2024/11/11 更新

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サイトウ ワタル
齋藤 渉
SAITO WATARU
所属
応用力学研究所 新エネルギー力学部門 教授
総合理工学府 総合理工学専攻(併任)
職名
教授
連絡先
メールアドレス
電話番号
0925837761
プロフィール
再生可能エネルギーで発電した電力を高効率に変換するパワーデバイス、ならびにエネルギーネットワークに接続されるパワーモジュールの高機能化に関する研究開発に取り組んでいます。

学位

  • 博士(工学) ( 1999年3月   東京工業大学 )

経歴

  • 1999.04-2019.03 東芝

    1999.04-2019.03 東芝

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ:・高効率電力変換用パワーデバイス ・高機能パワーデバイス制御技術 ・エネルギーネットワーク接続用パワーモジュール

    研究キーワード:パワーデバイス、電力変換、エネルギーネットワーク

    研究期間: 2019年4月

受賞

  • 第24回優秀技術活動賞 技術報告賞

    2021年4月   電気学会  

  • PESC 2008 Conference Prize Paper Award

    2008年6月  

論文

  • Effect of solder junction void variation in power semiconductor package on power cycle lifetime 査読 国際誌

    Hiroshi Onodera, Nobuyuki Shishido, Daisuke Asari, Hiroshi Isono, Wataru Saito

    Microelectronics Reliability   161   115471   2024年8月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2024.115471

  • A Model of Wafer Warpage for Trench Field-Plate Power MOSFETs 査読 国際誌

    Hiroaki Kato, Bozhou Cai, Jiuyang Yuan, Yoshiji Miyamura, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito

    Physics Status Solidi (a) applications and materials science   2400264-1 - 2400264-7   2024年8月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssa.202400264

  • Estimating of IGBT Bond Wire Lift-Off Trend Using Convolutional Neural Network (CNN) 査読 国際誌

    Thatree Mamee, Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Shin-ichi Nishizawa, and Wataru Saito

    IEEE Access   12   96936 - 96945   2024年7月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/ACCESS.2024.3427643

  • Impact of p-Gate Contact in GaN-HEMTs on Overvoltage Stress Failure 査読 国際誌

    Wataru Saito, and Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   71 ( 6 )   3590 - 3595   2024年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/TED.2024.3388383

    リポジトリ公開URL: https://hdl.handle.net/2324/7218251

  • Digital Active Gate Driving Automatically Minimizing Switching Loss While Keeping Surge Current Below User-Specified Target

    Inuma T., Zhang D., Hata K., Mikami K., Hatori K., Tanaka K., Saito W., Takamiya M.

    2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC 2024 ECCE Asia   2372 - 2377   2024年5月   ISBN:9798350351330

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC 2024 ECCE Asia  

    To address the user-specified surge current targets and the trade-off problem between surge current and switching loss in gate drivers, a digital active gate driving method is proposed that automatically minimizes the switching loss while keeping the surge current below the user-specified target. A 6.5 kV IGBT is driven at 3.6 kV and 56 A load current using a digital gate driver (DGD) IC that can change the gate current in 64 levels from 0 A to 1 A in 480 ns steps. For each of the four user-specified surge current targets at turn-on, the optimum parameters of DGD are searched by repeating the double-pulse test 2500 times using the simulated annealing algorithm. As a result, the switching loss is successfully reduced by 18 % to 27 % compared with the conventional gate driving while automatically meeting the surge current targets.

    DOI: 10.1109/ipemc-ecceasia60879.2024.10567599

    Scopus

    researchmap

  • Power-cycling degradation monitoring of an IGBT module with VCE(sat) measurement in continuous operation of a chopper circuit 査読 国際誌

    Kazunori Hasegawa, Kanta Hara, Nobuyuki Shishido, @Satoshi Nakano, @Wataru Saito, Tamotsu Ninomiya

    Power Electronic Devices and Components   7   100061   2024年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.pedc.2024.100061

  • Mechanism of gate voltage spike under digital gate control at IGBT switching operations 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, #Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Power Electronic Devices and Components   7   2024年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.pedc.2023.100054

  • Study on stress in trench structures during silicon IGBTs process-oxidation

    Cai, BZ; Yuan, JY; Miyamura, Y; Saito, W; Nishizawa, SI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 3 )   2024年3月   ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065

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    出版者・発行元:Japanese Journal of Applied Physics  

    In silicon insulated gate bipolar transistors, the trench gate structure is used to achieve smaller cell size and lower ON resistance, and thereby reduces energy loss. However, the thermal process can cause large stress near the trench and sometimes degrades device performance. This study proposed a three-dimensional model of a silicon chip with trench structures to analyze the stress distribution induced by thermal process around the trench, the scribe line, and the bottom surface of the chip. The calculated stress is in good agreement with measurement by Raman spectroscopy. The mesa top has much higher stress than the scribe line and the bottom surface. The stress depends on oxide thickness and the size scaling may reduce the stress.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad1e00

    Web of Science

    Scopus

  • A Future Outlook of Power Devices From the Viewpoint of Power Electronics Trends 査読 国際誌

    @Wataru Saito

    IEEE Transactions on Electron Devices   71 ( 3 )   1356 - 1364   2024年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2023.3332611

  • IGBT ターンオフスイッチングにおけるサージ電圧解析 査読

    #藤本 侑里, @西澤 伸一, @齋藤 渉

    電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)   144 ( 3 )   198 - 203   2024年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1541/ieejeiss.144.198

  • Paralleled SiC MOSFETs Circuit Breaker With a SiC MPS Diode for Avalanche Voltage Clamping 査読 国際誌

    Taro Takamori; Keiji Wada; @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Open Journal of Power Electronics   5   392 - 401   2024年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/OJPEL.2024.3365830

  • Turn-off switching voltage surge analysis with dependence on IGBT cell design 査読 国際誌

    #Yuri Fujimoto, @Shin-ichi Nishizawa and @Wataru Saito

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 2 )   02SP36   2024年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad106d

  • Robust reverse bias safe operating area and improved electrical performance in 3300 V non-proportionally scaled insulated gate bipolar transistors 査読 国際誌

    Xiang Zhou, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, @Wataru Saito and Toshiro Hiramoto

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 2 )   02SP57   2024年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad106d

  • Overvoltage Failure Process of Cascode GaN Field Effect Transistors 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    Physica Status Solidi a applications and materials science   221   2300791   2024年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.202300791

  • Device Design Direction of CSTBT for Low Loss and EMI Noise 査読 国際誌

    Koichi Nishi; Kazuya Konishi; Toshiya Tadakuma; Akihiko Furukawa; @Wataru Saito

    IEEE Transactions on Electron Devices   70 ( 12 )   6144 - 6150   2023年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2023.3326794

  • Bond wire lift-off detection by gate voltage waveform in IGBT turn-off process enhanced by digital gate control 査読 国際誌

    #Thatree Mamee, #Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Power Electronic Devices and Components   6   2023年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.pedc.2023.100052

  • Reliability investigation of repeated unclamped inductive switching in a diode-clamped SiC circuit breaker 査読 国際誌

    Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    Microelectronics Reliability   150   115119   2023年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115119

  • The design considerations of stray inductance for power modules with parallel-connected IGBT chips for a digital gate driver control 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, #Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Power Electronic Devices and Components   6   2023年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.pedc.2023.100047

  • Adjustable Current Limiting Function With a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device 査読 国際誌

    Taro Takamori, Keiji Wada, Norman Boettcher, Tobias Erlbacher, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Transactions on Industry Applications   59 ( 5 )   6427 - 6435   2023年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TIA.2023.3288856

  • Enhancement of turn-off gate voltage waveform change by digital gate control for bond wire lift-off detection in IGBT module 査読 国際誌

    #Thatree Mamee, #Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Microelectronics Reliability   147 ( 11 )   115067   2023年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115067

  • A simple sensor device for power cycle degradation sensing 査読 国際誌

    #Tatsuta Tsukamoto, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Microelectronics Reliability   147 ( 11 )   115068   2023年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115068

  • Stability, Reliability, and Robustness of GaN Power Devices: A Review 査読 国際誌

    Joseph Peter Kozak; Ruizhe Zhang; Matthew Porter; Qihao Song; Jingcun Liu; Bixuan Wang; Rudy Wang; @Wataru Saito; Yuhao Zhang

    IEEE Transactions on Power Electronics   38 ( 7 )   8442 - 8471   2023年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPEL.2023.3266365

  • Large-Current Output Digital Gate Driver for 6500 V, 1000 A IGBT Module to Reduce Switching Loss and Collector Current Overshoot 査読 国際誌

    Kohei Horii; Hiroki Yano; Katsuhiro Hata; Ruizhi Wang; Kazuto Mikami; Kenji Hatori; Koji Tanaka; @Wataru Saito; Makoto Takamiya

    IEEE Transactions on Power Electronics   38 ( 7 )   8075 - 8088   2023年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPEL.2023.3259521

  • Failure Process of GaN-HEMTs by Repetitive Overvoltage Stress 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   84 - 87   2023年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISPSD57135.2023.10147411

  • Solid-State Circuit Breaker with Avalanche Robustness using Series-Connection of SiC Diodes 査読 国際誌

    Taro Takamori; Keiji Wada; @Wataru Saito; @Shin-Ichi Nishizawa

    2023 11th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2023 - ECCE Asia)   2023年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.23919/ICPE2023-ECCEAsia54778.2023.10213947

  • The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process 招待 査読 国際誌

    #Jiuyang Yuan, Yoshiji Miyamura, Satoshi Nakano, @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    Abstract of 7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2023   452 - 454   2023年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Automatic total performance design of low-voltage power MOSFETs using zoomed response surface method 招待 査読 国際誌

    @Wataru Saito

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SC )   SC0803-1 - SC0803-6   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acac3d

  • IGBT Power Module Design for Suppressing Gate Voltage Spike at Digital Gate Control 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, #Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, @Shin-Ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    IEEE Access   11   6632 - 6640   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/ACCESS.2023.3237266

  • Degradation and Recovery of GaN HEMTs in Overvoltage Hard Switching Near Breakdown Voltage 査読 国際誌

    Joseph P. Kozak; Qihao Song; Ruizhe Zhang; Yunwei Ma; Jingcun Liu; Qiang Li; @Wataru Saito; Yuhao Zhang

    IEEE Transactions on Power Electronics   38 ( 1 )   435 - 446   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPEL.2022.3198838

  • Two Stop-and-Go Gate Driving to Reduce Switching Loss and Switching Noise in Automotive IGBT Modules 査読 国際誌

    Toshiaki Inuma; Katsuhiro Hata; Toru Sai; @Wataru Saito; Makoto Takamiya

    Proceedings of IEEE 7th Southern Power Electronics Conference (SPEC)   2022年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/SPEC55080.2022.10058383

  • Application of N parallel-connected SiC MOSFETs to solid-state circuit breakers based on UIS tests 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    Microelectronics Reliability   138   114737   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2022.114737

  • Adjustable Current Limit Feature with a Self-Sensing and Self-Triggering Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device 査読 国際誌

    Taro Takamori; Keiji Wada; Norman Boettcher; Tobias Erlbacher; @Wataru Saito; @Shin-Ichi Nishizawa

    Proceedings of 2022 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)   2022年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ECCE50734.2022.9948054

  • Unclamped Inductive Switching Robustness of SiC Devices With Parallel-Connected Varistor 査読 国際誌

    @Wataru Saito; #Zaiqi Lou; @Shin-Ichi NIshizawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   69 ( 10 )   5671 - 5677   2022年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2022.3200637

  • Cutoff Current Capability of SiC-MOSFETs with Parallel Connected Varistor under UIS Condition 査読 国際誌

    @Wataru Saito; #Zaiqi Lou; @Shin-ichi Nishizawa

    Proceedings of 2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe)   2022年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/WiPDAEurope55971.2022.9936060

  • Short Circuit Performance and Current Limiting Mode of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker for DC Applications up to 800 V 査読 国際誌

    Norman Boettcher; Taro Takamori; Keiji Wada; @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa; Tobias Erlbacher

    Proceedings of 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe)   2022年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Zoomed Response Surface Method for Automatic Design in Parameters Optimization of Low-Voltage Power MOSFET 査読 国際誌

    @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   10   512 - 515   2022年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2022.3187151

  • Large Current Output Digital Gate Driver Using Half-Bridge Digital-to-Analog Converter IC and Two Power MOSFETs 査読 国際誌

    Kohei Horii, Katsuhiro Hata, Ruizhi Wang, @Wataru Saito, and Makoto Takamiya

    Proceedings of 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   293 - 296   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Switching Noise-Loss Trade-Off Improvement of SJ-IGBTs 査読 国際誌

    @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    Proceedings of 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   53 - 56   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Fabrication Aspects and Switching Performance of a Self-Sensing 800 V SiC Circuit Breaker Device 査読 国際誌

    Norman Boettcher, Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa and Tobias Erlbacher

    Proceedings of 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   261 - 264   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Scaling Design Effects on Surface Buffer IGBT Characteristics 査読 国際誌

    @Wataru Saito and @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE, Journal of Electron Device Society   10   23 - 28   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3129162

  • Investigation of turn-on performance in 1.2 kV MOS-bipolar devices 招待 査読 国際誌

    Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, @Wataru Saito and @Shin-ichi Nishizawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SC0801-1 - SC0801-8   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac40aa

  • Investigations on acceptable breakdown voltage variation of parallel-connected SiC MOSFETs applied to solid-state circuit breakers 招待 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, Keiji Wada, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    Microelectronics Reliability   126 ( 11 )   114270   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114270

  • Avalanche current balancing using parallel connection of SiC-MOSFET/SiC-JFETs with cascode connection 査読 国際誌

    Mitsuhiko Sagara, Keiji Wada, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    Microelectronics Reliability   126 ( 11 )   114237   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114237

  • Simulation Study on Dual Gate Control of Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor for High Switching Controllability 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    IEEE Electron Device Letters   42 ( 6 )   907 - 910   2021年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2021.3075657

  • Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    Proceedings of 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   271 - 274   2021年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452240

  • Slit Field Plate Power MOSFET for Improvement of Figure-Of-Merits 査読 国際誌

    #Taichi Ogawa, @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   9   552 - 556   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3079396

  • True Breakdown Voltage and Overvoltage Margin of GaN Power HEMTs in Hard Switching 査読 国際誌

    Joseph P. Kozak, Ruizhe Zhang, Qihao Song, Jingcun Liu, @Wataru Saito, and Yuhao Zhang

    IEEE Electron Device Letters   42 ( 4 )   505 - 508   2021年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2021.3063360

  • Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test 査読 国際誌

    #Zaiqi Lou, @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SBBD18-1 - SBBD18-7   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abebc1

  • Turn-OFF dV/dt Controllability in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices 査読 国際誌

    Peng Luo; Sankara Narayanan Ekkanath Madathil; @Shin-Ichi Nishizawa; @Wataru Saito

    IEEE Transactions on Power Electronics   36 ( 3 )   3304 - 3311   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TPEL.2020.3014560

  • A design direction of low-voltage field-plate power MOSFETs for figure-of-merit (FOM) limit 査読 国際誌

    #Taichi Ogawa , @Wataru Saito and @Shin-ichi Nishizawa

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SBBD16-1 - SBBD16-5   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abe801

  • 3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology 査読 国際誌

    T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, K. Satoh, T. Matsudai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, @W. Saito, @S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, and T. Hiramoto

    International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Improvement Design for Turn-On Switching Characteristics in Surface Buffer Insulated Gate Bipolar Transistor 査読 国際誌

    @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Electron Device Letters   41 ( 12 )   1814 - 1816   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/led.2020.3034898

  • Gate drive circuit for current balancing of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode 査読 国際誌

    Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saitob, @Shin-ichi Nishizawab

    Microelectronics Reliability   114   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113

  • Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization 査読 国際誌

    #Ryohei Sato; @Koichi Kakimoto; @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   494 - 497   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170035

  • Evaluation of Dynamic Avalanche Performance in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices 査読 国際誌

    Peng Luo; Sankara Narayanan Ekkanath Madathil; @Shin-Ichi Nishizawa; @Wataru Saito

    IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 9 )   3691 - 3697   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2020.3007594

  • High Switching Controllability Trench Gate Design in Si-IGBTs 査読 国際誌

    @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   447 - 450   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170118

  • Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation 査読 国際誌

    Peng Luo; Sankara Narayanan Ekkanath Madathil; @Shin-ichi Nishizawa; @Wataru Saito

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   470 - 473   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170129

  • Alternated Trench-Gate IGBT for Low Loss and Suppressing Negative Gate Capacitance 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 8 )   3285 - 3290   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2020.3002510

  • Surface Buffer IGBT for High Total Performance 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 8 )   3263 - 3269   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2020.2999874

  • On-Resistance Limit Estimation of 100 V-class Field-Plate Trench Power MOSFETs Optimized Oxide Thickness 査読 国際誌

    #Taichi Ogawa, @Wataru Saito, and @Shin-Ichi Nishizawa

    IEEE Electron Device Letters   41 ( 7 )   1063 - 1065   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2020.3000239

  • Assist Gate MOSFETs for Improvement of On-Resistance and Turn-Off Loss Trade-Off 査読 国際誌

    @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Electron Device Letters   41 ( 7 )   1060 - 1062   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2020.2991927

  • Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読 国際誌

    Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, and Toshiro Hiramoto

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   33 ( 2 )   159 - 165   2020年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TSM.2020.2972369

  • High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation 査読 国際誌

    Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)   686 - 689   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/APEC39645.2020.9124293

  • Dynamic Avalanche Free Design in 1.2kV Si-IGBTs for Ultra High Current Density Operation 査読 国際誌

    Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, @Shin-ichi Nishizawa, and @Wataru Saito

    International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019   266 - 269   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/IEDM19573.2019.8993596

  • HiSIM_GaN: Compact Model for GaN-HEMT With Accurate Dynamic Current-Collapse Reproduction 査読 国際誌

    Yasuhiro Okada ; Takeshi Mizoguchi ; Yuta Tanimoto ; Hideyuki Kikuchihara ; Toshiyuki Naka ; Wataru Saito ; Mitiko Miura-Mattausch ; Hans J?ergen Mattausch

    IEEE Transactions on Electron Devices   66 ( 1 )   106 - 115   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Relation between UIS withstanding capability and I-V characteristics in high-voltage GaN-HEMTs 査読 国際誌

    Wataru Saito and Toshiyuki Naka

    Elsevier Microelectronics Reliability   76-77   309 - 313   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Modeling of field-plate effect on gallium-nitride-based high electron mobility transistors for high-power applications 査読 国際誌

    Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch, Hans J?rgen Mattausch

    IEICE Transactions on Electronics   E100.C ( 3 )   321 - 328   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • UIS test of high-voltage GaN-HEMTs with p-type gate structure 査読 国際誌

    W. Saito and T. Naka

    Elsevier Microelectronics Reliability   64   552 - 555   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 査読 国際誌

    Yusuke Takei, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, and Hiroshi Iwai

    Japanese J. of Applied Physics   55   40306   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Analysis of GaN high electron mobility transistor switching characteristics for high-power applications with HiSIM-GaN compact model 査読 国際誌

    Japanese J. of Applied Physics   55   04EG03   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Destruction failure analysis and international reliability test standard for power devices 査読 国際誌

    Takashi Setoya, , Tsuneo Ogura, Wataru Saito, Tomoko Matsudai, Koichi Endo

    Elsevier Microelectronics Reliability   55   1932 - 1937   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Breakdown behaviour of high-voltage GaN-HEMTs 査読 国際誌

    W. Saito, T. Suwa, T. Uchihara, T. Naka, T. Kobayashi

    Elsevier Microelectronics Reliability   55   1682 - 1686   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Comprehensive 2D-carrier profiling of low-doping region by high-sensitivity scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for power device applications 査読 国際誌

    55   1159 - 1163   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Reduction of contact resistance on AlGaN/GaN HEMT structures by introducing uneven AlGaN layersm 査読 国際誌

    Yusuke Takei, Masayuki Kamiya, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka and Hiroshi Iwai

    Physica Status Solidi A   212 ( 5 )   1104 - 1109   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures 査読 国際誌

    Yusuke Takei, Mari Okamoto, Wataru Saito, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka and Hiroshi Iwai

    Electro Chemical Society Transactions   61 ( 4 )   265 - 270   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Power device trends for high-power density operation of power electronics system 査読 国際誌

    Wataru Saito

    Japanese J. of Applied Physics   53   04EP02   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • GaN-HEMTs for high-voltage switching applications 査読 国際誌

    Wataru Saito

    Electro Chemical Society Transactions   41 ( 8 )   43 - 49   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Field-Plate Structure Dependence of Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs 査読 国際誌

    Wataru Saito, Yorito Kakiuchi, Tomohiro Nitta, Yasunobu Saito, Takao Noda, Hidetoshi Fujimoto, Akira Yoshioka, Tetsuya Ohno, and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Electron Device Letters   31 ( 7 )   659 - 661   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effect of buffer layer structure on drain leakage current and current collapse phenomena in high-voltage GaN-HEMTs 査読 国際誌

    Wataru Saito, Takao Noda, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Yasunobu Saito, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Trans. Electron Devices   56 ( 7 )   1371 - 1376   2009年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • A 120-W Boost Converter Operation Using a High-Voltage GaN-HEMT 査読 国際誌

    Wataru Saito, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi, Yasunobu Saito, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Electron Device Letters   29 ( 1 )   8 - 10   2008年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With optimized Field-Plate Structure 査読 国際誌

    Wataru Saito, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi, Yasunobu Saito, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Trans. Electron Devices   54 ( 8 )   1825 - 1830   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • ON-Resistance Modulation of High Voltage GaN HEMT on Sapphire Substrate Under High Applied Voltage 査読 国際誌

    Wataru Saito, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi, Yasunobu Saito, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Electron Device Letters   28 ( 8 )   676 - 678   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Normally-off GaN-MISFET with well-controlled threshold voltage 査読 国際誌

    Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Takashi Suzuki, Mayumi Hirose, Kunio Tsuda, Wataru Saito, Yasunobu Saito and Ichiro Omura

    Physical State Solid (a)   204 ( 6 )   2010 - 2013   2007年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Demonstration of 13.56-MHz Class-E Amplifier Using a High- Voltage GaN Power-HEMT 査読 国際誌

    Wataru Saito, Tomokazu Domon, Ichiro Omura, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda and Masakazu Yamaguchi

    IEEE Electron Device Letters   27 ( 5 )   326 - 328   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Recessed-Gate Structure Approach Toward Normally Off High-Voltage AlGaN/GaN HEMT for Power Electronics Applications 査読 国際誌

    Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda and Ichiro Omura

    IEEE Trans. Electron Devices   53 ( 2 )   356 - 362   2006年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High Breakdown Voltage (>1000V) Semi-Superjunction MOSFETs Using 600-V Class Superjunction MOSFET Process 査読 国際誌

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Satoshi Aida, Shigeo Koduki, Masaru Izumisawa, Hironori Yoshioka and Tsuneo Ogura

    IEEE Trans. Electron Devices   52 ( 10 )   2317 - 2322   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High breakdown voltage AlGaN/GaN MIS-HFET with low leakage current 査読 国際誌

    Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Wataru Saito, Ichiro Omura and Kunio Tsuda

    Physical State Solid (c)   2 ( 7 )   2647 - 2650   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Influence of Surface Defect Charge at AlGaN-GaN-HEMT Upon Schottky Gate Leakage Current and Breakdown Voltage 査読 国際誌

    Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    IEEE Trans. Electron Devices   52 ( 2 )   159 - 164   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Design Optimization of High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power HEMT on an Insulating Substrate for RonA-VB Tradeoff Characteristics 査読 国際誌

    Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    IEEE Trans. Electron Devices   52 ( 1 )   106 - 111   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High Breakdown Voltage Undoped AlGaN-GaN Power-HEMT on Sapphire Substrate and Its Demonstration for DC-DC Converter Application 査読 国際誌

    Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    IEEE Trans. Electron Devices   51 ( 11 )   1913 - 1917   2004年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • A Novel Low On-Resistance Schottky-Barrier Diode with p-Buried Floating Layer Structure 査読 国際誌

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Ken'ichi Tokano, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi

    IEEE Trans. Electron Devices   51 ( 5 )   797 - 802   2004年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Theoretical limit estimation of lateral wide band-gap semiconductor power-switching device 査読 国際誌

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi

    Solid-State Electronics   48 ( 4 )   1555 - 1562   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Design and Demonstration of High Breakdown Voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Using Field Plate Structure for Power Electronics Applications 査読 国際誌

    Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 4 )   2239 - 2242   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior 査読 国際誌

    Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda, Ichiro Omura, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi

    IEEE Trans. Electron Devices   50 ( 12 )   2528 - 2531   2003年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Semisuperjunction MOSFETs: New Design Concept for Lower On-Resistance and Softer Reverse-Recovery Body Diode 査読 国際誌

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Satoshi Aida, Shigeo Koduki, Masaru Izumisawa and Tsuneo Ogura

    IEEE Trans. Electron Devices   50 ( 8 )   1801 - 1806   2003年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • High Voltage GaN-based power HEMTs with field plate technique: Breakdown voltage and switching characteristics 査読 国際誌

    Yoshiharu Takada, Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Ichiro Omura and Kunio Tsuda

    Physical State Solid (c)   0 ( 7 )   2347 - 2350   2003年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物

  • 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎

    @齋藤 渉、田中 保宣、加地 徹、東脇 正高、竹内 大輔、山田 英明、寺地 徳之、徳田 紀夫、加藤 宙光、梅沢 仁、大曲 新矢、牧野 俊晴、松本 翼、川原田 洋、山口 浩( 担当: 共著)

    科学技術情報出版  2021年1月 

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    担当ページ:ISBN978-4-904774-95-3、第1章 パワーデバイスの基礎(p.3-69)   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • パワーデバイス

    Gourab Majumdar、井上 馨、大村 一郎、木本 恒暢、小杉 敏彦、齋藤 渉、佐藤 克己、佐藤 之彦、四戸 孝、常信 和清、田上 知紀、田中 愼一、津田 邦男、服部 亮、牧本 俊樹、松永 高治、松本 聡( 担当: 共著)

    丸善株式会社  2011年1月 

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    担当ページ:第3.5節 パワーデバイスの新しい展開 pp. 116-130   記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 電気工学ハンドブック(第7版)

    齋藤 渉( 担当: 共著 範囲: 8編 電子デバイス 4.2 パワーMOS)

    電気学会 

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講演・口頭発表等

  • パワーデバイスの現状と展望 招待

    齋藤 渉

    第139回 有機デバイス研究会  2024年11月  有機デバイス研究会

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:浜松   国名:日本国  

  • A Screening Test of GaN-HEMTs for Improvement of Breakdown Voltage Uniformity 国際会議

    Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa

    35th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Parma   国名:イタリア共和国  

  • Improvement of Sensitivity for Power Cycle Degradation by A New Device Structure 国際会議

    Koki Okame, Yuki Yamakita, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito

    35th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2024年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Parma   国名:イタリア共和国  

  • シリコンパワーデバイスの技術動向 招待

    齋藤 渉

    応用物理学会 第85回秋季学術講演会  2024年9月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

    開催地:新潟   国名:日本国  

  • GaN-HEMTの過電圧印加に対する挙動・破壊プロセス 招待

    齋藤 渉

    ワイドギャップ半導体学会 第17回研究会  2024年7月  ワイドギャップ半導体学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京   国名:日本国  

  • Observation of Thermal-Resistance Increase of Degraded IGBT Modules by VCE(sat) Measurement in a Chopper Circuit 国際会議

    Kazunori Hasegawa, Hisaki Ueda, Kanta Hara, Nobuyuki Shishido, Satoshi Nakano, Wataru Saito, Tamotsu Ninomiya

    PCIM Europe 2024  2024年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nuremberg   国名:ドイツ連邦共和国  

    DOI: 10.30420/566262426

  • パワー半導体の現状と将来展望 招待

    齋藤 渉

    nano tech 2024 特別シンポジウム  2024年2月  nano tech実行委員会

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    開催年月日: 2024年1月 - 2024年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京ビッグサイト   国名:日本国  

  • Overvoltage Failure Process of Cascode GaN FETs 国際会議

    @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • パワーエレクトロニクス応用動向から見たパワーデバイスの将来展望 招待

    @齋藤 渉

    電気学会 電子デバイス/半導体電力変換研究会  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:九州大学西新プラザ   国名:日本国  

  • Reliability investigation of repeated unclamped inductive switching in a diode-clamped SiC circuit breaker 国際会議

    T. Takamori, K. Wada, @W. Saito, @S. Nishizawa

    34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Enhancement of turn-off gate voltage waveform change by digital gate control for bond wire lift-off detection in IGBT module 国際会議

    #T. Mamee, #Z. Lou, K. Hata, M. Takamiya, @S. Nishizawa, @W. Saito

    34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • A simple sensor device for power cycle degradation sensing 国際会議

    #T. Tsukamoto, @S. Nishizawa, @W. Saito

    34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Turn-Off Switching Voltage Surge Analysis with Dependence on IGBT Cell Design 国際会議

    #Yuri Fujimoto, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Study on Stress in Trench Structures during Silicon IGBTs Process – Oxidation 国際会議

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya   国名:日本国  

  • Wafer Warpage Modeling for Process Integration of Trench Field Plate Power MOSFETs 国際会議

    #Hiroaki Kato, #Bozhou Cai, #Jiuyang Yuan, Yoshiji Miyamura, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Restoration of Degraded Reverse Bias Safety Operating Area (RBSOA) in 3300V Scaled IGBTs by Non-Proportional Scaling Method 国際会議

    Xiang Zhou, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, @Wataru Saito, Toshiro Hiramoto

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Avalanche breakdown behavior and robustness of SiC and GaN transistors 招待 国際会議

    @Wataru Saito

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA-Asia) 2023  2023年8月 

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    開催年月日: 2023年8月

    記述言語:英語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    国名:台湾  

  • Failure Process of GaN-HEMTs by Repetitive Overvoltage Stress 国際会議

    @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月 - 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Solid-State Circuit Breaker with Avalanche Robustness using Series-Connection of SiC Diodes 国際会議

    Taro Takamori; Keiji Wada; @Wataru Saito; @Shin-Ichi Nishizawa

    2023 11th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2023 - ECCE Asia)  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process 国際会議

    #Jiuyang Yuan, Yoshiji Miyamura, Satoshi Nakano, @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2023  2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • Two Stop-and-Go Gate Driving to Reduce Switching Loss and Switching Noise in Automotive IGBT Modules 国際会議

    Toshiaki Inuma; Katsuhiro Hata; Toru Sai; @Wataru Saito; Makoto Takamiya

    IEEE 7th Southern Power Electronics Conference (SPEC)  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フィジー諸島共和国  

  • Adjustable Current Limit Feature with a Self-Sensing and Self-Triggering Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker Device 国際会議

    Taro Takamori; Keiji Wada; Norman Boettcher; Tobias Erlbacher; @Wataru Saito; @Shin-Ichi Nishizawa

    2022 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)  2022年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Application of A Parallel-Connected SiC MOSFETs to Solid-State Circuit Breakers Based on UIS Tests 国際会議

    Zaiqi Lou, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa

    33rd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Progress of Low-Voltage Si-Power MOSFETs 招待 国際会議

    @Wataru Saito

    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Cutoff Current Capability of SiC-MOSFETs with Parallel Connected Varistor under UIS Condition 国際会議

    @Wataru Saito, #Zaiqi Lou and @Shin-ichi Nishizawa

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA-Europe)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  • Short Circuit Performance and Current Limiting Mode of a Monolithically Integrated SiC Circuit Breaker for DC Applications up to 800 V 国際会議

    Norman Boettcher; Taro Takamori; Keiji Wada; @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa; Tobias Erlbacher

    24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Large Current Output Digital Gate Driver Using Half-Bridge Digital-to-Analog Converter IC and Two Power MOSFETs 国際会議

    Kohei Horii, Katsuhiro Hata, Ruizhi Wang, @Wataru Saito, and Makoto Takamiya

    34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  • Switching Noise-Loss Trade-Off Improvement of SJ-IGBTs 国際会議

    @Wataru Saito and @Shin-ichi Nishizawa

    34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  • Fabrication Aspects and Switching Performance of a Self-Sensing 800 V SiC Circuit Breaker Device 国際会議

    Norman Boettcher, Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa and Tobias Erlbacher

    34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:カナダ  

  • Accelerating the Recovery of p-Gate GaN HEMTs after Overvoltage Stresses 国際会議

    Joseph P. Kozak, Qihao Song, Jingcun Liu, Ruizhe Zhang, Qiang Li, @Wataru Saito, Yuhao Zhang

    International Reliability Physics Symposium 2022  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • GaN MIS-HEMTs in Repetitive Overvoltage Switching: Parametric Shift and Recovery 国際会議

    Qihao Song, Joseph P. Kozak, Yunwei Ma, Jingcun Liu, Ruizhe Zhang, Roman Volkov, Daniel Sherman, Kurt Smith, @Wataru Saito, Yuhao Zhang

    International Reliability Physics Symposium 2022  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Paralleled SiC MOSFETs DC Circuit Breaker with SiC MPS Diode As Avalanche Voltage Clamping 国際会議

    Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saito, @Shin-Ichi Nishizawa

    The Applied Power Electronics Conference (APEC) 2022  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Avalanche Current Balancing Using Parallel Connection of SiC-JFETs with Cascode Connection 国際会議

    M. Sagara, K. Wada, @S.-I. Nishizawa, @W. Saito

    32nd EUROPEAN SYMPOSIUM ON RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS (ESREF)  2021年10月 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Investigations on Acceptable Breakdown Voltage Variation of Parallel-Connected SiC MOSFETs Applied in Solid-State Circuit Breakers 国際会議

    #Z. Lou, K. Wada, @W. Saito, @S.-I. Nishizawa

    32nd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Performance Comparison of Scaled IGBTs and CIGBTs 招待 国際会議

    Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, Peng Luo, @Wataru Saito, and @Shin-ichi Nishizawa

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology 国際会議

    @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年5月 - 2021年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology 国際会議

    T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, K. Satoh, T. Matsudai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, @W. Saito, @S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, and T. Hiramoto

    International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020  2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Gate drive circuit for current balancing of parallel-connected SiC-JFETs under avalanche mode 国際会議

    Taro Takamori, Keiji Wada, @Wataru Saito and @Shin-ichi Nishizawa

    31st EUROPEAN SYMPOSIUM ON RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS (ESREF)  2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  • Investigation of Acceptable Breakdown Voltage Variation for Parallel-Connected SiC-MOSFET during UIS Test 国際会議

    #Zaiqi Lou, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • A Design Direction of Low-Voltage Field Plate Power MOSFETs for FOM Limit 国際会議

    #Taichi Ogawa, @Wataru Saito, @Shin-ichi Nishizawa

    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Dislocation Propagation in Si 300 mm Wafer during High Thermal Budget Process and Its Optimization 国際会議

    #Ryohei Sato; @Koichi Kakimoto; @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • High Switching Controllability Trench Gate Design in Si-IGBTs 国際会議

    @Wataru Saito; @Shin-ichi Nishizawa

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストリア共和国  

  • Dynamic Avalanche Free Super Junction-TCIGBT for High Power Density Operation 国際会議

    Peng Luo; Sankara Narayanan Ekkanath Madathil; @Shin-ichi Nishizawa; @Wataru Saito

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:オーストラリア連邦  

  • High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation 国際会議

    Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, @Shin-ichi Nishizawa, @Wataru Saito

    2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Dynamic Avalanche Free Design in 1.2kV Si-IGBTs for Ultra High Current Density Operation 国際会議

    Peng Luo, Sankara Narayanan Ekkanath Madathil, @Shin-ichi Nishizawa, and @Wataru Saito

    International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Analysis of oscillatory phenomena in cathode designs for 1200 V diodes using an LCR circuit model in reverse recovery 国際会議

    Kaori Fuse, Keiko Kawamura, Wataru Saito and Tomoko Matsudai

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High accurate IGBT/IEGT compact modeling for prediction of power efficiency and EMI noise 国際会議

    Takeshi Mizoguchi, Yoko Sakiyama, Naoto Tsukamoto and Wataru Saito

    31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2019年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • 3300V scaled IGBTs driven by 5V gate voltage 国際会議

    Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Masanori Tsukuda, Yohichiroh Numasawa, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, and Toshiro Hiramoto

    31th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET 国際会議

    Wataru Saito

    30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2018年8月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ultra Low On-Resistance SBD with P-Buried Floating Layer 国際会議

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Ken'ichi Tokano, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi

    14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2002年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • 600V Semi-superjunction MOSFET 国際会議

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Satoshi Aida, Shigeo Koduki, Masaru Izumisawa and Tsuneo Ogura

    15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2003年4月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

  • Design and Demonstration of High Breakdown Voltage GaN-HEMT Using Field Plate Structure for Power Electronics Applications 国際会議

    Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2003年9月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • 600V AlGaN/GaN Power-HEMT: Design, Fabrication and Demonstration on High Voltage DC-DC Converter 国際会議

    Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda, Ichiro Omura and Tsuneo Ogura

    2003 International Electron Device Meeting (IEDM)  2003年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • A 20mΩcm2 600V-class Superjunction MOSFET 国際会議

    2004年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kitakyushyu   国名:日本国  

  • High breakdown voltage AlGaN/GaN MIS-HFET with low leakage current 国際会議

    Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Wataru Saito, Ichiro Omura and Kunio Tsuda

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2004  2004年7月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • High Voltage AlGaN/GaN Power HEMT for Power Electronics Applications 招待 国際会議

    Ichiro Omura, Wataru Saito and Kunio Tsuda

    206th Electro Chemical Society meeting (ECS)  2004年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Demonstration of High Output Power Density (30W/cc) Converter using 600V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver 国際会議

    Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Tomokazu Domon, Wataru Saito and Tsuneo Ogura

    7th International Power Engineering Conference (IPEC)  2005年4月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Over 1000V Semi-Superjunction MOSFET with Ultra-Low On-Resistance blow the Si-Limit 国際会議

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Satoshi Aida, Shigeo Koduki, Masaru Izumisawa, Hironori Yoshioka and Tsuneo Ogura

    17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2005年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • 380V/1.9A GaN Power-HEMT: Current Collapse Phenomena under High Applied Voltage and Demonstration of 27.1MHz Class-E Amplifier 国際会議

    Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Tomokazu Domon, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    2005 International Electron Device Meeting (IEDM)  2005年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Demonstration of High Output Power Density (50W/cc) Converter using 600V SJ-MOSFET and SiC-SBD 国際会議

    Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Wataru Saito and Tomokazu Domon

    International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS)  2006年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:イタリア共和国  

  • A 15.5mΩcm2-680V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing 国際会議

    2006年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Naples   国名:イタリア共和国  

  • Normally-off GaN-MISFET with well-controlled threshold voltage 国際会議

    Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Takashi Suzuki, Mayumi Hirose, Kunio Tsuda, Wataru Saito, Yasunobu Saito and Ichiro Omura

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2006  2006年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • High Voltage and High Switching Frequency Power-Supplies using a GaN-HEMT 招待 国際会議

    Wataru Saito, Ichiro Omura, Tomokazu Domon and Kunio Tsuda

    2006 Compound Semiconductor IC Symposium  2006年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • High power density converter using SiC-SBD 招待 国際会議

    Ichiro Omura, Masanori. Tsukuda, Wataru Saito and Tomokazu Domon

    4th Power Conversion Conference (PCC)  2007年4月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Design concept of n-buffer layer (n-Bottom Assist Layer) for 600V-class Semi-Super Junction MOSFET 国際会議

    Syotaro Ono, Wataru Saito, Masakatsu Takashita, Shoichiro Kurushima, Ken'ichi Tokano and Masakazu Yamaguchi

    19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2007年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:大韓民国  

  • High Voltage GaN-HEMTs for Power Electronics Applications and Those Current Collapse Phenomena under High Applied Voltage 招待 国際会議

    Wataru Saito, Ichiro Omura and Kunio Tsuda

    Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH) 2007  2007年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Gallium Nitride power HEMT for high switching frequency power electronics 招待 国際会議

    Ichiro Omura, Wataru Saito, Tomokazu Domon, Kunio Tsuda

    International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD) 2007  2007年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:インド  

  • Current Collapseless High-Voltage GaN-HEMT and its 50-W Boost Converter Operation 国際会議

    Wataru Saito, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Yasunobu Saito, Ichiro Omura and Masakazu Yamaguchi

    2007 International Electron Device Meeting (IEDM)  2007年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • The optimal profile desing for SJ-MOSFET fabricated by double-ion-implantation and multi-epitaxial method 国際会議

    Syotaro Ono, Wataru Saito, Masaru Izumisawa, Yasuto Sumi, Shoichiro Kurushima, Masataka Tsuji, Ken'ichi Tokano and Masakazu Yamaguchi

    20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2008年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Wafer quality target for current-collapse-free GaN-HEMTs in high voltage applications 国際会議

    Hidetoshi Fujimoto, Wataru Saito, Akira Yoshioka, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi and Yasunobu Saito

    Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH) 2008  2008年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Demonstration of Resonant Inverter Circuit for Electrodeless Fluorescent Lamps Using High Voltage GaN-HEMT 国際会議

    Wataru Saito, Tomokazu Domon, Ichiro Omura, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi, Kunio Tsuda and Masakazu Yamaguchi

    39th Power Electronics Specialists Conference (PESC)  2008年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ギリシャ共和国  

  • Development of 600V-class trench filling SJ-MOSFET with SSRM analysis technology 国際会議

    Syotaro Ono, Li Zhang, Hiroshi Ohta, Miho Watanabe, Wataru Saito, Shigo Sato, Hiroyuki Sugaya and Masakazu Yamaguchi

    21st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2009年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:スペイン  

  • Influence of Electric Field upon Current Collapse Phenomena and Reliability in High Voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito, Tomohiro Nitta, Yorito Kakiuchi, Yasunobu Saito,Takao Noda, Hidetoshi Fujimoto, Akira Yoshioka and Tetsuya Ohno

    22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2010年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Reliability of GaN-HEMTs for high-voltage switching applications 招待 国際会議

    Wataru Saito

    2011 International Reliability Physics Symposium (IRPS)  2011年4月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • A turn-off switching test of high voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito, Yasunobu Saito, Hidetoshi Fujimoto, Akira Yoshioka, Tetsuya Ohno and Toru Sugiyama

    9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)  2011年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Improvement of switching trade-off characteristics between noise and loss in high voltage MOSFETs 国際会議

    Wataru Saito, Satoshi Aida, Shigeo Koduki and Masaru Izumisawa

    23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2011年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • “Improvement of gate controllability for new generation superjunction MOSFETs: DTMOS-III series 国際会議

    2011年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nuremberg   国名:ドイツ連邦共和国  

  • DTMOS-IV: RDS(ON) innovation by deep trench filling superjunction technology 国際会議

    Syotaro Ono, Hiroshi Ohta, Hiroaki Yamashita, Masaru Izumisawa, Wataru Saito, Shingo Sato, Noboru Matsuda, Yoshihisa Ohishi, Masataka Tsuji, Jun Onodera and Georges Tchouangue

    International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM) Europe 2012  2012年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Switching controllability of high voltage GaN-HEMTs and the Cascode connection 国際会議

    Wataru Saito, Yasunobu Saito, Hidetoshi Fujimoto, Akira Yoshioka, Tetsuya Ohno, Toshiyuki Naka and Toru Sugiyama

    24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2012年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ベルギー王国  

  • Comparison of theoretical limits between superjunction and field plate structures 国際会議

    Wataru Saito

    25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2013年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Requirements to GaN-HEMT from high-power density operation of power electronics system 国際会議

    Wataru Saito

    10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)  2013年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Power Device Trends for High- Power density operation of power electronics system 国際会議

    Wataru Saito

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2013  2013年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • An Ohmic contact process for AlGaN/GaN structures using TiSi2 electrodes 国際会議

    M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai and W. Saito

    The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)  2013年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Influence of carrier lifetime control process in superjunction MOSFET characteristics 国際会議

    Wataru Saito, Shotaro Ono and Hiroaki Yamashita

    26th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2014年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Backside field plate effect on suppression of current collapse phenomena in high-voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito, Yasunobu Saito, Yorito Kakiuchi, Tomohiro Nitta, Hidetoshi Fujimoto, Akira Yoshioka and Tetsuya Ohno

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2014  2014年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  • Low-resistive contact formation on AlGaN/GaN HEMT structures by introducing uneven AlGaN layers 国際会議

    Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka and Hiroshi H. Iwai

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2014  2014年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ポーランド共和国  

  • Dependence of Ti/C ratio on ohmic contact with TiC electrode for AlGaN/GaN structure 国際会議

    M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, and H. Iwai and W. Saito

    The 2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)  2014年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Theoretical loss analysis of power converters with 1200 V class Si-IGBT and SiC-MOSFET 国際会議

    Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Wataru Saito

    International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM) Europe 2015  2015年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Suppression of switching loss dependence on charge imbalance of superjunction MOSFET 国際会議

    Hiroaki Yamashita, Hideyuki Ura, Syotaro Ono, Masato Nashiki, Kenji Mii, Wataru Saito, Jun Onodera, Yoshitaka Hokomoto

    27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2015年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Theoretical limits of superjunction considering with charge imbalance margin 国際会議

    Wataru Saito

    27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2015年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • Temperature dependence of single-event burnout for super junction MOSFET 国際会議

    Shunsuke Katoh, Eiji Shimada, Takayuki Yoshihira, Akihiro Oyama, Syotaro Ono, Hideyuki Ura, Gentaro Ookura, Wataru Saito, Yusuke Kawaguchi

    27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2015年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:中華人民共和国  

  • TCAD simulation of high voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito, Takeshi Suwa, Takeshi Uchihara, Toshiyuki Naka and Taichi Kobayashi

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)  2015年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Analysis of GaN-HEMT switching characteristics for high-power applications 国際会議

    Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, Yasuhiro Okada, Wataru Saito, Mitiko Miura-Mattausch and Hans J?rgen Mattausch

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2015  2015年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Investigation of breakdown characteristics in high-voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Takeshi Suwa, Wataru Saito, Takeshi Uchihara, Toshiyuki Naka and Taichi Kobayashi

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2015  2015年9月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Comprehensive 2D-carrier profiling of low-doping region by high-sensitivity scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for power device applications 国際会議

    2015年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Toulouse   国名:フランス共和国  

  • Breakdown behaviour of high-voltage GaN-HEMTs 国際会議

    W. Saito, T. Suwa, T. Uchihara, T. Naka, T. Kobayashi

    26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2015年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Direct photo emission motion observation of current filaments in the IGBT under avalanche breakdown condition 国際会議

    K. Endo, S. Nagamine, W. Saito, T. Matsudai, T. Ogura, T. Setoya, K. Nakamae

    28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2016年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Analysis of GaN-HEMTs switching characteristics for power applications with compact model including parasitic contributions 国際会議

    T. Mizoguchi, T. Naka, Y. Tanimoto, Y. Okada, W. Saito, M. Miura-Mattausch and H. J. Mattausch

    28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2016年6月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • UIS withstanding capability and mechanism of high voltage GaN-HEMTs 国際会議

    T. Naka and W. Saito

    28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2016年6月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • UIS test of high-voltage GaN-HEMTs with p-type gate structure 国際会議

    W. Saito and T. Naka

    27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF)  2016年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:ドイツ連邦共和国  

  • Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low Vce(sat) IGBT 国際会議

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    2016 International Electron Device Meeting (IEDM)  2016年12月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Process design of superjunction MOSFETs for high drain current capability and low on-resistance 国際会議

    Wataru Saito

    29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2017年5月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Relation between UIS withstanding capability and gate leakage currents for high voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Toshiyuki Naka and Wataru Saito

    29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2017年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Influence of Gate Characteristics upon UIS Withstanding Capability in High Voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito and Toshiyuki Naka

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017)  2017年8月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Demonstration of Reduction in Vce(sat) of IGBT based on a 3D Scaling Principle 招待 国際会議

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017  2017年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  • Relation between UIS withstanding capability and I-V characteristics in high-voltage GaN-HEMTs 国際会議

    Wataru Saito and Toshiyuki Naka

    28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Bordeaux (France)  2017年9月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:フランス共和国  

  • Enhancement of accumulation-mode operation in gate-connected superjunction MOSFET 国際会議

    Wataru Saito

    14th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS)  2018年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

  • Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure 国際会議

    Hiroaki Yamashita, Syotaro Ono, Hisao Ichijo, Masataka Tsuji, Masaru Izumisawa and Wataru Saito

    30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  2018年5月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:アメリカ合衆国  

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MISC

  • Power semiconductors for an energy-wise society 査読

    Heinz Lendenmann, Sandrine Leroy, Xinqiang Li, Andreas Lindemann, Leo Lorenz, Markus Makoschitz, Renato Minamisawa, Ashitha Narendran, @Shin-ichi Nishizawa, Fumihiko Ohta, Kaushik Rajashekara, Klaus Rigbers, @Wataru Saito, Oliver Senftleben, Akio Shima, Daniel-Ioan Stroe, Kenichi Suga, Hiroshi Takahashi, Markus Thoben, Victor Veliadis, Jan Vobecky, Andreas Volke, Ming Xue

    International Electrotechnical Commission   2023年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • パワーデバイス・パワーICの高性能化技術動向

    パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会(委員長 @齋藤 渉)

    電気学会   2020年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等  

  • Siパワーデバイスの最新動向

    齋藤 渉

    技術総合誌[オーム]OHM   2018年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

所属学協会

  • 電子情報通信学会

  • 応用物理学会

  • IEEE

  • 電気学会

委員歴

  • IEEE   Transaction on Electron Devices Editorial Board  

    2019年11月 - 現在   

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    団体区分:学協会

    researchmap

  • 電子情報通信学会 電子デバイス研究会   委員  

    2018年6月 - 現在   

  • 電気学会 C部門 電子デバイス技術委員会   委員  

    2017年4月 - 現在   

  • 電気学会 パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会   委員長  

    2017年4月 - 2020年3月   

  • IEEE Electron Device Society, Power Devices and ICs Technical Committee   Committee  

    2015年12月 - 2020年12月   

学術貢献活動

  • SSDM Award選考委員

    役割:審査・評価

    応用物理学会  2024年9月

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    種別:学会・研究会等 

  • ECCE Europe 2024 Technical Program Committee

    役割:審査・評価, 査読

    IEEE Power Electronics Society  2024年9月

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    種別:学会・研究会等 

  • TWHM Technical Program Committee

    役割:審査・評価, 査読

    15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)  2024年8月

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    種別:学会・研究会等 

  • SSDM Award評価委員 国際学術貢献

    2023年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • WiPDA Asia 2023 Technical Program Committee 国際学術貢献

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia)  ( Hsinchu Taiwan ) 2023年8月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 文部科学省委託「令和5年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」/事業推進委員会委員

    役割:審査・評価

    2023年6月 - 2024年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • EDTM2023 Technical Program Committee 国際学術貢献

    7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2023  ( Seoul Korea ) 2023年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2023年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:44

    国際会議録 査読論文数:15

  • SSDM Award評価委員 国際学術貢献

    2022年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • WiPDA Europe 2022 Technical Program Committee 国際学術貢献

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe)  ( Warwick UnitedKingdom ) 2022年9月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • ISCSI-IX Technical Program Committee 国際学術貢献

    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)  ( Nagoya Japan ) 2022年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • TWHM Technical Program Committee 国際学術貢献

    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2022  ( Hiroshima Japan ) 2022年8月 - 2022年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • 文部科学省委託「令和4年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」/事業推進委員会委員

    役割:審査・評価

    2022年6月 - 2023年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2022  ( Oita Japan ) 2022年3月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2022年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:35

    国際会議録 査読論文数:104

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  ( San Francisco UnitedStatesofAmerica ) 2021年12月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    5th IEEE International Future Energy Electronics Conference  ( Online Taiwan ) 2021年11月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 文部科学省委託「令和3年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」/事業推進委員会委員

    役割:審査・評価

    2021年10月 - 2022年3月

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    種別:審査・学術的助言 

  • International Program Committee 国際学術貢献

    15th INTERNATIONAL SEMINAR ON POWER SEMICONDUCTORS (ISPS) 2021  ( Prague CzechRepublic ) 2021年8月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • Organizing Committee 国際学術貢献

    33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Online Japan ) 2021年5月 - 2021年6月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:505

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2021年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:26

    国際会議録 査読論文数:75

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)  ( Online UnitedStatesofAmerica ) 2020年12月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA-Asia) 2020  ( Kyoto Japan ) 2020年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Online Austria ) 2020年9月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

  • Chair 国際学術貢献

    ECPE Workshop Power Semiconductor Robustness - What Kills Power Devices?  ( Munich Germany ) 2020年1月

     詳細を見る

    種別:大会・シンポジウム等 

    参加者数:130

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2020年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:33

    国際会議録 査読論文数:46

  • IEEE Transactions on Electron Devices 国際学術貢献

    2019年12月 - 2028年12月

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    種別:学会・研究会等 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Shanghai China ) 2019年5月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • 学術論文等の審査

    役割:査読

    2019年

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    種別:査読等 

    外国語雑誌 査読論文数:18

    国際会議録 査読論文数:71

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Chicago UnitedStatesofAmerica ) 2018年5月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Steering Committee, Technical Program Committee 国際学術貢献

    29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Sapporo Japan ) 2017年5月 - 2017年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Technical Program Committee 国際学術貢献

    28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Prague CzechRepublic ) 2016年6月

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    種別:大会・シンポジウム等 

  • Steering Committee 国際学術貢献

    25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)  ( Kanazawa Japan ) 2013年5月

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    種別:大会・シンポジウム等 

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 脱炭素とパワーエレクトロニクスのDXを実現する劣化検出技術

    研究課題/領域番号:120243506  2024年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  二国間交流 

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費以外の競争的資金

  • 東芝デバイス&ストレージ学術奨励制度

    2024年

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    資金種別:寄附金

  • 東芝インフラシステムズ学術奨励制度

    2024年

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    資金種別:寄附金

  • 低ネガワットコストモジュール設計法のFS研究

    2023年8月 - 2026年7月

    共同研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他産学連携による資金

  • 低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究

    研究課題/領域番号:23H01469  2023年 - 2026年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

  • 東芝インフラシステムズ学術奨励制度

    2023年

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    資金種別:寄附金

  • 東芝デバイス&ストレージ学術奨励制度

    2023年

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    資金種別:寄附金

  • 東芝インフラシステムズ学術奨励制度

    2022年

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    資金種別:寄附金

  • 東芝デバイス&ストレージ学術奨励制度

    2022年

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    資金種別:寄附金

  • 省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業「大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発」

    2021年6月 - 2026年2月

    国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO) 

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    担当区分:研究分担者  資金種別:科研費以外の競争的資金

  • 低炭素社会実現に向けた高耐量・高信頼なSiCパワーデバイスを用いた直流遮断器

    2021年 - 2022年

    日本学術振興会  二国間交流

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    担当区分:研究代表者  資金種別:共同研究

  • 東芝デバイス&ストレージ学術奨励制度

    2021年

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    資金種別:寄附金

  • 東芝インフラシステムズ学術奨励制度

    2021年

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    資金種別:寄附金

  • AIゲートドライブの最適駆動変数の決定方法に関する理論構築と実証

    2020年12月 - 2022年9月

    共同研究

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    担当区分:研究分担者  資金種別:その他産学連携による資金

  • パワーモジュール劣化モニタリングFS研究

    2020年10月 - 2022年8月

    共同研究

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    担当区分:研究代表者  資金種別:その他産学連携による資金

  • 新世代Si-IGBT と応用基本技術の研究開発

    2019年4月 - 2020年3月

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    「IGBT のスケーリング則」に基づいた「新世代 Si-IGBT と応用基本技術」を産学官が一体となり実用化を念頭に開発・実証

  • 高効率電気自動車に向けた理論限界を超える新規低耐圧パワーMOSFETの構造と制御

    研究課題/領域番号:1 9 K 2 3 5 1 8  2019年 - 2020年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  研究活動スタート支援

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    担当区分:研究代表者  資金種別:科研費

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教育活動概要

  • 総合理工学府総合理工学専攻 II類 デバイス理工学メジャー

担当授業科目

  • パワーデバイス工学基礎

    2023年6月 - 2023年8月   夏学期

  • 総合理工学修士演習

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 総合理工学修士演習

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 総合理工学修士実験

    2023年4月 - 2024年3月   通年

  • 融合工学概論Ⅰ

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • 異分野特別演習

    2023年4月 - 2023年9月   前期

  • パワーデバイス工学基礎

    2022年6月 - 2022年8月   夏学期

  • 総合理工学修士実験

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • 総合理工学修士演習

    2022年4月 - 2023年3月   通年

  • パワーデバイス工学演習

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • パワーデバイス工学基礎

    2021年6月 - 2021年8月   夏学期

  • パワーデバイス工学実験

    2021年4月 - 2022年3月   通年

  • パワーデバイス工学

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • パワーデバイス工学演習

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • パワーデバイス工学実験

    2020年4月 - 2021年3月   通年

  • パワーデバイス工学基礎

    2024年6月 - 2024年8月   夏学期

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他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

  • 2024年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー   国内外の区分:国内 

  • 2023年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー  国内外の区分:国内 

  • 2022年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー  国内外の区分:国内 

  • 2021年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー  国内外の区分:国内 

  • 2020年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー  国内外の区分:国内 

  • 2019年  東京大学生産技術研究所 リサーチフェロー  国内外の区分:国内 

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指導学生の受賞

  • 令和6年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞

    授与年月:2024年7月

    受賞学生の区分:修士   受賞学生氏名:大亀 幸樹

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    受賞学生の区分:修士   受賞学生氏名:大亀 幸樹

    パワーサイクルセンサの感度向上に向けた新規構造の検討

社会貢献・国際連携活動概要

  • 産学連携コンソーシアムである一般社団法人NPERC-Jのアカデミア会員、中核研究拠点として、新世代パワーエレクトロニクスに関する調査・研究活動を牽引している。また欧米の産学連携コンソーシアムとコンソーシアム間で連携協定を結び、ロードマップ共有、共同研究の日本側メンバーとして活動している。

学内運営に関わる各種委員・役職等

  • 2023年4月 - 2024年3月   研究所 新エネルギー力学部門 部門長