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草場 彰(くさば あきら) データ更新日:2021.10.28



主な研究テーマ
半導体気相成長における特徴抽出
キーワード:不純物濃度、ステップダイナミクス、時空間データ解析、データ駆動モデリング、機械学習
2019.04.
半導体気相成長のマルチフィジックスモデリング
キーワード:表面再構成、成長駆動力、不純物混入、第一原理計算、熱力学解析
2016.04.
研究業績
主要原著論文
1. Akira Kusaba, Kilho Shin, Dave Shepard, Tetsuji Kuboyama, Predictive Nonlinear Modeling by Koopman Mode Decomposition, Proceedings of the International Conference on Data Mining Workshops 2020 (ICDMW 2020), 10.1109/ICDMW51313.2020.00118, 811-819, 2020.11.
2. Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films, Materials, 10.3390/ma12060972, 12, 6, 972:1-972:14, 2019.03.
3. Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics, Materials, 10.3390/ma10080948, 10, 8, 948:1-948:13, 2017.08.
4. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Hubert Valencia, Kenji Shiraishi, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, Thermodynamic analysis of (0001) and (000-1) GaN metalorganic vapor phase epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, 10.7567/JJAP.56.070304, 56, 7, 070304:1-070304:4, 2017.06.
5. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Physics Express, 10.7567/APEX.9.125601, 9, 12, 125601:1-125601:4, 2016.11.
主要総説, 論評, 解説, 書評, 報告書等
主要学会発表等
1. 草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一, GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析, 第46回結晶成長国内会議, 2017.11.
2. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto, Akinori Koukitu, Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), 2017.09.
3. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Koichi Kakimoto, Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE, 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015.11.
4. Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto, Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach, 5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5), 2015.09.
5. 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入:表面エネルギーの理論解析, 第7回窒化物半導体結晶成長講演会, 2015.05.
学会活動
所属学会名
応用物理学会
日本結晶成長学会
受賞
第19回奨励賞, 日本結晶成長学会, 2021.10.
学生ポスター賞, 第46回結晶成長国内会議, 2017.12.
Outstanding Presentation Award, International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), 2017.10.
学生表彰 (学術研究活動表彰), 九州大学, 2016.03.
Young Scientist Award, 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), 2015.11.
Poster Prize of Italian Association of Crystallography, 5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5), 2015.09.
発表奨励賞, 第7回窒化物半導体結晶成長講演会, 2015.05.
優秀学生賞, 日本航空宇宙学会西部支部, 2014.03.
研究資金
科学研究費補助金の採択状況(文部科学省、日本学術振興会)
2021年度~2025年度, 基盤研究(A), 分担, 炭素ポンプを用いた水素循環制御の研究.
2020年度~2023年度, 若手研究, 代表, 表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索.
2019年度~2021年度, 特別研究員奨励費, 代表, 結晶成長プロセス・インフォマティクスの創出による宇宙用パワー半導体の研究開発.
2016年度~2018年度, 特別研究員奨励費, 代表, 耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発.
競争的資金(受託研究を含む)の採択状況
2020年度~2022年度, 戦略的創造研究推進事業 (文部科学省), 代表, 次世代半導体開発におけるプロセス設計の革新.
2018年度~2018年度, 九州大学応用力学研究所 共同利用研究 若手キャリアアップ支援研究, 代表, 窒化ガリウム結晶成長プロセスの理論データベース構築とデータ科学への応用.

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