研究者詳細 - 西澤伸一

2024/07/28 更新

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ニシザワ　シンイチ

西澤伸一

NISHIZAWA SHINICHI

所属

応用力学研究所新エネルギー力学部門教授
総合理工学府総合理工学専攻（併任）

連絡先

メールアドレス

電話番号

0925837294

ホームページ

http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/rese/rese.html

外部リンク

学位

博士（工学）

経歴

1996-2000　通商産業省工業技術院電子技術総合研究所 2001-2016　国立研究開発法人産業技術総合研究所

1996-2000　通商産業省工業技術院電子技術総合研究所 2001-2016　国立研究開発法人産業技術総合研究所
1994-1995 早稲田大学理工学部応用化学科助手 2005-2006　日本大学工学部客員講師 2006-2008　スウェーデン・Linkoping大学　客員教授 2011　　　　　九州大学応用力学研究所　非常勤講師 2013-2016　九州工業大学生命体工学研究科　客員教授

研究テーマ・研究キーワード

研究テーマ：・次世代パワーデバイスとその材料研究・次世代パワーエレクトロニクスシステム用受動部品の研究・パワーエレクトロニクスシステム集積化技術の研究・次世代パワーエレクトロニクス信頼性・設計技術の研究・次世代エネルギーグリッドを支える電力変換システム技術の研究

研究キーワード：パワーエレクトロニクス、集積化、半導体

研究期間： 2017年2月 - 2027年3月

受賞

電気学会優秀論文発表賞（電気学会産業応用部門）

2021年2月電気学会

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60-150V系フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針
講演奨励賞

2021年1月電子情報通信学会九州支部学生講演会

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DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲に関する研究
電気学会優秀論文発表賞（電気学会産業応用部門）

2019年11月電気学会デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算

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デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算
第66回応用物理学会春季学術講演会講演奨励賞

2019年3月応用物理学会

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第66回応用物理学会春季学術講演会にて講演を行い、講演奨励賞を受賞した

論文

Wafer requirement for future power devices 査読

Shinichi Nishizawa

35th IEEE Region 10 Conference, TENCON 2015 TENCON 2015 - 2015 IEEE Region 10 Conference 2016-January 2016年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/TENCON.2015.7372890
Mechanism of gate voltage spike under digital gate control at IGBT switching operations

Zaiqi Lou, Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

Power Electronic Devices and Components 7 100054 - 100054 2024年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.pedc.2023.100054
The design considerations of stray inductance for power modules with parallel-connected IGBT chips for a digital gate driver control

Zaiqi Lou, Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

Power Electronic Devices and Components 6 100047 - 100047 2023年10月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.pedc.2023.100047
Bond wire lift-off detection by gate voltage waveform in IGBT turn-off process enhanced by digital gate control

Thatree Mamee, Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

Power Electronic Devices and Components 6 100052 - 100052 2023年10月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.pedc.2023.100052
Adjustable Current Limiting Function With a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device

Taro Takamori, Keiji Wada, Norman Boettcher, Tobias Erlbacher, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Industry Applications 2023年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TIA.2023.3288856
A simple sensor device for power cycle degradation sensing

Tatsuta Tsukamoto, Shin ichi Nishizawa, Wataru Saito

Microelectronics Reliability 147 2023年8月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2023.115068
Enhancement of turn-off gate voltage waveform change by digital gate control for bond wire lift-off detection in IGBT module

Thatree Mamee, Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin ichi Nishizawa, Wataru Saito

Microelectronics Reliability 147 2023年8月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2023.115067
Evaluation of thermally activated defects behaviors in nitrogen-doped Czochralski silicon single crystals using deep level transient spectroscopy

Kaoru Kajiwara, Kazutaka Eriguchi, Kazuhiro Fusegawa, Noritomo Mitsugi, Shuichi Samata, Kazuhisa Torigoe, Kazuhiro Harada, Masataka Hourai, Shin Ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( 7 ) 2023年7月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ace011
Numerical and experimental investigation of effect of oxygen concentration on grown-in defects in a Czochralski silicon single crystal

Ryota Suewaka, Toshiaki Saishoji, Shin Ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( 7 ) 2023年7月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/acde27
Impact of Marangoni effect of oxygen on solid–liquid interface shape during Czochralski silicon growth applied with transverse magnetic field

607 2023年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

This study investigated the impact of the Marangoni effect of oxygen on the solid–liquid interface shape in the silicon single-crystal growth process by the transverse magnetic-field-applied Czochralski (Cz) method. To this end, the results of a 3D heat and mass transfer analysis were compared with the experimental results. The findings of the study revealed that the Marangoni effect of oxygen affected the solid–liquid interface shape predicted by the simulation. Moreover, with the introduction of this effect, both the solid–liquid interface shape and temperature distribution of the melt were found to be in good agreement with the experimental values.

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2023.127123
The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process

Jiuyang Yuan, Yoshiji Miyamura, Satoshi Nakano, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthen the Global Semiconductor Research Collaboration After the Covid-19 Pandemic, EDTM 2023 2023年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/EDTM55494.2023.10103031
Effect of crucible thermal conductivity on dislocation distribution in crystals in a silicon carbide physical vapor transport furnace

Kazuma Miyazaki, Satoshi Nakano, Shin ichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 603 2023年2月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2022.126981
IGBT Power Module Design for Suppressing Gate Voltage Spike at Digital Gate Control

Zaiqi Lou, Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Access 11 6632 - 6640 2023年1月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/access.2023.3237266
Application of N parallel-connected SiC MOSFETs to solid-state circuit breakers based on UIS tests

Zaiqi Lou, Wataru Saito, Shin ichi Nishizawa

Microelectronics Reliability 138 2022年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2022.114737
Nitrogen-Doped Czochralski Silicon Wafers as Materials for Conventional and Scaled Insulated Gate Bipolar Transistors

Kaoru Kajiwara, Kazutaka Eriguchi, Kazuhiro Fusegawa, Noritomo Mitsugi, Shuichi Samata, Kazuhisa Torigoe, Kazuhiro Harada, Masataka Hourai, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 35 ( 4 ) 620 - 625 2022年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TSM.2022.3199862
Unclamped Inductive Switching Robustness of SiC Devices With Parallel-Connected Varistor

Wataru Saito, Zaiqi Lou, Shin-Ichi NIshizawa

IEEE Transactions on Electron Devices 69 ( 10 ) 5671 - 5677 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2022.3200637
Zoomed Response Surface Method for Automatic Design in Parameters Optimization of Low-Voltage Power MOSFET

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 512 - 515 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JEDS.2022.3187151
Scaling Design Effects on Surface Buffer IGBT Characteristics

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 23 - 28 2022年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JEDS.2021.3129162
Adjustable Current Limit Feature with a Self-Sensing and Self-Triggering Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device

Taro Takamori, Keiji Wada, Norman Boettcher, Tobias Erlbacher, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

2022 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2022 2022年10月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ECCE50734.2022.9948054
Cutoff Current Capability of SiC-MOSFETs with Parallel Connected Varistor under UIS Condition

Wataru Saito, Zaiqi Lou, Shin Ichi Nishizawa

IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe, WiPDA Europe 2022 2022年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/WiPDAEurope55971.2022.9936060
Short Circuit Performance and Current Limiting Mode of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker for DC Applications up to 800 v

Norman Boettcher, Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa, Tobias Erlbacher

24th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2022 ECCE Europe 2022年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Fabrication Aspects and Switching Performance of a Self-Sensing 800 V SiC Circuit Breaker Device

Norman Boettcher, Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa, Tobias Erlbacher

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2022-May 261 - 264 2022年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISPSD49238.2022.9813628
Switching Noise-Loss Trade-Off Improvement of SJ-IGBTs

Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

2022 IEEE 34TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 2022-May 53 - 56 2022年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ISPSD49238.2022.9813643
Paralleled SiC MOSFETs DC Circuit Breaker with SiC MPS Diode as Avalanche Voltage Clamping

Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC 225 - 229 2022年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/APEC43599.2022.9773380
The Effect of Parallel-Connected Varistor on UIS Robustness of SiC MOSFETs for Solid-State Circuit Breakers Application

Zaiqi Lou, Yunjie Zhu, Shin Ichi Nishizawa, Wataru Saito

ETG-Fachbericht 2022-March ( 165 ) 175 - 179 2022年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Investigation of turn-on performance in 1.2 kV MOS-bipolar devices

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 61 2022年2月

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記述言語：その他

DOI： 10.35848/1347-4065/ac40aa
Avalanche current balancing using parallel connection of SiC-MOSFET/SiC-JFETs with cascode connection

Mitsuhiko Sagara, Keiji Wada, Shin ichi Nishizawa, Wataru Saito

Microelectronics Reliability 126 2021年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2021.114237
Investigations on acceptable breakdown voltage variation of parallel-connected SiC MOSFETs applied to olid-state circuit breakers

Zaiqi Lou, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin ichi Nishizawa

Microelectronics Reliability 126 2021年11月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2021.114270
Modeling and simulation of si IGBTs. Paper presented at the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 査読国際誌

Shigyo, N., Watanabe, M., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Nakajima, A. Nakajima , K. Satoh , T. Matsudai, T. Saraya , T. Takakura , K. Itou , M. Fukui , S. Suzuki , K. Takeuchi , I. Muneta , H. Wakabayashi , Nishizawa,S., K. Tsutsui , T. Hiramoto , H. Ohashi Iwai, H.

SISPAD 129 - 132 2021年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： doi:10.23919/SISPAD49475.2020.9241627
Slit Field Plate Power MOSFET for Improvement of Figure-Of-Merits

Taichi Ogawa, Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Journal of the Electron Devices Society 9 552 - 556 2021年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JEDS.2021.3079396
Oxygen concentration dependence of as-grown defect formation in nitrogen-doped Czochralski silicon single crystals

Kaoru Kajiwara, Kazuhisa Torigoe, Kazuhiro Harada, Masataka Hourai, Shin ichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 570 2021年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126236
Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transisto 査読国際誌

Yokogawa, R., Kobayashi, H., Numasawa, Y., Ogura, A., Nishizawa,S., Saraya, T., K.Itoh, T.Takakura, S.Suzuki, M.Fuui, K.Takeuchi and Hiramoto, T

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 11 ) 115503 2021年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： doi:10.35848/1347-4065/abc1d0
Simulation Study on Dual Gate Control of Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor for High Switching Controllability

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 42 ( 6 ) 907 - 910 2021年6月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2021.3075657
Simulation Study on Dual Gate Control of Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor for High Switching Controllability

Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 42 ( 6 ) 907 - 910 2021年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2021.3075657
Oxygen concentration dependence of as-grown defect formation in nitrogen-doped Czochralski silicon single crystals 査読国際誌

Kaoru Kajiwara, Kazuhisa Torigoe, Kazuhiro Harada, Masataka Hourai, Shin-ichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 570 ( (2021) ) 126236 2021年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
A design direction of low-voltage field-plate power MOSFETs for figure-of-merit (FOM) limit

Taichi Ogawa, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) 2021年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abe801
Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology

Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2021-May 271 - 274 2021年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/ISPSD50666.2021.9452240
Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test

Zaiqi Lou, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) 2021年5月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abebc1
Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices

M. Watanabe, N. Shigyo, T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, I. Muneta, H. Wakabayashi, A. Nakajima, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021 2021年4月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/EDTM50988.2021.9420922
A design direction of low-voltage field-plate power MOSFETs for figure-of-merit (FOM) limit 査読国際誌

Taichi Ogawa , Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa

Japanese Journal of Applied Physics 60 SBBD16-1 - SBBD16-5 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abe801
Turn-OFF dV/dt Controllability in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Transactions on Power Electronics 36 ( 3 ) 3304 - 3311 2021年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TPEL.2020.3014560
Turn-OFF dV/dt Controllability in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Transactions on Power Electronics 36 ( 3 ) 3304 - 3311 2021年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/tpel.2020.3014560
Carbon monoxide concentrations in a Czochralski growth furnace

Y. Miyamura, H. Harada, S. Nakano, S. Nishizawa, K. Kakimoto

Journal of Crystal Growth 558 2021年3月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.126015
Carbon monoxide concentrations in a czochralski growth furnace 査読国際誌

Miyamura, Y., Harada, H., Nakano, Nishizawa,S. & Kakimoto, K.

Journal of Crystal Growth 558 ( 15 ) 126015 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： doi:10.1016/j.jcrysgro.2020.126015
Turn-OFF dV/dt Controllability in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices 査読国際誌

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Transactions on Power Electronics 36 ( (3) ) 3304 - 3311 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test 査読国際誌

Lou, Z., Saito, W. and Nishizawa,S.

Japanese Journal of Applied Physics, 60, SBBD18(2021) 2021年3月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/abebc1
3.3 kV back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) using manufacturable double-side process technology

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, K. Satoh, T. Matsudai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, W. Saito, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2020-December 5.3.1 - 5.3.4 2020年12月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IEDM13553.2020.9371909
Improvement Design for Turn-On Switching Characteristics in Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 41 ( 12 ) 1814 - 1816 2020年12月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2020.3034898
Improvement Design for Turn-On Switching Characteristics in Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 41 ( 12 ) 1814 - 1816 2020年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/led.2020.3034898
Gate drive circuit for current balancing of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode 査読

Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

Microelectronics Reliability 114 113776 - 113776 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2020.113776
Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor

Ryo Yokogawa, Hiroto Kobayashi, Yohichiroh Numasawa, Atsushi Ogura, Shin-ichi Nishizawa, Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 11 ) 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abc1d0
Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor

Ryo Yokogawa, Hiroto Kobayashi, Yohichiroh Numasawa, Atsushi Ogura, Shin-ichi Nishizawa, Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 11 ) 115503 - 115503 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abc1d0
Evaluation of Dynamic Avalanche Performance in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices 査読

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 9 ) 3691 - 3697 2020年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/ted.2020.3007594
Evaluation of Dynamic Avalanche Performance in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 9 ) 3691 - 3697 2020年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.3007594
Modeling and simulation of Si IGBTs

N. Shigyo, M. Watanabe, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, A. Nakajima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2020-September 129 - 132 2020年9月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.23919/SISPAD49475.2020.9241627
High Switching Controllability Trench Gate Design in Si-IGBTs 査読国際誌

Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 2020-September 447 - 450 2020年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISPSD46842.2020.9170118
Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation 査読国際誌

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin Ichi Nishizawa, Wataru Saito

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 2020-September 470 - 473 2020年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISPSD46842.2020.9170129
Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization 査読国際誌

Ryohei Sato, Koichi Kakimoto, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 Proceedings of the 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 2020-September 494 - 497 2020年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISPSD46842.2020.9170035
Alternated Trench-Gate IGBT for Low Loss and Suppressing Negative Gate Capacitance 査読

Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 8 ) 3285 - 3290 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.3002510
High dV/dt controllability of 1.2kV TCIGBT through dynamic avalanche elimination

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin Ichi Nishizawa, Wataru Saito

PCIM Asia 2020 - International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Proceedings 176 - 180 2020年8月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Surface Buffer IGBT for High Total Performance

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 8 ) 3263 - 3269 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.2999874
Alternated Trench-Gate IGBT for Low Loss and Suppressing Negative Gate Capacitance

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 8 ) 3285 - 3290 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.3002510
Surface Buffer IGBT for High Total Performance 査読

Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 8 ) 3263 - 3269 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.2999874
Assist Gate MOSFETs for Improvement of On-Resistance and Turn-Off Loss Trade-Off 査読

Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 41 ( 7 ) 1060 - 1062 2020年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2020.2991927
On-Resistance Limit Estimation of 100 V-class Field-Plate Trench Power MOSFETs Optimized Oxide Thickness

Taichi Ogawa, Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 41 ( 7 ) 1063 - 1065 2020年7月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2020.3000239
On-Resistance Limit Estimation of 100 V-class Field-Plate Trench Power MOSFETs Optimized Oxide Thickness 査読

Taichi Ogawa, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

IEEE Electron Device Letters 41 ( 7 ) 1063 - 1065 2020年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2020.3000239
CSTBT™ technology for high voltage applications with high dynamic robustness and low overall loss 査読

110 2020年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

This paper discusses the edge termination design of high-voltage insulated gate bipolar transistors with large current turn-off switching operation. We discovered that the phenomena of current crowding and impact ionization act as separated heat sources and induce one local hot spot that causes thermal destruction in the edge termination during the turn-off switching period. Optimizing the backside hole injection efficiency and relaxing the electric field of the surface pn junction edge at the edge termination region prevent the above problems. These concepts benefit the dynamic ruggedness under hard-switching conditions. This paper presents our novel edge termination design that achieves robust turn-off capability without deteriorating other performances of the device.

DOI： 10.1016/j.microrel.2020.113635
High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation 査読国際誌

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) 2020-March 686 - 689 2020年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/APEC39645.2020.9124293
N-Buffer Design for Silicon-Based Power Diode Targeting High Dynamic Robustness and High Operating Temperature Over 448 K

Katsumi Nakamura, Shin-Ichi Nishizawa, Akihiko Furukawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 6 ) 2437 - 2444 2020年6月

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記述言語：その他掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.2990387
N-Buffer Design for Silicon-Based Power Diode Targeting High Dynamic Robustness and High Operating Temperature over 448 K 査読

Katsumi Nakamura, Shin Ichi Nishizawa, Akihiko Furukawa

IEEE Transactions on Electron Devices 67 ( 6 ) 2437 - 2444 2020年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2020.2990387
Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 33 ( 2 ) 159 - 165 2020年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TSM.2020.2972369
Editorial 査読

Jeffrey J. Derby, Koichi Kakimoto, Shin ichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 538 2020年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125594
Impact of structural parameter scaling on on-state voltage in 1200 v scaled IGBTs 査読

Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Shin Ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SG ) 2020年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab7414
Evaluation of SiC-MOSFET by repetitive UIS tests for solid state circuit breaker 査読国際誌

Mitsuhiko Sagara, Keiji Wada, Shin-ichi Nishizawa

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 1004 MSF 1010 - 1015 2020年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.1010
Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. II. Investigation on segregation of oxygen and carbon 査読

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue feng Han, Satoshi Nakano, Shin ichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 532 2020年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.125404
Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. I. Principles, formulation, and implementation of the model 査読

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue feng Han, Satoshi Nakano, Shin ichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 532 2020年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.125405
Dynamic Avalanche Free Design in 1.2kV Si-IGBTs for Ultra High Current Density Operation 査読国際誌

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin Ichi Nishizawa, Wataru Saito

65th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2019 2019-December 2019年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993596
Freewheeling Diode Technology with Low Loss and High Dynamic Ruggedness in High-Speed IGBT Applications 査読

Katsumi Nakamura, Fumihito Masuoka, Akito Nishii, Shin Ichi Nishizawa, Akihiko Furukawa

IEEE Transactions on Electron Devices 66 ( 11 ) 4842 - 4849 2019年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2019.2941710
Switching of 3300v scaled igbt by 5v gate drive 招待査読国際誌

T. Hiramoto, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, T. Sarava, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohash, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa

13th IEEE International Conference on ASIC, ASICON 2019 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ASICON47005.2019.8983633
Degradation characteristics of SiC power devices for DC circuit breaker by repetitive unclamped inductive switching test 査読

Mitsuhiko Sagara, Keiji Wada, Shin ichi Nishizawa

Microelectronics Reliability 100-101 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2019.113417
Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability 査読

Shinichi Nishizawa, F.Mercier

Journal of Crystal Growth 518 99 - 102 2019年7月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.04.018
Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates 査読

Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 6 ) 061006 - 061006 2019年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1c78
A Condition-Monitoring Method of DC-Link Capacitors Used in a High-Power Three-Phase PWM Inverter with an Evaluation Circuit 査読国際誌

Kazunori Hasegawa, Shinichi Nishizawa, Ichiro Omura

IEEJ Journal of Industry Applications 8 ( 3 ) 480 - 487 2019年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejjia.8.480
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Masanori Tsukuda, Yohichiroh Numasawa, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Shin-Ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 43 - 46 2019年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ispsd.2019.8757626
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiro Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-Ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 311 - 314 2019年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ispsd.2019.8757640
Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes

Kobayashi, Hiroto, Yokogawa, Ryo, Kinoshita, Kosuke, Numasawa, Yohichiroh, Ogura, Atsushi, Nishizawa, Shin-ichi, Saraya, Takuya, Ito, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Suzuki, Shin-ichi, Fukui, Munetoshi, Takeuchi, Kiyoshi, Hiramoto, Toshiro

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafd90
Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes

Kobayashi, Hiroto, Yokogawa, Ryo, Kinoshita, Kosuke, Numasawa, Yohichiroh, Ogura, Atsushi, Nishizawa, Shin-ichi, Saraya, Takuya, Ito, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Suzuki, Shin-ichi, Fukui, Munetoshi, Takeuchi, Kiyoshi, Hiramoto, Toshiro

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.7567/1347-4065/aafd90
Vertical bipolar transistor test structure for measuring minority carrier lifetime in IGBTs 査読国際誌

K. Takeuchi, M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, Y. Numasawa, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, H. Wakabayashi, M. Tsukuda, A. Ogura, K. Tsutsui, H. Iwai, Shinichi Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2019 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2019 98 - 101 2019年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/ICMTS.2019.8730922
In-situ measurement of CO gas concentration in a Czochralski furnace of silicon crystals 査読

Y. Miyamura, H. Harada, X. Liu, S. Nakano, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 507 154 - 156 2019年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.017
Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss 査読

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, Shinichi Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

64th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018 2018 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018 8.4.1 - 8.4.4 2019年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614491
Trend in thermal resistance of advanced power modules 査読国際誌

Nobuyuki Shishido, Masanori Tsukuda, Shin Ichi Nishizawa

International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2019 104 - 108 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment 査読

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

32nd IEEE Symposium on VLSI Circuits, VLSI Circuits 2018 2018 IEEE Symposium on VLSI Circuits, VLSI Circuits 2018 105 - 106 2018年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/VLSIC.2018.8502399
Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately 査読

T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018 48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 26 - 29 2018年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/ESSDERC.2018.8486870
Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth 査読

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue feng Han, Satoshi Nakano, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 499 8 - 12 2018年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.020
ESR and capacitance monitoring of a dc-link capacitor used in a three-phase PWM inverter with a front-end diode rectifier 査読国際誌

K. Hasegawa, Shinichi Nishizawa, I. Omura

Microelectronics Reliability 88-90 433 - 437 2018年9月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.microrel.2018.07.023
Do thermal donors reduce the lifetimes of Czochralski-grown silicon crystals? 査読

Y. Miyamura, H. Harada, S. Nakano, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 489 1 - 4 2018年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.02.034
An Evaluation Circuit for DC-Link Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter with Condition Monitoring

Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shin-ichi Nishizawa

2018 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-NIIGATA 2018 -ECCE ASIA) 1938 - 1942 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
GaN-based complementary metal-oxide- semiconductor inverter with normally off Pch and Nch MOSFETs fabricated using polarisation-induced holes and electron channels 査読

Akira Nakajima, Shunsuke Kubota, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

IET Power Electronics 11 ( 4 ) 689 - 694 2018年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1049/iet-pel.2017.0376
DC-bias-voltage dependence of degradation of aluminum electrolytic capacitors 査読

K. Hasegawa, K. Tsuzaki, Shinichi Nishizawa

Microelectronics Reliability 83 115 - 118 2018年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.microrel.2018.02.012
Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals 査読

Y. Miyamura, H. Harada, S. Nakano, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 486 56 - 59 2018年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.01.020
3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low V_ce(sat) 査読

K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, Shinichi Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

12th IEEE International Conference on Advanced Semiconductor Integrated Circuits, ASICON 2017 Proceedings - 2017 IEEE 12th International Conference on ASIC, ASICON 2017 2017-October 1137 - 1140 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ASICON.2017.8252681
An evaluation circuit for DC-link capacitors used in a single- phase PWM inverter 査読国際誌

Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shinichi Nishizawa

2017 International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2017 PCIM Europe 2017 - International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management 2017年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/SBMicro.2017.7990846
三次元スケーリングによるIGBTのV_CEsat低減の実験的検証査読国際誌

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-17 ( 74-86 ) 10.6.1 - 10.6.4 2017年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838390
Temperature rise measurement for power-loss comparison of an aluminum electrolytic capacitor between sinusoidal and square-wave current injections 査読

K. Hasegawa, K. Kozuma, K. Tsuzaki, I. Omura, Shinichi Nishizawa

Microelectronics and Reliability 64 98 - 100 2016年9月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.microrel.2016.07.049
A new evaluation circuit with a low-voltage inverter intended for capacitors used in a high-power three-phase inverter 査読国際誌

Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shinichi Nishizawa

31st Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2016 2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2016 2016-May 3032 - 3037 2016年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/APEC.2016.7468295
Total pressure-controlled PVT SiC growth for polytype stability during using 2D nucleation theory 査読

S. Araki, B. Gao, Shinichi Nishizawa, S. Nakano, Koichi Kakimoto

Crystal Research and Technology 51 ( 5 ) 344 - 348 2016年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1002/crat.201500344
Design and Analysis of a New Evaluation Circuit for Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter 査読

Hasegawa Kazunori, Omura Ichiro, Nishizawa Shin-ichi

IEEE Transactions on Industrial Electronics 63 ( 5 ) 2679 - 2687 2016年5月

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記述言語：英語

Design and Analysis of a New Evaluation Circuit for Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter
DC-link capacitors in power electronic converters are a major constraint on improvement of power density as well as reliability. Evaluation of the dc-link capacitors in terms of power loss, ageing, and failure rate will play an important role in design stages of the next-generation power converters. This paper proposes a new evaluation circuit for dc-link capacitors used in a high-power three-phase inverter, which is intended for testing power loss, failure rate, ageing, and so on. The evaluation circuit produces a practical ripple current waveform and a dc bias voltage into a capacitor under test, in which the ripple current is equivalent to that generated by the three-phase inverter on the dc link. The evaluation circuit employs a full-scale current-rating and downscaled voltage-rating inverter for producing the ripple current, so that the power rating of the evaluation circuit is much smaller than that of a full-scale current-rating and full-scale voltage-rating inverter. Theoretical analysis and simulated results verify the effectiveness of new evaluation circuit.

DOI： 10.1109/TIE.2015.2511097
三相インバータ用直流リンクコンデンサに適した評価回路の実験検証 (電力技術電力系統技術半導体電力変換合同研究会電力技術一般ならびに半導体電力変換一般)

長谷川一徳, 大村一郎, 西澤伸一

電気学会研究会資料. PSE = The papers of Technical Meeting on "Power Systems Engineering", IEE Japan 2016 ( 21 ) 43 - 48 2016年3月

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記述言語：日本語
An Overview of GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology on Polarization-Junction Platform 査読

Akira Nakajima, Shinichi Nishizawa, Shunsuke Kubota, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

37th IEEE International Symposium on Workload Characterization, IISWC 2015 2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSICS 2015 2015年10月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/CSICS.2015.7314489
The silicon on diamond structure by low-temperature bonding technique 査読

Sethavut Duangchan, Yusuke Uchikawa, Yusuke Koishikawa, Baba Akiyoshi, Kentaro Nakagawa, Satoshi Matsumoto, Masataka Hasegawa, Shinichi Nishizawa

2015 65th IEEE Electronic Components and Technology Conference, ECTC 2015 2015 IEEE 65th Electronic Components and Technology Conference, ECTC 2015 2015-July 187 - 192 2015年7月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/ECTC.2015.7159590
GaN-based monolithic power integrated circuit technology with wide operating temperature on polarization-junction platform 査読

Akira Nakajima, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Shunsuke Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

27th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2015 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2015 2015-June 357 - 360 2015年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/ISPSD.2015.7123463
Theoretical Loss analysis of power converters with 1200 v class Si-IGBT and SiC-MOSFET 査読

Nakajima, Akira, Nishizawa, Shin-Ichi, Ohashi, Hiromichi, Saito, Wataru

PCIM Europe 2015; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of 2015年5月

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記述言語：英語

Theoretical Loss analysis of power converters with 1200 v class Si-IGBT and SiC-MOSFET
Power converter efficiencies of 1200-V class Si-IGBT/SiC-SBD hybrid pairs and a SiCMOSFET/ SiC-SBD pair were theoretically compared at a switching frequency above the limit of human hearing (20 kHz). Si-IGBT losses were simulated by TCAD. SiC device losses were calculated by analytical minimum loss models. Calculated efficiencies of the full-SiC pair were slightly higher than that of the hybrid pairs at conventional current densities less than 200 A/cm². At a higher current density of 400 A/cm², the hybrid pairs have a potential of high performance which is comparable with the full-SiC efficiency.
High-speed dicing of SiC wafers by femtosecond pulsed laser 査読

Nakajima, Akira, Murakami, Hiroshi, Nishizawa, Shin-Ichi, Ohashi, Hiromichi, Kosugi, Ryoji, Mitani, Takeshi, Tateishi, Yosuke, Takahashi, Hidetomo, Ota, Michiharu

Materials Science Forum 821-823 524 - 527 2015年1月

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記述言語：英語

High-speed dicing of SiC wafers by femtosecond pulsed laser
A novel dicing technology that utilizes femtosecond pulsed lasers (FSPLs) is demonstrated as a high-speed and cost-effective dicing process for SiC wafers. The developed dicing process consists of cleavage groove formation on a SiC wafer surface by the FSPL, followed by chip separation by pressing a cleavage blade. The effective FSPL scan speed on the SiC surfaces was 33 mm/s. Kerf loss is negligible in the developed FSPL dicing process. In addition, the residual lattice strain in the FSPL-diced SiC chips was comparably small to that of the conventional mechanical process using diamond saws, due to the absence of the lattice heating effect in femtosecond-laser processes.

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.524
Erratum: “Impact of semiconductor on diamond structure for power supply on chip applications” 査読

53 ( 6 ) 69202 - 69202 2014年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.7567/JJAP.53.069202
Experimental Investigation of Normally-On Type Bidirectional Switch for Indirect Matrix Converters 査読

Kyungmin Sung, Ryuji Iijima, Shinichi Nishizawa, Isami Norigoe, Hiromichi Ohashi

2014 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-HIROSHIMA 2014 - ECCE-ASIA) 117 - 122 2014年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/IPEC.2014.6869568
Generation and transportation mechanisms for two-dimensional hole gases in GaN/AlGaN/GaN double heterostructures 査読

Akira Nakajima, Pucheng Liu, Masahiko Ogura, Toshiharu Makino, Kuniyuki Kakushima, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Satoshi Yamasaki, Hiroshi Iwai

Journal of Applied Physics 115 ( 15 ) 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4872242
2.5kV, 200kW bi-directional isolated DC/DC converter for medium-voltage applications 査読

Yuji Matsuoka, Keiji Wada, Mizuki Nakahara, Kazuto Takao, Kyungmin Sung, Hiromichi Ohashi, Shinichi Nishizawa

7th International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014 2014 International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014 744 - 749 2014年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/IPEC.2014.6869671
Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory 査読

T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, Shinichi Nishizawa, S. Nakano, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 385 95 - 99 2014年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.036
Impact of semiconductor on diamond structure for power supply on chip applications 査読

Nakagawa Kentaro, Kodama Takuya, Matsumoto Satoshi, Yamada Takatoshi, Hasegawa Masataka, Nishizawa Shinichi

Jpn. J. Appl. Phys. 53 ( 4 SPEC. ISSUE ) 04EP16 2014年1月

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記述言語：英語

Impact of semiconductor on diamond structure for power supply on chip applications
In this study, we assessed a semiconductor (silicon or GaN)-on-diamond (SeOD) structure and compared it with a conventional silicon on insulator (SOI) structure, i.e., diamond, for power-supply-on-chip (power-SoC) applications by numerical simulations. The SeOD structure has thermal advantages over the conventional SOI structure without degrading electrical characteristics even using a thin diamond film (0.3 μm).

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EP16
Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC Identification of stacking sequence of 10H-SiC 査読

S. Nakashima, T. Tomita, N. Kuwahara, T. Mitani, M. Tomobe, Shinichi Nishizawa, H. Okumura

Journal of Applied Physics 114 ( 19 ) 2013年11月

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記述言語：英語

DOI： 10.1063/1.4828996
Experimental evaluation of 10kHz switching operation of 4.5kV-400A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair module 査読

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

2013 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2013 1577 - 1583 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1109/ECCE.2013.6646893
Maximum Switching Frequency Characterization of 4.5kV-400A SiC-PiN diode and Si-IEGT Hybrid Pair Power Module 査読

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

2013 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE) 1570 - 1576 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Temperature-independent two-dimensional hole gas confined at GaN/AlGaN heterointerface 査読

Akira Nakajima, Pucheng Liu, Masahiko Ogura, Toshiharu Makino, Shinichi Nishizawa, Satoshi Yamasaki, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai

Applied Physics Express 6 ( 9 ) 2013年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.091002
Characterization of Two-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface

Pucheng Liu, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Akira Nakajima, Toshiharu Makino, Masahiro Ogura, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

2013 1ST IEEE WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS (WIPDA) 155 - 158 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Comparative numerical study of the effects of rotating and traveling magnetic fields on the carbon transport in the solution growth of SiC crystals 査読

Journal of Crystal Growth 362 ( 1 ) 99 - 102 2013年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.019
Epitaxial growth of SiC with chlorinated precursors on different off-angle substrates 査読

Journal of Crystal Growth 362 ( 1 ) 170 - 173 2013年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.061
Role of surface effects on silicon carbide polytype stability 査読

Journal of Crystal Growth 360 ( 1 ) 189 - 192 2012年12月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.052
4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiN ダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証

高尾和人, 大田千春, 四戸孝, 和田圭二, 成慶〓, 松岡祐司, 金井丈雄, 田中保宣, 西澤伸一, 大橋弘通

電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会 2012 ( 115 ) 13 - 17 2012年10月

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記述言語：日本語
4.5kV-400A Modules using SiC-PiN diodes and Si-IEGTs Hybrid Pair for High Power Medium-Voltage Power Converters 査読

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

2012 IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION (ECCE) 1509 - 1514 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
ダイヤモンド薄膜を絶縁膜として用いたパワーSoC用SOI基板のシミュレーションによる検討

児玉拓也, 松本聡, 西澤伸一

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2012 ( 59 ) 13 - 17 2012年10月

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記述言語：日本語
Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory 査読

T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, Shinichi Nishizawa, S. Nakano, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 352 ( 1 ) 177 - 180 2012年8月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.023
Chloride-based CVD growth of silicon carbide for electronic applications 査読

Chemical Reviews 112 ( 4 ) 2434 - 2453 2012年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1021/cr200257z
Gas-phase modeling of chlorine-based chemical vapor deposition of silicon carbide 査読

Crystal Growth and Design 12 ( 4 ) 1977 - 1984 2012年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1021/cg201684e
パワーMOSFETの信頼性評価を目的とした非破壊試験回路の検討

中川徹也, 和田圭二, 西澤伸一, 大橋弘通

電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会 2012 ( 1 ) 115 - 120 2012年1月

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記述言語：日本語
Thermodynamic analysis of SiC polytype growth by physical vapor transport method 査読

Koichi Kakimoto, B. Gao, T. Shiramomo, S. Nakano, Shinichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 324 ( 1 ) 78 - 81 2011年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.03.059
Numerical Investigation of the Growth Rate Enhancement of SiC Crystal Growth from Silicon Melts 査読

Mercier Frederic, Nishizawa Shin-ichi

Jpn J Appl Phys 50 ( 3 ) 35603 - 035603-5 2011年3月

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記述言語：英語

Numerical investigation of the growth rate enhancement of SiC crystal growth from silicon melts
Numerical study has been applied to analyze the high temperature solution growth process for bulk silicon carbide (SiC) crystal growth. A twodimensional axisymmetric model for 2-in. SiC crystal growth was used for this study. The purpose of this paper is to investigate the possible approaches to enhance the growth rate in this process. In particular, we studied the effect of an AC magnetic field on the carbon transport to the crystal growth interface. The results revealed that the carbon flux to the growing crystal is strongly affected by the coil position and the applied frequency. If these two process parameters are properly chosen, we show that the carbon flux at the growing front, and thus the growth rate of SiC, can be enhanced.

DOI： 10.1143/JJAP.50.035603
Solution growth of SiC from silicon melts Influence of the alternative magnetic field on fluid dynamics 査読

Journal of Crystal Growth 318 ( 1 ) 385 - 388 2011年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.022
Analysis of SiC crystal sublimation growth by fully coupled compressible multi-phase flow simulation 査読

B. Gao, X. J. Chen, S. Nakano, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 312 ( 22 ) 3349 - 3355 2010年11月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.08.032
Numerical simulation of a new SiC growth system by the dual-directional sublimation method 査読

Xuejiang Chen, Shinichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 312 ( 10 ) 1697 - 1702 2010年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.02.027
Doping Concentration Optimization for Ultra-low-loss 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diode (Super-SBD) 査読

C. Ota, J. Nishio, K. Takao, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, S. Nishizawa, H. Ohashi

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008 615-617 655 - 658 2009年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.655
パワーエレクトロニクス用基板の開発動向と加工技術課題 (特集グリーンエネルギー時代を支える先進加工技術とその課題)

西澤伸一, 大橋弘通

機械と工具 53 ( 8 ) 15 - 19 2009年8月

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記述言語：日本語
Numerical modeling of SiC single crystal growth-sublimation and hot-wall epitaxy 査読

Shinichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 311 ( 3 ) 871 - 874 2009年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.105
Challenges of 4H-SiC MOSFETs on the C(000-1) face toward the achievement of ultra low on-resistance 査読

K. Fukuda, S. Harada, J. Senzaki, M. Okamoto, Y. Tanaka, A. Kinoshita, R. Kosugi, K. Kojima, M. Kato, A. Shimozato, K. Suzuki, Y. Hayashi, K. Takao, T. Kato, Shinichi Nishizawa, T. Yatsuo, H. Okumura, H. Ohashi, K. Arai

Materials Science Forum 600-603 907 - 912 2008年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4028/3-908453-11-9.907
Silicon carbide growth C/Si ratio evaluation and modeling 査読

Michel Pons, Shinichi Nishizawa, Peter Wellmann, E. Blanquet, D. Chaussende, J. M. Dedulle, R. Madar

Materials Science Forum 600-603 83 - 88 2008年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/3-908453-11-9
Ultralow-loss SiC floating junction Schottky barrier diodes (Super-SBDs) 査読

Johji Nishio, Chiharu Ota, Tetsuo Hatakeyama, Takashi Shinohe, Kazutoshi Kojima, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

IEEE Transactions on Electron Devices 55 ( 8 ) 1954 - 1960 2008年8月

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/TED.2008.926666
High throughput SiC wafer polishing with good surface morphology 査読

Tomohisa Kato, Keisuke Wada, Eiji Hozomi, Hiroyoshi Taniguchi, Tomonori Miura, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 556-557 753 - 756 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Simulation, fabrication and characterization of 4H-SiC floating junction schottky barrier diodes (Super-SBDs) 査読

C. Ota, J. Nishio, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, Shinichi Nishizawa, H. Ohashi

Materials Science Forum 556-557 881 - 884 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Activation of p-type dopants in 4H-SiC using hybrid super-rapid thermal annealing equipment 査読

Akimasa Kinoshita, Kenji Suzuki, Junji Senzaki, Makoto Katou, Shinsuke Harada, Mitsuo Okamato, Shinichi Nishizawa, Kenji Fukuda, Fukuyoshi Morigasa, Tomoyoshi Endou, Takuo Isii, Teruyuki Yashima

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes 46 ( 8 A ) 5342 - 5344 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.5342
Effect of heat transfer on macroscopic and microscopic crystal quality in silicon carbide sublimation growth 査読

Shinichi Nishizawa, Tomohisa Kato, Kazuo Arai

Journal of Crystal Growth 303 ( 1 SPEC. ISS. ) 342 - 344 2007年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.022
Numerical modeling of silicon carbide epitaxy in a horizontal hot-wall reactor 査読

Shinichi Nishizawa, Michel Pons

Journal of Crystal Growth 303 ( 1 SPEC. ISS. ) 334 - 336 2007年5月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.12.018
Observation of surface polarity dependent phonons in SiC by deep ultraviolet Raman spectroscopy 査読

S. Nakashima, T. Mitani, T. Tomita, T. Kato, Shinichi Nishizawa, H. Okumura, H. Harima

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 75 ( 11 ) 2007年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1103/PhysRevB.75.115321
Defect and growth analysis of SiC bulk single crystals with high nitrogen doping 査読

Tomohisa Kato, Tomonori Miura, Keisuke Wada, Eiji Hozomi, Hiroyoshi Taniguchi, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 556-557 239 - 242 2007年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Activation treatment of ion implanted dopants using hybrid super RTA equipment

Akimasa Kinoshita, Junji Senzaki, Makoto Katou, Shinsuke Harada, Mitsuo Okamato, Shin-ichi Nishizawa, Kenji Fukuda, Fukuyoshi Morigasa, Tomoyoshi Endou, Takuo Isii, Teruyuki Yashima

Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2 527-529 803 - 806 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.803
Fabrication of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes (Super-SBDs) and their electrical properties 査読

C. Ota, J. Nishio, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, S. Nishizawa, H. Ohashi

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005, PTS 1 AND 2 527-529 ( PART 2 ) 1175 - 1178 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）
Growth and doping modeling of SiC-CVD in a horizontal hot-wall reactor 査読

Shinichi Nishizawa, Michel Pons

Chemical Vapor Deposition 12 ( 8-9 ) 516 - 522 2006年8月

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記述言語：英語

DOI： 10.1002/cvde.200606469
X線可視化・シミュレーションによる単結晶育成過程の追跡

加藤智久, 山口博隆, 西澤伸一, 荒井和雄

應用物理 75 ( 5 ) 584 - 585 2006年5月

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記述言語：日本語
IWMCG-5 (5^<th> International Workshop on Modeling in Crystal Growth)に参加して(閑話休題)

西澤伸一

日本結晶成長学会誌 33 ( 5 ) 403 - 404 2006年5月

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記述言語：日本語

DOI： 10.19009/jjacg.33.5_403
Deep ultraviolet raman microspectroscopic characterization of polishing-induced surface damage in SiC crystals 査読

S. Nakashima, T. Kato, Shinichi Nishizawa, T. Mitani, H. Okumura, T. Yamamoto

Journal of the Electrochemical Society 153 ( 4 ) 2006年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1149/1.2170546
Numerical modeling of SiC-CVD in a horizontal hot-wall reactor 査読

Shinichi Nishizawa, Michel Pons

Microelectronic Engineering 83 ( 1 SPEC. ISS. ) 100 - 103 2006年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.mee.2005.10.033
In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by XRD system 査読

Tomohisa Kato, Shinichi Nishizawa, Hirotaka Yamaguchi, Kazuo Arai

Journal of Rare Earths 24 ( SUPPL. ) 49 - 53 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of growth condition on micropipe filling of 4H-SiC epitaxial layer 査読

K. Kojima, Shinichi Nishizawa, S. Kuroda, H. Okumura, K. Arai

Journal of Crystal Growth 275 ( 1-2 ) 2005年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.071
Modeling of SiC-CVD on Si-face/C-face in a horizontal hot-wall reactor 査読

Shinichi Nishizawa, Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Kazuo Arai, Michel Pons

Journal of Crystal Growth 275 ( 1-2 ) 2005年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.072
改良レーリー法によるSiC単結晶成長

西澤伸一

セラミックス 40 ( 1 ) 11 - 13 2005年1月

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記述言語：日本語
Continuous growth of SiC single crystal by the spray dried powder made of ultra-fine particle precursors 査読

Y. Yamada, Shinichi Nishizawa, S. Nakashima, K. Arai

Materials Science Forum 457-460 ( I ) 131 - 134 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Large diameter and long length growth of SiC single crystal 査読

T. Kato, T. Ohno, F. Hirose, N. Oyanagi, Shinichi Nishizawa, K. Arai

Materials Science Forum 457-460 ( I ) 99 - 102 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
High-quality SiC bulk single crystal growth based on simulation and experiment 査読

Shinichi Nishizawa, T. Kato, Y. Kitou, N. Oyanagi, F. Hirose, H. Yamaguchi, W. Bahng, K. Arai

Materials Science Forum 457-460 ( I ) 29 - 34 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication of mesa-type pn diodes without forward degradation on ultara-high-quality 6H-SiC substrate 査読

Y. Tanaka, T. Ohno, N. Oyanagi, Shinichi Nishizawa, T. Suzuki, K. Fukuda, T. Yatsuo, K. Arai

Materials Science Forum 457-460 ( II ) 1009 - 1012 2004年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Single Material Ohmic Contacts Simultaneously Formed on the Source/P-Well/Gate of 4H-SiC Vertical Mosfets 査読

Norihiko Kiritani, Masakatsu Hoshi, Satoshi Tanimoto, Kazuhiro Adachi, Shinichi Nishizawa, Tsutomu Yatsuo, Hideyo Okushi, Kazuo Arai

Materials Science Forum 433-436 669 - 672 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Stress Analysis of SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method 査読

Shinichi Nishizawa, Yumi Michikawa, Tomohisa Kato, Fusao Hirose, Naoki Oyanagi, Kazuo Arai

Materials Science Forum 433-436 13 - 16 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Fabrication of 1.4-kV mesa-type p⁺-n diodes with avalanche breakdown and without forward degradation on high-quality 6H-SiC substrate 査読

Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Kenji Fukuda, Kazuo Arai, Toshiyuki Ohno, Naoki Oyanagi, Takaya Suzuki, Tsutomu Yatsuo

Applied Physics Letters 83 ( 2 ) 377 - 379 2003年7月

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記述言語：英語

DOI： 10.1063/1.1591062
Healing defects in SiC wafers by liquid-phase epitaxy in Si melts 査読

M. Nasir Khan, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Journal of Crystal Growth 254 ( 1-2 ) 137 - 143 2003年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0022-0248(03)01177-1
昇華法によるSiCバルク単結晶成長 : 数値解析の活用

西澤伸一, 加藤智久, 木藤泰男, 廣瀬富佐男, 小柳直樹, 山口博隆, 荒井和雄

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86 ( 4 ) 334 - 341 2003年4月

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記述言語：日本語

昇華法によるSiC単結晶成長は,2000℃を超える黒鉛るつぼで閉じられた閉鎖空間でのブラックボックスプロセスであり,これまで経験則に基づく技術開発が行われてきた.そのため,大口径化・高品質化に対して解決すべき技術課題が多数残されている.今回,数値解析を結晶成長炉内の可視化技術として適用し,実際の昇華法による結晶成長時の温度・昇華ガス濃度・応力分布の解析を行い,SiC単結晶品質の向上に資してきたので,その結果を報告する.
Initial stage of GaN nucleation on √3 × √3 R 30°-Ga reconstructed 4H-SiC(0 0 0 1)_Si by molecular-beam epitaxy 査読

527 ( 1-3 ) 2003年3月

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記述言語：英語

Gallium nitride (GaN) initial nucleation kinetics by the influence of SiC(0 0 0 1)_Si surface structure has been investigated. The Ga induced √3×√3R30° and 3×3 surface reconstructions are found to be more efficacious for GaN growth. During the initial stage of GaN/4H-SiC(0 0 0 1)_Si growth by molecular-beam epitaxy, coherent polygon islands grow wide (∼40 nm) along the lateral directions. These coherent islands develop 2D growth through early coalescence as evidenced by the in situ reflection high-energy electron diffraction observation. The control of Ga-adatom migration and the adsorption of 1/3 and 1 monolayer (ML) of Ga-adatom govern the surface morphology of the GaN layers. The bulk surfaces of (1 × 1) and (2 × 1) introduces incoherent nuclei, resulting in a delay of GaN coalescence, exhibits rough growth front and poor surface morphology.

DOI： 10.1016/S0039-6028(03)00016-5
Numerical simulation of thermal transpiration of capacitance diaphragm gauge 隔膜真空計における熱遷移現象の数値解析査読

45 ( 3 ) 119 - 122 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The Capacitance diaphragm gauge (CDG) is one of the most important vacuum gauges in low and middle vacuum ranges. The difference of temperature between the sensor head and the vacuum chamber gives a non-linear sensitivity of the gauge depending on the pressure due to thermal transpiration effect. Change in the sensitivity of about 4% between molecular flow regime and viscous flow regime is significant for metrological use of the gauge. In this study, by using a DSMC method, pressure distribution in the connecting tube of the gauge was obtained under the pressure range from molecular flow regime to viscous flow regime with taking account of temperature distribution along the connecting tube. It was in good agreement with the pressure dependence of sensitivity obtained by static expansion system experimentally. Furthermore, influence of gas-surface interaction on the thermal transpiration was also discussed.
Numerical simulation of thermal transpiration in Capacitance diaphragm gauge 隔膜真空計における熱遷移効果の数値解析査読

46 ( 3 ) 197 - 199 2003年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The Capacitance diaphragm gauge is one of the most important vacuum gauges in low and middle vacuum ranges. The difference of temperature between the sensor head and the vacuum chamber gives a non-linear sensitivity of the gauge due to thermal transpiration effect. This sensitivity depends not only on pressure but also gas species. It is supposed that under the same condition of gas-surface interaction, the sensitivity should be normalized by mean free path independently of gas species. However, the sensitivity normalized by mean free path also depends on gas species. In this study, by using DSMC method, the influence of gas-surface interaction on thermal transpiration was analyzed. In case of random reflection model, the sensitivity has non-linearity and depends on mean free path. On the other hand, in case of a perfectly elastic reflection model, the sensitivity is constant regardless mean free path. In case of complex reflection that is composed of random and elastic reflections, as increasing the elastic reflection component, the sensitivity decreases from that of random reflection to elastic reflection.
Silicon carbide epitaxial layer growths on Acheson seed crystals from silicon melt 査読

M. Nasir Khan, Shinichi Nishizawa, Tomohisa Kato, Ryoji Kosugi, Kazuo Arai

Materials Letters 57 ( 2 ) 307 - 314 2002年12月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0167-577X(02)00783-8
DSMC analysis of thermal transpiration of capacitance diaphragm gauge 査読

Shinichi Nishizawa, Masahiro Hirata

Vacuum 67 ( 3-4 ) 301 - 306 2002年9月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0042-207X(02)00212-9
昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察(<小特集>バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)

西澤伸一, 山口博隆, 加藤智久, 小柳直樹, 木藤泰男, 荒井和雄

日本結晶成長学会誌 29 ( 5 ) 431 - 438 2002年5月

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記述言語：日本語

Silicon carbide (SiC) is the most promising material for high power, high frequency and low loss device applications. In order to realize SiC devices, it is necessary to improve the grown crystal quality. SiC bulk single crystal is grown by sublimation method, inside a closed carbon crucible. Because of the black box process, the optimization of sublimation process is difficult. From this point view the in situ X ray topography system was developed to observe the phenomena inside a crucible during the growth. The numerical simulation was also applied. From these observations, the heat and mass transfer in a crucible was discussed involving in the macroscopic crystal quality, such as crystal diameter, growing surface shape, and also in the microscopic crystal quality such as defect generations.

DOI： 10.19009/jjacg.29.5_431
A method of reducing micropipes in thin films by using sublimation growth 査読

Naoki Oyanagi, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 107 - 110 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Numerical simulation of heat and mass transfer in SiC sublimation growth 査読

Shinichi Nishizawa, Tomohisa Kato, Yasuo Kitou, Naoki Oyanagi, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 43 - 46 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Homoepitaxial growth of 4H-SiC thin film below 1000°C by microwave plasma chemical vapor deposition 査読

389-393 ( 1 ) 299 - 302 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Microwave plasma chemical vapor deposition was performed aiming at low temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC thin films. The growth rate of the deposited film depended strongly on the SiH₄ flow rate, and a smooth surface could not obtained at high SiH₄ flow rate. The surface morphology was also affected by the C/Si ratio. A high C/Si ratio was required to obtain smooth SiC films. Single crystalline 4H-SiC film growth has been achieved at a temperature as low as 970°C by growing under very high C/Si ratio (C/Si = 175) with a very low SiH₄ flow rate (0.004sccm).
Growth and evaluation of high quality SiC crystal by sublimation method 査読

Naoki Oyanagi, Hirotaka Yamaguchi, Tomohisa Kato, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 87 - 90 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Flux-controlled sublimation growth by an inner guide-tube 査読

Yasuo Kitou, Wook Bahng, Tomohisa Kato, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 83 - 86 2002年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Dislocation constraint by etch-back process of seed crystal in SiC bulk crystal growth 査読

Tomohisa Kato, Naoki Oyanagi, Yasuo Kitou, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 111 - 114 2002年4月

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記述言語：英語
Characterization of inclusions in SiC bulk crystals grown by modified lely method 査読

Fusao Hirose, Yasuo Kitou, Naoki Oyanagi, Tomohisa Kato, Shin Ichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 389-393 ( 1 ) 75 - 78 2002年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.75
Dislocation constraint by etch back process of seed crystal in the SiC sublimation growth 査読

Tomohisa Kato, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Journal of Crystal Growth 233 ( 1-2 ) 219 - 225 2001年11月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01578-0
In-situ X-ray topography on crystal growth of silicon carbide 査読

Hirotaka Yamaguchi, Shinichi Nishizawa, Tomohisa Kato, Naoki Oyanagi, Sadafumi Yoshida, Kazuo Arai

Yosetsu Gakkai Shi/Journal of the Japan Welding Society 70 ( 6 ) 23 - 27 2001年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
隔膜真空計における熱遷移現象の数値解析

西澤伸一, 平田正紘

真空 44 ( 3 ) 328 - 328 2001年3月

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記述言語：日本語
New crucible design for SiC single crystal growth by sublimation 査読

NISHIZAWA S.

Mat. Res. Soc. Symp. 640 H151 - 156 2001年1月

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記述言語：英語

New crucible design for SiC single crystal growth by sublimation
SiC bulk single crystal growth by sublimation was investigated. A new crucible design, double-walled crucible, was proposed, and its effect was confirmed numerically and experimentally. On the point of heat transfer in a growth cavity, double-walled crucible is better than conventional crucible. With a double-walled crucible, temperature of seed and source surfaces could be kept constant with better uniformity than that with a conventional crucible. It was deduced that a crystal growth rate could be kept constant with flat surface. Furthermore, in case of a double walled crucible, crystal enlarged rapidly with less inclusion. As the results, a double-walled crucible is useful to grow high quality SiC single crystal by sublimation.
In-situ observation of silicon carbide sublimation growth by X-ray topography 査読国際誌

Tomohisa Kato, Naoki Oyanagi, Hirotaka Yamaguchi, Shinichi Nishizawa, M. Nasir Khan, Yasuo Kitou, Kazuo Arai

Journal of Crystal Growth 222 ( 3 ) 579 - 585 2001年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00958-1
Defect analysis of SiC sublimation growth by the in-situ X-ray topography 査読

T. Kato, N. Oyanagi, H. Yamaguchi, Shinichi Nishizawa, K. Arai

Materials Science Forum 353-356 295 - 298 2001年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Liquid-phase epitaxy on 6H-SiC Acheson seed crystals in closed vessel 査読

M. Nasir Khan, Shinichi Nishizawa, Wook Bahng, Kazuo Arai

Journal of Crystal Growth 220 ( 1-2 ) 75 - 81 2000年11月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00733-8
Beryllium implantation doping of silicon carbide 査読

T. Henkel, Y. Tanaka, N. Kobayashi, Shinichi Nishizawa, S. Hishita

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Temperature gradient effect on SiC epitaxy in liquid phase 査読

Muhammad Nasir Khan, Shinichi Nishizawa, Wook Bahng, Kazuo Arai

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Structural characterization of silicon carbide etched by using a combination of ion implantation and wet chemical etching 査読

T. Henkel, G. Ferro, Shinichi Nishizawa, H. Pressler, Y. Tanaka, H. Tanoue, N. Kobayashi

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
SiC single crystal growth rate measurement by in-situ observation using the transmission X-ray technique 査読

Naoki Oyanagi, Shinichi Nishizawa, Tomohisa Kato, Hirotaka Yamaguchi, Kazuo Arai

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Shape of SiC bulk single crystal grown by sublimation 査読

Shinichi Nishizawa, Yasuo Kitou, Wook Bahng, Naoki Oyanagi, Muhammad Nasir Khan, Kazuo Arai

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Pressure effect in sublimation growth of bulk SiC 査読

Yasuo Kitou, Wook Bahng, Shinichi Nishizawa, Shigehiro Nishino, Kazuo Arai

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Enlargement of SiC single crystal Enhancement of lateral growth using tapered graphite lid 査読

Wook Bahng, Yasuo Kitou, Shinichi Nishizawa, Hirotaka Yamaguchi, Muhammad Nasir Khan, Naoki Oyanagi, Kazuo Arai, Shigehiro Nishino

Materials Science Forum 338 2000年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
薄膜基板温度観察装置の試作

村上寛, 西沢伸一, 町田和雄

真空 43 ( 3 ) 430 - 430 2000年3月

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記述言語：日本語
Rapid enlargement of SiC single crystal using a cone-shaped platform 査読

BAHNG W.

J. Crystal Growth 209 ( 4 ) 767 - 772 2000年2月

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記述言語：英語

Rapid enlargement of SiC single crystal using a cone-shaped platform
We investigated the enlargement of SiC single crystal during physical vapor transport growth by modifying the shape of graphite lid. The single crystals grown on the cone-shaped platform were larger in diameter than those grown on the conventional one. The enlargement of ingot is discussed in terms of the dual role of polycrystals during crystal growth: (i) it provides a platform for single crystal and (ii) an obstacle to the lateral growth of ingot. The dependence of the broadening angle (β) of single crystal on the taper angle (θ) of the cone-shaped platform was also investigated and an optimum angle at a given growth condition found.

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00754-X
In situ x-ray topography of silicon carbide during crystal growth by sublimation method 査読

H. Yamaguchi, Shinichi Nishizawa, T. Kato, N. Oyanagi, W. Bahng, S. Yoshida, K. Arai, Y. Machitani, T. Kikuchi

Review of Scientific Instruments 71 ( 7 ) 2829 - 2832 2000年1月

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記述言語：英語

DOI： 10.1063/1.1150698
X-ray topographic study of SiC crystal at high temperature 査読

H. Yamaguchi, N. Oyanagi, T. Kato, Y. Takano, Shinichi Nishizawa, W. Bahng, S. Yoshida, K. Arai

Materials Science Forum 338 2000年1月

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記述言語：英語
In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by X-ray topography 査読

Tomohisa Kato, Naoki Oyanagi, Hirotaka Yamaguchi, Yukio Takano, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

Materials Science Forum 338 2000年1月

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記述言語：英語
X線トポグラフィーによるSiC単結晶成長その場観察装置の開発

西澤伸一, 山口博隆, 加藤智久

電子技術総合研究所彙報 63 ( 8 ) 305 - 310 1999年9月

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記述言語：日本語
SiC単結晶成長のX線トポグラフィーその場観察装置の開発

山口博隆, 西澤伸一, 荒井和雄

電総研ニュース ( 595 ) 2 - 5 1999年8月

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記述言語：日本語
11.4宇宙実験(11.宇宙工学)

西澤伸一

日本機械学会誌 102 ( 969 ) 492 - 492 1999年8月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1299/jsmemag.102.969_492_2
Reflection and transmission X-ray topographic study of a SiC crystal and epitaxial wafer 査読

H. Yamaguchi, Shinichi Nishizawa, W. Bahng, K. Fukuda, S. Yoshida, K. Arai, Y. Takano

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 61-62 221 - 224 1999年7月

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記述言語：英語
Development of X-ray topography system for in-situ observation of sublimation SiC single crystal growth 査読

Shinichi Nishizawa, H. Yamaguchi, T. Kato, N. Oyanagi, S. Yoshida, K. Arai

Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory 63 ( 8-9 ) 37 - 42 1999年6月

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記述言語：英語
11.4宇宙実験(11.宇宙工学)

西澤伸一

日本機械学会誌 101 ( 957 ) 595 - 595 1998年8月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1299/jsmemag.101.957_595_2
Interfacial phenomena of molten silicon Marangoni flow and surface tension 査読

Taketoshi Hibiya, Shin Nakamura, Kusuhiro Mukai, Zheng Gang Niu, Nobuyuki Imaishi, Shinichi Nishizawa, Shin Ichi Yoda, Masato Koyama

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 356 ( 1739 ) 899 - 909 1998年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1098/rsta.1998.0195
Temperature fluctuations of the Marangoni flow in a liquid bridge of molten silicon under microgravity on board the TR-IA-4 rocket 査読

Shin Nakamura, Taketoshi Hibiya, Koichi Kakimoto, Nobuyuki Imaishi, Shinichi Nishizawa, Akira Hirata, Kusuhiro Mukai, Shin Ichi Yoda, Tomoji S. Morita

Journal of Crystal Growth 186 ( 1-2 ) 85 - 94 1998年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00440-5
11.4 宇宙実験(11.宇宙工学)

西澤伸一

日本機械学会誌 100 ( 945 ) 868 - 868 1997年8月

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記述言語：日本語

DOI： 10.1299/jsmemag.100.945_868_2
宇宙空間での材料作製のためのシミュレーション

西澤伸一

シミュレーション 16 ( 2 ) 118 - 121 1997年6月

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記述言語：日本語

In space, it could be possible to make high quality, large and new functional materials. For the material processing such as melt growth of materilas for electrical devices and oxides, it is very important to understand and control the convective phenomena in melt. In this point of view, Marangoni convection in a liquid bridge which simulates the half floating zone was observed under microgravity conditions during parabolic filght. The experimental resutls was compared with that of numerical simulations. The developing processes of flow filed and temperature field were made clear. Furthermore, it coud be possible to estimate the pehnomena which might be happened as long time passed by numerical simulations. It means that numerical simulation is very usufel for developing the materila processing in space.
3rd China-Japan Workshop on Microgravity Science

JASMA : Journal of the Japan Society of Microgravity Application 14 ( 1 ) 95 - 96 1997年2月

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記述言語：日本語

3rd China-Japan Workshop on Microgravity Science
Transition of oscillatory floating half zone convection from Earth's gravity to microgravity 査読

Y. L. Yao, J. Z. Shu, J. C. Xie, F. Liu, W. R. Hu, A. Hirata, Shinichi Nishizawa, M. Sakurai

International Journal of Heat and Mass Transfer 40 ( 11 ) 2517 - 2524 1997年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0017-9310(96)00309-2
Diffusion dominated process for the crystal growth of a binary alloy 査読

Wen Rui Hu, Akira Hirata, Shinichi Nishizawa

Journal of Crystal Growth 169 ( 2 ) 380 - 392 1996年11月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00386-7
2次元矩形容器内の温度差・濃度差マランゴニ対流現象

西澤伸一, 石山修, 澤岡昭

13 ( 4 ) 304 - 304 1996年10月

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記述言語：英語
Marangoni convection in a liquid bridge under microgravity conditions during parabolic flight 査読

Akira Hirata, Shinichi Nishizawa, Motoharu Noguchi, Masato Sakurai, Shouichi Yasuhiro, Nobuyuki Imaishi

Journal of Chemical Engineering of Japan 27 ( 1 ) 65 - 71 1994年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1252/jcej.27.65
Interfacial Contamination Caused by Water on Marangoni Convection in a Silicone Oil Liquid Bridge 査読

Akira Hirata, Shinichi Nishizawa, Masato Sakurai, Nobuyuki Imaishi

Journal of Chemical Engineering of Japan 26 ( 6 ) 754 - 756 1993年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1252/jcej.26.754
MOMENTUM, WITH HEAT AND MASS TRANSFER THROUGH GAS-LIQUID INTERFACE WITH ACCELERATED INTERFACIAL VELOCITY 査読

NISHIZAWA Shin-ichi, HIRATA Akira

Journal of chemical engineering of Japan 26 ( 6 ) 649 - 655 1993年3月

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記述言語：英語

Momentum, with Heat and Mass Transfer Through Gas-Liquid Interface with Accelerated Interfacial Velocity
Effects of interfacial velocity on interfacial momentum, heat and mass transfer through a gas-liquid interface were quantitatively investigated. The rates of momentum, heat and mass transfer depend not only on the magnitude of the interfacial velocity but also on the change of acceleration in interfacial velocity. In addition, by considering the interfacial tension gradient to be the cause of interfacial acceleration, the effect of the interfacial tension gradient on interfacial velocity, interfacial momentum, heat and mass transfer were also quantitatively investigated. Both the interfacial velocity and the rates of momentum, heat and mass transfer depend not only on the magnitude of the interfacial tension gradient but also on the change of interfacial tension.

DOI： 10.1252/jcej.26.649
Effect of interfacial tension gradient on momentum and mass transfer through a moving interface of single drops 査読

A. Hirata, Shinichi Nishizawa, Y. Okano

Unknown Host Publication Title 1992年1月

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記述言語：英語
Numerical study of transport phenomena through fluid-liquid interfaces 査読

Akira Hirata, Yasunori Okano, Shinichi Nishizawa

Bulletin of Centre for Informatics (Waseda University) 8 9 - 22 1988年9月

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記述言語：英語

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書籍等出版物

エネルギーの未来脱・炭素エネルギーに向けて

馬奈木俊介, 尾沼広基, 藤田敏之, 板岡健之, 原田達朗, 岡田重人, 島谷幸宏, 村川友美, 柿本浩一, 西澤伸一, 矢部光保, 村田純一, 分山達也（担当：共著）

中央経済社 2019年3月

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記述言語：日本語著書種別：一般書・啓蒙書
SiC素子の基礎と応用

西澤伸一, 加藤智久, 木藤泰男, 小柳直樹, 廣瀬富佐雄, 山口博隆, 大谷昇（担当：共著）

西澤伸一、加藤智久、木藤泰男、小柳直樹、廣瀬富佐雄、山口博隆、大谷昇 2003年3月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

講演・口頭発表等

Recent Progress of scaled Si-IGBT and related technologies 招待国際会議

Shin-ichi NISHIZAWA

6th edition of IEEE International Conference on Emerging Electronics 2022年12月

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開催年月日： 2022年12月 - 2023年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：インド
Recent Silicon wafer R&D trend as future PE key technology 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

The 2nd International Workshop on New Generation Power Electronics and Systems 2020年1月

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開催年月日： 2020年1月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
シリコン結晶成長における温度勾配と成長速度の関係招待

西澤伸一, 原田博文, 宮村佳児

第48回結晶成長国内会議（JCCG-48） 2019年11月

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開催年月日： 2019年10月 - 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪国名：日本国
結晶成長速度が固液界面形状および結晶内温度分布に及ぼす影響

西澤伸一, 原田博文, 宮村佳児

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：札幌国名：日本国
EFFECTS OF GROWTH RATE ON MELT/CRYSTAL INTERFACE SHAPE AND TEMPERATURE DISTRIBUTION IN GROWING CRYSTAL 国際会議

Shin-ichi Nishizawa

ICCGE19 2019年7月

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開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
WBG road map activies in NPERC-J 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

WBG Roadmap Workshop 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：グアム
Future Power Devices and Semiconductor Wafer Materials 国際会議

Shin-ichi Nishizawa

The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Effect of Nitrogen / Aluminum on Silicon Carbide Poly-type Stability 国際会議

Shin-ichi Nishizawa, Frederic Mercier

International Workshop on Modeling in Crystal Growth9 (IWMCG9) 2018年10月

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
三次元スケーリングによるIGBTのV_CEsat低減の実験的検証

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若井整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2017年11月

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開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：鹿児島大学国名：日本国

Three dimensionally scaled IGBTs that have a scaling factor of 3 (k=3) with respect to current commercial products (k=1) were fabricated for the first time. The scaling was applied to the lateral and vertical dimensions as well as the gate voltage. A significant decrease in ON resistance, -- V_CEsat reduction from 1.70 to 1.26 V -- was experimentally confirmed for the 3D scaled IGBTs.
Silicon Carbide Single Crystal Growth by Sublimation and its Poly-type Control 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

The 7^th Asian Conference On Crystal Growth and Crystal Technology 2017年10月

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
Power Electronics Application of Widebadngap Semiconductor with its superior properties 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

German-Japanese Symposium "Regional Innovation and Cluster Collaborations" 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
WBG Roadmap-Lead Application 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

The 5^th NPERC-J Workshop "Wide bandgap devices and lead applications" 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Improvement of Si Materials and Processes for Si power devices 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

7^th International Workshop on Crystal Growth Technology 2017年7月

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Traning and educating crystal growth technology 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

7^th International Workshop on Crystal Growth Technology 2017年7月

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開催年月日： 2017年7月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：ドイツ連邦共和国
An Evaluation Circuit for DC-Link Capacitors Used in a Single-Phase PWM Inverter 国際会議

Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shin-ichi Nishizawa

PCIM Europe 2017年5月

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開催年月日： 2017年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
WBG Roadmap-Lead Applications 招待国際会議

Shin-ichi Nishizawa

CLINT-WPE Workshop:Cooperation with Japan Wide Bandgap Lead Applications & Advanced Requirements 2017年3月

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
Investigations on Acceptable Breakdown Voltage Variation of Parallel-Connected SiC MOSFETs Applied in Solid-State Circuit Breakers 国際会議

Z. Lou, K. Wada, W. Saito, S.-I. Nishizawa

ESREF 2021 : 32th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2021 2021年10月

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
Avalanche Current Balancing Using Parallel Connection of SiC-JFETs with Cascode Connection 国際会議

M. Sagara, K. Wada, S.-I. Nishizawa, W. Saito

ESREF 2021 : 32th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2021 2021年10月

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：フランス共和国
Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology 国際会議

Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

ISPSD2021 2021年6月

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開催年月日： 2021年5月 - 2021年6月

記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

国名：日本国
Accurate TCAD Simulation of Trench-Gate IGBTs and Its Application to Prediction of Carrier Lifetime Requirements for Future Scaled Devices 招待国際会議

M. Watanabe, N. Shigyo , T. Hoshii , K. Furukawa , K. Kakushima , K. Satoh , T. Matsudai , T. Saraya, T. Takakura, I. Muneta, H. Wakabayashi , A. Nakajima, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi , H. Iwai

5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021) 2021年4月

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開催年月日： 2021年4月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
新世代Si-IGBTを支えるウェハ・プロセス技術

西澤伸一

日本学術振興会第145委員会　第171回研究会 2021年2月

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開催年月日： 2021年2月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
新世代Si-IGBTを支えるウェハ・プロセス技術

西澤伸一

2021年2月

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開催年月日： 2021年2月

記述言語：その他

国名：日本国
DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討

Lou Zaiqi，齋藤渉，西澤伸一

電気学会,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 2020年12月

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開催年月日： 2020年12月

記述言語：日本語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：オンライン国名：日本国
DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討

Lou Zaiqi, 齋藤渉, 西澤伸一

電気学会,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 2020年12月

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開催年月日： 2020年12月

記述言語：その他

国名：日本国
60-150 V 系フィールドプレートパワー MOSFET の損失低減に向けた設計指針

小川大地, 齋藤渉, 西澤伸一

電気学会,電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 2020年12月

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開催年月日： 2020年12月

記述言語：日本語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

開催地：オンライン国名：日本国
High dV/dt controllability of 1.2kV TCIGBT through dynamic avalanche elimination 国際会議

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin Ichi Nishizawa, Wataru Saito

2020 International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Asia 2020 2020年11月

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開催年月日： 2020年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
Gate drive circuit for current balancing of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode 国際会議

Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa

31st EUROPEAN SYMPOSIUM ON RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS (ESREF) 2020年10月

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開催年月日： 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ギリシャ共和国
Investigation of Acceptable Breakdown Voltage Variation for Parallel-Connected SiC-MOSFET during UIS Test 国際会議

Zaiqi Lou, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Investigation of Acceptable Breakdown Voltage Variation for Parallel-Connected SiC-MOSFET during UIS Test 国際会議

Zaiqi Lou, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：その他

国名：日本国
Modeling and simulation of Si IGBTs 国際会議

N. Shigyo, M. Watanabe, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, A. Nakajima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi

2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2020 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月 - 2020年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Modeling and simulation of Si IGBTs 国際会議

N. Shigyo, M. Watanabe, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, A. Nakajima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi

2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2020 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月 - 2020年10月

記述言語：その他

国名：日本国
DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲に関する研究

Lou Zaiqi, 齋藤渉, 西澤伸一

第28回電気情報通信学会九州支部学生講演会 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
低耐圧フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針と性能限界

小川大地, 齋藤渉, 西澤伸一

第28回電気情報通信学会九州支部学生講演会 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：その他

国名：日本国
低耐圧フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針と性能限界

小川大地，齋藤渉，西澤伸一

第28回電気情報通信学会九州支部学生講演会 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン国名：日本国
High Switching Controllability Trench Gate Design in Si-IGBTs 国際会議

Wataru Saito; Shin-ichi Nishizawa

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オーストリア共和国
Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation 国際会議

Peng Luo, Sankara Narayanan, Ekkanath Madathil, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：その他

国名：オーストリア共和国

Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation
Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization 国際会議

Ryohei Sato, Koichi Kakimoto, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：その他

国名：オーストリア共和国
Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization 国際会議

Ryohei Sato, Koichi Kakimoto, Wataru Saito, Shin Ichi Nishizawa

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2020 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オーストリア共和国
Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation 国際会議

Peng Luo; Sankara Narayanan Ekkanath Madathil; Shin-ichi Nishizawa; Wataru Saito

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：オーストリア共和国
High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation 国際会議

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) 2020年3月

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation

Peng Luo, Sankara Narayanan, Ekkanath Madathil, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) 2020年3月

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：その他

国名：アメリカ合衆国
Dynamic avalanche free design in 1.2kV Si-IGBTs for ultra high current density operation 国際会議

Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Shin-ich Nishizawa, Wataru Saito

65th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2019 2019年12月

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開催年月日： 2019年12月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算

佐藤亮平, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 更屋拓哉, 平本俊郎, 柿本浩一, 西澤伸一

電気学会電子デバイス／半導体電力変換合同研究会 2019年11月

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台国名：日本国
5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実装

更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

電気学会電子デバイス／半導体電力変換合同研究会 2019年11月

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開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：仙台国名：日本国
CZシリコン結晶引き上げ過程における酸素偏析のモデル化

劉鑫, 原田博文, 宮村佳児, 韓学峰, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一

第48回結晶成長国内会議（JCCG-48） 2019年10月

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開催年月日： 2019年10月 - 2019年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪国名：日本国
Evaluation of SiC-MOSFET by repetitive UIS tests for solid state circuit breaker 国際会議

Mitsuhiko Sagara, Keiji Wada, Shin-ichi Nishizawa

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月 - 2019年10月

記述言語：英語

国名：日本国
CZシリコン結晶引き上げ過程における酸素と炭素の偏析のモデル化

劉鑫, 原田博文, 宮村佳児, 韓学峰, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：札幌国名：日本国
TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の２DEG側界面電荷への影響

沖田寛昌, 星井拓也, 松橋泰平, Indraneel Sanyal, Yu-Chin Chen, Ying-Hao Ju, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, Jen-Inn Chyi, 筒井一生

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：札幌国名：日本国
熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算

佐藤亮平, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 更屋拓哉, 平本俊郎, 柿本浩一, 西澤伸一

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：札幌国名：日本国
Impact of structural parameter scaling on on-state voltage in 1200V scaled IGBTs 国際会議

Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Toshiro Hiramoto

SSDM 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Turn-off loss improvement by IGBT scaling 国際会議

Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Toshiro Hiramoto

SSDM 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語

国名：日本国
Transient Global Modeling of CZ-Si crystal growth: Segregation of O & C during Pulling 国際会議

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, and Koichi Kakimoto

ICCGE19 2019年8月

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開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Transient Global Modeling for the Pulling Process of CZ-Si Crystal Growth: Principles, Formulation and Implementation 国際会議

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, and Koichi Kakimoto

ICCGE19 2019年7月

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開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
CO concentration in Cz furnace 国際会議

Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, Koichi Kakimoto

ICCGE19 2019年7月

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開催年月日： 2019年7月 - 2019年8月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Masanori Tsukuda, Yohichiroh Numasawa, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Shin Ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2019 2019年5月

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語

国名：中華人民共和国
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiro Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin Ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2019 2019年5月

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語

国名：中華人民共和国
Trend in Thermal Resistance of Advanced Power Modules 国際会議

Nobuyuki Shishido, Masanori Tsukuda, Shin-ichi Nishizawa

PCIM Europe 2019年5月

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
CZ炉内のCO濃度

宮村佳児, 原田博文, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京国名：日本国

ＣＺ炉内のＣＯガス濃度をガスクロマトグラフにより測定した。炉内の脱ガスによって発生するCOと、石英ルツボと黒鉛ルツボの反応に起因するCO、及び、Si融液に石英ルツボが溶解して発生するSiOガスと黒鉛部材の反応で発生するCO のそれぞれの寄与を分離して把握した。
不均一横磁場下のSi-CZ結晶成長における酸素移動現象の理解

柿本浩一, Liu Xin, 中野智, 宮村佳児, 原田博文, 西澤伸一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京国名：日本国
Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価

小林弘人, 横川凌, 木下晃輔, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京国名：日本国

Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Si-IGBT)は高耐圧パワー半導体デバイスとして今後の主流になると期待され、3Dスケーリング等の開発が進められている。さらに、Si-IGBTの性能向上にはキャリアライフタイム制御も重要である。 Si-IGBT製造には、周囲に空乏層を作り耐圧を高めるためにガードリングを形成する必要がある。このガードリングを形成するプロセスでは、1100℃、3 hourの高温ウエット酸化処理で約1 μmのマスク酸化膜を形成し、リソグラフィとエッチングでパターンを形成し、Bイオン注入を行う。続いて1100℃、20 hourの拡散処理を行なっている。本研究では、高温ウエット酸化処理プロセスにより、酸素がFZ-Si中に注入され、少数キャリアライフタイムが減少することを見出したので報告する。
パワーデバイス用シリコンウェーハのイオン注入欠陥評価招待

中川聰子, 南俊郎, 石川高志, 西澤伸一

第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：日本語

開催地：横須賀市国名：日本国
Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss 国際会議

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, Shinichi Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

64th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018 2018年12月

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開催年月日： 2018年12月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in CZ-Si crystal growth 国際会議

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, and Koichi Kakimoto

The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語

国名：日本国
Performance Prediction of Scaled p-channel GaN MOSFET on Polarization Junction Platform 国際会議

Takuya Hoshii, Shuma Tsuruta, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui

The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) 2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证招待

刘鑫, 原田博文, 宫村佳儿, 韩学峰, 中野智, 西泽伸一, 柿本浩一

2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：その他会議種別：口頭発表（一般）

開催地：西安国名：コロンビア共和国
SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価

相良光彦, 和田圭二, 西澤伸一

電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2018年11月

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開催年月日： 2018年11月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：川崎市国名：日本国
Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in in Czochralski silicon crystal growth

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, and Koichi Kakimoto

2018年11月

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開催年月日： 2018年10月 - 2018年11月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Numerical Analyses and Experimental Validations on Transport and Control of Carbon in Czochralski Silicon Crystal Growth 国際会議

Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, Xin Liu

International Workshop on Modeling in Crystal Growth9 (IWMCG9) 2018年10月

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開催年月日： 2018年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
シリコンウェーハにおけるボロンイオン注入ダメージのCL評価

中川聰子, 南俊郎, 石川高志, 西澤伸一

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋市国名：日本国
Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価

小林弘人, 横川凌, 木下晃輔, 沼沢陽一郎, 小掠厚志, 西澤伸一, 更屋拓也, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋市国名：日本国
AlGaN/GaN 界面準位が分極接合基板上 p-MOSFET の電流特性に与える影響

鶴田脩真, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：名古屋市国名：日本国
Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in CZ-Si crystal growth 国際会議

Xin Liu, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Xue-Feng Han, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa, and Koichi Kakimoto

the Sixth European Conference on Crystal Growth (ECCG6) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語

国名：ブルガリア共和国
Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately 国際会議

T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：ドイツ連邦共和国
繰り返しUIS試験におけるSiCスイッチング素子の劣化評価

相良光彦, 和田圭二, 西澤伸一

電気学会産業応用部門大会（JIASC2018) 2018年8月

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開催年月日： 2018年8月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：横浜市国名：日本国
New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment 国際会議

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

32nd IEEE Symposium on VLSI Circuits, VLSI Circuits 2018 2018年6月

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開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：アメリカ合衆国
Silicon crystal growth of solar cells: Lessons learned from the pasts 国際会議

Koichi Kakimoto, Satosi Nakano, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Xin Liu, Xuefeng Han, and Shin-ichi Nishizawa

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 2018年4月

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開催年月日： 2018年4月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
3D scaling of Si-IGBT 招待国際会議

H. Iwai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi

EUROSOI-ULIS 2018 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：スペイン
Si-IGBTプロセスによるFz-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価

小林弘人, 横川凌, 鈴木貴博, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学（東京都）国名：日本国
分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

星井拓也, 高山留美, 鶴田脩真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学（東京都）国名：日本国

分極接合による高濃度二次元正孔ガスの形成技術を利用したPチャネルFETのデバイス特性をシミュレーションで検討するに当たり、AlGaN/GaN界面に生じる二次元正孔／電子ガスを枯渇させるバックゲート電圧が実測と大きく乖離する現象が見られた。本講演ではAlGaN/GaN界面に界面準位を想定することで実測を一部よく再現する結果が得られたので報告する。
高効率シリコン太陽電池用単結晶育成と評価の温故知新

柿本浩一, 宮村佳児, 原田博文, Xin Liu, Han Xuefeng, 中野智, 西澤伸一

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：早稲田大学（東京都）国名：日本国
3D Scaling for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Low Vce(sat) 国際会議

K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

2017年10月

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：中華人民共和国
Demonstration of Reduction in Vce(sat) of IGBT based on a 3D Scaling Principle 招待国際会議

K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. akakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月

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開催年月日： 2017年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国
Experimental verification of a 3D scaling principle for low V _ce(sat) IGBT

K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, Shinichi Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

62nd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016 2016年12月

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開催年月日： 2016年12月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
A new evaluation circuit with a low-voltage inverter intended for capacitors used in a high-power three-phase inverter

Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shinichi Nishizawa

31st Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2016 2016年3月

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Wafer requirement for future power devices

Shinichi Nishizawa

35th IEEE Region 10 Conference, TENCON 2015 2015年11月

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開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語

国名：マカオ(澳門)特別行政区
An Overview of GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology on Polarization-Junction Platform

Akira Nakajima, Shinichi Nishizawa, Shunsuke Kubota, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

37th IEEE International Symposium on Workload Characterization, IISWC 2015 2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
The silicon on diamond structure by low-temperature bonding technique

Sethavut Duangchan, Yusuke Uchikawa, Yusuke Koishikawa, Baba Akiyoshi, Kentaro Nakagawa, Satoshi Matsumoto, Masataka Hasegawa, Shinichi Nishizawa

2015 65th IEEE Electronic Components and Technology Conference, ECTC 2015 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Theoretical Loss analysis of power converters with 1200 v class Si-IGBT and SiC-MOSFET

Akira Nakajima, Wataru Saito, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

2015 International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2015 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語

国名：ドイツ連邦共和国
GaN-based monolithic power integrated circuit technology with wide operating temperature on polarization-junction platform

Akira Nakajima, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Shunsuke Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

27th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2015 2015年5月

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語

国名：中華人民共和国
High-speed dicing of SiC wafers by femtosecond pulsed laser

Akira Nakajima, Yosuke Tateishi, Hiroshi Murakami, Hidetomo Takahashi, Michiharu Ota, Ryoji Kosugi, Takeshi Mitani, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2014 2014年9月

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語

国名：フランス共和国
One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel heterojunction field effect transistors

Akira Nakajima, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Hiroaki Yonezawa, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

26th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2014 2014年6月

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開催年月日： 2014年6月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Experimental investigation of normally-on type bidirectional switch for indirect Matrix Converters

Kyungmin Sung, Ryuji Iijima, Shinichi Nishizawa, Isami Norigoe, Hiromichi Ohashi

7th International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014 2014年5月

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開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語

国名：日本国
2.5kV, 200kW bi-directional isolated DC/DC converter for medium-voltage applications

Yuji Matsuoka, Keiji Wada, Mizuki Nakahara, Kazuto Takao, Kyungmin Sung, Hiromichi Ohashi, Shinichi Nishizawa

7th International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014 2014年1月

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開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語

国名：日本国
Characterization of two-dimensional hole gas at GaN/AlGaN heterointerface

Pucheng Liu, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai, Akira Nakajima, Toshiharu Makino, Masahiro Ogura, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2013 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
4.5 kV - 400 A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair module for high switching frequency operation

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

2013 2nd International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology, ICEPE-ST 2013 2013年10月

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開催年月日： 2013年10月

記述言語：英語

国名：日本国
Experimental evaluation of 10kHz switching operation of 4.5kV-400A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair module

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

5th Annual IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition, ECCE 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Experimental evaluation of 10kHz switching operation of 4.5kV-400A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair module

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

5th Annual IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition, ECCE 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Maximum switching frequency characterization of 4.5kV-400A SiC-PiN diode and Si-IEGT hybrid pair power module

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

5th Annual IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition, ECCE 2013 2013年9月

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Silicon carbide bulk crystal growth modeling from atomic scale to reactor scale

Shinichi Nishizawa

2nd Symposium on Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) Power Technologies - ECS Fall 2012 Meeting 2012年10月

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開催年月日： 2012年10月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
4.5kV-400A modules using SiC-PiN diodes and Si-IEGTs hybrid pair for high power medium-voltage power converters

Kazuto Takao, Keiji Wada, Kyungmin Sung, Yuji Mastuoka, Yasunori Tanaka, Shinichi Nishizawa, Chiharu Ota, Takeo Kanai, Takashi Shinohe, Hiromichi Ohashi

4th Annual IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2012 2012年9月

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Design and implementation of a non-destructive test circuit for SiC-MOSFETs

Keiji Wada, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

2012 IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference - ECCE Asia, IPEMC 2012 2012年6月

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語

国名：中華人民共和国
Diamond power devices - Possbility of high voltage applicatios

S. Yamasaki, T. Matsumoto, K. Oyama, H. Kato, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Makino, Shinichi Nishizawa, H. Oohash, H. Okushi

2011 1st International Conference on Electric Power Equipment - Switching Technology, ICEPE2011 2011年10月

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開催年月日： 2011年10月

記述言語：英語

国名：中華人民共和国
Analysis of growth velocity of SiC growth by the physical vapor transport method

Koichi Kakimoto, Bing Gao, Takuya Shiramomo, Satoshi Nakano, Shinichi Nishizawa

14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Bulk and surface effects on the polytype stability in SiC crystals

14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011 2011年9月

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開催年月日： 2011年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Design and analysis of a bus bar structure for a medium voltage inverter

Masato Ando, Keiji Wada, Kazuto Takao, Takeo Kanai, Shinichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

2011 14th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2011 2011年8月

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)
Effect of low frequency magnetic field on SiC solution growth

8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2010 2010年8月

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開催年月日： 2010年8月 - 2010年9月

記述言語：英語

国名：ノルウェー王国
Calculation of lattice constant of 4H-SiC as a function of impurity concentration

Tsubasa Matsumoto, Shinichi Nishizawa, Satoshi Yamasaki

13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009 2009年10月

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開催年月日： 2009年10月

記述言語：英語

国名：ドイツ連邦共和国
Doping concentration optimization for ultra-low-loss 4H-SiC floating junction Schottky barrier diode (Super-SBD)

C. Ota, J. Nishio, K. Takao, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, Shinichi Nishizawa, H. Ohashi

7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2008 2008年9月

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開催年月日： 2008年9月

記述言語：英語

国名：スペイン
Demonstration of motor drive with SiC normally-off IEMOSFET/ SBD power converter

S. Harada, Y. Hayashi, K. Takao, A. Kinoshita, M. Kato, M. Okamoto, T. Kato, Shinichi Nishizawa, T. Yatsuo, K. Fukuda, H. Ohashi, K. Arai

19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD'07 2007年5月

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開催年月日： 2007年5月

記述言語：英語

国名：大韓民国
Effect of radiation in solid during SiC sublimation growth

Shinichi Nishizawa, Shin Ichi Nakashima, Tomohisa Kato

2006 MRS Spring Meeting 2006年4月

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開催年月日： 2006年4月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Silicon carbide growth C/Si ratio evaluation and modeling

Michel Pons, Shinichi Nishizawa, Peter Wellmann, Elisabeth Blanquet, Didier Chaussende, Jean Marc Dedulle

2006 MRS Spring Meeting 2006年4月

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開催年月日： 2006年4月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Activation treatment of ion implanted dopants using hybrid super RTA equipment

Akimasa Kinoshita, Junji Senzaki, Makoto Katou, Shinsuke Harada, Mitsuo Okamato, Shinichi Nishizawa, Kenji Fukuda, Fukuyoshi Morigasa, Tomoyoshi Endou, Takuo Isii, Teruyuki Yashima

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005, (ICSCRM 2005) 2005年9月

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開催年月日： 2005年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Recent progress of SiC hot-wall epitaxy and its modeling

Shinichi Nishizawa, Michel Pons

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005, (ICSCRM 2005) 2005年9月

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開催年月日： 2005年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Fabrication of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes (Super-SBDs) and their electrical properties

C. Ota, J. Nishio, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, Shinichi Nishizawa, H. Ohashi

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005, (ICSCRM 2005) 2005年9月

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開催年月日： 2005年9月

記述言語：英語

国名：アメリカ合衆国
Numerical simulation of SIC processes A characterization tool for the design of epitaxial structures in electronics

M. Pons, Shinichi Nishizawa, P. Wellmann, M. Ucar, E. Blanquet, J. M. Dedulle, F. Baillet, D. Chaussende, C. Bernard, R. Madar

15th European Conference on Chemical Vapor Deposition, EUROCVD-15 2005年9月

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開催年月日： 2005年9月

記述言語：英語

国名：ドイツ連邦共和国
Defect characterization of 4H-SiC bulk crystals grown on micropipe filled seed crystals

Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinichi Nishizawa, Kazuo Arai

5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECRSCRM2004 2004年8月

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開催年月日： 2004年8月 - 2004年9月

記述言語：英語

国名：イタリア共和国
Numerical analysis of growth condition on SiC-CVD in the horizontal hot-wall reactor

Shinichi Nishizawa, Michel Pons

5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECRSCRM2004 2004年8月

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開催年月日： 2004年8月 - 2004年9月

記述言語：英語

国名：イタリア共和国

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MISC

Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-

執行直之, 渡辺正裕, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 中島昭, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 2020年10月

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記述言語：その他
トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告 2019年10月

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記述言語：その他
TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

沖田寛昌, 星井拓也, 松橋泰平, SANYAL Indraneel, CHEN Yu-Chih, JU Ying-Hao, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, CHYI Jen-Inn, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年9月

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記述言語：その他
AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

鶴田脩真, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月

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記述言語：その他
分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

星井拓也, 高山留美, 鶴田脩真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月

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記述言語：その他
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告 2017年10月

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記述言語：その他
分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年9月

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記述言語：その他
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造のインピーダンス解析

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年9月

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記述言語：その他
P/N混載GaNパワー集積回路技術の現状

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 若林整, UNNI V., NARAYANAN E. M. S.

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年9月

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記述言語：その他
アルミ電解コンデンサ損失の矩形波電流流入時の損失推定 (半導体電力変換モータドライブ合同研究会・半導体電力変換及びモータドライブ一般)

長谷川一徳, 上妻健太郎, 津崎孝典, 大村一郎, 西澤伸一

電気学会研究会資料. MD 2016年8月

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記述言語：日本語
AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果

久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月

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記述言語：その他
広い温度範囲で動作するワンチップGaNパワー集積回路技術 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 萱沼怜, 筒井一生, 久保田俊介, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2015年10月

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記述言語：日本語
分極接合GaNウエハを用いたパワー集積回路

萱沼怜, 久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年3月

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記述言語：その他
AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

久保田俊介, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年3月

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記述言語：その他
分極接合プラットフォームを用いた窒化ガリウムN/Pトランジスタのワンチップ集積化技術

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 米澤宏昭, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

電気学会電子デバイス研究会資料 2014年11月

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記述言語：その他
デバイスシミュレーションによるGaN系ジャンクションレス・トランジスタにおける閾値電圧特性の検証

YOON Minjae, 中島昭, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 名取研二, 筒井一生, 西澤伸一, 大橋弘通, 杉井信之, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月

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記述言語：その他
2次元正孔ガスへのコンタクト形成におけるSiO₂堆積プロセスの影響

久保田俊介, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月

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記述言語：その他
AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

萱沼怜, 久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月

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記述言語：その他
超短パルスレーザを用いたSiCウエハの高速ダイシング加工

中島昭, 立石陽介, 村上寛, 高橋秀知, 太田道春, 小杉亮治, 三谷武志, 西澤伸一, 大橋弘通

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月

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記述言語：その他
デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証

YOON Minjae, 寺山一真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月

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記述言語：その他
デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算

寺山一真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月

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記述言語：その他
広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

米澤宏昭, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月

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記述言語：その他
AlGaN/GaN系pチャネルHFETの製作

米澤宏昭, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年9月

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記述言語：その他
低温におけるGaN/AlGaNヘテロ界面の2次元正孔ガスの伝導機構

LIU P., 中島昭, 角嶋邦之, 牧野俊晴, 小倉政彦, 西澤伸一, 岩井洋, 大橋弘通

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月

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記述言語：その他
Analysis of growth velocity of SiC growth by the physical vapor transport method

Koichi Kakimoto, Bing Gao, Takuya Shiramomo, Satoshi Nakano, Shin-ichi Nishizawa

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 2012年3月

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記述言語：英語

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.25
SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method : Use of Numerical Simulation

NISHIZAWA Shin-ichi, KATO Tomohisa, KITOU Yasuo, HIROSE Fusao, OYANAGI Naoki, YAMAGUCHI Hirotaka, ARAI Kazuo

IEICE transactions on electronics 2003年4月

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記述言語：英語

SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method : Use of Numerical Simulation
シリコン液柱内の対流と温度変動

中村新, 日比谷孟俊, 今石宣之, 西澤伸一, 加藤浩和, 小山正人

1997年10月

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記述言語：英語
Experimental Results of Oscillatory Marangoni Convection in a Liquid Bridge under Normal Gravity

Hirata Akira, Nishizawa Shin-ichi, Sakurai Masato

JASMA : Journal of the Japan Society of Microgravity Application 1997年4月

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記述言語：英語

Experimental Results of Oscillatory Marangoni Convection in a Liquid Bridge under Normal Gravity
Measurement of Temperature Fluctuations in Marangoni Convection in a Half-zone Silicon Melt on Board the TR-IA-4 Rocket (特集 TR-IA4号機)

1997年2月

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記述言語：英語
シリコン液柱内マランゴニ対流の温度振動と温度分布

中村新, 柿本浩一, 日比谷孟俊, 今石宣之, 西澤伸一, 平田彰, 向井楠宏, 依田真一, 森田知二

1996年10月

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記述言語：英語
微小重力状態を利用した半導体シリコンメルトのマランゴニ対流の温度振動の精密測定とマランゴニ対流モード

日比谷孟俊, 中村新, 柿本浩一, 今石宣之, 西澤伸一, 平田彰, 向井楠宏, 松井捷明, 横田孝夫, 依田真一, 森田知二

日本結晶成長学会誌 1996年7月

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記述言語：日本語
TR-IA-4号小型ロケットによるシリコンメルトマランゴニ対流の温度振動測定

中村新, 柿本浩一, 日比谷孟俊, 西澤伸一, 平田彰, 今石宣之, 足立聡, 依田真一, 中村富久, 鮫島浩人

1995年10月

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記述言語：英語

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所属学協会

応用物理学会
化学工学会
日本結晶成長学会
IEEE（ED）
IEEE(PELS)

委員歴

一般社団法人NPERC-J 理事国内

2019年6月 - 2024年5月
一般社団法人NPERC-J 上級アカデミア会員・技術部長国内

2019年6月 - 2024年5月
幹事幹事国内

2019年4月 - 2023年3月
日本結晶成長学会評議員国内

2016年4月 - 2023年10月
日本学術振興会第145委員会幹事国内

2009年4月 - 2022年3月

学術貢献活動

Program Chair 国際学術貢献

The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials （ Okayama Japan ） 2022年11月

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種別：大会・シンポジウム等
幹事

日本学術振興会第145委員会第171回研究会（九州大学） 2021年2月 - 2021年6月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2021年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：10

国際会議録　査読論文数：6
Electronics Letters 国際学術貢献

役割：査読

2020年4月 - 2021年6月

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種別：学会・研究会等
Superlattices and Microstructures 国際学術貢献

役割：査読

2020年4月 - 2021年6月

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種別：学会・研究会等
Microelectronics Journal 国際学術貢献

役割：査読

2020年4月 - 2021年6月

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種別：学会・研究会等
Materials Science in Semiconductor Processing 国際学術貢献

役割：査読

2020年4月 - 2021年6月

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種別：学会・研究会等
その他国際学術貢献

（東京 Japan ） 2020年1月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：100
学術論文等の審査

役割：査読

2020年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：6

国際会議録　査読論文数：5
その他

日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第165回研究会（関西学院大学 Japan ） 2019年11月

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種別：大会・シンポジウム等
学術論文等の審査

役割：査読

2019年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：7

国際会議録　査読論文数：10
その他国際学術貢献

（岡山市 Japan ） 2018年11月

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種別：大会・シンポジウム等
その他国際学術貢献

（ Kona(Hawaii） UnitedStatesofAmerica ） 2018年10月

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種別：大会・シンポジウム等

参加者数：100
その他国際学術貢献

（東京 Japan ） 2018年10月

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種別：大会・シンポジウム等
Journal of Crystal Growth 国際学術貢献

2018年10月 - 2020年5月

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種別：学会・研究会等
学術論文等の審査

役割：査読

2018年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：5

国際会議録　査読論文数：10
その他国際学術貢献

（東京 Japan ） 2017年9月

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種別：大会・シンポジウム等
その他

第5回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会（国立研究開発法人産業技術総合研究所つくば共用講堂 Japan ） 2017年2月

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種別：大会・シンポジウム等
ECCE Asia 国際学術貢献

役割：査読

2017年2月 - 2022年6月

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種別：学会・研究会等
IEEE 国際学術貢献

役割：査読

2017年2月 - 2020年6月

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種別：学会・研究会等
Journal of Crystal Growth 国際学術貢献

役割：査読

2017年2月 - 2020年6月

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種別：学会・研究会等
Japanese Journal of Applied Physics

役割：査読

2017年2月 - 2020年6月

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種別：学会・研究会等
Microelectronics Reliability 国際学術貢献

役割：査読

2017年2月 - 2020年6月

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種別：学会・研究会等
IET Power Electronics 国際学術貢献

役割：査読

2017年2月 - 2020年6月

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種別：学会・研究会等
学術論文等の審査

役割：査読

2017年

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種別：査読等

外国語雑誌　査読論文数：4

国際会議録　査読論文数：20
その他

学術振興会第145委員会幹事 2009年4月 - 現在

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種別：大会・シンポジウム等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

次世代パワー半導体プロセス技術開発

2024年

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資金種別：寄附金
次世代パワー半導体プロセス技術開発

2023年

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資金種別：寄附金
大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発

2021年6月 - 2026年2月

経済産業省／NEDO

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担当区分：研究代表者

高品質量産型300mm新型シリコンウェハと、それをベースにしたパワーデバイスと、AI制御によるCMOS融合パワーモジュールを実証、実現するための取り組みとして以下を実施する。
産学連携・一括共同研究型プロジェクトで、5年間、総額約25億円。
大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発

2021年 - 2025年

省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業

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担当区分：研究代表者資金種別：受託研究
新世代パワー半導体の開発/大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発

2021年 - 2023年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
New SiC bulk growth reactor design 国際共著

2020年4月 - 2025年3月

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担当区分：研究代表者
New SiC bulk growth reactor design

2020年4月 - 2023年2月

Joint research

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
応用力学研究所研究資金

2020年

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資金種別：寄附金
電力エネルギー有効利用のための新世代パワーデバイスの提案（英国・シェフィールド大学 EKKANATH MADATHIL Sankara Narayanan教授）

2019年

日本学術振興会外国人研究者招へい事業（外国人招へい研究者（短期））

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担当区分：研究代表者資金種別：共同研究
速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス

2018年4月 - 2021年3月

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担当区分：研究代表者
速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス

研究課題/領域番号：18H01891 2018年 - 2020年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

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担当区分：研究代表者資金種別：科研費
SiC半導体の遮断器応用技術に関する研究

2017年12月 - 2019年3月

受託研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
低ネガワットコストウェハの研究

2017年12月 - 2019年3月

受託研究

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担当区分：研究代表者資金種別：その他産学連携による資金
低ネガワットコストウェハの研究

2017年12月 - 2019年3月

一般社団法人NPERC-J

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担当区分：研究代表者

CZ法によるシリコン単結晶成長において、比抵抗を成長初期から成長終了までデバイス要求仕様範囲に収めることを目標に、ドーピング技術、結晶成長炉全体の最適化、プロセスモニタリング技術などを、結晶成長炉総合解析を用いて検討し、実プロセス装置への提案を行う。
SiC半導体の遮断器応用技術に関する研究

2017年12月 - 2019年3月

一般社団法人NPERC-J

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担当区分：研究代表者

SiCパワー半導体の動作特性、および破壊物理を明確にすることで、Siパワーデバイスに対するSiCの優位性を定量的に明確にする。特にSiCの低オン抵抗・大破壊耐量に着目し、SiCリードアプリケーションとしてDCブレーカーを取り上げ、その実証を行う。
新世代Si-IGBT と応用基本技術の研究開発

2017年2月 - 2020年2月

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担当区分：研究分担者

従来技術の延長線上にない我が国独自の「IGBT のスケーリング則」に基づいた「新世代 Si-IGBT と応用基本技術」を産学官が一体となり実用化を念頭に開発・実証し、民間企業が早期に実用化できる環境を作ることを目的とする。
チョクラルスキー法を用いた高品質・大口径Si-IGBT用ウェハ技術の開発

2017年2月 - 2018年2月

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担当区分：研究代表者

n-層ライフタイムがIGBTエネルギー損失に与える影響の研究。
低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／研究開発項目①(10) 新世代Ｓｉパワーデバイス技術開発／新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発

2017年 - 2019年

NEDO（低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト）

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担当区分：研究分担者資金種別：受託研究
チョクラルスキー法を用いた高品質・大口径Si-IGBT用ウェハ技術の開発

2017年

NEDO

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担当区分：研究分担者資金種別：受託研究

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担当授業科目

パワーデバイス材料工学

2024年4月 - 2024年6月春学期
デバイス理工学特論Ⅲ

2023年10月 - 2024年3月後期
総合理工学修士演習

2023年4月 - 2024年3月通年
総合理工学修士演習

2023年4月 - 2024年3月通年
総合理工学修士実験

2023年4月 - 2024年3月通年
パワーデバイス材料工学

2023年4月 - 2023年6月春学期
総合理工学修士実験

2022年4月 - 2023年3月通年
総合理工学修士演習

2022年4月 - 2023年3月通年
パワーデバイス材料工学

2022年4月 - 2022年6月春学期
パワーデバイス材料工学

2021年4月 - 2021年6月春学期
パワーデバイス材料工学

2021年4月 - 2021年6月春学期
電気エネルギー変換工学

2020年10月 - 2021年3月後期
力学Ⅰ

2020年10月 - 2021年3月後期
力学Ⅰ

2020年10月 - 2021年3月後期
電気エネルギー変換工学

2020年10月 - 2021年3月後期
航空宇宙工学実験

2020年4月 - 2021年3月通年
航空宇宙工学演習 I

2020年4月 - 2021年3月通年
航空宇宙工学演習 II

2020年4月 - 2021年3月通年
航空宇宙構造動力学講究

2020年4月 - 2021年3月通年
電気エネルギー変換工学

2019年10月 - 2020年3月後期
力学Ⅰ

2019年10月 - 2020年3月後期
力学Ⅰ

2018年10月 - 2019年3月後期
電気エネルギー変換工学

2018年10月 - 2019年3月後期
力学Ⅰ

2017年10月 - 2018年3月後期

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他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

2024年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2023年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2022年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2021年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2020年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2019年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2018年東京大学生産技術研究所　リサーチフェロー国内外の区分:国内
2017年学習院大学理学部区分:非常勤講師国内外の区分:国内

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社会貢献・国際連携活動概要

産学連携コンソーシアムである一般社団法人NPERC-Jの理事、上級アカデミア会員、中核研究拠点として、新世代パワーエレクトロニクスに関する調査・研究活動を牽引している。また欧米の産学連携コンソーシアムとコンソーシアム間で連携協定を結び、ロードマップ共有、共同研究の日本代表者として牽引している。

メディア報道

4/2（月）16：15～「仲谷一志と下田文代のよなおし堂」電話インタビュー玄海原発の蒸気漏れについてテレビ・ラジオ番組

2018年4月

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4/2（月）16：15～「仲谷一志と下田文代のよなおし堂」電話インタビュー玄海原発の蒸気漏れについて
3/23（金）20：15～「仲谷一志と下田文代の夜なおし堂」電話インタビューエネルギーにおける日本の抱える問題（資源の枯渇など）や、これから将来のエネルギー生産の在り方など、エネルギー全体についてのインタビューテレビ・ラジオ番組

2018年3月

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3/23（金）20：15～「仲谷一志と下田文代の夜なおし堂」電話インタビューエネルギーにおける日本の抱える問題（資源の枯渇など）や、これから将来のエネルギー生産の在り方など、エネルギー全体についてのインタビュー

政策形成、学術振興等への寄与活動

2022年10月 - 2024年3月 IEC

White Paper:Power semiconductors for an energy-wise society
2021年11月 - 2025年3月福岡県

福岡県半導体・デジタル産業振興会議・企画運営委員
2021年11月 - 2025年3月福岡県

福岡先端半導体拠点構築事業・アドバイザリーボード委員
2019年3月 - 2019年6月文部科学省研究開発局・経済産業省産業技術環境局

エネルギー・環境技術のポテンシャル・実用化評価検討会委員
2018年11月 - 2020年5月経済産業省情報産業課

パワー半導体に関する勉強会委員

外国人研究者等の受け入れ状況

University of Sheffield

受入れ期間： 2019年6月 - 2019年7月（期間）：1ヶ月以上

国籍：インド

専業主体：日本学術振興会
SIMaP, CNRS – Grenoble University

受入れ期間： 2019年3月（期間）：2週間未満

国籍：フランス共和国

専業主体：学内資金
University of Sheffield

受入れ期間： 2019年3月（期間）：2週間未満

国籍：インド

専業主体：学内資金

学内運営に関わる各種委員・役職等

2021年4月 - 2023年3月研究所 X線取扱い主任者
2021年4月 - 2023年3月全学留学生センター委員
2018年4月 - 2019年3月研究所自然エネルギー統合利用センター長