テラシマ トモヒデ
寺島 知秀
TERASHIMA TOMOHIDE
所属
システム情報科学研究院 情報エレクトロニクス部門 教授
工学部 電気情報工学科（併任）
システム情報科学府 電気電子工学専攻（併任）
マス・フォア・イノベーション連係学府
（併任）
職名
教授
連絡先
電話番号
0928023690
学位
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博士（工学） （ 大阪大学 ）
経歴
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九州大学
2024年4月 - 現在
論文
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SiC MOSFET – Key device for future electrification – 招待
Tomohide Terashima
AWAD2021 2021年
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An Analytical Evaluation of Performance Limit for PiN diodes and IGBTs
Tomohide Terashima
IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2021 16 583 - 591 2021年
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Development of an Accurate SPICE Model for a new 1.2-kV SiCMOSFET device
Takashi Masuhara, Takeshi Horiguchi, Yasushige Mukunoki1, Tomohide Terashima, Naochika Hanano, and Eisuke Suekawa
PCIM Europe 2020 407 - 410 2020年 （ ISBN:978-3-8007-5245-4 ）
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A Comparative Study of SPICE models for an SiC-MOSFET 査読
Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani
PCIM Europe 2019 1958 - 1962 2019年 （ ISBN:978-3-8007-4938-6 ）
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An Improved SPICE Model for a 1.2-kV, 36-A Discrete SiC-MOSFET With Higher Accuracy for a Wide Range of Drain Currents 査読
Y. Mukunoki, T. Horiguchi, H. Nakatake, T. Terashima and M. Tarutani
21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe) 1 - 5 2019年
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An Analytical Calculation for Lowest Forward Voltage of PiN Diodes 査読
Tomohide Terashima
IEEJ Trans on Electrical and Electronic Engineering 2019 14 1518 - 1523 2019年
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電力変換技術におけるパワーデバイスの動作についての解析的考察及び、その駆動技術に関する研究
寺島知秀
博士学位論文 大阪大学大学院工学研究科 2017年7月
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Recent Progress and challenges in SiC MOSFET for Power Applications 招待
T. Terashima and S. Hino
TWHM 2017 57 - 58 2017年
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High-Voltage Integrated Circuits: History, State of the Art, and Future Prospects
Don Disney, Ted Letavic, Tanya Trajkovic, Tomohide Terashima, Akio Nakagawa
IEEE Trans. Electron Devices 64 ( 3 ) 659 - 673 2017年
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SiCパワーデバイスの性能向上とその限界 -自己発熱の影響について- 招待
寺島知秀
第81回半導体･集積回路シンポジウム 2017年
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パワーデバイスのスイッチングロスに関する解析的考察 査読
寺島知秀，藤原康文
電気学会論文誌C 137 ( 9 ) 1219 - 1227 2017年
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PiNダイオード高水準注入についてのシミュレーションと解析計算の比較による考察 査読
寺島知秀，藤原康文
電気学会論文誌C 137 ( 7 ) 918 - 926 2017年
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Review of Integration Trends in Power Electronics Systems and Devices 招待
Gourab Majumdar, Takeshi Oi, Tomohide Terashima, Shiori Idaka, Dai Nakajima and Yoichi Goto
CIPS2016 2016年 （ ISBN:978-3-8007-4171-7 ）
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Characterization and modeling of 1.2kV 30-A SiC MOSFET
Y.Mukunoki, Y.Nakamura, T.Horiguchi, S.Kinouchi, Y.Nakayama, T.Terashima, M.Kuzumoto and H.Agkagi
IEEE Trans. Electron Devices 63 ( 11 ) 4339 - 4345 2016年
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Superior Performance of SiC Power Devices and Its Limitation by Self-heating 招待
T. Terashima
IEDM 2016 264 - 267 2016年
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ワイドバンドギャップ半導体によるパワーデバイスの性能改善と課題 査読
寺島知秀
材料 64 ( 9 ) 701 - 706 2015年
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SiCパワーデバイスの性能改善状況と解決すべき課題 招待
寺島知秀
電子デバイス研究会 2014年 2014年
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A Balanced High Voltage IGBT Design with Ultra Dynamic Ruggedness and Area-efficient Edge Termination 査読
Ze Chen, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, Tomohide Terashima, and Tsuyoshi Kawakami
Proc. of ISPSD 2013 37 - 40 2013年
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Development of secured energy infrastructure in Japan 招待
Masazumi Yamamoto and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2013 3 - 7 2013年
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Analysis of a Drain-Voltage Oscillation of MOSFET under High dV/dt UIS Condition 査読
Shinya Soneda, Atsushi Narazaki, Tetsuo Takahashi, Kazutoyo Takano, Shigenori Kido, Yusuke Fukada, Kensuke Taguchi, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 153 - 156 2012年
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Great Impact of RFC Technology on Fast Recovery Diode Rating towards 600 V for Low Loss and High Dynamic Ruggedness 査読
Fumihito Masuoka, Katsumi Nakamura, Akito Nishii, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 373 - 376 2012年
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LPT(II)-CSTBTTM(III) for High Voltage Application with Ultra Robust Turn-off Capability Utilizing Novel Edge Termination Design 査読
Ze Chen, Katsumi Nakamura and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2012 25 - 28 2012年
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Next Generation 600V CSTBTTM with an Advanced Fine Pattern and a Thin Wafer Process Technologies 査読
Shigeto Honda, Yuki Haraguchi, Atsushi Narazaki, Tomohide Terashima, and Yoshiaki Terasaki
Proc. of ISPSD 2012 149 - 152 2012年
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MOSFETのUIS時におけるBVDSS発振現象の動作解析
曽根田真也，楢崎敦司，城戸成範，深田祐介， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012年
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High VoltageアプリケーションへのLPT(II)-CSTBT(III)技術のチャレンジ~ 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化 ~
陳 則，中村勝光，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012年
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RFC diodeのキャリアプラズマ形成動作メカニズムと600～1700 Vクラスでの有効性実証
増岡史仁，中村勝光，西井昭人， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2012年 2012年
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CSTBTTM(III) having wide SOA under high temperature condition 査読
Yusuke Fukada, Kenji Suzuki, Tetsuo Takahashi, Tatsuo Harada, Hidenori Fujii, Shinichi Ishizawa, Junichi Yamashita, John F Donlon, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2011 132 - 135 2011年
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Relaxation of Current Filament due to RFC Technology and Ballast Resistor for Robust FWD Operation 査読
Akito Nishii, Katsumi Nakamura, Fumihito Masuoka, and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2011 96 - 99 2011年
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RFC diodeの高リカバリー耐量化 逆回復動作におけるcurrent filament現象とその抑制
西井昭人，中村勝光，増岡史仁，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2011年 2011年
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高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(Ⅲ)の開発
深田祐介，鈴木健司，高橋徹雄，原田辰雄，山下潤一， 藤井秀紀，石澤慎一，John F Donlon，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2011年 2011年
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A new 1200V HVIC with a novel high voltage Pch-MOS 査読
M. Yoshino, K. Shimizu, T. Terashima
Proc. of ISPSD 2010 93 - 96 2010年
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多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧P-Channel MOS
吉野学，清水和宏， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010年
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パワー半導体デバイスの最新技術動向 招待
寺島知秀，白石正樹，岩室 憲幸
電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 130 ( 6 ) 912 - 916 2010年
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Relaxed Field of Cathode (RFC) Diiode：高破壊耐量を有する次世代HV Diode
増岡史仁，中村勝光，西井昭人，貞松康史，寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010年
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高耐圧領域でのワイドセルピッチLPT(Ⅱ)CSTBTTM(Ⅲ)技術の有効性
中村勝光，陳則，貞松康史，大宅大介， 寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2010年 2010年
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A Novel Driving Technology for a Passive Gate on a Lateral-IGBT 査読
Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2009 45 - 48 2009年
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新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化
寺島知秀
電子材料･電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2009年 2009年
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The 2nd Generation divided RESURF structure for High Voltage ICs 査読
Kazuhiro Shimizu and Tomohide Terashima
Proc. of ISPSD 2008 311 - 314 2008年
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第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
清水和宏、寺島知秀
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2008年 2008年
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Trench-Isolated High-Voltage IC with Reduced Parasitic Bipolar Transistor Action 査読
T. Takahashi, T. Terashima, and J. Moritani
Proc. of ISPSD 2007 69 - 72 2007年
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Configuration of JI-LIGBT for Over 100 kHz Switching 査読
Tomohide Terashima and Junichi Moritani
Proc. of ISPSD 2007 225 - 228 2007年
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高耐圧ICの発展と将来展望 招待
寺島知秀
電子情報通信学会 技術研究報告 信学技報 2007年 2007年
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100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
寺島知秀、平田大介
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2007年 2007年
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高抵抗（P--）基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
魚田紫織、寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2006年 2006年
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High Speed Lateral-IGBT with A Passive Gate 査読
Tomohide Terashima and Junichi Moritani
Proc. of ISPSD 2005 91 - 94 2005年
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受動ゲートによる横型IGBTの高速化
寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2005年 2005年
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SODI 技術による誘電体分離HVIC の高耐圧化
秋山 肇、保田直紀、寺島知秀、守谷純一
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2004年 2004年
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Simulator-Independent Capacitance Macro Model for Power DMOS Transistors 査読 国際共著
S. Pawel, H. Kusano, Y. Nakamura, W. Teich, T. Terashima, and M. Netzel
Proc. of ISPSD 2003 287 - 290 2003年
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120V BiC-DMOS Process for the Latest Automotive and Display Applications 査読
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kennchi Hatasako, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD2002 93 - 96 2002年
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120V BiC-DMOSプロセス開発 -42Vバッテリーシステム,FPDシステムの高機能化-
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2002年 2002年
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60V Field NMOS and PMOS transistors for the multi-voltage system integration 査読
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, Kenichi Hatasako, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD2001 259 - 262 2001年
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BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2001年 2001年
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Multi-voltage device integration technique for 0.5 μm BiCMOS & DMOS process
Tomohide Terashima, Fumitoshi Yamamoto, and Kenichi Hatasako
Proc. of ISPSD 2000 331 - 334 2000年
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0.5µm BiCMOS&DMOSプロセスにおける5V-90V系素子形成技術
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会2000年 2000年
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0.5µm BiCMOS&DMOS開発
寺島知秀、山本文寿、畑迫健一、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1999年 1999年
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A New Phenomenon of P-channel Dual Action Device 査読
Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Shinji Nobuto, Masanori Fukunaga, and Masao Yamawaki
Proc. of ISPSD 1998 363 - 366 1998年
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An 0.8-µm High-Voltage IC Using a Newly Designed 600-V Lateral P-Channel Dual-Action Device on SOI 査読
Kiyoto Watabe, Hajime Akiyama, Tomohide Terashima, Masakazu Okada, Shinji Nobuto, Masao Yamawaki, and Sotoju Asai
Journal of Solid-State Circuits 33 ( 9 ) 1423 - 1427 1998年
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A New Level-Shifting Technique by divided RESURF Structure 査読
Tomohide Terashima, Kazuhiro Shimizu, and Shiro Hine
Proc. of ISPSD’97 57 - 60 1997年
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An improvement on p-channel SOI LIGBT by adopting slit type p-drift structure 査読
H. Akiyama, K. Watabe, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao
Proc. of ISPSD’97 353 - 356 1997年
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A Novel p-channel Dual Action Device for HVIC 査読
K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, M. Okada, S. Nobuto, M. Yamawaki, and S. Asai
Proc. of BCTM’97 147 - 150 1997年
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A 0.8µm High Voltage IC using Newly Designed 600V Lateral IGBT on Thick Buried-Oxide SOI 査読
K. Watabe, H. Akiyama, T. Terashima, S. Nobuto, M. Yamawaki, and T. Hirao
Proc. of ISPSD’96 151 - 154 1996年
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分割RESURFによる新しいレベルシフト技術
清水和宏、寺島知秀、日根史郎
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会 1996年 1996年
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Over 1000V n-ch LDMOSFET and p-ch LIGBT with JI RESURF Structure and Multiple Floating Field Plate 査読
Tomohide. Terashima, Junichi Yamashita, and Tomihisa Yamada
Proc. of ISPSD’95 455 - 459 1995年
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1000VクラスのRESURF nch DMOS/pch IGBTの構造とその電気特性
寺島知秀、山下潤一、山田富久、浅野徳久
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1995年 1995年
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Structure of 600V IC and a New Voltage Sensing Device 査読
T. Terashima, M. Yoshizawa, M. Fukunaga, and G. Majumdar
Proc. of ISPSD’93 224 - 229 1993年
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600V HVICの構造開発
寺島知秀、吉澤正夫
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1992年 1992年
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SOI分離構造の高耐圧化
秋山馨、寺島知秀、近藤久雄、塚本克博
電子デバイス･半導体電力変換合同研究会1992年 1992年
書籍等出版物
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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術
（ 担当： 分担執筆 範囲: モビリティの電動化におけるSiCパワーデバイスによる性能向上への期待）
㈱シーエムシー出版 2020年1月
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Energy Device Vol.1, No.2 2013
（ 範囲: SiCデバイスの実用化に向けた状況）
㈱技術情報協会 2013年12月
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電気学会125年史1888-2013
（ 担当： 分担執筆 範囲: 「パワー半導体デバイス」）
一般社団法人 電気学会 2013年10月
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電気学会技術報告第1082号「大変革を遂げているパワーデバイス開発」
寺島知秀 他（ 担当： 分担執筆 範囲: 第6章 横型パワーデバイス）
(社)電気学会 2007年10月
講演・口頭発表等
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（特別編B） 2024年5月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワーデバイスの基本動作、及びSiC/GaNパワーデバイスの大きな可能性 招待
寺島知秀
SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向と課題･部材開発と将来展望 2024年2月 ㈱Andtech
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電化・電動化社会を推進するパワーデバイスの進化と製品動向 招待
寺島知秀
「おかやま半導体コンソーシアム」第2回勉強会 2024年2月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイス、モジュール紹介
寺島知秀
おかやま半導体コンソーシアム 先進企業視察 2024年2月 公益財団法人 岡山県産業振興財団主催
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残された強み、パワー半導体戦略 招待
寺島知秀
「電子デバイス戦略マップ2023-2024」説明会 ～未来社会の実現につなげる技術～ 2024年1月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワー半導体 招待
寺島知秀
SEMI Tutorial「半導体プロセス技術」 2023年12月 SEMIジャパン
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パワーデバイスの基本的動作・構造・プロセス、及び次世代パワーデバイスの本格的市場拡大 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2023年11月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会
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パワーデバイスの基本動作、及びGaNパワーデバイスの大きな可能性 招待
寺島知秀
DX ,カーボンニュートラルに向けてのGaNデバイスの市場動向と技術展望 2023年9月 グローバルネット株式会社
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2023年5月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2022年12月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2022年11月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2022年6月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2022年5月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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エッジシステムを駆動し、その進化を支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
EPFCシンポジウム2022冬「カーボンニュートラルを目指す中でのエッジシステムへの期待」 2022年2月 一般社団法人エッジプラットフォームコンソーシアム
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中核技術とSDGs実現を支えるパワーエレクトロニクス
寺島知秀
「電子デバイス戦略マップ②2021-2022」説明会 ～未来社会を実現する中核技術を探る～ 2022年1月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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パワー半導体を生かし切るパワーモジュール －高性能・コンパクト・高放熱・高絶縁の同時実現－ 招待
寺島知秀
ISSM 戦略フォーラム2021「すり合わせ×モジュール化戦略－半導体材料・装置優位の加速－」 2021年12月
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パワーデバイスの基本的動作、及び構造・プロセス・性能限界について 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（専門講座） 2021年12月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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加速する電動化と、連動して進化し続けるパワー半導体への期待 招待
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2021年11月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2021年11月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2021年5月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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モビリティ・インフラを支えるパワーデバイス 招待
寺島知秀
NEDIA 電子デバイス研修講座（中級編） 2020年12月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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電動化社会の到来 -パワー半導体が主役になる- 招待
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2020年11月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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来たるべき電動化社会におけるSiCパワーデバイスへの大きな期待
寺島知秀
NEDIA Day 九州ふくおか 2020年6月 一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
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SiC MOSFET – Leading device for future electrification – 招待 国際会議
Tomohide Terashima
3rd CIES Power Electronics Forum 2020年1月
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来るべき電動化社会に向けたSiCパワーデバイスへの期待 招待
寺島 知秀
特別シンポジウム「エネルギーエレクトロニクスセミナー 2019」 2019年11月 崇城大学
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次世代パワーデバイス開発の現場から 招待
寺島 知秀
電気学会北陸支部 学術講演会 2019年9月 福井工業専門学校
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パワー半導体製造技術
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2019年6月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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True performance of SiC MOSFETs and the necessary conditions to achieve it
T. Terashima
WiPDA-Asia 2019 2019年5月 IEEE
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クルマの電動化で求められるパワーデバイス性能とSiC デバイスによる性能向上への期待 招待
寺島知秀
第66回 応用物理学会春季学術講演会/第33回 エレクトロニクス実装学会講演大会 特別シンポジウム 2019年3月 応用物理学会, エレクトロニクス実装学会
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パワーデバイスの発展と今後の課題 招待
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2018年7月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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急拡大する情報処理技術と電動化を支える次世代パワーデバイス 招待
第5回グリーンイノベーションシンポジウム 2018年2月 芝浦工業大学
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パワー半導体の概要と求められるニーズ 招待
寺島知秀
パワー半導体に関わる異業種研究会 2017年12月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイスの発展と今後の課題 招待
寺島知秀
「おかやま電池関連技術研究会」第2回技術セミナー 2015年10月 公益財団法人 岡山県産業振興財団
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パワーデバイス・モジュール技術開発状況
寺島知秀
内閣府SIPパワエレ 第5回ワークショップ 「パワエレ応用 その２」 2015年7月 内閣府
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IGBTの性能向上と現在の状況
寺島知秀
シリコン材料･デバイス研究会（SDM） 2014年10月 電子情報通信学会
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SiCデバイスの実用化に向けた開発状況とパッケージ・製品応用技術
寺島知秀
「パワーデバイス」セミナー 2014年9月 株式会社技術情報協会
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パワーデバイス、HVIC開発における、シミュレーション技術の役割
寺島知秀
TCAD Executive Seminar in 札幌
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パワーデバイス（IGBT）およびその制御技術について
寺島知秀
パワー半導体デバイス・集積回路セミナー 2011年12月 慶應義塾大学理工学部
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パワーデバイスの設計技術
寺島知秀
第１１回半導体量産地域イノベーションのための熊本大学シンポジウム 公開セミナー『パワーデバイスセミナー』 2010年9月 熊本大学
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パワーICの最新技術動向
青木正明、松本 聡、礒部弘之、金子佐一郎、久保田 裕、寺島知秀、山内経則
平成２２年電気学会全国大会 シンポジウム 2010年3月 (一社)電気学会
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第二部 CO2削減と快適性を追求するパワー半導体 招待
寺島知秀、森睦宏、白石正樹、岩室 憲幸
公開シンポジウム「暮らしを変える! 電子･情報･システム技術」 2008年12月 (一社)電気学会
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ゲートドライブ用HVICの技術動向 招待
寺島知秀
PEAF (Power Electronics Application Forum) 2007 2007年11月 マイウェイテクノサービス株式会社
所属学協会
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一般社団法人 NPERC-J
2019年6月 - 現在
-
一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
2014年8月 - 現在
-
一般社団法人 電気学会
2008年4月 - 現在
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Institute of Electrical and Electronics Engineers（IEEE）
2005年1月 - 現在
委員歴
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(一社) 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス（SDM）研究専門委員会 委員 国内
2022年10月 - 現在
団体区分：学協会
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(一社)電気学会 電子・情報・システム部門研究調査運営委員会 1号委員 国内
2022年4月 - 現在
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公益財団法人 岡山県産業振興財団 企業アドバイザー 国内
2017年12月 - 2024年3月
団体区分：その他
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公益社団法人 中国地方総合研究センター 企業アドバイザー 国内
2014年10月 - 2017年4月
団体区分：その他
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IEEE EDS Power Devices and ICs Committee member 国際
2014年4月 - 2017年12月
団体区分：学協会
他大学・他機関等の客員・兼任・非常勤講師等
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2019年 東京工業大学 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：2019年6月18日～8月6日
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2018年 東京工業大学 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：2018年6月12日～7月31日
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2017年 東京工業大学 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：2017年6月13日～8月1日
-
2015年 東京工業大学 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：2015年11月6日
-
2014年 東京工業大学 区分:非常勤講師 国内外の区分:国内
学期、曜日時限または期間：2014年11月7日