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草場 彰(くさば あきら) データ更新日:2023.12.11

准教授 /  応用力学研究所 新エネルギー力学部門 材料情報学


主な研究テーマ
■ データ同化による反応速度定数
キーワード:気相反応モデル, 量子化学計算, 遷移状態理論, 飛行時間型質量分析データ, 多目的最適化
2020.12.
■ ベイズ最適化による表面構造探索
キーワード:表面再構成, 表面状態図, 密度汎関数理論, イジング模型, 量子アニーリング
2020.04.
■ 非平衡量子熱力学に基づく吸着解析
キーワード:不純物, 化学吸着, 表面再構成, 最急エントロピー勾配, 密度汎関数理論
2016.10~2019.03.
■ 成長駆動力の面方位依存性
キーワード:過飽和度, 表面エネルギー, 表面再構成, 熱力学解析, 密度汎関数理論
2016.04~2019.03.
研究業績
主要原著論文
1. Akira Kusaba, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi, Tetsuji Kuboyama, Yoshihiro Kangawa, Beyond ab initio reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Physics Letters, 121, 162101, 2022.10, [URL].
2. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Tetsuji Kuboyama, Atsushi Oshiyama, Exploration of a large-scale reconstructed structure on GaN(0001) surface by Bayesian optimization, Applied Physics Letters, 120, 021602, 2022.01, [URL].
3. Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films, Materials, 12, 972, 2019.03, [URL].
4. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Physics Express, 9, 125601, 2016.11, [URL].
主要総説, 論評, 解説, 書評, 報告書等
1. 草場 彰, 窒化ガリウム結晶成長への情報科学技術の活用(特集「JST ACT-X AI活用で挑む学問の革新と創成」), 日本ロボット学会誌, Vol.41, No.8, p.680, 2023.10, [URL].
2. 草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳, GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状(特集「エピタキシャル成長の量子論における新展開:シミュレーションからデジタルツインへ」), 日本結晶成長学会誌, Vol.50, No.1, p.50-1-05, 2023.04, [URL].
3. 草場 彰, 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究, 九州大学学位論文, 2019.03, [URL].
主要学会発表等
1. 杉山佳奈美, 草場彰, 反応経路自動探索によるトリメチルガリウム分解過程の理論解析, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023.09.
2. 草場彰, 寒川義裕, 久保山哲二, 新田州吾, 白石賢二, 押山淳, データ科学による結晶成長モデリングの高度化, 第2回スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム研究交流会, 2023.03.
3. 草場 彰, ベイズ最適化による半導体表面混合状態の研究, 第2回スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム研究交流会, 2023.03.
4. 草場 彰, 結晶成長の計算科学と機械学習応用, 2022年日本結晶成長学会特別講演会『赤﨑勇先生追悼講演会~結晶成長が描く夢の継承~』, 2022.02.
5. 草場彰, 久保山哲二, 寒川義裕, 結晶成長デジタルツイン―AIと計算科学からのアプローチ, 第50回結晶成長国内会議, 2021.10.
6. 草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人, 機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索, 第49回結晶成長国内会議, 2020.11.
学会活動
所属学会名
応用物理学会
日本結晶成長学会
その他の研究活動
海外渡航状況, 海外での教育研究歴
ポーランド科学アカデミー 高圧物理学研究所, Poland, 2023.06~2023.07.
ポーランド科学アカデミー 高圧物理学研究所, Poland, 2023.02~2023.03.
受賞
第19回奨励賞, 日本結晶成長学会, 2021.10.
学生ポスター賞, 第46回結晶成長国内会議, 2017.12.
Outstanding Presentation Award, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), 2017.10.
学生表彰 (学術研究活動表彰), 九州大学, 2016.03.
Young Scientist Award, 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015.11.
Poster Prize of Italian Association of Crystallography, 5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5), 2015.09.
発表奨励賞, 第7回窒化物半導体結晶成長講演会, 2015.05.
優秀学生賞, 日本航空宇宙学会西部支部, 2014.03.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2023年度~2027年度, 基盤研究(B), 分担, 無限平面上の離散構造列挙と類似度設計による結晶の表面構造探索.
2021年度~2025年度, 基盤研究(A), 分担, 炭素ポンプを用いた水素循環制御の研究.
2020年度~2023年度, 若手研究, 代表, 表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索.
2019年度~2021年度, 特別研究員奨励費, 代表, 結晶成長プロセス・インフォマティクスの創出による宇宙用パワー半導体の研究開発.
2016年度~2018年度, 特別研究員奨励費, 代表, 耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2020年度~2022年度, 戦略的創造研究推進事業 (文部科学省), 代表, 次世代半導体開発におけるプロセス設計の革新.

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