員
-
2013年4月 - 2014年3月 研究所 建物環境整備委員会／委員長
-
2013年4月 - 2014年3月 地区 筑紫地区環境整備専門委員会
-
2012年4月 - 2014年3月 研究所 出版・広報委員
-
2011年6月 - 2013年3月 地区 筑紫地区オープンキャンパス専門委員会
-
2011年4月 - 2015年3月 研究所 放射線安全委員
-
2011年4月 - 2015年3月 研究所 計算機専門委員
-
2011年4月 - 2014年3月 研究所 公開研究発表等実行委員会
-
2010年4月 - 2012年3月 研究所 出版・広報委員
-
2007年4月 - 2011年3月 研究所 放射線安全委員
-
2006年4月 - 2008年3月 研究所 広報委員
-
2005年4月 - 2011年3月 研究所 計算機専門委員
-
2005年4月 - 2007年3月 研究所 建物環境整備委員
社会貢献・国際連携活動概要
社会貢献・国際連携活動概要
-
半導体工学および結晶成長学に関する学術団体（国際、国内）の理事等、学術雑誌（国際誌、国内誌）の編集委員、国際会議・国内会議の論文委員・実行委員等を歴任している。また、ドイツ、ポーランド、アメリカなどの研究者らと共同研究を行い、いくつかの国際共同研究プロジェクトを実施している。（詳細については各項目を参照されたい。）
社会貢献活動
社会貢献活動
-
2017年紫外材料およびデバイスに関する国際ワークショップ（International Workshop on UV Materials and Devices 2017: IWUMD-2017）を2017年11月14日～18日の期間に九州大学医学部百年講堂に於いて開催した。本国際ワークショップの現地実行委員長を務めた。ワークショップの開催に先立ち、小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」を開催した。アウトリーチ活動の様子がケーブルテレビ（J:COM）ニュースで放映された。
科研費 新学術「特異構造の結晶科学」／応用力学研究所ほか 九州大学医学部百年講堂 2017年11月
詳細を見る
対象：社会人・一般, 学術団体, 企業, 市民団体, 行政機関
種別：講演会
青・白色LEDの発明で2014年ノーベル物理学賞を受賞された天野浩・教授（名古屋大学）および科研費「新学術領域～特異構造の結晶科学～」の領域代表である藤岡洋・教授（東京大学）が組織委員長を、寒川義裕・教授（九州大学）が現地実行委員長を務める『紫外光材料及び素子に関する国際会議』が2017年（平成29年）11月14日(火)から18日(土)の期間に九州大学 医学部 百年講堂に於いて開催されます。また、会議に先立ち小・中学生向けの理科教室「ひかりのかがく（講師：荒木努・教授、立命館大学）」を開催する予定です。
-
2017年紫外材料およびデバイスに関する国際ワークショップ（International Workshop on UV Materials and Devices 2017: IWUMD-2017）を2017年11月14日～18日の期間に九州大学医学部百年講堂に於いて開催した。本国際ワークショップの現地実行委員長を務めた。ワークショップの開催に先立ち、小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」を開催した。アウトリーチ活動の様子がケーブルテレビ（J:COM）ニュースで放映された。
科研費 新学術「特異構造の結晶科学」／応用力学研究所ほか 九州大学医学部百年講堂 2017年11月
詳細を見る
種別：出前授業
青・白色LEDの発明で2014年ノーベル物理学賞を受賞された天野浩・教授（名古屋大学）および科研費「新学術領域～特異構造の結晶科学～」の領域代表である藤岡洋・教授（東京大学）が組織委員長を、寒川義裕・教授（九州大学）が現地実行委員長を務める『紫外光材料及び素子に関する国際会議』が2017年（平成29年）11月14日(火)から18日(土)の期間に九州大学 医学部 百年講堂に於いて開催されます。また、会議に先立ち小・中学生向けの理科教室「ひかりのかがく（講師：荒木努・教授、立命館大学）」を開催する予定です。
-
2017年紫外材料およびデバイスに関する国際ワークショップ（International Workshop on UV Materials and Devices 2017: IWUMD-2017）を2017年11月14日～18日の期間に九州大学医学部百年講堂に於いて開催した。本国際ワークショップの現地実行委員長を務めた。ワークショップの開催に先立ち、小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」を開催した。アウトリーチ活動の様子がケーブルテレビ（J:COM）ニュースで放映された。
2017年
詳細を見る
2017年紫外材料およびデバイスに関する国際ワークショップ（International Workshop on UV Materials and Devices 2017: IWUMD-2017）を2017年11月14日～18日の期間に九州大学医学部百年講堂に於いて開催した。本国際ワークショップの現地実行委員長を務めた。ワークショップの開催に先立ち、小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」を開催した。アウトリーチ活動の様子がケーブルテレビ（J:COM）ニュースで放映された。
メディア報道
メディア報道
-
[制作協力]TV30分特番 テレビ・ラジオ番組
RKB毎日放送 今からの日本はパワー半導体で勝つ！ 2023年12月
詳細を見る
-
2023年12月28日（木）9:55am〜10:25am、制作協力した特別番組『 池尻和佳子のトコワカＳＰ「今からの日本はパワー半導体で勝つ」』がRKBにて放送されました。 テレビ・ラジオ番組
RKB 毎日放送特別番組『 池尻和佳子のトコワカＳＰ』 2023年12月
詳細を見る
2023年12月28日（木）9:55am〜10:25am、制作協力した特別番組『 池尻和佳子のトコワカＳＰ「今からの日本はパワー半導体で勝つ」』がRKBにて放送されました。
-
現地実行委員長を務めた国際会議「窒化物半導体国際会議（ICNS-14＠ヒルトン福岡シーホーク）」の様子が2023年11月13日の『 タダイマ！ 』にて報道されました。 テレビ・ラジオ番組
RKB 毎日放送『 タダイマ！ 』 2023年11月
詳細を見る
現地実行委員長を務めた国際会議「窒化物半導体国際会議（ICNS-14＠ヒルトン福岡シーホーク）」の様子が2023年11月13日の『 タダイマ！ 』にて報道されました。
-
J:COMデイリーニュースにてアウトリーチ活動（小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」）の様子が放映される。 2017年11月15日(水)、[生放送]17:00～17:24、[再放送]20:00～，22:00～，23:00 ～、 2017年11月16日(木)、[再放送]7:00 ～ テレビ・ラジオ番組
J:COM 2017年11月
詳細を見る
J:COMデイリーニュースにてアウトリーチ活動（小中学生向け理科教室「ひかりのかがく」）の様子が放映される。
2017年11月15日(水)、[生放送]17:00～17:24、[再放送]20:00～，22:00～，23:00 ～、
2017年11月16日(木)、[再放送]7:00 ～ -
SEST (Conprehensive Semiconductor Science and Technology)出版に関する記事が掲載された。 新聞・雑誌
日経新聞（朝刊） 2011年2月
詳細を見る
SEST (Conprehensive Semiconductor Science and Technology)出版に関する記事が掲載された。
-
NEDOプロジェクト「Solar Quest」特別寄稿、チームＩ 集光型多接合太陽電池の記事内において我々の研究成果が報告された 新聞・雑誌
電波新聞 2010年10月
詳細を見る
NEDOプロジェクト「Solar Quest」特別寄稿、チームＩ 集光型多接合太陽電池の記事内において我々の研究成果が報告された
政策形成、学術振興等への寄与活動
政策形成、学術振興等への寄与活動
-
2021年4月 - 2026年3月 日本学術振興会
産学協力委員会「R032産業イノベーションのための結晶成長委員会」運営委員
-
2019年10月 - 2021年3月 日本学術振興会
日本学術振興会第162委員会・幹事
-
2018年12月 - 2019年7月 JST
JST-CRDS有識者会議への参加・発表と戦略プロポーザル作成への寄与（未来材料開拓イニシアチブ）
-
2017年11月 科研費 新学術「特異構造の結晶科学」／応用力学研究所ほか
2017年紫外材料およびデバイスに関する国際ワークショップ（International Workshop on UV Materials and Devices 2017: IWUMD-2017）を2017年11月14日～18日の期間に九州大学医学部百年講堂に於いて開催した。本国際ワークショップの現地実行委員長を務めた。
-
2017年1月 - 2019年12月 European Commission
国際共同研究プロジェクトHORIZON 2020「Innovation Reliable Nitride based Power Devices and Applications」研究代表者Gaudenzio Meneghesso (Univ. Padova, Italy)に参画
-
2013年4月 - 2021年3月 日本学術振興会
日本学術振興会第161委員会・運営委員
外国人研究者等の受け入れ状況
外国人研究者等の受け入れ状況
-
Institute of High Pressure Physics
受入れ期間： 2019年4月 - 2021年3月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：ポーランド共和国
専業主体：日本学術振興会
-
Institute of High Pressure Physics
受入れ期間： 2019年3月 - 2020年2月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：ポーランド共和国
専業主体：外国政府・外国研究機関・国際機関
-
Institute of High Pressure Physics
受入れ期間： 2018年1月 - 2018年3月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：ポーランド共和国
専業主体：科学技術振興機構
-
名古屋大学未来材料・システム研究所
受入れ期間： 2016年8月 - 2017年8月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：ポーランド共和国
専業主体：文部科学省
-
応用力学研究所
受入れ期間： 2015年7月 - 2019年3月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：フランス共和国
専業主体：その他
-
応用力学研究所
受入れ期間： 2015年3月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：フランス共和国
専業主体：その他
-
応用力学研究所
受入れ期間： 2012年4月 - 2015年2月 （期間）：1ヶ月以上
国籍：フランス共和国
専業主体：その他
海外渡航歴
海外渡航歴
-
2024年9月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
-
2023年8月 - 2023年9月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
滞在国名2：ブルガリア共和国 滞在機関名2：Sofia University
-
2023年3月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
-
2019年8月 - 2019年9月
滞在国名1：ドイツ連邦共和国 滞在機関名1：Ferdinand-Braun-Institut
滞在機関名2：Technische Universität Berlin
滞在機関名3：Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
滞在機関名(その他)：Otto von Guericke University Magdeburg
-
2019年7月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：Bellevue, Washington
-
2018年8月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
-
2018年3月
滞在国名1：サウジアラビア王国 滞在機関名1：KAUST
-
2018年1月 - 2018年2月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：San Francisco
-
2017年7月
滞在国名1：フランス共和国 滞在機関名1：Strassbourg
-
2017年1月
滞在国名1：イタリア共和国 滞在機関名1：Padova
-
2016年10月
滞在国名1：台湾 滞在機関名1：Hinchu
-
2016年10月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：Orland
-
2015年9月
滞在国名1：イタリア共和国 滞在機関名1：Bologna
-
2015年2月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：San Francisco
-
2015年2月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：Virginia Tech
-
2014年8月 - 2014年9月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Institute of High Pressure Physics (UNIPRESS)
-
2014年8月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Wroclaw
-
2014年6月
滞在国名1：大韓民国 滞在機関名1：Jeju
-
2013年9月 - 2013年10月
滞在国名1：ドイツ連邦共和国 滞在機関名1：Kloster Seeon
-
2013年8月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Warsaw University
-
2013年4月 - 2013年5月
滞在国名1：ドイツ連邦共和国 滞在機関名1：Fraunhofer IISB
-
2012年7月
滞在国名1：ロシア連邦 滞在機関名1：St. Petersburg
-
2012年7月
滞在国名1：スイス連邦 滞在機関名1：Zurich
-
2012年5月
滞在国名1：大韓民国 滞在機関名1：Busan
-
2011年9月
滞在国名1：ドイツ連邦共和国 滞在機関名1：Garmisch-Partenkirchen
-
2010年8月
滞在国名1：中華人民共和国 滞在機関名1：Beijing International Convention Center
-
2010年7月
滞在国名1：フランス共和国 滞在機関名1：Montpellier
-
2009年10月
滞在国名1：大韓民国 滞在機関名1：ICC Jeju
-
2009年8月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Galindia Mazurski Eden
-
2008年10月
滞在国名1：スイス連邦 滞在機関名1：Montreux Music and Convention Center
-
2006年6月
滞在国名1：スウェーデン王国 滞在機関名1：Linköping Konsert and Kongress
-
2005年8月 - 2005年9月
滞在国名1：ドイツ連邦共和国 滞在機関名1：Bremen
-
2004年5月 - 2004年6月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：Hawaii
-
2004年5月
滞在国名1：大韓民国 滞在機関名1：Gyengju
-
2001年11月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：La Jolla
-
2001年9月
滞在国名1：ポーランド共和国 滞在機関名1：Krakow
-
2000年10月
滞在国名1：アメリカ合衆国 滞在機関名1：Monterey