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齋藤 渉（さいとう わたる） データ更新日：2024.03.15

教授　／　 応用力学研究所 新エネルギー力学部門


主な研究テーマ
・高効率電力変換用パワーデバイス
・高機能パワーデバイス制御技術
・エネルギーネットワーク接続用パワーモジュール
キーワード：パワーデバイス、電力変換、エネルギーネットワーク
2019.04.
従事しているプロジェクト研究
省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業「大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発」
2021.06～2026.02, 代表者：西澤　伸一, 九州大学, 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）.
新世代Si-IGBT と応用基本技術の研究開発
2019.04～2020.03, 代表者：平本俊郎, 東京大学生産技術研究所, NEDO
「IGBT のスケーリング則」に基づいた「新世代 Si-IGBT と応用基本技術」を産学官が一体となり実用化を念頭に開発・実証.
研究業績
主要著書
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主要原著論文
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1. Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa, Surface Buffer IGBT for High Total Performance, IEEE Transactions on Electron Devices, 10.1109/TED.2020.2999874, 67, 8, 3263-3269, 2020.08.
2. Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda and Ichiro Omura, Recessed-Gate Structure Approach Toward Normally Off High-Voltage AlGaN/GaN HEMT for Power Electronics Applications, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 2, 356-362, 2006.02.
3. Wataru Saito, Ichiro Omura, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi, Theoretical limit estimation of lateral wide band-gap semiconductor power-switching device, Solid-State Electronics, 48, 4, 1555-1562, 2004.04.
4. Wataru Saito, Yoshiharu Takada, Masahiko Kuraguchi, Kunio Tsuda, Ichiro Omura, Tsuneo Ogura and Hiromichi Ohashi, High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 12, 2528-2531, 2003.12.
5. Wataru Saito, Ichiro Omura, Satoshi Aida, Shigeo Koduki, Masaru Izumisawa and Tsuneo Ogura, Semisuperjunction MOSFETs: New Design Concept for Lower On-Resistance and Softer Reverse-Recovery Body Diode, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 8, 1801-1806, 2003.08.
主要総説, 論評, 解説, 書評, 報告書等
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主要学会発表等
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学会活動
所属学会名
電気学会
IEEE
応用物理学会
電子情報通信学会
学協会役員等への就任
2015.12～2020.12, IEEE Electron Device Society, Power Devices and ICs Technical Committee, Committee.
2017.04～2020.03, 電気学会　パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会, 委員長.
2017.04, 電気学会　C部門　電子デバイス技術委員会, 委員.
2018.06, 電子情報通信学会　電子デバイス研究会, 委員.
学会大会・会議・シンポジウム等における役割
2023.09.05～2023.09.08, 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), SSDM Award評価委員.
2023.08.27～2023.08.29, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), Technical Program Committee.
2023.03.07～2023.03.10, 7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2023, Technical Program Committee.
2022.09.26～2022.09.29, 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), SSDM Award評価委員.
2022.09.18～2022.09.20, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), Technical Program Committee.
2022.09.05～2022.09.08, 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), Technical Program Committee.
2022.08.29～2022.09.01, 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2022, Technical Program Committee.
2022.03.06～2022.03.09, 6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2022, Technical Program Committee.
2021.12.11～2021.12.15, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Program Committee.
2021.11.16～2021.11.19, 5th IEEE International Future Energy Electronics Conference, Technical Program Committee.
2021.08.26～2021.08.27, 15th INTERNATIONAL SEMINAR ON POWER SEMICONDUCTORS (ISPS) 2021, International Program Committee.
2021.05.30～2021.06.03, 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Organizing Committee.
2020.12.12～2020.12.16, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Program Committee.
2020.09.23～2020.09.25, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA-Asia) 2020, Technical Program Committee.
2020.09.13～2020.09.18, 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Technical Program Committee.
2020.01.13～2020.01.14, ECPE Workshop Power Semiconductor Robustness - What Kills Power Devices?, Chair.
2019.05.19～2019.05.23, 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Technical Program Committee.
2018.05.13～2018.05.17, 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Technical Program Committee.
2017.05.28～2017.06.01, 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Steering Committee, Technical Program Committee.
2016.06.12～2016.06.16, 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Technical Program Committee.
2013.05.26～2013.05.30, 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Steering Committee.
学会誌・雑誌・著書の編集への参加状況
2019.12～2028.12, IEEE Transactions on Electron Devices, 国際, 編集委員.
学術論文等の審査
年度 外国語雑誌査読論文数 日本語雑誌査読論文数 国際会議録査読論文数 国内会議録査読論文数 合計
2022年度 35    104    139 
2021年度 26    75    101 
2020年度 33    46    79 
2019年度 18    71    89 
受賞
第24回優秀技術活動賞 技術報告賞, 電気学会, 2021.04.
PESC 2008 Conference Prize Paper Award, 2008.06.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2023年度～2026年度, 基盤研究(B), 代表, 低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究.
2019年度～2020年度, 研究活動スタート支援, 代表, 高効率電気自動車に向けた理論限界を超える新規低耐圧パワーＭＯＳＦＥＴの構造と制御.
日本学術振興会への採択状況(科学研究費補助金以外)
2021年度～2022年度, 二国間交流, 代表, 低炭素社会実現に向けた高耐量・高信頼なSiCパワーデバイスを用いた直流遮断器.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2021年度～2025年度, NEDO・省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業, 分担, パワー半導体の開発／大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発.
共同研究、受託研究(競争的資金を除く)の受入状況
2023.08～2026.07, 分担, 低ネガワットコストモジュール設計法のFS研究.
2020.12～2022.09, 分担, AIゲートドライブの最適駆動変数の決定方法に関する理論構築と実証.
2020.10～2022.08, 代表, パワーモジュール劣化モニタリングFS研究.
寄附金の受入状況
2023年度, 東芝デバイス＆ストレージ株式会社, 東芝デバイス＆ストレージ学術奨励制度.
2023年度, 東芝インフラシステムズ株式会社, 東芝インフラシステムズ学術奨励制度.
2022年度, 東芝デバイス＆ストレージ株式会社, 東芝デバイス＆ストレージ学術奨励制度.
2022年度, 東芝インフラシステムズ株式会社, 東芝インフラシステムズ学術奨励制度.
2021年度, 東芝インフラシステムズ株式会社, 東芝インフラシステムズ学術奨励制度.
2021年度, 東芝デバイス＆ストレージ株式会社, 東芝デバイス＆ストレージ学術奨励制度.


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