Interface trap and border trap characterization for Al2O3/GeOx/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET 査読 国際誌

Wei-Chen Wen, Yuta Nagatomi, Hiroshi Akamine, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

AIP Advances   10   065119-1 - 065119-7   2020年6月

Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate 査読 国際誌

T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( B )   SBBE05-1 - SBBE05-6   2019年4月

Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy 査読 国際誌

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima

Journal of Applied Physics   124 ( 20 )   205303-1 - 205303-11   2018年11月

Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate 査読 国際誌

T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, D. Wang

543 - 544   2018年9月

Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 査読 国際誌

T. Maekura, K. Tanaka, C. Motoyama, R. Yoneda, K. Yamamoto, H. Nakashima, and DONG WANG

Semiconductor Science and Technology   32 ( 10 )   104001-1 - 104001-6   2017年10月

Effects of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes 査読 国際誌

Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4S )   04EH08-1 - 04EH08-6   2016年4月

Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium diodes with HfGe/Ge/TiN structure 査読 国際誌

DONG WANG, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

THIN SOLID FILMS   602   43 - 47   2016年3月

Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric fin type metal/germanium/metal structure 査読 国際誌

DONG WANG, Takayuki Maekura, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   106 ( 7 )   071102-1 - 071102-4   2015年2月

Low-temperature fabrication of Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer and low interface states density characterized by a reliable deep-level transient spectroscopy method 査読 国際誌

DONG WANG, Yuta Nagatomi, Shuta Kojima, Yamamoto Keisuke, Hiroshi Nakashima

Thin Solid Films   557   288 - 291   2014年4月

An accurate characterization of interface-state by deep-level transient spectroscopy for Ge metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2/GeO2 bilayer passivation 査読 国際誌

DONG WANG, Shuta Kojima, Keita Sakamoto, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics   112 ( 8 )   083707-1 - 083707-5   2012年10月

Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator 査読 国際誌

DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hongye Gao, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

Journal of The Electrochemical Society   158 ( 12 )   H1221 - H1224   2011年12月

Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator 査読 国際誌

DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hongye Gao, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

The Electrochemical Society Transactions   34 ( 1 )   1117 - 1122   2011年1月

Defect characterization and control for SiGe-on-insulator (Invited) 招待 査読 国際誌

DONG WANG, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

1525 - 1528   2010年11月

325 nm-laser-excited micro-photoluminescence for strained Si films 査読 国際誌

DONG WANG, Haigui Yang, Tokuhide Kitamura, Hiroshi Nakashima

THIN SOLID FILMS   518 ( 9 )   2470 - 2473   2010年2月

Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Si thick films with depth distribution of strain 査読 国際誌

DONG WANG, Haigui Yang, Tokuhide Kitamura, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics   107 ( 3 )   033511-1 - 033511-5   2010年2月

Optical and electrical evaluations of SiGe layers on insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation 査読 国際誌

DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Solid-State Electronics   53 ( 8 )   841 - 849   2009年8月

Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence 査読 国際誌

THIN SOLID FILMS   517 ( 1 )   31 - 33   2008年11月

Local strain evaluation for freestanding Si membranes by microphotoluminescence using UV laser excitation 査読 国際誌

DONG WANG, Haigui Yang, Jun Morioka, Tokuhide Kitamura, Hiroshi Nakashima

684 - 687   2008年10月

Microphotoluminescence evaluation of local strain for freestanding Si membranes with SiN deposition 査読 国際誌

DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Jun Morioka, Tokuhide Kitamura

APPLIED PHYSICS LETTERS   91 ( 24 )   241918-1 - 241918-3   2007年12月

Photoluminescence and TEM evaluations of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication: Temperature ramping process 査読 国際誌

DONG WANG, Seiichiro Ii, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima, Koji Matsumoto, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   253 ( 1-2 )   31 - 36   2006年12月

Photoluminescence Evaluation of Defects Generated during Temperature Ramp-up Process of SiGe-On-Inslator Virtual Substrate Fabrication 査読 国際誌

DONG WANG, Seiichiro Ii, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima, Hiroshi Nakashima

2193 - 2195   2006年10月

Photoluminescence evaluation of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication: Temperature ramping process 査読 国際誌

DONG WANG, Seiichiro Ii, Hiroshi Nakashima, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima, Koji Matsumoto, Masahiko Nakamae

APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 4 )   041916-1 - 041916-3   2006年7月

Structural and electrical evaluation for strained Si/SiGe on insulator 査読 国際誌

DONG WANG, Seiichiro Ii, Ken-ichi Ikeda, Hideharu Nakashima, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

THIN SOLID FILMS   508 ( 1-2 )   107 - 111   2006年6月

Photoluminescence characterization of strained Si-SiGe-on-insulator wafers 査読 国際誌

DONG WANG, Koji Matsumoto, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   45 ( 4B )   3012 - 3016   2006年4月

Electrical characterization of thin SOI wafers using lateral MOS transient capacitance measurements 査読 国際誌

DONG WANG, Asami Ueda, Hideki Takada, Hiroshi Nakashima

PHYSICA B-CONDENSED MATTER   376-377   411 - 415   2006年4月

Photoluminescence characterization of strained Si-SiGe-on-insulator wafers with different Ge fractions 査読 国際誌

DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Koji Matsumoto, Masahiko Nakamae

APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 25 )   251928-1 - 251928-3   2005年12月

Evaluation of interface states density and minority carrier generation lifetime for strained Si/SiGe wafers using transient capacitance method 査読 国際誌

DONG WANG, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   44 ( 4B )   2390 - 2394   2005年4月

Electrical characterization of strained Si/SiGe wafers using transient capacitance measurements 査読 国際誌

DONG WANG, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   86 ( 12 )   122111-1 - 122111-3   2005年3月

Evaluation of Interface States and Minority Carrier Generation Lifetime for Strained Si/SiGe Wafers Using Transient Capacitance Method 査読 国際誌

DONG WANG, Masaharu Ninomiya, Masahiko Nakamae, Hiroshi Nakashima

2148 - 2150   2004年10月

Control of two-photon absorption by using electromagnetic field in sodium and rubidium vapors 査読 国際誌

DONG WANG, Jin-Yue Gao, Ji-Hua Xu, Giuseppe C. La Rocca, F. Bassani

Proceedings of the Society of Photographic Instrumentation Engineers   4458   278 - 283   2001年11月

Electromagnetically induced two-photon transparency in rubidium atoms 査読 国際誌

DONG WANG, Jin-Yue Gao, Ji-Hua Xu, Giuseppe C. La Rocca, F. Bassani

EUROPHYSICS LETTERS   54 ( 4 )   456 - 460   2001年5月

Electromagnetically induced two-photon transparency in a four level system of rubidium atom 査読 国際誌

DONG WANG, Jin-Yue Gao, Ji-Hua Xu, Giuseppe C. La Rocca, F. Bassani

Proceedings of the Society of Photographic Instrumentation Engineers   4397   140 - 145   2001年4月

Low Temperature (210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor and Controllability of Its Flatband Voltage 査読 国際誌

178 ( 1 )   108427-1 - 108427-6   2024年4月

Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization 査読 国際誌

L. Huang, K. Moto, K. Igura, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 ( 2 )   02SP42-1 - 02SP42-5   2024年2月

Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization 査読 国際誌

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)   249 - 250   2023年9月

Fabrication and Characterization of Germanium n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator: Formation of underlying Germanium Oxide and Its Electrical Characteristics 査読 国際誌

W.-C. Wen, D. Wang, H. Nakashima, K. Yamamoto

Materials Science in Semiconductor Processing   162   107504-1 - 107504-6   2023年8月

High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature - the importance of Coulomb scattering suppression 査読 国際誌

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, H. Uratani, Y. Sakaida, K. Kawamura

Applied Physics Express   15 ( 7 )   071008-1 - 071008-6   2022年6月

Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer 査読 国際誌

K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima

Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)   75 - 76   2021年9月

Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer 招待 査読 国際誌

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

ECS transactions   102 ( 4 )   63 - 71   2021年5月

Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities 査読 国際誌

H. Kanakogi, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)   33 - 34   2020年9月

High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al2O3 interlayer and its internal charge analysis 査読 国際誌

R. Oka, K. Yamamoto, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( SG )   SGGD17-1 - SGGD17-10   2020年2月

Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-CutTM and Defect Elimination 査読 国際誌

K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

ECS transactions   93 ( 1 )   73 - 77   2019年10月

Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待 査読 国際誌

H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang

ECS transactions   92 ( 4 )   3 - 10   2019年10月

Low temperature (<300oC) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices 査読 国際誌

K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2019年9月

Low temperature (<300oC) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices 査読 国際誌

K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

315 - 316   2019年9月

Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO2/Al2O3 gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC 査読 国際誌

R. Oka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

2019年9月

Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation 査読 国際誌

K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakasima, Z. Xue, M. Zhang, and Z. Di

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( B )   SBBA14-1 - SBBA14-7   2019年4月

Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition 査読 国際誌

K. Yamamoto, R. Noguchi, M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, and H. Nakashima

Semiconductor Science and Technology   33 ( 11 )   114011-1 - 114011-7   2018年11月

Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator 査読 国際誌

K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

847 - 848   2018年9月

Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application 査読 国際誌

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

315 - 316   2018年9月

Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/ La2O3/Ge high-k gate-stacks 招待 査読 国際誌

T. Kanashima, R. Yamashiro, M. Zenitaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, J. Tadano, S. Yamada, H. Nohira, Hiroshi Nakashima, K. Hamaya

Materials Science in Semiconductor Processing   70   260 - 264   2017年11月

Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction 招待 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing   70   283 - 287   2017年11月

Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待 査読 国際誌

H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and DONG WANG

ECS Transactions   80 ( 4 )   97 - 106   2017年10月

Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs 査読 国際誌

T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   529 - 530   2017年9月

Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy 査読 国際誌

W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   505 - 506   2017年9月

Achievement of low parasitic resistance in Ge n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using an embedded TiN-source/drain structure 招待 査読 国際誌

Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 ( 3 )   035001-1 - 035001-8   2017年3月

Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 査読 国際誌

Hayato Okamoto, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)   642 - 643   2016年9月

Electrical properties of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistor fabricated on glass substrates 査読 国際誌

K. Kasahara, Yuta Nagatomi, Keisuke Yamamoto, H. Higashi, M. Nakano, S. Yamada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, K. Hamaya

APPLIED PHYSICS LETTERS   107 ( 14 )   142102-1 - 142102-5   2015年10月

Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices 招待 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

The Electrochemical Society Transactions   69 ( 10 )   55 - 66   2015年10月

PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance 査読 国際誌

Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   28 - 29   2015年9月

Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, M. Nishida, Toru Hara, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics   118 ( 11 )   115701-1 - 115701-12   2015年9月

Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes 査読 国際誌

Takayuki Maekura, DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   606 - 607   2015年9月

Fabrication of PtGe/Ge contacts with high on/off ratio and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs 査読 国際誌

Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 7 )   070306-1 - 070306-4   2015年7月

Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack 査読 国際誌

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The Electrochemical Society Transactions   64 ( 6 )   261 - 266   2014年10月

Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD 査読 国際誌

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)   10 - 11   2014年9月

Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Masatoshi Mitsuhara, Keisuke Hiidome, Ryutaro Noguchi, Minoru Nishida, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 13 )   132109-1 - 132109-5   2014年4月

Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge Contacts 招待 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, Yamamoto Keisuke, DONG WANG

The Electrochemical Society Transactions   58 ( 9 )   167 - 178   2013年10月

Fabrication of Metal-Nitride/Si Contacts with Low Electron Barrier Height 査読 国際誌

Yamamoto Keisuke, Kojiro Asakawa, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The Electrochemical Society Transactions   58 ( 9 )   53 - 59   2013年10月

Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO2/GeO2 gate stack

Keisuke Yamamoto, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 12 )   122106-1 - 122106-4   2013年9月

Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs 招待 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Haigui Yang, DONG WANG

The Electrochemical Society Transactions   50 ( 9 )   205 - 216   2013年3月

High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain 査読 国際誌

Takahiro Sada, Keisuke Yamamoto, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials   737 - 738   2012年9月

Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers 査読 国際誌

Syuta Kojima, Keita Sakamoto, Yoshiaki Iwamura, Kana Hirayama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials   12 - 13   2012年9月

Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back- Gate MOSFET 査読 国際誌

Kojiro Asakawa, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials   64 - 65   2012年9月

Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Kenji Harada, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 7 )   070208-1 - 070208-3   2012年7月

Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Takeshi Yamanaka, Kenji Harada, Takahiro Sada, Keita Sakamoto, Syuta Kojima, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS EXPRESS   5 ( 5 )   051301-1 - 051301-3   2012年5月

Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and hole mobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Thin Solid Films   520 ( 8 )   3283 - 3287   2012年2月

Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Takeshi Yamanaka, Ryuji Ueno, Kana Hirayama, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Thin Solid Films   520 ( 8 )   3382 - 3386   2012年2月

Significant Improvement of SiO2/4H-SiC Interface Properties by Electron Cyclotron Resonance Nitrogen Plasma Irradiation 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Journal of The Electrochemical Society   159 ( 1 )   H1 - H4   2012年1月

Fabrication of Ge-MOS capacitors with high quality interface by ultra-thin SiO2/GeO2 bi-layer passivation combined with the subsequent SiO2-depositions using magnetron sputtering 査読 国際誌

Kana Hirayama, Keisuke Yoshino, Ryuji Ueno, Yoshiaki Iwamura, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

SOLID-STATE ELECTRONICS   60 ( 1 )   122 - 127   2011年6月

Effective passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al2O3 deposition and subsequent post-annealing 査読 国際誌

Haigui Yang, Masatoshi Iyota, Shogo Ikeura, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Solid State Electronics   60 ( 1 )   128 - 133   2011年6月

Postmetallization annealing effect of TiN-gate Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin SiO2/GeO2 bilayer passivation 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, Yoshiaki Iwamura, Keita Sakamoto, DONG WANG, Kana Hirayama, Keisuke Yamamoto, Haigui Yang

APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 25 )   252102-1 - 252102-3   2011年6月

Ohmic contact formation on n-type Ge by direct deposition of TiN 査読 国際誌

Masatoshi Iyota, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 19 )   192108-1 - 192108-3   2011年5月

High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer Passivation 査読 国際誌

Keisuke Yamamoto, Ryuji Ueno, Takeshi Yamanaka, Kana Hirayama, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 5 )   051301-1 - 051301-3   2011年5月

Fabrication of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with High-Quality Interface by Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer Passivation and Postmetallization Annealing Effect of Al 査読 国際誌

Kana Hirayama, Ryuji Ueno, Yoshiaki Iwamura, Keisuke Yoshino, DONG WANG, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 4 )   04DA10-1 - 04DA10-5   2011年4月

Effect of Al2O3 Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator 査読 国際誌

Haigui Yang, Masatoshi Iyota, Shogo Ikeura, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Key Engineering Materials   470   79 - 84   2011年2月

Measurement of strain and strain relaxation in free-standing Si membranes by convergent beam electron diffraction and finite element method 査読 国際誌

Hongye Gao, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Acta Materialia   59 ( 7 )   2882 - 2890   2011年2月

Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si0.5Ge0.5-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

905 - 907   2010年11月

Strain distribution in freestanding Si/SixNy membranes studied by transmission electron microscopy 査読 国際誌

Hongye Gao, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

THIN SOLID FILMS   518 ( 23 )   6787 - 6791   2010年9月

Microstructure and strain distribution in freestanding Si membrane strained by SixNy deposition 査読 国際誌

Hongye Gao, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Materials Science and Engineering A   527 ( 24-25 )   6633 - 6637   2010年9月

Measurement of Strain in Freestanding Si/SixNy Membrane by Convergent Beam Electron Diffraction and Finite Element Method 査読 国際誌

Hongye Gao, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 9 )   090208-1 - 090208-3   2010年9月

Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al2O3 Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing 査読 国際誌

Haigui Yang, Masatoshi Iyota, Shogo Ikeura, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 ( 7 )   071302-1 - 071302-3   2010年7月

Electrical characterization of high-k gate dielectrics on Ge with HfGeN and GeO2 interlayers 査読 国際誌

Kana Hirayama, Wataru Kira, Keisuke Yoshino, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

THIN SOLID FILMS   518 ( 9 )   2505 - 2508   2010年2月

Defect control by Al deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Kana Hirayama, Satoshi Kojima, Shogo Ikeura

THIN SOLID FILMS   518 ( 9 )   2342 - 2345   2010年2月

Optical and Electrical Characterizations of Defects in SiGe-on-insulator 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, DONG WANG, Haigui Yang

The Electrochemical Society Transactions   25 ( 7 )   99 - 114   2009年10月

Evidence for existence of deep acceptor levels in SiGe-on-insulator substrate fabricated using Ge condensation technique 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   95 ( 12 )   122103-1 - 122103-3   2009年9月

Electrical and structural evaluations of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and the subsequent annealing for a Hf/SiO(2)/Si structure 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, DONG WANG, Youhei Sugimoto, Yuusaku Suehiro, Keisuke Yamamoto, Masanari Kajiwara, Kana Hirayama

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   23 ( 12 )   125020-1 - 125020-6   2008年12月

Dependences of effective work functions of TaN on HfO2 and SiO2 on post-metallization anneal 査読 国際誌

Youhei Sugimoto, Masanori Kajiwara, Keisuke Yamamoto, Yuusaku Suehiro, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Thin Solid Films   517 ( 1 )   204 - 206   2008年11月

Fabrication of high-k gate dielectrics using plasma oxidation and subsequent annealing of Hf/SiO(2)/Si structure 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, Youhei Sugimoto, Yuusaku Suehiro, Keisuke Yamamoto, Masanari Kajiwara, Kana Hirayama, DONG WANG

780 - 783   2008年10月

Influence of top surface passivation on bottom-channel hole mobility of ultrathin SiGe- and Ge-on-insulator 査読 国際誌

Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima, Hongye Gao, Kana Hirayama, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 7 )   072104-1 - 072104-3   2008年8月

Mechanism of mobility enhancement in Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor due to introduction of Al atoms into SiO2/GeO2 gate stack 招待 査読 国際誌

Yuta Nagatomi, Tomoki Tateyama, Sintaro Tanaka, Wei-Chen Wen, Taisei Sakaguchi, Keisuke Yamamoto, Liwei Zhao, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing   70   246 - 253   2007年11月

Effective work function modulation of TaN metal gate on HfO2 after postmetallization annealing 査読 国際誌

Youhei Sugimoto, Nasanari Kajiwara, Keisuke Yamamoto, Yuusaku Suehiro, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS LETTERS   91 ( 11 )   112105-1 - 112105-3   2007年9月

Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO2/Si structure 査読 国際誌

Youhei Sugimoto, Hideto Adachi, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hideharu Nakashima, Hiroshi Nakashima

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   9 ( 6 )   1031 - 1036   2006年12月

Fe gettering by p+ layer in bifacial Si solar cell fabrication 査読 国際誌

Takeshi Terakawa, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Physica B   376-377   231 - 235   2006年4月

Role of Heavily B-doped Layer on Low-Temperature Fe Gettering in Bifacial Si Solar Cell Fabrication 査読 国際誌

Takeshi Teraoka, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   45 ( 4A )   2643 - 2647   2006年4月

高速LSI用ひずみSiウエハー技術 査読

中前正彦, 王 冬, 浅野 種正, 宮尾 正信

応用物理   74   1217 - 1222   2005年9月

Fe Gettering for High-Efficiency Solar Cell Fabrication 査読 国際誌

Takeshi Terakawa, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   44 ( 6A )   4060 - 4061   2005年6月

Structural and electrical properties of Zr oxide film for high-k gate dielectrics by using electron cyclotron resonance plasma sputtering 査読 国際誌

Junli Wang, Liwei Zhao, Nam Hoai Luu, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

APPLIED PHYSICS A   80 ( 8 )   1781 - 1787   2005年5月

Method for detecting defects in silicon-on-insulator using capacitance transient spectroscopy 査読 国際誌

Hiroshi Nakashima, DONG WANG, Takashi Noguchi, Kousuke Itani, Junli Wang, Liwei Zhao

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   43 ( 5A )   2402 - 2408   2004年5月

Low-temperature growth of thin silicon nitride film by electron cyclotron resonance plasma irradiation 査読 国際誌

Liwei Zhao, Nam Hoai Luu, DONG WANG, Youhei Sugimoto, Ken-ichi Ikeda, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   43 ( 1A-B )   L47 - L49   2004年1月

Growth kinetics and electrical properties of ultrathin Si oxide film fabricated using Krypton-diluted oxygen plasma excited by electron cyclotron resonance 査読 国際誌

Junli Wang, Liwei Zhao, Nam Hoai Luu, Kazuya Makiyama, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   42 ( 10 )   6496 - 6501   2003年10月

Effect of Ion Mass and Ion Energy on Low-Temperature Deposition of Polycrystalline-Si Thin Film on SiO2 Layer by Using Sputtering-Type Electron Cyclotron Resonance Plasma 査読 国際誌

Junli Wang, Taishi Saitou, Youhei Sugimoto, DONG WANG, Liwei Zhao, Hiroshi Nakashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   42 ( 5B )   L511 - L513   2003年3月

Electromagnetically induced one-photon and two-photon transparency in rubidium atoms 査読 国際誌

Ji-Hua Xu, Giuseppe C. La Rocca, F. Bassani, DONG WANG, Jin-Yue Gao

OPTICS COMMUNICATIONS   216 ( 1-3 )   157 - 164   2003年2月

Electromagnetically induced inhibition of two-photon absorption in sodium vapor 査読 国際誌

Jin-Yue Gao, Su-Hui Yang, DONG WANG, Xiu-Zhen Guo, Kai-Xin Chen, Yun Jiang, Bin Zhao

PHYSICAL REVIEW A   61 ( 2 )   023401-1 - 023401-3   2000年2月

N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月 

光・電子デバイス応用に向けたノンドープ GeSnのMOS特性調査

王 一、本田 彬、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬

2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

ノンドープGeSnエピタキシャル膜のホール効果測定による電気伝導特性評価

本田 彬、王 一、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬

2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査

清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes 国際会議

N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto,S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022)  2022年8月 

電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn接合の低温形成

清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、中塚 理、王 冬

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

Credit Transfer and Degree Cooperation in Transnational Talent Training at Asian Universities -- EEST Program 国際会議

Wang Dong

Future-oriented Transnational Higher Education in Asia  2021年12月 

Ge-on-Insulator 基板のフォトルミネッセンス強度に及ぼす膜厚の影響

永松 寛大、山本 圭介、王 冬

第12回半導体材料・デバイスフォーラム  2021年12月 

Ge-on-Insulator基板のPL発光強度の膜厚依存性の調査

永松 寛大、山本 圭介、王 冬

2021年度応用物理学会九州支部学術講演会  2021年12月 

IMPACT OF FILM THICKNESS ON PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY OF SMART-CUT GERMANIUM-ON-INSULATOR SUBSTRATES 国際会議

Kanta Nagamatsu, Keisuke Yamamoto and Dong Wang

23nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology  2021年12月 

Ge-based semiconductor devices for future ULSI --- Development of fundamental fabrication technologies 招待 国際会議

Dong WANG

Westlake Engineering Colloquium  2021年5月 

DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析 招待

中島 寛、Wei-Chen Wen、山本 圭介、王 冬

第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会  2021年1月 

INVESTIGATION OF DIRECT BAND GAP LIGHT EMISSION IN MESA ETCHED Pt/Ge/TiN STRUCTURE 国際会議

Keisuke Sugata,, Kanta Nagamatsu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima

22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST)  2020年12月 

Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOX layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待 国際会議

H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang

PRiME2020  2020年10月 

Enhancement of direct band gap electroluminescence in asymmetric metal/Ge/metal diodes 招待 国際会議

D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima

TACT 2019 International Thin Film Conference  2019年11月 

Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 招待 国際会議

H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang

236th ECS meeting  2019年10月 

GOI基板を用いた非対称ー金属／Ge／金属構造光素子の作製・特性評価

後藤 太希、前蔵 貴行、仲江 航平、山本 圭介、中島 寛、王 冬、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate 国際会議

T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, D. Wang

2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)  2018年9月 

Direct band gap electroluminescence and photo detection in asymmetric metal/Ge/metal diodes 招待 国際会議

D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima

Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018  2018年6月 

Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks 国際会議

W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures  2017年5月 

Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and DONG WANG

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures  2017年5月 

Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価

前蔵貴行, 本山千里, 田中健太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

Towards an energy-saving society – the shrinking transistors 招待 国際会議

2017年2月 

Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG

10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar  2017年2月 

Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk Ge diodes 国際会議

DONG WANG

The 2nd Joint Symposium of Kyushu University and Yonsei University  2016年2月 

Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes 招待 国際会議

DONG WANG, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference  2015年10月 

Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure 国際会議

DONG WANG, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)  2015年5月 

Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure 国際会議

DONG WANG, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting  2014年6月 

An accurate characterization of metal-insulator-semiconductor interface-state by deep-level transient spectroscopy and its application on Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer 国際会議

DONG WANG, Yuta Nagatomi, Shuta Kojima, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  2013年6月 

Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-on-insulator 国際会議

DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hongye Gao, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

China Semiconductor Technology International Conference 2011 (CSTIC2011)  2010年3月 

Fabrication of a Ge gate stack using plasma irradiation and low-temperature annealing for Ge applications 国際会議

H. Kuwazuru, D. Wang, and K. Yamamoto

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月 

Electrical and Structural Characterization of Thermally Oxidized Yttrium Oxide on Germanium 招待 国際会議

K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月 

Inversion Mode n-channel TFT Fabricated on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge at Low Temperature Improved by Metal Induced Dopant Activation 国際会議

L. Huang, K. Moto, K. Igura, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年12月 

リセスチャネル構造によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力改善

鍬釣 一、王 冬、山本 圭介

第14回半導体材料・デバイスフォーラム  2023年12月 

多結晶 p 型 Ge 上における CMOS プロセスの検討

森本 敦己、茂藤 健太、黄 林昱、居倉 功太、石山 隆光、都甲 薫、王 冬、山本 圭介

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2023年11月 

プレーナチャネル構造による 3C-SiC n-MOSFET の高性能化

西崎 理万、王 冬、山本 圭介、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、菱木 繁臣

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2023年11月 

Ge スピン MOSFET に向けたゲートスタックの低温形成とフラットバンド電圧制御

麻生 大聖、鍬釣 一、王 冬、山本 圭介

2023年(令和5年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2023年11月 

Low Temperature (~210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor using Plasma Oxidation and Oxi-Nitridation for the Interlayer Formation 国際会議

2023年10月 

Fabrication and Electrical Characterization of Ge-on-Insulator based on Ge-on-Nothing Technology 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, V. Depauw

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF2023)  2023年10月 

Thermally oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-MOS Capacitor and Field-Effect Transistor 招待 国際会議

K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, H. Nakashima

244th ECS meeting  2023年10月 

Fabrication of Inversion Mode n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge

Linyu huang, Kenta Moto, Takamitsu Ishiyama, Kaoru Toko, Dong Wang, Keisuke Yamamoto

2023年9月 

リセスチャネル化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)

鍬釣 一、王 冬、山本 圭介

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization 国際会議

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023)  2023年9月 

Study on the Performance of Metal S/D Ge n-MOSFET with Recessed Channel Structure 国際会議

H. Kuwazuru, S. Nasu, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月 

Ge-on-Insulator from Ge-on-Nothing and Layer Transfer 招待 国際会議

K. Yamamoto (Invited), D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月 

Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization 国際会議

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2023年1月 

Offline Tool Wear Detection Based On Deep Learning For Audio Signals 国際会議

Ching-hsiang Yang, Dong Wang, Wei-chen Lee, Huan-kai Chau

24th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology  2022年12月 

ESTABLISHMENT OF A LOW-TEMPERATURE FABRICATION PROCESS FOR SPINTRONICS APPLICATION OF Ge MOSFETs 国際会議

Shingo Nasu, Dong Wang, Keisuke Yamamoto

24th Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology  2022年12月 

N-type doping into polycrystalline Ge thin-film on glass

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K.Toko, D. Wang, K.Yamamoto

2022年11月 

メタルS/D型Ge n-MOSFETのリセスチャネル形状と性能に関する研究

鍬釣 一、那須 新悟、王 冬、山本 圭介

2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会  2022年11月 

金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御

高山 智成、茂藤 健太、都甲 薫、王 冬、山本 圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II)

那須 新悟、王 冬、山本 圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator 国際会議

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)  2022年9月 

Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology 招待 国際会議

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022)  2022年8月 

Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250 C) for spintronics application 国際会議

S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022)  2022年8月 

高移動度3C-SiC n-MOSFETの作製と高温動作実証

山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、川村 啓介

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

GeスピンMOSFET実現に向けた低温（～250℃）デバイスプロセスの構築

那須 新悟、松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬

2021年度応用物理学会九州支部学術講演会  2021年12月 

Achievement of High Channel Mobility of 3C-SiC n-MOSFET with the Gate Stack Formed at Low Temperature 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, H. Uratani, Y. Sakaida, K. Kawamura

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY  2021年11月 

リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上

松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築

松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer 国際会議

K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)  2021年9月 

Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer 招待 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

239th ECS meeting  2021年5月 

エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討

清水 昇、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

FORMATION OF Ge MIRROR PLANE WITH HIGH SPEED WET ETCHING FOR ETCHBACK Ge-ON-INSULATOR FABRICATION 国際会議

Noboru Shimizu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima

22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST)  2020年12月 

FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF GERMANIUM GATE STACK WITH THERMALLY OXIDIZED YTTRIUM AND SCANDIUM DIELECTRICS 国際会議

Hiroki Kanakogi, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang and Hiroshi Nakashima

22nd Cross Straits Symposium on Energy and Environmental Science and Technology (22nd CSS-EEST)  2020年12月 

Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication 国際会議

N. Shimizu, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

PRiME2020  2020年10月 

3C-SiC MOSFETの閾値電圧制御に向けたSiO2/Al2O3ゲートスタック中の固定電荷・界面ダイポールの解析

岡 龍誠、山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介

第11回半導体材料・デバイスフォーラム  2019年12月 

Study on Position of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy 国際会議

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2019年11月 

Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities 国際会議

H. Kanakogi, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2020 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2020)  2020年9月 

SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

岡 龍誠、山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成

井芹 健人、温 偉辰、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Evaluation of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2019年9月 

SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動

山本 圭介、岡 龍誠、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、川村 啓介

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO2/Al2O3 gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC 国際会議

R. Oka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

2019 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2019)  2019年9月 

Low temperature (<300oC) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices 国際会議

K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2019 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2019)  2019年9月 

Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy 国際会議

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference  2019年6月 

Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination 国際会議

K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference  2019年6月 

Border trap evaluation using deep-level transient spectroscopy for SiO2/GeO2/Ge gate stacks 国際会議

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima

12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2018年12月 

Fabrication of Ge MOS Capacitor by Metal Yttrium Oxidation 招待 国際会議

K. Yamamoto, K. Akiyama, K. Iseri, W.-C. Wen, D. Wang, H. Nakashima

12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2018年12月 

Border trap characterization using deep-level transient spectroscopy for GeO2/Gegate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

2018年11月 

電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

秋山 健太郎、井芹 健人、温 偉辰、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化

仲江 航平、薛 飛達、山本 圭介、王 冬、中島 寛、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application

2018年9月 

Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application 国際会議

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)  2018年9月 

Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator 国際会議

K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)  2018年9月 

遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御

山本 圭介、光原 昌寿、王 冬、中島 寛

2018年第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

Evaluation of border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG and H. Nakashima

2018年3月 

Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks 国際会議

H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto and DONG WANG

11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2018年2月 

Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 招待 国際会議

H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and DONG WANG

232nd ECS meeting  2017年10月 

Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs 国際会議

T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017)  2017年9月 

Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy 国際会議

W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017)  2017年9月 

非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ)

板屋 航、仲江 航平、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy

W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, DONG WANG, and H. Nakashima

2017年9月 

メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性

坂口 大成、秋山 健太郎、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成

岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構

永冨雄太, 織田知輝, 坂口大成, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge　Amorphous Interlayer 招待 国際会議

2017年2月 

Ge 光素子における基板キャリア密度と伝導型が及ぼす発光特性への影響

田中健太郎, 前蔵貴行, 本山千里, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

Achievement of low parasitic resistance in Ge n-MOSFET with embedded TiN source/drain structure 国際会議

T. Tateyama, Y. Nagatomi, S. Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2016年12月 

TOF-SIMS and XPS analyses for investigation of Al post-metallization annealing effect for Ge MOS capacitors with SiO2/GeO2 bilayer passivation 国際会議

W.-C. Wen, Y. Nagatomi, Liwei Zhao, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2016年12月 

Influence of Al-PMA for fin type asymmetric metal/germanium/metal diodes 国際会議

C. Motoyama, T. Maekura, K. Tanaka, DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

2016年12月 

反応性スパッタリングで形成したZrN 物性とGe とのコンタクト特性

板屋航, 岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

ゲートスタック中へのAl 導入によるp-MOSFET の移動度向上機構

坂口大成, 建山知輝, 永冨雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会  2016年12月 

Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 国際会議

Hiroshi Nakashima, H. Okamoto, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

2016年11月 

Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer 国際会議

H. Okamoto, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials  2016年9月 

非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成

岡本隼人, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会  2016年9月 

Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

永冨雄太, 建山知輝, 坂口大成, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会  2016年9月 

Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction 国際会議

Keisuke Yamamoto, H. Okamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016  2016年6月 

Mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks 国際会議

Y. Nagatomi, S. Tanaka, T. Tateyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016  2016年6月 

ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上

永冨 雄太, 田中 慎太郎, 建山 知輝, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減

建山 知輝, 永冨 雄太, 田中 慎太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価

山本 圭介, 岡本 隼人, 王 冬, 中島 寛

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes 国際会議

Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, DONG WANG

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar  2016年1月 

Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks 国際会議

Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Tomoki Tateyama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar  2016年1月 

Electrical properties of metal-nitride/Ge contacts and the application to Ge optoelectronic devices 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

The 2nd International Conference & Exhibition for Nanopia  2015年11月 

Electrical characterization of SiGe-on-insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference  2015年10月 

Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

228th ECS Meeting  2015年10月 

Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes 国際会議

Takayuki Maekura, DONG WANG, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)  2015年9月 

PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance 国際会議

Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)  2015年9月 

低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用

永冨 雄太, 田中 慎太郎, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会  2015年6月 

Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers 国際会議

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)  2015年5月 

Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida

The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)  2015年5月 

ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御

永冨 雄太, 長岡 裕一, 田中 慎太郎, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

非対称-金属/Ge/金属構造を有する光素子の試作と特性評価

前蔵 貴行, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack 国際会議

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar  2015年1月 

Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers 招待 国際会議

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar  2015年1月 

バルクGe発光素子のデバイス構造による発光効率の変化

前蔵 貴行, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2014年応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

原子層堆積法により形成したAl2O3/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性

田中 慎太郎, 長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2014年応用物理学会九州支部学術講演会  2014年12月 

Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida

2014年11月 

Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack 国際会議

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

226th ECS Meeting  2014年10月 

非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調

長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会  2014年9月 

n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成

山本 裕介, 村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 菱木 繁臣, 川村 啓介

2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会  2014年9月 

Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD 国際会議

Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)  2014年9月 

Al2O3/GeOx/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査

永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催)  2014年6月 

Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces 国際会議

Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting  2014年6月 

Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact 国際会議

Keisuke Yamamoto, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  2013年6月 

Low temperature fabrication of Ohmic contact for p-type 4H-SiC using Al/Ti/Sn 国際会議

Kota Hatayama, Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  2013年6月 

Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Its Application to Back-Gate MOSFET 国際会議

Keisuke Yamamoto, Kojiro Asakawa, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  2013年6月 

Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成

畑山紘太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年3月 

Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS

中島 寛, 王 冬, 山本 圭介

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年3月 

極薄GeOX界面層を有するY2O3/Ge ゲートスタックの低温形成

永冨雄太, 小島秀太, 亀沢翔, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年3月 

TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明

山本 圭介, 光原 昌寿, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年3月 

HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化

佐田隆宏, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会  2013年3月 

Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Yamamoto Keisuke, DONG WANG

6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar  2013年2月 

リセスチャネルTiN メタル・ソース/ドレイン型 Ge n-MOSFETの作製

亀沢翔, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

p形4H-SiCへのAl/Ti/Siオーミックコンタクトの低温形成

畑山紘太, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

ウェットエッチングによるSi n-MOSFETのデバイス特性の変化

村山亮介, 朝川幸二朗, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

極薄GeO2-ILを有するAl2O3/Geゲートスタックの形成

永冨雄太, 小島秀太, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年応用物理学会九州支部学術講演会  2012年12月 

Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, DONG WANG

222nd ECS Meeting  2012年10月 

High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain 国際会議

T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials  2012年9月 

Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers 国際会議

S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials  2012年9月 

Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET 国際会議

K. Asakawa, K. Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials  2012年9月 

低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用

朝川幸二朗, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性

山本圭介, 王 冬, 中島 寛

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月 

TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイス応用

山本圭介, 井餘田昌俊, 王 冬, 中島 寛

応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー：「ゲートスタック研究の進展－不純物分布および接合界面制御を中心に」  2012年6月 

低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価

山本 圭介、原田 健司、楊 海貴、王 冬、中島 寛

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

TiNショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFETの作製

山本 圭介、山中 武、原田 健司、佐田 隆宏、坂本 敬太、小島 秀太、王 冬、 中島 寛

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

HfGex ショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFETの作製

山本 圭介、佐田 隆宏、山中 武、坂本 敬太、小島 秀太、楊 海貴、王 冬、中島 寛

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

1.0 nm EOTを有するhigh-k/Ge ゲートスタックの形成

小島 秀太、坂本 敬太、山本 圭介、王 冬、中島 寛

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012年3月 

TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明(Ⅱ)

山本 圭介, 光原 昌寿, 吹留 佳祐, 野口 竜太郎, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

Split-CV法を用いたバックゲートSOI-MOSFETの実効移動度評価

朝川 幸二朗, 原田 健司, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2011年応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース／ドレイン Ge p-MOSFETの高移動度化

山本 圭介, 佐田 隆宏, 王 冬, 中島 寛

電子情報通信学会技術研究報告  2013年6月 

Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts 招待 国際会議

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

224th ECS Meeting  2013年10月 

Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height 国際会議

Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

224th ECS Meeting  2013年10月 

次世代CMOS実現に向けた金属/半導体コンタクトの障壁制御

山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

第5回 半導体材料・デバイスフォーラム  2013年11月 

Al2O3/Ge 構造形成後のECR プラズマ酸化による固定電荷密度の制御

長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

第5回 半導体材料・デバイスフォーラム  2013年11月 

Fabrication of Ge MOS and Ge Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron and Hole Barrier Heights 招待

Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, DONG WANG

7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"  2014年1月 

Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin

Keisuke Yamamoto, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"  2014年1月 

Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成

永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

非対称－金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性

亀沢 翔, 花田 尊徳, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

ショットキー ソース/ドレイン Ge p-MOSFETの作製と電気的特性

佐田 隆宏, 楊 海貴, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛

2011年応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer by Nitrogen Incorporation

Keita Sakamoto, Yoshiaki Iwamura, Keisuke Yamamoto, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)  2011年9月 

High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate

Takeshi Yamanaka, Keisuke Yamamoto, Keita Sakamoto, Haigui Yang, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)  2011年9月 

Ge 上へのZrとSiO2堆積によるhigh-k/Geゲートスタックの形成

小島 秀太, 坂本 敬太, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛

2011年応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET作製のための表面保護プロセスの検討

高橋 涼介, 山中 武, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛

2011年応用物理学会九州支部学術講演会  2011年11月 

学術論文等の審査

役割：査読

2022年

組織委員会副委員長 国際学術貢献

2021年12月

学術論文等の審査

役割：査読

2021年

組織委員会副委員長 国際学術貢献

2020年12月

学術論文等の審査

役割：査読

2020年

組織委員会副委員長 国際学術貢献

2019年11月

学術論文等の審査

役割：査読

2019年

組織委員会委員長 国際学術貢献

2018年11月

学術論文等の審査

役割：査読

2018年

組織委員会副委員長 国際学術貢献

2017年11月 - 2017年12月

司会（Moderator） 国際学術貢献

2017年2月

学術論文等の審査

役割：査読

2017年

組織委員会委員 国際学術貢献

2016年12月

座長（Chairmanship） 国際学術貢献

（ 九州大学 ） 2015年12月

座長（Chairmanship） 国際学術貢献

2015年10月

座長（Chairmanship） 国際学術貢献

（ 九州大学総合理工学研究院 ） 2015年2月

座長（Chairmanship） 国際学術貢献

（ 済州島 ） 2014年11月

国際学会現地委員会委員 国際学術貢献

2013年6月

座長（Chairmanship） 国際学術貢献

2010年11月

Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発

研究課題/領域番号：26289090  2014年 - 2016年

日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用

研究課題/領域番号：23760017  2011年 - 2012年

科学研究費助成事業  若手研究(B)

高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価

研究課題/領域番号：21760011  2009年 - 2010年

科学研究費助成事業  若手研究(B)

丸文研究交流財団交流賛助費 課題：高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価

2009年

精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成

2006年 - 2007年

日本学術振興会  外国人特別研究員

エネルギー環境理工学基礎I

2023年4月 - 2024年3月   通年

エネルギー環境理工学演習II

2023年4月 - 2024年3月   通年

エネルギー環境理工学特論II

2023年4月 - 2024年3月   通年

エネルギー環境理工学特論I

2023年4月 - 2024年3月   通年

エネルギー環境理工学演習I

2023年4月 - 2024年3月   通年

エネルギー環境理工学基礎II

2023年4月 - 2024年3月   通年

IoTデバイス特論

2023年4月 - 2023年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2023年4月 - 2023年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2022年10月 - 2023年3月   後期

エネルギー環境理工学演習I

2022年4月 - 2023年3月   通年

エネルギー環境理工学特論II

2022年4月 - 2023年3月   通年

エネルギー環境理工学演習II

2022年4月 - 2023年3月   通年

IoTデバイス特論

2022年4月 - 2022年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2022年4月 - 2022年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2021年10月 - 2022年3月   後期

エネルギー・環境・材料特論 I

2021年4月 - 2021年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2020年10月 - 2021年3月   後期

エネルギー・環境・材料特論 I

2020年4月 - 2020年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2019年10月 - 2020年3月   後期

エネルギー・環境・材料特論 I

2019年4月 - 2019年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2018年10月 - 2019年3月   後期

エネルギー・環境・材料特論 I

2018年4月 - 2018年9月   前期

エネルギー・環境・材料特論 I

2017年10月 - 2018年3月   後期

エネルギー・環境・材料特論 I

2017年4月 - 2017年9月   前期

英文ライティング

2017年4月 - 2017年9月   前期

ソーラーエネルギー概論

2016年10月 - 2017年3月   後期

英文ライティング

2016年4月 - 2016年9月   前期

ソーラーエネルギー概論

2016年4月 - 2016年9月   前期

ソーラーエネルギー概論

2015年10月 - 2016年3月   後期

ソーラーエネルギー概論

2015年4月 - 2015年9月   前期

ソーラーエネルギー概論

2014年10月 - 2015年3月   後期

ソーラーエネルギー概論

2014年4月 - 2014年9月   前期

ソーラーエネルギー概論

2013年10月 - 2014年3月   後期

ソーラーエネルギー概論

2013年4月 - 2013年9月   前期

太陽エネルギー概論 - 基礎、技術と応用

2012年10月 - 2013年3月   後期

2022年8月

釜山大学

キャンパスアジアプラス EEST ASIA 2022 サマースクール

2022年3月

九州大学総合理工学府

キャンパスアジア EEST ASIA 2022 スプリングセミナー

2021年12月

Chinese Secretariat of CAMPUS Asia

Future-oriented Transnational Higher Education in Asia

2021年9月

独立行政法人大学改革支援・学位授与機構

令和3 年度大学質保証フォーラム ― オンライン教育の支援と質保証―コロナ時代を越えて

2021年8月

九州大学総合理工学府

キャンパスアジア EEST ASIA 2021 サマースクール

2020年8月

上海交通大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2020 サマースクール

2019年8月

釜山大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2019 サマースクール

2019年4月

上海交通大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2019 スプリングセミナー

2018年8月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2018 サマースクール

2018年8月

日中韓三国協力事務局、大学改革支援・学位授与機構

日中韓における学位の相互認証に関する共同研究に係る専門家会合

2018年2月

釜山大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2018 スプリングセミナー

2017年8月

上海交通大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2017 サマースクール

2017年6月

総合理工学府・キャンパスアジア

キャンパスアジア校外学習（新日鐵住金、日産苅田工場、八幡穴生浄水場）

2017年2月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2017 スプリングセミナー

2016年12月

· Korean Ministry of Education · Korean Council for University Education

The 1st Campus-Asia Trilateral Rector’s Forum（12月13日、韓国ソウル）

2016年8月

釜山国立大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2016 サマースクール

2016年4月

上海交通大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2016 スプリングセミナー

2015年8月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2015 サマースクール

2015年3月

主催：独立行政法人科学技術振興機構（JST） 共催：中国科学技術協会国際連絡部、中国教育部（省）留学サービスセンター、人民網、独立行政法人日本学術振興会、独立行政法人日本学生支援機構。

日中大学フェア＆フォーラム in CHINA 2015

2015年2月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2015 スプリングセミナー

2014年10月

上海交通大学

4th Joint School Symposium for the Asian Youth Center Project

2014年8月

上海交通大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2014 サマースクール

2014年2月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2014 スプリングセミナー

2013年8月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2013 サマースクール

2012年8月

釜山国立大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2012 サマースクール

2012年3月

九州大学

キャンパスアジア EEST ASIA 2012 スプリングセミナー

2022年  その他特記事項  九州大学総合理工学府と国立台湾師範大学理学院、科技與工程学院との修士課程ダブル・ディグリープログラムを構築し、2023年3月に協定締結した。

2022年  その他特記事項  2022年8月16日-29日に釜山国立大学で開催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2021年  その他特記事項  2021年8月16日-27日に九州大学総合理工学府が主催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2021年  その他特記事項  担当教員としてキャンパスアジアプラス事業の申請を努力し、採択された。

2020年  その他特記事項  2020年8月17日-28日に上海交通大学で開催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2019年  学友会・同好会等の指導  総合理工学府オープンキャンパスのKIISA活動（2019年5月18日、総合理工学研究院D棟１F）

2019年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府留学生修学旅行（佐賀、2019年6月15日）

2019年  学友会・同好会等の指導  総合理工学府新入留学生歓迎会（2018年10月4日、KIISA主催）

2019年  学友会・同好会等の指導  ゲストティーチャーとして総合理工学府留学生が春日野中学校のオープンスクールでの授業（2019年12月14日、7クラス、留学生15名＋日本人学生１名）

2019年  その他特記事項  2019年8月16日-29日に釜山国立大学で開催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2019年  その他特記事項  2019年9月5日-13日、上海で滞在し、九州大学の8名DD生と釜山国立大学の4名DD生が上海交通大学へ入学する時に、中国で実際に生活出来るようにさせるため、寮の入居から授業の履修まで、個別に世話した。

2019年  その他特記事項  担当教員として、九州大学総合理工学府と国立台湾科技大学工程学院、電機情報学院、応用科学学院との修士ダブルディグリー制度を構築した。（2019年12月5日に国立台湾科技大学にてダブルディグリー協定を締結した。）

2018年  学友会・同好会等の指導  総合理工学府オープンキャンパスのKIISA活動（2018年5月19日、C-Cube 2F）

2018年  学友会・同好会等の指導  総合理工学府新入留学生歓迎会（2018年10月5日、KIISA主催）

2018年  学友会・同好会等の指導  ゲストティーチャーとして総合理工学府留学生が春日野中学校のオープンスクールでの授業（2018年12月8日、7クラス、留学生13名＋日本人学生１名）

2018年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府外国人留学生会（KIISA）のお花見大会（2019年3月23日）

2018年  その他特記事項  2018年8月18日-28日に上海交通大学で開催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2018年  その他特記事項  2018年9月6日-13日、上海で滞在し、九州大学の4名DD生と釜山国立大学の3名DD生が上海交通大学へ入学する時に、中国で実際に生活出来るようにさせるため、寮の入居から授業の履修まで、個別に世話した。

2018年  その他特記事項  キャンパスアジア・EESTプログラムの担当教員として、２０１８年１０月１５日、キャンパスアジア中間評価＠文科省に参加した。

2018年  その他特記事項  九州大学と国立台湾科技大学の両大学間学術交流協定／学生交流協定の担当教員を務めた。

2018年  その他特記事項  2018年8月１日、日中韓における学位の相互認証に関する共同研究に係る専門家会合への出席し、CAMPUS-Asia EESTのプログラム展開についてを紹介した。

2017年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府外国人留学生会（KIISA）のお花見大会（2017年4月1日）

2017年  学友会・同好会等の指導  キャンパスアジア校外学習（2017年6月30日～7月1日）

2017年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府留学生修学旅行（佐賀、2017年7月9日）

2017年  学友会・同好会等の指導  総合理工学府新入留学生歓迎会（2017年10月6日、KIISA主催）

2017年  学友会・同好会等の指導  ゲストティーチャーとして総合理工学府留学生が春日野中学校のオープンスクールでの授業（2017年12月9日、7クラス、11名留学生が担当）

2017年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府外国人留学生会（KIISA）のお花見大会（2018年3月31日）

2017年  その他特記事項  平成29年度九州大学国際交流総合企画会議に出席し、CAMPUS-Asia EESTのプログラム展開についてを発表した。

2017年  その他特記事項  H29年8月9日-21日に上海交通大学で開催したキャンパスアジア・サマースクールにで講義をした。

2017年  その他特記事項  H28年9月7日-12日、上海で滞在して、九州大学の6名DD生と釜山国立大学の3名DD生が上海交通大学へ入学する時に、中国で実際に生活出来るようにさせるため、寮の入居から授業の履修まで、個別に世話した。

2016年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府留学生修学旅行（佐賀、2016年6月4日、参加者55名）

2016年  学友会・同好会等の指導  KU 在EEST コース生校外学習（山口地方）。2016年6月17-18日、参加学生人数：２８

2016年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府留学生と大野城市民とのクリスマスパーティー（大野城市中央コミュニティセンター、2016年12月10日）

2016年  学友会・同好会等の指導  九州大学総合理工学府留学生修学旅行（北九州、2017年1月13日）

2016年  学友会・同好会等の指導  大野城市役所が主催した防災セミナー（2017年1月14日）

2016年  学友会・同好会等の指導  上海交通大学卒業式（2017年3月26日）

2016年  その他特記事項  H29年3月26日、九州大学のキャンパスアジアDD生4名を連れ、上海交通大学の卒業式に参加した。