| 1. |
Akira Kusaba, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa, Determination of Local Electron Counting Rule Satisfaction by SAT Solver, The 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9), 2024.06. |
| 2. |
R. Shimauchi, Y. Kangawa, A. Kusaba, Vacancies in III-Nitrides (II): Diffusion near Hetero Interfaces, 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024), 2024.04. |
| 3. |
K. Tateyama, Y. Kangawa, A. Kusaba, T. Kawamura, Vacancies in III-Nitrides (I): Formation under Reconstructed Surfaces, 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024), 2024.04. |
| 4. |
T. Yamashita, T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa, First-Principles Calculations of Bandgap Control of κ-Ga2O3 by Uniaxial Strain, 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024), 2024.04. |
| 5. |
T. Nishimura, T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa, Electronic structures of κ Ga2O3/Al2O3 superlattices, 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024), 2024.04. |
| 6. |
寒川義裕, 半導体化学気相成長のプロセスモデリング, 日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 2024年度春季講演会（湯川記念講演会）, 2024.04. |
| 7. |
中村城太、小田将人、寒川義裕, 窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024.03. |
| 8. |
寒川義裕, 化学気相成長におけるプロセスインフォマティクス〜現状と将来展望〜, （独）日本学術振興会 R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第15回研究会（特別企画）「AIと科学技術・社会」, 2024.03, 半導体テクノロジーの根幹である化学気相成長（CVD）は、①気相反応、②表面反応、③固相拡散の素過程が絡み合う複雑系である。本研究では、CVDプロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術（eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition: eXS2-CVD）の開発を行っている。本講演では、人工知能を活用した材料開発（プロセスインフォマティクス）の核心となるeXS2-CVDについて、その現状と将来展望を紹介する。. |
| 9. |
寒川義裕, III族窒化物MOVPEにおける表面再構成と点欠陥安定性の相関解析, 一般社団法人GaNコンソーシアム2023年度結晶・評価WG研究会（第1回）, 2023.12. |
| 10. |
K. Tateyama, F. Kihara, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Kawamura, Correlation between Surface Reconstruction and Impurity Incorporation in III-Nitride MOCVD: Surface Phase Diagram, The 42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42), 2023.10. |
| 11. |
T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa, First-principles calculation of band structure of alpha-Ga2O3/Al2O3 superlattices, The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, 2023.07. |
| 12. |
Shun Yamakawa, Hirofumi Akamatsu, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Theoretical exploration of widegap materials with the corundum structure for heteroepitaxy on alpha−Ga2O3, The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, 2023.07. |
| 13. |
Konrad Sakowski, Ashfaq Ahmad, Pawel Strak, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Motoaki Iwaya, Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski, Numerical simulations of AlGaN heterostructures with polarization-doping, The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices, 2023.06. |
| 14. |
原太一、草場彰、寒川義裕、三宅秀人, スパッタAlN膜の高温アニールプロセスにおけるスパースモデリング, 第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2023.06. |
| 15. |
寒川義裕, GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展, 化学工学会CVD反応分科会第37回シンポジウム「CVDと薄膜の計算科学」, 2023.03, 本講演では、窒化ガリウム有機金属化学気相成長（MOCVD）のプロセスインフォマティクスにおけるシミュレーション技術（デジタルツイン）の進展について、最近の研究事例を用いて詳細に解説する。. |
| 16. |
寒川義裕, Process Informatics − 半導体化学気相成長の科学, 学習院桜友会寄付講座（生命情報社会学）シンポジウム X–informatics 〜巡り会うデータサイエンス〜, 2023.02, 本講演では、半導体化学気相成長のプロセス探索に関する最近の進展について、一般市民向けにわかりやすく紹介する。. |
| 17. |
寒川義裕, 窒化物半導体プロセスインフォマティクスの開拓, 日本材料学会 ナノ材料部門委員会・ 半導体エレクトロニクス部門委員会 合同研究会, 2022.11, 半導体テクノロジーの根幹を成す化学気相成⻑は、①気相反応、②表⾯プロセス、③固相拡散が絡み合う複雑系であり、プロセス・インフォマティクスの核⼼となるシミュレーション技術は未だ確⽴されていない。本講演では、化学気相成長条件（説明変数）から残留不純物濃度（⽬的変数）をダイレクトに計算予測するシミュレーション技術（量⼦⼒学と統計熱⼒学に⽴脚したマルチフィジックス結晶成⻑シミュレーション技術）を紹介する。また、データ同化により①気相反応の速度定数をチューニングした事例、ベイズ最適化により②⼤規模表⾯再構成モデルを構築した事例を紹介する。. |
| 18. |
寒川義裕, 半導体材料開発の新機軸～プロセス・インフォマティクス～, ワイドギャップ半導体学会第8回研究会, 2022.10, 近年のプロセス・インフォマティクス技術の開発状況を外観し、最近の研究事例：省エネルギー次世代半導体デバイス（GaNパワーデバイス）開発を目的とした適用事例を紹介する。. |
| 19. |
A. Kusaba, Z. Ye, S. Nitta, K. Shiraishi, T. Kuboyama, Y. Kangawa, Tuning of ab-initio reaction rate in GaN metal-organic vapor phase epitaxy by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), 2022.10. |
| 20. |
Koyo Miyamoto, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Modelling interlayer diffusion in III-nitride hetero interface, 41st Electronic Materials Symposium, 2022.10. |
| 21. |
Taichi Hara, Yuichiro Maeda, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Okuyama, Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning, 41st Electronic Materials Symposium, 2022.10. |
| 22. |
Masaki Sano, Yuya Nagashima, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Growth Simulation of GaN MOVPE Based on Rate Equation Analysis, 41st Electronic Materials Symposium, 2022.10. |
| 23. |
Yuya Nagashima, Daichi Akaishi, Shugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Ab Initio Studies on TMA and TMI Decomposition during MOVPE Growth, 41st Electronic Materials Symposium, 2022.10. |
| 24. |
Konrad Sakowski, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Pawel Strak, Yoshihiro Kangawa, Grzegorz Muziol, Jacek Piechota, Stanislaw Krukowski, Polarization-doping of AlGaN laser diodes in numerical simulations, European Materials Research Society, 2022 Fall Meeting, 2022.09. |
| 25. |
Yoshihiro Kangawa, Innovations in the materials development process: process informatics, Campus Asia EEST 2022 Summer School, 2022.08. |
| 26. |
長嶋佑哉、木村友哉、洗平昌晃、長川健太、草場彰、寒川義裕、白石賢二, p型GaNのHVPE成長におけるH₂キャリアガス導入の影響, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022.03. |
| 27. |
寒川義裕, 窒化物半導体エピタキシーにおける不純物混入機構の理論解析, 第35期コンピュータによる材料開発・物質設計を考える会（Computer aided Materials and Moleculer Desgin Forum: CAMM）フォーラム本例会, 2022.02. |
| 28. |
Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa, First-principles calculation of optical properties of III-V nitride semiconductors, IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, 2022.01. |
| 29. |
Mauro Boero, Kana Ishisone, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Computics driven methods and applications to innovative materials for next-generation devices, IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, 2022.01. |
| 30. |
宮本滉庸、草場彰、寒川義裕, 窒化物半導体ヘテロ界面における相互拡散メカニズムの理論検討, 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2021.12. |
| 31. |
寒川義裕, 窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス, 第26回結晶工学セミナー、第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会「結晶工学×インフォマティクス」, 2021.11. |
| 32. |
寒川義裕, 窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス, 結晶工学×インフォマティクスセミナー（第26回結晶工学セミナー、第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会）, 2021.11. |
| 33. |
A. Kusaba, Y. Kangawa, Z. Ye, S. Nitta, K. Shiraishi, Tuning of Reaction Rate Constants for Trimethylgallium Decomposition by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021), 2021.11. |
| 34. |
Y. Kangawa, A. Kusaba, P. Kempisty, Theoretical approach to unintentional oxygen doping during MOVPE of GaN:Mg and AlN:Mg, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS 2021), 2021.11. |
| 35. |
草場彰、久保山哲二、寒川義裕, 結晶成長デジタルツイン―AIと計算科学からのアプローチ, 第50回結晶成長国内会議, 2021.10. |
| 36. |
寒川義裕, プロセス・インフォマティクスの新機軸：窒化物半導体MOVPEにおける取り組み, 日本学術振興会R032委員会第2回研究会, 2021.08. |
| 37. |
寒川義裕, プロセス・インフォマティクスの新機軸：窒化物半導体MOVPEにおける取り組み, 日本学術振興会R032委員会第2回研究会, 2021.08. |
| 38. |
A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa, First-principles study of Mg and O co-doping mechanism in the growth surface during GaN(0001) and AlN(0001) metalorganic vapor phase epitaxy, 32nd IUPAP Conference on Computational Physics (CCP 2021), 2021.08. |
| 39. |
Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa, Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE, 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, 2021.03. |
| 40. |
Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa, Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors, The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, 2021.03. |
| 41. |
Yoshihiro Kangawa, Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio-based approach, SPIE Photonic West OPTO, 2021.03. |
| 42. |
Kieu My Bui, Yu-ichiro Matsushita, Kenta Chokawa, Mauro Boero, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, and Atsushi Oshiyama, Structures, electron states and reactions on growing surfaces and at device interfaces of SiC and GaN, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 43. |
Mauro Boero, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, First principles molecular dynamics as a tool to explore complex chemical reactions in GaN, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 44. |
Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, and Yoshihiro Kangawa, Ab initio atomistic thermodynamics of pseudo-hot surfaces in the context of GaN growth and doping, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 45. |
Akira Kusaba and Yoshihiro Kangawa, More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 46. |
Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Małgorzata Wierzbowska3 and Stanisław Krukowski, Change of the effective bandgaps of InN/AlN superlattices due to lattice distortion, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 47. |
Konrad Sakowski, Kosuke Sato, Kazuki Yamada, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Pawel Strak, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, On numerical simulations of polarization-doped AlGaN UV laser diodes, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), 2021.01. |
| 48. |
Daichi Yosho, Yuriko Matsuo, Pawel Kempisty, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Ab initio-based approach to GaN HVPE and THVPE processes: p-type doping and facet stability, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021, 2021.01. |
| 49. |
Yoshihiro Kangawa, Modeling semiconductor epitaxy for next generation power device application, IMI Workshop on Fiber Topology Meets Applications, 2021.01. |
| 50. |
Kurniawan Romeo Marcel，寒川義裕, Influence of surface reconstruction on impurity incorporation in GaN MOVPE: ab initio calculation
, 日本航空宇宙学会西部支部講演会(2020), 2020.11. |
| 51. |
榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川善裕, 白石賢二, GaN MOVPE成長におけるＴＭＧ分解のH2とNH3による効果の理論的考察, 第49回結晶成長国内会議, 2020.11. |
| 52. |
草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人, 機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索, 第49回結晶成長国内会議, 2020.11. |
| 53. |
用正大地, 新宅史哉, 稲富悠也, 寒川義裕, 岩田潤一, 押山淳, 白石賢二, 田中敦之, 天野浩, 微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構：量子論に立脚したBCFモデル, 第49回結晶成長国内会議, 2020.11. |
| 54. |
寒川義裕, 窒化物半導体プロセス・インフォマティクス：不純物混入の抑制, 第49回薄膜・表面物理基礎講座, 2020.11. |
| 55. |
D. Yosho, Y. Inatomi, and Y. Kangawa, A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE, 37th Electronic Materials Symposium, 2020.10. |
| 56. |
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Norimatsu, and H. Miyake, Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication, 37th Electronic Materials Symposium, 2020.10. |
| 57. |
原嶋庸介、中野崇志、長川健太、白石賢二、押山淳、寒川義裕、宇佐美茂佳、間山憲仁、戸田一也、田中敦之、本田善央、天野 浩, p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体: 第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020.09. |
| 58. |
山田和輝、佐藤恒輔、安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、Sakowski Konrad, UV-B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020.09. |
| 59. |
秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕, MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4), 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020.09. |
| 60. |
寒川義裕, 不純物混入と深紫外デバイス特性の相関, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020.09. |
| 61. |
Atsushi Oshiyama, Kieu My Bui, Mauro Boero, Yoshihiro Kangawa, and Kenji Shiraishi, Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN, 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020.09. |
| 62. |
山田和輝，佐藤恒輔，安江信次，田中隼也，手良村昌平，荻野雄矢，大森智也，石塚彩花，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人, 寒川義裕，
K. Sakowski, Al組成傾斜p型AlGaNクラッド層の電気的特性のAl組成及びMg濃度依存性, 第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2020.07. |
| 63. |
木村友哉，大西一生，天野裕己，藤元直樹，洗平昌晃，新田州吾，本田善央，天野浩，寒川義裕，白石賢二, MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析, 第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2020.07. |
| 64. |
用正大地，新宅史哉，稲富悠也，寒川義裕，岩田潤一，押山淳，白石賢二，田中敦之，天野浩, 微傾斜m(101-0)面GaN-MOVPEにおける酸素混入のモデリング, 第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2020.07. |
| 65. |
Daichi Yosho, Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano, Theoretical model for oxygen incorporation during step flow growth of GaN on vicinal m-GaN by MOVPE, The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020), 2020.04. |
| 66. |
Daichi Yosho, Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa, Theoretical approach to carbon concentration on GaN(0001) and (000-1) surfaces during MOVPE, The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020), 2020.04. |
| 67. |
中野崇志，原嶋庸介，長川健太，洗平昌晃，白石賢二，押山淳，草場彰，寒川義裕，田中敦之，本田善央，天野浩, らせん転位とMg不純物との複合体を含む GaNの第一原理電子構造解析, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020.03, GaN薄膜中のMgはp型不純物（アクセプター）として知られているが、らせん転位との複合体を形成することによりn型（ドナー）に成り得ることを明らかにした。. |
| 68. |
中野崇志、原嶋庸介、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩, GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）, 2020.01. |
| 69. |
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, First-principles phonon calculations as a method of improving the atomistic thermodynamics of III-nitrides surfaces, 5th Workshop on ab initio phonon calculations, 2019.12. |
| 70. |
Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi , Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE, The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), 2019.10. |
| 71. |
稲富悠也、寒川義裕, 窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明, 第48回結晶成長国内会議, 2019.10. |
| 72. |
寒川義裕, 未来材料開拓に向けた相界面制御, 第48回結晶成長国内会議, 2019.10. |
| 73. |
Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano, Theoretical approach to oxygen incorporation mechanism in vicinal m-GaN MOVPE, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2019.09. |
| 74. |
稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人, MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019.09. |
| 75. |
清水紀志，秋山亨, アブドルムィッツプラディプト，中村浩次, 伊藤智徳，草場彰, 寒川義裕, MOVPE条件下におけるIII族窒化物半導体無極性面の熱力学解析, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019.09. |
| 76. |
Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka,
Hiroshi Amano
, Theoretical approach of oxygen incorporation into GaN grown on vicinal GaN(10-10), 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes, 2019.08. |
| 77. |
Yoshihiro Kangawa, Unintentional doping in GaN MOVPE: A new theoretical model, 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes, 2019.08. |
| 78. |
Konrad Sakowski, Numerical simulations of the electrical properties of AlGaN luminescent heterostructures, 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes, 2019.08. |
| 79. |
稲富悠也、寒川義裕, 吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響, 第42回結晶成長討論会, 2019.08. |
| 80. |
Pawel Kempisty, Paweł Strąk, Konrad Sakowski, Yoshihiro Kangawa, and Stanisław Krukowski, Thermodynamics of vapor-surface equilibria in ab initio modelling of semiconductor growth processes, 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), 2019.07. |
| 81. |
Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi, Study of the origins of carbon impurities on GaN MOVPE from a gas phase reaction perspective, 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), 2019.07. |
| 82. |
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka,
Yoshio Honda, Hiroshi Amano
, Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with m-plane Surface, 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019.07. |
| 83. |
Yuya Inatomi, and Yoshihiro Kangawa, Theoretical study on step bunching instability during nitride semiconductor growth, 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019.07. |
| 84. |
Takahiro Kawamura,Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Małgorzata Wierzbowska, and Stanisław Krukowski, First-Principles Calculation of Band Gaps of Al1-xInxN alloys and short period Al1-xInxN/Al1-yInyN superlattices
, 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019.07. |
| 85. |
Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi, A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism
, 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), 2019.07. |
| 86. |
新宅史哉、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩, m面GaN-MOVPEにおける酸素混入量の基板傾斜方向依存性の理論解析, 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2019.06. |
| 87. |
Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Electronic structure analysis of the core structures of threading dislocations in GaN, Compound Semiconductor Week 2019, 2019.05, We have comprehensively studied the relation between threading core structures and electronic property in GaN thin films. We examined various core types of the threading dislocations. We found that both edge dislocations and screw dislocations do not cause the leakage currents in n-type GaN based devices because no defect level appears near the conduction band bottom.. |
| 88. |
S. Yamamoto, Y. Okawachi, P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, Monte Carlo simulation of GaN MOVPE process: carbon incorporation mechanism, The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), 2019.04. |
| 89. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, Adatom Density on Polar GaN Surfaces During MOVPE, The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), 2019.04. |
| 90. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, Step bunching stability – instability diagram for nitride semiconductor growth, The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), 2019.04. |
| 91. |
榊原聡真, 川上賢人, 高村昴, 洗平昌晃, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, 化学反応を含むGaN結晶成長流体シミュレーョン手法の開発, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019.03. |
| 92. |
大河内勇斗, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, 気相反応から考えるGaN MOVPEにおける炭素混入起源の解明, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019.03. |
| 93. |
富澤巧, 川上賢人, 櫻井照夫, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 醍醐佳明, 水島一郎, 依田孝, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, 縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーョン, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019.03. |
| 94. |
中野崇志，長川健太，洗平昌晃，白石賢二，押山淳，宇佐美茂佳，草場彰，寒川義裕，田中敦之，本田善央，天野浩, GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019.03. |
| 95. |
川上賢人，高村昴，草場彰，芳松克則，岡本直也，寒川義裕，柿本浩一，白石賢二, MOVPE法のGaN結晶成長3次元マルチフィジックスシミュレーション, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019.03. |
| 96. |
寒川義裕, 窒化物半導体成長モデリングの進展：不純物混入機構の考察, 第11回九大2D物質研究会「2D物質の形成と構造・物性評価」, 2019.02. |
| 97. |
中野崇志, 長川健太, 大河内勇斗, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, GaN薄膜における転位芯構造と電子物性の相関：第一原理計算に基づく論解析, 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会, 2019.01. |
| 98. |
Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi, Ab initio-based approach to crystal growth of nitride semiconductors: alloy composition and impurity concentration, 4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), 2018.11. |
| 99. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein, Surface adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE: a theoretical approach, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 100. |
Pawel Kempisty, and Yoshihiro Kangawa, Systematic improvement of III-nitrides surface thermodynamics by including first principles phonon calculations, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 101. |
Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, and Yoshihiro Kangawa, Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000−1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 102. |
Yuki Seta, Abdul Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa, Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 103. |
Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, and Yoshihiro Kangawa, Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 104. |
Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, and Stanislaw Krukowski, First-Principles Investigation of Compositional Dependence of Band Gaps in AlN/InN and InN/GaN Superlattices, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 105. |
Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto, First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 106. |
Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama, First-Principle Study of Nitrogen substitution on the GaN Surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 107. |
Subaru Komura, Kento Kawakami, Akira Kusaba, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, and Kenji Shiraishi, Multiphysics simulation of GaN MOVPE: Flow influence on GaN growthorientation, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 108. |
Izabela Gorczyca, Grzegorz Staszczak, Ewa Grzanka, Grzegorz Targowski, Tadek Suski, Niels Eged Christensen, Takahiro Kawamura, and Yoshikiro Kangawa, Modelling of Band Gaps in Short Period In(Ga)N/GaN Superlattices with Different Sequences of Barrier and Quantum Wells, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), 2018.11. |
| 109. |
大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、草場彰、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二, GaN結晶成長過程における炭素混入メカニズムの理論的解明, 第47回結晶成長国内会議(JCCG47), 2018.10. |
| 110. |
寒川義裕, GaN MOVPEにおける炭素取込み機構の考察, 第47回結晶成長国内会議(JCCG47), 2018.10. |
| 111. |
川上賢人、高村昴、草場彰、芳松克則、岡本直也、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二, 表面再構成構造を考慮したGaN MOVPEのマルチフィジックス流動シミュレーション, 第47回結晶成長国内会議(JCCG47), 2018.10. |
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Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, and Kenji Shiraishi, Ab initio based-approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE, The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology, 2018.10. |
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Yoshihiro Kangawa, Influence of surface reconstruction on the impurity incorporation in GaN MOVPE, Mathematical Aspects ofSurface and Interface Dynamics 16, 2018.10. |
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Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein, A new theoretical model for adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE
, 第37回電子材料シンポジウム（EMS 37）, 2018.10. |
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Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein, A kinetic – thermodynamic modeling of carbon incorporation during step flow growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy
, 第37回電子材料シンポジウム（EMS 37）, 2018.10. |
| 116. |
Y. Okawachi, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, and K. Shiraishi, First Principles and Thermodynamic Studies on GaN MOVPE Processes, 9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, 2018.10. |
| 117. |
白石賢二、川上賢人、関口一樹、高村昴、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、岡本直也、芳松克則、寒川義裕、柿本浩一, 量子力学と流体力学の融合によるＧａＮマルチフィジックス気相成長シミュレーション
, 第47回結晶成長国内会議(JCCG47), 2018.10. |
| 118. |
S. Komura, K. Kawakami, Y. Yamamoto, A. Kusaba, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, and K. Shiraishi
, Flow Influence on GaN MOVPE Growth-orientation, 9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, 2018.10. |
| 119. |
K. Kawakami, S. Komura, Y. Yamamoto, A. Kusaba, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Methodology for multiphysics flow simulation in GaN MOVPE using thermodynamic analysis and first principles calculation for GaN deposition, 9th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, 2018.10. |
| 120. |
S. Komura, R. Oshima, K. Kawakami, K. Chokawa, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, E. Makino, N. Hosokawa, S. Onda, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Multi-physics simulations of high-temperature CVD of SiC, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), 2018.09. |
| 121. |
K. Chokawa, E. Makino, N. Hosokawa, S. Onda, Y. Kangawa, and K. Shiraishi, Thermodynamics analysis of high-temperature CVD of SiC, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), 2018.09. |
| 122. |
Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi, Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 123. |
T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa, Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 124. |
S. Yamamoto, Y. Inatomi, A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa, Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 125. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, A theoretical model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by MOVPE, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 126. |
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Contribution of first principles phonon calculations to thermodynamics analysis of GaN surfaces, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 127. |
Yuto Okawachi, Kazuki Sekiguchi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Mitsuo Shoji, Yasuteru Shigeta, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, and Kenji Shiraishi, First Principles and Thermodynamic Studies on GaN MOVPE Processes, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 128. |
A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, P. Kempisty, Y. Kangawa, Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System, The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2018.08. |
| 129. |
草場彰，李冠辰，Pawel Kempisty，Michael R. von Spakovsky，寒川義裕, GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性, 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2018.07. |
| 130. |
Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling, The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX), 2018.06. |
| 131. |
Thi Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama
, First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
, The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX), 2018.06. |
| 132. |
Kenji Shiraishi, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Multi-Physics Simulations of GaN MOVPE, The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX), 2018.06. |
| 133. |
Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities, The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX), 2018.06. |
| 134. |
寒川義裕, 電子材料開発における計算科学の進展, 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会, 2018.06. |
| 135. |
Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu, Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE, The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, 2018.04. |
| 136. |
Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, Modeling and process design of III-nitride MOVPE, The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications, 2018.04. |
| 137. |
稲富悠也，草場 彰，柿本浩一，寒川義裕，小島一信，秩父重英, MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2), 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03. |
| 138. |
稲富悠也, 寒川義裕, 柿本浩一, 気相原子－吸着原子の平衡を考慮した新規結晶成長モデルの提案：GaN MOVPEにおける不純物取り込み機構の理論解析, 日本物理学会第73回年次大会, 2018.03. |
| 139. |
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Driving force for m-plane GaN MOVPE: a new thermodynamic modeling, ISPlasma2018/IC-PLANTS2018, 2018.03. |
| 140. |
Yoshihiro Kangawa, Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio based−approach, KAUST EE Seminar, 2018.03. |
| 141. |
長川健太, 寒川義裕, 牧野英美, 細川徳一, 恩田正一, 白石賢二, SiCガス成長における気相反応と表面再構成構造の予測, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03. |
| 142. |
大島亮祐、高村昴、川上賢人、山本芳裕、長川健太、芳松克則、岡本直也、牧野恵美、細川徳一、恩田正一、寒川義裕、柿本浩一、白石賢二, マルチフィジックスシミュレーションに基づくSiCガス成長の研究, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018.03. |
| 143. |
Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction, SPIE Photonics Wese OPTO, 2018.01, III-Nitride semiconductors are attractive materials for optoelectronic devices including LEDs and LDs. To enhance the device performances, it is important to improve the crystalline quality of the films. The knowledge of atomistic-scale phenomena is indispensable to optimize the growth conditions. In the present work, we investigated the surface phase diagram in GaN(0001) and GaN(000-1) MOVPE, i.e., the reconstructed structures on the growth surfaces in GaN MOVPE, by an ab initio-based approach. The obtained surface phase diagram is useful to optimize the growth conditions. Furthermore, we studied the relationships among the growth conditions, surface reconstructions, and impurity incorporation in GaN MOVPE.. |
| 144. |
Martin Rittner, Ulrich Kessler, Samuel Araujo, Sebastian Mansfeld, Jörg Naundorf, Kai Kriegel, Martin Schulz, Hideto Miyake, Yoshihiro Kangawa, Gaudenzio Meneghesso, Power module concepts for innovative reliable nitride based power devices and applications - The EU public funded project ‘InRel-NPower‘-, 31st International Electric Vehicle Symposium and Exhibition, EVS 2018 and International Electric Vehicle Technology Conference 2018, EVTeC 2018, 2018.01. |
| 145. |
草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一, GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017.11. |
| 146. |
川上賢人, 高村昴, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響I, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017.11. |
| 147. |
高村昴, 川上賢人, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響II, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017.11. |
| 148. |
山本芳裕, 川上賢人, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, MOVPE GaN成長における駆動力への流れの影響, 第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017.11. |
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K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process in GaN MOVPE, 2017 MRS Fall Meeting, 2017.11. |
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Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto, Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE
, International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017), 2017.11. |
| 151. |
A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics, International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017), 2017.11. |
| 152. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE, The 36th Electronic Materials Symposium, 2017.11. |
| 153. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A kinetic−thermodynamic theory in step−flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE, 大阪電気通信大学国際ワークショップ, 2017.10. |
| 154. |
寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一, GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析, 日本学術振興会第162委員会第105回研究会, 2017.10. |
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A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu, Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, 2017.09. |
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P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano, Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, 2017.09. |
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K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, A Methodology for Multiphysics Simulation of Gallium Nitride MOVPE Method using Thermodynamic Analysis of Driving Force of Gallium Nitride Crystal Growth
, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, 2017.09. |
| 158. |
Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Multiphysics Flow Simulation with Appropriate Conditions Predicted by Thermodynamic Analysis of Driving Force of GaN Crystal Growth
, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, 2017.09. |
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K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Thermodynamic Analysis of the Surface Reactions in GaN MOVPE, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2017.09. |
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A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions, E-MRS, 2017.09. |
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関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, GaN MOVPEにおける気相中および基板上での反応プロセス解明, 第78回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2017.09. |
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Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Multi-physics flow simulation satisfying appropriate conditions on GaN deposition predicted by a thermodynamic analysis of the deposition driving force, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017.07. |
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K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, A methodology for multiphysics simulation of GaN MOVPE using thermodynamic analysis of driving force for the deposition of GaN, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017.07. |
| 164. |
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process Considering the Activation Energy, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017.07. |
| 165. |
Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu, Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017.07. |
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P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano, Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), 2017.07. |
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寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一, 窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017.07. |
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草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一, NH3化学吸着の非平衡状態発展：最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017.07. |
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稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一, AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017.07. |
| 170. |
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, GaN MOVPEにおけるTMG分解反応プロセスの理論的考察, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017.07. |
| 171. |
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二, GaN MOVPE法における結晶成長マルチフィジックスシミュレーション, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 2017.07. |
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稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本 浩一, InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 173. |
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二, 活性化エネルギーを考慮したTMG分解プロセスの理論的考察, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 174. |
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二, GaN MOVPEにおける結晶成長マルチフィジックス流動シミュレーション, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 175. |
白石賢二, 関口一樹, 長川健太, 白川裕規, 川上賢人, 山本芳裕, 洗平昌晃, 永松謙太郎, 新田州吾, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 天野浩, エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 176. |
河村貴宏, 北本啓, 今出完, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕, 柿本浩一, OVPE成長条件下におけるGaN 非極性表面構造の第一原理計算, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.03. |
| 177. |
Y. Kangawa, Innovation of AlN solution growth technique, Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP 2016), 2016.10. |
| 178. |
Y. Kangawa, Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, 2016.10, It is known that the growth process of semiconductors depends on the growth conditions such as growth temperature, partial pressures of gaseous sources, and growth orientation. To improve the crystalline quality of thin films, many experimentalist have studied the relationships between growth processes and growth conditions. A lot of technical knowledges and know-how to optimize the growth conditions have been reported. However, there is no discussion about atomistic-scale phenomena because in situ observations using electron beam is difficult in case of MOVPE and HVPE system. The knowledge of atomistic-scale phenomena is indispensable to control the growth process more precisely. Ab initio calculation is a powerful technique for modelling and analysis of atomistic-scale phenomena. The conventional ab initio calculation has been applicable to the analysis of stable surface reconstruction at absolute zero. In 2001, we proposed an ab initio-based approach that incorporates the gas-phase free energy. The theoretical approach is useful for analyzing the influence of the growth temperature and the partial pressures on the stability of the surface reconstructions. Transition of surface reconstruction on various surface orientations brings change in surface energy, i.e., change in relative stability among various surface orientations which induces facet formation. A surface phase diagram obtained by the theoretical approach is valuable in the optimization of the growth conditions and the acceleration of material development. In the present talk, I introduce how to make the surface phase diagram of nitride semiconductors by the theoretical approach.. |
| 179. |
A. Kusaba, Y. Kangawa, M. R. von Spakovsky, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu, Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, 2016.10. |
| 180. |
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, Consideration of MOVPE Growth Process of GaN by First Principles Calculations and Thermodynamic Analysis
, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, 2016.10. |
| 181. |
Y. Kangawa, First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes, 2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course, 2016.09, In this lecture, I introduce how to make the surface phase diagram of nitride semiconductors by an ab initio-based approach.. |
| 182. |
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, First Principle and Thermodynamic Analysis of MOVPE Growth of GaN and AlN, 2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM2016), 2016.09. |
| 183. |
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寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一, GaN結晶成長シミュレーションの新展開： 第一原理計算に基づくアプローチ
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草場 彰, 寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一, 纐纈明伯, InN(0001)面および(000−1)面MOVPE成長の熱力学解析, 第８回窒化物半導体結晶成長講演会, 2016.05. |
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寒川 義裕, 半導体材料の結晶成長～表面反応に関して第一原理計算と熱力学解析の視点から～, 第29期CAMMフォーラム本例会, 2016.01. |
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柿本 浩一, GAO BING, LIU XIN, 中野 智, 西澤 伸一, 原田 博文, 宮村 佳児, 関口 隆史, 寒川 義裕, パワーデバイス用単結晶の結晶成長, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015.03. |
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水谷充利, 河村 貴宏, 鈴木 泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 分子動力学法によるらせん転位を含む4H-SiCの歪エネルギー解析, 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）, 2014.11. |
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寒川義裕, 秋山 亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 中山隆史, 化合物半導体エピタキシーにおける量子計算科学の展開, 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）, 2014.11. |
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Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical approach to growth mechanisms of InN by vapor phase epitaxy, 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2), 2014.10. |
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住吉央朗, 寒川義裕, 秩父重英, M. Knetzger, E. Meissner, 岩崎洋介, 柿本 浩一, 固体ソース溶液成長におけるAlN成長機構の解析, 第6回窒化物半導体結晶成長講演会, 2014.07. |
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Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto, Theoretical study on structural stability of InN grown by pressurized-reactor MOVPE, 33rd Electronic Materials Symposium, 2014.07. |
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Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto, Structural Phase Diagram of InN by Pressurized-Reactor MOVPE: A Theoretical Study, The 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5), 2014.06. |
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寒川 義裕, 濱田 達郎, 木村 健司, 片山 竜二, 松岡 隆志, 柿本 浩一, InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム, 2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会, 2014.03. |
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寒川 義裕, 電力変換の高効率化に向けた次世代パワーデバイス用AlN結晶の開発, 九州大学共進化社会システム創成拠点フォーラム, 2014.03. |
| 215. |
寒川 義裕, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 秩父重英, 柿本 浩一, 固体ソース溶液成長法により作製したAlN の光学測定, 第13回 東北大学多元物質科学研究所 研究発表会, 2013.12. |
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濱田 達郎, 屋山 巴, 寒川 義裕, 柿本 浩一, InN高圧MOVPE成長における構造多形の制御に関する理論検討, 平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2013.11. |
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H. Suetsugu, Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto, Influence of growth direction on threading dislocation annihilation process in AlN grown by 3SG method, 6th KAIST-Kyushu University Symposium on Aerospace Engineering, 2013.11. |
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VALENCIA HUBERT, 寒川 義裕, 柿本 浩一, Stabilities of GaAs(100) Surfaces under As2, H2, and N2 Conditions as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs1-xNx: a First-Principles Study, 第43回結晶成長国内会議（NCCG43）, 2013.11. |
| 219. |
Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto, Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method, 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), 2013.10. |
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M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, S. Tanaka, K. Kakimoto, Designing vicinal direction of SiC(0001) for epitaxial graphene growth, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), 2013.09. |
| 221. |
Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Dislocation propagation behavior in AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method, JSAP-MRS Joint Symposia, 2013.09. |
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M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto, Structural control of C clustering at SiC(0001) steps, JSAP-MRS Joint Symposia, 2013.09. |
| 223. |
T. Kawamura, H. Hayashi, M. Amekawa, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Investigation of growth process of MBE growth of GaN under Ga-rich conditions by molecular dynamics
, JSAP-MRS Joint Symposia, 2013.09. |
| 224. |
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, The orientation dependence of In incorporation of InGaN: The role of N-H layer
, JSAP-MRS Joint Symposia, 2013.09. |
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T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, The role of N-H molecular layer on the surface for high quality In-rich InGaN growth by MOVPE, International Symposium on Innovative Materials for Processes in Energy Systems 2013 (IMPRES2013), 2013.09. |
| 226. |
井口綾佑, 河村貴宏, 鈴木泰之, 井上仁人, 寒川義裕, 柿本 浩一, SiC表面分解法によるグラフェン成長の分子動力学シミュレーション, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.09. |
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M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto, Structural controllability of C clusters by template effect of SiC step, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013.08. |
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H. Valencia, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Ab initio Study of GaAs(100) Surfaces Under As2, H2, and N2 Influence, as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs1-xNx, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013.08. |
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Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Influence of growth orientation on microstructure of AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013.08. |
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| 231. |
河村貴宏, 三木貴文, 鈴木泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一, GaN薄膜成長におけるN原子取り込み過程の分子動力学シミュレーション, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03. |
| 232. |
井上仁人, 寒川 義裕, 影島博之, 柿本 浩一, C凝集過程におけるSiC(0001)ステップのテンプレート効果, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03. |
| 233. |
寒川義裕, 固体窒素原料を用いたAlN溶液成長法の開発, 平成25年度資源素材学会春季大会, 2013.03. |
| 234. |
寒川義裕, 太陽電池用III族窒化物半導体の成膜プロセスの理論検討, 第5回半導体デバイス若手ワークショップ, 2013.03. |
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M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto, Tight-binding approach to C clustering at a step of SiC(0001), 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomatarials (ISPlasma2013), 2013.01. |
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井上仁人、寒川義裕, エピタキシャルグラフェン成長初期のC凝集課程-SiC表面構造とCクラスター構造の相関-, 第５回九大グラフェン研究会「グラフェンナノ構造の形成と物性」, 2013.01. |
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寒川義裕, 創エネ・省エネに向けた窒化物半導体材料開発, 第28回太陽光発電プロジェクト講演会, 2013.01. |
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J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu, Theoretical analysis for N incorporation in GaAsN grown by vapor phase epitaxy, Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) 2012, 2012.12. |
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末次 弘茂, 梶原 隆司, 寒川 義裕, 永田 俊郎, 田中 悟, 柿本 浩一, AlN溶液成長に向けたAlN(0001)基板前処理～水素ガスエッチング条件の最適化～, 平成24年度応用物理学会九州支部講演会, 2012.12. |
| 241. |
寒川義裕、川野潤、Hubert Valencia、柿本浩一, 太陽電池用窒化物エピタキシャル成長機構の理論検討, 第42回結晶成長国内会議, 2012.11. |
| 242. |
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一, MOVPE成長条件下におけるInN(10-1-1)面の表面構造に関する理論検討, 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）, 2012.11. |
| 243. |
井上仁人、寒川義裕、影島博之、若林克法、柿本浩一, SiCステップにおけるC原子グラフェン化過程への理論的アプローチ, 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）, 2012.11. |
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速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本 浩一, SiC結晶成長の分子動力学シミュレーション, 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）, 2012.11. |
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Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Applicability of solid-source solution growth (3CG) method to the AlN bulk growth, Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors, 2012.10. |
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Y. Kangawa, N. Kuwano, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, TEM analysis of bulk AlN grown by solid source solution growth method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, 2012.10. |
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T. Kawamura, T. Miki, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Development of molecular dynamics simulation for molecular beam epitaxy of GaN under Ga-rich conditios, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012), 2012.10. |
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寒川義裕、柿本浩一, 量子論的アプローチによる表面状態図の作成, 第36回結晶成長討論会, 2012.09. |
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井上仁人、寒川義裕、影島博之、柿本浩一, SiCステップによるクラスタリングCのグラフェン化作用, 第36回結晶成長討論会, 2012.09. |
| 251. |
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一, 極性・半極性面上InGaN MOVPEにおけるIn取り込み効率の理論検討, 第36回結晶成長討論会, 2012.09. |
| 252. |
井上仁人、寒川義裕、影島博之、若林克法、柿本浩一, SiC(0001)ステップにおける C 原子凝集過程の理論検討, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09. |
| 253. |
屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一, MOVPE法によるInGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09. |
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三木貴文, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 過剰Ga条件下におけるGaNのMBE成長シミュレーションの開発, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09. |
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M. Inoue, H. Kageshima, Y. Kangawa, K. Kakimoto, First principles approach to C aggregation process during 0th graphene growth on SiC(0001), International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), 2012.07. |
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Y. Kangawa, N. Kuwano, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Solid-source solution growth (3SG) method for bulk AlN growth, 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), 2012.07. |
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T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical investigation of the influence of growth orientation on indium incorporation efficiency during InGaN growth by MOVPE, 第31回電子材料シンポジウム, 2012.07. |
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寒川義裕、柿本浩一, AlN 厚膜成長技術の提案～固体ソース溶液成長法～, 第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 2012.04. |
| 260. |
屋山巴，寒川義裕、柿本浩一, InGaN薄膜におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する新規モデルの提案, 第4回窒化物半導体結晶成長講演会, 2012.04. |
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屋山 巴，寒川 義裕, 柿本 浩一, InGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
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中野 智, 高 冰, 原田 博文，関口 隆史，李 維東，寒川 義裕，柿本 浩一, 数値解析を用いた太陽電池用多結晶シリコン育成中における, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 263. |
井上 仁人,影島 愽之,寒川 義裕,柿本 浩一, SiC(0001)上グラフェン成長初期 C 凝集過程の第一原理計算による検討, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 264. |
寒川義裕, オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援－固体ソース溶液成長法によるAlN 単結晶の作製－, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03. |
| 265. |
寒川義裕, 高効率多接合太陽電池材料の作製指針に関する理論検討, H23年度（第20回）太陽光発電プロジェクト講演会, 2012.03. |
| 266. |
Y. Kangawa, J. Kawano, K. Kakimoto, Surface model of impurity incorporation in III-V-N semiconductors for multi-junction solar cell, International Symposium on Innovative Solar Cells 2012, 2012.03. |
| 267. |
速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本 浩一, 分子動力学法によるSiC結晶中の点欠陥の拡散挙動解析, 第59回応用物理学会春季学術講演会, 2012.03. |
| 268. |
井上 仁人, 寒川 義裕,柿本 浩一, SiC熱分解によるグラフェン成長の初期過程－C凝集過程の基板傾斜方向依存性－
, 結晶成長：実験と理論の最新の展開 (低温研ワークショップ), 2012.02. |
| 269. |
寒川義裕、柿本浩一, 固体ソース溶液成長法により作製したAlN厚膜中の微細組織, 阪大産研 若手セミナー, 2012.02. |
| 270. |
Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Dependence of Graphene growth mechanism on SiC(0001) surface orientation, 結晶成長自由討論会（放談会）, 2012.01. |
| 271. |
寒川義裕、柿本浩一, 固体ソースAlN溶液成長技術の提案, 第154回KASTECセミナー, 2012.01. |
| 272. |
Jun Kawano, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoro, N substitution in GaAs(001) surface under an atomosphere of hydrogen, 21th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2011.12. |
| 273. |
寒川義裕、柿本浩一, 固体原料を用いたAlN 溶液成長法の提案, 第41回結晶成長国内会議, 2011.11. |
| 274. |
川野潤、寒川義裕、柿本浩一, 水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察, 第41回結晶成長国内会議, 2011.11. |
| 275. |
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本 浩一, 小竹茂夫, 鈴木泰之, N原子の拡散を制御したGaN溶液成長シミュレーション, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）, 2011.11. |
| 276. |
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto, Theoretical approach to anisotropic growth mechanism of graphene on a vicinal SiC (0001) surface, 22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 2011, 2011.09. |
| 277. |
R. Toki, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Growth of AlN using Li-Ga-N solution, 22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 2011, 2011.09. |
| 278. |
井上 仁人，寒川 義裕，影島 愽之，若林 克法，柿本 浩一 , [1100]方向微傾斜SiC(0001)面における0層グラフェンの異方成長機構, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.09. |
| 279. |
白桃 拓哉，高 冰，中野 智，西澤 伸一，寒川 義裕，柿本 浩一, 表面ヘキサゴナリティと二次元核生成理論に基づいたSiC結晶多形の圧力温度依存性の解析, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.09. |
| 280. |
川野 潤，寒川 義裕，柿本 浩一, 水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.08. |
| 281. |
Takuya SHIRAMOMO, Bing GAO, Frederic MERCIER, Shin-ichi NISHIZAWA, Satoshi NAKANO, Yoshihiro KANGAWA, Koichi KAKIMOTO
, Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory, The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy, 2011.08. |
| 282. |
河村貴宏, 寒川義裕, 柿本 浩一, 小竹茂夫, 鈴木泰之, GaN溶液成長におけるN原子の拡散挙動の数値解析, 第72回応用物理学会秋季学術講演会, 2011.08. |
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M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Wakabayashi, K. Kakimoto, Theoretical approach to anisotropic growth process of graphene on vicinal SiC(0001) surfaces tilting toward [1100], 第30回電子材料シンポジウム, 2011.06. |
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Jun Kawano, Yoshihiro Kangawa, Tomoe Yayama, Tomonori Ito, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, THERMODYNAMIC ANALYSIS FOR THE PREDICTION OF N COMPOSITION IN COHERENTLY GROWN GaAsN FOR A MULTI-, THE 37th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 2011.06. |
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土岐隆太郎，寒川義裕，屋山 巴，柿本 浩一, Li-Al-N系溶液を用いたAlN結晶成長, 第3回窒化物半導体結晶成長講演会, 2011.06. |
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屋山 巴，川野 潤，寒川 義裕，柿本 浩一，纐纈 明伯, InGaN薄膜作製におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討, 第3回窒化物半導体結晶成長講演会, 2011.06. |
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乾 史憲，高 冰，中野 智，寒川義裕，柿本浩一, SiC溶液成長における炉内温度分布が結晶成長速度へ与える影響, 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会, 2011.03. |
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久松 翔，松尾 整，中野 智，寒川 義裕，柿本 浩一 , 太陽電池用多結晶Si中のSi2N2OとSi3N4の析出に関する数値解析, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 2009.04. |
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寒川義裕、長野利彦、江崎哲也、桑野範之、柿本浩一, Li3Nを窒素源とする気相成長により作製したAlN/sapphireの微細組織観察
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屋山 巴，寒川 義裕，柿本 浩一，纐纈明伯, 基板拘束を受けたInGaN薄膜の組成制御に関する理論検討, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 2009.03. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析, 第36回結晶成長国内会議NCCG-36, 2006.11. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, 単層及び多層カーボンナノチューブの 熱伝導率解析, 第36回結晶成長国内会議NCCG-36, 2006.11. |
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Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa and Koichi Kakimoto, Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of GaN/AlN quantum dot superlattices, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006.10. |
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Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu, Numerical study of relationship between growth condition and atomic arrangement of InGaN , International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, 2006.10. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, 分子動力学法による 機能性材料の熱伝導率解析, 第27回熱物性シンポジウム, 2006.10. |
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Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Ab initio based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN(001), MBE2006, 2006.09. |
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寒川 義裕, 柿本 浩一, 伊藤 智徳, 纐纈 明伯, InGaN 中に形成される微細組織の理論検討, 2006年秋季67回応用物理学会学術講演会, 2006.09. |
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松尾 有里子，寒川 義裕，富樫 理恵，柿本 浩一，纐纈 明伯 , GaNバッファ層成長におけるSi(111)基板表面の水素被覆率の影響 , 2006年秋季67回応用物理学会学術講演会, 2006.09. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, 分子動力学法による GaN/AlN量子ドットの熱伝導率計算, 2006年秋季67回応用物理学会学術講演会, 2006.09. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, 分子動力学法による カーボンナノチューブの熱伝導率計算, 2006年秋季67回応用物理学会学術講演会, 2006.09. |
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Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Theoretical Approach on Initial Growth Kinetics of GaN on GaN(001), First International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2006.06. |
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Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Rie Togashi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, Influence of hydrogen coverage on Si(111) substrate on the growth of GaN buffer layer , First International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2006.06. |
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Takahiro Kawamura, Yoshihiro Kangawa and Koichi Kakimoto, An investigation of thermal conductivity of nitride-semiconductor nanostructures by molecular dynamics , International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 13, 2006.05. |
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Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu, Analysis of compositional instability of InGaN by Monte Carlo simulation, International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 13, 2006.05. |
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寒川義裕，秋山亨，伊藤智徳，白石賢二，柿本浩一, GaN(001)成長初期過程の原子レベル解析, 2006年春季第53回応用物理学会学術講演会, 2006.03. |
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河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, ナノ構造を有する窒化物半導体の熱伝導率解析, 2006年春季第53回応用物理学会学術講演会, 2006.03. |
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寒川義裕、柿本浩一, モンテカルロ法によるInGaN組成不安定性の理論検討, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005.09. |
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河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導率解析, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005.09. |
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河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, AlN/GaN超格子の熱伝導率解析, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005.09. |
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T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Investigation of thermal conductivity of nitride mixed crystal by molecular dynamics, 6th International Conference on Nitride Semiconductor, 2005.08. |
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Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu, Thermodynamic stability of In1-x-yGaxAlyN on GaN and InN, 6th International Conference on Nitride Semiconductor, 2005.08. |
| 408. |
寒川義裕、柿本浩一, InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析, 第35回日本結晶成長学会, 2005.08. |
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河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaN の熱伝導率解析, 第35回日本結晶成長学会, 2005.08. |
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河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 分子動力学法によるAlN/GaN 超格子の熱伝導率解析, 第35回日本結晶成長学会, 2005.08. |
| 411. |
T. Kawamura, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Analysis of thermal conductivity of nitride alloy by molecular dynamics, 24th Electronic Materials Symposium, 2005.07. |
| 412. |
Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu, Influence of lattice constraint from substrate on compositional instability of InAlGaN thin film, 24th Electronic Materials Symposium, 2005.07. |
| 413. |
寒川義裕、柿本浩一、伊藤智徳、纐纈明伯, InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響, 電子情報通信学会 研究会, 2005.05. |
| 414. |
松尾有里子、寒川義裕、岩本智行、野間かおり、熊谷義直、纐纈明伯, GaNバッファー層を用いたGaN/Si(111)のMOVPE成長, 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005.03. |
| 415. |
河村貴宏、寒川義裕、柿本浩一, 分子動力学法によるGaN及び窒化物混晶の熱伝導率解析, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005.03. |
| 416. |
寒川 義裕, 比田 剣之輔, 熊谷 義直, 纐纈 明伯,河口 紀仁, 光励起MOVPEによる高In組成InGaN成長, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 417. |
山根 貴好, 鹿内 洋志, 村上 尚, 寒川 義裕, 熊谷 義直,纐纈 明伯, HVPE法によるAlN厚膜成長における成長温度の影響, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 418. |
松尾 有里子, 川口 暢彦, 藤野 真理恵, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 入澤 寿美, 纐纈 明伯, GaP(111)基板を用いたGaN成長の面方位依存性, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 419. |
松尾 有里子, 菊地 潤, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 纐纈 明伯, 第一原理計算および統計力学的手法によるIn系窒化物原料の熱力学データ, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 420. |
浅野 耕一, 寒川 義裕, 白石 賢二, 秋山 亭, 中村 浩次, 伊藤 智徳, GaAs(211)A-(001)-(2x4)β2 複合ファセット基板上での吸着Ga原子の振舞い, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 421. |
纐纈 明伯, 松本 喜以子, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 入澤 寿美, 「低温成長で拡がる半導体混晶の世界 −なぜ無理矢理原子が入るかー」 窒化物混晶における非混和性, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004.03. |
| 422. |
寒川義裕，入澤寿美，熊谷義直，纐纈明伯, モンテカルロシミュレーションによるGaN成長初期過程の理論検討, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003.09. |
| 423. |
松尾 有里子，藤野 真理恵，寒川 義裕，熊谷 義直，入澤 寿美，纐纈 明伯, 高品質GaN成長に向けたGaP(111)A基板表面からのP脱離の理論検討, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003.09. |
| 424. |
江里口 健一、竹本 菊郎、寒川 義裕、熊谷 義直、纐纈 明伯, InAs(001)基板上へのInAs1-xSbxのハロゲン系気相エピタキシーにおけるV/III比の影響, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003.09. |
| 425. |
菊地 潤、熊谷 義直、寒川 義裕、纐纈 明伯, AlN, GaN HVPE成長のための原料部塩化物生成解析, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003.09. |
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Yoshihiro KANGAWA, Pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN nano-films with high indium content, 21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第4回発表会-, 2003.08. |
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Yoshihiro Kangawa and Valery M. Smirnov, Thermodynamic Study on Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of CdGeP2, 21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第4回発表会-, 2003.08. |
| 428. |
寒川 義裕，入澤 寿美、熊谷 義直，纐纈 明伯, GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討, 第33回結晶成長国内会議, 2003.08. |
| 429. |
松尾 有里子，寒川 義裕，熊谷 義直，入澤 寿美，纐纈 明伯, 第一原理計算による常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移, 第33回結晶成長国内会議, 2003.08. |
| 430. |
森 篤史，伊藤智徳，寒川 義裕，纐纈明伯, InGaN薄膜における自然超格子構造, 第33回結晶成長国内会議, 2003.08. |
| 431. |
纐纈明伯，菊地 潤，寒川 義裕，熊谷 義直, HVPE法を用いたAlNの成長は可能か？, 第33回結晶成長国内会議, 2003.08. |
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Ken-ichi Eriguchi, Kikurou Takemoto, Yoshihiro Kangawa,Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu, Growth of InAs1-xSbx Layers on InAs (001) Substrates Using Halide Vapor Phase Epitaxy, 22nd Electronic Materials Symposium (EMS ’03), 2003.07. |
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N. Kawaguchi, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, Effect of periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers during thick GaN layer growth on GaAs (111)A, 22nd Electronic Materials Symposium (EMS ’03), 2003.07. |
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寒川義裕, GaNナノ薄膜の低温成長における光励起の効果, 21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第１回若手発表会-, 2003.07. |
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H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa, Y. Kumagai and A. Koukitu, Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs (111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), 2003.05. |
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Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU, Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE, 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), 2003.05. |
| 437. |
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN MBE成長の気相−固相関係に対する基板拘束の寄与, 第63回応用物理学会学術講演会, 2002.09. |
| 438. |
松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯, 常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面からのAs脱離過程と(2 x 2)再構成面の形成機構, 第63回応用物理学会学術講演会, 2002.09. |
| 439. |
寒川義裕, 気相−固相反応から見たIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長”、第27回結晶成長討論会、志賀高原プリンスホテル, 第27回結晶成長討論会, 2002.08. |
| 440. |
寒川義裕, 高In組成InGaNナノ薄膜の実現に向けた光励起による成長最表面の制御, 21世紀COE“ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度 COE 第１回発表会-, 2002.03. |
| 441. |
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, MOVPE成長におけるInGaN気相−固相関係に対する基板拘束の寄与, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2002.03. |
| 442. |
山根貴好、宮地岳広、村上尚、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯, HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2002.03. |
| 443. |
松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯, 常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A-(2x2)As面からGa終端面への相転移過程, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2002.03. |
| 444. |
桑野範之、園田欣大、村上尚、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯, GaAs(111)基板両面にMOHVPE法で成長させたGaNの微細構造, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2002.03. |
| 445. |
江里口健一、森岡理、寒川義裕、熊谷義直、纐纈明伯, ハロゲン系気相エピタキシーによるInAs(001)基板上へのInAs1-xSbx三元混晶の成長, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2002.03. |
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寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響, 第3 回ナノ構造・エピ成長分科会シンポジウム, 2002.02. |
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Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, Y. S. Hiraoka, T. Irisawa, T. Ohachi, Ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior during GaAs epitaxial growth, International Workshop on Atomic-Scale Surface Dynamics of Advanced Materials, 2001.11. |
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寒川義裕, 伊藤智徳, 平岡佳子, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠, 高As圧下におけるGaAs成長速度As圧依存性の理論検討, 東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究会「半導体表面におけるナノプロセスの量子化学」, 2001.10. |
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Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu, Empirical potential approach to thermodynamic stability of thin nitride films, Frontier Science Research Conferences -Science and Technology of Nitride Materials 2001-, 2001.10. |
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Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU, Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE, The 4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 2001.10. |
| 451. |
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 入澤寿美, GaAs(001)-(2x4)b2および-(2x4)b1表面におけるGa拡散距離基板温度依存性, 第62回応用物理学会秋季学術講演会, 2001.09. |
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伊藤智徳, 寒川義裕, Si1-x-yGexCyにおけるC混合安定性に対する副格子の影響, 第62回応用物理学会秋季学術講演会, 2001.09. |
| 453. |
寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯, InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相−固相関係, 第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）, 2001.09. |
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Y. Kangawa, T. Ito, Y. S. Hiraoka, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, Theoretical investigation for As pressure dependence of GaAs growth rate, 20th European Conference on Surface Science, 2001.09. |
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松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，入澤寿美，纐纈明伯, 常圧H2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2 x 4)再構成面の形成機構, 第32回結晶成長国内会議（NCCG-32）, 2001.08. |
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T. Ito, Y. Kangawa, A. Kobayashi, Theoretical investigations of thermodynamic stability for Si1-x-yGexCy, The 13th International Conference on Crystal Growth, 2001.07. |
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T. Ito, Y. Kangawa, K. Tsutsumida, An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende structural stability of semiconductors, The 13th International Conference on Crystal Growth, 2001.07. |
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Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Kohichi Nakamura, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU, Empirical potential-based approach to relative stability among tetrahedral clusters in bulk InGaN and InGaN/GaN, 21st Electronic Materials Symposium (EMS ’02), 2001.06. |
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Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Irisawa, T. Ohachi, Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001), 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 2001.06. |
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伊藤智徳, 寒川義裕, Si1-x-yGexCyにおける混合安定性のGe濃度依存性に関する理論検討, 第48回応用物理学会春季学術講演会, 2001.03. |
| 463. |
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠, GaAs(211)Aおよび(411)A表面上におけるGa原資の安定吸着位置と相対的安定性, 第48回応用物理学会春季学術講演会, 2001.03. |
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T. Ito, Y. Kangawa, K. Shiraishi, A. Taguchi, Empirical potential-based approach for understanding epitaxial growth of aemiconductors , The 5th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2001.03. |
| 465. |
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu, Empirical Interatomic potential calculation for comositional instability of InGaN thin films grown on GaN and InN, The 5th Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2001.03. |
| 466. |
Y. Kangawa, T. Ito, A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stabilities, 27th International Symposium on Compound Semiconductors, 2000.12, We proposed a new empirical interatomic potential for compound semiconductors applicable to estimation of subtle energy difference. The potential was devised to incorporate the interactions between atoms beyond 3rd neighbors by considering electrostatic contributions. The versatility of the potential was confirmed by the calculation of relative stabilities between wurtzite and zinc blende structures. Using the new potential, we also worked out the excess energies for InxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/InN in order to investigate thermodynamic stabilities. We found that the excess energy maximum drastically shifted toward x∼0.80 for InGaN/GaN and x∼0.10 for InGaN/InN due to the lattice constraint from the bottom layer in contrast with x∼0.50 for bulk.. |
| 467. |
Y. Kangawa, T. Ito, A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stabilities, 27th International Symposium on Compound Semiconductors , 2000.10. |
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A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ito, Y. Kangawa, Theoretical investigation of adatom adsorption on the As-stabilized GaAs(111)A surface, International Symposium on Surface and Interface, 2000.10. |
| 469. |
Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces, International Symposium on Surface and Interface, 2000.10. |
| 470. |
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 大鉢忠, GaAs(411)Aおよび(001)-(4x2)表面上における吸着Ga原子の相対的安定性, 第61回応用物理学会秋季学術講演会, 2000.09. |
| 471. |
伊藤智徳, 寒川義裕, 田口明仁, 白石賢二, 原子間ポテンシャルによるGaAs(111)A表面上Ga原子の安定吸着機構の検討, 第61回応用物理学会秋季学術講演会, 2000.09. |
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Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori, A. Koukitu, Empirical Interatomic potential calculation for compositional instability of III-V nitride alloys in lattice mismutch systems, International Workshop on Nitride Semiconductors 2000, 2000.09. |
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寒川義裕, 伊藤智徳, 森篤史, 纐纈明伯, InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与, 第31回結晶成長国内会議（NCCG-31）, 2000.07. |
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Y. Kangawa, Noriyuki Kuwano, K. Oki, Numerical calculation with empirical interatomic potential for formation mechanism of AuAu-I type ordered structure in InGaAs/(110)InP, International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 1999.10. |
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寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析, 第30回結晶成長国内会議（NCCG-30）, 1999.07. |
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寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, InGaAs/(110)InP混晶におけるCuAu-I型規則化メカニズムの原子間ポテンシャルによる解析, 日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 平成11年度合同学術講演会, 1999.06. |
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Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki, Theoretical investigation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP using empirical interatomic potential, 18th Electronic Materials Symposyum, 1999.06. |
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Y. Kangawa, M. Suenaga, N. Kuwano, K. Oki, Empirical Interatomic potential calculation for ordering mechanism of InGaAs/(110)InP, International Conference on Solid-Solid Transformation '99, 1999.05. |
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寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, 原子間ポテンシャル計算によるInGaAs/(110)InP中に出現するCuAu-I型規則構造の形成機構に関する研究, 文部科学省研究費補助金特定領域研究（Ａ）「相変態」成果報告会, 1998.10. |
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寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, 原子間ポテンシャル計算によるInGaAs/(110)InP中に出現するCuAu-I型規則構造安定性の定量解析, 日本金属学会1998秋季大会, 1998.09. |
| 482. |
Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki, Empirical interatomic potential calculation for InGaAs/(110)InP and its application to CuAu-I type ordered structure stability, 17th Electronic Materials Symposium, 1998.07. |
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寒川義裕, 小島周子, 桑野範之, 沖憲典, InAlAs/(110)InP混晶中に出現するL10型規則相ならびにAl偏析領域の形成機構, 第58回応用物理学会秋季学術講演会, 1997.10. |
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小島周子, 寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, InAlAs/(110)InP混晶中に出現する逆位相境界の形成機構, 第58回応用物理学会秋季学術講演会, 1997.10. |
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Y. Kangawa, C. Kojima, N. Kuwano, K. Oki, TEM observations for the formation mechanism of microstructures in InAlAs/(110)InP, 16th Electronic Materials Symposium, 1997.07. |
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Y. Kangawa, N. Kuwano, K. Oki, TEM observation for the ordering mechanism of an InGaAs alloy grown on a (110)InP substrate, 平成7-8年度文部科学省科学研究費補助金基板研究（Ａ）「エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス」成果報告会, 1997.01. |
| 490. |
寒川義裕, 小島周子, 桑野範之, 沖憲典, (110)Inp基板上にエピタキシャル成長させたInGaAs混晶の規則化機構, 第38回日本電子顕微鏡学会九州支部会学術講演会, 1996.11. |
| 491. |
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, III-V族半導体混晶におけるTP-A型規則化のモンテカルロ法による解析, 第57回応用物理学会秋季学術講演会, 1996.09. |
