記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated crystallization processes during excimer laser annealing of silicon (Si) thin fi lms on glass by molecular-dynamics (MD) simulations and laser power dependence of the polycrystalline Si grain size was discussed. The temperature range for the highest growth rate was found to be approximately 500 degrees higher than that for the highest nucleation rate. It was also found that a steady state temperature gradient was obtained in the direction of the surface normal during laser irradiation. The nucleation occurred in the Si/glass interface region and then crystallization proceeded toward the high temperature region during laser irradiation in the near-complete melting condition.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated defect formation processes during solid-phase epitaxy of Si in the [001] direction based on molecular dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. Two different types of defect formation processes have been successfully observed in the MD simulations. They can be characterized by the structure of Si-Si dimer bonds created at the amorphous/crystalline interface in the initial stage of the defect formation. In the first type, the Si-Si dimer bonds form coupled dimer lines and these coupled dimer lines lead to the creation of {111} stacking faults. In the second type, the Si-Si dimer bonds form a single dimer line which leads to the creation of [111] twins.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Crystal growth processes of low-density framework forms of crystalline silicon, named Si clathrates (Si-34 and Si-46), during solid phase epitaxy (SPE) have been successfully observed in molecular-dynamics simulations using the Tersoff potential. The activation energy of SPE for Si-34 has been found to correspond with the experimental value (approximate to2.7 eV) for the cubit: diamond phase, while the SPE rates of Si-46 are much lower than that of Si-34. The structural transition from Si-46 to Si-34 can be also observed during the Si-46-[001] SPE. The present results suggest that new wide-gap Si semiconductors with clathrate structures can be prepared using epitaxial growth techniques.

DOI： 10.1103/PhysRevLett.86.4879

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.mtla.2020.100670

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.commatsci.2019.109500

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1007/s11664-013-2948-6

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1007/s11664-014-3118-1

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1007/s11664-013-2948-6

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Molecular-dynamics (MD) simulations of excimer-laser annealed Si using the Tersoff potential have been performed and the processes of the nucleation and crystallization of Si are monitored by the order parameter for each atom. The order parameter which identifies each atom belonging to the crystalline phase in amorphous and liquid-like environment is presented by a four-body correlation function. The simulation results show that the atomistic processes of the nucleation and crystallization of Si on crystalline Si (c-Si) substrates can be divided into several stages. Twins with low formation energy disturb the further crystallization of nucleus along the [111] direction.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Molecular Dynamics Studies of Surface Nucleation and Crystal Growth of Si on SiO2 Substrates

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

We have introduced pseudo-natural cooling model into our simulator to realize behavior of Si atoms under a more natural temperature distribution not to be controlled
artificially. Analyzing states of each atom during cooling under the condition, it is suggested that nucleation and growth of Si occurs in amorphous-like phase or low-density liquid phase rather than supercooling liquid phase.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Precipitation and growth behavior of AlN from Cu-Al-Ti- N solution under the atmospheric pressure of nitrogen has been studied. The solubility of AlN in Cu flux ranges from 5 mol% to 20 mol% at the temperatures between 1700° C and 2000° C. The addition of the proper amount of Ti drastically enhances the solubility of AlN. Acicular crystallites and platelets of AlN precipitants, which were all water white colored, were obtained by super-cooling the Cu-Al-Ti- N solution. The largest pencil type AlN reached more than 3 mm in its length and 0.2 mm in its diameter. The axis of the pencil was c-axis of wurtzite AlN and it contained no dislocation, no diffractive defects. A platelet of AlN of which diameter exceeded 1.5 mm was also obtained by regrowth technique. Thermodynamic calculation reveals the validity of using Cu-Al-Ti- N solution for the growth of AlN.

DOI： 10.1007/s10854-005-0765-2

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Liquid-phase epitaxial (LPE) growth, on silicon carbide. simultaneously covers macroscale defects, e.g., micropipes, and improves the quality of the crystal. In this study, an epi-layer grown over a macrodefect was evaluated by micro-Raman scattering spectroscopy. Before the growth process, the density of the stacking fault was high and the carrier density spatially inhomogeneous in the vicinity of the macrodefects. On the other hand, after growth, the layer over the macrodefect displayed good quality; the density of the stacking fault was less than that before growth and the homogeneity of the carrier density improved.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Silicon carbide (SiC) crystal growth from ternary solutions Si-C-X where X is a transition metal was studied. In order to select the desirable transition element and to determine the solution composition, we have conducted the calculations of ternary phase diagrams by means of CALPHAD (CALculation of PHase Diagrams) method. Preliminary growth experiments without a seed crystal were also performed. Among various Si-based solutions, Si-C-Ti was one of the most effective solutions to increase crystal growth rate compared with Si-C. Optical microscopic observation of the obtained SiC etched by molten KOH showed no micropipe defects in the crystals. We have also performed the growth experiments with 6H-SiC seed crystal under temperature gradient. As a result, we have successfully obtained a 12mm X 12mm self standing SiC crystal.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We performed homoepitaxial growth of 6H-SiC layers on substrates including micropipes by the LPE method and evaluated the crystal quality by Raman scattering spectroscopy. In particular, we focused on the crystal quality of layers covering micropipes. It was made clear that there is no stress due to morphological macroscopic defects in the crystal over micropipes. Moreover, LPE growth not only closes a micropipe but also reduces the inhomogeneity of carrier density which exists in the area of the micropipe before growth.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

TEM characterization was carried out on the epitaxial interface formed by seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvents such as Ti and Mn. The penetration of the solution into the micropipes and its solidification behavior were clearly observed. Although stacking faults are introduced in the vicinity of micropipes during the solidification, it decreases as the growth proceeds. The micropipes are terminated by the lateral overgrowth of epitaxial SiC layer. The crystallinity of 6H-SiC obtained from Si-Ti-C solution is much better than that obtained from Si-Mn-C solution.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated atomistic processes of nucleation and crystallization in supercooled liquid silicon (Si) based on molecular-dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. MD cells composed of up to 8192 Si atoms were heated to produce melted Si, and then melted Si was quenched under various supercooled conditions with or without a temperature gradient and the corresponding nucleation processes were visualized. The critical nucleation radius was determined as a function of the amount of supercooling DeltaT and it was found to be inversely proportional to DeltaT. It was also found, in the case of supercooling under a linear temperature gradient, that nucleation first occurred at the lower-temperature region and then crystallization proceeded toward the high-temperature region with the (111) surface mostly parallel to the temperature gradient.

DOI： 10.1103/PhysRevB.69.073307

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Crystal Quality Evaluation of 6H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy around Micropipes using Micro-Raman Scattering Spectroscopy

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Solution Growth of Self-Standing 6H-SiC Single Crystal Using Metal Solvent

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

TEM Studies on the Initial Stage of Seeded Solution Growth of 6H-SiC using Metal Solvent

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Molecular dynamics simulations of nucleation and crystallization processes during excimer-laser annealing of amorphous silicon on glass

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We report microstructures on the surface of graphite particles found in practicable carbon anodes by means of high-resolution transmission electron microscopy. The surfaces consist of "closed-edge" structures constructed in a similar manner as carbon nano-tube. We have also investigated the formation mechanism of these nano-structures using molecular dynamics simulations based on the Tersoff potential. From electrochemical measurements, the carbon anodes composed of these "closed-edge" structures show actually high battery performance with a large discharge capacity and a small irreversible capacity. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Molecular-Dynamics Studies on Solid Phase Epitaxy of Guest-Free Silicon Clathrates

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Energetics and thermodynamic properties of some expanded-volume silicons have been investigated using an empirical bond-order potential developed by Tersoff. For the most important silicon clathrate networks Si-34 and Si-46, we report on their elastic properties, vibrational properties, thermodynamic proper-ties (free energy, entropy, heat capacity, and melting temperature), and the formation energies of vacancy, using the harmonic approximation and/or molecular-dynamics simulations. In order to illustrate relations between energetics and geometrical properties in expanded-volume silicons, we have calculated optimized geometries and energetics for more than 60 kinds of silisils, "zeolite without oxygen," introduced by the Arizona State University group. A simple relation between cohesive energies and geometrical properties is found in these systems. It is also found that bulk moduli in these structures strongly depend on the density (or the atomic volume) and a simple theory deduced from the pseudopotential total-energy formalism by Lam et al. [Phys. Rev. B 35, 9190 (1987)] holds in the relation between them.

DOI： 10.1103/PhysRevB.64.195409

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We present a joint experimental and theoretical study of the stability and structural properties of Ba-doped silicon type-I clathrates Ba8Si46 synthesized under high pressures. The thermodynamic stability of Ba8Si46 under high pressure has been discussed from the total energy calculations of some barium silicides within the local density approximation (LDA). We have theoretically found that pressure favors the formation of the clathrate phase as experimentally observed. We have also per-formed a synchrotron x-ray-diffraction experiment of Ba8Si46 prepared under high pressures. Some of the missing endohedral Ba elements in the small cage of Si(20) have been observed by x-ray crystallography, while big cages of Si(24) are found to be completely occupied by Ba elements. The stabilization energies of Ba atoms in the endohedral sites estimated within the present LDA calculation suggest that this is presumably attributed to the energetical site preference of Ba atoms between d(6) and a(2) sites. In addition, the isothermal parameter of Ba in the big cage of Si(24) has been found to be larger than that in the small Si(20) unit, which is consistent with some theoretical predictions in earlier works.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The dynamical nature of the motion of atoms in a silicon crystal is investigated from the information theoretic standpoint with time series analysis about numerical solutions of molecular dynamics simulation. The atomic motion exhibits exponential decay of information entropy with a characteristic time scale of similar to 40 x 10(-15) sec. This observation may be interpreted as a signature of microscopic dynamical instability in solids.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated atomic diffusion properties near the amorphous/crystalline (a/c) Si(001) interface during solid-phase epitaxy (SPE) of Si based on molecular-dynamics simulations using the Tersoff potential. It has been found that the mean-square displacement of the Si atoms in an amorphous layer with a thickness of 10 Angstrom at the ale interface is larger than that in bulk amorphous Si. This can be attributed to local heating due to crystallization of amorphous Si during SPE growth.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Nano-structures on the surface of graphite based carbon particles have been investigated by means of high resolution transmission electron nnicroscopy. The surfaces consist of "closed-edge" structures in a similar manner as carbon nano-tube. That is, they are composed of coaxial carbon tubes consisting of adequate coupling of graphite layer edges. These graphite particles are chemically stable and, therefore, applicable for lithium-ion secondary battery anodes. Molecular dynamics simulations based on the Tersoff potential reveal that the vibrations of the graphite layers at the free edges play an important role in the formation of the closed-edge structures. In lithium-ion secondary batteries, Li ions can intrude into bulk carbon anodes through these closed-edge structures. In order to clarify this intrusion mechanism, we have studied the barrier potentials of Li intrusion through these closed edges using the first-principles cluster calculations. From electrochemical measurements, the carbon anodes composed of these closed-edge structures show actually high battery performance with a large discharge capacity and a small irreversible capacity. This article also implies that we can control these surface structures by choosing some suitable heat treatment conditions and/or pulverization conditions before the final heat treatment process.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Energetics and electronic states of Si34-xGex clathrate alloys have been investigated. The atomistic structures, the equations of state, and the lineup of band structures for these clathrates are calculated using the Vanderbilt ultra-soft pseudopotential method within the local-density-functional formalism. Some of these Si34-xGex clathrate alloys with an ideal Fd (3) over bar m symmetry are found to have direct band gap at the pi/a(111) (L) point in the Brillouin zone. The entire band gap of the Si34-xGex alloys is predicted to range between 1.2 and 2.0 eV. The total-energy difference between these clathrate alloys and the well-known sp(3) Si-Ge alloys is less than 0.08 eV/atom. A method to synthesize these clathrate systems is also discussed. These Si-Ge clathrate alloys may iind applications in optoelectronics semiconductor devices based on the Group-IV elements.

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Crystal-growth processes of Si during solid phase epitaxy (SPE) in the [001] direction have been investigated based on molecular-dynamics (MD) simulations using the Tersoff potential. A tetragonal cell including an amorphous/crystalline (a/c) Si interface composed of up to 4096 atoms was taken as the starting system. From the Arrhenius plot of the growth rates obtained by MD simulations, we have found that the activation energy of SPE at lower temperatures is in good agreement with the experimental value (approximate to 2.7 eV), while it becomes lower at higher temperatures. This can be attributed to the difference in the a/c interface structure and SPE mechanism. In the low-temperature region, the ale interface is essentially (001) and the rate-limiting step is two-dimensional nucleation on the (001) ale interface. On the other hand, the ale interface is predominantly composed of {111} facets in the high-temperature region and the rate-limiting step is presumably a diffusion process of Si to be trapped at the kink sites associated with these facets.

DOI： 10.1103/PhysRevB.61.8537

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have performed molecular dynamics (MD) simulations of crystal growth from melted Si using a MD cell immersed in a thermal bath with various temperature gradients. Based on the analysis of changes in the distance between the (0 0 1) atomic planes, it was found that uniaxial strain was induced along the [0 0 1] direction near the solid/liquid interface. The induced strain is essentially the same as equilibrium thermal expansion corresponding to the local temperature when the temperature gradient is low. However, as the temperature gradient increases, the tensile strain becomes smaller than equilibrium thermal expansion and it gradually changes to being compressive. This is consistent with the experimental trend that interstitial-type grown-in defects are formed in higher-temperature gradients. We have also examined oxygen effects on the strain by introducing an oxygen atom in melted Si and found that the oxygen atom is taken into the interstitial site of crystal Si resulting in an enhancement of the tensile strain. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00647-8

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have performed molecular-dynamics calculations to examine defect-formation processes in silicon grown from the melt based on the ordinary Langevin equation employing the Tersoff interatomic potential. Our simulations indicated that hexagonal structures are formed near the solid-liquid interfaces and these regions give rise to microfacets composed of primarily {111} planes. Most of these hexagonal configurations were annihilated during further crystal growth, but a part of them were left, which resulted in defect formation with five- and seven-member rings.

DOI： 10.1103/PhysRevB.58.12583

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

We have investigated the behavior of carbon (C) atoms during the crystal growth from liquid silicon (Si) based on molecular-dynamics simulations using the Tersoff interatomic potential. From the analyses of the pair-correlation functions, distribution of local coordination numbers, and bond angle distributions, it was found that C atoms in melted Si have a preference for three- and four-fold sites corresponding to the sp(2) and sp(3) bondings, respectively, while C atoms in crystalline Si grown from the melt occupy the substitutional sites. Crystal growth in the [0 0 1] direction occurred by attaching Si atoms in melt at kink sites associated with {1 1 1} facets formed at the solid-liquid interface. On the other hand, the interface was smooth and layer-by-layer growth occurred in the [1 1 1] direction. It has been also shown that the aggregation of C atoms can induce defects. These defects were localized around the C atoms in the case of the [0 0 1] growth, while they developed with the [1 1 1] crystal growth. This was attributed to a remarkable difference between the (0 0 1) and (1 1 1) solid-liquid Si interface structures.

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00728-3

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Defect formation during crystal growth from melted silicon

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Amorphous silicon (a-Si) networks have been generated from melted Si with various quenching rates by molecular-dynamics (MD) simulations employing the Tersoff potential. The cooling rates were set between 5 x 10(11) and 1 x 10(14) K/s; the latter is the slowest quenching rate in MD simulations previously performed. Although the atomic configurations formed by the cooling rate of 10(14) K/s could reproduce the radial distribution function of a-Si obtained experimentally, they contained numerous structural defects such as threefold- and fivefold-coordinated atoms. As the cooling rate decreased, the average coordination number became approximate to 4 and tetrahedral bonds predominated. The structural and dynamical properties of a-Si generated by a cooling rate with similar to 10(12) K/s were in excellent agreement with those of a-Si obtained experimentally.

DOI： 10.1103/PhysRevB.56.15133

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

We have performed molecular-dynamics simulations of heating, melting and recrystallization processes in amorphous silicon (a-Si) thin films deposited on glass during excimer laser annealing. By partially heating the a-Si surface region with 2 nm depth and removing thermal energy from the bottom of the glass substrate, a steady-state temperature profile was obtained in the a-Si layer with the thickness of 15 nm and only the surface region was melted. It was found that nucleation predominantly occurred in the a-Si region as judged by the coordination numbers and diffusion constants of atoms in the region. The results suggest that nucleation occurs in unmelted residual a-Si region during the laser irradiation and then crystal growth proceeds toward liquid Si region under the near-complete melting condition.

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

We have developed a new thermoelectric power-generating module composed of 72 pieces of n-type Ba8Al18Si28 clathrate elements made by arc melting. The Seebeck coefficient, specific electric resistance and thermal conductivity of Ba8Al18Si28 clathrate were 250 μV/K, 1.9 mΩcm and 3.1 W/mK at 500 ºC, respectively, and the thermoelectric figure of merit (ZT) was 0.8. The new thermoelectric module was constructed using only n-type thermoelectric elements connected in series with hook-shaped electrodes. The open-circuit voltage of the module was 1.8 V at the hot-side temperature of 500 ºC. The maximum electric power was 0.24 W. The module was successfully used to charge lithium-ion batteries for mobile phones.

開催年月日： 2023年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：とやま自遊館、富山大学五福キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学青葉山新キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学青葉山新キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学青葉山新キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2023年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎県壱岐市   国名：日本国  

開催年月日： 2022年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2020年11月 - 2020年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2020年11月 - 2020年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京理科大　野田キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学　中之島センター   国名：日本国  

開催年月日： 2019年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：岡山大学   国名：日本国  

開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2018年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学医学・工学研究科 東京ブランチ   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年8月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kokura, Japan   国名：日本国  

開催年月日： 2018年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

開催年月日： 2017年11月 - 2017年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：仙台市内 ホテル華乃湯   国名：日本国  

開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：株式会社島津製作所 関西支社 マルチホール   国名：日本国  

開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：大阪大学豊中キャンパス   国名：日本国  

タービンなどの大型装置を用いずに熱から 電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。 熱電発電についてはここで説明するまでもな く、材料内に温度差を与え、ゼーベック効果に より発生する起電圧を利用することになる。高 温部から低温部への熱流が同時に生じるため、 低温部からの放熱のため、変換効率を低下させ るジレンマも同時に有することとなる。そこで、 今回は、太陽電池のようなp/n 接合おいて、接 合部のバンドギャップが狭くなるようなバン ド構造を形成すれば、試料に温度差を与えるこ となく均一に加熱することにより、p/n 接合部 においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化 させることなく電荷分離することが可能であ ると考え、そのようなp/n 接合素子の作製を試 みた研究を紹介する。 実験方法 本研究では、組成に応じてバンドギャップが 変化することが報告されているBa8AuxSi46-x ク ラスレートに注目し、偏析を利用することによ り、組成傾斜材料の作製を試みた。高純度の Ba, Au, Si をBa：Au：Si = 8：8：38 となる ように秤量し、アーク溶融法により合金化した 後、得られた試料を原料としてCZ 法により単 結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結 晶の体積を調整することにより、組成傾斜 Ba8AuxSi46-x クラスレート単結晶作製を行った。 結果と考察 作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切 りに切り出した試料の組成分析の結果から、こ の試料は上部から下部にかけて徐々にAu の濃 度が上昇している組成傾斜材料であることが 分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼ ーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の 部分はn 型であり、引き上げ後期にはp 型の材 料になっていることが確認できた。さらに、XRD やEBSP の結果により今回作製した試料が単結 晶Ba8AuxSi46-x クラスレートであることも確認 された。以前の研究により、真性半導体に近い 組成のBa8AuxSi46-x クラスレートは、狭いバン ドギャップを有し、n 型もしくはp 型側に組成 がずれるほど、ワイドバンドギャップ化するこ とが分かっている。よって、今回得られた単結 晶試料は種結晶に近い側から、n 型→真性→p 型半導体となっており、同時にバンドギャップ は、wide→narrow→wide となっていることが 想像される。この試料を用いて、試料内に温度 差が無いように試料全体を昇温する実験を行 い、試料pn 両端の電圧を測定した結果、500 度において1.9mV 程度の電圧が観測された。 結言 本研究で観測された電圧はp/n 接合におい て接合部のバンドギャップが狭くなるような バンド構造を形成した場合、試料に温度差を与 えることなく均一に加熱することにより、p/n 接合部においてのみキャリアを励起し、バンド の曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電 圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、 本研究により提唱された新たな発電メカニズ ムの検証についても講演する予定である。

開催年月日： 2017年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

【緒言】内燃機関では本来の人の移動や貨物の移動に有効利用されるエネルギーは、投入エネルギーの約30％ほどであり、大部分を占める排熱を回収する技術が盛んに研究されている。タービンなどの大型装置を用いずに熱から電力を生む技術として熱電発電が挙げられる。熱電発電では材料に温度差を与えた場合に生じるゼーベック効果を用いて行われているが、温度差を与えたことにより発生する熱流によるエネルギーロスが同時に生じるため、変換効率は10％程度にとどまっている。そこで、我々は太陽電池のようなp/n接合おいて、接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成すれば、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみ電子を励起し、バンド構造を変化させることなく電荷分離することが可能であると考え、そのようなp/n接合素子の作製を試みた。 【実験方法】本研究では、組成に応じてバンドギャップが変化することが報告されているBa8AuxSi46-xクラスレートに注目し、偏析を利用することにより、組成傾斜材料を作製することを試みた。高純度のBa, Au, SiをBa：Au：Si = 8：8：38となるように秤量し、アーク溶融法により合金化した後、得られた試料を原料としてCZ法により単結晶化を行った。その際、融液と引き上がる結晶の体積を調整することにより、組成傾斜Ba8AuxSi46-xクラスレート単結晶の引き上げを行った。 【結果および考察】作製した試料を引き上げ方向と平行に輪切りに切り出した試料の組成分析の結果から、この試料は上部から下部にかけて徐々にAuの濃度が上昇している組成傾斜材料であることが分かった。また、それぞれ切り出した試料のゼーベック係数測定の結果より、引き上げ初期の部分はn型であり、引き上げ後期にはp型の材料になっていることが確認できた。さらに、XRDやEBSPの結果により今回作製した試料が単結晶Ba8AuxSi46-xクラスレートであることも確認された。以前の研究により、真性半導体に近い組成のBa8AuxSi46-xクラスレートは、狭いバンドギャップを有し、n型もしくはp型側に組成がずれるほど、ワイドバンドギャップ化することが分かっている。よって、今回得られた単結晶試料は種結晶に近い側から、n型→真性→p型半導体となっており、同時にバンドギャップは、wide→narrow→wideとなっていることが想像される。この試料を用いて、試料内に温度差が無いように試料全体を昇温する実験を行い、試料pn両端の電圧を測定した結果、500度において1.9mV程度の電圧が観測された。以上より、p/n接合において接合部のバンドギャップが狭くなるようなバンド構造を形成した場合、試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより、p/n接合部においてのみキャリアを励起し、バンドの曲がりに応じて電荷分離が行われた結果、電圧が生じると考えられる。シンポジウムでは、本研究により提唱された新たな発電メカニズムの検証についても講演する予定である。

開催年月日： 2017年8月 - 2016年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年8月 - 2016年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年8月 - 2016年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年8月 - 2016年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年8月 - 2016年8月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年4月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：首都大学東京   国名：日本国  

開催年月日： 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：東京工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2016年12月 - 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：日本大学理工学部 駿河台キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日本大学理工学部 駿河台キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日本大学理工学部 駿河台キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日本大学理工学部 駿河台キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：日本大学理工学部 駿河台キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学青葉山キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：北九州学研都市   国名：日本国  

開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京理科大学葛飾キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京理科大学葛飾キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京理科大学葛飾キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

【緒言】 自動車などの内燃機関で排熱として捨てられる約70%のエネルギーを有効活用するため、熱を直接電気に変換し再利用できる熱電材料が注目されている。最近、我々の研究グループにおいて、従来の温度差を利用したゼーベック効果による発電とは異なる温度差を必要としない新しい発電効果の研究について報告を行った。この効果ではバンドギャップの大きい材料と小さい材料を連続的に接合させ昇温することにより、バンドギャップが小さい部分からのみ電子励起を起こし、電荷分離を行うことにより発電が可能であると考えられる。本研究では、融点が異なる二つの粉末材料を同時に焼結することにより異相界面をもつ焼結体を得ることを目標に、融点の高いSiと低いGeをSPS焼結法において、温度差を付与させることで同時焼結させることを目的とした。 【実験方法】 純金属のSiとGeを同体積となるように秤量し、それぞれ粉砕したのちSPS焼結法で二層になるように焼結した。焼結の際に二層に温度差を付与しない従来のSPS法と温度差を付与する新しいSPS法の二つを用いた。試料を装填する焼結型を上下対象に固定する従来のSPS法と比べて、新しいSPS法では焼結型の位置を変えることによって上下で断面積に差をつけることによる電流密度の偏りによって焼結型と試料の抵抗による発熱量に差が生じ温度差が付与されると考えた。焼結進度を評価するために光学顕微鏡による観察、アルキメデス法による密度測定、空隙率の測定によって比較した。次に温度差を付与した焼結において保持時間を5分、1時間、10時間と変化させて焼結を比較した。 【結果および考察】 有限要素法によるシュミュレーションの結果より、焼結型の位置を変えた場合Si側とGe側で温度差が約200℃付与されたことが確認された。図1に焼結前後の光学顕微鏡像を示す。温度差を付与しない場合、融点の高いSi側の層は焼結が不十分であった。焼結時にSi側の温度が高くなるように温度差を付与した場合は、Si側、Ge側とも焼結が進んでいた。この結果より温度差を付与してSPS焼結させることは融点の異なる二つの粉体の同時焼結において有効であることがわかった。しかしながら、温度差を付与して場合においてもSi側にはわずかに空隙が確認され、焼結時の保持時間を増加させても完全に消滅されることはできなかった。これはSi側に付与される温度が不十分であったためと考えられるが、Geの融点が小さくSPS焼結における温度は、これ以上、上げることはできないため、改善策としてより温度差を付与することができる焼結法の模索や温度差を必要としない新しい発電効果を発現しうる二層の組み合わせの中でより融点差の小さな元素系の模索が必要と思われる。

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

【緒言】 我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。 【実験方法】 高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。 【結果および考察】 XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

【緒言】 従来、排熱回収として温度差を利用したゼーベック効果を用いた熱電発電が挙げられるが、最近、我々の グループは温度差を必要とせず均一温度で昇温のみを行うことにより発電することのできる新たな発電メカ ニズムの研究を行い報告を行った。この新たな発電メカニズムでは、試料内でのバンドギャップを制御し、 バンドギャップの大きい部分と小さい部分を接合させることにより、狭バンドギャップ部でのみ熱励起を起 こすことにより発電が可能となっていると考えられている。昨年の本学会においてバンドギャップが組成に 応じて変化すると報告されているBa8CuxSi46-xクラスレートを用いて、チョクラルスキー法(CZ法)により偏析 を利用し試料内でのCu組成を変化させることによりバンドギャップを変化させたn型単結晶Ba8CuxSi46-xクラ スレートを作製し、等温下での発電を観測し報告を行った。本研究では、試料内でのCu組成をさらに大きく 変化させるためにCuドープ量の少ない単結晶Ba8CuxSi46-xクラスレートを作製した後に、それを種結晶として、 Cuドープ量の多い融液からの引き上げを二段階で行うことにより、更なる高性能化を試みた。 【実験方法】 Cuドープ量の少ないBa8CuxSi46-xクラスレート単結晶を作製するために、x=4となるように各純元素を秤量し、 アーク溶融法を用いて合金を作製した。このアーク後の合金を原料として、CZ法により単結晶化を行った。 次に、Cuドープ量の多い融液からの引き上げを行うために、x=9となるように、各元素を秤量し、アーク溶融 法により合金を作製した。この合金を融液原料とし、先に作製しておいた単結晶を種結晶としてCZ法を行っ た。得られた結晶について、構造解析や組成分析を行った後、Cuドープ量の少ない種結晶とドープ量の多い 単結晶の界面を含むように切り出された試料を用意し、等温に昇温することによって得られる起電力を測定 し、CZ法一段階で作製した単相の比較試料(仕込み組成Ba8Cu5Si41)と比較した。 【結果および考察】 一段階目のCZ法で得られた結晶および二段階目に作製された結晶層のいずれにおいても、XRDの結果よりク ラスレート構造を有していることを確認された。さらに、WDXの組成分析結果より、試料上部(種結晶部)から 下部(成長層)にかけてCu組成が段々と大きくなっていることを確認された。同様に層状に切り出した比較試 料も試料上部から下部にかけてCu組成が大きくなっていることが確認された。二段階で作製した試料と比較 試料の持つCu組成幅を比較したところ二段階で作製した試料の上部と下部のCu組成の幅(約4.1〜5.3)は比較 試料の持つCu組成幅(約4.2〜4.5) より高くなっていることが確認された。この二つの試料に等温に昇温する ことによって得られる起電力の測定を行ったところ、二つの試料ともに昇温とともに得られた起電力が大き くなっていくことが確認され (Fig.1)、得られ た最大起電力を比較したところ、二段階で作製 した試料がより高い起電力を得たことが確認 された。二つの試料ともに、Cu組成の小さいn 型半導体側ではバンドギャップが広くより真 性半導体側に近くなるにつれて狭くなると考 えている。これを等温に昇温することによって バンドギャップが狭い側で価電子帯から伝導 帯に電子が励起し拡散し電化分離するために 起電力を得ると考えられる。今回、二段階で作 製した試料が比較試料より高い起電力を得た 理由として試料の持つCu組成幅が大きくなる ことにより、伝導帯の底のエネルギーとフェル ミ準位の差がより大きくなり、起電圧が大きく なったものと考えられる。

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

【緒言】 我々の研究チームでは従来の熱—電力変換効果であるゼーベック効果とは異なる、エネルギー変換に温度差を必要としない新たな変換効果を考案し、研究を行っている。昨年の本学会にて、この新たな変換効果の条件を満たす試料の作製方法としてSPS法を用いた二層Ba8AuxSi46-xクラスレート試料の作製についての報告を行った。Auの濃度によってn型、p型と変化するBa8AuxSi46-xクラスレートの特性を利用し、同一の焼結型にAu濃度の高いクラスレート層とAu濃度の低いクラスレート層を充填し焼結を行うことで、界面にAu濃度の傾斜を持つ、n型とp型の接合した試料の作製を試みた。これによって作製された試料は500℃の均一温度下において約2 mVの起電力を生じ、新たな変換効果の試料の作製に有効であることが示された。この効果による起電力を増加させる方法の一つとして、n型側およびp型側のAu濃度の差を大きくすることが有効であると考えられる。本研究ではSPS法を用いてAu濃度差の異なるn/p二層界面を有する試料を作製し、等温下での発電により電圧と組成との関係を明らかにすることを目的とした。 【実験方法】 高純度のBa、Au、Siを原料として、n型およびp型となるように、それぞれAu濃度の低いBa8Au4.8Si41.2と高濃度のBa8Au5.2Si40.8となるように2種類の組成になるように秤量し、これらをアーク溶融法で合金化した。次に、この2つのアーク溶融後の試料をそれぞれ粉末にした後、黒鉛の焼結ダイの内に、低Au濃度の粉末層の上に高Au濃度の粉末層となるように充填し、SPS法により焼結を行った。本研究では二層試料のAu濃度差が異なるものを比較・検証するため、2つの層のAu濃度差の大きい試料を作製するため、Au濃度差が大きく異なるBa8Au4.0Si42.0とBa8Au6.0Si40.0となる2つの粉末も用意し、同様に二層焼結体を作製した。作製された試料にはXRDを用いた結晶構造解析、ならびにWDXによる組成分析を行った。また、それぞれの部位のゼーベック係数の測定を行い、特性の確認を行った。その後、各試料を均一温度となるように加熱し、起電力測定を行った。 【結果および考察】 XRDによる結果から、今回作製された試料はいずれの部分もクラスレート構造を有していることがわかった。また、ゼーベック係数の測定結果より、x=4.8およびx=4.0の部位はn型半導体、x=5.2、x=6.0の部位はp型半導体であることが示された。さらにWDXによる組成分析の結果から、それぞれの試料のn/p界面においてAu濃度の傾斜がみられた。これはSPS法による焼結の際の高温保持によってAu濃度の高いp型半導体側からよりAu濃度の低いn型半導体側へのAuの拡散が促されたためであると考えられる。Fig.1に今回作製された試料ならびに以前報告したx=4.5およびx=5.5で作製された試料の均一温度下における起電力測定の結果を示す。この結果からAu濃度差が大きいほど起電力が増加する傾向が確認された。これはAu濃度差が増加することによってバンド構造の変化量が大きくなり、発生させられる起電力の大きさが増加したためであると考えられる。これらの結果からAu濃度の差の大きさが新たな熱—電力変換効果の起電力の値に影響を及ぼす事が示されるとともに、SPS法による二層試料作製が起電力を改善した試料の作製に有効であることが示された。

開催年月日： 2016年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：熊本大学   国名：日本国  

【緒言】 廃熱を電気エネルギーに変換することが可能である熱電材料が近年注目されている。その中でも、低熱伝導度を有し、高温域(400〜600℃)で使用可能なシリコンクラスレートについて多くの研究が行われている。n型のシリコンクラスレート合成の報告例は多くあるが、p型合成に関しては数例しか報告例がなく、バンドギャップの小さいことによる高温域におけるゼーベック係数の低下が課題である。そこで、本研究ではワイドバンドギャップ化および、バンド構造を変化させることによる有効質量の軽減を目論み、既に報告のあるp型Ba8AuxSi46-xクラスレートをベースに、Siサイトの一部をGeに置換することによりBa8AuxGeySi46-x-yクラスレートを作製し、高温域における高性能化を試みた。 【実験方法】 純金属のBa、Au、Ge、Siを、Ba8Au5.2GexSi40.8-x(x=0, 17, 30、40)、Ba8Au6.0GexSi40-x(x=0, 17)の化学量論比となるように計6試料秤量し、アーク溶融法によりAr雰囲気中で合金化した。その後インゴットを粉砕し、焼結温度800℃、保持時間5分の条件で放電プラズマ焼結(SPS)にて試料を作製した。作製した試料をXRDにより結晶構造解析、EPMA(WDX)により組成分析を行った。また、ゼーベック係数、比抵抗測定を行った。 【結果および考察】 作製した試料のXRD結果より、すべての試料がクラスレート構造を有していることが確認できた。また、EPMAを用いたWDXによる組成分析結果より、これらの試料は仕込み組成に近い組成を有していることが確認できた。Fig.1にAuの仕込み組成を5.2とした3つの試料Ba8Au5.2Si40.8、Ba8Au5.2Ge17Si23.8、Ba8Au5.2Ge30Si10.8、Ba8Au5.2Ge40.8のゼーベック係数の温度依存性を、Fig.2にAuを6とした2つの試料Ba8Au6Si40、Ba8Au6Ge17Si23のゼーベック係数の温度依存性を示す。高温域におけるp型材料のゼーベック係数についてGe置換前後で比較すると、Au=5.2、Au=6共にGe置換によってゼーベック係数は大幅に向上した。これはSiに比べGeの有効質量が小さいことによると考えられる。また、Ba8Au5.2Ge30Si10.8ではBa8Au5.2Si40.8に比べて、ゼーベック係数の向上に加えてゼーベック係数のピーク位置が高温側に移行した。これはSiに比べGeのバンドギャップが大きいことにより、真性遷移温度が高温側へ移行したためと考えられる。Fig.1においてBa8Au5.2Ge40.8のみゼーベック係数が負の値、その他の試料はゼーベック係数が正の値となり、Ba8Au5.2Ge40.8のみn型半導体であることが確認された。これはGeがSiに比べてアクセプターとして働く原子空孔が少なく、電子優勢になっているためと考えられる。以上よりBa8AuxSi46-xクラスレートのSiをGeに置換することで、高温域においてゼーベック係数の向上が可能であることが示唆された。

開催年月日： 2016年3月 - 2016年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：琉球大学工学部   国名：日本国  

開催年月日： 2015年11月 - 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：島津製作所東京支社イベントホール   国名：日本国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：新化学技術推進協会（JACI）三番町ＫＳビル   国名：日本国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学西新プラザ   国名：日本国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学西新プラザ   国名：日本国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：九州大学西新プラザ   国名：日本国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学エネルギー基盤技術国際教育研究センター   国名：日本国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学エネルギー基盤技術国際教育研究センター   国名：日本国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：島津製作所関西支社マルチホール   国名：日本国  

開催年月日： 2014年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：ＪＳＴ東京本部別館ホール   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：独立行政法人物質・材料研究機構　千現地区管理棟   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：独立行政法人物質・材料研究機構　千現地区管理棟   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北海道大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福島県　郡山ユラックス熱海   国名：日本国  

開催年月日： 2014年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福島県　郡山ユラックス熱海   国名：日本国  

開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ドイツ連邦共和国  

開催年月日： 2014年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：ドイツ連邦共和国  

開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2013年10月 - 2013年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：島根県産業技術センター　機械素材研究所   国名：日本国  

開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：金沢大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：グレートブリテン・北アイルランド連合王国(英国)  

開催年月日： 2013年6月 - 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月 - 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月 - 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月 - 2013年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：くまもと県民交流館パレア   国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：神奈川工科大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：神奈川工科大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京電機大学   国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：中華人民共和国  

開催年月日： 2012年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：工学院大学   国名：日本国  

開催年月日： 2012年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2012年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2012年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2012年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：北九州国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Kyushu University   国名：日本国  

開催年月日： 2012年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2012年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2012年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2012年1月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

開催年月日： 2011年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：大韓民国  

開催年月日： 2011年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2011年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2011年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2011年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2011年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：筑波   国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年11月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年10月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：福岡   国名：日本国  

開催年月日： 2010年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：長崎大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

開催年月日： 2010年6月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Uniaxial strain observed in solid/liquid interface during crystal growth from melted Si: A molecular dynamics study

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanism and defect formation

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

MOLECULAR DYNAMICS SIMULATIONS OF NUCLEATION AND CRYSTALLIZATION PROCESSES DURING EXCIMER-LASER ANNEALING OF AMORPHOUS SILICON ON GLASS

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

Solution growth of self standing 6H-SiC single crystal using metal solvent

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

Crystal quality evaluation of 6H-SiC layers grown by liquid phase epitaxy around micropipes using micro-Raman scattering spectroscopy

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：フランス共和国  

TEM studies on the initial stage of seeded solution growth of 6H-SiC using metal solvent

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

Moleculr Dynamics Simulations of Velocity Distribution and Local Temperature Changes During Rapid Cooling Processes in Excimer-laser Annealed Silicon

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Molecular Dynamics Study of Nucleation and Crystal Growth of Si on Nano-Structured Glass Substrates

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九大   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九大   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

会議種別：口頭発表（一般）  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：武蔵工業大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

会議種別：シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）  

開催地：九州工業大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：立命館大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：立命館大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京工業大学   国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東京工業大学   国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：100

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：2

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：0

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：150

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：2

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：0

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：200

種別：大会・シンポジウム等 

参加者数：100

種別：査読等 

外国語雑誌　査読論文数：2

日本語雑誌　査読論文数：0

国際会議録　査読論文数：0

国内会議録　査読論文数：0

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等 

種別：大会・シンポジウム等