2025/06/29 更新

お知らせ

 

写真a

タキカワ　リヨウ
多喜川 良
TAKIGAWA RYO
所属
システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 准教授
マス・フォア・イノベーション連係学府 （併任）
システム情報科学府 電気電子工学専攻（併任）
工学部 電気情報工学科（併任）
職名
准教授
連絡先
メールアドレス
電話番号
0928023740
プロフィール
大学院学生（博士・修士）、学部生の研究指導
ホームページ
外部リンク

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 通信工学

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

  • ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 加工学、生産工学

▼全件表示

学位

  • 博士（工学）

経歴

  • imec  客員教授 

    2023年4月 - 2024年6月

    　 詳細を見る

    国名：ベルギー王国

  • 独立行政法人・産業技術総合研究所　集積マイクロシステム研究センター   学術研究員 

  • フランフォーファ研究機構IZM研究所（マイクロ実装研究所）　   学術研究員 

    　 詳細を見る

    国名：ドイツ連邦共和国

研究テーマ・研究キーワード

  • 研究テーマ： ・ヘテロジニアス集積・実装 ・常温接合技術（ダイボンディング・ウエハボンディング）、ハイブリッドボンディング ・3次元半導体実装、ハイブリッドボンディング、チップレット ・電気光学デバイス（薄膜LN on insulator (LNOI)など） ・光電融合 ・光・高周波技術

    研究キーワード： ヘテロジニアス集積・実装、常温接合、ハイブリッドボンディング、3次元実装、光電融合、チップレット

    研究期間： 2013年4月

受賞

  • 第３９回エレクトロニクス実装学会春季講演大会 優秀賞

    2025年9月   エレクトロニクス実装学会   ALD酸化アルミ薄膜の表面活性化常温接合におけるAr高速原子ビーム照射影響の調査

    宇野賢治、高倉亮、多喜川良

    　詳細を見る

    受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

  • Best Poster Presentation Award

    2024年11月   2024 8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   100 GHz thin-film LNOI/Si optical modulator fabricated by room temperature wafer bonding

    Seigo Murakami, Yoshiki Katoda, Yuya Yamaguchi, Takahide Sakamoto, Ryo Takigawa

    　詳細を見る

    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  • Outstanding Presenation Awards

    2024年5月   The 4th Japan-Taiwan Workshop on Electronic Interconnection   Fabrication of InP-on-Insulator wafers through room temperature wafer bonding using activated Si atomic layer

    Zhang Gufei, Ryo Takigawa

  • 令和５年度九州大学共同研究等活動表彰　タイプA

    2023年11月   九州大学   九州大学の共同研究等の活性化への貢献が特に顕著であり、 他の職員の模範となり得る職員に対する表彰

  • 令和５年度九州大学共同研究等活動表彰　タイプB

    2023年11月   九州大学   九州大学の共同研究等の活性化への貢献が特に顕著であり、 他の職員の模範となり得る職員に対する表彰

  • 第３7回エレクトロニクス実装学会春季講演大会 優秀賞

    2023年8月   エレクトロニクス実装学会   室温接合法により形成されたLiNbO3/Si接合界面の原子スケール解析

  • 第39回「センサ・マイクロマシンと 応用システム」シンポジウム　奨励賞

    2022年11月   電気学会   常温ウエハ接合によりSi上に集積された低駆動電圧型LNOI光変調器アレイ（指導学生受賞）

  • 第３３回エレクトロニクス実装学会春季講演大会優秀賞

    2019年9月   エレクトロニクス実装学会   接合中間層がLNOI光導波路特性に及ぼす影響

  • 第２４回エレクトロニクス実装学会講演大会研究奨励賞

    2011年8月   エレクトロニクス実装学会   Siプラットフォーム上にハイブリッド集積したLiNbO3光変調器のカップリング効率と変調特性

▼全件表示

論文

  • Crystallographic structure of aluminum oxide bonding interfaces prepared via room-temperature surface-activated bonding 査読

    Utsumi, J; Takigawa, R

    APPLIED SURFACE SCIENCE   694   2025年6月   （ ISSN:0169-4332 eISSN:1873-5584 ）

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Applied Surface Science  

    The structure and chemistry of the aluminum oxide bonding interface formed via room-temperature surface-activated bonding were investigated using transmission electron microscopy (TEM) and electron energy-loss spectroscopy (EELS). The results revealed that Al atoms at the interface of sapphire (α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>)–sapphire bonding occupied both octahedral and tetrahedral sites. The sapphire–Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> film bonding interface also exhibited localized formation of a γ-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> phase, whereas the Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>–Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> film bonding showed no distinct reaction layer. Fast Fourier transform (FFT) analyses of high-resolution TEM images from the interlayer region at the sapphire–sapphire bonding interfaces revealed lattice diffraction patterns similar to those of the sapphire substrate. A corresponding FFT diffraction pattern was observed at the sapphire–Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> film bonding interface in spite of the fact that the atomic structure was not clearly visible. Changes in the coordination state of the Al atoms on the sapphire surface during activation significantly affect these aluminum oxide bonds. This study contributes to the understanding of the bonding mechanism in direct bonding of aluminum oxides at room temperature.

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2025.162825

    Web of Science

    Scopus

  • Investigation of Si/Si bond interface fabricated using room temperature direct bonding 査読

    Murakami, S; Takigawa, R

    SURFACES AND INTERFACES   66   2025年6月   （ ISSN:2468-0230 ）

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Surfaces and Interfaces  

    This study investigated the surface activation state of a Si wafer to achieve room-temperature bonding. The results obtained from direct Si/Si wafer bonding using surface-activated bonding (SAB) were compared with those obtained using the described room temperature bonding method with an activated Si atomic layer. Bond strength measurements and atomic-scale analysis of the bonded interfaces and debonded surfaces confirmed that the surface activation state of the few-nanometre-thick activated Si atomic layer was equivalent to that of the few-nanometre-thick Si amorphous layer formed by Ar fast atom beam irradiation. This result indicates that the room temperature bonding method performed using an activated Si atomic layer has the potential to achieve a sufficient bond strength with minimal damage, even in the case of oxide materials and compound semiconductors that are difficult to bond using the SAB method.

    DOI： 10.1016/j.surfin.2025.106124

    Web of Science

    Scopus

  • Room-temperature quasi-direct bonding of LiNbO<sub>3</sub> and SiC wafers using modified surface activated bonding method 査読

    Matsunobu, K; Takigawa, R

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 4 )   2025年4月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    We have been developing a modified surface activated bonding (SAB) method as an alternative approach to the conventional SAB method. The modified SAB method with ion beam bombardment was used to achieve quasi-direct bonding of LiNbO<inf>3</inf> and SiC wafers at room temperature. The measured bond strength was greater than 20 MPa, which is sufficient to endure the post-bonding processes for device fabrication, and the effectiveness of the proposed method when compared to the conventional SAB method was experimentally verified. The results provide evidence that LiNbO<inf>3</inf> and SiC wafers can be strongly bonded at room temperature and demonstrate the potential for the future fabrication of heterogeneous LiNbO<inf>3</inf>/SiC devices including temperature-compensated and heat-dissipated surface acoustic wave filters.

    DOI： 10.35848/1347-4065/adbdd6

    Web of Science

    Scopus

  • 常温接合に基づく薄膜LNOI光デバイスのヘテロジニアス集積技術 招待 査読

    多喜川　良

    エレクトロニクス実装学会誌   28 ( 1 )   58 - 62   2025年1月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： doi.org/10.5104/jiep.28.58

    DOI： doi.org/10.5104/jiep.28.58

  • A microfluidic sensor for continuously measuring membrane potential changes in interactions between taste substances and lipid polymer membranes 査読

    Tahara, Y; Kikuya, S; Okada, T; Suzuki, Y; Takigawa, R

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 3 )   2024年3月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    To evaluate the taste changes experienced by humans over time, we developed a microfluidic sensor for continuously measuring membrane potential changes in interactions between taste substances and lipid polymer membranes. The performance of the proposed sensing device was evaluated by determining the dependence on concentration using tannic acid (astringency substance) solutions and measuring the selectivity using other taste quality samples. Furthermore, to demonstrate the practicality of the sensor, we measured three samples of red wine. The fabricated microfluidic sensor could measure changes in membrane potential over time and was shown to have high selectivity comparable to that of the commercialized sensor. In addition, measurements were performed on a real sample of red wine, and the membrane potential response over time was measured for several different wines. Thus, it was shown that a new sensor could be realized for objectively quantifying changes in taste perceived by humans over time.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad25ac

    Web of Science

    Scopus

  • Development of Surface-enhanced Raman Scattering Substrate Using Melt-blown Nonwoven Fabric Subjected to Electroless Ag Plating: A Basic Study 査読

    Yusuke Tahara, Junya Yamamoto, Takashi Nishiyama, Ren Tomisawa, Ryo Takigawa

    Sensors and Materials   36 ( 4 )   1305 - 1318   2024年1月

    　詳細を見る

    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room-temperature Bonding of Indium Phosphide Wafers and Their Atomic structure at the Bond Interface 査読 国際誌

    #Gufei Zhang, #Seigo Murakami, @Ryo Takigawa

    ACS Applied Electronic Materials   2023年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • 常温ウエハ接合によりSi上に集積された低駆動電圧型LNOI光変調器 査読 国際誌

    #渡辺要、@山口祐也、@菅野敦史、多喜川良

    電気学会論文誌E   143 ( 7 )   202 - 203   2023年7月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Fabrication of heterogeneous LNOI photonics wafers through room temperature wafer bonding using activated Si atomic layer of LiNbO3, glass, and sapphire 査読 国際誌

    #Kaname Watanabe, Ryo Takigawa

    Applied Surface Science   620   p.156666   2023年6月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156666

  • Non-wearable pulse rate measurement system using laser Doppler flowmetry with algorithm to eliminate body motion artifacts for masked palm civet (Parguma larvata) during husbandry training 査読 国際誌

    #Takumi Hiejima, Hirofumi Nogami, @Aya Saito, @Kazuyuki Ban, D.S.V. Bandara, Ryo TAKIGAWA and Jumpei Arata

    Japanese Journal Applied Physics   62   SG1047   2023年4月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of Ar fast atom beam irradiation on alpha-Al2O3 for surface activated room temperature bonding 査読 国際誌

    #Ryo Takakura, #Seigo Murakami, Ryo Takigawa

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SG1046   2023年4月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Investigation of the interface between LiNbO<sub>3</sub> and Si fabricated via room-temperature bonding method using activated Si nano layer 査読 国際誌

    Murakami, S; Watanabe, K; Takigawa, R

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SG )   p.SG1041   2023年3月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    Wafer-level bonding of LiNbO<inf>3</inf> and Si has been difficult to achieve owing to the large mismatch in their thermal expansion coefficients, which prevents the use of bonding methods involving annealing. As a solution, we have developed a room-temperature wafer-bonding method that uses an activated Si nanolayer as an adhesive. In this study, we analyzed the bond interface between LiNbO<inf>3</inf> and Si that formed via this room-temperature bonding method. The atomic structures of the bonding interface of LiNbO<inf>3</inf>/Si and the debonded surfaces were investigated in detail. Furthermore, it was found that the bond strength between the activated Si nanolayers and Si was as strong as that of Si/Si bonded using the standard surface-activated bonding method. These findings provide evidence for a strong bond between LiNbO<inf>3</inf> and Si at room temperature.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc2cb

    Web of Science

    Scopus

  • Room-temperature bonding of Al2O3 thin films deposited using atomic layer deposition 査読 国際誌

    #Ryo Takakura, #Seigo Murakami, #Kaname Watanabe, Ryo Takigawa

    Scientific Reports   13 ( 1 )   p.3581   2023年3月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1038/s41598-023-30376-7

  • Surface activated bonding of ALD Al2O3 films 査読 国際誌

    @Junsha Wang, Ryo Takigawa, @Tadatomo Suga

    Japanese Journal of Applied Physics   62   p.SC1081   2023年2月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acb656

  • Development of a microfluidic-based taste sensor using lipid polymer membrane 査読 国際誌

    @Y Tahara, F Sassa, R Takigawa, @Y Kurihara

    Japanese Journal of Applied Physics   62   p.SG1014   2023年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Thin Circularly Polarized Slot Array Antenna for High-Band UWB Applications 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, #Shunsuke Kai, Haruichi Kanaya

    Electronics   11 ( 7 )   1 - 12   2022年3月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.3390/electronics11071070

  • Low-temperature direct bonding of InP and diamond substrates under atmospheric conditions 査読 国際誌

    Takashi Matsumae, @Ryo Takigawa, Yuichi Kurashima, Hideki Takagi, Eiji Higurashi

    Scientific Reports   11   １ - ７   2021年5月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1038/s41598-021-90634-4

  • Bonding of LiNbO3 and Si wafers at room temperature using Si nanolayers 査読 国際誌

    #Kaname Watanabe, @Ryo Takigawa

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SCCL14-1 - SCCL14-5   2021年4月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Surface activated bonding of aluminum oxide films at room temperature 査読 国際誌

    @Jun Utsumi, @Ryo Takigawa

    Scripta Materialia   191   215 - 218   2021年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We have investigated the surface activated bonding (SAB) of deposited Al2O3 films by chemical vapor deposition under a short-time activated condition at room temperature. Although the surface energy for bonding of Al2O3 films was very low, that of Al2O3 film/sapphire bonding was approximately 1 J m − 2 and more than 2 J m − 2 for sapphire/sapphire bonding. Transmission electron microscopy showed an amorphous-like intermediate layer approximately 1 nm thick, observed at the bonding interface of Al2O3/Al2O3, but not in the bonding of Al2O3/sapphire, which suggests that the crystallinity of the Al2O3 film affects the bonding of Al2O3.

  • Demonstration of GaN/LiNbO3 hybrid wafer using room-temperature surface activated bonding 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, Michitaka Yamamoto, Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano, @Haruichi Kanaya

    ECS Journal of Solid State Science and Technology   9 ( 3 )   045005   2020年4月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Direct bonding of LiNbO3 and SiC wafers at room temperature 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, Jun Utsumi

    Scripta Materialia   174   58 - 61   2020年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Fabrication of bonded LNOI waveguide structure on Si substrate using ultra-precision cutting 招待 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, Keigo Kamimura, Keiichi Nakamoto, Toru Tomimatsu, and @Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   59   SBBD03-1 - SBBD03-4   2020年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Ultrathin adhesivelayer between LiNbO3 and SiO2 for bonded LNOI waveguide 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, @Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   58   SJJE06-1 - SJJE06-5   2019年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Residual stress in Lithium Niobate film layer of LNOI/Si hybrid wafer fabricated using low-temperature bonding method 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, @Toru Tomimatsu, @Eiji Higurashi, and @Tanamasa Asano

    MICROMACHINES   10 ( 2 )   136   2019年2月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Relationship between AC/DC Ratio and Light-blocking Structure for Reflective Photoplethysmographic Sensor 査読 国際誌

    @Hirofumi Nogami, Wataru Iwasaki, Nobutomo Morita and @Ryo Takigawa

    Sensors and Materials   30 ( 12 )   3021   2018年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Asymmetric Line Shape of Near-field Luminescence Spectrum Induced by Stress in Al2O3 査読 国際誌

    Toru Tomimatsu, and @Ryo Takigawa

    Sensors and Materials   30 ( 12 )   2881   2018年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room-temperature Hermetic Packaging Using Ultrasonic Cu–Cu Bonding with Compliant Rim 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, #Keiichiro Iwanabe, @Akihiro Ikeda, @Takayuki Takao, and @Tanemasa Asano

    Sensors and Materials   30 ( 12 )   2897   2018年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Thin-film lithium niobate-on-insulator waveguides fabricated on silicon wafer by room-temperature bonding method with silicon nanoadhesive layer 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa and @Tanemasa Asano

    Optics Express   26 ( 19 )   24413 - 24421   2018年9月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Lithium niobate-on-insulator (LNOI) waveguides fabricated on a silicon wafer using a room-temperature bonding method have potential application as Si-based high-density photonic integrated circuits. A surface-activated bonding method using a Si nanoadhesive layer was found to produce a strong bond between LN and SiO2/Si at room temperature, which is sufficient to withstand both the wafer-thinning (LN thickness <5 μm) and surface micromachining processes used to form the strongly confined waveguides. In addition, the bond quality and optical propagation characteristics of the resulting LNOI waveguides were investigated, and the applicability of this bonding method to low-loss LNOI waveguide fabrication is discussed. The propagation loss for the ridged waveguide was approximately 2 dB/cm at a wavelength of 1550 nm, which was sufficiently low for device application. The results of the present study will be of significant use in the development of fabrication techniques for waveguides with any bonded materials using this room-temperature bonding method and not only LN core/SiO2 cladding waveguides.

  • Surface Activated Bonding of LiNbO3 and GaN at Room Temperature 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano

    ECS transactions   86 ( 5 )   207 - 213   2018年7月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room-temperature wafer bonding of LiNbO3 and SiO2 using a modified surface activated bonding method 招待 査読 国際誌

    @Ryo Takigawa, @Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   57   2018年5月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Correlation between the local stress and the grain misorientation in the polycrystalline Al2O3 measured by near-field luminescence spectroscopy 査読 国際誌

    @Toru Tomimatsu, @Ryo Takigawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57   2018年5月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room-temperature transfer bonding of lithium niobate thin film on micromachined silicon substrate with Au microbumps 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Tetsuya Kawanishi

    Sensors & Actuators: A. Physical   264 ( 1 )   274 - 281   2017年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Investigation of the interface between LiNbO3 and Si wafers bonded by laser irradiation 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Hiroki Kawano, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56   088002-1 - 088002-3   2017年7月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Demonstration of ultraprecision ductile-mode cutting for lithium niobate microring waveguides 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tetsuya Kawanishi, Tanemasa Asano

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 11 )   2016年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.110304

  • Bonding of lithium niobate to silicon in ambient air using laser irradiation 査読 国際誌

    Hiroki Kawano, Ryo Takigawa, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 8 )   2016年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.08RB09

  • Triple-walled gold surfaces with small-gaps for nonresonance surface enhanced Raman scattering of rhodamine 6G molecules 査読

    Tatsuya Baba, Yaerim Lee, Ai Ueno, Reo Kometani, Etsuo Maeda, Ryo Takigawa

    Journal of Vacuum Science & Technology B   34   011802-1 - 011802-4   2016年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High-speed via hole filling using electrophoresis of Ag nanoparticles 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Kohei Nitta, Akihiro Ikeda, Mitsuaki Kumazawa, Toshiharu Hirai, Michio Komatsu, Tanemasa Asano

    IEEE ３D-IC   TS5.4.1 - TS5.4.4   2015年9月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • 強誘電体材料の切削加工によるリッジ型光導波路 招待

    多喜川 良

    MICROOPTICS NEWS   33 ( 2 )   31 - 36   2015年5月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Lithium niobate ridged waveguides with smooth vertical sidewalls fabricated by an ultra-precision cutting method 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji HIgurashi, Tetsuya Kawanishi, Tanemasa Asano

    Optics Express   22 ( 22 )   2014年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.22.027733

  • Electrical pumping Fabry-Perot lasing of a III-V layer on a highly doped silicon micro rib 査読 国際誌

    Linghan, Li, Takigawa Ryo, Akio Higo, Eiji Higurashi, Masakazu Sugiyama, Bingyao Liu, Yoshiaki Nakano

    LASER PHYSICS LETTERS   11 ( 11 )   115807   2014年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Heterogeneously integrated laser-induced fluorescence detection devices: Integration of an excitation source

    Toshihiro Kamei, Keiko Sumitomo, Sachiko Ito, Ryo Takigawa, Tsujimura Noriyuki, Hisayuki Kato, Takeshi Kobayashi, Ryutaro Maeda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 6 )   2014年6月

    　詳細を見る

    記述言語：英語  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.06JL02

  • Room-temperature hermetic sealing using ultrasonic bonding with Au compliant rim 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Keiichiro Iwanabe, Takanori Shuto, Takayuki Takao, Tanemasa Asano

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53   06JM05   2014年5月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room temperature bonding of metal films using flattening by thermal imprint process 査読 国際誌

    Yuichi Kurashima, Atsuhiko Maeda, Takigawa Ryo, Hideki Takagi

    Microelectronic Engineering   112   52 - 56   2013年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Air-gap structure between integrated LiNbO3 optical modulators and micromachined Si substrates 招待 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Tetsuya Kawanishi

    OPTICS EXPRESS   19 ( 17 )   15739 - 15749   2011年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.19.015739

  • Passive Alignment and Mounting of LiNbO3 Waveguide Chips on Si Substrates by Low-Temperature Solid-State Bonding of Au 招待 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Tetsuya Kawanishi

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   17 ( 3 )   652 - 658   2011年5月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2010.2093871

  • 環境調和型実装技術(エレクトロニクス実装技術の現状と展望) 招待 査読

    竹沢由高, 重藤暁津, 赤池正剛, 多喜川良

    エレクトロニクス実装学会誌   12 ( 1 )   34 - 38   2009年1月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Room-Temperature Bonding of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Chips on Si Substrates Using Au Microbumps in Ambient Air 招待 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Renshi Sawada

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 11 )   2008年11月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.1.112201

  • Low-temperature Au-to-Au bonding for LiNbO3/Si structure achieved in ambient air 査読 国際誌

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Satoshi Shinada, Tetsuya Kawanishi

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E90C ( 1 )   145 - 146   2007年1月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1093/ietele/e90-c.1.145

  • Low temperature bonding for 3D integration 2024

    Shigekawa, N; Fujino, M; Takagi, H; Higurashi, E; Toyoda, N; Takigawa, R

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 5 )   2025年5月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

  • Development of Surface-enhanced Raman Scattering Substrate Using Melt-blown Nonwoven Fabric Subjected to Electroless Ag Plating: A Basic Study

    Tahara, Y; Yamamoto, J; Nishiyama, T; Tomisawa, R; Takigawa, R

    SENSORS AND MATERIALS   36 ( 4 )   1305 - 1318   2024年   （ ISSN:0914-4935 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Sensors and Materials  

    The fabrication of the nanostructures required for surface-enhanced Raman scattering (SERS), which is increasingly used for chemical analysis, is complex and expensive. We demonstrated the feasibility of using low-cost, flexible SERS substrates produced using melt-blown nonwoven polypropylene (PP) fabrics as the base material. First, nonwoven PP fabrics with fiber diameters of 5.7 ± 3.3 µm were prepared using the melt-blowing method. These fabrics were then hydrophilized using plasma treatment and densely modified with Ag nanoparticles with a diameter of approximately 90 nm by electroless plating involving a sensitization-activation process and the reduction of AgNO3. The SERS response of the Raman probe, 4-aminothiophenol (4-ATP), indicated that the resulting PP SERS substrates were more sensitive than a commercial low-cost SERS substrate made of laser nanopatterned soda lime glass coated with Ag in the concentration range of 10-4–10-6 M. The responses for 10-3 M 4-ATP after 3, 7, and 14 d were 103.0, 104.6, and 86.7%, respectively, based on the Raman peak at 1140 cm-1 measured on the day after fabrication (1 d). Thus, the fabricated PP SERS substrates are suitable for use as low-cost and flexible SERS substrates for chemical analysis.

    DOI： 10.18494/SAM4820

    Web of Science

    Scopus

  • Development of a microfluidic-based taste sensor using lipid polymer membrane

    Tahara Y., Sassa F., Takigawa R., Kurihara Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   62   2023年6月   （ ISSN:00214922 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    This study aims to develop a microfluidic-based taste sensor for detecting time-dependent human taste sensations. Lipid polymer membranes were welded to perforated polycarbonate films with organic solvents to monitor the adsorption and desorption of taste substances to lipid polymer membranes and to physically immobilize lipid polymer membranes to withstand the pressure of a pumped liquid. A polydimethylsiloxane flow channel was bonded chemically to the polycarbonate film with the lipid polymer membrane using 3-aminopropylethoxysilane. A fabricated microfluidic-based taste sensor could measure the membrane potential change with time due to the adsorption and desorption of tannic acid, an astringency substance, onto a lipid polymer membrane. The proposed sensor could be useful as a tool for assessing the time-course changes in human taste.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acb4fa

    Scopus

  • Microprocesses and Nanotechnology

    Kondo, D; Hara, S; Nagahara, S; Asakawa, K; Furukawa, K; Kobayashi, S; Sakakibara, M; Nagai, T; Chiashi, S; Tatebayashi, J; Takase, K; Tsuchiya, T; Masuhara, A; Sugano, K; Taniguchi, J; Miura, A; Takigawa, R; Arimoto, H; Yasumitsu, M; Negishi, R; Ozaki, N; Tanaka, H; Kano, J; Miyauchi, A; Kumagai, S; Hasegawa, Y; Miyake, S

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SG )   2023年6月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

  • Effect of Ar fast atom beam irradiation on alpha-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> for surface activated room temperature bonding

    Takakura, R; Murakami, S; Takigawa, R

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SG )   2023年6月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    This study focuses on the surface-activated bonding of sapphire (alpha-Al2O3) wafers at RT. In the surface activation process, Ar fast atom beam (FAB) irradiation is used as a physical sputtering method. The bond strength estimated by the crack opening method is approximately 1.63 J m−2. The binding state of the activated alpha-Al2O3 surface is determined using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. The results reveal the existence of two binding energies of Al2p (73.9 and 74.0 eV) on the surface of the FAB-irradiated wafer, indicating that the surface activation changes the binding state of the utmost alpha-Al2O3 surface. This implies that the contact of the changed Al2O3 surface contributes to the formation of a strong bond interface.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc2c9

    Web of Science

    Scopus

  • Non-wearable pulse rate measurement system using laser Doppler flowmetry with algorithm to eliminate body motion artifacts for masked palm civet (Parguma larvata) during husbandry training

    Hiejima, T; Nogami, H; Saito, A; Ban, K; Bandara, DSV; Takigawa, R; Arata, J

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 ( SG )   2023年6月   （ ISSN:0021-4922 eISSN:1347-4065 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics  

    Husbandry training (HT) shapes specific actions of animals to facilitate healthcare or animal research. The challenge of HT is that learning the specific actions requires zoo-keepers to grasp the stress states of animals. Here we suggest a non-wearable pulse rate measurement system to help zoo-keepers. The pulse rate indicates the stress state. By using laser Doppler flowmetry with an algorithm to eliminate body motion artifacts, it is possible to measure pulse rates. In the algorithm, the cutoff frequency is an important parameter. This paper reports the relationship between the cutoff frequency and the blood flow signal. We applied 100 Hz, 12 kHz and 15 kHz cutoff frequencies and compared blood flow signals. The results indicated that the appropriate cutoff frequency can vary depending on the magnitude of body motion artifacts. When there are few body motion artifacts, a low cutoff frequency is suitable. Otherwise, a high cutoff frequency is preferred.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc8df

    Web of Science

    Scopus

  • Fabrication of heterogeneous LNOI photonics wafers through room temperature wafer bonding using activated Si atomic layer of LiNbO3, glass, and sapphire

    Watanabe, K; Takigawa, R

    APPLIED SURFACE SCIENCE   620   2023年5月   （ ISSN:0169-4332 eISSN:1873-5584 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Applied Surface Science  

    We proposed a room-temperature wafer-bonding method using activated Si atomic layer and verify its effectiveness for the fabrication of glass- or sapphire-based LiNbO3-on-insulator (LNOI) devices for radio-frequency photonic applications. Four-inch LiNbO3 was successfully fabricated on glass or sapphire wafers using the proposed method. The tensile strength of the fabricated wafers exceeded 23 MPa, which indicates that the bond between the LiNbO3 and glass or sapphire wafers was strong. Atomic-structure analysis of bonding interfaces confirmed the effectiveness of the activated Si atomic layer as an adhesive for both LiNbO3/glass and LiNbO3/sapphire. In addition, the amorphous Si atomic layer existing at the bonding interface showed high transmittance over a wide range of wavelength, including the near-infrared region used for communication. The results demonstrate the potential of the proposed wafer-bonding method for the fabrication of LNOI devices used in optical communications, including broadband traveling-wave modulators.

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2023.156666

    Web of Science

    Scopus

  • 1THz帯4アレイオンチップ単方向スロットアンテナの設計および試作・評価

    金 怜, 多喜川 良, 金谷 晴一

    エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集   37 ( 0 )   14A4-1   2023年3月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人エレクトロニクス実装学会  

    DOI： 10.11486/ejisso.37.0_14a4-1

    CiNii Research

  • Room-temperature bonding of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> thin films deposited using atomic layer deposition

    Takakura, R; Murakami, S; Watanabe, K; Takigawa, R

    SCIENTIFIC REPORTS   13 ( 1 )   3581   2023年3月   （ ISSN:2045-2322 ）

    　詳細を見る

    記述言語：英語   出版者・発行元：Scientific Reports  

    In this study, room-temperature wafer bonding of Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films on Si thermal oxide wafers, which were deposited using atomic layer deposition (ALD), was realized using the surface-activated bonding (SAB) method. Transmission electron microscopy (TEM) observations indicated that these room-temperature-bonded Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films appeared to work well as nanoadhesives that formed strong bond between thermally oxidized Si films. The perfect dicing of the bonded wafer into dimensions of 0.5 mm × 0.5 mm was successful, and the surface energy, which is indicative of the bond strength, was estimated to be approximately 1.5 J/m<sup>2</sup>. These results indicate that strong bonds can be formed, which may be sufficient for device applications. In addition, the applicability of different Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> microstructures in the SAB method was investigated, and the effectiveness of applying ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> was experimentally verified. This successful SAB of Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films, which is a promising insulator material, opens the possibility of future room-temperature heterogenous integration and wafer-level packaging.

    DOI： 10.1038/s41598-023-30376-7

    Web of Science

    Scopus

    PubMed

  • 九州大学大学院システム情報科学研究院情報エレクトロニクス部門多喜川研究室

    多喜川 良

    エレクトロニクス実装学会誌   26 ( 2 )   229 - 229   2023年3月   （ ISSN:13439677 eISSN:1884121X ）

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人エレクトロニクス実装学会  

    DOI： 10.5104/jiep.26.229

    CiNii Research

  • Design of 1THz band 4array on-chip one-sided directional antenna

    Kim R., Takigawa R., Kanaya H.

    Proceedings of the 25th Electronics Packaging Technology Conference, EPTC 2023   75 - 79   2023年   （ ISBN:9798350329575 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：Proceedings of the 25th Electronics Packaging Technology Conference, EPTC 2023  

    In this paper, we designed a terahertz-band on-chip slot array antenna for imaging devices. Terahertz (THz) waves are suitable for imaging devices for nondestructive, non-contact inspection due to their material permeability, like radio waves, spatial resolution, and many materials with absorption spectra in the terahertz frequency band. However, currently developed imaging devices using rectifier detectors have low detection sensitivity due to the low input voltage to the detector in the terahertz band. Therefore, in this study, a high-gain unidirectional (one-sided directional) slot array antenna for terahertz imaging is designed and fabricated using a minimal fab. The maximum gain was 4.32 dBi at 1.02 THz. 7.31 dBi at 1.02 THz for the array antenna improved the gain by about 3 dB by arraying.

    DOI： 10.1109/EPTC59621.2023.10457867

    Web of Science

    Scopus

  • 常温接合により作製されたSi上LN on insulator光変調器

    渡辺 要, 山口 祐也, 菅野 敦史, 多喜川 良

    エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集   36 ( 0 )   25A1-3   2022年

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人エレクトロニクス実装学会  

    DOI： 10.11486/ejisso.36.0_25a1-3

    CiNii Research

  • Surface Activated Bonding of ALD Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films

    Wang, J; Takigawa, R; Suga, T

    2022 IEEE CPMT SYMPOSIUM JAPAN (ICSJ)   57 - 60   2022年   （ ISSN:2373-5449 ISBN:978-1-6654-8613-2 ）

    　詳細を見る

    出版者・発行元：2022 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2022  

    Plasma enhanced ALD Al2O3 films were successfully bonded by surface activated bonding. The increase of O2 plasma power for deposition promoted the crystallinity of Al2O3 slightly, and the additional H2 plasma post-treatment improved the hydrophilicity of the film dramatically. The bond strength in humid air was not affected strongly by film deposition parameters, while that in dry N2 was improved by both methods. Water stress corrosion has a big effect on the debonding process resulting in higher bond strength in dry N2. Under the same debonding atmosphere, the bond strength of amorphous Al2O3 films was slightly lower than that of sapphire bonding.

    DOI： 10.1109/ICSJ55786.2022.10034666

    Web of Science

    Scopus

  • Non-invasive heart rate measurement system using laser Doppler blood flowmetry for husbandry training of masked palm civet (parguma larvata) 査読 国際誌

    @Nogami Hirofumi, #Ohgata Satoru, #Saito Aya, #Ban Kazuyuki, #Akiyama Terukazu, #Hiejima Takumi, @Takigawa Ryo, @Hosoya Tadatsugu

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SCCL13-1 - SCCL13-6   1900年

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

▼全件表示

講演・口頭発表等

  • Lithium Niobate on Insulator Modulator in Dual-Drive Configuration for Optical Frequency Comb Generation 国際会議

    #Shingo Takano, @Yuya Yamaguchi,@Koichi Akahane, @Takahide Sakamoto, Ryo Takigawa

    Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)  2025年5月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 真空光トランジスタによる超大容量光ー無線シームレス通信システム 招待

    多喜川　良, 加藤　和利

    2025年電子情報通信学会総合大会 次世代サイバーインフラの実現に向けたチャレンジ  2025年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年3月

    記述言語：日本語  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • 光-無線シームレスネットワークに向けた光電変換デバイス集積・実装 招待

    多喜川　良

    第39回エレクトロニクス実装学会　春季講演大会  2025年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • 活性銅原子層を介したシリコンチップと銅基板の常温固相接合 招待

    #山内崚平、内海淳、多喜川良

    第39回エレクトロニクス実装学会　春季講演大会  2025年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • LiNbO3ウェハの表面活性化常温接合における結晶方位依存性の検討 招待

    #加藤田　義樹,　#村上　誠悟,　多喜川　良

    第39回エレクトロニクス実装学会　春季講演大会  2025年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • ALD酸化アルミ薄膜の表面活性化常温接合におけるAr高速原子ビーム照射影響の調査 招待

    #宇野　賢治,　#高倉　亮,　多喜川　良

    第39回エレクトロニクス実装学会　春季講演大会  2025年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2025年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • Room temperature quasi-direct bonding of LiNbO3 and SiC using modified surface activated bonding 国際会議

    #Kosei Matsunobu, Ryo Takigawa

    36rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024)  2024年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  • “Surface activated bonding of different oriented Lithium Niobite wafers at room temperature 国際会議

    #Yoshiki Katoda, Ryo Takigawa

    36rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024)  2024年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Wafer bonding of Cu and Si at room temperature 国際会議

    #Ryohei Yamauchi, Jun Utsumi, Ryo Takigawa

    36rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024)  2024年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 100 GHz thin-film LNOI/Si optical modulator fabricated by room temperature wafer bonding 国際会議

    #Seigo Murakami, #Yoshiki Katoda, @Yuya Yamaguchi, @Takahide Sakamoto, Ryo Takigawa

    8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2024)  2024年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2024年10月 - 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  • “Room Temperature Bonding of SiO2 Wafers Using ALD Al2O3 Ultrathin Film 国際会議

    #Kenji Uno, #Ryo Takakura, Ryo Takigawa

    8th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2024)  2024年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2024年10月 - 2024年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    国名：日本国  

  • 活性化したサファイア表面のAR-XPS分析

    #高倉　亮,　多喜川　良

    第37回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2023年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 室温接合法により形成されたLiNbO3/Si接合界面の原子スケール解析

    村上　誠悟,　渡辺　要,　多喜川　良

    第37回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2023年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanagawa   国名：日本国  

  • リン化インジウム/シリコンカーバイド常温接合界面の評価

    #渡辺　要,　#範云翰,　#前川　敏輝,　多喜川　良

    第37回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2023年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanagawa   国名：日本国  

  • 表面活性化室温接合法によるInP-on-Insulatorウエハの作製

    章　固非,　村上　誠悟,　渡辺　要,　多喜川　良

    第37回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2023年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanagawa   国名：日本国  

  • 室温接合技術の基礎とヘテロ光集積・実装技術の研究動向 招待

    多喜川　良

    2022年度 第4回 光材料・応用技術研究会  2023年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • 常温ウエハ接合により Si 上に集積された低駆動電圧型LNOI 光変調器アレイ

    #渡辺 要, @山口 祐也, @菅野 敦史, 多喜川 良

    第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokushima   国名：日本国  

  • Modified surface activated bonding of InP and SiO2 at room temperature 国際会議

    #Zhang Gufei, #Kaname Watanabe and Ryo Takigawa

    35rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokushima   国名：日本国  

  • Effect of Ar Fast Atom Beam irradiation on alpha-Al2O3 for surface activated room temperature bonding 国際会議

    #Ryo Takakura, Ryo Takigawa

    35rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokushima   国名：日本国  

  • Fabrication of LiNbO3/Si bond interface using room temperature direct bonding 国際会議

    #Seigo Murakami, #Kaname Watanabe, Ryo Takigawa

    35rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)  2022年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokushima   国名：日本国  

  • LNOI photonics fabricated on Si wafer by room temperature bonding 国際会議

    #Kaname Watanabe, @Yuya Yamaguchi, @Kannno Atsushi, Ryo Takigawa

    7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 室温接合により作製されたSi上LN on insulator光変調器

    #渡辺要、@山口祐也、@菅野敦史、多喜川良

    エレクトロニクス実装学会　第36回春季講演大会  2022年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 原子層堆積法で成膜した酸化アルミニウム極薄膜同士の常温接合

    #高倉亮,#渡辺要,多喜川良

    エレクトロニクス実装学会　第36回春季講演大会  2022年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 表面活性化によるInPとSiCの室温ウェハ接合

    #前川敏輝,#範云翰,#渡辺要,多喜川良

    エレクトロニクス実装学会　第36回春季講演大会  2022年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Terahertz band on-chip one-sided directional wide band slot array antenna 国際会議

    Kohei Tasaki, Ryo Takigawa, Haruichi Kanaya

    2021 IEEE 23rd Electronics Packaging Technology Conference (EPTC)  2021年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Surface activated bonding of Au thin microbumps using ultra-violet treatment 国際会議

    #Toshiki Maekawa, #Kaname Watanabe, Hirofumi Nogami, Yuiichiro Kurokawa, RyoTakigawa

    34rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • DEVELOPMENT OF MICROFLUIDIC-BASED TASTE SENSOR WITH LIPID POLYMER MEMBRANE 国際会議

    Yuma Kurihara, Ryo Takigawa, Fumihiro Sassa and Yusuke Tahara

    34rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Non-invasive heart rate measurement system using Laser doppler flowmetry with body motion artifact noise reduction algorithm for Husbandry training 国際会議

    #Takumi Hiejima, Hirofumi Nogami , Aya Saito ,Kazuyuki Ban, Ryo Takigawa and Jumpei Arata

    34rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Acceleration measurement in dental implants 国際会議

    Hirofumi Nogami, #Takumi Hiejima, Ryo Takigawa and Yasuyuki Matsushita

    34rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Fabrication of InP/SiC structure using surface activated direct bonding 国際会議

    #Y Fan, #T Maekawa, #K Watanabe, R Takigawa

    7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2021年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Room temperature wafer bonding of LiNbO3 and Si using surface activation process with self sputtering 国際会議

    #Kaname Watanabe, @Ryo Takigawa

    33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)  2020年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • 大気中低温接合技術による光導波路チップ集積 招待

    多喜川良

    レーザ学会546回研究会  2020年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：佐賀県   国名：日本国  

  • テラヘルツ波検波のためのアレイアンテナチップの開発

    @多喜川 良,#田崎 浩平,@浅野 種正,@金谷 晴一

    エレクトロニクス実装学会  2020年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2020年4月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • Room-temperature direct bonding of LiTaO3 and SiC wafers for future SAW filter 国際会議

    @Ryo Takigawa, Jun Utsumi

    45th International Conference on Micro & Nano Engineering  2019年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Greece   国名：日本国  

  • ニオブ酸リチウムと炭化シリコンの常温ウエハ接合

    @多喜川良、内海淳

    第29回 マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES2019）  2019年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学   国名：日本国  

  • 常温接合による超高速フォトニクス実装（招待講演） 招待

    @多喜川良

    電子情報通信学会  2019年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：北海道大学   国名：日本国  

  • Lithium niobate-on-insulator waveguide on Si substrate fabricated by room temperature bonding 国際会議

    @Ryo Takigawa, Keigo Kamimura, Keiichi Nakamoto, @Tanemasa Asano

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年5月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年5月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanazawa   国名：日本国  

  • 接合中間層がLNOI光導波路特性に及ぼす影響調査

    @多喜川良, 日暮栄治, @浅野種正

    エレクトロニクス実装学会  2019年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都   国名：日本国  

  • [Invited]Low-temperature bonding for heterogeneous photonic integration 招待 国際会議

    @Ryo Takigawa

    6th K-J Joint Syposium  2019年2月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年2月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • [Invited] Surface activated bonding of LiNbO3 and Si for optical microsystem 招待 国際会議

    @Ryo Takigawa

    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC)  2018年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • [招待講演]Auを用いた大気中低温接合によるLiNbO3光デバイス実装 招待

    @多喜川良

    電子情報通信学会マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会  2017年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  • Room-temperature bonding of LiNbO3 and SiO2 using surface activated bonding 国際会議

    @Ryo Takigawa, @Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano

    30th International of Microprocesses and Nanotechnology Conference  2017年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Jeju, Korea   国名：大韓民国  

  • SUBMICRON-RESOLUVED LUMINESCENCE IMAGING FOR DETECTION OF GRAIN ANISOTROPY INDUCED STRESS IN AL2O3 BY NEAR-FIELD SPECTROSCOPY 国際会議

    @Toru Tomimatsu, @Ryo Takigawa

    30th International of Microprocesses and Nanotechnology Conference  2017年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Jeju, Korea   国名：日本国  

  • Room-temperature wafer bonding of LiNbO3 and SiO2 using sub-nanometer Fe films 国際会議

    @Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, @Tanemasa Asano,

    23rd Microoptics Conference (MOC2018)  2018年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Taipei   国名：台湾  

  • Siナノ密着層を利用したLiNbO3とSiO2の常温ウエハ接合と低損失LNOI光導波路への応用

    @多喜川良、@浅野種正

    第７9回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • [Invited] Surface Micromachining Using Ultra-precision Ductile-mode Cutting Method for Strongly Confined Low-loss LiNbO3 Waveguides 招待 国際会議

    @Ryo Takigawa, @Tetsuya Kawanishi, @Eiji Higurashi, and @Tanemasa Asano

    Progress in Electromagnetics Research Symposium(PIERS) 2018  2018年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Toyama   国名：日本国  

  • LN変調器向け小型0.18μm CMOS高速駆動回路

    @久保木猛，@多喜川良，@加藤和利

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学   国名：日本国  

  • イオンビーム活性化接合法による Si上LNOI導波路の作製と光伝搬特性評価

    @多喜川　良, @日暮　栄治, @浅野　種正

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学西早稲田キャンパス   国名：日本国  

  • 切削加工によるSi基板上LNOI光導波路の作製検討

    @多喜川良，@日暮栄治，@川西哲也，@浅野種正

    第32回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2018年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語  

    開催地：東京理科大学　野田キャンパス   国名：日本国  

  • 表面活性化と低温熱処理を併用したLiNbO3ウェハと SiO2/Si ウェハの直接接合

    多喜川　良, 日暮　栄治, 浅野　種正

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：福岡   国名：日本国  

  • Surface activated wafer bonding of LiNbO3 and SiO2/Si for LNOI on Si 国際会議

    Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tanemasa Asano

    IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB2017)  2017年5月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年5月

    記述言語：日本語  

    開催地：Tokyo   国名：日本国  

  • 無電解めっきを用いた電気泳動によるTSV埋め込み用シード膜の成膜

    新田航平, 多喜川　良, 池田 晃裕, 熊澤 光章, 平井 俊明, 小松 通郎, 浅野 種正

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東工大大岡山キャンパス   国名：日本国  

  • [Invited]Demonstration of strongly confined optical waveguides using ultra-precision ductile-mode cutting 招待 国際会議

    Ryo Takigawa

    The 5th Joint Conference of Research Center for Advanced Biomechanics & Japan Institute of Electronics Packaging  2017年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2017年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kyushu University   国名：日本国  

  • Electroless Ni Plating of Seed Film of Electrophoresis of Ag Nanoparticles 国際会議

    Kohei Nitta, Ryo Takigawa, A. Ikeda, M. Kumazawa, T. Hirai, M. Komatsu, Tanemasa Asano

    29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016)  2016年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：ANA Crowne Plaza Kyoto, Kyoto, Japan   国名：日本国  

  • LiNbO3/Si Hybrid Wafer Bonded in Ambient Air Using Laser Irradiation 国際会議

    Ryo Takigawa, Hiroki Kawano, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano

    29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016)  2016年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：ANA Crowne Plaza Kyoto, Kyoto, Japan   国名：日本国  

  • [招待講演]ハイブリッド集積型光マイクロシステムに向けた大気中低温接合 招待

    多喜川 良

    日本学術振興会接合界面創成技術１９１委員会第７回研究会  2016年10月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2016年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  • 電気泳動法によるSi貫通電極埋込用シード膜の無電解めっきによる形成

    新田 航平, 多喜川 良, 池田 晃裕, 熊澤光章, 平井俊晴, 小松通郎, 浅野 種正

    応用物理学会九州支部学術講演会  2015年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：沖縄   国名：日本国  

  • High-speed via hole filling using electrophoresis of Ag nanoparticles 国際会議

    Ryo Takigawa, Kohei Nitta, Akihiro Ikeda, Mitsuaki Kumazawa, Toshiharu Hirai, Michio Komatsu, Tanemasa aSANO

    IEEE 2015 International 3D Systems Integration Conference  2015年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年8月 - 2015年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sendai   国名：日本国  

  • [招待講演]強誘電体材料の切削加工によるリッジ型光導波路 招待

    多喜川 良

    応用物理学会 微小光学研究会「材料を創る・活かす−適材適所の微小光学−」  2015年5月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年5月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  • High-speed via filling using electrophoresis of Ag nanoparticles 国際会議

    Ryo Takigawa, Akihiro Ikeda, Mitsuaki Kumazawa, Toshiharu Hirai, Michio Komatsu, Tanemasa Asano

    INC11  2015年5月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fukuoka   国名：日本国  

  • 切削加工によるニオブ酸リチウム微細光回路の作製と光学特性の評価

    多喜川 良, 日暮栄治, 川西哲也, 浅野 種正

    第29回 エレクトロニクス実装学会講演大会  2015年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  • 超音波加振によるAu先鋭バンプの常温接合過程に関する考察

    岩鍋圭一郎, 首藤高徳, 多喜川 良, 浅野 種正

    第29回 エレクトロニクス実装学会講演大会  2015年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京   国名：日本国  

  • Low-temperature vacuum packaging using Au narrow compliant rim 国際会議

    Ryo Takigawa, Yohei Aoki, Hiroki Kawano, Keiichiro Iwanabe, Takanori Shuto, Takayuki Takao, Tanemasa Asano

    バイオメカニクス研究センター＆エレクトロニクス実装学会九州支部合同研究会  2015年2月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2015年2月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：福岡   国名：日本国  

  • 先鋭マイクロバンプを用いた強誘電体薄膜の Si 基板上への大気中常温転写

    河野宏貴, 多喜川 良, 浅野 種正

    2014年度応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大分   国名：日本国  

  • Softening of Metal Under Ultrasonic Application Observed in Bonding of Au Compliant Microbump 国際会議

    Keiichiro Iwanabe, Takanori Shuto, Ryo Takigawa, Tanemasa Asano

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fuuoka   国名：日本国  

  • Expanded Cavity Size of Room-Temperature Hermetic Sealing Using Au Compliant Rim for Microsystem Packaging 国際会議

    Ryo Takigawa, Hiroki Kawano, Yohei Aoki, Takanori Shuto, Keiichiro Iwanabe, Tanemasa Asano

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fukuoka   国名：日本国  

  • Triple-Walled Gold Structures with Nano-Gaps for Non-Resonance Surface Enhanced Raman Scattering of Rhodamine 6G Molecules 国際会議

    Tatsuya Baba, Y. Lee, Ai Ueno, Ryo Takigawa, J.-J. Delaunay, Reo Kometani, Etsuo Maeda

    27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2014年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fukuoka   国名：日本国  

  • 強誘電体材料の精密機械加工によるリッジ型光導波路の検討

    多喜川 良, 日暮栄治, 川西哲也, 浅野 種正

    2014年度応用物理学会秋季大会学術講演会  2014年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：札幌   国名：日本国  

  • 先鋭バンプの超音波接合による常温接合機構の調査

    青木洋平, 多喜川 良, 岩鍋圭一郎, 首藤高徳, 浅野 種正

    2014年度応用物理学会秋季大会学術講演会  2014年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：札幌   国名：日本国  

  • 先鋭バンプの超音波接合による常温接合機構の調査

    岩鍋圭一郎, 首藤高徳, 多喜川 良, 浅野 種正

    2014年度応用物理学会秋季大会学術講演会  2014年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：札幌   国名：日本国  

  • [招待講演]Agナノ粒子の電気泳動法によるTSVの高速埋込みの試み 招待

    多喜川 良

    TSV応用研究会  2014年8月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年8月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：福岡   国名：日本国  

  • Room-temperature vacuum packaging using ultrasonic bonding with Cu compliant rim 国際会議

    Ryo Takigawa, Hiroki Kawano, takanori Shuto, Akihiro Ikeda, Takayuki Takao, Tanemasa Asano

    IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年7月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokyo   国名：日本国  

  • Room-Temperature Bonding using Au Compliant Rim with Ultrasonic Assist and its Application to Hermetic Sealing 国際会議

    Ryo Takigawa, Keiichiro Iwanabe, Takanori shuto, Takayuki Takao, Tanemasa Asano

    International Conference on Electronics Packaging  2014年4月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Toyama   国名：日本国  

  • 金属ナノ粒子の電気泳動によるTSVへの高速埋め込みの基礎検討

    多喜川 良, 仲原清顕, 首藤　高徳, 池田 晃裕, 浅野 種正

    2014年度応用物理学会春季大会学術講演会  2014年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：青山学院大学相模原キャンパス   国名：日本国  

  • 金先鋭リムを用いた常温•高速封止接合技術の開発

    多喜川 良, 岩鍋　圭一郎, 首藤　高徳, 高尾隆之, 浅野 種正

    第28回エレクトロニクス実装学会春季講演大  2014年3月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2014年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：拓殖大学   国名：日本国  

  • 先鋭バンプの微細化による常温CoC接合の低荷重化

    青木洋平, 多喜川 良, 岩鍋圭一郎, 首藤高徳, 浅野 種正

    2013年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：長崎大学   国名：日本国  

  • Agナノ粒子の電気泳動による貫通ビアの高速埋め込み

    仲原　清顕, 多喜川 良, 首藤　高徳, 池田 晃裕, 浅野 種正

    2013年度応用物理学会九州支部学術講演会  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月 - 2013年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：長崎大学   国名：日本国  

  • Room-temperature hermetic sealing using ultrasonic bonding with Au compliant rim 国際会議

    Ryo Takigawa, Keiichiro Iwanabe, Takanori Shuto, Takayuki Takao, Tanemasa Asano

    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2013年11月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2013年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • 常温ウエハ接合によりSi上に形成された薄膜LNOI光変調器の特性評価

    #村上誠悟、山口祐也、坂本高秀、@多喜川良

    第38回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2024年3月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京理科大学野田キャンパス   国名：日本国  

  • [招待講演]大気中低温接合による光素子実装技術 招待

    @多喜川良

    計装学会  2019年1月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • LiNbO3 /SiO2 常温接合界面の原子スケール解析とLiNbO3 on Insulator/Si超高速光変調器の実証

    #村上誠悟、#森友健留、山口祐也、坂本高秀、@多喜川良

    第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年9月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本大学   国名：日本国  

  • Investigation of surface activation of Si wafer for room temperature direct bonding 国際会議

    #Seigo Murakami and @Ryo Takigawa

    36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)  2023年11月 

    　詳細を見る

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • Room temperature bonding of InP wafers using an activated Si atomic layer 国際会議

    #Zhang Gufei, #Murakami Seigo and @Ryo Takigawa

    36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)  2023年11月 

    　詳細を見る

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • Surface-activated wafer bonding of ALD Al2O3 ultrathin films 国際会議

    #Kenji Uno and @Ryo Takigawa

    36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)  2023年11月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • Surface activated bonding of Lithium Niobate wafers 国際会議

    #Takeru Moritomo and @Ryo Takigawa,

    36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)  2023年11月 

    　詳細を見る

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo   国名：日本国  

  • InP/InP室温接合界面の原子スケール解析

    #Zhang Gufei, #Seigo Murakami, @Ryo Takigawa

    第38回エレクトロニクス実装学会春季講演大会  2024年3月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京理科大学野田キャンパス   国名：日本国  

▼全件表示

MISC

  • 常温接合に基づく薄膜LNOIのヘテロジニアス光集積

    多喜川良

    オプトロニクス   2023年11月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

所属学協会

  • エレクトロニクス実装学会、応用物理学会、精密工学会

委員歴

  • 光材料・応用技術研究会   幹事   国内

    2022年4月 - 現在   

  • エレクトロニクス実装学会   ミッションフェロー   国内

    2020年6月 - 2024年3月   

  • International Microprocesses and Nanotechnology Conference   セクションヘッド   国際

    2019年4月 - 2023年3月   

  • マイクロメカトロニクス技術実装委員会   技術委員   国内

    2017年7月 - 現在   

  • 日本学術振興会接合界面創成技術１９１委員会   学界委員   国内

    2016年10月 - 現在   

学術貢献活動

  • シーンオリエンテッド先端実装技術分科会　幹事

    役割：パネル司会・セッションチェア等,　学術調査立案・実施

    一般社団法人 電子情報技術産業協会（JEITA)  2025年4月 - 現在

  • 論文委員

    エレクトロニクス実装学会  （ Japan ） 2019年3月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • プログラム委員

    エレクトロニクス実装学会春季講演大会  （ Japan ） 2019年3月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員（サブヘッド） 国際学術貢献

    International Microprocesses and Nanotechnology Conference  （ Sapporo Japan ） 2018年11月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • Japanese Journal of Applied Physics 国際学術貢献

    2018年11月 - 現在

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  • 論文委員

    「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  （ Sapporo Japan ） 2018年10月 - 2018年11月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員 国際学術貢献

    International Microprocesses and Nanotechnology Conference  （ JeJu Korea ） 2017年11月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員 国際学術貢献

    International Microprocesses and Nanotechnology Conference  （ Kyoto Japan ） 2016年7月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

  • 論文委員 国際学術貢献

    International Microprocesses and Nanotechnology Conference  （ Toyama Japan ） 2015年11月

    　詳細を見る

    種別：大会・シンポジウム等 

▼全件表示

その他

  • 九州大学多喜川研究室&独カールツァイス社研究交流会（@九大伊都キャンパス）の開催

    2024年6月

    　詳細を見る

    先端半導体集積・3次元実装技術に関する「九州大学多喜川研究室&独カールツァイス社研究交流会」を九州大学にて開催した。2024年6月21日に独カールツァイス本社社長 & CEO Michael Albiez氏を九州大学伊都キャンパスに招き、講演会、研究室見学ツアー及び将来の日独民間企業との連携強化に向けた意見交換会を行った。

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • JST CRONOS：真空光トランジスタの極限性能追求と超大容量光－無線シームレス通信基盤の創成

    研究課題/領域番号：JPMJCS24N5  2024年10月 - 2030年3月

    戦略的創造研究推進事業  CRONOS  中尾領域

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費以外の競争的資金

  • 欧州半導体製造エコシステムとの連携による国際的光電子集積デバイス創出基盤の創成

    研究課題/領域番号：24KK0085  2024年4月 - 2028年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  国際共同研究加速基金(海外連携研究)

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：科研費

  • 基盤研究A：低温ナノ接合界面における光電子機能創成と革新的ヘテロ集積デバイス技術基盤への展開

    研究課題/領域番号：24H00318  2024年 - 2027年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用

    研究課題/領域番号：23K26388  2023年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：科研費

  • 時空間を一括取得する超高速超解像光センサー

    研究課題/領域番号：JPMJCR2103  2021年10月 - 2027年3月

    戦略的創造研究推進事業  CREST  革新光

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究分担者  資金種別：科研費以外の競争的資金

  • 異種材料集積化に向けた活性化透明極薄膜による大気中室温接合への挑戦

    研究課題/領域番号：21K18729  2021年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究（萌芽）

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 次世代高精度ハイブリッド接合を見据えた絶縁接合界面創成

    研究課題/領域番号：21KK0255  2021年 - 2024年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  国際共同研究強化(A)

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 大気室温接合に向けた活性化透明中間層形成のための探索的研究

    2021年

    九州大学  QRわかばチャレンジ

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • 低温ナノ接合界面における光学機能発現と集積フォトニクス応用

    研究課題/領域番号：20H02207  2020年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 次世代3次元積層を見据えた極薄絶縁膜の新たな常温接合技術の確立

    研究課題/領域番号：JPMJTM19DN  2019年9月 - 2020年8月

    JST  研究成果展開事業   A-STEP機能検証フェーズ

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費以外の競争的資金

  • 低損失光導波路集積に向けた酸化物低温接合技術の開発

    2019年

    九州大学  QRわかばチャレンジ

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • 異種材料光集積化に向けた大気開放・局所活性化雰囲気における常温接合の実現

    研究課題/領域番号：18K18863  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究（萌芽）

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

  • 切削加工と常温接合によるヘテロフォトニクスチップに関する研究

    研究課題/領域番号：17H04925   2017年4月 - 2020年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(Ａ),

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

    常温接合と切削加工技術による強誘電体/半導体ハイブリッドフォトニクスの創製

  • 光素子の大気中低温接合

    2016年

    九州大学  ｼｽﾃﾑ情報科学研究院・ｽﾀｰﾄｱｯﾌﾟ支援経費

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：学内資金・基金等

  • 切削加工によるニオブ酸リチウム細線光導波路の作製

    研究課題/領域番号：15K18055  2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(B)

    多喜川良

    　 詳細を見る

    担当区分：研究代表者  資金種別：科研費

▼全件表示

教育活動概要

  • 大学院生、学部学生の研究指導
    実装工学特論
    信号とシステム
    電気情報工学入門Ⅰ
    電気情報工学基礎実験　取り纏め担当
    電気情報工学実験I・Ⅱ

担当授業科目

  • 電気工学基礎Ⅱ

    2025年6月 - 2025年8月   夏学期

  • 電気工学基礎Ⅰ

    2025年4月 - 2025年6月   春学期

  • Fundamentals of Electrical Engineering and Computer Science Ⅱ（電気情報工学通論 Ⅱ）

    2024年12月 - 2025年2月   冬学期

  • 実装工学特論Ⅱ

    2024年12月 - 2025年2月   冬学期

  • 信号とシステムⅡ

    2024年12月 - 2025年2月   冬学期

  • Fundamentals of Electrical Engineering and Computer Science I （電気情報工学通論 I）

    2024年10月 - 2024年12月   秋学期

  • 実装工学特論Ⅰ

    2024年10月 - 2024年12月   秋学期

  • 信号とシステムⅠ

    2024年10月 - 2024年12月   秋学期

  • 電気工学基礎Ⅱ

    2024年6月 - 2024年8月   前期

  • 実装工学特論Ⅱ

    2023年12月 - 2024年2月   冬学期

  • 実装工学特論Ⅰ

    2023年10月 - 2023年12月   秋学期

  • 実装工学特論Ⅰ･Ⅱ

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 信号とシステムⅠ･Ⅱ

    2022年10月 - 2023年3月   後期

  • 電気工学基礎Ⅰ･Ⅱ

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 電気情報工学基礎実験

    2022年4月 - 2022年9月   前期

  • 信号とシステム

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • 実装工学特論

    2021年10月 - 2022年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 実装工学特論

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2020年10月 - 2021年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2020年4月 - 2020年9月   前期

  • 電気情報工学基礎実験

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2019年10月 - 2020年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2019年4月 - 2019年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2018年10月 - 2019年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2018年4月 - 2018年9月   前期

  • 電気情報工学基礎実験

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2017年10月 - 2018年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2017年4月 - 2017年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2016年10月 - 2017年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2016年4月 - 2016年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2015年10月 - 2016年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2015年10月 - 2016年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2015年4月 - 2015年9月   前期

  • 電気情報工学実験Ⅱ

    2014年10月 - 2015年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2014年10月 - 2015年3月   後期

  • 電気情報工学実験Ⅰ

    2014年4月 - 2014年9月   前期

  • 電気情報工学基礎実験

    2013年10月 - 2014年3月   後期

  • 電気情報工学基礎実験

    2013年10月 - 2014年3月   後期

▼全件表示

FD参加状況

  • 2019年10月   役割：参加   名称：電子ジャーナルの現状と今後の動向に関する説明会

    主催組織：部局

  • 2019年7月   役割：参加   名称：論文剽窃ソフトの活用方法について

    主催組織：部局

  • 2018年11月   役割：参加   名称：科学技術基本政策の今と未来

    主催組織：部局

  • 2018年9月   役割：参加   名称：教育の効率化について

    主催組織：部局

  • 2018年1月   役割：参加   名称：Ｍ２Ｂ（みつば）学習支援システム講習会

    主催組織：全学

  • 2018年1月   役割：参加   名称：研究分析ツール「SciVal」及び研究者プロファイリングツール 「Pure」に関する説明会（応用編）

    主催組織：全学

  • 2017年9月   役割：参加   名称：「英語による教授能力」向上のためのFDプログラム

    主催組織：全学

▼全件表示

他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等

  • 2024年  imec  区分:客員教員  国内外の区分:国外 

  • 2023年  imec  区分:客員教員  国内外の区分:国外 

指導学生の受賞

  • 第３９回春季講演大会 優秀賞

    授与年月：2025年9月

    受賞学生の区分：修士   受賞学生氏名：宇野賢治

    　 詳細を見る

  • Best Poster Presentation Award

    授与年月：2024年11月

    受賞学生の区分：修士   受賞学生氏名：村上誠悟

    　 詳細を見る

  • Outstanding Presenation Award

    授与年月：2024年5月

    受賞学生の区分：博士   受賞学生氏名：Zhang Gufei

    　 詳細を見る

  • 第37回春季講演大会 優秀賞

    授与年月：2023年8月

    受賞学生の区分：修士   受賞学生氏名：村上誠悟

    　 詳細を見る

  • 第39回「センサ・マイクロマシンと 応用システム」シンポジウム 奨励賞,

    授与年月：2022年11月

    受賞学生の区分：修士   受賞学生氏名：渡辺要

    　 詳細を見る

大学全体における各種委員・役職等

  • 2024年4月 - 現在   次世代研究者挑戦的研究プログラム担当委員

その他部局等における各種委員・役職等

  • 2021年4月 - 2023年3月   センター 加速器・ビーム応用科学センター運営委員会委員

  • 2017年4月 - 現在   研究院 学生実験WGメンバー

  • 2014年4月 - 2015年3月   地区 地域連携ＷＧウエスト・ゾーン部会　構成員

社会貢献・国際連携活動概要

  • 日本学術振興会産学協力研究委員会にて欧州のトップ応用研究機関(フランフォーファ研究機構IZM研究所（ドイツ），IMEC（ベルギー）,CEA/Leti(フランス) )の視察を行った。欧州最先端の（接合界面創成技術を中心とした）実装工学について各研究所のディレクタや研究責任者等にヒアリングを行った。本視察により、欧州の国策を含め実装技術の最先端テクノロジーを把握するとともに、我が国の民間企業と欧州研究機関等との関係構築の一助とした。

    先端半導体集積・3次元実装技術に関する「九州大学多喜川研究室&独カールツァイス社研究交流会」を九州大学にて開催した。2024年6月21日に独カールツァイス本社社長 & CEO Michael Albiez氏を九州大学伊都キャンパスに招き、講演会、研究室見学ツアー及び将来の日独民間企業との連携強化に向けた意見交換会を行った。

社会貢献活動

  • ２０１6年度九州大学オープンキャンパスにて高校生の見学者に対して走査型電子顕微鏡の解説と実演の準備等行った。

    九州大学  九州大学  2017年5月

    　詳細を見る

    対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

    種別：その他

  • ２０１３年度九州大学オープンキャンパスにて高校生の見学者に対して走査型電子顕微鏡の解説と実演を行った。

    九州大学  九州大学  2013年8月

    　詳細を見る

    対象：社会人・一般,　学術団体,　企業,　市民団体,　行政機関

    種別：その他

海外渡航歴

  • 2023年4月 - 現在

    滞在国名1：ベルギー王国   滞在機関名1：IMEC

  • 2020年9月

    滞在国名1：オーストラリア連邦   滞在機関名1：クイーンズランド大学

  • 滞在国名1：ドイツ連邦共和国   滞在機関名1：フランフォーファ研究機構　IZM研究所