学生ポスター賞

2017年12月   第46回結晶成長国内会議   GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析

草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一

Outstanding Presentation Award

2017年10月   International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)   Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

Young Scientist Award

2015年11月   6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)   Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto

発表奨励賞

2015年5月   第7回窒化物半導体結晶成長講演会   InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析

草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一

First-principles molecular dynamics of H2 molecule formation inside hydrogenated amorphous carbon 査読 国際誌

Yudai Takei, Junko Ishii, Shigenori Matsushima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazuaki Hanada

Journal of Nuclear Materials   614   155886   2025年5月

Influence of Intrinsic Point Defects Incorporated from Growth Surface on Atomic Interdiffusion and Unintentional Compositional Gradient in AlGaN/AlN Heterointerfaces 査読 国際共著 国際誌

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Takahiro Kawamura, Pawel Kempisty, Kana Ishisone, Mauro Boero

Crystal Growth & Design   25   740 - 746   2025年1月

SAT Solver-Driven Approach for Validating Local Electron Counting Rule 査読 国際誌

Tetsuji Kuboyama, Akira Kusaba

Journal of Crystal Growth   650   127927   2025年1月   （ ISSN:0022-0248 eISSN:1873-5002 ）

Polar GaN Surfaces under Gallium Rich Conditions: Revised Thermodynamic Insights from Ab Initio Calculations 査読 国際誌

Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Materials   16   5982   2023年8月

DFT modeling of unintentional oxygen incorporation enhanced by magnesium in GaN(0001) and AlN(0001) growth surfaces during metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌

Akira Kusaba, Romeo Marcel Kurniawan, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

Physica Status Solidi B   2100430   2022年2月

A new combination of Hankel and sparsity-promoting dynamic mode decompositions and its application to the prediction of plasma turbulence 査読 国際誌

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Makoto Sasaki, Shigeru Inagaki

Japanese Journal of Applied Physics   61   SA1011   2021年12月

Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE 査読 国際誌

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics   60   045507   2021年4月

Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE 査読 国際誌

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

Crystal Growth & Design   21   1878 - 1890   2021年2月

Unsupervised Feature Value Selection Based on Explainability 査読 国際誌

Kilho Shin, Kenta Okumoto, David Lawrence Shepard, Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Jorge Amari, Keisuke Murota, Junnosuke Takai, Tetsuji Kuboyama, Hiroaki Ohshima

Revised Selected Papers of the 12th International Conference on Agents and Artificial Intelligence (ICAART 2020)   421 - 444   2021年2月

Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach 査読 国際誌

Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu

CrystEngComm   23   1423 - 1428   2021年1月

Predictive Nonlinear Modeling by Koopman Mode Decomposition 査読 国際誌

Akira Kusaba, Kilho Shin, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama

Proceedings of the International Conference on Data Mining Workshops 2020 (ICDMW 2020)   811 - 819   2020年11月

Unsupervised Clustering based on Feature-value / Instance Transposition Selection 査読 国際誌

Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Kilho Shin, David Shepard, Tetsuji Kuboyama

Proceedings of the IEEE Region 10 Conference 2020 (TENCON 2020)   1192 - 1197   2020年11月

Twitter Topic Progress Visualization using Micro-Clustering 査読 国際誌

Takako Hashimoto, Akira Kusaba, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Takeaki Uno

Proceedings of the 9th International Conference on Pattern Recognition Applications and Methods (ICPRAM 2020)   585 - 592   2020年2月

Sparsity-Promoting Dynamic Mode Decomposition of Plasma Turbulence 査読

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Shigeru Inagaki

Plasma and Fusion Research   15   1301001   2020年1月

Thermodynamic analysis for nonpolar III-nitride surfaces under metalorganic vapor-phase epitaxy conditions 査読 国際誌

Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics   59   028003   2020年1月

Time Series Electricity Consumption Analysis using Non-negative Matrix Factorization 査読 国際誌

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Takako Hashimoto

Proceedings of the 10th International Conference on Awareness Science and Technology (iCAST 2019)   1 - 6   2019年10月

Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth conditions 査読 国際誌

Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

Japanese Journal of Applied Physics   58   SC1014   2019年5月

DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌

Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters   111   141602   2017年10月

Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics 査読 国際誌

Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

Materials   10   948   2017年8月

Thermodynamic analysis of (0001) and (000-1) GaN metalorganic vapor phase epitaxy 査読 国際誌

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Hubert Valencia, Kenji Shiraishi, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

Japanese Journal of Applied Physics   56   070304   2017年6月

Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy 査読 国際誌

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto

Japanese Journal of Applied Physics   55   05FM01   2016年2月

Real-time observation system development for high-temperature liquid/solid interfaces and its application to solid-source solution growth of AlN 査読 国際誌

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Hiroaki Sumiyoshi, Hideto Miyake, Michał Boćkowski, Koichi Kakimoto

Applied Physics Express   8   065601   2015年6月

ナノスケールの親水部を有する撥水面での凝縮に関する研究 査読

山田寛, 草場彰, 生田竜也, 西山貴史, 高橋厚史, 高田保之

日本機械学会論文集   81   14-00495   2015年3月

Wettability-Driven Water Condensation at the Micron and Submicron Scale 査読 国際誌

Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata

Proceedings of the 15th International Heat Transfer Conference (IHTC-15)   827 - 834   2014年8月

InN MOVPE成長におけるTMIn分解反応過程の理論的研究 招待

長嶋佑哉, 渡邉浩崇, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

Development of Scheme and Case Studies in Material Configurations Informatics 招待 国際会議

Akira Kusaba

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025)  2025年3月 

微傾斜GaN(0001)におけるIn拡散ポテンシャル

西澤宏隆, 草場彰, 寒川義裕

第53回結晶成長国内会議  2024年11月 

ステップ離脱型ファセット化マクロステップ定常成長の「ステップ」成長方向と積層欠陥抑制

阿久津典子, 草場彰, 寒川義裕

第53回結晶成長国内会議  2024年11月 

量子化学計算を用いたGaN有機金属気相成長の系統的反応経路探索

杉山佳奈美, 草場彰

第53回結晶成長国内会議  2024年11月 

GaN結晶中のMg拡散機構の解明：モンテカルロシミュレーションによる解析

伊藤佑太, 草場彰, 渡邉浩崇, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 寒川義裕, 天野浩

第53回結晶成長国内会議  2024年11月 

データ同化を用いた反応速度定数の推定によるGaN MOVPEデジタルツインの構築

生越奎太朗, 佐野雅季, 草場彰, 白石賢二, 寒川義裕

第53回結晶成長国内会議  2024年11月 

Adsorption energetics and thermodynamics on semiconductor surfaces based on machine learning 招待 国際会議

Akira Kusaba

Materials Oceania 2024  2024年9月 

Determination of Local Electron Counting Rule Satisfaction by SAT Solver 国際会議

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa

9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9)  2024年6月 

データ駆動イジング模型による半導体表面再構成の研究 招待

草場 彰

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2024年5月 

Vacancies in III-Nitrides (II): Diffusion near Hetero Interfaces 国際会議

Reo Shimauchi, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba

10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)  2024年4月 

Vacancies in III-Nitrides (I): Formation under Reconstructed Surfaces 国際会議

Keitaro Tateyama, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Takahiro Kawamura

10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)  2024年4月 

Ab initio thermodynamic study of the metallic surface wetting layer during MBE (In)GaN growth and its consequences for dopants incorporation 国際会議

Pawel Kempisty, Karol Kawka, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)  2023年11月 

Theoretical analysis of TMI degradation pathway in InN MOVPE growth 国際会議

Yuya Nagashima, Hirotaka Watanabe, Syugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)  2023年11月 

Bayesian optimization and Ising model in DFT calculations of surface reconstruction 招待 国際会議

Akira Kusaba

24th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (ASIAN-24)  2023年11月 

Data Assimilation in Semiconductor Crystal Growth: Chemical Reaction Network Modeling 招待 国際会議

Akira Kusaba

Global Plasma Forum in Aomori  2023年10月 

InN MOVPE成長におけるTMI分解経路の理論的解析

長嶋佑哉, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

Theoretical exploration of widegap materials with the corundum structure for heteroepitaxy on α-Ga2O3 国際会議

Shun Yamakawa, Hirofumi Akamatsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20)  2023年8月 

Ising model-based analysis of the GaN(0001) surface reconstructed structures sampled from Bayesian optimization 国際会議

Karol Kawka, Paweł Kempisty, Stanisław Krukowski, Michał Boćkowski, David Bowler, Akira Kusaba

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20)  2023年7月 

スパッタAlN膜の高温アニールプロセスにおけるスパースモデリング

原太一, 草場彰, 寒川義裕, 三宅秀人

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2023年6月 

ベイズ最適化による半導体表面混合状態の研究

草場 彰

第2回スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム研究交流会  2023年3月 

AlN・InN MOVPE成長におけるTMA・TMI分解経路の理論的解析

長嶋佑哉, 赤石大地, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2022年11月 

窒化物半導体MOVPEにおける表面相図：不純物混入の寄与

木原楓太, 草場彰, 寒川義裕

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2022年11月 

Ab Initio Studies on TMA and TMI Decomposition during MOVPE Growth

Yuya Nagashima, Daichi Akaishi, Shugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

Modelling interlayer diffusion in III-nitride hetero interface

Koyo Miyamoto, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

Growth Simulation of GaN MOVPE Based on Rate Equation Analysis

Masaki Sano, Yuya Nagashima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning

Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

Tuning of Ab Initio Reaction Rate in GaN Metalorganic Vapor Phase Epitaxy by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data 国際会議

Akira Kusaba, Zheng Ye, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022)  2022年10月 

Data-driven approach to predict growth conditions of compound semiconductor nanowires for optical devices by molecular beam epitaxy 国際会議

Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama

IUMRS-ICYRAM 2022  2022年8月 

熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

長嶋佑哉, 木村友哉, 洗平昌晃, 長川健太, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

Application of Machine Learning Methods to More Quantitative GaN MOVPE Modeling 招待 国際会議

Akira Kusaba

2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022)  2022年1月 

窒化物半導体ヘテロ界面における相互拡散メカニズムの理論検討

宮本滉庸, 草場彰, 寒川義裕

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2021年12月 

Theoretical approach to unintentional oxygen doping during MOVPE of GaN:Mg and AlN:Mg 国際会議

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Pawel Kempisty

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021)  2021年11月 

Tuning of Reaction Rate Constants for Trimethylgallium Decomposition by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Zheng Ye, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021)  2021年11月 

結晶成長デジタルツイン―AIと計算科学からのアプローチ 招待

草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕

第50回結晶成長国内会議  2021年10月 

First-principles study of Mg and O co-doping mechanism in the growth surface during GaN(0001) and AlN(0001) metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

32nd IUPAP Conference on Computational Physics (CCP 2021)  2021年8月 

Prediction of plasma turbulence using Hankel and sparsity-promoting dynamic mode decomposition 国際会議

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Makoto Sasaki, Shigeru Inagaki

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)  2021年3月 

Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors 国際会議

Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)  2021年3月 

プラズマ乱流データにおけるDMD固有値の高精度推定

草場 彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマインフォマティクス研究会」  2021年1月 

ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川善裕, 白石賢二

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－  2021年1月 

Ab initio-based approach to GaN HVPE and THVPE processes: p-type doping and facet stability 国際会議

Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Pawel Kempisty, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021)  2021年1月 

Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth 国際会議

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021)  2021年1月 

More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches 招待 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021)  2021年1月 

Predictive Nonlinear Modeling by Koopman Mode Decomposition 国際会議

Akira Kusaba, Kilho Shin, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama

15th International Workshop on Spatial and Spatiotemporal Data Mining (SSTDM '20) In Cooperation with IEEE ICDM 2020  2020年11月 

Unsupervised Clustering based on Feature-value / Instance Transposition Selection 国際会議

Akira Kusaba, Takako Hashimoto, Kilho Shin, David Shepard, Tetsuji Kuboyama

IEEE Region 10 Conference 2020 (TENCON 2020)  2020年11月 

GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察

榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第49回結晶成長国内会議  2020年11月 

機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索

草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人

第49回結晶成長国内会議  2020年11月 

Long-Time Dynamic Mode Decomposition of Plasma Turbulence 国際会議

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Shigeru Inagaki

29th International Toki Conference on Plasma and Fusion Research (ITC-29)  2020年10月 

Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Norimatsu, Hideto Miyake

第39回電子材料シンポジウム  2020年10月 

らせん転位とMg不純物との複合体を含むGaNの第一原理電子構造解析 招待

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

Twitter Topic Progress Visualization using Micro-Clustering 国際会議

Takako Hashimoto, Akira Kusaba, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama, Kilho Shin, Takeaki Uno

9th International Conference on Pattern Recognition Applications and Methods (ICPRAM 2020)  2020年2月 

GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析

中野崇志, 原嶋庸介, 大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－  2020年2月 

気相反応の観点から見たGaN MOVPE中の炭素混入の原因の解明

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二

第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－  2020年1月 

DMD法を用いたPANTAプラズマ乱流データの非定常解析

草場 彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマの複雑現象を対象としたデータマイニングの活用」  2019年12月 

スパース動的モード分解によるプラズマ乱流データの解析

草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕, 稲垣滋

第36回プラズマ・核融合学会年会  2019年12月 

The Electronic State Behavior of the Mg-Segregated Dislocation in GaN 国際会議

Takashi Nakano, Yosuke Harashima, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)  2019年11月 

Theoretical Study of the Origins of Carbon Impurities on GaN MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective ~ Incorporation of Ga and C Related Molecules ~ 国際会議

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)  2019年11月 

GaN Crystal Growth Multi Physics Simulation With Gas Phase Chemical Reaction 国際会議

Souma Sakakibara, Akira Kusaba, Masaaki Araidai, Naoya Okamoto, Katsunori Yoshimatsu, H Watanabe, Shugo Nitta, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)  2019年11月 

Theoretical Study about the Leakage Current due to the Dislocation of Mg Segregation in GaN 国際会議

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)  2019年11月 

Study of the Origins of Carbon Impurities on Gallium Nitride MOVPE from a Gas Phase Reaction Perspective 国際会議

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Zheng Ye, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS 2019)  2019年11月 

Time Series Electricity Consumption Analysis using Non-negative Matrix Factorization 国際会議

Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Takako Hashimoto

10th IEEE International Conference on Awareness Science and Technology (iCAST 2019)  2019年10月 

動的モード分解におけるモード数低減手法の実験的比較

草場彰, 久保山哲二

人工知能学会第110回人工知能基本問題研究会  2019年9月 

MOVPE条件下におけるIII族窒化物半導体無極性面の熱力学解析

清水紀志, 秋山亨, アブドルムィッツプラディプト, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

プラズマ乱流データの動的モード分解

草場 彰

NIFS共同研究（研究会）「プラズマインフォマティクス研究会」  2019年9月 

Microscopic Reason for the Leakage Current due to the Mg-Attached Dislocation in GaN 国際会議

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM 2019)  2019年9月 

第一原理計算と熱力学的解析によるGaN MOVPE成長中の炭素取り込みの考察

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, Zheng Ye, 本田善央, 新田州吾, 天野浩, 白石賢二

ポスト「京」プロジェクト重点課題（7）「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム  2019年8月 

第一原理計算によるGaNらせん転位中のMg不純物の研究

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

ポスト「京」プロジェクト重点課題（7）「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム  2019年8月 

STUDY OF THE ORIGINS OF CARBON IMPURITIES ON GAN MOVPE FROM A GAS PHASE REACTION PERSPECTIVE 国際会議

Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)  2019年7月 

Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with M-Plane Surface 国際会議

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)  2019年7月 

Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 国際会議

Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)  2019年5月 

GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析

中野崇志, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 宇佐美茂佳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーション

富澤巧, 川上賢人, 櫻井照夫, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 醍醐佳明, 水島一郎, 依田孝, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

気相反応から考えるGaN MOVPEにおける炭素混入機構

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

化学反応を含むGaN結晶成長流体シミュレーション手法の開発

榊原聡真, 川上賢人, 高村昴, 洗平昌晃, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

MOVPE法のGaN結晶成長3次元マルチフィジックスシミュレーション

川上賢人, 高村昴, 草場彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

GaNにおける貫通転位およびナノパイプm壁面の電子状態解析

中野崇志, 長川健太, 大河内勇斗, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－  2019年1月 

Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer 国際会議

Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)  2018年11月 

Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition 国際会議

Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)  2018年11月 

Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000-1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration 国際会議

Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)  2018年11月 

Multiphysics simulation of GaN MOVPE: Flow influence on GaN growth-orientation 国際会議

Subaru Komura, Kento Kawakami, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)  2018年11月 

GaN結晶成長過程における炭素混入メカニズムの理論的解明

大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第47回結晶成長国内会議  2018年11月 

表面再構成構造を考慮したGaN MOVPEのマルチフィジックス流動シミュレーション

川上賢人, 高村昴, 草場彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第47回結晶成長国内会議  2018年11月 

Flow influence on GaN MOVPE growth-orientation 国際会議

Subaru Komura, Kento Kawakami, Yoshihiro Yamamoto, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi

9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)  2018年10月 

Methodology for Multiphysics Flow Simulation in GaN MOVPE using Thermodynamic Analysis and First Principles Calculations for GaN Deposition 国際会議

Kento Kawakami, Subaru Komura, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi

9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)  2018年10月 

窒化ガリウム極性面におけるメタン吸着確率と炭素不純物取り込み 招待

草場彰, 李冠辰, パヴェウ・ケンピスティ, マイケル・フォン・スパコフスキー, 寒川義裕

日本学術振興会第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」  2018年9月 

有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析：半極性面の検討

瀬田雄基, アブドルムィッツプラディプト, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE 国際会議

Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)  2018年8月 

Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System 国際会議

Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)  2018年8月 

GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性

草場彰, 李冠辰, パヴェウ・ケンピスティ, マイケル・フォン・スパコフスキー, 寒川義裕

第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2018年7月 

Formation Mechanism of Singular Structure in AlInN Layer Grown on M-GaN Substrate by MOVPE 招待 国際会議

Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '18)  2018年4月 

MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

Driving force for m-plane GaN MOVPE: a new thermodynamic modeling 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

10th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2018)  2018年3月 

GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響II

高村昴, 川上賢人, 山本芳裕, 草場彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第46回結晶成長国内会議  2017年11月 

GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析

草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一

第46回結晶成長国内会議  2017年11月 

GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響I

川上賢人, 高村昴, 山本芳裕, 草場彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二

第46回結晶成長国内会議  2017年11月 

Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics 国際会議

Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)  2017年11月 

Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)  2017年9月 

Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic behavior of ammonia chemical adsorption on GaN(0001) surfaces under MOVPE 国際会議

Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

E-MRS 2017 Fall Meeting  2017年9月 

NH3化学吸着の非平衡状態発展：最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング

草場彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会  2017年7月 

Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Michael R. von Spakovsky, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

International Workshop on Ntride Semiconductors 2016 (IWN 2016)  2016年10月 

Contribution of lattice constraint to indium incorporation into coherently grown InGaN 国際会議

Takuya Tamura, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Tadeusz Suski, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)  2016年8月 

Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi, Hiroshi Amano, Akinori Koukitu

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)  2016年8月 

InおよびN極性InN有機金属気相成長の熱力学解析

草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, 纐纈明伯

第35回電子材料シンポジウム  2016年7月 

InN(0001)面および(000-1)面MOVPE成長の熱力学解析

草場彰, 寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

第8回窒化物半導体結晶成長講演会  2016年5月 

Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)  2015年11月 

Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach 国際会議

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto

5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5)  2015年9月 

Surface Energy and Facet Formation in InN films grown by Pressurized-Reactor MOVPE

Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Koichi Kakimoto

第34回電子材料シンポジウム  2015年7月 

AlN固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察

草場彰, 住吉央朗, 寒川義裕, 三宅秀人, 柿本浩一

第7回窒化物半導体結晶成長講演会  2015年5月 

InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析

草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一

第7回窒化物半導体結晶成長講演会  2015年5月 

Wettability-Driven Water Condensation at the Micron and Submicron Scale 国際会議

Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata

15th International Heat Transfer Conference (IHTC-15)  2014年8月 

グラファイト面上におけるサブミクロンスケールの液滴核生成と成長

山田寛, 草場彰, 生田竜也, 西山貴史, 高橋厚史, 高田保之

第51回日本伝熱シンポジウム  2014年5月 

Growth and Coalescence of Condensed Microdroplets on Graphite Surface 国際会議

Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata

5th International Conference on Heat Transfer and Fluid Flow in Microscale (HTFFM-V)  2014年4月 

ESEMを用いたグラファイト面上の液滴凝縮過程に関する研究

山田寛, 草場彰, 生田竜也, 西山貴史, 高橋厚史, 高田保之

日本機械学会熱工学コンファレンス2013  2013年10月 

Microscopic Mechanism of Water Condensation on HOPG 国際会議

Yutaka Yamada, Akira Kusaba, Tatsuya Ikuta, Takashi Nishiyama, Koji Takahashi, Yasuyuki Takata

International Symposium on Innovative Materials for Processes in Energy Systems 2013 (IMPRES 2013)  2013年9月 

スパースモデリングを用いたスパッタAlN膜の高温アニールプロセスの条件探索

原太一, 草場彰, 寒川義裕, 三宅秀人

第14回半導体材料・デバイスフォーラム  2023年12月 

窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展（特集「結晶成長ダイナミクスの展望－平衡過程と非平衡過程の協奏－」） 査読

寒川義裕, 草場彰

表面と真空   2023年4月

Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations (Special Issue: Recent Progress in Growth of Nitride Semiconductors for Realization of Deep Ultraviolet Optoelectronic Devices) 査読

Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth   2020年10月

III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析（特集「特異構造の結晶科学～結晶成長と構造・物性相関～」） 査読

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌   2018年4月

窒化物半導体MOVPEの熱力学解析 ～面方位依存性～（特集「エピタキシーの基礎～ステップダイナミクスと熱力学的考察～」） 査読

寒川義裕, 草場彰, 白石賢二, 柿本浩一, 纐纈明伯

日本結晶成長学会誌   2017年8月

次世代半導体開発におけるプロセス設計の革新

研究課題/領域番号：MJAX20A7  2020年12月 - 2023年3月

科学技術振興機構  戦略的創造研究推進事業  ACT-X

草場 彰

表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索

研究課題/領域番号：20K15181  2020年4月 - 2024年3月

日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究

草場 彰

結晶成長プロセス・インフォマティクスの創出による宇宙用パワー半導体の研究開発

研究課題/領域番号：19J00871  2019年4月 - 2022年3月

日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

草場 彰

窒化ガリウム結晶成長プロセスの理論データベース構築とデータ科学への応用

2018年4月 - 2019年3月

九州大学応用力学研究所  共同利用研究  若手キャリアアップ支援研究

草場 彰

耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発

研究課題/領域番号：16J04128  2016年4月 - 2019年3月

日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

草場 彰

2022年10月

滞在国名1：ドイツ連邦共和国   滞在機関名1：IWN 2022

2020年2月

滞在国名1：マルタ共和国   滞在機関名1：ICPRAM 2020

2018年8月

滞在国名1：ポーランド共和国   滞在機関名1：ISGN-7

2018年3月

滞在国名1：ポーランド共和国   滞在機関名1：ポーランド科学アカデミー　高圧物理学研究所

2017年9月

滞在国名1：ポーランド共和国   滞在機関名1：E-MRS 2017 Fall Meeting

2016年10月

滞在国名1：アメリカ合衆国   滞在機関名1：IWN 2016

滞在機関名2：Virginia Tech

2015年9月

滞在国名1：イタリア共和国   滞在機関名1：ECCG-5